Electrnica Analgica

Caracterizacin de la asignatura.

Esta asignatura aporta al perfil del Ingeniero Mecatrnico la capacidad para

conocer los elementos semiconductores y aplicarlos en el anlisis, diseo,
simulacin y construccin de circuitos electrnicos analgicos para su uso en la
rectificacin de seales alternas, amplificacin de voltajes y corrientes, as como
en circuitos para el acondicionamiento y procesamiento de seales elctricas.

COMPETENCIAS A DESARROLLAR
Competencias especficas:
Identificar las caractersticas de los materiales semiconductores y su aplicacin
en la fabricacin de componentes electrnicos.
Analiza las caractersticas de los diodos utilizando las hojas de datos.
Disear una fuente de alimentacin lineal dual considerando la carga a alimentar.
Analizar circuitos con transistores para evaluar su funcionamiento.
Disear las redes de polarizacin de acuerdo a las necesidades de aplicacin.
Seleccionar los transistores considerando sus valores nominales para utilizarlos
de acuerdo a la aplicacin requerida.
Polarizar los amplificadores para su correcto funcionamiento
Seleccionar el amplificador operacional, considerando sus caractersticas
nominales para utilizarlo en la implementacin de circuitos electrnicos.
Utilizar los amplificadores operacionales en aplicaciones bsicas.
Disear circuitos electrnicos analgicos con dispositivos semiconductores
discretos y aplicarlos con dispositivos sensores para la medicin de magnitudes
tales como temperatura, presin, deteccin de movimientos. As mismo, para el
tratamiento y acondicionamiento de seales elctricas.
Tomar decisiones en la seleccin adecuada del dispositivo a utilizar,
dependiendo de las caractersticas y necesidades de la aplicacin, considerando
los parmetros elctricos propios de cada dispositivo.
Analiza diagramas electrnicos que contengan diodos y transistores para evaluar y
valorar su funcionamiento.

Competencias genricas:

Competencias instrumentales
Capacidad de .anlisis y sntesis
Capacidad de organizar y planificar
Conocimientos bsicos de la carrera.
Comunicacin oral y escrita.
 Habilidades bsicas del manejo de instrumentos de medicin elctricos, as
como software para el diseo y simulacin de circuitos.
Habilidad para buscar y analizar informacin proveniente de fuentes diversas.
Solucin de problemas
Toma de decisiones.

Competencias interpersonales

Capacidad crtica y autocrtica

Trabajo en equipo
tica

Competencias sistmicas

Capacidad de aplicar los conocimientos en la prctica.

Capacidad de aprender
Creatividad
Innovacin.
Habilidad para trabajar en forma autnoma
Alcanzar objetivos.

OBJETIVO GENERAL DEL CURSO

Analizar, simular y aplicar los dispositivos semiconductores bsicos en el diseo

de circuitos electrnicos utilizados en los sistemas Mecatrnicos.

COMPETENCIAS PREVIAS

Analizar, disear, simular e implementar circuitos elctricos de corriente directa y

alterna bsicos.
Interpretacin de grficas
Uso de software para diseo y simulacin de circuitos.
 Unidad 1: Dispositivos semiconductores

Competencia especfica a desarrollar:

Identificar las caractersticas de los materiales semiconductores y su aplicacin en

la fabricacin de componentes electrnicos.
Analiza las caractersticas de los diodos utilizando las hojas de datos.

Actividades de Aprendizaje:

1. Realizar consultas e investigaciones en las diferentes fuentes de

informacin disponibles.
2. Estudiar los materiales semiconductores y su uso en la construccin de
dispositivos semiconductores.
3. Conocer los parmetros y caractersticas elctricas del diodo
semiconductor.
4. Exponer temas en clase.
5. Participar en plenarias grupales para retroalimentar y aclarar dudas.
6. Comprueba en el laboratorio las aplicaciones del diodo.

Unidad I

Dispositivos Semiconductores

Materiales semiconductores.
Estructura del tomo
Como es bien sabido, el tomo est compuesto de ncleo que contiene subparticulas
tales como el protn (con carga positiva) y los neutrones sin carga. En su periferia,
orbitando alrededor del ncleo estn los electrones con mucha menor masa que las
partculas del ncleo (unas 2000 veces menor).

Estos electrones pueden ser de dos tipos:

1. Electrones ligados al ncleo: orbitan capas interiores del tomo, cerca de este y muy
difcilmente pueden escapar del mismo.

2. Electrones de valencia: orbitan en capas exteriores del tomo, en niveles superiores de

energa y pueden escapar en determinadas condiciones del tomo. Del mismo modo, el
tomo acepta en tales niveles electrones externos. Los electrones de valencia determinan
las propiedades qumicas de los materiales. Son los electrones de valencia los que
determinan tambin las propiedades elctricas de un material y as tenemos:

1. Materiales conductores (metales): Los metales tienen estructura cristalina, esto es, los
ncleos de los tomos que componen un metal estn perfectamente ordenados y los
electrones de valencia de los mismos estn tan dbilmente atados a sus respectivos
tomos que cada uno de ellos es compartido por todos los tomos de las estructura. Es
por ello que en el metal se forma una nube electrnica cuyos electrones son compartidos
por toda la estructura y ninguno de ellos est atado particularmente alguno de los tomos.

2. Material aislante: Los electrones de valencia estn ligados fuertemente a sus

respectivos ncleos atmicos. Los electrones de uno de sus tomos no son compartidos
con otros tomos.

3. Materiales semiconductores: Estos materiales se comportan como aislantes a bajas

temperaturas pero a temperaturas ms altas se comportan como conductores. La razn
de esto es que los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos
ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la temperatura
son capaces de abandonar el tomo para circular por la red atmica del material. En
cuanto un electrn abandona un tomo, en su lugar deja un hueco que puede ser
ocupado por otro electrn que estaba circulando por la red.

Los materiales semiconductores ms conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los
cuales poseen cuatro electrones de valencia en su ltimo nivel. Por otra parte, hay que
decir que tales materiales forman tambin estructura cristalina.
Hay que destacar que, para aadir energa al material semiconductor, adems de calor,
tambin se puede emplear luz.

Dispositivos Semiconductores

Definicin de Semiconductor.

Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura,

pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean
variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables elctricamente
por el hombre. Para conseguir esto, se introducen tomos de otros elementos en el
semiconductor. Estos tomos se llaman impurezas y tras su introduccin, el material
semiconductor presenta una conductividad controlable elctricamente. Existen dos tipos
de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el
tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habr dos tipos
fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N. El
material semiconductor ms utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que tambin son usados en la fabricacin
de circuitos. El silicio est presente de manera natural en la arena por lo que se
encuentra con abundancia en la naturaleza. Adems, el Si presenta propiedades
mecnicas y elctricas buenas. Su purificacin es relativamente sencilla (llegndose a Si
puro del 99,99999%) y el Si se presta fcilmente a ser oxidado, formndose SiO2 y
constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa CMOS.

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente,

pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las
cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas
por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los
semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica
(Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los
electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica
que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los
metales y la de los aislantes.

Conductores: Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan,

en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda
de conduccin.

Aislantes: En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien
separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y
facilidad.

Semiconductores: En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran

separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea
relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el
movimiento

Teora de bandas
Esta teora explica el comportamiento de los materiales al paso de la corriente desde una
perspectiva ms cientfica.
Definimos Banda de Valencia (BV) al conjunto de energa que poseen los electrones de
valencia.

Definimos Banda de Conduccin (BC) al conjunto de energa que poseen los electrones
para desligarse de sus tomos. Los electrones que estn en esta banda pueden circular
por el material si existe una tensin elctrica que los empuje entre dos puntos.

En base a estos dos conceptos tenemos tres casos:

Conductor: En este caso la Energa de la banda de valencia es mayor que la de los

electrones de la banda de conduccin. As pues, las bandas se superponen y muchos
electrones de valencia se sitan sobre la de conduccin con suma facilidad y, por lo tanto
con opcin de circular por el medio.

Aislante: En este caso la energa de la banda de conduccin es mucho mayor que la

energa de la banda de valencia. En este caso, existe una brecha entre la banda de
valencia y la de conduccin de modo que, los electrones de valencia no pueden acceder a
la banda de conduccin que estar vaca. Es por ello que el aislante no conduce. Solo
a temperaturas muy altas, estos materiales son conductores.

Semiconductores: En este caso, la banda de conduccin sigue siendo mayor que la

banda de valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms pequea, de modo que,
con un incremento pequeo de energa, los electrones de valencia saltan a la banda de
conduccin y puede circular por el medio. Cuando un electrn salta desde la banda de
valencia a la de conduccin deja un hueco en la banda de valencia que, aunque parezca
extrao, tambin se considera portador de corriente elctrica.

En resumen: en los semiconductores hay dos tipos de portadores de corriente elctrica:

- Los electrones: con carga negativa
- Los huecos con carga positiva.

A los materiales semiconductores puros se les conoce como semiconductores intrnsecos.

Semiconductores extrnsecos
Son materiales semiconductores puros contaminados con impurezas en mnimas
proporciones (una partcula entre un milln). A este proceso de contaminacin se le
denomina dopaje.

Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:

- Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como son
Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto electrn de
este tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en
el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.

Al material tipo N se le denomina tambin donador de electrones.

- Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3,
como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este tomo en el material,
queda un hueco donde debera ir un electrn.
Este hueco se mueve fcilmente por la estructura como si fuese un portador de carga
positiva. En este caso, los huecos son portadores mayoritarios.
Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Resumen: Los semiconductores tipo N tienen exceso de portadores de carga negativos

(electrones) y los semiconductores tipo P tienen exceso de portadores de carga positiva
(huecos).

Semiconductores intrnsecos

En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.

Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden
caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco
en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno de singadera extrema se le
denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades
de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin
global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de
electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se
cumple que:

ni = n = p

siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la

temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 1.73 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,

ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la
debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar
a los huecos prximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la
direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar
parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en
da se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello
una modificacin del material.

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de

agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como
intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes
ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente
dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado
degenerado

Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a

los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej.
fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn
no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de

los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como
huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo
con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al,
Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces
ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en
condicin de aceptar un electrn libre.

As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.

El Diodo
Caractersticas generales.
El diodo es un componente electrnico que consiste simplemente en la unin de dos
cristales semiconductores extrnsecos, uno tipo N y otro tipo P.
Al unirlos, parte del exceso de electrones del tipo N pasa al cristal tipo P, y parte de los
huecos del tipo P pasan al cristal tipo P. Crendose en la unin una franja llamada zona
de transicin que tiene un campo elctrico que se comporta como una barrera que se
opone al paso de ms electrones desde la zona N hacia la zona P y de huecos desde la
zona P a la zona N.
 Qu pasara si se conecta un diodo a una pila?

Pueden ocurren dos casos:

- Polarizacin directa: En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el polo
negativo al cristal N. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms estrecha,
rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la corriente. En este caso, el
diodo conduce.

- Polarizacin inversa: En este caso el polo positivo se conecta al cristal N y el polo

negativo al cristal P. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms ancha,
reforzando la barrera que impide el paso de la corriente. En este caso el diodo no
conduce.
En resumen: un diodo es tal que permite el paso de la corriente en un sentido (cuando
tiene polarizacin directa) y no lo permite en el otro sentido (polarizacin inversa).

En resumen: un diodo es tal que permite el paso de la corriente en un sentido

(cuando tiene polarizacin directa) y no lo permite en el otro sentido (polarizacin
inversa).

Smbolo

El contacto que se corresponde con el cristal semiconductor tipo P se llama nodo

(terminal positivo) y se simboliza con un pequeo tringulo y el cristal
semiconductor tipo N se llama ctodo (terminal negativo) y se simboliza con una
pequea lnea vertical.
Los diodos vienen forrados de una cpsula de plstico (normalmente negra) y un
anillo de color blanco que indica el ctodo.