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INVERSORES

INTRODUCCION

La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la

electrnica para el control y la conversin de la energa elctrica
mediante la conmutacin de dispositivos semiconductores. Las
tcnicas de conversin requieren la conmutacin de dispositivos
semiconductores de potencia, que a su vez son controlados mediante
seales de compuertas generadas por circuitos electrnicos de bajo
nivel tales como circuitos integrados y componentes discretos los
cuales se han ido desplazando por microprocesadores con el paso de
los aos.

Dentro de la electrnica de potencia los circuitos para transformar de

corriente directa a corriente alterna se conocen como inversores.

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INTRODUCCION

Dentro de los dispositivos de la electronica de potencia se conocen

los tiristores (SCR, GTO, TRIAC, RTC, SITH, LASCR, FET, MOS),
transistores (BJT, MOSFET, IGBT) y diodos.

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos

semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma
extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un
estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que
los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los
tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

INTRODUCCION

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura

pnpn con tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta.
La figura muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones
pn. Los tiristores se fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se
hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin
directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una
pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el
tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado
llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo I D.

Si el voltaje nodo a ctodo V AK se incrementa a un valor lo suficientemente

grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se
conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama
voltaje de ruptura directa V BO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen
polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las
tres uniones que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice
entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado.

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La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser

pequea, por lo comn 1v. En el estado activo, la corriente del nodo debe
ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche I L, a fin de
mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin;
de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo
regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, I L, es la
corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado
INTRODUCCION de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha
retirado la seal de la compuerta.
TIRISTOR: Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en
conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir
conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de agotamiento de
vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la
corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como
corriente de mantenimiento I H, se genera una regin de agotamiento
alrededor de la unin J2 debido al nmero reducido de portadores; el
tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la
corriente de enganche, I L . Esto significa que I L>IH. La corriente de
mantenimiento I H es la corriente del nodo mnima para mantener el
tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento
es menor que la corriente de enganche.

Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin
J2 tiene polarizacin directa, pero las unioneJ1 y J3 tienen polarizacin
inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje
inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y
una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR,
fluir a travs del dispositivo.

INTRODUCCION

Modelo de tiristor de dos transistores

La accin regenerativa o de enganche

debido a la retroalimentacin directa
se puede demostrar mediante un
modelo de tiristor de dos transistores.
Un tiristor se puede considerar como
dos transistores complementarios, un
transistor PNP, Q1 , y un transistor NPN,
Q2 , tal y como se demuestra en la
figura 3.

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INTRODUCCION

Activacin del tiristor:

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las
siguientes formas: TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares
electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que a1 y a2
aumenten. Debido a la accin regenerativa (a1 + a2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este
tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco
pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos
de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO , fluir una
corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar
destructiva por lo que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones
capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el
tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo
permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al
tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, podiendo llegar
a activarse.

INTRODUCCION

Tipos de tiristores:

Tiristores de control de fase o de conmutacin rpida (SCR):

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin
como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll la General Electric en 1958 y lo
denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI).
En la figura siguiente se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo
sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de
entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN.

Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de
ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada.
Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO . Si se escoge un SCR de tal manera
que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces,
solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el
dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de I H. Adems, una vez que se dispare el SCR,
su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje
directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-
oblicuo comn.

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INTRODUCCION

Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas,

los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control
de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar
aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones
que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de
3,000 A.
Un SCR.
Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede V BO
Tiene un voltaje de ruptura V BO, cuyo nivel se controla por la
cantidad de corriente iG, presente en el SCR
Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por
debajo de I H
Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta
que se supere el voltaje mximo inverso.

Tiristores de desactivacin por compuerta

(GTO)
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el
apagado por compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede
apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de
entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han
venido usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las
aplicaciones de control de motores, al final de los aos setenta. Estos
dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de
control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de
componentes externos para apagar los SCR en circuitos de cc.

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para

encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se
necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para
apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre
20 y 30m s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente
negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por
el aparato.

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Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC)

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR

conectados en contraposicin, con una compuerta de
paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el
momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El
smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente.

El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se

aumenta la corriente de compuerta, en la misma
forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un
TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a
los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un
TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por
debajo de IH.

Tiristores de conduccin inversa (RTC)

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparaleloa

travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a
una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de
conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo
de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones
transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido
en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del

circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo
incorporado, tal y como se muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce
tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400
a 2000v y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo
inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado est
preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la
corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos
especficos.

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Tiristores de induccin esttica (SITH)

Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de

compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un
voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en
estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con
especificaciones de voltaje y corriente ms altas. Un SITH tiene velocidades
de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de / y /.

El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin de

voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A.
Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin,
por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden
producir cambios de importancia en sus caractersticas.

Rectificadores controlados de silicio activados

por luz (LASCR)
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio
provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la
radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo
elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas
prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de / y
/).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo,
transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia
reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total
aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de
conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto
como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un
LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo
luminoso de menos de 100mw.
El / tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.

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Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor

en paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si
a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una
corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta
velocidad de conmutacin, un / alto y un dv/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores

convencionales, pero no se puede desactivar mediante
control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las
que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de
proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de
entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del
convertidor de potencia.

Tiristores controlados por MOS (MCT)

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor
regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito
equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la
(a). La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un
transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET
de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2. Debido a que se trata de una estructura
NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la
terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de
compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un
voltaje negativo VG A. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el material
dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente
S 1 del MOSFET M1 del canal p) a travs del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es
drenaje D 1 del MOSFET M1, del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de
base correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1 emisor n+ E1 de Q1,
inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace
que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el
transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VG A de compuerta negativa activa
al MOSFET M1 canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.

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Tiristores controlados por MOS (MCT)

Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VG A. Se

forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente
electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S 2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n
del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D 2 del MOSFET M2 del canal n+). Este
flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su
unin base-emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la
base p B1 de Q1 (y el colector p C2 de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la
base p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de
bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VG A, desva la corriente que excita la base
de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es

menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que
su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo.
Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los
anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas.
Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems,
durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones,
incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la
totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado.

Un MCT tiene:
Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;
Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de
desactivado rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
Bajas perdidas de conmutacin;
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la
especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a
partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin
continua a fin de evitar ambigedad de estado.

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Transistores

Los transistores son utilizados como interruptores electrnicos de

potencia. Los circuitos de excitacin de estos se disean para que
stos estn completamente saturados (activados) o en corte
(desactivados). Los transistores tienen la ventaja de que proporcionan
un control de activacin y de desactivacin, mientras que el SCR slo
dispone de control de activacin. Se utilizan los transistores de unin
bipolar (BJT), los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo,
los de unin bipolar de puerta aislada (IGBT). El BJT es un dispositivo
controlado por corriente. El MOSFET es un dispositivo controlado por
tensin, el circuito de excitacin es ms sencillo que el utilizado en un
BJT. El IGBT es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El
circuito de excitacin es como el de un MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT. Este dispositivo es
adecuado para velocidades de conmutacin de hasta
aproximadamente 20 kHz.

Diodos:

Es el interruptor electrnico ms simple. No se puede

controlar, en el sentido de que son las tensiones y
corrientes del circuito las que determinan el estado de
conduccin y de corte del diodo. El diodo est polarizado
en directa cuando la corriente que lo atraviesa es
positiva, es decir cuando esta circula desde el nodo
hacia el ctodo y est polarizado en inversa cuando la
tensin entre el nodo y ctodo es negativa. Una
caracterstica dinmica importante de un diodo real es la
corriente de recuperacin inversa, esta es la corriente
negativa que circula por el diodo al pasar de conduccin a
corte antes de que alcance el valor cero. El tiempo de
recuperacin es normalmente inferior a 1 s.

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Funcion Del Inversor

La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de

entrada en corriente directa CD a un voltaje simtrico de salida en corriente
alterna CA con magnitud y frecuencia deseadas. Tanto el voltaje de entrada
como la frecuencia de salida pueden ser fijos o variables. Si se modifica el
voltaje de entrada de CD y la ganancia del inversor se mantiene constante,
es
posible obtener un voltaje variable de salida. Por otra parte, si el voltaje de
entrada en CD es fijo y por lo tanto no es controlable, se puede obtener un
voltaje de salida variable s se vara la ganancia del inversor. Esto por lo
general se hace utilizando algn tipo de modulacin, como es la modulacin
por ancho de pulso PWM que permite controlar tanto la ganancia como la
frecuencia del inversor. La ganancia del inversor se puede definir como la
relacin entre el voltaje de salida CA y el voltaje de entrada CD.

Funcin

En los inversores, las formas de onda del voltaje de salida deberan ser
senoidales. Sin embargo, en los inversores reales no son senoidales y
contienen ciertas armnicas. Para aplicaciones de baja y mediana potencia,
se
pueden aceptar los voltajes de onda cuadrada o casi cuadrada; para
aplicaciones de alta potencia, son necesarias las formas de onda de baja
distorsin. Dada la disponibilidad de los dispositivos semiconductores de
potencia de alta velocidad, es posible reducir significativamente el contenido
armnico del voltaje de salida mediante diversas tcnicas de conmutacin.

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Clasificacion De Los Inversores

Se pueden clasificar segn el numero de fases:

Monofasicos
Trifasicos

Inversores monofsicos
Los inversores se pueden clasificar dependiendo del nmero de fases de
voltaje de corriente alterna que generen a la salida, cuando se genera una
sola
fase de voltaje a la salida se conoce como inversor monofsico, y en inversor
trifsico cuando se generan tres fases de voltaje a la salida. Cada tipo de
inversor puede subdividirse en inversores de tres niveles que sintetizan una
seal de corriente alterna con tres niveles de voltaje de CD, y en inversores
multinivel los cuales sintetizan la seal de voltaje de corriente alterna a la
salida con ms de tres niveles de voltaje de CD.

Inversor de medio puente

El circuito consiste en un par de dispositivos de conmutacin
Q1 y Q2
conectados en serie a travs de una fuente de voltaje de
corriente directa Vs, y
una carga conectada entre el punto a y el punto central 0 en la
unin de los
dos capacitores C1 y C2, los cuales dividen el voltaje de entrada
Vs.
dispositivos Q1 y Q2 conmutan en forma alterna en un ngulo
para generar el voltaje de salida.
Mediante la figura 1.1 se puede explicar el principio de
funcionamiento del
inversor de medio puente. Inicialmente, se activa el transistor
Q1 durante un tiempo To/2, el voltaje instantneo a travs de la
carga Vo ser Vs/2. Despus, el transistor Q2 es activado por lo
tanto Q1 desactivado durante un tiempo To/2. El voltaje Vs/2
aparece en la carga.
En la figura 1.2 se pueden observar las formas de onda del
voltaje y la corriente en los dispositivos de conmutacin de
inversor de medio puente con carga resistiva. En realidad, una
pequea brecha (Td) o banda muerta es conservada entre
conmutaciones como se indica en la figura para prevenir un
corto circuito en la estructura.

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FORMA DE ONDA DE SALIDA

Figura 1.2 se pueden observar las formas de onda del voltaje y la

corriente

Inversor de puente completo o puente H

Dos inversores de medio puente pueden ser

conectados para formar un inversor de puente
completo, o puente H, como el de la figura.
La ausencia de los capacitores es notoria y no se
utilizan en este caso. La carga esta conectada entre
los puntos a y b. En el modo de operacin de seal
de onda cuadrada, la cual es mostrada en la figura
1.4, el par de dispositivos Q1Q3 y Q2Q4 conmutan
en forma alterna para generar la seal de voltaje de
salida de onda cuadrada de amplitud .
Para esta estructura tanto los diodos y los MOSFET
estn dimensionados para soportar el voltaje de la
fuente Vs cuando estos se encuentran polarizados
inversamente y en corte respectivamente.
La corriente pico que debern conducir los MOSFET
es Im y la corriente que conducirn los diodos es Im
sen [1]

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FORMA DE ONDA DE SALIDA

Control de voltaje de los inversores

monofsicos
En muchas aplicaciones Industriales, a menudo es necesario controlar el
voltaje de salida de los inversores, esto con el fin de: hacer frente a las
variaciones de la entrada DC, para la regulacin del voltaje de los inversores y
para cumplir los requisitos de voltaje y frecuencia en la salida del circuito.
Existen varias tcnicas para modificar el voltaje de salida de un inversor.

El mtodo ms eficiente de controlar este voltaje, es incorporar en los

inversores el control de modulacin de ancho de pulso (PWM). Las tcnicas
mas comnmente utilizadas son:
1. Modulacin de un solo ancho de pulso.
2. Modulacin de varios anchos de pulso.
3. Modulacin senoidal del ancho de pulso.
4. Modulacin senoidal modificada del ancho de pulso.
5. Control por desplazamiento de fase.

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Modulacin de un solo ancho de pulso

En el control por modulacin de

un solo ancho de pulso existe un
solo pulso por cada medio ciclo.
El ancho del pulso se hace
variar, a fin de controlar el
voltaje de salida del inversor. La
figura 2 muestra las seales de
excitacin y el voltaje de salida
para el inversor monofsico en
configuracin puente de la
figura

Modulacin de varios anchos de pulso

Tambin se le conoce como modulacin uniforme

de ancho de pulso (UPWM).

Utilizando varios pulsos en cada semiciclo de voltaje

de salida puede reducirse el contenido armnico.

Mediante la comparacin de una seal de referencia

con una seal portadora se generan los pulsos de
disparo, tal como lo muestra la figura 3A.

La frecuencia de la seal de referencia establece la

frecuencia de la seal de salida, Fo, y la frecuencia
de la portadora, Fc, determina el nmero de pulsos
por cada ciclo. El ndice de modulacin controla el
voltaje de salida.

En la figura 3B se muestra el voltaje de salida,

teniendo en cuenta que los pulsos positivos se
generan debido a la excitacin simultanea de S1 y
S4 y los negativos con la de S2 y S3 [1].

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Modulacin senoidal del ancho de pulso

En vez de mantener igual el ancho de

todos los pulsos, en la modulacin
senoidal se vara en proporcin con la
amplitud de una onda senoidal evaluada
en el centro del mismo pulso.

Las seales de compuerta se generan al

comparar una seal senoidal de referencia
con una onda portadora triangular
unidireccional, tal y como se muestra en la
Figura 4.

La frecuencia de la seal de referencia, fr,

determina la frecuencia de salida del
inversor, fo, y 18 su amplitud pico controla
el ndice de modulacin, M, y en
consecuencia, el voltaje RMS de salida [1].

Modulacin senoidal modificada del ancho

de pulso
En la modulacin senoidal de ancho de pulso, los anchos de los
pulsos ms cercanos al pico de la onda senoidal no cambian
considerablemente, luego en la modulacin senoidal modificada
(MSPWM) durante los sesenta grados alrededor del pico (treinta
antes y treinta despus) los interruptores estn encendidos.

Este tipo de modulacin permite que se reduzca el nmero de

conmutaciones de los dispositivos de potencia y las prdidas de
conmutacin, incrementando la componente fundamental y
mejorando las caractersticas armnicas [1].

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Control por desplazamiento de fase

Este control se puede obtener

usando varios inversores y
sumando el voltaje de salida de
los inversores individuales.
Un ejemplo sera tener dos
inversores de medio puente y
sumarlos.
Un desplazamiento de fase
entre ellos controlara el
descanso en cero de la onda
rectangular de salida, figura 5,
controlando mediante esto el
voltaje RMS de la salida [1].

Diagrama De Bloque Del Inversor Monofasico

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Fuente de alimentacin

Consta de una fuente de

switcheo flyback con entrada de
40 a 60 voltios DC y salida de 15
voltios para alimentar el
circuito.

Esta fuente es capaz de entregar

500 mA, o sea 7.5 Watts y
adems tiene un riple menor al
5% (750mV).

Sincronismo

La funcin del circuito de

sincronizacin es la de garantizar
que la seal de salida trabaje a una
frecuencia de 60 Hz +/- 2%.

Para esto se tiene un oscilador que

genera una seal estable de 4 M Hz,
la cual es dividida para obtener 120
Hz y adecuada para generar pulsos
de sincronizacin que obliguen al
PWM a trabajar a esa frecuencia.

El PWM nos va a generar una seal

de control para cada uno de los
semiciclos de la seal de salida, as
que la frecuencia final ser de 60 Hz

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PWM El LM 3524 (PWM) es el corazn del circuito ya que

se encarga de generar pulsos de voltaje de ancho
variable a partir de los cuales se crean las seales de
disparo de los mosfets del puente inversor de salida.

Esto se hace utilizando su amplificador de error

como comparador entre un voltaje de referencia y
un voltaje entregado por el circuito de Control.

El LM 3524 tiene un control de lmite de corriente,

con el cual se evita que el circuito sobrepase la
corriente mxima para la que esta diseado.

Otra caracterstica importante es que s esta usando

el pin de compensacin para asegurar que el circuito
tenga un arranque suave y con esto prevenir
saturaciones del transformador de salida debido al
punto sobre la curva de magnetizacin en el que
arranque cada vez que se enciende.

Circuito de retardo y disparo

Este circuito se encarga de generar las seales de disparo

para los mosfets del puente de salida a partir de las
seales de control que entrega el LM 3524.
Primero se genera un par de seales de control a partir
de cada una de las seales proveniente del LM 3524, para
esto se utilizan circuitos con optoacopladores.
Cada uno de estos circuitos genera una seal igual a la de
entrada y otra inversa, las cuales controlan los disparos
de una de las dos ramas del puente de salida.
Estos circuitos tambin se encargan de generar un
retardo entre las seales de una misma rama, esto con el
fin de que antes de prender cualquier mosfet haya un
tiempo suficiente para que el mosfet de su misma rama
se apague completamente.
Finalmente cada par de estas seales de control van a las
entradas de un driver, el cual garantiza que cuando la
seal de entrada este en alto, la salida correspondiente
entregue el voltaje gate-source para encender el mosfet.

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Puente y transformador de salida

El puente de salida se conforma de cuatro mosfets
de enriquecimiento canal N que funcionan como
interruptores conectados a la fuente de
alimentacin, proveniente de las cuatro bateras, y
al primario de un transformador.
Estos mosfets son manejados por unas seales de
control que garantizan que en el primario del
transformador se genere una onda rectangular
con descanso en cero. Posteriormente esta seal
va a ser adecuada por el transformador con el fin
de entregar la amplitud requerida.
El transformador cumple con la relacin de vueltas
entre el primario y el secundario para dar la
amplificacin que se busca y tambin soporta la
potencia mxima que el circuito entrega. Los
cuatro mosfets escogidos cumplen con las
caractersticas de corriente y voltaje para soportar
las exigencias de la carga sin daar la eficiencia del
circuito.

Circuito de control

El circuito de control se encarga de tomar

una muestra del voltaje de salida por
medio de transformador y a partir de esta
genera un voltaje DC proporcional al
promedio de la de salida rectificada, el
cual va a ser comparado con una
referencia en el LM 3524 controlar el
ancho de los pulsos de salida.

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Alarma de fuentes

El circuito de alarma de fuentes se

encarga de bloquear el disparo de los
mosfets del puente de salida siempre
que alguna de las fuentes este por
fuera de su rango de voltaje.

El rango de las bateras es de 40 a 60

voltios y el de la fuente de switcheo es
de 13 a 15 voltios.

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