Institut priv Polytechnique des Sciences

Avances de Sfax

Pour la discipline Gnie Energtique

(Niveau : 1re anne)

Prpar par : Imen BARRAJ

2014/2015
PLAN DU COURS

Chapitre 1 : Le transistor jonction bipolaire

Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires : Petits signaux,

Basse frquence

2
 CHAPITRE Le transistor
O
1 bipolaire jonction

TABLE DES MATIERES

1. Introduction ....................................................................................................... 4
2. Effet transistor................................................................................................... 5
3. Courants lectriques ......................................................................................... 6
4. Caractristiques Statique des Transistors Bipolaires ........................................ 7
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire jonction

LE TRANSISTOR BIPOLAIRE JONCTION

1. INTRODUCTION

Le transistor bipolaire jonction (ou BJT, pour Bipolar Junction Transistor ) est un
composant lectronique actif, constitu de deux jonctions P.N montes en tte bche. Il est
constitu donc par un cristal semi-conducteur (germanium (Ge) ou silicium (Si)) comportant
trois zones dopes diffremment de faon former :

- Soit deux zones N spares par une zone P : cest le transistor NPN
- Soit deux zones P spares par une zone N : cest le transistor PNP

Figure 1.1. Structure et symboles des transistors NPN et PNP

Pour quil puisse fonctionner il faut que :

- La zone intermdiaire soit trs mince : on lappelle la base (B)
- Lune des deux zones extrmes soit fortement dope : on lappelle lmetteur (E)
- Lautre zone extrme soit faiblement dope : on lappelle le collecteur (C)

4
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire jonction

La figure ci-dessous montre les structures et les symboles des transistors NPN et PNP. La flche
sur lmetteur indique le sens du courant et permet de connaitre le type de transistor. Elle est
oriente de la rgion P vers la rgion N.

2. EFFET TRANSISTOR

On prend le transistor NPN comme exemple.

Figure 1.2. Principe de l'effet transistor

En fonctionnement normal direct, un transistor bipolaire s'utilise de telle faon que :

- La jonction base-metteur soit polarise en direct (conductrice)
- La jonction base-collecteur soit polarise en inverse (bloque).

Processus principaux :

- La jonction BE, polarise en direct, injecte des lectrons de lmetteur vers la base.
- Les lectrons injects diffusent dans la base, o ils sont minoritaires. Quelques-uns de
ces lectrons subissent des recombinaisons avec les trous, majoritaires dans la base.
- Les lectrons qui ont travers la base sans avoir subi de recombinaison parviennent la
jonction BC, polarise en inverse. Le champ lectrique qui y rgne les entrane vers le
collecteur : il en rsulte, sous l'effet d'avalanche, un important courant de collecteur, Ic.
C'est ce qu'on appelle l'effet transistor.

Pour un transistor NPN, les lectrons majoritaires de l'metteur diffusent travers la base et
atteignent le collecteur et pour le transistor PNP les trous majoritaires de l'metteur diffusent
travers la base et atteignent le collecteur.

5
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire jonction

3. COURANTS ELECTRIQUES

La relation gnrale entre les courants du transistor bipolaire est :

= +

Deux gains en courant caractrisent la qualit dun transistor. Le premier, appel rapport de
transfert du courant ou gain alpha (ou encore gain en courant en configuration de base
commune), est donn par lexpression :

= 1

Avec 1 Lcart par rapport lunit est une mesure de limportance de leffet
transistor.
En effet, le bon fonctionnement du transistor requiert deux conditions :

- Les lectrons subissent peu de recombinaisons dans la base

- Linjection de trous dans lmetteur est ngligeable, ce qui se traduit par un facteur
proche de lunit.
Par consquent, un transistor correctement dimensionn comporte une base qui est faiblement
dope par rapport lmetteur (cela a le double avantage de rapprocher de lunit et de diminuer
le taux des recombinaisons dans la base).
Le deuxime gain en courant est le rapport damplification de courant entre base et collecteur
ou gain bta (ou encore gain en courant en configuration dmetteur commun). Il scrit :

Avec :

=
1

Ainsi, comme 1, le gain est un nombre trs grand devant lunit.

Pour un transistor de faible puissance (inferieure au watt), on rencontre typiquement des valeurs
de 100, ce qui correspond 0.99. Pour un transistor de haute puissance (suprieure au
watt), on a [20, 100] et [0.95 ; 0.99].

Calcul rigoureux :

6
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire jonction

On devrait donc avoir la relation = , mais lorsque IE = 0 (metteur en l'air) il existe un

petit courant collecteur ICB0 qui est le courant inverse de la jonction collecteur base donc :

= +

On devrait donc avoir la relation = , mais lorque IB = 0 (base en l'air) il existe un petit
courant collecteur ICE0 qui est le courant de fuite entre le collecteur et l'metteur donc :

= +

On a : = + , ce qui donne : = + +

1 = + = +

= + +1 et = +1

4. CARACTERISTIQUES STATIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Afin d'tudier la mode de fonctionnement du transistor, on utilise un montage metteur

commun. Le schma est donn par la figure suivante :

Figure 1.3. Montage metteur commun

VBB et VCC sont des sources de tension continue variables

7
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire jonction

Dans ce montage, la base est polarise par la rsistance dsigne RB. Le potentiel de la base est
d'environ 0,7 V, car l'metteur est la masse et la jonction base-metteur quivaut une diode
passante.

Le collecteur est polaris par la rsistance dsigne RC, de telle manire que la tension du
collecteur soit suprieure la tension de la base (VCE > VBE) la jonction base-collecteur est
alors polarise en inverse.

Figure 1. 4. Caractristique statique dun transistor bipolaire

Caractristiques IB constant : Si, pour diffrentes valeurs du courant IB (fix par VBB et
RB) on reprsente les variations du courant IC et de la tension VBE en fonction de VCE, on
obtient les deux rseaux de caractristiques dont l'allure est reprsente dans les premiers et
quatrimes quadrants de la figure ci-dessus.
Pour un courant IB >0 et des tensions VCE de quelques diximes de volts :
- La jonction B-E est polarise en directe.
- Pour une valeur donne de IB, on a IC < IB (le courant IC nest pas proportionnel IB).
On est dans la zone de saturation

8
Chapitre 1 : Le transistor bipolaire jonction

Pour un courant IB > 0 et des tensions VCE suprieure des diximes de volts :
- La jonction B-E est polarise en directe (VBE = 0.6 0.7V pour le silicium), et la jonction
B-C est polarise en inverse.
- Dans ce cas, pour une valeur fixe de IB, le courant IC est indpendant de VCE et
pratiquement constant : IC = .IB
On est dans la zone de fonctionnement linaire

Le basculement entre le fonctionnement en rgime de saturation et en rgime linaire se produit

la tension de saturation VCEsat .
Pour un courant IB = 0, IC = 0 (la rgion des faibles courants IB et IC.)
- La tension VBE est infrieure 0.7V, la jonction B-E est bloque.
On est dans la zone de blocage

Caractristiques VCE constant : La tension VCE tant constante, nous donnons IB (pris
comme variable) une suite de valeurs pour lesquelles nous relevons Ic et VBE. On obtient les
deux rseaux de caractristiques dont l'allure est reprsente dans les deuximes et
troisimes quadrants.
- La tension VCE influe peu sur la caractristique IB = f(VBE).
- IB = f(VBE) caractristique de la jonction PN
- Les caractristiques IC = f(IB) sont des droites passant pratiquement par l'origine. On
retrouve bien la relation IC = .IB caractristique du fonctionnement linaire.

La table ci-dessous rsume les diffrents rgimes de fonctionnement du transistor Bipolaire

jonction.

Mode de Polarisation de la jonction B-E Polarisation de la jonction B-C

fonctionnement
Linaire Directe Inverse
Saturation Directe Directe
Blocage Inverse Inverse

9
 CHAPITRE Polarisation du
2 transistor bipolaire

TABLE DES MATIERES

1. Introduction ....................................................................................................... 11
2. Polarisation par rsistance de base .................................................................. 11
3. Polarisation par pont de rsistances sur la base .............................................. 13
4. Polarisation par rsistance d'metteur .............................................................. 15
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

POLARISATION DU TRANSISTOR
BIPOLAIRE

1. INTRODUCTION

La polarisation permet de fixer le point de repos du transistor P0 (IC0, IB0, VBE0, VCE0) (point de
fonctionnement statique). Suivant les valeurs dIC0, IB0, VBE0, VCE0, le transistor va fonctionner
en rgime linaire, bloqu ou satur. Ces grandeurs vont tre imposes par les lments
extrieurs au transistor.

2. POLARISATION PAR RESISTANCE DE BASE

La figure 2.1 prsente le schma du circuit de polarisation par rsistance de base.

Figure 2.1. Polarisation par rsistance de base

Droite dattaque statique-droite de charge statique

D'aprs la loi des mailles applique sur le circuit, nous avons :

11
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Equation de la maille dentre (maille 1) : = +

Do :

= ! $%&'()* +, -& +.)(', +&''&$%, 0'&'($%,

Ainsi, la droite dattaque est exprime par la relation =1

Lintersection de cette droite avec la caractristique dentre du transistor donne le point
(VBE0, IB0)
Equation de la maille de sortie (maille 2) : = +

Do :

= ! $%&'()* +, -& +.)(', +, 23&.4, 0'&'($%,

Ainsi, la droite de charge est exprime par la relation =1 .

Lintersection de cette droite avec la caractristique de sortie du transistor donne le point
(VCE0, IC0)

On a : = do :

= 5 6

12
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Figure 2.2. Dtermination du point de fonctionnement statique

Sur la caractristique IC = f(VCE) du transistor, on trace la droite de charge statique.

Le point d'intersection entre la droite de charge statique et les caractristiques du transistor nous
donne le point de fonctionnement P0, P1 ou P2 du montage ou point de polarisation.
Ce sont les lments extrieurs au transistor qui vont fixer ce point de fonctionnement :
Si le point de fonctionnement est en P0 alors le transistor fonctionne dans la zone
linaire.
Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor est bloqu.
Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est satur.

3. POLARISATION PAR PONT DE RESISTANCES SUR LA BASE

La figure 2.2 prsente le schma du circuit de polarisation par rsistance de base.

Figure 2.3. Polarisation par pont des rsistances sur la base

On applique the thorme de Thvenin entre les ponts A et B, le montage quivalent est le
suivant :

13
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Avec :

7
=
+ 7

= // 7

La droite de charge statique est donne par :

1
=

La droite dattaque est donne par :

1
=

Typiquement, pour un transistor au silicium, passe de 55 25C 100 175C.

La tension VBE diminue d'environ 2,2 mV par C. Ainsi, la temprature peut jouer sur la stabilit
du montage transistor.

Dans notre cas, on voit que si varie (changement de transistor ou variation due la
temprature), alors le courant IC varie fortement (IC = .IB), ce qui dplace le point de
fonctionnement. Ce montage et le montage prcdent ne sont donc pas trs stable : ils dpendent
normment de la temprature de fonctionnement !

Figure 2.4. Caractristique iC VBE et effets de la temprature

14
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Exemple :

Donnes :

T= 25C on a = 100 et VBE = 0.7V

T= 75C on a = 150 et VBE = 0.6V
Rc = 0.56 K
RB = 100 K

- Variation relative de :

>? 7?
= = 50%
25= 7?

Do

150 100
= = 50%
25= 100

On a

= 5 6

Et

Pour T= 25C : Ic = 11.3mA et VCE = 5.7V

Pour T= 25C : Ic = 17.1mA et VCE = 2.4V

= 51% BC = 57%
25= 25=

Pour le fonctionnement linaire, nous allons utiliser un autre montage qui permettra d'obtenir
un point de fonctionnement indpendant du du transistor et donc indpendant de la
temprature.

4. POLARISATION PAR RESISTANCE D'EMETTEUR

La figure 2.5 prsente le schma du circuit de polarisation par rsistance de base.

15
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

Figure 2.5. Polarisation rsistance dmetteur

Equation de la maille dentre (maille 1) :

= + +

Or : = + = 1+ = + + 1+

Do la droite dattaque est donne par :

1
=
+ +1 + +1

Equation de la maille de sortie (maille 2) : = + +

On a

Do la droite de charge statique est donne par :

1
=
+ +

Si augmente, alors IC augmente. Ceci provoque l'augmentation du potentiel d'metteur VE =

RE.IC. Or Vcc - VBE - VE = RB.IB On a alors la tension RB.IB qui diminue et donc IB diminue, ce
qui provoque la diminution de IC : RE permet alors de contrebalancer partiellement
l'augmentation de .

Indpendance de la variation de la temprature :

EF
On a : = + + = + + BC =
G

16
Chapitre 2 : Polarisation du transistor bipolaire

=
+

IJ
Si , alors : , qui est indpendant de .
G

Exemple :

Donnes :

T= 25C on a = 100 et VBE = 0.7V

T= 75C on a = 150 et VBE = 0.6V
R1 = 110 K, R2 = 10 K, RC = 10 K, RE = 1 K
Vcc=20V

LM = // 7 LM = 9.17 Q
7
LM = LM = 1.67
+ 7

On a
LM
= 5 6
LM + 1 +

Et

1+
= 5 +5 6 6

Pour T= 25C : Ic = 0.88mA et VCE = 10.3V

Pour T= 25C : Ic = 1mA et VCE = 9V

= 14% BC = 13%
25= 25=

17
CHAPITRE Amplificateurs transistors
bipolaires : Petits signaux,
3 Basse frquence

TABLE DES MATIERES

1. Introduction ..................................................................................................................19
2. Rgime dynamique : approche graphique ....................................................................19
3. Modle quivalent du transistor en dynamique petits signaux: paramtres hybrides ....21
3.1. paramtres hybrides ...........................................................................................21
3.2. Modlisation du transistor : modle hybride ........................................................22
4. Montages amplificateur de tension ...............................................................................23
4.1. Montage metteur commun ................................................................................24
4.2. Montage base commune ....................................................................................27
4.3. Montage collecteur commun ...............................................................................29

18
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS
BIPOLAIRES : PETITS SIGNAUX,
BASSE FREQUENCE

1. INTRODUCTION

Le rgime alternatif reprsente le rgime dynamique qui va tre superpos au rgime statique
(polarisation). Lobjectif recherch est la fonction amplification.
Amplifier un signal : cest augmenter son amplitude sans toucher sa forme (linaire). Pour
garantir une fonction linaire de lamplification, on se place dans des conditions du rgime
petit signaux. Le point de fonctionnement se trouve dans la zone dite linaire.
Petits signaux : les signaux sont de faible amplitude autour du point de fonctionnement de
manire ce que le transistor travaille toujours en rgime linaire (il nest ni bloqu, ni
satur).

2. REGIME DYNAMIQUE : APPROCHE GRAPHIQUE

Soit le montage amplificateur liaison capacitive :

Les condensateurs C1 et C2 sont des condensateurs dits de liaison. Ils vitent que les courants
continus de polarisation circulent ventuellement dans les parties qui prcdent ou suivent
lamplificateur. Ils sont choisis de faon ce que :
Leur impdance soit trs faible la frquence de travail (en rgime dynamique) : on les
assimile alors des court-circuit.

19
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

En continu, ils ont une trs grande impdance : on les assimile alors des circuits
ouverts.
Ces condensateurs naffectent donc pas le point de fonctionnement statique (point de
polarisation).
RL : rsistance dentre de ltage suivant

Le transistor va donc pouvoir tre modlis par un systme linaire dans ce cas bien prcis, et
on peut parler de superposition de deux rgimes :
Un rgime continu qui sert fixer le point de polarisation Po du montage.
Un rgime sinusodal (petits signaux) qui reprsente le signal utile amplifier.
On peut donc en dduire les deux circuits quivalents suivant :

Le schma quivalent en dynamique est valable au voisinage du point de fonctionnement est le

suivant :

C = V C

W C = // X Y C

Y C = I W C : Equation de la droite de charge en dynamique

Z //I[

20
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Etude de lamplificateur : cas o Ve(t) est une tension sinusodale. Graphiquement, on

obtient :

3. MODELE EQUIVALENT DU TRANSISTOR EN DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX:

PARAMETRES HYBRIDES

En rgime alternatif petits signaux autour du point de fonctionnement Po, le transistor peut tre
vu comme un quadriple actif. On va donc tablir un schma quivalent petits signaux. Ainsi,
on utilisera les lois gnrales des circuits lectriques plutt que dutiliser un raisonnement
graphique qui peut tre assez lourd.
Pour modliser le transistor en petits signaux basse frquence, nous utiliserons les paramtres
hybrides (paramtres h ), modle le plus utilis.

3.1. PARAMETRES HYBRIDES

21
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Lorsque les grandeurs caractristiques choisies sont la tension dentre V1 et le courant de sortie
i2, les paramtres qui les lient au courant dentre i1 et la tension de sortie V2 sont appels
paramtres hybrides et sont nots hij.
Nous avons :
V1 = h11.i1 + h12.V2
i2 = h21.i1 + h22.V2

Le terme hybride vient du fait que les paramtres hij ne possdent pas tous la mme
dimension. Ces paramtres h sont bien adapts la description des transistors bipolaires
fonctionnant faible frquence et dans lapproximation des faibles signaux.

3.2. MODELISATION DU TRANSISTOR : MODELE HYBRIDE

Le schma quivalent est tabli pour le montage metteur commun, cest dire que cest lmetteur qui
est la rfrence commune.

Y Y

7
Y7 Y

Do : VBE = h11.iB + h12.VCE

IC = h21.iB + h22.VCE

Ces relations conduisent au schma quivalent suivant :

22
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Signification des paramtres hybrides :

]
= 5 6
]Y ^ : Cest la pente de la caractristique VBE = f(IB)
F_`Zabc, de

h11 est de lordre du kilo ohm

]
7 = 5
]
6 : Cest la pente de la caractristique VBE = f(VCE) ;
fJ`Zabc, de

h12 est de lordre de 10-4 10-5. On pourra donc considrer que h12
est nul.

]Y
7 = 5]Y 6 = : Cest la pente de la caractristique IC = f(IB)
^ F_`Zabc, de
qui est sensiblement une droite dquation IC = .IB

]
77 = 5 ]Y 6 : Si les caractristiques IC = f(VCE) sont bien
f J`Zabc, de
horizontales, alors h22 = 0.

Ainsi, plus h22 est faible, meilleur est le transistor. En ralit h22 est de lordre de 10-5 s. On a donc 1/h22
qui est trs lev.

23
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Schma simplifi du transistor en dynamique : Le schma quivalent du transistor en petits signaux

en basse frquence que nous utiliserons sera donc:

70
77 0

4. MONTAGES AMPLIFICATEUR DE TENSION

On distingue trois montages de base :

Emetteur commun
Collecteur commun
Base commune
Ltude de lamplificateur consiste dterminer :
Limpdance dentre
Limpdance de sortie
Le gain en tension
Le gain en courant

4.1. MONTAGE EMETTEUR COMMUN

Pour ce montage, le signal dentre est appliqu sur la base du transistor alors que la sortie est prise sur
le collecteur, lmetteur reste commun aux mailles dentre et de sortie comme le montre la figure ci-
dessous.

24
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Schma lectrique quivalent :

is

ie Rg

RE RL Vs
eg R1//R2
Ve

Schma quivalent en dynamique

Impdance dentre : (Impdance vue du gnrateur)

V
g = = // 7 //
YV

En gnral, RB est trs grande devant h11. On a donc Ze h11 qui est de lordre du kilo Ohm.
Limpdance dentre du montage metteur commun est relativement faible (Moyenne).

Impdance de sortie : (Impdance vue de la charge)

Pour dterminer limpdance de sortie, on doit court-circuter toutes les sources de tensions, dbrancher
la charge et la remplacer par une source idale V0 qui dbite dans le reste du circuit un courant i0,
limpdance de sorte Zs est donne par la relation qui suit :

gW =
Y

25
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Le schma quivalent devient :

On a : Ve = 0 ib =0 , do
gW =
Zs est de lordre du kilo ohm. Limpdance de sortie du montage est relativement leve.

Gain en tension

Le gain en tension est dfinit par la relation :

W
hi =
V

On a :

W = // X 7 Yj

V = Yj
7
hi = // X

Le gain est ngatif. Le montage metteur commun est un amplificateur inverseur.

|lm | > Lamplificateur a donc un fort gain en tension.

Gain en courant

Le gain en tension est dfinit par la relation :

YW
hf =
YV

On a :

YW YW W V 1
hf = = = hi gV
YV W V YV X

26
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

21
hf = = // o // 7 //
o 11

|lp | > Amplification en courant

Le montage metteur commun (le plus utilis) permet une amplification en courant et en tension

4.2. MONTAGE BASE COMMUNE

Dans ce montage, le signal dentre est appliqu sur lmetteur du transistor alors que la sortie est prise
sur le collecteur, la base reste commune aux mailles dentre et de sortie.

Schma lectrique quivalent

RB = R1//R2 est parfaitement dcouple par CB.

Schma quivalent en dynamique

27
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Impdance dentre

On a :

V
g = //
Yq

V = Yj V 11
=
Yq 21 + 1
Yq = 7 Yj Yj = 1 + 7 Yj

11
g = //
21 + 1

Limpdance dentre est de lordre dune dizaine dohms. Limpdance dentre du montage base
commune est donc relativement faible.

Impdance de sortie

Le schma quivalent devient (on applique Thevenin):

gW = = //
Y Y

Daprs le schma on a : i1 = h21 ib

Daprs la loi des mailles on a :

Yj = r // st 7 + 1 Yj u +r // st 7 + 1 vYj = 0

Yj = 0
gW =

28
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Zs est de lordre du kilo Ohm. Limpdance de sortie du montage peut donc tre relativement leve.

Gain en tension

Daprs le schma quivalent, on a :

W = // X 7 Yj

V = Yj
7
hi = // X

Le gain est positif. Le montage base commune est un amplificateur non inverseur.

|lm | > Amplification en tension.

Gain en courant

On a :

YW YW W V 21 11
hf = = = = // o
YV W V YV o 11 21 + 1
// X
hf =
w

|lp | < Pas damplification en courant

Le montage base commun permet une amplification en tension et namplifie pas en courant, mais
prsente une faible impdance dentre. Son utilisation se limite lemploi en haute frquence.

4.3. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN

Dans ce montage, le signal dentre est appliqu sur la base du transistor mais la sortie est prise
de lmetteur alors que le collecteur reste commun aux deux mailles dentre et de sortie.

29
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

Schma lectrique quivalent

Schma quivalent en dynamique

Impdance dentre
V V
g = = // 7 //
YV Yj
On a :

V = // X 7 + 1 Yj + Yj = y // X 7 + 1 + zYj

V
= // X 21 + 1 + 11
Yj

g = // 7 //y11 + // X 21 + 1 z

Limpdance dentre du montage est de lordre de plusieurs centaines de KW. Le collecteur

commun a donc une trs forte impdance dentre.

Impdance de sortie
Le schma quivalent devient :

30
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

gW = = //
Y Y

Daprs le schma on a :

Y = 7 + 1 Yj
r { // 1 // 2 t + 11
=
= |r Y 21 + 1
s // // 7t + } Yj

11 + r { // 1 // 2 t
gW = //
21 + 1

Limpdance de sortie du montage est trs faible.

Gain en tension

On a :

W = // X 7 + 1 Yj

W
V = W + Yj V = W + V = 51 + 6 W
// X 7 + 1 // X 7 + 1

hi = 51 + 6
// X 7 + 1

|lm | Le gain est gal lunit. Le montage collecteur commun est tel que
Vs = Ve (pas damplification en tension).

Gain en courant

On a :
1 21 + 1 ~ // o
hf = 1 // 2 //r11 + 21 + 1 ~ // o t
o 11 + 21 + 1 ~ // o

h11<<1

31
Chapitre 3 : Amplificateurs transistors bipolaires

// 7
hf =
o

RL est faible |lp | > Amplification en courant

Le montage collecteur commun est un suiveur

Le montage collecteur commun amplifie en courant et namplifie pas en tension, prsente

une trs grande impdance dentre et une trs faible impdance de sortie, do son emploi
frquent en tage adaptateur en tension.

32