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Pr. A.

SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 17 Transistor bipolaire

Chapitre 4
Le transistor bipolaire
En associant judicieusement deux jonctions, il est possible de commander les caractristiques lectriques
d'une jonction (courant-tension) en agissant sur le courant de l'autre jonction. Cette dcouverte due Bardeen,
Brattain et Shockley en 1951 a ouvert l'lectronique un champ d'application immense dans tous les secteurs.

1. Dfinition
Le transistor bipolaire (communment appel "transistor jonction") est construit avec des couches de
semiconducteurs de type P ou N assembles de faon former deux jonctions P-N dos--dos.
Il existe deux types de transistor biplaire:
Le transistor NPN Le transistor PNP
E C E C

N P N P N P

B B
Symbole Symbole
C
C B
B

E
E

NPN PNP

N.B.La flche indique le sens rel du courant lectrique.

De point de vue physique, le fonctionnement des deux transistors est rigoureusement le mme. Nous
tudierons par la suite le transistor NPN. Le raisonnement est identique pour le transistor PNP: il suffit de
permuter le rle des lectrons et des trous.
Les trois bornes s'appellent respectivement:
L'metteur (E), rgion de type N, qui est fortement dop. Son rle est d'mettre les lectrons
(majoritaires dans l'metteur). Sa dimension est infrieure celle du collecteur.
La base (B), rgion de type P, faiblement dope et qui a une faible paisseur ( 1m ) devant la
longueur de diffusion des porteurs minoritaires (lectrons) dans cette rgion. Elle transmet au collecteur
la plus part des lectrons venant de l'metteur.
Le collecteur (C), rgion de type N moyennement dope. Le collecteur recueille les lectrons qui lui
viennent de la base d'o son nom. C'est la plus grande des trois rgions dopes.

2. Le transistor bipolaire non polaris


En absence de tension applique, comme pour une seule jonction P-N (cf. chapitre 2), il se cre au niveau
des deux jonctions metteur-base et base-collecteur des zones de charges d'espace. Comme le dopage de
l'metteur est suprieur celui du collecteur, sa charge positive est suprieure celle du collecteur.
A l'quilibre, les barrires nergtiques imposes par les jonctions metteur-base et base-collecteur
empchent toute diffusion de porteurs libres. Le courant dans le transistor est globalement nul.

3. Transistor bipolaire sous polarisation


3.1. Modes de fonctionnement d'un transistor bipolaire
Selon la polarit des tensions appliques aux jonctions metteur-base et base-collecteur, on obtient des
comportement diffrents du transistor. On distingue quatre modes (ou rgimes) de fonctionnement du transistor:
Mode de fonctionnement normal : la jonction E-B est polarise en direct et la jonction B-C en inverse.
Ce mode est utilis en amplification et pour tracer les caractristiques du transistor.
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Mode de fonctionnement bloqu : les jonctions E-B et B-C sont polarises en inverse. Le transistor est
quivalent un circuit ouvert.
Mode de fonctionnement satur : les jonctions E-B et B-C sont polarises en direct. Le transistor est
quivalent un circuit ferm.
Mode de fonctionnement inverse : la jonction E-B est polarise en inverse et la jonction B-C en direct.
Ce mode est trs peu utilis.

3.2. Montages de base


Quand on branche un transistor, il y a trois montages possibles pour qu'il y ait une des pattes commune
l'entre et la sortie :
Montage metteur commun : la patte commune est l'metteur. L'entre est la base et la sortie est le
collecteur.
Montage base commune : la patte commune est la base. L'entre est l'metteur et la sortie est le
collecteur.
Montage collecteur commun : la patte commune est le collecteur. L'entre est la base et la sortie est
l'metteur.

3.3. L'effet transistor


3.3.1 Etude exprimentale (Montage base commune en mode
de fonctionnement normal) E B C
Appliquons entre l'metteur et la base une d.d.p. continue VBE
de l'ordre de 1volt tel que la jonction N-P metteur-base soit N P N
polarise en direct (VBE>0). Et appliquons entre la base et le
collecteur une tension VBC d'une dizaine de volt tel que la jonction
base-collecteur soit polarise en inverse (VBC<0)-figure 1- VBE VCB
Dans ce montage, la base constitue la rfrence commune aux
circuits d'entre (circuit metteur-base) et de sortie (circuit
collecteur-base). Ce montage est appel base commune. Figure 1

3.3.2 Analyse du circuit


La jonction base-metteur tant polarise en direct: les lectrons majoritaires de l'metteur diffusent
facilement vers la base. De mme, les trous majoritaires de la base vont diffuser vers l'metteur.
Les lectrons injects de l'metteur vers la base deviennent minoritaires. Certains d'entre eux vont se
recombiner avec les trous majoritaires de la base. Mais comme la base est trs faiblement dope et son paisseur
est faible devant la longueur de diffusion des lectrons injects par l'metteur, ces derniers auront peu de chance
de rencontrer les trous majoritaires de la base. Seule une faible portion de ces lectrons va subir des
recombinaison avec les trous de la base.
Les lectrons mis par l'metteur arrivent proximit de la jonction base-collecteur (polarise en inverse)
sont acclrs vers le collecteur par un champ dirig du collecteur vers la base.
En conclusion, la presque totalit des lectrons "mis" par l'metteur est collecte par le collecteur.

Bilan des courants pour un transistor rel


Courant de porteurs majoritaires mis
(par l'metteur) et presque entirement
collects (par le collecteur)
Figure 2

IE IC

Courant de
E (N) B (P) C (N)
recombinaison
Faible courant de porteurs Courant de porteurs
majoritaires de la base IB minoritaires (courant inverse
de saturation) ICBO
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Remarque:
Il faut noter qu'au courant prcdent se superpose un courant inverse de saturation d aux porteurs
minoritaires de la base et du collecteur ICBO, mais l'intensit correspondante reste trs faible.

3.3.3. Dfinition de l'effet transistor


Le transistor permet, avec une faible tension (VBE de l'ordre de 1volt) d'injecter un courant donne (courant
d'metteur) dans un circuit de faible rsistance (jonction metteur-base polarise en direct) et de transfrer ce
mme courant dans un circuit de grande rsistance (jonction base-collecteur en inverse) : c'est l'effet transistor.

Remarque: la nomination "transistor bipolaire" provient du fait que les porteurs de charge intervenant dans son
fonctionnement sont les lectrons (majoritaires du l'metteur et du collecteur) et les trous (minoritaires dans la
base). Le transistor bipolaire fait intervenir deux types de porteurs de charges.

3.4. Relations fondamentales


3.4.1. Montage base commune (gain en courant en base commune)

Reprenons le montage "base commune" de la figure 3 . IE E C IC


Bilan des courants en rgime stationnaire:
IE=IB+IC B
I C = I E + I CB 0 VBE IB VCB
O ICBO est le courant inverse de saturation de la jonction
B-C (appel aussi courant de fuite metteur ouvert IE=0).
Figure 3
Dans la pratique, ICBO est un courant trs faible.

En premire approximation, I C = I E avec 0,98 < < 0,99 .


I
Le coefficient = C est appel le "gain en courant en base commune".
IE
3.4.2. Montage metteur commun (gain en courant en metteur commun)
IC
Dans la pratique, le montage le plus frquemment
utilis est le montage en "metteur commun"-figure 4-( C
noter que l'metteur est commun l'entre et la sortie). IB B
Bilan des courants en rgime stationnaire:
IE=IB+IC E VCB
I C = I B + I CEO VBE IE
O ICEO est le courant de fuite base ouverte.

On dduit des quations ci-dessus:



= et ICE0=( +1) ICB0 Figure 4
1
Comme est voisin de l'unit, le coefficient est dans la pratique compris entre 20 et 900.

Dans la pratique, le courant ICEO est faible et IC est proportionnel IB pour VCE = constante:
I
Le coefficient = C est appel "gain en courant en metteur commun".
IB
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3.5. Rseaux des caractristiques du transistor bipolaire

Dterminer l'tat de fonctionnement d'un transistor bipolaire ncessite la connaissance de six variables:
Trois courants: IB, IE, IC; IC
Trois tensions: VCE, VBE, VCB. C
Pour le tracer des caractristiques, le montage le
plus utilis dans la pratique est le montage IB B RC
"metteur commun".-figure 5-

Les conditions de fonctionnement normal du RB E VCC


transistor sont tel que: IE
V BE > 0 jonction B E polarise en direct VBB

V BC < 0 jonction B C polarise en inverse.
Figure 5
Dans ce montage:
la jonction B-E est polarise en direct l'aide du gnrateur de tension VBB travers la rsistance RB,
grande devant la rsistance d'entre du transistor. VBE est de l'ordre de 0,7volt pour un transistor au
silicium.
Le collecteur est polaris par la rsistance RC ( l'aide du gnrateur VCC) de telle manire que la
tension du collecteur soit suprieure la tension de la base (jonction B-C polarise en inverse).

3.5.1 Caractristique d'entre IB=f(VBE)


IB
Elle est donne par la relation IB=f(VBE) VCE constante. C'est VCE=cte
pratiquement la caractristique d'une diode en polarisation directe.
Cette caractristique dpend trs peu de VCE. -figure 6-
VBE
On la donne en gnral pour une seule valeur de VCE. En
fonctionnement normal, VBE est d'environ 0,7V pour un transistor au
Figure 6
silicium. IB est gnralement infrieur au mA.

3.5.2 Caractristique de sortie IC=f(VCE)

Elle est dfinie par la relation IC=f(VCE) IB constant. figure 7-


En pratique, on donne un rseau de caractristiques pour plusieurs valeurs de IB.

On distingue trois zones:


Une zone importante o le courant IC dpend de IB IC IB4
( I C I B ) et qui varie trs peu avec VCE. Cette caractristique
est celle d'un gnrateur de courant (de rsistance interne trs
IB3
grande) utilis en tant que rcepteur. IB2
La zone des faibles tension VCE (0 quelque volts ). On IB1
l'appelle zone de saturation. Quand la tension C-B diminue pour
devenir trs faible, la jonction C-B cesse d'tre polarise en IB0
IB=0 VCE
inverse et l'effet transistor dcrot rapidement. A la limite, la
jonction C-B devient polarise en direct: le transistor est Figure 7
quivalent deux diodes en parallles.

Remarque: Lorsque la tension VCE devient suprieure la tension d'avalanche de la jonction C-B, le courant IC
augmente trs rapidement. Le transistor se chauffe et risque d'tre endommag.
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3.5.3 Caractristique de transfert en courant IC=f(IB)


IC Pente
Elle est donne par la relation IC=f(IB) VCE constante. Elle
se dduit de la caractristique prcdente.-et dpend trs VCE
-figure 8-

Le courant du collecteur IC est proportionnel IB: I C I B


ICE0 IB
dpend du type de transistor : 0 10 pour les transistors de
grosse puissance, 30 80 de moyenne puissance et de 100 150 Figure 8
pour les transistors de signal (faible puissance).

3.5.4 Caractristique de transfert en tension VBE=f(VCE) VBE

Elle est donne par la relation VBE=f(VCE) IB IB=cte


constant -figure 9-
Par suite de la faible influence de la tension de
sortie VCE sur la tension d'entre VBE, les caractristiques de
transfert en tensions sont presque horizontales.
Cette caractristique est souvent ignore par les VC
constructeurs. Figure 9

Remarque: limites et choix d'utilisation d'un transistor bipolaire


Le transistor bipolaire pourra fonctionner sans destruction l'intrieur d'un domaine d'utilisation bien
dtermin. Le choix du transistor (au premier ordre) se fera en considrant les paramtres suivants:
VCEmax que peut supporter le transistor;
Le courant maximum du collecteur Icmax.
La puissance maximale (Pmax=VCE IC) que le transistor aura dissiper (choix du radiateur);
Le gain en courant .