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Rpublique Algrienne
Dmocratique et Populaire

Ministre de l'Enseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique

Comit Pdagogique National du domaine Sciences et Technologies

HARMONISATION
OFFRE DE FORMATION
MASTER ACADEMIQUE

2016 - 2017

Domaine Filire Spcialit

Sciences
et Electronique Microlectronique
Technologies
 Page |2

Rpublique Algrienne
Dmocratique et Populaire

Ministre de l'Enseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique

Comit Pdagogique National du domaine Sciences et Technologies

2017-2016

 Page |3

I Fiche didentit du Master

 Page |4

Conditions daccs
(Indiquer les spcialits de licence qui peuvent donner accs au Master)

Classement
Coefficient
Licences ouvrant accs selon la
Filire Master harmonis affect la
au master compatibilit de
licence
la licence
Electronique 1 1.00
Physique des
matriaux (Domaine 2 0.80
SM)
Chimie Matriaux
3 0.70
Electroni Microlectroni (Domaine SM)
que que Tlcommunications 3 0.70
Gnie biomdical 3 0.70
Autres licences du
5 0.60
domaine ST
Autres licences du
5 0.60
domaine ST
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II Fiches dorganisation semestrielles des

enseignements
de la spcialit
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Semestre 1
Travail
Volume Complment
Horaire aire
Volume horaire Semestrie en

Coefcient
Matires l Mode dvaluation
Unit hebdomadaire

Crdits
Consultation
d'enseigneme (15
(15
nt semaines)
semaines)
Contrl
Cour
Intitul TD TP e Examen
s
Continu
UE Physique des
Fondamentale 1h3
composants 6 3 3h00 67h30 82h30 40% 60%
Code : UEF 0
semiconducteurs 1
1.1.1
Crdits : 10 1h3
Coefcients : Couches minces 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
0
5
UE Procds dlaboration des 1h3
4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Fondamentale dispositifs semiconducteurs 0
Code : UEF
1.1.2
Crdits : 8
Conception des circuits 1h3
4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefcients :
intgrs analogiques 0
4
UE TP Physique des
Mthodologiq 1h3
composants 2 1 22h30 27h30 100%
ue 0
semiconducteurs 1
Code : UEM
TP Conception des CI 1h3
1.1 2 1 22h30 27h30 100%
intgrs analogiques 0
Crdits : 9
Coefcients : TP proprits optiques 2 1 1h3 22h30 27h30 100%
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des SC 0

5 Programmation orient 1h0

3 2 1h30 37h30 37h30 40% 60%
objet en C++ 0
UE
Matire au choix 1 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Dcouverte
Code : UED
1.1
Crdits : 2 Matire au choix 2 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Coefcients :
2
UE
Transversale
Code : UET
1.1 Anglais technique et
1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Crdits : 1 terminologie
Coefcients :
1
Total 3 1 13h3 6h0 5h3
375h00 375h00
semestre 1 0 7 0 0 0
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Semestre 2
Travail
Volume Complment
Horaire aire
Volume horaire Semestrie en

Coefcient
Matires l Mode dvaluation
Unit hebdomadaire

Crdits
Consultation
d'enseignem (15
(15
ent semaines)
semaines)
Contrl
Cour
Intitul TD TP e Examen
s
Continu
UE Physique des
Fondamental 1h3
composants 6 3 3h00 67h30 82h30 40% 60%
e 0
semiconducteurs 2
Code : UEF
1.2.1
Crdits : 10 1h3
Outils de simulation 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefcients : 0
5
UE Techniques de
1h3
Fondamental caractrisation des 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
dispositifs semiconducteurs
0
e
Code : UEF
1.2.2 Dispositifs 1h3
Crdits : 8 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
photovoltaques 0
Coefcients :
4
UE TP Physique des composants 1h3
2 1 22h30 27h30 100%
Mthodologiq SC 2 0
ue TP Outils de simulation 2 1 1h3 22h30 27h30 100%
Code : UEM 0
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TP Caractrisation des
1h3
SC/ TP Dispositifs 2 1 22h30 27h30 100%
0
photovoltaques
1.2 Conception des circuits
Crdits : 9 1h0
intgrs analogiques 3 2 1h30 37h30 37h30 40% 60%
Coefcients : 0
MOS
5
UE Matire au choix 3 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Dcouverte
Code : UED
1.2
Crdits : 2 Matire au choix 4 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Coefcients :
2
UE
Transversale
Code : UET
Ethique, dontologie et
1.2 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
proprit intellectuelle
Crdits : 1
Coefcients :
1
Total 3 13h3 6h0 5h3
17 375h00 375h00
semestre 2 0 0 0 0
 P a g e | 10

Semestre 3
Travail
Volume Complment
Horaire aire
Volume horaire Semestrie en

Coefcient
Matires l Mode dvaluation
Unit hebdomadaire

Crdits
Consultation
d'enseignem (15
(15
ent semaines)
semaines)
Contrl
Cour
Intitul TD TP e Examen
s
Continu
UE Physique des
Fondamental 1h3
composants 6 3 3h00 67h30 82h30 40% 60%
e 0
semiconducteurs 3
Code : UEF
1.3.1 Conception des CI
Crdits : 10 1h3
analogiques numriques 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefcients : CMOS
0
5
UE Matriaux pour 1h3
4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Fondamental llectronique 0
e
Code : UEF
1.3.2 1h3
Crdits : 8 Optolectronique 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
0
Coefcients :
4
UE TP Htrostructures 1h3
Mthodologiq 2 1 22h30 27h30 100%
semiconducteurs 0
ue TP Conception des CI 2 1 1h3 22h30 27h30 100%
Code : UEM analogiques numriques 0
1.3 CMOS
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1h3
TP Optolectronique 2 1 22h30 27h30 100%
0
Crdits : 9 Simulation des 1h0
3 2 1h30 37h30 37h30 40% 60%
Coefcients : composants SC 0
5
UE
Matire au choix 5 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Dcouverte
Code : UED
1.3
Crdits : 2 Matire au choix 6 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Coefcients :
2
UE
Transversale
Code : UET Recherche
1.3 documentaire et 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Crdits : 1 conception de mmoire
Coefcients :
1
Total 3 13h3 6h0 5h3
17 375h00 375h00
semestre 3 0 0 0 0
 P a g e | 12

Orientations gnrales sur le choix des matires transversales et de

dcouverte :

Six matires (de dcouverte) dans le Rfrentiel des Matires du Master

Microlectronique (Tableau ci-dessus) sont laisses au libre choix des
tablissements qui peuvent choisir indiffremment leurs matires parmi la liste
prsente ci-dessous en fonction de leurs priorits.
A titre dexemple, une proposition du CPND pour le choix des matires est
fournie ci-dessous avec les programmes dtaills pour les semestres 1 & 2.

Matires proposes par le CPND pour le semestre 1 : (avec

programmes dtaills)

Choix 1 : Technologie du vide et Salle blanche (Dcouverte)

Choix 2 : Biomatriaux (Dcouverte)

Matires proposes par le CPND pour le semestre 2 : (avec

programmes dtaills)

Choix 3 : Gestion des dchets lectroniques (Dcouverte)

Choix 4 : Introduction aux nanotechnologies (Dcouverte)
Choix : Les matriaux (Dcouverte)
Choix : Les matriaux intelligents (Dcouverte)
Choix : Appareillages et Techniques de caractrisation (Dcouverte)

Autres matires laisses au libre choix des tablissements

(programmes ouverts aprs validation du CPND)

Industrie de la microlectronique (Dcouverte)

Matriaux pour la nanolectronique et la photonique (Dcouverte)
Couches minces et cristaux photoniques (Dcouverte)
Capteurs intgrs et MEMS (Dcouverte)

Semestre 4
Stage en entreprise sanctionn par un mmoire et une soutenance.

VHS Coeff Crdits

Travail Personnel 550 09 18
Stage en 100 04 06
entreprise
Sminaires 50 02 03
Autre 50 02 03
(Encadrement)
Total Semestre 4 750 17 30
Ce tableau est donn titre indicatif

Evaluation du Projet de Fin de Cycle de Master

- Valeur scientifique (Apprciation du jury) /6

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- Rdaction du Mmoire (Apprciation du jury) /4

- Prsentation et rponse aux questions (Apprciation du jury) /4
- Apprciation de lencadreur /3
- Prsentation du rapport de stage (Apprciation du jury) /3
 P a g e | 14

III - Programme dtaill par matire du semestre S1

 P a g e | 15

Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.1
Matire 1: Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30)
Crdits: 6
Coefficient: 3

Objectifs de lenseignement:
Connatre les phnomnes physiques se manifestant dans les matriaux
semiconducteurs qui sont utiliss pour raliser les composants de la
microlectronique. Comprendre le principe de fonctionnement des composants
lectroniques de base : jonction PN, diode Schottky, JFET.

Connaissances pralables recommandes:

Physique et chimie de base

Contenu de la matire:

Chapitre 1. Notions de cristallographie

(1 Semaines)
Systmes cristallins, Mailles lmentaires, Plans rticulaires, Indices de Miller, Systme
cubique
Chapitre 2. Thorie des bandes dnergie dun semiconducteur
(3 Semaines)
Llectron dans un cristal
Modle de Sommerfeld, Bandes dnergie (approche intuitive), Calcul des
bandes dnergie, Distinction mtal-isolant-Semiconducteur, Notion de
trou, Masse effective de llectron dans un cristal, Densit dtats dans
les bandes permises).
Semiconducteurs intrinsques
Semiconducteurs extrinsques
Ionisation des impurets, Equilibre lectrons-trous, Calcul de la position
du niveau de Fermi, Semiconducteurs dgnrs
Alignement des niveaux de Fermi
Chapitre 3. Thorie de la conductivit lectrique et quations de
transport (3 Semaines)
Drive des lectrons dans un champ lectrique
Mobilit
Courant de drive (Effet Hall)
Courant de diffusion
Equations de drive-diffusion (Relations dEinstein)
Equations de transport
Quasi-niveaux de Fermi
Chapitre 4. Phnomne de Gnration et de recombinaison
(3 Semaines)
Introduction
Transitions directes et indirectes
Centres de gnration-recombinaison
Dure de vie des porteurs excdentaires
Recombinaison SRH
Recombinaison en surface
Chapitre 5. La jonction PN
(2 Semaines)
 P a g e | 16

Introduction
Jonction PN lquilibre
Jonction PN polarise
Calcul du courant : diode idale (courant de diffusion), courant de gnration /
recom-binaison, Claquage de la jonction)
Capacit de la jonction PN : Capacit de transition, Capacit de diffusion
Modle de la jonction PN : Modle grands signaux basse frquence, Modle
petits signaux basse frquence, Modle petits signaux haute
frquence
Chapitre 6. La diode Schottky
(2 Semaines)
Diagrammes de bandes
Extension de la zone de dpltion
Variation de la barrire de potentiel avec la tension applique
Mcanismes de conduction
Influence des tats dinterface
Comparaison avec la diode jonction PN
Chapitre 7. Le JFET
(1 Semaines)

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:
1. J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Universit, 1998
2. H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6 e
dition, Cours et exercices corrigs, Dunod 2009
3. P. Leturcq, Physique des composants actifs semiconducteurs, Dunod 1978
4. H. Ng, Introduction la physique des semiconducteurs. Cours et exercices
corrigs, Dunod
5. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
6. A. Vapaille, Physique des dispositifs semiconducteurs, Masson 1970
7. B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
8. J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
9. D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill,
2003
10.A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
11.M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
12.C. Ng et H. Ng, Physique des semi-conducteurs, 4 e dition, Dunod.
P a g e | 17
 P a g e | 18

Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.1
Matire 2: Couches minces
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:
Apprendre ltudiant lessentiel sur la fabrication des couches minces, leurs
proprits ainsi que les mthodes dveloppes pour leur caractrisation.

Connaissances pralables recommandes:

Notions de physique et de chimie

Contenu de la matire:

Chapitre 1. Notions sur la physique des couches minces (3

Semaine)
Dfinition dune couche mince, mode de croissance des couches minces, paramtres
contrlant la croissance des couches minces, effets influenant la puret dune couche
mince,

Chapitre 2. Techniques de dpts physiques (3

Semaines)
Pulvrisation, vaporation,

Chapitre 3. Techniques de dpts chimiques (3

Semaines)
CVD, pitaxie en phase liquide, PECVD,

Chapitre 4. Caractrisation des couches minces (3

Semaines)

Chapitre 5. Proprits lectriques des couches minces (3

Semaines)

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:
1. Emmanuel Defa, Intgration des couches minces ferrolectriques et
pizolectriques, Editions Wiley, 2011
2. Kurt Randerath, Chromatographie sur couches minces
3. A. Richardt, A.M.Durand, Les couches minces, les couches dures, dition In Fine
1994
4. A. Cornet, Physique et ingnierie de surfaces, EDP Sciences 1998
 P a g e | 19

Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.2
Matire 3: Procds dlaboration des dispositifs semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:
Aborder l'ensemble des tapes technologiques en dtaillant pour chacune d'elles les
mcanismes physico-chimiques mis en jeu, les prcautions qu'elles ncessitent et les
contraintes ventuellement qu'elles imposent vis--vis des autres tapes.

Connaissances pralables recommandes:

Notions gnrales sur les semiconducteurs.

Contenu de la matire:

- Historique et Gnralits sur les semiconducteurs (Couches minces, technologie

planaire, caissons disolement ...).
- Du sable la plaquette de silicium.
- Le tirage et la croissance des semiconducteurs.
- Techniques de nettoyage.
- Oxydation par voie humide et sche.
- Dpt de matriau: pitaxie, pulvrisation cathodique, dpt chimique en phase
vapeur.
- Dopage: diffusion, implantation ionique.
- Photolithographie.
- Gravure chimique, gravure physique, polissage mcano-chimique.
- Mtallisation, passivation.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:
1. R. Levy, Microelectronic Materials and Processes.
2. C. Grovenor, Microelectronic materials.
3. G. Rebeiz, RF MEMS, theory, Design, and Technologies, Wiley.
4. Mohamed Gad-el-Hak, MEMS Introduction and Fundamentals. The MEMS
Handbook, 2nd Ed.
5. J. Ramsden, Nanotechnology, an introduction, Elsevier.
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.2
Matire 4: Conception des circuits intgrs analogiques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:
Matriser le Design Flow de la conception des circuits intgrs analogiques

Connaissances pralables recommandes:

Electronique fondamentale, Technologie des composants lectroniques

Contenu de la matire:

Gnralits : Historique, Vue gnrale

Structure et modlisation des composants intgrs (passifs et actifs) :
Caractristiques, Modles, Equations, Fabrication, Layout
Le transistor ; La diode ; Le thyristor ; Le transistor effet de champ ; Rsistance,
Condensateur
Circuits de base :
tages amplificateurs (amplificateur un tage, tage diffrentiel)
Miroirs de courant statiques et dynamiques
Amplificateurs oprationnels intgrs ( deux tages de gain et cascode)
Bruit dans les composants

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40 % ; Examen: 60 %.

Rfrences bibliographiques:
1. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
2. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Design
3. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
4. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
 P a g e | 21

Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 1: TP Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:

Connaissances pralables recommandes:

Contenu de la matire:

En fonction de la disponibilit des quipements pdagogiques matriels (salle blanche, produits

chimiques, ) et des quipements virtuels (logiciels ddis la microlectronique), les quipes de
formation sont autoriss arrter pour leur propre compte un certain nombre de sances de Travaux
Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives cette matire.
Toutefois, il est fortement demand ces quipes denvoyer au CPND-ST la liste des TP raliser
pour validation.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%

Rfrences bibliographiques
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 2: TP Conception des CI intgrs analogiques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:

Connaissances pralables recommandes:

Contenu de la matire:

En fonction de la disponibilit des quipements pdagogiques matriels (salle blanche, produits

chimiques, ) et des quipements virtuels (logiciels ddis la microlectronique), les quipes de
formation sont autoriss arrter pour leur propre compte un certain nombre de sances de Travaux
Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives cette matire.
Toutefois, il est fortement demand ces quipes denvoyer au CPND-ST la liste des TP raliser
pour validation.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 100 %

Rfrences bibliographiques:
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Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 3: TP proprits optiques des SC
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:

Connaissances pralables recommandes:

Contenu de la matire:

En fonction de la disponibilit des quipements pdagogiques matriels (salle blanche, produits

chimiques, ) et des quipements virtuels (logiciels ddis la microlectronique), les quipes de
formation sont autoriss arrter pour leur propre compte un certain nombre de sances de Travaux
Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives cette matire.
Toutefois, il est fortement demand ces quipes denvoyer au CPND-ST la liste des TP raliser
pour validation.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%

Rfrences bibliographiques:
 P a g e | 24

Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 4: Programmation orient objet en C++
VHS: 37h30 (Cours : 1h30, TP: 1h00)
Crdits: 3
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement :
Apprendre ltudiant les fondements de base de la programmation oriente objets
ainsi que la maitrise des techniques de conception des programmes avancs en
langage C++.
Connaissances pralables recommandes :
Programmation en langage C.
Contenu de la matire :
Chapitre 1. Introduction la programmation oriente objets (POO)
(2 semaines)
Principe de la POO, Dfinition et Mise en route de langage C++, Le noyau C du
langage C++.
Chapitre 2. Notions de base
(2 semaines)
Les structures de contrle, Les fonctions, Les tableaux, La rcursivit, Les fichiers,
Pointeurs, Pointeurs et rfrences, Pointeurs et tableaux, L'allocation dynamique.
Chapitre 3. Classes et objets
(3 semaines)
Dclaration de classe, Variables et mthodes d'instance, Dfinition des mthodes,
Droits d'accs et encapsulation, Sparations prototypes et dfinitions, Constructeur et
destructeur, Les mthodes constantes, Association des classes entre elles, Classes et
pointeurs.
Chapitre 4. Hritage et polymorphisme
(3 semaines)
Hritage, Rgles d'hritage, Chanage des constructeurs, Classes de base,
Prprocesseur et directives de compilation, Polymorphisme, Rgles suivre, Mthodes
et classes abstraites, Interfaces, Traitements uniformes, Tableaux dynamiques,
Chanage des mthodes, Implmentation des mthodes virtuelles, Classes imbriques.
Chapitre 5. Les conteneurs, itrateurs et foncteurs
(3 semaines)
Les squences et leurs adaptateurs, Les tables associatives, Choix du bon conteneur,
Itrateurs : des pointeurs boosts, La pleine puissance des list et map, Foncteur : la
version objet des fonctions, Fusion des deux concepts.
Chapitre 6. Notions avances
(2 semaines)
La gestion des exceptions, Les exceptions standard, Les assertions, Les fonctions
templates, La spcialisation, Les classes templates.

TP Programmation oriente objet en C++

TP1 : Maitrise dun compilateur C++
TP2 : Programmation C++
TP3 : Classes et objets
TP4 : Hritage et polymorphisme
TP5 : Gestion mmoire
TP6 : Templates

Mode dvaluation :
Contrle continu : 40% ; Examen : 60%.
 P a g e | 25

Rfrences bibliographiques:
1. Bjarne Stroustrup (auteur du C++), Le langage C++, Pearson.
2. Claude Delannoy, Programmer en langage C++, 2000.
3. Bjarne Stroustrup, Le Langage C++, dition (2000) ou Pearson Education France
(2007).
4. P.N. Lapointe, Pont entre C et C++ (2me dition), Vuibert, Edition 2001
 P a g e | 26

Semestre : 1
Unit denseignement : UED 1.1
Matire : Matire 1 au choix
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1

Semestre : 1
Unit denseignement : UED 1.1
Matire : Matire 2 au choix
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
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Semestre : 1
Unit denseignement : UET 1.1
Matire : Anglais technique et terminologie
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:
Initier ltudiant au vocabulaire technique. Renforcer ses connaissances de la langue.
Laider comprendre et synthtiser un document technique. Lui permettre de
comprendre une conversation en anglais tenue dans un cadre scientifique.

Connaissances pralables recommandes:

Vocabulaire et grammaire de base en anglais

Contenu de la matire:

- Comprhension crite : Lecture et analyse de textes relatifs la spcialit.

- Comprhension orale : A partir de documents vido authentiques de vulgarisation

scientifiques, prise de notes, rsum et prsentation du document.

- Expression orale : Expos d'un sujet scientifique ou technique, laboration et

change de messages oraux (ides et donnes), Communication tlphonique,
Expression gestuelle.

- Expression crite : Extraction des ides dun document scientifique, Ecriture dun
message scientifique, Echange dinformation par crit, rdaction de CV, lettres de
demandes de stages ou d'emplois.

Recommandation : Il est vivement recommand au responsable de la matire

de prsenter et expliquer la fin de chaque sance (au plus) une dizaine de
mots techniques de la spcialit dans les trois langues (si possible) anglais,
franais et arabe.

Mode dvaluation:
Examen: 100%.

Rfrences bibliographiques :

- P.T. Danison, Guide pratique pour rdiger en anglais: usages et rgles, conseils
pratiques, Editions d'Organisation 2007
- A. Chamberlain, R. Steele, Guide pratique de la communication: anglais, Didier
1992
- R. Ernst, Dictionnaire des techniques et sciences appliques: franais-anglais,
Dunod 2002.
- J. Comfort, S. Hick, and A. Savage, Basic Technical English, Oxford University
Press, 1980
- E. H. Glendinning and N. Glendinning, Oxford English for Electrical and
Mechanical Engineering, Oxford University Press 1995
- T. N. Huckin, and A. L. Olsen, Technical writing and professional communication
for nonnative speakers of English, Mc Graw-Hill 1991
 P a g e | 28

- J. Orasanu, Reading Comprehension from Research to Practice, Erlbaum

Associates 1986
 P a g e | 29

Proposition de quelques matires de

dcouverte
 P a g e | 30

Semestre: 1
Unit denseignement: UED 1.1
Matire 1: Technologie du vide et Salle blanche
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crdits: 1
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:
Familiarisation avec les exigences dune salle blanche : accs, quipements, produits
chimiques,

Connaissances pralables recommandes:

Aucune

Contenu de la matire:

- Techniques du vide : terminologie du vide, pompes vide, Jauge vide, enceintes

vide,
- Gnralits sur la conception de salle blanche
- Types de salle blanche et normes internationales
- Filtration de lair
- Techniques dultrapurification des salles blanches
- Production deau dsionise
- Rgles daccs une salle blanche
- Rgles dutilisation des produits chimiques dangereux (Acides, bases, solvants,)
- Prsentation gnrale des quipements de la salle blanche
- Procds Technologiques : procd de nettoyage standard, oxydation, talement de
la rsine, photolithographie,

Mode dvaluation:
Examen: 100%.

Rfrences bibliographiques:
 P a g e | 31

Semestre: 1
Unit denseignement: UED 1.1
Matire 2: Biomatriaux
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crdits: 1
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:
Comprhension des concepts de biocompatibilit et de bio fonctionnalit des
matriaux.

Connaissances pralables recommandes:

Cours de base de physique

Contenu de la matire:

Chapitre 1. Classes de matriaux utiliss en mdecine

Chapitre 2. Tissus et cellules biologiques

Chapitre 3. Ractions de lhte aux biomatriaux et leur valuation.

Chapitre 4. Essais biologiques des biomatriaux

Mode dvaluation:
Examen: 100%.

Rfrences bibliographiques:
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IV - Programme dtaill par matire du semestre S2

Semestre: 2
 P a g e | 33

Unit denseignement: UEF 1.2.1

Matire 1: Physique des composants semiconducteurs 2
VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30)
Crdits: 6
Coefficient: 3

Objectifs de lenseignement:
Connatre les phnomnes physiques se manifestant dans les matriaux
semiconducteurs qui sont utiliss pour raliser les composants de la
microlectronique. Comprendre le principe de fonctionnement des composants
lectroniques de base : transisistors bipolaire, structure MIS, transsistor MESFET,
MOSFET et les composants optolectroniques.

Connaissances pralables recommandes:

Physique des composants semiconducteurs 1

Contenu de la matire:

1. Chapitre 1. Transistors bipolaires

(3 Semaines)
1.1. Effet transistor
1.2. Equations d'Ebers-Moll
1.2.1. Courants de porteurs minoritaires dans l'metteur et le collecteur
1.2.2. Courant de porteurs minoritaires dans la base
1.2.3. Courants d'metteur et de collecteur
1.3. Diffrents types de profil de dopage
1.3.1. Transistor dopages homognes
1.3.2. Transistor drift
1.4. Effet Early
1.5. Modle dynamique et tages transistor
1.5.1. Modle dynamique
1.5.2. Montage base commune
1.5.3. Montage metteur commun
1.5.4. Montage collecteur commun
1.6. Sources de bruit dans un transistor
1.6.1. Bruit de grenaille dune diode
1.6.2. Bruit de grenaille du bipolaire

Chapitre 2. Structure Metal-Isolant Semiconducteur (MIS)

(3 Semaines)
2.1. Diagramme nergtique
2.1.1. Structure mtal-vide-semiconducteur
2.1.2. Structure Mtal-Isolant-Semiconducteur MIS
2.2. Potentiels de contact
2.3. Le modle lectrique de base
2.3.1. Description phnomnologique
2.3.2. Modle lectrique
2.4. Le rgime de forte inversion
2.5. Le rgime de faible inversion

Chapitre 3. Htrojonctions et transistor htrojonction

(2 Semaines)
3.1. Diagramme de bandes d'nergie
3.1.1. Diagramme nergtique loin de la jonction
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3.1.2. Etats d'interface

3.1.3. Diagramme nergtique au voisinage de la jonction
3.2. Htrojonction l'quilibre thermodynamique
3.3. Htrojonction polarise
3.3.1. Modle d'mission thermolectronique
3.3.2. Modle de diffusion
3.3.3. Courant tunnel -courant de recombinaison
3.4. Transistor htrojonction HBT
3.4.1. Principe de fonctionnement
3.4.2. Courants d'metteur et de collecteur

Chapitre 4. Transistor MESFET

(2 Semaines)
4.1. Transistor effet de champ barrire de Schottky MESFET
4.1.1. Structure et spcificit
4.1.2. Courant de drain
4.1.3. Tension de saturation - Courant de saturation
4.1.4. Transconductance
4.1.5. Frquence de coupure du transistor
4.2. Transistor MESFET-GaAs
4.2.1. Rgime linaire
4.2.2. Rgime sous-linaire
4.2.3. Rgime de saturation

Chapitre 5. Transisitor MOSFET

(3 Semaines)
5.1. Principe de base et historique
5.2. Modification de la structure MOS
5.3. Le modle canal long
5.3.1. Le rgime de forte inversion
5.3.2. Le rgime de faible inversion
5.3.3. La mobilit effective et ses effets
5.3.4. Le MOS canal p
5.4. Le modle canal court
5.4.1. Effet de diminution de la longueur de canal
5.4.2. Effet de saturation de la vitesse
5.4.3. Effet de diminution du seuil effectif
5.4.4. Traitement analytique du canal court
5.5. Le fonctionnement dynamique du MOS
5.5.1. Rgime quasi-statique
5.5.2. Rgime dynamique
5.6. Les modles du transistor MOSFET
5.6.1. Rappels du modle statique
5.6.2. Modles petits signaux : gnralits
5.6.3. Le MOS interne en basse frquence
5.6.4. Le MOS interne frquence moyenne
5.6.5. Le modle du MOS complet aux frquences moyennes
5.6.6. Un rsum du modle du MOS
5.7. Le bruit du transistor MOS
5.7.1. Le bruit thermique du canal en forte inversion
5.7.2. Le bruit thermique du canal en faible inversion
5.7.3. Les autres sources de bruit
5.8. Applications du MOSFET
5.8.1. Amplification
5.8.2. Porte logique : cas de linverseur
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Chapitre 6. Composants optolctroniques (2

Semaines)
6.1. Interaction rayonnement semiconducteur
6.2. Photodtecteurs
6.3. Emetteurs de rayonnement semiconducteur
6.4. Applications des composants optroniques
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:
13.J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Universit, 1998
14.H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6 e
dition, Cours et exercices corrigs, Dunod 2009
15.P. Leturcq, Physique des composants actifs semiconducteurs, Dunod 1978
16.H. Ng, Introduction la physique des semiconducteurs. Cours et exercices
corrigs, Dunod
17.S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
18.A. Vapaille, Physique des dispositifs semiconducteurs, Masson 1970
19.B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
20.J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
21.D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill,
2003
22.A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
23.M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
24.C. Ng et H. Ng, Physique des semi-conducteurs, 4 e dition, Dunod.
 P a g e | 36

Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.1
Matire 2: Outils de simulation
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:

Connaissances pralables recommandes:

Notions de programmation

Contenu de la matire:

1. Description dun circuit analogique : topologie, spcification de sources

indpendantes, spcification de composants passifs linaires, analyses,
dclaration de bibliothques
2. Spcification de formes dondes
3. Spcification de sources lies
4. Spcification dlments passifs non-linaires
5. Spcification dlments passifs variables
6. Spcification dune diode
7. Spcification de transistor : bipolaire et MOS
8. Instruction .model : Prsentation des paramtres entrants dans le modle dune
diode, dun transistor bipolaire et dun transistor MOS
9. Dfinition dun sous-circuit
10.Spcification dun AOP
11. Simulation dun oscillateur (commande .IC)
12.Spcification de tempratures de simulation
13.Variables de sorties
14.Rponse frquentielle et tude du bruit
15.Analyse transitoire et analyse de Fourier
16. Spcification doptions

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:
1.
 P a g e | 37

Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.2
Matire 3 : Techniques de caractrisation des dispositifs
semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:
Un aspect important dans lvaluation de la qualit du matriau et de la fiabilit dun
composant lectronique est le dveloppement et lutilisation de techniques de
caractrisation rapides, non-destructives et prcises afin de dterminer les paramtres
essentiels. Pour ce faire, amener ltudiant comprendre le principe des techniques
de caractrisation et leur intrt dans le domaine des dispositifs semiconducteurs.
Dterminer la (ou les) mthode(s) de caractrisation appliquer sur un chantillon
semiconducteur afin den extraire les proprits fondamentales souhaites.

Connaissances pralables recommandes:

Les proprits fondamentales des semiconducteurs et les phnomnes de transport ;
couches minces, procds technologiques de fabrication des dispositifs
semiconduteurs.

Contenu de la matire:

Chapitre 1: Introduction
Intrt de ltude des techniques de caractrisation, diffrents types de
techniques et leur classification, leur rle dans ltude des dispositifs
microlectroniques semiconducteurs.

Chapitre 2 : Rappels sur les proprits des semiconducteurs

La conductivit, la rsistivit, la densit de porteurs, la mobilit des porteurs ;
volution de la mobilit avec la temprature du cristal.

Chapitre 3 : Contact Mtal/Semiconducteur

Le contact ohmique et le contact Schottky. Lutilisation de ces deux types de
contacts dans les dispositifs microlectroniques. Caractristiques Courant-
tension dun contact ohmique et dun contact Schottky.

Chapitre 4 : Techniques de mesure de la rsistivit par la mthode des

quatre pointes Pointes alignes et quidistantes : cas dun chantillon semi-
infini (pais) et cas dune couche trs mince. Cas des pointes en carr.

Chapitre 5 : Techniques de mesure de la concentration des porteurs

libres et de leur mobilit dans un semiconducteur par la mesure de
leffet Hall
Rappels sur la thorie de leffet Hall, Les chantillons pour mesures deffet Hall.
Mthode de Van der Pauw : thorie de la mthode et mise en uvre de cette
mthode. Mesures sans champ magntique et avec champ magntique, mesure
de la tension de Hall, moyens dlimination des sources derreurs.

Chapitre 6 : Caractrisations C(V)

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1. But de la caractrisation : dtermination de la tension de bandes plates,

estimation de la quantit de charges dans lisolant et linterface Mtal /SC,
mesure de lpaisseur de lisolant.

2. Caractrisation par C-V mtrie dune structure MIS : Etude thorique de la

structure MIS idale, notion de tension de bandes plates, diffrence des travaux
de sortie Mtal/SC ; Structure MOS relle, prsence de charges dans loxyde et
influence sur la tension de bandes plates. Notions de base sur ltude dune
structure capacitive, influence de la polarisation de grille sur linterface
Oxyde/SC : rgimes daccumulation, de dpltion et dinversion.

3. Etude de la rponse C(V) en statique, puis en dynamique (BF et HF) :

extraction des paramtres fondamentaux lissue de la caractrisation.

Chapitre 7 : Techniques de mesures optiques

Photoconductivit, Photoluminescence.

Chapitre 8 : Techniques danalyses surfaciques et spectroscopiques

Techniques structurales et surfaciques, Techniques spectroscopiques.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:

1. A. Vapaille, R. Castagn, Dispositifs et circuits intgrs semi-conducteurs, Dunod,

1987.
2. A. Vapaille, Mthodes de caractrisation
3. C. et H. Ng, Introduction la physique des semi-conducteurs, Dunod, 1998.
4. Dieter K. Schroder, Semiconductor material and device characterization, 2 nd
edition, 1998.
5. R.A. Stradling and P.C. Klipstein, Growth and characterization of semiconductors,
Adam Hilger, Bristol, 1991.
6. S. Kasap et P. Capper (Eds.), Handbook of Electronic and Photonic Materials,
Springer, 2006.
P a g e | 39
 P a g e | 40

Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.2
Matire 4: Dispositifs Photovoltaques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:
Cette matire prsente un cours qui explique les cellules solaires depuis la physique
des semiconducteurs jusquau fonctionnement des modules photovoltaques. Les
diffrentes filires base des semiconducteurs ordonns et dsordonns utiliss dans
les cellules solaires sont galement traites. Les aspects socio-conomiques et
environnementaux du photovoltaque sont abords.

Connaissances pralables recommandes:

Physique des semiconducteurs, interaction lumire-matire.

Contenu de la matire:

Chapitre 1. Energies renouvelables (1

semaine)
Les diffrentes manifestations de lnergie, Cest quoi une nergie renouvelable,
Principales nergies renouvelables, la scurit nergtique, La situation nergtique
mondiale
Lnergie solaire (thermique, photovoltaque, thermodynamique).

Chapitre 2. Notions de rayonnement solaire (1

semaine)
Elments de la photomtrie, le soleil comme un corps noir, Grandeurs lies
lclairement solaire, dure dinsolation irradiation, rayonnement diffus, absorption par
l'atmosphre, paisseur datmosphre albdo, rayonnement global, constante solaire
et rpartition spectrale.

Chapitre 3. Physique de la cellule solaire photovoltaque (2

semaines)
Matriaux semiconducteurs lquilibre thermodynamique, Semiconducteurs hors
quilibre, Jonction pn lquilibre, polarise et sous clairement, Caractristiques I (V)
des photodiodes semiconducteurs, Rponses spectrales.

Chapitre 4. Paramtres lectriques d'un dispositif photovoltaque (1

semaine)
Courant de court-circuit, Tension de circuit ouvert, Facteur de forme, Point de
puissance max, Rsistances srie et parallle, Rendement.

Chapitre 5. Matriaux, Filires et Procds (5

semaines)
Caractristiques physiques et lectriques des diffrentes filires (absorption optique,
courant de court circuit, barrire de potentiel et tension de circuit ouvert, rsistance
srie,)
Cellules solaires au silicium cristallin (matriau de base, croissance du lingot, sciage
des plaquettes, tirage des rubans, technologie des cellules, modules, cellules haut
rendement)
Cellules solaires au silicium amorphe (Introduction et historique, proprits du silicium
amorphe, mthodes de dpt du a-Si:H, jonction PIN, module, applications)
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Cellules solaires en couches minces polycristallines (techniques de dpt, filire CdTe,

filire CIS)
Cellules solaires haut rendement base matriaux III-V
Cellules solaires organiques, Cellules solaires tandem et triple ou multispectrale

Chapitre 6. Convertisseurs photovoltaques (2

semaines)
Conversion photon-lectron, La cellule solaire idale, Photodiode semiconducteur,
Module photovoltaque, Champs de modules photovoltaques, Systmes
photovoltaques

Chapitre 7 Appareils de mesure (1

semaine)
L'hliographe, Mesure des dures d'ensoleillement, Le spectro-radiomtre, Le
pyranomtre, Le pyrhliomtre, Les photopiles de rfrence

Chapitre 8. Aspects socioconomiques et environnementaux (2

semaines)
Les applications de lnergie photovoltaque (pompage, connexion au rseau),
Caractristiques techniques dune installation au sol, Protections des modules
photovoltaques, Impacts des systmes photovoltaques sur lenvironnement.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.

Rfrences bibliographiques:

1. H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6 e

dition, Cours et exercices corrigs, Dunod 2009.
2. A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
3. M. Orgeret, les piles solaires, Masson, 1985.
4. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley.
5. A. Ricaud, Photopiles solaires, Presses polytechniques et universitaires
romandes, 1997.
6. E. Lorenzo, G. Araflio, Solar Electricity - Engineering of Photovoltaic Systems.
7. Minano, R. Zilles, Stand alone photovoltaic Applications, JAMES & JAMES 1994.
8. J . Manwell, J. Mc Gowan, A. Rogers, Wind Energy Explained, Wiley 2001.
9. B. Multon, Production dnergie lectrique par sources renouvelables,
Techniques de l'Ingnieur, Traits de Gnie Electrique, D4005/6, mai 2003.
10.J. Nelson, The physics of solar cells, Imperial College Press.
11.A. Labouret, P. Cumune, Cellules solaires, 5e dition - Les bases de l'nergie
photovoltaque, Dunod, 2010
12.A. Labouret , Energie solaire photovoltaque, 3me dition, Dunod, 2006.
13.Deambi, Suneel, Photovoltaic System Design: Procedures, Tools and
Applications, CRC Press, 2016.
14.O. Isabella, K. Jger, A. Smets, R. Van Swaaij, MiroZeman, Solar Energy: The
Physics and Engineering of Photovoltaic Conversion, Technologies and Systems,
UIT Cambridge Ltd, 2016.
15.Gottfried H. Bauer, Lecture Notes in Physics 901, Photovoltaic Solar Energy
Conversion, Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 2015.
16.www.pveducation.org
17.http://www.cythelia.fr/nos-documents/
18.http://www.solems.com/depots-de-couches-minces
P a g e | 42
 P a g e | 43

Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 1: TP Physique des composants semiconducteurs 2
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:

Connaissances pralables recommandes:

Contenu de la matire:

En fonction de la disponibilit des logiciels de simulation (ddis la microlectronique), les

quipes de formation sont autorises arrter pour leur propre compte un certain nombre de sances
de Travaux Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives cette matire.
Toutefois, il est fortement demand ces quipes denvoyer au CPND-ST la liste des TP raliser
pour validation.

Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%

Rfrences bibliographiques
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Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 2: TP Outils de simulation
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:
Consolider par la pratique les concepts thoriques appris en cours.

Connaissances pralables recommandes:

Notions de programmation.

Contenu de la matire:

Est expose ci-dessous une liste de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les
quipes de formation sont pries de raliser au moins 4 TPs (voire plus, si cela est
possible) en fonction de la disponibilit des logiciels. Par ailleurs, il est permis de
rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec
la matire. Prcision : Tout changement apport cette liste doit tre signal au
CPND de manire en faire profiter les autres tablissements.

TP1 : Simulation de circuits fondamentaux : tage suiveur paire Darlington

source de courant miroir de courant
TP2 : Simulation dun amplificateur classe A
TP3 : Simulation dun amplificateur classe B
TP4 : Simulation dun amplificateur entres diffrentielles
TP5 : Simulation dun amplificateur de puissance
TP6 : Simulation dune porte NAND en technologie ECL

Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%

Rfrences bibliographiques :
 P a g e | 45

Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 3: TP Caractrisation des dispositifs SC / TP Dispositifs
Photovoltaques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de lenseignement:
Acqurir des notions fondamentales et thoriques sur les diffrentes techniques de
caractrisation lectrique des matriaux semiconducteurs.
Au moyen de Travaux Pratiques mis en uvre sous environnement technologique et
lectrique utilisant le TCAD (Technology Computer Aided Design)- Silvaco (ATHENA-
ATLAS), ltudiant simule et dtermine les caractristiques et les paramtres
lectriques des structures tudies.

Connaissances pralables recommandes:

Proprits lectriques et physiques des composants semiconducteurs. Notions du
contact mtal /SC.

Contenu de la matire:

Sont exposes ci-dessous deux listes de TPs rpondant aux objectifs de la matire.
Les quipes de formation sont pries de choisir entre 2 et 4 TPs (voire plus, si cela est
possible) de chaque liste en fonction de la disponibilit des quipements tant
matriels que logiciels. Par ailleurs, il est permis de rajouter ou remplacer quelques
TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec la matire. Prcision : Tout
changement apport ces listes doit tre signal au CPND de manire en faire
profiter les autres tablissements.

TP Caractrisation des dispositifs SC

TP1 : Caractrisation lectrique I(V) du contact ohmique dune structure SC sous
environnement TCAD ATLAS.
TP2 : Caractrisation lectrique de la mthode des quatre pointes dune structure
SC sous environnement TCAD-ATLAS.
TP3 : Caractrisation lectrique I(V) du contact Schottky dune structure SC sous
environnement TCAD ATLAS.
TP4 : Conception technologique de la capacit MIS au moyen du TCAD-ATHENA.
TP5: Caractrisation C(V) de la structure MIS sous environnement TCAD-ATLAS (sous
polarisation continue et alternative BF et HF).
TP6 : Conception technologique et caractrisation lectrique du transistor MESFET par
TCAD-(ATHENA-ATLAS) : Exemple dapplication des contacts ohmique et Schottky.

TP Dispositifs Photovoltaques
TP 0 : Simulation analytique avec PSPICE (diodes, BJT, MOS,)
TP 1 : Simulation numrique avec PC-1D de cellules photovoltaques, photodiode,
phototransistor)
TP 2: Simulation numrique avec AFORS-HET des htrojonctions,
surfacephotovoltage (ID-SPV, VD-SPV, WD-SPV), quasisteady-state photoconductance
(QSSPC), impedance (IMP, ADM, C-V, C-T, C-f) et photo-electro-luminescence (PEL)
TP 3 : Caractrisation cellule solaire
TP 4 : Optimisation des paramtres de sortie d'une cellule solaire base de silicium
monocristallin avec PC1D
TP 5 : Caractrisation d'un module photovoltaque.
 P a g e | 46

Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%

Rfrences bibliographiques :

5. P.N. Favennec, Technologies pour les composants semiconducteurs, Masson,

Paris, 1996.
6. D. K. Schroder, Semiconductor Material Device Characterization, 2 nd Edition, a
Wiley-Interscience Publication, John Wiley & Sons, INC.
7. S. Dusausay, Comprendre lElectronique par la Simulation, 43 circuits simuls &
rappels de cours. Vuibert.
8. Atlas users Manual: Device Simulation Software. Santa Clara, 2013.
9. Athena users Manual: Device Simulation Software. Santa Clara, 2013.
10. Site :http://www.silvaco.com
 P a g e | 47

Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 4: Conception des circuits intgrs analogiques MOS
VHS: 37h30 (Cours: 1h30, TP: 1h00)
Crdits: 3
Coefficient: 2

Objectifs de lenseignement:
Matriser le Design Flow de la conception des circuits intgrs analogiques.

Connaissances pralables recommandes:

Electronique fondamentale, Technologie des composants lectroniques.

Contenu de la matire:

Chapitre 1. Le transistor MOS

1.1 Le transistor NMOS et PMOS enrichissement : structure et fonctionnement.
1.2 Le transistor NMOS et PMOS dpltion : structure et fonctionnement.
1.3 Modle du transistor MOS : modle linaire, modle quadratique.
1.4 Rgimes de fonctionnement.
1.5 Effet de substrat, effet de champ lectrique, effet de la modulation du canal.
1.6 Modle Pspice du transistor MOS.
1.7 Mthode de simulation des caractristiques dun transistor MOS sous Pspice.

Chapitre 2. Les circuits analogiques de base technologie MOS

2.1 Miroirs de courant : analyse des diffrents types de miroirs de courant.
2.2 Circuit de dcalage.
2.3 Amplificateur source commune.
2.4 Amplificateur diffrentiel.
2.5 Amplificateur oprationnel

Chapitre 3. Technologie et dessin de masque

3.1 Procd de fabrication en technologie MOS.
3.2 Rgles de dessin.
3.3 Dessin symbolique.
3.4 Dessin de masque dune rsistance et dun transistor MOS.
3.5 Dessin de masque dun circuit analogique.

TP Conception des circuits intgrs analogiques MOS

Est expose ci-dessous une liste de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les
quipes de formation sont pries de raliser au moins 4 TPs (voire plus, si cela est
possible) en fonction de la disponibilit des logiciels. Par ailleurs, il est permis de
rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec
la matire. Prcision : Tout changement apport cette liste doit tre signal au
CPND de manire en faire profiter les autres tablissements.

TP1 : Initiation au logiciel Pspice : Simulation et analyse des caractristiques dun

transistor MOS.
TP2 : Simulation et analyse dun amplificateur source commune.
TP3 : Simulation et analyse dune source de courant.
TP4 : Simulation et analyse dun amplificateur diffrentiel.
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TP5 : Initiation au logiciel Microwind : Dessin de masques : (rsistance, transistor

MOS, amplificateur
diffrentiel).

Mode dvaluation:
Contrle continu: 40 % ; Examen: 60 %.

Rfrences bibliographiques:
1. R. Jacob Baker, CMOS Circuit Design, Layout and Simulation, Wiley, 3 rd
ed., 2010
2. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
3. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Desig
4. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
5. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
 P a g e | 49

Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Matire 3 au choix
VHS : 22h30 (cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1

Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Matire 4 au choix
VHS : 22h30 (cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
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Semestre : 2
Unit denseignement : UET 1.2
Matire : thique, dontologie et proprit intellectuelle
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:

Dvelopper la sensibilisation des tudiants aux principes thiques. Les initier aux
rgles qui rgissent la vie luniversit (leurs droits et obligations vis--vis de la
communaut universitaire) et dans le monde du travail. Les sensibiliser au respect et
la valorisation de la proprit intellectuelle. Leur expliquer les risques des maux
moraux telle que la corruption et la manire de les combattre.

Connaissances pralables recommandes :

Aucune

Contenu de la matire :

A- Ethique et dontologie

I Notions dEthique et de Dontologie (3

semaines)

1 Introduction
1. Dfinitions : Morale, thique, dontologie
2. Distinction entre thique et dontologie
2 Charte de lthique et de la dontologie du MESRS : Intgrit et honntet.
Libert acadmique. Respect mutuel. Exigence de vrit scientifique,
Objectivit et esprit critique. Equit. Droits et obligations de ltudiant, de
lenseignant, du personnel administratif et technique.
3 Ethique et dontologie dans le monde du travail
Confidentialit juridique en entreprise. Fidlit lentreprise. Responsabilit
au sein de lentreprise, Conflits d'intrt. Intgrit (corruption dans le travail,
ses formes, ses consquences, modes de lutte et sanctions contre la
corruption)

II Recherche intgre et responsable (3 semaines)

1 Respect des principes de lthique dans lenseignement et la recherche

2 Responsabilits dans le travail dquipe : Egalit professionnelle de
traitement. Conduite contre les discriminations. La recherche de l'intrt
gnral. Conduites inappropries dans le cadre du travail collectif
3 Adopter une conduite responsable et combattre les drives : Adopter une
conduite responsable dans la recherche. Fraude scientifique. Conduite contre
la fraude. Le plagiat (dfinition du plagiat, diffrentes formes de plagiat,
procdures pour viter le plagiat involontaire, dtection du plagiat, sanctions
contre les plagiaires, ). Falsification et fabrication de donnes.
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B- Proprit intellectuelle

I- Fondamentaux de la proprit intellectuelle (1

semaines)

1 Proprit industrielle. Proprit littraire et artistique.

2 Rgles de citation des rfrences (ouvrages, articles
scientifiques, communications
dans un congrs, thses, mmoires, )

II- Droit d'auteur (5 semaines)

1. Droit dauteur dans lenvironnement numrique

Introduction. Droit dauteur des bases de donnes, droit dauteur des logiciels.
Cas spcifique des logiciels libres.

2. Droit dauteur dans linternet et le commerce lectronique

Droit des noms de domaine. Proprit intellectuelle sur internet. Droit du site de
commerce lectronique. Proprit intellectuelle et rseaux sociaux.

3. Brevet
Dfinition. Droits dans un brevet. Utilit dun brevet. La brevetabilit. Demande
de brevet en Algrie et dans le monde.

4. Marques, dessins et modles

Dfinition. Droit des Marques. Droit des dessins et modles. Appellation
dorigine. Le secret. La contrefaon.

5. Droit des Indications gographiques

Dfinitions. Protection des Indications Gographique en Algrie. Traits
internationaux sur les indications gographiques.

III- Protection et valorisation de la proprit intellectuelle (3

semaines)

Comment protger la proprit intellectuelle. Violation des droits et outil

juridique. Valorisation de la proprit intellectuelle. Protection de la proprit
intellectuelle en Algrie.

Mode dvaluation :
Examen : 100 %

Rfrences bibliographiques:

1 Charte dthique et de dontologie universitaires,

https://www.mesrs.dz/documents/12221/26200/Charte+fran__ais+d__f.pdf/50d6
de61-aabd-4829-84b3-8302b790bdce
2 Arrts N933 du 28 Juillet 2016 fixant les rgles relatives la prvention et la
lutte contre le plagiat
3 L'abc du droit d'auteur, organisation des nations unies pour lducation, la
science et la culture (UNESCO)
4 E. Prairat, De la dontologie enseignante. Paris, PUF, 2009.
 P a g e | 52

5 Racine L., Legault G. A., Bgin, L., thique et ingnierie, Montral, McGraw Hill,
1991.
6 Siroux, D., Dontologie : Dictionnaire dthique et de philosophie morale, Paris,
Quadrige, 2004, p. 474-477.
7 Medina Y., La dontologie, ce qui va changer dans l'entreprise, ditions
d'Organisation, 2003.
8 Didier Ch., Penser l'thique des ingnieurs, Presses Universitaires de France,
2008.
9 Gavarini L. et Ottavi D., ditorial. de lthique professionnelle en formation et en
recherche, Recherche et formation, 52 | 2006, 5-11.
10 Car C., Morale, thique, dontologie. Administration et ducation, 2e trimestre
2002, n94.
11 Jacquet-Francillon, Franois. Notion : dontologie professionnelle. Le tlmaque,
mai 2000, n 17
12 Carr, D. Professionalism and Ethics in Teaching. New York, NY Routledge. 2000.
13 Galloux, J.C., Droit de la proprit industrielle. Dalloz 2003.
14 Wagret F. et J-M., Brevet d'invention, marques et proprit industrielle. PUF 2001
15 Dekermadec, Y., Innover grce au brevet: une rvolution avec internet. Insep
1999
16 AEUTBM. L'ingnieur au cur de l'innovation. Universit de technologie Belfort-
Montbliard
17 Fanny Rinck et lda Mansour, littratie lre du numrique : le copier-coller
chez les tudiants, Universit grenoble 3 et Universit paris-Ouest Nanterre la
dfense Nanterre, France
18 Didier DUGUEST IEMN, Citer ses sources, IAE Nantes 2008
19 Les logiciels de dtection de similitudes : une solution au plagiat lectronique?
Rapport du Groupe de travail sur le plagiat lectronique prsent au Sous-
comit sur la pdagogie et les TIC de la CREPUQ
20 Emanuela Chiriac, Monique Filiatrault et Andr Rgimbald, Guide de ltudiant:
lintgrit intellectuelle plagiat, tricherie et fraude les viter et, surtout,
comment bien citer ses sources, 2014.
21 Publication de l'universit de Montral, Stratgies de prvention du plagiat,
Intgrit, fraude et plagiat, 2010.
22 Pierrick Malissard, La proprit intellectuelle : origine et volution, 2010.
23 Le site de lOrganisation Mondiale de la Proprit Intellectuelle
www.wipo.int
24 http://www.app.asso.fr/
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Proposition de quelques matires de

dcouverte
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Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire 3: Gestion des dchets lectriques et lectroniques
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:
Connaitre les grands principes relatifs llimination des dchets et la rcupration
des matriaux. Prvenir (ou rduire) la production et la nocivit des dchets,
notamment en agissant sur la fabrication et sur la distribution des produits. Savoir
comment organiser le transport des dchets et le limiter. Savoir valoriser les dchets
par remploi, recyclage ou toute autre action visant obtenir partir des dchets des
matriaux rutilisables et connaitre les effets sur l'environnement et la sant publique
des oprations de production et d'limination des dchets.

Connaissances pralables recommandes :

Produits nocifs qui entrent dans la fabrication des circuits lectroniques et lectriques,
les matriaux utiliss dans les circuits (Al, Cu, Si, Ge, ).

Contenu de la matire :

Introduction
1. Dfinitions
2. Quelques chiffres
3. La rglementation mondiale sur la gestion des dchets lectriques et lectroniques
DEEE .
4. Organisation de la filire DEEE
La collecte des DEEE
Le tri des DEEE
La vente des DEEE
Liste des quipements concerns par le recyclage des DEEE
5. Enjeux conomiques
6. Impact environnemental
7. Entreprises de Collecte et de recyclage des dchets lectriques et lectroniques
(DEEE, D3E) en Algrie.

Mode dvaluation :
Examen : 100 %

Rfrences bibliographiques:

1. Dchets lectroniques (WEEE), Division de lenvironnement, de lnergie et de

la recherche, STOA Parlement europen L-2929 Luxembourg
2. https://fr.wikipedia.org/wiki/D%C3%A9chets_d%27%C3%A9quipements_
%C3%A9lectriques_et_%C3%A9lectroniques (voir nombreuses rfrences
incluses dans cet article).
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 P a g e | 56

Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire 4: Introduction aux Nanotechnologies
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:
Au terme de lenseignement de cette matire, ltudiant est cens avoir des notions
sur les sciences des nanotechnologies et des nanostructures.

Connaissances pralables recommandes :

Electronique et Semi-conducteurs.

Contenu de la matire :

- Introduction la nanotechnologie
- Phnomnes dans les nanostructures et tude lchelle nanomtrique
- Notions sur la croissance et la nanofabrication des nano matriaux
- Notions sur les nanotubes et transistors molculaires
- Techniques danalyse des nano matriaux (Photomission des RX, MEB, )
- Notions sur les techniques de caractrisations des nano objets
- Nanolectronique et les capacits de stockage de donnes
- Impact sur lindustrie future.

Mode dvaluation :
Examen : 100 %

Rfrences bibliographiques:

1. M. Lahmani, C. Dupas, P. Houdy, Les nanosciences, nanotechnologies et

nanophysiques, edition Belin.
2. D. Feigenbaum, A. Nsamirizi, B. Sinclaire-Descagn, Les nanotechnologies :
leurs bnfices et leur risques, Srie Scientifique-Montral 2004-CIRAND.
3. A. Korkin, Nanotechnology for Electronic Materials and Devices, Springer, 2007.
4. H. Fanet, Micro et nano-lectronique Bases - Composants - Circuits, Dunod,
Paris, 2006.
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Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Les matriaux intelligents
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:
Introduire le concept dadaptabilit des matriaux. Dcouvrir les diffrents types des
matriaux intelligents. Dfinir les caractristiques et les applications de chaque type
de matriau.

Connaissances pralables recommandes :

Notions gnrales de Physique.

Contenu de la matire :

Chapitre 1 : Dfinition des matriaux intelligents

1. Les proprits des matriaux intelligents
2. Pourquoi les matriaux intelligents ?

Chapitre 2 : Pizolectricit
1. La pizolectricit
2. Proprits mcaniques dun matriau pizolectrique
3. Matriaux pizolectriques
4. Applications des matriaux pizolectriques

Chapitre 3 : Pyrolectricit
1. La pyrolectricit
2. Applications des matriaux pyrolectriques
3. Matriaux pyrolectriques

Chapitre 4 : Ferrolectricit
1. Ferrolectricit et applications lectroniques
2. Ferrolectricit et applications optiques
3. Progrs sur les matriaux ferrolectriques en couches minces

Chapitre 5 : Magntolectricit
1. Gnralits sur leffet magntostrictif
2. Magntolectricit
3. Applications

Chapitre 6 : Alliages mmoire de forme (AMF)

1. Familles dalliages
2. Proprits : effet mmoire, superlasticit
3. Applications pratiques : arospatial, industrie, biomcanique.

Mode dvaluation :
Examen : 100 %

Rfrences bibliographiques:
 P a g e | 58

1. J. C. Anderson, Dielectrics, Modern electrical studies.

2. K. Uchind, Ferroelectric Devices, Mercel Dekker inc.
3. C. Kittel, Physique de ltat solide, Dunod.
4. Hungt Diep, Physique de la matire condense, cours, exercices et problmes
corrigs, Dunod.
5. M. F. Ashby, David R. H. Jones, Matriaux. T1 Proprits, applications et
conception.
6. M. Brissaud, Matriaux pizolectriques - Caractrisation, modlisation et
vibration, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.
 P a g e | 59

Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Les matriaux
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:
Sont prsentes dans ce cours les grand es classes de matriaux, mtaux, alliages,
cramiques, verres, polymres avec leurs principales caractristiques et mthodes
dlaboration les plus courantes, ceci afin dinitier ltudiant dvelopper une
mthodologie de choix des matriaux pour une application donne faisant intervenir
plusieurs proprits simultanment. Les matriaux mergents sont aussi introduits
dans ce cours.

Connaissances pralables recommandes :

Notions gnrales de Physique.

Contenu de la matire :

Chapitre 1 : Introduction et rappels

Chapitre 2 : Physico-chimie du solide

1- Classification des matriaux de lamorphe au cristallis
2- Solide rel. Dfauts cristallins
3- Thermodynamique du solide
4- Non-stchiomtrie. Solutions solides

Chapitre 3 : Classification des Matriaux

1- Mtaux et alliages : structures, alliages ordonns et dsordonns, solutions
solides, cristaux liquides, proprits lectriques, mcaniques, thermiques,
applications : superalliages.
2- Polymres : structure et microstructure, transitions thermiques, proprits
mcaniques, thermiques, lectriques
3- Cramiques : structures, proprits et applications particulires
4- Semiconducteurs : tats dnergie, absorption et mission de lumire,
transport, jonction PN et structure MIS, Capteurs jonction P N.
5- Matriaux particuliers : cristaux liquides, supraconducteurs
6- Matriaux mergents : Quasi-cristaux, nanotubes, matriaux gradient,
matriaux cellu-laires, adaptatifs Supra haute temprature, matriaux
mmoire de forme, Matriaux pour le stockage et la conversion de lnergie,
biomimtique,

Mode dvaluation :
Examen : 100 %

Rfrences bibliographiques:

1. C. Kittel, Physique de l'tat solide, Dunod, 1981.

2. W. Kurz, J.P. Mercier, G Zambelli, Trait des Matriaux : 1-Introduction la
science des matriaux
3. Ashby & Jones, Matriaux : 1- Proprits et applications, Dunod, 1998.
 P a g e | 60

4. Ashby & Jones, Matriaux : 1- Microstructure et mise en uvre, Dunod, 1991.

5. P. Jacquinet, Utilisation des matriaux composites, Hermes, 1991.
6. M. Dupeux, Aide Mmoire - Science des Matriaux, Dunod.
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Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Appareillages et Techniques de caractrisation
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1

Objectifs de lenseignement:
Faire acqurir aux tudiants la matrise des appareils de caractrisation que lon
trouve dans les laboratoires de microlectronique, des mthodes et des protocoles de
mesure.

Connaissances pralables recommandes :

Notions sur les matriaux et de Physique des semiconducteurs.

Contenu de la matire :

Chapitre 1 : Caractrisation morphologique

Microscopie optique classique
Microscopie lectronique balayage (SEM)
Microscopie lectronique transmission (TEM)
Microscopie effet tunnel (STM)
Microscopie force atomique (AFM)
Profilomtre

Chapitre 2 : Caractrisation physico-chimique

Spectromtrie des rayons X (XES, EMP)
Spectroscopie dlectrons Auger (AES)
Fluorescence X (XRF)
Spectromtrie des photolectrons (ESCA, XPS)
Spectromtrie de masse des ions secondaires (SIMS)
Rtrodiffusion Rutherford (RBS)

Chapitre 3 : Caractrisation structurelle

Diffraction par des lectrons de basse nergie (LEED)
Diffraction des rayons X (XRD)
Spectroscopie de Rtrodiffusion Rutherford en condition de canalisation RBS

Chapitre 4 : Caractrisation optique

Ellipsomtrie
Spectroscopie infrarouge

Mode dvaluation :
Examen : 100 %

Rfrences bibliographiques:

1. C. Kittel, Physique de l'tat solide, Dunod, 1981.

2. D. K. Schroder, Semiconductor Material Device Characterization, 2 nd Edition, a
Wiley-Interscience Publication, John Wiley & Sons, INC
3. A. Vapaille, Mthodes de caractrisation
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4. R.A. Stradling and P.C. Klipstein, Growth and characterization of

semiconductors, Adam Hilger, Bristol, 1991.