Eletrnica Prova e Resoluo

1) Uma fonte de voltagem de 3V tem uma resistncia de sada de 10 K. Se

usarmos um voltmetro de 120 K de resistncia de entrada, que leitura ele
daria? E se esta resistncia for 1M?
Para Rs = 120K:

I= = = I = 0,02308 mA
+ +

Vmedido:
V = R*I = 120 * 0,02308 V = 2,7696V

Para Rs = 1000K:

I = =+ = I = 0,00297 mA
+

Vmedido:
V = R*I = 1000 * 0,00297 V = 2,97V
2) Determine a equivalente de Thevenin para o circuito abaixo:

Soluo:

Para encontrarmos a tenso de thevenin, faremos:

VTH = + = + = VTH = 1 V

Para determinarmos a Resistncia de Thevenin, iremos curto-cicuitar a baterias e

abriremos a fonte de corrente, assim teremos os resistores em paralelo, logo:

RTH = = + = RTH = 90
+

Para determinarmos a corrente de thevenin, utilizamos o VTH e RTH , alm de j

termos a polaridade:

IL = = IL = 0,0111 A

3) Qual a diferena entre um isolante, um semicondutor e um metal, quanto s

bandas de energia?
R: A diferena entre os 3 tipos de materiais est no tamanho da zona entre a
banda de conduo e a banda de valncia, essa zona conhecida como zona
proibida.
Para que o material conduza eletricidade necessrio que os eltrons de
valncia ( sob ao de um potencial eltrico), saltem do nvel de valncia para
um nvel de conduo.
No condutor a banda de energia proibida quase no existe, portanto a corrente
flui facilmente.
O isolante possui uma grande zona proibida, dificultando a passagem dos
eltrons para a banda de conduo.
J os semicondutores tem uma zona proibida com uma extenso no to grande
quanto os isolantes e nem to pequena quanto os condutores.

4) a) Qual a diferena entre um semicondutor intrnseco e extrnseco?

R: Semicondutores intrsecos, tambm conhecidos como semicondutores puros, so

cristais estveis, ou seja, com 8 eltrons na camada de valncia, como no existem
eltrons livres e nem causas suficientes para produzir uma corrente estvel.
J os semicondutores extrnsecos, tambm conhecidos como semicondutores impuros,
so semicondutores onde realizam processos de dopagem, que significa introduzir
tomos de impurezas no cristal, de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres,
quanto o nmero de lacunas.

b)O que um semicondutor tipo N? e um tipo P?

R: O semicondutor Tipo N, tambm conhecido como negativo, o semicondutor

extrnseco que recebeu um tomo pentavalente no processo de dopagem, sendo assim,
ele consegue um eltron a mais na camada de valncia, como a rbita de valncia no
pode conter mais de oito eltrons, o eltron que sobra precisa percorrer uma rbita de
conduo. Estes tomos pentavalentes so conhecidos como tomos doadores, pois
fornecem eltrons para a banda de conduo.

O semicondutor Tipo P, tambm conhecido como positivo, um semicondutor

extrnseco que recebeu uma impureza trivalente no processo de dopagem, sendo assim,
o cristal ter apenas 7 eltrons na rbita de valncia, surgindo uma lacuna em cada
tomo trivalente. Estes tomos so conhecidos como tomos aceitadores porque cada
lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a recombinao.

5) Mostre os esquemas de juno PN polarizado diretamente e reversamente.

A Juno PN ( Tambm conhecida como Diodo) polarizada reversamente: (No conduz
corrente, a camada de depleo tende a aumentar).

A Juno PN polarizada diretamente: ( Acima de um determinado valor de tenso, a

camada de depleo fica to pequena que ocorre a conduo da corrente.)

6) Um sinal V(t) = 5 sem (wt) aplicado a um diodo com tenso direta fixa de
0,6V, conforme o circuito abaixo. Escrever e desenhar Vg(t) comparando com
V(t).

7) Mostre como podemos polarizar um transistor NPN na regio ativa.

R: A regio ativa do transistor a regio entre o corte (IC = 0) e a saturao (

VCE = 0), podemos considerar regio ativa no caso em que VCE > 0,2.
 Para o exemplo acima, teremos como polarizao do transistor:
50,6 50,6
IB = = = 100000 IB = 44 A
100

IC = * IB = 150 * 44 A = 6,6 mA

VCE = VCC IC * RC = 12V ( 6,6mA * 1K) VCE = 5,4V

VCE = VCB + VBE = 5,4 0,6 VCB = 4,8V

8) Para a figura, considere RB = 200K, RC = 3K, = 100 e VBE = 0,7V, VBB = 5V, e
VCC = 10V. Determine as correntes de base IB, coletor IC, e tenso coletor
emissor VCE.

50,7
IB =

= 200000 IB = 0,0215 mA

IC = * IB = 100 * 0,0215 IC = 2,15 mA

VCE = VCC IC * RC = 10V ( 2,15mA * 3K) VCE = 3,55V

VCE = VCB + VBE = 3,55 0,7 VCB = 2,85V
Assim, a juno coletor (N) est num potencial maior que a base (P). Portanto, a juno
coletor-emissor est reversamente polarizada, o que caracteriza um
transistor na regio ativa, ou seja, que est amplificando. Mas, em ltima anlise, basta
ver que a tenso coletor-emissor maior que 0,2V.

9) a) Como a corrente de dreno de um transistor FET ou MOSFET controlada?

R: A corrente de dreno de um transistor FET controlada pela tenso aplicada
na porta.em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor controlada
pela corrente de base.
b) Que comparao podemos fazer entre a impedncia de entrada de um
transistor bipolar e FET / MOSFET ?
R: Podemos citar que a grande vantagem do FET em relao ao transistor
bipolar sua impedncia muito elevada de entrada e sua quase total imunidade a
rudos. O FET possui uma impedncia de entrada extremamente alta, da ordem
de 100M ou mais.

10) Na figura abaixo os diodos so ideais. Esboce a sada do resistor sem e com
capacitor acoplado.
 Prova 2

1) Como se dopa um semicondutor intrnseco tipo N? e tipo P?

No tipo N: Atravs da adio controlada de impurezas, essas impurezas so
tomos pentavalentes que se ligarem com os tomos de material semicondutor
atravs de uma ligao covalente, sobrando um eltron livre, assim ele ir doar
um eltron livre
No tipo P: A impureza adicionada so tomos trivalentes que ao se ligarem com
um material sem condutor iro fazer surgir uma lacuna.
2) Como se comporta a regio de depleo em um diodo para as situaes de
polarizao direta e polarizao reversa? Como o diodo se comporta de modo
direto e indireto num circuito?
R:Na polarizao direta ocorre um encurtamento da regio de depleo,
facilitando o fluxo de portadores majoritrios. Os eltrons do material tipo N e
as lacunas do material tipo P so forados a se recombinarem na juno.
Na polarizao reversa ocorre um aumento da regio de depleo. Esse aumento
ir estabelecer uma barreira grande demais para os portadores majoritrios
superarem, reduzindo efetivamente o fluxo desses portadores majoritrios a
zero.
A polarizao reversa aumentar o nmero de ons positivos e negativos no
combinados na regio de depleo.
3) Qual a principal aplicao dos diodos em circuitos eletrnicos? ( como exemplo
o diodo 1N4007)
R:A principal aplicao de retificadores que transformam corrente alternada
em corrente contnua. O prncipio , o diodo s deixa passar corrente em um
sentindo, quando ele est polarizado diretamente, ou seja, ele s estar
polarizado diretamente quando se aplica uma corrente alternada na metade do
perodo.
4) Qual componente podemos utilizar na sada de um retificador para executar a
funo de filtro? Desenhe um circuito retificador de meia-onda com o elemento
de filtragem.
R: O componente mais utilizado um capacitor que ligado em paralelo com o
circuito da carga, esse capacitor ir fornecer corrente a carga durante o tempo
em que o diodo no estiver conduzindo.

5) Qual o formato da onda na sada de um retificador de meia onda com e sem

filtro? ( Desenhe no grfico)
R: Onde Ve = A tenso de entrada, VR = VD, VO = Sada; VD = 0,6 ou 0,7
no Silcio.
6) Determine a forma de voltagem de sada no circuito abaixo, considerando a
forma da voltagem na entrada mostrada ao lado. O diodo tem 0,6V de limiar de
conduo.
7) Desenhe um circuito retificador de onda completa com filtro a partir de
transformador com derivao central. E sem derivao central?

8) Para que serve basicamente um transistor bipolar? Como se forma um transistor

NPN e PNP?
R: O prncipio do transistor poder controlar a corrente. No caso do transistor
bipolar, essa corrente controlada por outra corrente.

Duas junes PN, sendo que no semicondutor de tipo P, comum as duas

junes. O emissor possui um alto nvel de dopagem e o coletor baixo nvel de
dopagem.
 O PNP semelhante ao NPN, sendo que o semicondutor do tipo N comum as
duas junes.
9) Uma voltagem do tipo v(t)= 10.sen (w.t) aplicada ao circuito abaixo, V1 = V2 =
5V. Esboar vO(t) comparando com v(t). Os diodos tem 0,6V de tenso liminar.

10) Determine o resistor para polarizar o LED, conforma o circuito e dados abaixo:
 122
R= = R = 1K
10 103