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Pr. A.

SDAQ : Facult sciences ibn Zohr (Agadir_Maroc) 1 Gnralits semi-conducteurs

Gnralits sur les semi-conducteurs


Du point de vue conduction, les semi-conducteurs sont des corps qui prsentent les proprits suivantes:
trs basses tempratures, ils se comportent comme des isolants parfaits;
pour des tempratures assez leves ( l'ambiante par exemple), les semi-conducteurs conduisent le
courant lectrique. Ils prsentent ainsi une rsistivit intermdiaire entre celle des conducteurs et celle des
isolants .

Les mtaux Les semi-conducteurs Les isolants

10-5 1014 Rsistivit ( cm)


Valeurs de rsistivit de quelques corps simples
( m) T = 27C
Conducteurs Semi-conducteurs Isolants
Cuivre 1,7 10-8 Germanium (Ge) 0,5 Diamant 1012
Argent 1,6 10-8 Silicium (Si) 2400 Mica 10 1015
10

Aluminium 2,8 10-8 Arsenure de gallium (GaAs) 109

1. Semi-conducteurs intrinsques
Un semi-conducteur est dit intrinsque lorsque il est parfaitement pure (ne contenant aucun lment
tranger).
Pour les semi-conducteurs intrinsques usuels tels que le silicium ou le germanium, les structures cristallines
sont identiques et chaque atome est entour ttradriquement par quatre autres atomes avec lesquelles il assure
des liaisons covalentes.
Pour des tempratures assez leves (de l'ordre de l'ambiante), certains lectrons assurant les liaisons
covalentes sont arrachs du fait de l'agitation thermique devenant ainsi libres de se mouvoir sous l'action d'un
champ lectrique comme
dans mtal. (a) (b)
1.1 Notion de trou Si Si Si Si Si Si Si Si
Lorsqu'une liaison
covalente entre deux atomes
se rompt sous l'effet de Si Si Si Si Si Si Si Si
l'agitation thermique,
l'lectron libr laisse sa
Si Si Si Si Si Si Si Si
place un vide appel trou qui
correspond la charge
positive du noyau non Si Si
Si Si Si Si Si Si
compense (figure 1-a).
Ainsi une paire lectron-trou
est cre.
Un lectron d'une Si Si Si Si Si
Si Si Si
liaison voisine peut venir
combler ce trou (figure 1-
b); il laisse son tours un Si Si Si Si Si Si Si Si
trou derrire lui qui peut (d)
aussi tre combl (figure Si Si
Si Si Si Si Si Si
1-c) etcOn assiste alors
un dplacement des
lectrons de valence de Si Si Si Si Si Si Si Si
trou en trou (figure 1-d).
: Mouvement de l'lectron libre
( c)
: Mouvement du trou libre quivalent

Figure 1
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On peut assimiler les dplacements de ces lectrons un dplacement de trous de charges positives +e en
sens inverse (figure 1-d).
Ces lectrons et ces trous sont appels porteurs libres.
On dsigne par :
ni la concentration en porteurs ngatifs (les lectrons),
pi la concentration en porteurs positifs (les trous).
Pour les semi-conducteurs intrinsques, on a bien ni= pi

A 27 C on a: pour le silicium : ni= pi=1,5 1016 m-3


pour le germanium : ni= pi=2,5 1019 m-3

Lorsqu'on applique un champ lectrique l'intrieur du semi-conducteur, les porteurs libres prennent un
mouvement d'ensemble:
les trous dans le sens du champ
les lectrons en sens oppos du champ.
Ce double dplacement constitue le courant lectrique.

La conductivit du semi-conducteur est : = n + P


Avec n = e ni n conductivit due aux lectrons
p = e pi p conductivit due aux trous.
n et p dsignent les mobilits des lectrons et des trous respectivement.
1 1
La rsistivit a pour expression: = =
e(ni n + pi p ) eni ( n + p )
Exemple: Dans le cas du silicium T=300K on a:
ni=1,5 1010 cm-3, n =1350 cm2V-1s-1, p =480 cm2V-1s-1
=4,4 10-6 ( cm )-1 et =2,3 105 cm
Remarque:
1) On montre (statistique de Fermi-Dirac appliques aux lectrons et aux trous) que ni augmente trs
rapidement avec la temprature.
2) Une paire lectron-trou peut disparatre par un processus inverse dit recombinaison: l'lectron retombe
sur la place vacante que constitue le trou qui disparat ainsi.

2. Semi-conducteurs extrinsques
L'introduction en quantit trs faible de certaines impurets (appeles aussi dopants) dans un semi-
conducteur intrinsque peut augmenter considrablement le nombre de porteurs libres (lectrons ou trous)
rduisant ainsi la rsistivit du matriau du dpart. Le cristal ainsi dop est dit semi-conducteur extrinsque. Les
impurets utilises sont de valence trois ou cinq et conduisent deux types de semi-conducteurs:
- semi-conducteurs de type N (impurets de la cinquime colonne),
- semi-conducteurs de type P (impurets de la troisime colonne).

Les principaux dopant utiliss sont regroups dans le tableau suivant:

Dopant trivalent Semi-conducteur Dopant pentavelent


Elments de la colonne III Elments de la colonne V
Bore (B) Carbone diamant (C) Azote (N)
Aluminium (Al) Silicium (Si) Phosphore (P)
Gallium (Ga) Germanium (Ge) Arsenic (As)
Indium (In) Antimoine (Sb)
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2.1 Semi-conducteur extrinsque de type N


Considrons par exemple le silicium intrinsque. Chaque
Si Si Si Si
atome a une couche externe avec quatre lectrons qu'il met en
commun avec quatre atomes voisins pour constituer une couche de
valence sature. Introduisons dans le rseau cristallin du silicium Si Si Si Si
des impurets d'arsenic dont les atomes ont une couche externe
comprenant cinq lectrons. Les atomes d'impuret vont tablir des
liaisons covalentes avec les atomes de silicium, mais le cinquime Si As
Si Si
lectron non engag dans une liaison covalente sera faiblement li +
l'atome d'arsenic (nergie de l'ordre de 10 meV). La seul
agitation thermique permettra la libration de cet lectron qui va Si Si Si Si
devenir libre de se dplacer dans le rseau cristallin du silicium
(figure 2) Figure 2
L'lectron ainsi libr laissera derrire lui une charge positive fixe dans le rseau correspondant l'atome
d'arsenic ionis.
Dans la suite, le semi-conducteur sera reprsent par le schma suivant (figure 3)

Semi-conducteur type N

Figure 3
: Ion positif fixe dans le rseau
: lectron libre majoritaire

On dit que l'on a introduit dans le silicium des centres donneurs et que le semi-conducteur est de type N.
La conduction est dite de type N car elle se fait grce un dplacement de charges ngatives.

Exemple:
Pour le silicium on a 5 1022 atomes/cm3. On le dope en introduisant 1015 atomes d'arsenic par cm3.
La densit intrinsque est de l'ordre de ni=1,5 1010 lectron/cm3.
Le nombre d'lectrons libres ne est gal au nombre d'atome d'arsenic not ND plus (+) la densit
intrinsque ni:
ne=ni+ND ND=1015cm-3
On obtient les rsultats suivants:
Silicium intrinsque Silicium extrinsque dop l'arsenic
i = 4,4 10 6 ( cm) 1 n = ene n eN D n = 0,22 ( cm) 1
i = 2,3 10 5 cm n = 4,6 cm
On notera que n (du Si extrinsque) est plus de 105 fois suprieure la conductivit i du Si pure
(intrinsque).
La concentration des lectrons libres provenant des atomes donneurs est trs importante devant celle des
porteurs intrinsques (dans ce cas les trous).
On dit que les lectrons sont porteurs majoritaires, les trous porteurs minoritaires.

2.2. Semi-conducteurs de type P Si Si Si


Si Si Si Si Si

On ajoute cette fois une


impuret trivalente de la troisime Si Si Si Si Si Si Si Si
colonne du tableau priodique
(exemple: bore, aluminium,
gallium, indium). Ces lments se In Si Si In- Si
Si Si Si
substituent un atome de silicium

Si Si Si Si Si Si
Si Si

Figure 4
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et n'assurent que trois liaisons covalentes avec les atomes du silicium voisins. On obtient ainsi dans l'ensemble du
cristal un trou (dficit en charge ngative) par impuret. Une faible nergie sera suffisante ( de l'ordre de 10 meV)
pour qu'un lectron d'une liaison voisine puisse compenser ce trou avec apparition d'un nouveau trou etc
(figure 4)
Pour des tempratures avoisinant l'ambiante, l'agitation thermique ( T=300K, Eagit.therm.=3/2 kT=40 meV)
permettra la libration d'un trou par atome d'impuret, d'o une augmentation notable de la concentration en
porteurs positifs libres par rapport au semi-conducteur intrinsque.
De ce fait, les impurets introduites sont appeles atomes accepteurs pour avoir capter un lectron. Ils
deviennent des ions ngatifs qui restent fixes dans le rseau cristallin.

Les trous sont dit porteurs majoritaires et les lectrons porteurs minoritaires.
Le semi-conducteur dop ainsi que la conduction sont dits de type P car la conduction se fait grce au
dplacement de charges positives.

Le semi-conducteur de type P est schmatis par la figure suivante.


Semi-conducteur type P


Figure 5 : Ions ngatifs fixes dans le rseau
: trou libre majoritaire

Dsignons par NA la concentration en atomes accepteurs. Le nombre de trous libres pe est gal au nombre
d'atomes accepteurs NA plus (+) la densit intrinsque ni (=pi):
Pe=NA+ni NA car NA>>ni .
1 1
La rsistivit du semi-conducteur de type P est p = = .
p e p N A
Il faut noter comme remarque que les semi-conducteurs de type N et de type P sont globalement neutres.

Illustration: cas du silicium de type P et N T=300K


n p
-3
ne (cm ) -3
pe (cm ) (cm V s ) (cm2V-1s-1) (cm) 1
2 -1 -1 (cm)
ntrinsque 1,5 1010 1,5 1010 1350 480 4,4 10-6 2,3 105
4,6 1015 5 104
ype N ne>>pe "" "" "" "" 1 1
lectrons majoritaires
1,7 104 1,3 1016
ype P "" "" "" "" 1 1
pe>>ne
trous majoritaires

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