APONTAMENTOS DE DISPOSITIVOS

SEMICONDUTORES

LICENCIATURA DE ENGENHARIA ELECTRNICA

IST
2004-2005
 NDICE

Pg.
Cap. 1. Semicondutores ...................................................................................................... 1.1

1.1 Modelos das ligaes de covalncia .............................................................................. 1.1

1.2 Modelo das bandas de energia ..................................................................................... 1.4

1.3 Gerao e Recombinao .............................................................................................. 1.5

1.4 Efeito foto-elctrico interno .......................................................................................... 1.6

1.5 Funo de Fermi-Dirac f(W) e funo densidade de estados em energia g(W) ....... 1.7

1.6 Mecanismos de transporte .......................................................................................... 1.14

1.6.1 Deriva ........................................................................................................................ 1.14

1.6.2 Difuso ....................................................................................................................... 1.18

1.7 Equaes da continuidade .......................................................................................... 1.18

1.7.1 Cristal neutro e uniforme ........................................................................................ 1.20

1.7.2 Regime estacionrio sem conduo. Difuso com recombinao ........................ 1.22

1.8 Semicondutores compostos ......................................................................................... 1.25

1.9 Fotocondutividade. Fotoresistncias .......................................................................... 1.32

i
ii
Captulo 1. Semicondutores

Os semicondutores so materiais cujas condutividades se situam entre as dos metais (106 a 108
S/m) e as dos isoladores (10-20 a 10-8 S/m). Quando puros, as suas propriedades elctricas so
fortemente dependentes da temperatura. Designam-se nesse caso por intrnsecos. Quando se
introduzem impurezas no seu seio, os materiais dizem-se extrnsecos, vendo a sua
condutividade fortemente aumentada, mesmo quando a introduo de impurezas em doses
nfimas, geralmente inferiores a 0,0001%. A condutividade nos semicondutores , num caso
geral, da responsabilidade de dois tipos de portadores mveis: uns de carga negativa, os
electres de conduo, e outros de carga positiva, designados por buracos ou lacunas.

1.1 Modelo das ligaes de covalncia

Os semicondutores elementares tpicos so o germnio (Ge) e o silcio (Si). So elementos da
coluna IV da tabela peridica, que cristalizam no sistema cbico com a malha de diamante, de
que se mostra uma clula elementar na Fig.1.1. Esta corresponde ao menor conjunto de
tomos que, repetido nas 3 direces do espao, reconstitui o cristal. formada por 1 tomo
nos vrtices, que partilhado por 8 clulas, 1 tomo no centro das faces, que partilhado por
2 clulas, e 4 tomos no interior. Significa que cada clula elementar constituda por
8/8+6/2+4=8 tomos. A rede de diamante pode ser interpretada como o resultado da
translao de duas redes cbicas de faces centradas.

- Fig.1.1 -
Clula elementar da rede cristalina do diamante.

A estabilidade da estrutura obtida porque os tomos se agregam de tal modo que a sua
ltima camada fica completa, por partilha de electres com os tomos vizinhos. Designa-se
esse tipo de ligao por ligao de covalncia. Est representada de forma esquemtica na

- 1.1 -
Fig.1.2, onde cada ligao representada por um segmento de recta. Corresponde situao
de energia mnima para os electres, sendo necessrio fornecer-lhes uma energia mnima, dita
de ligao, para os libertar. Na Fig.1.2(a) representa-se a situao em que todos os electres
de valncia se encontram ligados. Por aplicao de um campo electrosttico ao cristal no se
verificar nenhuma corrente estacionria, porque todos os electres esto presos. A possvel
troca de posio no afectar o sistema, uma vez que os electres so partculas
indiscernveis, significando isto que essa eventualidade no est associada a qualquer
fornecimento ou absoro de energia ao sistema. O semicondutor comporta-se como um
isolante. a situao a 0 K.

+4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4

(a) (b)
- Fig.1.2 -
Ligaes de valncia num semicondutor intrnseco. (a) T = 0 K (b) T > 0 K.

A uma dada temperatura T j existe interaco do material com o exterior, que se traduz pela
existncia de um certo nmero de ligaes quebradas, ou, o que o mesmo, pelo
aparecimento de electres livres (Fig.1.2(b)). A aplicao de um campo permite agora a
existncia de corrente estacionria, por movimentao dos electres no cristal. No entanto,
existindo ligaes incompletas, s quais est associada uma carga positiva, pode haver
transferncia de electres de umas ligaes para as outras. Corresponde no fundo, a uma
movimentao de cargas positivas (os buracos ou lacunas) em sentido contrrio. Estas so em
igual nmero ao das ligaes desfeitas. So partculas livres na acepo em que os electres
de conduo o so. Assim, o mecanismo de quebra de ligaes de valncia est
indissoluvelmente ligado gerao de pares electro-buraco. Analogamente, quando um
electro livre capturado e se restabelece a ligao por perda da sua energia para a rede,
desaparece um par electro-buraco. Em equilbrio termodinmico os 2 mecanismos, ditos de

- 1.2 -
gerao e de recombinao, so obrigatoriamente iguais e, num material como o que foi
descrito, o nmero de electres igual ao nmero de buracos. O material diz-se intrnseco.
Sendo n e p as concentraes de electres e de buracos por unidade de volume,
respectivamente, tem-se

n = p = ni (1.1)

sendo, ni a concentrao intrnseca do material semicondutor temperatura T.

Os semicondutores intrnsecos apresentam uma carga mvel relativamente baixa. Para obviar
este problema, utilizam-se os semicondutores extrnsecos. Nestes, alguns tomos do
semicondutor so substitudos por tomos de impurezas, ditas de substituio. Dois casos so
possveis. Se os tomos de impurezas forem da coluna V da tabela peridica (P, Sb, As, Li),
preenchidas as 4 ligaes de covalncia sobra um electro de valncia (Fig.1.3(a)). A energia
para libertar esse electro cerca de um centsimo da necessria para abrir uma ligao de
covalncia, motivo pelo qual temperatura ambiente praticamente todos os tomos de
impurezas esto j ionizados, por libertao do quinto electro. As impurezas contribuem
assim para o aumento da populao de electres, sem contriburem para o aumento da
populao de buracos. Dizem-se dadoras, sendo os seus ies de carga positiva. Pelo facto da
populao de electres ser superior de buracos, o material diz-se do tipo n.

+4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +5 +4 +4 +3 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4

(a) (b)
- Fig.1.3
Ligaes de valncia num semicondutor extrnseco. (a) tipo n (b) tipo p.

Se pelo contrrio as impurezas tm 3 electres de valncia (Al, B, Ga, In), fica uma ligao
por preencher. Com uma energia muito pequena os tomos ionizam-se e recebem um electro

- 1.3 -
de valncia, que liberta um buraco. A populao de buracos aumenta, sem existir a
contrapartida do aumento de electres. Aparece um io de carga negativa associada
impureza, que se diz aceitadora (Fig.1.3(b)). O material diz-se agora do tipo p. De realar que
apenas os electres da banda de conduo, representados por n, e os buracos, representados
por p, so responsveis pela corrente elctrica (portadores). Os ies dadores e aceitadores
apenas contribuem para a carga total do sistema.

1.2 Modelo das bandas de energia

Resultados da mecnica ondulatria mostram que os tomos isolados tm nveis de energia
discretos possveis para os electres. Nos cristais, a interaco entre os tomos, que esto
muito prximos, desdobra os nveis de energia em bandas. Estas esto separadas por zonas ou
bandas de ocupao proibida. Num semicondutor intrnseco, as duas bandas permitidas de
mais alta energia so, por ordem decrescente de energia, a banda de conduo e a banda de
valncia (Fig.1.4). O nvel de energia mais baixa da banda de conduo designado por WC.
O nvel de energia mais alto da banda de valncia designado por WV. Os parmetros WC e
WV tm caractersticas de energia potencial. As bandas esto separadas por uma banda
proibida com uma altura em energia WG, dada por WC-WV, que, para os semicondutores, tem
valores tpicos de aproximadamente 1 eV (1 eV=1,61019 J). Para T = 0 K a banda de
valncia est completamente preenchida e a banda de conduo vazia. Corresponde, no
modelo das ligaes de valncia, a termos todas as ligaes de covalncia estabelecidas. Uma
banda completamente cheia no contribui para a corrente porque no existem estados livres
para onde as partculas (que verificam o princpio de excluso de Pauli) possam ir quando
solicitadas pelo campo. S podem trocar de posies o que, graas indiscernibilidade, deixa
tudo na mesma. Por outro lado, a banda de conduo est vazia. Logo, o semicondutor
comporta-se como um isolador a 0 K. s baixas temperaturas o panorama sensivelmente o
mesmo. Para temperaturas prximas da ambiente, os electres de valncia j possuem
energias para saltar a barreira WG e passar para a banda de conduo onde se tornam electres
livres (Fig.1.4(b)). A existem muitos estados por ocupar. Alm disso, tambm a banda de
valncia j possui estados vazios por ocupar. Estes podem mover-se, por troca de posio com
os electres de valncia. a colaborao conjunta de locais vagos e dos electres de valncia
que pode ser contabilizada pela existncia das entidades de carga positiva designadas por
buracos. De salientar, contudo, que o nmero de electres que vencem a barreira
normalmente pequeno, uma vez que a energia de agitao trmica pequena comparada com

- 1.4 -
a altura da banda proibida. temperatura de 300 K, WG vale aproximadamente 0,66 e 1,1 eV
para o Ge e o Si, respectivamente.

As impurezas de substituio esto associadas a nveis de energia na banda proibida. Este

facto no deve ser tomado como estranho, uma vez que nos estamos a referir a tomos
distintos do hospedeiro. Sendo a perturbao introduzida no sistema pequena, as impurezas
dadoras esto associadas a nveis de energia prximas de WC (Fig.1.4(b)) e os nveis
aceitadores esto associados a valores prximos de WV (Fig.1.4(c)). As energias de agitao
trmica a 300 K tornam possveis transies entre esses nveis e as bandas permitidas.
Correspondem no modelo anteriormente descrito, ionizao das impurezas de substituio.
As energias envolvidas so muito menores que nos processos banda a banda caractersticos
dos materiais intrnsecos. Os estados de movimento associados aos nveis das impurezas de
substituio so designados por superficiais. Outras impurezas existem em que as diferenas
para o material hospedeiro so assinalveis. Introduzem estados profundos na banda proibida,
estando associadas a energias de ionizao da ordem de WG/2.

WC WC WC
WD
WG WG WG
WA
WV WV WV

(a) (b) (c)

- Fig.1.4 -
Modelo das bandas de energia num semicondutor
(a) intrnseco; (b) extrnseco do tipo n; (c) extrnseco do tipo p.

1.3 Gerao e Recombinao

A uma dada temperatura existe uma certa probabilidade para que um electro de valncia
receba uma energia WG e se liberte, criando um par electro-buraco. Chama-se ritmo de
gerao Gter ao nmero de pares electro-buraco gerados por unidade de volume em cada
unidade de tempo. Exprime-se em [m-3s-1]. O processo inverso a recombinao R, onde um
electro de conduo por perda da energia WG, restabelece a ligao, fazendo desaparecer um
par electro-buraco. Obviamente em equilbrio termodinmico os dois ritmos devem ser
iguais, pois se assim no fosse a energia do electro estaria sempre a aumentar (Gter>R) ou a
diminuir (Gter<R), e o sistema no estaria em equilbrio termodinmico.

- 1.5 -
Em primeira anlise podemos admitir que R proporcional ao produto das concentraes n e
p. A constante de proporcionalidade r dependente da temperatura

R = r (T )np (1.2)

Em equilbrio termodinmico tem-se pois Gter=R, pelo que

Gter = r (T )n0 p 0 (1.3)

onde n0 e p0 representam as concentraes de electres e de buracos em equilbrio

termodinmico. A uma dada temperatura verifica-se assim que o produto da concentrao de
electres e de buracos Gter/r e, portanto, constante. O resultado independente da presena
de impurezas, desde que estas representem uma pequena perturbao no sistema. Para um
semicondutor intrnseco o seu valor o quadrado da concentrao intrnseca, tal como dado
por (1.1). Para um semicondutor extrnseco, o resultado continua a aplicar-se, significando
que a subida da concentrao de um tipo de portadores conduz descida da concentrao do
outro tipo de portadores. Por exemplo, num semicondutor extrnseco do tipo n, a presena de
dadores funciona como uma fonte adicional ao aparecimento de electres. Ao ionizar-se cada
tomo dador contribui para o aumento da populao de electres em uma unidade, sem
contribuir para a populao de buracos. Por outro lado, a agitao trmica associada
temperatura T contribui igualmente para a concentrao dos dois tipos de portadores. assim
natural que a populao de electres aumente em relao observada no intrnseco mesma
temperatura. As equaes (1.1) ou (1.3) mostram que a populao de buracos desce em
relao ao valor intrnseco. Tal facto resulta de a populao de buracos ver o seu ritmo de
recombinao aumentar com o aumento da populao de electres. Este efeito contabilizado
por um parmetro, que se designa por tempo de vida mdio. Diremos ento que, devido ao
aumento da populao de electres, o tempo de vida mdio dos buracos diminuiu. Sendo o
sistema electricamente neutro, a concentrao de cargas negativas deve ser numericamente
igual concentrao de cargas positivas, ou seja

n + N A = p + N D+ (1.4)

A expresso anterior mostra que a diferena entre as populaes de electres e de buracos

pode interpretar-se como a neutralizao da presena simultnea de impurezas de dois tipos,
ficando o semicondutor com carcter n ou p conforme as impurezas que predominarem e
como se estas existissem com o valor dado pelo seu excesso face outra.

- 1.6 -
1.4 Efeito foto-elctrico interno
O efeito fotoelctrico interno corresponde a um processo de gerao de pares electro-buraco,
ou seja quebra de ligaes de covalncia, quando o semicondutor est sujeito aco de
uma radiao electromagntica conveniente. O seu ritmo designa-se por Gef e, tal com Gter,
exprime-se em [m-3s-1]. Sendo a radiao electromagntica constituda por partculas,
designadas por fotes, para que exista gerao de pares electro-buraco necessrio que os
fotes tenham uma energia associada de pelo menos WG. Sendo hf a energia de um foto da
radiao de frequncia f

hf WG (1.5)

sendo h=6,6210-34 [J.s] a constante de Planck. A equao (1.5) mostra que o processo de
libertao de electres de valncia por efeito foto-elctrico interno est sobretudo relacionado
com as caractersticas energticas que esto associadas aos fotes. Acima da frequncia
mnima, a intensidade de radiao importante, aumentando o nmero de pares gerados com
a intensidade. Abaixo dessa frequncia, o mecanismo de gerao por efeito foto-elctrico no
se verifica, por mais intensa que seja a radiao. Diz-se ento que o material transparente
radiao. Numa situao estacionria, o ritmo de gerao total igual ao ritmo de
recombinao

G=R Gter + Gef = R (1.6)

ou seja,

Gter + Gef Gter Gef G

np = = 1 + = ni2 1 + ef (1.7)
r r Gter Gter

A equao (1.7) mostra que, com iluminao, o produto np deixa de verificar a equao (1.1).
Trata-se efectivamente de uma situao que no de equilbrio termodinmico.

1.5 Funo de Fermi-Dirac f(W) e funo densidade de estados em energia

g(W)
Para determinarmos as relaes quantitativas que nos permitem calcular as densidades de
electres e de buracos num semicondutor teremos que recorrer a consideraes de ordem
quntica. Para electres de conduo com energias prximas de WC e para electres de

- 1.7 -
valncia com energias prximas de WV tem-se

p2
W = WC + W > WC (1.8.a)
2mC*

p2
W = WV + W < WV (1.8.b)
2mV*

com mC* > 0 e mV* < 0 . Trata-se da adaptao a um formalismo clssico, em que a energia total

da partcula em cada banda igual soma da energia potencial, 1 parcela do 2 membro de

(1.8), com a energia cintica da partcula, dada pela 2 parcela do 2 membro. A equao
(1.8.a) mostra que para a banda de conduo podemos considerar partculas de massa
positiva. So os electres de conduo, com uma densidade volumtrica que representamos
por n. Para a banda de valncia, a equao (1.8.b) mostra que a massa a considerar deve ser
negativa. Para entendermos este facto, teremos de atender que esse parmetro do ponto de
vista quntico deixa de ter um carcter de inrcia, podendo nalguns casos ser negativo e no
ser um escalar. Designamo-lo por massa eficaz da partcula. Ela engloba toda a complexidade
da estrutura de bandas presente no cristal, onde o potencial tem uma variao peridica nas
trs direces do espao. A considerao desse parmetro permite-nos, dentro de uma
perspectiva clssica, estudar o movimento dos electres recorrendo conhecida equao

G G
dv
m *
= qE (1.9)
dt

De salientar que para a banda de valncia, a utilizao da equao (1.9) mostra que a
contribuio de partculas de massa negativa e carga negativa (electres de valncia) pode ser
traduzida por partculas de massa e de carga simtricas. So os buracos. Logo as equaes
(1.8) podem ser aplicadas para os electres da banda de conduo com mC* = mn* > 0 e para os

buracos da banda de valncia com m *p = mV* > 0.

Os electres e os buracos verificam a estatstica de Fermi-Dirac. Dizem-se por isso fermies.

Significa que so partculas que, na sua lei de distribuio, verificam o princpio de excluso
de Pauli, que diz que num sistema de electres apenas um electro pode ocupar cada estado
quntico possvel. Alm disso so partculas indiscernveis, isto , no possvel distinguir
entre duas partculas que no mesmo instante tenham a mesma probabilidade de se encontrar

- 1.8 -
num certo elemento de volume do espao. A indiscernibilidade , alis, um princpio inerente
mecnica ondulatria, por contraposio noo de discernibilidade, conceito restrito
mecnica clssica.

A funo de Fermi-Dirac f(W) representa a probabilidade de um dado nvel de energia W estar

ocupado (Fig.1.5). dada, para uma temperatura T, por

1
f (W ) = W WF
(1.10)
1+ e kT

sendo k a constante de Boltzmann, de valor 1,3810-23[JK-1], e WF o nvel de Fermi, que

representa o potencial electroqumico do material. WF goza das seguintes propriedades

f (WF ) = 0,5 T 0K (1.11.a)

f (W ) = 1 W < WF ; f (W ) =0 W > WF T = 0K (1.11.b)

f(W)

T=0
1

T
0,5
T

W
WF
- Fig.1.5 -
Funo de Fermi.

As equaes (1.11) mostram que, para T=0 K, o nvel de Fermi representa o nvel de energia
mais alto ocupado e que para qualquer outra temperatura a probabilidade de ocupao do
nvel de Fermi de 50%.

Por mudana de variveis E=(W-WF)/kT, pode verificar-se que f(E)=1-f(-E), ou seja a

probabilidade de ocupao (dada por f) de um dado nvel de energia igual probabilidade de
desocupao (dada por 1-f) do nvel simetricamente colocado em relao ao nvel de Fermi.

Pode mostrar-se que num cristal, para um certo intervalo de energia dW centrado na energia
W, existe um nmero finito de estados estacionrios possveis para o movimento do electro

- 1.9 -
dado por

8V0 *
dN (W ) = mW 2mW* Wk dW (1.12)
h3

A aplicao de (1.12) para os electres da banda de conduo permite definir a respectiva

funo densidade de estados em energia. dada por

8V0 *
g C (W ) = 3
mn 2mn* (W WC ) W > WC (1.13)
h

Analogamente, para a banda de valncia teremos

8V0 *
gV (W ) = m p 2m*p (WV W ) W < WV (1.14)
h3

O nmero de electres obtido a partir da densidade de estados em energia da banda de

conduo que esto ocupados, ou seja

1
dn = f (W ) g C (W )dW (1.15)
V0

O nmero de buracos est associado ao grau de desocupao da banda de valncia e, portanto:

dp =
1
(1 f (W ))gV (W ) (1.16)
V0

Admitindo que a posio do nvel de Fermi tal que se verifica sempre

WC WF >> kT ; WF WV >> kT (1.17)

a funo de Fermi pode ser substituda pela funo de Maxwell-Boltzmann, que corresponde
estatstica clssica. Nessas condies os semicondutores dizem-se no degenerados. nessa
situao que nos situaremos na anlise de todos os dispositivos desta disciplina. Nessas
condies

(W WF )

f (W ) e kT
(1.18)

Substituindo (1.18) em (1.15), a concentrao de electres obtida por integrao ao longo da

- 1.10 -
banda de conduo

WC WF

n= dn = N C e
WC
kT
(1.19)

onde NC se designa por densidade efectiva de estados na banda de conduo e dada por

3/ 2
2mn* kT
N C = 2 2

(1.20)
h

Analogamente, a concentrao de buracos ser dada por

WV WF WV

p= dp = NV e

kT
(1.21)

sendo NV a densidade efectiva de estados na banda de valncia dada por

3/ 2
2m *p kT
N V = 2 (1.22)
h2

Nos semicondutores no degenerados, ou seja os que verificam (1.17), as concentraes de

electres e de buracos sero sempre muito inferiores a NC e a NV, respectivamente.

As equaes (1.19) e (1.21) mostram que o afastamento do nvel de Fermi a WC ou a WV um

indicador de quo extrnseco o semicondutor . Assim para um semicondutor intrnseco
obtm-se de (1.19)

WC WFi

ni = N C e kT
(1.23)

Analogamente, de (1.21) obtm-se

WFi WV

ni = N V e kT
(1.24)

Igualando (1.23) e (1.24) -se conduzido a

- 1.11 -
 3/ 2
W + WV kT N C WC + WV kT mn*
WFi = C ln = ln * (1.25)
2 2 NV 2 2 m p

A equao (1.25) mostra que o nvel de Fermi para o semicondutor intrnseco est
aproximadamente a meio da banda proibida, ligeiramente deslocado para cima pelo facto das
massas de electres serem menores que as massa de buracos

WF WFi
n
n = ni e kT
WF = WFi + kT ln (1.26)
ni

Num semicondutor extrnseco de tipo n tem-se n>ni, pelo que o nvel de Fermi se encontra
acima de WFi, ou seja aproxima-se da banda de conduo. Analogamente, num semicondutor
de tipo p o nvel de Fermi aproxima-se da banda de valncia, de acordo com

WFi WF
p
p = ni e kT
W F = W Fi kT ln (1.27)
n

A fig.1.6 representa a concentrao de electres e de buracos num semicondutor de tipo n,

calculada a partir das funes f(W) e g(W) das respectivas bandas.

WC
WF f(W)

WV

g(W)
- Fig.1.6 -
Concentraes de portadores num semicondutor de tipo n.

De realar, contudo, que com o aumento da concentrao de impurezas se pode entrar num
domnio para a qual as relaes anteriores deixam de ser vlidas pois (1.17) deixa de se
verificar. o caso dos semicondutores degenerados. Multiplicando (1.19) e (1.21) obtm-se

- 1.12 -
 WG

n T e
2
i
3 kT
(1.28)

A concentrao intrnseca assim fortemente dependente da temperatura, sobretudo devido

ao factor exponencial. Calculando a variao relativa de ni2 com a temperatura obtm-se

d (ni2 ) WG dT
= 3 + (1.29)
ni2 kT T

Assim para o Ge a 300 K a variao de 1 C provoca uma variao de cerca de 9,4% do

quadrado da concentrao intrnseca.

A Fig.1.7 mostra o andamento da variao das concentraes de portadores em funo da

temperatura numa escala logartmica. Tomou-se como exemplo uma amostra com dadores.

Zona Zona de Zona de

Log n intrnseca Saturao ionizao

Log p

Log ND

Log n
Log p
Log ni

0 1/T
- Fig.1.7 -
Influncia da temperatura nas concentraes de portadores.

Do equilbrio termodinmico e da neutralidade de carga (1.7) obtm-se

N D+ 1 2
n= + N D+ + 4ni2 (1.30)
2 2

Num semicondutor fortemente extrnseco tem-se n N D+ . Assim para temperaturas muito

baixas, a concentrao de electres cresce com a temperatura, uma vez que as impurezas se
vo ionizando. a zona de ionizao. temperatura ambiente j todas as impurezas esto

- 1.13 -
ionizadas e portanto n praticamente constante e igual a ND. a zona de saturao. Se a
temperatura continuar a subir, o aumento de ni pode fazer com que em (1.30) j no se possa
desprezar a influncia da agitao trmica, conduzindo outra situao extrema onde
2
ni2 >> N D+ . Nessas condies as concentraes de electres e de buracos so praticamente
iguais e dadas pelo valor da concentrao intrnseca essa temperatura. a zona intrnseca.

Representa-se tambm a variao em escala logartmica da concentrao das minorias com T,

tendo em conta que de acordo com a equao do equilbrio termodinmico Gter=R se verifica

ln n + ln p = 2 ln ni (1.31)

1.6 Mecanismos de transporte

So os mecanismos de transporte que esto associados presena de corrente elctrica.
Podem ser de dois tipos. O primeiro est associado presena de uma fora exterior. Designa-
se por deriva ou conduo. O segundo necessita da presena de gradientes de concentrao.
Designa-se por difuso.

1.6.1 Deriva
Existem foras associadas estrutura cristalina. Designaremos por foras internas e esto
contidas no conceito que designmos por massa eficaz. As foras exteriores pressupem, por
exemplo, a aplicao de uma tenso aos terminais do cristal, a sua colocao num meio com
um campo magntico, etc. Mesmo na ausncia de uma fora exterior os electres e os buracos
esto animados de movimento. Nesse movimento as partculas sofrem colises. Estas devem
ser entendidas num sentido mais lato do que aquele que normalmente lhes atribudo num
domnio clssico. Designamos por coliso qualquer alterao movimentao da partcula ou
onda que lhe est associada. Se o deslocamento livre da partcula (onda estacionria) sofreu
alteraes, a entidade (onda, partcula) esteve sujeita a uma coliso. Esto associadas a vrios
factores, como, por exemplo, agitao trmica. No entanto, mesmo no zero absoluto, o facto
do cristal ter imperfeies (tomos fora de posio, tomos que faltam, deslocaes, tomos
de impurezas, ou qualquer outra alterao da periodicidade da rede) conduz presena de
colises. Mesmo admitindo o conceito ideal de um cristal perfeito, os seus limites num cristal
finito, nos obrigariam a considerar a interrupo de um potencial peridico e, portanto, a
tomar em linha de conta uma coliso. Assim, as interaces de uma rede cristalina com o que
possa constituir uma imperfeio so traduzidas por colises.

- 1.14 -
Sendo o movimento da partcula perfeitamente aleatrio na ausncia de foras exteriores, o
valor mdio da sua velocidade necessariamente nulo (Fig.1.8(a)). A mdia deve aqui ser
entendida como uma mdia tomada sobre uma populao representativa num dado instante,
ou como a mdia tomada ao fim de muitas colises sobre uma dada partcula. A hiptese
ergdica impe-nos o mesmo resultado, que de uma velocidade mdia nula.

(a) (b)
n

t
lp
(c)
- Fig.1.8 -
G G
Movimento de uma partcula (a) F = 0 ; (b) F 0 ;
(c) Evoluo temporal do nmero de partculas que no colidiram.

Admitindo um comportamento do tipo relaxao para as colises, a diminuio do nmero de

partculas que ainda no chocaram proporcional ao seu nmero, isto

dn
= an (1.32)
dt

cuja soluo est representada na Fig.1.8c e dada por

n = n0 e at (1.33)

sendo n0 o nmero de partculas que no chocaram no instante inicial e a a frequncia de

choques. O tempo que em mdia uma partcula leva at chocar designa-se por tempo de livre
percurso mdio e dado por

- 1.15 -


tdn
1
l = 0

= (1.34)
a

0
dn

Se existir uma fora elctrica, por exemplo, e se esta corresponder a uma pequena perturbao
no sistema, podemos dizer que existe agora uma componente adicional, dirigida no sentido da
fora elctrica, para a velocidade mdia (Fig.1.8(b)). A velocidade da partcula dada pela lei
de Newton, substituindo m pela sua massa eficaz

G
G qE
vn = * t (1.35)
mn

O valor mdio da velocidade ser assim

G q G G
< vn >= *ln E = n E (1.36)
mn

sendo a constante de proporcionalidade n designada por mobilidade dos electres. dada por

q ln
n = (1.37)
mn*

Analogamente, para buracos, a velocidade mdia proporcional ao campo elctrico

G q lp G
< v p >= * E (1.38)
mp

sendo a constante de proporcionalidade a mobilidade dos buracos, dada por

q lp
p = (1.39)
m *p

A uma velocidade mdia constante est associada uma corrente constante. Em cada ponto a
densidade de corrente ser dada pelo produto da densidade volumtrica de carga pela
velocidade (lei de Ohm na forma local)

- 1.16 -
 G G G G G G G
J = J n + J p = qnv n + qpv p = q (n n + p p ) E = E (1.40)

representa a condutividade do material e , assim, funo das densidades dos portadores e

das suas mobilidades

= q(n n + p p ) (1.41)

A equao (1.41) mostra que a condutividade dos semicondutores dependente da

temperatura. A dependncia da mobilidade com a temperatura depende dos mecanismos de
coliso envolvidos. Se admitirmos que estes so independentes, podemos dizer que a
existncia de m mecanismos em presena conduz a um aumento da frequncia de choques de
acordo com

a = ai (1.42)
i

A equao (1.42) mostra que so os inversos das mobilidades que se adicionam, sendo a
mobilidade total dada por

1
= (1.43)
1
i i

A dependncia da mobilidade com a temperatura geralmente uma funo muito complexa e

varivel com a gama de temperaturas considerada. temperatura ambiente usual admitir
que a mobilidade dos portadores diminui com a temperatura, variando segundo T 1 / 2 ou
T 3 / 2 . Deste modo, a variao da condutividade com a temperatura no corresponde a uma
funo montona. Nas zonas de ionizao e intrnseca, o aumento da concentrao de
portadores sobrepe-se a uma eventual diminuio das mobilidades e, portanto, a
condutividade cresce. Na zona de saturao, as concentraes das maiorias so praticamente
constantes e a condutividade diminui devido ao efeito das mobilidades. Nesse caso, as
minorias desprezam-se por serem muito inferiores s maiorias. O aumento de ND e/ou NA
conduz a uma diminuio da mobilidade, uma vez que as impurezas de substituio
funcionam como centros de coliso. A sua aco depende do facto de as impurezas estarem
ionizadas ou no, e, portanto, da gama de temperaturas considerada. Contudo, prximo de
T=300 K a sua influncia em geral desprezvel para concentraes inferiores a 1022 m-3.

- 1.17 -
1.6.2 Difuso

Este mecanismo de transporte est associado presena de gradientes de concentrao. Nestas

G
condies geram-se densidades de corrente de partculas C que so proporcionais aos
gradientes e com constantes de proporcionalidade que se designam por coeficientes de difuso

G
C n = Dn gradn (1.44.a)

G
C p = D p gradp (1.44.b)

O sinal negativo nas equaes (1.44) deriva do facto de os fluxos de partculas por difuso
serem das concentraes maiores para as menores e os gradientes serem vectores que apontam
G
no sentido da funo crescente. As densidades de corrente J , tomadas as partculas como
G
portadoras de carga, so dadas pelo produto do vector C pela respectiva carga. Assim para os
mecanismos de difuso

G G
J n = qC n = qDn gradn (1.45.a)

G G
J p = qC p = qD p gradp (1.45.b)

De salientar que se os dois mecanismos estiverem em presena, a densidade de corrente total

ser a soma das componentes devidas conduo e difuso. De acordo com (1.40) e (1.45)

G G G G
J n = J ncond + J ndif = qn n E + qDn gradn (1.46.a)

G G G G
J p = J pcond + J pdif = qp p E qD p gradp (1.46.b)

G
Em equilbrio termodinmico obviamente tem-se J = 0 . O princpio do equilbrio
pormenorizado impem no entanto que cada mecanismo identificvel se deva compensar a si
G G
prprio, ou seja, que J n = J p = 0 .

1.7 Equaes da continuidade

As densidades de portadores num ponto de um semicondutor podem variar no tempo, quer
devido aos mecanismos de gerao G e de recombinao R, quer devido aos mecanismos de

- 1.18 -
 G
transporte C. Consideremos ento um ponto envolvido por um elemento de volume V , que
limitado por uma rea S (Fig.1.9)

G G
Cp

G
Cn

G
C
R
V
G
n+
S
- Fig.1.9 -
Elemento de volume infinitesimal.

A variao do nmero de partculas, por exemplo electres, nesse elemento de volume por
unidade de tempo ser (n / t )V , supondo que o volume elementar suficientemente
pequeno para que (n / t ) se possa a considerar constante. A variao corresponder, uma
parte, ao desequilbrio entre os ritmos de gerao e de recombinao em V e, outra parte,
devida aos electres que atravessam, por difuso ou conduo, a fronteira desse elemento de
volume

n G G
V = GV RV C n n+ S (1.47)
t S

G
onde n+ representa a normal exterior ao volume elementar.

De acordo com o teorema da divergncia

G G G G

S
C n n+ S =

V
divC n dV = divC nV (1.48)

A equao da continuidade para electres toma assim a forma

n G G G
= G R divC n = G R divC ndif divC ncond
t

n G
= G R + qDn gradn + q n div(nE ) (1.49.a)
t

Analogamente, para buracos tem-se

- 1.19 -
 p G
= G R qD p gradp + q p div( pE ) (1.49b)
t

Consideremos alguns casos particulares de aplicao da equao (1.49).

1.7.1 Cristal neutro e uniforme

Se o cristal for uniforme no existem gradientes das concentraes de portadores e se for
neutro a divergncia do campo elctrico nula. Nessas condies, na equao da continuidade
as variaes temporais das concentraes de portadores resultam unicamente das diferenas
entre os mecanismos de gerao e recombinao

n dn
= = G R = rn0 p 0 rnp (1.50)
t dt

Na situao de equilbrio termodinmico a situao estacionria e, portanto, G=R, ou seja,

as concentraes de electres e de buracos so dadas, respectivamente, por n0 e p0. Na
ausncia de equilbrio, a equao mostra-nos como as concentraes, designadas agora por n e
p, evoluem para uma nova situao estacionria, que no de equilbrio. A resoluo da
equao impe, no entanto, que se saiba a relao entre as concentraes p e n, significando
que a relao (1.50) no linear com n.

Tomemos como exemplo a situao correspondente presena de iluminao uniforme, a que

est associado um mecanismo adicional de gerao Gef. A iluminao uniforme garante que
no se estabeleam mecanismos de transporte. Suponhamos que no instante t=0 se retira
bruscamente a iluminao num cristal semicondutor de tipo p. Pretende-se a variao
temporal da concentrao n na sua evoluo para a nova situao estacionria que o
equilbrio termodinmico (ausncia de luz). Uma vez que os excessos so gerados aos pares,
teremos

n(t ) = n0 + n(t ) (1.51.a)

p (t ) = p 0 + n(t ) (1.51.b)

sendo n(t) o excesso de pares electro-buraco associados iluminao, no instante t aps o

corte da iluminao.

- 1.20 -
Admitamos que a injeco de portadores n associada iluminao, embora altere
significativamente as minorias, no afecta praticamente as maiorias, isto , (n>>n0 e
n<<p0). A injeco de portadores diz-se de fraco nvel, sendo neste caso a equao (1.50)
dada por

dn 1 d
= rp 0 (n0 n) = (n0 n) = (1.52)
dt n dt n

O factor n tem as dimenses de um tempo e representa o tempo de vida mdio dos electres,
ou seja, o tempo que em mdia um electro vive at desaparecer por recombinao. Sendo
G o ritmo de gerao de electres por unidade de volume e unidade de tempo, G representa a
populao de electres em equilbrio, n0. Sendo G = rn0 p 0 teremos que 1 / n = rp 0 , ou seja, o
tempo de vida mdio das minorias inversamente proporcional s maiorias. A soluo da
equao (1.52) dada por

t

(t ) = 0 e
(1.53)

sendo 0 o excesso de portadores no instante em que se corta a iluminao.

0 f

n,p t n,p t

(a) (b)
- Fig.1.10 -
Evoluo temporal da concentrao de excessos associados a uma injeco fraca.
(a) Aps retirada de iluminao; (b)Aps estabelecimento da iluminao

A curva est representada na Fig.1.10(a), verificando-se que a evoluo para a situao de

equilbrio termodinmico ((t)=0) tanto mais rpida quanto menor for n.

Suponhamos agora a situao que corresponde ao estabelecimento da iluminao. Assim, se

em t=0 incidir sobre o material uma radiao qual est associada um ritmo Gef, tem-se na
situao estacionria com iluminao

- 1.21 -
 dn Gef
= Gef + Gter R = 0 Gef + Gter = R Gter 1 + = R (1.54)
dt Gter

ou, tendo em conta que Gter = rni2 , R = rnp e que a iluminao fraca obtm-se (1.7)

Gef G
(n0 + n f ) = n0 1 + ef
G
np = ni2 1 + n f = n0 ef (1.55)
Gter Gter Gter

nf representa assim o valor dos excessos injectados no semicondutor na situao estacionria

com iluminao associada ao ritmo de gerao Gef.

A evoluo temporal correspondente ao estabelecimento da iluminao dada por

t


n(t ) = n f 1 e n (1.56)

Encontra-se representada na Fig.1.10(b).

1.7.2 Regime estacionrio sem conduo. Difuso com recombinao

Este caso particularmente importante para o estudo das concentraes de minorias num
semicondutor. Para as maiorias, a existncia de difuso est associada presena de
gradientes de concentrao importantes, que estar sempre ligado a diferenas apreciveis das
densidades de carga e, portanto, a campos elctricos no desprezveis. No que toca s
minorias, gradientes importantes no envolvem grandes densidades de carga, pois uma ligeira
alterao da distribuio das maiorias a neutralizar.

Consideremos tal como no exemplo anterior, um cristal de tipo n. Desprezando a parcela

devida conduo, a equao da continuidade tomar a seguinte forma

n n n
= G R + Dn lapn = 0 + Dn lapn (1.57)
t n

Consideremos a situao estacionria, isto , aquela em que os valores das densidades de

portadores, apesar de no serem os de equilbrio termodinmico, mantm valores constantes
no tempo, por equilbrio entre os processos de gerao, recombinao e difuso. Nessas
condies, e admitindo apenas uma dimenso de espao fsico

- 1.22 -
 n0 n d 2n
0= + Dn (1.58)
n dx 2

cuja soluo do tipo

x x

n( x) = n0 + Ae Ln
+ Be Ln
(1.59)

sendo Ln = Dn n o comprimento de difuso de electres. As constantes A e B resultam da

integrao da equao e so obtidas a partir das condies de fronteira. Vamos considerar dois
casos que se revelam de particular interesse no estudo de dispositivos de junes.

(i) Cristal infinito

Consideremos, por exemplo, a concentrao imposta entrada de um cristal (x=0) por

incidncia de uma radiao. Os valores n1 e n0 representaro, respectivamente, os valores
das concentraes das minorias em x=0, onde houve a incidncia de radiao, e na outra
fronteira do cristal, colocada no infinito, onde a influncia da radiao no chegou

n ( ) = n 0 B = 0 (1.60.a)

n(0) = n1 A = n1 n0 (1.60.b)

Substituindo em (1.60) em (1.59) obtm-se

x

n( x) = n0 + (n1 n0 )e Ln
(1.61)

A distribuio espacial das minorias no cristal semi-infinito est representada na

Fig.11(a). A densidade de corrente de partculas ser funo de x e dada por

dn Dn
C n ( x ) = Dn = (n( x) n0 ) (1.62)
dx Ln

A Dn / Ln chama-se velocidade de difuso.

(ii) Cristal curto

Consideremos agora que a concentrao na outra fronteira (x=b) imposta

- 1.23 -
 n(0) = n1 n1 = n0 + A + B (1.63.a)

b b

n(b) = n2 = n 0 + Ae Ln
+ Be Ln
(1.63.b)

A soluo de (1.59), entrando em linha de conta com (1.63), dada por

b x x
(n1 n0 )sinh + (n2 n0 )sinh
1
n( x ) = n0 + (1.64)
sinh(b / Ln ) Ln Ln

n n
n1 n1

n0 n2

n0
x
0 Ln x
0 b
(a) (b)
- Fig.1.11 -
Evoluo espacial da concentrao de minorias no regime estacionrio sem conduo
(a) Cristal semi-infinito; (b) Cristal curto.

Para o caso de um cristal curto, isto , aquele em que b<<Ln, tem-se

sinh(b / Ln ) b / Ln ; sinh( x / Ln ) x / Ln ; sinh ((b x ) / Ln ) b / Ln (1.65)

obtendo-se, por substituio de (1.65) em (1.64)

n 2 n1
n( x) n1 + x (1.66)
b

A equao (1.66) mostra que para o caso do cristal curto, as minorias tm concentraes
com variaes espaciais praticamente lineares (Fig.1.11(b)). A densidade de corrente de
partculas neste caso praticamente independente de x e dada por

dn Dn
C n ( x ) = Dn (n1 n2 ) (1.67)
dx Ln

- 1.24 -
1.8 Semicondutores compostos

Designam-se por semicondutores compostos aqueles cuja rede cristalina constituda por
mais do que um elemento, normalmente das colunas II-VI ou III-V do quadro de Mendelef.
So particularmente importantes pelas suas aplicaes, os compostos III-V formados pela
combinao de Al, Ga e In (grupo III) com P, As e Sb (grupo V).

Cristalizam quase todos com a rede da zincoblenda (fig.1.12) que constituda por duas redes
cbicas de faces centradas que se interpenetram. Cada tomo encontra-se ligado aos quatro
vizinhos prximos por ligaes de covalncia de modo a garantir o mximo de estabilidade. A
disposio espacial corresponde a um tomo no centro de um tetraedro (elemento do grupo
III) ligado aos quatro outros que se encontram nos vrtices do mesmo tetraedro (elemento do
grupo V).

A malha elementar um cubo constitudo por quatro tomos do elemento do grupo III, que se
encontram no seu interior, e por catorze tomos do elemento pentavalente (oito nos vrtices e
seis nos centros das faces). Estes ltimos, estando associados a mais do que uma malha
elementar, garantem que cada uma delas seja constituda em mdia por quatro tomos do
elemento do grupo III e por quatro tomos do elemento do grupo V.

- Fig.1.12
Estrutura da zincoblenda. Malha elementar.

Designa-se por electro-negatividade de um elemento a sua capacidade de atrair um electro

para si quando faz parte de um composto. Por exemplo, no GaAs o tomo de As apresenta
electro-negatividade 2, enquanto o Ga tem electro-negatividade 1,6. Deste modo, os electres
localizam-se preferencialmente mais prximos do As, dando origem a uma diferena de carga
entre os tomos de Ga e As, que deve ser contabilizada na ligao atmica. Paralelamente

- 1.25 -
ligao covalente, existe assim nos semicondutores compostos uma ligao do tipo inico,
uma vez que tendo os tomos diferentes electro-negatividades diferentes, o centro de
gravidade das cargas positivas no coincide com o centro de gravidade das cargas positivas.

Elemento Raio covalente (A) Electro-negatividade

Al 1,26 1,5
Si 1,17 1,8
P 1,1 2,1
Ga 1,26 1,6
Ge 1,22 1,7
As 1,18 2,0
In 1,44 1,6
Sb 1,36 1,9

Tabela 1.1

A contribuio inica geralmente mais forte nos compostos III-V de maior altura da banda
proibida. Na tabela 1.1 apresentam-se os raios covalentes e as electro-negatividades de alguns
elementos.

Os semicondutores compostos so obtidos laboratorialmente fazendo crescer o material sobre

um dado substrato. Designam-se esses processos por tecnologia epitaxial, que incluem por
ordem crescente de complexidade, a epitaxia por fase lquida (LPE), por fase gasosa (VPE) e
por feixe molecular (MBE).

As bandas de energia para os semicondutores podem ter representao em funo do nmero

de onda K. muito usual em cristalografia a utilizao do espao K, designado por espao
recproco, ou seja (Kx, Ky, Kz) em vez do espao fsico usual (x, y, z). O nmero de onda est
relacionado com o momento da partcula pela relao

h
p x, y, z = K x, y, z
2 (1.68)

A relao entre a energia e o vector de onda assim dada pela relao parablica

- 1.26 -
 h2 K 2
W=
8 2 m * (1.69)

estando a massa eficaz associada concavidade da curva W(K)

1
h2 d 2W
m =
*

4 2 dK
2
(1.70)

A Fig.1.13 representa, no domnio do nmero de ondas, as bandas de conduo e de valncia

dadas por relaes do tipo (1.69) prximo dos extremos. De salientar que as bandas referentes
a buracos so mais abertas, indicador que as massa efectivas de buracos so maiores que as
dos electres. A banda de valncia apresenta duas sub-bandas com curvaturas diferentes e
com um ponto comum em K=0. Os buracos que lhes esto associados tm assim massas
diferentes, designando-se por buracos leves e por buracos pesados. De modo a fornecer o
mximo de informao usual fazer a representao da relao W(K) nas direces do espao
K com maior grau de simetria, motivo pelo qual nas figuras geralmente apresentadas os
sentidos negativo e positivo do eixo das abcissas no devam ser tomados como simtricos.

WG Foto WG Foto

Fono

(a) (b)
- Fig.1.13 -
Estrutura de bandas nos semicondutores. Relao de disperso W(K).
(a) Material de banda directa; (b) Material de banda indirecta.

A figura mostra que estes materiais apresentam para a banda de conduo relaes do tipo
parablico em torno de vrios mnimos. Designam-se por vales cada uma das zonas da banda
de conduo em torno de um mnimo. Se o mnimo da banda de conduo e o mximo da
banda de valncia se localizam para o mesmo valor de K, o material diz-se de banda directa
(Fig.1.13(a)). As transies entre bandas requerem apenas a conservao de energia, uma vez
que a conservao do momento (ou do nmero de onda) est automaticamente garantida. Para

- 1.27 -
a conservao da energia pode recorre-se presena de fotes com energia compatvel, isto
W = WG = hf . Noutros materiais os mnimos da banda de conduo e os mximos da banda

de valncia no se do para o mesmo valor de K. Ento nas transies entre bandas tem de se
recorrer a partculas que garantam a conservao de momento. No podem ser fotes, que
possuem um momento desprezvel. So os fones, ou quantum de energia vibracional, e
representam a entidade corpuscular associada vibrao da rede cristalina. O material diz-se
de banda indirecta (Fig.1.13(b)).

A tabela 1.2 representa os valores de alguns parmetros dos semicondutores binrios III-V.
Como termo de comparao referem-se tambm os semicondutores elementares germnio e
silcio. As designaes D e Z correspondem ao tipo de estrutura, diamante e zincoblenda,
respectivamente. Os materiais de banda directa e indirecta so designados por Dr e I.

WG(eV)
Material Estrutura a () n(m2V-1s-1) p(m2V-1s-1) /0 Banda
300 K 0K
Ge D 5,64613 0,66 0,74 0,39 0,19 16 I
Si D 5,43095 1,12 1,17 0,15 0,045 11,9 I
AlSb Z 6,1355 1,58 1,68 0,02 0,042 14,4 I
GaSb Z 6,0959 0,72 0,81 0,5 0,0850 15,7 Dr
GaAs Z 5,6533 1,42 1,52 0,85 0,04 13,1 Dr
GaP Z 5,4512 2,26 2,34 0,011 0,0075 11,1 I
InSb Z 6,4794 0,17 0,23 8 0,125 17,7 Dr
InAs Z 6,0584 0,36 0,42 3,3 0,046 14,6 Dr
InP Z 5,8686 1,35 1,42 0,46 0,015 12,4 Dr

Tabela 1.2

Alm dos materiais compostos binrios existem os ternrios e os quaternrios. Os compostos

ternrios so formados por compostos binrios que tenham um elemento comum. A obteno
de redes cristalinas mais perfeitas nos semicondutores compostos facilitada quando as
constantes da rede so prximas nos materiais binrios que os constituem. De uma forma
genrica os binrios AB e BC permitem constituir o ternrio AxBC1-x, em que os elementos A
e C partilham a combinao com o elemento B em valores relativos x e 1-x, respectivamente.
A variao de x muito importante na definio das propriedades elctricas e pticas dos

- 1.28 -
compostos, sendo j hoje obtida por via tecnolgica de forma muito controlada. Convm
assinalar que de uma forma geral, as propriedades dos compostos no so uma combinao
linear da composio. Por exemplo, para a constante da rede podemos tomar uma variao
linear mas para a relao para a altura da banda proibida, obtida de forma emprica,
usualmente tomada como quadrtica (tabela 1.3), de acordo com

WG ( x) = WG1 + bx + cx 2 (1.71)

sendo WG1 a altura da banda proibida do material binrio de menor banda e b e c constantes.

As alturas das bandas proibidas associadas s transies directas e indirectas variam com a
composio x, podendo a posio relativa dos vales no material variar (Fig.14). Quer isto
dizer que o material pode ser de banda directa para uma dada composio e de banda indirecta
para outra. Por exemplo, o AlxGa1-xAs um composto ternrio de banda indirecta para
x>0,35. Como os vales tm concavidades diferentes, esto-lhes associadas massas eficazes de
valores muito diferentes, significando que as mobilidades dos electres so tambm muito
diferentes.

x2

3
x1

Banda de conduo

1 Banda de valncia

- Fig.1.14 -
Variao da altura da banda proibida com a composio nos compostos ternrios. Semicondutor x1 de banda
directa (transio 12); Semicondutor x2 de banda indirecta (transio 13).

Percebe-se assim que ao variar a composio, as mobilidades variem, e de forma no linear.

Acresce o facto de, ao constituir-se uma combinao de materiais diferentes, se introduzam
interaces adicionais e, portanto, as mobilidades do composto ternrio tomem para qualquer
combinao x, valores inferiores s dos compostos binrios.

- 1.29 -
 Material b C
In1-xGaxAs 0,63 0,45
InAs1-xSbx -0,771 0,596
InAs1-xPx 0,891 0,101
GaAsxSb1-x -0,32 1,005

Tabela 1.3

Os semicondutores quaternrios representam-se genericamente por AxB1-xCyD1-y, onde os

elementos A e B so trivalentes e os elementos C e D so pentavalentes. O seu interesse,
apesar da complexidade envolvida, reside no uso conjunto de binrios e ternrios para formar
estruturas de junes de materiais distintos adaptadas. Por exemplo, a 900C o GaAs e o AlAs
apresentam valores idnticos para a constante de rede. No entanto, atendendo a diferentes
coeficientes de dilatao trmica, a 300 K isso j no acontece. O resultado o aparecimento
de tenses internas indesejveis nas hetero-estruturas. O problema pode ser atenuado com o
uso de quaternrios, uma vez que nestes casos, existe um grau de liberdade adicional
associado composio y (ou 1-y) dos elementos pentavalentes.

O composto In1-xGaxAsyP1-y tem especial interesse no domnio da comunicao ptica,

sobretudo por estar associado emisso de radiao na gama de 1,3-1,55 m, onde as fibras
pticas apresentam caractersticas muito vantajosas de atenuao e disperso. O material
obtido por crescimento epitaxial sobre um substrato de InP. pois condio essencial que
exista uma boa adaptao com esse material, ou seja, que as respectivas constantes de rede
sejam iguais. A constante de rede do quaternrio dada por

aQ ( x, y ) = (1 x) ya AC + (1 x)(1 y )a AD + xya BC + x(1 y )a BD

(1.70)

sendo aAC, aAD, aBC, aBD os parmetros de rede dos binrios AC, AD, BC e BD,
respectivamente.

A outra condio que permite a escolha do material o valor de WG, que deve garantir uma
emisso com um comprimento de onda na gama pretendida, sendo =c/f e hf=WG.

A Fig.1.15 representa a gama de comprimentos de onda correspondentes a vrios

semicondutores compostos.

- 1.30 -
 InGaAsP
GaAsSb
InAsP
(AlGa) InAs
AlGaAs
GaAsP
InGaAs
(AlGa) InP
CdSSe
CdZnS

0,1 0,5 1 5 (m)

- Fig.1.15 -
Gama de comprimentos de onda dos semicondutores compostos mais usuais.

A Fig.1.16 representa a banda proibida e o parmetro de rede para os compostos da famlia do

InGaAsP. Na figura os compostos binrios so representados por pontos, os ternrios por
linhas e os quaternrios por superfcies planas. A sombreado representa-se a famlia do
quaternrio InGaAsP, entre a qual se incluem aqueles que na figuram esto representados por
linhas a tracejado e que correspondem aos que se adaptam a um substrato de GaAs ou de InP.
So particularmente importantes estes ltimos (1,1m<<1,65m), pois incluem os
comprimentos de onda de 1,3 e 1,55 [m], importantes para comunicao por fibra ptica.

a ()
6,2
6,1 InAs
6,0
5,9 . InP
5,8
5,7 .
GaAs
5,6 .

5,5 .
GaP
5,4
WG (eV)
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
- Fig.1.16 -
Banda proibida e parmetro de rede para os semicondutores compostos da famlia InGaAsP.

- 1.31 -
A possibilidade de obter de forma controlada os materiais com as caractersticas que se
pretendam permite falar numa Engenharia de Estrutura de Bandas. Assim por exemplo, por
manuseamento da altura da banda proibida WG

(i) As propriedades elctricas do material sero alteradas, uma vez que esse parmetro afecta
como se viu de forma acentuada a condutividade do material.
(ii) As propriedades pticas do material sero alteradas, uma vez que esse parmetro est
ligado frequncia de emisso do semicondutor, associada recombinao de um par
electro-buraco, ou frequncia de deteco de luz, por efeito fotoelctrico interno.

1.9 Fotocondutividade. Fotoresistncias

Os dispositivos opto-electrnicos formam um conjunto genrico de dispositivos que se

baseiam na interaco entre a radiao electromagntica e a matria. Ao longo da disciplina
faremos especial incidncia nos dispositivos de material semicondutor, sendo de particular
importncia

(i) Os detectores que convertem num sinal elctrico as alteraes das suas propriedades
elctricas resultantes da incidncia de luz. Ex: foto-resistncias, fotododos,
fototransistores e fototiristores;

(ii) Os emissores de luz que convertem energia elctrica em energia luminosa. Ex: dodos
emissores de luz (LED-Light Emitting Diode) e fontes coerentes de radiao (LASER-
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation);

(iii) Os conversores optoelectrnicos que convertem energia luminosa em energia elctrica.

Ex: clulas solares;

(iv) Os acopladores pticos que promovem a ligao ptica entre dois circuitos (o emissor e o
detector de luz) que se encontram isolados galvanicamente.

Por uma questo de clareza, os diversos dispositivos iro ser apresentados medida que for
dada a teoria relativa aos correspondentes dispositivos convencionais. Comearemos ento
pelas foto-resistncias. O princpio bsico dos seu funcionamento o efeito fotoelctrico
interno descrito em 1.6. As suas aplicaes esto relacionadas com o aumento da
condutividade que se observa no cristal quando submetido aco de uma iluminao
adequada. Esta deve ter uma frequncia tal que os fotes incidentes sobre o material
promovam a gerao de pares electro-buraco. A sensibilidade das foto-resistncias ser tanto

- 1.32 -
maior quanto maior for a resistncia apresentada na ausncia de iluminao. Com efeito, para
uma dada tenso aplicada, menor ser a corrente nessas condies, que se designa por
corrente na ausncia de iluminao, I0. Como factor de mrito das foto-resistncias tem-se,
portanto, um baixo valor de I0. Nesse sentido, os semicondutores intrnsecos apresentam-se
como vantajosos em relao aos extrnsecos. Os materiais utilizados mais frequentemente
dependem da gama de frequncias a detectar. Assim para a a gama da radiao visvel usa-se
o CdS (W=2,42 eV, lim=0,512 m). O Ge (W=0,67 eV, lim=1,85 m) ou o InSb
(W=0,18 eV, lim=6,89 m) so usados como detectores de infravermelho.

Para um material com uma seco constante S e comprimento L tem-se R = L /( S ) , sendo

a condutividade dada por (1.41). Quando iluminado com uma radiao associada a um ritmo
de gerao trmica Gter = rn0 p 0 , o cristal apresenta na situao estacionria uma

condutividade dada por

= 0 + = q(n0 n + p0 p ) + q( n + p ) (1.71)

onde 0 e representam a condutividade na ausncia de iluminao e a variao de

condutividade com a iluminao, respectivamente, e a concentrao dos pares gerados por
efeito fotoelctrico interno.

A equao estacionria correspondente a uma iluminao uniforme obtm-se da equao de

transporte considerando o ritmo de gerao igual ao ritmo de recombinao

Gef = R G = r(n0 + p 0 ) + r2 (1.72)

Consideremos o caso da injeco ser fraca, isto , aquela que no afecta a concentrao das
maiorias, embora possa alterar significativamente as concentraes das minorias. Nessas
condies

Gef = r(n0 + p 0 ) (1.73)

ou seja, o ritmo de gerao por efeito fotolctrico proporcional variao da concentrao

de portadores. Atendendo a (1.71)

( + p )
q
n
Gef (1.74)
r (n0 + p 0 )

- 1.33 -
Suponhamos que a foto-resistncia est inserida num circuito em que a tenso aos terminais
imposta constante de valor U. Na ausncia de iluminao

U US 0
I0 = = (1.75)
R0 L

Com iluminao

U US
I= = (1.76)
R L

ou seja

USq( n + p )Gef
I = (1.77)
Lr (n0 + p0 )

Define-se rendimento da fotoconduo como a razo entre o nmero de pares gerados e

colectados para o exterior e o nmero de fotes absorvidos. Para um ritmo de gerao
uniforme no volume V=SL dado por

I U ( p + n )
= = 2 (1.78)
q(Gef SL) L r (n0 + p0 )

A equao (1.78) permite concluir que

(i) O semicondutor intrnseco tem melhor rendimento que o extrnseco, embora esteja
associado a uma resposta dinmica pior. Com efeito, o tempo de vida mdio dos
portadores tomados como minorias depende da concentrao das maiorias. Quanto maior
a concentrao das maiorias menor o tempo de vida mdio e, portanto, mais rpida a
resposta s solicitaes da iluminao.

(ii) O semicondutor com menor L tem maior rendimento. Mas mais uma vez existe uma
situao de compromisso. Neste caso, embora o rendimento melhore com a diminuio
de L, de acordo com (1.75) a corrente na ausncia de iluminao aumenta, piorando o
respectivo factor de mrito.

Para o caso de uma injeco forte a situao estacionria com iluminao permite obter
Gef r2 , ou seja, o sistema deixa de ser linear.

- 1.34 -