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Captulo IV

La unin PN

La unin PN est conformada por material semiconductor tipo P, por un


lado, y material tipo N, por el otro como muestra la figura:

P N

La unin PN es el elemento bsico para la creacin de dispositivos


electrnicos para infinidad de aplicaciones. Por ejemplo los diodos, que
son precisamente uniones pn; de la misma familia se han desprendido
para aplicaciones especializadas diversos tipos de diodos; los
transistores que son la base de la electrnica moderna, a su vez estn
basados en la estructura bsica de las uniones pn, etc.

El comportamiento de la unin es muy particular. De hecho, al solo


contacto de los materiales ya se establece una interaccin entre ellos. A
continuacin se presenta una explicacin didctica as se esperade la
unin.

Anlisis de corrientes en la unin PN

Movimiento de portadores por difusin

Al ponerse en contacto el material p con el material n, se produce


inmediatamente una corriente de difusin por la diferencia de
concentraciones (obviamente una capa de la unin est cargada de
electrones (n) y la otra est cargada de huecos (p)). As, huecos de
material P, atraviesan la unin y se recombinan con los electrones de la
zona de tipo N; del mismo modo, algunos electrones de la zona de tipo
N atraviesan la unin y se recombinan con los huecos de la zona de tipo
P.

La direccin de la corriente se ha convenido que se la de los huecos. La


flecha seala la direccin de la corriente establecida.

La regin de agotamiento

Sin embargo, este proceso provoca en forma inmediata la ionizacin de


la zona de la unin. Qu significa esto? Que al moverse los portadores
dejan iones cargados. Los de huecos del material P, dejarn iones
negativos en inmediaciones de la unin y de forma anloga, los
electrones del material N, que se han desprendido, dejarn iones
cargados positivamente en la zona de la unin. Cul es el resultado de
esto? Que la recombinacin ocasiona una disminucin de las cargas
libres en la zona de la unin (se la denomina zona de agotamiento o
zona de deplexin o zona d carga espacial) e impide la movilidad de
los portadores ms alejados.
Las caractersticas de la zona de agotamiento son:

Los iones negativos de la zona P estn privados de sus huecos.


Los iones positivos de la zona N estn privados de sus electrones.
El sistema (de todas formas) permanece neutro

Al estar el sistema en equilibrio, evidentemente (aunque se hayan


movido algunos portadores) la cantidad de cargas positivas es igual al
nmero de cargas negativas.

Movimiento de portadores por arrastre

El resultado es que a ambos los lados de la unin presencia de cargas


no neutralizadas, con signo opuesto. La zona mencionada permite el
establecimiento de un campo elctrico y por tanto, de una diferencia de
potencial que ser variable al interior de la zona de agotamiento pero
que (en forma ideal) permanece constante en el resto del material. Este
campo elctrico provocado evita la propagacin de ms
recombinaciones: slo las cargas capaces de romper la barrera de
potencial pueden recombinarse.

En la presencia de un campo elctricos, los portadores minoritarios de


ambos materiales son atrados por el potencial establecido: los
electrones del material P sern atrados por el potencial positivo
establecido en la zona de agotamiento del material N; y del mismo
modo los huecos del material N sern atrados por el potencial negativo
establecido en la zona de agotamiento del material P. Esta corriente
generada es, obviamente, una corriente de arrastre.

En equilibrio trmico, es decir sin ningn tipo de excitacin externo, la


corriente de arrastre y corriente de difusin son de la misma magnitud
pero de sentidos contrarios, su suma no puede ser sino cero.

I a+ I d =0

La corriente de difusin tiene sentido contrario a la de arrastre por eso,


su suma algebraica es cero.

Anlisis de tensiones en la unin PN


P N

El grfico muestra el comportamiento en equilibrio trmico del


potencial de contacto y de las concentraciones de las cargas libres.

La barrera de potencial es caracterstica del material, de su


concentracin y de la temperatura. Ms adelante se determinar una
frmula para obtener su valor para ciertas condiciones dadas. Por el
momento se puede asumir que para
L T=300 K, la barrera de potencial, a
la cual se denomina tambin tensin de umbral, ser:
-xp x
0 xn
P N
Material Semiconductor Tensin de umbral a 300
K
Silicio (Si) 0,7 V a 0,8 V
GermanioPotencial
(Ge) elctrico 0,3 V
Arseniuro de Galio (AsGa) 1,2 V
Uo
x

La barrera de potencial, que establece la tensin


Concentracin de umbral
huecos
caracterstica ser analizada a detalle en subttulos posteriores. Baste
decir por el momento que su forma es el resultado de una funcin
x
cuadrtica que se vuelca en el punto de la unin.
Concentracin
Anlisis de las concentraciones
electrones en la unin PN

x
El grfico muestra con claridad la forma en que se establecen las
concentraciones en la Unin PN.

Concentracin de huecos

Observando el grfico, se ve que en la zona P, la concentracin de los

huecos lejos de la unin, P po coincide con la de los tomos

aceptadores, N A , es decir:

p po=N A .

En la zona N, lejos de la unin, la concentracin de los huecos (cargas

minoritarias), Pno , es debida a la aplicacin de la ley de accin de

masas:
2
ni
pno=
NA

Concentracin de electrones

Se ve que en la zona N, la concentracin de los electrones lejos de la

unin, nno coincide con la de los tomos aceptadores, N D , es decir:

nno=N D .

En la zona P, lejos de la unin, la concentracin de los huecos (cargas

minoritarias), n po , es debida a la aplicacin de la ley de accin de

masas:

n2i
n po=
ND

El potencial de contacto:

En general, en un semiconductor, en equilibrio trmico, se puede


obtener el potencial entre cualesquier par de puntos, de una manera
sencilla.

Sean los puntos x1 y x2 en una pastilla semiconductora cualquiera. Cada


uno de los puntos sealados tienen, respectivamente un potencial U1 y
U2 y tambin una determinada concentracin, por ejemplo de huecos,
P1 y P2.

x 1(U 1 , P1)

x 2(U 2 , P2 )
Como la corriente de arrastre y la corriente de difusin son iguales y
opuestas para los huecos (por ejemplo) la relacin se establece as:

dU dp
pq p =q D p
dx dx

Tomando en cuenta la ecuacin de Einstein:

Dp K BT
= =V T
p q

Que se denomina Voltaje Trmico (sus unidades son en Volts)

Entonces la ecuacin se convertir en:

dp
dU =V T
p

Integrando la relacin respecto a los puntos mostrados:

U2 P2
dp
dU =V T p
U1 P1

De donde se obtiene:

P1
U 21=V T ln ( )
P2
La diferencia de potencial solamente es funcin de la concentracin en
cada punto y la temperatura. Esta relacin es fundamental para el
anlisis del potencial de contacto en una unin PN.

En el caso especfico de la unin PN fuera de la zona de


agotamiento, las concentraciones de huecos y electrones, tanto en el
material P como en el material N, se pueden (apropiadamente)
considerar constantes. En ese sentido, tomando dos puntos cualquiera,
uno en el material P y otro en el material N, se puede fcilmente
determinar el potencial de contacto ya que (trabajando con los huecos)
es simplemente una aplicacin de la frmula anterior obtenida:

x 1 ( U p , p po )

x 2 ( U n , pno )

Reemplazando se tiene:

p po
U np=V T ln ( )
pno

Esta es el potencial de contacto (o barrera de potencial) y se denomina


genricamente Uo:

p po
U o=V T ln ( ) p no

Pero:

p po=N A

n2i
pno=
ND
Lo que permite obtener una frmula general y muy til para determinar
el potencial de contacto:

NDN A
U o=V T ln
( 2
ni )
Un anlisis adicional, permitir obtener la relacin entre las
concentraciones de huecos (o de electrones) del material P y del
material N. Se sabe que:

p po
U o=V T ln ( ) p no

Entonces:

Uo qU o
p po
=e V =e K
T BT

pno

Que se utilizar posteriormente.

Se haba establecido una tabla con los potenciales de contacto para el


Si, el Ge y el AsGa, ahora se pueden corregir esos valores aproximados
utilizando la frmula, por ejemplo a T= 300 K, se tiene una pastilla PN,
que tiene las siguientes concentraciones, NA=ND=1017 cm-3, ni=1,12.1010
cm-3 entonces:

NDN A 1017 1017


U o=V T ln
( 2
ni )
=0,0258 ( V ) ln
( )
( 1,12.10 10)
2
=0,8258 V

U o=0,8258V

Anlisis de los niveles de energa en la unin PN


Para poder comprender rpidamente cmo se establecen los niveles de
energa en una unin PN, es bueno recordar cmo estn constituidos en
los materiales P y N separadamente como se ve en la siguiente figura:
P N

Ec Ec
EF

EF

EV EV
En una unin PN en equilibrio trmico el nivel de Fermi se mantiene
inalterable en cada una de las capas (P y N). El resultado se muestra en
el grfico siguiente:

P N

Uo

ECP

W=qUo

ECN
EFP EFN

EVP

EVN

El nivel de Fermi de una muestra en equilibrio no depende de la


posicin.
La energa de los electrones y/o huecos en cada zona de la unin estar
afectada por la presencia del potencial electrosttico.

Teniendo en cuenta adems que ppo y pno representan la concentracin


de huecos en equilibrio en los lados p y n fuera de la regin de carga,
obtendremos:

p po Uo U
q K oT
e VT e B

pno

U EF EV p E F EVn
q K oT
e B
e K BT
e K BT

Finalmente se ha podido determinar que la barrera de energa


establecida en la regin de carga espacial o zona de agotamiento es:

EV p EVn qU o

Esto permite obtener rpidamente, que en el caso mostrado: T= 300 K,


la pastilla PN, que tiene las siguientes concentraciones, NA=ND=1017
cm-3, ni=1,12.1010 cm-3, se obtuvo el potencial de contacto:

U o=0,8258V

La barrera de energa ser:

W =qU o=0,8258 eV

Directamente.

Anlisis de la regin de carga espacial


A continuacin se presenta un estudio completo del comportamiento de
la regin de carga espacial. Se va a obtener la densidad de carga, el
potencial, el campo elctrico, su longitud y otros elementos. Para una
mejor comprensin remtase al siguiente grfico:

Relacin entre la longitud de la zona de agotamiento y la


concentracin de las capas

Se determina inicialmente la relacin entre la concentracin y la


longitud de la zona de carga espacial o zona de agotamiento:

Inicialmente se puede sealar que el lmite de la zona de carga espacial

en el material N es: xn

El lmite de la zona en el material P es -xp

La longitud de la zona de carga espacial:

L=x n + x p
L
S P N
Con el siguiente grfico de ayuda se obtendr la relacin planteada:

-xp 0 xn

La carga espacial de la regin de transicin puede considerarse debida


nicamente a las impurezas donadoras/aceptadoras fijas ionizadas.
Consideraremos, por tanto, que no hay portadores de carga libres en
esta regin. El clculo de la carga neta en ambos lados de la regin de
transicin debe tener slo en cuenta la concentracin de impurezas
ionizadas, esto es,

+
Q

Como la unin est en equilibrio, el nmero de cargas a cada lado de la


zona de agotamiento debe ser necesariamente igual, esto es,

+
Q


Q

q N D S x n=q N A S x p

N D x n=N A x p

Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga
espacial positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = NA.
A medida que la concentracin de impurezas en una de estas zonas
aumente, la longitud de esta zona disminuye.

Las longitudes xn y xp se llaman cada una profundidad de penetracin y


estn presentes en el grfico anterior.

Como:
L=x n + x p

Sustituyendo se obtiene que:

ND
x p= L
N D+ N A

NA
x n= L
N D+ N A

Utilizando el grfico que a continuacin se presenta, se obtendrn


sucesivamente, la densidad de carga, el campo elctrico y el potencial
al interior de la zona de carga espacial

x
x

P x
L

E(0)
Potencial elctrico

Densidad de carga

La ecuacin de Poisson es:


2 U =

0

Donde

U es el potencial elctrico en Volts,

es la densidad volumtrica de carga en [ ]


C
m
3 o [ ]
C
cm
3

es la permitividad del material semiconductor en [ ]


F
m o [ ]
F
cm
qND

Como el anlisis se limita a una sola dimensin la ecuacin de Poisson


se puede escribir:

2
U
=
x
2

O simplemente

d 2U

dx 2

xn
La densidad de carga volumtrica es evidentemente:

A =q N A

D=q N D

El campo elctrico en la zona de carga espacial

La ecuacin de Poisson para cada uno de los lados de la zona de carga


espacial es:

-xp d 2U p qN A

dx 2

2
d Un qN
D
dx 2

El mtodo es obtener para cada lado de la zona de carga espacial, el


campo elctrico. En el presente texto, slo se trabajar en el lado del
material N y por analoga se asumirn los resultados para el lado del
material P.
Densidad de carga

De la ecuacin de Poisson se obtiene:

d U n
= dx
dx

Pero el campo elctrico es, por definicin:

d U n
E ( x )= qNA
dx

Entonces, reemplazando se tiene:


E ( x )= dx

N

Realizando la integracin se obtiene el campo elctrico:


E ( x )= x +cte

Cuando x = xn, el campo elctrico se anula, entonces:


0= x n+ cte

Por tanto:


cte= x
n

Uo
Por tanto, el campo elctrico (para la zona de carga espacial del
material N) ser:


E ( x )= x xn

Entonces el campo elctrico ser:

d 2V
E ( x )= ( xx n )
dx 2

O tambin:

q ND
E ( x )= ( xx n )

dV
la
De forma anloga el campo elctricoE para zona
dx de agotamiento
dx
correspondiente al material P es:

q NA
E ( x )= ( x px )

V E dx

La magnitud mayor del campo se da cuando x=0, en ese punto el campo


elctrico es:

qND
E ( 0 )= ( 0x n )

q N D
E ( 0 )= xn

Y de forma anloga:

q N A
E ( 0 )= xp

El potencial elctrico en la zona de carga espacial

El procedimiento es similar al de la obtencin del campo elctrico.

Se parte precisamente de la ecuacin del campo:

q ND
E ( x )= ( xx n )

Entonces:

dU ( x ) q N D
dx
=

( xx n )

qND
U ( x ) = ( x xn ) dx

q N D x2
U ( x) =
2 (
x n x +cte)
O lo que es lo mismo:

qND x2
U ( x) =
(
x n x +cte
2 )
Cuando x=0, se tiene:

qND x2
U ( 0 )=
(
x n x
2 )
+cte=0

De aqu obtenemos que:

cte=0
Por tanto el potencial en el lado correspondiente al material n, es:

qND 2
U ( x) =
(
x n x
x
2 )
Y el potencial cuando x=xn

x 2n q N D x2n
U ( x n )=
q ND
(
x n x n =
2 )
2

q N D x2n
U ( x n )=
2

Por el lado del material P, por analoga se tiene:

q N A x2
U ( x) =
2( x p x )
Y adems el valor del potencial en x=-xp ser:

q N A x 2p
U ( x p )=
2

Inmediatamente se puede obtener el potencial de contacto ya que:

U o=U (x n)U ( x p)

q N D x 2n q N A x 2p q 2 2
U o=
2
+
2 2
= ( N D xn + N A x p )
q 2 2
U o=
2
( N D xn+ N A x p)

Pero como el campo elctrico en x=0 es:

q N D q N A
E ( 0 )= x n= xp

Esto significa que Uo puede escribirse:

2 2
q N D xn q N A x p x x
U o= + =E ( 0 ) n E ( 0 ) p
2 2 2 2

Factorizando el campo se tiene:

E ( 0 ) E ( 0 )
U o= ( x n + x p )= L
2 2

Entonces la relacin que se establece entre el potencial de contacto y el


valor del campo mximo es:

E ( 0 )
U o= L
2

Longitud de la zona de carga espacial o zona de agotamiento

Sabiendo que:
q 2 2
U o=
2
( N D xn+ N A x p)

ND
x p= L
N D+ N A

ND 2 2
2
x =
p
(
N D+ N A
L
)
NA
x n= L
N D+ N A

2
NA
x 2n=
( N D+ N A )L2

Reemplazamos las dos ecuaciones en la primera se tiene:

2 2

U o=
q
2
ND
NA
( (
N D+ N A
L2 + N A
ND
)
N D+ N A
L2
( ) )

2
q L ND NA
U o= ( N + N A)
2 ( N D + N A )2 D

2
q L NDNA
U o=
2 ( N D+ N A )

De aqu se despeja L que es lo que se est buscando:


L=
2U O 1
q ( +
1
N A ND )

Esta es la frmula que permite determinar la longitud de la zona de


agotamiento o de carga espacial.

Polarizacin de una unin PN

Es simplemente suministrar a la unin PN energa elctrica continua a


travs de unos terminales metlicos que se colocan en cada uno de los
materiales.

Est claro que hay dos formas de polarizacin de una unin PN, a una
se denomina polarizacin directa a la otra polarizacin inversa.

En la polarizacin directa, el terminal positivo de la fuente se conecta, a


travs de un contacto hmico, al material P. Del mismo modo, el
terminal negativo, se conecta al material N.

En polarizacin inversa, simplemente se invierte la conexin de la


fuente.

Polarizacin inversa
En polarizacin inversa, como se ha indicado, el terminal positivo de la
fuente se conecta al material N y viceversa.

Esto ocasiona una corriente de arrastre ya que los huecos del material
P, se dirigen hacia el terminal positivo de la fuente y los electrones del
material N, se dirigen hacia el terminal negativo. Intuitivamente se
puede percibir que la longitud de la zona de carga espacial, aumentar
por el vaciamiento de portadores y la barrera de potencial tambin
aumentar.

La tensin de alimentacin de polarizacin se denomina V f. Si Vf tiene


la misma polaridad que Uo, la longitud de la barrera de potencial
aumenta, y se dice, como se ha mencionado, que la unin est
polarizada inversamente.

U ' 'o =U o +V f

En una unin polarizada inversamente, los electrones libres del


material N son atrados por el terminal positivo, alejndolos de la
juntura. Lo mismo sucede con los huecos de P respecto al terminal
negativo.

Como consecuencia de lo anterior, en la unin PN se presenta una


drstica ausencia de portadores de corriente. La corriente de difusin
prcticamente desaparece al aumentar el potencial, es decir que, bajo
la influencia del voltaje de la batera, los electrones y huecos no pueden
atravesar la barrera y, por lo tanto, no hay circulacin de corriente a
travs del diodo.

Podemos decir, entonces, que una unin PN polarizada inversamente


acta como un aislante porque ofrece muy alta resistencia al paso de la
corriente.
Esta situacin se puede mostrar en el siguiente grfico

Al aumentar la barrera de potencial, aplicando la frmula:

L=
2U O 1
q ( +
1
N A ND )
Tambin aumentar al aumentar la barrera de potencial de Uo a

U ' 'o lo que muestra que en polarizacin inversa:


L
L' ' > L
L

U ' 'o =U o +V f , lo que significa: U ' 'o >U o

Recordemos que, adems de portadores mayoritarios de corriente


(electrones en N y huecos en P), existen tambin unos pocos
portadores minoritarios (huecos en N y electrones en P). Bajo la
influencia del voltaje inverso, el potencial aumenta, debido a un
aumento del campo elctrico, entonces, los portadores minoritarios se
concentran en la juntura, la atraviesan y se combinan mutuamente,
permitiendo que circule una corriente dbil, muy dbil, llamada
corriente inversa de fuga. Esta es una corriente de arrastre (Io).

Polarizacin directa

Para que circulen los portadores mayoritarios de corriente de un lado a


otro y pueda establecerse un flujo de corriente a travs de la unin PN,
la barrera de iones o barrera de potencial debe ser superada. La forma
de conseguirlo es aplicando un voltaje externo de polarizacin, como se
muestra en la figura:
Vf tiene distinta polaridad que Uo, la altura de la barrera de potencial
disminuye y se dice que la unin est polarizada directamente. El nuevo
potencial de contacto es por tanto:

U 'o=U oV f

Cuando la alimentacin externa Vf supera Uo, entonces la barrera de


potencial desaparece y se produce una gran corriente (de difusin), que
asume valores muchsimos ms altos que la corriente de arrastre.

En el circuito externo slo circulan electrones, en la corriente


generada, mientras que en la corriente generada internamente circulan
tanto electrones como huecos. La corriente en el cristal est constituida
por electrones y huecos.

Por el polo negativo de la batera salen electrones que penetran al


material N.
Al polo positivo entran electrones del material P, eso significa que
se estn rompiendo los enlaces covalentes y aparecen nuevos
huecos.
En el cristal hay huecos que pasan del material P a N y se
recombinan.
Hay electrones libres que pasan de N a P y se recombinan.
La corriente de difusin llamada corriente directa slo existir si la
tensin Uo, supera una tensin llamada de umbral.

Existe una tensin mxima directa que es a la que puede llegar la


unin, luego se destruye. En el silicio, el orden es de voltios y en el
germanio, decenas de voltios.

Tensin de ruptura

Ocurre un fenmeno particular ocasionado por la tensin inversa.


Cuando la tensin llega a un valor lmite denominado tensin de
ruptura (VB). Cuando la polarizacin inversa llega a este valor, se
genera una gran corriente inversa (negativa) que puede destruir la
unin. Este incremento inusitado de la magnitud de la corriente es
debido a dos efectos: el efecto avalancha y el efecto tnel. El efecto
avalancha se produce por la ruptura de los enlaces covalentes y por
causa del nivel de energa proporcionado, los portadores liberados
producirn choques en cadena, desencadenando de este modo una gran
corriente. El otro efecto es el tnel. El efecto tnel slo puede ser
explicado a travs de la fsica cuntica. Se produce una tunelizacin
en los niveles de energa y los electrones pueden saltar a la banda de
conduccin con poco esfuerzo.

Estos fenmenos sern tratados en el estudio de los diodos de unin.

Niveles de energa en la unin polarizada

El grfico muestra las barreras de potencial establecidas y los niveles


de energa cuando se polariza la unin.
En los dos casos (polarizacin inversa y polarizacin directa), como
corresponde, se puede inferir que la barrera energtica, es nada ms
que:

U
q( oV f )
qU 'o =

En polarizacin directa.

Ntese que el nivel de Fermi se modifica cuando el dispositivo est


polarizado. En las zonas neutras permanece como en el caso sin
polarizacin. En la zona de agotamiento la modificacin es evidente

Como se sabe la longitud de la zona de agotamiento es proporcional al


campo por lo que a menor potencial, menor campo y entonces, menor
longitud.

En polarizacin inversa ser:

U
q( o+V f )

qU 'o' =

A continuacin se presentan los grficos referidos a la polarizacin


directa y a la polarizacin inversa.
Niveles de energa en polarizacin directa
Niveles de energa en polarizacin inversa

U
q( o+V f )

qU 'o' =
Ecuacin simplificada del diodo

Se parte del siguiente criterio

qUo
p po
=e K BT

pno

Es la relacin que se establece cuando la unin no es influida por


ninguna polarizacin externa.

Cuando es influida por la polarizacin la ecuacin se modificara en:

U
( oV f )
q
KBT
p po (x p 0)
=e
p no ( x n 0 )

Siendo los lmites los nuevos adoptados por la unin

En la mayora de los casos la concentracin de portadores mayoritarios


apenas aumenta con la polarizacin. Se puede demostrar tal situacin,
por tanto se tiene:

p p (x p 0 ) p po

Si esto es as, la relacin se transforma:

qUo q V f
p po (x p 0) p po
= =e K T e K
B BT

p no ( x n 0 ) pno ( xn 0 )
Entonces fcilmente se puede hacer el siguiente reemplazo:

q V f
p po p
= po e K BT

p no ( x n 0 ) pno

Entonces se va a despejar la concentracin de portadores en la nueva


situacin de polarizacin:

qVf
KB T
pn ( xno ) = pno e

Esto nos muestra que los portadores minoritarios tienen un crecimiento


(o decrecimiento, si la polarizacin es inversa)) exponencial cuando se
polariza una unin PN

Sabiendo que la relacin de portadores es proporcional a las corrientes


generadas (la corriente es nada ms que el movimiento de portadores),
se puede extender este anlisis precisamente a las corrientes de la
unin. Como se sabe la nica corriente que cambia de gran manera es
la de difusin. Entonces se puede decir que:

qVf
KB T
I d=I d , 0 e

En equilibrio trmico (sin polarizacin) la corriente de difusin es igual


a la de arrastre:

I d ,0 =I a ,0
Cuando existe polarizacin la corriente no es nula:
I =I dI a

Reemplazando se tiene:
qVf
(
I =I o e KB T
1 )
Esta es la ecuacin bsica de la unin PN. Se la denomina ecuacin de
Shockley.
En esta ecuacin Io es la corriente de arrastre que se genera en el
dispositivo en equilibrio trmico. Tiene un valor muy pequeo.
De ahora en adelante se hablar del dispositivo que se ha creado en
funcin de la unin: el Diodo de Unin