Universidad Nacional Abierta y A Distancia UNAD. Romero.

Fase 1_Articulo Individual 1

Fundamentos de los Semiconductores

Romero Cruz, Leidy Lorena.
Fsica de Semiconductores_Fase_1
Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD
Lorecruz.09@hotmail.com

(Ctodo)
Resumen Un dispositivo semiconductor es un
componente electrnico cuyas propiedades se derivan de los
materiales semiconductores como lo es el silicio, el germanio
por ltimo el Arseniuro de galio. Dentro de los dispositivos
semiconductores ms simples se encuentra el Diodo
construido por dos materiales semiconductores uno de tipo N
y otro de tipo P.
Figura 1. Tomada de Electrnica I, Autor: Bernardette
ndice de Trminos Dispositivos semiconductores, Alonso
Dispositivos de Unin, Diodo PN, Polaridad, nodo, ctodo,
encapsulado.
III. CARACTERSTICAS DIODOS

I.INTRODUCCIN. A. Regin de Polarizacin Directa: VD>VO. La

El siguiente documento contiene informacin
concerniente a los dispositivos semiconductores
haciendo nfasis especial en los dispositivos de
unin, sus caractersticas, los tipos de dispositivos
as como las polarizaciones, la tecnologa con la que
trabajan y el anlisis de los circuitos que permiten
determinar la idealidad o no de un dispositivo en
este caso diodo Unin PN.
II. DISPOSITIVOS CONDUCTORES: DIODO
Los dispositivos semiconductores se comportan
como conductores y/o aislantes dependiendo del
campo elctrico, campo magntico, presin,
radiacin ya que estos inciden en su
funcionamiento. Es necesario tener en cuenta el
tipo de corriente a suministrar ya que para ello est
el diodo el cual convierte la corriente alterna en
corriente Directa haciendo que esta fluya en un solo
sentido.
El diodo presenta dos terminales una llamada
terminal P cuyo potencial es positivo (nodo) y la
otra es la termina N cuyo potencial es negativo
corriente ID en el diodo es muy pequea.
B. Regin de polarizacin Inversa: VD<0.Si VD
es negativo y VD>>VT lo cual sucede cuando
VD < -0.1 V.
C. Regin de Rompimiento: El voltaje en
sentido inverso es alto por lo general con una
magnitud mayor que 1000 v.
IV. CARACTERSTICA DIODO IDEAL
1) La unin es abrupta y monodimensional
2) La zona de transicin est vaca de
portadores
3) El salto potencial, Vo V, est localizado en
la zona de transicin.
4) El numero n de portadores capaces de
saltar la barrera de potencial es:
n=Ce-Vo-V/Vr
5) Las uniones del diodo con el crculo son
hmicas y estn alejadas de la zona de transicin
V. UNIN POLARIZADA
Es el momento en el que el diodo es sometido a
una diferencia de tensin externa por ende puede
ocurrir las siguientes polarizaciones:
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A. Polarizacin Directa de la Unin PN: se
disminuye la barrera de potencial en la zona de
carga espacial permitiendo el paso de la corriente
de electrones, siendo as que el diodo quede
polarizado Directamente conduciendo la
electricidad. Cuando la diferencia de potencial
entre los bornes de la materia es mayor adquiere
energa para saltar los huecos de cristal
B. Polarizacin Inversa de la Unin PN:
Aumenta la zona de carga espacial y la tensin
hasta alcanzar el valor de la tensin de la barrera.
Siendo repetitivo hasta adquirir el mismo
potencial elctrico que la batera ya que se conecta
su polo negativo a la zona P (menor tensin)
VI. TIPOS DE DIODOS
A. Diodos normales o de Propsito General: El
tiempo de recuperacin inversa en de 25 s
empleados en aplicaciones de baja velocidad.
Capacidad 1500 V- 400 A.
B. Diodos de Recuperacin Rpida: presenta
un tiempo de recuperacin corto 5 s empleado
en circuitos convertidores de CD a CD y de CD a
CA.
C. Diodos Schottky: presenta una barrera de
potencial ya que recupera la carga, tiene una cada
de voltaje relativamente baja en sentido Directo
2
VII. TIPOS DE CONEXIONES DE DIODOS
A. Paralelo:
B. Serie:
VIII. APLICACIN
A. Rectificador de media onda: Elimina la
parte negativa o positiva de una seal de corriente
alterna y la transforma en corriente de salida
directa.
B. Rectificador de onda completa: convierte la
seal de corriente alterna positiva en negativa o
viceversa.
C. Doblador de tensin: mediante etapas de
diodos y condensadores convierte tensin desde
una fuente de corriente alterna a otra de corriente
continua.
D. Estabilizador Zener: diodo de silicio que
recibi el nombre de su creador y que funciona en
las zonas de ruptura
E. Recortador: reduce las tensiones en un
punto del circuito
F. Circuito fijador: no modifican la forma de
onda de entrada sino que le aaden un
determinado nivel de corriente continua
G. Divisor de tensin: reparte la tensin de una
fuente entre una o ms impedancias que se
encuentran conectadas en serie.
Universidad Nacional Abierta y A Distancia UNAD. Romero. Fase 1_Articulo Individual 3

IX. CONCLUSIONES docID=10411098&p00=dispositivos+electr

Con el desarrollo del anterior trabajo el estudiante %C3%B3nicos+tomo+i
afianz conocimiento mediante la investigacin
realizada en la web y el anlisis del material de [4] Arrays, M. (2008). Electromagnetismo,
apoyo dispuesto en el curso acadmico, de esta circuitos y semiconductores (pp. 235-249).
manera se facilita el desarrollo de las actividades Madrid, Espaa. Ed, Dykinson. Disponible en
planteadas en la gua. Teniendo en cuenta la rbrica eLibrohttp://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/
de evaluacin. lib/unadsp/detail.action?
docID=10227991&p00=electromagnetismo
APNDICE %2C+circuitos+semiconductores
Dentro de los dispositivos semiconductores en [5] (2016, 01). Tiristor. Wikipedia la Enciclopedia
este caso dispositivos de Unin tambin estn lo Libre. Obtenido 01, 2017, de
tiristores cuya funcin es realimentar internamente https://es.wikipedia.org/wiki/Tiristor
para producir conmutacin dependiendo de la
temperatura puede funcionar como aislante o como [6] (2016, 01). Dispositivos Semiconductores.
conductor; consta de un nodo y un ctodo donde ocwus. Obtenido 01, 2017, de
sus uniones son de tipo P-N-P-N. Por ende permite http://ocwus.us.es/fisica-
modelar 2 transistores P-N- P y N-P-N creando tres aplicada/copy_of_complementos-de-
fisica/temas/TEMA4.pdf
uniones J1, J2 Y J3, el terminal de puerta esta
conectado a la unin J3. [7] Torres, N. (2010). Prcticas de la Fsica de
Materiales Semiconductores. Mxico DF,
REFERENCIAS Mxico. Ed Instituto Politcnico Nacional.
Disponible en
[1] Garca, M. Cepeda, A. (1985). Dispositivos
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lib/unadsp/detail.action? [8] Arrays, M. (2008). Electromagnetismo,
docID=10411098&p00=dispositivos+electr circuitos y semiconductores (pp. 273-278).
%C3%B3nicos+tomo+i Madrid, Espaa. Ed, Dykinson. Disponible en
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lib/unadsp/detail.action? Electrnicos y Fotnicos: fundamentos (2. Ed)
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(pp. 104-127). Barcelona, Espaa. Ed.

Universitat Politecnica de Catalunya.
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eLibrohttp://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/
lib/unadsp/detail.action?
docID=11046667&p00=dispositivos+electr
%C3%B3nicos+fot%C3%B3nicos
%3A+fundamentos

Autores
Leidy Lorena Romero Cruz, Estudiante de Ingeniera
Electrnica de la Universidad Nacional Abierta y a Distancia
UNAD, Cead Acacias (Meta)