Gua de Qumica Bsica B

1.- Un slido cristalino posee un orden rgido y largo. En un slido cristalino, los
tomos, molculas o iones ocupan posiciones especficas. El hielo es un slido
cristalino.

Un slido amorfo carece de un ordenamiento bien definido y de un orden

molecular repetido. El vidrio es un slido amorfo.

2.- El polimorfismo es la capacidad de un slido de existir en ms de una forma

cristalina. El grafito es una de las formas elementales en las que se puede
presentar el carbono; otra forma es el diamante. Estn hechos de lo mismo
Carbono (C), pero su forma cristalina es distinta.

3.- Cubico simple, cubico centrado en el cuerpo y cubico centrado en las caras.
Si una celda unidad tiene partculas estructurales solamente en sus vrtices, se
denomina celda unidad primitiva o celda cbica simple; tiene 1 tomo. En la
estructura cbica centrada en el cuerpo (bcc), se encuentra una partcula
estructural del cristal en el centro del cubo y tambin en cada vrtice de la
celda unidad; tiene 2 tomos. En la estructura cbica centrada en las caras
(fcc) hay una partcula estructural en el centro de cada cara y tambin en cada
vrtice; tiene 4 tomos.

4.- Los semimetales que son semiconductores por el dopaje se denominan

semiconductores extrnsecos. Se provoca un exceso de electrones o un exceso
de huecos introduciendo nuevos tomos de otros elementos (dopaje).
Tipo n: esta
estructura
se ha dopado
aadiendo tomos de antimonio (Sb) para crear un material semiconductor
extrnseco. Los tomos de silicio (con cuatro electrones en la ltima rbita o
banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los tomos de
antimonio (con cinco en su ltima rbita banda de valencia). En esa unin
quedar un electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada
tomo de antimonio que se haya aadido. De esa forma el cristal.de silicio se
convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso
electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura.

Tipo p: Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si).que forman,

como en el caso anterior, una celosa, dopada ahora con tomos de galio (Ga)
para formar un semiconductor extrnseco. Como se puede observar en
la ilustracin, los tomos de silicio (con cuatro electrones en. la. ltima rbita o
banda de valencia) se unen formando enlaces covalente con los tomos de
galio (con tres electrones en su banda de valencia). En esas condiciones
quedar un hueco con defecto de electrones en la estructura cristalina de
silicio, convirtindolo en un semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el
defecto de electrones en la estructura.