Electrnica de Potencia

TEMA 4: TRANSISTORES

Objetivos
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Tras el estudio de este tema debes ser capaz de:

Caracterizar la conmutacin como principal funcin de los
transistores en electrnica de potencia.
Valorar cuantitativamente y paliar los problemas derivados de
la conmutacin de cargas inductivas.
Describir qu datos del comportamiento de un transistor son
los ms importantes en electrnica de potencia.
Distinguir los diferentes tipos de transistores destacando sus
ventajas e inconvenientes.
Elegir razonadamente transistores segn su aplicacin.

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 Desarrollo
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Conmutacin
Transistores Bipolares (BJTs)
MOSFETs
IGBTs

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Conmutacin
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Transistor empleado como interruptor controlable

Interesan las regiones de corte y plena conduccin

Caractersticas de un transistor ideal:

Capacidad de bloquear cualquier tensin.
Capacidad de conducir cualquier corriente.
Corriente de fugas nula en corte.
Cada de tensin nula durante la conduccin.
Conmutacin instantnea de un estado a otro de conduccin.
Potencia nula empleada para el control.

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 Conmutacin
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Parmetros caractersticos:
Frecuencia (f), periodo (T), anchos de pulso (tp(on), tp(off))
Ciclo de trabajo (D ): = tp(on) / T
Retardo (td(on), td(off)): tiempo desde que cambia la entrada hasta
que comienza a cambiar la salida.
Tiempo de subida (tr): del 10% al 90% del valor mximo.
Tiempo de bajada (tf): del 90% al 10% del valor mximo.
Tiempos de encendido y apagado (ton, toff): tiempos totales
necesarios para completar los procesos de conmutacin.

Para que la conmutacin se considere correcta debe cumplirse:

t p (on ) t p (off )
ton toff
5 5
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Conmutacin
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Parmetros caractersticos.
T

iB, vGS

tp(on) tp(off)

iC, iDS
td(on) tfi
tri
vCE, vDS

tfv td(off)
trv
ton toff

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 Conmutacin
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Carga inductiva.
i Inicialmente: interruptor cerrado.
Al abrir:
vR di di
R << 0 v L = L << 0
dt dt
Vs vT = VS v R v L >> VS
vL
L
La sobretensin daara al transistor.
vT

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Conmutacin
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Carga inductiva.
Diodo de libre circulacin (freewheeling)
i
Inicialmente: interruptor cerrado.
vR
Al abrir:
R
Cuando vT alcanza a VS el diodo conduce
Vs y la inductancia se des-energiza.
L vL

vT

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 Conmutacin
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Prdidas energticas en conmutacin.

Carga muy inductiva y conmutacin a frecuencia constante.
Circuito equivalente simplificado:
Encendido: Hasta que iT=IO no se corta el
IO
diodo.
VS
Hasta que no se corta el diodo no baja vT.
iT Apagado: Hasta que vT=VS no entra en
vT
conduccin el diodo.
Hasta que no conduce el diodo no baja iT.

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Conmutacin
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Prdidas energticas en conmutacin.

iT
IO Energa debida a la conmutacin:
1
tri tfi t WC = ( t c ( on ) + t c ( off ) )VS I O
tp(on) 2
vT Energa debida a la conduccin:
VS
WON = VON I O t p (on )
VON
tfv trv
t
Potencia media:
pT
1
VS*IO
PD = (WC + WON )
T
VON*IO
1
tc(on) =tri+tfv
t
tc(off) =trv+tfi
P D = f (t c ( on ) + t c ( off ) )VS I O + VON I O
2

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 Conmutacin
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Transistores en paralelo.
Forma de controlar una corriente por encima de IT,max.
I
Tericamente: I1=I2=I/2
En la prctica las corrientes sern diferentes.
Supongamos I1>I2 P1>P2 T1>T2
Vs I1 I2 a) Si el coeficiente trmico de la resistencia en
conduccin es positivo r1,ON I1 ( )
b) Si el coeficiente trmico de la resistencia en
conduccin es negativo r1,ON I1 ( )

Slo deben conectarse en paralelo transistores cuyo coeficiente

trmico de la resistencia en conduccin sea positivo.
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Conmutacin
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Caractersticas deseables para un transistor real:

Soporte de tensin suficientemente alta en corte.
Soporte de corriente suficientemente alta en conduccin.
Soporte simultneo de ambas condiciones en conmutacin.
Corriente de fugas pequea.
Cada de tensin pequea en conduccin.
Conmutacin suficientemente rpida.
Baja potencia necesaria para el control.
Coeficiente positivo de temperatura para la rON.

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 Transistores Bipolares (BJT)
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Objetivo: Q1 interruptor controlado por IB

VCC

Interruptor Estado Q1 IB IO VCE VO

IO
VO Abierto Corte 0 0 VCC 0
IB Cerrado Saturacin IB > IO / hFE ICARGA VCE(sat) VCC-VCE(sat)
Q1 ( 0) ( VCC)

Eleccin del transistor:

ICmax, VCEmax y Pmax suficientemente altas
VCE(sat) lo ms baja posible
hFE lo ms alta posible
Conmutacin suficientemente rpida

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Transistores Bipolares (BJT)

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Datos de los fabricantes (Valores lmite)

Corrientes y potencias mximas (IC, IB, PD)
Valores tpicos: de dcimas a cientos de amperios o vatios.
(T para rON negativo Difcil de emplear en paralelo)
Tensiones inversas mximas (VCEO, VEBO, VCBO)
La ms significativa es la tensin mxima entre colector y emisor.
Valores tpicos: de pocos voltios a 1.400V.
Segunda ruptura (IS/b)
Corriente de colector a la que se produce la segunda ruptura.
Valores tpicos: Una fraccin de la mxima corriente de colector.

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 Transistores Bipolares (BJT)
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rea de operacin segura (Safe Operation Area, SOA)

Indica grficamente la zona en la que puede polarizarse o por la
que puede circular el transistor.

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Transistores Bipolares (BJT)

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Datos de los fabricantes (Caractersticas estticas)

Ganancia de corriente (hFE)
Relacin entre IC e IB en regin activa.
Valores tpicos: entre 5 y 200. Variable para el mismo modelo.
Cuanto mayor sea VCEO menor es hFE Uso de Darlingtons.
Cadas de tensin entre terminales (VBE(on), VCE(sat))
Valores tpicos: entre dcimas y unos pocos voltios.

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 Transistores Bipolares (BJT)
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Datos de los fabricantes (Caractersticas dinmicas)

Retrasos (td, ts)
El de encendido: td (delay). El de apagado: ts (storage)
Valores tpicos: entre dcimas y decenas de s. (ts > td)
Tiempos de subida y bajada o de cruce (tr, tf, tc)
Valores tpicos: entre unos pocos y decenas de s

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Transistores Bipolares (BJT)

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Darlington monolticos (MD)

Se tratan como un BJT con las siguientes diferencias:
hFE es ms alta (500-20.000) C

VBE es el doble aprox. B

VCE es ms alta.
La corriente de fugas es mayor.
E

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 MOSFETs
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Objetivo: M1 interruptor controlado por VGS

VDD

IO Interruptor Estado M1 VGS IO VDS VO

VO
Abierto Corte <VGS(th) 0 VDD 0
Cerrado Reg. hmica >VGS(th)+VDS ICARGA RDS(on)IDS VDD-RDS(on)IDS
VGS M1 ( 0) ( VDD)

Eleccin del transistor:

IDSmax, VDSmax y Pmax suficientemente altas
RDS(on) lo ms baja posible
VGS(th) adecuada al circuito de control
Conmutacin suficientemente rpida

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MOSFETs
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Datos de los fabricantes (Valores lmite)

Corrientes y potencias mximas (ID, PD)
Valores tpicos: de dcimas a 100A.
(T para RDS,ON positivo Fcil de emplear en paralelo)
Tensiones inversas mximas (VDSS, VGS)
La ms significativa es la tensin mxima entre drenador y fuente.
Valores tpicos: de pocos voltios a 1.000V para VDSS.
20V para VGS
(Valores elevados para VDSS Valores pequeos para ID y viceversa)

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 MOSFETs
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rea de operacin segura (Safe Operation Area, SOA)

Para los MOSFETs no hay segunda ruptura.
Si la conmutacin es rpida el SOA es cuadrada.

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MOSFETs
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Datos de los fabricantes (Caractersticas estticas)

Tensin umbral (VGS(th) VGS(off))
Valores tpicos: entre dcimas y pocos voltios.
Gran dispersin de valores.
Resistencia en conduccin (RDS(on))
Se da para distintos valores de ID y VGS.
Valores tpicos: Unos pocos ohmios para baja potencia.
Dcimas o centsimas de ohmio para alta potencia.
Tensin en conduccin del diodo fuente-drenador (VSD)
Valores tpicos: alrededor de un voltio.

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 MOSFETs
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Datos de los fabricantes (Caractersticas dinmicas)

Retrasos (td(on), td(off))
Valores tpicos: entre unos pocos y decenas de ns.
Tiempos de subida y bajada o de cruce (tr, tf, tc)
Valores tpicos: entre unos decenas y centenas de ns
Caractersticas de conmutacin del diodo fuente-drenador
Tiempo de recuperacin inversa, corriente inversa de
recuperacin, etc.

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IGBTs
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Insulated Gate Bipolar Transistor

Estructura anloga a un BJT conducido por un MOSFET en un
slo dispositivo.
Entrada: comportamiento similar a un MOSFET.
Salida: comportamiento similar a un BJT.
IGBT de canal n: Circuito equivalente:
C(D)

E(S)

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 IGBTs
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Smbolos habituales:
C C D

G G

E E G
S

Comportamiento:
Control: por tensin, tan sencillo como un MOSFET.
Prdidas en ON para alta potencia: menores que un MOSFET y
menos dependientes de IC, como un BJT.
Caractersticas de salida y regiones: anlogas a las de un BJT,
pero el parmetro de control es VGE en lugar de IB.
Tiempos de conmutacin: intermedios.

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IGBTs
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Objetivo: M1 interruptor controlado por VGE

VCC

IO Interruptor Estado M1 VGE IO VCE VO

VO
Abierto Corte <VGE(th) 0 VCC 0
VGE Cerrado Saturacin >VGE(th)+VCE ICARGA VCE(sat) VDD-VCE(sat)
M1 ( VCC)
( 0)

Eleccin del transistor:

ICmax, VCEmax y Pmax suficientemente altas
VCE(sat) lo ms baja posible
VGE(th) adecuada al circuito de control
Conmutacin suficientemente rpida

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 IGBTs
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Datos de los fabricantes (Valores lmite)

Corrientes y potencias mximas (IC, PD)
Valores tpicos: de unos pocos a cientos de amperios o vatios.
Tensiones inversas mximas (VCE, VGE)
La ms significativa es la tensin mxima entre colector y emisor.
Valores tpicos: de pocos voltios a 1.700V.
rea de operacin segura.
Muy similar a la de los MOSFET.

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IGBTs
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Datos de los fabricantes (Caractersticas estticas)

Tensin umbral (VGE(th) VGE(off))
Valores tpicos: unos pocos voltios.
Tensin colector-emisor en saturacin (VCE(sat))
Valores tpicos: entre dcimas y algunos voltios.

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 IGBTs
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Datos de los fabricantes (Caractersticas dinmicas)

Retrasos (td(on), td(off))
Valores tpicos: entre dcimas y decenas de s.
Tiempos de subida y bajada o de cruce (tr, tf, tc)
Valores tpicos: entre uno y decenas de s

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Comparativa
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Transistores utilizados como interruptores

VOFF, ION Velocidad de
Control Tensin en ON
Mximas conmutacin
BJT Corriente (IB) Baja y cte. Media-Alta Media-Baja
MOSFET Tensin (VGS) Crece con IDS Baja Muy alta

IGBT Tensin (VGE) Baja y cte. Media-Alta Media-Baja

No se enclavan.
Empleados para conmutar tensiones continuas.

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 Comparativa
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