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EN2817 Propriedades

Eltricas, Magnticas e ticas


Prof. Dr. Daniel Zanetti de Florio
Profa. Dra. Daniela Bianchi Ponce Leon de Lima

(Turma A, Noturno, Santo Andr)


Tera das 21:00 s 23:00;
Quinta das 19 00 : s 21 00 : ;
SALA S3013 (Bloco A, Torre 3
(Torre do CCNH), 3 andar)
Pr-Requisitos
EN2810 Cincia dos Materiais:
Cristalografia, Termodinmica de Slidos. Tabela
Peridica. Ligaes em slidos: conceitos, descries
de orbitais moleculares e modelos de bandas de
energia e ligaes qumicas. Construes de cristais e
transies de faz. Slidos inicos. Metais e Ligas
metlicas. Silicatos, fosfatos e boratos. Estruturas
orgnicas. Defeitos da estrutura cristalina. Difuso.
Diagrama de Fases. Cintica e tratamento trmico.
Materiais Compsitos. Propriedades Eltricas.
Materiais Semicondutores. Materiais Magnticos.
Ementa Oficial
Propriedades fsicas de materiais e Fsica e Moderna;
Introduo aos materiais pticos; Modelos de Lorentz,
Drude e Tauc-Lorentz;
Absoro interbanda: semicondutores e aplicaes em
fotodetectores; Exctons: princpios, comportamentos em
campos eltricos e magnticos; Luminescncia:
fotoluminescncia, eletroluminescncia, aplicaes;
Fibra ptica e ptica no linear (FWM, BBS, disperso
cromtica, disperso por polarizao);
Materiais metlicos, semicondutores e isolantes;
Dispositivos semicondutores: junes PN, Schotky,
fotodetectores, LED, lasers de estado slido;
Ementa Oficial
Propriedades de Materiais Metlicos, semicondutores e
supercondutores: Conduo eltrica; semicondutividade;
conduo eltrica em cermicas inicas e polmeros;
Comportamento dieltrico; Piezeletricidade, Piroeletricidade e
Ferroeletricidade;

Propriedades de materiais magnticos: Origem eltrica


(eltron em movimento) no tomo; Diamagnticos e
Paramagnticos; Ferri/ferromagnticos e Antiferromagnticos.
Dispositivos: gravadores HD.
Bibliografia:
Materiais e Dispositivos Eletrnicos Srgio Rezende, Ed Livraria da Fsica
The Physics of Solids, Richard Turton, Oxford University Press
FOX, M. Optical Properties of Solids. Oxford University Press, 2003
Kittel, C. Introduo fsica do estado slido. ed. LTC
KASAP, S. O. Principles of electronic materials and devices. 3th. ed.. Boston:
McGraw-Hill
Callister Jr, W. D. Cincia e Engenharia de Materiais: Uma Introduo. 7 ed.
Editora: LTC, 2008.
Askeland, D. R., PHUL, P. P. Cincia e Engenharia dos Materiais. Editora:
Cengage Learning, 2008
Shackelford, J. F. Cincia dos Materiais. Editora: Pearson Prentice Hall, 2008
MEIER, T. Coherent Semiconductor Optics [electronic resource] : From Basic
Concepts to Nanostructure Applications / by Torsten Meier, Peter Thomas,
Stephan W. Koch.
http://biblioteca.ufabc.edu.br/index.php?codigo_sophia=55277 (esse
digital)
MURRAY, George et al. Introduction to engineering materials / 2. ed
Provas

1 Prova (P1): 29/10 (quinta);


2 Prova (P2): 10/12 (quinta);
Sub/rec (SR): decidir (votar) entre 15/12
(tera), 17/12 (quinta) ou 1 tera letiva
de 2016.
Conceitos
C / final=(CP1+CP2)/2;
CSR substitui o menor conceito entre CP1 e CP2, mesmo que CSR < C
C ( b d l!) P1 ou CP2 (sub do mal!);
A prova conter um nmero de questes mltiplo de 3 (ex.: 3, 6, 9,
etc ); .
No caso de uma prova com 3 questes, acertou 1 questo, conceito
C, acertou 2, conceito B, e assim por diante...
A correo binria, certo ou errado!
Como se faz a mdia entre conceitos B e C, por exemplo? Se voc
um bom aluno sua mdia entre B e C, por exemplo B, se voc no
um bom aluno sua mdia entre B e C, por exemplo, pode ser C!
Propriedades Eltricas dos Materiais
INTRODUO
Resistncia eltrica e a lei de Ohm
Resistividade e condutividade eltrica
Lei de Ohm
Condutividade eltrica
Bandas de energia nos slidos
Condutividade eltrica dos metais
Condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo n
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo p
RESISTNCIA ELTRICA
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO
ELTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais.
As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos
materiais, dentre as quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo de
ligao qumica e os tipos de estrutura e microestrutura.
A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre
dentro dos materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo. So
portadores de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions.
LEI DE OHM: U = R I
Unidades SI : U Volts (V) = J / C ; I Ampres (A) = C / s; R Ohms () = V
/A
Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em evidncias experimentais e utilizando
o conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um corpo, formulou uma lei que
relaciona a VOLTAGEM (U) aplicada sobre o corpo com a CORRENTE ELTRICA
(I) que o atravessa.
RESISTNCIA ELTRICA
Resistividade e condutividade eltrica
Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A
define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA () do material do qual o corpo
constitudo por

Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade uma


PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo.
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A

A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com que


ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade eltrica como
sendo o inverso da resistividade,

Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m


Lei de Ohm

Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM determina que a


DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado material diretamente proporcional ao
CAMPO ELTRICO (E) aplicado sobre o mesmo.

Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C; J = I/A Ampres -


metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s

Como exerccio para casa, mostre que as equaes U = R I e J = E so


equivalentes.
Condutividade eltrica
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a
magnitude de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais:
CONDUTORES, SEMICONDUTORES e ISOLANTES.

Condutividade em (.m) -1 de uma variedade de materiais


temperatura ambiente.
PROPRIEDADES ELTRICAS
CONDUTIVIDADE ELTRICA ()
o movimento de cargas
eltricas (eltrons ou ons) de
uma posio para outra.
= 1/= n.q.
= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1)
= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= nmero de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador
(coulombs) [q do eltron= 1,6x10-19 R = . l/A
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga
(cm2/V.s) 14
PROPRIEDADES ELTRICAS
SEMICONDUTORES
Tem resistividade entre metais e isolantes

10-6-10-4 .cm 1010-1020 .cm


A resistividade diminui com o aumento de
temperatura (ao contrrio dos metais)
A resistividade diminui com a adio de certas
impurezas
A resistividade aumenta com a presena de
imperfeies nos cristais.
15
PROPRIEDADES ELTRICAS
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES

Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela Peridica)


GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela
Peridica)
PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Peridica)

95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com Silcio


65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V so
para uso militar
16
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES

SO USADOS PARA A FABRICAO DOS SEGUINTES


DISPOSITIVOS ELETRNICOS E OPTOELETRNICOS

Transistor
Diodos
Circuito integrado
LEDS
Detetores de infravermelho
Clulas solares, etc.
17
CAMPOS DE APLICAO DOS
DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES

Indstria de computadores (memrias, microprocessadores, etc.)


Indstria aeroespacial
Telecomunicaes
Equipamentos de udio e vdeo
Relgios
Na robtica
Sistemas industriais de medidas e controles
Sistemas de segurana
Automveis
Equipamentos mdicos,...
18
LIGAO QUMICA

A- METAIS
Os eltrons de valncia no esto ligados a nenhum
tomo especfico (esto livres)
H atrao entre os eltrons livres (de valncia) e os ons
positivos (ncleo mais eltrons de valncia)
Os metais tm elevada condutividade eltrica devido aos
eltrons estarem livres para moverem-se (alta mobilidade).
No entanto, a agitao trmica reduz o livre percurso
mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos e como
consequncia a condutividade.
19
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE

20
EFEITO DA TEMPERATURA E DA ESTRUTURA
DO MATERIAL NA RESISTIVIDADE

ESTRUTURA PERFEITA A MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS


ALTA TEMPERATURA
BAIXA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELTRONS


EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS 21
LIGAO QUMICA

B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores tm ligao covalente, com
4 eltrons de valncia. Os semicondutores compostos
(grupos III-V e II-VI) tm 4 eltrons de valncia em
mdia.

RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA PARA UM


SEMICONDUTOR
O aumento da temperatura fornece energia que liberta
transportadores de cargas adicionais.

22
Distribuio Eletrnica
A distribuio dos eltrons dos tomos em nveis e subniveis de energia
geralmente feita por meio do Diagrama de Pauling .
Os eltrons se distribuem na eletrosfera do tomo em nveis e
subniveis diferentes
Exemplo de distribuio eletrnica
Distribuio eletrnica do tomo de bromo (Z = 35):

Escrevendo a distribuio eletrnica, por extenso, em ordem de


energia (ordem das setas diagonais): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p5
Pode-se tambm escrever a distribuio, por extenso, em ordem
geomtrica (ordem crescente de n): 1s2 / 2s2 2p6 / 3s2 3p6 3d10 / 4s2 4p5
Tabela Peridica
BANDAS DE ENERGIA
Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura eletrnica
em bandas de energia.
Os eltrons de valncia de dois tomos adjacentes interagem
entre si quando so aproximados um do outro, como acontece
em um slido cristalino. Isso faz com que novos nveis de energia
sejam estabelecidos, originando ento bandas de energia (so
nveis discretos de energia, mas com diferenas apenas
infinitesimais)
A banda de energia corresponde um nvel de energia de um
tomo isolado

As bandas de energia nem sempre se sobrepem


Assim como orbitais, as bandas de energia podem comportar no
mximo dois eltrons.

26
GAP DE ENERGIA (BANDA PROIBIDA)

o espao entre as bandas de energia

o que distingue um semicondutor de um


condutor ou isolante.

27
NVEL DE DE ENERGIA DE FERMI
definido como o nvel de energia abaixo do
qual todos os estados de energia esto
ocupados a 0K.

28
CONDUTOR

Os eltrons no
preenchem todos os
estados possveis da
banda de valncia e por
isso a conduo ocorre
na banda de valncia. Nvel de Fermi

Num metal o nvel de


Fermi esta localizado na
banda de valncia.
Banda de valncia
incompleta 29
ISOLANTES

Os eltrons preenchem BANDA


todos os estados DE
possveis da banda de CONDUO
valncia e por isso a
Nvel de fermi GAP DE ENERGIA
conduo NO ocorre
na banda de valncia. BANDA
DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALNCIA
energia

Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV


Gap de um isolante maior
SEMICONDUTOR

Da mesma forma que nos BANDA


isolantes, os eltrons DE
CONDUO
preenchem todos os
estados possveis da banda Nvel de fermi GAP DE ENERGIA
de valncia.
BANDA
DE
Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de VALNCIA
energia

Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV


Gap de um isolante maior 31
Semicondutores bandas de conduo
SEMICONDUTOR

Num semicondutor, os eltrons podem ser


excitados para a banda de conduo por
energia eltrica, trmica ou ptica
(fotoconduo)

Quando um eltron excitado para a banda de


conduo deixa um buraco ou uma vacncia na
banda de valncia que contribui tambm para a
corrente.
33
Exerccio 1
Dadas as equaes:
E= V/L
J = I/A
I= dq/dt
= R(A/L)
= 1/
J=xE
Condutividade do Cobre = 5,85x10 7 /m
Condutividade do Ao Inoxidvel = 0, 14x107 /m

Considere um arame com 3 mm de dimetro e 2 m de comprimento.


Responda as seguintes questes:
1) Qual a resistncia do arame, caso seja feito de cobre?
2) Qual a resistncia do arame se for feito de ao inoxidvel?
3) Usando as respostas das questes 1 e 2, faa os clculos a seguir, assumindo a diferena de potencial de 0.05 V
apresentada ao longo do arame:
a) Se o arame for de ao inoxidvel, calcule: o fluxo da corrente (I) , a densidade da corrente (J) e a magnitude do
campo eltrico (E).
b) Se o arame for de cobre, calcule o fluxo de corrente (I), densidade de corrente (J) e a magnitude do campo
eltrico (E).
4) Mostre que: U = R x I e J = x E
CONDUO INTRNSECA

(SEMICONDUTOR INTRNSECO)

a conduo resultante dos movimentos eletrnicos


nos materiais puros. 35
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Semicondutor intrnseco
Uma vez que existem 2 tipo de portadores (eltrons livre e buracos) num semicondutor
intrnseco, a expresso para conduo eltrica deve ser modificada para incluir um
termo que leve em conta a contribuio da corrente de buraco

Onde p o nmero de buracos por metro cbico e h sempre menor que e para semicondutores.
Para semicondutores intrnsecos, cada eltron promovido atravs da lacuna (gap) de banda, deixa pra trs
Um buraco na banda de valncia. Assim:
n=p

e
Semicondutor intrnseco
As condutividades intrnsecas temperatura ambiente e as mobilidades de
eltron e de buraco para vrios metais semicondutores esto tambm
representados na tabela a seguir:
Semicondutor intrnseco exerccio 1

Ex 14.4 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos
Materiais
Resoluo exerccio 1
Sendo o material intrnseco, concentraes de eltron e de buraco
sero as mesmas e, portanto, a partir da equao,
Semicondutor intrnseco exerccio 2
Calcular o nmero de tomos de Si
por metro cbico. A densidade do
Si 2.330 kg/m3 (2,33 g/cm3) e
sua massa atmica 28,08 g/mol

Ex 14.5 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos
Materiais
Resoluo exerccio 2
Semicondutor intrnseco exerccio 3

Ex 14.6 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 3

Equao 14.13 Smith, W. F.


CONDUO EXTRNSECA

Quando adiciona-se intencionalmente uma


impureza dopante para proporcionar eltrons ou
buracos extras.
Os semicondutores extrnsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos
extras.
Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons
extras
Os processos utilizados para dopagem so difuso e
implantao inica 45
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

Quando adiciona-se intencionalmente uma


impureza dopante para CRIAR buracos extras.

Impurezas tipo "p" ou aceitadores


proporcionam buracos extras

Exemplo: Dopagem do Si (valncia 4) com


Boro (valncia 3)
46
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)
Exemplo:

BORO UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA

47
SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P

E a quantidade de energia necessria


para elevar um eltron de uma banda
de valncia ao nvel de receptor
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)
NVEL DE FERM I

49
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)
Impurezas tipo "n" ou doadores.
proporcionam eltrons extra

Exemplo: Dopagem do Si
(valncia 4) com Fsforo
(valncia 5)

50
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)

E = Quantidade de energia que os eltrons


livres de energia do doador para serem
energizados at a banda condutora
(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)
NVEL DE FERMI

52
Efeito da dopagem sobre as concentraes de portadores em
semicondutores extrnsecos

Em semicondutores como Si e Ge, os eltrons e as lacunas mveis so constantemente


gerados e recombinados. temperatura constante e sob condies de equilbrio, o produto
das concentraes de eltrons negativos e lacunas positivas constante. A relao geral :

np = 2
Onde ni a concentrao intrnseca de portadores em um semicondutor, que constante a uma
dada temperatura (relao vlida para condutores intrnsecos e extrnsecos)

Em semicondutor extrnseco o aumento de um tipo de portador (p ou n) reduz a concentrao


do outro tipo devido recombinao de modo que o produto dos dois (n e p) permanece
constante a uma dada temperatura.
Em semicondutores extrnsecos, os portadores de maior concentrao so designados
majoritrios e os de menor concentrao, minoritrios.
Efeito da dopagem sobre as concentraes de
portadores em semicondutores extrnsecos
Densidade de carga em semicondutores extrnsecos
Uma vez que o semicondutor deve ser eletricamente neutro, a magnitude da
densidade total de carga negativa deve ser magnitude da densidade de carga
positiva. A densidade total de carga negativa igual soma dos ons receptores
negativos Na e dos eltrons, isto Na + n. A densidade total de carga positiva
igual soma dos ons doadores positivos Nd e das lacunas , ou seja Nd + p. Ento:

Na + n = Nd + p

Em um semicondutor do tipo n, criado pela adio de tomos de impurezas doadores


ao Si intrnseco, Na = 0. Uma vez que o nmero de eltrons muito maior que o
nmero de lacunas em semicondutores do tipo n (isto , n >>p), ento a equao
acima se reduz a:


Densidade de carga em semicondutores extrnsecos

Portanto, em um semicondutor do tipo n, a Concentrao de portadores tpicos em


concentrao de eltrons livre aproximadamente semicondutores intrnsecos e extrnsecos
igual concentrao de tomos doadores. Pode-se
obter a concentrao de lacunas em um Para o Si a 300 K, a concentrao de
semicondutor do tipo n, atravs da seguinte portadores intrnsecos, , igual
equao: a 1,5 x 1016 portadores/m3. Para o Si
extrnseco dopado com Arsnio a uma
2 2
= concentrao tpica de 1021 tomo de

impureza/m3
As equaes correspondentes para semicondutores do
tipo p de Si e Ge so: Concentrao de portadores
majoritrios:
= 1021 eltrons/m3

2 2 Concentrao de portadores
=
minoritrios:
= 2,25 x 1011 lacunas/m3
Semicondutores extrnsecos exerccio 1

Ex 14.7 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 1
Semicondutores extrnsecos exerccio 2

Ex 14.8 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 2
Efeito da concentrao total de impurezas
ionizadas sobre a mobilidade dos portadores de
carga no Si temperatura ambiente
A figura ao lado mostra que as
mobilidades dos eltrons e lacunas
no Si temperatura ambiente
passam por um mximo a
concentraes baixas de impurezas
e ento decrescem com o aumento
desta concentrao, atingindo um
mnimo a concentraes altas. O
exerccio a seguir mostra como a
neutralizao de um tipo de
portador de carga por outro leva a
uma mobilidade menor dos
portadores majoritrios Fig 14.26 Smith, W. D
Efeito da temperatura sobre a condutividade
eltrica de semicondutores extrnsecos
A condutividade eltrica de um
semicondutor extrnseco como o Si
contendo tomos de impurezas
dopados afetada pela temperatura.
Em temperaturas mais baixas, o
nmero de tomos de impurezas
ativados (ionizados) por unidade
volumtrica determina a
condutividade eltrica do Si.
medida que a temperatura aumenta,
mais e mais tomos de impurezas so
ionizados e, assim, a condutividade Fig 14.27 Smith, W. D
eltrica do Si extrnseco aumenta
com a temperatura na fase extrnseca
Semicondutores extrnsecos - Exerccio 3

Ex 14.9 Willian, F. S
Fund. de Eng e Cincia dos Materiais
Resoluo exerccio 3
Semicondutores extrnsecos

Virtualmente, todos os semicondutores comerciais


so extrnsecos; isto , o comportamento eltrico
determinado por impurezas que, quando presentes
em concentraes at mesmo diminutas, introduzem
eltrons em excesso ou buracos em excesso. Por
exemplo: uma comcentrao de impureza de 1
tomo em 1012 suficiente para tornar o Si
extrnseco temperatura ambiente.
CONDUO EXTRNSECA

CONSIDERAES GERAIS

Os eltrons tem maior mobilidade que os buracos.

A presena de impurezas pode alterar o tamanho do


gap de energia do semicondutor.

66
OPERAO DO DIODO

(JUNO P-N)
Dispositivos eletrnicos como transistors, circuitos
integrados, chips, etc... usam a combinao de
semicondutores extrnsecos tipo p e tipo n .

DIODO um dispositivo que permite a corrente fluir em um


sentido e no em outro. construdo juntando um
semicondutor tipo n e tipo p.

67
JUNO P-N
-Quando uma voltagem aplicada
como no esquema abaixo, os
dois tipos de cargas se movero
em direo juno onde se
recombinaro. A corrente
eltrica ir fluir.
-Como no esquema abaixo, a
voltagem causar o movimento
de cargas para longe da juno.
A corrente no ir fluir no
dispositivo.

68
Juno P-N - Efeitos de polarizao direta e
polarizao inversa
Juno P-N - Grfico Corrente/Voltagem