El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la

base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores
de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante
tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida
que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente

La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

CURVA CARACTERSTICA
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la
siguiente figura:

Parmetros de un FET de canal N Parmetros de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo.
En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende
de la tensin VGS.

Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona,

el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por
la tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , V GS.

Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor
comn (SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de
surtidor comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores
bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la

amplificacin de seales dbiles.

CARACTERSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensin entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador

permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador
surtidor aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor
produce una saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea
constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de
puerta.
HOJAS DE CARACTERSTICAS DE LOS FET
En las hojas de caractersticas de los fabricantes de FETs encontrars los siguientes
parmetros (los ms importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas mximas soportables por la unin PN.

IG.- corriente mxima que puede circular por la unin puerta - surtidor
cuando se polariza directamente.

PD.- potencia total disipable por el componente.

IDSS.- Corriente de saturacin cuando VGS=0.

IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unin puerta -
surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.