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TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

MOS

Bien que le principe des transistors effet de champ soit connu depuis les annes 1930, ce n'est que
depuis les annes 1960 que leur ralisation a t rendue possible grce aux progrs de la technologie.

Le Transistor Effet de Champ (TEC) ou Field Effect Transistor (FET) tire son nom de son principe
de fonctionnement selon lequel l'intensit du courant traversant le dispositif est contrle par le
champ lectrique cr par la tension applique l'lectrode de commande.

Les premiers transistors effet de champ taient de type jonction ou JFET, mais au milieu des
annes 70 un nouveau type apparut : le MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect
Transistor) qui connut un trs important dveloppement, notamment dans les circuits intgrs
numriques. En 1977, fut introduit le premier transistor MOSFET de puissance.

1 STRUCTURE DU MOSFET

La figure 1 montre la structure physique d'un transistor MOS de type canal N.


Sur un substrat en silicium de type P, on a diffus deux zones de type N fortement dopes, appeles
SOURCE et DRAIN.
Une trs fine couche (0,1m) d'oxyde Si02, qui est un excellent isolant lectrique, est cre la
surface du substrat de manire recouvrir la zone qui s'tend entre le Drain et la Source.
Sur cette couche isolante, on dpose une couche d'aluminium pour former l'lectrode de grille
(GATE).
Des contacts mtalliques sont galement prvus au niveau de la Source, du Drain et du substrat
(BODY).
On obtient donc un dispositif 4 lectrodes : Source, Drain, Gate, Body.

On remarque que le substrat de type P forme avec le Drain et la Source des jonctions PN qui seront
maintenues polarises en inverse durant le fonctionnement normal.
Pour ce faire, on relie gnralement la Source au Substrat, le Drain tant toujours soumis une
tension positive par rapport la Source.

Lorsqu'une tension positive par rapport la Source est applique la GATE, un courant circule
latralement du DRAIN vers la SOURCE, travers une rgion appele CANAL de longueur L (de 0,5
10 m ) et de largeur W (1 500 m ).

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2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
Lorsque aucune tension VGS n'est applique entre Gate et Source, alors qu'une tension VDS positive
est prsente entre Drain et Source, la diode Substrat (reli la Source) - Drain est polarise en inverse
et aucun courant ne circule dans le circuit Drain-Source.

Appliquons une tension VGS positive entre Gate et Source (fig.2). Le champ lectrique cr par la
tension VGS repousse les porteurs majoritaires prsents dans le substrat.
Ce dernier tant le type P, les porteurs majoritaires sont des trous. Il se forme alors sous la Gate une
zone de dpletion, vide de porteurs libres (trous) mais peuple d'atomes ioniss ngativement.

Figure 1 - Structure physique d'un transistor MOS canal N :

(a) vue en perspective; (b) coupe

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Paralllement, la tension positive de Gate attire dans le canal des lectrons provenant de la Source et
du Drain (o ils sont majoritaires). Lorsqu'un nombre suffisant d'lectrons s'est accumul la surface
du canal, sous la grille, une zone de type N s'est effectivement cre.

Un courant lectrique s'tablit alors travers cette zone N induite, du Drain vers la Source.
La zone N induite forme un CANAL-N qui donne son nom ce type de MOSFET (on notera qu'un
MOSFET canal N est ralis sur un substrat P. Inversement on peut raliser des MOSFETS canal P
partir d'un substrat N).

Figure 2 - Principe de fonctionnement du MOSFET enrichissement canal N

La valeur de la tension grille-source VGS correspondant une accumulation suffisante d'lectrons


pour crer un canal conducteur est appele tension de seuil Vth. (Threshold voltage).
Cette valeur dpend de la technologie mais s'tend en gnral entre 1 et 3V.

La grille (GATE) et le substrat (reli la source) forment un condensateur dont le dilectrique est la
couche d'oxyde.
La tension VGS applique provoque la charge de ce condensateur avec accumulation de charges
positives sur la grille et de charges opposes dans la zone d'inversion qui forme le canal. C'est donc
l'amplitude de cette tension VGS qui contrle la conductivit du canal et donc le courant qui y circule
lorsqu'une tension positive est applique entre Drain et Source.

2.1 FONCTIONNEMENT A FAIBLE TENSION DRAIN-SOURCE.

Considrons le schma de la figure 4 dans lequel une faible tension Drain-Source (VDS<1V) est
applique.
Un courant ID s'tablit travers le canal N induit. On notera qu'il s'agit d'un courant d'lectrons libres
circulant de la Source vers le Drain (d'o le nom de ces lectrodes).

L'intensit du courant ID dpend de la densit d'lectrons dans le canal, qui dpend elle-mme de
l'amplitude de la tension VGS.

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Pour des tensions VGS infrieures ou gales la tension de seuil Vth, , le courant Drain ID est nul ou
ngligeable.
Lorsque la tension VGS dpasse la tension de seuil Vth, une plus grande quantit d'lectrons est attire
dans le canal. On peut se reprsenter l'influence de la tension VGS (au-dessus de Vth) comme une
augmentation de la profondeur du canal.
Il en rsulte une augmentation de la conductance du canal c'est dire une rduction de sa rsistance.

Figure 3 - Caractristiques ID - VDS d'un MOSFET pour


de faibles tensions Drain-Source

Le courant ID circulant dans le canal est donc proportionnel (VGS-Vth) et la tension Drain-Source
applique (fig.3).

On notera que le courant Drain est gal au courant Source puisque le courant de Grille est nul.

2.2 FONCTIONNEMENT A TENSION DRAIN-SOURCE NOMINALE.

Augmentons maintenant la tension Drain-Source, la tension grille-source tant maintenue constante


une valeur suprieure la tension de seuil.
On remarquera que la tension Drain-Source VDS apparat en fait comme une chute de tension tout au
long du canal. Il en rsulte que la tension entre la grille et les diffrents points le long du canal est
variable, de VGS ct Source VGS - VDS ct Drain.
Comme la profondeur du canal dpend de cette tension, il est clair que la profondeur du canal n'est
pas uniforme comme l'indique la figure 4.

A mesure que la tension Drain-Source VDS augmente, le canal prend une pente de plus en plus leve
et sa rsistance augmente.

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Lorsque la tension drain-source VDS atteint une valeur telle que la tension grille-canal ct Drain
atteint la tension de seuil, c'est--dire : VGS-VDS = Vth do VDS = VGS - Vth
la profondeur du canal l'extrmit Drain devient voisine de 0 ; on dit qu'il y a pincement (pinch
off).

Toute augmentation de VDS au del de cette valeur sera sans effet sur l'intensit du courant Drain ID.

Figure 4 - Fonctionnement du MOSFET tension Drain-Source nominale.


On remarque l'allure penche du canal et le phnomne de pincement.

2.3 MOSFET A CANAL P.

Un MOSFET canal P est ralis partir d'un substrat N dans lequel des zones P+ fortement dopes
ont t diffuses pour raliser le Drain et la Source.
Le fonctionnement est identique celui du canal N, les tensions VGS et VDS sont simplement
ngatives et le courant circule de la Source vers le Drain. Le canal P est form par accumulation de
trous.

Les MOSFETS canal P sont moins utiliss que ceux canal N car, performances gales, ils
rclament plus de surface de silicium et sont plus lents.
Par contre, ils sont trs utiliss "en tandem" avec des MOS canal N dans les circuits intgrs de
technologie MOS complmentaire (CMOS ).

3 CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DU TRANSISTOR MOS A CANAL N.

Ces caractristiques encore appeles caractristiques statiques sont celles que l'on peut relever en
courant continu ou basse frquence. Les caractristiques dynamiques, tant en amplification qu'en
commutation seront tudies plus loin.

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La figure 5 montre la reprsentation symbolique du transistor MOS utilise dans les schmas
lectroniques.

Id D Id
D

G G
S S

Canal N Canal P

Figure 5 - Reprsentation symbolique du MOSFET

Comme pour les transistors bipolaires, on trace un rseau de courbes ID = f (VDS) paramtres en VGS
(pour les transistors bipolaires on trace Ic = f (VCE) paramtr en IB).
La figure 6 montre l'allure d'un tel rseau de caractristiques.

On remarque que ce rseau de caractristiques comporte trois rgions :

La rgion de blocage (cut off) pour VGS < Vth

La rgion de fonctionnement en triode (appele ainsi par similitude avec les


caractristiques d'un tube triode) correspondant un fonctionnement du canal avant
pincement.

La rgion dite de saturation du courant drain correspondant un fonctionnement


"pinc".

Figure 6 - Caractristiques ID - VDS d'un MOSFET canal N.


Dans cet exemple Vth = 2V et K= 0,25 mA/V2

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Le fonctionnement dans la zone de saturation correspond au fonctionnement en amplification.

Pour un fonctionnement en commutation, le MOS sera soit bloqu (interrupteur ouvert) soit utilis
dans la zone triode o il se comporte comme une rsistance (interrupteur ferm).

3.1 ZONE DE FONCTIONNEMENT RESISTIF :

La caractristique ID - VDS peut tre approxime par la relation

ID = K (2(VGS V th )V DS V DS )
2
(1)

o K est un paramtre dpendant de la gomtrie et de la technologie utilises

1 W
K= e Cox
2 L
avec e : mobilit de l'lectron.
Cox : capacit grille-substrat par unit de surface
L : Longueur du canal
W : Largeur du canal.

Si la tension drain-source est suffisamment faible, ce qui est le cas du fonctionnement avant
2
pincement, on peut ngliger le terme V DS .
On obtient alors:
ID = 2K (VGS - Vth) VDS

Cette relation linaire entre ID et VDS montre que le MOS se comporte comme une rsistance dont
la valeur peut tre contrle par VGS.

RDS = [2K(V GS V th )]
1

3.2 FONCTIONNEMENT EN AMPLIFICATEUR

La zone de fonctionnement courant Drain satur correspond au pincement du canal qui se produit
pour VDS = VGS - Vth.

En remplaant VDS par cette valeur dans l'expression (1) on obtient :

[
ID = K 2(V GS V th )(V GS V th ) (VGS Vth )
2
]
ID = K (V GS V th )
2
(2)

Dans cette zone de fonctionnement, le courant drain est indpendant de la tension drain-source VDS et
suit la tension grille-source VGS selon une loi quadratique.

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Le MOSFET se comporte comme une source de courant idale dont la valeur est contrle par
la tension grille-source VGS.

On en dduit un premier modle du MOSFET fonctionnant en amplification (fig.7).

Gat e Dr ai n

2
K( Vgs- Vt h)
Vgs Vds

Sour ce Sour ce

Figure 7 - Schma quivalent grands signaux d'un MOSFET

On notera que la ligne de partage entre la zone triode et la zone de fonctionnement satur (ou zone
d'amplification) correspond au pincement du canal qui se produit pour VDS = VGS - Vth

ID = K (V DS ) (3)
2
En reportant dans la relation (2) on obtient l'quation de cette ligne :

3.3 RESISTANCE DE SORTIE EN ZONE DE SATURATION.

Nous avons suppos que toute augmentation de VDS au-del de la valeur pour laquelle se produit le
pincement tait sans effet sur le courant Drain.
En ralit, mesure que la tension VDS augmente, le point o se produit le pincement se dplace
lgrement en direction de la source. La longueur effective du canal se trouve rduite. Ce phnomne
est connu sous le nom de modulation de la longueur du canal.
Le paramtre K tant inversement proportionnel la longueur du canal, augmente avec VDS.
Pour tenir compte du phnomne de modulation de la longueur du canal, on introduit un terme
1+VDS dans la relation (2) o est une constante dpendant du MOSFET utilis :
ID = K (V GS V th ) (1+ V DS )
2
(4)
La figure 8 montre un rseau de caractristiques de MOSFET tenant compte de cet effet.

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Figure 8 - Rsistance de sortie du MOSFET

On remarque que tous les segments de droite de la caractristique ID - VDS se coupent sur l'axe des
VDS en un point dabscisse
VDS = - 1/ = - VA.

VA est un paramtre valant typiquement 200 300V.

Il en rsulte que la rsistance de sortie du MOSFET fonctionnant dans la zone de saturation est finie
et peut s'exprimer :
1
ID
R0 = pour VGS constant
V DS
soit d'aprs (4) :
Ro = [K (VGS - Vth)2]-1

que l'on peut approximer en ngligeant le terme VDS dans (4)

Ro = (ID)-1

o ID est le courant correspondant la valeur particulire de VGS pour laquelle Ro est value.
Cette relation peut aussi s'crire :
V
Ro A
ID
On remarque que la rsistance de sortie Ro est inversement proportionnelle au courant drain de
polarisation ID.
On en dduit le schma quivalent grand-signaux du MOSFET (fig.9).

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Ig=0 ID

Gat e Dr ai n

2
Vgs K( Vgs- Vt h) Ro Vds

V
Sour ce Sour ce

Figure 9 - Schma quivalent grands signaux du MOSFET

3.4 INFLUENCE DE LA TEMPERATURE.

Les paramtres K et Vth sont dpendants de la temprature :

La tension de seuil Vth dcroit d'environ 2mV par degr d'lvation de temprature.
Le paramtre K dcroit avec la temprature et son effet est prdominant.

Il en rsulte que le courant Drain ID dcrot lorsque la temprature s'lve. Ce rsultat est
particulirement important pour les MOSFET de puissance.

3.5 TENSIONS MAXIMALES ADMISSIBLES.

Lorsqu'on augmente la tension Drain-Source VDS, le champ lectrique la jonction PN Drain-


Substrat (qui est reli la source) s'lve, et on atteint la tension d'avalanche.

Pour viter d'atteindre ce phnomne dangereux pour le composant, le constructeur spcifie la tension
Drain-Source maximale ne pas dpasser.

Afin d'viter l'accumulation de charges statiques dans le condensateur grille-substrat qui pourraient
provoquer un perage de l'oxyde extrmement fin servant de dilectrique, des diodes de protection
intgres limitent la tension grille-source.
La tension maximale grille-source VGSmax est spcifie par le constructeur.

4 AMPLIFICATEUR A MOSFET

Considrons le schma de la figure 10 a.


La source du MOSFET est relie la masse et une rsistance RD relie le drain la borne positive
dune source de tension VDD de 20V (la borne ngative est relie la masse).
Le point de repos ID est fix l'aide d'une source de polarisation VGS = 5V.
Un signal (triangulaire dans l'exemple) de 1V crte crte est appliqu la grille par l'intermdiaire
d'un gnrateur de tension Vgs.

La figure 10 b, montre la construction graphique permettant d'obtenir la forme du signal de sortie


partir du rseau de caractristiques du MOSFET.

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La tension instantane applique entre grille et source est :

VGS(t) = VGS + vgs(t)

point de repos statique signal

A chaque instant le point de fonctionnement du MOSFET se situe sur la courbe caractristique


ID - VDS qui correspond la valeur de VGS(t) cet instant.

Le point de fonctionnement sur la caractristique est dtermin par les valeurs de la tension
d'alimentation VDD et de la rsistance de Drain RD.

VDS = VDD - RD ID
VDD 1
ou ID = VDS
RD RD

1
Cette quation linaire peut-tre reprsente dans le plan ID - VDS par une droite de pente
RD
appele droite de charge.

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Figure 10 - Analyse graphique de l'amplificateur MOSFET

Le point de fonctionnement instantan du MOSFET se situe toujours l'intersection de la


droite de charge et de la courbe caractristique ID - VDS correspondant la valeur instantane
de VGS.

En l'absence de signal d'entre (Vgs = o), le point de fonctionnement du MOSFET est un point fixe
appel point de repos ou point de polarisation ou point de fonctionnement statique.

4.1 TRANSCONDUCTANCE.

En ngligeant l'effet de modulation de longueur du canal, nous avons les quations :

ID = K (VGS - Vth)2

VDS = VDD - RD ID

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En prsence d'un signal d'entre, nous avons :

VGS(t) = VGS + Vgs(t).

Le courant drain instantan s'crit donc :

ID(t) = K (VGS + Vgs(t) - Vth)2

ID(t) = K (VGS - Vth)2 + 2K (VGS - Vth) Vgs(t) + KVgs2(t)

Le premier terme est le courant de repos ID.

Le second terme est proportionnel au signal d'entre Vgs(t).

Le dernier terme est une composante quadratique indsirable, cause de distorsion. Il est donc
important de le maintenir le plus faible possible.
Ce qui peut-tre obtenu en gardant Vgs(t) << 2(VGS - Vth).

Dans ces conditions, que l'on nomme fonctionnement petits signaux, on peut ngliger le terme
quadratique :
ID(t) ID + 2K (VGS - Vth) Vgs(t)

ID(t) ID + id(t)

o id(t) = 2K (VGS - Vth) Vgs(t) reprsente la variation du courant drain en fonction du signal
d'entre.

id (t )
La quantit gm = = 2 K (V GS V th ) est appele transconductance.
Vgs(t )

On remarquera que gm est la pente de la courbe caractristique ID = f(VGS) au point de repos :

iD
gm =
vGS vGS = VGS

4.2 TRANSCONDUCTANCE ET PARAMETRES PHYSIQUES DU MOSFET.

En remplaant K par son expression en fonction des paramtres physiques du MOSFET:

1 W
K= e Cox
2 L
dans l'expression de la transconductance:

gm = 2K (VGS - Vth)

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il vient :
gm = ( eCox ) (Vgs V th )
W
L

L'quation du courant Drain s'crivant


ID = K (VGS - Vth)2

ID
ou encore (VGS V th ) =
K

on peut crire :
W ID
gm = eCox .
L K

en remplaant nouveau K par son expression, on trouve :

W Id
gm = eCox .
L 1 W
eCox
2 L

W
gm = 2 e Cox . Id
L

Cette expression montre que :

pour un MOSFET donn :

gm est proportionnel la racine carre du courant drain de polarisation.

pour un courant de polarisation donn :


W
la transconductance gm est proportionnelle
L

4.3 GAIN EN TENSION.

La tension Drain-Source VDS instantane s'crit :

VDS(t) = VDD - RD ID(t)

VDS(t) = VDD - RD (ID + iD(t))

VDS(t) = VDD - RD ID - RD iD(t)

polarisation composante
statique dynamique

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VDS(t) = VDD - RD ID - RD gm vgs(t)

Le gain en tension du circuit s'crit donc :

Vds ( t )
= gm RD
Vgs ( t )

On notera la prsence du signe - qui indique que le signal de sortie est en opposition de phase avec le
signal d'entre.

4.4 SCHEMA EQUIVALENT PETITS SIGNAUX.

L'analyse prcdente fait apparatre des valeurs statiques qui correspondent au point de polarisation du
MOSFET et des valeurs dynamiques qui correspondent au signal utile.
Ces deux types de valeurs sont superposes et il convient de bien les sparer.

Une fois que le point de fonctionnement statique a t tabli de manire stable, on ne s'intresse qu' la
partie signal.

De ce point de vue, le MOSFET se comporte comme une source de courant commande en tension :

une tension Vgs applique entre grille et source provoque un courant drain id = gm Vgs.

La rsistance d'entre est trs grande (ig = O) et la rsistance de sortie est galement grande
( si l'on nglige l'effet de modulation du canal).

On en dduit donc le schma quivalent (fig. 11) que l'on utilisera pour l'analyse du circuit amplificateur
MOSFET.

Gat e Dr ai n

Vgs g m Vgs Vds

r o =Va/ Id

Sour ce

Figure 11 - Schma quivalent petits signaux du MOSFET.

Le schma quivalent petits signaux de l'amplificateur de la figure 10a s'obtient en remplaant le


MOSFET par son schma quivalent et en court-circuitant les sources de tension continue (polarisation).

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Gat e Dr ai n

g m Vgs Ro
Vgs RD Vds

Sour ce

Figure 12 - Schma quivalent petits signaux de l'amplificateur MOSFET

On voit que le gain en tension de l'tage amplificateur est :

V ds
= gm( RD / / Ro )
V gs

On note que la prsence de Ro rduit le gain en tension de l'tage.

4.5 DETERMINATION DU POINT DE REPOS ET CALCUL DU CIRCUIT DE


POLARISATION

La premire tape dans la conception d'un tage amplificateur MOSFET est de choisir le point de
fonctionnement statique l'aide des caractristiques fournies par le constructeur.

Le point de repos tant dtermin, il faut calculer un circuit capable de fixer ce point et d'assurer qu'il
reste aussi stable que possible face aux variations des conditions de fonctionnement (temprature par
exemple).

Afin d'viter des distorsions du signal, le point de repos doit tre fix vers le milieu de la zone de
saturation (fonctionnement linaire) de manire ce qu'il n'entre jamais dans la zone triode ou dans la
zone de blocage.

Polarisation par rsistance de source (fig.13)

C'est le circuit le plus communment utilis lorsque l'amplificateur est aliment par une source de
tension unique.

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+VDD

R2 RD

G
S

R1 RS

Figure 13 - Circuit de polarisation par rsistance de source.

La tension statique grille-masse est fixe par le pont diviseur R1 - R2

R1
V = V DD
R1 + R2
GG

Lexpression du courant drain scrit alors :

=
V GS
+
V GG
I D
R R
ce qui est lquation dune droite dans le plan VGS - ID
S S

En l'absence de la rsistance Rs, cette tension serait directement applique entre grille et source et le
courant drain en dpendrait directement ainsi que des paramtres physiques du MOSFET: K et Vth.

La dispersion de ces paramtres pour un mme type conduirait une forte disparit des points de repos
(fig 14).

Id MOSFET 1 MOSFET 2 Id MOSFET 1 MOSFET 2

Id1

Id1
Id2 pente -1/Rs
Id2
Vgs
VGG VGG
Vgs

Figure 14 - Stabilisation du point de repos par rsistance de source.

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5 REPONSE A HAUTE FREQUENCE D'UN AMPLIFICATEUR A MOSFET

Les modles du MOSFET utiliss pour l'tude de l'amplificateur en basse frquence ne tiennent pas
compte des divers effets capacitifs. Aux frquences leves ces effets ne sont plus ngligeables et il faut
modifier le schma quivalent en consquence.

La principale capacit du MOSFET est la capacit grille-canal.

Lorsque le MOSFET est utilis dans sa zone de fonctionnement rsistif (zone triode) c'est--dire
tension Drain-Source trs faible, le canal est uniforme et la capacit grille-canal s'crit :

Cg canal = W L Cox

On modlise gnralement cette capacit par deux capacits gales connectes entre grille et source et
entre grille et drain.

1
C gs = C gd = WLC ox
2

Lorsque le MOSFET fonctionne dans sa zone linaire, le canal n'est plus uniforme et prend une allure
penche avec pincement ct drain.

On dmontre alors que la capacit grille-canal devient gale :

2
Cg canal =
WLCox
3
et on la modlise par une seule capacit entre grille et source.

En ralit, la capacit grille-source est un peu plus leve car la mtallisation de grille recouvre
lgrement la source (voir fig.1).
De la mme manire, il existe une capacit grille-drain due ce recouvrement.
La capacit drain-substrat (capacit d'une jonction bloque) peut en gnral tre nglige en premire
approximation.
Il en rsulte le schma quivalent reprsent fig 15.

Gat e Dr ai n
Cgd

g m Vgs Ro Vds
Vgs Cgs

Sour ce

Figure 15 - Schma quivalent du MOSFET haute frquence

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5.1 FREQUENCE DE TRANSITION

Pour caractriser le fonctionnement haute frquence d'un transistor on utilise souvent la frquence de
transition fT qui est dfinie comme la frquence laquelle l'amplitude du gain en courant, sortie en
court-circuit, devient gale 1.
En utilisant le modle haute frquence on obtient le schma suivant:

Ii Io
Gat e Dr ai n

Cgd

g m Vgs Ro
Vgs
Cgs

Sour ce

Figure 16 - Schma utilis pour dterminer la frquence de transition du MOSFET.

Io = gmVgs

Vgs = Ii / j (Cgs + Cgd)

Io / Ii = gm / j(Ggs + Cgd)

pour = T = 2fT on a Io / Ii =1

fT = gm / 2 (Ggs + Cgd)

On note que la frquence de transition est proportionnelle la transconductance et inversement


proportionnelle aux capacits internes du MOSFET.
fT varie selon la technologie de quelques centaines de MHz quelques GHz.

5.2 THEOREME DE MILLER

Considrons le quadriple de la fig. 17 a

I1 I2 I1 I2

Y
V1 V2 V1 Y1 Y2
V2

(a) (b)

Figure 17 - Transformation de MILLER

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Une admittance Y est connecte entre les noeuds d'entre et de sortie.

Ce quadriple est quivalent celui de la fig. 17 b dans lequel l'admittance Y a t remplace par deux
admittances Y1 et Y2 relies au point commun.

soit K = V2/V1 le gain en tension de ce quadriple.

Le courant I1 entrant par le noeud 1 s'crit

V2
I 1
= Y (V1 V2 ) = YV1 (1 ) = YV1(1 K )
V1

dans le quadriple quivalent nous avons I1 = Y1 V1 , en identifiant il vient :

Y1 = Y (1 - K)

En oprant de la mme manire pour le noeud de sortie, on a :

V1 1
I2 = Y (V2 V1 ) = YV 2 (1 ) = YV2 (1 )
V2 K

en identifiant avec I2 = Y2 V2, il vient :

1
Y2 = Y (1 )
K

Le thorme de Miller permet de transformer une admittance connecte entre deux points d'un
circuit en deux admittances connectes en drivation entre ces points et la masse.

5.3 EFFET MILLER

Lorsqu'un MOSFET est connect en source-commune, sa capacit grille-drain Cgd se trouve connecte
entre l'entre et la sortie de l'tage.
Par application du thorme de MILLER, cette capacit peut-tre transforme en deux capacits
connectes en parallle avec l'entre et la sortie.

Considrons par exemple un tage amplificateur de gain -100 ralis avec un MOSFET dont la capacit
grille-drain est de 1pF.
Le thorme de Miller permet de remplacer cette capacit par une capacit C1 connecte entre grille et
source:

C1 = Cgd (1 - K) = 1 (1-(-100)) = 101 pF

et une capacit C2 connecte entre drain et source:

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1
C2 = Cgd(1 1/ K) = 1(1 ))
100

C2 = 1,01 pF qui peut-tre nglige dans la plupart des cas.

Cet exemple montre l'influence extrme de la capacit "entre-sortie".

Cet effet de multiplication de la capacit entre-sortie porte le nom d'effet Miller.

5.4 REPONSE EN FREQUENCE D'UN AMPLIFICATEUR A MOSFET

Considrons l'amplificateur dont le schma est donn fig.18

+VDD

R2 RD

D
C3
Rg C1 G
S RL Vs

Ve R1 RS C2

Figure 18 - Schma d'un tage amplificateur MOSFET

On considre que la capacit des condensateurs C1, C2 et C3 est trs grande de manire ce que l'on
puisse ngliger leur impdance aux frquences considres.

Le schma quivalent du circuit est donn fig. 19 a.

Gat e Dr ai n

Rg Cgd

R1 R2 g m Vgs Ro RD RL Vs
Ve Cgs

Sour ce

Figure 19 a - Schma quivalent du circuit amplificateur

En combinant les rsistances en parallle :

Rin = R1//R2

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R'L = Ro//RD//RL

on peut simplifier le schma quivalent (fig.19 b)

Gat e Dr ai n

Rg Cgd

Ri n g m Vgs R' L Vs
Ve Cgs

Sour ce

Figure 19 b - Schma quivalent simplifi du circuit amplificateur

Par application du thorme de Thvenin l'entre et du thorme de Miller la capacit Cgd on peut
encore simplifier le schma quivalent (fig. 19 c).

Si la capacit Cgd est faible, le courant qui la traverse est trs faible devant la source de courant
contrle gm Vgs et on peut le ngliger.

La tension de sortie Vs peut alors s'crire

Vs - gm Vgs R'L

En appliquant le thorme de Miller, on peut remplacer la capacit Cgd par une capacit quivalente
Ceq connecte entre grille et source :

Ceq = Cgd (1 + gm R'L)

Le schma quivalent devient alors celui de la fig. 19 c.

Ri n/ / Rg Gat e Dr ai n

Ve.Ri n / ( Ri n+Rg)

g m Vgs R' L Vs
Cgs Ceq

Sour ce

Figure 19 c - Schma quivalent rduit de l'tage amplificateur

On voit que le circuit d'entre constitue un filtre passe-bas du 1er ordre qui dtermine la rponse haute
frquence de l'tage.

Soit CT = Ceq + Cgs

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CT = Cgd(1+gm R'L) + Cgs.

Nous avons R' = Rg//Rin.

La frquence de coupure haute - 3dB est alors :

1
fH =
2CT R'

1
Si H = est la pulsation de coupure haute, l'expression du gain haute frquence de l'tage
CT R'
s'crira :
1
A( j ) = Ao
1+ j
H

On notera le rle trs important jou par la capacit grille-drain dans la rponse haute frquence de
l'tage amplificateur, cause de l'effet Miller.

Pour des fonctionnements trs haute frquence, on utilisera des configurations spciales qui
minimisent l'effet Miller, telles que les montages en grille commune ou les montages cascode
(MOSFET double gate).

6 INTERRUPTEUR A MOSFET

Les transistors MOS sont utiliss comme interrupteurs, tant en analogique qu'en logique et en
Puissance.

Considrons le schma suivant (figure 20).

+VDD +VDD

RD RD

X
X

Rds

Figure 20 - Schma d'un MOSFET utilis en commutation

Le transistor MOS est utilis comme interrupteur entre le point X et la masse. Cet interrupteur est
contrl par la tension Vgs :

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Si Vgs < Vth le MOS est bloqu et l'interrupteur est ouvert.

Si Vgs > Vth le MOS est conducteur. On fixe son point de fonctionnement dans la zone "triode",
l'interrupteur est ferm et il se comporte comme une rsistance RDS on.

ID VGS

B
.

A VDS
.
VON VDD

Figure 21 - Point de fonctionnement d'un MOSFET en commutation (charge rsistive).

Le point de fonctionnement ne peut occuper que deux positions sur la droite de charge :

le point A correspondant VDS = VDD lorsqu'il est bloqu (interrupteur ouvert).

le point B correspondant VDS = VON lorsqu'il est conducteur (interrupteur ferm).

Dans ce dernier cas, le MOS est quivalent une rsistance RDSon, on a donc un diviseur
potentiomtrique RD - RDSon. La tension VON s'crit donc :

RDSon
VDS = VON = VDD
RD + RDSon

Durant les commutations, le point de fonctionnement se dplace rapidement sur la droite de charge de
A vers B la fermeture (turn on) et de B vers A l'ouverture (turn off).

On pourra distinguer trois types d'interrupteurs MOSFET :

l'interrupteur logique dont la fonction logique est l'inverseur : V DS


=V GS

l'interrupteur analogique qui permet de commuter un signal analogique

l'interrupteur de puissance qui fait l'objet d'un chapitre spar.

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7 MOSFET DE PUISSANCE
Introduit la fin des annes 70, le MOSFET de puissance doit son dveloppement aux progrs
technologiques accomplis dans le domaine de la microlectronique.
Depuis cette date, le MOSFET de puissance n'a cess de progresser donnant mme naissance de
nouveaux composants comme l'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) et le MCT (MOS Controlled
Thyristor).

7.1 STRUCTURE DU MOSFET DE PUISSANCE.


Le MOSFET, tel que nous l'avons prsent dans les pages prcdentes, n'est pas utilisable pour des
applications de puissance. En effet, nous avons montr que pour un MOSFET fonctionnant dans sa
zone linaire, le courant Drain est donn par la relation :

ID = eCox(VGS-Vth)2 W / 2L

Cette expression montre que pour augmenter le calibre en courant d'un MOSFET, il faut augmenter sa
largeur W et diminuer la longueur L du canal.
Cependant, toute rduction de la longueur du canal s'accompagne d'une trs forte rduction de la tenue
en tension.
Il a donc fallu trouver d'autres structures permettant d'obtenir une faible longueur de canal
(1 2 m) tout en conservant une tenue en tension compatible avec les exigences des circuits de
puissance.
Aprs diverses tentatives, c'est la technologie DMOS qui s'est impose (fig 22).

Fig.22 : Structure d'un DMOS de puissance canal N.

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La ralisation d'un DMOS canal N s'effectue partir d'un substrat N par deux diffusions successives.

La surface est ensuite oxyde de manire constituer une mince couche d'oxyde (SiO2 est un isolant).

La grille est constitue par un dpt de silicium polycristallin.

Une seconde couche d'oxyde permet d'isoler compltement la grille.

Toutes les zones N+ sont ensuite relies par une mtallisation d'aluminium pour constituer la source.

Les diffusions N+ de source sont disposes selon un motif carr ou hexagonal, constituant ainsi une
multitude de cellules lmentaires toutes connectes en parallle (fig.23.).

On atteint actuellement des densits cellulaires suprieures 10 000 /mm2

Figure 23 - Structure cellulaire d'un DMOS de puissance.

7.2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES MOSFET'S DE PUISSANCE

Le principe de fonctionnement d'un DMOS de puissance est identique celui d'un MOSFET
enrichissement (cf chapitres prcdents).

Lorsque la tension de commande VGS est nulle, le DMOS est bloqu (interrupteur ouvert).

En effet, comme le montre la figure 24, en l'absence de tension de commande, le MOS se comporte
comme un transistor bipolaire NPN dont la base est relie l'metteur par une rsistance.
Il ne laisse donc passer qu'un trs faible courant de fuite IDSS.

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Ce transistor parasite est neutralis par construction de manire ne pas perturber le fonctionnement.

Lorsqu'on applique une tension positive entre grille et source, il s'tablit un champ lectrique
l'intrieur du MOS. Dans la partie de la zone P situe sous la grille (fig.24), ce champ lectrique
repousse les trous (qui sont majoritaires) et attire les lectrons.

Il s'tablit donc la surface une zone plus forte concentration d'lectrons dite zone d'inversion.
En effet, lorsque sous l'action du champ lectrique la concentration en lectrons crot, cette partie de la
zone P tend s'inverser pour devenir N.

Il y a alors continuit de type entre le drain et la source par l'intermdiaire de la zone d'inversion que
l'on appelle canal et un courant s'tablit.
Source SiO2

Aluminium

N+ Grille
Canal
P

Drain

Figure 24 - Transistor bipolaire parasite du DMOS de puissance

La figure 25 reprsente le mode de commande d'un MOSFET de puissance canal N compar celui
d'un transistor bipolaire de puissance NPN.

+Vcc +Vdd

R R

Ic Id

Ib
Vgs

Tr ansi st or Bi pol ai r e NPN MOSFET canal N

Figure 25. Comparaison du mode de commande d'un transistor bipolaire


et d'un transistor MOS

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7.3 CARACTERISTIQUES STATIQUES DES MOSFET'S DE PUISSANCE

7.3.1 Caractristiques de grille.

Comme nous l'avons vu prcdemment, la grille est une lectrode totalement isole du reste du
composant.
Sa rsistance d'entre est donc trs grande (de l'ordre de 109 ). Par contre elle prsente une capacit
non ngligeable (CISS de l'ordre de 500 4000 pF selon le calibre du MOS).
La capacit d'entre CISS est l'lment prdominant pour la dtermination du circuit d'attaque du MOS :
Plus le gnrateur de commande aura une faible impdance, plus le MOS commutera vite.

Figure 26 : Caractristique de transfert d'un MOSFET de puissance canal N.

La commande d'un MOS canal N s'effectue en appliquant une tension positive entre Grille et Source.
Comme dans un MOSFET de signal, on constate qu'il faut appliquer une certaine tension VGS(th) pour
obtenir un courant drain significatif (fig.26).

Tant que la tension de commande n'atteint pas cette valeur de seuil, le courant drain reste quasiment
nul.
Au del de la tension de seuil, le courant drain suit approximativement de manire linaire la tension
grille-source.

Le rapport courant drain ID sur tension de commande VGS est appel transconductance directe gfs et
s'exprime en Siemens, en Mho (inverse de ohm) ou en A/V.

7.3.2 Caractristiques de drain

La figure 27 reprsente la caractristique courant drain ID en fonction de la tension Drain-Source,


paramtre en tension grille-source VGS.

Ce rseau est analogue au rseau Ic=f(VCE) paramtr en IB pour un transistor bipolaire.

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Figure 27 : Caractristiques ID = f (VDS) d'un transistor MOS.

On remarque deux zones sur ce rseau :


une zone faible tension VDS et fort courant ID dans laquelle le MOS se comporte comme
une rsistance RDS on.
une zone tension VDS plus leve dans laquelle le courant drain ID est quasiment
indpendant de la tension VDS. Cette zone est la zone de fonctionnement en amplification
(fonctionnement linaire).

Le paramtre RDS on est extrmement important pour les applications de commutation de puissance
puisqu'il dtermine les pertes l'tat passant. Son coefficient de temprature est positif, il faudra en
tenir compte lors des calculs de pertes.

PC = RDS ON x ID2(RMS)

Fig. 28 : Evolution de RDS(ON) avec la temprature.

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7.4 CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION.

Les transistors effet de champ (FET) tant des dispositifs porteurs majoritaires, ils ne connaissent
pas les phnomnes de stockage de charges que l'on rencontre dans les dispositifs bipolaires.
En pratique, la rapidit des MOSFET n'est limite que par ses capacits parasites et en particulier la
capacit d'entre .

La figure 29 reprsente les diverses capacits d'un MOSFET et leur volution avec la tension Drain-
Source applique (Ces capacits varient peu avec la temprature).

Classiquement dans la thorie des quadriples, on dfinit trois capacits:


Ciss = Cgd + Cgs (capacit dentre en source commune, sortie en court-circuit)
Crss = Cgd (capacit entre-sortie)
Coss = Cgd + Cds (capacit de sortie en source commune, entre en court-circuit)
La correspondance avec les capacits physiques est immdiate:
Cgs = Ciss - Crss
Cgd = Crss
Cds = Coss-Crss
Cgs est la capacit grille-source qui se dcompose en une capacit structurelle entre la grille et la
mtallisation de source et une capacit grille-canal qui varie sensiblement avec les conditions de
fonctionnement.

La capacit grille-drain (Crss) varie normment avec les conditions de fonctionnement.

Figure 29 - Capacits d'un MOSFET de puissance.

La capacit d'entre et l'impdance du circuit driver conditionnent la rapidit de commutation du MOS


de puissance (figure 30).

La charge (ou la dcharge) de cette capacit s'effectue par le circuit de commande de grille. Selon le
courant que ce dernier pourra fournir (ou absorber), les temps de commutation seront plus ou moins
longs.

Page 31 sur 39
D
R

S
C ent r e

Figure 30 - La vitesse de commutation est dtermine par la capacit


d'entre du MOSFET et la rsistance d'attaque.

Cependant, selon la zone de fonctionnement la capacit d'entre, que l'on peut dfinir comme le rapport
entre la variation de charge fournie par le circuit de commande Q et la variation VGS de la tension
grille-source, varie dans de trs larges proportions.

C entre = Q / VGS

Lorsque le DMOS est conducteur, sa tension drain-sourceVDS est trs faible alors que sa tension grille-
source se situe entre +10 et +15 Volts.
La capacit grille-drain se trouve charge une tension lgrement ngative:

VDG(on) = VDS(on) - VGS(on)

VDG(on) -VGS(on)

Lorsque le DMOS est bloqu, sa tension drain-sourceVDS est relativement leve (souvent proche de
la tension d'alimentation du circuit de puissance) alors que sa tension grille-source est voisine de zro:

VDG(off) VDS(off)

On constate que la tension drain-grille varie trs largement et donc la capacit grille-drain Cgd aussi.
Il apparat donc ncessaire de complter les courbes de la figure 29 de manire pouvoir valuer la
valeur de la capacit grille-drain dans tous les modes de fonctionnement.

La figure 31donne l'volution des capacits du DMOS en fonction des variations de VDS et VGS .
La partie gauche (VDS=0) correspond au DMOS conducteur, la partie droite (VGS=0) au DMOS
bloqu.

On constate que la capacit grille-drain Cgd = Crss varie considrablement, passant d'une valeur faible
(50pF) lorsque le DMOS est bloqu une valeur forte (3300pF) lorsque le DMOS est conducteur.

Il en rsulte des variations trs importantes de la capacit d'entre du DMOS au cours du cycle de
commutation.

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Figure 31 - Evolution des capacits internes du DMOS en fonction de la tension drain-gate.

Commutation la fermeture (turn on)

Supposons que le DMOS soit command par un gnrateur de courant constant Ig.

En observant les formes d'ondes de Vgs, Id et Vds durant la commutation, on constate qu'elle peut se
dcomposer en trois phases (fig.32)

Figure 32 - Oscillogramme de VGS, VDS et ID la commutation la fermeture.

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Phase 1 : Retard la fermeture.

Au dbut de la commutation, la tension drain-source est leve et la capacit Crss est faible devant
Ciss. La capacit d'entre est quivalente la capacit Ciss et forme avec la rsistance interne du circuit
de commande (driver) un circuit RC.

La charge fournie par le circuit de commande durant cette phase de dure td(on) est :
Q1 = Ig td(on).

Phase 2 : Phase de plateau

Lorsque la tension grille source dpasse la tension de seuil VGS(th), le DMOS devient conducteur et la
capacit grille-drain (Cgd=Crss) augmente trs vite.

Par effet Miller, cette capacit se trouve ramene en parallle avec la capacit grille-source et la
capacit d'entre augmente considrablement.

C entre = Q / VGS

le courant de grille tant constant, on peut crire:

Q = Ig t d'o : VGS / t = Ig / C entre

si C entre infini VGS / t 0

Pendant cette phase de dure tr (rise time), on constate que la tension grille-source reste constante un
niveau appel tension de plateau VGSP.

A la fin de cette phase, la tension drain-source est tombe la valeur VDS(on) et la commutation est
termine.

Phase 3 : Excs de charge de la capacit d'entre

La capacit d'entre continue se charger jusqu' la tension maximale dlivre par le circuit driver.
On notera que cet excs de charge ne sert qu' rduire lgrement la valeur de RDS(on).
Par contre, il faudra l'enlever la commutation l'ouverture ce qui risque de l'allonger.
On n'aura donc pas intrt utiliser une tension grille source maximale inutilement leve.

Commutation l'ouverture (turn off)

Le mcanisme de commutation l'ouverture est identique celui de la fermeture mais en sens inverse.

Phase 1 : Retard l'ouverture

Cette phase correspond la suppression de l'excs de charge de la capacit d'entre, c'est dire la
phase 3 de la commutation la fermeture.
Cette phase dure un temps td(off). On notera que ce temps n'est pas gal au temps de retard la
fermeture td(on).

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Phase 2 : phase de plateau.

Cette phase correspond la dcharge de la capacit grille drain. La tension grille-source reste constante
durant cette phase. Si le circuit de commande absorbe un courant de dcharge gal au courant de
charge, la dure de cette phase est identique celle de la fermeture et tf=tr.

Phase 3: Dcharge de la capacit d'entre.

A la fin de la phase de plateau, la commutation est termine. La capacit d'entre (principalement


compose de la capacit grille source) termine sa dcharge.

On notera que la tension grille source de plateau VGSP augmente avec le courant drain commut et que
la dure de cette phase augmente avec la tension drain-source.

Dfinition des temps de commutation (charge rsistive)

Les temps de commutation des MOSFET sont dfinis de manire analogue aux transistors bipolaires,
partir de la tension grille-source et du courant drain sur charge rsistive.

VGS 90%

10%

90% ID 90%

10% VDS 10%

td tr td tf

Figure 33 : Dfinition des temps de commutation.

On dfinit :

la fermeture (ou turn on) : t on = td(on) + tr.

td(on) : temps de retard la fermeture.


S'il est nanmoins bien infrieur celui des bipolaires, sa valeur n'est pas ngligeable. Il
est mesur entre les 10% de la tension VGS et les 90% de VDS.

tr : temps de croissance du courant ID (ou de descente de la tension drain-source


sur charge rsistive). Il est mesur entre les 90% et les 10% de la tension VDS

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l'ouverture ( ou turn off) : t off = td(off) + tf

td(off) : temps de retard l'ouverture.


Il est mesur entre les 90% de la tension VGS et les 10% de la tension VDS

tf : temps de descente du courant drain ID.


Il est mesur entre les 10% et les 90% de la tension VDS (sur charge rsistive).

7.5 DIODE INTEGREE SOURCE-DRAIN

En se reportant aux figures 22 et 25, on constate qu'il existe par construction une diode entre source et
drain. Cette diode est "connecte lectriquement" en antiparallle avec le MOS FET comme le montre
la figure 34.
Dr ai n

Gat e

Sour ce

Figure 34 : Schma quivalent d'un MOSFET de puissance avec sa diode Source-Drain.

Cette diode peut-tre utilise comme diode de roue libre dans les circuits de puissance, mais sa rapidit
est souvent insuffisante pour les applications frquence moyenne ou leve.

Certains constructeurs proposent des MOSFET diode intgre rapide utilisables par exemple dans les
ponts en H pour commande de moteur. (figure 35).

Figure 35 - Pont en H pour commande de moteur.

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7.6 AIRE DE SECURITE DES MOSFETS DE PUISSANCE.

On dfinit pour les MOSFETs une aire de scurit de la mme manire que pour les transistors
bipolaires (figure 36).

On remarque qu'il n'y a pas de limitation due au second claquage dans l'aire de scurit des MOS.
Ceci est d au coefficient de temprature positif du paramtre RDS(ON) qui empche la formation de
points chauds.

On notera galement que la tension d'avalanche drain-source est indpendante de l'tat du circuit grille-
source (contrairement aux transistors bipolaires).

Figure 36 : Aire de scurit d'un transistor MOS de puissance.

Les calculs de refroidisseurs et de temprature de jonction se conduisent exactement de la mme


manire que pour les transistors bipolaires ou les autres semi-conducteurs de puissance.

7.7 EXEMPLES DE CIRCUITS DE COMMANDE DE MOSFET.

Un des principaux avantages des MOS de puissance est leur facilit de commande comparativement
aux transistors bipolaires performances gales.

On trouvera ci aprs quelques exemples de circuits permettant d'interfacer un DMOS des circuits
lectroniques classiques.

La plupart des MOSFET de puissance se commandent avec une tension grille-source comprise entre 10
et 15V.

Les MOSFET de puissance peuvent tre directement commands par des portes CMOS (figure 37).

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Il est cependant recommand de connecter plusieurs portes en parallle pour augmenter les courants
d'attaque de la grille. De bons rsultats sont obtenus en connectant les six inverseurs d'un 4049 en
parallle.

Il existe par ailleurs de nombreux circuits intgrs "drivers de MOS" capables de gnrer une
commande trs faible impdance.

+1 2 V
1/ 2 4049

Por t e col l ect eur


ouv er t
1 k 1 k

Figure 37. Interfaage partir Figure 38 - Commande par circuit


de circuits logiques CMOS intgr collecteur ouvert (TTL par exemple)

L'interfaage direct avec les circuits logiques de la famille TTL n'est pas possible du fait des tensions
d'alimentations incompatibles et du faible courant dlivr l'tat haut.
On passera par l'intermdiaire d'une porte collecteur ouvert (figure 38).

(Il existe des MOSFET de puissance faible tension de seuil pouvant tre commands avec une tension
VGS de 5V, mais leur utilisation reste trs limite).

+1 2 V

PWM IC PWM IC
2 N2 2 2 2

5 0 nF
1 N4 1 5 0

22
220 100
220 1 k
2 N2 9 0 7

2 N2 9 0 7

(a) (b)

Figure 39 - Commande partir d'un circuit intgr spcialis (TL494 par exemple).

La figure 39 reprsente deux variantes possibles de circuit de commande partir d'un circuit intgr
PWM tel que le TL 494.

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Dans le circuit 39b on utilise une paire complmentaire NPN/PNP en metteurs suiveurs, associe un
circuit RC d'acclration (speed up).

Lorsque l'isolement galvanique doit tre respect on peut utiliser les circuits de la figure 40. La diode
zener en parallle sur le primaire assure une dmagntisation rapide du transformateur tout en limitant
la surtension vue par le transistor de commande.
Le rapport cyclique est forcment limit.

1 N4 1 5 0

* * 22 * *
1 k
1 k

2 N2 9 0 7

Figure 40. Commande par transformateur d'impulsion.

Lorsqu'on utilise un circuit de commande aliment par une tension nettement suprieure la tension
VGS nominale (10V dans la majorit des cas) on utilisera un circuit de protection de la grille tel que
celui de la figure 41.

12V 1 k

Figure 41. Protection de la grille par diode zener.

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