S't

....

Electrnica
fsica

Principios fisicos, materiales y dispositivos.

Rafael Quintero Torres

 R AFAEL QUINTERO TORRES es egresado de la Uni-
versidad Autnoma Metropolitana, Unidad Azca-
potzalco. Estud i la maestra en ingeniera elctrica
en el Centro de In vestigacin y Estudios Avanzados
dellrNy el doctorado en ciencias de la ingeniera en
Auburn University, Estados Unidos. Ha trabajado
en Motorola de Mxico como ingeniero de desarro-
llo en el rea d e obleas (fabricacin de dispositivos
semiconductores de potencia). Actualmente es pro-
fesor-investigador de la uAM-Azcapotzalco, en el
Departamento de Elect rnica .
En los centros educativos en que se form, el
autor trabaj en las propiedades pticas no lineales
y elctricas de materiales orgnicos. Ha publicado
varios trabajos cientficos y presentado conferen-
cias en congresos internacionales, los ms recientes
en el rea de optoelectrnica. Su inters cientfico
actua l se centra en las propiedades pticas y elctri-
cas de los materiales que pueden ser empleados en
electrnica.

ELECTRNICA FSICA
SERIE
Material de apoyo a la docencia
(Teora y prcticas de laboratorio; problemarios)
 Electrnica
'/ .#
f lSlca
1:St3
(' , 6 7.893J.'I-'
Principios fsicos, materiales Y dispositivos

Rafael~intero Torres

AZCAPorZAU"
"'-"'-1!l'Q ~ ~CA

289324 /
UN IVERSIDAD AUTNOMA METROPO LITANA

Rec tor Gene ral

Dr. Julio Rubio Oca

Secreta rio Gene ral

M. en C. Magdalena Fres n Orozco i.I 7}
UN IDAD AZCAPOTZALCO T A' i n i
Rector pcf.51
Lic. Edmundo Jacobo Malina

Secreta rio
Mtro. Adrin de Caril)' Snchcz

Coordinador de Extensin Un iversitaria

Lic. Alberto Dogart Murrieta

Jefe de la Seccin Editorial

Lic. Valentn Almaraz Moreno

Portada:
Adriana Espinosa/Sa ns Serif Editores

Composicin tipogrfica, diseo, produccin y cuidado editorial:

Sans Serif Editores, te!fax 674 60 9 1

Primera edicin 1996

ISBN: 970-620-732-5

Universidad Autnoma Metropolitana

Unidad Azcapotza1co
Av. $.ln Pablo nm. 180
Mxico, 02200, D.F.

Impreso en Mxico
Prillted illMexico
 AGRADECIMIENTOS
M [ AGRADECIMIENTO A LOS PROFESORES
Jaime Grabinsky y Alex Polo Velz-
quez por sus mltiples correcciones
ysugerendas a lo largadel trabajo, especialmen-
te por el maraln en que consisti la revisin fi nal,
as como al profesor Juan Va rgas Rubio por sus
va liosos comentarios.
La inspiracin pa ra la realizacin del trabajo
surgi de los estud iantes de electrnica fs ica,
adems de que su colaboracin fue muy impor-
tante. Particu larmente agradezco la ayuda de la
generacin de 1995, invierno.
La mayor parle de este trabajo fue realizada
a expensas de mi tiempo famil iar, as q ue debo
reconocer la comprensin, paciencia y estmulo
de mi familia: Rosa Mara, y Rafael, quien me
permiti "j ugar a la computadora" innumera-
bles fines de semana .
R. Q. T.
7
 EL MAPA

Nomenclatura
de ta Ilslca modoma Bandas de energra

Cuantlzacln de la energfa Tecnologla

de matariales

Matales,
semiconductores
yalslanles
Conceptos preliminares

Materiales de la electrnica

Estructuras electrnicas

Uninp-JI Capacitor MOS

LEO,lasar
Contactos hmicos y lotodetectores
V rectlllcantes

Transistor bipolar Translslor unlpolar

8JT M OSFET
 PRESENTACIN
E L PROPSITO PRINCIPAL DE ESTE TRABAJO es
ayudar en el aprendizaje de la electrnica
fsica, evitando las d is tracciones que son
consecuencia de tener que tomar notas en clase, y
dando a los estudiantes el material necesario con
anticipacin, para que estn preparados antes de
presentarse a clase. De esta manera, el aprendi-
zaje y la enseanza se facil itan en gran medida.
Esta obra se propone cubrir con amplitud su
tema, y abarca poco ms de lo que se estudia en un
trimestre, con el fin de encauzar el inters estudian-
til, que con ayuda de investigacin bibliogrfica
permitir ampliar la informacin presentada.
La redaccin se realiz de manera cu idadosa,
a fin de exponer las ideas claramente. Si algo no
resulta claro, vuelva al punto e intente de nuevo:
puede ser un concepto clave.
Es importante tene r en cuenta, para aprove-
char mejor el presente texto, lo siguiente:
a) El ma te rial de las unid ades uno y dos no es
exclus ivo de nuestra Unidad de Enseanza-
Aprend izaje (UEA); es malerial bsico y comn l
las reas de qumica y fsic.
b) Si quiere conoce r algo acerca de los disposi-
tivos de estado sl ido, el origen de los parme-
tros que aparecen en las hojas de ingeniera, el
funcion amiento y las limitaciones de los disposi-
tivos bsicos con la menor densidad de mi lagros,
no tiene ms remedio que estu diar con deteni-
miento el texto.
c) Quiz haya otra manera mils fcil de estu-
diar lo mismo, pero no tan divertida . Este asunto
debe tomarse con mucha calma, para conocerlo
por aproximaciones sucesivas, sacrificando la
formalidad en a ras de formar idei1s claras. Re-
cuerden que, antes que futuros ingenieros, son
estudiantes, y es importante que disfruten d el
placer de aprender, cualquiera que sea el tema.
9
 INTRODUCCIN
L OS OBIETIVOSQUE SE INTE NTAR ALCANZAR con
este texto son:
Entender cmo se emplean las propie-
dades de los materiales en dispositivos elec-
trn icos tiles y cmo stos transfieren sus
limitaciones.
Explicar el comportamiento elctrico de los
materiales, en particular el de los semicon-
ductores homogneos.
Conocer cmo surgi el concepto de bandas
de energa y manejarlo en el estud io de los
sem iconductores homogneos y disposi-
tivos.
Entender el principio fsico d el funciona-
miento de las estructuras simples (unin
pon, estructura MOS, transistor, etctera).
Dar cauce a inquietudes relacionadas con
la comprensin de nuevos "dispositivos"
electrnicos, como los obtenidos de la inte-
raccin de la luz y los materiales, entre los
cuales se encuentran las memorias magne-
topticas o los lseres.
Probablemente p iense usted que este panora-
ma es muy amplio, adems de que el desarrollo
se da a gran velocidad, y que por lo tanto le ser
difcil abarcar el material en 12 semanas, pero no
se desanime.
La electrnica fsica se puede entender como
el conocimiento que ha permitido e l desarrollo
de la electrnica hasta los niveles de compleji-
dad que son comunes hoy da. La electrnica
fsica permite explica r el funcionamiento de los
sistemas simples, desde la conduccin en un
metal hasta el desarrollo de tecnologas, como
la que hace posible la fabricacin de los moder-
nos circuitos integrados (VLSI) o los cada vez
ms eficientes diodos lser.
Entre sus campos se pueden mencionar los
siguientes:
Fsica de semiconductores: Explicacin y
prediccin de las caractersticas de los semi-
cond uctores.
Fsica de d isposi tivos: Diseo de dispositi-
vos de estado slido.
Tecnologa de los semiconducto res: Fabri-
cacin ptima de disposit ivos.
Microelect rnica: Diseo de circuitos inte-
grados.
11
 CAPTULO 1

CONCEPTOS PRELIMINARES

L A ELECTRNICA FlslCA que aqu estudiare-

mos se basa en la fsica moderna. Por ello
es necesario partir de conceptos un tanto
alejados de lo cotidiano. La primera parte tiene
como propsi to introducir algunas de las ideas
que fonnan parte de la fsica moderna. Es claro que
entender estos conceptos en una primera presen-
tacin es difcil, pero la segunda vez que se escu-
chan saenan familiares. La segunda parte inclu-
ye conceptos relacionados con los dispositivos
pticos, los emisores de luz y los camb ios que
presenta la luz a l interactuar con los materiales.
Esto abrir la puerta al estudio de dispositivos
optoelectrnicos. Finalmente se presentan d os
de los resultados de la mecnica cuntica que
ms ayudan en el entendimiento de los materia-
les, la cuantizacin de la energa y el efecto tnel.
FSICA SUBMICROSCOPICA
Siempre que hemos emprendido el estudio de
un nuevo tema, ha sido necesario rec urrir a una
terminologa bsica que nos permita manejar y
entender conceptos e ideas ms elaborados.
Este curso no es la excepcin, y menos aho ra
que tratamos aspectos tan distantes de nuestro
sentido comn, lo que no s uceda con la me-c-
nka clsica, por ejemplo. En particular, la es-
tructura interna de los tomos no sigue la s leyes
clsicas y nuestra intuicin no nos ayuda a pre-
decirla.
Los sistemas que se tratarn en adelante, como
los electrones, tienen una masa y un tamao tan
pequeo que no siguen las reglas d e los cue rpos
de gran masa, gran tamao y pequeas velocida-
des, como los autos, las personas, etctera.
As, despus de un gran esfuerzo intelectual,
de muchos aos de trabajo y muchas con trad ic-
ciones y controversias, se propuso una mecnica
para los cuerpos del mundo s ubmicroscpico.
Nuestro objetivo ahora no es presentar una
introduccin de esta mecnica, s ino saber de su
existencia y conocer algunos de sus conceptos y
resultados ms elementales, los cuales empleare-
mos en el transcurso d el texto.

Un comentario sobre esta nueva mecnica:

Su utilidad es ampliafr.ente reconocida, ya que gracias a ella se predijo la existencia
de dos efectos de particular importancia en electrnica, a saber: el efec to tnel y el efecto
lser.
Es muy diferente de la mecnica clsica en su concepcin y terminologa, pero no en
sus resultados, en el dominio de las grandes masas y las pequeas velocidades, donde
las dos mecnicas son esencialmente la misma.
La ventaja deesta nueva mecnica no radica en que nos permite encontrar la solucin

13
 Electrllica fsica
analtica a cualquie r problema (lo que, estrictamente hablando, no sucede), sino que
nos proporciona otra manera de ver los mismos problemas y por lo tanto entender su
comportamiento.
Pril1cipio de incertidumbre
Este principio no tiene an logo en la mec nica
clsica y es uno de los conceptos principales de
la nueva mecn ica. Una desus representaciones
ms frecuentes es:
(1.1 )
donde /, es la constante universal de Planck, que
tieneel va lorde6.626 x 1(}-34 Us), y tU representa
la incertidumbre en la medicin de la posicin,
mientras que o.p representa la incertidumbre en
la med icin de la cantidad de movimien to lineal
(p = IIIV).
En mecnica clsica no existe (y no tiene por
qu existi r) nin guna restr iccin respecto a la
exactitud del conocimiento d e la posicin y la ve-
locidad de un cuerpo. Intuimos que la exactitud
depender de nuestra capacidad para disear el
experimento y d e la resolucin de los instru men-
tos utilizados en la medicin.
Si estu diamos una partcula puntual que tiene
movimiento slo en la direccin cartesiana x,
t'stara to talmente caracterizada con el conoci-
miento de la posicin y la velocidad o cantidad
de mov imiento, como se ve en la figura 1.1 .
y como dijimos antes, no pensamos que .6.x o
.v tengan ning n lmite predeterminado.
(1.2)
Para el sentid o comn, no hay razn por la
cual .ir, .6.v o ambas no puedan ser cero, pero
para el mundo sub mi croscpico existe un com-
promi so. No es posible disminuir 105 errores
arbitrariamente, se debe respetar el principio de
incertidumbre, en el cual:
(1.3)
14
Cmo creer lo increble?
La medic in de cualquier sistema incluye in-
herentemen te su perturbacin, esto es, para me-
dirlo hay que interactuar con l, de tal manera
que despus de medirlo por primera vez, el sis-
tema cambia. Es deci r, no se pueden realizar dos
mediciones (x, p) a un mismo sistema.
Hasta dnde es esto verdadero?
Medir la temperatura con un termmetro es
alterar el sistema, ya que se necesita energa del
sistema (interna o suministrada desde el exte-
rior) para obtener la lectura de la temperatura,
de tal manera que despus de medir el sistema
ste tiene una temperatura diferente. Si estamos
midiendo la temperatura de un litro de agua
podramos no preocuparnos por el cambio que
causamos. Pero si estamos interesados en cono-
cer la pos icin de un electrn en el espacio y para
esto hacemos incid ir otra pa rtcula que nos d
indicio de s u posicin, definitivamente el elec-
trn camb i de posicin despus de la interac-
cin (y quiz tambin sus otros parmetros), as
que el cambio en este caso s es importante.
Dicho de otra manera, la incertidumbre en la
medida de la posicin de una masa d e 1 kg, cuya
velocidad tiene una incertidumbre de 1 mis, es
del o rden de 10-34 m(1) (d istancia que es 10-19
"
V"il --------------- ..
Figu ra 1.1 . Velocidad y posicin de un cuerpo
definido en una dimensin.
 Conceptos preliminares
veces ms pequea que el radio del electrn). Sin
embargo, para un electrn energtico en un to--
mo de hidrgeno, la incertidumbre es del orden
/
(1) III = - = U-"m
mt.v
(2) III = -
h
m.v
~
= U-'; donde t.v = v = '1
El manejo operaciona l de este principio puede
ayudar a estimar la energa de un electrn confi-
nado a moverse en una dimensin. Este resulta-
do ser til cuando se estudie la distribucin de
los electrones en un slido.
Qu energa podr tener un electrn confina-
do a moverse en una barra unidimensional de
longitud L?
Si suponemos que el electrn est en algn
lugar de la barra, entonces .x = L.
Empleando el principio de incertidumbre, el
error en la medicin de la cantidad de movimien-
h h
to ser p ~ I ' En el mejor de los casos Llp "" I'
Es posible suponer que el error en la medicin
es menor que la medicin en s, por lo que es
h asociar a cualquier cuerpo un comportamiento
posible escribir: p "" I '
Finalmente, con la expresin para la energa
cintica se puede escribir la energa que tendra
un electrn.
Hiptesis de De Broglie
Esta afirmacin surgi com9 un modelo para
ajustar algunas suposicio nes de la mec ni ca
cuntica, cuenta con una amplia justificacin ex-
perimental. Su representacin habitual es:
P""i=1ik; f...= 2;
----
1 eV" 1.60218)( 1O-!4 J.
de 10-9 m(2), es decir, 10 veces el tamao adscrito
normalmente a los tomos.
=
f2E
f1l
Y E = 13 eVo; ni =0.91 x 1O-~ [kg]
donde A. es la longitud de onda que ca racteriza
a un proceso ondula torio, p es la cantidad de
movimiento lineal y kes proporcional a la cantidad
de movimiento (tambin es un vector). Al mismo
tiempo k es una base vectorial muy usada al estu-
diar los slidos, por ejemplo en microscopa elec-
trnica, en propiedades de transporte, etctera.
Esta hiptesis trata de interrelacionar las carac-
tersticas intrnsecas de d os fenmenos que son
sustancialmente d istintos, esto es, relaciona las ca-
ractersticas de fenmenos ondulatorios (A) con las
caractersticas de fenmenos corpusculares (P).
Con esta hiptesis es posible asociar un compor-
tamiento ondulatorio a las partculas y viceversa.
Esta suposicin permite manejar con mayor
confianza la mecnica cuntica, ya que se baSe") en
ondulatorio. De ah el nombre de mecnica ondu-
latoria,
Bueno, y si esto es cierto, cul es la longitud
de onda de una persona ?
Si imaginamos una masa de 75 kg Y una velo-
(1.4) cidad de 10 m /s:
6.6 x 1O~" [ - -
(75)(1 0)
1 O~"
Js -
k gm s-' -
- 1 m
Se podra afirma r que sta es una explicacin
de por qu no vemos que las personas se despla-
cen como ondas, como cuando se perturba la
superficie del agua, ya que no se pe rciben dimen-
siones fsicas tan pequeas.
Ahora que se ha menciona do la palabra "ver",
(1.5) una pregunta obligada sera: Qu podemos ver?
Pues bien, en nuestro o rganismo tenemos di-
ferentes transductores y cada uno permite tener
15
 E/eel rnica Jfsicn

acceso a algunos fenmenos que suceden a nues-
tro alrededor. Po r ejem plo:
Las vibr<lciones mec nicas de baja frecuen-
cia las detec t.:- tnos con el (<lcto.
Las vib raciones mec nicas de mayor fre-
cuencia las detectamos con el odo.
La piel nos permite d etectar algunas oscila-
ciones electromagntic<ls que corresponden
al infra rrojo (ca lor).
La vista nos permite discernir entre dife ren-
tes oscilac iones d e las ond as electromagn-
ticas, pero en un interva lo muy corto que se
denomina "visible".
As, para detectar el resto del amplio espectro
elec tromagn ti co es necesario recurrir a un
transductor adicional que transforme la seal
que deseamos conocer en <lIgo que podamos
detectar. Por ejemplo, un rad io, un televisor, un
d etector de centelleo, etctera.

Cul ser la ca ntidad de mov imiento d e la luz roja de un lser de He-Ne?

La longitud de onda de este lser es: A. = 632.8nm (un nm es 1 x 10-9m).

p -,6:::.6,,-x~
1 O"--"~ _ lO-V[k m s-' )
632.8 x 10-' - g

En esencia, qu origin que el comporta-
miento dual onda-partcula pasara inadvertido
durante tanto tiempo?
Claro est, la magnitud de It. Podra usted
imaginar al mundo con una / diferente, digamos
lo-1lJ, 10-10, o l[J s]?
radia) y por la radiancia a cada una de esas longi-
tudes de onda. Esa hiptesis relaciona expresamen-
te la energa de los fotones (E) con la frecuencia (v)
o la longi tud de ond a ()..), ya que la frecuencia y la
longitud de onda se relacionan con la velocidad de
la luz ().. v = c, c = 2.9979 X 10 10 cm/s).

Hiptesis de Mnx Plnllck E = /IV =1W (1.6)

Sin temor a equ ivocarnos, podemos afirmar que
con el trabajo de Max Pl anck (1900) dio principio
el vertiginoso desarro llo de la fsica moderna.
Su hiptesis afirma que, dado que los procesos
ond ulatorios se pueden comportar como partculas,
la luz, al ser una onda electromagntica, tambin se
puede estudiar como un fenmeno corpuscular, y
los corpsculos de luz se denominan fo tones.
Como veremos con ms detalle en la siguiente sec-
cin, una fue nte de radiacin se caracteriza prin-
cipalmente por su espectro (longitudes de onda que
Esta hiptesis se emple para explica r los re-
su ltados de la radiac in del cuerpo negro y d el
efecto fotoelctrico.
Si se piensa en un conjunto de osciladores
acop lados, entonces la emisin o absorcin d e
energa E es una cantidad p roporcional a la fre-
cuencia v . As, cuand o un oscilador absorbe o
em ite rad iacin electromagntica, s u energa au-
menta o d ism inuye slo en una cantidad IIv; para
cualquier osci lador con frec uencia v existe ni-
ca mente una constante d e proporcionalidad.

Q u ene rga tiene asociada la luz roja del lse r de He-Ne, A. = 632.8 nm?
}e
E =}v = - = 3.W" [J), = 1.96[eV)
lo

16
 Conceptos prelimitlares

1.0
En este curso es mejor usar electrn volt (eV)
como unidad de energa en lu gar de joule, ya que
0.8
( \\
proporciona nmeros ms razonables. Un eV 1/
equivale a la energa que adquiere un electrn
o.,
despus de ser acelerado por una diferencia de v,
potencial de un volt.
o.
1 eV = 1.60218 x 10'"19 J
0.2 / \
/ ~ r-
NOMENCLATURA PTICA 0.0
400 --- soo 600 700
Long!lud de onda (nm)
El ojo humano, en buenas condiciones de ilumi-
FIgura 1.2 . Curva de respuesta p tica de la CIE.
nacin, es capaz de detectar un pequeo inter-
valo del espectro electromagntico. En la figura tiene al lumen como unidad y estn determina-
1.2 se muestra la respuesta relativa de acuerdo das por la visin.
con la Commission Internationale de 1't:c1airage
en 1924 (CiE). Esto es lo que da origen a dos (Flujo luminoso en 1m) = 683 x
conjuntos de unidades para el estudio de la (flujo radiante en W) x V~ (1.7)
radiacin electromagntica: las radiomtricas,
donde la unidad fundamenta l del flujo radiante v~ es la resp uesta relativa del ojo que tiene el
es el watt y donde no se consideran algunas valor de 1 a la longitud de onda d e 555 nm que
longitudes de onda como "especiales", y las fo- corresponde al color verde. Un watt de energa
tomtricas, donde el flujo luminoso equivalen te radiante a 555 nm equivale a 683 lumen.

Trminos de radiomelra y fotometra

Ultidad SI Trmino y unidad radiomtrica Trmino y ullidad fotomtrica

Q Energa radiante [J]
<p Flujo o potencia radiante (WJ
1 Irradiancia [Wm-2]
9\ Intensidad radiante ~W s r-l 1
L Radiancia (Wm-2 s r- l j
W Emitancia radiante [Wm-2]
Energa luminosa [talbot = 1m sI
Flujo o potencia radiante (W]
lI uminancia (1m m-~ = lu x)
Intensidad luminosa !1m sr-1 = candela]
Luminancia o brill antez [m-2 5r-1 = nit]

Las primeras dos unidades radiom tricas no
requieren aclaracin adiciona!. La irradiancia es
una medida de la cantidad de radiacin (poten-
cia radiante) por unidad de rea; a menudo el
detector no define el rea iluminada, as que
debe correg irse proporcionalmente. La intensi-
dad radiante es medid a en fuentes divergentes
y mide la potencia radiada por una fuente pun-
tunl como fun cin del ng ulo slido . La radian-
da es una propiedad de s uperficies que em iten
o reflejan la radiacin y mide la potencia radia-
da por unidad de rea y ngulo slido definido
entre e l detecto r puntual y el rea emisora o
reflectora. La em itancia radi ante mide la poten-
cia tota l radiilda en todas direcc iones a partir de
un rea unitaria .

17
 Elecfr"ica fsica

Cul es la brillantez de un diodo emisor de luz (LEO)?

Empezamos po r s uponer un LEO fabricado con un rea activa de 0.2 mm de dimetro
y que es visto a un metro de di stancia. El LEO emite a una longitud de ond a de 550 nm
(verde) y tiene una eficiencia cun tica ex terna (1''J) de 0.1 % (este nmero mide la ra zn
de electrones que son convertidos a fotones; los LED ama rillos tienen un peor nmero
mientras q ue los infrarrojos alcanzan eficiencias del 15%). Adems, suponga mos que
emite de mane ra isotrp ica y que el diodo es operado a 2 V Y50 mA.
En estas condiciones el LEO se puede trabajar como una fuente puntual, ya que el
ng ul o creado por el rea del LEO a un metro de distancia es menor a un minuto de
arco.
La potencia rad iante to tal est definida por la energ a proporcionada por cada fotn
emitido (funcin de A, y que posteriormente se ver que depende de la es tructura de
bandas), por los electrones disponibles para producir fotones (funci n de la corriente
elc trica) y por la eficiencia de conversin electrn-fotn (11).

De la tabla e lE a esta longitud de onda, un watt es igual a 679 1m, por lo que el LEO
produce una potencia luminosa de 7.7 x lO-2 1m. Como el flujo luminoso es isotrpico
sobre el ng ulo slido 21t la intensidad luminosa a incidencia norma l es 1.2 x 10-2
candela.

La definici n del ng ulo s lid o es simi lar a la
definicin del radin; el radin es el cociente de
la longitud del arco de un crculo entre el radio
del crculo. El estereo radin (sr) es el coc iente del
rea de una seccin de la esfera entre el radio de
la esfera al cuadrado. El ngulo slid o total
de una esfera es 4][. Una abertura rectangula r
a x b, a una distancia 11, forma un ng ulo slid o
(Q) de la siguiente forma:
PolarizacilI de la luz
El concepto de polarizacin de la lu z es muy
importante, ya que muchos d ispositivos pticos
con trolan y miden la pola ri zacin de la luz ms
que la intensidad . Las memorias magne topti-
cas, por ejemplo, se basan en la id entifi cacin de
pequeos dom inios magnticos analizando la
po larizacin de la lu z que se refleja del mate rial,
ya que ca mbios en el material magntico produ-
cen cambios en la polarizacin de la luz (efecto
Kerr magntico).
La radiacin electromagn(ica se ca racteriza,
adems de lo mencionado en la seccin anterior,
por la prop aga ~ i n del frente de onda y el estado
de polarizacin. La propagacin del frente de
ond a puede ser plana, como la luz del sol vista
en una pequea rea en la tierra. Otro caso de
propagacin puede ser esfrica, como las fu entes
puntuales, y finalmente las fuentes ga ussianas,
como la radiacin de los lseres de buena ca li-
d ad, donde la intensidad se distribuye en el es-
pacio como una campana de Gauss.
La polarizacin de la radiacin puede ser
pla na, en la cua l el vec tor del cam po elctrico
vibra paralelo a un plano que inclu ye la direc-
cin de propagacin. La polarizacin circu lar se
produce cua ndo en la radiac in que se propaga
en la direccin ca rtesiana Z, la vibracin del

18
 Conceptos prelimilwres
campo elc trico a lo largo del eje cartesiano x
est un cuarto de la long itud de onda fuera de
fase respecto a la vibracin del campo elctrico
a lo largo del eje cartesiano y, y el campo elc-
trico resultante describe un crcu lo. Si la dife-
rencia en fase es O o la mitad de la longitud de
onda, se tiene polarizacin plana. Cualqu ier
diferencia de fase diferente de las anteriores se
conoce como polarizacin elptica. La reflexin
de la rad iacin de cualquier material mod ifica
la polarizacin de la radiacin. La transmisin
de la radiacin en un materia l cristalino altera
su polari zacin por birrefringencia o por di-
crosmo, como en los polaroid.
MECNICA CUNTICA
La mecnica cuntica es la descripcin del com-
portam iento de la materia en todos sus detalles,
en particu lar lo que sucede a escala atmica. A
longitudes muy pequeas las cosas se compor-
tan de manera muy diferente de cualquiera que
ustedes hayan visto. No se comportan como
ondas ni como partculas ni como nubes ni nada
parecido.
Cmo sabemos que la mecnica cuntica dice
la "verdad"? Recordemos un comentario toma-
Rad iacin del cuerpo negro
Efecto fotoelctrico
Espectros atmicos
Dispersin de fotones por electrones
Principio de exclusin
La materia como onda
Ecuacin de onda
Principio de incertidumbre
Propiedades ondulatorias del. electrn
Interpretacin fsica de la funcin de onda
ECII17cin de Sc1/rOdillgcr
Explicar los principios de la mecnica cuntica
va mucho ms all de lo que se requiere en este
do de una idea del profesor Carl Sagan. Los
filsofos jnicos, Platn, Demcrito y otros, te-
nan conceptos cientficos similares a los acepta-
dos actua lmente como verdaderos. La Edad Me-
d ia se encarg de destruir ese conocimiento y el
Renacimiento de redescubrirlo; desde el punto
de vista cientfico, continuamos en el Renac i-
miento por sus puntos de vista antidogmticos.
Los jnicos nunca pudieron probar rea lmente
sus afirmaciones acerca de la existencia del to-
mo, que era un concepto muy revolucionario,
pero desde el punto de vista de la verdad, es tan
disparatado como suponer que todo est forma-
do por tierra-aire-fuego-agua. Esto fue as por-
que los jnicos pensaban que el trabajo experi-
men tal era trabajo manual, slo apto para los
esclavos. Hoy da muchas sociedades han supe-
rado esa etapa. Entonces, las verdades cien tfi-
cas actuales estn en peligro de ser superada s y
olvidadas? No, al menos desde el punto de vista
numrico. Desde el punto de vista filosfico, se
espera que la interpretacin actual est incom-
pleta, pero no equivocada. Esta afirmacin sur~
gi de la verificacin experimental que se hace
de sus verdades.
Algunos de los acontecimientos ms sobresa-
lientes en el desarrollo de la mecnica cuntica
son:
1901 Planck
1905 Einstein
1913 Bohr
1922 Compton
1924 Pauli
1925 De Brog lie
1926 Schr6dinger
1927 Heisenberg
1927 Davisson y Germer
1927 Born
curso, pero sus ideas son tan completas que es
imposible resis tirse a presentarlas.
CD A toda pilrtcula se le asocia una funcin de
onda compleja:
19
 E/rctrnica fsica

o/ex, y, z, t) (1.8) hamiltonia no (energa cintica + energa poten-

cial) se transforma en la ecuacin bsica por
~ La expresin clsiCa de la energa total, el medio de los siguientes operado res:

Va riable di"mica Operador asociado

Pos icin: x, y, z x, y, z

Can tidad de movimiento lineal: p !! '1

i

Ene rga: E
t, a
i al
Ecuacin de m ovimien to:
.L
E= 2111 + V(x,y,z)
f a'l' f 2 2
--,--=--'1 o/ +V(X,Y,Z) o/
I at 2/11

Donde V(x, y, z) es la energa potencia l y '\72 en el instante t. sta es toda la informacin que
represen ta al operad or de Laplace. se puede obtener de 'V.
@ Las cantidades 'V y '\7W d eben ser finitas, (5) El valor promedio <P> (a lo ms que se
univaluadas y continuas, para cualq uier x, y, z y aspi ra en la nueva mecnica) de cualquier varia-
t , adems de tender a cero en oo, ble dinmica Pse ca lcula de la siguiente forma:
@) 'V*'V es siemp re rea l y se interpreta como la
densidad de probabil idad ('V* es el complejo
conj ugado de 'V). Por loquea l integrar sobre tod o
el espacio debe ser igual a uno:
(1.1 0)
(1.9)

'V*'V es la probilbi lidad de que la partcula se

encuentre den tro del elemento de volumen d V

Es posible veri ficar qu e, a l m e nos en los va lo res esp e rad os o va lo res promed io, la
mecnica ondu lato ria concuerda con las ecuaciones de la m ecnica clsica. Resu elva
uno de los e jercicios del fin al del captulo, para mostrar que la segund a ley de Newton
se escribe de la s ig ui ente manera:

(F,)=(-~> a~~.) (1.11)

A continuacin se presenta una justificacin Si se parte de la suposicin de que cua lquier

de la ecuacin de Schrodinger como una ecua- partcula puede ser tratada como una onda, en-
cin de conservac in de la energa. tonces es posible tener una fun cin ondulato ria

20
 COllceptos prelimillares

que vara en el tiempo y en la posicin de la cin de Schrodinger, nos encontramos con que
siguiente manera: para resolverla es indispensable conocer la de-
pendencia que tiene la energa potencia l V de
\ji = Ae ~h_"") (1.12) la posicin. Este probl ema es muy fcil de resol-
ver cuando el potencia l Ves independiente del
Si se sustituyen los valores de k y de ro con las tiempo. Al emplea r la separacin de variables
relaciones de Planck y de De Broglie, se obtendr: para obtener dos nuevas ecuaciones diferencia-
les, una de ellas se conoce co mo ecuacin de
(1.13) Schrodinger independiente del tiempo, donde
ahora E es una constante del sistema. En una
En un sistema cl sico la energa total es la dimensin, la ecuacin de Schrodinger inde-
su ma de la energa cintica y potencial, expresa- pendiente de l tiempo se escribe de la siguiente
da de la siguiente manera: manera:
,
E=L+V(x,y,z)
2m
Obteniendo la expresin para p2 y E a partir de
la ecuacin 1.13, derivando la ecuacin dos veces La solucin de esta ecuacin para una partcula
respecto a la posicin para obtener p2 y derivan- restringida a moverse en un sistema con energa
do respecto al tiempo para obtener E, finalmente potencial V que adopta la forma que se observa
se obtiene la ecuacin de movimiento (sta no es en la figura 1.3, dar origen a la cuantizacin de
una deduccin). la energa.
Si introducimos una partcula en esa "caja"
Ii ch"
-~-=- - V
t/
2
2
'II+V(x,y ,z)'II (1.14) restringiremos su movimiento entre x = O Y
I at 2m x = L, ya que el potencia l es tan alto que se com-
porta como un muro impenetrable. La energa
Cllantizacin de la energ a potencial del muro tiende a infinito y la partcula
no puede alcanzar la energa suficiente como
Ahora estamos en cond iciones de iniciar nues- para poder sa ltarlo. Es como estudiar el movi-
tras experiencias con esta "mquina de procesar mien to de una canica dentro de un popote de
informacin". De inmediato, al ana lizar la ecua- longitud L con los extremos sellados, de tal ma-

V (x < O) -+ _
V{OS x S L )",O
V(x>L)-+ _

o L
Figura 1.3. Particula confinada en una caja unidimensional de longitud L.

21
 Electrnica fsica

nera que la canica s6lo puedeestaren algn lugar

desde cero hasta L.
Con los comentarios que hicimos podemos
fija r las condiciones para la frontera.
Aqu tenemos pues dos resultados muy inte-
resantes:
",(0)=0
1) La energa de la partcula no forma un espec-
tro continuo, sino que es un conjunto discreto.
",(L) =0
Un valor diferente para cada va lo r del numero
cuntico n. A esto se le llama cuantiwcin de la
Como a la partcula le asoc iamos una '11, pode-
energa. La partcula s610 puede tener algunos
mos resolver la ecuacin de Schrdinger entre
"estados de energa".
x = O Y x = L, donde la energa potencial V es
2) La funcin de distribucin nos indica que
igual a cero. existe preferencia por encontrar la partcula en
algn lugar de la caja.

Solucionando esta ecuacin por los mtodos

clsicos se obtiene:

W(X)=ACOSy (2mE)l x+Bseny

(2mE)l x Estos dos resultados contradicen nuestro sen-
tido comn. Sera de esperar que la partcula
tuviera cualquier valor de energa y que existiera
Haciendo que cumpla las condiciones para la la misma probabilidad para hallar la partcula en
fron tera se obtiene: cualquier lugar de la caja.
A=O Si 11 = 1, es ms probable que la partcula est
en el centro de la caja que en las orillas.

[Tn,)' ro'
Si 11 = 2, es ms probable encontrar la partcula
E= 2m; conl1= 1,2,3, .. (1.1 6)
en LI 4 oen 3L1 4.
Cunto debe va ler n para que la energa de la
Los nmeros 11 negativos no son solucin por- partcula sea del orden de las energas macrosc-
que la c~ntidad de movimien to k es positiva. El picas?
nmero" no es cero, porque de ser as no habra Las energas macroscpicas se ob tienen si
partcu la. L = 1 m,'" = 1 kgy E = 1 J, lo queda lugara tener
La otra constante B se encuentra a partir de la " - 1Q3".
condicin de normalizacin, esto es: En tales condiciones, es igualmente probable
que la partcula est en cualquier lugar x entre O
y L. Adems, la diferencia en energa entre dos
estados contiguos permitidos sera tan pequea
que prcticamente se comporta como un conti-
nuo de estados. Esto es lo que se espera en el
y se obtiene que: dominio macroscpico.

22
 Conceptos preliminares

Por qu una partcula libre no tiene su energa cuan tiza da?

Una partcula libre, de acuerdo con el ejemplo anterior, no estara confinada, es decir,
la caja tendra una dimensin que tiende a infinito. Conforme L aumenta, la diferencia
entre dos estados de energa tiende a cero, as es que los estados de energa son un
continuo.

Existe un sistema anlogo a la caja de potencial Rampa lisa. no hay preferencia

infinito, el tomo de hidrgeno, donde el electrn E(+) para nlngun valor de energla.

seencuentra confinado en una determinada regin

por la a traccin que el ncleo (positivo) ejerce sobre
el electrn (negativo). Evidentemente, la energa
que confina al electrn no es infinita, as que el
electrn s podr salir de la atraccin del ncleo y
en ese momento se dice que el tomo est ionizado.
El sistema ncleo-electrn existe slo cuando
se cumple su regla de cuantizacin:
4
E-- qm _ R
- 8~}2I1i--'ji2
donde R = 13.6 eV, y se conoce como constante
de Rydberg.
Adems, se puede decir que en el sistema
atmico real la energa est cuantizada, como en
la caja de potencial. Cuando el nmero cuntico
11 aumenta, la energa de enlace tiende a cero.
Para cada valor de energa permitido,el sistema
se encuentra en un "estado estacionario", esto es,
una de las configuraciones posibles del tomo.
Un anlogo gravitacional en donde se pueden
representar los estados ligados y libres es el si-
guiente:
E(+)
En estos valores de energla
p' e l electrn es libre. Puede tener
E= - cualquier valor de energla
2m
cintica.
Los escalones se
convierten en estados
permitidos, slo 8e
E(-) puede estar en esos
(1.17)
Figura 1.5. Analogla gravllaclonal de e slado s Ubres
y ligados.
Efecto lIJlel
Para encontrar otros resultados elementa les de
la mecnica cuntica, basta con resolver la ecua-
cin de Schrodinger para cada sis tema particu-
lar. Por ejemp lo, veamos el siguiente sistema,
donde la diferencia del problema anterior radica
en tener una altura de potencial finita, digamos
V = a (vase la figura 1.6).
La solucin para la funcin de onda 'P ahora
se extiende ms all de x = O Y L:
v

o
Energfa de estados ligados.
El electrn est. ligado al ncleo
y la energra est. cuantlzada. Figura 1.6. Potencial de una caja con muros
de potenclalllnUos.

EI-I En este caso existe una regin dentro del muro

(x < O Y l' > L) donde la funci n de onda 't' no
Figura 1.4. Espectro de energla para un atomo simple.

23
 Electrnica fisiea

desa piHece. Aqu, adem s de se r sorprendente, CONCLUSION ES

es inc reble. Pero qu pasa si hacemos delgados
los m uros?
Figura 1.7. Tuneleo cuantico de una partlcula.
Entonces nos encontramos con que ex iste la
probabilid ad de que una partcula atraviese la pa-
red (y decimos que la atraviese porque es igual de
v li do si la energa de la partcula es menor a
V = a, as que no p uede brincar la pilred). Es posible
encontrilr la pilrtcula en algunas de lils tres cajas.
A esto se le conoce como efecto tnel. Se pueden
atravesar los muros (de potencial) por efecto tnel
cuntico y la probabilidad a umenta conforme el
muro es ms biljo y su espesor menor.
El mund o subm icroscp ico est regido por una
nueva teora fsica, conocida como la ecuacin
d e Schrdinger (an loga a la segunda ley de
Newton).
Una serie d e conceptos fundamentales en la
mecnica cuj ntica permite expl icar la cuan tiza-
cin de la energa para las partculas ligadas.
Los res ultados de la mecnica clsica se pue-
d en obtener a partir de la mecnica cuntica.
El tuneleo cuntico es resultado de la exten-
sin de la funcin de onda ms all de los lmites
clsicos de los cuerpos.
Hasta el momento se hil pensado en proble-
mas muy simples, propios d e una partcula, pero
nosotros queremos estudiar sistemas complejos,
muchos electrones, electrones movind ose por
una diferencia de potencia l, etc. As que la fsica
tiene q ue modela r estos problem as complejos,
resolver sistemas ms o menos simples y, a partir
d e esto, obtener informac i n sobre prob lemas
complejos.

Ejercicios
Yo s entend la teora,
s610 que n o puedo resolver los problemas.
ANN IMO

1.1." Explique si un "cuerpo negro" siempre se ve negro.

1.2. Explique por q u un pedazo de metal se pone incandescente con un color rojo brillante a 1 100 K; sin
embargo, a esta m isma temperatu ra, un pedazo de cuarzo simp lemente no brilla. (Sugerencia: relacione este
problema con la radiacin d el cuerpo negro.)
1.3. Exp liq ue si un tubo de televisin emite rayos X.
1.4.~ Usando el modelo del tomo de hidrgeno, diga: Cul es la frecuencia y energa de luz requerida
para ion izar al electrn desde el estado base? Cul se ra la frecuencia y energa d e la lu z para m over el
electrn del estado ti = 2 al sigu iente nivel de energa (11 = 3)? En cada caso, d iga el color de la lu z.
1. 5. De una onda que v iaja en el agua, si nadie piensa en ella ni nadie la ve, pod ra d ecirse que la onda
existe? Qu respuesta dara para una funci n de onda en mecnica cu ntica?
1. 6. Cul de la s siguientes afi rmaciones describe mejor la esencia fsica del principio de incertidumbre?
Q) Todas las mediciones de x o p son inexactas.
b) Es imposible medir con un error a rbit rario simult nea mente dos va riables conjugadas como x y p.

Los ejercicios m.,rc..,dos con .,slerisco est.ln resueltos al fin.,l del libro.

24
 COllceptos prelimillares

c) Es imposib le medir correctamen te x y p.

d) Los incrementos de x y p son mayores o iguales que h.
e) El error en la medicin de x, al igua l que en la medicin de p, siempre es diferente de cero.
l.7." Obtenga la ecuacin 1.11 .
1.8." C ul de las siguientes restricciones hara vlida a 't' como una 't' asociada a un sistema fsico?, donde
't' =ael':
a)a= l ,b=O,x>O.
b) a = O, b = 1, <><> > x > - <><> .
c)b=-x 2,<><x>-<><>.
d)b = x,x>O.
e) a = sen x, b = 1, <><> > x > - <><>.

1.9." Cul es la mnima frecue ncia de la lu z que causara foloem isin de un metal con funcin trabajo de
2.4 eV? Cul es la mxima energa cintica de un electrn fotoexitado con luz de 300 nm de longitud deonda?
1.1 0. Un electrn en un microscopio electrnico se acelera por u n voltaje de 25 kV . Cu l es la longitud de
onda de De Broglie?
1.11 . Cu l de las sigu ientes afirmaciones da cuenta de la explicacin para la cuantizacin de energa?
a) Si las masas son muy pequeas, la energa est cuantizada.
b) Si el sistema est li gado, la energa est cuanti zada .
c) La period icidad de la funcin seno.
d) El valor de h.
1.12. Cul de las siguientes afi rmaciones da cuenta del efecto t nel?
a) Es resultado de que la partcu la est confinada.
b) Si se tiene un potencial su fi cientemente pequeo y una x su ficientemente pequea, entonces existe el
efecto tnel.
c) Todas las partculas confinadas pueden tunela r su confinamiento.
d) Toda p artcula puede atravesar barreras de p otencial siempre y cuando su energa sea una fraccin
del potencial de la ba rrera.
e) El va lor de la densidad d e probabilidad ",,,, ...
1.13.* Se tiene un arreglo simila r al de un cine: fue nte de lu z, pantalla, espectador. Compare una fuente
incandescente isotrpica y un lser que recorre peridicamente toda la pantalla rectangula r de 4 x 8 metros.
Qu relacin de potencia rad iante deben tener las fu entes para que produzcan la misma irradiancia sobre
la pantalla? Qu relacin existe entre la potencia radiante d e una fuente isotrpica y el flujo radiante que
recibe un espectad or, si la pantalla est a 40 metros de la fuente y el espectador est a 20 metros de la pantalla?
Suponga que se refleja 25% en la pantalla y que la fuen te y el espectad or estn en la direccin de la lnea
normal al p lano de la panta lla .

25
 CAPiTULO II

MATERIALES PARA LA ELECTRNICA

E S INTERESANTE NOTAR LA RELACiN que guar-

da la ciencia, entendida como la exp lica-
cin de un fenmeno, con la tecnologa,
como el proceso que permite transformar el co-
nocimientoen alguna aplicacin. Normalmente,
la ciencia surga y mucho tiempo despus lo
haca la tecnolog a: por ejemplo, la teora del
transistor MOSFET se propuso en 1930, mientras
que el primer transistor con buenas caractersti-
cas funciona les se obtuvo apenas en 1960. Con
el paso del tiempo el lapso en tre ciencia y tecno-
loga se ha ido desvaneciendo hasta contar con
ejemplos donde el control actual de los procesos
de fab ricacin ha permitido obtener materiales
con propiedades an no entendidas del todo.
Esta tendencia de aplicar rpidamente el cono-
cimiento puede explicarse, en parte, porque la
electrnica est conducida por innovaciones;
como un buen ejemplo estn los prod uctos elec-
trnicos actuales. A continuacin se presenta
una lista incompleta de algunos hechos sobresa-
lientes en la historia d e la electrnica.

1874 F. Braun In icia la investigilcin de rectificadores

metal-semiconductor.
1879 E.H. Hall Demuestra experimentalmente que los portadores d e ca rga
en los metales son negativos, con algunas excepciones.
1881 Stoney Llama "electrones" a los portadores negativos.
1904 Bose Rectifica el contacto puntual.
1907 Round Descubre la electroluminiscencia.
1908 K. Baedeker Modifica la conductividad de un material
(yoduro de cob re) al impu rificarlo (con yodo).
1911 Kanigsberg y Weiss Introducen el concep to de semiconductor.
1926 l.E. Ulienfeld Teora del transistor MOSFET.
1931 Wilson Teora del transporte para semiconductores segn la teora
de bandas.
1938 w. Schottky Teora de la unin m-s (barrera d e Schottky).
1947 Antes de este ao los semiconductores slo se usaban
como termistores, (otodiodos y recti fi cadores.
1948 John Bardeen y Desarrollan el primer transistor de contacto puntual.
Walter Brattain

27
 Electrllica fsica

1949 William Shock ley Teora del transistor bipolar de unin (BJT).
1950 Hall y Duncap Obtencin de uniones p-II por aleacin.
1950 W.sboc kl q Teora bsica de la unin p-II (f versus V).
1951 H. Welker Propone que los materia les compuestos con los grupos III
y V de la tabla pe ridica sean candidatos
a semiconductores.
1951 Teal, sparks Crecimiento de buenos semiconductores.
y Buelhor
1952 W.C. Pfann Purificacin de sem iconductores por el principio
de refinacin por zonas.
1952 W.shockley Anlisis de la resistencia controlada por vol taje FET.
1952 SIEM ENS Mtodo industrial para produc ir cristales.
1954 Chapin, Fuller Desarrollo de la primera celda solar.
y Pearson
1956 J.L. M olI y M. Construccin y modelo del primer tirislor.
Tanenbaum
1956 M. Tanenbaum Difusin en estado slido.
y Thomas
1956 Premio Nobel shockley, Bardeen, Brattain, por su trabajo con transistores.
1957 SIEMENS Produccin en serie de transistores de germanio.
1958 sah, Noyce, Shockley Teora de la unin P-II (l versus V).
yMo lI
1958 Esaki Diodo Esaki (tnel).
1 959 Moll, Pfann y Carnett Proponen la estructura MOS como un capacitor controlado
por vol taje.
1960 Kilby (Texas Ins) y Invencin de los circuitos integrados.
Noyce (Fairchild)
1960 Kahng y Atalla Fabricacin de un transistor MOSFET.
1960 Theverer y Kleihack Dispositivos por tcnicas epitaxiales.
1962 Hall y Cenner Lser de semicond uctores que opera a muy bajas
temperaturas.
1963 Gunn Oscilador de microonda s.
1964 Premio Nobel Townes, Basov, Prokhorov, por el trabajo con mser y lser.
1965 Antes de esta fecha los CI estn dominados por bipolares,
a partir de este momen to salen del laboratorio los CI MOS.
1966 Merd Teora de MESFET.
1967 Lehrer y Hooper Fabricacin de MESFET de Ca As.
1970 Boylesmith Fabrica cin de los CCD (disposi tivos de acoplamiento de
carga).
1970-1979 En esta dcada empieza el gra n avance de los sis temas MOS;
surgen los microprocesadores y las DRAM (dynamic random
access memories).

28
 Materiales para la electrnica

1972 Premio Nobel Bardeen, Cooper, Schieffer, por el trabajo

de superconductividad.
1972 Premio Nobel Esa ki, Giaver, Josephson, por el trabajo de tune leo
de semiconductores y superconductores.
1974 INTEL Desa rrollo del primer microprocesado r en un el.
1975 Pickard Fabricacin de uniones P-II por implantacin de iones.
1977 Wilmsen Transistor MOS de GaAs.
1980 V.L.5.1. Hace posible un milln de dispositivos en un chip
de aprox imad amente 4 mm.
1982 Bean Dispositivos por epi taxi a de haces moleculares.
1985 IBM Memoria de computadora de un milln de bi ts en un trozo
de silicio de 5.5 mm por 10.5 mm.
1988 Premio Nobe1 Muller, Bednorz, por su trabajo en superconductores de alta
temperatura crtica.
1992 18M, SIEMENs y TOSHIBA Inicio del programa hacia la memoria DRAM de 256 Megabits.
1995 18M, slEMENS y TOSHIBA Presentan el primer chip de 256 Mb: 286 mm 2 y 26 ns.

BANDAS DE ENERCIA dencia, compararse con un aspecto que resulta

Antes de discutir un modelo analtico para pre-
decir la existencia de las bandas de energa,
detengmonos en algunos de los aspec tos cuali-
tativos .
El concepto de bandas de energa es primor-
dial para explicar y en tender el comportamiento
de todos los fenmenos que estn determinados
por los electrones. Las propiedades elctricas,
trmicas, pticas y magnticas de los materiales
estn determinadas en g ran medida por los elec-
trones. Expondremos dos ideas que explican la
formacin de las bandas: la teora del enlace
molecular ampliamente empleada por los estu-
diosos de la qumica, y el modelo de Kronig-Pen-
ney que permite obtener aspectos cuan titativos.
Cmo esperamos que se modifique el diagra-
ma de niveles permitidos (energas para las cua-
les el sistema puede existir) J ~ un tomo de
sil icio a islado, respecto a un slido de silicio
(muchos tomos interactuando)?
Paul propuso un principio en 1925 que ayuda
a dar respuesta a esta pregunta: "En un momento
dado, nicamente un electrn puede estar en un
estado cuntico particular".
Este enunciado de la fsica puede, por coinci-
cotidiano para los estudiantes.
Imaginen un saln de clases en la UAl\.l donde
se impartir una asignatura del primer trimestre.
La primera persona en llegar al saln escoge un
lugar de su preferencia. La segu nda persona en
llegar, si es conocida de la anterior, procurar
tomar asiento cerca de ella; de no ser as, es
probable que busque un lugar de su preferencia,
pero alejado una cierta distancia . Al ocupar el
sa ln por completo, se podra identificar a gru-
pos de conocidos o sim patizan tes.
Qu pas3 cuando todos 105 asientos estn
ocupados y llega tAro alumno? Por qu prefiere
queda rse de pie o traer otra silla en vez de sen-
tarse en las piernas de alguien que est sentado?
Tal vez, al igual que los alumnos, los electrones
tienen ms reglas que las impuesta s por el espa-
cio fsico que ocupan.
Regresemos ahora a los sistemas atmicos.
Ima gi nen que se quiere so lucionar un sistema
de muchos tomos. Si se pudiera pensar que la
solucin se obtiene al conside rar cada tomo
como algo aislado, al resolver cada uno de ellos
independientemente se tendra que todos es ta-
ran en su estado base y a l formar la so lucin
del sistema total, todos los elec trones estaran

29
 ElectrlliCQ fsica

en el mismo estado, con la misma energa, lo que
no es posible.
Despus de exponer esto, quiz quede claro
que el pril1cipiodeexclusinde Pauli no es ms que
unil regla que observa la naturaleza cuando in
tcrilctiln muchos cuerpos. sta es una manera
muy particular de expresar e l comportamiento
de la naturaleza.
En el caso de un tomo de silicio, es bien
sabido que mientras est aislado tiene una serie
de estados discretos permitidos que se conocen
como, 15, 2s, 2p, 35, 3p, 3d, 45, 4p, 4d, 4j, 55, 5p, 5d,
5j, 6s, 6p, 6d, etc., y tiene nicamente 14 electro
nes, que en su estado base (mnima energa)
ocupan hasta el nive13s, 3p.

Cabe aclarar en este punto que un tomo se caracteriza por cuatro nmeros cunticos,
tres relacionados con las coo rdenadas espaciales y uno con el "espn", coordenada
interna del electrn. La energa de los electrones se define por esos nmeros cunticos.
Cada orbital atm ico (15, por ejemplo) se define por dos nmeros cunticos. Dentro de
cada orbital existen los electrones equivalentes y su nmero est definido por los otros
dos nmeros cun ticos (2 en el s, 6 en el p, ete.). En los problemas del captulo anterior
slo apareca un nmero cun tico n, porque se estudiaron sistemas de una dimensin
y de una partcula.

Una de las id eas ms simples de la teora d el o molecu lar independientemente de su estado de

enlace molecu lar ser emp leada para demostrar
la existencia de las bandas de energa. De acuer-
do con sta, es posible entender el comporta -
miento energtico de cualquier sistema atmico
E
agregacin, nmero de constituyentes o condi-
ciones de presin o temperatura.
En el d iagrama que se presenta a continuacin
se esquematiza la transicin de un tomo aislado

4)( N estados, banda de conduccin

I 6 x: N estados I

~-- ---~~---'P

2)( N estados

4)( N estados, banda de valencia

Distancia Interatmica d
"
Figura 11.1. Diagrama de transicin de un material (silicio). Cuando la distancia Interatmlca es muy grande
el material es un gas de poca densidad con diagramas atmicos independientes Iguales.
Cu ando la distancia interatmica es Xo el slido e s t en equilibrio y los niveles 3~ y 3p se h ibrld i zan,
dando lugar a las bandas de energ a (spJ) .

30
 Materiales para la electrllica
(la separacin entre tomo y tomo, d, es muy
grande) a un slido (la separacin atmica
d = xo, es pequea).
En el diagrama se sea la el punto en que la
distancia interatmica es xo, la posicin a tmica
de equilibrio para el slido de silicio a la tempe-
ratura y presin ambientes. El sistema es ms
estab le cuando la d istancia interatmica es Xo (es
decir. cuando tiene una energa total mnima ).
Para modificar esta posicin habr que agregar
energa al sistema oext rarsela, en forma de calor
o de presin.
Las ideas esenciales de las que se parte para
construir el diagrama anterior son ms o menos
simples. Imagine que tenemos tres tomos
id nticos aislados uno del otro (d es muy gran-
de). Los diagramas de ene rga de estos tres
tomos seran idnticos. Sin prd ida de genera- sa tisfacer alguna regla de cua ntizacin.
lidad podramos suponer que estos espectros
surgen del estudio de una partcu la en una caja
de potencia l infinito.
Al disminuir la separacin entre los tomos
(d tiende a xo), los ponemos a interactuar. El prin-
cipio de Pauli establece que dos niveles de un
sistema (sea ste un tomo o 10 n tomos) no
pueden tener la misma energa, as que un nivel
atmico se "desdobla" en tantos niveles co-
mo tomos formen al slido.
Esto explica parcia lmente e l diagrama de la
figura n.l . Algunos d etalles no estn explicados,
como por ejemplo, las condiciones requeridas
para la formacin del sistema ms estable con
energa total mnima. Los detalles se pueden
aclarar consultando las referencia s.
El modelo de Kronig-Penney estud ia la din-
m ica de un electrn en un potencial peridico.
ste ser nuestro prime r intento formal por co-
nocer las caractersticas de los electrones en un
slido; has ta ahora conocemos las caractersticas
de los electrones libres y ligad os a un tomo
aislado, pero no sabemos qu pasa con ellos al
"meterlos" en un sl id o.
Un elect rn libre se describe por la siguiente
func in de onda:
(11.1)
r
NIveles de energfa para Niveles de energla para
tres tomos si d -'Jo'" los mIsmos tres tomos
51 rI = r o
Figura 11.2. Formacin de las ~ bandas- de energia
para un slido de tre s tomos.
-
T lene una energla
2
e
- E = -fl -o Lo que se repre-
2/11
senta en un diagrama de energa contra ca ntidad
de movimiento (E vers llS k), como una parbola.
Al confinar a la partcula dentro de un slido,
la energa E y la cantidad de movimiento k deben
Para la solucin de este problema, partamos
de la hiptesis de que se cumple la ecuacin de
Schr6dinger.
- - r _ 1i
Ho/ = Eo/; H = 2,; + V(X, y, z); p::; V (11.2)
La so lucin implica el conocimiento de la
energa potencial V(x, y, z), q ue vera un e lectrn
al moverse dentro del sl id o, adems de las con-
diciones de la frontera necesarias para resolver
la ecuacin diferencia l.
Las simplifi caciones que se e mp learn para
resolver el problema son:
Consideraremos una red perfectamente peri-
dica unidimensional, sin interrupciones ni fron-
tera s y con period icidad a. (Los cristales perfectos
slo pueden obtenerse en los libros de texto.)
Se estudia r lo que pasa con un so lo electrn
en e l potencial producido por todos los iones y
por el resto de los e lectrones que no se tengan en
cuenta (u n electrn en un potencial peridico).
Existe una funcin sim ple que mantiene la
calidad de periodicidad y toda s las propiedades
esencia les que hemos comentado, la cual se co-
noce como potencial de Kronig-Penney.
La periodicidad de l potenc ia l se traduce en
periodicidad de la funcin de onda, por medio
del teore ma de Oloch.
31
 Electrnica jfsiea

V(x)

v. ~,

,
,il --- E

" ;-
o b
Figura 11.3. Potencial de Kronig-Penney.

o/ex) ::: e'""'l/(x); donde I/(x) "'- I/ (X + a)
Si \V se conoce sobre cualquier celda de la red
peridica (ms generalmente, sobre cualquier
regin de longitud n), entonces se pueden cono-
cer los valores de \V en todas las dems ce ldas.
o/(X)::: e<t~I/(x)
Para conocer la distribucin de los estados de
energa de los electrones se aplican las condicio-
nes de periodicidad con ti nua. La manera de eli-
minar los problemas de las fronteras es suponer
que nuestro crista l unidimensiona l forma unani-
110, de radio muy grande, de ta l manera que en
la fron tera se cumpla que:
\V(X)::: o/(x + Na)
Donde N es el nmero de iones que forman el
anillo y es del orden del nmero de Avogrado.
Aplicando la condicin anterior, se tiene que:
1 ::: cos(kNa) + isen(kNa )
Esta condic i n se satisface nicamente si
21t11
k::: Na con 11::: 1,2,3, ... f:sta es la condicin para
que el sistema exista e indica que la distancia en-
tre dos estados de energa es muy pequea.
Para conocer la energa (E verslls k) que pued e
tener el electrn en el sistema, debemos resolver
la ecuacin de Schrodinger con el potencial de
Kronig-Penney, en las condiciones de frontera
adecuadas. La solucin de este problema es sim-
ple aunque un poco laboriosa; para las personas
interesadas en resolver los detalles, se presentan
a continuacin a lgunos resultados parciales que
les ayudarn en su desarroll o.

V(r)

v,

., .,
o b
Figura 11.4. Condiciones a la frontera para el potencial de Kronig-Penney.

32
 Materiales para la electrnica

Respetando las condiciones de frontera en b, El sistema de ecuaciones es el siguien te:

para la funcin de o nd a 'V y su deri vad a l.l, se
tiene con tinuidad desde cero hasta a.
Para tener continuidad entre una celda y otra
necesitamos qu e se cumpla la continu idad en la
funci n u(x) y sus derivadas.

,<"~lb) = ,<" ,b) Con las siguientes ecuaciones como solucin:

,!",(b) = ,!",Ib)
11.(0) = I/_(a)
1/.(0) = I(a)

(11.4)
Explcita mente, la fun cin de onda \11 tiene la
fo rma siguiente:
donde:

'V ,(x) = Aeik,x + Be- ik,X(O < x < b); E'" tl2k~
2m
y

(1 1.5)

La solucin simultnea de las cuatro ecuacio-

nes donde se han susti tuido las condiciones de
frontera produce un sistema de cuatro ecuac io-
nes homogneas. Un sistema de ecuac iones ho-
mogneas tiene so lucin no tri via l para A, B, e
y D, slo si el determinante de la matriz es cero.
Pa ra encontrar las solucio nes de las ecuacio-
nes trascendentes an teriores que satisfacen E y k
se necesitan las g rficas de las partes izquierda y
derecha en un mismo sistema coordenado. Los
va lores de energa E que hagan v lida la igua l-

C06lk(b-a)1

-1

28 9321.7
"Figura U.5. Solucin grallca del sistema de ecuaciones de Kronlg-Penney.

33
 Elecfrllim fsica
\ J \ J \ J
j \ j \ j \
~ ./
-" - 2.,
Figura 11.6. Estr uctura de bandas en un sOlido.
d"d se rn los nicos con los que el electrn se
podr mover en el po tencial de Kronig-Penney.
A partir de la fig ura 11.5 es posible obtener la
re laci n entre la energa de los electrones E y su
vector de onda k (recuerde que es proporciona l
a a cantidad de movimiento).
De esta manera, no todos los va lores de ener-
ga co rresponden a estad os perm itidos del siste-
ma; ex isten regiones de energa proh ibida para
el electrn. Al rea li za r la grfica de E versus k
tenemos que den tro de una banda permisible la
relacin es oscilatoria y no parablica, como la re-
lacin para e l elec trn libre. El ancho de la banda
aumenta con el incremento de la energa. En el
extremo superior de la banda permitida la rela-
cin de E vers us k es cncava hacia abajo, mien-
tras que en el mnimo de la ba nda la relacin es
cncava hacia arriba. Dentro de una banda per-
mitida existe un gran nmero de estados que
pueden ser oc upados por los electrones.
Veamos a hora cmo se ocu pa ran las bandas
de energ a cuya ex istencia hemos predicho.
Si como ya se mencion, el principio de Pau li
se cumple, y si adems se supone que el slido
est en su estado base, el cua l se obtiene al tener
un mnimo en la energa tota l del sistema, esto
es, teniendo al materia l en el cero absoluto de
tem peratura (O K), entonces, como todos los elec-
34
EN
"\ ./ ~ ./
kd
o
trones no pueden estar en un mismo nivel de
ene rga (a cada nivel de energa se le asocia un
solo nmero de onda del elec trn en el cristal, k).
Adems, no existe un continuo de estados per-
m itidos en el slido (k), sino que es un n mero
d iscreto. Con todo lo an teri or, se conclu ye que
los e lectrones ocupa n parcia lmente los estados
disponibles, el estado de mayor energa ocupad o
con un electrn en el esta d o base se llama "k de
Fermi" y la energa asociada con ese estado se
ll ama energa de Fermi (E F) .
Volviendo a las teoras anterio res, vemos que
cada banda de energa es resultad o del "a mon-
tonamien to" de niveles iguales de los to mos;
este amontonam iento forma r la densidad de
estados en la banda (niveles por un idad dE;: vol u-
Niveles vacfos
en el estado b ase
Es tados
per misibles f,
Niveles ocupados
en el estado base
Estados Electrones
Figura 11.7. Energfa de Fermi. Ep
 Materiales para la electrnica
Metal "normal"
Figura 11.8. Bandas de energra en los materiales.
men y por unidad de energa), que se discutir
en la seccin de semiconductores. En este mo-
mento, lo ms importante es encon trar una manera
de agrupar y ca racter iza r los materiales deacuer-
do con las d iferencias en las bandas de energa.
Se sabe que los electrones no se acomodan en
las bandas de manera arb itra ria (de esto hablare-
mos despus): al acomoda rse los electrones en
las bandas del sl id o, primero se ocupan los
niveles de menor energa y despus los de mayor
energa (al menos en el estado base). Pero como
hay ms lugares que electrones, no se ocupan
todos los lugares disponibles.
En funcin de sus bandas de energa y de la
m anera en que se ocupan las bandas permitidas
por los electrones, los m ateriales se clasifican en
metales y aislan tes.
En el segundo caso, se ocup por completo
una banda y la inmed iata su perio r est comple-
tamente vaca. En estos casos la de finicin preci-
sa del nivel de Fermi estar determ inada por la
facilidad para mover un electrn de la banda
llena a la vaca, como veremos al estud iar los
semiconductores.
La separacin entre la ba nd a ocupada (que en
adelante llamarem os de valencia) y la banda
desocupada (que llamaremos de conduccin)
ser denominada Eg. Y dependiendo de este va-
lor y de las cond iciones de uso del materia l, el
material se comporta como a islante o como se-
miconductor.
Una banda llena de electrones no conduce
corriente, ya q ue no existen estados continuos
vacos que puedan permitir el movimiento de los
electrones. Si un electrn quiere cambiar de lugar
dentro de la banda, lo ha r slo intercambiando
posic i n con o tro electrn.
Semiconductor a bajas
temperaturas o aislantes
Una banda vaca d e e lectrones no conduce
corriente, ya que no tiene po rtadores de carga.
Es posible establecer conduccin de corriente
en una ba nda llena de elec trones quitando algu-
nos de ellos, ya que los e lectrones que queden
podrn moverse entre estos pocos lugares libres.
De la misma manera , se puede establecer co-
rriente elctrica en una banda vaca si se introdu-
cen algunos elect rones.
Es el comportamien to de los elec trones en
una banda casi vaca el mismo que el producido
en una banda casi llena?
La respuesta es no, ya que fsicamente se mue-
ven de forma d istinta, y por ellose les conoce con
diferen tes nombres. Los e lectrones que se mue-
ven en una banda casi vaca se llaman electrones;
espacialmente se mueven en trayectorias g ran-
des y por lo general estn asociad os con una
energa mayo r. Los electrones que se mueven en
una banda casi llena se llaman hllecos; espacial-
mente se mueven en trayector ias mu y co rtas y
estn asoc iados con una energa menor. El nom-
bre de hueco no se refiere a una partcula sino a
un estado dinmico de los electrones.
Empleando la estructura de bandas que se
obtuvo del modelo de Kronig-Penney, es posible
describir con ms detalle los huecos y los e lec-
trones en un material. La relacin que controla
e l movi m iento de las partcula s en un s lido
(E verslls k) ya no es una parbola como en los
electrones libres. En los extremos de las bandas
la funcin osci la toria se puede aproximar a una
parbola.
, 'k'
E=-'- (11.6)
2111-
35
 Electrnica fsica
Para ajustarse a las caracterst icas de las ban-
das, la masa no puede ser una constante, y se
llama masa efectiva /11". En el caso de los huecos,
que se mueven en la parte alta de la banda, la
masa efectiva debe ser un nmero negativo, ya
que la relacin dinmica (E versus k) es cncava
hacia abajo. Para continuar usa ndo masas posi-
tivas, se redefine el electrn que se mueve en la
parte alta de la banda de valencia como una
partcula con masa posi tiva pero que tiene carga
positiva, ya que lo que importa en el transporte
es la relacin carga-masa.
En la mayora de los materiales, la masa efec-
tiva 111" se puede considerar como una constante
diferente de la masa del electrn libre. La masa
del electrn lib re es 111 = 0.91095 X 10-30 kg .
Al "meter" un electrn en un slido, el elec-
trn es el mismo, pero su movimiento es diferen-
te del de un electrn en el espacio libre. El elec-
trn dentro de un slido est expuesto a la
interaccin con los ncleos y con los dems elec-
trones; podra ser menor si los campos elctricos
que forman el slido facilitan su movimiento,
pues parecera que se hubiera disminuido la
masa del electrn, cosa que evidentemente no
sucede. En general, m" ~ 111. Si se piensa en ambas
como la masa de un electrn, /11" corresponde a
un electrn en un sl ido y m corresponde a un
electrn libre. Esta diferencia slo es vlida cuan-
do intentamos moverlos. Es como intentar mo-
ver un objeto arrastrndolo en una superficie de
hielo o de tierra; parece mucho ms pesado en el
segu ndo caso.
En la descripcin anterior se considera que no
todos los electrones del sistema son igualmente
activos para definir las propiedades de los ma-
teriales; en efecto, slo una pequea regin de
energa, en la cual se da la transicin entre esta-
dos vacos y ocupa dos, definir a los electrones
que determinarn las propiedades de los ma-
teriales.
Demos fin a esta seccin con una analoga que
permite ilustrar la diferencia entre huecos y elec-
trones. Supongamos que existe un cine como el
de la figura 11.9.
Las personas de la zona A no pasan a la zona
B, ni viceversa.
36
p
A
(
N ~ Zona A
_LLLLLLLJ ~
T
A
,(V'('('('('('('
L Zona B
--.J~ ~~~~~~~
L
" - - - - - -- -
A
\
Figura 11.9. Cine -con bandas".
Al iniciar la pelcula, en la zona A slo hay una
persona al fina l de la fila y en la zona B la fila est
comp letamente ocupada, excepto el lugar ms
cercano a la pantalla.
En ese momento las personas se dan cuenta de
que es mejor acercarse a la pantalla, entonces el
cinfilo de la zona A avanza siguiendo la trayec-
toria indicada por la flecha continua, mientras
queen la zona B los cinfilos son muy ordenados:
cada uno avanza un asiento.
Despus de los movimientos y si no se puede
distinguir a un cinfilo de otro, la suma de cada
uno de los movimientos se puede representar
con la flecha discontinua. El movimiento en la
zona B es similar al de la zona A, aunque sucedi
de diferente manera. La zona A representa a los
electrones en la banda de conduccin, la zona B
representa a los electrones en la banda de valen-
cia, es decir, a los huecos.
METALES
Los materiales metlicos comparten varias ca-
ractersticas comunes: El diagrama de bandas de
energa es similar, el nive l de Fermi est dentro
de la banda de conduccin. El en lace qumico es
simila r, los elec trones libres se comparten en el
material formando una red de iones y una nube
electrnica. Las propiedades pticas y elctricas
son parecidas, son buenos conductores del calor
y la electricidad, y la penetracin de las ondas
electromagnticas es mnima. En esta seccin se
presentarn varios concep tos macroscpicos,
como la ley de Ohm y la de Joule desde un punto
 Materiales para la electrnica
de vista microscpico. Todos los concep tos que
se vern en esta seccin pueden extenderse a los
otros materiales.
Ley de 0/1111 y de Joule
Una de las relaciones ms conocidas en el mun-
do es la ley de Ohm, que en su forma ms simple
muestra la proporcionalidad entre la densidad
de co rriente m y la intensidad del campo elc-
trico (E), a travs de la conductividad (a).
(11.7)
Esta relacin nicamente es vlida pa ra mate- renlz.
riales homogneos con condiciones uniformes
de temperatura, sin ilu minacin y con campos
elctricos y magnticos sin cambio en el tiempo
y pequeos.
No todos los materiales o dispositivos son
igualmen te sensibles a todas las restricciones
mencionadas. Un alambre metlico en forma de
bobina no cumple esta relacin si hay cambios en
la corriente elctrica. El diodo tampoco cum p le
esta relacin, ya que es un dispositivo inhomo-
gneo, etctera.
Esta relacin, depend iente de la geometra,
toma la forma:
v= RI (11.8)
donde V es la diferencia d e potencial, R es la
resistencia elctrica e 1 es la corriente elc trica.
Las ecuaciones an teriores se pueden relacionar
usando una geometra simple, como la de un
alambre de longitud L y seccin transversal de
rea uniforme A. Ut il izando la definicin de la
densidad de corriente fJda = 1 Y del campo elc-
trico, VV = - E.
p es la resistividad [O. cm} que es el inverso de
la conducti vida d o. La depend encia de la resisti-
vidad en relacin con la estructura microscp ica
puede obtenerse con el modelo de Drude.
Podemos imaginar que el material est forma-
do por un ocano de electrones en condiciones
casi de electrones libres. Esta nube de electrones
evita que los iones formados de ncleo y los
electrones no libres se repelan y permanezcan
como un sistema. Este ocano de electrones se
encuentra en movimiento ca tico debido a la
energa proporcionada por la temperatura, pero
no produce una corriente elctrica neta porque
no es direccionaL
Al aplicar un campo elctrico constante, ste
ejerce una fuerza sobre los electrones que tiende
a alinear su movimiento, llamada fuerza de Lo-
F = q(E+ v x B) (11.9)
Esta fuerza constante produce una aceleracin
constante sobre el electrn, como lo predice la
segunda ley de Newton.
F =m "a
Si la fuerza del campo elctrico fuera la nica
que existe sobre los electrones, entonces se origi-
naran corrientes arbitrariamente grandes, ya
que la velocidad aumentara linealmente. Esto se
despre nde de la definicin de densidad de co-
rriente elctrica, donde 11 es la densidad de por-
tadores de carga [cm-3J, q es la carga del porta dor,
por ejemp lo, electrones, y <v> es la velocidad
vectorial promedio de los electrones [cm /s].
J = Ilq<v> (11.10)
Sin embargo, debe existir un facto r que limite
la velocidad d e los portadores y, por lo tanto, la
corriente. Este factor surge naturalmente cuando
consideramos el efecto de la interaccin de los
electrones y los iones fijos, o sea, si suponemos
que un electrn tpico adquiere una velocidad
promedio <v> en un tiempo promedio"! (tiempo
de relajacin). Los electrones choca n con un ion
y transfieren su energa de exceso a la red de
iones.
37

v,+<v>
Figura 11.10. Modelo de Drude de transferencia de
energla por colisiones.
Aplicando este modelo y las leyes anteriores
obtenemos una expresin para la velocidad pro-
med io <v> que alcanzan los electrones en el s-
lid o. Esto es vlido cuando imaginamos un con-
junto muy grande de electrones en movimiento.
de donde se obtiene una expresin propia para
la velocidad promedio producid a por el campo
elctrico:
Al s ustituir en la densidad de corriente y com-
parar con la ley de Ohm se obtiene:
nqlt
a =--
//l'
Las colisiones entre los electrones y la red son
favorecidas por:
1. Vibraciones trmica s: a mayor temperatura,
mayor resist iv idad.
2. Defectos puntuales: a mayor nmero de
ellos, mayor resistividad:
a) Vacantes: ausencia de tomos producidos a
altas temperaturas.
bJ Intersticia les: tomos que estn en posicio-
nes incorrectas en la red.
e) Impurezas aisladas (cargadas o neutras).
3. Defectos lineales: dislocac iones, grupos de
tomos desplazados d esu posicin de equilibrio.
38
Elecfrllim fsica
4. Defectos superficiales.
a) Superficies externas de los slidos.
b) Superficies internas: lmite del grano, etc-
tera.
Definamos otra relacin de inters, quiz ms
importante: la movilidad '.1.. La movilidad es la
relacin entre la velocidad media que adquiere
un portador en presencia de un campo elctrico:
(11.14)
Con esta expresin, la conductividad <T se es-
cribira de la siguiente manera:
(J = IIq)l (11.15)
Cuando pasa corriente por un alambre au-
(11.11) menta s u temperatura. La energa trmica que
as se obtiene es producida indirectamente por
la fuente del campo, a travs de los electrones
y la red.
De la hiptesis de Drude, que s upone que el
electrn disminuye su velocidad de U r + <v> a
Ur a travs de colisiones con la red, se espera que
la red se caliente. Este aumento de temperatura
(111 2) es el efecto Joule.
La energa que transfiere un electrn a la red
por una colisin es igual a la energa cintica
perdida:
(11.13)
La energa que transfieren todos los electrones
a la red es por unidad de volumen y por unidad
de tiempo, es la potenCia total por unidad de
volumenP:
(11.16)
Para una geometra si mple como la empleada
anteriormente, se obtiene la forma habitual de la
ley de Joule (P = IV).
 Materiales para la electrnica
Efecto Hall
Las mediciones de conductividad son insufi-
cientes para conocer el nmero de portadores
por unidad de volumen (11). la movilid ad de los
portadores (Il) o para conocer la carga del por-
tador que se mueve. Las mediciones de Hall y
las de conductividad permiten conocer estas va-
riables.
En este experimento se tiene presente un cam-
po e lctrico que produce una corriente en el ma-
terial que quiere medirse. Adicionalmente, se
aplica un campo magntico transversal a la co-
rriente, como se ve en la siguiente figura:
.,
---+E
,/B
Figura 11.11 . Geometrra para la medicin del voltaje
de Hall.
Los electrones que se desplazan a travs de la
muestra por el campo elctrico E, sienten la pre-
sencia del campo magntico B. En la geometra
de la figura anterior, la fuerza tendra la siguiente
expresin:
k nar un estado de conduccin poco usual llamado
F =qvx B =qv r Vy v, = q(vyB,l -vrB,J}
O O B,
La componente de la fuerza que producir el
voltaje de Hall es la que mueve lb.. electrones en
la direccin de la "y".
F = -qv,B, = qEy
Con la expresin misma de la conductividad
elctrica, el campo e lctrico de Hall toma la si-
guiente forma :
-BJ
E = - -' (11.17)
y Ilq
Midiendo el campo magntico aplicado (B ,),
la densidad de corriente que pasa po r el material
U,) y el campo elctrico de Ha ll (E y ), es posible
obtener la densidad de los portadores de carga
(11). Por medio del signo del voltaje de Hall po-
demos conocer qu se mueve, si una partcu la
positi va o una negativa. Mid iendo la conductivi-
dad es posible calcu lar la movilidad.
La anterior descripcin puede ilustrarse con
las siguientes afirmaciones. La formaci n de un
voltaje de Hall es diferente para cargas de dife-
rente signo. Supongamos que aplicamos un po-
tencial positivo en x = O Y uno negativo en
x = L:
Si la corriente elctrica est formada por
electrones, el campo elctrico de la batera
tender a moverlos hacia x = O, mientras
que el ca mpo magntico los mueve hacia
y=o.
Si la corriente elctrica est formada por
cargas positivas, el campo elctrico de la
batera tender a moverlos hacia x = L,
mien tras que el campo magntico los mue-
ve hacia y = Q.
Estas ca rgas acumuladas en ambos casos in-
ducen cargas en la otra superficie; esto es, el
ca mpo magn tico produce una diferencia de po-
tencia l a travs del material y nicamente con
medir su polaridad sabremos si se mueve una
ca rga positiva o negativa.
Para finalizar esta seccin, se puede mencio-
estado superconductor. La mayora de los mate-
riales presentan a temperatura amb iente un cier-
to grado de resistencia a l paso de la corriente
elctrica. En unos cuantos mate riales, y usual-
mente a tempernturas bajas, se presenta una pr-
dida total de la resistencia elctrica. Es altamente
deseable contar con este tipo de materiales, pero
en la actualidad no se cuen ta con materiales que
sea n buenos cand idatos para ap licaciones com u-
nes. La invest igacin en estos mater ia les es muy
activa en la actualidad.
Algunas de las propiedades de estos materia-
39
 f.lectrniCII fisica
les son las siguientes: La resistividad elctrica cae
a cero a la temperatura Te, y no se disipa ca lor.
Como tienen resistencia cero, es posible obte
ner solenoides con campo magntico elevado y
gran densidad de corriente. Con un solenoide de
hilo de ciertas aleaciones superconductoras pue
d en obtenerse campos magnticos superiores a
10 webers/m 2 sin disipar potencia, en contraste
con los solenoides convencionales de Cu o Ag,
que operan a temperatura ambiente y que disi
pan una cantidad enorme de calor al producir un
campo de 10 webers/m 2. Esto significara, ade
ms, obtener un gran ahorro en las lneas de
transmisin de potencia elctrica.
Los superconductores son materiales diamag
nticos perfectos (vase al respecto la seccin
Propiedades p ticas y magnticas), pues no son
penetrados por los campos magnticos. El eleva
do d iamagnetismo de los superconduc tores
ofrece la posibilidad de soportar cargas median
te un campo magntico. De este modo se pueden
consegu ir cojinetes sin friccin para equipos ro
tatorios.
La superconductividad puede eliminarse a
temperaturas menores de Te, por medio de un
campo magntico intenso.
AISLANTES
Los aislantes usualmente se ca racteriza n por
tomos unidos con enlaces inicos, como la sal
de mesa, o por enlace cova lente, como los pol
meros o el xido de silicio. Sus propiedades
mecnicas se caracterizan por una gran fragili
dad y gran resistencia a la compresin. Usual
mente son malos conductores de la electricidad
excepto a muy altas temperaturas o en solucin,
donde los materiales inicos se disocian dando
lugar a eleetrolitos. Tambin son, por lo general,
malos cond uctores del ca lor, excepcin hecha de
ciertos aislantes que conducen el calor sin em
plear electrones s ino v ibra cion es atmicas,
como el diamante (mejor conductor trmico que
los metales a ciertas temperaturas) o algunos
xidos metlicos.
El estudio de los slidos inicos no tiene gran
importancia en este curso, pero nos permite un
40
buen acceso a las estadsticas de procesos colec
tivos, o mejor dicho, al estudio de los slidos por
medio de funciones de distribucin estadstica.
Estadstica de Boltzmann
Para calcular la forma de la curva de conducti
vidad versus temperatura de un aislante, es ne
cesado entender cmo se realiza la transferencia
de carga elctrica a travs del material.
La corriente elctrica es el movimiento colee
tivo de portadores de carga; en un metal usual
mente se trata de los electrones, aunque en algu
nos metales lo realizan las partculas positivas.
Qu portador de carga elctrica se mueve en un
material jnico?
Recordemos por un momento las so luciones
de electrolitos (sa l en agua), un tipo especial de
material inico. De hecho, la nica diferencia
entre un slido inico y un electrolito es que en
el electrolito los iones no guardan distancias de
finid as y tienen una mayor movilidad. Si ntro
ducimos en esta solucin dos electrodos conee
tados a una batera, fluir una corriente que
estar determinada por el movimiento de los
iones en la solucin (incluso ste es un mtodo
para obtener algunos materiales; en nuestro
ejemplo, cloro e hidrxido de sod io). As que, en
la mayora de los aislantes, se mueven los iones
y no los electrones. En casos muy especiales
podran moverse los electrones, pero no hablare
mos aqu de ellos.
Para responder a la pregunta de cmo vara la
conductivid ad cr versus la temperatura T, debe
mos reconocer la var iacin de cada uno de los
trminos que definen la conductividad. Como
sa bemos, la conducti vidad est determinada por
cr = NQ}l, donde N ser la densidad d e iones que
participen en la corriente elc trica, Q la carga de
los iones, y }lla movilidad de los iones. Si consi
deramos a N y Q como constantes (esto es una
buena aproximacin), la nica fuente de varia
cin estar en la movilidad }l.
Es posible que un ion se mueva en un cristal?
Se puede hablar de movilid ad?
La respuesta es s; aunque, por supuesto, son
magn itudes muy diferentes de las que se obtie
 Materia/es para /a electr"ico

o O O o- o
nen para los electrones en un metal, que son
usualmente de muchos rd enes d e magnitud
menores.
O
O

O
0;:-:
7 O O
O

O O O O
I
O

La movilidad en los slidos inicos depender.

de la facilidad d e cambiar de posicin: si todas
O

O
0-7- 0
O O O
O

O
O

O
O

O O
O

O
O

las posiciones de la red cristalina del material
estn ocupadas, como sucede a muy baja tempe-
ratura, muy difcilmente se mover algn ion. La
conductividad tiende a cero a medida que la tem-
peratura tiende a cero.
La movilidad aumentar cuando se aumenten
los espacios, que se llaman vacantes. Al respon-
der a la pregunta de cmo vara la cantidad de
vacantes con la temperatura, sabremos cmo
cambia la conductividad con la temperatura.
Cmo se forma una vacante?
En la figura 11.12 apa rece el proceso de movi-
miento de un tomo d esde el interior de una red
cristalina hacia la superficie. La posicin final de
la red sin un ion es una vaca nte.
Para calcular la energa de formacin de una
vaca nte, veamos cunta energa tiene el sistema
antes y despus d e su formacin.
Para form ar la vacan te se rompen cuatro enla-
ces y se reconst ruyen solamente d os enlaces, as
que hay dos enlaces rotos de diferencia. Si supo-
nem os que la energ a de enlace es del orden d e
0.5 e V, tend remos que es necesario proporcionar
aproximada mente 1 eV para formar una vacante
(aqu se ca lcul para dos dimensiones; para tres
dimensiones el procedimiento es parecido).
Cund o tendr el tomo energa sufic iente
para form ar una vaca nte?
Cmo obti ene energa el tomo?
En es te caso nos interesa n los cambios d e
conductividad producidos por la temperatura .
La energa d el tomo est dad a por la tempera-
tura, y aproximadamente ca da tomo tendr
una energa promedio igual a kT, donde k es la
constante d e Bo ltzmann (k = 8.6174 x 10..5 eV / K),
y T rep resenta la tempera tura medida en Kelvin
(T[K) = 273.15 + T[ e.
Entonces, aproxim ada mente a 15 000 K se
tendra la energa necesa ria pa ra formar una va-
cante?
Esto sera verdad si cada tomo fuera inde-
pendiente de los dems, pero en realidad no es
O
O O O O O O O O O O
Figura 11.12 . Formaci6n de una vacan le .
as: los tomos se comportan como un sistema
acoplado. La figura JI .13 presenta la diferencia en
la distribucin d e la energa cuando tenemos
tomos aislados y cuando estn acoplados.
As, no es necesa rio que cada tomo tenga la
energa necesa ria pa ra formar una vacante. Aun
cuando todos los tomos tienen una energa pro-
medio mucho menor, algunos tomos, tomando
energa de los dems tomos que forman el sis-
tema, pueden ll egar a tener la energa suficiente
para forma r una vacan te.
La ecuacin d e Bol tzmann presenta esta infor-
macin. Por se r una ecuacin bsica de todos los
procesos activados trmicamente, tiene diferen-
tes nombres en diversas reas de estudio. Para
nosotros ser la expresin pa ra la estad stica de
Boltzmann.
N = N,ex p(- ;;) (11.18)
No es el nmero total de vacantes que pued e
lener un sistema po r unidad de volumen, y es d el
orden de lon cm-3. Eoes la energa necesa ria pa ra
formar una vacan te, mientras que kT es la energa
promed io que ca da tomo tiene, proporcionada
por la temperatura. Finalmente, N es el nmero
de vacantes que tiene el sistema por unidad de
volu men.
En conclusin, podem os decir que si bien no
conocemos los detalles de la curva de conducti-
vidad como fun cin de la temperatura en los
materiales aislantes, s podemos decir que su
conductividad aumenta exponencialmente con
la temperatura.
De manera simila r, la estads tica de Boltz-
mann describe la di stribucin de la s partcula s
en la esca la de energa, si a todas ellas se les

41
 Electrnica fsica

A B e o

Amplitud de A Ampllludde e

Amplitud de B Amplitud de O

Figura 11,13. Un sistema aislado esta formado por dos pndulos independientes, la energla total promedio de
cada oscilador es la misma. En un sistema acopl ado, como el formado por los pndulos compuestos. la energla
total del sistema se conserva, pero la energra de cada partlcula puede ser mayor o menor que la promedio.

proporciona una energa kT en promedio. De gas mayores que kT. N partcu las de No tienen
aqu se obtiene que muchas partculas tienen una energa Eosi en promedio a todas ellas se les
menos energa que kT y unas cuantas tienen ener- da kT.

Ina SEMICONDUCTORES

Son los materia les que al cero absoluto de tem-

peratura tienen la banda de conduccin vaca
de electrones y la banda de valencia llena de
electrones. Para las aplicaciones en electrnica
a temperatura ambiente, el ancho de energa
prohibido E, es aprox imadamen te de 1.5 eVo
Algunas de las propiedades de los semicon-
ductores son las siguientes:
Se puede escoger el tipo de carga que trans-
porta la corrien te elctrica, elec trones o
huecos.
I /T
Se puede modular la concentracin de hue-
Figura n,1 4 , Variacin de la conductividad com o
cos y electrones de tal manera que se pue-
funcin de la temperatura en un malerial aislante . dan ob tener propiedades de meta l o de ais-
Estadistica de Boltzmann.
lante, 10-' :5 P :5 lOS Ocm.

42
 Materiales para la electrnica
Acepta perturbaciones tempo rales y loca les
en la concentracin d e portadores de carga
libre (fotorresistencias) y adems es posible
controlar el tiempo de la perturbacin (de
fotodiodo a memorias) .
El semiconductor que se ha ganado la s upre~
mada en la electrnica m ode rna de muy alto
grado de integracin VLSI es el silicio. Algunas
propiedades notables que lo han hecho merece~
d o r de esta distinci n son:
Pueden practica rse en l una gra n va riedad
de procesos tecnolgicos sin el problema de
la descomposicin, como sucede con otros
semiconducto res com o el compues to GaAs
(arseniuro d e galio).
Es uno d e los sem iconductores mejor co n o~
cido en cuanto el la preparaci n y propieda~
des de los monocristales puros.
Como su ancho de banda prohibida, E$' es
mayo r que el del german io, pueden fabri-
carse microcircuitos que trabajan hasta
175C, temperatura aceptable inclu so para
aplicaciones militares.
Su xido Si02 le proporciona una serie de
ventajas adiciona les:
a) Propiedad es p asivadoras: proteccin en los
costados de las uniones.
b) Prop iedades die lctricas: las ca ractersticas
conductoras entre el Si puro y su x ido son muy
diferentes, ya que ste es un aislante bastante
bueno con el que se pueden crea r dispositivos
con dielctri cos muy fcilmente, como los dispo-
sitivos MOS.
c) Facilidad tecnolgica: las propied ad es in-
trnsecas del xido son muy diferentes de las del
silicio puro y permiten emplea rlo en el proceso
fotolitogrfico (obtencin selectiva de regiones
con dife rentes cantidades d e impurezas), prop i e~
dad que d esplaza d efini ti va mente a l germ anio
(su x ido tiene muy malas prop iedades mecni -
cas, pues es un polvo sin ad herencia).
El silici o, sin e mbargo, no es ptimo en o tros
aspectos:
La movilidad de los portadores es mayor en
GaAs y o tros compuestos (lIl~ V), lo que
permite fabricar dispositivos con respue s ~
las a mayores frecuencias.
El s ilicio tiene una tra nsicin indirecta entre
bandas (vase ms adelante), lo que limita
sus aplicaciones electropticas.
Algunos dispositivos no se pueden hacer de
silicio, como el LED (d iodo emi sor de luz) y
el lser.
El m a terial mejor preparado para suplir al
silici o en sus deficiencias es el GaAs que, tec-
no lg icamente hab lando, tiene un nive l de
desarrollo mu y a lto. Esto ha permitido que co-
m ercia lmente se encuentren dispositivos m s
rpidos qu e los tradic ionales de alta veloci dad
de sili cio, co m o SGFET (Schottky-Gate-Field-
Effect~ Transistor).
Estmct ll m de bandas
C uando se estudi el modelo de Kronig~Penney
se encontr la es tructura de bandas (E versus k)
para un m aterial gen ri co. Los mate riales rea les
difieren de esta estructura. Hay dos casos que
tienen un inters especia l para nosotros: 1) La
transicin directa de bandas, como en el GaAs,
donde el mnimo de la banda de conduccin
tiene el mismo va lor de cantidad de movimiento
que el mximo de la banda de valencia . Un
elect rn q ue pasa de la banda de conducc in a
la d e valencia lo hace sin cambio en la ca ntidad
de movim iento, lo que favorece la generac in de
foto nes (partculas lumin osas co n cantidad
de movimiento despreciable) . 2) Los m a teriales
con transicin indirecta de bandas, com o el si li~
cio o germanio, donde el mnimo d e la banda de
conduccin tiene un valor de k diferente del mxi-
mo de la banda de valencia. Una transicin elec-
trnica incluye un gran ca mbio en la cantidad de
movimiento y favo rece la produccin de fonones
(partcula asociada a la conduccin del calor con
gran cantidad de m ovimiento).
En la fi gura 11.1 5 se presenta la estructura de
bandas pa ra dos se miconductores tpicos. Se in-
clu yen nicamente la banda de conduccin y de
va lencia.
Co mo se alamos al estudia r la teora del enla-
ce mol ecu lar, el ancho de banda prohibido El
vara con la tempe ra tura. De acuerdo con la s i~
guiente relacin empri ca, la temperatura est en
Kelvin y E.~ en eV:
43
 E/eel rnica fsica

de Fermi es el mximo nivel de energa ocupado,

E tomando como vlida la relacin de energa ci-
E ntica de un electrn libre con masa efectiva ",.:

,,2(k; + k; +k;)
(11.1 9)
2m'

k,

,
kF =(k;+ k;+k;)2
Si GaA,

~---+-- '"
Figura U. l 5. Es tructura de bandas. Transici n directa
como en GaAs y tran sicin indirec ta como en SI.

k,
aY'
E,(T) = E,(O) - (T + ~)
F igura U. 16. Estados ocupados por los electr ones
en el estado base.
Material ES(O) leVI a x 10-1 p Eg(300) l eV ]
GaAs 1.519 5.405 204 1.424 Nmero de es tados =
Si 1.170 4.73 636 1.12
Ge 0.744 4.77 235 0.66 Volumen de todos los estados
Volumende un estado

Densidad de portadores libres donde el vol umen de todos los estados es el

Despus de la descripcin de los semi conducto-
res, nos inte resa entender el comportamiento de
sus propiedades elctricas. Para ello es necesario
saber cules e lectrones definen la s propiedades
de los sem icond uctores y cmo se calc ulan stas.
Pa ra alcanzar este objetivo es necesa rio conocer
la d ensidad de los estados electrnicos D(E),
cmo se d istribuyen los esta d os que pueden
ocupar los electrones y la funcin de d istribu-
ci n f(E), d e qu manera se acomodan estadsti-
camente los electrones en estos estados. Al tener
ambas expresiones se puede sabe r cuntos elec-
trones y cun tos huecos d efinirn las propieda-
des elect rnicas.
Para calcular la ex pres in de la densidad de
es ta dos procederemos co mo sigue:
Situamos los estad os d el electrn en un espa-
cio d e nmeros de o nda k, en donde la energa
volumen encerrado por k r en la fi g ura anterior,
en tanto que el volumen de un estado se obtuvo
en el desa rrollo para que diera como resultado
E 1-4, donde L es una dimensin d el material con
volumen U.
Para estimar la densidad d e estad os D(E), d e-
finam os sta como el cambio en el nmero de
estados en relacin con la energa .
(11.20)
Esta ecuac in muestra una dependencia con
la energa que crece como la raz cuadrada de la
energa. Esta expresin es muy simple por su
origen, pero es bastante til porque pred ice ana-
lticamente la distribucin de los estados en las
bandas. As podemos al menos suponer que es

44
 Maleriales para la electr6/1ica
vlida en la parte alta y baja de las bandas, donde
las propiedades e lectrnicas de los semiconduc-
tores se definen .
La densidad de estados en la banda de con-
duccin y de va lencia tendra expresa mente la
siguiente fo rma, donde las constantes Dc Y Dv
seran distitintas en virtu d de que las masas efec-
tivas para los huecos y para los electrones son
diferentes. Adems hay que incluir la informa-
cin relacionada con la posicin de la banda: Ec
es e l mnimo de la banda de conduccin y Ev es
e l mximo de banda d e va lencia.
,
D(E)~ = De(E - Ed 2; E ~ Ec
,
D(E)h....... = Dv(Ev - E)2; E S Ev (11.21)
Conforme aumenta el nmero de pa rtculas
en un sistema, el tra tamiento estadstico se vuel-
ve obligatorio. Esto nos lleva a obtener resulta-
d os sobre e l siste ma en general y no s lo sobre e l
movimie nt o de cada partcula.
La funci n de distribucin f(E) da la probabi-
lidad de que d eterminado nmero de partculas
ocupen un d eterm inado estado de energa. Exis-
ten diferentes estadsticas d e distribuci n de
acuerdo con las ca ractersticas de las partculas
que describen. La que describe co rrectamente el
comportamiento de los electrones es la estadsti-
ca de Fermi-Dirac, que supone partculas indis-
tinguibles e igua les adems de cumplir e l princ i-
pio d e excl usin de Pauli .
(11.22)
I,(E) = (E _ E,)
1 + exp---:r-
Esta funcin d escribe la estadst;ca de ocupa-
cin de los estad os en un slido como funcin de
la temperatura,endonde E,es la energa de Fermi
cua ndo sta se aproxima a cero, ya que todos los
niveles con energa menor a Er tienen una proba-
bilidad de ocupacin igual a l, lf(E) = 1J y todos los
ni ve les con energa ma yor a Er estn vacos,
lf(E) = Ol La estadstica de Boltzmann que se es-
tud i anteriormente puede usarse para aproxi-
mar la funcin d e Fermi-Dirac, pero slo en el
caso en que E > E, o E < Er para el caso l-f(E).
j{EI
1\
L-__________-LI__"'~__~ E
0
FIg ura 11.17. Funcin de d is tribucin de Fermi-Dirac.
De manera s imil a r, la fun cin de distribucin
para los huecos es:
I,(E) = 1 - f,(E) (11.23)
(E, - El
l +exp---;y-
En e l caso de temperaturas diferentes d e cero,
la probabilidad de que un nive l con energa O
mayo r a E, est ocupad o es igual a la probabili-
dad de qu e un estad o con ene rga O menor a Er
est vaco.
Ahora que sabemos cmo se distribuyen los
niveles de los electrones D(E) y cmo se acomo-
dan los e lectrones en los estad os f(E), estamos en
condiciones de ca lcular e l nmero de electrones
y d e huecos por unidad de volumen. Para reali-
zar e l c lcul o de los electrones, se cuentan nica-
mente los que se pueden mover en la banda de
conduccin, es decir, los electrones que tienen
una energa mayor a Ee. Para calcular la ca ntidad
de huecos es necesa rio contar los electrones que
se pueden mover en la banda de va lencia, los
elec trones con energa menor a Ev. En lugar de
contar lodos los elect rones se tienen en cuenta los
espacios por donde los elec trones se pueden mo-
ver .(E).
45
 Electrnica fsica

Electrones Huecos
Pa rt culas mviles po r unida d
de volu men ". = r-, O,(E)J:(E)d E
JE Po = f> . (E)!. (E)dE

Densidad de estad os
,
O,(E) O, (E) J'i(m ' l' (Ev - E)!2
2 J
n T,
Funci n de d istrib ucin 1
(E - E,) j.(E) - (E, _ E)
l +ex p~ l +ex p~

En a mbos casos es necesa ri o resolver una Lo que produ ce las sigu ientes expres iones
ecuacin del siguiente tipo: para los electrones /lo Y para los huecos Po:

r- E,-E,) (2,,,,;kT)l
xi
Jo exp(x a)+ 1
dx'
'
110 =
( -rr ;N c 2 - ,-,,- (11.25)
N c exp - =

E-E e Er- Ec
donde para los electrones x :;;: ----a:-; a := ----;;::-
,
( E,-E,) ; N v =2(2'
- ',-',,-
.kT)'(11.26)
Esta ecuacin slo se puede reso lver en forma
Po= N" exp -~
numrica, o encontrando a lguna s soluciones
aproximadas vlida s en ciertas regiones de ener+
ga . Suponiend o queel nivel de Fermiest dentro
de la regin de energa prohibida, cuando el Semicondu ctores intrnsecos
argumento de la exponencia l es posit ivo, en el
numerador puede despreciarse el uno. Definimos un semiconductor intrnseco como
Si emp leamos esta aproximacin para calcular aquel en que la agitacin trmica transporta un
el nmero de electrones y de huecos, correspon+ electrn de la banda d e valencia a la banda de
der a ma teriales que se llam an semiconductores conducc in, quedando as un hueco en la banda
no degenerados. Los que no cumplen esta condi+ de va lencia.
cin se lla man semiconductores degenerados, En todos estos materiales se cumple la sig uien-
como por ejemplo, los meta les donde el nivel de te relacin:
Fermi est dentro de las ba nd as permitIdas. La
solucin de esta integ ral es ana ltica y se conoce lI o =PO= lIi (11.27)
como integra l de Fermi de un med io o funcin
ga ma. donde J1 , es la concentrac in de los electrones
que pueden pasar de la banda de va lencia a la
-, Jit de cond uccin en equilibrio en un material in-
1 cxp(-x)dx
o
Xl =-
2
(11 .24) trnseco.

46
 Materiales para la electrnica

En un material intrnseco, usando las expresiones para la densidad de portadores se

puede demostrar que la posicin de nivel de Fermi est aproximadamente a la mitad
del intervalo de energa prohibido y que la densidad de electrones intrnsecos se define
nicamente por la mitad del ancho de energa prohibido y la temperatura.

(11.28)

(1l.29)

En cualquier semiconductor no degenerado en Antes de describir el proceso mediante el cual

equil ibrio termodinmico, la densidad de e l ec~
trones y de huecos no puede fijarse arbitraria~
mente, ya que las dos estn re lacionadas median~
te la ley de accin de ma sas (lloPO= 11 ~). Esto
resulta de reconocer q ue la densidad de e l ectro ~
nes es proporcional a la distancia entre e l ni vel
de Fermi Ef y el mn imo de la banda de conduc-
cin Ee. mien tras que la densidad de hu ecos es
proporciona l a la distancia entre e l mximo de la
banda d e valencia Ev y el nivel d e Ferm i Er, y la
s uma de estas dos distancias es constante e igual
al intervalo de energa prohibido Egen ecuilibrio.
las impurezas aportan a los materiales semicon-
ductores propiedades interesantes, describamos
el proceso de cond uccin y de gene raci n de por-
tadores en un semiconductor intrnseco. Para ell o
imaginemos un modelo cuasiqum ico donde el
sili cio es un materia l plano. Considrese slo el
e fecto de la temperatura T y del campo elctrico
E (figura 11.18).
Pero qu se pued e hacer para lograr que la
concentracin de portadores en equi librio se mo-
difique, ms all del con tro l definido por la tem-
peratura?

11 11 11 11
-=@=@=@=@=
11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 11 11 11 No 0!I)(j5te un 5010 electrn o hueco

=@=@=@=@ = para la conduccin. Es el aislante

pe rfe cto .
11 11 11 11
=@==@=@=
11 11 11 11

Figura 11. 1 B. Modelo de silic io a bajas temperaturas y sin campo aplicado.

47
 Electrnicn fsica

11 11 11 11
=@=@=@=@= T~O, E =O

11 e l i l e 11
=@-@=@=@= Existen n. elect rones libres de mover
11 11 e 11 11 y p enlac es covalenles Incompletos
=@=@-@=@= por donde se pueden mover los electrones
de la banda de valencia, huecos.
1 11 11 e 11
=@=@=@=@=
11 11 11 11
Figura 11. 19. Modelo de silicio a temperatura dife ren te de ce r o y sin campo aplicado.

11 11 11 11
=@=@=@=@=
11 e-+t--o- __1 e-t+--
,@-@:@=@= El campo elct rico produce
el movimiento de los elec trones
'tt-- 11 e -ft------.. 11 libres en la banda de conduccin
y de los elec trones de los enlac es
=@ , @-@=@= covalentes en la banda
de valencia
,- -1 ',jl-' 11 e-t+--
, @=@=@=@=
11 11 11 11
+---E

Figura 11.20. Modelo de s ilicio a temperatura diferente de c ero y co n campo aplicado E.

Semiconduc to res ex trnsecos d e tomos d iferentes al que forma la red del

semiconductor; por simplicidad supondremos
La in troduccin de impu rezas en el semicon- que todas las imp urezas son de un solo tipo d e
ductor tiene una enorme importancia en electr- tomo. Su importancia en la electrnica radica
nica. Aqu la palabra imp ureza tiene el sen tid o en que g racias a stas pod emos ob tener las gran-

Dellsidnd de ntomos de illlpl/rezns ell e/silicio, NB

Esta densida d de
impurezas es tan pequena
que no ex iste la tecnolog a
para su control, as que se
acepta cua lquie r tipo d e
imp u reza.
En este intervalo se encuent ran Jos Estas densid ades de
sem iconductores de la indu stria impurezas son tan g randes
electrnica, siempre y cuando la que se trabajan como si
can tidad de impurezas est bajo fu eran aleaciones y no se
con trol. Depend iendo del di spositivo, emplean como material
es necesa ri o obtener cierta activo.
concen tracin en particula r.

48
 Materiales para la electrnica

d es ventajas d e los sem iconductores: va ri aci n
d e conductividad, eleccin del tipo de portador,
etctera .
Esto se logra gracias a que ciertas impurezas,
a l entrar en el m aterial, son capaces de p ropor-
cionar electrones a la b anda de conduccin o de
aceptar electrones d e la banda d e valen cia y per-
mitir el movimiento de los electron es que que-
dan en la banda de valencia.
Es rela tivamente fcil impurificar de manera
controlada los semiconductores, si introdu cimos
tomos del grupo V (de la tabla p eridica de los
elem entos), que tienen cinco electrones de valen-
cia, en un slido d e silicio. C u atro de los electro-
nes d e la impureza son empleados en los enlaces
cova lentes y el quinto electrn se mantiene liga-
d o a la impureza por la fu erza de atraccin cou -
lombiana. Esta fu erza es mu y d bil y a l aumentar
la temperatura se desprende de la impureza y
queda libre, aumentando el nmero d e electro-
nes d e conduccin . As, la impureza queda ioni-
zada con una ca rga p os itiva, pero es fija y no se
puede mover; un semiconducto r con este tipo de
im pureza se llama semiconductor tipo IT y la im-
pureza se llama d onad ora.

11 11 11 11 No existe un solo e lectrn o hueco 11 11 11 11

=@=@=@=@= para la conduccin. Los electrones
estn ligados a las impure:l8.9. =@=@=@=@=
11 .11. 11 11 I 11 11 11 e 11
=@--':0=@=@=
8 =@=0=@=@=
11 11 11 11 11 e 11 11 11
=@=@=@=@= I
Loa electrones libres se deben
=@=@=@=@=
11 1IIIe 11 bs icamente a Impure:las 11 11 11 e 11
=@=@--':0=@= y slo h ay algunos elec trones
Intrlnsecos.
=@-@=0=@=
11 1111 11 11 11 11 11
T =O, E = O T .. O, E = O

Figura 11.21. Modelo d e silicio extrinseco (Iipo 11).

Si en lu gar de tomos del g rupo V de la tabla
peridica se introducen en la red d el silicio to-
m os d e impurezas d el grupo m, se observa un
efect o muy dis tinto, ya que estos tomos tienen
slo tres electrones de valencia, que se emp lean
para form ar tres enlaces cava lentes y el cu arto
enlace carecede un e lectrn . nicamente cuando
T = O. Cuando la temperatura au menta, fcil-
m ente cap tura los electrones que se estn for-
mando trmicamente en el s ilicio, dando lu ga r a
la formacin de enlaces incompletos en el s ilicio
q ue pueden ser emplead os para el m ov imiento
d e los electrones y que correspo nden al mov i-
miento de elec trones en la banda de valencia. Las
impurezas se lla man aceptores.
La energa para d esplaza r lugares que sirva n
para el movimiento d e los elec trones de la banda
de valencia es mucho menor que la energa nece-
saria para form ar pares electrn hu eco e-h en un
material intrnseco. Esto se debe a la energa de
a traccin coulombiana entre la impureza y los
electrones.
De acuerdo con lo anterior, la s impurezas es-
tarn ionizadas y sern inmv iles, favo reciendo
as la for macin de electrones si las impurezas
son donadoras y formand o semiconductores
tipo /l. Las impurezas favorecen la fo rmacin de
huecos si son aceptoras y se fo rman semiconduc-
tores tipo p.
ste es un buen punto para recordar que el
interva lo de energa p rohib ida en un sem icon -
d uctor resulta prohibida para los n iveles de los
tomos que lo fo rman, pero no para los tomos
de impureza. Por consiguiente, se puede conside-
rar que los elec trones cedidos por los tom os
donadores se o riginan en estados donadores lo-
calizados entre Ee Y Eva pocas cents imas de eV
abajo de Ee. y los h uecos cedidos por los tomos

49
 Electrnica fsica

11 11 11 11 No existe un solo electrn o hueco 11 11 11 11

=@=@=@=@= para la conduccin. Los huecos estn
ligados a las Impure:laS (virtual). =@-@=@=@=
11 11. 11 11 I 11 11 lIell
=@~0::=@=@= =@==@=@=
11 TI ti) 11 11 11 11 11 11
=@=@=@=@= =@=@=@-@=
11 1lII:EI) 11 Los huecos existen bsicamente
por las Imp urs:las y slo algunos
11 11 11 11
-fsi\-fsi\-'f8\~0- -17\
S 17\S -fs\ -17\
S -
-\J-\J-\.J-~- son intrlnsecos. -~-~-\.J-~-
11 1111 11 11 11 11 11
r", o, 10",0 r .. o, 10 ", 0

Figur a 11.22. Modelo de silicio extrlnseco (tipo p).

acep tores se crean cuando los electrones, que vacos en el principio y cuya energa se localiza
no rmalmente debera n ocupar los estados cerca- a unas cuan tas centsi mas de eV por encima de
nos a la parte superior de la banda de valencia, Ev. El siguiente diagrama representa los niveles
se desp lazan a niveles acep tores que estaban de las impurezas ms representa ti vas del si licio:

Sb
fe IN iveles donador es I
p
A,
Ce

Au
INiveles p rofun dos]

Ga
B Al
E,
I N iveles aceptor es I

Figura 11.23. Niveles de impure:la del silicio.

Antes de situar el n ivel de Fermi en los semi-
conductores extrnsecos, veamos cmo repre-
sentar la condic in de neutra lidad elctrica. Si al
semiconductor no le hemos ag regado carga elc-
trica (las impurezas son agregadas como tomos
neutros) debe conservarse la condicin de que la
suma de la carga positiva es igual a la suma de
la ca rga negativa.
En el caso ms general, las cargas elctricas en
el semiconductor pueden surgir de los electrones
libres 111)1 los huecos po, las impurezas donadoras
y las acep tadoras ionizada s Po Y 11" . Con forme la
temperatura cambia, la distribucin de la carga
elctrica entre las diferentes fuentes camb ia. Las
impu rezas totales donadoras No pueden estar
ionizadas Po o no 110. Las impurezas totales acep-
ta doras N" pueden estar ion izadas 11" o no p".
Esto da origen a la siguiente expresin para la
ecuacin de neutralidad elctrica:
"0+ n" = Po+ Po
(11.30)
N" =p,, +/1"

50
 Materiales para la electr/lica

electrones
Ee

Impurezas donadoras

huecos
+ + ++
8 ---w
",

Po
=,m==pu=,=.=,.=s=.=c=.=p=,o=,=es::::
:1

Figura 11.24. Diagrama de las diferentes cargas elctricas en el semiconductor.

Veamos la utilidad de la ecuacin de neutralidad elctrica analizando la cantidad

de portadores, h uecos y elec trones que se tienen en un semiconductor tipo n
(N. . = 11 .... = P. . = O), a una temperatura lo suficientemente alta para que las impurezas
estn ionizadas, y suficientemente baja para q ue la cantidad de portadores intrnsecos
no sea muy elevada. El silicio a la temperatura ambiente corresponde a este caso.
Si todas las impurezas estn ionizadas:

1/ 0 =O

Si slo tenemos impurezas donadoras:

N, = O

La ecuacin de neutralidad elctrica en este caso es:

Con la ecuacin de la ley de accin de masas se obtiene:

No +...JN ~ +4n f
1/ 0 = 2 -No (11.31)

La posicin del nivel de Fermi es una funci n
del contenido de impureza en el materia l y de la
temperatura. En un semiconductor intrnseco
encontramos que el nivel de Fermi permanece
aproximadamente en el centro de la banda pro-
hibida de energa para cualquier temperatura,
mientras que en un semiconductor ex trnseco la
posicin del nivel de Fermi depende del estad o
de ionizacin de las impurezas.
Si estudiamos un sem iconductor tipo /1 , en-
contramos que en el cero absoluto de tempera-
tura no hay electrones ni huecos para la condllC-
cin. Conforme la tempera tura aumenta, la
formacin de electrones es favorec ida por la io-

51
 Electrnica fsica

f f f

fo
--- - --." EF
f,

N - - --- ----

p,

~-- Eo
p

p,

D(E) f(E) dn,dp

Figura 11.25. Variacin de los diagramas de energla E. densidad de estados D(E), lunci6n de distribucinf(Ej
V densidad de electrones " 0 y huecos Po-

nizacin de las impurezas, con una energa de temperatura se puede calcular suponiendo que
activacin (fe - ED) . Si la energa necesaria para en ella la cantidad de electrones es casi igual a la
formar un electrn es sta, ello indicara que el can tidad de impurezas donadoras.
nivel de Fermi Er estara muy cerca del mnimo
de la banda de conduccin Ee. ya que, como
(11.32)
indicamos anteriormente, la distancia entre Er y
f e es proporcional al nmero de electrones.
A una temperatura lo suficientemente alta
es factible la trans icin de electrones de la banda La regin de conductividad intrnseca se ob-
de valencia a la de conduccin. Incluso a una tiene para temperaturas ms altas que Ty puede
temperatura determinada, puede suceder que definirse de una manera similar a la anterior:
n, > N D Y entonces no sea igual a POI por lo que Er E,
estara al centro de la banda prohibida. T, (11.33)
La regin de ionizacin de impurezas se ex- kl NON,)
--
tiende hasta la temperatura de saturacin r .. Esta { N'o

52
 Materiales para la electrnica
La figu ra [1.25 presenta un resumen de lo visto
hasta este momento: 1, N, Y P representan a un
semiconductor intrnseco, un extrnseco tipo n y
otro tipo p, respectivamente. D(E) es la densidad
de estados di sponibles para los electrones y es la
misma funcin para los tres casos. nica mente
difiere para los extrnsecos porque se agregan los
niveles de impureza;f(E) es la funcin de distri-
bucin, y es la misma para los tres casos, slo
que el nivel de Fermi que d efine la probabilidad
de ocupacin de un medio est en el centro de la
banda p rohibida en los intrnsecos, cerca del m-
nimo en la banda de conduccin en los semicon-
ductores tipo n y cerca del mx imo en la banda
de valencia en los ti po p. Los semiconductores
intrnsecos tienen la misma cantidad de huecos
y electrones, slo existen ms electrones en el
semiconductor tipo 11 y ms huecos en un sem i-
conductor tipo p.
Conductividad
Con la informacin acumulada hasta este mo-
mento sabemos que la conductividad en un se-
miconductor puede camb iar sensiblemente con
la temp eratura , y esta dependencia se expresa
de la siguiente manera:
.,(T) = q[n(T)~,,(T) + p(T)~,,(1) I
La movi lidad d e los portadores d e carga ..t,
como hemos mencionado anteriormente, depen-
de d e las imperfecciones d el cristal. En este caso,
la perturbacin ms importante en el movimien-
to de los electrones son las vibraciones trmicas
de la red cristalina. La siguiente es una expresin
que muestra la dependencia de la movilidad que
surge por las v ibraciones trmicas; ya que su
deduccin est fuera de los objehvos del curso,
bien puede considerarse em prica.
(11.35)
A es una constante d ete rminada por parme-
tros elsticos del materia l.
En un semiconductor intrnseco es fcil plan-
tear una ecuacin que m uestre la dependencia de
la conductividad respecto a la temperatura. Em-
pleand o la conocida expresin sobre la densidad
de los portadores, y suponiendo que las masas
efectivas de los huecos y electrones no son muy
diferentes, se obtiene:
cr . 2qn~ ~ exr(-.ftr) (11.36)
Esta ecuacin muestra una vez ms la depen-
dencia general de un proceso activad o por tem-
peratura. A l compararla con la ecuacin de
Boltzmann, se reconoce que la energa d e activa-
cin es la mitad del ancho de la energa prohibi-
da, ya que, a l pasar un electrn de la banda de
va lencia a la de conduccin, se generan dos por-
tad ores de ca rga, un electrn y un hueco.
Ino
",,,, !L
-2k
(11.34)
L _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _-;"" I / T
Figur a 11.26. Variacin de la con d uctividad como
fu ncin de la temperatura en un semiconductor
Inlrlnseco.
La conducti vidad en un semiconductor in trn-
seco aumenta ex ponencialmente con la tempera-
tura, a diferencia de los metales, en los que la
conducti vidad disminuye d ebid o a qu e la movi
lidad d isminu ye y la densidad de portadores de
carga es una constante.
Para un semiconducto r extrnseco tipo 11, ve-
mos que la dependencia de la conduct ividad
respecto a la temperatura tiene la siguiente forma
(para un se micond uctor tipo p e l comportamien-
to es en esencia el mismo):
.,(T) " qn (T)~,, (T) (1 1.37)
53

En este tipo de materiales, el comportamiento
est dominado por los portadores mviles. La
densidad de portadores mviles en los semicon-
ductores extrnsecos no tiene una forma simple,
sino que es una funcin del estado de ionizacin
de las impurezas y de la formacin de pares
electrn-hueco.
In",
InND
Regln 111 Regln 11 Regln I
l/Ti l /T,
Figura 11.27. Variacin de densidad de portadores
libres por la temperatura en un semiconductor tipo n.
En cualquier regin de temperatura, la canti-
dad total de portadores es la suma de los porta-
dores intrnsecos y los portadores proporciona-
dos por las impurezas.
En la regin Ila temperatura es tan baja que la
energa promedio no es suficiente para crear una
cantidad significativa de pares electrn-hueco
(ene rga de activacin = Egl2 - 0.5 eV), mien-
tras que las impurezas requieren una energa
de activacin mucho menor para producir elec-
trones por ioni zacin (energa de activacin
= Ee - Eo - 0.05 eV, la energa de activacin es
sta y no la mitad, ya que no hay conduccin a
travs de los niveles de las impurezas). Cuando
!3. temperatura en e l semiconductor es igual a la
temperatura de saturacin T" todas las impure-
zas han sido ionizadas. La conductividad en esta
regin tendra la siguiente exp resin, donde A,
es independiente de la temperatura:
En la regin 11, que comprende desde la tem-
peratura de sa turacin T, hasta la temperatura
intrnseca T" la densidad de portadores libres se
mantiene constante, ya que las impurezas estn
todas ionizadas y an no existe suficiente energa
trmica promedio para que la generacin de pa-
54
Electrnica fsica
res electrn-hueco sea compa rable a la densidad
de impurezas ionizadas. sta es la regin donde
los semiconductores son empleados en electr-
nica para las aplicaciones en dispositivosactivos.
Aqu la densidad de portadores es una constante,
No, mientras que la movilidad hace disminuir la
conductividad. La expresin de cond uctividad
tiene la siguiente forma, donde An es otra cons-
tante independiente de la temperatura:
(11.39)
En la regin m, cuando la temperatura es
mayor que Ti, la energa trm ica promedio es su-
l/T ficientemente alta como para que la densidad de
pares electrn-hueco sea an mayor que la den-
sidad de portadores proporcionados por las im-
purezas, as que la cantidad de portadores au-
menta una vez ms, pero ahora se debe a los
pares electrn-hueco. El comportamiento de
cualquier semiconductor en esta regin es muy
parecido al de los semiconductores intrnsecos.
La expresin de conducti vidad tiene la misma
forma que en los semiconduc tores intrnsecos,
donde AIII es independiente de la temperatura:
(11.40)
111
L------------------------.l / T
Figura 11.28 . Variacin de la conductividad con la
(11.38) temperatura en un semiconductor extrlnseco.
De acuerdo con la figura anterior es posible
identificar las regiones 1 y 111, donde la cond ucti-
vidad aumenta con la temperatura debido al
aumento en la densidad de portadores, y la re-
gin JI, donde la conductividad disminuye con
la temperatura a causa de la variacin en la mo-
vilidad de los portadores.
 Materiales para la electr6nica
ECllacill de continuidad: generaci61l
y recombillnci6/t
Esta seccin trata de las ecuaciones que descri
ben el comportamiento de semicond uctores fu e
ra del equilibrio. Hasta este punto las ca racters
ticas principales de los semicond uctores estaban
determinadas al conocerse /to. Algunos factores
externos ocasionan que el semiconductor est
fu era de equilibrio trmico, como los gradientes
de temperatura, los campos elctricos y magn-
ticos estticos y variables, la radiacin luminosa,
etc. Estas variaciones pueden ser locales, como
la s causadas al iluminar una pa rte de un sem i
cond uctor, o temporales, como la s perturba
ciones que persisten en un intervalo de tiempo.
Al apartarse el semiconductor d el equilibrio, el
comportamiento dinmico y esttico de la den-
sidad de portadores d ebe ser descrito por un
nuevo conjunto de ecuaciones. Las ecuaciones
bsicas de los sem iconductores que d escriben la
operacin dinmica de los portadores bajo la
influ enci a de campos ex ternos que ocasionan
que el semiconductor pierda el equilibrio trmi
ca pueden clasificarse en los siguientes tres
g ru pos:
Ecuaciones de Maxwell
Ecuaciones de densidad de corriente
Ecuacin de continuidad
Para materiales isotrpicos y homogneos,
una de las ecuaciones de Maxwel 1 toma la si-
gu iente forma:
.
V . E = p(x, y, z) (11.41 )
donde E es el vector del campo elctrico, p es la
densidad de carga elctrica total y E. es la permi-
sividad del semiconducto r
En los semicondu ctores es posib le que agen -
tes ex ternos modifiqu en la concentracin de
portado res de su va lor de equilibrio en su posi-
cin o en el tiempo, por lo que la concentracin
de portadores libres es, en general, una fun-
cin de las coordenadas espaciales y del ti empo,
es d ecir:
,,(x, y, z, t) = "o + dtl(X, y, z, t)
p(x, y, z, t) = Po + dP(X, y, z, 1) (11.42)
Las variaciones en la concentracin de porta
dores se deben a cua lquiera de los siguientes
fenmenos:
Generacin
Recombinacin
Difusin
Deriva
Por generacin se entienden los procesos que
permiten pasar electrones de la banda de valen-
cia a la de conduccin o de los niveles de impu
reza a la banda de cond uccin. La generacin
tiene dos componentes: la generacin trmica GOl
que impone la densidad de portadores en equi-
librio, y la generacin fu era del equilibrio dG,
que puede ser causada por lu z, partcu las nuclea-
res, impacto ionizante (avalancha), etctera.
Por recombinacin entendemos el proceso
que modifica la cantidad de portadores, aniqui
landa los pares electrn-hueco. Es el proceso
inverso de la generacin, y si se tiene una condi-
cin de bajo nivel de inyeccin, es decir, si la
cantidad de portadores generados es mucho me-
nor que la de los port adores mayoritarios
(dlt < It o, por ejemplo), la recombinacin de los
electrones puede ser aproximada por 6.1l/t , don-
de t es el tiempo de vida de los portadores mino-
ritarios y representa el tiempo promedio en que
los electrones fuera del equ ilibrio tienden a per-
manecer en la banda de conduccin. En equili-
brio trmico, la generacin es idntica a la recom
binacin.
(11.43)
Los procesos de difu sin y de deriva tambin
ocas iona n una variacin de la cantidad de porta-
dores en el semiconductor. Ll difusin es el mo-
vi mien to de los portadores de las regiones de
mayor concentracin de portadores a las regio
55

ti
"o
o o
I Po
EQuilibrio
Figura 11.29. Generacin y recomblnacln en semiconductores.
nes de menor cantidad de portadores. La fuerza
impulsora del movimiento es el gradiente de la
concentracin.
La deriva es el movimiento de los portadores
por la presencia de un campo elctrico, y la fuer-
za impulsora es el gradiente de potencial elctri-
co, el potencial.
La corriente de deriva fue mencionada al ana-
lizar los metales, pero la corriente de difusin no;
examinemos un semiconductor heterogneo en
el cual la concentracin de electrones (y huecos)
cambia de punto a punto. Imaginemos que esto
se obtiene contaminando al semiconductor de
manera no uniforme.
ND
l.
+--
x-dx x x+dx
Figura 11.30. Movimiento de carga por difusin
en un semiconductor inhomogneo.
Al analizar el movimiento de los portadores
de carga de las capas de espesor dx (1 y 2),
encontramos que debe existir una corriente de
electrones que va de la capa 2 a la capa 1. Para
explicar esta corriente, recordemos que el movi-
56
Electrnica fsica
....)
1)
"
G
l0 : 01R
I
Fuera del eQuilibrio
miento de los electrones es en principio aleatorio
y, por lo mismo, puede suceder que de los elec-
trones de la capa 1 la mitad se muevan hacia la
izquierda y la otra mitad hacia la derecha, as que
la mitad va de la capa 1 a la capa 2. Pero lo mismo
es vlido para la capa 2 y, corno en la capa 2 hay
ms electrones, es posible que la corriente de
electrones se comporte como se seala en la figu-
ra. Analticamente, este proceso se expresa de la
siguiente manera:
dn
1~ (difusi6n) = qD"dx
(11.44)
dI! . .
donde dx es el gradiente de la cantidad de elec-
trones y D. es la constante de difusin para los
electrones (cm2 Sl ]. Esta corriente de difusin,
que existe nicamente en los semiconductores,
origina una separacin espacial de las cargas por
un lado, los iones que estn fijos en el material,
y por el otro, los electrones que se desplazan por
difusin, lo que genera un campo elctrico est-
, tico entre las cargas. El campo elctrico produ-
cido origina corrientes de deriva: en equilibrio
termodinmico ambas corrientes se anulan, pro-
duciendo yna corriente neta igual a cero.
En equilibrio termodinmico es posible rela-
cionar las constantes que aparecen en la corriente
de difusin y en la corriente de deriva. Esta
relacin se conoce como la relacin de Einstein,
y relaciona la movilidad de los portadores ~ con
la constante de difusin D a una temperatura T.
 Materiales para la electrn ica

.&_~ (11.45)
D. - kT

Existe una relacin similar para los huecos.

La densidad de corriente en los semiconduc-
tores puede, en general, tener componentes de
huecos y d e electrones y provenir de una corrien-
te de difusin y de una corriente de deriva. As,
en general, las ecuaciones de densidad de co-
rriente son:

J~=q~~n E+qD~V n

(11.46)

El ltimo grupo de ecuaciones que permiten

estudiar los semiconductores fuera del equilibrio ,, R
son las ecuaciones que expresan las relaciones de Figura 11.31. Imag en que trala de repre sentar
continuidad de la cantidad de portadores en el los procesos que modifican la densidad
de p ortadore s en un semiconduc to r.
semicond uctor con respecto al tiempo y a la po-
sicin.
Al conocer la densidad d e portadores fuera
del equilibrio, se reconoce que los m todos usa-
dos en las secciones anteriores no son apl icables
en este caso, en el cual parmetros tan importan-
tes como e l nivel d e fermi o la ley d e accin d e
masas son inoperantes. Afortunadamente existe
un recurso para reunir la informacin de equili-
brio con los conceptos aprendidos al estudiar el
Estas relaciones permiten determinar n(x, y, z, estado fuera de equilibrio. Al introducirse el con-
t) y p(x, y, z, t), ya que tienen toda s las posibles cepto del seudonivel d e Fermi, la densidad de
causas de su variacin: generacin, recombina- electrones en equilibrio o fuera d e l se calcula
cin, campos elctricos alternos, ca mpos elctri- midiendo la distancia entre el seudonivel d e Fer-
cos estticos y difusin. mi de los electrones Er. Y el mnimo d e la banda
de conduccin Ec. La densidad de hu ecos en
ht n - 110 aE 011 alll equilibrio o fu era de l se calcula midiendo la
""3"""" = tJ.G" - - - + II~"~ + ~"E-::;- + D,,-:;-
ot "t" oX oX OXl distancia entre el seudonivel de Fermi de los
huecos Er,. Y el mximo de la banda de valencia
op P-Po oE op 02p Ev. En el equilibrio, los d os seudoniveles d e Fer-
- = G - --- Pll - - ~ E- +D-
at P 't
p
Pox P (;:: "ox2 mi convergen en el nivel de Fermi. A continua-
cin se presentan las ecuacio nes en equilibrio y
La siguiente figura trata de proporcionar una fu era de l, para calcular la densidad de e lectro-
imagen hidrulica de los procesos que se han men- nes, la densidad de huecos y la ley de accin de
cionado, en particular la generacin que agrega m asas.
portadores, la recombinacin que los desaparece
y la difusin y de riva que los mueve de lugar.

57
 E.lectrnica fsica
~EC
~E'
, - - - - - - - , E,
EF -------- - -- -
E, , -_ _ _---,
I
Figura 11.32. Diagrama de energla para un s emiconductor en equilibrio y fuera de l, seudoniveles de Ferml.
PROPI EDADES PTICAS y MAGNTICAS
Esta seccin tiene un in ters informativo, as que
su contenid o es un tanto superficia l. Al hablar
de propiedades pticas, el objetivo principa l es
comenta r cmo se realiza el proceso de la s sea-
les ptica s con tro lando la velocidad de la luz. En
relacin con los materia les magnticos, intenta-
remos proporcionar las ideas esenciales sob re
las mem o rias magn ticas.
Propiedades pticas
Describir las prop iedades pticas a un estud ian-
te de ingeniera es bastante fci l, ya que est
familiarizado con seales que cambian peridi-
camen te en el tiempo, e incluso ha visto en el
osci loscopio el efecto de la diferencia de fase de
dos sea les de voltaje. Las seales p ticas son
idn tica s a una sea l cosenoida l de volta je, sio
que de mayor frecuencia, - 5 x 10 14 Hz. En la sec-
cin de nomenclat ura p tica se habl de la po-
larizacin de la lu z y se describi co mo el ng ul o
de fase entre las vibraciones del ca mpo elc trico
o rtogonal es a la direccin de propagacin. Si la
luz se propaga en la direcc in ca rtesiana z, en-
tonces, en general, el ngu lo d e fase entre las
58
Equilibrio
"o = Nc ex p ( - Eck~EF)
110110 = n;
Fuera de equilibrio
11 =
E,-E,.)
N c exp ( - -y:--
vibrac iones del campo e lctrico en la direccin
x y y definir la polarizacin .
La velocid ad de propagacin de la lu z cambia
en los diferen te med ios. En el vaco se propaga a
su velocid ad mxima y en los medios transpa-
rentes la propagacin es siempre menor: v =.E..,
11
donde IJ es el ndice de refraccin del medio. En
el aire 11 es casi uno, en el vidrio de ventana es
1.4, etc. El nd ice de refraccin cambia en las
diferentes longitudes de ond a, lo que da origen
al arco iris. En general, en un material, n aumen-
ta al dismi nuir la longitud de onda (por cierto,
saben por qu el cielo es azu l de da y negro de
noche?).
De la misma manera en que el ngulo de fase
en un ci rcuito elctrico se modifica a l cambiar la
im pedancia (frec uencia o e lemento fsico), as
tambin la polarizacin de la luz puede cambiar
al pasar por un material adecuado. Imaginen un
haz de luz m onocromti co (una longitud de
onda) y polarizad o linealmente (ngu lo de fase
cero). Cuando la luz incide en un material ade-
cuado, uno que tenga dos di ferentes valo res de
It en diferentes direcciones, 11 , y lIy (o sea, un
material aniso trpico; muchos crista les en la na-
turaleza tienen esta propiedad, a d iferencia de
los vidrios, que son m ateriales no cristalinos que
 Maferiales para la elecfr6nica

tienen propiedades pticas isotrpicas), a l salir
el haz de luz del material, la componente x del
campo elctrico que viaj a una velocidad de fi-
nida por llXf estar adelante o atrs de la compo-
nente y del campo elctrico que viaj a una velo-
cidad diferente d efinida por l1 y. El ngulo de fase
(IP) entre los dos componentes del campo elctri -
co se puede escribir de la siguiente m anera:
cin del ngulo de polarizacin d e la luz ca usa-
da por la reflex in en el material magntico en
intensidad, que es lo nico que miden los fo to-
di odos.
Existen tambin dispositivos pticos de con-
mutacin que emplean estas propiedades para
provocar interfe rencia constructiva o destructiva
d el campo elctrico d e la luz, y muchos otros
fenmenos que tratan d e imitar lo que se puede
hacer con las sea les elctr icas, con la ventaja de
que trabajan a mayor frecuencia

donde t es e l espesor del material y A es la

longitud d e onda de la lu z. Existen dispositivos
pticos que m odifican las propiedades de la luz.
Un polarizador es un material que cambia el
ngulo de fase a cero desp us de pasar por
el mate rial; una placa )12 rota el campo elctrico
de la luz polarizada linealmente en un ngu lo
que depende de la orientacin inicial del campo
elctrico y de la placa. Una pla ca 'r4 cambia la
polarizacin de linea l a elptica o circular. Estos
dispositivos y algunos otros son empleados en
las cabezas de d eteccin de los discos compactos
o en las memorias m agnetopticas. En el ltim o
caso son esenciales para converti r la informa-
Propiedades magnticas
Todos los campos m agnticos surgen a partir de
circuitos de corri ente. La relacin fundamental
ent re d os de las variables de Maxwell: H, inten-
sidad del campo ma gn tico y B, inducci n ma g-
ntica, es la sig uiente:
donde ~ es la permeabilidad, la cual tiene para el
vaco un va lor de 41t x 1O-7_WbA- 1 m-1[0 henry /
metroJ.

Ferromagnticos

+ Antiferromagnticos
Ferromagnticos
' -_ _ _ _ _ _--' I Ferrimagnticos
{
J I ' -A_n_ti_fe_'_';_m_B_O_n__ti_CO_'----'
....----1 Paramagnticos .

~ Diamagnticos I
I Superconductores I
Figura 11.33. Clasificacin de los materiales magnticos.

Los m a teriales magnticos se clasifican en:
a) Dialllagnticos. Donde ~ es una constante
independiente del campo y de valor nega ti vo
muy pequeo. Este efecto se o rigina por los elec-
trones que giran al rededo r del ncleo y no tiene
aplicacin prctica excepto en los superconduc-
tores, q ue son dia magnticos perfectos donde la
constante .t negativa es muy grande. Esta cons-
tante se tiene en cuenta cuando se buscan aplica-
ciones, como la sustentac in magntica.

59
 Efectr,,;ca fsica
b) Paramagnticos. Algunos tomos o iones
presentan momentos magnticos permanentes,
que en ausencia de campos magnticos se orien
tan alea toriamente de manera ind ependiente.
~ es positiva pero muy pequea. El paramagne-
tismo tiene su origen en el esp n electrnico y
compite con el diamagnetismo que est presente
en todos los materiales.
c) Ferromagnticos. Son los materia les que pre
sen tan magnetismo en ausencia de campos mag
nticos. Entend er su origen es un poco ms com
p licado; se basan en la formacin de dominios
magnticos, donde los espines atmicos se ali-
nean en la misma direccin, lo que indica un
proceso colectivo, a diferencia de los dos proce
sos anteriores. Varios nuevos conceptos surgen
al estudiar estos materiales; entre ellos estn el
an li ferromag netismo, que presenta dominios
magnticos pero con los espines en direccin
contraria, los ferrimagnticos, un grupo especial
de materiales; las ferritas, cuyas propiedades fe-
rromagnticas son intermedias de las dos ante-
riores, pero muestran una Jl positiva y muy gran
de, adems de depender del ca mpo magntico.
8 suaves y de gran resistivid ad, como Jos que se
8,
--+----+-I-I_~ H
Figura 11.34. Ciclo de hlstresls magntica
La diferencia en el comportamiento magnti
co entre diamagnticos y paramagnticos, por
un lado, y ferromagnticos por el otro alcanza la
magnitud de l OS. Los ferromagnticos se carac
ter izan por su dependencia de ~ con el ca mpo
magntico, llamada ciclo de histresis. El origen
de este ciclo de histresis magntica es la energa
necesaria para mod ificar la orientacin de los
dominios magnticos. En este punto podemos
acla rar que las propiedades magnticas colecti
vas (como sta) desaparecen a determinadas
temperatu ras que comnmente se llaman tem
60
peraturas de Curie. Una curva de H versus B
nos permite visualiza r el ciclo de histresis mag-
ntica.
Se parte de un material vi rgen sin induccin
magntica presente; es decir, en el origen de las
coordenadas. Un aumento en la intensidad del
campo magntico H p roducir un aumento en la
induccin magntica hasta que se sa tura B"'I y no
aumenta ms. Aunque se contine aumentand o
el campo magntico, los dominios magnticos
del material estn ordenados en forma paralela
al campo externo. Si se disminuye el campo mag
ntico H la induccin magntica no desaparece
y se ti ene una induccin magntica remanente B,.
El ciclo de histresis magntica indica la energa
necesaria para cambiar la orientacin d e los do-
min ios magnticos de manera cclica.
Las di ferencias en el ciclo de histresis indican
las diferentes aplicaciones. Los ncleos de los
transformad ores causan las prdidas al transfor-
mar la energa. Entre mayor sea el ciclo de hist-
resis (rea incluida en el ciclo), mayores son las
prdidas y, conforme menor sea su resistividad,
mayores corrientes elctricas se inducirn, des
perd iciando potencia. Los ncleos de los trans
formadores req uie ren materia les magnticos
obtienen al laminar aleac iones de hierro silicio
para aplicaciones a bajas frecuencias, as como
ferritas para aplicaciones a al tas frecuencias.
Por otro lad o, los requisitos en las memorias
magnticas son diferentes para Josd istintos tipos
de presentaciones, desde cintas magnticas de
audio, hasta discos magnticos de alta densidad.
Los pa rmetros, como distancia entre cabeza
grabadora/lectora y materia l magntico, son im-
portantes, ya que la transferencia de la informa-
cin dis minuye exponencialmente con la distan-
cia. El tamao de la zona con informacin y la
facilidad para graba r y borrar depender de
la permeabi lidad~ . Valores de Jl pequeos defi-
nirn una baja densidad de informacin y alta
sensibilidad a campos extraos; valores grandes
de ~ definirn materiales de alta densidad y casi
insensibles a campos externos, ya que se requiere
un campo magntico mayor para definir las zo
nas magnticas que forman la informacin.
 Materiales para la electr6nica
TECNOLOGfA
En las pasadas dos dcadas la industria electr-
nica se ha caracterizado por una evolu cin en la
tecnologa de los semiconductores que, entre
otras cosas, ha reflejado una tendencia opuesta
al proceso inflacionario (desde el punto de vista
de una economa como la de Estados Unidos).
Este comportamiento se debe en parte a la posi-
bilidad sostenida de fabricar ms y ms elemen-
tos del circuito en un pequeo pedazo de silicio.
El aumento en la complejidad de los procesos se
ha llamado "very large scale i"tegration" (VLSI).
Las compaas de semiconductores son capaces
de manufacturar ms de un milln de compo-
nentes por circuito g racias a la tecnologa y al
diseo de componentes. El15 d e febrero de 1985
IBM anunci la fabricaci n de la memoria para
computadora DRAM de un milln de bits con
dimensin de 5.5 mm x 10.5 mm . En su momen-
to fue la ms rpida y densa jams imaginada.
Hoy da, en 1995, se fabrican en serie mem orias
de 64 megabits y tiene dos aos el proyecto de
la memoria de 256 mega bits entre 18M, Siemens
y Toshiba.
La estructura d e un circuito irrt.e grado es com-
pleja, tanto en la topografa superficial como en
su composicin interna. De hecho, cada compo-
nente tiene una arquitectura tridimensiona l que
deber ser la misma para cada circuito. La estruc-
tura d el circuito se logra por m edio de muchas
capas. Cada una forma parte de un patrn deta-
llado; algunas se forman en e l silicio, mientras
que otras 10 hacen en su superficie. Las operacio-
nes del proceso de la oblea se pueden clasificar
como aditivas (epitaxia, oxid acin, contamina-
cin y m etalizado), selectivas (litogrficas) y sus-
tractivas (ataque qumico o fsico). El nmero de
repeticiones de cada proceso depende d e la tec-
nologa y del grado de comp lejidad del circuito.
El punto de partida en la tecnologa del silicio
es contar con obleas de silicio monocristalino de
gran pureza, o "grado electrnico" . Este material
se obt iene a partir del x ido de silicio SiO por
una reaccin de xid o-reduccin se obtiene el
silicio m etalrgico (98% de pureza). La purifica-
cin se completa al formar un compuesto gaseo-
so de silicio que se purifica para d espus obtener
e l silicio slido policristalino. Es comn que al
crecer el lingote se modifiquen las caracte rsticas
elctricas, agregando impurezas que trans fieren
propiedades elctricas del tipo 11 o p. El lingote se
obtiene por tcnica Czochralski, en la cual el
s ilicio fundido es solidificado a l jalar un trozo de
cristal perfecto mientras se gira. De ah se obtie-
nen obleas de sil icio con orientacin cristalina
definida y con un dime tro desde 5 hasta 30 cm.
La oblea debe ser monocristalina y no tener im-
perfecciones mec nicas o cristalogrficas que de-
graden las propiedades elctricas.
La microe lec trnica, que ha permitido el
enorme desa rrollo de la electrnica, puede ilus-
trarse a travs de dos de sus estructura s bsicas:
un transistor de efec to de campo con compu erta
formada por un capacitor MOS FET, y un transis-
tor de un in BJT. El MOSFET de ca na l 11 parte de
un sustrato fo rmado por una oblea de silicio
tipo p. Las regiones de fu ente y de drenaje se
form an media nte la creacin de una zona su-
perficial tipo IJ . El xid o de silicio delgado y de
alta calidad se emplea para form ar la compuer-
ta, mientras que el xido grueso se e mplea para
aislar di spositi vos. La zona de silicio policrista-
lino permite tener acceso a la compuerta, en
tanto que e l a luminio se em plea para conectar
la fu ente y el drenaje. El BJT se cons truye a lter-
nando regio nes de conductividad tipo H y P,
pa rti endo de un semicond ucto r tipo p. El xido
se emplea para aislar las dife rentes zonas y se
emplea un metal para for mar los con tac tos en
e l emisor, la base y e l colector.
Pa ra cualquie r desarrollo es necesario em-
plear vari os procesos:
Oxidacin: el xido de silicio se forma al
exponer e l s ili cio a alta s temperatura s
(1 100C) en presencia de oxgeno. Se rea li-
zan a s va rias func iones: enmascara r y limi-
ta r la difusin en reas especficas, pasivar
y proteger la superficie del silicio, a isla r un
dispositi vo e lctrico de otro, y fabricar die-
lctricos pa ra las compuertas MOS.
Fo tolitografa : es el proceso que permite
seleccionar diferentes reas que se emplea-
rn en los dispositivos, transfiri endo patro-
nes d efinidosen el diseo. El x ido de silicio
puede detener la penetracin de impurezas,
61
 Electrnica fsica
por lo que en su fabr icacin se emplea un
p olmero fot osensi ble que permit e, con
ay uda de exposic in selecti va y del ataq ue
qumico, definir la s estructuras sobre el xi-
do de silicio para despus transferirlas en
estructuras de concentracin de impurezas.
Ataq ue qu mico o fsico: es el proceso me-
diante el cual los materia les se remueven
selecti vamente. En un pri ncipi o, el ataque
en fase lquida fue sufici ente, pero delinea r
estructuras de un micrmetro o menores
s lo es pos ible por medio del a taque qumi-
co po r plasmas.
Difusin: es el proceso median te el cual se
introducen las impurezas qumicas. A me-
nudo se rea liza a muy altas temperaturas en
presencia de las especies contam inantes en
fase de vapor y tiene e l props ito de modi-
ficar las ca ractersticas elctricas y e l tipo de
portadores de carga y densidad.
Evaporacin: es la manera de depositar me-
ta les. El metal se evapora y se transpo rta
hasta e l silicio con el propsito de formar
lneas d e interconexin.
Depsi to d e sl idos a partir de fases gaseo-
sas (evo): sta es la tcnica para depos ita r
xi dos o silicio pol icristalino a bajas tempe-
raturas (500C).
Implantac in de iones: se emplea para in-
troducir im purezas a l se miconductor a
temperaturas rela tiva mente bajas. Su prin-
cipal ventaja radica en e l control que se tiene
sobre la ca ntidad y el perfil d e las impu-
rezas.
Epitaxia: es la tcnica que permi te crecer
sil ic io sobre si licio conserva ndo las propie-
d ades de crista linidad. Usualmente se em-
plea pa ra mejorar las propiedad es del sus-
tra to, ya que sobre esta capa se construir el
circu ito.
Al terminar la oblea, se monta en una compu-
tadora que reali za la veri fica cin de cada dado:
las qu e no pasan las pruebas e lctricas son mar-
cadas y posteriormente desechadas. La s obleas
son montadas en un bastidor de maylar y se
cortan para separa r los dados. Los dados acepta-
bles se montan en un sopo rte que contiene las
conexiones exte rna s (pins) y, por medio de alam-
62
bre de oro, se conecta e l d ado a l soporte y se sella
e identifica e l circuito integ rad o.
Los procesos tecnolg icos ms importantes
son:
NMOS (ll-chnnnel devices) : tecnologa que em-
plea como d ispositi vo activo el MOSFET de
ca nal de elec trones.
CMOS (complell1cntary MOS): tecnologa don-
d e un tra nsistor NMOS y otro PMOS traba-
jan simultneamente como dispositivos ac-
tivos.
Bipolar
El proceso NMOS emp ieza con la formacin de
un x id o delgado sob re la oblea de silicio tipo p,
y sobre ste se deposita una pe lcula de nitruro
de silicio a baja temperatura. Empleando la mas-
carilla 1 se defin e el rea activa del transistor
remov iendo el nitruro y e l x id o excepto donde
se formar el transistor. El implante de boro
permitir aislar los diferentes transistores; p oste-
riormente se oxida toda la oblea. Hasta es te mo-
mento el nitruro p rotege la zona que formar el
transistor; se remueve entonces el nitruro y se
crece el x ido de alta ca li dad que consti tu ir la
compu erta del transistor. El ajuste del vol taje de
encendid o p uede rea lizarse en este momento.
El silicio policri stalino se deposita sob re la
oblea por med io de evo y la mascarilla 2 se
emp lea para defin ir las regiones que formarn
la compuerta del transistor y su conexin . Des-
pu s de remover el silicio policris talino no de-
seado se procede a formar las reg iones de fu en-
te y de drenaje por implante de iones, y despus
se a plicar un proceso a alta tempera tura que
redistribuye las impurezas y crece un x ido. La
masca rilla 3 se emplea para remover e l x id o
sobre las reg iones donde se conectar elc trica-
mente el transistor. El depsito del a luminio
cubre la oblea por completo, as que la ma scari-
ll a 4 se empl ea p ara definir las reg iones donde
debe removerse el meta l para form ar as las
pistas metlica s. Finalmente, se recubre la oblea
de nu evo con a lgn vidrio protector y la mas-
ca rilla 5 se emplea para descubrir las regiones
metlicas donde se interconecta r n los a lam-
bres exte rnos.
El proceso CMOS se emplea para formar d os
transistores adyacentes, un NMOS y u n PMOS qu e
 Materiales para la electr"ica

Nltruro de silicio

xido de silicio

Silicio tipo P
Oblea de silicio cubierta con nltruro da silicio
sobre una capa delgada de xido de silicio.

~llJ lU-~ -
La Implantacin de Iones de boro garantiza
q ue los transistores estn aislados.

SlIIclo t lpop Oblea atacada Qulmlcamente despus

d e la primera mascara. Deja protegida la zona
activa del transistor.

~ f- --
--
Silicio policristalino

~
Silicio tipo p
-- xido de silicio

Zonap'

Estructura Que Queda despus de crece r el xido

de s ilicio, r emover el nitruro de silicio y deposilar
el silicio policrlstalino.

Figur a 11.35. Primeras secuencias en el proceso N M OS.

llama remos gemeio. Aqu se necesi ta una masca*
rilla adicional que dar origen a la regin que
formar el transistor gemelo, y otra para la (or*
macin de la fu ente y el drenaje del transistor
gemelo.
El proceso bipolar es un poco ms comp lejo y
su control es ms d ifcil. La intencin es tener
vertica lmente tres regiones de diferente conduc*
tividad para formar un transistor IIPII , pero la
conexin ser horizontal y los accesos elctricos
estn uno despus de otro en la superficie. Para
disminuir la resis tencia del colector (la capa ms
profunda y por lo tanto con menor densidad de
impurezas) es necesa rio enter rar una regin de
cercana al colector. Adems, los procesos de
11 '
cambio de conductividad 11 a p (base)y P a 11
(emisor) se realizan a altas temperaturas sob re
sustratos epita xiales. El nmero de mascarillas es
el mi smo que en el CMOS.
El primer paso en el desarrollo de un circuito
microelectrnico son las especi fica ciones y carac*
tersticas funcionales. Despus de este paso em*
pieza el d iseo prop iamente dicho. El d iseo
asistid o por compu tadora CAD es el m s comn,
ya que ade ms de permitir la construccin del
circuito, hace posible simular sus caracterstica s,
disear e l proceso tecnolgico y construir la s
masca rillas. La importancia de la simulacin en

63
 Electrnica fsica

I Fsforo I

db
Oblea des pus de la segunda

~
[Slo~1 [SIO~ I
mascarilla y de la remocin
del silicio pollcrlstallno.

~
La Implantac in de lonas
defi n ir la zona de fuente
y drenaJe.
I SIlicio tipo p I
Masc arilla 2

Oblea des pus de la tercera

mascarilla Algunas zonas
del silicio y del silicio
pollcrl stallno quedan e x pue stas
O O para permitir los contactos
elctricos.
Silicio tipo p
Mascarilla 3

mi
Oblea des pus de la cuarta
mascarilla Las zonas metlicas
han sido delineadas hasta

=-El o 0 la periferia, donde

se conec tar al exterior.

Mascarilla 4

Fi g ura 11.36. Secuencias finales en el proceso NMOS.

todos los detalles es primordia l. Baste recordar
que un lote virgen de obleas (que incluye 20)
puede costa r 20.00 dlares y despus de proce-
sado (con las sema nas o meses de esfuerzo que
ell o implica) llega a costar 10 000.
A continuacin presentamos tres ilustraciones
sobre el proceso de diseo asistido por compu-
tadora. La primera ilustracin (figura 11.37)
m uestra el diagrama de una compuerta NANO
usa ndo la tecnologa NMOS (dos transistores y un
resistor) por medio de la herramienta MAGIC. Este
programa contiene las regla s de diseo y permite
la construccin de las masca rillas; en este caso la
distancia mnima es de cinco micrmetros. En el
diagrama aparecen, adems, cinco transistores
con diferente geometra . En este diagrama es
posible diferenciar las regiones como las de me-
tal, de silici o policristalino en la compuerta ,
etctera.
La simulacin del proceso tecnolgico se reali-
za por medio de SUPREM m, que d etermina los
parmetros elctricos a partir de la simulacin de
los procesos tecnolgicos. En la fi gura aparece la
simulacin de la fa bricac in de la compuerta del
transi stor NMOS, el programa que describe el pro-
ceso y las condiciones de fabricacin y los resul-
tados de la distribucin de impurezas obtenidas
por la simulacin con la grfica del perfil de
impurezas. Finalmente se presenta el anlisis de
los pa rmetros de uno de los transistores MOSFIT,
el ms grande, usando e l analizador de parme-
tros HP4145oc.

64
 Mate riales para la electrn ica

MICROELECTRONICS DESIGN
Auburn Oni v er s i ty

DATE : Jun 7, 1991 I Sea1 . : 14 0 mi erona/ineh

ril.n e ; %qtcell . c i f lo ... : rtor%

,--- - - ,-
I
I 1r n
j h
I ~

l In u
161 lOJ ~
1

~1I ~
I I

- 1 l -

Figu r a 11.3 7 . G r a fica o btenid a d el simulador "'AaIC. En la parte superior h a y una compu erta NA""O
y en la parte infe r ior c inco tr ansis tores con dife rente geomelrla en el c anal.

65
 Electrnica fsica

PROGRAMA PARA EL SIMULADOR SUPREM 111

TITLE Electrnica Flsica NM OS GATE

COMMENT Oblea para e l sustrato

INITIALlZE <100> SILICON, BORON CONCENTRATION'" lE15
THICKNESS- 3.0 XDX - l .0 DX- .005 SPACES- 150

COMMENT Crecimiento de xido de 400 A

DIFFUSION TEMP- 1 000 TIME- 40 DRY02

COMMENT Depsito de nltruro de silicio por CVD

DEPOSIT NITRIDE THICKNESS- .OB SPACES- 15

COMMENT Crecimiento de xido de campo

DIFFUSION TEMP- 1 000 TIME- 1BO WET02

COMMENT Remover e l xido hasta el silicio

ETCH OXIDEALL
ETCH NITRIDEALL
ETCH OX IDEALL

COMMENT Implante de Iones para ajustar e l voltaje de encendido del transistor

IMPLANT Boron DOSE"'4E11 ENERGY- 50

COMMENT Crecimiento de xido de la compuerta

DIFFUSION TEMP- ' 100 TIME- 300 DRY02 HCL%- 3

COMMENT DepsIto de silicio policristalino que hace las veces de metal

DEPOSIT POLY THICKNESS-o.5 TEMO- 600
DIFFUSION TEMP- 1 000 TIME- 30 PHOSPHORUS SOLl DSOLUBILlTY

COMMENT Grfica de la distribu ci6n de materiales, normal a la compuerta

PLOT CHEMICAL NET LP.PLOT
STOP

Sustrato silicio tipo p

Implante de Iones 8ceptores,

que forma una pellcula superficial

xido de compuerta (0.05 }.1m)

SiliCio poli cristalino (0.05 }.1m)

xido

66
 GRAPHICS PLOT
I
(J) Var
Vo
324.7 Lin
L St
St
St

32.47
Vari
Idiv Vs
~
St
I( St
St

Con
Vs
l

'/
/'
.0000
.0000 VDS .3000/div (V) 3.000
Figura 11.36. Mediciones elctricas de un transistor MOSfET, corrie nte de drenaje /D versus voltaJe de dr
teniendo al voltaje de compuerta Ve como parametro desde 2 .5 v hasta 4.5 V .
 Electrnica fsica

CONCLUSIONES Los semiconductores se presentaron con ms

En este capt ulo se present el panorama general
de los materiales y las propiedades que son ms
importantes en el estud io de la electrnica, cul
minando con una introduccin a la tecnologa
empleada en la m anufactura de los circuitos
integrados.
El concepto de bandas de energa es esencial
para entender las propiedades electrnicas de la
materia. Se emplea tambin para dividir el estu
dio de los m ateriales en metales y aislantes. Entre
los aislantes, los que tienen el intervalo de ener-
ga prohibida cercano a 1.5 eV se llaman semi-
conductores. Empleando a los metales como
ejemplo, se pueden entender conceptos como el
de la movilidad d e los electrones; los aislantes,
por su parte, n os permiten comp render la impor.
tancia de la temperatura en los procesos electr--
rucos, adems de ilustrar la mecnica de los pro
cesas colectivos.
d etalle, ya que son empleados intensivamente
en el resto del curso. Los semiconductores intrn
secos, en los cuales la can tidad de huecos yelec
trones es la misma, as como el efecto d e las
impurezas sobre el nmero de p ortadores y la
conductividad, se presentaron con el propsito
de entender la dinmica y el control de la conta
minacin p ara modificar las propiedades elec
trnicas.
Se prop orcion asimismo una pequea intro--
duccin a las propiedades pticas y m agnticas,
donde se coment el control de la polarizacin
de la luz y la clasificacin d e los materiales m ag
nticos, identificando las propiedades prcticas
d e los materiales ferromagnticos. La introduc
cin a la tecnologa permite integrar los concep
tos anteriores y permite poner en perspectiva las
ideas cientficas al reconocer lo que se puede
lograr con la tecnologa, a fin de producir dispo
sitivos electrnicos.

Ejercicios

II.1. Con qu objetivo, en el modelo de Kronig-Penney, surge la necesidad de la periodicidad de la red?

a)Para simplificar el potencial de la red..
b) Para resolver la ecuacin H\fI = E\fI.
c) Porque se estud ia un cristal.
d) Para verificar que la energa est cuantizada.
e) Para aplicar las condiciones de frontera a 'V.
11.2. Explique el comportamiento de un semiconductor en el cual la cantidad de impurezas donadoras No es
igual a la cantidad de impurezas aceptadoras NA. Realice la grfica de la conductividad versus temperatura .
II .3. Explique el efecto que la luz con energa de 2 eV tiene sobre la conductividad en el aluminio, el silicio
intrnseco y el cuarzo.
HA .... Cu l es la temperatura de saturacin y la temperatura intrnseca para silicio con 10 18 cm-) impurezas
de fsforo si Ec - Eo = 0.012 eV?
liS Es posible que electrones energticos sean emitidos por los materiales. Puede un hueco ser emitido
por un material?
11.6.- Es comn que los elementos que tienen un nmero impa r de electrones en sus niveles, al fo rmar un
slido, sean buenos conductores, por ejemplo, los metales Na, Al, Au, Ag, etc. Sucede lo mismo con el
hidrgeno?
m-
11.7. Qu diferencia existe entre la velocidad trmica de los electrones vr = ..J3kT y la velocidad de deriva
qEt ?
vo=-;-

Los ejercicios marcados con aste risco estn resueltos al finill del libro

68
 Materiales para la electrnica

U.s. Cuntos niveles de energa hay en la banda de conduccin en un gramo de silicio?

11.9. Explique la ley de accin de masas.
n .l0. Un semiconductor intrnseco de silicio a temperatura a mbiente tiene aproximadamente 10 10 elect ro-
nes /cm) y 10 10 huecos/cm 3, mientras que un semiconductor tipo p con NA = 10 18 tiene aproximadamente 10\8
huecos/cm J y 100 electrones/cm). Cmo se explica esta difere ncia entre los h uecos?
II.1 1.~ Dibuje la densidad de portadores como funci n de la posicin en un trozo de silicio en fo rma de
cubo, cuando est siendo iluminado por una de sus caras con luz de energa de 1.]2 eVo Algo cambia si la
rad iacin tiene una energa de 3 eV?
n .12. Qu diferencia existe en tre el material empleado para un im n y para un ncleo d e transfo rmad or,
y qu diferencia existe entre el materia l en un disco flexible d e computadora de baja densidad y de a lta
densidad?
n .13. Qu elementos pasivos podra integra r en el proceso NMOS? Cul sera la mejor manera de tener
un resislor de 10 kQ?
1I.14. Si se tienen dos haces de luz polarizados en la misma direccin e interfieren, q u di fe rencia de fase
es necesa ria para que no exista luz a la sa lida? A dnde fue la energa de los haces incidentes?
ru s. Explique por qu el siguiente circuito, a l mostrar en el osciloscopio V v (en el cana l y) y V H (en el
canal x) muestra un ciclo parecido a la histresis magntica? En q u cond iciones las relaciones de voltaje y
caractersticas magnticas son vlidas?

p
470 '"

L - longitud media del nc leo

A - rea del nc leo

69
 cAPtruLO III
ESTRUCTURAS ELECTRNICAS BSICAS
E STA SECCIN TRATA DEL FUNCIONAM IENTO de
algunas estructuras electrn icas bsicas,
los semiconducto res heterogneos, que
forman los dispositivos elementales d e la elec
trnica moderna . Nuestro objetivo es obtener
mod elos que permitan entender y d escribir su
funci o na miento; por ejemplo, la unin entre un
metal y un semiconductor permite entender el
m eca nismo que explica los contactos elctricos
a los sem iconductores. La unin entre un semi-
conductor tipo 11 y otro tipo p permite explorar
la rectificacin de las seales, mientra s que el
capacita r formado por un metal. un xido y un
sem icond uctor (MOS) permite el estudio del efec-
to del campo elctrico interno en un sem icon-
ductor.
Adicionalmente se d escribe el funcionamiento
de otros dispositivos un poco ms comp lejos,
como los transistores BJT y MOSFET, as como el de
disposi tivos o ptoelectrnicos, LEO, lser y foto-
detectores.
Inici emos el estudio para entender los proce-
sos que permiten formar una un in entre dos
ma teriales. Dos sistemas en contacto alcanzan el
equilibrio cuando:
I1T = O (al tener la misma tc>nperatura, se
alcanza el equilibrio trm ico).
6P = O(al tener la misma presin, se alcanza
el equilibrio mecnico) .
I1E, = O (al tener un nivel d e Fermi consta n-
te, se alcanza el equilibrio qumico).
Las dos primeras condiciones anteriores son
muy general es. Para explica r la tercera, imagi ne
dos semiconductores aislados iguales que slo
se di ferencien por la cantidad de portadores
libres que ti enen, la cantidad de electrones en el
semiconductor A (11 ,,), mayor que la cantidad de
elec trones en el semiconductor B (tl s) y, por con-
siguiente, la cantidad de huecos tiene la rela-
cin, PA< PB'
Esquemt icamente esto se representa as:
Sem iconductor A Semiconductor B
Ec
ErA ----------.
- -- - --EFi
---------_ .
---------E~
Figura 111.1. Diagrama de bandas para dos
semiconductores Iguales. pero con diferente
cantidad de Impureas que cam b ian
la conductividad.
En este caso, un sistema fo rmado por los dos
semiconductores en contacto, se sabe que llega al
equilibrio cuando el flu jo de electrones del semi-
conduc tor A al B sea igual al flujo de electrones
del semiconductor B al A.
Es importante sub rayar que los sem icondu c-
tores son iguales, es d eci r, que el mnimo de la
banda de condu ccin en los dos semiconducto-
res es EeA = EClI; a l ig ual que el mximo d e la
band a de valencia E l lA = EV8' cuando los semicon-
ductores estn aislados el uno del otro. Al fo rmar
71

el contac to metalrgico, como ex isten ms elec-
trones en el semiconductor A que en e l B, debe
existir un flujo de electrones de A haci a B. Pero
por cada electrn que pasa del semiconductor A
al B aumenta la ene rga potencial electrosttica
del semiconductor B (porque se ha aumentado el
nmero de electrones) y disminuye la energa
po tencia l elec trost tica del semiconducto r A
(porque se ha disminuido e l numero de electro-
nes).
~ trones que va del semiconductor B al A ser :
Semiconductor A ~ Semiconduc tor B
( . ------Ec
E,. --------l------- :l.~ H L
Figura 111.2. Diagrama de bandas de energla en un
estado intermedio anles de alcanzar el equilibrio.
Dos materiales A y B alcanzan el equilibrio cuando los niveles de Fermi se igualan.
Semiconductor B
------Ec,
Semiconductor A
E"" _ _ _ _ __
EF" - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - .EF8
E" _ _ _ _ _ __
Figura 111.3. Bandas de energla al alcanzar
el equilibrio.
En el caso de que uno de los materiales sea un
metal, es necesario introduci r dos constantes que
permitan definir los cambios del sistema de una
manera tan p recisa como antes. La funcin tra-
72
Elecfr"ica fsica
En todo momento el flujo de electrones de
A ---+ B ser:
(lIU )
Esta ecuacin indica que, de la cantidad total
de electrones nrv solamente participan en la co-
rriente elctrica aquellos que tienen una energa
mayor a Eo (donde Eo = Ecs - Ec" y representa la
energa que deben tener los electrones pa ra pasar
del semiconductor A al B). El flujo total de elec-
(1II.2)
H :
Como los electrones del semiconductor B no
tienen ninguna barrera que subir, todos los elec-
trones pueden pasar de B a A. En el equilibrio,
las densidades de corriente son iguales. Como las
constantes de proporcionalidad son las mismas
para el clculo d e no, la densidad de estados
efectiva No. es idntica a Ncs, lo que permite
concl uir que:
Er" = Er8 (lID)
bajo en los metales '9.. tiene esa propiedad, donde
q~ ..es la energa necesaria para mover un elec-
trn que est en e l metal en el nivel de Fermi
En fuera de l, hacia el nivel de vaco d el metal
(prxima al metal), con energa cintica cero. sta
es una constante en los metales y no tiene signi-
E"
ficado fsico en los semiconductores, ya que en
su nivel de Fermi no hay electrones.
La afinidad electrnica es igual a X, donde qx
es la energa necesaria para mover un electrn
desde el mnimo de la banda de conduccin Ec y
llevarla al nivel de vaco con energa cintica
cero. sta es una constante en los semiconducto-
res y no tiene sentido fsico en los metales.
Con estas nuevas definiciones/la condicin de
equilibrio tiene la siguiente expresin:
 Estructuras electrnicas bsicas

Al unir dos materiales cualesquiera, existe un flujo de portadores. Este flujo se puede
caracterizar de las siguientes dos maneras:
Los electrones flu yen del material que tiene mayor nivel de Fermi al que tiene
menor nivel de Ferml.
Los electrones flu yen d el material que tiene menor funcin de trabajo al materi al
que tiene mayor funcin d e trabajo.

Nivel de vaclo Nivel de vaclo

,l. E ,l. qx

E, Ee

E,
fiEl E,
M etal Semiconductor

"" - Fur.c16n trabajo en e l metal

+oc Funcin trabajo en el semiconductor
Figura 111.4. Definicin de funcin trabajo y afinidad electrnica.

DIODO DE UNiN podemos garantizar que las superficies sean per-

Uno d e los dispositivos bsicos en la electrnica
es el que se forma a l unir dos semiconductores,
uno tipo p y e l otro ti po n (unin p-n) . El anlisis
de la unin p-n incluir un estudio fenomeno l-
gico; despus se presentar un anlisis electros-
t tico y finalmente un modelo de transporte.
Cada uno de stos se rea liza con detalle por d os
razones: es la primera vez que se presentan en
este trabajo y el tra tamiento es si mila r en todos
los otros dispositivos.
El anlisis fenomenolgico requiere estudiar
paso a paso lo que suced e con los elec trones en
los semicond uctores tipo n y p al hacer la unin
y llega r al equilibrio. Con objeto de que se logre
la unin entre los semiconductores, es suficiente
tomar dos trozos de semiconductor diferentes y
juntarlos o pegarlos con "Kola Loca"?
Veamos las diversas posibilidades. Si junta-
mos d os trozos de semiconductor nunca podre-
mos lograr el contacto por va rias razones: no
fectamente lisas, adems de que el silicio, por
eje mplo, est cubierto por una pelcula de xido
que hace que 105 dos trozos estn aislados. Ahora
bien, si op tamos por pegarlos, a los inconvenien-
tes an teriores hay que agregar la interfaz con el
adhesivo. As que la nica posible respuesta es
emplea r las tcnicas de la m icroelectrnica, la
difusin de impu rezas, por ejem p lo, y transfor-
mar un semiconductor tipo n en p y formar la
unin en el proceso.
El equi librio de la unin de los semiconducto-
res se obtiene sigu iendo el procedimiento que a
cont inuacin se describe:
Al hacer la unin meta lrgica existe un flujo
de electrones del semiconductor tipo 11 a l p
(y un flujo de huecos del semicond uctor
tipo p al n).
Esto ocasiona que se rompa la neutralid ad
e lctrica de cada material y se tenga una
carga neta positiva en e l lado 11 y una carga
neta negativa en el tipo p.

73
 Electrnica fsica

Esto origina una variacin de la energa expresiones para la cantidad d e electrones en

potencial electrosttica del semiconductor equilibrio en los materiales, l1o.}
tipo p y del tipo '1.
NoN,
E,; = kT In _n.o ~kT ln _ _.,
Aumenta la energa potencial electrosttica (1l\.4)
n rO n~
del semiconductor tipo p y d isminuye la
energa potencial electrosttica del se mi- Es necesa rio determ ina r varios parmetros
conductor tipo H. Esto sucede por la entra- que caracterizan a la unin p-n y por aadidura
da de electrones al sem iconductor tipo p y todos los d ispositi vos, adems de terminar el
la sa lida d e electrones del semiconductor diagrama de energa potencial electrosttica con-
tipo 11 . tra posicin.
Aparece una diferencia de potencial entre Para sim plificar el prob lema: suponga una
los dos materiales. unin p-n abrupta, esto es, cuando la concentra-
Apa rece un campo elctrico entre los dos cin d e impurezas es uniforme en los semicon-
mate riales que se opone al movimiento de ductores y sbitamente cambia d e ser tipo n a
los portadores d e ca rga . tipo p.
Se detiene el fluj o neto de las partculas
cuand o se igualan los dos niveles de Fermi.
La fue rza que mueve a los electrones del ma-
terialll al p se iguala a la fu erza del campo
elc trico interno que se produce por el mo- p
"
vimiento d e las ca rgas.
En adelan te, por cada electrn que va del
semi conductor tipo 11 al tipo p hay otro elec- x
Unin metalrgica
trn que va d el tipo p al tipo n.
Figu ra 111.5. Unin p-n ab rupta.
El diagrama de energa que se ob tiene es el
de la figura IJI.3, donde nos fa lta aclarar va ri as Adems, emplearemos la aproximacin d e la
dudas: "zona desrtica". Esto es, imaginaremos que los
Cmo cambia el mnimo d e la banda de electrones, al pasar del semiconductor tipo n al
conduccin d el sem iconductor tipo 11 al tipo ti po p, sa len ordenadamente en forma de "placas
p y como ca mbi a el mximo de la banda de de carga (p) nega tiva" que al llega r al semicon-
va lencia? ductor tipo p ocupan los enlaces cova lentes no
El diagrama anterior es d e energa potencial saturados tambin d e manera ordenada.
electrosttica E, contra posicin x. Qu or-
Carga elctrica
den d e magnitud en xc ubre la transicin del
sem icond uctor tipo 11 al tipo p? ,No
p=qN o :r~ > 1:>0
Cul regin es la que produce el efecto p=-qN,., o>:r>-:r p
rectificante y cul es slo accesoria?
El anlisis electrosttico dar respuesta s a es-
tas preguntas. Empecemos por calcular una ex-
presin para la diferencia entre los mnimos de
la banda de conduccin d e los ma teria les, Fig ura 111.6 Aproximacin de la ~ona desrtica
Ecr - Ee" = EN' Esta expresin se obtiene de las en la unin p-n.

I Los subndices empezarn a aparecer cada vez con mayor frecuencia. Osiempre indica r una propiedad de equilibrio. los subndices
p y n se refieren al semiconductor tipo p y tipo u respeclivamente; el subndi ce bi indica el potencial inlemo o de contacto (lmilf.in) . De
aqu en adelante ser necesario agregar el subnd ice u o p (de la regin), puesto que podemos tener electrones en el semiconductor tipo
ti (u,,) o p (npl.

74
 Estructuras electrnicas bsicas

La regin 1 en el semiconductor tipo p no es (lII.5)

elctricamente neutra: tiene carga negativa po r
los electrones que emigraron del semiconductor
tipo n, para igualar los niveles de Fermi.
La regin n en el semiconducto r tipo 11 no es
elctricamente neutra: tiene carga positiva ya
que los electrones que la hacan neutra se fueron
al semiconductor tipo p.
En esta aproximacin, la carga de las dos re-
giones es igual y se puede escribir de la siguiente
manera:
Por la poca cantidad de los portadores mviles
que existen entre -xl' Y X~, se le llama "zona de-
srtica" .
Al hacer el anlisis electrosttico de l efecto de
esta distribucin de carga interna con la ecuacin
de Poisson se e ncuentra n expresiones para el
campo elctrico en la unin p-n, e l potencial elc
trico y la energa potencia l electrosttica.
aE = 2'-. E= _ av
dX Ero' dX

-x, x,
E(X) = qND(x_xn) >x>O
x
.... XII

E(x) = qNA, (-x-xl' ) o>x>-xp

....
Figura 111.7. Campo elctrico Interno en una unin p-n .

El campo elctrico E es cero fuera de la zona punto. Por comodidad, se puede hacer que el
desrtica y tiene un valor mximo en la unin potencial sea cero en el origen V(x = O) = O. Los
metalrgica E mh' resultados son idnticos con cualquier otro pun-
El potencial elctrico siempre es relativo a un to de referencia.

V(x )

,
,
-x,
x, x V(x)=~_D
qN _
o
[x'_, 1
- XlIX x" > x > O

V(x )= + -
qN'-[ -
o "+ ,
Xp X 1
_ qN" x;
,o
Figura 111.6. Variacin de potencial en las bandas por la fo rmacin de la unin p-u.

Para encontrar la grfica de la energa poten-
cial electrosttica slo tenemos que multiplicar
por el negativo de la carga elctrica, lo que invier-
te la figura anterior, E(x) = -q V(x). La energa del
potencial interno es igual a la diferencia de ener-
ga potencial fuera de la zona desrtica. Esta
identificacin permite relacionar el potencial in-
te rno V", con e l ancho de la zona d esrtica
W(W = X w + XI.). Esto da como resultado una serie
de relaciones para los parmetros electrost ticos
con las caractersticas de fabricacin .
En equilibrio, el ancho de la zona desrtica W

75
 Electr" ica fsica

y el ca mpo elct rico interno mximo Emh tienen son proporciona les a la diferencia de los niveles
las siguientes expresiones: de Fermi .
Un semiconductor tipo n homogneo como el
que forma un resistor norma l p uede repre-
sentarse con los d iagramas de energa de la figu-
ra 111.1 0.
En ella se representa una variacin lineal del
potencia l aplicad o a lo largo del resistor, ya que
(111.6) el cam po elctrico es uniforme. Es importante
observar la relacin que guarda el potencial elc-
trico V con la energa potencial electrosttica E.
De esta manera, el diagrama de energa poten-
Si la energa est en eV, ambos son numrica-
cial e lectrosttica E contra posicin x, de la unin
mente igua les pero de signo contrario. La dife-
P-II ser:
rencia de potencial aplicado es idntica a la di-
E(x)
ferencia de los niveles de Fermi.
Cmo cambia el diagrama de energa potencial
Ee, - - ----- - .
~
--F Ec,
electrosttica de una unin p-n cuando se aplica
una diferencia de potencial en sus extremos?
E, En la figura m .11 se observa que:
, El ancho de la zona desrtica (W) cambia,
E" '" 1'---- Ev"
en polarizacin d irecta disminuye y en po-
larizacin inversa aumenta.
-', '. El nivel de Fermi es una constante y es
horizontal cuando Vo = O. Adems, es con-
Figura 111.9. Olagr a m a de la ener gla p ote ncial tinuo.
electrosttica de la unin p_lI.
El nivel de Fermi es discontinuo al polarizar
yeamos con detalle el efecto de la polariza- la unin con Vo diferente de cero.
cin: El nivel de Fermi fuera de W (aproximada-
El acceso elctrico a cua lquier materia l se rea- mente) sigue siendo continuo y horizonta l.
li za a travs del nivel de Fermi, ya que todo En W (ap roximadamente) no se dibuj el
sistema a lcanza el equili brio cuando tiene el mis- nivel de Fermi, porque ste es un concepto
mo nivel. Las di ferencias de potencia l elctrico de sistemas en equilibrio y al pasar corrien-

_ _ _ _~EC

I
v =o I
- - - - - E, _ _ _ _ _ _ E,

V (+)
Figura 111. 10. Cambios e n el d iagram a d e e ner gla p o r e fe c to de la polari zacin.

76
 Estructuras electrnicas bsicas
E(x)
-x,
E(x)
fe, - - ' - < . f -
I
Ev,
I V" O I
Rgura 111. 11 . Diagrama de energfa potencial e lectrosttica con tra posicin de una unin p-II.
En equilibrio (V = 0), en directa (Vo > O) V en inversa (Yo < O).
te por la unin el sistema est fuera de
equi librio.
Todo el potencial aplicado aparece en W.
Po r qu "cae" todo el potencia l en W?
De manera preliminar, se puede decir que la
zona desrtica es mucho ms resistiva que las zo-
nas neutras. Es como tener tres resistoresen serie,
y uno de e llos de muchos rdenes de m agnitud
ms resistivo. Para todos los fines prcticos, el
potencial aplicado aparecer en .el resis tor de
mayor resistencia. Por eso los niveles de Fermi se
separan en W y no se modifican o inclinan en las
regiones neutras.
Esta afirmacin tiene una va lidez li mitada si
se polariza la unin en polarizacin directa. Con
un voltaje suficientemente grande, la resistivi-
dad de la zona desrtica dism inuye a ta l grado
que en algn momento la suposicion deja de ser
x"
E(x)
Ec, ---'--,
vlida. Para entender sus limitaciones, es necesa-
rio analiza r el mecanismo de conduccin en la
unin a l ser polarizada.
El concepto d e seudo niveles de Fermi es par-
ticularmente til a l analizar la unin p-II fu era de
equilibrio. El d iagrama de la figura 111.12 repre-
sen ta una unin J1-I1 polarizada en inversa, donde
se emplea el concep to de seudonive1es de Fermi.
Al divid ir al semicond uctor en cinco regiones
como aparece en la fig ura, podemos hacer la s
siguie ntes observaciones:
La regin l es la regin neutra del semiconduc-
tor tipo p. Esta regin se llama as porque no
siente la presencia de la unin p-n. De hecho, es
una zona parsita porque no es elctricamente
activa. En esta zona se cumplen tod as las propie-
dades de los sem iconductores homogneos en
equ ilibrio.
77
 Electrnica fsica

E(x)

~ --------------~--------~~
111 IV v

, ,
,+ + + + + + ++,+++++++

, ., .
Er :<: x
E, ----------------~'~'~------~"
,,
,, , ,..
~T-----'--r:-T----- ~
"
~--------~------------ q

+ -+ -+ Seudonlvel de Ferml para huecos

- - - Seudonivel de Ferml para electrones:

~~-------- __-------------- E,

Figura 111.12. Unin >-n en p olarizaCin Inversa con los seudonlveles de Fermi para los huecos ( +) y los electrones (-).

La regin JI es la reg in de semiconductor tipo
p, que ve perturbada su concentracin de e lectro-
nes por la polarizacin de la unin p-1I. En pola-
rizacin inversa pasan e lectrones del semicon-
ductor p al n y los hu ecos de l semiconductorp no
sienten el efecto de la polarizacin, porque los
hu ecos que pasan del lado 11 son insignificantes
comparados con los que aqu existen en eq uili -
bri o. En la polarizacin d irecta esta regin es
perturbada por los electrones que llegan de l se-
micondu ctor tipo 11. As que todos los cambios
suceden por la variacin de los portadores mino-
ritar ios, los electrones, y slo existen cuando se
polariza la unin P - Il.
La regin III es la regin que corresponde a la
zona desrtica, que por efecto de la polarizacin
tiene una ca ntidad d e portadores diferente. El
clc ulo de la densidad de portadores se debe
rea li zar empleando los dos seudoniveles de Fer-
mi, co mo en las regiones n y IV.
La regin IV es la regin del semiconductor
tipo 11. Si bien es cierto que es similar a la regin
lI, en esta regin todos los cambios suceden en
los huecos.
La regin V es la regin neutra del semicon-
ductor tipo 11 y es similar a la regin I. Las regio-
nes 11, III Y IV estn fuera d e equi librio, mientras
que las reg iones 1 y V estn en equilibrio.
El anlisis para entender el transporte se pue-
de rea lizar despus de identificar cuntos porta-
dores existen en las fronteras de las zonas ante-
riores, como se muestra en el cuadro (p. 79).
En este cuadro se han emp leado dos condicio-
nes. Una de ellas es la condicin de equilibrio, en
donde por cada electrn que pasa la zona desr-
tica en una direccin existe otro que viaja en
direccin contra ria.
(JII.7)

78
 Estructuras electr6nicas bsicas
Densidad de electrones
( ~J
Zona 1
x $; -L~ n"o= Nc exp - kT
x=-x,. q(V.,-V,)
11 = 11..0
(
exp - kT = n~
11 =Il..o
Zona V
x ~ L,.
Este cuadro incluye las condiciones de frontera generales para ambas polarizaciones. Vo es positivo para polariza-
cin en directa y negativo para polarizacin en inversa.
Donde Ebi es la barrera de potencial que ven los
electrones que estn en el semicond uctor tipo 11
y quieren pasar al semiconductor tipo p. La otra
condicin se refiere a la convencin usada para
indicar polarizacin inversa y directa, donde Vo
es negativa en el primer caso y positiva en el
segundo, el cual seguiremos usando a lo largo
del captu lo.
En polarizacin directa existe un flujo de elec-
trones en exceso del material 11 al p y un flujo de
huecos en exceso del material p al 11. La corriente
aumenta rpidamente al aumentar el voltaje.
En polarizacin inversa existe un flujo de elec-
trones en exceso del material p al n y un flujo de
huecos en exceso del material n al p. La corriente
casi no aumenta al aumentar el voltaje, siempre
que no existan procesos de ruptura.
Modelo de SllOckley
Este modelo describe analticamente el trans-
porte de carga a travs de la unill p-n fuera de
equilibrio, y se basa en la hiptesis de que las
ecuaciones de transporte son vlidas.
Densidad de huecos
JqV'J
eXr(kT
( q(V"-V"J [qV
kT,)
p=p", exp - kT = P,. exp
Como se recordar, estas ecuaciones fueron
introducidas al final del captulo anterior.
La solucin de estas ecuaciones se simplifica
en gran medida con las siguientes aproxima-
ciones:
Todo el potencial aplicado aparece en la
zona desrtica (W). El campo elctrico es
cero fuera de ella.
Las regiones " y p son infinitas; en general,
es suficiente con que sean algunas veces
mayores que la longitud de difusin de los
portadores minoritarios (L" y L,).
Es importante tener un bajo nivel de inyec-
cin; que la can tidad de portadores minori-
ta rios en exceso sea mucho menor que la de
los portadores mayoritarios en equilibrio.
Tambin se puede decir que en directa
Vo < V b , y que en inversa no exista ruptura.
Que los semiconductores sean no degene-
rados.
Que no ex ista recombinacin en w.
Si no existe ca mpo elctrico en las zonas cua-
sineutras, cmo se produce entonces la corrien-
le elctrica?
Para dar respuesta a esta pregunta, veamos
con detenimiento la distribucin de los portado-
res y la res istividad a Jo largo de la unin p-Il.
Cua litativamente, con ayuda del diagrama de
la figura JII .13 se puede ver ']ue la d ensidad
(111.8)
de portadores minoritarios cambia cerca de la
79
 Electrnica fsica

E{x)
E(x) E(x)
-x, x~ -1. -',, '. L, -L" -x,
, '. L,
Ee fe

fe
,
,
fe L...-+ ,
E,
, E, E,
,,
,, ,, ,, ,",,
E,
Ev Ev Ev
fe

Ev E,
Ev

Ev
- - Densidad de huecos _ Densidad de electrones

><r----
,
p(x) p('j

, ,
J\:
\ ~~
1
1
1 1
1 (\ 1
1
1

Figura 111.13. Diagrama de la densidad de porladores en l a unin pn al polarizar.

zona desrtica cuando se polariza la unin: los
portadores minoritarios aumentan en directa y
disminuyen en inversa. Tambin es claro que la
corriente es constante a lo largo del dispositivo y
que no existen campos elctricos fu era de la zona
desrtica, de donde se concluye que la corriente
es controlada nicamente por los portadores mi-
noritarios.
Los portadores mayoritarios no contribuyen a
la corriente elctrica porque son muchos, no se
cambia su nmero localmente (no existe difusin
de mayoritarios) y no existe campo elctrico que
los acelere (no existe deriva). Los portadores mi-
noritarios tampoco son acelerados por el campo
elctrico, pero al presentar una variacin local en
su nmero cerca de la zona desrtica provocan di-
fusin y controlan la corriente del dispositivo.
Cuanto mayor sea el gradiente de concentracin
de portadores minoritarios, mayor ser la corriente
elctrica que pasa por el dispositivo. El gradiente
se puede controlar media nte dos parmetros:
El gradiente de concen tracin es mayor cuan-
to mayor sea la densidad de portadores en la
frontera de la zona desrtica, controlado nica-
mente por la polarizacin. El gradiente de con-
centracin aumenta de acuerdo con la rapid ez de
recuperacin de la concentracin de portadores
de equil ibrio, lo que est determinado por el
proceso de generacin y recombinacin de por-
tadores minoritarios.

80
 Esfrucflras electrnicas bsicas
Ahora plantearemos todo lo anterior cuantita-
tivamente.
Considere inicialmente slo al semiconductor
tipo 11, en donde los huecos son minoritarios. La
zona desrtica no contribuye a la corriente ex ter-
na, ya que la corriente producida por el campo
elctrico interno es contrarrestada por la corrien-
te de difusin. En la regin cuasineutra del semi-
conductor (x ~ x n ), la ecuacin de continuidad
toma la siguiente forma:
O a'(p,,-p..,) P,, - P,. O
F ar t"
Dado que el campo elctrico, E, es cero, y la
generacin, G, es cero, se impone una condicin
de estado estable ~
al = o y adems no existen
cambios locales del campo elctrico.
La solucin general de esta ecuacin diferen-
cial tiene la forma tpica siguiente:
p" - P,. = A ex p(t)+ B exr(- t)
donde la longitud de difusin de los portadores
minoritarios, en este caso huecos, L,., tiene la
expresin ..JDpt p.
(V.) _l L"N"n,: + M][
-"l
D
En la figura 1II."14 se visualiza la contribucin
de la corriente elctrica realizada por los porta-
dores minoritarios en inversa y directa; trate de
relacionarlo con la ecuacin anterior.
Existe una serie de factores que modifican e l
comportamiento ideal d e la unin P - II. Algunos
son geomtricos, como el que se ptduce al tener
la superficie del materia l muy cerca de la zona
desrtica, que modifica la recombinacin de los
portadores minoritarios, como es el caso de las
ce ldas solares. Otros factores son tecnolgicos,
como los que resultan en un resistor parsito e n
para lelo con la unin P-IZ, debid o a la imposibili-
dad de e liminar los efectos superficiales de la
La solucin particu la r se obtiene al aplicar las
condiciones a la frontera, en x = x"; y cuando
x 4 00, la densidad de portadores minoritarios
en esos puntos est indicada en la tabla anterior
y se obtiene:
Pn(X) - P,.o = P..o eXr l~
qV. - 11(111.11)
jX,,-X)[ eXPTT
La densidad de corriente de huecos en el lado
n se obtiene por medio de la ecuacin de densi-
dad de corriente adecuada, donde slo existe
(111.9)
corriente de difusin ya que el campo elctrico es
cero. Esta corriente de difusin depende de la
posicin, ya que la recombinacin o generacin
tratan de producir el equilibrio en la densidad de
portadores. La contribucin de la corriente reali-
zada por los huecos se calcula en el punto en el
que adquiere el mximo va lor, esto es en x = x".
As, tenemos que:
(1L1 0)
I
-
J,,(x) xa ~. -J,.(Vo)-_'I!} (QV,, )
L" PIlO [exp kT -1 1(111.12)
Con el resultado anlogo para los electrones en el
lado p, se obtiene la densidad de corriente total:
kT - 1]
L,Nu exp(~) (IlI.13)
unin (por pa siva rl a), o en e l resistor en serie por
la unin que se produce de las zonas que no
forman el dispositi vo propiamente dicho (las
regiones cuasineutras y los contactos hmicos
semicond uctor-metal). Un ltimo factor que mo-
difica el comportamiento id eal es la supos icin
de la a usencia de recombinacin en la zona de-
s rtica de la unin: en al gunos casos existe re-
co mbinaci n accidental o inten cional, que au-
menta la corr iente qu e circula por el dispositivo
a un voltaje dad o. Este comportamiento es no
lineal y se parece al del modelo an te rior.
Los efectos reales modifican la carac terstica
ideal de la unin P-IZ d e la siguiente mane ra:
81

Directa
p
N
.-. - --+ .-
Figura 111.14 . Representacin de la corriente electrlca en una unin p-n polarizada. en directa est dominada
por la recomblnac ln de los electrones y en inversa por la generacin de los electrones.
Aumento en la corriente a bajos niveles de
voltaje en directa por la corriente de recom-
binacin y la resistencia en paralelo.
Disminucin en la corriente a altos niveles
de voltaje en directa por el alto nivel de
inyeccin.
Disminucin en la corriente a altos niveles
de voltaje en directa por la resistencia en
serie.
Aumento en la corriente a bajos niveles de
voltaje en inversa por la recombinacin y
los efectos de superficie.
Aumento en la corriente a variados niveles
de voltaje en inversa debido a la ruptura de
la unin.
Capacitancia de la zona desrtica
La capacitancia por unidad de rea se define
como:
C,dQ
dV
82
Electrnica fisica
inversa
-L" -x, '.
p N
\\ \+\~-
--~
\ +,'--------'- . -
Esta ecuacin cuantifica el cambio de la carga
en la zona desrtica por unidad de rea (Q) con-
forme cambia el voltaje aplicado (V).
Para una unin p-n, bajo la suposicin de una
unin abrupta, se tiene:
e _--:d;>e(,C'-N--:Wl",
2 (IIl.15)
d[</NW )
2ao
Esta ecuacin presenta dos resultados intere-
santes: primero, la capacitancia de una unin p-n
no es constante y disminuye conforme la polari-
zacin de la unin en inversa aumenta y, segun-
do, permite contar con un modo experimental de
medir la diferencia de las funciones de trabajo de
la unin (V~), midiendo la capacitancia de la
unin p-n como funcin del voltaje inverso. En
directa no es usual, ya que la corriente que circula
por la unin la puede destruir.
(1II.14)
 Estructuras electrnicas bsicas
1/C2
v c) Este proceso se debe a la generacin de pares
Inversa
Figura In.1 5 . Curva de capacitancia de la unin p-n
como funcin de la polarizacin.
Ruptura de la unin p-n
Los principales mecanismos de ruptura en la
unin p-n son los siguientes:
a) Ruptura trmica (inestabilidad trmica).
bJ Ruptura tnel (Zenner).
e) Ruptura por avalancha.
a) En semiconductores con ancho de banda
pequeo, como el germanio, la corriente inversa
puede llegar a calentar la unin. Esto ocasiona
que la corriente de equilibrio sea mayor, lo que
produce un posterior calentamiento de la unin
y as sucesivamente. De tal manera que se forma
un ciclo, aumento de la temperatura = aumento
de la corriente. Si no se controla la temperatura,
este proceso puede ser destructivo. La corriente
en directa o inversa puede destruir a la unin por
el efecto trmico de Joule.
b) En uniones p-n altamente impurificadas
puede presentarse este mecanismo, que no es
destructivo, al menos no en la unit-n, ya que las
transiciones son a energa constante. Los electro-
nes del semiconductor tipo p por efecto tnel
pasan a la zona desrtica y aparecen en el semi-
conductor tipo n.
Una imagen anloga se obtiene al pensar en
un sistema formado por dos cajas de potencial
separadas por un barrera de ancho W y altura H;
el proceso es ms probable cuando W y H son
pequeos. Como W es funcin de la cantidad de
portadores, si esta cantidad aumenta W se hace
ms pequea y es probable el efecto tnel. La
muestra no se calienta y puede suceder en directa
yen inversa.
Si el voltaje de ruptura en inversa es menor a
4Et / q, entonces el proceso de ruptura es por
tnel.
electrn-hueco por impacto ionizante. Los par-
metros necesarios para que ocurra son un alto
campo elctrico interno y una pequea energa
de ionizacin de los tomos para obtener pares
electrn-hueco.
De tal manera, el primer electrn se multiplica
y esto produce un aumento abrupto en la co-
rriente elctrica.
. ........... C/..
- .
p
,Vo I / 0_
+-. 0-+
"
Figura 111.16. Proceso de multiplicacin
de portadores por avalancha.
Tran sitorios en la unin p-n
Veamos qu sucede con la concentracin de por-
tadores al conmutar rpidamente la conduccin
en directa a la conduccin en inversa. Este co-
mentario cualitativo se sustenta en la solucin
de la ecuacin de continuidad sin ignorar la
dependencia en relacin con el tiempo, como se
hizo en el anlisis del estado estable.
Se obtendra la siguiente grfica si se dibuja la
corriente elctrica contra el tiempo, al cambiar
rpidamente la polarizacin de directa a inversa.
Cabe notar que todo sistema capacitivo tiene
almacenamiento de carga y, de acuerdo con la
resistividad del circuito, presenta transitorios. Lo
83
 Electrllica fsica

Electrones La densidad de elec trones

inyec tedos Impuesta por la pOI8/"I:I:acion

\
en directa se alcanza con ayuda de la
corriente del tran sitorio

;/ e e : e e e
--~~~ e e e
,
r - - -----Er"
Ef _______ ~
,
~,-----
888
------- '-j-_8_
8_8_ E,
E"
e e e E,

E,
e e e e Cofrlente del transi torio
~ _ ___ ___ EF
---"-----'-----'+---i' r :\: Huecos

Inyectados
Direc ta Invers a
en d irecta

Figura 111.17. El transitorio se forma al conmutar de directa a inversa por los minoritarios
que antes de recombinar prefieren regresar al semicondu c tor de donde p r ovenlan .

que planteamos aqu es adicional y nico en los
dispositivos semiconductores, que basan su fun -
cionamiento en la difusin de los portadores
minoritarios.
_ (Directa)
Figura 111.18. El aumento de corrien te en Inversa se
debe en g ran parte a los p ortador es m inorita rios.
censo de los portadores), como las que provocan
la corrien te de recombinacin en la zona d esrti-
ca, entonces los transitorios sern menos impor-
tantes.
Si tenemos en cuenta este parmetro, se puede
hacer la siguiente clasificacin:
Los diodos de Si normales pueden conmutar
de directa a inversa en 50 ns.
Los diodos rpidos de Si (con centros d e re-
combinacin) pueden conmutar de directa a in-
versa de 1 a 5 ns.
Los diodos GaAs (por tener tiempo de vida
muy corto) pueden conmutar de di recta a inver-
sa en 0.1 ns o menos.
Las uniones metal-semiconductor (cuando
cond ucen por mayoritarios) pueden conmutar
en tiempos aun menores.

Este transitorio se debe a que algunos de los

portadores minoritarios que se inyectaron y que
.se encuentran cerca de la zona desrtica tienden
a regresa r al lugar de donde partieron (regin n),
por el enorme gradiente que tienen ahora (este
gradiente se tiene por la nueva polarizacin), y
la corriente transitoria dura todo el tiempo que
tarden en desaparecer estos portadores.
Si en el semiconductor existe una gran canti-
dad de trampas (niveles que favorezcan el des-
CONTACTOS HMICOS y RECrrFICANTES
Esta seccin trata de la formacin de efectos
hmicos (comportamiento lineal entre voltaje y
corriente) y rectificantes (comportamiento no
lineal entre voltaje y corriente), al unir un metal
y un sem iconductor. Es claro que la unin d edos
metales usualmente no causa problemas elctri-
cos especiales, e~cepto en los casos de formacin

84
 Estructuras electr6nicas bsicas

Nivel de vaclo Nivel de vac lo

'l. 'l.
,;. '"
'l.
E, _+___. . 1 _ " -t-----L--
E,

Er __
E, _ _ _ _ _ __ E, _ __ _ _ __
Metal Semiconductor Metal Semiconductor

,-

- -- - - - - - - - - - - - - - - -- -- Er

--------E,
Metal Semiconductor Metal Semiconductor

p p

x
Figura 111.19. Diagramas de energra potencial e lec trosttica antes y despus de la formacin
de la uni n y diag rama de re sis tividad a lo largo de la unin . Primeros dos casos.

de termopares o cuando se intentan medir sea-
les extremadamente d biles, donde la conexin
entre los alambres se vuelve un asunto de espe-
cial cuidado. El caso de la uni n de d os semicon-
ductores fu e descrito en la seccin anterior. El
estudio de la uni n entre un metal y un se micon-
ductor es de gran importa ncia, ya que permite
entender cmo se realizan los accesos elctricos
a 105 semi cond ucto res, ad ems de ser la parte
esencial en los dispositivos u ltra rrpidos ll ama-
d os M ESFET (transistor de efecto de campo por
medio d e la estruc tura meta l-semicond uctor).
Los metales se ca racterizan de manera energ-
tica con el conoc imiento de la funcin trabajo
ql~,. sta es una constante y difcilmente se modi-
fica en virtud de la gra n cantid ad d e electrones

85
 Eleelrf/iea fsica
que tienen los metales, mientras que lossemicon-
ductores se caracterizan por la afin idad electr-
nica X, una constan te que no se modifica ya que
est definida por distancias en tre las bandas de
energa. En los semiconduc tores es posible vi-
sualizar la (uncin trabajo 'P..., pero es una varia-
ble, ya que la cantidad de electrones puede variar
localmente.
Al hacer la unin metal-semiconductor se pro-
ducen los mismos fenmenos que durante la
unin P-I1, slo que aqu, para identificar de qu
material fluyen los electrones, necesitamoscono-
cer la relacin entre la s funciones de trabajoantes
de hacer la unin, si reco rdamos en la unin P-1I
dio origen a V ..
El sis tema de la unin entre un metal y un
semiconductor puede formarse mediante la si-
guiente combinacin de materiales:
a) ({:I", > <p", (semiconductor tipo 11): dar lugar a
una unin rectifican te.
b) 'P... < 'P", (semiconductor tipo p): dar lugar a
una unin rectificante.
c) <p", < ({:I... (semiconductor tipo n): dar lugar a
una unin hmica.
d) <p", > ({:loe (semiconductor tipo p): dar lugar a
una unin hmica.
Los valores de la funcin trabajo para algunos
materiales metlicos son: platino q<p", = 5.8 eV,
oro qq>", =5.2 eV, cromo q<p", =4.6 eV, aluminio
q<p", = 4.1 eVo La afinidad electrn ica para el si li-
cio qX = 4.05 eV; por 10 tanto, puede producir,
con el cambio en la cantidad de impurezas, valo-
res de la funcin trabajo en el siguiente intervalo
q~. = 4.05 eV (Si n') hasta 5.20 eV (Si p').
Diagramas de energa en los eOlllactos
rectificalltes
De los diagramas de la figura 1ll.19 es posible
concluir que las estructuras presentan un efecto
no lineal entre el voltaje y la corriente, ya que las
curvas de resistividad se parecen a las de la
unin P - /1. Las simili tudes con la unin p-11 son
limitadas. El an lisis electrosttico es vlido, su-
poniendo sola mente que el metal es un semicon-
86
ductor muy impurificado, de tal manera que la
zona desrtica existe slo en el semiconductor,
al igual que la densidad de carga, el campo
elctrico y la energa potencial electrosttica. Y
ms an, las expresiones son iguales eliminando
las impurezas que corresponden al metal; por
ejemplo:
x2(m _ se) '" lm W 2 (p - 11) (111.1 6)
N . ...
M
La estructura rectificante formada por un me-
tal y un semiconductor con la s caractersticas
({:1m> <Po< (semiconductor tipo 11), al hacer el anli-
sis electrosttico, dara:
2 V~ 2a;,
x~(m - se) '" - N
-- (111.1 7)
q D
La diferencia esencial entre la unin p-" y la
unin metal-semiconductor es que la conduc-
cin se lleva a cabo por portadores mayoritarios
(a diferencia de la unin p-n, en que la conduc-
cin es por minoritarios). Veamos cual itativa-
mente el mecanismo de transporte en una unin
rectificante de este tipo:
N ivel de
1"'-_______
Metal Semiconductor
"
Figura 111.20. Diagrama de energla potenc ial
electrosttica de una unin metal-semiconductor
rectlficante.
Al polarizar el sistema, la gran resistividad de
la unin provoca que toda la cada de potencial
sea en la unin; esto no modifica el valor de ({:lB"'
que est definido por dos constantes, la funcin
trabajo del metal y la afinidad electrnica del
semiconductor {:lB" = <l", - X) Al no cambiar esta
 Estructllras electrnicas bdsicas
barrera de potencial, los electrones que van del
metal al semiconductor no cambian con la pola-
rizacin. La barrera de energa que perciben los
electrones del semiconductor y quieren pasar al
metal en equilibrio es E, (E, = qq>", - q<p.,,), que
E, -qvo
,v,
Figura 111.21. Efecto de la polarizacin sobre la unin metal-semiconductor rectificante.
Con la ayuda de los diagramas anteriores es
posible concluir que, en equilibrio, la corriente
que circula del metal al semiconductor (que no
se ha dicho cmo calcular, pero se ver que no es
importante) es igual a la corriente que circula del
semiconductor al metal y es proporcional a:
exp - fo)
l(Vo = O) 0011"0
[ kT
Al polarizar en directa, la cantidad de electro-
nes que pasan del metal al semiconductor no se
modifica ya que <Ps" no cambia, y la cantidad de
electrones que pasan del semiconductor al metal
aumenta conforme se aumenta el voltaje.
( fo) (qV
l(Vo) 00 " ..0 kT,)
exp - kT exp
Al polarizar en inversa, la corriente del meta l
al semiconductor contina siendo una constante,
mientras que la del semiconductor al meta l ha
disminuido con el potencial. De tal manera que,
aumenta al polarizar la unin en inversa (voltaje
negativo en el metal respecto al semiconductor)
y disminuye al polarizar la unin en directa,
E", -qV o.
E,-qVo
r,
--...'--------
al menos cualitativamente, la relacin V versus 1
se comporta como en la unin p-II.
(111.20)
La densidad de corriente de sa turacin Jode
pende de par metros como la corriente que cir-
(111.18)
cu la del metal al se miconductor, que en general
es mucho mayor que la corriente d e sa turaci n
de la unin p-n, llamada corri en te termoin ica.
Este parmetro es conocido a partir del estudio
de las vlvulas termoinicas, ya que el proce-
so de pasa r un electrn del metal al vaco es si-
milar al paso hacia un semiconduc tor:
(111.1 9)
- o, ( q<p.,,)., A - __
101"' ) - A T exp - kT
0 4rrq",",Ok'
_
_(111. 21)
donde A'+ es la constante efectiva de Richard son
(el trmino se refiere a la masa efectiva de los
e lectrones en e l slido), h es la constante de
Planck y k es la constante d e Boltzmann.
87
 Electr6nica fsica

Nivel de vaclo Nivel de v8clo

... ,..
, .. Ec -+-----'--

E,--- -------------
E,------- E, Ey - - - - - - - -

Metal SemlconductOl' Metal SemlconductOl'

,-
,-
. ; . - - - - - Ec
--------- - - - - - -- E, ----------------- ~
" - - -- - - - E,

___- - - - - - E,

Metal Semiconductor Metal Semiconductor

p p

x x
Figura 111.22. Diagramas de energla potencial electrosttica antes y despus de fo rmar la unin
entre el metal y el semiconduc to r Que establecen contac tos 6hmicos de acuerd o con el diagrama
de resistividad contra posicin. stos son los ltimos dos casos.

En este dispositivo tambin existe la capaci-
tancia de unin, procesos de ruptura, efectos
de componentes parsitos, etc. La diferencia ms
interesante consiste en que los transitorios en
esta estructura disminu yen en forma conside-
rable, puesto que al conducir por portadores
mayoritarios no existe difusin (caso ideal) y por
lo tanto al conmutar rpidamente de directa a
inversa no ex isten portadores que puedan regre-
sar y formar el transitorio. Una vez que todos los
electrones llegan al meta l ya no pueden regresa r
por difusin: por el abismo qq>B" nicamente pue-
den pasar d el metal al semiconductor por emi-
sin termoinica.
Diagramas de energa en los cOlltactos lmlicos
La figura IU.22 ilustra la formacin de contactos
hmicos al unir un metal y un semiconductor.
La diferencia d e funciones trabajo d esplaza elec-
trones de tal manera que destruye la barrera de
energa y los electrones o huecos pueden pasar
libremente por la unin.

88
 Estructuras electrnicas bsicas

CAPAC ITO R METAL-X IOO-SEMICONDUCTOR quiz va lga la pe na resumir en un cuadro las

principa les divisiones en los dispositivos elec-
Si bien este tema tiene como nica fin alid ad dar trnicos.
una introduccin a la fsica de la estructura MOS,

Diodo de unin (Yaristor, Varactor, rectificador, etctera)

Bipolares Transistor bipolar (PNP, NPN, Transistor de electrones energticos, etctera)

{ Trristor (SCAR, OIAC, TRlAC, UJT, SUS, PLIT, SBS, etctera)

Si-) FET
Contactos
metal-semiconductor )FET
{ GaAs-)FET
Capacitar MIS Y CCO
Unipolares
Si- MESFET
NMOS
Familias FET GaAs-MESFET
MESFET PMOS
{ Heteroestructuras
CMOS

HMOS
Si-MOSFET
MOSFET DMOS
{ GaAs-MOSFET
VMOS

sos
SOl

Algunos de los acrnimos y nombres em plea-
dos se d escriben a continuacin:
Varistor (Variab le -res istor) . Dispositi vo de
dos terminales con comportamiento no h-
mico.
Varactor (Variable-renctor). Dispositivo d e
d os terminales en el que la r~actancia puede
ser controlada por el voltaje. Es el caso de la
variacin de la capacitancia con el voltaje.
Transistor de electrones energticos (Hot-
Electron Transistor). Se llama electrn ca-
liente al electrn que tiene una energa kT
mayor que el ni vel de Fermi. Los primeros
transistores que fun cionaron con estos elec-
trones que no estn en equilibrio con la red
son los M IMIM (Meta l-Insulator-Meta l-Insu-
Jator- Meta l) y los m s recientes son los lla-
mados transistores ba lsticos.
Tiristor. Es e l nombre genrico que se da a
los dispositivos de m s de tres ca pas (los
transis tores bipola res slo tienen tres).
SCR (Semiconductor-Controlled-Rectifier).
DIAC (Diode AC switch). Es un SCR bidirec-
ciona l.
TRIAC (Triode AC sw itch ). Es un SCR bidirec-
cional.
UJT (U niJunction-Transisto r). Es un dispo-
sitivo que puede conmu tar un estado de
alta impedancia O FF, a otro de baja impedan-
ciaoN.

89
 Elecfrllicn fsica
PlJI" (Programable- Unijunction-Transistor).
Ms vers til que e l Uff, pe ro estructural-
mente s imi lar al SCR, slo cambiando la co-
nexin de compuerta .
sus (Silicon-Unila teral-Switch). Funcin simi-
lar al PUT, pero estructuralmente diferente.
SBS (Silicon-Bi latera l-Switch). Corresponde a
dos sus conectados y funciona como un TRlAC.
MIS (Me ta l-Insulated -Semiconductor). Si-
glas generales de todos los dispositivos que
emplean aislantes. MOS es un caso particula r
donde el a islante es un xido. En genera l,
las famil ias unipolares en Europa se llama n
de efecto de ca mpo y poco a poco ha ido
predominando ese nombre.
JFET Ounction Field Effect Transistor). Bsi-
camente consiste en una resistencia contro-
lada por voltaje y equivale a con trolar la
cant id ad de portadores por med io de una
zona desrtica.
MESFET (Meta l-Semiconductor Field Effect
Transistor). Bsicamente es igual al ante-
rior, slo qu e ahora la zona desrtica se
forma con una unin metal-semiconductor.
En el caso anterior es por la un in P - Il.
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor- Field-
Effect-Transistor). Hay qu ien le llama err-
neamente IGFET (Insulated-Gate Field Effect
Transistor) O MOST (Metal-Ox ide-Sem icon-
ductor Transis tor). El principio fsico es la
varia cin de la cantid ad de portadores su-
perficiales por el efecto del campo elctrico.
H oy por hoyes el dispositivo ms impor-
tante en V1SL
N-Moses un MosFET de ca nal tipo 11. Se refiere
al tipo de portadores que forman el cana l
para conectar la condu ctividad entre S
(Source) y O (Drain ). El sustrato es tipo p.
poMOS es un MOSFET de cana l tipo P y el sus-
trato es tipo H .
C-MOS (MOS complementario). Es una tecno-
loga en la que d os transistores, uno de
canal n y otro de cana l p, se acoplan en un
dispositivo.
t-IMOS (High-perfomance-Mos). Es un tran-
sistor en el que, por medio d e la tecnologa,
se logra con trola r el voltaje de encendido,
im purifica ndo desigua lmente el sustra to.
90
DMOS (Double-d ifussed-Mos). Por medio d e
la tecnol oga se controla la longitud del
cana l; pueden alcanza rse longitudes muy
cortas.
vMos(Vertical o V-shaped-groved-Mos). Es-
tructura geomtrica del transistor que pue-
de manejar alta corriente.
SOl (Silicon-On-Insu la ted). Tecnologa que
reduce capacitancias parsitas.
SOS (Silicon-On-Shapphire). Tecnologa que
reduce capacitancias parsitas.
FAMOS (Floa ting-gate-A va lanche-Injection-
MOS). Disposit ivo empleado en la construc-
cin de memor ias electrnicas ROM que se
g raban emplea ndo un voltaje relativamente
alto, para forza r el efecto tne l de los e lec-
trones sobre el x ido de sili cio; se pueden
borrar con luz ul trav iole ta, ya que sta per-
mite relajar la carga acumu lada durante el
grabado al aumentar la con ducti vid ad del
xid o de silicio .
Diagrnma de energa del cnpacitor MOS
Las caracters ti cas e lctricas del grupo de di spo-
sitivos que ms importancia comercial tiene en-
tre los d ispositivos electrnicos se pueden enten-
der a travs del estu dio d el capacitor MOS ideal.
La estru ctura fsica del dispositivo se muestra en
la figura I1L23 y consta de un metal y un semi-
conductor separados por un ais la nte. Si la dis-
tancia en tre el semiconductor y e l meta l es del
orden de 500 A, las propiedades de la interfaz
entre el semiconductor y el metal son de muy
alta ca lidad, si n impe rfecciones o impurezas, y
el semiconductor tiene una pequea densidad
de impurezas de l ord en de 1014 a 1018 cm-3. En-
tonces, por efecto de la polarizacin entre el
metal y el semi condu ctor, se puede modificar la
cond uctividad cerca de la superficie del semi-
conductor con el aisla nte, dando lugar a l lIama-
do efecto de campo. Este efec to tiene una gra n
ca ntidad de aplicaciones en la actualidad, como
los ca pacitares, que cambian su ca pacitancia con
la po la ri zac in y la frecuencia. Varios de estos
elementos puestos en paralelo, muy cerca un o
de otro, forma n un dispositivo que transfie re
 Es/rile/liras electrnicas bsicas
carga (cco, Charge-Coupled Devices) y se em-
plea com o sensor de imgenes, procesos de se-
ales y operaciones lgicas. El efecto es tambi n
e mp leado en el funcionamiento d el MOSI'ET, don-
Figura 111.23. Estructura I lslca d el cap aci tor
El capaci torMos tiene varias diferenc ias respec-
to a las estructuras tra tada s hasta este momento:
por un lado no existe transporte de carga elctrica
en el capaci ta r y, por lo tanto, no hay necesidad de
considerar seudoniveles de Fe rm i. Adems, todo
el potencia l aplicado apa rece entre las superficies
del xido. Si el campo elctrico en el xido es muy
elevado, 7 x 106 Ycm-I , el dielctrico conduce des-
truyendoal dispositivo. El transporte de carga para
alcanzar el equilib rio termodinmico (al eli minar
la diferencia de la funcin trabajo del metal y el
semiconductor I <pI - <p,..1 ), se alcanza nicamente
por medio de alguna conexin externa entre el me-
tal y el semico nducto r, que f cilmente se consigue
mientras se estn fabricando losd ispositi - vos. Des-
de el punto de vista de la descripcin del funci o-
namiento del capacitar, es ind iferente cul es el
origen de la diferencia de potencia l entre el meta l
y el semiconductor, puede ser un potencial exter-
no, la diferencia de fu ncin trabajo re los ma teria-
les o cargas internas en el ais lante. De hecho,
a l calcu lar e l voltaje de encendido del tran sis-
tor MOSFET todas estas contr ibu ciones estn in-
cluidas.
El par metro que ahora detennina el funciona-
miento del dispositivo es el efecto de campo que
se caracteri za por 'V; q'V es la energa que sepa ra el
mnimo de la banda de conduccin en equilibrio
de el capacitar MOS forma la compue rta del tran-
sistor que con trola la conducti vidad entre los
e lectrodos de fuente y drenaje.
Metal
A islante
....- - - - ' , - - - - Semiconductor
MOS.
(sin efecto de campo) y el m nim o de la banda de
conduccin cuando ex iste efecto de ca mpo. El va-
lor m xi mo es q'V. y m ide la diferencia de energa
entre e l mnimo de la banda de conduccin lejos
de la interfa z con el aislante y el mnimo de la ban-
da de conduccin en la interfaz (como la s bandas
son pa ralelas, es ig ualmente correcto usar como
referencia el mximo de la banda de va lencia o el
centro del in tervalo de energa prohibida, el nivel
de Fermi int rnseco Er,).
En gene ra l, el voltaje aplicado a la compue rta
sumado o res tado al potencia l interno del capa-
cita r ( diferenc i~ de la s funciones trabajo, ca rgas
interna s, e tc.), se muestra en pa rte en el xido
(defin id o por su ca pacitanc i<1); el resto se emplea
en e l se m iconducto r pa ra el efec lo de ca mpo \V,.
Ms ade l<1 nte se expresar exp lcita men te la re-
la cin en tre el vo ltaje ap licado y 'V .
Existen vari as co ndiciones impuesta s por e l
cam po elctrico interno que definen las caracte-
rsticas de la supe rfici e del semicondu ctor en e l
capac itor:
1) Lil (/CI/l l llllaciII de portadores ma yor itilfios
en la superficie de l semiconductor y d el aislante.
El voltaje aplicildo, la diferencia de fun ciones
trabajo y la s cargas interna s son ta les que \ji, es
menor que Den un sem icon ductor tipo p, y es ma-
yo r que Oen un se m ico ndu ctor tipo 11.
91
 Electrnica fsica

_,,_ - - - - - - - En
EF

f, f,
f,

MOS con semiconductor tipo 11 MOS con semiconductor tipo p

en acumulacin, q \ji <: O en acumulaclOn, /f \ji > O
y por lo tanto \ji > O. Y por lo tanto ... <: O.

Figura 111.24. Representacl6n graflca de la condlcl6n de acumulacin de portadores.

2) La condicin de banda plana es aquella en la aplicado y las otras condiciones son tales que
que no existe campo elctrico interno; el voltaje ",, =0.

'--------fc
f - - - - - - - - - - f, 1 - - - - - - - - - - fe
- - - - - - - - - - - - - - - - EF

---------------- EF

f----------f, f - - - - - - - - - - f,
1--________ f,

La condicin de banda plana en un capacltor M06

presenta las bandas de energfa sin cambios.
No existe efecto de campo.

Figura 111.25. Representacl6n grafica de la condicin de banda plana.

3) La condicin de formacin de ZOlla desrtica 'IIB en un semiconductor tipo p y 'V'. es igual a

se consigue cuando el campo elctrico interno
producido por el voltaje aplicado y las otras
condiciones disminuyen la conductividad del
semiconductor a niveles cercanos a la del semi-
conductor intrnseco, 'V'. es mayor que Opero me-
nor que 'V'Bpara un semiconductor tipo p, y 'V. es
menor que Opero mayor que - 'IIB para un semi-
conductor tipo 11.
4) La condicin de inversin de la poblacin se
tiene cuando el ca mpo elctrico interno modifica
la poblacin de portadores de carga de tal mane-
ra que existen ms portadores minoritarios que
la densidad de portadores intrnsecos en la su-
perficie, esto se consigue cuando 'V. es igual a
- 'V'Ben un semiconductor tipo n (figura 111.26)
5) La condicin de fuerte nivel de inversin se
consigue cuando el campo elctrico interno es tal
que la densidad de portadores minoritarios es
mayor o igual que la densidad de portadores
mayoritarios. sta es la condicin necesa ria para
el inicio de la conduccin en un transistor MOSFET.
Al voltaje necesario para tener esta condicin se
le llama de encendido VT (tIlfesllOld). Se consigue
cuando 'V'. es mayor o igual que 2'11s en un semi-
conductor tipo p y 'V. menor o igual que - 2'Vs en
un semiconductor tipo 11.
En las definiciones anteriores se emple la
constante 'V6 para identificar el estado de carga

92
 Estmcturfls electrnicas bsicas

superficial. Esto es posible porque ql.ls es la ener- ~, = k;ln(~:1 (111.22)

ga entre e l nivel de Fenni y el nivel de Fermi
intr[nseco. Analticamente, con la ecuacin para
e l clcu lo de la densidad de portadores se obtiene
la ecuacin:
donde N s es la densidad de impurezas donado-
ras N o en un semicond uctor tipo 11, o la densidad
de impurezas aceptadoras NA en un semicon
ductor tipo p.

I \liS I > 2 \liS 1

f,
----------------- Er
f,

f,

MQS con semiconductor tipo n MQS con semiconductor tipo p

en fu erte Inversin, CN< > O en fuerte Inversin, <NI <: O
Y por lo tanto \11 <: O. y por lo tanlo \11 ,. O.

Figura 111 .26 . Diagrama de energla polenclal electrosttica en el semiconductor

de un MOS en condicin de fuerte Inversin.

Nivel de vado
Carga superficial

q q / ---- -- fe

fe
q 1_----
-r---1L-J-:-~-_-_-_-_-_ ~ -_ ~~~ ~
- f,
__- - - - ----- f,
E,
Er _______ _ __ __

f, _ _ _ _ __

Metal Semiconductor
'5emiconductor Aislante

A islante

Figura 111.27 . Diagrama de energla potencial electrosttica

para un capacitor MOS antes y despuS de la uniOn.

93
 Electrnica fsica

En el diagrama de la figura I1I.27 se puede ver determina el funcionamiento de los diferentes

que los electrones pasan del metal al semicon-
ductor para llegar al equilibrio (por alguna tra-
yectoria externa), y como 'VI es positivo y mayor
que 'Vs, la superficie se encuentra en inversin de
poblacin.
La identificacin del origen de la carga super-
ficial es muy importante, ya que no cualquier
tipo de carga es igualmente til en los dispositi-
vos. De hecho, el control de la diferente carga
superficial a travs del campo elctrico es lo que
dispositivos.
Los siguientes diagramas de energa y diagra-
mas de carga para un capacitar Mas formado con un
semiconductor tipo p como el de la figura anterior
pueden ayudar a su visualizacin. Ntese que la va-
riacin del estado de carga se consigue con la pola-
rizacin externa, pero tambin es funcin de la dife-
rencia de funciones de trabajo entre el metal y el
semiconductor yotros parmetros no considerados,
como las cargas internas en el xido.

.
f--------- Ec I'----~ _ ____E~C

-- ------t -----
....... __ .... __ . ~
E, q\jl.
,- '.

< ________
..
-------- -- ------
.L_~ E,

I V,H I
I V,(--- ) I
-

Metal
i
A islante
SemlconductOf Metal
i
Alalante
SemlconductOf

Huecos
Sin carga acumulados
elctrica

Sin carga Electrones

elctrica en el metal

Condicin de banda plena Acumulacin

Figura 111.26. Diagrama de energla y dlstribuclOn de carga en condiclOn de banda plana (es necesario
aplicar un potencial externo negativo) y acumulacin (es necesariO un potencial externo an ms negativo,
ya que es un semiconductor tipo p y It'.. < ~.)

Un resumen de las condiciones que se produ- relacin con el potencial superficial 'V. El dispo-
cen por el campo elctrico y la carga superficial sitivo tiene caractersticas similares al que se ha
asociada se puede ilustrar en el siguiente diagra- estado analizando; silicio tipo p con 4 x 1015 im -
ma que muestra la carga superficial I Q, I en purezas aceptoras a 300 K (figura III.30l_

94
 ~~-----fe fe

, ..... ----q~;f----
f,
I
*--=f:::::J.----f: ------- j - - - ~
EF
-- ----f ---. f,

(------~~ --~
~ f,
f,

I V,H I
Metal ~
A1arante
Semiconductor

t Semiconductor
A larante

Carga posltlv. Carga positiva

Inducida Inducida lon8s
en al metal en el metal negativos

/
Ion
negativos
Ele ctrones

Condicin de zona desrtica Fuerte Inversin"'-------

Figura 111.29. Diagrama de energl. y distribucin de carga en condicin de fo rma cin de zona desrtica
(es necesario aplicar un p otencial externo negativo) y luerte Invarsln (es necesario un potencial externo
positivo. El dispositiv o 8S el mis mo que el de la Ilgura anterior).

Electrones

lon.a negatIvos
--'r-- ""-- -- --- --- Figura 111.30. Carga superf icial
en un capacltor MOS como funcin
del potencial superllclalw..
2

~.4 ~. 2 O 02 O., O., 0.8 1.0 \jI. IV]

+--+
J 4----+

~
Fuer te InverslOn
Acumulocl""
D'blllnversl6n
Banda plana Zona desertica

95
 Electrnica fs ica
Esta va riacin d e la carga elctrica en la zona
del sem iconductor cercana al aislante, por el
efecto de campo que se produce a l polariza r la
estructura, es lo que produce un comportamien-
to de capac ito r modulado po r voltaje, donde la
estructura MOS puede modelarse de la sig uiente
manera:
Metal
'>. ""
AISlante',--.l~==+===l_--,
Semiconductor
Figur a 111.3 1. Modelo capacitivo de un MaS.
El capacitor del xido es una constante y depen-
de nicamente del espesor del xido. El capacitor
del semiconductor puede calcularse con base en
la pendiente de la grfica de la carga superficial
I Q, I versus el potencial superficial 'V,.
c/c; Bajas fre cuencias ( 10 Hll:)
Frecue ncias
elev adas ( 1000Hz)
Inver sin pro funda
-<lA o 0.4 0.8 \V, [V)
Figura 111.32. Variacin de la capacilancia en un M aS
como funcin de la polarizaci n y d e la fre cuencia
Exp licar el comportamiento d e la curva ante-
ri or es relativamente fci l: en la regin deacumu-
la cin (voltajes superficiales nega ti vos, \lis < O), al
cambia r el potencia l ca mbia la canlidad de por-
lad ores tan rpidamente como el potencial, ya
que s lo cambia la cantidad de po rtadores ma-
yorita ri os qu e se pueden agrupa r fc ilmente en
su superficie. La capacitancia total es nicamente
la del x id o.
Para vo ltajes superficiales positi vos, lo que se
96
tiene en la superficie del semiconductor son io-
nes, y si se da suficiente tiempo al sem iconductor
se pued en generar los portadores mino ritarios.
La ca pacitancia mide la rapidez de cambio en la
carga e lctrica, los portadores minorita rios pue-
den variar por recombinacin y generacin, as
que la capacitancia en esta zona depende de la
frecuencia. Los portadores deben ser generados
o recombinad os para aumentar o disminuir. A
baja frecuencia, los portadores pueden seguir la
variacin d el potencial y la capacitancia es nue-
va mente la del xido. Si la frecuencia es mayor,
los portadores minoritarios no pueden cambiar
tan rpidamente y la capacitancia esta r deter-
minada por los dos capacitores en serie. El capa-
citor d el semiconductor medir la m odulacin
de la zona desrtica. La zona indicada como
inversin profunda se produce cuando el voltaje
de polarizacin (no el que mide la ca pacitancia,
que es muy pequeo) cambia rpidamente pro-
duci endo una zona des rti ca especialmente
grande, ya que es ms fcil descubrir ms iones
que generar portadores minoritarios. Esta zona
es inestable y la capacitancia rpidamente toma
el valor de la capacitancia a la frecuencia de
medicin.
La relacin entre el voltaje aplicado V y el vol-
taje superficial \lis es la siguiente:
donde <P" .. es la dife rencia de funci ones-t rabajo
entre el metal y el semicondu ctor. Si este nmero
es positi vo, provoca un corrimien to de la curva
de capacita ncia hacia la derecha. Para un se mi-
conductor tipo p se usa el signo posit ivo, para
un tipo JI el nega tivo. V, es la cada de potencia l
en el xid o y depende d e la capacita ncia en el
xido C. y de la carga superfi cial Qs. Qa son la s
ca rgas positivas fijas de l x ido.
La ca ntidad de carga en el xido es un par-
metro difcil de conocer para cua lquier condi-
cin de polarizacin. En fuert e inversin, la que
indi ca el voltaje de encendido de un MOSFET, se
 Estructuras electrnicas bsicas

tienen las siguientes expresiones para 'Vs, Y para Ecuaciones de transporte

VIOQS:
Las relaciones de transporte en este dispositivo
o/s = 2Ws se pueden obtener, de manera similar a la unin
p-n, con base en la hiptesis de que las ecuacio-
V _ v2f.sEoN ... (2We) nes de continuidad son vlidas.
- el (1II.24)

d onde se supone que la carga en el semiconduc-

tor est formada por los iones de zona desr-
tica. Adems, se han e mplead o las ecuaciones
de la zona desrtica obtenidas al estudiar la all,. 11, - "ra aE all, iJ'l1l,
- + 1l,Jl~-
a + ~ .. E-a + D"a- 2 (I1I.25)
unin p-n. a, = G H - - -
't" x X x

Al igual que las ecuaciones de la densidad de

TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJn
El transistor (transfer resistor) bipolar de unin
es un dispositivo construid o a l unir en serie
tres semiconductores de diferente cond uctividad
n-p-n o p-n-p, que toman el nombre de emisor,
base y colector. Por condiciones tecnolgicas de
fabricac in, e l dispositivo no es simtrico y no
puede intercambiarse el emisor por el colector,
ya que las caractersticas de funcio namiento son
diferentes. La operacin normal del dispositivo
se consigue al polarizar la unin emisor-base en
directa y la unin base-colector en inversa. La
estructura de un transistor p-n-p ideal se presen-
ta en la figura 1Il.33:
No -N...
p N
corriente:
JI' = qll,.pE - qD, Vp
(111.26)
Las simplificaciones son las mismas que en la
un in p-n. Las dos uniones son uniones p-n idea-
les: se ev ita la recombinacin supe rficia l. no exis-
te resistencia en serie y se impone un bajo nivel
de inyeccin. El diagrama de energa de la estruc-
tura se muestra en la figura 11134.
En este dispositivo, la densidad de portadores
mayoritarios no cambia. El control del transporte
es real izado por los portadores minoritarios y las
condiciones de frontera para los portadores mino-
ritarios en el transistor p-n-p son las siguientes:
Para el emisor, definido para toda x desde
-- hasta -x~:
P
n( __ ) = ",o. " ~

-z, z,
. qV,,)
o w ,,(-xC> = 11 ~ exp
[IT (111.27)

w, Colector
Para la base definida desde x = O hasta x = IV ,
se tiene:
B ase
Emisor
qV,,)
Figura 111.33. Estructura simplific ada
p{O)= p,exp
[U
de un transistor P'"-P'

97
 Electrnica fsica

( P

,
l' \ , / ,,
,, ,
,, ,

E \
N
)
p \ J p -Xf o
'"
E,

1\ N
!
TL' Xc
Figura 111.34. Diagrama de energra potencial para un transistor p-"-p e n equilibr io y polari:o:ado.
V[8 es el voltaje de la unin del emisor en directa y Vc s es el voltaje de l a unin del colec tor e n In versa.

QV,,) La obtencin d e estas ecuaciones es bastante

p(w) = Ps exp
(kr (111.28)
fcil, como se puede observar en la segunda ecua-
cin para el emisor. Basta con aplicar la ley de
Para el colector, definido para toda x mayor accin de masas empleando los seudoniveles
que Xc: de Fermi.
Al resolver las ecuaciones d e continuidad em-
pleando las condici ones de frontera correspon-
d ientes y usa ndo la notacin p(O) == pg{O) - P8
para los minoritarios en x = O Y de manera simi-
11(00) = /le (111.29) lar para los otros casos, se obtiene:

/l cCx) =
Xd)
"r+ 811(-X[) exp( -(x +L- ,- para (lIl.30)

_ ["P(w)-"p(Olexp(-f,)] (x) ["P(Wl-"p(OleX P(f,)1 (x)

p,(xl-p,+ (w)
2 senh -
exp--
L8 () exp --L8
2 senh -
IV
(lIl .31)

LB LB
paraw>x>O

(X-Xel)
IrC<x) = /le + II(xcl exp
(-----;- para (lIl.32)

Las densidades de corriente se obtienen de emisor a la base (que se obtiene derivando la

manera similar a la unin p-n. La siguiente des-
cripcin se puede visualizar con la ayuda de las
figuras 111.35 y 111.36. Para la corriente del emisor
se tiene: Ir = I[(BASE) + l r(EMlSOR), donde el primer
trmino representa la inyeccin de huecos del
densidad de portadores en la base en el punto
x = O) Y la segunda es la inyeccin de e lectrones
de la base al emiS0r (se obtiene d erivando la
densidad de portadores en el emisor en e l punto
x = -xc) .

98
 Estructuras electrnicas bsicas

[,(BASE) = Aq~:P, COlhU:)[exp(q:;, )-1 COSh(t)(exp(q:~, )-1)] (1ll.33)

lE (EMISOR) '" Aq~: "E(exp (q~;B )-1) (IH.34)

Para la corriente del colector se tiene que:
le = IC<BASE) + Ic(COLECTOR), donde el primer tr-
mino representa la inyeccin de huecos de la
base al colector (se obtiene derivando la densi-
dad de portadores en la base en el punto x = w)
y la segunda es la inyeccin de electrones del
colector a la base (se obtiene derivando la densi-
dad de portadores en el colector en el punto
x = Xe) .

[ , (BASE) = Aq~:P, senhI(t) (ex p(q:;, )-I-COSh (~)(exp(q:~, )-1)) (111.35)

Ie(COLECfOR)=- - -D, Aq H,( [qv,")

L- , - exp kT""" -1 ) (111.36)

Fina lmente, la corriente de base se obtiene de gen cualitativa que ayuda a tene r una mejor
la d iferencia entre la corriente del emisor y la comprensin del dispositivo.
corriente del colector.

(111.37) Gnnal1cia en corriente

Como el inters en esta seccin es solamente
presentar una introduccin general, la parte res-
tante de este captulo tratar de la ganancia en
corriente del transistor y finalmente de una ima-
Emisor(P)
En el anlisis anterior se identificaron las contri-
buciones a la densidad de corriente en el transis-
toroA continuacin, presentamos un resumen.
Base (N) Colector (P )

-Inyectados de la baS9
h+ Inyectados
del emisor

lE (BASE)
~. ----
h-Inyectados de la bas
...
lE. (EMISOR)
. / '-::::
V ' e (BASE)

m ayoritarios ~ t-
Te (COLEC TOR)
Inyectados
del colector
m inoritarios
Figura 111.35. En la unin E-B la corriente de huecos es muchos rdenes de magnitud mayo r que la corr iente
de electrones, si se disef'ia el transistor correctamente. La corr iente de electrones en la unin B-e se debe
a la corriente de saturacin de la uni n en Inversa. La corriente de base debe ser tan peque f'i a
como sea posible en un buen transistor. Aqul se ha supuesto que no existe recomblna c in en las z o nas
desrticas (reas sombreadas). La unin BE esta en directa y la unin B-e esta en Inversa.
99
 Electrnica fsica

La ganancia en corriente a base comn (X,:, se donde res la eficiencia de emisin, aTes el factor
define de la siguiente manera: d e transporte en la base y M es el factor de mul-
tiplicacin en la unin base-colector.
alE (BASE) ale (BASE) ale De manera similar, la ganancia en corriente a
aIr aI[ (BASE) ale (BASE) emisor comn es:
= yo.,M (1lI.3B)
(IlI.39)

Base ancha (dos diodos encontrados) Base angosta (transistores)

~ ~
+ 1,
Figura 111.36. Las curvas super iores repre senlan la densidad de portadores minoritarios y las curvas Inferiores
la corriente elctrica. Los diagramas de la Izquierda corresponden a dos diodos encon trados
donde la corriente de emisor e s muy parecida a la de base. Los diagramas de la derecha co rresponden
a un transistor, donde la corriente de emisor es muy parecida a la corriente de colector, al estar la unin E-B
en directa y la unin B-e en inversa.

En condiciones normales de operacin, es po- aAJ,(BASE)

sible obtener una expresin simplificada para la
ganancia de un transistor, ya que M es aproxima-
damente igual a uno cuando el voltaje en inversa
de la unin base-colector es menor al voltaje de
ruptura, lo que significa que por cada portador
que se presenta en x = w, el campo elctrico lo
traslada a x = xe. ar tambin se aproxima a la
unidad, siempre y cuando el ancho de la base (w)
sea ms pequeo que la longitud de difusin de
los portadores minoritarios, lo que significa
que los portadores no desaparecen en la base:
por cada portador que es inyectado en x = O,
todos llegan hasta x = w. sta es la esencia del
transistor: las dos uniones p-n d eben estar lo
suficientemente cerca para que exista el efecto
transistor. Con estas cond iciones, la ganancia en
corriente a base comn es aproximadamente
igual a la eficiencia de emisin, que despus de
algunas simplificaciones se puede escribir de la
siguiente manera:
a =y
aAJ,(BASE) ae ""-
tT
(111.40)
La Pes mayor conforme mayor es la cantidad
de impurezas en el emisor No menor la canti-
dad de impurezas en la base Ns Ymenor el ancho
de la base. Queda como ejercicio trabajar las
expresiones para justificar este resultado.
Otro resultado interesante se obtiene cuando
se averigua si la ganancia en corriente es una
constante para cualquier valor de corriente de
colector. A bajos niveles de corriente de colector,
la ganancia en corriente aumenta con la corriente
de colector. Este comportamiento se debe a que
pequeas corrientes de colector son ineficientes
para lograr la inyeccin de portadores, y una

100
 Estructuras electrnicas bsicas
gran parte no produce inyeccin debido a la
recombinacin en la zona desrtica de la unin
base-emisor y a las corrientes de fuga superfjcia ~
les. Con altos niveles de corrientes de colector, la
ln$o)
Esta disminuc in
en la ganancia, se debe
a la baja eficiencia
de Inyecc in a bajos
niveles de polarizac in
de la unin E-a.
Figura 111.37. Oismlnuci n de la ganancia en un SJT a bajo nivel de co rriente de cole c to r por la corri e nte de fu ga,
ya alto n ivel de corriente de colector por el allo nivel de inyeccin.
En resumen, un anlisis cualitativo de las
ecuaciones presentadas es el sig uiente:
El voltaje aplicado controla la densidad de
portadores en la frontera, a travs de los
trminos exp (Vn/ kD y exp (Vcs/k I) .
Las corrientes de emisor y colector estn
Po rtad o re s en la frontera de la
l':o na desrtica de la unin
BASE-COLECTOR. Es mayor que poO
si la unin es polarizada en directa.
y es menor q ue p"" 51 la unin
es polarll':ada en inversa. - -+t---l
p"" densidad de
porta d o res minoritarios --+
en equilibrio en la ba se.
%= 0
Figur a 111.38. El efecto tra nsisto r se ob tien e al modificar la con centracin de portadores m inoritarios en la base.
Los puntos representativos de polarizacin,
como los representad os en las curvas de emisor
comn d e un BIT, modifican la concentracin de
portadores en la base. En la fi g ura I1I.39 se repre-
sentan la saturacin, activa direc ta y el corte o
apagado.
ganancia disminuye conforme aumenta la co-
rriente, debido al aumento en la recombinacin
a altos niveles de inyecc in.
Esta dismin ucin en la
ganan cia se debe al e fe c to
de alto nivel de inyeccin
e n la corriente de colector.
1110< - 1
/
dadas por los g radientes en las densidades
d e los portadores minoritarios en las fron ~
te ras de la base, esto es en x = O Y x = w.
La corriente de base es la diferencia entre las
corrientes de em isor y colector.
%"'v(VCI~ !(I disminuye
cuando V CI aumen ta
en la inve r sa.
Base
Portadores en la frontera de la
zona desrtica de la unin
BASEEMISOR. Es mayor que p...,
si la unin es polarll':ada en directa.
y es menor que p"" si la unin
es polarizada en invers a .
MOSFET
El transistor de efec to de campo controlado por
un capacita r MOS, MOSFET (M e t nl~Ox ide~Se",ico l1 ~
dl/clor Field~Effect~ Trnll s is t or) es el tran sistor de
mayor impo rtancia en la fabri caci n de circui tos
integ rados y reci entem ente en ap li caciones de
potencia. Este d ispositi vo presenta conduccin
101
 Electr6nica fs ica
Saturacin
(ambas uniones en directa)
Activa directa
(V[8 en directa
y VeB en inversa)
~
x=o Apagado
(ambas uniones en Inversa)
Figura 111.39. Cambio en la concentracin
de portadores minor itarios en la base
por las diferentes condiciones de polarizacin.
por portadores de un solo tipo, por lo que los
dispositivos son llamados unipolares. La cons-
truccin fsica de este transistor se muestra en la
figura lIlAO. Un capacitar MOS forma la com-
puerta G y en el semicond uctor se difunden dos
y
L p
, ,
Fgura lil AO. Diagrama flsico de un MOSFET de canal.!.
Para entender los diagramas de energa poten-
cial electros ttica contra posicin es necesario
hacer algunos comen tarios, ya que se ob tendran
diagramas en cuatro dimensiones: x, y, z Y E.
Como esto es imposible de presentar en una
gr fica y adems poco til, intentaremos visua-
lizar las diferentes condiciones por separado.
Si en el transistor se polariza la compuerta de
tal manera que se obtiene la condic in de banda
102
zonas de conductividad diferentes a la del sus-
trato a cada lad o del capaci tar MOS. Una se llama
fuente 5 y la otra se llama drenaje D. Usualmen-
te, el sustrato y la fuente se conectan elctrica-
mente, lo que forma un disposi tivo de tres ter-
minales que no es simtrico en relacin con el
intercambio de los electrodos de fuente y de
drenaje. Si el semiconductor es de tipo p y no
existe condicin d e inversin de la poblacin en
la compuerta cuando no est polarizado, se co-
noce como MOSFET de canal n norma lmente apa-
gado, ya que las zonas tipo n (5 y D) estn
aisladas elctricamen te por las dos zonas desr-
ticas que se forman y no existe conduccin entre
5 y D. Cuando se polariza la compuerta hasta
conseguir un fuerte nivel de inversin, se forma
un canal de electrones que pone en contacto la
fuente y el drenaje, permitiendo el paso de la co-
rriente elctrica.
"
plana y no existe voltaje en el drenaje, entonces
el diagrama de energa potencial es idntico a un
transistor BJT en equilibrio, donde el emisor hace
las bases de la fuente, el colector es el drenaje y
la base es el sustra to.
Cuando el voltaje del drenaje es cero, la com-
puerta se polariza hasta llegar a una fue rte inver-
sin VT El diagrama de energa en la superficie
con el aislante es semejante a un semiconductor
 Estructuras elecfr611icas bsicos

tipo 11 desde el electrodo de fuente hasta el elec-
trod o de drenaje. Alejndose de la superficie con
el aislante el diagrama de energa se parece ms
y ms al caso anterior.
Cuando la compuerta est en cond icin de
banda plana y el drenaje se polariza con un vol-
taje positivo respecto a la fuente, entonces se
tienen dos uniones p-n: la unin de fu en te-sus-
trato est en directa y la unin sustrato-drenaje
est en inversa , as que la corriente de drenaje es
igual a la corriente de saturacin de un diodo en
inversa.
El diagrama de energa potencial electrostti-
ca que se presenta en la siguiente figura es para
el caso en que Ve es mayor que VT y VDes mayor
que cero.

,- El semiconduc tor bajo la compuerta

parece tIp O 11 debido a la fuerte
! :I I

q
Inversin de la poblacin

- -=- -=- xq:-

, f -F4--.,-'--
, 7' VD

Desaparece la Inversin
l - .. de la pobl acin
por la polarizacin
de drenaje.

Figura 111.4 1. Diagrama de energla potencial electrosttica para la superficie del semiconductor
en un transistor MOSFET, cuando Ve es mayor que Vr Y VD es positivo.

El semiconductor que est frente a la com- pacitor MOS, ya que existe una corriente circulan-
puerta es diferente del diagrama clsico del ca- do entre el drenaje y la fuente.

Ee
.____---fe
.... _ ______ E
Fi
.... - - - - - - -Er;
E,
E,
ff--':'-.---
./"+ ____E" E,

VD

Figura 111.42. Diagrama de energla en el semiconductor si tuado frente a la compuerta;

fuerte inverSin de la poblacin en equilibrio y fuera de equilibrio.

En la construccin del diagrama anterior se ECl/nciolles de transporte

hacen las siguientes suposiciones:
El seudonivel de Fermi de los mayoritarios no
vara del volumen a la interfaz con el xido.
El seudonivel de Fermi de los minoritarios
est separado del seudonivel de Fermi de los
mayoritarios por el voltaje aplicado VD'
Las ecuaciones de transporte de un MOSFET se
pueden obtener haciendo algunas simplificacio-
nes adiciona les:
La estructura de la compuerta corresponde
a una estructura MOS ideal.

103
 Electr/l ica fsica
Slo se considera la corriente de deriva en
la estructu ra.
~ La movilidad de los portadores en la zona
de inversin es constante.
La contaminacin en el semicond uctor es
uniforme.
La corriente en inversa en las uniones es
muy pequea.
El campo elctrico transversal (E~) es mucho
mayor que el campo elctrico longitudinal
(E,).
La corriente d e drenaje IDcomo funcin de los
voltajes de compuerta Ve y de drenaje VD se
puede encontrar al aplica r la ley de Ohm a la
ca rga superfici al formada por la compuerta,
donde x es la coordenada que se interna en el
semiconductor alejndose de la compuerta y la
superficie del semicond uctor es en x = O. y es la
coordenada que va de la fu ente al drenaje, d onde
y = Oes el electrodo de la fuente. L es la longitud
d el canal y xj es el grosor de la zona de inversin.
La cond uctancia del ca nal fo rmado por la
compuerta es:
2 J" cr(x) dx = -q2~'
L- J " q2~.LI Q.I (11141)
g ;; -L
, , t/(x) dx .
donde Z, el ancho de canal, es uniforme para
cualquier z. La ca ntidad de carga mvil encerra-
d a desd e x = O hasta x = Xi es I Q~ (Y) l. La cada
d e voltaje en un tramo del canal de ancho dy al
pasar una corriente IDes:
d v -- Ip d R -_ IP <!.!!. _ l"dy
L - 2 IQ (y) I
(111.42)
g ~."
Por supuesto, loes independ iente de y, ya que
es una constante.
La carga a lo largo del canal 1Q~(y) 1 cambia de
acuerdo con los voltajes aplicados. Una manera
ms sencilla de expresarlo es con la ayuda de la s
simplificaciones de la compuerta MOS ideal, sin
trampas interfaciales ni ca rgas elctricas en el xi-
do y sin d iferencias de funciones trabajo.
104
Esta carga en el semiconductor tipo p est
formada por los iones de la zona d esrtica Q8(Y)
y por los electrones de acumulacin Q~ (Y).
Q,(y) = Q.(Y) + Q. (y)
El voltaje superficial en el semiconductor en
condicin de fu erte inversin es:
donde V(y) es el voltaje entre un punto y y el
electrodo d e fu ente (tierra) . Combinando las
ecuaciones anteriores se obtiene la carga a lo
largo del canal:
Q,,(y) =-(V,- V(y)-2'l'.)C,+
.J2EsqN,,(V(Y) + 20/8] (111.43)
donde o/a est definido en la seccin del capacitor
MOS y es funcin nicamente del semiconductor
empleado en el sustrato, e es la capacitancia del
xido y Es es la permisividad del semiconductor.
Al integrar desde y =O hasta y = L con V =O
hasta V = VD.
2~
Ip-~ ~" C{(V, -2'l!.- ~p) vp 3C,
((V +2'l',)l- (2'l'.)l))
P (111.44)
Para un va lor dado de Ve, la corriente de
drenaje aumenta linealmente con el voltaje de dre-
naje (rgimen lineal u hmico) y paulatinamente
deja de aumentar hasta que alcanza un valor de
saturacin (regin de saturacin) idntico a la
curva experimental d el transistor MOSFET presen
tado en la seccin de tecnologa.
Cuando los voltajes d e polarizacin del d rena
je son pequeos, la ecuacin anterior se puede
escribir de la siguiente forma:
10= ~(Ve - Vr)Vo - y\fb)
2
~=r~'C,
 Estruct uras electrnicas bsicas
(1l1.45)
y con una corriente de saturacin:
Z ,
IO "'''''2L .LnC(Vc -Vr) (1l1.46)
Funcionamiento
A continuacin presentamos un resumen cuali-
tativo del funcionamiento del MOSFET, usando
una analoga hidrulica.
1
\~---
- - - - - --- -- --- -- - --
---+
Figura 111.43. Regln lineal en un
En la regin de salu racin el vo ltaje de drenaje
ha aumentado y es aproximadi"mente igual a l
voltaje de la compuerta menos el voltaje de en-
cendido (V D = V e - Vr). En estas condiciones, la
imagen hidrulica muestra el depsito de drena-
je en un nivel inferior respecto al depsito de
fuente, y el conducto que los une ha tocado el
pivote que impide que contine tocando el de-
psito de drenaje (figura IlL44).
Mas all de la saturacin, el voltaje de drenaje
La regin lineal del MOSFET se consigue con un
voltaje de compuerta mayor que el voltaje de
encendido y vo ltajes de drenaje pequeos. Pode-
mos imaginar dos depsitos con agua, uno fijo
-el depsito de fuente- y el otro mvil -el de
drenaje-. Si el voltaje de drenaje es positivo, el
depsitobajacomo la energa potencial. Los dos de-
psitos estn comunicados por un conducto que
tiene una articu lacin en la unin con el depsito
de fuente y est sos tenido sobre el depsito de
drenaje con una particularidad: existe un pi-
vote que impedir que el conducto baje aun des-
pus de que el depsito de drenaje contine
bajando.
r_v_o>_o-,
N
--- - ----- - f >
MOSFET e Imagen h idrulica.
contina aumentando pero no la corriente de
drenaje. En la imagen hidrulica no aumenta el
flujo de agua porque la inclinacin del conduelo
es cons tante. La expl icacin elctrica es que la
diferencia de potencial desde la fuente hasta el
final de la zona de inversin es una constante y
es el potencial que acelera los electrones. Los
electrones que han llegado a este punto se des-
plazan por la unin en inve rsa, como en la zona
base colector de un BJT (figura 111.45).
105
 Electrnica fsica

flN

Figura 111.44. ReglOn de saturacin en un MOSF!ET e Imagen hldrul1ca.

VD >0

N
' -- -

- --- -- -----r--------.:..:..:.:B:, __ ____ _

Figura 111.45 . Regln posterior a saturacin en un MOSFET e imagen hidrulica.

LEO, LSER Y FOTODETECTORES pea el papel ms importante es el fotn, es

Esta seccin se ocupa de la descripcin de los
dispositivos optoelectrnicos que basan su fun-
cionam iento en los semiconductores y en los
dispositivos semiconductores. Estos dispositi-
vos deben llamarse en realidad dispositivos fo-
tnicos, ya que en ellos la partcula que d esem-
decir, la luz.
Empecemos diferenciando dos conceptos re-
lacionados con los dispositivos electropticos: la
incandescencia y la luminiscencia. La primera es
la radiacin que resulta solamente de la tempe-
ratura del material, mientras que la luminiscen-
cia es la em isin de radiacin (ultravioleta, visi-

106
 tstructllras electrnicas bsicas
ble O infrarroja) com o resultado de la excitacin
electrn ica. Ciertas formas de energa permi ten
que e lectrones se desplacen a niveles de mayor
energa y, en consecuencia, emita n radiaci n al
regresar a su estado base. Al suspender la forma
de energa, se espera que la luminiscencia desa-
parezca; s i es as. se ll ama fluorescencia. Si po r
a lguna razn la luminiscencia persiste, se llama
fosforescenc ia (usualmente sta se debe a esta-
dos metaestables que atrapan electrones y los
liberan lentamente).
Existen va rios dispositivos exhibidores elec-
trnicos que no basan su funcionamiento en los
dispositivos semiconductores. Alg unos emplean
materiales que permiten emi tir radiacin, mien-
tras que otros slo modulan la radiacin que incide
en ellos . As. p or ejemplo, los tubos de televisin
de color emplea n la ctodoluminiscencia , donde
Cercano UV I Violeta I Azul I
A[~mJ 0.30 0.39 0.455 0.492
Energa leV] 4.1 3.19 2.73 2.52
Los exhibidores de cristal lqu ido no emiten
luz, nicamente la modulan . Un material capaz
de m od ificar el ngulo de pola rizacin d e luz
cuando es energizad o (crista l lquido) se co loca
entre dos polarizadores a 90 con un espejo al
final. C uando no est energiza do el sistema, la
luz incidente no es reflejada debid o al arreglo de
los polarizadores, y se ve negro. C uando se ener-
giza el sistema, e l crista l lquido modifica el n-
g ulo de polarizacin 90 y entonces la lu z se
refleja y se ve br ill ante.
Los materiales optoelec trn icos que basan su
fun cionamiento e n los semiconductores se pue-
d en dividir en tres grupos:
1. Dispositivos que convierten energa elctri-
ca en rad acin.
LED (Light-Emitt ing Diode).
Diodo lser (Light amplificatioll by sti1J/u/nted
el1lissiol l of radintiol1).
2. Dispositivos que d etectan seales pt icas a
travs de procesos e lectr nicos.
tres caones de e lectrones ligeramente inclina-
dos el uno hacia el otro coincid en al pa sar por
una m sca ra y golpea r en tres dife rentes reg iones
el material, que emite luz al ser golpeado por los
electrones. Cada regin emite luz en un color pri-
mario,azul (ZnS:Ag), verde (Zn,Cd_,S:Cu) y rojo
(Y20 zS:Eu, lb) y constituye un punto de color de
la ima gen.
Otro ejemplo son los disposi tivos electrolumi-
niscentes clsicos, d onde a un m a ter ia l (ZnS:Cu)
en polvo o en pelcula se le apl ica una gran
diferencia de pote ncia l DC o AC y e mite luz con
eficiencia cercana a 1 por ciento.
En los exhibidores de pla sma, la emisin de
luz se produce por la neutrali zacin atm ica
despus de ser ionizados a l pasar una corrien te
elctrica.
Verde IAmari/lo lAnaranjado jRojo j CercO/lO IR
0.577 0.597 0.622 0.77 1.50
2.15 2.08 2.00 1.61 0.83
Fotodetec tores.
3. Dispositivos que convierten radiaci n pti-
ca en energa elctrica.
Ce ldas sola res (dispositi vos fotovo ltaicos) .
Para mostra r an ms la diferencia entre los
d isposit ivos, se puede ver la grfica d e la inten-
sid ad de radiacin com o funci n de la ene rga de
un m a terial incandescente, un LEO y un lser
(figura rn.46).
Los LEDson unionesp-Il polari zada s en directa
que emiten espontneamente luz po r la recom-
binacin de los portadores cerca de la uni n
metal rgica, sie mp re y cuando la transici n de
los electrones de la banda d e cond uccin a la de
valencia sea directa, po r ejemplo en semicondu c-
tores, como el GaAs .
Si bien los LED para el visible son en genera l de
a le<lc iones d e arseni uro de ga li o y fs foro
(GaAs 1 _,P, con O< x < 0.45 molar), en es te se mi -
conductor el ancho de banda (E g ) para la recom-
binacin direc ta vara d e 1.424 eV (x = O) hasta
107

1 [fotones/cm2 s eV]
4 0.1 E [eV]
Lmpara incandascente
Figura 111.46. Espectros de emisin para varias fuentes luminosas.
1.977 eV(x = 0.45). Cuando la cantidad molar de
fsforo es superior a 45% no existe emisin de
luz, porque la recombinacin es indirecta. Los
LEO ms eficientes se construyen en el infrarrojo,
alrededor de 1.5 ~m .
En la actualidad existe una intensa bsqueda
de materiales que permitan la emisin en el azul.
Existen LED azules comerciales, pero an no hay
lseres azules de semiconductores.
Lente epxlco
R&sistOf
nodo
Ctodo
Figur a 111.47. Estructura de un LEO.
El lser semiconductor de estado slido es un
caso muy especial de LEO, donde el principio
electroluminiscente es el mismo, slo que la
construccin del dispositivo suele ser ms com-
pleja para reunir las caractersticas que definen a
los lseres.
Las principales caractersticas de un rayo lser
comparadas con las de un rayo luminoso ordina-
rio son las siguientes:
o Mucha mayor coherencia espacial y tempo-
ral, las ondas conservan la misma fase.
108
Electrnica fsica
1 [fotonaafcm2 s eV] 1 [fOlonestcm2 s eV]
1.34 14 E [eV] 1.9 :1: 0.00:11 E [eVJ
IR LEO LAsar rojo
Mucha mayor direccionalidad: la luz no
diverge.
En general es monocromtico o tiende a
serlo. En los slidos es difcil que sea perfec-
tamente monocromtico.
Una gran concentracin de la intensidad: en
un rea menor a un micrmetro cuadrado
puede concentrar toda su potencia.
El fenmeno lser se basa en la emisin estimu-
lada de la radiacin. En los procesos luminiscen-
tes podemos tener dos situaciones al emitir luz:
la emisin espontnea, como en el LEO, donde no
existe relacin entre la luz producida por la re-
combinacin de dos electrones, y la emisin es-
timulada, como en los lseres, donde los fotones
tienen una relacin muy particular, pues son una
copia idntica uno del otro. La figura 111.48 trata
de ilustrar estos casos.
Para que exista la emisin estimulada es nece-
sa rio tener una inversin de poblacin, esto es,
tener ms electrones en los niveles de la handa
de conduccin que en los niveles de la banda de
valencia. Para obtener esta situacin se bombean
electrones de la banda de valencia a la banda de
conduccin.
En los semiconductores es posible obtener la
inversin de poblac in por medio de una unin
P-II polarizada en directa. La nica diferencia con
un LEO es que aqu los semiconductores 11 y P
estn mucho ms impurificados y las uniones
deben hacerse con mucho cuidado, ya que las
dimensiones del dispositivo son muy pequeas.
Adems, es comn emplear una caja de resonan-
 Estructllras electrn icas bsicas

Canal de electrones

e
----1---
Ec
eeeee EC

- ----'-- - - Ev
Emisin espontnea Emisin estimulada Ev
Figura 111.48. Olagrama de la emisin espontnea y estimulada.

cia para fomentar la produccin con una sola
longitud de onda. En una caja de resonancia slo
sobrevivirn los fotones que tengan una longitud
de onda que sea un mltiplo de la longitud de la
caja de resonancia, la longitud del dispositivo.
Para que sirva como caja de resonancia debe
tener una geometra perfecta y se debe tener un
control muy especial sobre los ndices de refra c-
cin, para que los fotones se renejen como si
existieran espejos (los fotones deben ver la caja).
Las aplicaciones del lser semiconductor son
enormes. Entre las ms interesantes por ahora se
encuentran las comunicaciones pticas y los in-
numerables productos de consumo, mquinas
lectoras de discos compactos, impreso ras, scan-
I/ers, etc. Muchas de sus aplicaciones se deben a
la alta eficiencia, bajo consumo de p otencia y
escaso peso comparados con los equivalentes de
gas como los de helio-nen.
A continuacin presentamos una lista incom-
pleta de familias de dispositivos usados como
fotodetecto res:

Tiempo de
Fotodetector Proceso fsico Ganancia respuesta (s)
6 3
Fotoconductor Cambio en la conductividad. 1 a 10 10 a 10-8
Cambio de la concentracin de
portadores. Gran polarizacin en
inversa, que reduce la capaci tancia yel
tiempo de transporte. 10- 11
Di odo p-i-n Similar a la unin P-I1, con la ventaja de
tener el ancho de la zona desrtica fija . 1 10- 8
Diod o de avalancha Multiplica los foto nes por ionizaci n de
electrones, multiplica el ruido porque
a mplifica igual a los electrones y a los
4
huecos. 102 a 10 10- 10
Transistores Cambi o de la densidad de portadores en
la base. lO' 10- 7
Fotomultiplicadores Co mo los diodos de ava lancha, pero
de estado slido multiplican slo un portador . 105 10-10

En general, cualquier dispositivo con base en Se nsibilidad a diferentes longi tudes de

semiconductores es un candid ato a fotodetector. onda .
Alg unos de los parmetros que determinan la Ganancia e lec trnica: cun tos elec trones se
capacidad de un dispositivo en particula r son: producen por cada 100 foton es (eficiencia
cuntica).

109
 Electr6nica fsica

Ruido: a una temperatura dada, siempre
existen electrones y huecos generados. Este
parmetro indica cuntos fotones son indis-
pensables para ser detectados.
Ve locidad de respuesta: indica qu tan r-
pido puede cambiar un evento ptico que
cambia las caractersticas elctricas.
Tamao.
Requerimientos de potencia.
Confiabilidad.
CONCLUSIONES
En este captulo presentamos una introduccin
al funcionamiento de los dispositivos a base de
semiconductores ms comunes. Iniciamos con
la unin de dos materiales arbitrarios que alcan-
zan el equilibrio al ;gualar sus niveles de Fermi;
el control de la corriente elctrica en los disposi-
tivos bipolares como la unin p-n, con efectos
como rectificador o capacitor controlado por
voltaje, hasta llegar al transistor de unin, que
funciona como un resistor de resistencia varia-
ble por la inyeccin de portadores en la base.
Tambin vimos los dispositivos unipolares que
basan su funcionamiento en el movimiento de
la carga elctrica, como el capacitor MOS, que se
puede emplear para mover carga elctrica o
como sensor de imgenes, o el MOSFET, que con-
trola la conductividad entre fuente y drenaje con
el voltaje de compuerta.
Finalmente, se present una breve descripcin
de los dispositivos op toelectrnicos de semicon-
ductores, los de generacin de luz como en los
LEO, o lseres, o deteccin de luz como es el caso
de los fotodetectores.

Ejercicios

Seccin 1

1I1.1.1! Demuestre la validez de la ecuacin II I.3.

III.1.2. Demuestre la validez de la ecuacin m.6.
m.I .3. Demuestre la validez de las ecuaciones de la figura 111.8.
IlI.1.4. Demuestre la validez de la ecuacin 111.13.

Seccin 11

Mencione si las siguientes afirmaciones son falsas (F) o verdaderas (V):

111.2.1. Siempre que se unen dos semiconductores, para llegar al equilibrio, fluyen electrones del semicon-
ductor que tiene ms electrones al que tiene menos. ( )
111.2.2. Existe potencial de contaclo en las uniones p-n de un mismo sem iconductor. (
m.2.3. Al aumentar el potencial aplicado en una unin p-n en inversa, aumenta el ancho de la zona desrtica.
1II.2.4. Los electrones fluyen del material que tiene menor funcin trabajo a I material que tiene mayor funcin
trabajo pa ra llegar al equilibrio. ( )
III.2.5. Fluye carga elctrica a travs de la estructura MOS ideal.

Seccin JII

Responda las siguientes preguntas:

111.3.1. Qu es un seudonivel de Fermi?
111.3.2. Qu es tiempo de vida de los portadores y cmo se modifica?
III.3.r Cmo puede medirse el potencial de contaclo de una unin p-n y por qu?
Los t"jt'rdcios marcados con asterisco \:'Sitio resurltos al final del libro.

110
 Estructuras electrnicas bsicas

111.3.4. Qu relacin existe entre el voltaje de encendido de una unin P-/I y el potencial de contacto?
III.3.5. Cmo puede realizarse un acceso elctrico en un semiconductor tipo Il?

Seccin IV

Ill.4. Resuelva el siguiente crucigrama. Cuando la respuesta es una palabra o smbolo compuesto, omita los
espacios. El smbolo t- indica que debe escribirse primero la ltima letra y terminar con la primera.

Horizontales

1. Proceso fsico en los semiconductores, que en ciertas aproximaciones se escribe fuera del equilibrio como /l / t.
2. Intervalo de tiempo que permanece un electrn en la banda de conduccin, entre la generacin y la
recombinacin.
3. Estructura bsica de los semiconductores heterogneos.
4. Distancia energtica entre el nivel de Fermi y el nivel de vaco 19. t-
5. Semiconductor tal que en el equilibrio 110 > > po. t-
6. Semicond uctor que supera al Si en las ap licaciones de alta frecuencia yelectropticas.
7. Va lo r mnimo de energa en'!.! banda de conduccin.
8. Diferencia de potencia l entre los mnimos de las bandas de conduccin de una unin P-f en equilibrio.
9. Semiconductor en que las propiedades elctricas pueden cambiar de regin en regin.
10. Zona de transicin que se forma al unir los semicond uctores 11 y p.
11 . Semicond uctor ms importante en la elect rnica moderna. t-
12. Smbolo d el nivel de Fermi.
13. Energa que limita los estados vacos y ocupados a bajas temperaturas.
14. Fuente de radiacin monocromtica, coherente y direccional.
15. Nombre de la primera letra del a lfabeto griego.

111
 Electrnica fsica

Verticales

Magnitud energtica esencial en el estudio de los semiconductores. Entre otras cosas, permite determinar
no y po.
2. Corriente que se obtiene slo en los sem iconductores cuando ex iste un gradiente en su concentracin
de portadores.
3. Caracterstica distintiva de las uniones p-n y MOS, dQ/d V.
4. Nombre comn de los dispositivos que presentan efecto rectificante.
5. Nombre del efecto que se tiene cuando la relacin entre corriente y voltaje es muy asimtrica. t-
~ . Nombre genrico de los semiconductores en los que el nivel de Fermi est dentro de la banda prohibida.
7. Portadores que existen en menor cantidad en un semiconductor en equilibrio.
8. Siglas de los dispositivos ms com unes que controlan las propiedades elctricas del semiconductor
a travs del efecto del campo elctrico E.
9. Porlador de carga que se mueve en la banda de va lencia .
10. Material magntico con induccin magntica remanente muy elevada.

Seccin V

111.5. Relacione las dos columnas.

1. Unin p-n real. )( )( ilE f =O

2. MOS. )( )( 19.. > !Psc(p)
3. Unin MS rectifican te. )( )( nl t
4. Unin MS hmica. )( )( X
5. Equilibrio. )( )( n =Nc explEr - E, lkT]
6. Metal. )( )( c=ct~IIN)
7. Semiconductor. )( )( /. = q(D" " ", / L. + D, p~ / Lp)
8. Unin p-n ideal . )( )( IV.
9. Recombinacin. )( )( qcrv,N,I1W
/0" 2
)( )( !P., > !JIsc (n)
)( )( '98"
)( )( V.
)( )( !p", < 'Psc (n)
)( )( Inversin de poblacin
)( )( IV,
)( )( !JI... <!JIsc (p)

Seccin VI

1II.6! Estudio de la unin p-n .

Una unin p-n puede ser empleada para detectar luz. Considere los siguientes dos dispositivos:

112
 Estrrtctllras electrnicas bsicas

EG&G V ACrEC, VrS3028 EG&G VACTEC, VTP100

Celda solar Fotodiodo

Voc = 0.57 V @100 mW /cm~2 V8R =30V
lse = 86 mA @100 mW/cm ~2 lse = 70 ~ A
rea = 392 mm 2 lo= 30 nA
C,=50pF@3V
rea = 7.45 mm 2
Responsitividad = 0.05 AW~1 cm2 @940 nm
R SH = 0.25 CO:

a) Seale las diferencias entre una celda solar y un fotodiodo.

b) Para la celda solar, indique la carga en la cual se obtendra la mxima potencia. Suponga una curva
corriente versus voltaje de forma parablica.
c) Explique q u parmetros determinan la rapidez de respuesta de un fotodiodo .
d) Para el fotodiodo, disee un circuito elctrico que permita detectar un tren de pulsos en un osciloscopio
con un Mn de resistencia de entrada y una seal ptica de 100 ~W de luz verde y 50% Out y CycJe seal
cuad rada con un periodo de 1 ~s .
e) Qu le pasar a la curva corriente versus vol taje de un diodo normal, si se aumenta la temperatura? Si se
supone vlido el modelo de Schocklcy, demuestre que al aumenta r 5C se duplica la corriente en inversa.

Seccin VII

1II.7" Estudio de la estructura MOS.

Con los siguientes ma teriales se construye un sistema MOS idea l.

Metal xido SCllliC011ductor

Silicio tipo 11 Silic io tipo P
qx = 4.15 eV qx = 4.15 eV
qql=4. 15eV qql = 5.0 eV
Eg - 8 eV Eg == 1.12 eV

Suponga que VR y V Ol se miden respecto al metal y que en el equilibrio VOl == 0.4 V

a) Construya el d iagrama de energa potencial electrosttica en el equilibrio.
b) Explique cmo alcanzara la condicin de fuerte inversin de pob lacin.
111.8. Dibuje el diagrama del campo elctrico para la siguiente distribucin de carga el ctrica.
N
'''.
N,

O
"
- N.
i--

113
 Electrnica fsica

RESPUESTAS A LOS EJERCICIOS SELECCIONADOS

1.1. Una g ran cantidad de fuentes de radiacin pertenecen al g rupo de fuentes trmicas, que radian energa
electromagntica en proporcin directa a su temperatu ra. Las fuentes que presentan radiacin d e cuerpo negro
pertenecen a este grupo y tienen las siguientes propiedades:
Cumplen la ecuacin de Stefan-Boltzma nn:

donde Wes la irradiancia o potencia total radiada por unidad de rea, (J representa la constante de Stefan
(o = 5.67 x l O-SWm-2K-<4), T es la temperatura absoluta y E es la emisividad. La emisividad tiene valores de cero
a u no, el valor de uno corresponde al emisor ms eficiente de radiacin trmica, y se conoce como cuerpo negro.
Cumplen la ley de desplazamiento de Wien:

I-"T = 2 898 1~mKJ

d onde 1..", es la longitud de onda a la cual !a potencia radiada es mxima a una temperatura d ada, lo que indica
un corrimi'nlodel mximo de radiacin hacia menores longitudes de onda cuando se aumenta la temperatura.
Empleando esta ecuacin y el hecho d e que el mximo de la radiacin solar se encuentra a 0.47 }lm, podemos
decir que el Sol radia como si fuera un cuerpo negro a 6 000 K aproximadamente.
Las dos ecuaciones anteriores fu eron explicadas correctamente por Planck y estn contenidas en su
ecuacin fund amental para la radiacin del cuerpo negro:

w~ -_ ~
)..5 l exp(hc/UT) -
1
1
) [-"'--]
m2 m

d onde WJ.. es la polencia radiada por unidad de rea para una longitud de onda dada.
As, ur ,:uerpo negro cambia su color con la temperatura. Un cuerpo negro a 7C tiene su mximo de
radiacin a una longitud de onda de 10.24 }lm; a 47C tiene su mximo de radiacin a 9.06 }lm; 727C a
2.9 }lm; 3 22:r'C a 724 nm (color rojo) y 5727C a 483 nm (color azul).
1.4. Para el modelo del tomo de hid rgeno se cumple que la energa permitida toma la siguiente forma:

La frecuencia se puede calcula r de la ecuacin 1.6.

a) Para ionizar un tomo de hidrgeno se requiere ap licar una energa suficiente para mover el electrn del
nivel n = 1 hasta n --+ oo. Esto es, E = 13.6 cV y a esta energa le corresponde una frecuencia

v=~- 13.6 -3.29 x 1015 Hz

Iz 4.14xlO-\5

que en el espectro electromagntico corresponde a radiacin ultravioleta y no es visible.

b) Para desplazar el electrn d el nivel n =2 al nivel n =3 se necesita aplicar una energa

114
 Respuestas a los ejercicios seleccionados

A esta energa le corresponde una frecuencia n = 4.57 x 10 14 Hz, que en el espectro electromagntico corres-
ponde al rojo.
1.7. Para obtener esta relacin, se puede iniciar expresando el valor promedio de la cantidad ~e movimiento
lineal:

(p, ) = Jo~'(x, t)["i axa lor(x, t)dx

- o

Obteniendo la derivada respecto a l tiempo se obtiene:

a(p, ) =~Jo a~' a~ dx+~ J~'~dx

at i __ al dX i _ dx at
Sustituyendo la expresin para la derivada de <p en el tiempo, obtenida de la ecuacin de Schrodinger, se
tiene:

Pasando a una de las integrales los trminos que incluyen la dependencia en la energa potencial V y
realizando el lgebra inmediata, se tiene:

a(p, ) h' So a[ a~ -ax--q

---at:'- 2; -- ox oX
a~' .a'~ l Soav
dXl dx - _
! ax-<pdx
La primera es una integral exacta que al evaluaren "" desaparece y la segunda integral es el valor promedio
de la fuerza, que es 10 que se quera demostrar.

a(p,)=(. aV )=(F )
iJt dX ~

1.8
a) \V = 1 para tejo x > O. No es una \V asociada a un sistema fsicC" ya que no cumple el tercer principio de la
mecnica cuntica 'I' ~X --+ 00) = O.
b) '1' = O. ~o es una \V asociada a un sistema fsico, ya que no representa ninguna partcula.
e) '1' = ae-r a deber definirse de la condicin de normalizacin, pero sta s satisface las propiedades de la
funcin de onda para un sistema fsico.
d) '1' = ne' para todo x > O. No es una \V asociada a un sistema fsico, ya que no cumple el tercer principio de
la mecnica cuntica 'I'(x --+ 00) = O, entre otros.
e) '1' = sen x para todo x . No es una \V asociada a un sistema fsico, ya qu e no cumple varios de los principios
de la mecnica cuntica, el nmero tres en particular.
1.9
o) Empleando la misma ecuacin que en el ejercicio 1.4, con E = 2.4 eV, ya que por definicin de funci n
trabajo define la energa de ionizacin en un slido, se obtiene v = 5.8 X 10 14 Hz.
g
he 4.14 x 10-15 3 x 10
b) La energa asociada a esli1. longitud de onda es: E = -:;- 4.13 eV, donde se ha
fI. 300 x 10-9
emp leado la relacin de la velocidad de la luz e = AV. Esta energa de la onda electromagntica al incidir en el
slido, 2.4 eV, se emplea para sacar al electrn del materiill, lo que produce una energa cintica resultantp d e
1.73 eVo
UD. Un electrn acelerado por una diferencia de potencial de 25 kV adquiere una energa de 25 keV. La
longitud de onda de De Broglie se obtiene con la ecuacin del ejercicio anterior, y es:

11 5
 Electrnica fsica

- 496 1~"
15 8
'=.!!.:.=
fI. E
4.14. x 10- 3 x 10
25000 . x u m

1.13
a) La irradiancia del lser (ll.I....) como slo incide en la pantalla del cine por un sistema de desviacin, es
igua l a la potendadel lser (P1.he.) sobre el rea de la pantalla. La irradiancia de la fuente isotpica incandescente
(I lm.pm), radia su potencia (Pl.Imp.,.) en un ngulo slido de 4 'P de la que se emplea slo la potencia que incide
en la pantalla, que se extiende en un ngulo slido n i' En realidad, el sistema de proyeccin aumenta en gran
medida la eficiencia.

Pum!'" n
1 =. pu.... .
I Um!'"f. =.
4 .1[ 1

l.I"". 4.8' 48
b) De acuerdo con el resultado del inciso anterior, la pantalla tiene u na radiancia L...n..h:

donde k es la eficiencia de renexin de la pantalla. La pantalla radia con u n ngulo slido ig ual a 27t, ya que
slo radia hacia el frente. La cantidad de potencia que puede recibir un observador ('PobR<vod"") depender del
rea d e radiacin y del ngulo slido (0 2) que forman el observador y la pantalla.

11.4. Para determinar las temperaturas crticas, es necesario contar con expresiones que muestren su
dependencia con la temperatura.

donde es posib le suponer que Ec -Eo = 0.012eV y, adems, que es independiente de la temperatura,
k = 8.614 x lO.. ,o eVK-L, mientras que N c YN v muestran u na dependencia de la temperatura (ecuaciones n.25 y
11.26) de la forma oc:71.
Con los valores para estas funciones a temperatura ambiente, es posible obtener una
funcin con la temperatura de la siguiente forma :

,
Nc = 5.39 x 10 1~7[cm-3]

116
 Respuestas a los ejercicios seleccionados

E = 1.17 _ 4.75 x 10"""'y2

I T+636

Con estas ecuaciones se obtienen las siguientes relaciones que se pueden resolver mediante algn mtodo
numrico:

Ts(ln T/ 11 - 5.223) = 139.3, T s =90.6K

, (4,75T+1 0~'~l ,T
Ti (In T; - 11.44) = 11 609 1.17 x
636
I = 1 054.4 K

11.6. S, ya que al formar el slido d e hidrgeno es posible esperar que se forme una banda s que estara
ocupada a la mitad, ya que existe un elect rn por tomo y en los niveles s pueden estar dos electrones. Lo difcil
es formar el hidrgeno slido.
Los metales monovalentes, lit io, sodio, potasio, etc., son los ms simples de estudiar y su estructura de
bandas, de u na manera simplista, se puede ver como una banda de conduccin que se forma del amontona-
miento de los niveles s.
Los elementos, cobreeu (NA = 29), p lata Ag (NA = 47) Y oro Au (NA = 79) en su estado base tambin tienen
un electrn por tomo en una banda medio llena, obtenida de los niveles 4s, 5s y 6s respectivamente, lo que ios
caracteriza como buenos conductores de la electricidad, de manera similar al caso anterior.
Un grupo de metales ms complicado son los metales de transicin, hierro, coba lto y nquel, donde existe
una superposicin de niveles s y d al formar la banda de conduccin, que les transfiere menor conductividad
elctrica y propiedades magnticas interesantes.
11.11 Cualitativamente, si el cubo de silicio est siendo iluminado por una de sus ca ras, se espera que la
generacin sea mayor en la superficie expuesta y cada vez menor dentro del material, ya que la absorcin del
malerial (generacin de pares electrn-hueco) hace disminuir la intensidad. Si la energa de la radiacin
aumenta, la absorcin es mucho mayor, lo que evitara que la radiacin penetre en el semiconductor. El
gradiente de concentracin estara determinado por la densidad de portadores en la superficie del material y
en la difusin de los portadores.

'. ..''.. '

'------===----7'.
to

..
Radiacin . -to
to :-
y
y

, "x
117
 Electrnica fsica

11.15. Ciclo de histresis magntica .

El rea del ciclo de histresis magntica es proporcional al trabajo por unidad de volumen necesario para
cambiar el material ferromagn tico alrededor de un ciclo y es disipada en forma de ca lor.
En el secundario y de acuerdo con las propiedades del transformador, se tiene que:

donde N, es el nmero de vueltas en el secundario, A es el rea del ncleo, y $ es el flujo magntico a travs
del secundario.
En la malla del secundario se tiene, al aplicar la ley de Kirchhoff de voltajes:

Si se cuenta con un capacitar suficientemente grande, e igualando las dos ecuaciones anteriores, se tiene:

Re
B = - -V,
N, A

Para el primario, aplicando la ley de Ampere, se tiene:

donde N p es el nmero de vueltas en el primario, I~ es la corriente del primario y L es la circunferencia del

nclco. Empleando la ley de Ohm al resistor del primario, se tiene:

m.l.l . El equilibrio se alcanza cuando no existe corriente neta en el dispositivo:

Con las ecuaciones 111.1 y 111.2, Y 111.25 se obtiene el resultad o esperado:

de donde se puede obtener:

que produce finalm ente Eu , ::: Ers '

111.3.3. El potencial de contacto no se puede medir con un mu ltmetro, ya que el multmetro s6lo mide
diferencias de niveles de Fermi y los sistemas en equilibrio no tienen diferencia de niveles de Fermi. ste
desaparece al desplazar carga elct rica para alcanzar el equ ilibrio. Existen mtodos indirectos que miden el
potencial de contacto; particu larmente, la capacitancia en inversa es til para medi r y caracterizar el contacto
entre los semiconductores, como se seala en la figura III.1S.

118
 Respuestas a los ejercicios seleccionados

Las curvas reales d e capacitancia versus voltaje en inversa son un tanto diferentes de la figura 1t1.1S, en virtud
de que la aproximacin de unin abrupta no se cumple en realidad, y la capacitancia disminuye al aumenta r
el voltaje en inversa pero de una manera diferente.
La capacitancia a voltaje cero es del orden de 5 pF/ mm 2 en los dispositivos rpidos en rea pequea, a
500 pF/mm! en dispositivos de potencia de rea grande.
III.6. Unin p-n.
a) Los fotodiodos y las celdas solares son unionesp~n que por efecto de la luz modifican la curva de corriente
versus voltaje. Los fotones de la luz generan pares electrn-hueco que por efecto del campo elctrico interno de
la unin pon separan a los p ortadores. Los electrones se desplazan al semiconductor tipo n y los huecos al
semiconductor tipo p.
Si las terminales de la unin p-n estn desconectadas se genera una autopolarizacin conocida como voltaje
d e circuito abierto V oc ' Si existe un alambre entre las terminales de la unin p-n pasa una corriente de corto-
circuito IN' Estos parmetros son funcin de la irradiancia y se caracterizan por su responsitividad.

Curva para la unin

pon en l a oscuridad.

F o todlodo. /
Habitualmen te se polariza. 1", \ Celda solar.
Habitualmente se
autopolarlza.

2 2
b) En la celda solar, se tiene que Voc =0.57 Vy 1", =86 mA @loomW/cm- en unread e92mm , loque
produce en la aproximacin de una funcin parablica la curva siguiente. Se p uede ignorar el signo si se
reconoce que la celda solar aporta p otencia al circuito:

1 = 86 - 264.7 V' (mAl

La potencia mxima se calcu la de la manera habitual, ya que en la corriente de cortocircuito y en el voltaje

de circuito abierto es cero.
La potencia mxima se obtiene cuando V = 0.3291 V, que se alcanza con un resistor de 5.74 O.
e) El tiempo de respuesta d e un fotod iodo se define como el tiempo que toma a los portadores generados
por la luz alcanzar la unin p-I/.
Bsicamente, existen tres componentes que determinan esta ca ntidad:
Tiempo de coleccin: tiempo que les toma a los portadores desplaza rse en la zona desrtica. Este nmero
es muy pequeo y p or lo comn es del orden de un nanoseg undo.
Tiempo carga: es el tiempo necesario para carga r o d esca rgar el capacita r de la zona desrtica, y es
proporcional a la multiplicacin de la capacitancia d e la unin y la resistencia de ca rga. Si e -= 100 p F
Y R =SO O t = Sns, si R :0 2 O,entonces t = 200 ns.
Tiempo de difusin: es el tiempo necesario pa ra que los portadores generados fu era de la zona desrtica
alca ncen la zona d esrtica. Si la radia cin se ,lbsorbe poco, como en el infrarro jo, este tiempo llega a ser
d e 2 Ils; si se tiene g ran absorcin, como en el color rojo, se puede llegar a tener una respuesta de 50 ns.
La velocidad de respuesta se incrementa si se emplea un dispositivo de rea pequea, una. pequea.
capacitancia de unin, un voltaje en inversa grande, radiacin visible y u na pequea resistencia d e carga.
d) En estado estable la corriente del fotodiodo en la. oscuridad es de 30 nA . Al iluminarlo con 200 11 W de radiacin
visible (ya que en promedio recibe l OOmW), probablemente mande la corriente del fotodiodo a saturacin, ya que

119
 Electrnica sica

al multiplicar la !"f>5ponsitividad por la potencia luminosa y dividir entre el rea se obtienen 134 ~A . La
velocidad para cambiar de 30 nA a 100 ~ A est limitada nicamente por el tiempo de carga; ste se minimiza al
polarizar la unin en inversa, cerca de V BR y poniendo una carga de . / C - 500 ns/SO pF - 10 kO o menor en
paralelo con el (otodiodo. En un osciloscopio podra medirse la cada de potencial en un resistor de 1 kn debido a
la fotocorriente, sin cambiar el tiempo de respuesta. Esto producira cambios de 100 mV a 30 ~V. Una alternativa
ms verstil se consigue con un amplificador de corriente a voltaje, como se ilustra en la siguiente figura:

v,
;>--'----.v,
+

Convertidor de corriente a voltaje Amplificador de corriente a voltaje

e) El coeficiente de temperatura de un dispositivo se define como:

1 dX
TCr=X dT

donde X puede ser resistencia, capacitancia u otra variable.

Una unin p~n en inversa tiene una corriente con la siguiente expresin:

Don; D,n;) qADn;

15 = qA LnNII + L,.ND ~ = Br exp
(-#
E )
(
donde B es una constante independiente de la tempera tura. La d ependencia con la temperatura es un recuento
de la densidad de portadores intrnsecos.

donde se ha puesto T = 300 K, E = 1.12 eV y kT = 0.0259 eV . La corriente en inversa se duplica cuando TC r toma
el valor de uno, o sea, cada 6.5C.
Una unin p~ n en directa tiene una corriente con la siguiente expresin:

donde se ha puesto T= 300 K, E, = 1.12 eV, kT = 0.0259 eV y V o = 0.6 V. La corriente en directa se duplica
cuando TC r toma el valor de uno, O sea, cada 13C.

120
 Respuestas a los ejercicios seleccionados

111.7. MOS
a)

V ... _O.4V

'11.

Ee

q ------- - --- - --
__--------------Ev
Ev--------------4
'9 , = $ ... -41 .. - Yo. =
5- 4.15 - 0.4 = 0.45 V

b) Se alcanza una fuerte inversin cuando 1'9.1 = 219B- En este caso

~. = ~.- x. - Eg/2q = 5 - 4.15 - 1.12/ 2 =0.29 v.

Para tener una fuerte inversi n es neccsarioaplic,1[ un voltaje positivo al metal respecto al semiconductor, para
lograr que las bandas del sem iconductor se doblen 0. 13 V mas.

121
 Electrnica fsica

Constal/tes

Nombre Smbolo Valor

Constante de Avogadro N.,,, 6.022 x 1023 mol-1

Consta nte de Boltzmann k 1.38 x 10-ZJ J/K
Carga elemental q 1.602 x 10-19 C
Masa del elect rn 111 0.911 x I D-" Kg
Electrn-volt eV 1 eY = 1.60218 x 10-19 J
Permeabilidad en el vaco J, 1.2566 x 1~ H / cm
Permisividad del vaco 8.854 x 10-14 F/ cm
Constante de Planck "f 6.626 x 1()-l-f Js
Yelocidad de la luz en el vaco e 2.99792 x 10 1Ocm/s
Yoltaje trmico (300 K) kTlq 0.0259 V

Propiedades de Ge, Si y GaAs a 300 K

Propiedad Ge S; GaAs

tomos/cm J 4.42 x 10u 5 x 1022 4.42 X 1022

J 5.3267 2.328 S.32
Densidad (g/cm )

Constante dia lctica 16 11 .9 13.1

Nc (cm-J) 1.04 x 10 19 2.8 X 10 19 4.7 X 10 11
Nv (cm-J) 6.0 x IO l8 1.04 X 10 19 7 X 10 18
Ma sa efectiva electrones m" / 1110 1.64 0.98 0.067
Masa efectiva huecos 1Il ~ / mo 0.044 0.16 0.082
Afinidad electrnica xlY ) 4 4.05 4.07
Ancho de banda Eg leY] 0.66 1.12 1.424
Portadores intrnsecos (n ; cm-J) 2.4 x 10 13 1.45 X 10 10 1.79 x 1()6
Resistividad intrnseca p (Q cm) 47 2.3 x 105 lO'
Tiempo de vida minoritario (s) Itr' 2.5 x lQ-3 lo-'
Movilidad (cm 2/Ys), e y / 3900y 1 900 1 500 Y 450 8500 Y 400

122
 BIBLIOGRAFA
DeWitt, G. O ng, Modem MOS teclmology: Proces-
ses, devices l1 nd design, McG raw-Hill, 1986.
Feynman, R.P. el al., Tite Feyllllln ll lect ures 011
pl/y,ic, 1, 11 Y III, Addi,on -We,ley, 1966.
Jaeger, R.C, l 11troductioll fa microelectronics fabri-
cal ion, Addison-Wesley Publishing Company,
1990.
McKelvey, J.P., Salid slate (lnd semicondllctors
physics, Harper & Row Publishers, 1966.
Muller, R.S. y T. 1. Ka mins, Device electrol1ics for
IItegrated circuits, 2a. OO., JoOO Wiley & Sons,
1986.
Sze, S.M., PI'ysics 01 semiconductor devices, 2a . ed.,
John W iley & Son" 1981.
- - - , VLSI teclll1ofogy, 2a. ed., McGraw- Hill ,
1988.
We rt , C.A. y R.M. Thom son, Physics 01501ids,
2a. ed., Me G raw- HiII, 1970.
Wilson, j. y 1.F.B . Hawkes, Optoelecfrol1ics,2a. ed.,
Prentice H all , 1989.
Yang, ES, Microelectronics devices, McGraw-HiIJ,
1988.
123
 NDICE

Agradecimientos. .7

Prese"tacin . .9

Jntroduccin . 11

Captulo J. Conceptos preliminares 13

Fsica submicroscpica 13
Principio de incertidumbre 14
Hip tesis de De Broglie 15
Hiptesis de Max Planck 16
Nomenclatura ptica 17
Polarizacin de la luz 18
Mecnica cuntica 19
Ecuacin de Schrod inger 19
Cuantizacin de la energa 21
Efecto tnel 23
Conclusiones . 24
Ejercicios . . 24

Captulo JI. Materiales para la electrnica 27

Bandas de energa 29
Metales 36
Efecto Hall . 39
Aislantes 40
Estadstica de Boltzmann 40
Semiconductores 42
Estructura de bandas. 43
Densidad de portadores libres 44
Cond uctividad 53
Ecuacin de continuidad: generacin y recombinacin 55
Propiedades pticas y magnticas. 58
Propiedades pticas 58
Propiedades magnticas 59

125
 lndice

Tecnologa
Conclus iones.
Ejercicios . 6

Captulo JI. Estructuras electrnicas bsicas 7

Diodo de unin 7
Modelo de Shockley 7
Capaci tancia de la zona desrtica . 8
Ruptura d e la unin p-n 8
Transitorios de la unin p-n 8
Contactos hmicos y rectificantes 8
Diagramas de energa en los contactos rectifican tes 8
Diagramas de energa en los contactos hmicos 8
Capacitor me tal-xido-semiconductor 8'
Diagrama de energa del capacitor M05 9'
Transistor bipolar de unin (BJT) 9'
Ecuaciones de transporte 9'
Ganancia en corriente 9'
M05FET . . . . . . . . . . . . . . . .. .. .. 10
Ecuaciones de transporte 10:
Funcionamiento 1O~
LEO, lser y fotodetectores . l O<
Concl usiones. 1H
Ejercicios 11(

Respllestas a ejercicios seleccionados 114

Constantes.

Bibliografa 122

126
 Elect rn ica fs ica
se te rmin d e imprimir e n febrero d e 1996
e n los ta lle res d e Editoria l Ducere,
S.A. de C.V., Rosa Es m e ra ld a 3 b is,
col. Mo lino d e Rosas, 01470 M x ico, D .F.
El tiro consta d e 1 000 ejem plares m s sob ra ntes
pa ra re p osicin.
La comp osicin ti pog rfica, la fo rmacin y e l cuida d o
ed ito ria l estu v ie ro n a ca rgo d e Sa ns Serif Edito res,
S.A. d e C.V., te lfax 674 60 91.
 UNIVERSIDAD
AUTONOMA
METROPOUTANA
eA\. (+)
CM.l """""" JJA lIonllo AmpoualCO mEEI

Formato de Pape/sta ds VencimIento

El usuario 58 obliga 8 devolver BSte libro en la fecha

"aj",.
Cdigo de barras.
M 'J'S.3:2'i":l
el ""lo
.2_8....--'-"'=c.:.....:_.l-,-__
FECHA DE DEVOLUClON

Ofdenal las lechas di! vencimiento de maflala vertical .

Ca.r.ooIlf oon ei sello de "DEVUELTO' la IfICha de vencimiento a la
ontleg& delllbfo

1IIIIIIml
2893247
 Olros ttulos en esta coleccin

Ma rgarita Alegra, Crlrso de leC/lira y redaccill

Vctor Cuevas Ahumada, Mico: rt!1lOllIcin
de las pol/icas di' es/abilizaci"
Adolfo Jimnez Ota mend i, A/OIIIOS, enlaces
y reacciones.
Abelardo Maria Flores, InSII/llO-prodllcto
Sal Holgun el al., Qllmica inorg/rica /l
Patrick Staelens, El trabajo de los ml'/lOres
Lu is Rod rguez, El diseiio prelldllst rial
Jos Dolores Ju.'ircz Cervantes, Sistemas
de distribuci n de I'IIl'rga elctrica

Textos de p rxima aparicin

MMicm Hcnainc-Abcd, Pla/ll'aci/I y cO/I/rol

de la prodllccilI
Jos Vega Luna y Gera rdo Salgado Guzmn,
Practicas de laboratorio de sistemas digi/ales
Ana Lilia Laure3no, ProgramacilI oril'u/ada
a objetos: 1111 enfoque con ti/lOS abstractos
Juan Gonzlez Mrquez, II//roducciII al dl'm:110
bancario mt'xica/lo
Violeta Mgica y Jos de Jess Figucroa,
Contaminacin a/llbiell/a/, cal lSllS y con/rol
Adalberto Ca nt Chapa, Elec/r"ica 11. Anlisis
de dise,lo COII diodos y tra/lsistores

UAM 2893247
TK7871 Quintero Torres, Rafael
QS.57 Electronica fisica : prin
Este libro se elabor para los estudiantes de ingeniena electrnica, con el prop-
sito de facilitar el proceso de ensenanza-aprendizaje de los principios fsicos, los
materiales y los dispositivos semiconductores bsicos empleados en electrnica.
Partiendo de ideas simples de la fsica moderna, se explica la formacin de
las bandas de energa, lo que permite describir los materiales y sus propiedades
(particularmente de los semiconductores). Se presentan algunos dispositivos
semiconductores como el transistor bipolar (BJT) y el transistor de efecto de campo
(MOSFET). A lo la rgo del texto se ofrecen numerosas analogfas con el fin de formar
ideas claras.
El material est asociado normalmente con una introduccin al diseflo y la
fabricacin de circuitos integrados, lo que en ciertos paises es una eleccin
natural. Aqu se ha preferido presentar el material como sustento de los conoci-
mientos bsicos de la electrnica; se busca con ello una aplicacin m juiciosa
de los dispositivos electrnicos y hacer ms eficiente su uso. Desde esta perspec-
tiva, se espera que el libro sea una buena alternativa a los textos COInIlnmenIe
utilizados en los Estados Unidos o sus traducciones.
Finalmente, como el tema aquf tratado forma parte de 1u cienciu de la
ingeniera ms que de la ingeniera aplicada, y es material bico en el que te
sustenta una parte del desarrollo de la electrnica, con toda seguridad esta obra
ayudar a la comprensin de algunos de los vertiginosos avancetquete han dado
Y de los que se darn en e l futuro.