Efecto termoelctrico y motor DC sin escobillas

para enfriamiento de bebidas

Israel Patricio Valle Arrobo
ivalle.mec@uisek.edu.ec
consiguiente, la corriente se ve inducida
termalmente.
Resumen - El presente trabajo presenta una Este efecto es utilizado ampliamente en la
descripcin del efecto termoelctrico, su beneficio de
este proceso es una fuente alternativa de energa
industria para la generacin de electricidad,
econmica y tiene un bajo mantenimiento como medicin de temperatura, el enfriamiento o
posible intercambio de calor controlable, en cambio el calentamiento de objetos a travs de
motor DC sin escobillas su descripcin y donde se controladores especficos.
utiliza.

Palabras clave Efecto Peltier, Efecto

Seebeck, Efecto Thompson, Temperatura,
Semiconductores, Celda Peltier, Brushlees DC

I. INTRODUCCIN

El descubrimiento de los fenmenos

termoelctricos y la bsqueda de nuevas
alternativas de generacin de energa, ha
permitido un avance continuo en la tecnologa
termoelctrica en los ltimos aos. El efecto
termoelctrico dependiendo de la forma en
que se analice tiene distintas aceptaciones.
El uso de estos efectos permite aumentar la
eficiencia en sistemas que desperdician calor
y el aprovechamiento del uso de
semiconductores para el desarrollo de
intercambiadores de calor econmicos y de
bajo mantenimiento.

Efecto termoelctrico

El efecto termoelctrico es la conversin

directa de la diferencia de temperatura a
voltaje elctrico y viceversa. Un dispositivo
termoelctrico crea un voltaje cuando hay
una diferencia de temperatura a cada lado.
Por el contrario, cuando se le aplica un
voltaje, crea una diferencia de temperatura
(conocido como efecto Peltier). Los
portadores de carga aplica en la temperatura
provocando que el material, si hay electrones
o huecos, para difundir desde el lado caliente
al lado fro, similar a un gas clsico que se
expande cuando se calienta; por

Tradicionalmente el efecto termoelctrico
contiene tres efectos asociados: el efecto
Seebeck, el efecto Peltier y el efecto
Thompson.
Efecto Seebeck
El efecto Seebeck es la conversin de
diferencias de temperatura directamente a
electricidad. Seebeck tuvo el primer indicio
del fenmeno al notar que la aguja de una
brjula se desviaba cuando se formaba un
circuito cerrado de dos metales unidos en dos
lugares con una diferencia de temperatura
entre las uniones como se puede ver en la
siguiente figura.
Figura 1 Circuito que mostr el efecto
Seebeck.
Esto se debe a que los metales responden
diferentemente a la diferencia de
extremo fro del conductor. Portadores fros se
difundirn desde el extremo fro al extremo
caliente por la misma razn.
C. Efecto Peltier
El efecto Peltier es una conocida propiedad
termoelctrica descubierta en 1834 por Jean Peltier.
El efecto Peltier hace referencia a la creacin de una
diferencia de temperatura debida a un voltaje
elctrico. Sucede cuando una corriente se hace pasar
por dos metales o semiconductores conectados por
dos
junturas de Peltier. La corriente propicia una
transferencia de calor de una juntura a la
otra: una se enfra en tanto que otra se
calienta. [1]
temperatura, creando una corriente de
circuito, que produce un campo magntico. El
efecto generado es que un voltaje se crea por
la presencia de una diferencia de temperatura
entre dos metales o semiconductores
diferentes. Esto ocasiona una corriente
continua en los conductores si ellos forman
un circuito completo.
El efecto Seebeck es utilizado comnmente
en dispositivos llamados termopar (porque
est hecho de un acople o unin de
materiales, generalmente metales) para
medir una diferencia de temperatura
directamente o para medir una temperatura
absoluta colocando un extremo a una
temperatura conocida.
La explicacin del efecto es la siguiente: Se
generan los efectos difusin de portador de
carga y arrastre de fonones. Los Portadores
de Carga en los materiales (electrones en
metales, electrones y huecos en los
semiconductores, iones en los conductores
inicos) se difundirn cuando un extremo de
un conductor est a una temperatura
diferente del otro. Portadores calientes se
difundirn desde el extremo caliente al
extremo fro, pues hay menor densidad de
portadores calientes en el
Una manera para entender cmo es que este
efecto enfra una juntura es notar que cuando los
electrones fluyen de una regin de alta densidad a
una de baja densidad, se expanden (de la manera en
que lo hace un gas ideal) y se enfra la regin.
Al suministrar una fuente de potencia, el
dispositivo termoelctrico puede actuar como un
enfriador, como en la siguiente figura. Los
electrones en el elemento tipo-n se movern a la
direccin opuesta de la corriente y los huecos en
el elemento tipo-p se movern en la direccin de la
corriente, ambos removiendo calor de un lado del
dispositivo.

Figura 2 Diagrama de funcionamiento del efecto Peltier
en un semiconductor.
D. Efecto Thompson
Este efecto fue predicho y luego observado
experimentalmente por William Thomson (Lord
Kelvin) en 1851. Describe el calentamiento o
enfriamiento de un conductor portador de corriente
con un gradiente de temperatura.
Algn conductor portador de corriente con una
diferencia de temperatura en dos puntos, o bien
absorber o emitir calor, segn el material. Si una
densidad de corriente J pasa por un conductor
homogneo, la produccin de calor por volumen es:
2 dT
q=J J dx
Donde: es la resistividad del material, es
el gradiente
de temperatura a lo largo del alambre, es el
coeficiente Thomson.
2
El primer trmino representa el Efecto Joule,
que no es reversible. El segundo trmino es el
calor de Thomson, que cambia de signo cuando J
cambia de direccin. En metales como zinc y
cobre, que tienen un extremo caliente a mayor
potencial y un extremo fro a menor potencial,
cuando la corriente se mueve de un extremo
caliente al extremo fro, se mueve de un alto a un
bajo potencial, hay una produccin de calor,
comnmente llamado Efecto Thomson positivo. En
metales como cobalto, nquel y hierro, que tienen
un extremo fro a mayor potencial y un extremo
caliente a menor potencial, cuando la corriente se
mueve de un bajo a un alto potencial, hay una
absorcin de calor llamada Efecto Thomson
negativo.
El coeficiente Thomson es nico entre los
tres coeficientes principales termoelctricos
pues es el nico coeficiente termoelctrico
directamente medible para materiales
individuales. [1]
II. APLICACIONES
Las compaas de automviles alemanas
Volkswagen y BMW han desarrollado generadores
termoelctricos (GTE) que recuperan el gasto de
calor de una mquina de combustin. Volkswagen
afirma 600W de salida del GTE en condicin de
conduccin en autopista. La electricidad producida
por el GTE es cerca del 30% de la electricidad
requerido por el auto, obteniendo una carga
mecnica reducida (alternador) y una reduccin en el
consumo de combustible de ms del 5%.
BMW y DLR (Centro aeroespacial alemn) han
desarrollado tambin un generador termoelctrico
impulsado por el tubo de escape que alcanza un
mximo de 200 W y se ha usado exitosamente por
ms de uso 12000 km en carretera.
Sondas espaciales en el exterior del
sistema solar hacen uso del efecto en
generadores termoelctricos radioisotpicos
para generacin de electricidad.
Un refrigerador Peltier es una bomba trmica
activa que transfiere calor desde una parte del
dispositivo hacia la otra. Los sistemas de
enfriamiento de las cmaras CCD funcionan con
base en el efecto Peltier. As como en el
termociclador usado en Biologa Molecular para
realizar la PCR.
 Lo ms comn y econmico es el uso
de dispositivos termoelctricos llamados
A. Celdas de Peltier
El efecto Peltier se da en la naturaleza
cuando circula una corriente a travs de un
semiconductor y sta genera una diferencia de
temperatura en sus dos caras. Una celda Peltier
est conformada por un arreglo de materiales
tipo P y tipo N en un arreglo similar al mostrado
en la figura. [2]
Figura 3 Estructura interna de una celda de Peltier.
Los elementos semiconductores estn dispuestos
elctricamente en serie y trmicamente en
paralelo.
Internamente la celda Peltier posee elementos
semiconductores altamente impurificados y
dispuestos elctricamente en serie mediante
conductores de cobre [3]. Para aislar los
conductores de cobre del disipador se agrega
entre ellos una placa de cermica que funciona
como aislante.
Celdas de Peltier. A continuacin se
describir a fondo.
dbilmente ligados, emigran hacia el lado positivo de
cada uno de sus extremos en los elementos
semiconductores tipo N, debido a la atraccin de
cargas de diferente signo. Mientras que los
portadores mayoritarios, huecos de los elementos
semiconductores P, emigran hacia la terminal
negativa que se encuentra en cada uno de sus
extremos. Esta ausencia de cargas en cada elemento
semiconductor cerca de la unin metal
semiconductor provoca un enrarecimiento de
cargas y el consecuente descenso de temperatura
en el rea circundante [3].
Por otro lado, la compresin o acumulacin
de portadores cerca de la unin metal
semiconductor en la parte baja de los
elementos semiconductores en la figura 4,
provoca un ascenso de temperatura. Este
comportamiento nos permite afirmar que si
invertimos la polaridad de la fuente de
alimentacin, la cara fra ahora calentar y la
cara caliente sufrir un descenso de
temperatura [4].
El uso de estas celdas permite crear un
nuevo mundo de energa limpia, recuperando
energa del efecto Joule de dispositivos
ineficientes, de diferencias de transporte de
materiales as como implementacin de
sistemas de enfriamiento de bajo
mantenimiento y costo reducido.
Bibliografa y
Referencias
 [ Wikipedia, Efecto Termoelctrico, [En lnea].
1] Available:
https://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_termoelctrico.
[ltimo acceso: Julio 2015].
[ E. E. J. J. L. B. A. Arturo P. Sandoval G., Celdas
2] Peltier: Una alternativa para sistemas de enfriamiento
con base en semiconductor, Julio 2015. [En lnea].
[ Temperature Control, New York: Krieger
3] Publishing.
[ M. S. G. Patterson, Efecto Peltier, Departamento
4] de Fsica FCEyN, Universidad de Buenos Aires, Julio
2015. [En lnea]. Available:
http://df.uba.ar/dgrosz/material%20adicional/celda%20
Peltier%20Patterso%20n-Sobral.pdf.
 Figura 4 Diagrama de elementos semiconductores y reas de disipacin.

Una polarizacin como la mostrada en la figura 4, se distribuye a lo largo de cada elemento semiconductor de la
celda, es decir, cada elemento semiconductor posee una diferencia de potencial proporcional a la polarizacin de
entrada. Por esta razn, los portadores mayoritarios, electrones