Electrónica de Potencia

Electrnica de Potencia Dr.
Abel Argum Sotomayor

Separata
1. RECTIFICACIN POLIFASICA
Este captulo trata sobre los circuitos de potencia que convierten la energa proporcionada en
forma generalmente trifsica en energa DC utilizando rectificadores industriales.
Para el anlisis de los circuitos se asumir que los elementos rectificadores (Diodos) son
ideales y sin resistencias internas, que los transformadores no presentan resistencias ni
reactancias de fuga y que las tensiones de alimentacin son sinusoidales.
En rectificadores industriales rara vez se emplea filtros, en caso de usarse, debern ser ms
simples que los empleados en rectificadores de una sola fase
1.1 Rectificador Trifsico de Media onda
La figura 1.1 muestra un circuito simple de un rectificador trifsico de media onda. La carga R
est conectada entre el punto comn a los ctodos y al punto neutro (N) del transformador.
El rectificador se puede considerar como la combinacin de tres circuitos rectificadores

monofsicos en fases separadas . Si consideramos que eA, eB y eC son las tensiones de
fase con respecto al punto N, cuando eA sea mayor que los otros 2, esto es entre y
conducir el diodo D1. En ; el voltaje eA est bajando D1 deja de conducir y la corriente se
transfiere al diodo D2. En la corriente se transfiere a D3. Las tensiones y corrientes se
muestran en la figura 1.2.
Electrnica de Potencia Dr. Abel Argum Sotomayor
Separata
Para analizar los valores
de las tensiones y
corrientes se asumir la
nomenclatura siguiente:
I = Corriente instantnea
en la carga
IDC = Corriente DC en la
carga
IRMS = Corriente RMS en

la carga
EM = Tensin de fase de
pico
EDC = Tensin DC en la
carga
ERMS = Tensin RMS en la

carga
TENSIN DC EN LA CARGA
La corriente de nodo de D1 se puede representar como:
1.1
La corriente DC en D1 ser:
= =
La corriente DC en la carga ser 3 veces la corriente en un diodo.
= 1.3
La tensin en la carga ser:
1.4
TENSIN RMS EN LA CARGA
La corriente RMS (IRMS) en D1 ser:

Separata
Utilizando la expresin:
; se tiene
1.5
La corriente2 RMS en la carga ser 3 veces la corriente2 en un diodo
De donde
1.6
La tensin RMS en la carga ser:
1.7
FACTOR DE RIZADO
Si la tensin de rizado es:
El factor de rizado (%r) se define como
1.8
Reemplazando las expresiones (1.4) y (1.7) se tiene
1.9
VOLTAJE INVERSO DE PICO

Separata
El mximo voltaje a travs de D1 cuando D1 no conduce (VOLTAJE INVERSO DE PICO) se
presenta cuando eB ( eC) esta lo ms alejado de eA. Para calcular este voltaje se tiene la
expresin para:
Por ser trifsico y de media onda se tiene solamente 2 funciones de los tres ms alejados
1.10
Esta expresin es mxima cuando ; en este momento se tiene reemplazando
1.11
Por lo tanto: PIV = -1.732 EM 1.12
FACTOR DE UTILIZACIN DEL SECUNDARIO
Se define factor de utilizacin del secundario (FUS) como la relacin de la potencia DC de salida
de los devanados del secundario y los volt-amperios que transporta.
1.13
La potencia de salida ser igual a
Los volt-amperios por devanado sern igual a
Esto es:
;segn esto los volt-amperios por devanado sern
como se tiene 3 devanados los volt-amperios de los devanados sern:
1.15
Reemplazando en (1.13) se tiene
1.16
Separata
1.2 Rectificador Polifsico de media onda (m fases)
Es posible extender el anlisis de la

seccin 1.1 considerando que el
secundario del transformador de la
figura 1.1 est formado por m
ramas, cada una de ellas con una
fase cada rama conectada a uno de
los m anados, cada nodo
conduciendo un intervalo
radianes por ciclo. La figura 1.3
muestra las formas de onda de las
tensiones y las corrientes.
TENSIN DC EN LA CARGA
La corriente DC de nodo por diodo ser
1.17
La corriente DC en la carga ser m veces la corriente en un diodo.
1.18
La tensin en la carga ser
1.19
Para simplificar las expresiones se acostumbra definir con esto se puede preparar la
relacin de la figura 1.4
m 2 3 4 6 12
a 0.636 0.827 0.896 0.955 0.999 1
FIGURA 1.4
TENSION RMS EN LA CARGA
La corriente RMS por diodo ser

Separata
De donde
La corriente RMS en la carga ser veces la corriente RMS del diodo
1.20
La tensin RMS en la carga ser
1.21
FACTOR DE RIZADO
Tomando la expresin (1.8) y reemplazando en ella las expresiones (1.19) y (1.20) se tiene
1.22
De esta expresin se puede preparar la relacin de la figura 1.5
M 2 3 4 6 12
%r 47 17 8.9 4 1.4 0
FIGURA 1.5
FACTOR DE UTILIZACION DEL SECUNDARIO
Reemplazando en la expresin (1.13) la potencia de salida los volt-amperios de los devanados

se tendra:
La potencia de salida ser
Los volt-amperios por devanado sern igual a esto es:

Separata
Los volt-amperios totales sern la suma de los volt-amperios de cada fase; esto es m veces.
Los volt-amperios de los devanados sern: 1.24
Reemplazando en (1.13) se tiene:
1.25
De esta expresin se puede preparar la relacin de la figura 1.6
M 2 3 4 6 12 24
FUS 0.574 0.666 0.636 0.552 0.399 0.286
FIGURA 1.6
1.3 RECTIFICADOR TRIFASICO DE ONDA COMPLETA
La figura 1.7 muestra un circuito simple de un rectificador trifsico de onda completa. La carga
R est conectada entre el punto comn a 3 de los ctodos y el punto comn a 3 de los anados.
El rectificador se puede considerar como la combinacin de tres circuitos rectificadores de

onda completa separados . Si consideramos que eAB, eBC y eCAson las tres tensiones de
lnea, cada tensin de lnea se puede considerar como la diferencia entre 2 tensiones de fase;
cuando eAB sea mayor que los otros dos, esto es entre y 0 conducirn los diodos D1 y D4.
Separata
En 0 la tensin eCA en su semifase
negativa est creciendo y logra
superar a la tensin eAB que est
bajando; como consecuencia de esto
la corriente se transfiere a los diodos
D1 y D6. Las tensiones y las corrientes
se muestran en la figura 1.8.
TENSION DC EN LA CARGA
La corriente de nodo para el par de

diodos D1.D4 se puede representar
como
1.26
donde se ha hecho un desplazamiento de io

la escala horizontal para simplificar el
clculo como se puede ver en la figura 1.9.
3 EM
R
-p 0 p
6 6
?t
La corriente DC en el par de diodos ser
FIGURA 1.9
1.27
Como se ve en la figura 1.8 cada diodo conducir 2 veces el periodo ; con esto la corriente
DC en un diodo ser
1.28
La corriente DC en la carga ser 3 veces la corriente en un diodo

Separata
1.29
La tensin DC en la carga ser
1.30
TENSION RMS EN LA CARGA
La corriente RMS en D1 ser veces la corriente RMS por el par D1-D4.
1.31
de donde se tiene que la corriente2 RMS en la carga ser 3 veces la corriente2IRMS en un

diodo.
De donde
1.32
La tensin RMS en la carga ser
FACTOR DE RIZADO
Siguiendo un clculo anlogo al caso de media onda se tiene
%r = 3.48
VOLTAJE INVERSO DE PICO
Separata
PIV = -1.737 EM
1.4 EFECTO DE LAS INDUCTANCIAS EN LOS RECTIFICADORES
Con cargas resistivas se asume que un diodo dentro de circuitos rectificadores deja de
conducir cuando comienza a conducir el siguiente. Sin embargo por efecto de las inductancias
de los devanados; la corriente en un diodo comienza antes que el diodo precedente deja de
conducir debido a la fuerza electromotriz generada. Como consecuencia de esto se presenta la
superposicin de corrientes con su respectivo incremento en el voltaje de salida.
Un anlisis ms detallado de este caso se deja para reuniones posteriores.
2. DISPOSITIVOS DE POTENCIA
2.1 SCR
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las palabras

SiliconControlledRectifien. La figura 2.1 muestra la composicin en detalle del SCR y el smbolo
utilizado para su representacin.
Las caractersticas v-i del SCR se muestran en la figura 2.2.
Para entender funcionamiento del SCR se puede analizar el comportamiento de un dispositivo

formado por 4 capas de
semiconductores P y N A A
alternativamente. Entre las 4 capas
P P
se formarn 3 junturas interiores
J1 J1
denominadas J1, J2 y J3. Si al N N
dispositivo indicado se le aplica J2 J2
P P
polarizacin directa e inversa entre J3 J3
sus terminales ANODO CATODO N N
se tendr los dos casos a) y b) de la K K
figura 2.3.
En a); esto es con polarizacin a) b)

directa en ANODOJ2 quedar FIGURA 2.3
polarizada inversamente; esto se
Separata
representa con el sombreado.
En b) con polarizacin inversa J1 y J3 quedarn polarizados inversamente.De los dos casos

mostrados se tiene que para
que el dispositivo entre en
conduccin lo ms
recomendable sera vencer la
polarizacin inversa de la
juntura J2 del caso a). Esto se
logra inyectando corriente
hacia el CATODO desde el
segundo terminal P. Un caso
que requiere mayor trabajo es
el vencer las polarizaciones
inversas de las junturas J1 y J3
del caso b). Esto se logra
aumentando el valor de la
tensin de polarizacin del caso
b) hasta lograr la ruptura de las junturas.
Para analizar cmo pasa a conduccin el dispositivo para el caso a) se puede descomponer el
dispositivo de 4 capas en 2 dispositivos de 3 capas unidos entre s como se muestra en la figura
2.4.
En la figura 2.4 en b) se puede ver que juntando un transistor PNP a un transistor NPN con las
condiciones mostradas se tiene un modelo del SCR. Aplicando las ecuaciones de transistores al
modelo se tiene:
iC2 = 2iK iA + iG = iK
iC1 = 1iA iC1 + iC2 = iA

De las 4 ecuaciones se tiene la expresin de la corriente de ANODO:
2.1
Donde 1 y 2 son los factores de amplificacin C-E de los transistores. Al

incrementarse 1 y 2 llegar un momento en el que 1 + 2 sea cercano a 1. En este
momento iA tender a crecer ilimitadamente, en este momento se ha vencido la
polarizacin inversa en J2 y el SCR pasa al estado de conduccin. Para incrementar 1 y
2 se utiliza el efecto transistor como sigue: al aplicar iG a la compuerta del SCR, esta
corriente se convierte en corriente de base para Q2, esta corriente es amplificada
generando iC2, a su vez iC2 se convierte en corriente de base para Q1, esta corriente es
amplificada generando iC1. Finalmente iC1 regresa a la base de Q2 y se vuelve a
amplificar y as sucesivamente hasta desencadenar el estado de conduccin. Como
Separata
puede verse una vez que este proceso ha comenzado ya no es necesario iG porque la
conexin de los dos transistores hace que se autoalimenten mutuamente y por lo
tanto iG puede cortarse. Para que circule iG ser necesario que se polarice
directamente J3 (la juntura BASE EMISOR de Q2) y crear una trayectoria de corriente
en la compuerta adems ser necesario polarizar directamente J1 (la juntura BASE
EMISOR de Q1) y crear una trayectoria de corriente en el ANODO. Con estas 2
trayectorias el SCR pasa al estado de CONDUCCION y permanecer en este estado
hasta que se interrumpa la trayectoria de corriente en el ANODO.
Es posible que en ciertos casos las capacidades parsitas o la inestabilidad trmica

puedan crear una trayectoria para la COMPUERTA, en estos casos el SCR pasara al
estado de conduccin aunque no exista la trayectoria fsica de COMPUERTA. Esto es un
efecto indeseado y se recomienda tomar las precauciones necesarias para que no se
presente.
Tambin es posible pasar al SCR al estado de conduccin con una polarizacin directa
muy fuerte que logre vencer la juntura J2 sin necesidad de corriente de compuerta.
CARACTERSTICAS G-K
Las caractersticas COMPUERTA CATODO del SCR se muestran en la figura 2.5. Estas
caractersticas corresponden a las caractersticas v i del diodo P-N que forma parte
del transistor Q2. La figura 2.5 muestra 3 curvas que limitan la operacin de la
compuerta a zonas permisibles.
Estas curvas son las curvas de TENSIN, VGK

CORRIENTE y POTENCIA y se especifican
por lo general para operaciones con MAXIMA
TENSION
corrientes DC. Se puede ver adems la PERMISIBLE
mnima corriente que se necesita para MAXIMA
POTENCIA
pasar al SCR al estado de conduccin (se PERMISIBLE
denomina disparar al hecho de pasar al
M
SCR al estado de conduccin).Midiendo las
caractersticas G-K en un grupo de SCRs
de una misma familia y serie, se tendr MINIMA MAXIMA
CORRIENTE
iG
CORRIENTE
que por efecto de dispersin en los NECESARIA PARA PERMISIBLE
LA CONDUCCION
semiconductores aparecen varias curvas
como lo muestra la figura 2.6. FIGURA 2.5
Separata
VGK En la figura 2.6 se ve que los puntos M cuyo
A significado corresponde al de la figura 2.5 varan
y se distribuyen en una superficie limitada por 2
curvas que representan los casos extremos, estas
M
curvas son A y B.
M
B Los fabricantes de SCR proporcionan las curvas

M M de la figura 2.6 en una forma grfica donde es
posible distinguir 3 regiones definidas como se ve
M
en la figura 2.7.
iG
FIGURA 2.6
1 Regin donde existe la seguridad de no producir disparo a ningn SCR de una misma
familia y serie.
2 Regin donde es probable que ocurra el disparo pero no existe la seguridad absoluta.
3 Regin donde de todas maneras se va a producir el disparo, esta regin se denomina

Regin de disparo seguro. Algunos fabricantes proporcionan simplemente los valores tpicos
de la corriente y tensin que producen el disparo en la regin de disparo seguro bajo ciertas
condiciones de temperatura (25C si no se indica otra cosa) y recta de carga en la compuerta.
La figura 2.8 muestra un ejemplo de recta de carga que polariza la compuerta en un SCR. La
ecuacin de la recta de carga es:
VD = iG RL + VGK2.2
Separata
El punto P corresponde a la interseccin de la recta de carga con las curvas caractersticas de
un SCR en particular (se ha escogido
una curva de la superficie de curvas
para los SCRs de una misma familia y
serie.
La recta de carga no debe ingresar mas

alla de la curva de mxima potencia
permisible y si se requiere la certeza
de disparo, deber estar por encima
de la regin 2 de las curvas de la figura
2.7. Es importante notar que las curvas
que limitan las regiones de la figura 2.7
se desplazan con la temperatura. El
efecto ms importante se presenta en
el corrimiento de la lnea vertical que
corresponde a la MINIMA CORRIENTE
NECESARIA PARA DISPARAR TODOS
LOS SCRs hacia la izquierda conforme
aumenta la temperatura.
CARACTERISTICA A-K
Las caractersticas ANODO CATODO del SCR se muestran en la figura 2.9. Estas caractersticas
se aproximan a las caractersticas v-i de un diodo rectificador en la regin de CONDUCCION por
lo que la tensin VAK es del orden de 1 a 3 voltios cuando conduce.
En operacin normal, las tensiones de polarizacin de ANODO-CATODO no deben superar las

tensiones de ruptura tanto
directa como inversa ya que
casi siempre los SCR son
disparados por CORRIENTE en
la compuerta y no por
TENSIN entre ANODO y
CATODO. El funcionamiento
del SCR queda limitado por la
potencia que pueda disipar en
conduccin y por la
temperatura a la que pueden
trabajar las junturas.Estos dos
parmetros son muy
importantes y generalmente son proporcionados en forma grfica por el fabricante.
POTENSIA DE DISIPACION
Los SCR disipan potencia en conduccin o al cambiar de estado. La contribucin a la potencia

total de disipacin durante los cambios es menor y en muchos casos se puede ignorar.
Separata
Si se considera un modelo lineal para las curvas de la figura 2.9 se tiene la figura 2.10 donde r o
es la pendiente de resistencia y Vo la tensin de corto.
La curva de la figura 2.10 se puede expresar como:
VAK = Vo + roiA
La potencia de disipacin P se puede expresar como
Donde se tiene
2.3
Segn esta expresin, tanto la corriente DC como la corriente RMS intervienen en el clculo de
la potencia.
Los fabricantes proporcionan las curvas de la POTENCIA iA

DISIPADA en funcin de la CORRIENTE DC para diferentes
tipos de ondas de corriente. El caso ms usual
corresponde a las corrientes sinusoidales teniendo como
parmetro el ANGULO DE CONDUCCION.
1
ro
La figura 2.11 muestra las curvas tpicas para un SCR de
mediana potencia. Se puede notar que para una misma
corriente DC la potencia disipada aumenta conforme Vo VAK
disminuye el ngulo de conduccin.
FIGURA 2.10
Separata
TEMPERATURA MAXIMA DE OPERACIN
La temperatura de las junturas no se puede medir directamente ya que no son accesibles

desde fuera. Esto obliga a utilizar la temperatura de la CAPSULA que contiene al SCR en el
punto ms cercano a las junturas.
El fabricante proporciona sin embargo la temperatura mxima a la que pueden operar las
junturas (TJ). Esta temperatura generalmente llega hasta 125C. Para calcular la temperatura a
la que operan las junturas a partir de la temperatura de la capsula (Tc) se requiere de la
RESISTENCIA TERMICA DE LAS JUNTURAS A LA CAPSULA (RJC). Esta resistencia trmica se da
en C/W y para SCRs medianos esta dentro del rango de 1C/W a 2.5C/W.
La relacin de temperatura ser:
TJ Tc = P RJC2.4
Donde P es la potencia disipada en W. La ecuacin (2.4) permite calcular la potencia mxima
permisible cuando se conoce la temperatura mxima de las junturas.
CORRIENTE DC MAXIMA
Conociendo la mxima temperatura de la capsula se podr determinar la mxima corriente DC

a partir de las curvas proporcionadas por el fabricante. Estas curvas se muestran en la figura
2.12 y dan la MAXIMA TEMPERATURA DE CAPSULA en funcin de la CORRIENTE DC MAXIMA
para el caso sinusoidal teniendo como parmetro el ngulo de conduccin.
La secuencia de clculo para operar los SCR puede ser en muchos casos la siguiente:
1. Fijar la temperatura mxima de capsula.

2. Seleccionar el ngulo de conduccin al que va a operar el SCR.
3. Con los valores 1, y 2 a partir de las curvas de la figura 2.12 calcular la corriente DC
mxima que puede proporcionar el SCR.
4. Asegurarse que la corriente DC real que va a soportar el SCR no sobrepase el valor
mximo de 3.
5. Conociendo el valor
de la corriente DC
real, calcular la
potencia que va a
disipar el SCR a
partir de las curvas
de la figura 2.11
6. A partir de la
potencia disipada
calcular los
disipadores
trmicos hacia el
medio ambiente.
Separata
2.2 TRIAC

TRIODE AC SWITCH. La figura 2.13 muestra la composicin en detalle del TRIAC y el smbolo
utilizado para su representacin. Las caractersticas v-i se muestran en la figura 2.14
El triac conduce en ambos sentidos, es decir es un dispositivo bi-direccional y puede ser

disparado por corriente de compuerta tanto positivo como negativo; esto da origen a 4
combinaciones que se denominan modos y se muestran en la figura 2.15. Los modos I+ y I-
corresponden al primer cuadrante en el grfico de la figura 2.14 y los modos III- y III+
corresponden al tercer cuadrante en la figura 2.14. Los signos + y indican la polaridad que
tiene el circuito de polarizacin de la compuerta.
Dada su construccin ms compleja que el SCR, el TRIAC presenta diferentes trayectorias para
la corriente entre los terminales principales segn la polaridad que se aplique entre sus
terminales. De igual manera presenta diferentes trayectorias para la corriente de compuerta
segn la polaridad que se aplique. La figura 2.16 muestra las trayectorias de conduccin del
TRIAC para cada caso.
Separata
T2
T2 T2 T2
N3 N3 N3 N3
P2 P2 P2 P2
N N N N
2 2 2 2
P1 P1 P1 P1
N N N4
N N4 N N4 N4
1 1
1 1
G T1 G G
T1 G T1 T1
a) b) c) d)
FIGURA 2.16
Los casos a) y b) corresponden a la conduccin del TRIAC entre sus dos terminales T2 y T1. El
caso a) con corriente desde T2 hacia T1 y el caso b) con corriente desde T1 hacia T2. En ambos
casos se puede notar que la corriente circula por 4 capas PNPN en este orden. Esto nos lleva a
considerar la analoga entre el TRIAC y 2 SCR en conexin antiparalelo como se muestra en la
figura 2.17. Los casos c) y d) corresponden a la conduccin del TRIAC por el terminal de
compuerta y el terminal T1, el caso c) con corriente desde G hacia T1 y el caso d) con corriente
desde T1 hacia G, en ambos casos se puede notar que la corriente circula por dos capas PN en
este orden.
Combinando los 4 casos de la figura 2.16 se puede explicar el comportamiento del TRIAC para
los 4 modos de la figura 2.15.
MODO I + Se aplica los casos a) y c) la corriente por G polariza las uniones P1N1 esto hace que
conduzca P2N2P1N1.
MODO I Se aplica los casos a) y d) la corriente por T1 polariza P1N4 esto hace que conduzca
P2N2P1N1 como resultado se polariza directamente N2P1 y conduce as P2N2P1N1.
MODO III Se aplica a los casos b) y d) la corriente por T1 polariza P1N4; por DIFUSION las
cargas negativas que salen de N4 alcanzan N2 polarizando directamente N2P1 con esto las
cargas positivas de P1 pasan a N2 y por DIFUSION llegan a P2 polarizando directamente P2N3
llegando entonces a conducir N3P2N2P1.
MODO III + Se aplica los casos b) y c) la corriente por G polariza directamente P1N1 por
DIFUSION las cargas negativas que salen de N1 alcanzan N2 polarizando directamente N2P1
con esto las cargas positivas de P1 pasan a N2 y por DIFUSION llegan a P2 polarizando
directamente P2N3 llegando entonces a conducir N3P2N2P1.
La figura 2.18 muestra una explicacin de los cuadrantes utilizados.

Separata
iT2-T1 > 0 Desde el punto de vista del uso, el
TRIAC es un dispositivo
aproximadamente simtrico, sin
I+ PRIMER embargo dada su construccin
I- CUADRANTE asimtrica, no todos los modos
VT2-T1 < 0
requieren la misma cantidad de
III + VT2-T1 > 0 corriente de compuerta. La
III - operacin III+ requiere mucha
corriente de compuerta y no es
TERCER
CUADRANTE recomendable.
iT2-T1 < 0
La sensitividad al disparo ptimo
corresponde a los modos I+ y III
FIGURA 2.18
siendo algo menor I -. Si se dispone
de una sola polaridad de disparo se recomienda I y III-, esto es decir compuerta negativa.
CARACTERISTICAS G-T1
Las caractersticas COMPUERTA-T1 del TRIAC se muestran en la figura 2.19, estas

caractersticas corresponden tanto para compuerta positiva como negativa. Las curvas si bien
es cierto que semejan loas curvas de diodos presentan 2 regiones, una regin bastante lineal
llamada REGION RESISTENCIA y una regin iG
con caractersticas similares a diodos
llamada REGION DIODO. Por otro lado
ambas curvas no son completamente REGION
DIODO
iguales debido a que el TRIAC no es un REGION
dispositivo simtrico. -VGT1 RESISTENCIA
VGT1
Toda la teora desarrollada para las
caractersticas COMPUERTA-CATODO es
completamente aplicable para las
caractersticas COMPUERTA-T1 de los SCR
teniendo por consiguiente las curvas de -iG
mximas corrientes, tensiones y potencias
FIGURA 2.19
y las regiones de no disparo, disparo
probable y disparo seguro.
CARACTERISTICAS T2-T1
Las caractersticas T2-T1 del TRIAC se muestran en la figura 2.20. Estas caractersticas se
aproximan a las caractersticas v i de dos diodos rectificadores conectados en antiparalelo en
la regin de CONDUCCION por lo que la tensin vT2T1 en conduccin tanto directa como
inversa es del orden de 1 a 3 voltios en amplitud.
Separata
En operacin normal las tensiones aplicadas entre los terminales T2 y T1 no deben superar las
tensiones de ruptura tanto directa
como inversa.
POTENCIA DE DISIPACION
Los TRIACS al igual que los SCR

disipan potencia en conduccin o al
cambiar de estado (ms an
tericamente en bloqueo). La
contribucin ms importante a la
potencia total de disipacin
corresponde a la conduccin tanto
directa como inversa.
Si se considera un modelo lineal para las curvas de la figura 2.20 se tiene la figura 2.21 donde
ro es la pendiente de resistencia y Vo junto con Vo son las tensiones de codo.
La potencia de disipacin P se puede expresar como
De donde se tiene
2.5
Generalmente el valor DC de la corriente por T2 es

cero o muy pequeo y la potencia de disipacin
depende mayormente del valor RMS de la
corriente por T2.
Los fabricantes proporcionan las curvas de

POTENCIA DISIPADA en funcin de la corriente
RMS para diferentes tipos de ondas de corriente.
El caso ms usual corresponde a las corrientes.
2.3 UJT
Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las palabras UNI
JUNCTION TRANSISTOR. La figura 2.24 muestra la composicin en detalle del UJT y el smbolo
utilizado para su representacin. Las caractersticas V-i del UJT se muestran en la figura 2.25,
con el eje horizontal con la escala distorsionada.
Separata
El UJT es un dispositivo semiconductor formado por 2 capas de semiconductor N y P. La capa P

no est ubicada al centro de la capa N sino esta desplazada en direccin hacia la BASE 2. Esto
hace que el dispositivo no sea simtrico. Las dos capas originan una sola juntura J; hecho del
que proviene el nombre UJT. Entre los terminales B2 y B1 se tendr una resistencia de
semiconductor tipo N esta resistencia se denomina RESISTENCIA INTERBASES (RBB) y medido
con iE = 0, su valor vara dentro del rango de 4K a 10K dado que la capa P no est ubicada en el
centro de la capa N, las resistencias que se miden desde la juntura hasta B2 y B1 sern
diferentes, siendo generalmente menor la resistencia hacia B2. La relacin obtenida en base a
la relacin de divisin de resistencias se denomina RELACION INTRINSECA () y su valor vara
dentro del rango de 0.4 a 0.8, siendo su valor tpico 0.7, segn esto
2.6
La figura 2.26 muestra la relacin de

resistencias. B2
B2
Para entender el funcionamiento del

UJT se puede recurrir al modelo
mostrado en la figura 2.27 donde D RB RB
representa al diodo PN de la J 2 2
RB D
juntura. Este diodo alcanza una B E
tensin de arranque cuyo valor vara RB
1
de 0.5 a 0.6 V. RB
1
Normalmente el UJT trabaja con

polarizacin directa en B2 respecto
B1
a B1, pero la caracterstica B1
realmente importante del FIGURA 2.26 FIGURA 2.27

dispositivo se presenta entre E y B1.
Cuando B2 est abierto; la relacin v-i corresponde a las caractersticas de un diodo y se
muestran en la figura 2.25 en lneas cortadas para IB2 = 0 la curva en lnea continua vale para
Separata
IB2> 0. En la figura 2.25 es posible observar 3 regiones definidas la REGION DE CORTE donde el
diodo D de la figura 2.27 est polarizado inversamente y solamente circula una corriente muy
pequea de CATODO a ANODO denominada CORRIENTE INVERSA DE SATURACION.
Conforme se aumente la tensin de emisor en un momento dado D pasar a conducir en este

momento la tensin VEB1 ha alcanzado su valor mximo llamado TENSION DE PICO (VP) cuyo
valor depende del valor de la polarizacin aplicada entre B2 y B1. La corriente (que ya es
directa en ese momento) se denomina CORRIENTE DE PICO (IP) y su valor vara dentro del
rango de 0.5 a 50 A. A partir de este momento el dispositivo ingresa a la REGION DE
RESISTENCIA NEGATIVA la corriente de emisor inyecta cargas positivas a la capa N
aumentando la conductividad lo cual disminuye el valor de RB1. Esto hace que la corriente de
emisor aumente y as sucesivamente hasta que RB1 se reduzca hasta un valor muy pequeo
llamado RESISTENCIA DE SATURACION (RSAT) cuyo valor vara dentro del rango de 5 a 25,
en este momento se ha alcanzado la tensin ms baja entre emisor y B1 denominada TENSION
DE VALLE (VV) cuyo valor vara dentro del rango de 1 a 3 V, la corriente en ese momento se
denomina CORRIENTE DE VALLE (IV) y su valor vara dentro del rango de 1mA a 10mA. A partir
de este momento se recupera nuevamente la caracterstica de resistencia positiva y se ingresa
a la REGION DE SATURACION donde ya no hay incremento apreciable de tensin para los
incrementos de corriente, a lo ms la tensin VEB1 alcanzar un valor de saturacin
denominado TENSION DE SATURACION (VEB1SAT) cuyo valor vara dentro del rango de 2 a 5 V,
la corriente si puede alcanzar valores altos en esta regin.
Las relaciones entre los valores de tensiones y corrientes que expresan los puntos de
transicin entre las regiones son: la tensin de pico VP ser la tensin necesaria para lograr la
conduccin en D. Esto es
2.7
Donde VB2B1 es la tensin de polarizacin entre las bases B2 y B1.
OSCILADOR DE RELAJACION
SW t=0
Se denomina oscilador de relajacin a aquel que no
genera tensiones sinusoidales puras sino ondas cuya
forma depende de las caractersticas de los elementos RE
que intervienen. Generalmente trabajan en base a las

caractersticas de resistencia negativa. E B2
UJT
La figura 2.28 muestra la configuracin simple de un VB
oscilador de relajacin con UJT. En t = 0 se cierra SW y B1
CE
CE comienza a cargarse a travs de RE hacia la tensin
de la fuente VB. En este momento, la tensin VEB1 es
pequea y no circula corriente hacia el emisor del UJT RB
(solamente una pequea corriente inversa de

saturacin). La carga es exponencial con una constante
de tiempo RECE come se muestra en la figura 2.29. Sin FIGURA 2.28
Separata
embargo al alcanzar CE una tensin suficientemente alta como para que el emisor del UJT pase
a conducir, se descargar esta violentamente a travs de RB1 que ha quedado reducida a su
valor de saturacin al entrar el UJT a la zona de resistencia negativa y RB cuyo valor siempre se
fija pequeo para no afectar las caractersticas de emisor del UJT. Este instante corresponde a
t = t1 al descargarse CE, la tensin en sus bornes cae hasta un valor bajo aproximadamente
igual a la tensin de valle del UJT
si despreciamos la cada de
tensin en RB. Conforme CE
trate de seguir descargndose,
el UJT tendr que regresar al
estado de corte y nuevamente
quedar aislado elctricamente
el condensador CE en serie con
RE este instante corresponde a
t2, nuevamente se cargar CE
pero esta vez a partir de un valor
mayor que cero con la misma
constante de tiempo RECE. La
mxima tensin que alcanza CE
se puede aproximar al valor de
la tensin de pico del UJT si despreciamos la cada de tensin en RB.
El valor de RE deber ser lo suficientemente bajo como para que CE pueda alcanzar la tensin
de pico y al mismo tiempo lo suficientemente alto como para que una vez conduciendo el
emisor del UJT no quede permanentemente en conduccin.
El segundo periodo de carga de CE ser menor que el primero debido a la carga residual de CE.
a) Calculo de T1. La expresin de carga de CE es:
Donde para t = t1 VCE = V1 con esto
de donde
2.8
b) Calculo de T3 - T2. La expresin de carga de CE es:
, para t cortado a partir de T2 donde para t = t3
t2 VCE = V1 con esto
de donde
Separata
2.9
Para muchos fines, se podr despreciar el valor V2 si V1 es suficientemente alto, con esto se
consigue igualar las expresiones (2.8) y (2.9) y t1 se denomina entonces tC
2.10
V1 puede aproximarse a Vp cuya expresin se da en (2.7) y ms aun se puede considerar V D

despreciable con lo que se tendraV1 = VB2B1; continuando las aproximaciones se puede
hacer VB2B1 = VB despreciando la tensin en RB con esto se tendr
2.11
Finalmente se puede tomar un valor tpico de = 0.65 con lo que se tendr
2.12
Las expresiones (2.11) y (2.12) son aproximaciones cuyo uso depender de cumplir las
condiciones que se han utilizado para las aproximaciones.
La figura 2.30 muestra una variante al circuito de la figura 2.28 donde se ha adicionado una
resistencia para mejorar las caractersticas de estabilidad trmica del oscilador, su valor se
puede calcular en base a la frmula emprica:
RT 0.015VBRBB2.13
y debe tener coeficiente trmico positivo. RE RT
Para VB = 15V RBB = 9.1k y = 0.67 B2

E
UJT
RT = 0.015 x 15 x 9.1k x 0.67 = 1371
VB
B1
RT alterar ligeramente el valor de la tensin de pico del CE
UJT pero para muchos fines no ser necesario incluirlo
RB
en los clculos dado su valor bajo.
Cuando el UJT est en la regin de corte para el circuito

de la figura 2.28; si se toma RBB = 9.1k la corriente por
RB ser con VB = 15V FIGURA 2.30
para el circuito de la figura 2.30 con los mismos valores y RT =
1371 la corriente por RB ser

Separata
En ambos casos no se ha considerado en el clculo RB porque su valor vara generalmente
entre 10 y 100 y no tendr sentido incluirlo en el clculo. La tensin en RB con los valores
utilizados estar entre 0.017V y 0.17V por lo que su contribucin a Vp es despreciable y las
aproximaciones hechas para las expresiones (2.11) y (2.12) se justifican.
2.4 PUT

PROGRAMABLE UNI JUNCTION TRANSISTOR. La figura 2.31muestra la composicin en detalle
del PUT y el smbolo usado para su representacin. Las caractersticas vi del PUT se muestran
en la figura 2.32 con el eje horizontal con la escala distorsionada.
El PUT es un dispositivo cuya constitucin es similar al SCR ya que presenta 4 capas de

semiconductor P y N alternativamente pero la conexin de la compuerta ha sido tomada de la
capa N intermedia en lugar de la capa P intermedia.
Las caractersticas vi del PUT son completamente similares a los del UJT ya que presenta las 3
regiones del UJT: la REGION DE CORTE, la REGION DE RESISTENCIA NEGATIVA, y la REGION DE
SATURACION.
El PUT presenta muchas ventajas respecto al UJT, trabaja con niveles ms bajos de corrientes,
puede generar pulsos mayores de corriente tiene bajo costo y se pueden ajustar los valores de
IP, IV y .
Para analizar cmo pasa a

conduccin el PUT se puede
descomponer el dispositivo de 4
capas en 2 dispositivos de 3 capas
unidas entre s como se muestra
en la figura 2.33.
Normalmente se polariza la
compuerta con una tensin
Separata
positiva VS con una resistencia RS. La tensin en el ANODO se incrementa desde cero hasta que
al llegar a una condicin tal que la tensin en ANODO supera la tensin de la compuerta en un
valor tal que polariza directamente el diodo EB de Q1 esta tensin deber estar dentro del
rango comprendido entre 0.5 y 0.7V mientras no se alcance este valor circular una pequea
corriente inversa de saturacin por el nodo. Al conducir Q1 pone Q2 en conduccin y ambos
transistores se encargan de alcanzar la saturacin. En saturacin la tensin de compuerta
alcanzar una tensin equivalente a la tensin de saturacin CE de Q2 cuyo valor esta dentro
del rango de 0.2 a 0.5V. La figura 2.34 muestra un
circuito bsico de polarizacin para el PUT.
El valor de RS va a determinar la magnitud de la

RA
A G
RS corriente de Pico, reducindose esta corriente cuando
aumenta RS.
PUT
K RS tambin influye en el valor de la corriente de valle

VS
VA aumentando esta corriente cuando disminuye RS.
Variando el valor de VS se puede modificar el valor de la
tensin de pico, lo que ser la tensin necesaria para
que Q1 pase a conduccin, esta tensin es
FIGURA 2.34
VP = VT + VS 2.14
donde VT es la tensin necesaria para polarizar directamente la unin EB de Q1.
Al llegar a saturacin la tensin de ANODO ser

la suma de la tensin de saturacin de EB de Q1
y la tensin de saturacin de CE de Q2.
La figura 2.35 es una variante del circuito de la

figura 2.34 donde se ha reemplazado RS por dos
resistencias R1 y R2 cuyos valores se pueden
variar segn las necesidades. Por analoga con el
UJT podemos definir
2.15
Y las relaciones de RS con R1 y R2 son:
2.16
2.17
ser la RELACIN INTRINSECA PROGRAMABLE.
OSCILADOR DE RELAJACION
La figura 2.36 muestra la configuracin simple de un oscilador de relajacin con PUT.

Separata
La figura 2.37 muestra la forma de onda de la tensin ANODO-CATODO para el oscilador de la
figura 2.36 se puede ver que corresponde a la forma de onda del oscilador con UJT, por lo que
las expresiones calculadas en la seccin 2.3 son vlidas.
Si se toma la expresin (2.10) se tendr
V1 se puede aproximar a VP cuya expresin se da en (2.14) y se puede despreciar, VT se

tendr
con esto se tendr
2.18
2.5 DIAC
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales cuyo nombre proviene de las palabras

DIODE AC SWITCH. La figura 2.38 muestra la composicin en detalle del DIAC y los smbolos
utilizados para su representacin. Las caractersticas vi se muestran en la figura 2.39.
Separata
i
CAIDA DE
TENSION
TERMINAL T2 DIRECTA
(V1)
T2 T2 CORRIENTE
DE RUPTURA CONDUCCION
N TENSION DE DIRECTA
RUPTURA (IBO1)
INVERSA
P (VBO2) BLOQUEO
BLOQUEO TENSION DE V
CORRIENTE
N DE RUPTURA
RUPTURA
DIRECTA
T1 T1 INVERSA (VBO1)
CONDUCCION (IBO2)
TERMINAL T1
FIGURA 2.38
CAIDA DE
TENSION
DIRECTA
(V1)
FIGURA 2.39
El DIAC es un dispositivo semiconductor formado por 3 capas NPN alternativamente con dos
terminales conectados a los extremos de cada capa N. Tiene construccin simple y con
excepcin de las diferencias propias del semiconductor debido a la dispersin de
caractersticas entre las 2 junturas, es un dispositivo simtrico.
Los terminales T2 y T1 son intercambiables y su denominacin es solamente referencial.
Las caractersticas V-i de la figura 2.39 muestran que existen dos estados definidos; el ESTADO
DE BLOQUEO o el ESTADO DE CONDUCCION aplicando polarizacin directa o inversa mientras
no se alcance el punto de ruptura, el DIAC permanecer bloqueado al llegar a la tensin de
ruptura se vencer la polarizacin inversa desarrollada en una de las junturas J1 o J2 de la
figura 2.40, en este momento el DIAC se vuelve conductor y la tensin entre sus terminales cae
un valor V1 V2 segn el caso sin llegar verdaderamente a un valor de VALLE porque la
pendiente v-i no se hace en ningn momento positiva. En este estado se considera al DIAC en
conduccin y la corriente puede llegar a valores
altos.
T2 T2
Las TENSIONES DE RUPTURA (VBO1, VBO2)

N N varan dentro del rango de 20 a 42V.
J2 J2
P P
J1 J1 Las CAIDAS DE TENSIN en conduccin (V1,
N N V2) dependen del valor de la corriente de
conduccin, para 10mA su valor vara dentro
T1 T1
del rango de 4 a 10V.
FIGURA 2.40
Las CORRIENTES DE RUPTURA (IBO1, IBO2)
varan alrededor de 200A.
Debido a la dispersin de caractersticas entre las junturas del DIAC las tensiones de ruptura no
son exactamente iguales sus valoresdifieren dentro del rango de 2 a 4V.
Separata
Las corrientes de conduccin pueden alcanzar valores tan altos como de 1 a 2Amp. La
aplicacin principal de los DIACS est en osciladores y dispositivos de control para TRIACS.
2.6 SUS

SILICON UNILATERAL SWITCH. La figura 2.41 muestra la composicin en detalle del SUS y el
smbolo utilizado para su representacin. Las caractersticas v-i se muestran en la figura 2.42.
ANODO (A) iA
A CORRIENTE
COMPUERTA P DE RUPTURA
DIRECTA
(G) (IH) (IS)
N (VR) CORRIENTE
TENSION DE DE
RUPTURA RETENCION
G
P INVERSA
TENSION DE
TENSION
DE RUPTURA
VAK
N RETEN- DIRECTA
RB CION (VS)
DZ (VH)
CATODO (K)
FIGURA 2.41
FIGURA 2.42
Para entender el comportamiento del SUS se puede utilizar un modelo formado por dos
transistores y los dos elementos externos DZ y RB. Este modelo se da en la figura 2.43. El diodo
zener DZ es un diodo adicionado al semiconductor y su TENSION ZENER (VZ) vara dentro del
rango de 5 a 10V. La resistencia RB es una resistencia adicionada al semiconductor y su valor
vara dentro del rango de 1 a 15K.
En la figura 2.43 se puede ver que polarizando

directamente el ANODO respecto del CATODO se estar A
polarizando el DIODO ZENER para que al alcanzar la
G
TENSION ZENER entre en conduccin, al conducir DZ Q1
pone en conduccin a Q1 y Q1 se encarga de poner en
conduccin a Q2 con lo que el dispositivo pasa a
conduccin, la resistencia RB sirve para polarizar Q2 para DZ
Q2
alcanzar la conduccin de DZ, la tensin de ANODO debe
sobrepasar a la TENSIN ZENER en un valor necesario RB
para polarizar directamente la unin EMISOR-BASE de
Q1. Segn esto se tendra K
VS = VZ + VT 2.19
FIGURA 2.43
Donde VT es la tensin requerida para la conduccin de la
unin EMISOR-BASE de Q1 y su valor tpico es 0.6V. Como resultado de esto Vs deber ser
aproximadamente 0.6V mayor que la TENSION ZENER (VZ). Esta tensin se denomina TENSION
Separata
DE RUPTURA DIRECTA (VS). La corriente en el punto de ruptura directa se denomina
CORRIENTE DE RUPTURA DIRECTA (IS) y su valor vara dentro del rango de 0.2 a 0.5 mA.
Los valores de tensin y corriente necesarios para mantener en conduccin el SUS se

denominan valores de retencin: la TENSION DE RETENSION (VH) vara dentro del rango de 0.5
a 0.7V y la CORRIENTE DE RETENCION (IH) vara dentro del rango de 0.2 a 2mA.
En conduccin la tensin entre ANODO y CATODO tpica ser 1V medida para una corriente de
150mA.
El tercer terminal COMPUERTA sirve para modificar las caractersticas del SUS puede quedar
sin conexin, en cuyo caso el dispositivo acta como un dispositivo de dos terminales y se
disparar al valor VS, puede utilizarse para conectar un diodo zener adicional (con tensin
zener menor a VZ) para modificar la tensin de ruptura directa, puede utilizarse para conectar
un diodo en conduccin directa (entre G y K) en cuyo caso la tensin de ruptura directa ser
VD + VT y aproximadamente 0.7 + 0.6 = 1.3V o puede utilizarse para conectar una resistencia
para alterar el comportamiento del diodo zener; esta resistencia generalmente se escoge
dentro del rango de 5 a 25K. Finalmente puede cortocircuitarse G respecto a K con lo que VS =
VT y la tensin de ruptura directa ser del orden de 0.6V.
La tensin de ruptura inversa (VR) no es alto, puede variar dentro del rango de 25 a 100V.
2.7 SBS

SILICON COLATERAL SWITCH. Se construye conectando dos SUS en conexin antiparalelo con
lo que se consigue caractersticas bilaterales, y con excepcin de las diferencias por dispersin
simtricas. La figura 2.44 muestra la composicin del ANODO 2 (A2)
SBS y el smbolo utilizado para su representacin. Las
caractersticas v-i del SBS se muestran en la figura A2
2.45.
SUS
Tratndose de un dispositivo bidireccional no se puede SUS
G
hablar de ANODO y CATODO por lo que se utiliza la
denominacin ANODO para los dos terminales ms COMPUERTA (G)
importantes. A1
Las caractersticas del SBS corresponden a dos SUS en

ANODO 1 (A1)
la conexin mostrada en la figura 2.44 por lo que no se
FIGURA 2.44
entrar en mayor detalle.
Debido a la dispersin entre los SUS las tensiones de ruptura no son exactamente iguales, sus
valores difieren dentro del rango de 0.2 a 0.9 V.
Separata
2.8 SSS
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales cuyo nombre proviene de las palabras

SILICON SIMETRICAL SWITCH. La figura 2.46 muestra la composicin del SSS y los smbolos
utilizados para su representacin y las caractersticas v-i del SSS se muestran en la figura 2.47.
El SSS est formado por dos dispositivos semiconductores de 4 capas (en teora dos SCR) y tres
resistencias cuya finalidad es polarizar las uniones entre las capas. Este dispositivo trabaja en
base a la aplicacin de tensiones suficientemente altos como para alcanzar las tensiones de
ruptura de los dispositivos de 4 capas y a diferencia del SBS sus tensiones de ruptura son altas.
Las TENSIONES DE RUPTURA (VBO1, VBO2) varan dentro del rango de 44 a 66 V.
Las CORRIENTES DE RUPTURA (IBO1, IBO2) varan alrededor de 500A.
Debido a la dispersin de las caractersticas de los elementos de 4 capas las tensiones de

ruptura no son exactamente iguales, sus valores difieren dentro del rango de 5 a 9 V.
Separata
2.9 NEON
Las lmparas de nen tienen caractersticas similares al DIAC siendo sensibles al calor y la luz.
La figura 2.48 muestra el smbolo utilizado para su representacin y la figura 2.49 las
caractersticas v-i.
Las tensiones de ruptura (VP) varan de 60 a 100 V.
3. RECTIFICACIN CONTROLADA
Al operar con tensiones AC la conduccin de los SCR se puede disparar en cualquier punto
donde la tensin de nodo sea positiva respecto al ctodo, la corriente circular hasta que su
valor se haga cercano a cero o el SCR sea forzado a pasar al estado de corte.
El control se realiza sobre el valor DC de los pulsos de corriente de nodo retrasando el ngulo
de disparo en cada ciclo ya que no es posible controlar el valor instantneo de la corriente de
nodo.
3.1 Rectificador Trifsico de Media Onda
La figura 3.1 muestra un circuito simple de un rectificador trifsico de media onda con carga
resistiva e inductiva en serie. Cada SCR es disparado con pulsos de corriente en forma
separada por medio de 3 transformadores de acoplamiento, los ngulos de disparo se
denominan 1, 2 y 3 respectivamente.
Los puntos donde la corriente deja de conducir se denominan ngulos de corte y se

representan por 1, 2 y 3 respectivamente.
Separata
A SCR1
PRIMARIO +
eA
R
eC Vo
eC eB L
SCR2
C
-
B
SCR3
DE
LOS
CIRCUITOS
DE
RETARDO
DE
FASE
FIGURA 3.1
A. CARGA RESISTIVA
Para este caso se asume L = 0. Se desprecia las reactancias de los secundarios del
transformador as como las cadas de tensin entre nodo y ctodo de los SCR y las
resistencias de los devanados.
Con referencia a la figura 3.2 los ngulos de disparo no debern ser nunca menores de /6
puesto que para ngulos menores al ANODO no ser positivo respecto al CATODO. Si el ngulo
de disparo est comprendido entre /6 y /3 la conduccin de corriente ser continua, esto es
un SCR conducir hasta el momento en que el siguiente SCR es disparado. Esto se muestra en
la parte a).
Con ngulos de disparo mayores de /3 el flujo de corriente ser discontinuo y cada SCR dejar
de conducir al llegar a . Esto se muestra en la parte b).
CORRIENTE DC EN LA CARGA
La corriente de nodo para SCR1 se puede representar como:
1 t 1 3.1
Separata
La corriente DC en SCR1 ser
Vo
eA eB eC
0 t
6 3
1
1
SCR1 SCR2 SCR3
a) CONDUCCION CONTINUA /6 < 1 < /3
Vo
eA eB eC
0 t
6 3
1
1
SCR1 SCR2 SCR3
b) CONDUCCION DISCONTINUA /3 < 1
FIGURA 3.2
3.2
La corriente DC en la carga ser 3 veces la corriente en un SCR.
3.3
La expresin (3.3) es general para la conduccin continua y discontinua sin embargo se puede
aplicar para cada caso como sigue:
Separata
Para el caso de conduccin continua , esto es
3.4a
Para conduccin discontinua 1 = con esto
3.4b
La expresin (3.3) se presenta en muchos casos en forma de un grfico donde se ha hecho EDC
= R IDC. La figura 3.3 muestra la relacin EDC/EM.
EDC EM
CARGA RESISTIVA
0.827 En la figura 3.3 se puede ver que EDC = 0para 1 =
0.8
0.716
ZONA DE CONDUCCION
0.6 B. CARGA INDUCTIVA
0.477
Para este caso se asume R = 0.
CONTINUA
0.4
La corriente por los SCR adquiere formas muy
0.239 complejas y la conduccin continua aun luego que
0.2 ZONA DE
CONDUCCION
0.064
se ha pasado el cruce por cero para cada fase esto
DISCONTINUA
0 ?1 hace que el valor instantneo de Vo se haga
p
6
p p 2p 5p p negativo para ngulos de disparo mayores de /3.
3 2 3 6
ANGULO DE DISPARO Al hacer el ngulo de disparo igual a los
FIGURA 3.3 componentes instantneos negativos de Vo habrn

igualado los componentes positivos y la tensin DC
en la carga ser igual a cero.
En ningn momento la corriente en la carga ser cero aun cuando la tensin instantnea sea
cero o menor que cero debido a la corriente almacenada en la carga inductiva.
La expresin de la corriente DC en la carga es bastante compleja sin embargo la forma de onda

de la tensin DC en la carga es conocida, se muestra en la figura 3.4 para ngulos de disparo de
/3 y . Como hay conduccin continua podemos considerar .
La tensin DC en la carga se puede representar como:
3.5
La tensin DC en la carga ser
3.6
Donde aplicando la condicin de conduccin continua se tiene
3.7
Separata
La expresin (3.7) se representa en muchos casos en forma de un grfico el cual se muestra en
la figura 3.5. En esta figura se puede ver que EDC = 0 para . Si se superponen los
grficos dados en las figuras 3.3 y figura 3.5 se ver que las curvas coinciden para ngulos de
disparo comprendidos entre
/6 y /3. A partir de /3 las
curvas se separan dejando
entre ellos un rea que ser
ocupado por los rectificadores
trifsicos de media onda con
carga resistiva + carga
inductiva.
La figura 3.6 muestra el rea

para dicho caso. Se
denomina a la relacin entre
la componente inductiva de la
carga y la componente
resistiva esto est
representado en la figura 3.7
donde:
3.8
3.9
De donde
3.10
C. CARGA RESISTIVA
Para este caso tanto R como
L son diferentes de cero.
La conduccin aumenta en los
SCRs an E DC EM EDC EM CARGA RESISTIVA + INDUCTIVA

CARGA INDUCTIVA
luego que se 0.827
ha pasado el 0.8
0.716
0.8
cruce por
0.6 0.6
cero y
0.413 CARGA
dependiendo ZONA DE
RESISTIVA
0.4 0.4
de los valores CONDUCCION CARGA 0
CONTINUA INDUCTIVA
que tengan 0.2 0.2 90
tanto R como
L se llegar 0 0
?1 0 ?1
p p p 2p 5p p p p p 2p 5p p
6 3 2 3 6 6 3 2 3 6
ANGULO DE DISPARO ANGULO DE DISPARO
FIGURA 3.5 FIGURA 3.6

Separata
o no al estado de conduccin continua para cada valor de ngulo de disparo.
Asumiendo conduccin discontinua, la corriente instantnea en la carga tendr una forma

como la dada en la figura 3.8; partiendo desde cero para t = 1 y regresando a cero en t =
1. La expresin de la corriente instantnea por SCR se puede obtener resolviendo la
ecuacin:
3.11
COMPONENTE La expresin (3.11) corresponde a una ecuacin

INDUCTIVA
diferencial cuya solucin tiene dos componentes,
una componente transitoria representada por iT y
?L
una componente estacionaria representada por iS. La
suma de las dos componentes dar la solucin
R completa. Es posible reescribir la expresin (3.11)
COMPONENTE
RESISTIVA como sigue:
FIGURA 3.7
3.12
a) Componente Transitoria: Es la solucin de la ecuacin:
3.12
Resolviendo esta expresin se tiene
3.12
b) Componente Estacionaria: Es la solucin de la ecuacin:
3.13
La solucin puede ser puesta de una manera muy general como una combinacin de senos y
cosenos
3.14
A partir de (3.14) la derivada respecto al tiempo ser:
3.15
Reemplazando (3.14) y (3.15) en (3.13) se tendr:
3.14
Separata
Igualando los trminos en Sent y los trminos en Cost se tendr 2 ecuaciones simultneas
con dos incgnitas K1 y K2
3.17
3.18
Resolviendo (3.17) y (3.18) se tendr
3.19
3.20
Es posible reemplazar las expresiones (3.8) y (3.9) en (3.19) y (3.20) para simplificar la
notacin, con esto
3.21
3.22
Reemplazando (3.21) y (3.22) en (3.14) se tiene
3.23
La expresin completa de i ser la suma de (3.12) y (3.23)
3.24
La constante A se calcula con la condicin inicial i = 0|t = 1, con esto
3.25
Reemplazando (3.25) en (3.24) se tendr finalmente
3.26
Separata
Como la expresin completa de la corriente por SCR para conduccin discontinua.
A modo de comprobacin, si en (3.26) se hace L = 0, Cos ser 1 y la expresin de i ser
haciendo i = 0 en (3.26) se podr calcular el ngulo de corte de corriente 1.
Es posible aplicar la ecuacin (3.12) para el caso de conduccin continua cuando L sea mucho
mayor que R. En este caso la corriente i no se hace cero en ningn momento y es vlida la
expresin (3.24), pero la constante A se calcula en base a otra condicin inicial i|t = 1 = i|t =
1 + 2/3la ecuacin que se obtiene es:
De donde
Y la expresin final de i es
3.27
3.2 Rectificador Trifsico de Onda Completa
Se logra rectificacin de onda completa con un puente trifsico de onda completa con 6 SCRs
o con un puente trifsico hbrido de onda completa con 3 SCRs y 3 diodos como se muestra en
la figura 3.9 en los casos a) y b) respectivamente con formas de ondas para los dos como se
muestran en las figuras 3.10 y 3.11.
En la figura 3.10 se ve que cada SCR es disparado con un ngulo de disparo de 1 ~ 6 de /3

en la secuencia SCR1-SCR6-SCR2-SCR4-SCR3-SCR5; cada pulso de disparo est separado del
anterior en /3. Los pulsos de disparo estn representados por . Se ha considerado las
tensiones eB, -eC, -eA como si fueran tensiones positivas para los SCRs: SCR6, SCR4 y SCR5.
Separata
A SCR4 SCR5 SCR6 Toda la teora desarrollada para
rectificacin de media onda se
eA - puede aplicar a esta figura tanto
R para carga resistiva como para
Vo carga inductiva.
ec eB En la figura 3.11 se ve que cada
L
SCR es disparado con un ngulo
C B +
SCR1 SCR2 SCR3 de disparo 1 ~ 3 de 2/3 en la
secuencia SCR1-SCR2-SCR3.
a)
Los diodos no necesitan
dispararse y a diferencia de la
A
D4 D5 D6 figura 3.10 la salida Vo no est
formada por 6 crestas cortadas e
eA -
iguales entre ellas, sino por 3
R crestas cortadas y 3 crestas
Vo completas debido a que los
ec
diodos conducen a penas su
eB
L tensin de nodo supera la
C B + tensin del ctodo.
SCR1 SCR2 SCR3
b)
FIGURA 3.9
Vo
eA eB eC eA eB eC
0 p ?t 0 p ?t
3 3
?1 ?1
F1 F1
-eB -eC -eA -eB -eC -eA

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
SCR1 SCR2 SCR3 SCR1 SCR2 SCR3
SCR5 SCR6 SCR4 D5 D6 D4 D5

Separata
4. CONTROL DE POTENCIA AC
Consiste en variar la potencia AC en la carga intercalando un dispositivo o conjunto de
dispositivos entre la fuente de energa AC y la carga. Dado que se trata de tensiones AC, el
dispositivo deber ser bidireccional la figura 4.1 muestra el diagrama de bloques bsico de
control de potencia AC y la figura 4.2 muestra los principales dispositivos utilizados para el
control:
a. Combinacin de 2 SCRs en paralelo
b. TRIAC
c. SSS
d. Puente de diodos + SCRs
DISPOSITIVO AC
b.
FUENTE CARGA
AC a.
FIGURA 4.1
c.
d.
FIGURA 4.2
Adems se utiliza combinaciones de diodos y SCRs para los circuitos de la figura 4.2 tales
como los mostrados en la figura 4.3. Cada uno de los dispositivos mostrados se denomina
INTERRUPTOR ESTATICO.
4.1 Control Monofsico AC
La figura 4.4 el circuito ms simple para un
control monofsico AC con 2 SCRs.Al aplicar
un pulso de corriente a la compuerta de uno
de los SCRs este pasa a conducir si se cumple
que la tensin aplicada entre ANODO y
FIGURA 4.3 CATODO es positiva. Cuando la corriente por
el SCR se haga cero el SCR se cortar hasta
que se dispare nuevamente al ciclo siguiente.
El circuito trabaja con tensiones AC por lo que los SCRs debern dispararse alternadamente
tanto para las semiondas positiva como negativa.
Los circuitos de disparo se encargan de aplicar los pulsos de corriente a los SCRs al inicio de
cada semionda o retardando el pulso un cierto ngulo. En el primer caso se dice que se trata
de un CONTROL TODO O NADA y en el segundo caso un CONTROL DE FASE.
En nuestro caso se va a tratar el CONTROL DE FASE ya que el primer caso podra tomarse como
un caso particular del segundo si consideramos un ngulo de retardo igual a cero.
Separata
A. CARGA RESISTIVA
Con carga resistiva la corriente io tendr la misma forma de la tensin vo y su relacin est
dada por
vo = R io4.1
Para 0 t 2, vi esta dado por
4.2
Para simplificar el clculo se puede asumir que la cada de tensin en conduccin en los SCRs
es despreciable, en la prctica ser alrededor de 1V dado que se trata de tensiones AC, el valor
ms representativo de tensin o corriente en la carga es el valor RMS, ambos valores se
representarn por Vo e Io respectivamente. La figura 4.5 muestra las formas de onda ms
importantes del circuito. Para calcular Vo se tiene:
de donde
4.3
La corriente Io ser
4.4
Si en la expresin (4.4) se hace = 0 se tendr el caso de CONTROL TODO o NADA, la corriente

Io para este caso se representa por Io.
4.5
La corriente DC por cada SCR se representa por IDC/SCR y se calcula segn:
4.6
La potencia efectiva en la carga se puede representar por P, la potencia aparente de la fuente

como S y la eficiencia por .
Con esto:
4.7
4.8
4.9
La figura 4.6 muestra la relacin grfica de Io/Io en funcin del ngulo de disparo .
La corriente io descompuesta en serie de Fourier:
4.10
Contendr una serie de armnicos de corriente en funcin del ngulo de disparo como sigue:
4.11
4.12
Separata
4.13
4.14
n = 3, 5, 7, (2m + 1)
B. CARGA INDUCTIVA
El anlisis terico es ms complejo debido a que se tiene que inducir el argumento de la

carga mostrado en la figura 4.7 donde R y L son la resistencia e inductancia en la carga debido
a esto si en lugar de los dos SCRs de la figura 4.4 tuviramos un cortocircuito entre sus bornes,
Separata
la corriente iox estara desfasado de la tensin Vi en un ngulo como se muestra en la figura

4,8.Si L fuera cero el argumento de la carga sera cero y estaramos en el caso resistivo, la
expresin de la corriente iox para el caso mostrado en la figura 4.8 ser:
4.15
Donde
4.16
Vi esta dado por la expresin (4.2)

I o I 'o
Vi Con referencia a la figura 4.8, si regresamos al caso

de los dos SCRs se tendr que considerar la relacin
que hay entre el argumento de la carga
iox
y el ngulo de disparo de los SCRs, asimismo que
se trata de un disparo simtrico donde el segundo
?t
SCR se dispara a un ngulo + .
1) <
En este caso an cuando se dispare el SCR mientras
FIGURA 4.8 la corriente no llegue a cero no se producir
conduccin de corriente si el ancho de los pulsos de disparo para los SCRs es lo
suficientemente grande como para que dure hasta que termine la conduccin del SCR del
semiperiodo anterior, entonces recin en este punto comenzar la conduccin del SCR
siguiente. En este caso no existe control de fase propiamente dicho y la corriente en la carga
estar expresada por la relacin (4.15) el ngulo de conduccin ser para cada SCR.
Si el ancho de los pulsos de disparo no es suficientemente grande como para durar hasta que
termine la conduccin del SCR del semiperiodo anterior no habr conduccin y la corriente en
la carga ser cero.
Separata
2)
En este caso el ngulo de disparo est ms retardado que el valor de
, la corriente io se cortar en un punto tal como y el ngulo de conduccin ser menor que
.
La figura 4.9 muestra las formas de onda ms importantes del circuito para obtener la
expresin de io, se deber resolver la ecuacin diferencial dada por:
4.17
Con la condicin inicial:
4.18
Ya que por la inductancia la corriente no puede crecer bruscamente. La solucin de la ecuacin
(4.17) tendr una componente transitoria decreciente
Vo
exponencialmente y otra componente senoidal que
io representa el rgimen permanente.
iox
La solucin completa de la ecuacin ser:
?t

VSCR1
?t
VSCR2
iG1 iG2 iG1
?t
FIGURA 4.9
4.19
La corriente io volver a ser cero cuando t = por lo tanto haciendo t = en (4.19) io ser
igual a cero a partir de esta condicin se obtiene la expresin
4.20
El ngulo de conduccin ser igual a = , as la expresin 4.20 se puede representar

como:
4.21
Separata
La figura 4.10 y 4.11 muestran la relacin entre y as como entre y .
La corriente RMS en la carga Io se obtiene integrando la expresin (4.19) al cuadrado desde
hasta y luego obteniendo la raz
4.22
Graficar la expresin (4.22) requerir un grfico en 3 coordenadas con Io en el eje Y, en el

eje x y en el eje z.
270
270

240 240
180 180
L 0
120
.5 1 2 10
120
R
60 60
L
0 .5 1 2 10
0 0
R
30 60 90 120 150 180 30 60 90 120 150 180
ANGULO DE DISPARO ANGULO DE DISPARO

4.2 Control Trifsico AC
Con redes trifsicas se puede trabajar con montajes en estrella y en tringulo en nuestro caso
trabajaremos con cargas balanceadas en estrella.
La figura 4.12 muestra una conexin trifsica con tres pares de SCRs y carga en estrella.
Cada par de SCRs acta como un interruptor esttico mostrado en la figura 4.2.
Para que el control acte correctamente se deber cumplir las siguientes condiciones:
1. Los pulsos de disparo para los SCRs debern estar sincronizados con sus respectivas
tensiones de fase, en este caso S1 y S1 con V1 y as sucesivamente.
+ VA -
2. Debe existir siempre una
A
S1
A trayectoria de retorno
para cada SCR de tal
S1'
+ Z
manera que la corriente
V1 VAB
de una fase por un SCR
+ VB -
S2 - debe poder regresar a
B B
otra fase a travs de otro
V3 V2
S2' Z SCR.
3. Cuando la carga tenga
+ VC -
C
S3
C
componentes negativos,
el ancho de los pulsos de
S3' Z disparo deber ser lo
suficientemente grande
FIGURA 4.12
como para que dispare
los SCR luego que la corriente de los SCR precedentes se haga cero an cuando ya la
tensin est negativa.
Separata
Cuando se alcance el estado estable de operacin, los SCRs debern conducir en el
siguiente orden S1-S3-S2-S1-S3-S2.
Cada SCR conducir 2/6 despus del anterior y as hasta completar el ciclo.
Las tensiones alternas que se obtengan en la carga sern tensiones sinusoidales cortadas
por intervalos y combinadas para formar figuras complejas.
El ngulo de disparo (medido con referencia a cada tensin de fase) puede variarse desde
0 hasta 5/6 para cargas resistivas para ngulos mayores no se obtendr salida.
Las tensiones de salida en las cargas disminuirn desde sus valores totales para ngulos
de disparo de 0 hasta cero para ngulos de disparo de 5/6.
Las formas de onda de las tensiones en la carga cambiarn para ngulos de disparo de /3, /2
y 5/6.
Para entender como se forma la tensin de salida en la carga, asimismo que cada SCR es
disparado a /4 con respecto a su fase.
a) TENSIN DE LINEA EN LA CARGA (VAB)
Esta tensin presenta discontinuidades cada vez que un SCR se corta o es disparado y pasa a
conduccin as:
TRAMO-1: /4 - 2/3. S1 comienza a conducir en /4
S1
estando S2 ya en conduccin. S1 y S2 cierran el circuito A
para V1 y V2 como se ve en la figura 4.13.

+
VAB ser igual a la tensin de lnea V1 - V2 esto es
V1 VAB
VAB = V1 V2
-
TRAMO-2: 2/3 - 11/12. Al llegar a 2/3 la tensin V2

S2' B
negativa V2 que mantena conduciendo a S2 se hace cero,
en este momento S2 se corta y la trayectoria de retorno
FIGURA 4.13
para S1 se transfiere a S3 que ya estaba conduciendo. S1 y
S3 cierran el circuito para V1
+ -
S1
VA y V3 como se ve en la figura
A
4.14
+ Z Como no hay corriente por B
V1 VAB VAB ser igual a VA y VA por
- divisin de tensin ser:
B
V3
TRAMO-3: 11/12 . S2 ser

C disparado 2/3 despus que
S3' fuera disparado S1 y ello
ocurri en /4, por lo tanto S2
FIGURA 4.14 ser disparado a /4 + 2/3 =
11/12. En este momento se
inicia la conduccin simultnea de S1 y S2.
VAB ser simplemente la tensin de lnea V1 V2 esto es VAB = V1 V2.
Separata
TRAMO-4: - 5/4. Al llegar a , si se corta quedando en conduccin S2 y S3. S2 y S3 cierran
A
el circuito para V2 y V3 como
se ve en la figura 4.15.
+ Como no circula corriente por
VAB A, VAB ser igual a la tensin
+ VB -
S2 - de B pero negativo, esto es
B
V3 V2
C TRAMO-5-6-7-8: 5/4 - ms. A

partir de 5/4 se repite todos
S3'
los cuatro primeros tramos
pero con polaridad invertida y
FIGURA 4.15
con los SCRs equivalentes
para dicha polaridad.
En conclusin la tensin de lnea VAB est formada por 8 tramos y en cada tramo su valor es
diferente. La figura 4.16 muestra los 4 primeros tramos.
b) TENSION DE FASE EN LA CARGA (VA)

Esta tensin tambin presenta discontinuidades cada vez que un SCR se corta o es disparado
as:
TRAMO-1: /4 /3. Las tres fases estn conectadas, por lo tanto VA = V1
TRAMO-2: /3 - 7/12. La fase C esta desconectada as:
TRAMO-3: 7/12 - 2/3. Las tres fases estn conectadas, por lo tanto VA = V1
TRAMO-4: 2/3 - 11/12. La fase B esta desconectada, as
TRAMO-5: 11/12 . Nuevamente las tres fases estn conectados:

VA = V1
TRAMO-6: - 5/4. Ni S1 ni S1 conducen por lo tanto VA = 0
TRAMO-7-8-9-10-11-12: 5/4 Ms. A partir de 5/4 se repiten todos los seis primeros tramos
pero con polaridad invertida y con los SCRs equivalentes para dicha polaridad.
En conclusin la tensin de fase VA est formado por 12 tramos y en cada tramo un valor es
diferente. La figura 4.16 muestra los 6 primeros tramos.
Con referencia a la figura 4.16 si se desea arrancar el circuito para t = 0 se notar que tanto
S3 como S2 debern dispararse al mismo tiempo, as se lograr la trayectoria de retorno para
la corriente, en /4 se deber disparar S1, en 7/12 se deber disparar S3 y as
sucesivamente.
Separata
V1-V2 V2-V3
1.73 V3-V1
VAB
V1 V 2 V1 V 3 V2 V3
1.00
2 2
0.86 VA
0.7 V1
0.5
IV
II
I
III
11
2 12 5 t
4 3 4
0.5
0.7
V 2 V 3
0.86
2
1.00
1.73
0 /4 7/12 11/12 15/12 19/12 23/12

S1 S1'
S2' S2
S3 S3' S3
0 /4 /3 /2 2
VAB
VA
FIGURA 4.16
Dentro del intervalo /4 y /3 se tendr conduccin por S1, S2 y S3, esto es las tres fases
estn conectados a la carga.
La figura 4.17 muestra diferentes formas de onda para VA en funcin del ngulo de disparo .
Esta figura no ha sido hecha a escala donde VA = 0 para = 5/6
Separata
Deber notarse que la figura 4.16 corresponde a un caso intermedio entre b) y c) de la figura
4.17.
5. CONTROL DE POTENCIA DC
Consiste en variar la potencia DC en la carga a partir de una fuente de energa DC o generar
potencia AC en la carga a partir de una fuente DC. Los dispositivos que realizan la primera de
las funciones mencionadas se denominan TROCEADORES y los que realizan la segunda se
denominan INVERSORES.
5.1 Troceadores
Permiten alimentar una carga con tensin DC variable a partir de una red de tensin DC desde
cero hasta un mximo que puede ser la tensin de alimentacin. Son generalmente
interruptores colocados entre la fuente DC y la carga con tiempos de cierre y apertura
variables. Si tc es el tiempo de cierre y tA es el tiempo de apertura, la tensin DC en la carga
ser:
5.1 SCR SCR
Donde v es la tensin de entrada.

SW
Generalmente los interruptores son SW
C
E
SCRs disparados cada cierto tiempo
y cortados luego con circuitos
a) b)
auxiliares de bloqueo.
La figura 5.1 muestra los esquemas SCR SCR
ms simples de los circuitos
auxiliares de bloqueo utilizando una SW C SW
fuente adicional para cortar el SCR L

L
C d)
en a); un condensador que aplique
una tensin negativa en el SCR en
c) SCR
b), una inductancia que recibe la
energa de un condensador y con su
C SW
propia corriente bloquea el SCR en
L
c), un circuito oscilante LC que
e)
apaga el SCR en el primer medio
ciclo de corriente en d) y un circuito FIGURA 5.1
oscilante LC que apaga el SCR en el segundo medio ciclo de corriente en e).
Sin embargo se puede ver que es muy difcil sincronizar el interruptor SW para que se conecte
el circuito auxiliar de bloqueo al SCR manualmente o por medios mecnicos. En lugar de ello se
Separata
utiliza elementos de estado slido; generalmente un segundo SCR que al dispararse se encarga
de conectar el circuito auxiliar de bloqueo.
Si reemplazamos por SCRs el interruptor SW en los circuitos b), c) y d) o e) de la figura 5.1 se
tendr circuitos similares a
los mostrados en la figura
SCR1
5.2. Cada SCR es disparado SCR1
luego de transcurrido un
cierto tiempo del disparo C
SCR2
D
SCR2
del SCR principal que est
L
representado por SCR1.
a) C
b)
SCR1
D SCR1
SCR2
C
SCR2
L
c) C
d)
FIGURA 5.2
TROCEADOR CON BLOQUEO LC

La figura 5.3 muestra un troceador simple bloqueado con un segundo SCR y un circuito LC
auxiliar SCR1 constituye el SCR principal, disparado en t = t 0 el SCR auxiliar es disparado en t =
t1 (SCR2).
Para iniciar la operacin del circuito deber
SCR1 dispararse primero SCR2 para que Co se pueda
cargar con la polaridad mostrada, recin
Co R entonces se proceder a disparar SCR1.
SCR2
El tiempo transcurrido entre t = t0 y t = t1 no
E DF
deber ser muy grande ya que Co puede
Do L
descargarse a travs de SCR2 y la corriente
Lo
inversa de saturacin de DF.
FIGURA 5.3
a) INICIO DE OPERACIN
Al dispararse SCR2 circular una corriente por la trayectoria E-C o-SCR2-R-L-E y Co se cargar
hasta alcanzar un valor ECo = E en este instante la corriente por SCR2 se habr reducido a un
valor por debajo de la corriente de retencin y SCR2 se cortar.
Separata
b) OPERACIN
Si asumimos que L = 0 no habr necesidad de DF en el circuito, en cambio con L > 0 DF servir
como trayectoria para descargar la corriente almacenada en L cuando ya se haya
desconectado E de la carga.
1. Disparo del SCR1 en t = t0 se aplica un pulso iG1 de corriente a SCR1 y este SCR pasa a
conducir la corriente por la carga seguir la trayectoria E-SCR1-R-L. Esta trayectoria es la
TRAYECTORIA PRINCIPAL, adems de esta trayectoria existir una segunda trayectoria de
corriente por la cual la carga de Co generar una corriente oscilante por Co-SCR1-Lo-Do-
Co. Debido a Do la corriente oscilante se interrumpir al terminar el primer semiciclo
positivo (t = tc) ya que no permite corrientes negativas, en este momento la tensin en Co
se habr hecho igual a E.
La figura 5.4 muestra un circuito oscilante simplificado. A partir de esto se tiene:

io
5.2
vCo Co ECo
Donde
Lo
5.3
La expresin (5.2) se puede hacer de la forma vLo
5.4 FIGURA 5.4
Y la solucin a dicha ecuacin se puede poner de la forma:

qo = Aept5.5
A partir de (5.5) se tiene
Reemplazando estas dos expresiones en (5.4) se tendr

5.6
ya que qo no es cero, la solucin de (5.6) es de la forma:

5.7
Reemplazando (5.7) en (5.5) se tiene
5.8
Si utilizamos las expresiones
ejx = Cosx + jSenx
e-jx = Cosx jSenx
La expresin (5.8) podr ser puesta de la forma
5.9
Donde
B1 = A1 + A2 B2 = j(A1 A2)
La expresin de la corriente se obtiene derivando (5.9)
Separata
5.10
Por condiciones iniciales para t = 0 io = 0qo = -ECoCo, con esto reemplazando en (5.9) y
(5.10) se tiene
de donde
B1 = -ECo Co B2 = 0 por tanto

5.11
5.12
La expresin de vCo se obtiene de Coqo a partir de (5.11)

5.13
De la expresin (5.12) se tiene que io ser cero cuando se tenga t = tc
De donde
5.14
Para t = tc la expresin (5.13) se convierte en:
; esto indica que la tensin entre los terminales de Co ha quedado con
la polaridad invertida. La figura 5.6 muestra las formas de onda en detalle.
2. Disparo de SCR2 en t = t1 se aplica un pulso iG2 de corriente a SCR2 y este SCR pasa a
conducir. La tensin en Co queda aplicndose instantneamente a los terminales de SCR1
polarizndolo inversamente con lo cual el SCR principal se corta.
Co recuperar su carga inicial por la trayectoria E-Co-SCR2-R-L-E hasta alcanzar un valor
ECo = E pasando por cero en t = t2. El tiempo transcurrido desde t = t1 hasta t = t2 se
denomina t0.
Si se asume L suficientemente grande, la corriente en la carga ser prcticamente
constante igual a un valor IL y el cambio de polaridad de Co se har en forma lineal a partir
del valor que tena en t = t1
La figura 5.5 muestra el circuito de carga simplificado para Co de esto:
5.15
De esta expresin para t = t2 vCo = 0, esto es:

5.16
De la misma expresin (5.15) para t = t3 vCo = E
De donde
5.17
Separata
3. Conduccin de DF cuando vCo en la figura 5.5 alcance el valor de E en t = t3, SCR2 se

cortar y DF servir como trayectoria de descarga para la corriente almacenada en L por
L-DF-R-L.
De la figura 5.6 se podr ver que pata t0 t tC la
corriente en la carga ser la suma de io + la
R
vCo Co ECo corriente principal por E-R-L, corriente que pone
IL
L/R suficientemente grande se asume constante. A
E
L partir de t = tC la contribucin de corriente por io
desaparece y la corriente se hace constante.
FIGURA 5.5
Separata
Generalmente los troceadores operan con frecuencias bajas, determinados en base a las
dimensiones de los elementos que intervienen. A frecuencias muy altas las prdidas se
incrementan y adems se afecta el corte de los SCRs. Si se considera T = periodo de operacin
TON = periodo de conduccin del SCR principal y TOFF = periodo de bloqueo del SCR principal se
tendra tres modos de operacin.
1. T = CONSTANTE TON = VARIABLE
2. T = VARIABLE TON = CONSTANTE
3. TON = VARIABLE TOFF = VARIABLE
La figura 5.7 muestra la vR
explicacin de los tiempos T
SW
tomados para los tres modos de
E R vR
operacin. E
TON TOFF TON
FIGURA 5.7
L
SW vL El uso de filtros suavizadores de corrientes y

diodos limitadores para mantener la
E
R
conduccin continua en la carga. La figura 5.8
vR
DF
muestra el efecto de los filtros sobre el
circuito bsico.
E
vL
vR
?t
iL
?t
TON TOFF
FIGURA 5.8
5.2 Inversores
Convierten tensiones DC en tensiones AC. Utilizan SCRs como dispositivos de conmutacin
disparados por periodos. Las tensiones de salida son sinusoidales o cuadradas. La figura 5.9
muestra los principales inversores.
Separata
El inversor a) corresponde a una configuracin bsica de conexin en paralelo entre la carga R
y el condensador de conmutacin C.
El inversor b)
corresponde a una
SCR1
configuracin bsica de L C/2
conexin en serie entre la
L
carga R y el condensador R
E E
de conmutacin C SCR1
L CARGA
utilizando un SCR auxiliar.

El inversor c) es un SCR2
C/2
C
inversor senoidal con R
CARGA
inductor con toma
a) c)
central con dos SCRs.
CARGA
El inversor d) es un
inversor paralelo con L R
salida aproximadamente
cuadrada y con
SCR1
transformador de E
acoplamiento para la C
CARGA R
carga R.
SCR2 SCR1 SCR2
C E
INVERSOR SERIE
La figura 5.10 muestra un d)
inversor serie con un solo b)
FIGURA 5.9
SCR, al aplicar un pulso
de corriente iG1 al SCR1, C se carga a travs de L generando una corriente oscilante.
Cuando al finalizar el semiperiodo positivo de la corriente se produzca un cambio en la
polaridad, SCR1 se cortar y C quedar conectado en paralelo con la carga R y se descargar
hasta que se vuelva a aplicar un pulso de corriente a SCR1.
io A) CARGA DE C
Si asumimos que en t = t0 se aplica el pulso de corriente a SCR1 a
L partir de este punto Vo aumentar hasta alcanzar su valor
mximo.
E La figura 5.11 muestra un circuito equivalente de la carga de C a
SCR1
partir de este circuito se puede escribir la ecuacin de tensiones.
5.18
vo C R A partir de C y R se puede escribir la igualdad
de donde
FIGURA 5.10 de donde
5.19
Reemplazando (5.19) en (5.18) se tendr
Separata
5.20
La ecuacin (5.20) es una ecuacin diferencial de
L segundo orden cuya solucin tiene dos componentes:
iC iR una componente transitoria representada por iT y una
componente estacionaria representada por iS. La suma
E
C R de las dos componentes dar la solucin completa.
a) Componente transitoria
Es la solucin de la ecuacin
FIGURA 5.11 5.21
La solucin de (5.21) puede ser formada con los elementos que se obtengan de resolver la
ecuacin caracterstica.
LRC P2 + L P + R = 0 cuyas soluciones estn dadas por la expresin
5.22
Para que se presente comportamiento oscilante, P1 y P2 debern contener trminos

imaginarios y para que esto ocurra se debe cumplir la condicin:
en otra forma
5.23
La expresin (5.22) se puede poner de la forma
P1 P2 = - j 5.24
Donde se tiene
5.25
P1t P2t
Por todo esto: iT = K1e + K2e = K1e e + K2e-te-jt de donde
-t jt
-t jt -jt
iT = e (K1e + K2e ) 5.26
Utilizando las expresiones:
ejx = Cos x + jSen x
e-jx = Cos x jSen x
La expresin (5.26) podr ser puesta de la forma:
iT = e-t [(K1 + K2)Cost + j(K1 K2)Sent] 5.27
b) Componente Estacionaria
Es la solucin de la ecuacin
E = RiS de donde
iS = E/R 5.28
La expresin completa de la corriente iR ser la suma de (5.28) y (5.27)
iR = E/R + e-t [(K1 + K2)Cost + j(K1 K2)Sent] 5.29
Si reemplazamos: K1 + K2 = K10 y j(K1 K2) = K20 se tendr
iR = E/R + e-t [K10Cost + jK20Sent] 5.30
Separata
Por condiciones iniciales para t = t0 = 0 la corriente iR ser cero; lo mismo que
con esto
De donde
K10 = - E/R 5.31
De donde
5.32
Reemplazando (5.31) y (5.32) en (5.30) se tendr

5.33
La figura 5.12 muestra la relacin grafica entre y de donde

Reemplazando en (5.33) se tendr
De donde se tiene
5.34 FIGURA 5.12
La figura 5.13 muestra las formas de onda de la corriente por SCR1 y la tensin en R, V o
aumenta hasta alcanzar su valor mximo VoM en t = tM y luego comienza a decrecer.io aumenta
desde cero hasta un valor mximo y luego disminuye hasta llegar a cero en t = t1 en este
momento se corta SCR1 y a partir de t = t1 Vo decrece exponencialmente con una constante de
tiempo RC hasta que nuevamente se aplique un pulso de corriente i G1.
Para calcular VoM hacemos o lo que es igual a partir de (5.34)
0 = -e-tMSen(tM + ) + e-tMCos(tM + ) de donde

de donde se tendr
5.35
Para que se cumpla (5.35) se debe cumplir tM = de donde
5.36
Reemplazando tM en la expresin RiR se tendr
5.37
Separata
La expresin de iC se calcula a partir de , de lo cual se obtiene
5.38
La expresin completa de io ser:
5.39
Haciendo io = 0 se tendr el valor de t1 de resolver la expresin (5.39).

Otras configuraciones de inversores se pueden analizar
iG1
siguiendo los mismos pasos, tal es el caso del circuito
?t b) de la figura 5.9.
El inversor de la figura 5.9 d) genera una onda de salida
io
bastante cuadrada a partir de E. al aplicar un pulso de
corriente al SCR1 la corriente de la fuente E pasa por la
mitad izquierda del transformador de salida. Por la
?t accin del transformador la tensin de nodo en SCR2
VoM
llega a un valor instantneo de -2E el cual corta al SCR2
vo y carga C, cuando el siguiente pulso dispare SCR2, un
RC pulso similar de -2E aparecer en el nodo de SCR1
polarizndolo inversamente. El condensador C y la
inductancia del transformador mantienen la
t = t0 tM t1 ?t polarizacin inversa el tiempo suficiente para que los
SCR puedan llegar a cortarse.
FIGURA 5.13

Electrónica de Potencia

Transféré par

Informations du document

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Electrónica de Potencia

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Electrnica de Potencia Dr.

Abel Argum Sotomayor

1.1 Rectificador Trifsico de Media onda

El rectificador se puede considerar como la combinacin de tres circuitos rectificadores

IRMS = Corriente RMS en

ERMS = Tensin RMS en la

La corriente de nodo de D1 se puede representar como:

La corriente DC en la carga ser 3 veces la corriente en un diodo.

La tensin en la carga ser:

TENSIN RMS EN LA CARGA

La corriente RMS (IRMS) en D1 ser:

La corriente2 RMS en la carga ser 3 veces la corriente2 en un diodo

La tensin RMS en la carga ser:

Si la tensin de rizado es:

El factor de rizado (%r) se define como

Reemplazando las expresiones (1.4) y (1.7) se tiene

VOLTAJE INVERSO DE PICO

Esta expresin es mxima cuando ; en este momento se tiene reemplazando

Por lo tanto: PIV = -1.732 EM 1.12

FACTOR DE UTILIZACIN DEL SECUNDARIO

La potencia de salida ser igual a

Los volt-amperios por devanado sern igual a

;segn esto los volt-amperios por devanado sern

como se tiene 3 devanados los volt-amperios de los devanados sern:

Reemplazando en (1.13) se tiene

Es posible extender el anlisis de la

La corriente DC de nodo por diodo ser

La corriente DC en la carga ser m veces la corriente en un diodo.

La tensin en la carga ser

relacin de la figura 1.4

TENSION RMS EN LA CARGA

La corriente RMS por diodo ser

La corriente RMS en la carga ser veces la corriente RMS del diodo

La tensin RMS en la carga ser

De esta expresin se puede preparar la relacin de la figura 1.5

FACTOR DE UTILIZACION DEL SECUNDARIO

Reemplazando en la expresin (1.13) la potencia de salida los volt-amperios de los devanados

La potencia de salida ser

Los volt-amperios por devanado sern igual a esto es:

Los volt-amperios de los devanados sern: 1.24

Reemplazando en (1.13) se tiene:

De esta expresin se puede preparar la relacin de la figura 1.6

1.3 RECTIFICADOR TRIFASICO DE ONDA COMPLETA

El rectificador se puede considerar como la combinacin de tres circuitos rectificadores de

La corriente de nodo para el par de

donde se ha hecho un desplazamiento de io

La corriente DC en la carga ser 3 veces la corriente en un diodo

La tensin DC en la carga ser

TENSION RMS EN LA CARGA

La corriente RMS en D1 ser veces la corriente RMS por el par D1-D4.

de donde se tiene que la corriente2 RMS en la carga ser 3 veces la corriente2IRMS en un

La tensin RMS en la carga ser

Siguiendo un clculo anlogo al caso de media onda se tiene

1.4 EFECTO DE LAS INDUCTANCIAS EN LOS RECTIFICADORES

Un anlisis ms detallado de este caso se deja para reuniones posteriores.

Es un dispositivo semiconductor de tres terminales cuyo nombre proviene de las palabras

Las caractersticas v-i del SCR se muestran en la figura 2.2.

Para entender funcionamiento del SCR se puede analizar el comportamiento de un dispositivo

En a); esto es con polarizacin a) b)

En b) con polarizacin inversa J1 y J3 quedarn polarizados inversamente.De los dos casos

iC1 = 1iA iC1 + iC2 = iA

Donde 1 y 2 son los factores de amplificacin C-E de los transistores. Al

Es posible que en ciertos casos las capacidades parsitas o la inestabilidad trmica

Estas curvas son las curvas de TENSIN, VGK