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Enseignements E.E.A.

Electronique analogique

P r o b l m e s
e t c o r r ig s

anne 2010

par Sylvain Gronimi


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

TABLE DES PROBLEMES

Partie 1

Rappel sur la thorie des circuits


Mise en quations et thormes fondamentaux 3-4
Rponse dun circuit RL 5-8
Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC 9-10
Sonde passive doscilloscope 11-12
Caractrisation dun quadriple 13-15
Sensibilit dun pont de Wheatstone 16-17

Polarisation dun transistor


Dispersion des caractristiques dun JFET 18-20
Polarisation dun JBT par diverses topologies 21-22
Stabilisation par rsistance dmetteur 23-26

Caractrisation dun tage


Etage dphaseur JBT 27-30
Etage source commune 31-33
Etage collecteur commun charg par un miroir de courant 34-36
Etage diffrentiel JBT 37-39
Etage diffrentiel JFET 40-42

Rponse en frquence
Rponse en frquence dun tage metteur commun 43-50
Rponse en frquence dun tage base commune 51-55
Rponse en frquence dun tage collecteur commun 56-59
Comparaison des performances des montages fondamentaux JBT 60
Rponse en frquence dun tage pseudo metteur commun 61-64
Rponse en frquence dun tage source commune 65-70
Rponse en frquence dun tage pseudo-source commune 71-74
Rponse en frquence dun montage cascode 75-78
Rponse en frquence dun montage metteur commun collecteur commun 80-86

Elments de circuits intgrs


Miroir de courant lmentaire pour polarisation dtage 87-88
Miroir de courant lmentaire pour transfert dynamique 89-90
Source de courant simple JFET pour polarisation dtage 91
Source de courant gain pour polarisation dtage 92-93
Source de Wilson pour transfert dynamique 94-96
Source de Widlar en rptiteur de courant pour polarisation dtages 97-98
Multiplicateur de VBE 99-100
Ralisation dune opration arithmtique complexe (1 et 2) 101-102
Conception dun buffer 103-109
Etage diffrentiel charges asymtriques 110-112
Etage diffrentiel charges actives (partie 1) 113-119
Etage de tension (partie 2) 120-124
Etage diffrentiel cascode charges actives (miroir) 125-133

Partie 2
Amplificateurs idaux
Intgrateur de tension diffrentielle 134
Convertisseurs dimpdance 135-136
Amplificateur dinstrumentation amlior 137-139
Amplificateur dinstrumentation INA 114 140
Amplificateurs logarithmiques et exponentiels 141-142
Multiplicateur / diviseur 143-144
Amplificateurs conductance de transfert 145-148
Voir aussi Le filtrage analogique

Sylvain Gronimi Page 1 Tables des problmes


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Filtrage analogique
Filtre passe-bas deux suiveurs de tension 149-151
Filtre passe-bas contre-raction multiple (structure de Rauch) 152-156
Filtre passe-bas source contrle (structure Sallen-Key) 157-162
Conception dun filtre passe-haut Butterworth dordre 4 163-166
Filtre passe-bande contre-raction multiple (structure de Rauch) sensibilit amliore 167-169
Filtre passe-bande INIC 170-172
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du premier ordre 173-174
Filtre passe-tout (dphaseur pur) du second ordre 175-177
Filtre rjecteur deux amplificateurs de tension 178-180
Filtre rjecteur variable dtat 181-183
Filtre universel 184-187

Oscillateurs sinusodaux
Oscillateur triphas 188
Oscillateur pont RLC 189-190
Oscillateur pont RLC avec potentiomtre 191-192
Oscillateur pont de Wien 193-196
Oscillateur Colpitts 197-201
Oscillateur Colpitts (variante) 202
Oscillateur Clapp 203
VCO JFET source commune 204-207
VCO JFET drain commun 208-210

Rgulateurs de tension
Principe de stabilisation par diode zener 211-213
Circuits de stabilisation dune tension par rfrence zener 214-221
Rgulateur de tension 15 V / 2 A 222-223

Amplificateurs de puissance
Etage de puissance push-pull srie avec sources de Widlar 224-229
Etage suiveur pilot par un amplificateur de tension intgr et contre-raction 230-235
Etage de puissance push-pull srie en pont 236-240

Partie 3
Quelques structures de circuits intgrs
Amplificateur de tension LM 741 simplifi 241-257
Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet) 258-264
Amplificateur Norton LM 359 et applications 265-276
Amplificateur conductance de transfert LM 13600 et application 277-284
Buffer et amplificateur conductance de transfert OPA 660 et applications 285-395
Amplificateur contre raction de courant LT1223 et application 296-306
Comparateur LM 139 307-312
PLL analogique NE 565 et applications 313-337

Annexes
Modles de composants associs aux diffrents rgimes (diode, JBT, JFET) 338-342
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel symtrique 343-344
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun circuit complexe 344-345
Mthode de travail pour lanalyse en frquence (approximation du ple dominant) 346-347
Transformation de schma par application du thorme de Miller 348-349
Bibliographie, symboles, notations 350

Sylvain Gronimi Page 2 Tables des problmes


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Mise en quations et thormes fondamentaux

Diviseur de tension
R1

VE R2 VS

R3

Exprimez la tension VS en fonction de VE , R1, R2 , R3 .

Diviseur de courant
I

I2

R1 R2 R3 V

Exprimez le courant I 2 en fonction de I, R1, R 2 , R3 .

Application du thorme de Millman

R1 V1 I

10

V R2 R

10 V 30 5

Evaluez le courant I.

Application du thorme de Thvenin et de superposition

R1 R3

I
V R2

Donnez le gnrateur de Thvenin quivalent au diple.

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Diviseur de tension

VE = (R1 + R2 + R3 )I R2
VS = VE
VS = R 2 I R1 + R2 + R3

Diviseur de courant

V V V 1
I = R + R + R
R2

1 2 3
I2 = I
I = V 1 1 1
+ +
2 R2 R1 R2 R3

Application du thorme de Millman

V 1
R1 V1 R
Calcul du potentiel de nud : V1 = I= = V ( I = 0 .6 A )
1 1 1 R 1 1 1
+ + + +
R1 R2 R3 R1 R2 R

Application du thorme de Thvenin et de superposition

La prsence des deux sources indpendantes V et I invite utiliser le thorme de superposition


pour le calcul de la tension de Thvenin VTh (tension vide du diple). Ce calcul seffectue donc
en deux tapes :

R2
1re tape : extinction de la source de courant ( I = 0 , circuit ouvert) VTh1 = V.
R1 + R2
R1 R2
2me tape : extinction de la source de tension ( V = 0 , court-circuit) VTh2 = I.
R1 + R2
R2 R R
do la superposition VTh = VTh1 + VTh2 = V+ 1 2 I.
R1 + R2 R1 + R2

La rsistance du diple se calcule en teignant les deux sources indpendantes, ce qui donne
R R
RTh = 1 2 + R3 .
R1 + R2

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Rponse temporelle dun circuit RL

Soit le circuit RL avec condition initiale nulle.

vE 100 L

100mH

Une excitation sinusodale damplitude crte VE est applique au circuit. Le but du problme est
dobtenir les rponses du courant i (t ) circulant dans la maille et de la tension aux bornes de
linductance v L (t ) par les trois techniques suivantes :

Rponse temporelle (variable t)

1. Ecrivez lexpression analytique du courant.


2. Ecrivez lexpression analytique de la tension.
3. Dmontrez que la tension est en avance de /2 par rapport au courant en rgime permanent.

Rgime sinusodal tabli (variable j)

4. Ecrivez les expressions du module et de largument du courant et de la tension.


5. Comparez ces rsultats ceux obtenus prcdemment en rgime permanent.

Transformes de Laplace (variable p)

6. Ecrivez la fonction de transfert en tension VL ( p) VE ( p) .


7. Par transformes de Laplace, donnez lexpression de la tension.

Corrig

Rponse temporelle
d
v E (t ) = R i (t ) + L dt i (t ) L
(posons = )
v (t ) = L d i (t ) R
L dt

1. Expression analytique du courant

d 1 v (t )
Rsolvons lquation diffrentielle du premier ordre i (t ) + i ( t ) = E en quatre tapes :
dt L
c quation homogne
t
d 1 di dt i t
i (t ) + i (t ) = 0 = Log = do i H (t ) = e
dt i

d variation de la constante
VE sin( t ) VE
[ ]
t

' (t ) e = = m e j t
L L

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1 + j t t
e j t
VE VE
(t ) =
L
m e


dt =
L
e m
1
+



j


cos( t ) + j sin( t ) 1
sin( t ) cos( t ) = sin( t )
1
car m =
+
1 1
+ j 2
2

+ 2 = 1 avec = arctg ( ) et = 1 + 2 2
1 1
en posant cos = et sin =
2

e solution particulire de lquation complte


t

sin( t )
VE
i P (t ) = (t ) e do i P (t ) =
R + L2 2
2

f solution globale
t
VE
i (t ) = e + i P (t ) avec i (0) = 0 = sin
R + L2 2
2

t

sin( t )
VE VE
do i (t ) = sin e +
R +L 2 2 2
R + L2 2
2

Le premier terme correspond au rgime transitoire et le second terme au rgime tabli ou


permanent.

2. Expression analytique de la tension

1
t
t
v L (t ) = VE sin e + cos( t ) = VE sin cos e + cos( t )

3. Dphasage


cos( t ) = sin t + L I = ( ) = +
2 2 2

Rgime transitoire (VE =1 V et f = 1 kHz)

rgime transitoire
1.0V

0V

-1.0V

0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms


V(L) V(E)
Time

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Rgime permanent

1 2 2.0mA
1.0V

1.0mA
tension
d'entre
(0)

0V 0A

tension
en avance
de 9 courant
en retard
-1.0mA de 81

-1.0V
>>
-2.0mA
18.0ms 18.5ms 19.0ms 19.5ms 20.0ms
1 V(L) V(E) 2 I
Time

Rgime sinusodal tabli

VE = (R + jL ) I VE jL
I= et VL = VE
VL = jL I R + jL R + jL

4. Modules et arguments

VE L
I = et I = E arctg ( VE = VE e jE )
R +L
2 2 2 R
L L
VL = VE et L = E + arctg
R 2 + L2 2 2 R

5. Comparaison du rgime tabli

i (t ) =
VE
sin( t + I ) [
I m e j ( t +I ) ]
R +L
2 2 2

v L (t ) = VE sin sin( t + L ) avec sin = =


L
R
=
L
[
VL m e j ( t +L ) ]
R + L2 2
2

Transformes de Laplace

VE ( p ) = (R + Lp ) I ( p )

VL ( p ) = Lp I ( p )

6. Fonction de transfert

p
V ( p) n R 1
H ( p) = L = avec n = =
VE ( p ) p L
1+
n

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7. Expression de la tension aux bornes de linductance


Tableau des transformes : sin( t )
p
VL ( p ) = VE
p +
2 2
p + p +
1 2 2


Dcomposition en lments simples :
(a + b )p 2 + b + c p + c + a 2
p
=
a
+
bp + c
=
1 2
(
p + p +

2
p +

)
1 p2 + 2
(
1 2
p + p +

2
)
2 2
b=a= , c =
1 + 2 2 1 + 2 2

1 1 1 p
VL ( p ) = VE + + 2
1 p + p + p +
2 1 2 2 2
+
2



sin( t ) , 2 cos( t )
1 p
Tableau des transformes : e at , 2
p+a p + 2
p + 2
2
1
2 + = 1 et cos cos( t ) + sin sin( t ) = cos( t )
1
Posons cos = et sin =


t
do v L (t ) = VE sin cos e + cos( t )

La technique dans le domaine temporel est dune grande complexit, puisquelle fait apparatre des
quations intgro-diffrentielles dont la rsolution mathmatique est rapidement limite (utilisation du
calcul numrique). La technique du calcul complexe est aise, mais limite uniquement une
excitation sinusodale fournissant le rgime permanent (pas de transitoire). Ltude par les
transformes de Laplace est la mthode la plus gnraliste, pouvant fournir la rponse du circuit
une excitation quelconque.

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Corrlation entre temps de monte et frquence de coupure dun circuit RC

Soit le circuit RC avec condition initiale nulle.

vE C

Un chelon unit de tension damplitude VE est appliqu au circuit. Le but du problme est dcrire la
relation exprimant la corrlation entre temps de monte et frquence de coupure du circuit.

1. Ecrivez la fonction de transfert en tension VC ( p ) VE ( p ) et tracez les courbes de rponse dans le


plan de Bode (module et argument).
2. Par transformes de Laplace, donnez lexpression de la tension v C (t ) .
3. Ecrivez lexpression du temps de monte t r dfini par la diffrence des temps pour atteindre
respectivement 90% et 10% de la valeur finale en fonction de la constante de temps du circuit.
4. Ecrivez la relation entre la frquence de coupure fh du circuit passe-bas et le temps de monte.

Corrig

1. Fonction de transfert

A partir de lquation dans le domaine temporel, on crit

d 1 v (t ) 1 1
v C (t ) + v C (t ) = E p VC ( p ) + VC ( p ) = VE ( p)
dt
1
VE ( p ) = R + I ( p)
C p V ( p) 1
ou directement H ( p) = C = avec = RC
V ( p ) = 1 I ( p ) VE ( p ) 1 + p
C
Cp

H dB = 20 log 1 + ( ) , = arctg ( )
1
En rgime sinusodal, H ( j ) =
2
1 + j

1 0 2 0d

-10 (159.436,-3.0185)

-20 -50d

(159.652,-45.089)

-30 filtre du premier ordre


= 1 ms

-40 -100d
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz
1 DB(VC) 2 P(VC)
Frequency

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2. Rponse lchelon de tension

VE V V VE
VC ( p ) = = E E avec VE ( p ) = (chelon de tension damplitude VE )
p (1 + p ) p 1 p
p+


t
v C (t ) = VE 1 e
1
Tableau des transformes F ( p ) = f (t ) = e t u(t ) , do
p +

Lapplication des thormes de la valeur initiale et de la valeur finale donne immdiatement la


valeur de cette fonction lorigine et au temps infini sans quil soit ncessaire de calculer vC(t) :
VE
pVC ( p ) = lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = 0 et lim pVC ( p ) = lim v C (t ) = VE
1+ p p t 0 p0 t

1.2V
vE(t)

0.8V vC(t)

t = 3 ms
VC = 95 %
0.4V t = 1 ms de VE
VC = 63.2 %
de VE

0V
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms

Temps

d V
VE = 1V , = 1 ms , pente lorigine v C (t ) = E , v C ( ) 0.632 V , v C (3 ) 0.95 V
dt t =0

3. Expression de t r ( )

10
v C (t1 ) = 0.1VE t1 = Ln
9 t r = t 2 t1 = Ln 9 soit t r 2.2
v (t ) = 0.9V t 2 = Ln 10
C 2 E

Lchelon est la combinaison de la variation de la tension la plus abrupte et de la plus lente


variation possible de tension.

4. Expression de t r (fh )

1 1 2 .2 0.35
H ( p) = avec h = tr ou t r
1+
p h fh
h
fh tant la frquence de coupure haute du passe-bas du 1 ordre.

Si le systme est un passe-bas plusieurs ples, cette relation est une approximation dautant
meilleure que la valeur de fh est faible devant celles des autres ples (ple dominant).

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Sonde passive doscilloscope

Soit le schma de principe dune sonde passive attnuatrice.

embout de sonde

CS

cble de mesure entre de l'oscilloscope

RS

vE CP
CC R0
capacit v0
100p 1Meg 13p
du cble

Lamplificateur vertical de loscilloscope est reprsent par le schma quivalent parallle R0 - C p aux
bornes duquel existe la tension v 0 (t ) .

1. Ecrivez la fonction de transfert V0 ( p) VE ( p) .


2. Donnez la condition pour que la fonction de transfert soit indpendante de la frquence. Evaluez
la rsistance RS pour avoir une attnuation de rapport 1/10 et dduisez la valeur de la capacit
CS0 dcoulant de la condition.
3. Dterminez limpdance dentre de la sonde branche sur loscilloscope, sous forme dun
schma R-C parallle la condition prcdente.
4. Calculez et tracez les rponses temporelles de v 0 (t ) un chelon de tension unit pour une
capacit de sonde rgle aux valeurs CS0 CS (on supposera que CS >> CS 10 et que les
bandes passantes de la sonde et de loscilloscope sont trs larges).

Le temps de monte lu sur lcran dun oscilloscope est donn par t rlu t r2signal + t r2oscillo + t r2sonde . Pour
effectuer cette mesure, on dispose dun oscilloscope associ une sonde dont les bandes passantes
sont respectivement de 100 MHz et de 500 MHz.

5. Calculez lerreur commise sur la mesure de signaux carrs dont le temps de monte serait de 5
ns et 50 ns.

0.35
Formulaire : t r , t r lu = t r2signal + t r2oscillo + t r2sonde .
fh

Corrig

Posons C0 = CC + CP = 113 pF , 0 = R0C0 et S = RSCS .

1. Fonction de transfert

V0 ( p ) Z0 ( p ) R R0 1 + S p
H ( p) = = avec Z ( p ) = H ( p) =
VE ( p ) Z0 ( p ) + ZS ( p ) 1 + RCp R0 + RS R0 S + RS 0
1+ p
R0 + RS

2. Condition pour un rgime apriodique


R0 S + RS 0
La fonction de transfert est indpendante de la frquence si S = soit S = 0 .
R0 + RS

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RS = 9R0 = 9 M
R0 1
Sonde attnuatrice de rapport 1/10 H = = C0
R0 + RS 10 CSO = = 12.56 pF
9

3. Impdance dentre de la sonde

Z E ( p ) = ZS ( p ) + Z 0 ( p )
10 R0 RE
Au rglage optimal de la sonde ZE ( p ) = = soit RE = 10 R0 = 10 M en
1 + R0C0 p 1 + RE CE p
parallle avec CE = C0 10 = 11.3 pF .

4. Rponses temporelles

CS = CS 0 CS S = 0


1 1 + ( 0 )p 1 p 1 1 1
H ( p) = 1 do V0 ( p )
10 10 1 + 0 p
10 p 0 1
1 + 0 p +p
10 0
t
1 CS 0
Transformation inverse de Laplace v 0 (t ) 1 e
10 CS0

Trois cas de rglage de la sonde apparaissent au sein de la simulation ci-dessous, savoir la


compensation optimale (CS = 0), la surcompensation (CS > 0), la sous compensation (CS < 0).

200mV

surcompensation Rponse un signal carr damplitude 2 Vpp

100mV

vO(t)
sous compensation
0V

compensation
optimale

-100mV

Rglage de la sonde Cs/Cs

-200mV
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms
Time

5. Erreur commise sur la mesure

0.35
Instrumentation : t r oscillo = = 3.5 ns (bande passante 100 MHz)
10 8
0.35
t rsonde = = 0.7 ns (bande passante 500 MHz)
5 10 8
Signal : t rlu t rsignal ( 1 % prs) pour t r signal = 50 ns
t rlu 6.14 ns , soit une erreur de 1.14 ns (23%) pour t rsignal = 5 ns .

Pour ltude de circuits numriques, nous constatons que linstrumentation nest pas assez
performante.

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Caractrisation dun quadriple

Le but de ce problme est de caractriser un quadriple, cest--dire dvaluer ses rsistance dentre
et de sortie et son transfert, en prsence dune source contrle.

i1 is

Rg R1

k i1 R2 vs Rch
ve
vg

1. Dterminez la rsistance dentre Re du quadriple charg par Rch .


2. Dterminez les lments RTh et vTh de Thvenin formant le diple de sortie du quadriple non
charg par Rch .
3. Dessinez le nouveau schma quivalent du quadriple, puis dessinez ce schma sous la forme
modlise dun amplificateur de tension.

Corrig

La difficult de la mise en quations du systme linaire et de sa rsolution vient de la prsence de la


source de courant k i1 contrle par le courant i1 de la branche supportant la rsistance R1 . Ce type
de source, symbolise par un losange, reprsente une modlisation de comportement correspondant
un transfert dun courant de branche (branche contrlante) vers une autre branche (branche
contrle) un coefficient constant prs (k). La source est donc dpendante dune autre branche et,
de ce fait, na rien de commun avec une source fournissant une excitation au circuit tel que le
gnrateur indpendant de tension symbolis par un cercle ( v g ).

1. Expression de la rsistance dentre

Le quadriple, charg par la rsistance de charge Rch , constitue un diple dont la rsistance
quivalente Re est obtenue par lapplication du thorme de Thvenin/Norton.
v0
Par dfinition, la rsistance dentre scrit Re = daprs le schma droite ci-dessous.
i1

i1 i1

R1 i2

v0 k i1 R2 Rch v0 Re

La topologie du circuit se simplifie en posant Req = R2 // Rch , ce qui conduit lcriture dune
maille et dun nud.

v 0 = R1 i1 + Req i 2
v 0 = R1 i1 + Req (k + 1)i1 , do Re = R1 + (k + 1)(R2 // Rch )
(k + 1)i1 = i 2

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2. Expressions des lments de Thvenin

La tension de Thvenin tant une tension vide, la rsistance de charge est donc dbranche. La
topologie prsente une maille et un nud, soit deux quations auxquelles il faut ajouter la tension
aux bornes de la rsistance R 2 afin de dfinir vTh .

i1

Rg R1 i2

k i1 R2 vth
vg

(k + 1)i1 = i 2 Rg + R1

( ) v g =

+ R2 i 2
do vTh =
(k + 1)R2
v g = Rg + R1 i1 + R2 i 2 k + 1 vg
Rg + R1 + (k + 1)R2
vTh =R2 i 2 Th
v = R i
2 2

Le diple devant tre passif, la source indpendante de tension v g est teinte, mais la source de
v0
courant contrle par le courant i1 est prsente. La rsistance du diple scrit RTh = .
i0

i1 i0 i0

R1 i2

Rg k i1 R2 v0
RTh v0

vg = 0

La topologie prsente deux mailles et un nud, donc un systme de trois quations rsoudre

i 0 + (k + 1)i1 = i 2

+ (k + 1)
v0 v0
v 0 =R2 i 2 i0 =
Rg + R1
v = R + R i
0 g ( 1 1 ) R2

1 1 k +1 Rg + R1
do = + (conductance) ou encore RTh = R2 // (rsistance).
RTh R2 Rg + R1 k +1

3. Schmas quivalents du quadriple

Le gnrateur ( v g , Rg ) voit ses bornes la rsistance dentre du quadriple et la charge voit


ses bornes le diple quivalent sous forme Thvenin.

Rg RTh

Re vs Rch
vg vTh

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

La modlisation du quadriple sous la forme dun amplificateur de tension utilise une source de
tension contrle par la tension v e aux bornes de la branche contrlante supportant Re . Dautre
part, la rsistance de sortie Rs du quadriple sidentifie RTh .

Rg Rs

ve Re vs Rch
vg Av ve

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Sensibilit dun pont de Wheatstone

Le schma du pont de Wheatstone est le suivant.

R1 R3

VE
1 VM 2

1Vdc
R2 R4

Le but de ce problme est de dfinir les conditions sur les quatre rsistances afin dobtenir une
sensibilit maximale du pont.

1. Ecrivez lexpression analytique de la tension diffrentielle VM aux points de mesure 1 et 2 et


dduisez la condition pour que cette tension soit nulle.
2. Dterminez la sensibilit du pont et crivez la condition sur les rsistances pour que cette
sensibilit soit maximale.
3. Pour des rsistances tolrance 1%, valuez lerreur maximale sur la tension VM dans le cas
dune sensibilit maximale du pont.

Corrig

1. Condition dquilibre du pont

R2
V1 = R + R VE R2
R4

1 2
VM = VE

V = R 4 1
R + R 2 R 3 + R4
V
2 R3 + R4 E

La condition pour que la tension diffrentielle VM soit nulle est R1R 4 = R2R3 .

2. Sensibilit du pont

La tension diffrentielle est fonction de cinq paramtres VM (R1, R2 , R3 , R 4 , VE ) et lapproche au


VM V V V V
premier ordre donne dVM = dR1 + M dR2 + M dR3 + M dR4 + M dVE avec
R1 R2 R3 R4 VE
VM R2 a 1 VM R1 a 1
= VE = VE , = VE = VE ,
R1 (R1 + R2 )2
(a + 1) R1
2 R2 (R1 + R2 )2
(a + 1) R2
2

VM R4 a 1 VM R3 a 1
= V = VE , = V = VE ,
R3 (R3 + R4 )2 E
(a + 1) 3
2 R R 4 (R3 + R4 )2 E
(a + 1) 4
2 R

VM R2 R4 R R
= = 0 en posant 1 = 3 = a .
VE R1 + R2 R3 + R4 R2 R 4

dR1 dR2 dR3 dR 4 a


do dVM = S + + VE avec S =
R1 R2 R3 R4 (a + 1)2

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dS 1
La sensibilit devient maximale si =0 a = 1 , Smax =
da 4
do la condition R1 = R2 et R3 = R 4 .

3. Erreur maximale sur la tension diffrentielle

R
VM = S 4 VE et pour Smax , VM max = 10 mV
R

La sensibilit du dtecteur de zro doit tre meilleure que lerreur maximale. Ainsi, pour mesurer
des rsistances avec une prcision de 1% partir dune source fournissant 1 V, il faut que le
dtecteur ait une sensibilit meilleure que 10 mV.

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Dispersion de caractristiques dun JFET

Ltude porte sur la comparaison de la dispersion, en rgime continu, obtenue partir de deux
topologies de schma (figures 1 et 2). Le constructeur donne les dispersions suivantes pour le
transistor effet de champ de type 2N4416A :

dispersions maximales I DSS = 15 mA, VP = 6 V


dispersions minimales I DSS = 5 mA, VP = 2.5 V

RD RG1 RD
2k 2k
J2N4416A J2N4416A
VCC VCC
J1 J1
30 V 30 V

RS RG2 RS1
1Meg

figure 1 figure 2

Polarisation automatique (figure 1)

La polarisation du transistor est obtenue automatiquement par la tension continue produite aux bornes
de la rsistance de source. Le transistor dispersion maximale est dabord mont dans ce circuit, puis
remplac par le transistor dispersion minimale.

1. Calculez la rsistance de source RS pour avoir le point de fonctionnement VGSo = 2 V dans le


cas de dispersion maximale.
2. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo .

Polarisation mixte (figure 2)

Une autre faon de polariser le transistor est employe, mettant en oeuvre la polarisation automatique
utilise prcdemment associe un pont de grille. Dans le cas o la rsistance RG1 est de valeur
infinie, le montage redevient polarisation automatique. Les dmarches analytiques restent
identiques, si ce nest dintroduire la nouvelle valeur de la rsistance de source.

3. En prenant la rsistance de source RS1 = 3 RS , calculez la rsistance de pont de grille RG1 pour
avoir le point de fonctionnement VGSo = 2 V dans le cas de dispersion maximale.
4. Evaluez la dispersion sur I Do , VDSo , VGSo .

Comparaison des deux topologies

5. Concluez sur le choix de la topologie du circuit.

Sylvain Gronimi Page 18 Polarisation dun transistor


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Corrig

Polarisation automatique

1. Evaluation de la rsistance RS
+VCC
V
2
I D = I DSS 1 GS
RD (transistor)
VP

ID
(
S
I I D )
IG=0
VDS

VGS VCC (RD + RS )I D + VDS


(circuit)
VGS RS I D
RS

systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , RS )

2
VGSo VGSo
I Do = I DSS 1 6.67 mA , RS
300 , VDSo VCC (RD + RS )I Do 14.7 V
VP I Do

2. Evaluation des dispersions

Le transistor dispersion minimale est mont en place du transistor prcdent. Les quations du
systme rsoudre demeurent inchanges, mais les inconnues sont maintenant I D , VGS , VDS , ce
qui conduit la rsolution dune quation du second degr.

2
VGS 1 2
+ VGS + 1 = 0 VGS 0.74 V telle que VP < VGS < 0 (JFET canal N)

VP2 I DSS RS VP
o 0

VGSo
et I Do = 2.48 mA , VDSo = VCC (RD + RS )I Do 24.3 V
RS

Les dispersions extrmes donnent des carts de position du point de repos dans le plan de sortie
I D 4.2 mA , VDS 9.6 V pour cette structure de circuit.

Polarisation mixte

3. Evaluation de la rsistance de pont de grille RG1

Une maille dentre unique apparat aprs application du thorme de Thvenin.

+VCC 2
V
I D = I DSS 1 GS (transistor)
RD
VP

( )
ID
RG
IG=0 VCC RD + RS1 I D + VDS
VDS (circuit)
VGS VG RS1 I D
VGS
VG
RS1
RG2
avec VG = VCC , RG = RG1 // RG2
RG1 + RG2

Sylvain Gronimi Page 19 Polarisation dun transistor


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I Do 6.67 mA , VG 4 V , RG1 6.5 M , VDSo 10.7 V

4. Evaluation des dispersions

Le transistor dispersion minimale est mont en place du transistor prcdent.

2
VGS 1 2 VG
+ V + 1 = 0 VGSo 0.11V , I Do 4.57 mA , VDSo 16.7 V
VP2 I DSS RS VP GS I DSS RS1
1

Les dispersions extrmes donnent des carts de position du point de repos dans le plan de sortie
I D 2.1 mA , VDS 6 V pour cette structure de circuit.

5. Conclusion

La polarisation mixte diminue le phnomne de dispersion. En effet dans le plan de sortie, les
plages des coordonnes du point de repos sont rduites de I D = 4.2 mA 2.1 mA et
VDS = 9.6 V 6 V .

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Polarisation dun transistor bipolaire

Ltude porte sur diverses topologies permettant de polariser un transistor bipolaire avec un courant
de collecteur donn et se placer sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
caractristiques de sortie.
Le transistor est de type 2N1711 ( typique = 150 ).

RB RC RC
RB
VCC VCC
20 V 20 V
Q1 Q1

figure 1 figure 2

RB RC RB1 RC
100k
VCC VCC
Q1 20 V Q1 20 V

RE RB2 RE
180 180

figure 3 figure 4

Dterminez les rsistances au sein des topologies suivantes, pour un courant ICo = 10 mA et en
prenant VBEo 0.6 V .

1. Polarisation simple (figure 1).


2. Polarisation par rsistance entre collecteur et base (figure 2).
3. Polarisation avec rsistance dmetteur (figure 3).
4. Polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base (figure 4).

Corrig

Le point de repos tant plac sensiblement au milieu de la droite de charge statique dans les
caractristiques de sortie, la tension VCEo VCC 2 = 10 V

1. Polarisation simple

+VCC VCC = RC IC + VCE



VCC = RB I B + VBE
RB RC I = I
C B
IC
IB
VCE VCC VCEo VCC VBEo
RC = = 1 k , RB = = 291 k
VBE IC o IC o

Sylvain Gronimi Page 21 Polarisation dun transistor


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2. Polarisation par rsistance entre collecteur et base

+VCC VCC = RC (IC + I B ) + VCE



RC VCE VBE = RB I B
I = I
RB
C B
IC
IB
VCE VCC VCEo VCEo VBEo
RC = 1 k , R B = = 141 k
VBE IC o +1 IC o

3. Polarisation avec rsistance dmetteur

+VCC VCC = VCE + RC IC + RE I E


VCC VCEo
VCC = RB I B + VBE + RE I E
RC RC RE = 820 ,
I E = I B + IC
RB
IC o
IC
I = I
IB C B
VCE

VBE VCC VBEo


RB RE 264 k
RE IC o

4. Polarisation avec rsistance dmetteur et pont de base

+VCC VB = RB I B + VBE + RE I E RB2


VB = VCC , RB = RB1 // RB2
VCC = RC IC + VCE + RE I E RB1 + RB2
RB1 RC

IC
VCC VCEo VBEo + RE ICo
IB RC RE = 820 , RB 18 k ,
VB VCE IC o VCC ICo

VBE RB1
RB2 RE RB2 22 k

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Stabilit du point de repos par rsistance dmetteur

Ltude porte sur le comportement du montage de la figure ci-dessous en fonction de la temprature.

RB1 RC
100k 1.5k
VCC
Q1 20 V

RB2 RE
470

Le transistor, de type 2N1711 ( typique = 150 ), possde les caractristiques constructeur


Ptot (TA 25 C )max = 0.8 W , TJmax = 200 C , RthJA = 220 C /W , RthJB = 58 C /W

Etude du rgime continu

1. En supposant IB << IC et VBE << VCE , crivez que la puissance Pd dissipe dans le transistor,
satisfait la condition dPd dIC = 0 et dduisez le point de repos correspondant et la valeur de la
rsistance RB 2 ncessaire pour polariser correctement le transistor ( VBE0 0.6 V ).
2. En prenant comme valeur de temprature ambiante TA = 25 C , calculez la temprature TJ de la
jonction.

Stabilit en temprature

3. Dans le cas gnral, crivez IC = [ (T ),VBE (T ),ICBO (T )] .


4. Dduisez les facteurs de stabilit SI = IC ICBO , SV = IC VBE , S = IC .
5. Evaluez dans le cas du montage dIC dT et dVCE dT sachant que, pour le silicium, le fabricant
indique dVBE dT 2.5 mV / C , d ( dT ) 0.5 % / C , dICBO (ICBO dT ) 11 % / C et
ICBO = 1 nA 25 C .

Corrig

Etude du rgime continu

1. Expression de la puissance dissipe


+VCC
VB = RB I B + VBE + RE I E

VCC = RC IC + VCE + RE I E
RB1 RC

IC I E = I B + IC
IC = I E + ICBO
VB
IB
VCE

RB2
VBE avec VB = VCC , RB = RB1 // RB2
RB2 RE
RB1 + RB2

Sylvain Gronimi Page 23 Polarisation dun transistor


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et ICBO courant de fuite de la jonction base-collecteur polarise en inverse (drive thermique).

Les deux jonctions prsentes par le transistor produisent une rsistance au passage des
courants, do une puissance dissipe en chaleur. La traverse du courant IC travers la jonction
base-collecteur, aux bornes de laquelle existe la tension VCB , produit une dissipation de
puissance gale VCB IC . De la mme faon, la puissance dissipe dans la jonction base-
metteur vaut VBE I E . La puissance dissipe dans le transistor scrit

Pd = VBE I E + VCB IC = VBE I B + (VCB + VBE )IC = VBE I B + VCE IC VCE IC car IB << IC et VBE << VCE .

La puissance transforme en chaleur dans le transistor est presque intgralement dissipe par la
jonction base-collecteur dont le courant de fuite ICBO varie en fonction de la temprature.

En considrant que I E IC ( >> 1 ) dans lquation de la maille de sortie,

Pd IC [VCC (RC + RE )IC ] do = 0 VCC = 2 (RC + RE )IC


dPd
dIC
cinquime quation du systme linaire dont les cinq inconnues sont I B , IC , I E , VCE , RB2 .

La puissance dissipe passe par un maximum au point de repos (fonction parabolique)


VCC V
IC o 5 mA et VCEo VCC (RC + RE ) ICo = CC = 10 V .
2 (RC + RE ) 2

Ces expressions, respectivement ordonne et abscisse du point de repos dans le plan de sortie
du transistor, montrent une polarisation en classe A (au milieu de la droite de charge statique). En
ce point, il y a le meilleur effet de stabilisation possible du courant collecteur en fonction de la
temprature. En effet, une variation de IC correspond une variation minimale de Pd (sommet
de la parabole). Il parat donc souhaitable de polariser le transistor au milieu de la droite de
charge condition, bien sur, de pouvoir dissiper la puissance maximale
2
VCC
Pdmax = 50 mW (<< 800 mW).
4 (RC + RE )

En considrant I E IC , la maille dentre scrit


RB I VBE o + RE ICo
VCC RB C + VBE + RE IC RB 18 k et RB2 22 k .
RB1 VCC ICo

RB1

2. Calcul de la temprature TJ

La puissance maximale que peut dissiper un transistor, pour une temprature ambiante
dtermine, est une constante qui dpend des dimensions gomtriques du transistor

TJ TA
Pd = (approche linaire)
RthJA

avec TJ temprature de la jonction ( TJmax = 200 C ), TA temprature ambiante ( TA = 25 C ),


RthJA rsistance thermique jonction-ambiant ( RthJA = 220 C /W ).
TJmax TA
A remarquer que la formule satisfait les donnes constructeur Ptotmax = 0 .8 W .
RthJA
La temprature de la jonction vaut TJ = T A + RthJA Pd = 36 C .

Sylvain Gronimi Page 24 Polarisation dun transistor


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Il est possible davoir une approche de la temprature du botier TB en considrant la rsistance


thermique jonction-botier ( RthJB = 58 C /W ), soit TB = TJ RthJB Pd 33 C .

Lutilisation dun radiateur permettrait daugmenter le pouvoir de dissipation du transistor,

TJ TA
Pd =
RthJB + RthBR + RthRA

avec RthBR rsistance thermique botier-radiateur, RthRA rsistance thermique radiateur-ambiant.


La somme des rsistances thermiques serait alors de valeur plus faible que la rsistance
thermique RthJA du transistor seul.

Stabilit en temprature

3. Expression de IC ( ,VBE , ICBO )

VB = RB I B + VBE + RE I E
VB = (RB + RE )I E + VBE RB IC

IC = I E + ICBO
+1 IC = + 1 I E + ICBO
I E = I B + IC

IC =
(RE + RB )( + 1)ICBO + (VB VBE )
RB + ( + 1)RE

Le courant collecteur est fonction dun ensemble de variables physiques dpendantes de la


temprature

4. Calcul des facteurs de stabilit

Ces facteurs sont les mesures de la stabilit de la polarisation du transistor. Ils sont dfinis
comme le rapport dune variation IC du courant collecteur due une variation de temprature,
la variation correspondante dune des fonctions suivantes ICBO (T ) , VBE (T ) , (T ) , les autres
variations tant nulles, do IC = SI ICBO + SV VBE + S .
Pour des variations suffisamment faibles des variables fonctions de la temprature, la relation au
IC I I
premier ordre est utilise dIC = dICBO + C dVBE + C d .
ICBO VBE

Il faut souligner que cette approche mathmatique par les drives partielles est une approche
linaire de phnomnes fortement non linaires. Les facteurs scrivent alors :

I
SI = C =
dIC
=
( + 1)(RB + RE ) , S = IC =
dIC
=

,
RB + ( + 1)RE RB + ( + 1)RE
V
ICBO VBE =cte
=cte
dICBO VBE ICBO = cte
=cte
dVBE

I
S = C
dI
= C =
(RB + RE ) ICo ICBO SI I
VICBO==cte d RB + ( + 1)RE ( + 1) o
C
cte
BE

Ces trois facteurs de stabilit du montage doivent simultanment avoir des valeurs les plus faibles
possibles. Les trois expressions ayant mme dnominateur, on se contentera de rendre possible
lingalit suivante RB << ( + 1)RE o RB reprsente le pont de base et ( + 1)RE limpdance
ramene lentre par la contre-raction.

Sylvain Gronimi Page 25 Polarisation dun transistor


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Deux cas extrmes peuvent tre envisags :


1 IC
- montage base commune RB = 0 SI = 1 , SV , S 2o
RE
IC o
- montage metteur commun RE = 0 SI = + 1 , SV = , S
RB
Le pire cas correspond au montage metteur commun qui est le plus souvent employ.

5. Drive du point de repos

Ces facteurs de stabilit permettent de calculer les variations du point de polarisation quand la
temprature varie.

dIC dICBO dVBE d dICBO dVBE d


dT = SI dT + SV dT + S dT = SI ICBO I + SV + S
CBO dT dT dT

CE (R + R ) C
dV dI
dT C E
dT

dIC 9 6 6
dT 3.45 10 + 4.24 10 + 5.16 10 9.4 A
do
dVCE (R + R ) dIC 19 mV / C
dT C E
dT

Lapplication numrique montre que linfluence du courant de fuite ICBO est ngligeable une
temprature raisonnable et que les variations sur VBE et jouent un rle fondamental. Sans
rsistance dmetteur, la drive aurait t cinq fois plus importante.

En conclusion, la prsence dune rsistance dmetteur diminue la fluctuation du point de repos


dans le plan de sortie IC (VCE ) du transistor.

Sylvain Gronimi Page 26 Polarisation dun transistor


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Etage dphaseur

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor est de type 2N1711
( typique = 150 ). Le composant CG est un condensateur de liaison.

RB RC
1k
rg CG VCC
Q1 20 V
50

RE vS1
vG
1k vS2

Etude du rgime continu

1. Calculez la valeur de la rsistance RB ncessaire pour que la tension VCE 0 soit de 10 V


( VBE0 0.6 V ).

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Dessinez le schma et valuez le paramtre rbe du modle du transistor ( rce = ).


3. Calculez les gains en tension A v1 = v s1 v g et A v 2 = v s2 v g .
4. Calculez la rsistance dentre Z e du montage.
5. Calculez les rsistances de sortie Z s1 et Z s2 correspondant respectivement aux signaux de sortie
v s1 et v s2 .
6. Concluez sur la dnomination du montage.

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Corrig

Etude du rgime continu

1. Evaluation de la rsistance RB

+VCC

RB RC
VCC = RB I B + VBE + RE I E

IC VCC = RC IC + VCE + RE I E

IB
Q1 VCE I E = I B + IC
I = I
VBE
C B

RE
systme de 4 quations 4 inconnues ( I B , IC , I E , RB )

En considrant I E IC ( >> 1 ), le systme se rduit 2 quations 2 inconnues ( IC , RB )


IC
VCC RB + VBE + RE IC VCC VCEo VCC VBE o RE ICo
IC o = 5 mA et RB = 432 k
V (R + R )I + V RC + RE IC o
CC C E C CE

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Schma et valuation du paramtre rbe

Aux frquences moyennes, le condensateur de liaison est quivalent un court-circuit.

rg rbe UT
i rbe = 750
i IC o
RB RC vs1
vg rce =
RE vs2

3. Calcul des gains en tension

En constatant que rg << RB dans lapplication du thorme de Thvenin, le systme scrit :


[
v g rg + rbe + ( + 1)RE i

]
v s1 = RC i

v s2 = ( + 1)RE i
vs
A v1 = 1
RC vs
et A v 2 = 2
( + 1)RE
vg rg + rbe + ( + 1)RE vg rg + rbe + ( + 1)RE

1 et A v 2 + 1 , car ( + 1)RE >> rg + rbe .


RC
soit A v1
RE

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4. Calcul de la rsistance dentre

Le diple reprsent est quivalent une rsistance par application du thorme de Thvenin.
Les courants dynamiques existant dans le diple sont gnrs par le courant dexcitation entrant
i 0 , issu de la source de tension v 0 .

i0 i0
i1 rbe
i
i
v0 RB v0 ze
RC

RE

i 0 = i1 + i

= RB // [rbe + ( + 1)RE ] 112 k
v v0 v0
v 0 = RB i1 i0 = 0 + do Z e =
v = r i + ( + 1)R i R B r be + ( + 1)RB i0
0 be B

Remarquons ici que la topologie du circuit prsente des branches en parallle, ce qui conduit
crire lexpression de la conductance du diple et non de sa rsistance (topologie srie). A la vue
du schma, cela se vrifie par la prsence de la rsistance RB en parallle sur la rsistance du
transistor vue de sa base.

5. Calcul des rsistances de sortie

Pour le calcul de la rsistance vue entre collecteur et masse, le courant dexcitation i 0 ne peut
traverser la branche de rsistance infinie que reprsente la source lie. Le circuit en amont ne
peut tre excit et i = 0 i = 0 . La rsistance du diple est donc Z s1 = RC .

i0

i=0 i=0
rbe
RE RC
v0
RG RB

Pour le calcul de la rsistance vue entre lmetteur et la masse, la topologie du circuit prsente
une mise en parallle des branches. Trouver RE en parallle aux autres branches apparat
vident. De plus, RC est en srie avec la rsistance infinie de la source lie et, de ce fait, ne doit
pas figurer dans lexpression de Z s2 . La source indpendante v g tant teinte dans le diple, le
courant dexcitation entrant i 0 peut atteindre la branche qui supporte rbe et la fraction de courant i
commande la source i .
i0

i i i1
rbe
RE
v0
rg RB RC

Sylvain Gronimi Page 29 Caractrisation dun amplificateur linaire


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i 0 = i1 ( + 1)i
i 1 +1 rbe + rg // RB
v 0 = RE i1 0 = + do Z s2 = RE // 5 .3
v 0 RE rbe + rg // RB +1
0 (
v = r + r // R i
be g B )

6. Conclusion

Les diples quivalents du montage sous forme Thvenin sont, dune part en sortie collecteur,
une source de tension indpendante damplitude v g et de phase oppose celle de lentre en
srie avec une rsistance Z s1 = 1 k (pseudo-metteur commun) et, dautre part en sortie
metteur, une source de tension indpendante damplitude v g et de mme phase que celle de
lentre en srie avec une rsistance Z s2 5.3 (metteur suiveur). Le montage dphaseur de
tension propose deux diples pour attaquer un ventuel montage suivant.

collecteur metteur

Zs1 Zs2

vg vs1 vg vs2

Lamplificateur de tension peut tre reprsent sous la forme dun quadriple faisant apparatre un
modle utilisant une source contrle de tension, associe une branche contrlante supportant
la rsistance dentre (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire .
collecteur metteur

rg Zs1 rg zs2
50 1k 50 5.3
Ze ze
ve vs1 ve vs2
112k 112k
vg vg
A v1 ve A v2 ve

Ze
avec v e = v g v g car Ze >> rg
Z e + rg
v s1 = A v 1v g A v 1v e v e et v s2 = A v 2 v g A v 2 v e + v e

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Etage source commune

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous sous la forme dun diple et dun
quadriple. Le transistor effet de champ possde les caractristiques I DSS = 15 mA, VP = 6 V .
La rsistance Rch reprsente la charge extrieure de ltage. Les condensateurs ont une fonction de
liaison (couplage).

RD
2k CL

rg CG J1 VCC

30 V
50 Rch
8k
R RS
vG 100k 300 CS

Etude du rgime continu

1. Dterminez les points de fonctionnement du transistor.

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Dessinez le schma et valuez le paramtre g m du modle du transistor ( rds = ).


3. Calculez la rsistance dentre Z e vue par le diple dattaque ( v g , rg ).
4. Ecrivez les expressions des lments du diple de Thvenin ( v s0 , Z s ) du montage attaquant la
charge Rch .
5. Identifiez les lments du quadriple reprsentatif de lamplificateur de tension, attaqu par le
diple dattaque et charg par Rch .
6. Evaluez le transfert en tension v s v g .

Corrig

Etude du rgime continu

1. Calcul des points de fonctionnement

En continu ( = 0 ), les condensateurs de liaison sont quivalents des circuits ouverts


1
( = ).
C
+VCC
VCC (RD + RS )I D + VDS
RD 2
ID VGS
D
I = I
DSS 1
IG=0
VDS VP
V R I
VGS GS S D
R RS

systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )

Sylvain Gronimi Page 31 Caractrisation dun amplificateur linaire


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

2
VGS 1 2
+ VGS + 1 = 0 VGS 2 V et I D 6.67 mA , VDS 14.7 V .

VP2 DSS S
I R VP
o o o

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Schma et valuation du paramtre g m

Aux frquences moyennes, les condensateurs de liaison sont quivalents des courts-circuits.

2
rg
vgs
gm = I DSS I Do 3.33 mA / V
vs VP
R gm vgs RD Rch
(canal N)
vg

3. Calcul de la rsistance dentre vue par lattaque

Le diple contient tout le circuit (y compris la


i0
G charge). La rsistance dentre vue de la grille
du JFET tant de valeur norme (jonction en
v0 R
inverse), le courant dexcitation i 0 du diple se
dirige entirement dans la rsistance R.
Z e = R = 100 k

4. Diple de Thvenin

Calcul de Z s vue par la charge Rch


i0
Le courant i 0 , issu de la source de tension v 0
extrieure applique au diple, est lunique
rg vgs = 0 gm vgs courant dexcitation du circuit puisque v g = 0
=0
R RD v0 (source teinte). Il ny a donc aucune possibilit
vg = 0 datteindre la partie amont du circuit et v gs = 0 .
ZS = RD = 2 k

La tension vide, appele v s0 , se calcule en dconnectant la charge.


R
v gs = R + r v g R
g v s0 = g m RD vg
v = g v R R + rg
s0 m gs D

La tension de sortie en charge est


RD

vs Rch
v s0 = g m (RD // Rch )
Rch R
vs = vg
vs0 Rch + RD R + rg

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5. Quadriple reprsentatif de lamplificateur de tension

Lamplificateur de tension peut tre reprsent sous la forme dun quadriple faisant apparatre un
modle utilisant une source contrle de tension, associe une branche contrlante supportant
la rsistance dentre (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire .

rg RD

ve R vs Rch

vg
A v ve

La branche dentre sidentifie Z e = R . Le diple de sortie sidentifie au diple de Thvenin


attaquant la charge dont les lments sont ZS = RD et A v v e . Le transfert en tension A v est le
coefficient de proportionnalit de la variable de commande v e tel que
R
Av v e = Av v g = v s0 A v = g m R D
R + rg

6. Evaluation du transfert en tension

Lexpression analytique de la tension de sortie en charge est :


A v v e = g m (RD // Rch )
Rch R v
vs = v g s 5.33
Rch + RD R + rg vg
(mme expression que pour le diple, videmment).

Sylvain Gronimi Page 33 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Etage collecteur commun charg par un miroir de courant

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous (rsistance dentre, rsistance
de sortie, transfert en tension, frquence de coupure basse).
Les transistors sont tous identiques tels que = 100 ( >> 1), VBE0 = 0.6 V , rce = 100 k . Le
composant C est un condensateur de liaison.

RB

C R
Q1
VCC

ve 10 V

Q2 Q3
vs

Etude du rgime continu

1. Evaluez la rsistance R pour que la source de courant produise I E1 = 1 mA . ainsi que la rsistance
RB pour avoir VCE2 = 0.6 V .

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Dessinez le schma et valuez le paramtre rbe du modle du transistor Q1 .


3. Calculez le transfert en tension A V = v s v e . la rsistance dentre Z e et la rsistance de sortie
Zs .

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences basses

4. Evaluez la capacit de liaison afin dobtenir une frquence de coupure de lordre du hertz.

Sylvain Gronimi Page 34 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Corrig

Etude du rgime continu

IR
RB

R
Q1
VCC
IB1
IE1

Q2 Q3

1. Evaluation des rsistances

Les composants Q2 , Q3 et R constituent un miroir lmentaire qui reconduit le courant I R en


sortie de Q2 .
VCC = R I R + VBE3 VCC VBEo
R = 9 .4 k
I R I E1 I E1

Evaluation de la rsistance RB
VCC = RB I B1 + VBE1 + VCE2 VCC VBEo VCE2
RB = 880 k
I E1 IC1 = I B1 ( >> 1) I E1

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Schma et valuation du paramtre du modle

Aux frquences moyennes, le condensateur de liaison est quivalent un court-circuit.

ie i

rbe1 UT
rbe1 = 2 .5 k
i IC1
RB req vs
ve rce
req = rce1 // rce2 = = 50 k .
2

3. Caractrisation de ltage

Calcul du gain en tension

[
v e rbe1 + ( + 1)req i] vs ( + 1)req
Av = = 1.
v s = ( + 1)req i v e rbe1 + ( + 1)req

Sylvain Gronimi Page 35 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Calcul de la rsistance dentre

Le diple reprsent est quivalent une rsistance par application du thorme de Thvenin.
Les courants dynamiques existant dans le diple sont gnrs par le courant dexcitation entrant
i 0 , issu de la source de tension v 0 .

i0 i i0

i1 rbe1
i
RB req v0 ze
v0

i 0 = i1 + i
v v0
v 0 = RB i1 i0 = 0 +
v = r i + ( + 1)r i R B r be1 + ( + 1)req
0 be1 eq

do Z e =
v0
i0
[
= RB // rbe + ( + 1)req 750 k ]

Calcul de la rsistance de sortie

i i0

rbe1 i1
i
RB req
ve = 0
v0

La source indpendante v e tant teinte dans le diple, le courant dexcitation entrant i 0 peut
atteindre la branche qui supporte rbe1 et la fraction de courant i commande la source i .
i 0 = i1 ( + 1)i
i 1 +1 rbe1 rbe
v 0 = req i1 0 = + do Z s = req // 1 = 25 .
v 0 req rbe1 +1
v 0 = rbe1 i

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences basses

4. Calcul de la capacit

Constatons que le montage reprsente une simple rsistance sidentifiant la rsistance dentre.

ve 1
Ze fb = C 212 nF avec fb = 1 Hz .
2 Z e C

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Etage diffrentiel JBT

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les deux transistors
sont supposs technologiquement identiques avec = 200, VA trs grand .

RC RC
VCC
S1 15 V

Q1 Q2

V1 V2 VCC

RE 15 V

Etude du rgime continu

1. Dmontrez que les courants collecteurs des transistors sont gaux.


2. En prenant I 0 = 200 A , valuez la rsistance RE .

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

3. Evaluez les paramtres rbe1 et rbe2 des modles des transistors.


4. Exprimez la tension de sortie sous la forme v s1 = Ad (v 1 v 2 ) + Ac (v 1 + v 2 ) 2 .
5. Evaluer RC pour avoir Ad = 100 , puis calculez le taux de rjection de mode commun TRMC .
6. Calculez la valeur de limpdance dentre diffrentielle Z d .
7. Calculez la valeur de limpdance dentre de mode commun Z c .

La rsistance RE est remplace par un miroir de courant lmentaire Q3 - Q4 avec VA = 100 V (voir
problme miroir lmentaire pour polarisation dtage , la polarisation tant directement
compatible.

8. Evaluez le nouveau taux de rjection de mode commun.

Sylvain Gronimi Page 37 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Corrig

Etude du rgime continu

RC RC
VCC

IC1 IC2 15 V

Q1 Q2

VBE1 VBE2 VCC

RE 15 V

I0

1. Relation des courants collecteurs


VBE1
I I e UT
B BS
Equations technologiques Q1 Q2 1
VBE2

I B2 I BS e UT

Equation de la maille dentre VBE1 = VBE 2 IC1 IC2

2. Evaluation de la rsistance RE
I0 VCC VBE1
IC1 = IC1 = ICo = 100 A et RE = o
72 k
o o 2 I0

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

vs1 RC RC

Q1 Q2

v1 v2
RE

ie1 + ie2

3. Evaluation des paramtres des modles rbe1 et rbe2


UT
rbe = rbe1 = rbe2 = = 50 k
IC0

4. Expression de la tension de sortie

Mthode classique
(voir cours Montages plusieurs transistors )

Sylvain Gronimi Page 38 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Mthode du demi-schma (voir annexe sur Mthode de travail pour la caractrisation linaire
dun tage diffrentiel )

vs1 RC RC vs1 RC RC vd
v1 = + vc
ie1 = - ie2 ie1 = ie2 2
Q1 Q2 Q1 Q2 v
v2 = d + vc
vd / 2 - vd / 2 vc vc 2
masse
RE virtuelle RE

0 ie1 + ie2 = 2 ie

Pour le rgime diffrentiel, le montage (parfaitement symtrique) se rduit au montage metteur


commun de gauche, les tensions dmetteur et de masse tant quipotentielles puisque la
rsistance RE est traverse par un courant nul. La tension de sortie v s1 est gauche :
RC v d
v s1 =
rbe1 2
Pour le rgime de mode commun, le montage se rduit au montage pseudo-metteur commun,
lmetteur de Q1 voyant une rsistance quivalente 2 RE traverse par son courant dmetteur :
RC
v s1 = vc
rbe1 + 2 ( + 1)RE
RC RC
Le thorme de superposition donne v s1 = vd vc
2 rbe1 rbe1 + 2 ( + 1)RE
v s1 RC v s1 RC
On identifie Ad = = et Ac = =
vd 2 rbe1 vc rbe1 + 2 ( + 1)RE

5. Evaluation de la rsistance RC et du taux de rjection TRMC


2 rbe Ad 1
= + ( + 1) E 289 (49.2 dB)
Ad R
RC = = 50 k , TRMC =
Ac 2 rbe1

6. Evaluation de la rsistance diffrentielle Z d


Z d = rbe1 + rbe2 = 100 k (rsistance inter-bases, vue par la tension diffrentielle dentre)

7. Evaluation de la rsistance de mode commun Z c


Z c = rbe1 + 2 ( + 1)RE 29 M (rsistance entre base et masse, vue par la tension de mode
commun dentre pour le demi-schma)
La source v c voit ses bornes une rsistance Z c 2

8. Evaluation du nouveau taux de rjection TRMC


VA
La charge dynamique du miroir rce3,4 = 500 k remplace la rsistance RE = 72 k , ce qui
I0
amliore les performances de ltage diffrentiel ( TRMC 66 dB , Z c 201 M )

Sylvain Gronimi Page 39 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Etage diffrentiel JFET

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les deux transistors
sont supposs technologiquement identiques avec I DSS = 2 mA, VP = 2 V .

+VCC +VCC

RD RD
vs
10k 10k

J1 J2

v1 v2
I0

J3

RS
500

-VCC

Etude en rgime continu

1. Evaluez les courants de drain des transistors.

Etude du rgime dynamique faibles signaux aux frquences moyennes

2. Dduisez de ltude du rgime continu, les valeurs des paramtres g mi des transistors J i .
3. Ecrivez lexpression de la rsistance dynamique z0 de la source de courant I 0 vue entre le drain
et la masse. Evaluez cette dernire, le paramtre rds3 tant estim 100 k.
4. Les paramtres rds des transistors J1 et J 2 tant ngligs, crivez puis valuez les gains en
vs v
tension Ad = et Ac = s .
vd vc
5. Dduisez le TRMC en dB.
6. Evaluez les rsistances diffrentielle Z d , de mode commun Z c et de sortie Z s du montage.

Sylvain Gronimi Page 40 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Corrig

Etude du rgime continu


+VCC +VCC

RD RD
10k 10k

ID1 ID2
J1 J2

0 VGS1 VGS2 0
I0

J3

VGS3
RS
0 500

-VCC

1. Evaluation des courants de drain des transistors

VGS1
2
I = I
DSS 1
D1
Vp

VGS2
2

Equations technologiques ( J1 J 2 J 3 ) I D2 = I DSS 1 (mmes I DSS , VP )
Vp
2
VGS3

I D3 = I DSS 1
Vp

I 0 I D = I D + I D
3 1 2

Equations du circuit VGS1 VGS2 = 0



VGS3 = RS I 0
I0
I D1 = I D2 = 2
R2 2 RS 1
do 2 S2 I 02 + I0 + 1 = 0

I = I RS I 0 Vp Vp I DSS
0 DSS 1 +
V p

soit I 0 1.07 mA, I D1 = I D2 536 A


o o

2. Evaluation des paramtres g mi

2
gm = I Do I DSS , g m1 = g m2 1.035 mA / V , g m3 1.46 mA / V
Vp

Sylvain Gronimi Page 41 Caractrisation dun amplificateur linaire


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3. Calcul de la charge dynamique

i0

v 0 = rds3 (i 0 g m3 v gs ) + RS i 0
rds3
v gs = RS i 0
i0 - gm vgs gm vgs
v
0

RS vgs
z0 =
v0
i0
( )
= RS + 1 + g m3 RS rds3 173 k

4. Expression de la tension de sortie

La mthode du demi-schma est mise en uvre (voir annexe sur Mthode de travail pour la
caractrisation linaire dun tage diffrentiel symtrique).

G1 S1 S2 G2

vgs1 vgs2
gm vgs1 z0 gm vgs2 vd / 2
vd / 2

D1 D2
vc vc
RD RD vs

Pour le rgime diffrentiel, le montage se rduit au montage source commune, car la charge z0
est traverse par un courant nul et la tension de sortie v s est droite, do
v v g R
v s = g m RD d do le gain diffrentiel Ad = s = m D 5.18 .
2 v d 2

Pour le rgime de mode commun, le montage se rduit au montage pseudo-source commune, la


source de J 2 voyant une charge quivalente 2 z0 traverse par son courant de source, do
g m RD vs g m RD
vs = vc do le gain de mode commun Ac = = 29 10 3 .
1+ 2 g m z0 vc 1 + 2 g m z0

Le thorme de superposition donne v s = Ad v d + Ac v c .

5. Evaluation du TRMC

Ad 1
TRMC = = + g m z0 180 (45 dB)
Ac 2

6. Calcul des rsistances diffrentielle, de mode commun et de sortie du montage

Z d = , Z c = , Z s = RD = 10 k

Sylvain Gronimi Page 42 Caractrisation dun amplificateur linaire


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Rponse en frquence dun tage metteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Le


transistor possde les caractristiques suivantes

= 150, ft = 70 MHz,Cbc = 20 pF , VA =

Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.

RB1 RC
100k 1.5k
rg CG Q1 VCC
S

50 10u 20 V

RB2 RE CE
vG 22k 470 100u

Etude du rgime continu

1. Dterminez le point de repos du transistor.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2. Dduisez la valeur du paramtre rbe de ltude prcdente.


3. Aux frquences moyennes, calculez le gain en tension Av o = v s v g , les rsistances dentre et
de sortie.
4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage.
5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage.

Sylvain Gronimi Page 43 Rponse en frquence


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Corrig

Etude du rgime continu

RC
RB1
IC
IB VCC
VCE

VBE
RB2 RE

IE

1. Point de repos du transistor

VCC (RC + RE )IC + VCE RB2


avec VB = VCC et RB = RB1 // RB2
VB = RB I B + VBE + RE I E RB1 + RB2

RB 18 k , IC0 5.07 mA

Etude du rgime dynamique

2. Rsistance dynamique de la jonction base-metteur

UT
rbe 740
IC 0

3. Gain en tension aux frquences moyennes

rg ib
rbe
RB RC vs

ib
vg

Ce schma peut tre simplifi au regard des valeurs numriques, car RB >> rg par Thvenin.

( )
v g rg + rbe i b v RC
Av o = s 285
v s = i b RC vg rg + rbe

soit un gain damplitude de 285 avec dphasage de ou encore gain de 49 dB.

Les rsistances dentre et de sortie scrivent : Z e = RB // rbe 711 et Z s = RC 1.5 k .

Sylvain Gronimi Page 44 Rponse en frquence


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4. Frquence de coupure basse

Schma aux frquences basses

CG

rg rbe

RB ib ib RC

vg

RE
CE

La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des
deux condensateurs indpendants au sein du montage.

Mthode classique de mise en quations

1
3 = R C
E E

p P RB + rbe + ( + 1)RE
4 =
1 +


3 4 R [
B rg + rbe RB + rg CG ( )]
Av ( p ) = Av o avec
2 2 = r + R // [r + ( + 1)R ] C + R // rbe + RB
1+
n
p+
p2
n2 n g { B be E G E +1
} CE


1 1 [
RB rg + rbe RB + rg CG RE CE ( )]
2 = = RB + rbe + ( + 1)RE
n 3 4

Le calcul du coefficient damortissement et de la pulsation naturelle n du systme non amorti


permet lvaluation de la frquence de coupure 3 dB (voir cours Le filtrage analogique ).

c = n 2 2 1 + ( 2 2 1)2 + 1 soit fc 327 Hz (filtre passe-haut du second ordre).

Mthode par lapproximation du ple dominant

Calcul du premier ple :

Rsistance RG du diple vu par CG lorsque CE est assimil un court-circuit.

RG

rg RB rbe RC
i
i

RG = rg + RB // rbe 761

Sylvain Gronimi Page 45 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Rsistance RE du diple vu par CE lorsque CG est assimil un court-circuit.

i0

rbe i i i1
i
i rbe
rg //RB RC
RE v0
RE RE RC
rg //RB

v0
i1 =
R

E
1 +1 rg // RB + rbe
i 0 = i1 ( + 1)i
i0
= + do RE = // RE 5.21
v0
v 0 RE rbe + rg // RB ( ) +1
i =
(
rbe + rg // RB )
1 1 1
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB, fb 326 Hz .
2 R C + R C
G G E E

Calcul du deuxime ple :


Rsistance RE0 du diple vu par CE lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
Rsistance RG0 du diple vu par CG lorsque CE est assimil un circuit ouvert.

RG0

rbe
i
i
RB RC
rg

RE RE0

RB + rbe
RG0 = rg + RB // [rbe + ( + 1)RE ] 14440 , RE0 = RE // 95.8
+1
1
do f3 1 Hz
2 (RG0 CG + RE0 CE )

Calcul du zro :
Le zro est produit par la liaison entre metteur et masse, couplage d CE . En effet, si
lmetteur du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc
RE 1 1
= p= et f2 = 3.39 Hz .
1 + RE C E p R E CE 2 RE CE

Les rsultats sont valables avec une excellente prcision car les deux ples sont spars de plus
de deux dcades et le zro est deux dcades en dessous du ple dominant. La simulation sur
Spice confirme ces chiffres.

Sylvain Gronimi Page 46 Rponse en frquence


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5. Frquence de coupure haute

IC 0
Estimation de la capacit de diffusion Cbe + Cbc = Cbc = 20 pF , Cbe 440 pF
2 UT ft

Schma aux frquences hautes

Cbc
rg
Cbe
RB v rbe gm v Rc vs

vg

La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des
deux capacits indpendantes au sein du montage.

Mthode classique de mise en quations

Lcriture de la fonction de transfert en tension est la suivante :


gm
z =
p C
1 bc
Z 2
AV ( p ) = AVo
2
avec ( ) [ (
= rg // RB // rbe Cbe + RC + (1 + g m RC ) rg // RB // rbe Cb 'c )]
1+ p+
p2 n
n n2 1
(
2 = rg // RB // rbe RC Cbe Cbc )
n

Le calcul du coefficient damortissement et de la pulsation naturelle n du systme non amorti


permet lvaluation de la frquence de coupure 3 dB (voir cours Le filtrage analogique ).

c = n 1 2 2 + ( 2 2 1)2 + 1 soit fc 477 kHz (filtre passe-bas du second ordre).

Mthode par lapproximation du ple dominant

Calcul du premier ple :

0
Rbc

v 0
rg rbe R be RC
RB
gm v

Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :


0
Rbe = rg // RB // rbe 46.7

Sylvain Gronimi Page 47 Rponse en frquence


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Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert :

0
Rbe
i0

v
gm v 0 i + R (i + g v )
v 0 = R be 0 C 0 m
v0 RC
v = R be
0 i
0

0
Rbc = (1 + g m RC )Rbe
0
+ RC 15730

1
0
a1 = Rbe 0
Cbe + Rbc Cbc 3.35 10 7 s , fh 475 kHz ce qui donne la frquence de coupure
2 a1
- 3 dB.

Calcul du deuxime ple :

Rsistance Rbc
be du diple vu par C
bc lorsque C be est assimil un court-circuit :

be
Rbc

be = R = 1.5 k
Rbc C
v=0 RC
gm v = 0

a1
a2 = Rbe
0 C R be C
bc 6.17 10
16 s 2 , do f
2 86.5 MHz .
2 a2
be bc

Calcul du zro :

Le zro est produit de manire telle que le courant circulant dans la charge RC est nul, couplage
d Cbc . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cbc est gal au courant fourni
par la source lie, donc
g gm
Cbc p V ( p ) = g m V ( p ) p = m et f3 = 1.6 GHz .
C bc 2 Cbc

Malgr que les calculs, conduisant lvaluation de f2 , outrepasse le domaine de validit du


modle de comportement en frquence du transistor ( f2 et f3 > ft ), la frquence de coupure haute
demeure valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus de deux
dcades. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision infrieure 1%.

Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une
frquence de coupure corrige telle que
1 1 1 1 1 1
2 a1 = + do f1 = fhcorrige 478 kHz en prenant la valeur trouve de
fh f1 f 2 f1 fh f2
f2 (valeur approche).

Sylvain Gronimi Page 48 Rponse en frquence


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Mthode par transformation de schma par application du thorme de Miller

Le schma H.F. fait apparatre un quadriple pont par la branche capacitive C bc . Le thorme
de Miller (voir Annexes ) conduit au schma suivant (rappelons que le circuit de sortie ne sert
que pour exprimer le transfert en tension).

avec C1 = (1 + g m RC )Cbc
rg Cbe C1
RC
RB v rbe et R1 =
R1 1 + g m RC
vg

Calcul du premier ple :

0
Rsistance du diple vu par C be lorsque C1 est assimil un circuit ouvert : Rbe = rg // RB // rbe .
Rsistance du diple vu par C1 lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert : R10 = R be
0
+ R1 .

0
soit a1 = Rbe [
Cbe + Cbc (1 + g m RC )Rbe
0
]
+ RC (mme rsultat que prcdemment).

Calcul du deuxime ple :

Rsistance R1be du diple vu par C1 lorsque Cbe est assimil un court-circuit : R1be = R1
0 0
soit a2 = Rbe Cbe R1be C1 = Rbe Cbe RC Cbc (mme rsultat que prcdemment).

La simulation sur Spice illustre ces rsultats. De plus, si la position du deuxime ple est accepte
( f2 > ft ), la marge de phase de lordre de 40 dmontre une bonne stabilit de lamplificateur.

80
(16.853K, 49.051)
(327.975, 46.058) (477.173K, 46.049)

(3.4146, 12.023)
40

(92.289M, 20.262m)

(1.1307, 7.1713)

marge de phase 40
-40
0 dB

-80
10mHz 1.0Hz 100Hz 10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 49 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

0d

(12.430K, -180.004)
(473.028K, -225.027)

-200d
(321.990, -135.004) (80.309M, -315.194)

-400d
(92.350M, -320.013)

-600d
10mHz 1.0Hz 100Hz 10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz
P(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 50 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Rponse en frquence dun tage base commune

Le sujet propos porte sur ltude en rgime dynamique du montage base commune de la figure ci-
dessous. Les paramtres du modle en comportement linaire du transistor sont :

= 150, rbe = 740 ,Cbe = 440 pF ,Cbc = 20 pF ,VA =

Les composants CG et CB sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.

RB1 RC
100k 1.5k
VCC
Q
CG rg
20 V
CB vs
RB2 RE 10u 50
10u
22k 470 vg

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Dessinez le schma.
2. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre et de sortie.

Etude du rgime dynamique aux frquences basses

3. Dessinez le schma.
4. Evaluez linfluence de chacun des condensateurs CG et CB sur la frquence de coupure, lautre
tant quivalent un court-circuit. Concluez sur la frquence fb de coupure basse du montage.
5. Evaluer la frquence fb par la mthode de lapproximation du ple dominant.

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

6. Dessinez le schma.
7. En se plaant dans lhypothse dun ple dominant, calculez la frquence fh de coupure haute du
montage.
8. Validez lhypothse du ple dominant.

Sylvain Gronimi Page 51 Rponse en frquence


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Corrig

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Schma

rg i
i
RE rbe RC vs

vg

2. Caractrisation du montage
RE R E rg
Ce schma peut tre simplifi par Thvenin v g' = v g et rg' = .
R E + rg R E + rg
[ ]
v g' = ( + 1)rg' + rbe i
=
vs vs vg
=
'
=
RC RE
26.9 (+28.6 dB)

v s = i RC
Av0
v g v ' v
g g
( + 1) r g // R (
E + r be R )
E + rg

rbe
Les rsistances dentre et de sortie scrivent : Ze = RE // 4.9 et Z s = RC 1.5 k .
+1

Etude du rgime dynamique aux frquences basses

3. Schma

CB RB rbe RC

i
i

CG
RE
rg

vg

La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des
deux condensateurs indpendants au sein du montage. La recherche de la frquence de coupure
basse peut tre alors entreprise de deux manires :

- constater linfluence dun des condensateurs pris de manire indpendante, les autres tant
assimils des court-circuits et interprter globalement les rsultats obtenus,
- appliquer la mthode dapproximation du ple dominant, en noubliant pas de valider
lhypothse.

4. Influence de chaque condensateur pris indpendamment

Frquence de coupure due linfluence du condensateur CB

Sylvain Gronimi Page 52 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Le composant CG tant quivalent un court-circuit ( f = ), le but est de calculer la constante de


temps de coupure de la maille, cest--dire dcrire lexpression de la rsistance RB du diple vu
par CB (thorme de Thvenin / Norton).

i0

RB rbe RC
v0
i i

RE // rg

v0
i 0 = R + i
B [
RB = RB // rbe + ( + 1) RE // rg 5326 ( )]
0 [
be E g(
v = r + ( + 1) R // r i )]
1
soit une frquence de coupure fb1 = 3 Hz .
2 RB CB

Frquence de coupure due linfluence du condensateur CG

Le composant CB tant quivalent un court-circuit ( f = ), on recherche lexpression de la


rsistance RG du diple vu par CG .

i0

i
i1
i

rbe RE v0
RC
rg

i1 = i 0 + ( + 1)i
RE
1 + ( + 1) 1 0
i = i RE
v 0 = RE i1 + rg i 0 rbe v0 = + rg i 0
v = R i + r i 1 + ( + 1) RE
rbe i = RE i1 0 E 1 g 0
r be

rbe 1
RG = // RE + rg 54.8 , soit une frquence de coupure fb2 = 290 Hz .
+1 2 RG CG

Linfluence de CG apparat prpondrante vis--vis de CB car deux dcades sparent les ples,
ce qui entrane une frquence de coupure basse fb 290 Hz .

5. Mthode par lapproximation du ple dominant

Calcul du premier ple :


1 1 1
= fb + fb 293 Hz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB.
fb +
2 RG CG RE CE

1 2

Sylvain Gronimi Page 53 Rponse en frquence


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Calcul du deuxime ple :


Rsistance R B0 du diple vu par CB lorsque CG est assimil un circuit ouvert.
Rsistance RG0 du diple vu par CG lorsque CB est assimil un circuit ouvert.

RB rbe RC
RB0
i
i

RE
rg
RG0

RB + rbe
RB0 = RB // [rbe + ( + 1)RE ] 14388 , RG0 = RE // + rg 148
+1
1
do f3 1.1 Hz
2 (RG0 CG + RB0 CB )

Calcul du zro :
Le zro est obtenu par le couplage d CB . En effet, si la base du transistor est en lair, le
RB 1 1
courant dans la charge est nul, donc = p= et f2 = 0.88 Hz .
1 + RBCB RBCB 2 RB CB

Les rsultats sont valables avec une excellente prcision car les deux ples sont spars de plus
de deux dcades et le zro est deux dcades en dessous du ple dominant. La simulation sur
Spice confirme ces chiffres.

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

6. Schma

Cbc
Cbe rbe RC

i i

RE
rg

vg

La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des
deux capacits indpendantes au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant est applique.

7. Frquence de coupure haute

Calcul du premier ple :


Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :

Sylvain Gronimi Page 54 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

i0

i
i i1

rbe rg //RE v0
RC

i 0 + ( + 1)i = i1

+ ( + 1) 0 Rbe
v0 v 0 r
v 0 = rbe i i0 = = rg // RE // be 4.42
// +1
0 g(
v = r // R i
E 1 ) r g R E r be

Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert :


0 = R = 1.5 k car i = 0 .
Rbc C

8 s , f
1
a1 = Rbe
0 C
be + R bc C bc 3.195 10
0 4.98 MHz (frquence de coupure 3 dB).
2 a1
h

Calcul du deuxime ple :


bc = R 0 .
Rsistance du diple vu par Cbe lorsque Cbc est assimil un court-circuit : Rbe be
be
Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un court-circuit : Rbc = RC .
a1
a2 = Rbe
0 C
be R bc C bc = R be C be R bc C bc 5.834 10
be bc 0 17 s 2 , do f
2 87.2 MHz
2 a2

Malgr que le calcul conduisant lvaluation de f2 outrepasse le domaine de validit du modle


de comportement en frquence du transistor ( f2 > ft ), la frquence de coupure haute demeure
valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus dune dcade.
Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision denviron 5%. Sur un plan
purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une frquence de
coupure corrige telle que
1 1 1 1 1 1
2 a1 = + do et f1 = fhcorrige 5.28 MHz (avec f2 valeur approche).
fh f1 f 2 f1 fh f2

La simulation sur Spice illustre les rsultats.


40
(45.243K, 28.588)

20 20 dB / decade

(291.838, 25.575) (5.2867M, 25.575)

(77.787M, 2.4421)
-20

40 dB / decade

-40
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 55 Rponse en frquence


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Rponse en frquence dun tage collecteur commun

Le sujet propos porte sur ltude en rgime dynamique du montage collecteur commun de la figure
ci-dessous. Les paramtres du modle en comportement linaire du transistor sont :

= 150, rbe = 755 ,Cbe = 432 pF ,Cbc = 20 pF ,VA =

Le composant CG est un condensateur de liaison.

RB
284k

rg CG VCC
Q
3k 10n
20 V
vg
RE
2k vs

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Dessinez le schma.
2. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre et de sortie.

Etude du rgime dynamique aux frquences basses

3. Dessinez le schma.
4. Evaluez la frquence fb de coupure basse du montage.

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

5. Dessinez le schma.
6. En se plaant dans lhypothse dun ple dominant, calculez la frquence fh de coupure haute du
montage.
7. Validez lhypothse du ple dominant.

Sylvain Gronimi Page 56 Rponse en frquence


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Corrig

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Schma
i

rbe
rg
i
RB RE vs

vg

2. Gain en tension

RB RB rg
Ce schma peut tre simplifi par Thvenin v g' = v g et rg' = 2969 .
R B + rg RB + rg


[
v g' = rg' + rbe + ( + 1)RE i ] v
Av 0 = s =
( + 1)RE RB
0.977 (- 0.2 dB)
v s = ( + 1)i RE v g rg // RB + rbe + ( + 1) RE RB + rg

Les rsistances dentre et de sortie scrivent :


rg // RB + rbe
Z e = RB //[rbe + ( + 1)RE ] 146.5 k et Z s = // RE 24.4 .
+1

Etude du rgime dynamique aux frquences basses

3. Schma
CG

rg rbe

RB ib ib

vg

RE

La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du premier ordre par la prsence dun
seul condensateur au sein du montage.

4. Frquence de coupure basse

La constante de temps de coupure est obtenue par le calcul de la rsistance Req du diple
(thorme de Thvenin ou Norton) vu par le condensateur.

i0 i

i1 rbe
i i 0 = i1 + i
RB RE
v0 v 0 = RB i1 + rg i 0

rg
RB i1 = [rbe + ( + 1)RE ]i

Sylvain Gronimi Page 57 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

RB
i 0 = 1 + i1
rbe + ( + 1)RE
Req = rg + RB // [rbe + ( + 1)RE ]
v = R i + r i
0 B 1 g 0

1
do la frquence de coupure 3 dB fb 106 Hz avec Req 149.5 k .
2 Req CG

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

5. Schma
Cbe

rbe i

rg v
i
RB Cbc gm v
RE
vg

La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des
deux capacits indpendantes au sein du montage.

6. Frquence de coupure haute

La mthode par lapproximation du ple dominant est applique

Calcul du premier ple :


Rsistance du diple vu par C be lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert :

i0 i1

rg//RB v 0 = v

v
v0 v rbe RE i 0 = + i1
r be
( )
gm v
v = r // R i + R (i g v )
0 g B 1 E 1 m

v0
i 0 = r + i1
i0 =
(1 + g m RE )v 0 +
v0
be
v (1 + g R ) = r // R + R i
0 m E g B E 1 ( ) rg // RB + RE rbe

0 rg // RB + RE
do Rbe = rbe // 12.3
1 + g m RE

Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert :

i0 rbe i

i1
i
0
Rbc = rg // RB // [rbe + ( + 1)RE ] 2940 .
v0 rg//RB RE

Sylvain Gronimi Page 58 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

1
a1 = Rbe
0 C
be + R bc C bc 6.41 10
0 8 s , f 2.48 MHz ce qui donne la frquence de
2 a1
h

coupure 3 dB.

Calcul du deuxime ple :


Rsistance du diple vu par C bc lorsque Cbe est assimil un circuit-circuit :
be
Rbc = rg // RB // RE 1195 a2 = Rbe
0 C
be R bc C bc 1.27
be 16 s 2

ou encore, rsistance du diple vu par Cbe lorsque C bc est assimil un circuit-circuit :

i0

bc = rbe
Rbe // RE 4.99
v0 v rbe RE +1
gm v

a1
a2 = Rbe be bc bc 1.27 10
bc C R 0 C 16 s 2 , do f
2 80 MHz
2 a2

Malgr que le calcul conduisant lvaluation de f2 outrepasse le domaine de validit du modle


de comportement en frquence du transistor ( f2 > ft ), la frquence de coupure haute demeure
valable avec une bonne prcision, car les deux ples sont spars de plus dune dcade.
Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision denviron 3%.

Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une
frquence de coupure corrige telle que
1 1 1 1 1 1
2 a1 = + do et f1 = fhcorrige 2.56 MHz (avec f2 valeur approche).
fh f1 f 2 f1 fh f2

+1
La simulation sur Spice illustre ces rsultats. Un zro, situ fz = 74 MHz , contre
2 rbe Cbe
leffet du ple f2 80 MHz , do comportement du premier ordre.

10

(15.719K, -216.125m)

-0

-10
(107.303, -3.1986) (2.5746M, -3.2344)

-20

-30

-40
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 59 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Comparaison des montages fondamentaux JBT

A partir des rsultats des problmes sur les rponses en frquence des tages metteur commun,
base commune et collecteur commun, effectuez une comparaison des performances tudies.

Corrig

Report des performances dans le tableau suivant :

performances metteur commun base commune collecteur commun


polarisation ICo 5.07 5.07 5
rsistance dentre Ze () 711 4.9 146500
Rsistance de sortie Zs ( ) 1500 1500 24.4
gain en tension A v - 285 26.9 0.977
coupure basse fb (Hz ) 326 297 106
coupure haute fh (kHz ) 475 4980 2480
deuxime ple f2 (MHz ) 86.5 87.2 80
fh (kHz ) corrige 478 5280 2560

Commentaires :

Les trois montages utilisent le mme transistor ( , ft ,VA ) parcouru par le mme courant de
polarisation ICo , cest--dire utilisant les mmes valeurs des paramtres dynamiques du
modle aux faibles signaux ( rbe , Cbe ,Cbc ), permettant ainsi une bonne comparaison des
performances.
Les valeurs de la rsistance dentre montrent quun tage base commune doit tre attaqu
en courant et quun tage collecteur commun en tension.
La valeur de la rsistance de sortie de ltage collecteur commun fait apparatre son rle
dabaisseur dimpdance (adaptateur basse impdance).
Les tages metteur commun et base commune sont des amplificateurs de tension, alors que
ltage collecteur commun recopie la tension dentre en sortie (suiveur de tension). Ici, le
gain de ltage base commune est faible cause dun problme dadaptation sur lentre
(attaque en courant).
La frquence de coupure basse est fonction du choix des valeurs de condensateurs de liaison
et de dcouplage, donc indpendante du type dtage.
Les valeurs des frquences de coupure haute mettent en exergue le principal problme de
ltage metteur commun, savoir une faible bande passante. Cette frquence de coupure
sera dautant plus faible que la charge sera plus importante (gain en tension demand plus
important). La solution est lutilisation du montage cascode.
Le deuxime ple se situe aux environs de la frquence de transition ft , extrme limite du
modle de comportement du transistor en frquence.
La frquence de coupure haute corrige dmontre lefficacit de la mthode du ple
dominant.

Sylvain Gronimi Page 60 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Rponse en frquence dun tage pseudo-metteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Le


transistor possde les caractristiques :

= 200, ft = 400 MHz,Cbc = 0.2 pF , VA =

Les composants CG et CE sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.

RB1 RC
VCC
79.8k 1k
Q1 5V
rg CG

vS
50
vG
RE1
VCC
RB2 30
5V
24k
RE2 CE
220

Etude du rgime continu

1. Calculez la valeur du courant IC 0 ( VBE0 0.6 V ).

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

2. Evaluez le paramtre rbe du transistor.


3. Calculez le gain en tension Av 0 = v s v g .
4. Evaluez la rsistance dentre Z e et la rsistance de sortie Z s .

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

5. Evaluez la capacit Cbe du transistor.

On se place dans lhypothse o la fonction de transfert admet deux ples rels espacs de plus
dune dcade (approximation du ple dominant).

6. Calculez la frquence de coupure du montage.


7. Validez lhypothse du ple dominant.

Sylvain Gronimi Page 61 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Etude du rgime continu

RB1 RC
VCC
IC
IB
VCE

VBE
RE1
VCC
RB2
IE
RE2

1. Evaluation du courant de collecteur

2VCC
RB2
RB1 + RB2
I
(
= RB C + VBE + RE1 + RE 2 I E

) avec RB = RB1 // RB2

RB 18450 , IC0 5 mA

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

rg rbe
i
i
RB RC vs
vg

RE1

2. Evaluation des paramtres


U
rbe = T 1 k , rce = car VA =
IC 0

3. Gain en tension
RC
Av 0 28.25 ( + 29 dB ) ( RB >> rg par thorme de Thvenin)
rg + rbe + ( + 1)RE1

4. Impdances dentre et de sortie


[ ]
Z e = RB // rbe + ( + 1)RE1 5090 (vue par le gnrateur dattaque), Z s = RC = 1 k

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

5. Estimation de la capacit de diffusion


IC 0
Cbe + Cbc = Cbc = 0.2 pF , Cbe 79.6 pF
2 UT ft

Sylvain Gronimi Page 62 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

6. Calcul de la frquence de coupure (mthode par lapproximation du ple dominant)

0
R bc

rbe 0 gm v
v R be

RC
rg RB
RE1

0
Rsistance R be du diple vu par Cbe lorsque Cbc est assimil un circuit ouvert

i0 i1

rg // RB

rbe
v i2
v0 RC

RE1

gm v

Le circuit prsente deux nuds et deux mailles indpendantes, soit un systme de 4 quations
4 inconnues i1, i 2 , v et le couple recherch (v 0 , i 0 ) .
v v0
i 0 = i1 + r i1 = i 0 r
be
be

i = i + g v
1 2 m i 2 = i1 g m v 0 v 0 1 +
r
rg
+
RE1
r
+ g m RE1 rg + RE1 i 0 ( )
v = v v r i + R i be be
0
0 g 1 E1 2

v 0 rg i1 + RE1 i 2
i0 1 1 + g m RE1 0
rg + RE1 0
= + do Rbe = rbe // ( Rbe 11.3 )
v 0 rbe rg + RE1 1 + g m RE1

0
Rsistance R bc du diple vu par Cbc lorsque Cbe est assimil un circuit ouvert

i0 v0

i1 i2
rbe
i
i
rg // RB RC

(+1) i

RE1

Sylvain Gronimi Page 63 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

i 0 = i + i1

i 0 + i + i 2 = 0 v 0 rg (i 0 i ) + RC ( i 0 + i )
v r i R i
0 g 1 C 2 rg (i 0 i ) rbe i + ( + 1)RE1 i
rg i1 rbe i + ( + 1)RE i
1

0
rbe + ( + 1)RE1 + RC
do Rbc = RC + rg 2462
rg + rbe + ( + 1)RE1

9 s f
1
a1 = Rbe
0 C
be + R bc C bc 1.392 10
0 114 MHz (frquence de coupure)
2 a1
h

7. Validation de lapproximation du ple dominant

Calcul du deuxime ple :


a1 0 0
f2 avec a2 = Rbe Cbe Rbc Cbc ou a2 = Rbe Cbe Rbc Cbc
2 a2

Rbe (ou Rbe
bc ) : rsistance du diple vu par C
be lorsque C bc est assimil un court-circuit

Rbc (ou Rbc
be ) : rsistance du diple vu par C
bc lorsque C be est assimil un court-circuit.

i0

RE1 rg // RB

v0

RC

Le choix du calcul de Rbc


be apparat plus judicieux au vu du schma prcdent, puisque la

rsistance r be est court-circuite et la source lie ne dbite aucun courant. Le rsultat est alors

immdiat, savoir Rbc = rg // RB // RE1 + RC 1020 .
do a2 1.835 10 19 s 2 et la frquence de coupure est f2 1.2 GHz ( f2 > ft ).

La frquence de coupure haute value par lapproximation du ple dominant est dune prcision
de lordre de 10%, car les frquences calcules sont spares dune dcade. Il ne faut pas oublier
que le modle de Giacoletto est tolr jusqu' la frquence de transition (400 MHz), ce qui signifie
que les calculs du deuxime ple et des deux zros ne sont pas acceptables. Cependant ces
frquences sont, en ralit, trs au-dela de la frquence de coupure 3 dB.

Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une
frquence de coupure corrige telle que
1 1 1 1 1 1
2 a1 = + do et f1 = fhcorrige 127 MHz
fh f1 f 2 f1 fh f2

La simulation sur Spice illustre ce rsultat.

Sylvain Gronimi Page 64 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Rponse en frquence dun tage source commune

Ltude porte sur la caractrisation du circuit de la figure ci-dessous. Le transistor effet de champ
possde les caractristiques statiques I DSS = 15 mA, VP = 6 V et les paramtres de son modle
dynamique aux faibles signaux sont rds = , Cgs = 4 pF ,Cgd = 2 pF .

Les composants CG et CS sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.

RD
2k
rg CG J1 VCC

30 V
50 10n
vS
R RS CS
vG 100k 300
100u

Etude du rgime continu

1. Dterminez le point de repos du transistor.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2. Evaluez le paramtre g m du modle du transistor de ltude prcdente.


3. Aux frquences moyennes, calculez le gain en tension Av 0 = v s v g , les rsistances dentre Ze
et de sortie Z s .
4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage.
5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage.

Sylvain Gronimi Page 65 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Etude du rgime continu

1. Point de repos du transistor

En continu ( = 0 ), les condensateurs de liaison sont quivalents des circuits ouverts


1
( = ).
C

+VCC

RD VCC (RD + RS )I D + VDS


2
ID VGS

I D = I DSS 1
VP
IG=0
VDS
V R I
VGS GS S D
R RS

systme de 3 quations 3 inconnues ( I D , VDS , VGS )

2
VGS 1 2
+ VGS + 1 = 0 VGS 2 V et I D 6.67 mA , VDS 14.7 V .

VP2 DSS S
I R VP
o o o

Etude du rgime dynamique

2. Evaluation du paramtre g m
2
gm = I DSS I Do 3.33 mA / V
VP

3. Caractrisation aux frquences moyennes

rg
vgs
vs
R gm vgs RD

vg

Dans ce domaine de frquences, les condensateurs de liaison et de dcouplage sont quivalents


des courts-circuits.

Calcul du gain
R
v gs = R + r v g R v
g v s = g m RD v g soit Av 0 = s g m RD 6.66 (16.48 dB)
v = g v R R + r g v g
s m gs D

La rsistance dentre (vue par le circuit dattaque sous forme Thvenin vaut Z e = R = 100 k et
la rsistance de sortie ZS = RD = 2 k .

Sylvain Gronimi Page 66 Rponse en frquence


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4. Frquence de coupure basse

Schma aux frquences basses

CG

rg vgs
R gm vgs RD

vg

RS
CS

La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du second ordre par la prsence des
deux condensateurs indpendants au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant permet la dtermination rapide de la frquence de coupure basse (voir Annexes ).

Calcul du premier ple :

Rsistance RG du diple vu par CG lorsque CE est assimil un court-circuit.

RG

RG = rg + R 100 k
rg R vgs RD
gm vgs

Rsistance RS du diple vu par CS lorsque CG est assimil un court-circuit.

i0

gm vgs i
v 0 = v gs
vgs i 1
v gs 0 = + gm
i 0 + g m v gs + v 0 RS
0
RS v0 RS
RD 1
rg // R do RS = RS // 150
gm

1 1 1
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB fb 170 Hz .
2 R C + R C
G G S S

Calcul du deuxime ple :

Rsistance RS0 du diple vu par CS lorsque CG est assimil un circuit ouvert.


Rsistance RG0 du diple vu par CG lorsque CS est assimil un circuit ouvert.

Sylvain Gronimi Page 67 Rponse en frquence


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RG0

vgs
gm vgs

R RD
rg

RS RS0

1
RG0 = rg + R 100 k , RS0 = RS // 150
gm
1
do f2 9.95 Hz
2 (RG0 CG + RS0 CS )

Calcul du zro :

Le zro est produit par la liaison entre source et masse, couplage d CS . En effet, si la source
du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc
RS 1 1
= p= et f3 = 5.3 Hz .
1 + RSCS p RS CS 2 RS CS

Les rsultats sont valables avec une prcision satisfaisante car les deux ples sont spars dun
peu plus dune dcade et le zro est situ lgrement en dessous du ple le plus bas (voir la
simulation sur Spice).

5. Frquence de coupure haute

Schma aux frquences hautes

Cgd
rg
Cgs
R vgs RD vs
gm vgs
vg

La fonction de transfert en tension est du type passe-bas du second ordre par la prsence des
deux capacits indpendantes au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant est mise en uvre.

Calcul du premier ple :

0
Rgd

vgs 0
R gs RD
rg R
gm vgs

Sylvain Gronimi Page 68 Rponse en frquence


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Rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un circuit ouvert :
0
Rgs = rg // R 50

Rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert :

0
Rgs
i0
v 0 = Rgs (
0 i +R i +g v
0 D 0 m gs )

vgs
gm vgs v gs = Rgs i 0
0

v0 RD
0 = (1 + g R )R 0 + R 2383
Rgd m D gs D

1
a1 = Rgs
0 C
gs + R gd C gd 4.97 10
0 9 s , f 32 MHz ce qui donne la frquence de coupure
2 a1
h

3 dB.

Calcul du deuxime ple :

gs
Rsistance Rgd du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un court-circuit :

gs
Rgd

gs
Rgd = R D = 2 k
v=0 RC
gm v = 0

a1
a2 = Rgs gs gd gd 8 10
0 C R gs C 19 s 2 , do f
2 989 MHz
2 a2

Calcul du zro :
Le zro est produit de manire telle que le courant circulant dans la charge RD est nul, couplage
d Cgd . En effet, le courant circulant dans la branche supportant Cgd est gal au courant fourni
par la source lie, donc
gm gm
Cgd p Vgs ( p ) = g m Vgs ( p ) p = et f3 = 265 MHz
Cgd 2 Cgd

La frquence de coupure haute demeure valable avec une bonne prcision, malgr la prsence
du zro qui sintercale entre les deux ples. Notons que le domaine de validit du modle de
comportement en frquence du transistor est acceptable puisquil nexiste pas de phnomne de
diffusion pour un JFET (modlisation de deux diodes en inverse).

Sylvain Gronimi Page 69 Rponse en frquence


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La simulation sur Spice illustre ces rsultats.

20
(173.235, 13.788) (33.283M, 13.501)

(58.434K, 16.448)

pente pente (271.227M, 923.737m)


20 dB/dcade - 20 dB/dcade

0
(13.335, -6.7119)

(949.014M, -4.2491737m)
pente
40 dB/dcade
pente
- 20 dB/dcade
-20

(5.1989, -17.281)
pente
20 dB/dcade

-40
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 70 Rponse en frquence


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Rponse en frquence dun tage pseudo-source commune

Le sujet propos porte sur ltude du montage de la figure ci-dessous, reprsent dans son rgime
dynamique aux faibles signaux. Le paramtre rds du modle en comportement linaire du transistor
JFET est suppos de valeur trs importante.

Le composant CG est un condensateur de liaison et la valeur de la rsistance du diple dattaque est


telle que rg << R .

RD vS

rg CG J1

R RS
vg

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Dessinez le schma.
2. Ecrivez les expressions du gain en tension Av 0 = v s v g et des rsistances dentre ze et de
sortie zs du montage.

Etude du rgime dynamique aux frquences basses

3. Dessinez le schma.
4. Ecrivez la frquence fb de coupure basse du montage.

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

5. Dessinez le schma.

On se place dans lhypothse o la fonction de transfert admet deux ples rels espacs de plus
dune dcade (approximation du ple dominant) et zros trs loigns.

0 , rsistance dynamique vue par C


6. Donnez lexpression analytique de Rgs gs frquence nulle.
0 , rsistance dynamique vue par C
7. Donnez lexpression analytique de Rgd gd frquence nulle.
gd
8. Donnez les expressions analytiques de Rgs (ou Rgs ), rsistance du diple vu par Cgs lorsque
gs
Cgd est assimil un court-circuit et Rgd (ou Rgd ), rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs
est assimil un court-circuit qui permettent de valider lhypothse du ple dominant en
dterminant la position du deuxime ple.

Sylvain Gronimi Page 71 Rponse en frquence


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Corrig

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

1. Schma

rg vgs
gm vgs
R RD vs
vg

RS

2. Gain en tension et rsistance dentre

v s = g m v gs RD
( R >> rg par thorme de Thvenin)
v g v gs + g m v gs RS
v g R
Av 0 = s m D et ze = R (vue par le gnrateur dattaque), zs = RD .
vg 1 + g m RS

Etude du rgime dynamique aux frquences basses

3. Schma
rg CG

ze = R

4. Frquence de coupure basse

Le condensateur voit ses bornes un diple passif ( v g teint) de rsistance ze + rg , ce qui fournit
1
la constante de temps de coupure, donc la frquence de coupure basse fb = .
2 ( rg + ze )CG

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

5. Schma

0
Rgd

0 gm vgs
vgs R gs

RD
rg R
RS

Sylvain Gronimi Page 72 Rponse en frquence


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Calcul du premier ple :


1 0 0
La frquence de coupure 3 dB scrit f1 avec a1 = Rgs Cgs + Rgd Cgd (sous condition
2 a1
dun ple dominant).
0
Rgs : rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un circuit ouvert.
0
Rgd : rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un circuit ouvert.

0
6. Ecriture analytique de la rsistance R gs

i0

rg // R

vgs i1
v0 RD

RS

gm vgs

i 0 = i1 + g m v gs
i 0 = i1 + g m v 0
v 0 = v gs v 0 rg i 0 + RS (i 0 g m v 0 )
v 0 rg i 0 + RS i1
v 0 rg i 0 + RS i1
0 v r g + RS
do Rgs = 0 .
i 0 1 + g m RS

0
7. Ecriture analytique de la rsistance Rgd

i0 v0

i1
vgs
gm vgs

RD
rg // R

RS

i 0 + g m v gs + i1 = 0
v 0 rg i 0 + RD (i 0 + g m v gs ) rg g m RD
v 0 rg i 0 RD i1 v 0 ( rg + R D ) i 0 + i0
rg i 0 v gs (1 + g m RS ) 1 + g m RS
rg i 0 v gs + g m v gs RS
g m rg
0
do Rgd rg + RD 1 +

1 + g m RS

Sylvain Gronimi Page 73 Rponse en frquence


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8. Pour la validation de lapproximation du ple dominant

Calcul du deuxime ple :


a1 0 0
f2 avec a2 = Rgs Cgs Rgd Cgd ou a2 = Rgs Cgs Rgd Cgd
2 a2
gd
Rgs (ou Rgs ) : rsistance du diple vu par Cgs lorsque Cgd est assimil un court-circuit.
gs
Rgd (ou Rgd ) : rsistance du diple vu par Cgd lorsque Cgs est assimil un court-circuit.


Ecriture analytique de la rsistance Rgd

i0

RS rg // R
0
v0

RD


Le choix du calcul de Rgd apparat plus judicieux au vu du schma prcdent, puisque la tension
v gs est nullee et la source lie ne dbite aucun courant. Le rsultat est alors immdiat, savoir

Rgd rg // RS + RD .


Ecriture analytique de la rsistance Rgs
i0

RD rg // R

v0 vgs
gm vgs
RS

v 0 = v gs

v 0 (RD // rg + RS ) i1 v 0 = (RD // rg + RS ) (i 0 g m v 0 )

i 0 = i1 + g m v gs
v 1
do Rgs = 0 = //(RD // rg + RS ) .
i0 gm

Dans les deux cas, nous devons retrouver la mme criture analytique de a2 .

Sylvain Gronimi Page 74 Rponse en frquence


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Rponse en frquence dun tage cascode

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Les
deux transistors sont supposs identiques :

= 100, ft = 100 MHz, Cbc = 4 pF , VA =

Les composants CG , CB , CE sont respectivement des condensateurs de liaison et un condensateur de


dcouplage.

RB1

2.2k
RC
RB2
Q2 560
1.2k

rg CG + VCC
Q1
50 - 20 V
+ vS
vG RB3
RE
560 220 CE CB

Etude du rgime continu

1. Dans lhypothse o lon suppose les courants de base des transistors ngligeables devant le
courant circulant dans la maille dfinie par RB1 , RB2 , RB3 et VCC , dterminez les points de
fonctionnement des deux transistors. Validez cette hypothse.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2. Dduisez les paramtres rbe des transistors de ltude prcdente.


3. Aux frquences moyennes, calculez les valeurs de la rsistance dentre ze , de la rsistance de
sortie zs et du gain en tension Av 0 = v s v g du montage.
4. Dterminez la frquence de coupure haute.
5. Donnez les spcificits dun tel amplificateur.

Sylvain Gronimi Page 75 Rponse en frquence


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Corrig

Etude du rgime continu

RB1

IB2 RC
RB2 VCE2

Q1 IC1 IC2

IB1 + VCC
Q2
VCE1 VBE2 -
VBE1
RB3
RE

1. Points de repos
VCC
Daprs lhypothse formule, le courant de maille est I
RB1 + RB2 + RB3
Lhypothse de dpart fait ngliger deux fois 100 A devant 5.05 mA ( 4%)
VCE1 VCE2 6.1V , IC1 IC2 IC o = 10 mA
o o o o

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2. Rsistances dynamiques des jonctions base-metteur


U
rbe = rbe1 = rbe2 = T 250 donc g m = g m1 = g m2 0.4 A / V
IC 0

3. Caractrisation aux frquences moyennes

i2

rg i2

RB v rbe1 rbe2 RC vs
vg gm v

ze = RB // rbe 151 avec RB = RB2 // RB3 , zs = RC = 560

g m v = ( + 1)i 2

ze v ze RC
v = v g Av 0 = s = 168 (+ 44.4 dB)

z e + r g v g z e + rg + 1 rbe
v = R i
s C 2

Sylvain Gronimi Page 76 Rponse en frquence


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4. Frquence de coupure haute

Cbe1 = Cbe2 = Cbe car Cbc1 = Cbc 2 = Cbc et mme frquence de transition
IC 0
Cbe + Cbc = ( Cbc = 4 pF , Cbe 633 pF )
2 UT ft

Mthode par lapproximation du ple dominant

0
Rbc1 gm v2

gm v1
RG RB v1 rbe1 v2 rbe2 RC

0 0 0
R be1
Rbe 2
Rbc 2

Ce circuit prsente trois lments capacitifs indpendants, puisquune maille nest compose que
de ce type dlments. Le systme est donc dordre 3.

Calcul du premier ple :


1 0 0 0 0
fh avec a1 = Rbe C + Rbc C bc1 + Rbe C be2 + Rbc Cbc 2
2 a1 1 be1 1 2 2

Rsistance du diple vu par Cbe1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
circuits ouverts : Rbe1
= rg // RB // rbe1 37.6 .

Rsistance du diple vu par Cbe2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
rbe2
0
circuits ouverts : Rbe = 2.48 .
2
+1
gm v2

v0 v2 rbe2 RC

Rsistance du diple vu par Cbc1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0 = R 0 (1 + ) + R 0
circuits ouverts : Rbc be1 1be 77.24 . 2

i0

0
v1 Rbe1

v0
i1 gm v1
0
Rbe2

Sylvain Gronimi Page 77 Rponse en frquence


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Rsistance du diple vu par Cbc 2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
circuits ouverts : Rbc = RC = 560 .
2

a1 2.79 10 8 s , fh 5.7 MHz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB par lapproximation


du ple dominant.

Calcul du deuxime ple :


Les lments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour lvaluation du coefficient a 2 .
0 0 0
a1 a2 = Rbe C Rbc
1 be1
be1
Cbc1 + Rbe1
be1
C be1 Rbe Cbe2 + Rbe C Rbc
1 be1
be1
Cbc 2
f2
1 2 2
avec
2 a2 0
+ Rbc bc1
C bc1 Rbe Cbe2 0
+ Rbc C Rbcbc1
Cbc 2 0
+ R be be2
C be2 Rbc Cbc 2
1 2 1 bc1 2 2 2

rbe1 1 rbe2
be1
Rbe = Rbc
be1
= 2.48 , Rbc
bc1
= Rbc
be1
= Rbc
be2
= RC = 560 , Rbe
bc1
= Rbe
0 // // 1 .2
2 1
+1 2 2 2 2 1
g m1 + 1
17
a2 9.53 10 s 2 , f2 46.6 MHz

Ce rsultat montre que lhypothse du ple dominant donne une frquence de coupure plus de
10% prs, puisque un peu moins dune dcade spare les deux ples, le troisime ple tant
suppos plus haut en frquence. Les frquences de coupure des aux zros sont trs hautes.

Sur un plan purement analytique, une meilleure prcision peut tre atteinte en valuant une
frquence de coupure corrige (ngligeant la prsence du troisime ple) telle que
1 1 1 1 1 1
2 a1 = + do et f1 = fhcorrige 6.5 MHz
fh f1 f 2 f1 fh f2

La simulation sur Spice prsente le mme rsultat.

5. Spcificits de lamplificateur

Lamplificateur cascode est compos de deux tages (systme du 3 ordre) :

- un tage metteur commun damplification en courant gale et damplification en


tension infrieure lunit puisque la charge dynamique de cet tage est la rsistance
dynamique de la jonction base-metteur dun transistor mont en base commune (2.5 ).
Cette trs faible amplification en tension permet de minimiser la valeur de la capacit Cbc
ramene lentre de ltage par lapplication du thorme de Miller et, par consquent,
dobtenir la bande passante la plus large possible,
- un tage base commune damplification en courant et possdant une frquence de
coupure de lordre de la frquence de transition. Cet tage apporte une amplification en
tension importante.

Lensemble des deux tages forme alors un amplificateur de puissance possdant une bande
passante leve.

Sylvain Gronimi Page 78 Rponse en frquence


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Rponse en frquence dun montage metteur commun-collecteur commun

Ltude propose porte sur le comportement en frquence du montage de la figure ci-dessous. Les
transistors possdent les caractristiques suivantes

= 150, ft = 70 MHz,Cbc = 13.6 pF , VA = 100 V

Les composants C1 , C2 et C3 sont respectivement des condensateurs de liaison et de dcouplage.

RC
RB1
10k Q2

VCC
Q1
R1 ie C1
C3
25Vdc
2.2k 47
10
RB2
ve RE R2 R3 vs
vg 82k C2
1k 100 2.2k 22k

RP

Etude du rgime continu

1. Dterminez la valeur de la rsistance de polarisation RB1 pour que le potentiel dmetteur de Q2


soit VCC 2 ( VBEo 0.6 V ).

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux sans contre-raction ( RP = )

2. Dduisez, partir des courants de polarisation, les paramtres dynamiques des modles faibles
signaux rbe , rce , Cbe de Q1 et Q2 .
3. Aux frquences moyennes, valuez le gain en tension A v o = v s v g , puis caractrisez le montage
en labsence de R1 ( A v = v s v e , Ze , Zs ).
4. Evaluez la frquence de coupure basse du montage.
5. Evaluez la frquence de coupure haute du montage et dmontrez que la marge de phase M est
suprieure 45.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux avec contre-raction

6. Constatez que les variables de polarisation ne sont pas modifies par la prsence de RP .
7. Aux frquences moyennes, valuez la rsistance de transfert Rt = v s i e de la chane directe et
dessinez le schma quivalent du montage. Prcisez le type de contre-raction.
8. Aux frquences moyennes, caractrisez le montage en boucle ferme et valuez les paramtres
Rt' , Ze' , Zs' et Av' o = v s v g pour RP = 150 k et 27 k.
9. Dterminez la bande passante du montage pour les deux valeurs de contre-raction.

Sylvain Gronimi Page 79 Rponse en frquence


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Corrig

Etude du rgime continu


25 V
1.19 mA

RB1 10k
37.6 A
13.1 V Q2
29.14 A
7.68 A
1.76 V Q1 0.6 V 12.5 V

1.16 V 5.68 mA
0.6 V
82k
1k 2.2k
21.46 A 1.16 mA

1. Evaluation de la rsistance RB1


IC1 1.15 mA , IC2 5.64 mA , RB1 798 k do le pont de base RB = RB1 // RB2 74.36 k .
o o

Etude du rgime dynamique

2. Paramtres dynamiques des modles JBT

Q1 rbe1 3260 , rce1 87 k , Cbe1 91 pF , Cbe1 = 13.6 pF


Q2 rbe2 664 , rce2 17.7 k , Cbe2 500 pF , Cbe2 = 13.6 pF

3. Caractrisation du montage aux frquences moyennes

Suivant la mthode de la caractrisation dtages en cascade, nous dterminons lquivalent de


Thvenin vide du premier tage ( v s1 , Z s1 ).

R1 rce1
RB v1 rbe1 RC
vs1 Z s1
gm1 v1

vg

RB // rbe1
v 1 =
(RC // rce ) R R+BR// r//ber
vg v s1
R1 + RB // rbe1 A1 = = 1
242
( )
1
v = g v R // r vg rbe1 1 B be1
s1 m1 1 C ce1

zs1 = RC // rce1 8969

Le circuit quivalent de Thvenin obtenu attaque ltage collecteur commun.

Sylvain Gronimi Page 80 Rponse en frquence


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rbe2 i2

zs1 rce2
vs2
i2 R2 // R3
zs 2

vs1

Posons R = rce2 // R2 // R3 1797

[
v s1 = zs1 + rbe2 + ( + 1)R i 2 ] vs ( + 1)R
A2 = 2 = 0.966
s2
v = ( + 1) R i 2 v s1 z s1 + r be2 + ( + 1)R

zs1 + rbe2
ze2 = rbe2 + ( + 1)R 272 k , zs2 = R // 61.6
+1

vs
Ainsi, le transfert du montage vaut Av o = = A1 A2 234 soit 47.4 dB
vg
La caractrisation demande en labsence de R1 est la suivante :

Z e = RB // rbe1 3123 , Z s = zs2 62 , A v =


vs
ve
=

rbe1
(
RC // rce1 A2 399 . )

4. Frquence de coupure basse

Schma

C1 i2 C3

rbe2
R1 rbe1 rce1 i2
RB i1 i1 RC R3
rce2 R2
vg

RE
C2

La fonction de transfert en tension est du type passe-haut du troisime ordre par la prsence des
trois condensateurs indpendants au sein du montage. La mthode par lapproximation du ple
dominant est utilise pour le calcul de la frquence de coupure.

Calcul du premier ple :


Rsistance R1 du diple vu par C1 lorsque C2 et C3 sont assimils des courts-circuits.

R1

R1 RB rbe1 rce1 ze2


R1 = R1 + RB // rbe1 5323
RC
i1
i1

Sylvain Gronimi Page 81 Rponse en frquence


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Rsistance R2 du diple vu par C2 lorsque C1 et C3 sont assimils des courts-circuits.

i0

i i1
rbe1 rce1 i1
rce1
i1 i1 rbe1
R1 //RB RC ze2
RE v0

RE R2 ze2 //RC
R1 //RB

Afin de simplifier le calcul analytique, nous crivons lexpression de la rsistance du diple en


labsence de RE , cette dernire tant branche en parallle sur ce diple.

+1
i + ( + 1)i + i = 0 i 0 = r + R // R v 0 i
0 1

0
v = (
r be1 + R1 // RB i1 )

be1 1 B

( )
v = r + z // R i + ze2 // RC v
( )

( )
v 0 = rce1 i ze2 // RC ( i1 + i ) 0 ce1 e2 C
rbe1 + R1 // RB
0


i0
=
+1
+ 1
ze2 // RC ( 1 ) do R2 =
v0
// RE 38.14

v 0 rbe1 + R1 // RB rbe1 + R1 // RB rce1 + ze2 // RC i0

Rsistance R3 du diple vu par C3 lorsque C1 et C2 sont assimils des courts-circuits.

R3
i2

rbe2
rce1 i2
0 RC rce2 R2 R3

La rsistance R du diple de gauche est en srie avec la rsistance R3 .


rce // RC + rbe2
R= 1 // rce2 // R2 do R3 = R + R3 22078
+1

1 1 1 1
ce qui donne la frquence de coupure 3 dB, fb + + 43 Hz
2 R C
1 1 R 2 C 2 R3 C 3

Calcul du zro :
Le zro est produit par la liaison entre metteur et masse, couplage d C2 . En effet, si
lmetteur du transistor est en lair, le courant dans la charge est nul, donc
RE 1 1
= p= et f2 = 1.6 Hz
1 + RE C 2 p RE C 2 2 RE C2

Cette frquence est relativement proche de la frquence de coupure (environ une dcade et
demi), mais interfre trs peu sur la frquence de coupure basse du montage.

Sylvain Gronimi Page 82 Rponse en frquence


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5. Frquence de coupure haute

Schma
0
Rbe
2
0
Rbc 1

i2

rbe2
gm1 v1 i2
R1 v1 Ze zs1 R

0 0
Rbc
Rbe1 2

Ce circuit prsente trois lments capacitifs indpendants, puisquune maille nest compose que
de ce type dlments. Le systme est donc dordre 3. La mthode par lapproximation du ple
dominant est utilise.

Calcul du premier ple :


1 0 0 0 0
fh avec a1 = Rbe C + Rbc Cbc1 + Rbe Cbe2 + Rbc Cbc 2
2 a1 1 be1 1 2 2

Rsistance du diple vu par Cbe1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
circuits ouverts : Rbe1
= R1 // Z e 1291 .

Rsistance du diple vu par Cbc1 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
circuits ouverts :
v0
i0 i2

rbe2
gm1 v1 i2
v1 0 zs1 R
Rbe
1

v 0 = Rbe 0
( )(
i + zs1 // ze2 i 0 + g m1 v 1 )

0
1 0 0
Rbc1
0
= Rbe1
( 0
+ zs1 // ze2 1 + g m1 Rbe1
)(
525.7 k )
v 1 = R be1 i 0

Rsistance du diple vu par Cbe2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
circuits ouverts :
i0 i
v = v
zs1 0
v
v0 v rbe2 R i 0 = +i
rbe2
gm2 v
v = z i + R i g v
0 s1 m2 ( )

i 0 = r

v0
+i
i0 =
(1 + g m R )v 0 + v 0
2 0
Rbe = rbe2 //
zs1 + R
25.44
be2

( ) ( ) zs1 + R 1 + g m2 R
2
v 1 + g R = z + R i rbe2
0 m2 s1

Sylvain Gronimi Page 83 Rponse en frquence


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Rsistance du diple vu par Cbc 2 lorsque les autres lments capacitifs sont assimils des
0
circuits ouverts : Rbc 2
= zs1 // ze2 8683 .

1
do a1 7.40 10 6 s , fh 21.5 kHz ce qui donne la frquence de coupure 3 dB.
2 a1

Calcul du deuxime ple :


Les lments capacitifs sont pris par paire (6 combinaisons) pour lvaluation du coefficient a2 .
0 0 0
a1 a2 = Rbe C Rbc
1 be1
be1
Cbc1 + Rbe1
be1
C be1 Rbe Cbe2 + Rbe1
be1
Cbe1 Rbc Cbc 2
f2 avec 1 2 2

2 a2 0
+ Rbc bc1
C bc1 Rbe 0
Cbe2 + Rbc bc1
Cbc1 Rbc 0
Cbc 2 + R be be2
C be2 Rbc Cbc 2
1 2 1 2 2 2

be1
Rbc = Rbc
be1
= zs1 // ze2 8683 , Rbe
be1
= Rbe
0 25.44 , Rbc
be2
= zs1 // R 1497 ,
1 2 2 2 2

0 1
Rbe1
// // zs1 + R
0 1 g m1
bc1
Rbc = Rbe // // zs1 // ze2 21.32 , Rbe
bc1
= rbe2 // 4.44
2 1
g m1 2
1 + g m2 R

do a2 4.744 10 14 s 2 , f2 24.8 MHz

Calcul du zro :
Le zro du montage metteur commun est produit de manire telle que le courant circulant dans
la capacit de couplage Cbc1 soit entirement absorb par la source lie (tension nulle sur la
charge)
g m1 g m1
Cbc1 p V1( p ) = g m1 V1( p ) p = et f z = 540 Mhz
Cbc1 2 Cbc1

Malgr que ce calcul outrepasse le domaine de validit du modle de comportement en frquence


des transistors ( ft = 70 Mhz ), les frquences issues des ples sont valables et spares de trois
dcades. Lhypothse du ple dominant est donc vrifie une prcision de 0.1 % pour ce type
de calcul analytique.

Le produit gain x frquence de coupure haute reste constant Av o fh 5 MHz puisque le


deuxime ple apparat au dessous de laxe des 0 dB, la frquence de 25 MHz. Le
comportement du systme est donc du premier ordre et la marge de phase est nettement
suprieure 45, ce qui dmontre une bonne stabilit de lamplificateur.

La simulation sur Spice illustre ces rsultats.


80

(42.258, 44.376) (21.527K, 44.376)


(1.0000K, 47.376)

40 (1.2589, 19.750)

(5.0119M, -38.642m)

0 produit gain x bande


(30.824M, -17.990)
constant

-40 marge de phase


82

-80
100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 84 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

0d
(40.596,-135.018)

(1.0000K,-180.285)
(21.559K,-225.007)
-200d (5.0119M,-277.848)

-400d
(34.133M,-315.031)

-600d
100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz
P(V(S))
Frequency

6. Polarisation du montage en contre-raction

Les condensateurs de liaison C1 et C2 isolent la rsistance RP du continu. les paramtres des


modles des transistors restent donc inchangs.

7. Rsistance de transfert aux frquences moyennes

RP
is

ig ie
27k v e = Z e i e

vs
R1 Zs
Av = v
2.2k 62 e
Ze
ve vs
3123 v
vg R t = s = A v Z e 1246 k (121.9 dB)
R t ie
ie
(contre-raction tension courant)

8. Caractrisation du montage aux frquences moyennes

La contre-raction fait apparatre une topologie parallle en entre et en sortie. De ce fait, les
nouveaux paramtres diminuent dans un rapport 1 + Y Rt (voir cours La contre-raction ).

' Rt
ig
Rt =
1 + Y Rt
R1
2.2k
Zs ' Ze
Ze Ze =
ve vs
1 + Y Rt
vg ' Zs
R t ig Zs =
1 + Y Rt

ve vs v v v v 1 is 1
is = = s 1 e s car e = 2.5 10 3 << 1 Y = et le
RP RP v s RP vs Av vs RP
quadriple de retour est attaqu en tension ( Z s << RP ).

Sylvain Gronimi Page 85 Rponse en frquence


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Pour RP = 150 k , Rt' 133.8 k , Ze' 336 , Zs' 6.6 avec 1 + Y Rt 9.307
v s = Rt' i g Rt'
Av' = 52.8 (34.45 dB)

( '
v g = R1 + Z e i g ) R1 + Z e'

Pour RP = 27 k , Rt' 26.43 k , Z e' 66.2 , Z s' 1.3 avec 1 + Y Rt 47.15


Rt'
Av' = 11.66 (21.3 dB)
R1 + Ze'

La rsistance dentre du montage est augmente de la valeur de la rsistance srie R1 = 2.2 k .

9. Bande passante du montage

Le produit gain frquence de coupure haute se conserve car le circuit se comporte comme un
systme du premier ordre cause du ple dominant.
A v o fh = A v' fh' 5.03 MHz fh' 95.4 kHz , fh' 432 kHz respectivement pour RP = 150 k et
27 k.

La valeur de la frquence de coupure basse du systme contre-ractionn peut tre approche


en considrant que son comportement asymptotique est proche du premier ordre (zro et
deuxime ple trs voisins). Le rapport gain frquence de coupure basse est alors peu prs
conserv.
Av o
5.44 Hz 1 fb' 9.7 Hz , fb' 2.2 Hz respectivement pour RP = 150 k et 27 k.
fb

Tableau rcapitulatif :

RP (k ) Rt' (k ) Z e' () Z s' ( ) Av' fh' (kHz ) fb' (Hz )


- 1246 5323 62 - 234 21.5 43
150 - 133.8 2536 6.6 - 52.8 95.4 9.7
27 - 26.43 2266.2 1.3 - 11.7 432 2.2

Simulation
80

(42.242, 44.375) (21.534K, 44.376)


(1.0000K,47.376)

(10.098, 31.434)
(1.0000K,34.433) (95.499K, 31.434)
40

(1.0000K,21.313) (436.237K, 18.312)

0 (2.2179, 18.315)

(5.0119M, -38.643m)

-40
100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 86 Rponse en frquence


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Miroir de courant lmentaire pour polarisation dtage

On considre ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs
technologiquement identiques ( = 200, V A = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 15 V .

+VCC
Ipol

R IC2

Q1 Q2

-VCC

Etude du rgime continu

1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression de IC 2 en fonction de I pol .
(
2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I pol IC2 ) IC2 .
3. Evaluez la rsistance R pour obtenir IC2 = 200 A , VBE de lordre de 0.6 V.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Evaluez les paramtres dynamiques rbe1 , rbe2 , rce1 , rce2 des modles des transistors.
5. Prouvez que la source est reprsente par une simple rsistance z0 et valuez celle-ci.

Sylvain Gronimi Page 87 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

1. Expression de IC2 (I pol )

Equations technologiques :
VBEi VBEi
VCEi
ICi = I Bi = I BS e UT 1 + I BS e UT en ngligeant leffet Early (VCEi << VA )
VA

VBE1
I I e UT
C1 BS
Q1 Q2 I BS1 = I BS2 = I BS , 1 = 2 = VBE2

IC2 I BS e UT

Equations du circuit :
VBE1 = VBE2
I B1 = I B2 et IC1 = IC2 IC2 = I pol
I pol = I B1 + I B2 + IC2 +2

2. Prcision du miroir

I pol 2
= 1= = 1%
IC 2

3. Evaluation de la rsistance R

2VCC VBE1 + 2
R= 148 k (quation non linaire car VBE1 est fonction de I BS )
IC 2
La valeur de VBE1 sera approche par une tension de 0.6 V.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Evaluation des paramtres dynamiques des transistors

UT V
rbe = rbe1 = rbe2 et rce = rce1 = rce2 A (VCE i << VA ) , soit rbe 25 k , rce 500 k
IC 2 IC 2
o o

5. Caractrisation de la charge dynamique

i0

rce rbe v rbe rce


R
gm v gm v v0

Labsence de source dexcitation dynamique lentre du montage fait quaucun courant nexiste
dans la partie gauche du circuit, en particulier v = 0 entrane g m v = 0 , do z0 = v 0 i 0 = rce .
Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0 500 k ).

Sylvain Gronimi Page 88 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Miroir de courant lmentaire pour transfert dynamique

On considre le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie, effectu par le montage de la


figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, VA = 100 V ).

iE (t) iS (t)

vE (t)
Q1 Q2 vS (t)

Etude du rgime continu

1. Ecrivez lexpression de IS en fonction de I E .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

2. Evaluez les paramtres dynamiques rbe1 , rbe2 , rce1 , rce2 des modles des transistors pour
IS = 200 A .
3. Prcisez les conditions dattaque et de charge de ce quadriple. Donnez les conditions idales.
4. Caractrisez la source de courant dynamique telle que
i v v
Ai = s , Z e = e , Z s = s et dessinez le quadriple quivalent.
e v s =0
i e v s =0
i i s i e =0

Sylvain Gronimi Page 89 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Etude du rgime continu

1. Expression de IS (I E )


IS = I E I E (voir le mme problme en tage de polarisation)
+2

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

2. Evaluation des paramtres dynamiques des transistors

UT V
rbe = rbe1 = rbe2 et rce = rce1 = rce2 A , soit rbe 25 k , rce 500 k
IC 2 IC 2
o o

3. Conditions dattaque et de charge

On a affaire un amplificateur de courant de gain unit. Lattaque en courant lentre ncessite


une rsistance de gnrateur trs importante devant la rsistance dentre du quadriple et
lattaque en courant la sortie impose une rsistance de sortie du quadriple trs importante
devant la rsistance de charge. Les conditions idales sont de considrer la sortie en court-circuit
et lentre attaque par un gnrateur de courant de rsistance infinie.

4. Caractrisation de la source de courant

is

rce
ie rbe v rbe rce
ve vs
gm v gm v

i v r v
A i = s = 1 , Z e = e = be 124 , Z s = s = rce 500 k
i e v s =0 + 2 i e v s =0 + 2 i s i e =0

Le calcul de la rsistance de sortie seffectue en teignant la source de courant indpendante


(application du thorme de Thvenin / Norton).

Schma du quadriple quivalent

ie is

Ai ie
ve Ze Zs vs

On peut vrifier que si le courant dynamique dentre i e est nul, la source lie est telle que
Ai i e = 0 (pas de transfert de courant) et le diple de sortie se rduit la prsence de Z s
uniquement. On retrouve le cas dune source pour polarisation dtage prsentant sa charge
dynamique Z s (diple).

Sylvain Gronimi Page 90 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Source de courant simple JFET pour polarisation dtage

Considrons le sous-circuit reprsent ci-dessous. Le transistor possde les caractristiques


constructeur I DSS = 2 mA, VP = 2 V . Lalimentation a le ple +VCC reli la masse.

I0

J3 D

RS
500

-VCC

Etude du rgime continu

1. Evaluez le courant I 0 .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

2. Evaluez le paramtre dynamique g m3 du modle du transistor.


3. Ecrivez lexpression de la rsistance dynamique z0 vue entre le drain et la masse. Evaluez cette
dernire, le paramtre rds3 tant estim 100 k.

Corrig

Etude du rgime continu

1. Evaluation de I 0

VGS = RS I 0 2 2
2 I R I R 2 RS 1
0 = 1 + S 0 S I 02 +
VGS I0 + 1 = 0
Vp
I 0 = I DSS 1


I DSS Vp V p I DSS
Vp
En retenant la racine du polynme de plus faible valeur, I 0 1.072 mA .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

2
2. Evaluation de la pente du transistor g m = I D I DSS 1.46 mA / V
VP

3. Evaluation de la rsistance dynamique z0


i0

( )
v 0 = rds i 0 g m v gs + RS i 0
rds
v gs = RS i 0
gm vgs v0

= (1 + g m RS )rds + RS (1 + g m RS )rds 173 k


v0
z0 =
vgs
RS
i0

Sylvain Gronimi Page 91 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Source de courant gain pour polarisation dtage

Considrons ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs
technologiquement identiques ( = 200, V A = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 15 V .

+VCC
Ipol

R
138k Q3
IC2

Q1 Q2

Etude du rgime continu

1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression de IC 2 en fonction de I pol .
2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I pol IC2 ( ) IC2 .
3. Evaluez les courants de collecteur des transistors.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Prouvez que la source est reprsente par une simple rsistance z0 et valuez celle-ci.

Sylvain Gronimi Page 92 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

1. Expression de IC2 (I pol )

Equations technologiques :
VBEi VBEi
VCEi
ICi = I Bi = I BS e UT 1 + I BS e UT en ngligeant leffet Early (VCEi << VA )
VA

VBE1
I I e UT
C1 BS
Q1 Q2 I BS1 = I BS2 = I BS , 1 = 2 = VBE2

IC2 I BS e UT

Equations du circuit :
VBE1 = VBE2 IC1 IC2
2
I pol = IC2 1 +
pol
I = I + I I B1 + I B2 ( + 1)
C1 B3
do I pol = + IC2

I E3 = I B1 + I B2 +1 VCC 2VBE
V = R I + V VCC = R I pol + VBE + VBE I pol
CC pol BE 3 + VBE1 3 1 R

2. Prcision du miroir

I pol 2
= 1= 5 10 5
IC 2 ( + 1)

3. Evaluation des courants de collecteur

I pol 100 A (valeur des VBE approche par une tension de 0.6 V), IC2 100 A , IC3 1 A .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Caractrisation de la charge dynamique

i3 rbe3
ic2

i3
rce1 v rbe/2 rce3 rce2
R
gm v gm v

rbe
avec rbe1 = rbe2 = rbe , rce1 = rce2 = rce et << rce3
2

Labsence de source dexcitation dynamique lentre du montage fait quaucun courant nexiste
dans la partie gauche du circuit, en particulier v = 0 entrane g m v = 0 , do z0 = v 0 i 0 = rce2 .
VA
Cette charge dynamique est de valeur relativement importante ( z0 = 1 M ).
IC 2
o

Sylvain Gronimi Page 93 Elments de circuits intgrs


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Source de Wilson pour transfert dynamique

On considre le transfert du courant i E (t ) = I E + i e (t ) vers la sortie, effectu par le montage de la


figure ci-dessous. Les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 200, VA = 100 V ).

iE (t) Q3 iS (t)

Q1 Q2

-VCC
Etude du rgime continu

1. Sans ngliger le moindre terme sur les courants, crivez lexpression du courant dentre I E en
fonction de IS .
2. Donnez la prcision du miroir par lvaluation de lerreur dfinie comme tant = I IC 3 / IC 3 . ( )

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

3. Evaluez les paramtres des modles des transistors pour IS = 100 A .


4. Dessinez le schma quivalent.
5. Caractrisez la source sous la forme dun amplificateur de courant de paramtres Z e , Z s , Ai .

Corrig

Etude du rgime continu

1. Expression de IS (I E )

Equations technologiques :
VBE1
I = I e UT
C1 BS
Q1 Q2 (I BS1 = I BS2 = I BS , 1 = 2 = ) VBE2
( VCEi << VA )

IC2 = I BS e UT

Equations du circuit :
VBE = VBE 2
1 I E3 = IC2 1 +
2

E3
I = I B1 + I B2 + IC2 car IC1 = IC2
I E3
I E = I B3 + IC1 I E = + 1 + IC2

+2 ( + 2)
d'o IS = IE = IC = IE
+ 1 3 + 1 2 2 + 2 + 2

Sylvain Gronimi Page 94 Elments de circuits intgrs


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2. Prcision du miroir

IE 2
= 1= 50 10 6
IS ( + 1)

Etude dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

3. Evaluation des paramtres du modle des transistors

UT V
rbe = , rce A avec IC1 = IC2 IC3 = 100 A rbe 50 k , rce 1 M
IC o IC o o o o

4. Schma quivalent aux frquences moyennes

is - i3 rce

rbe
i3 is
i3
ie - i3 - (is + i3) /(+2)
ie
ve vs
rce rbe/(+2) Rch
(is + i3) /(+2)

5. Caractristiques dynamiques de la source

i
Calcul du transfert en courant Ai = s
i e v s = 0
Ce calcul correspond lapplication du thorme de Norton (courant de court-circuit en sortie du
diple valu avec une source de courant indpendante parfaite en entre).


rce i e i 3 (i s + i 3 ) = rbe i 3 + rbe (i s + i 3 )
+ 2 +2

rbe (i + i ) + r i r i = 0
+ 2 s 3 ce s ce 3

rbe
Lcriture de ces quations de mailles se simplifie en constatant que << rce ( 0.025% prs)
+2
et rbe << 2rce ( 2.5% prs). Lapproximation donne

i e 1 + i 3 + is is ( + 2)
+2 +2 Ai = 1 ( comparer avec le transfert continu)
i i ie 2 + 2 + 2
s 3

v
Calcul de la rsistance de sortie Z s = s

is i e =0
Ce calcul correspond la dtermination de la rsistance de Norton (ou Thvenin) du diple
prcdent, la source dexcitation de courant i e tant teinte (circuit ouvert en place de la source).

Sylvain Gronimi Page 95 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs


v s = rce (i s i 3 ) + + 2 (i 3 + i s )
rbe


rbe (i + i ) + r i + r i + i + i = 0
ce 3
+ 2 3 s + 2
be 3 3
+2
s

Par les mmes approximations prcdentes, on obtient


v s rce i s rce i 3
v 2
Z s = s 1 + rce rce = 100 M

1 + + 2 i 3 + 2 i s is 2( + 1) 2

v
Calcul de la rsistance dentre Z e = e

ie v s =0
Ce calcul correspond une configuration de charge trs faible (court-circuit en sortie) par rapport
la rsistance de sortie Z s du quadriple. Il faut remarquer que la rsistance rce en entre est
en parallle avec le diple qui suit, ce qui conduit au calcul de la rsistance de ce dernier dans le
but dallger lanalytique.


i = i 3 + (i 3 + i s )
+2
r be
v = r be i 3 + (i 3 + i s )
+2
r
be (i 3 + i s ) + r ce (i s i 3 ) = 0
+ 2

Par les mmes approximations prcdentes, on obtient


v 2 + 3 2r v 2r
= rbe 2 be avec i s i 3 Z e // rce be = 500
i + 2 + 2 + 2 i

Une autre mthode danalyse plus directe peut tre employe, savoir lapplication de la thorie
de la contre-raction courant-courant (voir cours La contre-raction ). Cest une contre-raction
quasi totale puisque le miroir lmentaire, reprsentant le quadriple de retour, ramne le courant
de sortie lentre et en opposition de phase. La prcision de cette mthode dpendra des
hypothses de simplification.

La source de Wilson est un miroir de prcision trs importante. Les impdances dentre et de
sortie respectivement basse (configuration parallle en entre) et trs haute (configuration srie
en sortie) en fait une source adapte la conception des amplificateurs oprationnels
transconductance.

Sylvain Gronimi Page 96 Elments de circuits intgrs


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Source de Widlar en rptiteur de courant pour polarisation dtages

On considre ltage de polarisation de la figure ci-dessous dans lequel les transistors sont supposs
identiques ( = 200, VA = 100 V ) et les tensions dalimentation VCC = 10 V . Les courants de base
seront ngligs.

+VCC

R1
38.8k
Ipol IC2 IC3

Q2 Q3
Q1

R2 R3
200 3k

-VCC

Etude du rgime continu

1. Evaluez les courants IC2 et IC3 .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

2. Evaluez les paramtres dynamiques des modles des transistors.


3. Calculez les charges z2 et z3 vues respectivement entre collecteurs de Q2 et Q3 et la masse.

Corrig

Etude du rgime continu

1. Evaluation des courants IC2 et IC3


VBE1
IC I BS e UT VBE1 VBE2 + R2 IC2
1
VBE2
VBE1 VBE3 + R3 IC3

Q1 Q2 Q3 IC2 I BS e UT (technologie) (circuit)
VBE3
I pol = IC1 + I B1 + I B2 + I B3 IC1
2V = R I + V
C3
I I BS e UT
CC 1 pol BE1

VBE2 R2 IC2
IC I BS e UT e UT
1 R 2 IC 2 IC
Ln 1
VBE3 R3 IC3
UT IC 2
do IC1 I BS e UT e UT avec deux quations transcendantes rsoudre
R3 IC3 Ln IC1
I = 2VCC VBE1 I U IC 3
pol R1
C1 T

IC1 500 A , IC2 150 A , IC3 25 A


o o o

Sylvain Gronimi Page 97 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

2. Evaluation des paramtres des modles

UT V
rbe , rce A
IC o IC o
rbe1 10 k, rce1 200 k , rbe2 33.3 k, rce2 667 k , rbe3 200 k, rce3 4 M

3. Calcul des charges z2 et z3

Le montage prsente entre le collecteur de Q1 et la masse, un transistor mont en diode en


parallle avec la rsistance de polarisation R1 , soit
rbe1
// rce1 // R1 49.7 << rbe2 et rbe3 .
+1

Les bases de Q2 et Q3 peuvent tre considres la masse au niveau dynamique, do


i0

[ (
z2 = R2 // rbe2 + rce2 1 + g m2 R2 // rbe2 )] rce 1 + R +Rr2
2


rce2 2 be2
v0
gm2 v2 R3
de mme z3 rce3 1 +
R3 + rbe
3
v2
R2 // rbe2
z2 1.46 M , z3 15.8 M

Les rsultats du miroir de courant lmentaire sont retrouvs en rendant nulles les valeurs des
rsistances dmetteur. Ici, la dissymtrie produit dune part, un courant continu plus faible que le
courant de rfrence I pol (effet lentille) ce qui permet dajuster les polarisations au sein dun
circuit intgr et dautre part, une charge dynamique qui peut tre trs leve selon la valeur de la
rsistance dmetteur.

Si lobtention dune charge dynamique importante est uniquement dsire, il y a intrt rendre
symtrique le montage (effet miroir) pour une meilleure stabilit des courants en fonction de la
temprature (voir problme stabilisation par rsistance dmetteur ).

Sylvain Gronimi Page 98 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Multiplicateur de VBE

Le montage de la figure qui suit prsente une source de courant alimentant un multiplicateur de VBE.
Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques ( = 250, VA = 100 V ) et la tension
dalimentation VCC = 15 V .

+VCC

Q1 Q2

R1
28.8k R2
4.5k
Q3

R3
7.5k

Etude du rgime continu

1. Evaluez le courant de collecteur de Q2 en prenant VEB1 et VEB2 de dordre de 0.6 V.


2. Dans lhypothse o lon suppose que le courant de base de Q3 est nglig, calculez la tension
VCE3 en prenant VBE3 de lordre de 0.6 V.
3. Evaluez tous les courants parcourant le montage afin de valider lhypothse prcdente.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Evaluez les paramtres rbe3 , rce3 , rce 2 des modles des transistors.
5. Calculez limpdance z 3 vue entre collecteur et metteur de Q3 .
6. Concluez sur la reprsentation dune source de tension au sein dtudes statique et dynamique
aux faibles signaux.

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Corrig

Etude du rgime continu

1. Courant de collecteur de Q2
VCC VEB1 + 2
Q1 Q2 I BS1 = I BS2 = I BS et 1 = 2 = IC2 = IC1 500 A
R1

2. Expression de la tension VCE 3


R
En supposant que I B3 << I , courant circulant dans R3 VCE3 VBE3 1 + 2 = 0.96 V
R3

3. Validation de lhypothse
VBE3 IC I
I= = 80 A et I B3 2 1.67 A soit une prcision des calculs environ 2%.
R3 +1

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Paramtres dynamiques des modles des transistors


U V
rbe3 T 15 k, rce3 A 239 k
I B3 IC 3
o o

5. Impdance vue entre collecteur et metteur de Q3


R2 i1 i0

R3 rbe rce3 v0
v
gm v

i 0 = i1 + g m v
i 0 1 + g m3 R
v 0 = (R2 + R )i1 avec R = R3 // rbe3 = (calcul sans la prsence de rce3 )
v = R i v 0 R2 + R
1

R2 + R
z3 = rce3 // 113
1 + g m3 R

6. Le multiplicateur de VBE est un gnrateur de tension continue dont limpdance dynamique est
trs faible vis--vis de la charge en srie propose par le miroir ( rce2 200 k ). La translation de
tension produite pourra servir de polarisation dun tage push-pull srie complmentaire. Il faut
noter que ce montage utilise une diode en direct et prsente une meilleure stabilit en
temprature que n diodes mises en srie, sans compter la prcision de la tension continue
obtenue par le choix des deux rsistances.

Sylvain Gronimi Page 100 Elments de circuits intgrs


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Ralisation dune opration arithmtique complexe

On considre le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement
identiques et trs grand (courants de base ngligs).

I1 I3

Q4

Q1

Q3
I2

Q2 Q5

Etude en rgime pseudo-continu

1. En considrant la maille forme par les transistors Q1 - Q2 - Q4 - Q5 , crivez la relation de leurs


courants collecteurs.
2. En considrant la maille forme par les transistors Q2 - Q3 , crivez la relation de leurs courants
collecteurs.
3. Ecrivez lexpression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 .

Corrig

Les transistors tant supposs technologiquement identiques, lquation gnrale utilise est la
IC
suivante, en ngligeant leffet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x UT Ln x pour x = 1 5 .
I BS

1. Premire relation de maille

VBE1 + VBE2 = VBE 4 + VBE5 IC1 IC2 IC4 IC5

2. Deuxime relation de maille

VBE2 = VBE3 IC2 IC3

3. Expression de I 3

I1 IC + IC
1 3


2 C2 C1
I I I I1 IC + IC I1 + I 2 2 IC
1 2
2
I12 I 22
I 3 = IC4 IC5 I 2 IC2 IC1 I1 I 2 2 IC1 I 3 =
2
IC2 IC3 IC1 IC2 I 32 IC1 IC2 I 32
I I I I
C1 C2 C 4 C5

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Ralisation dune opration arithmtique complexe

On considre le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs technologiquement
identiques et trs grand (courants de base ngligs).

I1 I3 I2

Q5 Q6

Q1 Q4

Q2 Q7 Q3

Etude en rgime pseudo-continu

1. En considrant la maille forme par les transistors Q1 - Q2 - Q7 - Q5 , crivez la relation de leurs


courants collecteurs.
2. En considrant la maille forme par les transistors Q4 - Q3 - Q7 - Q6 , crivez la relation de leurs
courants collecteurs.
3. Ecrivez lexpression du courant I 3 en fonction des courants I1 et I 2 et concluez.

Corrig

Les transistors tant supposs technologiquement identiques, lquation gnrale utilise est la
IC
suivante, en ngligeant leffet Early ( VA >> VCE X ) : VBE x UT Ln x pour x = 1 7 .
I BS

1. Premire relation de maille VBE1 + VBE2 = VBE5 + VBE7 IC1 IC2 IC5 IC7

2. Deuxime relation de maille VBE 4 + VBE3 = VBE6 + VBE7 IC4 IC3 IC6 IC7

3. Expression de I 3

I 3 = IC + IC IC
5 6 7

I1 IC1 et I 2 IC4 I 3 = IC + IC
5 6

IC1 = IC2 et IC3 = IC4 I12 IC5 I 3 I 3 = I12 + I 22


2
IC1 IC2 IC5 IC7 I 2 IC6 I 3
I I I I
C 4 C3 C6 C7

Le circuit effectue le calcul du module dun nombre complexe partir de ses parties relles et
imaginaires.

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Conception dun buffer

Ltude porte sur les performances dun buffer (circuit intgr) dont le circuit le plus simple est ltage
collecteur commun (suiveur). Ce dernier prsente des inconvnients quil est possible dviter en
modifiant la topologie de base. Cette volution vers lamlioration des performances en rgimes
statique et dynamique seffectuera en trois tapes.

Les transistors seront supposs technologiquement identiques ou parfaitement complmentaires et de


gain en courant = 200 , de tension dEarly VA = 100V . Lalimentation symtrique du montage est
telle que VCC = 5 V .
Lors des calculs, les courants de base seront ngligs ( grand ) et VA >> VCEo .

Ltage buffer

1. Rappelez les spcificits de ce circuit en rgimes continu et dynamique.

Etude de ltage suiveur classique

+VCC

2 mA

Q1

vE

vS Rch
200
R1

-VCC

Etude du rgime continu

2. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez la


rsistance R1 .
3. Discutez des inconvnients inhrents ce montage.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle du transistor, puis dessinez le schma.
5. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de
sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres.

Sylvain Gronimi Page 103 Elments de circuits intgrs


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Etude de ltage suiveur transistors complmentaires

+VCC

2 mA

R2
Q1

vE Rch
Q2 vS
200
R1

-VCC

Etude du rgime continu

6. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez le


courant collecteur de Q2 dans le cas o les rsistances R1 et R2 ont la mme valeur.
7. Quelles amliorations apparaissent par rapport au montage prcdent ?

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

8. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle des transistors et dessinez le schma.
9. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de
sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres.

Etude de ltage suiveur transistors complmentaires et sources de courant

+VCC

2 mA

Q5 Q6

Q1

vE Rch
Q2 vS
200

Q3 Q4

-VCC

Sylvain Gronimi Page 104 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Etude du rgime continu

10. Le courant collecteur de Q1 tant gal 2 mA, prcisez le potentiel de sortie VS et valuez la
rsistance R.
11. Quelle amlioration apporte la prsence des sources de courant ?

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

12. Evaluez les paramtres rbe et rce du modle des transistors et dessinez le schma.
13. Ecrivez les expressions du transfert en tension Av = v s v e , des rsistances dentre Z e et de
sortie Z s vue de la charge. Evaluez ces paramtres.
14. Dans le contexte dynamique, comparez les valeurs des paramtres calculs lors de ces trois
tudes et prcisez lamlioration obtenue.

Formulaire :
VBE
IC
Modle en rgime continu pour des transistors appairs IC I BS e UT
ou VBE UT Ln
I BS
(courants de saturation I BS des jonctions base-metteur et gains en courant supposs identiques,
effet Early nglig VCE << VA ).

UT V
Paramtres du modle du transistor en rgime dynamique aux faibles signaux rbe , rce A .
IC o IC o

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Corrig

1. Dfinition dun buffer

Un buffer (tage tampon) recopie la tension dentre en sortie et prsente une trs faible
rsistance de sortie et une rsistance dentre importante. Son rle est disoler deux tages mis
en cascade pour une adaptation en tension quasi idale.

Etude de ltage suiveur classique

Etude du rgime continu

2. Evaluation de VS et R1

+5V

2 mA VS = VBEo 0.6 V

Q1
0V
VCE1 = VCC VS 5.6 V
o
5.6 V

0.6 V 3 mA VS + VCC VS
- 0.6 V I E1 = + IC1
5 mA
o R1 Rch o

200
880
R1 880

-5V

3. Discussion

Inconvnients du montage :
- prsence dune tension doffset en sortie due la jonction BE de Q1 (translation de - 0.6 V),
- jonction BE fonction de la temprature,
- courant de polarisation dpendant de la charge.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

4. Evaluation des paramtres du modle du transistor et schma


i1

rbe1
UT V
rbe1 2.5 k , rce1 A = 50 k i1
IC1 IC1 ve vs
o o R1 //Rch

R1 // Rch 163 et rce1 >> R1 // Rch .

5. Caractrisation de ltage

Av =
vs
=
( + 1)(R1 // Rch ) , Z = r + ( + 1)(R // R ) , Z = R // rbe1 .
v e rbe1 + ( + 1)(R1 // Rch )
1 1
+1
e be1 ch s

do Av 0.929 , Z e 35.3 k , Z s 12.3 .

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Etude de ltage suiveur transistors complmentaires

Etude du rgime continu

6. Evaluation de VS et IC2
o

+5V

VS = VEB2 VBE1 0 V
2 mA o o

2500
Q1 VCE1 = VCC VS 5 V
o

0.6 V 5V

VS + VCC VS V
0V 0V I E1 = + CC IC1
5.6 V
o R1 Rch R1 o

0A
Q2
200
R1 (= R2 )
2500 VCC
= 2.5 k
1.76 mA IC1
o

-5V

7. Discussion

Lintroduction dun second metteur suiveur, de type complmentaire au premier, permet de


compenser le dcalage de tension doffset en sortie. Cependant, les courants de collecteur des
transistors ntant pas les mmes, les tensions aux bornes des jonctions BE ne sont pas tout fait
identiques daprs lexpression mathmatique du modle pour ces transistors appairs
I
VBE UT Ln C avec VCE << VA . Le potentiel de sortie VS est peu prs nul.
I BS

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

8. Evaluation des paramtres du modle des transistors et schma


i2 i1
rbe1 2500
rbe2 rbe1
rce1 50 k >> R1 // Rch i2 i1
ve vs
rbe2 2841 R2 R1 //Rch

rce2 57 k >> R 2

9. Caractrisation de ltage

Les deux tages tant en cascade, nous caractrisons le premier tage vide (base de Q1
dconnecte) sous la forme dun diple quivalent de Thvenin ( v s1 , zs1 ) tel que

A1 =
v s1
=
( + 1)R2 , zs1 = R2 //
rbe2
.
ve rbe + ( + 1)R2
1
+1

Ce diple attaque le second tage caractris sous la forme dun nouveau diple quivalent de
Thvenin ( v s2 , zs2 ) tel que

A2 =
v s2
=
( + 1)(R1 // Rch ) , zs2 = R1 //
zs1 + rbe1
.
v s1 zs1 + rbe + ( + 1)(R1 // Rch )
1
+1

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La rsistance dentre du second tage charge le premier tage, ce qui donne


( )
ze1 = rbe2 + ( + 1) R2 // ze2 avec ze2 = rbe1 + ( + 1)(R1 // Rch ) .

do Av = A1 A2 0.931 , Z e ze1 476 k , Z s zs2 12.4 .

Remarquons une augmentation de la rsistance dentre.

Etude de ltage suiveur transistors complmentaires et sources de courant

Etude du rgime continu

10. Evaluation de R

+5V

VBE3
I I e UT
2 mA C BS
Q3 Q4 3 et VEB3 = VEB4
VBE4
Q5 Q6
IC4 I BS e UT
Q1
0.6 V
IC 3 IC 4
R VEB5
0V 0A I I e UT
0V C5 BS
Q5 Q6 et VEB5 = VEB6
Q2 VEB6
2 mA 200
2 mA IC6 I BS e UT

2 mA
Q3 Q4 IC 5 IC 6

En ngligeant les courants de base, IC1 IC2 2 mA

-5V

IC1
VBE1 UT Ln
I BS
Q1 Q2 VBE1 VEB2 et VS = VEB2 VBE1 0 .
V IC 2
EB2 UT Ln I
BS

2VCC VEB5 VBE3


R= 4.4 k
IR

11. Discussion

Lintroduction des sources de courant au sein du montage amliore la symtrie des courants
collecteur de Q1 et Q2 . Ce circuit intgr permet une tension doffset ngligeable en sortie et un
meilleur comportement en temprature.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

12. Evaluation des paramtres du modle des transistors et schma

Tous les courant collecteur sont de lordre de 2 mA, donc

Sylvain Gronimi Page 108 Elments de circuits intgrs


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i2 i1
rbe rbei 2500
rbe2 rbe1
rce rcei 50 k i2 i1
ve rce /2 vs
Rch //rce/2

13. Caractrisation de ltage

De la mme faon que prcdemment, nous oboutissons aux rsultats suivants.

v s1 ( + 1) rce r r
A1 = = 2 , zs1 = ce // be .
2 +1
rbe + ( + 1)
ve rce
2
( + 1) rce // Rch zs + rbe
A2 =
v s2
= 2 r
, zs2 = ce // 1 .
rce 2 +1
zs1 + rbe + ( + 1)
v s1
// Rch
2

r r
ze1 = rbe + ( + 1) ce // ze2 avec ze2 = rbe + ( + 1) ce // Rch .
2 2

do Av = A1 A2 0.941 , Z e ze1 3.17 M , Z s zs2 12.5 .

14. Discussion

Tableau rcapitulatif

n tage 1 2 3
Offset en sortie (V) - 0.6 voisin de 0 0
Comportement en
mauvais moyen bon
temprature
Gain en tension 0.929 0.931 0.941
Rsistance dentre (k) 35.3 476 3170
Rsistance de sortie () 12.3 12.4 12.5

La rsistance dentre subit une nette augmentation due la prsence de charges dynamiques
sur les metteurs de Q1 et Q2 , le gain en tension et la rsistance de sortie restant du mme
ordre. Il ne faut pas oublier que les valeurs numriques trouves sont lies au choix dune charge
de 200 et dun courant de polarisation de 2 mA.

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Etage diffrentiel charges asymtriques

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont
supposs technologiquement identiques ( = 200 , VA = , rce = ).

R3 R4
3.6k 1.8k VCC
out ref
Q1 Q2 6V

vd R5
9.6k

R1 R2
1k 1k
VCC
Q3 Q4
6V

Etude du rgime continu

1. Evaluez les courants IC3 ainsi que les potentiels de nuds Vout et Vref .
2. Expliquez lintrt de disposer du potentiel de rfrence Vref .

Etude du rgime dynamique diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes)

3. Evaluez le paramtre rbe des transistors Q1 et Q2 .


4. Calculez les valeurs du transfert Ad = v out v d , de limpdance dentre Zd et de limpdance de
sortie Zs .

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Corrig

Etude du rgime continu

1. Evaluation des courants et potentiels de nuds

6V
500 A

1.8k 3.6k
500 A
4.2 V 4.2 V

Q1 Q2

9.6k 1k 1k

- 1.1 V

1 mA Ipol
1 mA
- 5.4 V

Q4 Q3

-6V

Ltage diffrentiel Q1 - Q2 est polaris par le courant issu du miroir lmentaire Q3 - Q4 tel que
2VCC VBE 4
IC 3 = 1 mA .
o R 4 + R5

VBE1 + R1I E1 = VBE2 + R2 I E2 IC 3


I E1 =I E2 = 500 A avec R1 = R 2 et VBE1 = VBE2 0.6 V .
o

IC3 =I E1 +I E2 o o 2

Vref VCC R 4 IC3


Vref Vout 4.2 V .
Vout VCC R3 IC2

2. Intrt de disposer du potentiel Vref

Les deux bornes de sortie sont quipotentielles et permettent une attaque diffrentielle en tension
dun montage qui suit.

Etude du rgime dynamique diffrentiel (faibles signaux aux frquences moyennes)

Le fait de considrer la valeur du paramtre rce3 infinie, conduit un rgime purement diffrentiel. Le
rgime de mode commun est tel que Ac = 0 , Z c = car v c = .

3. Evaluation du paramtre rbe

UT
rbe = rbe1 = rbe2 = 10 k
I Co

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4. Caractrisation de ltage

Posons R = R1 = R2 .

v d = [rbe + ( + 1)R ](i1 i 2 )


R3 vout


( + 1)i1 + ( + 1)i 2 = 0
v
i1 i2 out = R3 i1
+ +
vd /2 - vd /2
v out R3
rbe rbe Ad = = 1.71 ,
i1 i2 vd 2 [rbe + ( + 1)R ]

= 2 [rbe + ( + 1)R ] = 422 k ,


vd
Zd =
i1
R1 R2
Z s = R3 = 3.6 k

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Etage diffrentiel charges actives (partie 1)

Ltude porte sur la caractrisation de ltage diffrentiel de la figure ci-dessous. Les transistors sont
supposs technologiquement identiques avec = 200 , VA = 100 V .

Q5 Q6
VCC

15 V

Q1 Q2
v1 v2

R1

294k
iS VCC

15 V

Q3 Q4

Comprhension du schma

1. Identifiez les parties du circuit et prcisez leurs fonctions.

Etude du rgime continu

2. Dessinez le montage et valuez les courants de collecteur, ainsi que le courant de sortie IS .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

3. Afin dallger le calcul analytique, les paramtres rce des modles aux faibles signaux des
transistors Q1 et Q2 seront ngligs. Evaluez les autres paramtres rbe et rce des transistors et
caractrisez les quadriples forms par les sources de courant. Dessinez le schma rsultant.
4. Dessinez le schma quivalent du montage dans son rgime diffrentiel.
5. Ecrivez les expressions de la rsistance diffrentielle dentre Z d , de la rsistance de sortie Z s et
du transfert i s / v d et dessinez le quadriple issu de cette caractrisation en prcisant les
conditions dattaque et de charge pour obtenir un convertisseur tension-courant.
6. Dduisez la valeur du gain en tension Ad .
7. Dessinez le schma quivalent du montage dans son rgime de mode commun.
8. Evaluez le gain en tension Ac et dduisez la valeur du TRMC (en dB).

Etude du rgime pseudo-continu

9. Ecrivez la relation du transfert IS (VD ) et tracez cette courbe.


10. Donnez lexpression de la pente au point VD = 0 . Comparez ce rsultat lexpression du transfert
trouve en 5.
11. Evaluez la distorsion sur le courant de sortie i s (t ) pour une amplitude crte de v d (t ) gale 25
mV.

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Corrig

Comprhension du schma

1. Description

Le schma se compose dun tage de polarisation, dun tage diffrentiel dont la charge de
collecteur est un miroir de courant.
- Ltage de polarisation est un miroir de courant lmentaire Q5 - Q6 polarisant ltage
diffrentiel par le point commun des metteurs de Q1 - Q2 . Le courant de cette source, issu de
lalimentation totale de tension 2VCC , est rgl par la rsistance R1 .
- Ltage diffrentiel Q1 - Q2 est comportement metteur commun, attaquant dynamiquement
en courant le miroir lmentaire Q3 - Q4 . Le transfert effectu par ce miroir double le courant
de sortie par comparaison avec une charge dynamique classique sur le collecteur de Q2 .

Cet tage est un amplificateur conductance de transfert.

Etude du rgime continu

2. Schma et valuation des courants

VEB5 VEB6

Q5 Q6
VCC
I0
15 V
VEB1 VEB2

Q1 Q2

R1 IC2

IS VCC

IC4
Ipol 15 V

Q3 Q4

VBE3 VBE4

VBEi VBEi

Equation du modle dun transistor Qi : ICi = I Bi = I BS e UT 1 + VCEi I e UT
en
VA BS

ngligeant leffet Early ( VCEi << VA ) . Ici, tous les transistors ont mmes et I BS .

Etage de polarisation :
VEB5
I I e UT
C5 BS
Q5 Q6 et VEB5 = VEB6 IC5 IC6 I0
VEB6

IC6 I BS e UT

Sylvain Gronimi Page 114 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

I pol = IC5 + I B5 + I B6 I 0
et IC6 100 A avec VEB5 pris 0.6 V.
2VCC = R1 I pol + VEB5 o

Etage diffrentiel
VEB1
I I e UT
C BS
Q1 Q2 1 et VEB1 = VEB2 IC1 IC2
VEB2

IC2 I BS e UT

et I 0 = I E1 + I E 2 IC1 IC2 50 A
o o

Circuit de transfert
VBE3
I I e UT
C BS
Q3 Q4 3 et VBE3 = VBE 4 IC3 IC4
VBE4

IC4 I BS e UT

IC = IC3 + I B3 + I B4 IC3
et 1 IC3 IC4 50 A , ISo 0 .
IC2 = IC4 + IS o o

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

3. Schma du montage

Evaluation des paramtres des transistors aux faibles signaux

UT V
rbe , rce A
IC 0 IC 0
rbe rbe1 rbe2 rbe3 rbe4 = 100 k , rce rce3 rce4 = 2 M , rce6 = 1 M .

Caractrisation des sources de courants et schma du montage

Une source de courant est modlise sous la forme gnrale dun quadriple.

ie is

Ai ie
ve Ze Zs vs

i v r v
avec A i = s
= 1 , Z e = e
= be , Zs = s
= rce
ie v s =0 + 2 ie v s =0 + 2 is i e =0

Dans le cas du miroir Q5 - Q6 , le circuit dattaque est reprsent par la rsistance R1 branche
entre lentre du quadriple et la masse. De ce fait, le courant dynamique dentre i e est nul
(absence de source dexcitation), la source lie est telle que Ai i e = 0 (pas de transfert) et le diple
de sortie se rduit la prsence de Z s uniquement. Le courant de sortie i s parcourt une
rsistance Z s = rce6 .

Sylvain Gronimi Page 115 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Dans le cas du miroir Q3 - Q4 , le courant dentre est le courant de collecteur de Q1 gnr par la
tension v 1 et un transfert de courant a lieu ( Ai i e 0 ). La rsistance de sortie Z s = rce4 est
parcourue par le courant i s Ai i e . La rsistance dentre vaut Ze 495 .

Le schma dynamique est alors le suivant.

rce6
v1 v 2 v1 + v 2 v d
v1 = + = + vc
2 2 2
i1 Q1 Q2 i2
+ + v1 v 2 v1 + v 2 v
ic1 - vd /2
v2 = + = d + vc
vd /2 ic2 2 2 2
v1 + + v2
vc vc
Ai ic1
Ze
vs
rce4

La mthode du demi-schma sera mise en oeuvre ici malgr la dissymtrie de charge des
collecteurs de Q1 - Q2 car rce1 = rce2 = , ce qui entrane i c1 = i1 et i c2 = i 2 (voir annexe
Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).

4. Schma en rgime diffrentiel

Ze rce4 vs
i1 Q1 Q2 i2
+ + Ai i1
vd /2 ic1 - vd /2
ic2 i
i1 i2

Ai ic1 + +
Ze vd /2 - vd /2
vs rbe rbe
rce4
i1 i2

5. Caractrisation du montage

Calcul du courant de court-circuit et de la rsistance de sortie (thorme de Norton)

vd
2 = rbe i 2
(Ai + 1)
i = (Ai i1 i 2 )
vd
i1 = i 2 = et i = vd v d (car Ai 1 ).
v 2 rbe 2 rbe rbe
d = rbe i1
2


La conductance de transfert scrit Yt = g m et la rsistance de sortie Z s = rce4 .
rbe

Sylvain Gronimi Page 116 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

La source de tension diffrentielle en entre voit une rsistance Z d = 2 rbe .


B1 is

Yt vd
Zd Zs Rch
vd avec Z d = 200 k , Yt 2 mA / V , Z s = 2 M .

B2

Un amplificateur conductance de transfert doit tre attaqu en tension ( Z d >> rg ) et sa charge


en courant ( Z s >> Rch ), do i s Yt v d (condition de court-circuit en sortie).

6. Evaluation du gain en tension ( vide)

rce4 vs rce4
v s = Z s Yt v d v d , do Ad = (condition de circuit ouvert en sortie).
rbe vd rbe
Ce gain est surestim par la non prise en compte de rce1 et rce2 .

B1 C2

Zs
Zd avec Z d = 200 k , Ad 4000 , Z s = 2 M .
vd vs
+
Ad vd

B2

7. Schma en rgime de mode commun

Ze rce4 vs
2 rce6 2 rce6
Ai i1
i
i1 Q1 Q2 i2 i1 i2

+ + + +
vc vc vc
vc ic1 ic2 rbe rbe
i1 i2
Ai ic1
Ze
vs
rce4
2 rce6 2 rce6

8. Caractrisation du montage

Calcul du gain en tension

v s = rce (Ai i1 i 2 )
rce4 (Ai 1)
[ ]
4

2 rce6 ( + 1) i1
vc
c
v = r + i1 = i 2 = et v s = vc
+ 2 rce6 ( + 1) rbe + 2 rce6 ( + 1)
be

[ ]
rbe
v c = rbe + 2 rce6 ( + 1) i 2

Sylvain Gronimi Page 117 Elments de circuits intgrs


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2 rce4 2
= 0.01 avec rbe << 2 rce6 ( + 1) et 2 rce6 = rce4 .
( + 2)[rbe + 2 rce ( + 1)]
do Ac =
6

Ce gain est surestim par la non prise en compte de rce1 et rce2 .


Le taux de rjection vaut donc TRMC = Ad Ac 400000 (112 dB) .

Etude du rgime pseudo-continu


+ VCC

I0

VEB1 VEB2

Q1 Q2
VD

IC1 IC2
IS

IC3 IC4

Q3 Q4

VBE3 VBE4
- VCC

9. Ecriture du transfert IS (VD )

VEB1
I I e UT VD = VEB2 VEB1
C BS
Etage diffrentiel Q1 Q2 1 et

VEB2
I 0 = I E1 + I E 2
IC2 I BS e UT

VD
IC1
I0 I0
e UT
et IC1 VD
, IC 2 VD
.
IC2
1+ e UT
1+ e UT

IC1 IC3
Circuit de transfert effet miroir Q3 Q4 IC3 IC4 et
IC2 = IC4 + IS


linarisation I0 1 1
IS I 0

VD VD

1+ e 1+ e
UT UT

0
VD
ou encore IS I 0 th
2UT
IS
- I0

-200mV -100mV 0V 100mV 200mV

VD

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10. Retour au rgime linaire

I0
Pour VD = 0 , IC1 = IC2 (rgime continu). Le signal v d (t ) volue sur la zone linaire de la
2
caractristique IS (Vd ) autour de VD = 0 et lexpression de la conductance de transfert du circuit
linaire peut tre retrouve.



V
D
VD

dI S I0 e UT e UT
I is
2
+ 2
= 0 = Yt
dVD V UT V VD 2 UT vd rbe
D =0 D
1 + e UT
1 + e UT

VD =0
UT
car rbe et I 0 2 IC1 .
IC1 o
o

V V I
Autre dmonstration, th D D pour VD << 2 UT IS 0 VD pour de faibles variations
2 UT 2 UT 2UT
du pseudo-continu autour de VD = 0 , ce qui revient aussi dire que les variations de i s sont
proportionnelles aux variations de v d si ces dernires sont damplitude crte faible devant 50 mV.

11. Calcul de la distorsion

A22 + A32 + A42 + ...


Par dfinition, d = avec An valeur efficace de lharmonique n.
A1
VD V V3 VD5
IS = I 0 th I0 D D 3 +
2 UT 2U 24 UT 240 UT5
T

car le dveloppement limit de th x lordre 6 est th x = x


x3 x5
+
3 15
+ o x6 ( )
A3 VD2
d = et pour VD = UT = 25 mV , d 8.33 % .
A1 12 UT2

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Etage de tension intermdiaire (partie 2)

Ltude porte sur la caractrisation de ltage de tension de la figure ci-dessous. Cet tage fait suite
ltage diffrentiel tudi prcdemment et les transistors ont mmes et VA.

+VCC

Q9 Q10

R2 C vs
29.4k 30p
Q7

ve Q8

(VCC = 15 V)
R3
6.3k

-VCC

Etude du rgime continu

12. Dessinez le montage en rgime statique, puis valuez les courants de collecteur et justifiez la
valeur du courant de base de Q7 lorsque ltage est connect la sortie de ltage diffrentiel.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

13. Dessinez le schma quivalent du montage attaqu par lquivalent de Thvenin de ltage
diffrentiel ( v g , rg = 2 M ) et valuez les paramtres rbe et rce des transistors.

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

14. Caractrisez ltage de gain en tension Q7 - Q8 ( A v' , Z e' , Z s' ), le transfert tant dfini par
A v' = v s / v e et la charge de ltage tant considre comme trs importante et dessinez le
quadriple issu de cette caractrisation.

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes

15. Calculez la frquence de coupure haute de tage intermdiaire, les transistors tant sous leur
schma aux frquences moyennes. Justifiez ce rsultat, puis valuez le produit gain bande du
circuit incluant ltage diffrentiel.

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Corrig

12. Polarisation

Mirroir Q9 - Q10
100 A miroir
2VCC VEB9
1 mA 15 V IC10 IC9 = = 1 mA
o o R2
Q7
500 nA IC8 = IC10 1 mA
o o
Q8
5 A
VBE 8
95.2 A I E7 = o
+ I B8 IC7 100 A
15 V o R3 o o
R3 VBE8
6.3k

Lorsque cet tage de tension est connect la sortie de ltage diffrentiel, le nud de sortie (
droite) de ltage diffrentiel laisse fuir un courant de 500 nA vers la base de Q7 et le nud
oppos ( gauche) laisse fuir le courant I B3 + I B4 = 2 IC3 500 nA . Ainsi, le choix de la
o o o

rsistance R3 , pour une valeur donne du courant issu du miroir, est conditionn pour symtriser
ltage diffrentiel dans son rgime de polarisation.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

13. Schma et valeurs des paramtres des modles

UT V
Q7 rce10
rbe = , rce A
IC o IC o
Q8
rg
vs do rbe7 50 k , rce7 1 M ,
+
R3 rbe8 5 k , rce8,10 100 k .
vg

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

14. Caractrisation de ltage de gain

Etage collecteur commun Q7 non charg (quivalent de Thvenin)

rbe7 i7
rg rce7 R3
vs1
i7
Z s1

vg

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v s1 ( + 1) (R3 // rce ) rg + rbe7


A1 = =
rg + rbe + ( + 1) (R3 // rce ) 0.38 , Zs = rce7 // R3 // 3.88 k
7

vg 7 7
1
+1

Etage metteur commun Q8

i8
rce8
Zs1 rbe8 rce10
vs2 Zs 2
i8

vs1

A2 =
v s2
=
(
rce8 // rce10 ) 1126 , Z = rce8 // rce10 50 k
s2
v s1 rbe8 + Z s1

Le gain en tension de la chane non charge ( Rch trs importante) scrit


v s2 v s1 v s2
= = A1 A2 428 .
vg v g v s1

Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre

Lmetteur commun prsente la diode dentre de Q8 vue de sa base, soit Z e2 = rbe8

i8

Z e2 rbe8 rce8 rce10 Rch


i8

et le collecteur commun Z e1 = rbe7 + ( + 1) rce7 // R3 // Z e2 609 k . ( )


i7

rbe7
i7
Z e1 rce7 R3 Ze2

do le schma rsum

rg Zs1 Zs2
Ze1 Ze2 vs Rch
ve

vs1 = vs2 =
vg A 1 vg A2 vs1

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Le gain de transfert en tension A 'v aux frquences moyennes (absence de C) doit tre exprim
en terme de source lie la tension v e de la branche contrlante supportant Z e1 afin de
respecter la modlisation du quadriple (voir cours La caractrisation dun amplificateur
linaire ). La caractrisation de ltage devient alors :

Z e' = Z e1 609 k , Z s' = Z s2 50 k << Rch ,


rg Zs

ve
Ze Rch v s rg
A1 A2 1834 .
A 'v = = 1+
ve Z e1
Av ve
vg

15. Evaluation de la frquence de coupure haute (frquences hautes)

La caractrisation de ltage de gain va permettre une approche rapide du comportement en


frquence du circuit. Sous lhypothse dobtenir la frquence de coupure -3 dB uniquement par
la prsence du condensateur C, le schma quivalent du systme est alors du premier ordre (un
seul condensateur).
C
i0

ve Ze // rg

rg Zs v0
Ze Rch Av ve
ve

vg Av ve
Zs

Le condensateur voit ses bornes une rsistance (diple de Thvenin/Norton)


( )(
RC0 = Z s' + rg // Z e' 1 A 'v 857 M )
fh =
1
2 RC0 C
6.2 Hz .

La constante de temps produisant la frquence trouve est de valeur norme devant la somme de
toutes les constantes de temps vide produites par les capacits parasites des transistors et
lapplication de la mthode du ple dominant donne (voir Annexes ) :
15 15
1
f1
2 a1
fh avec a1 = RC0 C +
i =1
0
Rbe i
Cbei + R
i =1
0
bc i C bc i RC0 C

Lamplificateur de tension complet (prsence dun tage diffrentiel en tte) se comporte comme
Av
un circuit du premier ordre de gain en boucle ouverte G( j f ) = avec A v 125 dB .
1 + j f fh
La faible frquence de coupure haute permet datteindre un gain unit avec une pente de 20 dB
par dcade dans le plan de Bode. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable.
Le produit gain en tension (en units et non en dB) frquence de coupure haute (proprit dun
systme du premier ordre) permet de chiffrer la frquence de transition ft A v fh 10 MHz .

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Illustration par la simulation


150
632.631m, 124.205)
(98.658K, 121.209)

100 amplificateur
(6.2359, 121.204) non
amplificateur compens
compens
(C = 30 pF)
50

- 40 dB / dcade
- 20 dB / dcade

(10.6510M, 8.2797m)

-50
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
DB(V(s)) Frequency

Si la capacit C de compensation tait absente, linfluence conjugue du montage metteur


commun Q8 (voir le problme Rponse en frquence dun metteur commun ), et du montage
base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacits parasites du miroir et
de lentre de Q7 , produirait la frquence de coupure haute. La prsence de ces ples rend le
systme instable comme le montre la simulation.

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Etage diffrentiel cascode charges actives (miroir)

Ltude porte sur la caractrisation du circuit intgr (CI) de la figure ci-dessous aliment sous
VCC = 15 V . Tous les transistors sont supposs technologiquement identiques de caractristiques
= 250 ( >> 1 ), VA = 100 V (effet Early nglig VA >> VCE ) et VBE 0.6 V .

+VCC

Q7 Q8

(+) Q1 Q2 (-)
R1
39.2k

I2 Ipol
Q3 Q4

I1
I0
iS
Q9 Q10

Q5 Q6
R2
4.53k

-VCC

Comprhension du circuit

1. Donnez une description du circuit.

Etude du rgime continu

2. Evaluez le courant I 0 issu de la source.


3. Ecrivez les expressions analytiques I1 et I 2 en fonction de I 0 et du gain en courant des
transistors Q3 et Q4 .
4. Comparez linfluence de sur les courants de collecteur de Q3 et Q4 pour ce circuit de
polarisation et pour un circuit rduit la seule source de courant I 0 alimentant directement le
point commun des bases.
5. Evaluez les courants et potentiels des nuds.

Etude du rgime pseudo continu

6. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) , IC4 (VD ) et IS (VD ) de ltage diffrentiel. Tracez
ces fonctions.
7. En considrant la zone linaire des courbes prcdentes, crivez lexpression de la conductance
de transfert i S (v d ) en rgime linaire.

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Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

8. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors (prendre rce1,2,3,4 = ).
9. Evaluez la rsistance dynamique prsente par ltage de polarisation Q9 - Q10 - R1 - R 2 ( z9 ) et les
lments de la caractrisation des miroirs Q5 - Q6 et Q7 - Q8 ( ze , zs , Ai ). Dessinez le schma
rsultant.
10. Caractrisez lamplificateur en rgime purement diffrentiel ( Ad , Zd , Zs ).
11. Caractrisez lamplificateur en rgime de mode commun ( Ac , Zc ).
12. Dduisez le taux de rjection de mode commun.
13. Retrouvez lexpression de la conductance de transfert obtenue lors de ltude en pseudo continu.

Corrig

Comprhension du schma

1. Description

Le schma se compose dun circuit de polarisation et dun tage diffrentiel charges actives.
- Le circuit de polarisation est une source de courant R2 - Q9 - Q10 , de type Widlar, dont le
courant de rfrence est ajust laide de la rsistance R1 . Cette source permet dalimenter
ltage diffrentiel par les points communs des bases de Q3 - Q4 et des collecteurs de Q1 - Q2 .
Vu la polarit de ces derniers transistors, un miroir de courant Q7 - Q8 est ncessaire pour
modifier le sens du courant. La comprhension de cette topologie apparatra lors de ltude du
rgime continu.
- Lassociation de collecteurs communs Q1 et Q2 suivis de bases communes Q3 et Q4
constitue un tage diffrentiel cascode, permettant dobtenir une bande passante plus leve
que le montage traditionnel comportement metteur commun. Les charges actives de Q3 et
Q4 composent un miroir de courant Q5 - Q6 qui permet de doubler le courant dynamique
traversant la rsistance interne de cette source, donc de doubler la valeur du gain diffrentiel
en tension (condition vide). Il est remarquer que la sortie de ltage est alors asymtrique.

Cet tage est un amplificateur conductance de transfert.

Etude du rgime continu

2. Evaluation du courant I 0
2VCC VBE10
Courant de rfrence I pol = 750 A
o

R1
I
IC9 Ln (quation transcendante) I = I
R2
C9 o 20 A
pol
Source de Widlar 0
UT o
IC 9
o

3. Expressions analytiques I1 et I 2

Puisque le gain en courant est important ( >> 1) et le montage symtrique (effet Early nglig),
IC1 = IC2 IC3 = IC4 .

Sylvain Gronimi Page 126 Elments de circuits intgrs


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

I = I + I
0 1 2 I 0 = I1 + I 2 I
I 2 IC3 + IC4 soit I 2 I 0 et I1 0 .
2
I I1 + 1 +1
I1 = I B3 + I B4

4. Influence de sur IC3 et IC4 et comparaison


I0
Pour le circuit propos, IC3 = IC4 et la sensibilit de ces courants scrit
+1 2
I 1 d IC 3 d d 1 d
S C3 car = .
+1 IC 3 +1 +1

Dans le cas dun circuit de polarisation rduit la source I 0 alimentant de point commun des
bases de Q3 et Q4 , la sensibilit scrit
I0 I
IC 3 = IC 4 = S C3 = 1 (sensibilit + 1 plus importante que prcdemment).
2

Le circuit de polarisation propos permet donc dalimenter ltage diffrentiel par un courant
constant ( IC3 = IC4 I 0 2 ) dont la valeur nest pratiquement pas fonction du gain des PNP
latraux Q3 et Q4 , gain relativement difficile contrlable la fabrication.

5. Evaluation des courants et potentiels de noeuds

+VCC +VCC
15 V

Q7 Q8
Q1 Q2

I2 20

14.4 V

Q1 Q2 Q3 Q4

10 10 I2
I2 /2 I2 /2 I0 /2
20 I0 /2
- 1.2 V IS
Q3 Q4

I1 Q5 Q6 I0

I1 /2 10 I1 /2 10 80n
IS
- 14.4 V
80n
0
-VCC
Q5 Q6
20 I0
circuit de polarisation simple

- 15 V -VCC

Remarquons que le nud de sortie nest pas connect ltage suivant ( vide). Pour obtenir une
polarisation quilibre de ltage diffrentiel, le potentiel de ce nud doit tre - 14.4 V et laisser
fuir vers ltage suivant un courant de 80 nA (symtrisation du schma).

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6. Expressions des transferts

VBE1
I E ( + 1) I BS e UT
Q Q
1
1 2

VBE2 VD = VBE + VEB VEB VBE
I E2 ( + 1) I BS e UT 1 3 4 2

I E1 = I E3
VEB3
I E ( '+1) I BS ' e UT I E 2 = I E 4
3
Q3 Q4
VEB4
(technologie) I 0 IC3 + IC4 (circuit)

I E 4 ( '+1) I BS e UT
'
VBE5 = VBE6
I I
VBE5
C3 C5
IC I BS e UT IS = IC IC
5
Q5 Q6 4 6


VBE6
IC6 I BS e UT

+VCC

Q7 Q8

I2

Q1 Q2
VD VBE1 VBE2 I2

VEB3 VEB4 20

Q3 Q4
IB3 IB4

I1
IC3 80n
IC4
IS

IC5 IC6

Q5 Q6
20 I0

VBE5 VBE6

-VCC

A partir des quatre premires quations du circuit, on obtient :


I E1 = I E3
I0
I E 2 = I E 4 I VD IC3 V
I D
= 3 e 2 UT
E3 C
1+ e 2 UT
I E1 I E I E 4 IC 4
+ Ln 3
VD UT Ln I
I0
IE2 I E 4 I 0 IC3 + IC4 C4 VD
I I + I 1+ e 2 UT
0 C3 C 4

et laide des trois dernires


IC5 = IC6 I0 I0 V
IS = I 0 th D avec I 0 = 20 A
IS IC4 IC3 VD

VD 4 UT
1 + e 2 UT 1 + e 2 UT

Sylvain Gronimi Page 128 Elments de circuits intgrs


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linarisation
20uA du transfert
Q4 satur Q3 satur

10uA
(111.0E-18, 10.013u)

0A
Q3 bloqu Q4 bloqu
(111.0E-18, -37.759n)

-10uA

linarisation
du transfert
-20uA

-400mV -300mV -200mV -100mV 0V 100mV 200mV 300mV 400mV


IC(Q3) IC(Q4) IC(Q4) - IC(Q3)
VD

7. Expression du transfert

Pour une faible valeur de VD par rapport la masse,


VD V V I I
th D et IS I 0 D , do le transfert Yt = S 0 .
4 UT 4 UT 4 UT VD 4 UT

Cette expression correspond la conductance de transfert de ltage court-circuit en sortie


(adaptation en courant ralise) dans une tude dynamique aux faibles signaux. Dans ces
conditions de charge, i s = Yt v d reprsente la source quivalente de Norton du montage et sa
rsistance de diple est zs = rce6 telle que zs >> Rch avec rce3 = rce4 = .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux)

8. Paramtres des modles

UT V
rbe = , rce A do rbe1,2,3,4,5,6 = rbe 625 k , rce1,2,3,4 = , rce5,6 10 M ,
IC o IC o
rbe7,8,9 312.5 k , rce7,8 2.5 M , rce9 5 M .

9. Schma et lments dynamiques demands

R2
La source de Widlar Q9 - Q10 est quivalente une rsistance z9 rce9 1 + 22.9 M .
R2 + rbe
9

Le miroir de courant est quivalent un quadriple de transfert en courant dont les paramtres
r
valent ze = be , zs = rce , Ai = .
+2 +2
Pour le miroir Q5 - Q6 , z5 2480 , z6 = 10 M .
Pour le miroir Q7 - Q8 , z7 1240 , z8 = 2.5 M .

Sylvain Gronimi Page 129 Elments de circuits intgrs


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z7 Ai (ic1+ic2) rce8

ic1+ic2

Q1 Q2
+ +
v1 v2

Q3 Q4

ib3+ib4
ic3
ic4

z5 Ai ic3
rce6 z9

Dans le rgime diffrentiel, nous avons i c2 = i c1 et i c 4 = i c3 . La rsistance z7 est donc


traverse par un courant nul et cette dernire disparat du schma. Le raisonnement est le mme
pour le courant traversant la rsistance quivalente rce8 // z9 .

Dans le rgime de mode commun, nous avons i c1 = i c2 = i c3 = i c 4 . La rsistance z7 est traverse


par un courant i c1 + i c 2 = 2 i c2 et le courant de collecteur de Q2 traverse une rsistance
quivalente 2 z7 . Par un mme raisonnement, le courant traversant la rsistance quivalente
rce8 // z9 est 2 i b4 + 2 Ai i c 4 = 2 (1 + Ai )i b4 et le courant de base de Q4 traverse une rsistance
( )
quivalente z0 = 2 (1 + Ai ) rce8 // z9 2 rce8 // z9 1127 M . ( )

2 z7

Q2 + ic2
-vd/2

Q2
+
vc
Q4

ib4
ic4 Q4

ic4
z0
- Ai ic4
rce6
vout1 Ai ic3
rce6

(voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).

Sylvain Gronimi Page 130 Elments de circuits intgrs


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10. Caractrisation en rgime diffrentiel

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie du circuit, lattaque tant
une source de tension v d / 2 .

Etage collecteur commun Q2

rce2 ( + 1)
i2
v s' 1
A1' = = =1
rbe2 + rce2 ( + 1)
rbe2
i2 vd 2
- vd /2
rce2
v's1 Z s' 1
( rce2 = )

i0

i 0 + ( + 1)i 2 = 0
i2
rbe2
rbe2
i2
v0 Z s' 1 = 2490
0
v = r i
be2 2 +1

Etage base commune Q4

i4 iC4

Z's1 i4 z6 v's2
Z s' 2
rbe4 Ai ic3

v's1

1 4
[
v s' = rbe + ( + 1)Z s' i 4
1
] avec i c 4 = i c3 = i 4
'
(
v s2 = z6 i c 4 Ai i c3 )
v s' 2 2 z6 +1 2 z6 z6
A2' = = = = 4000 , Z s' 2 = z6 = 4 M
v s' 1 rbe4 + ( + 1)Z s' 1 + 2 rbe4 + rbe2 rbe

Pour valuer Z s' 2 , les deux sources de tensions indpendantes lintrieur du diple sont teintes
( v d / 2 ). Pour le demi-schma de droite reprsent ici, la source v s' 1 = A1' ( v d 2) tant gale
zro, le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Un mme raisonnement sur le demi-schma de
gauche conduit i c3 = 0 . Les sources lies i 4 et Ai i c3 ne dbitant aucun courant, le courant
i 0 , produit par la source de tension v 0 applique lentre du diple, traverse intgralement la
rsistance z6 .

Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre

Le montage base commune prsente la diode dentre de Q4 vue de son metteur, soit
rbe4 rbe4
Z e' 2 = et le collecteur commun Z e' 1 = rbe2 + ( + 1) = 2 rbe 1.25 M .
+1 +1

Sylvain Gronimi Page 131 Elments de circuits intgrs


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i2

rbe2
i2
Z e' 1 rce2 Z'e2
=

La rsistance Z e' 1 tant vue par la source de tension v d / 2 , la rsistance diffrentielle dentre
vue par la source v d est Z d = 2 Z e' 1 4 rbe 2.5 M .

11. Caractrisation du rgime de mode commun

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie, lattaque tant une source
de tension v c .
v s''1
Pour ltage collecteur commun, mmes rsultats avec les notations A1'' = ( A1' ) et Z s''1 Z s' 1 .
vc

Pour ltage pseudo-base commune

i4 iC4

i4
Z''s1 rbe4 z6
v''s2 Z s'' 2
Ai ic3

z0
v''s1

1 [
v s'' = ( + 1)Z s'' + rbe + z0 i 4
1 4
] avec i c3 = i c 4 = i 4
''
(
v s1 = z6 i c 4 Ai i c3 )
v s'' 2 z6 2 2z
A2'' = = 6 17.7 10 3 , Z s''2 = z6 = 10 M
v s''1 rbe4 + ( + 1)Z s1 + z0 + 2
'' z0

Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre

Le schma du montage base commune charges rparties est modifi par la prsence de la
rsistance z0 en srie avec la rsistance rbe4 , ce qui conduit remplacer rbe4 par rbe4 + z0 dans
les expressions analytiques,
rbe4 + z0
soit Z e'' 2 = et Z e''1 = rbe2 + ( + 1)Z e'' 2 = 2 rbe + z0 .
+1

La rsistance de mode commun, vue par la source de tension v c dans le contexte du demi-
schma, est donc Z c = Z e''1 1128 M , valeur surestime par labsence de rce2 .

Sylvain Gronimi Page 132 Elments de circuits intgrs


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12. Taux de rjection de mode commun

Les gains de transfert en tension valent


v s' A' A' z6 v s'' 2 z6
Ad = 2 = 1 2 = = 2000 , Ac = 2 = A1'' A2'' = 17.7 10 3 .
vd 2 2 rbe vc z0

La tension obtenue en fin de chane est la somme des tensions de sortie vide issues des deux
rgimes (thorme de superposition), soit v s2 = v s' 2 + v s'' 2 = Ad v d + Ac v c et la qualit de
lamplification diffrentielle par rapport lamplification du mode commun est exprime par la
A
valeur du taux de rjection de mode commun TRMC = d 112700 , soit environ 100 dB.
Ac

13. Conductance de transfert

En considrant le rgime purement diffrentiel, lamplificateur a t reprsent sous la forme dun


diple de Thvenin de tension v s' 2 = Ad v d et de rsistance z6 . La transformation Thvenin
Norton conduit
v s' A v i A v
is = 2 = d d = v d Yt = s = d d = .
z6 z6 2 rbe vd z6 2 rbe

UT 2 UT I0
Or rbe = = Yt = .
IC4 I0 4 UT
o

Lexpression de la conductance de transfert est retrouve. Ltude dynamique fournit les


performances de ltage en rgime linaire (gain diffrentiel, taux de rjection de mode commun,
rsistances dentre et de sortie, bande passante) et ltude pseudo-continue montre lexcursion
maximale de la tension diffrentielle dentre ne pas dpasser afin de satisfaire un certain
niveau de distorsion de la tension de sortie.

Sylvain Gronimi Page 133 Elments de circuits intgrs


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Intgrateur de tension diffrentielle

Ltude propose concerne le montage de la figure ci-dessous au sein duquel lamplificateur de


tension, suppos idal ( AV = , Z E = , ZS = 0 ), fonctionne en rgime linaire.

C1

R1
v1 -
vs
R2
v2 +

C2

1. Ecrivez lexpression de la tension de sortie v s en fonction de v 1 et v 2 .


2. Si R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , concluez sur la fonction du montage.

Corrig

1. Expression de la tension de sortie

1
C2 p
+
V ( p ) = V ( p)
1 2
R2 +
C2 p
1 1 R1C1p
+
V ( p ) = V ( p ) V2 ( p ) = Vs ( p ) + V1( p )
R2C2 p + 1 R1C1p + 1 R1C1p + 1
1

R1 C1 p
V ( p ) = V ( p) +
1 s 1 1
V ( p)
R1 + R1 +
C1 p C1 p

1 1 R1C1p + 1
do Vs ( p ) = V1( p ) + V2 ( p )
R1C1p R1C1p R2C2 p + 1

2. Fonction du montage

Si R1 = R2 = R et C1 = C 2 = C , Vs ( p ) =
1
[V1( p) V2 ( p )]
RC p

[v (t ) v (t )]dt .
1
Il sagit dun intgrateur de tension diffrentielle dexpression v s (t ) = 1 2
RC

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Convertisseurs dimpdance

Les circuits proposs sont capables de simuler des selfs et des capacits. Les amplificateurs de
tension utiliss, supposs idaux ( AV = , Z E = , ZS = 0 ), fonctionnent en rgime linaire.

La premire tude concerne un circuit simulateur dinductance.

R1
- RS
i

C RP
+
L
ve
R2

(a) (b)

Ve ( p )
1. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z e ( p ) = du montage de la figure a.
I ( p)
2. Ecrivez lexpression de limpdance du montage b telle que RP >> RS .
3. Identifiez L, RS , RP en fonction de R1 , R2 , C.

Cette tude concerne un circuit simulateur de capacit.

R2

U1
- R1
- U2
i
+

+
ve

Ve ( p )
4. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z e ( p ) = du montage.
I ( p)
5. Interprtez ce rsultat.

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Corrig

1. Expression de limpdance dentre

I ( p ) = I1( p ) + I 2 ( p )
i1 R1
- I ( p ) = Ve ( p ) V ( p )
i 1 R1

i2
C
+ [ ]
I 2 ( p ) = Ve ( p ) V + ( p ) C p

ve
R2
V + ( p ) = V ( p ) = R2
V ( p)
1 e
R 2 +
Cp



[ + 1
I ( p ) = Ve ( p ) V ( p ) ]
+ C p
1 1 + R1C p 1 + R2 C p
R1 I( p) =
V ( p)
Ve ( p ) do Z e ( p ) = e = R1
V + ( p ) = R 2 C p R1 1 + R2 C p I( p) 1 + R1C p
Ve ( p )
1 + R2 C p

2. Expression de limpdance du montage b

L L
1+ 1+
R p (Rs + L p )
p p
R p Rs
Rs Rs
Z( p) = = Rs car RP >> RS .
R p + R s + L p R p + Rs L L
1+ p 1+ p
R p + Rs Rp

3. Identification

L L R2 R p
Z e ( p ) Z ( p ) R1 = Rs , R2 C = , R1C = do = et R p = R2 , L = R1 R2 C .
Rs Rp R1 Rs

4. Expression de limpdance dentre

Lamplificateur U1 , mont en suiveur, recopie la tension Ve ( p ) sa sortie. Lamplificateur U 2 ,


R2
mont en inverseur, fournit la tension de sortie Vs ( p ) = Ve ( p ) . La loi dOhm aux bornes cu
R1
condensateur scrit alors
I ( p ) = [Ve ( p ) Vs ( p )]C p Z e ( p ) =
Ve ( p ) 1
=
I( p) R2
1 + C p
R1

5. Interprtation
R
Le montage effectue une multiplication de la capacit C telle que Ceq = 1 + 2 C .
R1

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Amplificateur dinstrumentation amlior

Ltude propose concerne le montage de la figure ci-dessous dans lequel lamplificateur de tension
est suppos idal.
R2

100k
R1
-
1k
R3
V1 S
+
1k
R4
V2 100k

1. Donnez lexpression de la tension de sortie en fonction des tensions dentre.


2. Ecrivez la condition que doivent satisfaire les rsistances pour que ce montage soit un tage
diffrentiel.
3. Donnez les expressions des rsistances dentre et dduisez la condition sur les rsistances du
circuit pour que ces rsistances dentre soient peu prs gales.
4. Si les rsistances du circuit sont prises dans la srie 1%, valuez le TRMC pour le pire cas.

Un tage diffrentiel ( U1 , U 2 ) est plac lentre du montage prcdent, comme le montre la figure
ci-dessous.

U2
+ R1 R2
S1

V1 1k 100k
-

R5
-
220k
R7
R6 S
2.2k
+
220k
U1

V2 - R3 R4

S2 1k 100k
+
U3

5. Donnez lexpression du TRMC du premier tage et discutez de la dispersion des composants.


6. Donnez lexpression du TRMC du montage complet.
7. Comparez les performances ce montage celui du problme prcdent.

Sylvain Gronimi Page 137 Amplificateurs idaux


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Corrig

1. Expression de la tension de sortie

R2 R R4
vS = v 1 + 1 + 2 v2
R1 R1 R3 + R 4

2. Condition pour avoir un tage diffrentiel

R1 R3 vS R
= Ad = = 2
R2 R 4 v1 v 2 R1

3. Expressions des impdances dentre

1 (R3 + R 4 )
R1 R
Z E1 = et Z E 2 = R3 + R 4
v2 R4 R3
1
v 1 R3 + R 4

En effet, la tension diffrentielle v 1 v 2 tant trs faible, v1 v 2 . On a donc intrt prendre


R1 = R3 pour galiser les impdances dentre. Cette condition entrane R2 = R 4 qui correspond
aussi la compensation doffset en sortie ( R1 // R2 = R3 // R 4 ).

4. Expression du taux de rjection de mode commun

Posons K =
R1 R
et K ' = 3 v S =
1
[v1 (1 + K ') v 2 (1 + K )]
R2 R4 K (1 + K ' )
v1 v 2 v1 + v 2 v v 2 v1 + v 2
Or v 1 = + , v2 = 1 +
2 2 2 2

vS =
1 2 + K + K'
(v1 v1 ) (K K ') v1 + v1
K (1 + K ' ) 2 2

En considrant des rsistances de mme dispersion autour de la valeur nominale, le calcul


derreur donne

K R1 R2 K ' R
= + = =2 avec comme pire cas K = K 0 + K et K ' = K 0 K .
K R1 R2 K' R

Lamplificateur tant suppos parfait, on trouve ainsi un TRMC produit uniquement par la
dispersion des composants passifs :

1
+1
2 + K + K ' K0 Ad
TRMC = = en supposant que Ad >> 1 , soit TRMC 68 dB .
2 (K K ') K R
2 4
K0 R

Pour un amplificateur dinstrumentation, il est ncessaire de choisir un composant actif trs bon
TRMC . Cependant, le TRMC minimal calcul dmontre lutilisation de rsistances ultra prcises,
mais les valeurs des impdances dentre restent faibles.

Sylvain Gronimi Page 138 Amplificateurs idaux


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Si un amplificateur prsentant un TRMC de 80 dB est utilis, lerreur additionnelle sera de 1% pour


un gain diffrentiel de 100 ( Ac = 10 2 ). La tolrances des rsistances tant ici de 1%, lerreur
totale de mode commun est donc de 5%.

5. Expression du taux de rjection de mode commun du premier tage

R5 + R 6
v S1 = R (v 1 v 2 ) + v 1
R5
v S1 v S2 = 1 + (v 1 v 2 )
R7

7

v = R 6 (v v ) + v v + v = R5 R6 (v v ) + (v + v )
S2 R7
1 2 2
S1 S2 1 2 1 2
R7

v S1 v S2 R5 + R 6 v S1 + v S2 R5 R 6 v 1 v 2
Ad = = 1+ et Ac = = 1+ 1
v1 v 2 R7 v1 + v 2 R7 v 1 + v 2

La tension diffrentielle tant trs faible devant celle du mode commun, ainsi que la diffrence
entre les deux rsistances, la dispersion des rsistances joue trs peu.

R5 + R 6
TRMC = 1 +
R7

6. Expression du taux de rjection de mode commun du montage complet

R2
R1 2R
TRMC = 1 + avec R = R5 = R6
R R7
4
R

7. Performances

Cet amplificateur dinstrumentation prsente des impdances dentre normes, une impdance
de sortie trs faible (contre-raction tension-tension sur U 2 et U 3 ) et un gain en tension qui peut
tre rglable par un potentiomtre en place de R7 . Lerreur de mode commun est nettement
moindre que dans le premier montage diffrentiel.

Sylvain Gronimi Page 139 Amplificateurs idaux


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Amplificateur dinstrumentation (INA 114 de Burr-Brown)

Le constructeur Burr-Brown propose le circuit intgr reprsent la figure suivante (rsistance RG


hors puce) dont le symbole est associ.

+ R R
-
v in

- R vs1 -
RG
-
vd RG +
Ref
R
+ symbole
vs2 vs
- R R
+
v in
Ref

1. Ecrivez lexpression de la tension de sortie v s en fonction de v d et v ref .

- R1
vd RG

+
Ref
+
i0

R0
-

2. Ecrivez lexpression du courant de sortie i 0 en fonction de v d et concluez sur la fonction du


montage.

Corrig

1. Expression de la tension de sortie


R +
(
v S1 = R v in v in + v in ) 2R

v s = v s1 + v s2 + v ref v s = 1 + v d + v ref
G

RG
v =
S2
R
RG
+
( +
v in v in + v in )

2. Expression du courant de sortie


v ref = R0 i 0
2R vd
R0 i 0 = 1 +
R i =
0 0 R +R s v RG R1
0 1

Il sagit dun convertisseur tension diffrentielle / courant (conductance de transfert) dexpression

2R 1
Yt = 1 + .
RG R1

Sylvain Gronimi Page 140 Amplificateurs idaux


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Amplificateurs logarithmique et exponentiel (antilogarithmique)

Ltude propose concerne les circuits prsents ci-dessous. Tous les transistors sont supposs
technologiquement identiques et leurs courants de base ngligeables ( trs grand, VA = ). Les
amplificateurs de tension sont supposs idaux.

Vref
R2
Q1 Q2

+ U2
R1
-
-
R4 VS
VE
+ U1

R3

Figure 1

R2 R1
Vref

Q1 Q2
R4 V
- U2

R3
VE +
VS

+ U1

Figure 2

Etude en rgime pseudo-continu

1. Ecrivez la relation VS (VE ) pour les deux montages, en constatant que Vref >> V .
2. Concluez sur le type damplificateur et prcisez les avantages et dfauts.

Sylvain Gronimi Page 141 Amplificateurs idaux


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Corrig

1. Expression de VS (VE )

Modles mathmatiques de JBT appairs :

VBEi
VCEi
ICi = I Bi = I BS e UT 1 + avec VA tension dEarly.

VA

En considrant VA = , on a : (ici, VCB = 0 VCE = VBE << VA )

VBE1 IC1
I I e UT VBE1 UT Ln
C1 BS I BS
Q1 Q2 I BS1 = I BS2 = I BS , 1 = 2 = VBE2
ou
V IC 2
IC2 I BS e UT BE 2 UT Ln I
BS

Equations du circuit de la figure 1 :


V = VBE 2 VBE1 (tension diffrentielle trs faible devant Vref ) V
IC ref

( )
Vref = R2 I B2 + IC2 + V R2 IC2 + V ( grand)
2

R2
+ VE
VE = R1IC1 (V = V = 0 pour U1 ) IC1 =
R1
R4
+
VS = 1 + R V (V = V = V pour U 2 )
I
VS = 1 + R 4 UT Ln C2
3
R3 IC1

R R2
do VS UT 1 + 4 Ln
R V VE (amplificateur logarithmique)
R3 1 ref

Equations du circuit de la figure 2 :

V = VBE1 VBE2 (tension diffrentielle trs faible devant Vref )


V
IC ref (Vref >> V )
I = Vref V (V + = V = V pour U1 ) 1
R2
C1 R2
V
VS IC2 =
S

IC2 = R (V + = V = 0 pour U 2 ) R 1
1 IC1 R3
R3 UT Ln = VE
V = VE IC 2 R 3 + R 4
R3 + R 4

1 R3
R1 Vref UT R3 + R 4
VE
do VS e (amplificateur exponentiel)
R2

2. Conclusion

Les expressions trouves sont indpendantes de IBS grce la prsence des deux transistors
appairs. La drive due la temprature vient uniquement de la tension thermique UT , ce qui
pose problme.

Sylvain Gronimi Page 142 Amplificateurs idaux


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Multiplicateur / diviseur

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous. Tous les transistors sont supposs
technologiquement identiques et leurs courants de base ngligeables ( trs grand, VA = ). Les
amplificateurs de tension sont supposs idaux.

Q1 Q2

R2
1.8k
R1
-
- 100k
100k
v2
v1 +
+ U2
U1 v
100k 100k

Q4 R4

Q3 10k
R3
1.8k -
-
100k

v3 +
+ U4 vs
100k U3 10k

Etude en rgime pseudo-continu

1. Ecrivez la relation VS (V1,V2 ,V3 ) .


2. Expliquez le fonctionnement du montage.

Sylvain Gronimi Page 143 Amplificateurs idaux


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Corrig

1. Expression de VS

Pour le montage log, les quations sont les suivantes :

V1
IC1 = R
1 VBE1

I I e UT
R V
V2 C BS
IC2 = et Q1 Q2 1 do V = UT Ln 2 1
VBE2
R2 R1 V2
V = VBE VBE IC2 I BS e UT
2 1

De mme, pour le montage antilog :

V3
IC3 = R
3 VBE3

IC I BS e T R V
U
VS
IC4 = et Q3 Q4 3 do V = UT Ln 4 3
VBE4
R4 R3 VS
V = VBE VBE C4
I I BS e UT
3 4

R2 R 4 V1V3 V1V3
ce qui donne VS = =
R1 R3 V2 10V2

2. Fonctionnement du montage

Ce multiplieur/diviseur un quadrant est bas sur un montage log ( U1 , U 2 ) pilotant un montage


antilog ( U 3 , U 4 ). Le gnrateur log en sortie de U1 commande la base de Q3 par une tension
proportionnelle Ln (V1 V2 ) . Ce transistor additionne une tension proportionnelle Ln (V3 ) et
commande le transistor antilog Q4 . Le courant collecteur de Q4 est converti en une tension de
sortie par U 4 et R 4 avec un facteur dchelle dfini par cette rsistance en V1 V3 (10V2 ) pour
V1 , V2 , V3 0 .
R1 , R2 , R3 , R 4 sont des rsistances de prcision (< 1%) et la relation obtenue se vrifie pourvu
que les transistors soient ports la mme temprature.

Sylvain Gronimi Page 144 Amplificateurs idaux


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Amplificateurs conductance de transfert

Ltude propose concerne quelques applications des amplificateurs conductance de transfert de


type LM 13600 en rgime linaire (voir problme Amplificateur conductance de transfert LM
13600).

Au sein des figures qui suivent, lamplificateur se reprsente par un amplificateur transconductance,
remarquable par la prsence dune flche marque I pol , suivi dun buffer mis sous la forme dun
amplificateur de tension mont en suiveur.

U1
+
is
U2
vd +
-
Ipol -

Lamplificateur transconductance prsente un transfert command par le courant I pol dfini par la
relation Yt = i s / v d = I pol / 2UT et des impdances dentre et de sortie idales ( Z E = , ZS = ).
Lamplificateur de tension est suppos idal ( AV = , Z E = , ZS = 0 ).

Application 1
R1

U1
-
vd is
U2
+

Ipol -
R2 R3

1. Ecrivez lexpression de la rsistance quivalente R.


2. Commentez ce rsultat.

Application 2

-
vd1 is1
ve -
is2
vd2
+
U1
Ipol1 + vs
U2
Ipol2

3. Ecrivez lexpression du gain en tension A v = v s / v e .


4. Ecrivez lexpression de la rsistance de sortie du montage.
5. Commentez les rsultats obtenus.

Sylvain Gronimi Page 145 Amplificateurs idaux


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Application 3

R2 R1

U1
-
vd is U2
R1 +

+
Ipol -
R2 C
ve vs

6. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p ) = Vs ( p ) / Ve ( p ) et dduisez la pulsation de


coupure.
7. Concluez sur le rle de ce montage.

Application 4

R2 R1

R1 R2
U1 U3
- -
vd1 is1 U2 vd2 is2 U4
R1 + R1 +

+ +
Ipol - Ipol -
R2 C R2 C
ve vs1 vs2

8. Ecrivez les expressions des fonctions de transfert H1( p ) = Vs1 ( p ) / Ve ( p ) et H 2 ( p ) = Vs2 ( p ) / Ve ( p )


dans le cas o R1 >> R 2 et I pol1 = I pol 2 = I pol .
9. Identifiez les paramtres et n .
10. Concluez sur le rle de ce montage.

Sylvain Gronimi Page 146 Amplificateurs idaux


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Corrig

Application 1

1. Expression de la rsistance quivalente

v0
La rsistance du diple est dfinie par R = avec v 0 tension applique lentre du diple et
i0
recopie en sortie du suiveur de tension U 2 , i 0 courant entrant dans le diple tel que i 0 = i s .
I pol R2 R 2 UT
i s = Yt v d = 0 v 0 R = 1 + 1
2 UT R1 + R2 R2 I pol

2. Commentaire

La rsistance est commande par le courant I pol et est influence par la temprature ( UT ).

Application 2

3. Expression du gain en tension

i s = Yt v e

1 1
vs Yt I pol1
i s2 = Yt2 v s Av = = 1 = (amplificateur inverseur de tension)
ve Yt 2 I pol 2
i s1 + i s2 = 0

4. Expression de la rsistance de sortie

Rs =
vs
i0
(
avec i 0 = i s1 + i s2 ) (courant entrant dans le diple) et v e = 0 (source teinte

1 2UT
lintrieur du diple), do Rs = = .
Yt 2 I pol

5. Commentaires

Lamplification de tension et la rsistance de sortie sont rglables par les courants de commande
I pol1 et I pol 2 sans utiliser de composants passifs, exceptes les rsistances de rglage des
courants de commande. Lamplificateur peut varier continment de 0 < A v min < 1 < A v max .

Application 3

6. Expression de la fonction de transfert et de la pulsation de coupure

Is ( p ) = Yt Vd ( p )


Vd ( p ) =
R2
[Ve ( p) Vs ( p)] C pVs ( p) = Yt R2 [Ve ( p) Vs ( p)]
R 1 + R 2 R1 + R2
Is ( p ) = C p Vs ( p )

Sylvain Gronimi Page 147 Amplificateurs idaux


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Vs ( p ) 1 1 I pol
do = de la forme avec c =
Ve ( p ) R1 C 1+
p R
1 + 1 + p 2UT 1 + 1 C
R2 Yt c R2

7. Conclusion

Il sagit dun filtre passe-bas du premier ordre dont la frquence de coupure est commande par
I pol .

Application 4

8. Expressions des fonctions de transfert


I s1 ( p ) = Yt1
R2
+
Ve ( p )
R1 // R2
+
( )
Vs1 ( p ) + Vs2 ( p )
1
R R 2 R1 R 1 // R 2
I ( p ) = C pV ( p ) Yt1 = Yt 2 = Yt
s1 s1
avec R1 // R2 R2 R2
I ( p ) = Y R2 R + R // R R + R R
s2 t2 Vs ( p ) 1 1 2 1 2 1
R1 + R2 1

I s2 ( p ) = C pVs2 ( p )

[
pVs1 ( p ) Ve ( p ) Vs1 ( p ) Vs2 ( p ) ] R
avec = Yt 2
pVs2 ( p ) Vs1 ( p ) R1C
p
Vs1 ( p ) Vs ( p ) 1
do H1( p ) = 2
et H 2 ( p ) = 2
Ve ( p ) p p Ve ( p ) p p2
1+ + 2 1+ + 2

9. Identification des paramtres

2 p2 R2
Dnominateur de la forme 1 + p+ n Yt et 0.5 .
n n2 R1C

10. Conclusion

Il sagit respectivement de filtres passe-bande et passe-bas du second ordre.

Sylvain Gronimi Page 148 Amplificateurs idaux


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Filtre passe-bas deux suiveurs de tension

Ltude porte sur le circuit de la figure ci-dessous. Les amplificateurs de tension sont supposs
idaux.

Z2

Z1 U1
+ Z3 U2
ve +

-
Z4
- vs

1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert en tension H ( p ) = Vs ( p ) Ve ( p ) .


2. A partir de la forme de lexpression trouve, dites quels types de filtres du second ordre sont
ralisables et prcisez le type des composants.

Le but est, maintenant, de raliser un filtre passe-bas de frquence de coupure de 300 Hz 3 dB


avec un coefficient de surtension = 1 2.

3. Les condensateurs tant choisis la valeur de 47 nF, valuez les rsistances du montage.
4. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres n et en fonction des composants
passifs. Pourquoi les valeurs des sensibilits sont-elles constantes ?
5. Si tous les composants sont choisis la tolrance de 1%, donnez les variations relatives de ces
paramtres dans le pire cas.

Sylvain Gronimi Page 149 Filtrage analogique


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Corrig

1. Expression de la fonction de transfert

+ Z2 ( p) Z1( p )
VU1 ( p ) = Z ( p ) + Z ( p ) Ve ( p ) + Z ( p ) + Z ( p ) Vs ( p )
1 2 1 2
( U1 et U 2 monts en suiveur de tension )
V ( p ) = Z 4 ( p ) + ( p)
V
s Z 3 ( p ) + Z 4 ( p ) U1

Z 4 ( p) Z 2 ( p )Ve ( p ) + Z1( p )Vs ( p )


Vs ( p ) =
Z3 ( p) + Z 4 ( p ) Z1( p ) + Z 2 ( p )

Vs ( p ) Z2 ( p) Z 4 ( p)
do H ( p ) = =
Ve ( p ) Z1( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 3 ( p ) + Z 2 ( p ) Z 4 ( p )

2. Types de filtres du second ordre

A la vue du schma, si les lments des ponts dimpdances Z1( p ) - Z 2 ( p ) ou Z 3 ( p ) - Z 4 ( p ) sont


de mme nature (rsistif ou capacitif), le transfert en tension est indpendant de la frquence. Ces
ponts doivent tre de mme topologie RC pour obtenir une fonction de transfert du second ordre,
savoir Z1( p ) - Z 3 ( p ) des rsistances et Z 2 ( p ) - Z 4 ( p ) des condensateurs ou linverse, sinon la
fonction est du premier ordre.

Type Z1 Z2 Z3 Z4
Passe-bas R1 1 C2 p R3 1 C4 p

Passe-haut 1 C1 p R2 1 C3 p R4

3. Calcul des rsistances

1 1
H ( p) = de la forme H ( p ) = H 0
1 + R3 C 4 p + R1 R3 C 2 C 4 p 2 2 p2
1+ p+
n n2

1 1 R3 C 4
avec H 0 = 1 , n = , = et c = n 1 2 2 + ( 2 2 1)2 + 1
R1 R3 C2 C 4 2 R1C2

Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un


bilan montre 3 quations ci-dessus ( H 0 connu) pour 7 inconnues R1, C2 , R3 , C 4 et n , , c . Il
est donc ncessaire dintroduire 4 donnes afin dvaluer tous les composants :
- 2 donnes issues du cahier des charges fc = 300 Hz , = 1 2
- 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire, ici
C2 = C 4 = 47 nF .

1
La rsolution du systme linaire conduit aux quations fc = fn = et R3 = 2R1 ,
2 C2 R1 R3
donnant les valeurs R1 8 k , R3 16 k .

Sylvain Gronimi Page 150 Filtrage analogique


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4. Evaluation des sensibilits

d n 1 dR dR3 dC 2 dC 4
= 1 + + + SRn = SRn = SCn = SCn = 0.5
n 2 R1
R3 C2 C4
1 3 2 4

d 1 dR3 dC 4 dR1 dC 2
= + SR = SC = SR = SC = 0.5
2 R3 C4 R1 C2 3 4 1 2

Les amplificateurs monts en suiveur isolent les cellules du premier ordre et il ny a donc pas
dinteraction entre elles.

5. Etude du pire-cas
Avec des tolrances de composants identiques ( R R = C C = 1% ), les variations relatives
sont les suivantes (approche linaire) :
n 1 R C
= = 2 +2 = 2%
n 2 R C

La simulation du pire cas pour la valeur maximale [fonction MAX] au-dessus de la valeur nominale
[direction Hi] donne les tracs suivants.

1.05V

1.00V

nominale (299.214, 721.600m)

0.80V

(299.214, 707.241m) (305.192,707.181m)

0.65V
100Hz 300Hz 400Hz
V(S)
Frequency

Lcart damplitude le plus important (valeur maximale), recherch dans lintervalle 290-310 Hz, se
situe 302 Hz pour les valeurs minimales des composants passifs (valeur nominale diminue de
1%). Les mesures donnent
f 305.2 299.2
- pour lordonne 3 dB (0.707), c 0.02 (frquence de coupure)
fc 299.2
- pour labscisse fn 299 Hz , H ' ( jfn ) 0.722 .

En thorie, les valeurs des composants variant de - 1 %,

d ' f' f 4
= 0 ' = et n = n n = ( 1 %) = 2 % fn' = 1.02 fn , do
df
=
fn fn 2

fc' = fn' 1 2 ' 2 + ( 2 ' 1)


2 2
+1
dfc fc' fc
fc
=
fc
= 2 % , H ' ( jfn ) =
1
2
0.721
2 2
1 fn + 4 ' 2 fn
f '2 fn' 2
n

Sylvain Gronimi Page 151 Filtrage analogique


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Filtre passe-bas contre-raction multiple (structure de Rauch)

Le but du problme est de raliser une cellule du second ordre structure de Rauch, utilisant un
amplificateur de tension parfait en rgime linaire. Les caractristiques relles sont celles dun filtre
passe-bas de gain unit, de coefficient damortissement = 0.5 et de frquence de coupure fc 3
dB gale 1 kHz.

+
C2 R
+

R1 R3
-
10k 10k
vs

ve R4 C5

1. Vrifiez par lexamen du comportement en frquence du circuit quil sagit bien dun filtre passe-
bas. Prcisez le gain du filtre.
V ( p)
2. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p) = s en fonction des composants passifs.
Ve ( p)
3. Identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation propre n , coefficient de
surtension ).
4. Expliquez le fait que les valeurs de deux composants passifs soient donnes.
5. Evaluez les autres composants, y compris la rsistance R + qui permet de minimiser linfluence
des courants de polarisation sur la composante continue de sortie des amplificateurs.
6. Evaluez le maximum K res de la fonction de transfert et la frquence de rsonance fres
correspondante.
7. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K = H 0 , n et en fonction des
composants passifs.
8. Calculez les nouvelles valeurs de K, K res , fres et fc partir de lvaluation des sensibilits,
lorsque la rsistance R1 augmente de 10 %. Fates de mme pour R3 , puis pour R 4 .

Sylvain Gronimi Page 152 Filtrage analogique


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Corrig

1. Vrification du type de filtre

Aux trs basses frquences, les condensateurs sont assimils des circuits ouverts et aucun
courant ne parcourt la rsistance R3 . Le montage est alors un amplificateur inverseur de gain
R 4 R1 .
Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et lentre de
lamplificateur est amene la masse.

2. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique )

1 1
R1 R3
H ( p) =
1 1 1 1 1
C5 p + C2 p + + +
R1 R3 R 4 R3 R 4

3. Identification des paramtres

R4

R1 1
H ( p) = de la forme H ( p ) = H 0
1 1 1 2 p2
1 + + + R3 R 4 C5 p + R3 R 4 C2 C5 p 2 1+ p+
R1 R 3 R 4 n n2

R4 1 R 3 R 4 C5 1 1 1 1
= K , =
avec H 0 =
2 R + R + R , n =
R1 C2 1 3 4 R3 R 4 C 2 C5

et c = n 1 2 2 + ( 2 2 1)2 + 1

4. Prsence de deux valeurs de composants

Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un


bilan montre quatre quations crites prcdemment pour neuf inconnues R1, C2 , R3 , R 4 , C5 et
K , n , , c .
Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants :
- 3 donnes issues du cahier des charges
c = 2 1000 rad / s , = 0.5 , K = 1 ,
- 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire, ici
R1 = R3 = 10 k .

5. Evaluation des composants du filtre

La rsolution du systme linaire fournit les valeurs R 4 = 10 k , C2 60.7 nF , C5 6.75 nF


avec fn 786 Hz .
Afin de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie, il
faut quilibrer les entres par rapport la masse. La source dynamique tant teinte, les
condensateurs assimils des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhait la masse, alors
la topologie montre que R + = R3 + R1 // R 4 = 15 k .

Sylvain Gronimi Page 153 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

6. Evaluation de K res et fres (voir cours Filtrage analogique )

fres = fn 1 2 2 556 Hz et K res dB = H ( jres ) dB = 20 log 2 1 2 1.25 dB


Simulation
20

rsonance
gain unit
(562.341,1.2482)
(15.020,1.4982m)

(1.0000K,-3.0272)

-20 frquence de cassure

-40
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
DB(V(s))
Frequency

7. Evaluation des sensibilits

R4 dK dR 4 dR1
K= log K = log R 4 log R1 = SRK4 = SRK1 = 1
R1 K R4 R1

1 d n 1 dR dR 4 dC2 dC5
n = = 3 + + + SRn = SRn = SCn = SCn = 0.5
n 2 R3
R4 C2 C5
3 4 2 5
R3 R 4 C 2 C5

1 R3 R 4 C5 1 1 1
=
2 R + R + R
C2 1 3 4

1 1 1

d 1 dC5 1 dC 2 R1 dR1 1 R3 dR3 1 R4 dR 4
= + +
2 C5 2 C2 1 1 1 R1 2 1 1 1 R3 2 1 1 1 R4
+ + + + + +
R1 R3 R 4 R1 R3 R 4 R1 R3 R 4
1 1
SC = SC = 0.5 , SR = , SR = SR = .
5 2 1
3 3 4
6

9. Modification des performances

Pour une variation dun composant passif donn, les nouvelles valeurs thoriques des fonctions

K res =
1
2
, fres = fn 1 2 2 et fc = fn 1 2 2 + ( 2 2
)2
1 +1
2 1
seront obtenues par la connaissance des nouveaux paramtres issus des sensibilits.
dK K 'K dK d ' d dfn fn' fn df
= K ' = 1 + K , = ' = 1 + , = fn' = 1 + n fn
K K K f n f n fn

Sylvain Gronimi Page 154 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R1 , nous obtenons


dR1 dR1
K ' = 1 K = 0.9 , ' = 1 0.4833 , fn' = fn 786 Hz
R1 3 R1

1.2V

(11.909, 1.0001)
R1 = 10 k (562.341, 1.1545)
1.0V
(11.909, 909.192m)

R1 = 11 k
(0.9991K, 706.897m)

0.8V
(578.762, 1.0718) (1.0136K, 641.379m)

0.6V

0.5V
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
V(s)
Frequency

R1 +10% K Kres fres (Hz) fc (Hz)


thorie 0.9 1.082 574 1015
mesure 0.909 1.072 579 1014

Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R3 , nous obtenons


dR3 dR3
K ' = K = 1 , ' = 1 + 0.5083 , fn' = 1

fn 747 Hz

6 R3 2 R3

1.2V
R3 = 10 k

(11.909, 1.0001)
(562.341, 1.1545)
1.0V

(520.795, 1.1419)
(0.9991K, 706.897m)

0.8V (945.368, 706.897m)

0.6V
R3 = 11 k
0.5V
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
V(s)
Frequency

R3 +10% K Kres fres (Hz) fc (Hz)


thorie 1 1.142 519 943
mesure 1 1.142 520 945

Sylvain Gronimi Page 155 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Pour une augmentation de 10 % de la rsistance R 4 , nous obtenons


dR 4 dR 4 dR 4
K ' = 1 + K = 1.1 , ' = 1 + 0.5083 , fn' = 1 fn 747 Hz
R4 6 R4 2 R4

1.25V

(11.923, 1.1001) (519.132, 1.2561)


R4 = 11 k

(11.909, 1.0001)
(562.341, 1.1545)
1.00V
R4 = 10 k
(945.111, 777.833m)
(0.9991K, 706.897m)

0.75V

0.50V
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
V(s)
Frequency

R4 +10% K Kres fres (Hz) fc (Hz)


thorie 1.1 1.242 519 943
mesure 1.1 1.256 519 945

Rappelons que les valeurs thoriques sont issues dune approche linaire.

Sylvain Gronimi Page 156 Filtrage analogique


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Filtre passe-bas source contrle (structure Sallen-Key)

Le but du problme est de comprendre la signification des facteurs de sensibilit sur le cas dun filtre
passe-bas du second ordre. Lemploi dun simulateur de circuits lectriques est ncessaire pour traiter
la partie exprimentale.

Le rseau source contrle avec gain K (structure de Sallen-Key) utilise un amplificateur parfait en
rgime linaire.

C1

47n
R4

R3 1820

-
1k
R1 R2
+
1703 1703 vs
C2
ve
47n

Etude thorique

Vs ( p)
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) = en fonction des composants passifs,
Ve ( p)
puis identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain K, pulsation naturelle n , coefficient
de surtension ).
2. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K , n et en fonction des composants
passifs.
3. Evaluez les paramtres et les facteurs de sensibilit.

Etude exprimentale par simulateur

Lutilisation dun simulateur de circuits va permettre de mesurer linfluence des variations de


composants passifs sur la courbe de rponse en frquence du filtre. Deux rponses seront traces au
sein dune analyse paramtrique, lune issue des valeurs nominales des composants et lautre issue
de laugmentation de la valeur dun ou plusieurs composants. Le balayage des frquences stendra
de 10 Hz 10 kHz avec 1500 points par dcade pour une bonne prcision des mesures.

4. Pour la rsistance R1 variant de 1703 1788 , valuez les rapports K K , , fn fn


par la mesure et dduisez les facteurs de sensibilit fonction de R1 . Comparez la thorie.
5. Faites de mme lorsque les rsistances R1 et R2 varient simultanment de 1703 1788 .
6. Faites de mme lorsque la rsistance R 4 varie de 1820 1911 .

Formulaire :

1
1 1
=
2
K 02
avec K 0 =
K res
K
=
1
2
, fn =
fres
2
, fc = fn 1 2 2 + (1 2 )
2 2
+1
2 1 1 2

Sylvain Gronimi Page 157 Filtrage analogique


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Corrig

Etude thorique

1. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique )

Les composants passifs Yi sont des admittances (conductances ou capacits).

Y2
R4

R3
-

Y1 Y3
+
A
vs
ve Y4

La fonction de transfert en tension du filtre scrit :

VS ( p ) K Y1 Y3 R4
= avec K = 1 +
VE ( p ) Y4 (Y1 + Y2 + Y3 ) + Y3 (Y1 + Y2 (1 K )) R3

1 1
Lidentification des admittances telles que Y1( p ) = , Y2 ( p ) = C1 p , Y3 ( p ) = , Y4 ( p ) = C2 p
R1 R2
conduit aux expressions des paramtres n , , K .

K H0
H ( p) = de la forme H ( p ) =
1 + [R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 ] p + R1 R2 C1 C2 p 2 2 p2
1+ p+
n n2
1 R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2
avec n = , = , H0 = K
R1R2C1C2 2 R1R2C1C2

2. Calcul des sensibilits

Les expressions prcdentes montrent que la pulsation naturelle n est influence par les
composants R1 , R2 , C1 , C2 , le coefficient damortissement par R1 , R2 , C1 , C2 , R3 , R 4
puisque ces deux derniers composants ont une action sur le gain K .

1 d n 1 dR dR2 dC1 dC 2
n = = 1 + + + SRn = SRn = SCn = SCn = 0.5
R1R2C1C2 n 2 R1 R2 C1 C2 1 2 1 2

R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2


=
2 R1R2C1C2
1
log = log[R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 ] log 2 [log R1 + log R2 + logC1 + logC2 ]
2

Sylvain Gronimi Page 158 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

d C1 (1 K ) + C2 R1 (1 K ) C2
= dR1 + dC1 + dR 2
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2
R1 + R2 R1C1 1 dR dR2 dC1 dC2
+ dC2 dK 1 + + +
R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 R1C1 (1 K ) + (R1 + R2 )C2 2 R1 R2 C1 C2

1 1 R1 [C1 (1 K ) + C2 ]n
or = n SR = + ,
R1C1(1 K ) + (R1 + R2 )C2 2 1
2 2
1 R2 C2 n 1 R C (1 K )n 1 (R + R2 )C2 n RC K
SR = + , SC = + 1 1 , SC = + 1 , SK = 1 1 n
2
2 2 1
2 2 2
2 2 2

Comme le gain K est fonction R3 et R 4 , nous pouvons calculer les sensibilits de ces rsistances
sur les paramtres K et .
1 R4
R dK R3 R32 K 1
K = 1+ 4 = dR 4 dR3 SRK4 = SRK3 =
R3 K R4 R4 K
1+ 1+
R3 R3
R1C1n (K 1)
et SR = SRK3 SK = = SR
3
2 4

3. Evaluation des paramtres et facteur de sensibilit

En posant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , les expressions scrivent

1 3K R
n = , = , K = 1+ 4
RC 2 R3
1 2K 1 1 1 1 K 1 1 K 1
SR = + , SR = + , SC = + , SC = + , SR = SR =
1
2 2 2
2 2 1
2 2 2
2 3 4
2
1 K
SRfn = SRfn = SCfn = SCfn = 0.5 , SRK3 = SRK4 =
1 2 1 2
K

Lapplication numrique donne

fn 1988 Hz , 0.09 , K 2.82 K res 15.73 , fres 1972 Hz , fc 3071 Hz


SR 5.06 , SR = 0.5 , SR 5.06 , SRn = 0.5 , SC 10.6 , SCn = 0.5 , SC 10.6 ,
n
1 1 2 2 1 1 2

n
SC = 0.5 , SR 10.1 , SRK3 0.645 , SR 10.1 , SRK4 0.645
2 3 4

Etude par simulateur

4. Influence de la rsistance R1

La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1703 ) de la rsistance et la


valeur augmente denviron 5 % (1788 ). Les frquences de rsonance et de coupure diminuent
(frquence naturelle diminue) faiblement ( SRfn = 0.5 ), la surtension augmente (coefficient
1

damortissement diminue) de faon importante ( SR = 5.056 ), le gain K du plateau demeure


1

inchang ( SRK1 = 0 ) avec laugmentation de la valeur de la rsistance.

Sylvain Gronimi Page 159 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

30V

(1.9292K, 20.855)

R1 = 1788
20V (1.9709K, 15.752)

10V

(3.0023K, 1.9942)
(18.535, 2.8202)
(3.0685K, 1.9945)

R1 = 1703
0V
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
V(S)
Frequency

Tableau des mesures :

R1 () K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz )

1703 2.820 15.75 1971 3069

1788 2.820 20.85 1929 3002

Traitement des mesures :

R1 () fn (Hz )

1703 0.08989 1987

1788 0.06777 1938

1
1 1
K 02 K res 1 fres
en utilisant les formules = avec K 0 = = , fn = .
2 K 2 1 2
1 2 2
R1 1788 1703 0.06777 0.08989
= 4.99 % , = 0.246 ,
R1 1703 0.08989
fn 1938 1987
= 0.0247
fn 1987

Comparaison :
sensibilit thorique pratique
SR - 5.05 - 4.93
1

SRfn - 0.5 - 0.49


1

SRK1 0 0

Sylvain Gronimi Page 160 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

5. Influence simultane des rsistances R1 et R2

La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1703 ) des rsistances et la
valeur augmente denviron 5 % (1788 ). Les frquences de rsonance et de coupure diminuent
(frquence naturelle diminue deux fois plus que prcdemment) ( SRfn = SRfn = 0.5 ), la surtension
1 2

(coefficient damortissement) demeure inchang car les effets sannulent ( SR = SR ), le gain K


1 2

du plateau demeure inchang ( SRK1 = SRK2 = 0 ) avec laugmentation de la valeur des rsistances.

20V

(1.8765K,15.751)
(1.9709K,15.752)

15V

R1 = 1788
R1 = 1703
10V

5V (18.535,2.8202)
(3.0685K,1.9945)

(2.9230K,1.9940)
0V
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
V(S)
Frequency

Tableau des mesures :

R1, R2 ( ) K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz )

1703 2.820 15.75 1971 3069

1788 2.820 15.75 1877 2923

Traitement des mesures :


R1, R2 () fn (Hz )

1703 0.08989 1987

1788 0.08989 1892

R1 K f 1892 1987
4.99 % , = 0, =0, n = 0.0478
R1 K fn 1987

Comparaison :
sensibilit thorique pratique

SR + SR 0 0
1 2

SRfn + SRfn -1 - 0.958


1 2

SRK1 + SRK2 0 0

Sylvain Gronimi Page 161 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

6. Influence de la rsistance R 4

La simulation prsente les tracs relatifs la valeur nominale (1820 ) de la rsistance et la


valeur augmente denviron 5 % (1911 ). Les frquences de rsonance et de coupure
augmentent trs lgrement (frquence naturelle inchange) ( SRfn = 0 ), la surtension (coefficient
4


damortissement diminue fortement) augmente fortement ( SR 10.1 ), le gain K du plateau
4

augmente lgrement ( SRK4 0.645 ) avec laugmentation de la valeur des rsistances.

40V
(1.9831K, 32.798)

R4 = 1911
30V

20V
(1.9709K, 15.752)

(10.798, 2.8201)
(3.0819K, 2.0582)
10V
(10.798, 2.9111)

(3.0685K, 1.9945)
R4 = 1820
0V
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
V(S)
Frequency

Tableau des mesures :

R 4 () K (Veff ) K res (Veff ) fres (Hz ) fc (Hz )

1820 2.820 15.75 1971 3069

1911 2.911 32.80 1983 3082

Traitement des mesures :


R 4 () fn (Hz )

1820 0.08989 1987

1911 0.04442 1987

R1 K 2.911 2.82 0.04442 0.08989 f


4.99 % , = 0.0323 , = 0.5058 , n = 0
R1 K 2.82 0.08989 fn

Comparaison :
sensibilit thorique pratique

SR
4
- 10.1 - 10.1
SRfn 0 0
4

SRK4 0.645 0.647

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Conception dun filtre passe-haut Butterworth dordre 4

Le but du problme est de concevoir un filtre de Butterworth dordre 4. Les caractristiques relles
sont celles dun filtre passe-haut de gain unit et de bande passante 3 dB gale 300 Hz. La
structure contre-raction multiple (structure de Rauch) est choisie pour la ralisation des cellules
dordre 2.

Rponse de Butterworth

1. Trouvez lexpression du polynme de Butterworth partir du calcul des ples de la fonction de


transfert gnrale, ples vrifiant les conditions de stabilit.
2. Ecrivez la fonction de transfert dnormalise du filtre passe-bas de pulsation de coupure c .
Dduisez alors lexpression du filtre passe-haut par transformation conforme.
3. Identifiez les paramtres n et de chaque cellule la forme canonique.

Structure contre-raction multiple

C4 R5

C1 C3
-

ve R2
+
R
+ vs

Vs ( p)
4. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) = en fonction des composants passifs
Ve ( p)
pour la ralisation dune cellule passe-haut utilisant un amplificateur parfait en rgime linaire.
5. Identifiez les paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation naturelle n , coefficient de
surtension ).
6. Ecrivez les expressions des sensibilits des paramtres K = H 0 , n et en fonction des
composants passifs.
7. En supposant que les condensateurs possdent la mme valeur et si tous les composants sont
choisis la tolrance de 1%, donnez les variations relatives de ces paramtres dans le pire cas.

Ralisation du circuit

8. Discutez de linteraction des cellules et de la stabilit du montage.


9. En considrant les donnes du problme, pouvez-vous valuer tous les composants passifs dune
cellule ?
10. Les condensateurs C1 et C3 tant choisis la valeur de 47 nF, valuez les composants restants,
y compris les rsistances R + qui permettent de minimiser linfluence des courants de polarisation
sur la composante continue de sortie des amplificateurs.

Sylvain Gronimi Page 163 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Rponse de Butterworth

1. Expression du polynme de Butterworth

2 1
La fonction de transfert en p scrit H ( p ) = .
1 + ( 1) p 2n
n
k=2 k=1
Le carr du module tant pair ( H ( p ) = H ( p ) ), les ples le sont
k=3 k=0
aussi. Pour n = 4, les ples de la fonction sont issus de lquation
1
j +k

1 + p 8 = 0 , soit p = ( 1) 8 = e 8 4 k=4 k=7
=
cos + k + j sin + k
8 4 8 4 k=5 k=6

rpartis sur le cercle de rayon unit (constellation).

La stabilit impose de retenir les ples partie relle ngative, donc situs gauche de laxe
imaginaire, cest--dire
5 5
k = 2, 5 p = cos j sin 0.383 j 0.924
8 8
do (p 2 + 0.766 p + 1)(p 2 + 1.848 p + 1)
7 7
k = 3, 4 p = cos j sin 0.924 j 0.383
8 8

2. Ecriture du filtre passe-bas dnormalis

La dnormalisation seffectue par rapport la pulsation de coupure 3 dB du filtre du 4 ordre :

p
p
1 1 c 1 1

(p + 0.766 p + 1) (p + 1.848 p + 1)
2 2

p2 0.766 p2 1.848
+ p + 1 + p + 1

c
2 c
c
2 c
p2 p2
p c c2 c2
Transformation passe-bas en passe-haut :
c p p 2 0.766 p 2 1.848
+ p + 1 + p + 1

c
2 c
c
2 c

3. Identification des paramtres

2 0.766
cellule 1 : n c , , soit n = 2 300 rad / s , = 0.383

n c
2 1.848
cellule 2 : n c , , soit n = 2 300 rad / s , = 0.924
n c

Structure contre-raction multiple

4. Ecriture de la fonction de transfert (voir cours Filtrage analogique )

C1 C3 p 2 R2 R5 C1 C3 p 2
H ( p) = =
1 1 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2
C1 p + + C3 p + C 4 p + C3 C 4 p 2
R5 R 2

Sylvain Gronimi Page 164 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

5. Identification des paramtres


p2
C1 R 2 R5 C3 C 4 p2 n2
H ( p) = de la forme H ( p ) = H 0
C 4 1 + R2 (C1 + C3 + C 4 ) p + R2 R5 C3 C 4 p 2 2 p2
1+ p+
n n2
C1 1 R2 C1 + C3 + C 4
avec H 0 = , n = , =
C4 R 2 R 5 C3 C 4 R 5 C3 C 4 2

6. Evaluation des sensibilits

C1 dK dC1 dC 4
K= log K = logC1 logC 4 = SCK1 = SCK4 = 1
C4 K C1 C4

1 d n 1 dR dR5 dC3 dC 4
n = = 2 + + + SRn = SRn = SCn = SCn = 0.5
n 2 R2
R5 C3 C4
2 5 3 4
R 2 R5 C 3 C 4

R2 C1 + C3 + C 4
=
R 5 C3 C 4 2
d 1 dR 2 1 dR5 dC1 C1 dC3 C3 1 dC 4 C4 1
= + +
2 R 2 2 R5 C1 C1 + C3 + C 4 C +C +C 2 + C C +C +C 2
C3 1 3 4 4 1 3 4
C1 C3 1 C4 1
SR = SR = 0.5 , SC = , SC = , SC =
2 5 1
C1 + C3 + C 4 3
C1 + C3 + C 4 2 4
C1 + C3 + C 4 2

Les condensateurs C1 et C 4 sont les seuls composants passifs influencer le gain K. Les
sensibilits sur les paramtres n et sont infrieures lunit, ce qui est une bonne chose.

7. Etude du pire cas

Avec des condensateurs de mme valeur et des tolrances de composants identiques


R C
( = = 1% ), les variations relatives sont les suivantes (approche linaire) :
R C
K C1 C 4 C n 1 R C R 2 C
= + =2 = 2% , = 2 +2 = 2% , = + = 1.67%
K C1 C4 C n 2 R C R 3 C

Ralisation du circuit

8. Discussion

La fonction de transfert en tension du filtre du 4 ordre est gale au produit des fonctions de
transfert des cellules sous la condition dadaptation en tension (pas dattnuation de tension entre
cellules). Cette condition est ralise par la prsence, sur lamplificateur, dune contre-raction
tension courant qui rduit fortement la rsistance de sortie de la cellule (topologie parallle en
sortie de montage).
La stabilit est satisfaisante puisque les coefficients damortissement sont positifs. Cela avait dj
t conditionn par le choix des racines partie relle ngative du polynme de Butterworth,
racines complexes conjugues de la forme n jn 1 2 avec la normalisation n = 1 ,
do des valeurs de 0.383 et 0.924 pour .

Sylvain Gronimi Page 165 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

9. Conditionnement du problme

Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un


bilan montre 3 quations crites prcdemment pour 8 inconnues C1, R2 , C3 , C 4 , R5 et H 0 , n , .
Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants dune cellule :
- 3 donnes issues du cahier des charges
n = 2 300 rad / s , = 0.383 ou = 0.924 , K = H 0 = 1 ,
- 2 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire.

10. Calcul des rsistances

Ici, les valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire sont C1 = C3 = 47 nF . La


rsolution du systme linaire fournit les valeurs
cellule 1 : C 4 = 47 nF , R2 = 2.88 k , R5 = 44.2 k
cellule 2 : C 4 = 47 nF , R2 = 6.95 k , R5 = 18.3 k

Afin de minimiser linfluence des courants de polarisation sur la composante continue de sortie, il
faut quilibrer les entres par rapport la masse. La source dynamique tant teinte, les
condensateurs assimils des circuits ouverts et le potentiel de sortie souhait la masse, alors
la topologie montre que R + = R5 .

Simulation

10

(300.454, -3.0038)
cellule 1 : = 0.383
gain unit
(215.444, -3.0547)
0

cellule 2 : = 0.924

-10 (419.008, -2.9918)

-20

filtre complet
-30

-40
100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
DB(V(S1)) DB(V(S2)) DB(V(S))
Frequency

Les deux cellules possdent le mme diagramme asymptotique car mmes pulsations naturelles
n et leurs frquences de coupure 3 dB est fournie par la relation

fc = f n 2 2 1 + ( 2 2 1)2 + 1 , soit fc1 216 Hz et fc2 417 Hz .

Sylvain Gronimi Page 166 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Filtre passe-bande contre-raction multiple (structure de Rauch) sensibilit


amliore

Ltude porte sur le filtre reprsent ci-dessous, utilisant deux amplificateurs de tension parfaits en
rgime linaire.

C
R3
1u
100k
R1 C
-
80k 1u
R2
ve
15.9 + U1 vs1
R4 100k

135k
4.7k

+ R
10k

vs2 U2 -

Vs1 ( p )
1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H1( p ) = .
Ve ( p )
2. Vu lexpression trouve, prcisez le type de filtre. Vrifiez par lexamen du comportement en
frquence du circuit.
3. Ecrivez les expressions des paramtres qui caractrisent le filtre (gain H10 , pulsation naturelle
n , bande passante -3 dB , coefficient de qualit Q). Commentez ces rsultats.
Vs2 ( p )
4. Effectuez la mme dmarche pour la fonction de transfert H 2 ( p ) = et commentez.
Ve ( p )
5. Discutez de la stabilit du montage suivant la valeur de .
6. Si lon prend = 1 et en constatant que la rsistance R 2 possde une valeur trs faible devant
celles des autres rsistances, valuez les paramtres du filtre.
7. Si R 4 , quelle topologie connue retrouvez-vous ? Comparez ses performances aux
performances gnrales prcdemment obtenues.

Sylvain Gronimi Page 167 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

1. Expression de la fonction de transfert H1( p )

Soit A le nud commun R2 , R 4 , C.

Vs2 ( p ) = Vs1 ( p ) (inverseur U 2 )



Ve ( p ) Vs ( p )
+ CpVs1 ( p ) + 2
R1 R4
VA ( p ) =
1 1 1 Ve ( p )
+ + + 2Cp + Cp Vs ( p )
R1 R2 R 4 Vs1 ( p ) R1 R 4 1
=
Vs1 ( p ) R3C p 1 1 1
CpVA ( p ) + + + + 2Cp
R3 R 1 R 2 R 4
V ( p ) =

1
Cp +
R3

V + ( p ) = V ( p ) = 0

Vs1 ( p ) R3C p 1
=
Ve ( p ) R1 1 1 1 R
+ + + 2 3 C p + R3C 2 p 2
R1 R2 R 4 R4

R
2 3 C
R4
p
1 1 1
+ +
R3 R1 R2 R 4
H1( p ) =
R R
2 3 R1 2 3 C
4 R3C 2
1+ 4
R R
p+ p2
1 1 1 1 1 1
+ + + +
R1 R2 R 4 R1 R2 R 4

2. Identification du type de filtre

Le type de filtre est un passe-bande. Aux trs basses frquences, les condensateurs sont
assimils des circuits ouverts et v s1 = 0 . Aux trs hautes frquences, les condensateurs sont
assimils des courts-circuits et v s1 = v + = 0 .

3. Paramtres du filtre

1 1 1 R
R3 + + 2 3
R3 1 1
R R 2 R 4 R4
H 01 = , n = ,Q= n = , =
R R3 R3 R3 C
2 3 R1 C 2
R 4 1 1 1 R4
+ +
R1 R2 R 4

La rsistance R2 rgle la frquence centrale fn indpendamment du gain H 01 et de la largeur de


bande f 3 dB.

Sylvain Gronimi Page 168 Filtrage analogique


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4. Fonction de transfert H 2 ( p )

Vs2 ( p ) Vs2 ( p ) Vs1 ( p )


H 2 ( p) = = = H1( p )
Ve ( p ) Vs1 ( p ) Ve ( p )

Le gain laccord est multipli par et il ny a pas dinversion de phase entre/sortie


R3
H 02 =
R
2 3 R1
R 4

5. Stabilit du montage

R3 2R 4
Stabilit pour 2 > 0 , soit < = 2 .7
R4 R3

6. Evaluation des paramtres

1
Pour = 1 et R2 << R1 et R 4 , alors n
C R 2 R3
fn 126 Hz , f 2 Hz , H 02 = H 01 1 , Q 63

7. Discussion sur les performances

Si R 4 , la topologie devient une structure de Rauch classique, suivie dun inverseur de gain
unit. La frquence centrale demeure inchange, mais les autres paramtres deviennent figs
alors que les performances prcdentes montrent, entre autre, une bande passante trs troite ou
une forte surtension suivant la valeur de , grce au bouclage du second amplificateur.

20
(125.512, 10.456)
(125.244, 7.4701) (125.837, 7.4388)

(125.512, -83.762m) (125.512, -4.0932)

0
(124.573, -2.9929) (126.512, -2.9835)

= 2.2, K = 3.33, Q = 213


= 1, K = 1, Q = 65
R4 = , K = 0.624, Q = 40
-20 (127.124, -7.0963)
(123.981, -7.0837)

-30
100Hz 160Hz
DB(V(S1))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 169 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Filtre passe-bande INIC

Une premire tude porte sur le montage reprsent ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension
parfait en rgime linaire.

i0
-

v0
+

1. Ecrivez lexpression de limpdance dentre Z 0 = v 0 / i 0 et concluez sur lintrt du montage.

Le montage prcdent est intgr au sein du circuit de la figure suivante.


R1 C1
U2
+

ve - + -
R R2 C2 vs
R

U1

Vs ( p)
2. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p) = .
Ve ( p)
3. Vu lexpression trouve, identifiez le type de filtre. Vrifiez par lexamen du comportement en
frquence du circuit.
4. Ecrivez les expressions des paramtres qui caractrisent le filtre (gain H0 , pulsation naturelle n ,
coefficient de qualit Q, bande passante -3 dB ). Commentez ces rsultats.
5. En choisissant R1 = R2 = R et C1 = C2 = C , discutez de la stabilit du montage suivant la valeur
de .
6. Expliquez la prsence de lamplificateur U 2 .
7. Evaluez les paramtres K = H 0 et Q pour = 1 et 1.95 .

Sylvain Gronimi Page 170 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

1. Expression de limpdance dentre Z 0

V0 ( p ) Vs ( p )
I 0 ( p ) = R
V0 ( p ) Z ( p ) + R V0 ( p )
V ( p ) = V ( p ) = V0 ( p )
+ I0 ( p) = 1 Z0 ( p) = = Z( p)
R Z( p)

I0 ( p)
Z( p)
V + ( p ) = Vs ( p )
Z( p) + R

Ce montage ramne limpdance Z en entre, change de signe et proportionnelle


(convertisseur dimpdance ngative).

2. Expression de la fonction de transfert H (p )

Lamplificateur U 2 , mont en suiveur, prsente une haute impdance dentre. Le transfert en


1 R2
tension est produit par un pont dimpdances Z1( p ) = R1 + , Z2 ( p) = .
C1 p 1 + R2 C2 p

Vs ( p ) Z2 ( p) R2C1 p
= =
Ve ( p ) Z1( p ) Z 2 ( p ) (1 + R1C1 p )(1 + R2C2 p ) R2C1 p
R2C1 p
H ( p) =
1 + (R1C1 + R2C2 R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2

3. Identification du type de filtre


1 p
Q n
La fonction de transfert en tension est de la forme H (p ) = 2 .
p 1 p
+ +1
n2 Q n

Le type de filtre est un passe-bande. Aux trs basses frquences, les condensateurs sont
assimils des circuits ouverts et rien ne passe lentre de lamplificateur U1 . Aux trs hautes
frquences, les condensateurs sont assimils des courts-circuits et lentre de lamplificateur
U 2 est la masse.

4. Expressions des paramtres du filtre

H ( p) =
R2C1 (R1C1 + R2C2 R2C1 )p
R1C1 + R2C2 R2C1 1 + (R1C1 + R2C2 R2C1 )p + R1R2C1C2 p 2

R2C1 1 R1R2C1C2
H0 = , n = ,Q= ,
R1C1 + R2C2 R2C1 R1R2C1C 2 R1 1 R 2C 2 R 2C1
C +
R1C1 + R2C2 R2C1
=
R1R2C1C2

Si la rsistance R est ajustable, celle-ci modifie tous les paramtres, except la pulsation
centrale n du filtre.

Sylvain Gronimi Page 171 Filtrage analogique


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5. Stabilit du montage

RC p 1
R1 = R2 = R , C1 = C2 = C H ( p ) = avec 2 = = 2 ( 0)
1 + (2 )RC p + R 2C 2 p 2 Q

Le systme est stable pour > 0 , soit 0 < 2 ; oscillateur pour = 0 , soit = 2 ; instable
pour < 0 , soit > 2 .

6. Prsence de lamplificateur U 2

Lamplificateur U 2 , mont en suiveur, sert de buffer (rsistance dentre trs leve et rsistance
de sortie trs faible par la contre-raction tension-tension totale). Ainsi, la sortie du filtre est
adapte en tension et indpendante de la frquence.

7. Evaluation de paramtres du filtre

40
(1.0574K, 31.700)
(1.0311K, 28.748) (1.0841K, 28.748)
R1 = R2 = 15 k
C1 = C2 = 10 nF
20 = 1.95, K = 39, f = 53 Hz
(1.0579K, 9.529)
K = /(2-)
= 1.5, K = 3, f = 531 Hz

(1.0539K, -9.868m)

(654.992, -3.0167) (1.7120K, -3.0148)


-20
= 1, K = 1, f = 1057 Hz

-40
100Hz 300Hz 1.0KHz 3.0KHz 10KHz
DB(V(s))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 172 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Filtre passe-tout (dphaseur pur) du premier ordre

Le montage reprsent ci-dessous, utilise un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.

10k

R
-
10k s
R
+
ve 10k
vs
C

Vs ( p)
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) = .
Ve ( p)
2. Tracez le module H ( j ) et largument = arg[H ( j )] en fonction de log( ) .
d
3. Ecrivez lexpression du retard (temps de propagation) de groupe = et tracez sa variation
d
en fonction de log( ) .
4. Evaluez le composant C tel que = 1 ms et donnez la plage de frquences correspondante.

f '(x)
arctg [f ( x )] =
d
Formulaire :
dx 1 + f ( x )2

Corrig

1. Expression de la fonction de transfert

+ 1
V ( p ) = 1 + RCp Ve ( p ) p
1
+ V ( p ) 1 RCp n 1
V ( p ) = V ( p ) s = do H ( p ) = avec n =
Ve ( p ) 1 + RCp p RC
V ( p ) + Vs ( p ) 1+
V ( p ) = e n
2

2. Tracs du module et de largument ( p = j )

2
1 j 1+
n n2
H ( j ) = H ( j ) = = 1 (0 dB ) et = arg[H ( j )] = 2 arctg
2
n
1+ j 1+
n
n2

0 0 , = n = , (voir tracs)
2
3. Retard

Sylvain Gronimi Page 173 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

d 2 1
=2 arctg =
d n 2
n
1+ 2
n

2 1
0 , = n = , 0 (voir trac)
n n

4. Evaluation de C

2
= = 2 R C C = 50 nF et fn 318 Hz
n

Le retard est peu prs constant pour f [0, 100 Hz ] (voir trac)

2.0
(318.339, -263.144u)

-2.0
DB(V(s))
0d
(318.339, -90.013)

-90d

-180d
arg (V(s))
2.0ms

(318.339, 500.078u)
1.0ms

0s
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
(V(s)) Frequency

Sylvain Gronimi Page 174 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Filtre passe-tout (dphaseur pur) du second ordre

Le montage reprsent ci-dessous, utilise un amplificateur de tension parfait en rgime linaire.

R2
10k C2

C1 R1
-
10k
Ra
+
ve vs

Rb
10k

Vs ( p)
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p) = en posant K = Ra Rb .
Ve ( p)
2. Dterminez lexpression de K telle que le montage soit un dphaseur pur de fonction de transfert
2 p2
1 p+ 2
1 n n
H ( p) = .
1+ K 2 p2
1+ p+ 2
n n
3. Ecrivez les expressions des paramtres n et .
4. Tracez le module H ( j ) et largument = arg[H ( j )] en fonction de log( ) .
d
5. Ecrivez lexpression du retard (temps de propagation) de groupe = .
d

Un retard sensiblement constant est souhait sur une plage de frquences donne.

6. En prenant comme condition (n ) = (0) 2 , valuez le paramtre puis dduisez les valeurs
des composants passifs C1 , C2 et Ra tel que = 1 ms .
7. Tracez la variation du retard en fonction de log f et donnez la plage de frquences correspondant
un retard peu prs constant.

f '(x)
arctg [f ( x )] =
d
Formulaire :
dx 1 + f ( x )2

Sylvain Gronimi Page 175 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

1. Expression de la fonction de transfert

Soit A le nud commun R1 , R2 , C1

+ 1
V ( p ) = 1 + K Ve ( p )

VA ( p )
+ C2 pVs ( p )
R1
V ( p ) =
1
+ C2 p 1 1 + [(R1 + R2 )C2 K R2C1 ] p + R1R2C1C 2 p 2
R1 Vs ( p )
=
V + ( p ) = V ( p ) Ve ( p ) 1 + K 1 + (R1 + R2 )C2 p + R1R2C1C2 p 2

V ( p) V ( p)
C1pVe ( p ) + s +
VA ( p ) = R2 R1
1 1
C1p + +
R2 R1

2. Expression de K

2 (R1 + R2 )C2
Dphaseur pur si (R1 + R2 )C2 K R2C1 = (R1 + R2 )C2 K =
R2C1

3. Expression des paramtres

1 C2 R1 + R2
n = , =
R1 R2 C1C2 R1 R2 C1 2

4. Tracs du module et de largument ( p = j )

2 p2
1 p+ 2
1 n n2 1 n
H ( p) = H ( j ) = (constant) et = arg[H ( j )] = 2 arctg
1+ K 2 p 2
1+ K 1
2

1+ p+ 2
n n n2

0 0 , = n = , 2 (voir tracs)

5. Retard

2
2 1+
d n 4 n2
=2 arctg =
d 1 2
n 2
2
2
1 + 4 2
n2 2 n2
n

4 2
0 , = n = , 0 (voir trac)
n n

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6. Evaluation de et des composants

(0 ) 2 4
Condition (n ) = = do 0.841 .
2 n 2 n

1 4 C2 4 C 2 Ra
En posant R = R1 = R 2 , n = avec = , = et K = =
R C1C2 n C1 C1 Rb
2
C1C2 =
4 2R 2
do C1 35.4 nF , C2 = 25 nF
C = C2
1 2

et K 2.83 (- 11.6 dB), Ra 28.3 k ( fn 535 Hz )

7. Trac du retard

-10
(534.963, -11.632)
-11

-12

-13
DB (V(s))
0d
(534.963, -180.001)

-180d

-360d
arg (V(s))
2.0ms
(301.834, 965.935u)
(534.963,706.750u)
1.0ms

0s
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz
(V(s))
Frequency

Le retard est peu prs constant sur une plage de 0 300 Hz.

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Filtre coupe-bande (rjecteur) deux amplificateurs de tension

Ltude porte sur le filtre prsent ci-dessous, utilisant deux amplificateurs de tension idaux en
rgime linaire.
R3

100k

R2
-
100k
R1
+ vs
ve 100k U1

C1
-
68n

+
U2

Zeq R4
33k
C2

68n
R5
68k

1. Ecrivez lexpression de limpdance quivalente Z eq constitue par les lments C1, C2, R4, R5,
U2.
1
2. Montrez que limpdance trouve est de la forme Z eq = R + Lp + .
Cp
Vs ( p )
3. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert H ( p ) = .
Ve ( p )
4. En constatant que R1 = R 2 = R3 R , identifiez le type de filtre et valuez ses caractristiques
principales.
5. Tracez la rponse en frquence de la fonction dans le plan de Bode (module et argument).

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Corrig

1. Expression de limpdance quivalente

Lamplificateur U 2 est mont en suiveur. Le condensateur C1 tant en srie avec lentre du


montage, le calcul porte sur limpdance dentre vue par la tension v + .

1
I ( p ) = R 4 I e ( p ) car V + ( p ) = V ( p )
-
C2 p
C1 V + ( p ) = R I ( p ) + R [I ( p ) + I ( p )]
4 e 5 e
ie
+
U2
V + ( p)
ve
R4 = R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p
Ie ( p)
C2
i

R5 1
do Z eq = + R 4 + R5 + R 4 R5 C 2 p
C1 p

2. Identification des lments

R = R 4 + R5 , L = R 4 R5 C2 et C = C1

3. Expression de la fonction de transfert

R3

100k +
V ( p ) = V ( p )

R2 Z eq ( p )
- V + ( p ) = Ve ( p )
100k Z eq ( p ) + R1
R1 R3 R2
+ vs V ( p ) = Ve ( p ) + Vs ( p )
ve 100k U1
R 2 + R3 R 2 + R3

Zeq R1 R3
Z eq ( p )
Vs ( p ) R2
H ( p) = =
Ve ( p ) Z eq ( p ) + R1
R R
LC1 p 2 + R 1 3 C1 p + 1
do H ( p ) = R2
LC1 p 2 + (R + R1 )C1 p + 1

4. Identification du type de filtre

2
1 +j
02 1 1 1 1
H ( j ) = avec 0 = , 1 = et 2 =
2
1 2 + j
LC1 R R
R 1 3

C1
(R + R1 )C1
0 2 R2

Sylvain Gronimi Page 179 Filtrage analogique


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R1 R3
R
R2
Pour << 0 et >> 0 , H ( j ) 1 , pour = 0 , H ( j0 ) = <1
R + R1

Cest donc un filtre rjecteur symtrique de gain unit, centr sur rej = 0 et de largeur relative

de bande de rjection =
C1
(R1 + R4 + R5 ) . Lvaluation des caractristiques donnent :
0 R 4 R5 C 2
frej = 49.4 Hz avec attnuation de 1 201 soit 46 dB, f = 209.6 Hz , Q = 0.236 .

5. Tracs dans le plan de Bode

2
2 2
1
2 + 2
0 2 2
H ( j ) = et arg[H ( j )] = arctg
1
arctg
2 2 2
2 2 1 2 1 2
1 0 0
2 + 2
0 2

100d
(49.4 Hz,0 d)
f0 = 49.4 Hz
0d

-100d
Arg(V(s))
0

f = 209,6 Hz (11.1 Hz,-3 dB) (220.7 Hz,-3 dB)


-25 f0 = 49.4 Hz (49.4 Hz,-46 dB)
Q = 0.236

-50
1.0Hz 3.0Hz 10Hz 30Hz 100Hz 300Hz 1.0KHz
DB(V(s))
Frequency

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Filtre rjecteur variable dtat

Ltude porte sur le filtre reprsent ci-dessous, utilisant trois amplificateurs de tension parfaits en
rgime linaire.

R
-
S2
C
+
U2

R R

R1

E R1
- R2 R3
S1

ve
+
U1
-
S3

R2
+
U3

Ltude de ce filtre seffectuera en deux tapes : tude du sous-circuit encadr en pointill, puis tude
du circuit complet.

Etude du sous-circuit
VS1 ( p )
1. Donnez lcriture de la fonction de transfert H1( p ) = en fonction des composants passifs.
VE ( p )
2. Vu lexpression trouve, prcisez le type de filtre et crivez les expressions des paramtres qui le
caractrisent.

Etude du circuit complet


VS3 ( p )
3. Donnez lcriture de la fonction de transfert H ( p ) = en fonction des composants passifs.
VE ( p )
4. Prcisez le type de filtre obtenu et crivez les expressions des paramtres qui le caractrisent.
Commentez ces rsultats.
5. Citez les donnes manquantes que rclame le conditionnement du problme. Combien de valeurs
arbitraires de composants passifs faut-il prendre si les caractristiques relles du filtre sont
donnes (gain, ).

Sylvain Gronimi Page 181 Filtrage analogique


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Corrig

Etude du sous-circuit

1. Expression de la fonction de transfert H1( p )

Le thorme de Millman appliqu aux nuds A dentre des AOI donne :

Ve ( p ) 1 Vs2 ( p )
+ Vs1 ( p ) Cp + +
0 = R 1 R1 R
Ve ( p ) 1 Vs2 ( p )
2 1 + Vs1 ( p ) C p + + =0
+ + Cp R1
R1 R R1 R

Vs1 ( p ) Vs1 ( p )
Vs ( p )Cp Vs2 ( p ) = RC p
2
= R
1 + Cp 1
+ Cp
R R
R 2C
p
Vs1 ( p ) R1
=
Ve ( p ) R 2C
1+ p + R 2C 2 p 2
R1

2. Type et paramtres du filtre


2
p
n
Le type de filtre est un passe-bande de la forme H1( p ) = H 01
2 p2
1+ p+ 2
n n
1 1 R 1
avec H 01 = 1 , n = ,Q= = n = 1 =
RC 2 R R1C

Etude du circuit complet

VS3 ( p )
3. Expression de la fonction de transfert H ( p ) =
VE ( p )

Le montage sommateur inverseur donne : Vs3 ( p ) =


R3
R2
[ ]
Ve ( p ) + Vs1 ( p ) = 3 [1 + H1( p )]Ve ( p )
R
R2
Vs3 ( p ) R3 1 + R 2C 2 p 2
=
Ve ( p ) R2 R 2C
1+ p + R 2C 2 p 2
R1

4. Type et paramtres du filtre


p2
1+
n2
Le type de filtre est un passe-bande coupe-bande de la forme H ( p ) = H 0
2 p2
1+ p+
n n2

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

R3 1 1
avec H 0 = , n = rej , =
R2 RC R1C

Le rglage de la frquence de rjection et de la largeur de bande 3 dB peut tre ralis de


faon indpendante par laction sur lensemble des rsistances R et R1 respectivement., la valeur
du gain tant indpendante de ces paramtres.

5. Conditionnement du problme

Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un


bilan montre 3 quations crites prcdemment pour 8 inconnues R1, R2 , R3 , R, C et H 0 , n , .
Il est donc ncessaire dintroduire 5 donnes afin dvaluer tous les composants du filtre.

Si les caractristiques relles du filtre sont donnes ( H 0 , n , ), alors 2 valeurs de composants


passifs seront prises de faon arbitraire.

Simulation

20

(47.556, 16.999)
(52.565, 16.999)

(47.564, -3.0002) (52.557, -3.0002)


-0

-20

-40
R2 = 10 k (50.004, -32.100)
C = 1 F (77.545, -23.009)
arbitraire

-60
10Hz 30Hz 100Hz 300Hz
DB(V(S3)) DB(V(S1)) DB(V(S2))
Frequency

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Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Filtre universel

A partir du schma de principe, on tudiera le filtre universel quatre sorties qui met en uvre un
additionneur soustracteur, un additionneur et deux intgrateurs.
Le but est de raliser un filtre rjecteur symtrique de gain unit, de frquence de rjection 50 Hz, de
largeur de bande 2.5 Hz -3 dB et un filtre passe-bande de gain unit.

Schma de principe

S1
-K1 -K4
E + + S4

K2 -1/p
-K3 -K5
S2

-2/p

S3

1. Ecrivez les quations issues du schma.


2. Identifiez les fonctions de transfert crites sous la forme canonique du second ordre et donnez les
expressions de et n .

Ralisation du filtre

R6

R5 R1 10k C1 R2 C2

10k 100n 100n


R7 U1 U2 U3
- - -

S1 S2 S3
+
Ve
+ + +

R4
R9
R3

R10

R8 U4
-
10k S4

3. Identifiez les lments du montage ceux du schma de principe.


4. Les deux intgrateurs tant identiques et linfluence des courants de polarisation sur la
composante continue du signal de sortie de U1 tant minimise, calculez les valeurs manquantes
de rsistances.

Sylvain Gronimi Page 184 Filtrage analogique


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Corrig

Schma de principe

1. Equations issues du schma

1 2
VS1 ( p ) = K1 VE ( p ) + K 2 VS2 ( p ) K 3 VS3 ( p ) , VS2 ( p ) = VS1 ( p ) , VS3 ( p ) = VS2 ( p ) ,
p p
VS4 ( p ) = K 4 VS1 ( p ) K 5 VS3 ( p )

2. Identification des fonctions de transfert

p2 2
p
VS1 ( p ) n2 VS2 ( p ) K1 n
= K1 2 (filtre passe-haut), = (filtre passe-bande)
VE ( p ) p 2 VE ( p ) K 2 p 2 2
+ p +1 + p +1
n2 n n2 n

p2 K5
+
VS3 ( p ) K 1 VS4 ( p ) n2K3 K 4
= 1 2 (filtre passe-bas), = K1 K 4 (filtre rjecteur)
VE ( p ) K3 p 2 VE ( p ) p2 2
+ p +1 + p +1
n2 n n2 n

K2 1
avec n = K 3 1 2 et =
2 K 3 2

Ralisation du filtre

3. Identification des lments

Intgrateurs : (montage inverseur)

R1 C1 VS2 ( p ) Z( p)
=
S1 VS1 ( p ) R1
U2 1
-
VS2 ( p) = VS ( p ) (idem pour U 3 )
R1C1 p 1
S2
1 1
+
Identification 1 = , 2 =
R1 C1 R2 C2

Additionneur : (montage inverseur et thorme de superposition)

R9 R10 R10 R
VS4 ( p ) = VS ( p ) 10 VS3 ( p )
S3 R8 1 R9
R8 U4
S1 R10 R
-
Identification K 4 = , K 5 = 10
S4 R8 R9
+

Sylvain Gronimi Page 185 Filtrage analogique


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Additionneur soustracteur : (thorme de superposition avec montage additionneur)

R6 R5
S3
R5 R
R7 U1
v S2 = 0 VS1 ( p ) = VE ( p ) 5 VS3 ( p )
R7 R6
E -

S1
v S3 = v E = 0
+
+ R3
R4 V ( p ) = R + R VS2 ( p )
S2 3 4
+ ( p) = V ( p)
R3 V
R 6 // R 7
V ( p ) = VS ( p )
R 6 // R 7 + R 5 1

R R R3
VS1 ( p ) = 1 + 5 + 5
R + R VS2 ( p )
R 6 R7 3 4

R R R3 R R
soit VS1 ( p ) = 1 + 5 + 5 VS2 ( p ) 5 VE ( p ) 5 VS3 ( p )
R 6 R 7 3
R + R 4 R 7 R6

R5 R R R3 R5
Identification K1 = , K 2 = 1 + 5 + 5
R + R , K3 = R
R7 R 6 R7 3 4 6

4. Calcul des composants

Le conditionnement du problme demande de disposer dautant dquations que dinconnues. Un


bilan montre 9 quations crites prcdemment pour 21 inconnues
R1, R2 , R3 , R 4 , R5 , R6 , R7 , R8 , R9 , R10 , C1, C2 et n , , 1, 2 , K1, K 2 , K 3 , K 4 , K 5 .
Il est donc ncessaire dintroduire 12 donnes.
a. 5 donnes sont issues du cahier des charges
filtre rjecteur symtrique K 5 = K 3 K 4 , de gain unit K1 K 4 = 1 , de frquence de rjection
rej = n = 100 rad/s et de largeur de bande relative 3 dB 2 = n = 0.05 ,
filtre passe-bande de gain unit K1 = K 2 ,
b. 2 donnes issues de relations entre composants passifs lors de la ralisation
intgrateurs identiques 1 = 2 ou R1C1 = R2 C2 ,
quilibrage statique de ladditionneur soustracteur R 5 // R 6 // R 7 = R 3 // R 4 ,
c. 5 donnes issues de valeurs de composants passifs prises de faon arbitraire
R5 = R6 = R8 = 10 k , C1 = C2 = 100 nF

La rsolution du systme linaire fournit les valeurs


R1 = R2 ( K 3 = 1 ), R7 = 20 R5 ( K1 = K 2 = 0.05 ), R3 // R 4 = 10 3 0.205 , 40 R3 = R 4 ,
R8 = R9 , R10 = 20 R8 ( K 4 = K 5 = 20 )
soit R1 = R2 = 31831 , R3 = 5 k , R 4 = R7 = R10 = 200 k , R9 = 10 k .

Ce filtre est utilis en rjecteur de la frquence parasite issue du secteur, mais la norme EDF donne
50 0.5 Hz (amene ici 1.25 Hz). Si ces fluctuations amnent une attnuation insuffisante
autour de la rjection, un filtre suiveur en frquence, intgrant une boucle verrouillage de phase,
asservira la frquence de rjection la variation de la frquence du secteur (voir cours Boucles
verrouillage de phase ).

Sylvain Gronimi Page 186 Filtrage analogique


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Pour une ralisation optimale, un circuit intgr quad (4 amplificateurs dans un mme botier) doit tre
utilis.

20

(49.977, 37.030m) frej = 50 Hz, f = 2.5 Hz

-0

(48.781, -3.0535) (51.337, -3.0113)

-20

-40

(50.004, -47.457)

-60
10Hz 30Hz 100Hz 260Hz
DB(V(S1)) DB(V(S2)) DB(V(S3)) DB(V(S4))
Frequency

Remarques :

- Les filtres passe-bande et rjecteur possdent un gain unit, les filtres passe-haut et passe-bas
un gain de 0.05 (- 26 dB).
- Les quatre cellules composant le filtre prsentent chacune une contre-raction tension-courant qui
justifie une trs faible rsistance de sortie (topologie parallle), assurant ainsi une adaptation en
tension (fonction de transfert globale gale au produit des fonctions de transfert lmentaires).
- La lecture du schma lectrique peut seffectuer par le raisonnement suivant : les deux
intgrateurs multiplient la fonction de transfert VS1 ( p ) VE ( p ) (sortie de U1 ) par 1 p (sortie de U 2 ),
puis par 1 p (sortie de U 3 ), ce qui implique respectivement que S1 est un passe-haut, S2 passe-
bande, S3 passe-bas ; la somme des passe-haut et passe-bas produit le coupe-bande (sortie de
U 4 ).

Sylvain Gronimi Page 187 Filtrage analogique


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Oscillateur sinusodal triphas

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant des amplificateurs de tension
supposs idaux en rgime dynamique faibles signaux.

C1

10n C1

10n C1

R1 10n
R2 R1
-
R2 R1
-
R2
S1
+ -
S2
+ S3

1. Ecrivez lexpression de la fonction de transfert en boucle ouverte.


2. En boucle ferme et en rgime sinusodal, dterminez la pulsation osc des oscillations et la
condition dentretien de celles-ci.
3. Evaluez les rsistances pour que le systme oscille la frquence de 1021 Hz.

Corrig

1. Expression de la fonction de transfert en boucle ouverte G( p ) B' ( p )


Z( p) R1
Les trois tages sont des montages inverseurs Gi ( p ) = avec Z ( p ) =
R2 1 + R1 C1 p
3
R 1 1
do G( p ) B' ( p ) = 1 3
avec 0 = et B' ( p ) = 1 (retour unitaire)
R2 p R1 C1
1 +
0

relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la
rsistance de sortie du montage inverseur est trs faible par rapport sa rsistance dentre
(contre-raction tension-courant).

2. Conditions doscillations

La boucle tant ferme et en rgime tabli, G( j )B' ( j ) = 1 .

Im[G ( j )B' ( j )] = 0
3
R1 1 = 0 3
=1 osc
R2 2 2 Re [G ( j ) B ' ( j )] = 1 R1 = 2 R2
1 3 +j 3 2
0
2 0 0

3
3. Evaluation des rsistances R1 = = 27 k , R 2 = 13.5 k .
2 fosc C1

Sylvain Gronimi Page 188 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Oscillateur pont RLC

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension


suppos idal en rgime dynamique faibles signaux.

R3
+

R L C
100n -

R1 vs

R2

1. Ecrivez la fonction de transfert B ' ( p ) en tension du rseau passif.


2. Ecrivez le gain de lamplificateur G.
3. En boucle ferme et en rgime sinusodal, dterminez lexpression de la pulsation osc des
oscillations du signal de sortie, ainsi que la condition sur les rsistances.
4. La rsistance R reprsentant les imperfections de linductance ( R >> R3 ), donnez le type de
comportement du bloc amplificateur.
5. Donnez la valeur de linductance L pour obtenir un signal de sortie la frquence de 16 kHz.
6. Evaluez la rsistance R3 de telle manire que = 0.5 pour la fonction B ' ( p ) .
7. Comment devez-vous faire varier R1 pour dmarrer les oscillations ?

Corrig

1. Fonction de transfert B ' ( p ) en tension du rseau passif

Lensemble des lments mis en parallle conduit une impdance


1 Lp Lp
Z ( p ) = R // // Lp = R // = .
Cp LCp 2 + 1 L
LCp + p + 1
2
R

La fonction de transfert en tension est fournie par le pont


L
p
Z( p) R3
B' ( p ) = =
Z ( p ) + R3 1 1
LCp 2 + L + p + 1
R R 3

Sylvain Gronimi Page 189 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

2. Gain de lamplificateur

Lamplificateur de tension tant idal, sa bande passante est considre comme infinie.

R1
G( p ) = 1 + = G (amplificateur non inverseur de gain rel)
R2

3. Conditions doscillations

La boucle tant ferme et en rgime tabli, G B' ( j ) = 1 , relation valable car les conditions
dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et
rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contre-
raction tension-tension conduit des rsultats voisins.

L 1
osc =
R1 Im[G B' ( j )] = 0
G B' ( j ) = 1 +
R3 LC
=1
( )
R2 L 1 + 1 + j LC 2 1 Re[G B' ( j )] = 1 1 + R1 = 1 + R3
R R R2 R
3

4. Comportement du bloc amplificateur

R1
Puisque R >> R3 G = 1 + 1.
R2
Lamplificateur se comporte comme un suiveur de tension ( R 2 >> R1 ).

5. Evaluation de linductance

1
L= 0.99 mH
(2 fosc )2 C

6. Evaluation de la rsistance R3

L
p
R3 2 1 L
Pour R >> R3 , B' ( p ) . La relation ncessaire = = est obtenue en
LCp 2 +
L
p +1
n Q n R 3
R3
identifiant la forme canonique du filtre passe-bande du second ordre, do R3 99.5 .

7. Dmarrage des oscillations

R1
Il faut tablir la condition G B' ( p ) > 1 avec G = 1 + = 1 + , cest--dire donner la rsistance
R2
R1 une valeur relativement plus leve que la valeur nominale, puis diminuer cette valeur jusqu
lobtention du rgime sinusodal tabli.

Ce montage est utilis pour dtecter la prsence de matriaux magntiques ou amagntiques.

Sylvain Gronimi Page 190 Oscillateurs sinusodaux


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Oscillateur pont RLC avec potentiomtre

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, utilisant un amplificateur de tension


suppos idal en rgime dynamique faibles signaux.

R2

100k
R1
-
5k

+
(1-)R
R

R 10k

C L

10n 10mH

Etude du rgime dynamique (faibles signaux)

1. Ecrivez les fonctions de transfert en tension du rseau passif B' ( p ) et de lamplificateur G.


2. Ecrivez les conditions doscillation.
3. Calculez la frquence des oscillations et la position du potentiomtre pour laquelle le circuit
oscille.

Corrig

1. Fonction de transfert B' ( p ) en tension du rseau passif

Lensemble des lments mis en parallle conduit une impdance


1 Lp Lp
Z ( p ) = R // // Lp = R // = .
Cp LCp 2 + 1 L
LCp 2 + p +1
R

La fonction de transfert en tension est fournie par le pont


L
p
B' ( p ) =
Z( p)
=
(1 )R
Z ( p ) + (1 )R L
LCp 2 + p +1
(1 )R

Lamplificateur de tension tant idal, sa bande passante est considre comme infinie.

R2
G( p ) = 1 + = G (amplificateur non inverseur de gain rel)
R1

Sylvain Gronimi Page 191 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

2. Conditions doscillations

La boucle tant ferme et en rgime tabli, G B' ( j ) = 1 , relation valable car les conditions
dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la rsistance dentre est infinie et
rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si lamplificateur est rel, la contre-
raction tension-tension amne des rsultats voisins.

L LC 2 1 = 0
R (1 )R Im[G B' ( j )] = 0
G B' ( j ) = 1 + 2 =1 R2
L
R1
(
+ j LC 2 1 ) Re[G B' ( j )] = 1 1 + =1
(1 )R R1
1 R1
fosc = ,=
2 LC R1 + R2

3. Application numrique

fosc 15.9 kHz , = 0.0476

Sylvain Gronimi Page 192 Oscillateurs sinusodaux


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Oscillateur pont de Wien

Ltude propose concerne le circuit de la figure suivante, utilisant un amplificateur linaire de tension
suppos idal.

+ R3 C1
S

10k 15n
-
C2
R2 R4
10k 15n

10k
R1

Condition dentretien des oscillations

1. Ecrivez la fonction de transfert en boucle ouverte.


2. En boucle ferme, exprimez les conditions dentretien doscillations sinusodales.
3. Donnez les rgles de dmarrage de loscillateur.
4. Calculez les valeurs de la frquence fosc des oscillations et de la rsistance R1 .

Stabilisation de lamplitude des oscillations par thermistance

La rsistance R2 sidentifie une thermistance coefficient de temprature ngatif telle que


R2 = R0 a v eff
2
avec R0 = 11 k, a = 10 3 / V 2 et v eff
2
la valeur quadratique moyenne de la tension
aux bornes de R2 .

5. Vrifiez que la condition de dmarrage est assure.


6. Evaluez lamplitude de la tension de sortie v s en Vpp .

Stabilisation de lamplitude des oscillations par rsistance variable

R3
10k + U1
S
C1
uA741
15n
-

R2

37.5k
R6

C2 D1
R4
15n G
10k J1
J2N4416A R5 C3 D1N4148
100k 100u

La rsistance variable est constitue dun JFET travaillant dans sa zone ohmique et command en
tension par un dtecteur de crte, Dans ces conditions, la tension v ds ne peut dpasser quelques

Sylvain Gronimi Page 193 Oscillateurs sinusodaux


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dizaines de mVpp , ce qui explique la prsence de la rsistance srie R6 sur le schma lectrique. Le
transistor possde les caractristiques IDSS = 14 mA, VP = 4 V .

7. Donnez lexpression de la rsistance RDS du transistor.


8. Ecrivez lexpression de R2 en fonction de RDS , v s et v ds , puis lexpression de R6 .
9. La diode possdant une tension de seuil V0 , crivez lexpression de VGS en fonction de V0 , v ds
et R2 .
10. Evaluez RON , VGS , v s , RDS et R6 en prenant v ds = 80 mVpp et V0 = 0.6 V .
11. Vrifiez que la condition de dmarrage est assure.

Corrig

Condition dentretien des oscillations

1. Fonction de transfert en boucle ouverte

Amplificateur non inverseur : G (p ) = 1 +


R2
(gain constant car amplificateur idal)
R1

Rseau slectif : B' (p ) =


RC p
avec R = R3 = R 4 et C = C1 = C2
R 2 C 2 p 2 + 3 RC p + 1
2
p

filtre de type passe-bande de la forme B0' 2 n et de caractristiques
p 2
+ p +1
n2 n
R
= 2 = 3 , do G(p )B' (p ) = 1 + 2
1 1 1 1
B0' = , n = , = .
3 RC n Q R1 p n
3+ +
n p

relation valable car les conditions dadaptation en tension entre blocs sont respectes. En effet, la
rsistance dentre est infinie et rsistance de sortie est nulle pour le bloc amplificateur idal. Si
lamplificateur est rel, la contre-raction tension-tension conduit des rsultats voisins.
Cependant, le gain peut ne plus tre considr comme constant si la frquence de loscillateur
nest pas faible par rapport la bande passante de lamplificateur.

2. Conditions doscillations
R
En boucle ferme et en rgime tabli, G ( j )B' ( j ) = 1 + 2
1
=1
R1
3 j n
n

Conditions de Barkhausen
[ ( ) (
Im G j B' j = 0 ) ]
osc = n

Re [G ( j )B ' ( j ) ] = 1 2R = 2R 1

3. Condition de dmarrage

R2
1+ >3 soit R2 suprieure sa valeur nominale ou R1 infrieure sa valeur nominale.
R1

Sylvain Gronimi Page 194 Oscillateurs sinusodaux


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1
4. Application fosc = 1061 Hz , R1 = 5 k
2 RC

Stabilisation de lamplitude des oscillations par thermistance

5. Condition de dmarrage
R0
Le dmarrage est assur car 1 + > 3 avec lalimentation teinte. Une fois lalimentation
R1
allume, la tension aux bornes de la thermistance augmente jusqu ce que sa valeur ohmique
diminue et se stabilise R 2 = 2R1 .

6. Amplitude de la tension de sortie

R0 R2
v eff = = 1Veff v s = 3 2 v eff 4.24 Vpp
a

Stabilisation de lamplitude des oscillations par rsistance variable

7. Expression de la rsistance dynamique du JFET

RON VP
RDS avec RON ( partir dune caractristique de transfert stylise du JFET)
V I DSS
1 GS
VP

8. Expressions des rsistances R2 et R3

Condition doscillations : R 2 = 2 (R 6 + RDS ) car R 6 + R DS sidentifie R1 des tudes prcdentes


RDS
Pont de rsistances : v ds = vs
RDS + R6 + R2

2 RDS v s R2
do R2 = et R6 = RDS
3 v ds 2

9. Expression de la tension de grille

Le redressement de lalternance ngative du signal sinusodal de sortie seffectue en dtection


crte puisque R5 C3 >> Tosc , do v s pp = 2 (V0 VGS ) en tenant compte du seuil de conduction de
la diode.

1 V0 4 RON
VGS = avec = (tension continue ngative de commande du JFET canal N).
1 3 R2 v ds

VP

10. Application

RON 286 , VGS 2.45 V , v s 6.1Vpp , RDS 738 et R6 18 k .

Sylvain Gronimi Page 195 Oscillateurs sinusodaux


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11. Condition de dmarrage

R2
Le dmarrage est assur car 1 + > 3 avec lalimentation teinte ( VGS = 0 ). A la mise
R6 + RON
sous tension du montage, la valeur de RDS augmente et se stabilise pour vrifier lgalit
R 2 = 2 (R 6 + RDS ) .

Simulation du circuit

Dmarrage de loscillateur

4.0V

0V

-4.0V
0s 0.5s 1.0s 1.5s
V(S) V(G)
Time

Rgime permanent

4.0V
fosc = 1055 Hz
vs = 6 Vpp

v+ = 2 Vpp v ds = 80 mVpp

0V

VGS = -2.39 V

-4.0V
1.3500s 1.3505s 1.3510s 1.3515s 1.3520s 1.3525s
V(S) V(G) V(U1:+) V(J1:d)
Time

Sylvain Gronimi Page 196 Oscillateurs sinusodaux


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Oscillateur Colpitts

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les
caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V .

+
RD
VCC 2.2k L
20 V -
CG
J1
J2N3819 C2 C1
100 n
68p
R RS
10M 480 CS
100 n

Etude du rgime continu

1. Dterminez les variables de polarisation.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2. Dduisez le paramtre g m de ltude prcdente ( rds = , Cgs , Cgd ngliges).


3. En boucle ouverte, crivez lexpression de la fonction de transfert en tension.
4. En boucle ferme et en rgime sinusodal, crivez les quations donnant les conditions dentretien
des oscillations.
5. Calculez les valeurs manquantes des composants du filtre afin de gnrer un signal sinusodal
la frquence de 3 MHz.
6. Effectuez ltude de la fonction de transfert en tension du circuit en boucle ouverte. Tracez la
rponse en frquence dans le plan de Bode et interprtez les rsultats.

Corrig

Etude du rgime continu

1. Etude statique

VCC = (RD + RS )I D + VDS


2
V 2
VGS 1 2
et I D = I DSS 1 GS + VGS + 1 = 0

VGS = RS I D VP VP2 I DSS RS VP
VGS0
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 = = 3.125 mA , VDS0 = VCC (RD + RS )I D0 11.6 V
RS

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

2
2. Pente du JFET g m = I D0 I DSS 2.5 mA / V
VP
3. Etude en boucle ouverte

Sylvain Gronimi Page 197 Oscillateurs sinusodaux


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Les condensateurs de liaison et de dcouplage CG et CS sont assimils des court-circuits la


frquence de travail de loscillateur.

[ ( )]

Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L + ZC1 = g m Vgs ( p ) RD //
ZC2 Z L + ZC1 ( )

ZC2 + Z L + ZC1
1 1
avec ZC1 = , ZC2 = , Z L = Lp
C1 p C2 p
Vs ( p )
= g m RD
ZC2 Z L + ZC1 ( ) V ( p)
=
ZC1
Vgs ( p ) ( )
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1 ( ) et
Vs ( p ) Z L + ZC1
V ( p) ZC1 ZC2
= g m RD
Vgs ( p ) ( )
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 ZL + ZC1 ( )

4. Etude en boucle ferme et en rgime tabli ( p = j )

En refermant la boucle, le filtre charge sur la rsistance R de valeur trs importante devant celle
1
de la ractance du condensateur C1 la frquence doscillation ( << 10 M ). Ainsi,
C1 osc
ZC1 ZC2
V ( p ) = Vgs ( p ) et g m RD
(
RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1 ) ( ) = 1.
( )
Lquation complexe g m RD ZC1 ZC2 = RD ZC2 + Z L + ZC1 + ZC2 Z L + ZC1 prsentant des termes ( )
1 1
imaginaires purs (ractances ZC1 = , ZC2 = , Z L = jL ), se dcompose en deux
jC1 jC2
quations

C1
g m RD 1 1 g m RD = C
= L (partie relle) + = 2
C2 C1 g R 1 LC 2
C1C 2
2 m D 1

soit 2 1 1 ou 1
=
1 1 L = C + C
RD L C C = 0 (partie imaginaire ) CC
1 2 L 1 2
1 2
C1 + C2

5. Evaluation des composants de loscillateur

Le systme dquations deux inconnues conduit aux conditions doscillations. Dans le cas
prsent, les inconnues sont L et C1 .
1 1 1
C1 = g m RD C 2 374 pF et L = + 49 H .
2 C1C2
1 1 1 1
Notons que la frquence des oscillations scrit fosc = avec = + (mise en srie).
2 LC C C1 C2
Ainsi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent, ce qui conduit lexpression de la
frquence fosc .
A partir de linterprtation dun circuit LC parfait, initialement condensateur charg et courant dans
la boucle nul, la dcharge du condensateur induit un courant dans le circuit magntisant alors la
self. Lnergie lectrostatique du condensateur est convertie en nergie magntique dans la self.

Sylvain Gronimi Page 198 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

La self magntise et le condensateur dcharg, le courant sinverse et lchange dnergie a lieu


dans lautre sens pour revenir ltat initial. La pulsation doscillation est osc = 1 LC .

Si la capacit C est quivalente deux capacits dont le point


L
commun est la masse, un mme courant circule alternativement de C1
i i
vers C2 , chargeant un condensateur et dchargeant lautre, et
v1 C2 C1 v2 inversement. Les tensions aux bornes des condensateurs sont donc
en opposition de phase et le rapport des tensions est gal linverse
du rapport des capacits, soit
1 1 v C
v1 = i et v 2 = i 2 = 2 .
josc C2 josc C1 v1 C1

En pratique, le rseau LC entre en rsonance sa frquence propre fosc , aliment par un


amplificateur inverseur de gain en tension Av = C1 C 2 pour satisfaire les conditions de
Barkhausen respectivement arg [G ( j )] + arg [B' ( j )] = 0 + 2k et G ( j )B' ( j ) = 1 .

6. Etude de tracs dans le diagramme de Bode en boucle ouverte


L
i

J1 C1
RD vs1 C2 vs2

ve R

Une tension sinusodale v e est applique la grille du JFET. Le transistor est une source de
courant commande par la tension dentre et dexpression i = g m v e . Il nest pas ncessaire de
charger la sortie du rseau LC par limpdance dentre de lamplificateur puisque cette dernire
est de valeur trs leve (R = 10 M).

60

(2.9969M, 14.819)
40
(2.9969M, 79.345m)
(10.000K, 14.792)
(1.1749M, -0.8643)

transfert en boucle ouverte

-40
(1.1749M, -58.469)
(2.9969M, -14.725)
-60
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz
DB(V(S1)/V(E)) DB(V(S2)/V(E)) DB(V(S2)/V(S1))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 199 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Les tracs des modules montrent qu la frquence doscillation prvue (3 MHz), le gain de la
boucle ouverte est de 1 (0 dB), ce qui est prouv par le gain de lamplificateur et lattnuation du
rseau LC de valeurs respectives

v s1 v e = Av 5.5 (14.8 dB) et v s2 v s1 = C2 C1 = 1 Av 0.1818 (- 14.8 dB).

Le diagramme de Bode de la phase en boucle ouverte montre une phase nulle la frquence
doscillation prvue, puisque v s2 v e = 1 .

180d

(1.1749M, 90.012)

100d

0d

(2.9974M,-13.767f)

-100d
10KHz 30KHz 100KHz 300KHz 1.0MHz 3.0MHz 10MHz
arg(V(S2)/V(E))
Frequency

Une simulation avec un JFET 2N3819 montre lanalyse transitoire de loscillateur en rgime
permanent vrifiant que les deux tensions en entre et sortie du rseau LC sont en opposition de
phase et que lattnuation du pont est toujours 3.72 20.46 0.1818 .

frquence
gain en tension
20V des oscillations
-5.5
2.97 MHz

VDSo=13 V
10V
v ds = 20.46 Vpp

v gs = 3.72 Vpp
0V

18.4u 18.6us 18.8us 19.0us 19.2us

Time

Le rseau slectif permet dobtenir un dphasage de 180. Si lamplificateur compense


lattnuation introduite par le rseau passif et induit lui-mme un dphasage de -180
(amplificateur inverseur), le gain en boucle ouverte vrifiera les conditions doscillations.

Sylvain Gronimi Page 200 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Interprtation analytique

Limpdance en parallle sur la rsistance RD et les transferts en tension scrivent

1 1
jL +
jC 1 jC 2
Z ( j ) =
1 1
jL + +
jC1 jC 2
1
Vs1 ( j ) Vs2 ( j ) jC1 Vs2 ( j ) Vs2 ( j ) Vs1 ( j )
= g m (RD // Z ( j )) , = , =
Ve ( j ) Vs1 ( j ) 1 Ve ( j ) Vs1 ( j ) Ve ( j )
jL +
jC1

Vs1 ( j ) Vs2 ( j ) Vs2 ( j )


Pour 0 , Z ( j ) , g m RD , 1, g m RD ( + 14.8 dB, 180 )
Ve ( j ) Vs1 ( j ) Ve ( j )

1
Pour = ( f 1.175 MHz ) Z ( j ) = 0 ,
LC1
Vs1 ( j ) Vs2 ( j ) Vs2 ( j ) L
=0, , = j gm j 0.905 ( 0.864 dB, 90 )
Ve ( j ) Vs1 ( j ) Ve ( j ) C1

1 1 1
Pour = osc = + ( f 3 MHz ) Z ( j ) ,
L C1 C2
Vs1 ( j ) Vs2 ( j ) C2 Vs2 ( j )
= g m RD , = , = 1 ( 0 dB, 0 )
Ve ( j ) Vs1 ( j ) C1 Ve ( j )

1
1 Vs1 ( j ) Vs2 ( j ) jC1 Vs ( j ) gm
Pour , Z ( j ) , 0, 0, 2 j 0
jC2 Ve ( j ) Vs1 ( j ) jL Ve ( j ) LC1C2 3
( dB, 90 )

Dmarrage de loscillateur

25V

20V

V(J1:d)

10V

V(J1:g)
0V

-5V
0s 5us 10us 15us 20us 25us

Time

Sylvain Gronimi Page 201 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Oscillateur Colpitts (variante)

Une tude dynamique aux faibles signaux est propose ici, concernant le circuit de la figure ci-
dessous. Les paramtres du modle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V , rds , Cgs et Cgd
ngligeables.

C3 1n
RD
VCC +
2.2k
L
20 V - S
CG
J1
J2N3819
1u C2 C1
22p
RG RS
CS
10M 480 1u

1. Ecrivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations.


2. Evaluez les autres composants ( C1, L ) du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la frquence
de 1 MHz.
3. Quel est lintrt de ce montage par rapport au montage Colpitts classique ?

Corrig

1. Conditions dentretien des oscillations

C1 Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de


g m RD = C capacit C gale C3 en parallle sur C1 en srie avec C2 , ce
2
1 qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des
=
tensions sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un
CC
L C3 + 1 2 gain de lamplificateur Av = C1 C2 pour satisfaire les conditions
C1 + C2
de Barkhausen.

2. Evaluation des composants de loscillateur

1 1
C1 = g m RD C2 121 pF et L = 25 H .
C1C2 C3
2
2 C3 +
C1 + C2

3. Intrt du montage

La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparatre au niveau numrique que
CC
C3 >> 1 2 , ce qui implique que osc peut varier uniquement en fonction de C3 .
C1 + C2

Sylvain Gronimi Page 202 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Oscillateur Clapp

Une tude dynamique aux faibles signaux est propose ici, concernant le circuit de la figure ci-
dessous. Les paramtres du modle transistor JFET sont g m = 2.5 mA / V , rds , Cgs et Cgd
ngligeables.

RD
VCC +
2.2k
L C3
20 V - S
CG
J1 10p
J2N3819 C1
1u C2
1n
RG RS
CS
480 1u
10M

1. Ecrivez les quations donnant les conditions dentretien des oscillations.


2. Evaluez les autres composants ( C3 , L ) du filtre afin de gnrer un signal sinusodal la
frquence de 5 MHz.
3. Quel est lintrt de ce montage ?

Corrig

1. Conditions dentretien des oscillations

C1 Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de


g m RD = C capacit C gale C1 , C2 et C3 en srie, ce qui conduit
2
1 lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions sur le
= rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de
L
1 1 1 lamplificateur Av = C1 C2 pour satisfaire les conditions de
+ + Barkhausen.
C 1 C 2 C 3

2. Evaluation des composants de loscillateur


1 1 1 1 1 1
C1 = g m RD C2 5.5 nF et L 2 100 H car + + et osc .
C3 C1 C 2 C 3 C 3 L C3

3. Intrt du montage

La relation donnant la pulsation des oscillations laisse apparatre au niveau numrique que C1 et
C2 >> C3 , ce qui implique que osc peut varier uniquement en fonction de C3 . De cette faon, la
1
frquence des oscillations est trs peu dpendante des impdances dentre ( << RG ) et
C1 osc
1
de sortie ( << RD ) de lamplificateur, surtout avec un bipolaire.
C2 osc

Sylvain Gronimi Page 203 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Oscillateur Colpitts contrl en tension (VCO) JFET source commune

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les
caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V .

La capacit CV de la diode varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de
0.5 5 V.

Vcc
B

RD B

20V 2.2k CD
B
CL B Lchoc
B

J1
B 10u 10u
C2 B

Vcom
B

68p
L CVB

22uH
R C1
B

10Meg RS B CS B

480 10u

Comprhension du schma

1. Donnez une description prcise du circuit.

Etude en rgime continu

2. Dessinez le schma et valuez les variables de polarisation. Expliquez le fonctionnement de la


commande de la diode varicap.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

3. Dduisez la valeur du paramtre g m du modle du transistor ( rds , Cgs Cgd tant ngligs).
4. En boucle ouverte, crivez lexpression de la fonction de transfert en tension.
5. En boucle ferme et en rgime sinusodal, crivez les quations donnant les conditions dentretien
des oscillations.
6. Evaluez la capacit C1 du filtre, puis le domaine des frquences doscillation possibles par laction
de la tension continue Vcom .
7. Evaluez le facteur de conversion tension-frquence dfini par K 0 = f Vcom en supposant un
transfert linaire.

Sylvain Gronimi Page 204 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

1. Description du circuit

La rsistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et la capacit CS dcouple sa source


(montage source commune pour les signaux HF). Limpdance de charge du transistor est
constitue par la rsistance RD (suppose de faible valeur par rapport la charge extrieure du
circuit). La capacit CD est une capacit de liaison permettant de sauvegarder le potentiel continu
de drain. Une diode varicap est utilise pour commander loscillateur. Connecte en parallle avec
le circuit L C1 C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique, elle est polarise en inverse
par la tension continue Vcom de commande par le biais dune inductance de trs grande
impdance en HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). La connexion de la diode avec
le circuit L C1 C2 est ralise par une capacit de liaison CL (court-circuit en HF et circuit
ouvert en continu).

2. Schma et variables de polarisation

VCC = (RD + RS )I D + VDS


2
V
VCC
B RD B

et I D = I DSS 1 GS
20 V 2.2k
VGS = RS I D VP
2
VGS 1 2
D1 + VGS + 1 = 0

VP2
B B

Vcom
B I DSS RS VP
J1
B

VGS0
R
VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 = = 3.125 mA ,
RS RS
10Meg
B

480
VDS0 = VCC (RD + RS )I D0 11.6 V

La diode varicap est traverse par un courant inverse trs faible et le courant de grille du JFET est
insignifiant (ordre du pA). La chute de tension aux bornes de la rsistance R peut tre nglige,
ce qui signifie que lanode de la diode est la masse. De ce fait, la tension de commande Vcom
est aux bornes de la diode varicap et modifie la valeur de sa capacit CV .

2
3. Paramtre g m = I D0 I DSS 2.5 mA / V
VP

4. Etude en boucle ouverte

Les condensateurs de liaison CS , CD et CL sont assimils des courts-circuits la frquence de


travail de loscillateur.
CV

L
J1
RD vs C2 C1 v
R vgs

Sylvain Gronimi Page 205 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

[ (

)]
Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 // Z L // ZC V + ZC1 = g m Vgs ( p ) RD // ZC2 //
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ( )
Z L + ZC V
[
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 ( )]
Vs ( p ) = g m Vgs ( p ) RD //
(
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V + ZC2 Z L + ZC V ) ( )

1 1 1
avec ZC1 = , ZC 2 = , ZC V = , Z L = Lp
C1 p C2 p CV p
Vs ( p ) [
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 ( )]
Vgs ( p )
= g m RD
[ ( )]
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V [ ( )( )]
V ( p) (
ZC1 Z L + ZC V )
et =
(
Vs ( p ) Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V )
V ( p) ZC1 ZC2 Z L + ZC V ( )
do
Vgs ( p )
= g m RD
[ ( )]
Z L ZC V + ZC1 Z L + ZC V ZC2 + RD Z L ZC V + ZC1 + ZC2 Z L + ZC V [ ( )( )]

5. Etude en boucle ferme et en rgime tabli ( p = j )

En refermant la boucle, le filtre charge sur la rsistance R de valeur trs importante devant celle
1
de la ractance du condensateur C1 la frquence doscillation ( << 10 M ). Ainsi,
C1osc
ZC1 ZC2 Z L + ZC V ( )
V ( p ) = Vgs ( p ) et g m RD
[Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )] = 1 .
L CV C1 L CV C2 D L CV C1 C2 L CV

g m RD ZC1 ZC2 (Z + Z ) = [Z Z + Z (Z + Z )]Z + R [Z Z + (Z + Z ) (Z + Z )]


L CV L CV C1 L CV C2 D L CV C1 C2 L CV

quation prsentant des termes imaginaires purs qui se dcompose en deux quations avec
1 1 1
ZC1 = , ZC 2 = , ZC V = , Z L = jL :
jC1 jC2 jCV

L 1 1 1
0 = RD + L + (partie relle)
CV
CV C1 C 2
2


g m RD 1 1 L 1 1
L = + L (partie imaginaire )
2
C1C 2
CV C2 CV CV 2 C1

C1
g m RD = C
2 1 1 1 1 1 1 2
L + + = + 1 1
CV C1 C2 CV C1 C2 = =
soit ou 1 1 1 CC
LC1 2 + + L 1 2 + CV
g m R D + 1 =
C
L V
C1 C2 C1 + C2
1 LCV 2 1 1 1
+
CV 1C C 2

Sylvain Gronimi Page 206 Oscillateurs sinusodaux


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

La self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale CV en parallle sur
C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport des tensions
sur le rseau LC est encore C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2
(ou Av = g m RD ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen.

6. Evaluation de C1 et du domaine des frquences doscillation

1
C1 = AV C2 = 374 pF et fosc = .
CC
2 L CV + 1 2
C1 + C2

Pour CV = 2 pF , foscmax = 4397542 Hz et pour CV = 10 pF , foscmin = 4128889 Hz .

7. Evaluation de K 0

Lexcursion de frquence f est denviron 269 kHz pour une tension de commande passant de
0.5 5 V, ce qui donne un transfert (suppos linaire) du VCO
f
K0 = 59.7 kHz / V .
Vcom

Sylvain Gronimi Page 207 Oscillateurs sinusodaux


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Oscillateur Colpitts contrl en tension (VCO) JFET drain commun

Ltude propose concerne le circuit de la figure ci-dessous, le transistor JFET possdant les
caractristiques constructeur I DSS = 8 mA, VP = 4 V .

La capacit CV de la diode Varicap est comprise entre 2 et 10 pF pour une tension de polarisation de
0.5 5 V.

Vcc
B

10V
Lchoc
B CL
B

J1 B

10u
Vcom
B
C1
B

D1
B
L
22uH
C2 B

RS B

100p vs
B

480

Comprhension du schma

1. Donnez une description prcise du circuit.

Etude du rgime continu

2. Dessinez le schma et dterminez les variables de polarisation du JFET.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

3. Dduisez la valeur du paramtre g m du modle du transistor ( rds , Cgs Cgd tant ngligs).
4. Dessinez le schma.
5. En rgime sinusodal tabli, crivez les quations donnant les conditions dentretien des
oscillations.
6. Evaluez la capacit C1 du filtre, puis les limites du domaine des frquences doscillation possibles
par laction de la tension continue Vcom .
7. Dduisez la valeur du facteur de conversion tension-frquence dfini par K 0 = f Vcom en
supposant un transfert linaire.

Sylvain Gronimi Page 208 Oscillateurs sinusodaux


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Corrig

1. Description du circuit

La rsistance RS fixe le courant de polarisation du JFET et constitue limpdance de charge du


transistor (suppose de faible valeur par rapport la charge extrieure du circuit). Une diode
varicap est utilise pour commander loscillateur. Connecte en parallle avec le circuit
L C1 C2 (topologie Colpitts) du point de vue dynamique, elle est polarise en inverse par la
tension continue Vcom de commande par le biais dune inductance de trs grande impdance en
HF (circuit ouvert en HF et court-circuit en continu). La connexion de la diode avec le circuit
L C1 C2 est ralise par une capacit de liaison CL (court-circuit en HF et circuit ouvert en
continu). Le systme est boucl entre source et grille (montage drain commun du JFET).

2. Schma et variables de polarisation

2
VCC = RS I D + VDS V
et I D = I DSS 1 GS
VGS = RS I D VP
VCC B

2
VGS 1 2
+ VGS + 1 = 0

VP2 DSS S
I R VP
J1 B

Vcom B

VGS0
D1 VGS0 = 1.5 V ( VP < VGS0 < 0 ), I D0 = = 3.125 mA ,
RS
B B

RS B

480
VDS0 = VCC RS I D0 8.5 V

La tension de commande Vcom est applique diectement aux bornes de la diode varicap car le
condensateur CL est quivalent un circuit ouvert. La self, quivalente un court-circuit, relie la
grille du JFET la masse.

2
3. Pente du JFET gm = I D0 I DSS 2.5 mA / V
VP

4. Schma

C1
B

RS Lp
i avec Z1( p ) = et Z 2 ( p ) =
Z2 gm vgs 1 + RSC2 p 1 + LCV p 2
vgs
B B B

Z1
B
B

( CV : capacit de la diode Varicap)

Le condensateur de liaison CL est assimil un court-circuit la frquence de travail de


loscillateur.

Sylvain Gronimi Page 209 Oscillateurs sinusodaux


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5. Conditions dentretien des oscillations

g m Vgs ( p ) + C1 pVgs ( p ) + I ( p ) = 0 1 Z ( p)
gm + + 2 + 1 C1 p = 0
Z1( p )I ( p ) = Vgs ( p ) + Z 2 ( p )C1 pVgs ( p ) Z1( p ) Z1( p )
LC1 p 2
soit 1 + g m RS + RS (C1 + C2 ) p + (1 + RSC2 p ) = 0
1 + LCV p 2

LC1 2 LC1C 2 2
En rgime sinusodal, p = j 1 + g m RS + + j R C
S 1 + C + =0
LCV 2 1
2
LCV 2 1

C1
LC1 2 g m RS = C
1 + g m RS + = 0 (partie relle) 2
LCV 2 1
do =
1
LC1C2 2 osc CC
C1 + C2 + LC 2 1 = 0 (partie imaginaire ) L CV + 1 2
V C1 + C2

Ici aussi, la self voit ses bornes un condensateur quivalent de capacit C gale CV en
parallle sur C1 en srie avec C2 , ce qui conduit lexpression de la frquence fosc . Le rapport
des tensions sur le rseau LC est C2 C1 , ce qui ncessite un gain de lamplificateur Av = C1 C2
(ou Av = g m RS ) pour satisfaire les conditions de Barkhausen.

6. Evaluation de C1 et du domaine des frquences doscillation

C1 = g m RS C2 = 120 pF .
Frquences extrmes : foscmax = 4512424 Hz ( CV = 2 pF ), foscmin = 4223534 Hz ( CV = 10 pF ).

7. Evaluation de K 0

Lexcursion de frquence f est denviron 289 kHz pour une tension de commande passant de
0.5 5 V, ce qui donne un transfert (suppos linaire) du VCO
f
K0 = 64.2 kHz / V .
Vcom

Sylvain Gronimi Page 210 Oscillateurs sinusodaux


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Stabilisation dune tension par diode zener

Ltude porte sur le circuit diode zener suivant.

D Rch vS
vE

La tension v E (t ) = VEo + v e (t ) , v e (t ) tant londulation rsiduelle issue du filtrage, est applique


lentre du circuit. Une tension v S (t ) = VSo + v s (t ) est recueillie sur la charge.
Les rsistances statique RZ et dynamique rz de la diode zener sont de valeur ngligeable devant la
rsistance R.

Etude du rgime continu

1. Donnez lexpression de la tension VSo aux bornes de la charge.


2. Ecrivez la condition pour que la stabilisation ait bien lieu (polarisation de la diode dans sa zone
davalanche).
3. Ecrivez la condition pour que la puissance dissipe en rgime permanent soit infrieure la
puissance maximale (donnes constructeur).

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

4. Donnez lexpression de la tension v s (t ) aux bornes de la charge.


5. En supposant que Rch >> rz , discutez de la stabilit en dehors des problmes lis la
temprature et au vieillissement de la diode. On rappelle quune tension est stabilise (et non
rgule) quelle que soit la variation de la source (stabilisation amont) et quelle que soit la variation
de la charge (stabilisation aval).

Sylvain Gronimi Page 211 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Etude du rgime continu

1. Expression de la tension aux bornes de la charge

R Rth
RZ

VEo Rch Rch VSo


Vth
VZo

RZ R
avec Vth = VEo + VZo et Rth = R // R Z
RZ + R R + RZ
Rch Rch R
VSo = Vth VE Z + VZo avec R >> R Z
Rch + Rth Rch + RZ o R

2. Condition sur la ralisation de la stabilit

Pour que la stabilisation ait bien lieu, le point de fonctionnement de la diode doit se situer
lintersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractristique. Le
circuit quivalent vu par la diode conduit lexpression de cette droite de charge.

ID

R Rth

VEo Rch D Vth D VD

Rch V V'
avec Vth' = VEo ' = R // R , do la droite de charge I = D th
et Rth ch D
Rch + R '
Rth '
Rth
Rch
La condition scrit Vth' > VZo ou encore VEo > VZo .
Rch + R

3. Condition sur la puissance dissipe dans la diode

La puissance dissipe dans la diode doit tre nettement infrieure la puissance maximale en
rgime permanent, soit VSo I Z << PZmax = VSo I Zmax ( partir des donnes constructeur).

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

4. Expression de la tension aux bornes de la charge

Sylvain Gronimi Page 212 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

R rth

ve rz Rch vth Rch vs

rz Rch
avec v th = v e et rth = R // rz v s = v th
rz + R Rch + rth
Rch rz
Puisque rz << R vs ve .
Rch + rz R

5. Stabilit de la tension

En considrant de trs faibles variations de v e et Rch par rapport aux valeurs nominales, on
dduit les variations de v s au premier ordre par

v s v s
dv s = dv e + dRch
v e Rch
dv s v s Rch rz dv s v rz rz
avec = = et = s = ve
dv e v e R =cte Rch + rz R dRch Rch v =cte (Rch + rz ) R
2
ch e

rz r dRch
dv s dv e + z v s ( Rch >> rz ).
R Rch Rch

dv s r dRch dv s dRch
Si dv e = 0 (stabilisation aval) z soit << car rz << Rch
vs Rch Rch vs Rch
rz
Si dRch = 0 (stabilisation amont) dv s dv e soit dv s << dv e car rz << R
R

En conclusion, la stabilisation est dautant meilleure que la variation v e (t ) de la source v E (t ) est


faible (bon filtrage), la rsistance dynamique rz de la diode zener est faible (caractristique
verticale), la rsistance R de polarisation est grande (source de courant).

Remarquons que la tension zener est considre comme parfaite dans ce problme ( VZ = 0 ).
Toutefois, pour tre complet, il faudrait tenir compte du coefficient de temprature et de
vieillissement de la diode ( VZ relativement faible) (voir cours Les rgulateurs de tension ).

Sylvain Gronimi Page 213 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Circuits de stabilisation dune tension par rfrence zener

Dans ce problme, les variations dues la temprature et au vieillissement des composants ne seront
pas prises en compte. Le dispositif de stabilisation en tension est reprsent sous la forme du
quadriple suivant :

RE iS (t)

Stabilisation
vS (t) Rch
vE (t)
en tension

La tension de sortie VS dpend donc des variations de la tension VE et du courant continu soutir IS ,
soit VS = f (VE , IS ) et pour de faibles variations autour du point de fonctionnement, on peut crire

V V
dVS = S dVE + S dI S

E IS =ISo
V IS VE =VEo

avec v s (t ) = dVS , v e (t ) = dVE , i s (t ) = dI S les variations dans le rgime dynamique aux faibles signaux
respectivement aux points de fonctionnement VSo , VEo , ISo .

v
Du rgime dynamique v s (t ) = SV v e (t ) R0 i s (t ) , on dfinit les performances SV = s facteur de
v e i s =0
v
rgulation (stabilit en amont), R0 = s rsistance de sortie (stabilit en aval), partir du
i s v e =0
schma suivant
R0 is

SV ve vs Rch

Trois dispositifs de stabilisation en tension, utilisant une rfrence de tension dlivre par une diode
zener, sont proposs ici et conduisent trois problmes indpendants. Chacun des problmes
demande une tude du rgime continu et une tude du rgime dynamique aux faibles signaux en vue
de dterminer SV et R0 .

Sylvain Gronimi Page 214 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Stabilisation par diode zener


RE R'

20 80
vE Rch
D
100

statique RZ 0 , VZo = 9 V
Diode zener D , R = RE + R ' .
dynamique rZ = 5

Etude du rgime continu

1. Dessinez le schma.
2. Dterminez le point de fonctionnement ( I Zo , VZo ) de la diode en fonction de VE , R, VZo , Rch .
3. Evaluez I Zo pour VE = 20 V , ainsi que la puissance dissipe PZ dans la diode zener.
4. Expliquez en quelques mots la prsence de la rsistance R.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

5. Dessinez le schma.
6. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la
traverse et de la tension dentre v e .
7. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.

Stabilisation par transistor

RE Q

20
R
vE Rch
100
D

Transistor Q = 100, VBE 0.6 V ( >> 1 )

Etude du rgime continu

8. Dessinez le schma.
9. Le point de fonctionnement de la diode demeurant inchang, dterminez les valeurs de la tension
VS et du courant IS en sortie.
10. Donnez lexpression de la rsistance R et valuez cette dernire pour VE = 20 V .

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

11. Dessinez le schma.


12. Evaluez le paramtre rbe du modle du transistor.

Sylvain Gronimi Page 215 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

13. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la
traverse et de la tension dentre v e .
14. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.

Stabilisation par contre-raction


RE Q

20
R
R1
+ 10k
Rch
vE
100
D
- R2
20k

Amplificateur oprationnel Ad = 10 5 , Re = , Rs = 0

Etude du rgime continu

15. Dessinez le schma.


16. Le point de fonctionnement de la diode demeurant toujours inchang, calculez la tension de sortie
VS , le courant traversant le pont R1 R2 tant de valeur ngligeable devant IS .
17. Donnez lexpression de la rsistance R et valuez cette dernire pour VE = 20 V .

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

18. Dessinez le schma.


19. Evaluez le paramtre rbe du modle du transistor.
20. Ecrivez lexpression de la tension aux bornes de la rsistance Rch en fonction du courant qui la
traverse et de la tension dentre v e .
21. Dduisez les expressions des coefficients SV et R0 , puis valuez ces derniers.

Sylvain Gronimi Page 216 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Corrig

Stabilisation par diode zener

Etude du rgime continu

1. Schma
R

RZ 0
( R = RE + R ' )
VE Rch VS

VZo

2. Dtermination du point de fonctionnement de la diode

Pour que la stabilisation ait bien lieu, le point de fonctionnement de la diode doit se situer
lintersection de la droite de charge et de la partie pratiquement verticale de sa caractristique. Le
circuit quivalent vu par la diode conduit lexpression de cette droite de charge.

ID

R Rth

VE Rch D Vth D VD

Rch V V
avec Vth = VE et Rth = R // Rch , do la droite de charge I D = D th .
Rch + R Rth Rth

VZo Vth
Les coordonnes du point de repos sont alors VDo = VZo , I Do = .
Rth

3. Evaluation des variables statiques

I Zo = I Do = 20 mA et la puissance dissipe dans la diode est PZ = VZo I Zo = 180 mW .

4. Prsence de la rsistance R

En labsence de la rsistance R ( R = RE ), le courant I Zo traversant la diode serait de 460 mA et


la puissance dissipe de 4.14 W, valeur excessive conduisant la destruction du composant.

Sylvain Gronimi Page 217 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

5. Schma
is

ve rz Rch vs

6. Relation de v s (v e , i s )

is rz
avec v th = v e et rth = R // rz
rth rz + R

vth Rch vs
rz R rz
vs = ve is
R + rz R + rz

7. Evaluation des coefficients SV et R0

rz R rz
SV = 48 10 3 , R0 = 4.76 .
R + rz R + rz

Stabilisation par transistor

Etude du rgime continu

8. Schma
RE IB Q IS

R VBE

IZo + IB
IB
VE Rch VS
IZo

VZo

9. Evaluation de IS et VS

Le point de fonctionnement de la diode est inchang ( VZo = 9 V , I Zo = 20 mA ).

Sylvain Gronimi Page 218 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

( ) (
VE = RE I B + I Zo + I B + R I Zo + I B + VZo )

VZ = VBE + VS
Circuit o (systme 4 inconnues I B , IS , VS , R)
VS = Rch IS
I = ( + 1)I
S B

Des trois dernires quations, on tire


V I
VS = VZo VBEo 8.4 V , IS = S 84 mA , I Bo S 0.84 mA .
Rch

10. Evaluation de la rsistance R

La premire quation du systme donne R =


VE VZo RE I Zo + IS ( ) 428 .
I Zo + I Bo

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

11. Schma
RE ib
is

R
rbe
iz + ib
ib
ve Rch vs
iz

rz

12. Evaluation du paramtre rbe


UT
rbe = 30 .
I Bo

13. Relation de v s (v e , i s )

v e = RE (i z + i s ) + R (i z + i b ) + rz i z

Circuit v s = rz i z rbe i b (systme 3 inconnues i b , i z , v s ( i s ,v e ) )
i = ( + 1)i
s b

En liminant successivement i b et i z , on obtient la relation souhaite.

R
v e = (RE + R + rz )i z + RE + is
+ 1 rz r R rz
vs v e be + RE + is
v = r i rbe i RE + R + r z RE + R + rz
s z z
+1
s

Sylvain Gronimi Page 219 Rgulateurs de tension


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

14. Evaluation des coefficients SV et R0

rz r R rz
SV = 11 10 3 , R0 be + RE + 0.57 .
RE + R + r z RE + R + r z

Stabilisation par contre-raction

Etude du rgime continu

15. Schma

RE IB Q IS

IP
R VBE
R1
0
+ IB
IZo Rch
VE VS

VZo VS
- R2
0

16. Evaluation de IS et VS

Le point de fonctionnement de la diode est inchang ( VZo = 9 V , I Zo = 20 mA ).

V + = VZ
o

R2
V = R + R VS VE RE IS + I Zo + R I Zo + VZo ( )
1 2

( )
Circuit VE = RE I B + I Zo + R I Zo + VZo Ad VZo
R2
R1 + R2

VS = VBE + VS
'
( +
)
VS = Ad V V = VBE + VS

V = R I

V = R I S ch S
S ch S

IS = ( + 1)I B + I P

Ad VZo VBEo R
La deuxime quation donne VS = VZo 1 + 1 13.5 V .
R2 R 2
1 + Ad
R1 + R2
VS
La troisime quation donne IS = 135 mA .
Rch
IS
Le courant de polarisation I Bo 1.35 mA .

17. Evaluation de la rsistance R

La premire quation donne R


(
VE VZo RE IS + I Zo ) 395 .
I Zo

Sylvain Gronimi Page 220 Rgulateurs de tension


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Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

18. Schma

RE ib
is

ip
ib
R
rbe R1
0
iz + Rch
vs vs
ve

rz - R2
0

19. Evaluation du paramtre rbe


UT
rbe = 18.5 .
I Bo

20. Relation de v s (v e , i s )

v e = RE (i z + i b ) + (R + rz ) i z

R2
Circuit v s' = rbe i b + v s = Ad rz i z v s
R1 + R2
i ( + 1)i i
s b b

En liminant successivement i b et i z , on obtient la relation souhaite.


ve RE
v e RE i s + (RE + R + rz ) i z i z R + R + r R + R + r i s
E z E z
rbe R2 ou encore
i s + v s Ad rz i z R + R v s
v 1 + A R2 r
Ad rz i z be i s
1 2 s d
+
R 1 R 2

R2 rz r r z RE
v s 1 + Ad Ad v e be + Ad i s
R1 + R2 RE + R + r z RE + R + r z

21. Evaluation des coefficients SV et R0

Ad rz R rz
SV = 1 + 1 17.8 10 3
R2 RE + R + rz R2 RE + R + rz
1 + Ad
R1 + R2
Ad rbe r z RE R rz RE
R0 = 1 + 1
R2 A +R + R + r R R + R + r 0.36 .
1 + Ad d E z 2 E z
R1 + R2

Sylvain Gronimi Page 221 Rgulateurs de tension


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Rgulateur de tension 15 V / 2 A

Lalimentation rgule de la figure ci-dessous doit rpondre au cahier des charges suivant :

VS = 15 V , IS 2 A

La tension dentre v E (t ) non rgule prsente une valeur moyenne VE = 25 V . Les transistors sont
caractriss par 1 = 100 , 2 = 50 , 3 = 20 . Lamplificateur diffrentiel de tension U1 est suppos
idal.

Q3 IS

D1 R2 Q2
IP << IS
R3
2mA
Q1 R4
U1
VE + VS

-
R1 D2

R5
2mA

Ltude de ce montage seffectue en rgime continu

1. Sachant que lamplificateur diffrentiel de tension peut fournir un courant de sortie maximum de
20 mA, dmontez lobligation dutiliser un ballast Darlington (on ne tiendra pas compte ici du
courant dans la rsistance R3 ).
2. Evaluez la puissance critique dissipe par Q3 (court-circuit en sortie).
3. Evaluez la rsistance R3 suivant le critre de dviation du 1/10me du courant maximum de base
de Q3 .
4. La tension de rfrence est obtenue par un montage utilisant deux diodes zener polarises
chacune par un courant de 2 mA et telles que VZ1 = 10 V et VZ2 = 5 V . Evaluez les rsistances
R1 et R 2 .
5. Dterminez les valeurs des rsistances R 4 et R5 du pont pour satisfaire le cahier des charges
(prendre I P = 1 mA ).

Sylvain Gronimi Page 222 Rgulateurs de tension


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Corrig

1. Utilisation dun ballast Darlington

Il nest pas ncessaire de tenir compte du courant driv par la rsistance R3 puisquun ordre de
grandeur du courant de base de Q2 est recherch lorsque IS max est demand.
IS max
I B3 max = 100 mA , valeur de courant que ne peut produire U1 (20 mA maximum)
3
I B3 max
I B2 max = 2 mA , valeur infrieure 20 mA.
2

2. Puissance critique dissipe par Q3

Le transistor Q3 dissipe une puissance maximale PQ3 VCE3 IC3 (VE VS )ISmax = 20 W , sans
compter les conditions de court-circuit en sortie qui entrane VCE3 = 25 V . Si Q3 doit
max

fonctionner en toute scurit, la puissance dissipe en continu dans le pire cas doit tre faible
devant sa puissance totale maximale (donne constructeur), ce qui employer un transistor dont
le gain en courant min est de lordre de 20. Un montage Darlington est alors ncessaire.

3. Evaluation de la rsistance R3

I B3
VBE3 R3 R3 60
max

10

4. Evaluation des rsistances R1 et R2

VE VZ1 VZ1 VEB1


R1 = 7.5 k ( IB1 << 2 mA ) et R2 = 4.7 k ( I + = 0, 1 >> 1 )
I1 I E1

5. Evaluation des rsistances R 4 et R5

VZ2
R5 + R5 = = 5 k
VZ2 = VS (V =V ) IP
R 4 + R5
V = (R + R )I R = VS VZ2 = 10 k
S 4 5 P 4
IP

Sylvain Gronimi Page 223 Rgulateurs de tension


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Etage de puissance push-pull srie avec sources de Widlar


Ltude porte sur le rgime pseudo-continu de ltage terminal de puissance de la figure ci-dessous, le
but tant dvaluer le rendement maximal. Une tude complmentaire dtermine les caractristiques
du montage aux faibles signaux.

Les paires Q1 - Q2 de gain en courant = 100 , et Q3 - Q4 de gain en courant ' = 250 , sont des
transistors supposs technologiquement parfaitement complmentaires dont leffet dEarly est nglig
( VA = ). Les diodes D1 - D2 et D3 - D4 - D5 - D6 sont identiques. La valeur de la tension aux bornes
dune diode ou dune jonction base-metteur de transistor sera de lordre de 0.6 V, quelque soit le
courant qui traverse le composant (mme si ce courant est trs faible). Lalimentation symtrique
fournit des tensions VCC = 15 V et le montage fonctionne en classe AB tel que IC1 = IC2 = 10 mA .
o o

+VCC

D3
R1
400
D4

Q3

Q1
R3
120k
D1 RE1
2.2
iS(t)

vE(t)
D2 RE2
2.2 Rch vS(t)
100

Q2

Q4

D5

D6 R2
400

-VCC

Comprhension du schma

1. Donnez une brve description du circuit et expliquez, en quelques mots, son fonctionnement lors
dune attaque par un signal sinusodal.

Etude du rgime continu

2. Dessinez le schma.
3. Dterminez les potentiels de nuds et les courants circulant dans les branches du montage et
rapportez ces valeurs sur le schma.
4. Evaluez la puissance fournie par les alimentations.

Sylvain Gronimi Page 224 Amplificateurs de puissance


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Etude du rgime pseudo- continu

La tension dattaque du montage est augmente jusqu une valeur telle que la tension de sortie
approche la limite de lcrtage.

5. Dessinez le schma.
6. Evaluez la tension et le courant de sortie dans le cas o le transistor Q3 est voisin de la saturation
( VEC3 0.2 V ).
7. Dterminez les potentiels de nuds et les courants circulant dans les branches du montage.
8. Dans un contexte sinusodal de lattaque, tracez les variations en fonction du temps de la tension
VCE des transistors Q3 ou Q4 , du courant traversant les diodes D1 ou D2 , du courant de base
des transistors Q1 ou Q2 et du courant de sortie.
9. Evaluez le rendement maximum du montage.

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

10. Dessinez le schma dans le cas dune variation de tension positive de v e (t ) en tenant compte de
la prsence des rsistances rd des diodes et z0 des sources de courant.

Le montage est attaqu par un gnrateur de rsistance rg = 100 . Les influences des rsistances
des diodes et des sources sont ngliges ( rd = 0 , z0 = ) et le paramtre rbe1 est valu 80 .

11. Evaluez la rsistance dentre Re , le gain en tension A v = v s v e et la rsistance de sortie Rs


vue par la charge.

Corrig
Comprhension du schma

1. Description

Le schma se compose dun circuit de polarisation qui alimente un tage push-pull srie dbitant un
courant dans la charge.
- Ltage push-pull, constitu des transistors complmentaires Q1 et Q2 monts chacun en
metteur suiveur, doit fournir une grande excursion de tension en sortie et avoir une faible
rsistance de sortie vis--vis de la charge Rch (attaque en tension). Les rsistances RE1 et RE 2
servent amliorer la stabilit thermique du montage et leur valeur doit rester faible par rapport
la valeur de la charge. La tension de polarisation entre les bases dterminera la classe de
fonctionnement.
- La polarisation seffectue grce aux sources de courant de type Widlar rgles par les rsistances
R1 et R2 . Au repos, la majorit du courant issu de ces sources parcourt la paire de diodes D1 et
D2 connectes en srie, produisant une translation de tension continue denviron 1.2 V et le faible
courant restant constitue le courant de base de Q1 et Q2 (caractristiques des jonctions des
diodes et transistors diffrentes). La distorsion de croisement est pratiquement limine en
concdant une lgre conduction des transistors de sortie au repos. La classe de fonctionnement
est AB.

Lorsque le signal dentre devient positif, Q1 se comporte comme une source de courant alimentant la
charge et Q2 se bloque et inversement pour un signal dentre ngatif. Pour un signal sinusodal,
chaque transistor ne conduit donc que durant peu prs une demi priode.

Sylvain Gronimi Page 225 Amplificateurs de puissance


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Etude du rgime continu

2. Schma
+ 15 V

400
10 mA
1.5 mA
224 A 14.4 V
13.8 V Q3
6 A
100 A
0.6 V Q1
1.4 mA
120k
2.2

0V 0A
0V
230 A
VE
2.2
100
1.4 mA
100 A
- 0.6 V Q2
6 A
-13.8 V Q4

- 14.4 V 10 mA
1.5 mA

400
224 A

- 15 V

3. Calcul des courants et tensions

Aucune source dynamique ntant applique lentre du circuit, VE = 0 .


2VCC 4VD
I R3 = 230 A avec VD 0.6 V .
R3
VD
I R1 = 1.5 mA avec VEB 0.6 V (de mme I R2 1.5 mA ).
R1

Les sources de courant produisent I 0 1.5 mA car IC3 I R1 et IC4 I R2 .


o o

IC 3
I D3D4 I R3 o
224 A
'
Les valeurs des potentiels et courants sont indiqus sur le schma ci-dessus.

4. Calcul de la puissance fournie

Par symtrie, chacune des alimentations fournit au montage le mme courant

+ =I
C1 + I R1 + I D3D4 11.7 mA (ou ICC = IC2 + I R2 + I D5D6 )
ICC
o o

Pfournie = 2VCC (ICC


+ + I ) 352 mW
CC

Sylvain Gronimi Page 226 Amplificateurs de puissance


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Etude du rgime pseudo-continu

En considrant la valeur crte Vemax de lalternance positive de la tension sinusodale v E (t ) , le


transistor Q2 est bloqu et la tension crte de sortie VS est maximale (limite de lcrtage).

5. Schma

+ 15 V

400
133 mA
1.5 mA
224 A 14.4 V
13.8 V Q3
6 A 1.33 mA
14.2 V Q1
170 A 13.6 V
120k
2.2

13.6 V 133 mA
13.3 V
230 A
VE

100
1.5 mA

13 V
6 A
-13.8 V Q4

- 14.4 V
1.5 mA

400
224 A

- 15 V

6. Calcul des valeurs maximales des tension et courant de sortie

Le transistor Q3 est au voisin de la saturation,


(
VCC VD + VEC3 sat + VBE1 + RE1 + Rch ISmax )
ISmax 133 mA et VSmax 13.3 V
VSmax = Rch ISmax
Il faut noter que Q3 ne dlivrera un courant I 0 constant (effet Early nglig) que si la tension
VEC3 est suprieure ou voisine de VECsat .

7. Calcul des courants et tensions

ISmax
I B1 max 1.33 mA , I D1 = I 0 I B1max 170 A .

Les valeurs des potentiels et courants sont indiqus ci-dessus.

Le courant traversant la diode D1 tant relativement faible, la tension ses bornes est surestime
par lhypothse du problme ( 0.5 V < VD1 < 0.6 V ). Il serait peut-tre concevable daugmenter la
valeur de I 0 afin dobtenir une polarisation plus correcte des diodes D1 et D2 au dtriment du
rendement.

Sylvain Gronimi Page 227 Amplificateurs de puissance


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Il est aussi remarquer que la tension VCC fournit uniquement les courants dalimentation de la
source de Wildar Q4 - R2 et quune tension de 0.3 V est perdue aux bornes de la rsistance RE1
( VEmax 13.6 V ). Le gain en tension du montage est donc VSmax VEmax 0.98 .

8. Dtermination des variations sinusodales

Ltude de la polarisation fournit les valeurs t = 0, T 2 , T . Ltude prcdente apporte les


valeurs maximales obtenues t = T 4 ainsi qu t = 3T 4 par la symtrie complmentaire du
montage, lorsque le signal sinusodal dattaque passe respectivement par les valeurs crte
maximale et minimale.

Au sein des chronogrammes, le signal sinusodal est de frquence 1 kHz (priode 1 ms).

30V

(0, 13.8)
20V
(745u, 27.4)
vEC3(t)

10V
(245u, 200m)

0V
20V
(245u, 13.6)

vE(t)
0V (1.25m, 13.3)
(1.75m, -13.3)
vS(t)

(745u ,-13.6)
-20V
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms
Time

La tension v EC (t ) de Q3 varie de 0.2 V ( VECsat ) 27.4 V en valeurs extrmes, de valeur


moyenne VECo = 13.8 V et damplitude crte Vec = 13.6 V . Les tensions maximales dentre et de
sortie diffrent de 0.3 V (prsence des rsistances de stabilisation en temprature) puisque ces
calculs ont t obtenus en supposant que les jonctions de composants prsentaient 0.6 V malgr
des courants et caractristiques diffrentes. En continu, le potentiel de sortie est nul par le fait que
les composants du circuit sont parfaitement complmentaires et identiques.

2.0mA
(245u, 1.33m) I0(t) (1.36m, 1.5m)

1.0mA iD1(t) (1.5m, 100u)


(245u, 170u) (757u, 29n)
iB1(t)
0A
200mA
(0, 10 m)
iC1(t) (1.5m, 10m)
(245u, 133m)
0A

iC2(t) (745u, -133m) (1.5m, -10m)


-200mA
200mA

(245u, 133m)
iS(t) (745u, -133m)
0A
(1.5m, 34n)
-200mA
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms
Time

Sylvain Gronimi Page 228 Amplificateurs de puissance


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Quant aux variations des courants, les courants collecteurs de Q1 ou Q2 , limage de leurs
courants de base, correspondent un signal monoaltern d la classe AB. Sur un faible temps
par rapport la priode, langle de conduction est suprieur et la distorsion de croisement
napparat aucunement dans lvolution de i S (t ) , les caractristiques non linaires de Q1 et Q2
tant identiques. Lvolution du courant dans la diode D1 est linverse de lvolution du courant
de base de Q1 puisque leur somme est pratiquement constante I 0 .

9. Calcul du rendement maximum

Le calcul seffectue pour une dynamique maximale aux bornes de la charge. La puissance utile

est alors Putile max =


(V s max 2 )
2

0.885 W (efficace).
Rch

Lalimentation + VCC fournit le faible courant parcourant les diodes D3 - D4 , le courant dmetteur
de Q3 (courants constants sur la priode) et la valeur moyenne du courant monoaltern de
collecteur de Q1 damplitude crte I s (courant variable existant uniquement sur la premire demi-
priode),
1 I

+
soit ICC = I D3D4 + I 0 + IC1moyen 44.06 mA avec IC1moyen I s sin d = s ( = t , I s = ISmax )
2 0
Vu la symtrie du montage, lalimentation VCC fournit la mme quantit de courant, soit


ICC +
= I D5D6 + I 0 + IC2 moyen , do Pfournie max = VCC ICC
+ ICC (
1.32 W max =) Putile max
Pfournie max
0.67 .

Ce rendement parait trs honorable pour cette structure. Il est noter un point de dtail dans le
calcul de la valeur moyenne des courants de collecteur des transistors de sortie, effectu plus
haut entre 0 et . En effet, ce calcul sous-estime trs lgrement la valeur moyenne du vrai signal
dangle de conduction suprieur (propre la classe AB).

Etude du rgime dynamique aux faibles signaux

10. Schma

rd rbe i RE1
i
ve
rd + z0 vs Rch
z0

11. Evaluation des caractristiques


Rsistance dentre
(
Re = rbe + ( + 1) RE1 + Rch 10.4 k )
Rg rbe i RE1 Gain en tension
i
v
Av = s =
( + 1)Rch 0.97
vg
+
ve
vs Rch
(
v e rbe + ( + 1) RE1 + Rch )
Rsistance de sortie vue par la charge
rg + rbe
Rs = + RE1 4 .
+1
(performances dun tage collecteur commun)

Sylvain Gronimi Page 229 Amplificateurs de puissance


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Push-pull srie pilot par amplificateur de tension intgr et contre-raction


Ltude porte sur lamplificateur de puissance reprsent la figure ci-dessous. Cette tude est
effectue en rgime dynamique aux faibles signaux en tenant compte des paramtres suivants :

Ad 1
U1 R d = 1 M , Rs = 100 et fonction de transfert avec Ad = 10 5 et fh = = 10 Hz
1+ p 2
Q1, Q2 = 100 , rbe = 80 , rce = , Cbe , Cbc de valeurs ngligeables
D1, D2 rd 0
I1, I2 z0 trs grand

R4

9k
+15V

I1

Q1

U1
D1 R1
+
V 2.2

vE
R2
- Rch
D2 2.2 vS
100

R3
1k
I2 Q2
C1
10u

-15V

Comprhension du montage

1. Expliquez brivement ce montage et prciser le type de contre-raction et la classe de


fonctionnement.
2. Dessinez le montage sous forme de schmas-blocs faisant apparatre la chane directe G(p) et la
chane de retour B(p ) .

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

3. Caractrisez la chane directe ( Ze , Zs vue par la charge, Av ) et de la chane de retour.


4. Caractrisez le montage en boucle ferme ( Ze' , Zs' vue par la charge, A'v ) en vrifiant les
conditions dadaptation dimpdances.
5. Si un signal parasite v p de 1 Vpp sajoute au signal v issu de lamplificateur U1 , exprimez la
tension de sortie v s en fonction des tensions v e et v p . Interprtez ce rsultat.

Sylvain Gronimi Page 230 Amplificateurs de puissance


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Etude du rgime dynamique aux frquences hautes et basses

6. Calculez la frquence de coupure haute.


7. Dessinez le schma quivalent aux basses frquences et calculez la frquence de coupure
basse.
8. Tracez la rponse en frquence du gain en tension dans le plan de Bode.
9. Dterminez les expressions des impdances dentre et de sortie en fonction de la frquence et
interprtez les rsultats.
10. Pour un signal dentre en forme dchelon, dterminez le temps de monte du signal de sortie,
temps dfini entre 10 et 90 %.

Corrig

Comprhension du montage

1. Explication

Le circuit est un systme asservi tel que la chane directe se compose dun amplificateur diffrentiel
de tension U1 pilotant un tage push-pull srie et la chane de retour dun attnuateur rsistif. La
configuration tant srie/parallle, le circuit subit une contre-raction tension/tension.
- Ltage push-pull, suiveur de tension, prsente une translation de tension entre les bases des
transistors Q1 et Q2 , produite par deux diodes D1 et D2 montes en srie. Cette translation
dfinit un fonctionnement en classe B/AB. Les sources de courant doivent, potentiellement,
fournir les courants de polarisation des diodes et les courants de base permettant datteindre le
niveau de saturation de la tension de sortie. Les rsistances R1 et R2 amliore le comportement
thermique de ltage de puissance (stabilisation par rsistance dmetteur).
- Le circuit de retour fixe le gain en tension de lensemble contre-ractionn car la chane directe
possde un fort gain en tension par le biais de lamplificateur U1 .
- La contre-raction est totale en rgime continu. En effet, le condensateur C1 tant assimil un
circuit ouvert et lentre du montage tant connecte la masse, lasservissement maintient le
potentiel continu de sortie 0 V. En rgime dynamique, la contre-raction est partielle, fixe par
le pont rsistif car le condensateur est assimil un court-circuit dans le domaine des
frquences de travail.

2. Schma

G(p)
+

vd U1 tage suiveur
ve
- Rch
vs

R4

R3

vr C1 B(p)

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

Sylvain Gronimi Page 231 Amplificateurs de puissance


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Ladaptation sur la charge tant suppose ralise (ici condition de circuit ouvert en sortie ou encore
Rch ), nous caractrisons chaque bloc de faon indpendante, puis le montage contre-ractionn
en validant les conditions dadaptation des blocs (voir cours La contre-raction ).

3. Caractrisation des chanes directe et de retour

(+)
Rs rbe i R1
+ i
vd
Rd Ad vd z0 / 2 Rch vs

(-)

Pour la chane directe, lentre (-) de lamplificateur diffrentiel de tension U1 est la masse, les
deux sources de courant sont en parallle ( z0 2 >> Rs ) et Rch .

A d v d (Rs + rbe )i + ( + 1)(R1 + Rch )i v A d ( + 1)Rch


Av = s A d = 10 5
v s = ( + 1)Rch i v d Rs + rbe + ( + 1)(R1 + Rch )

Le calcul de la rsistance de sortie du diple se fait en teignant la tension dentre ( v d = 0 )


i 0 + ( + 1)i = 0 v R +r
Z s = 0 R1 + s be 4 et Z e = Rd = 1 M
0
v (R s + r be ) i ( + 1) R1 i i 0 +1

La chane de retour est un quadriple rsistif suppos attaqu en tension v s , non charg, et de
vr R3
tension de sortie v r , le condensateur C1 tant assimil un court-circuit, soit = =.
v s R3 + R 4

4. Caractrisation du montage en boucle ferme

La thorie de la contre-raction rclame la connaissance du facteur 1 + G( p ) B( p ) , soit, aux


frquences moyennes, 1 + Ad 10 4 avec G A v A d et B .
Le gain est alors A 'v = Ad (1 + Ad ) 10 , la rsistance dentre est Z e' = Z e (1 + Ad ) 1010
(topologie srie) et la rsistance de sortie Z 's = Z s (1 + Ad ) 0.4 m (topologie parallle).

+ Zs
ve vd Ze Rch
vs
Av vd
+ Zs

ve Ze Rch
vs
R4 Av ve

vr R3

Le quadriple de retour est attaqu tel que Z s << R3 + R 4 et Z e >> R3 // (R 4 + Z s ) ne charge pas
la sortie ( Z s << Rch ). Les conditions dadaptation en tension sont donc satisfaites.

Sylvain Gronimi Page 232 Amplificateurs de puissance


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Rch
La tension de sortie en charge est alors v s = A 'v v e A 'v v e puisque Z 's << Rch , ce qui
Rch + Z s'
correspond bien une attaque en tension de la charge (condition de circuit ouvert en sortie).

5. Influence dun signal parasite

Le signal parasite v p sajoute au signal v issu de lamplificateur U1 .

vp

ve + v vs
Ad + +1
-

v s = v p + v 1 Ad vp v
vs = vp + v e , mais Ad >> 1 v s + e
v = Ad (v e v s ) 1 + Ad 1 + Ad Ad

En sortie, la composante issue de la perturbation est divise par le gain Ad de lamplificateur


diffrentiel par rapport la composante du signal dentre. Pour v p = 1 Vpp , 100 V viennent
sajouter au transfert de tension.

Etude du rgime dynamique aux frquences hautes et basses

6. Calcul de la frquence de coupure haute

G( j ) Ad
Le systme en boucle ferme scrit H ( j ) = avec G( j ) = et B = , ce
1 + G( j ) B( j )
1+ j
h

avec h' = (1 + Ad )h (voir cours La contre-raction ).


Ad 1
qui donne H ( j ) =
1 + Ad
1+ j
h'
La contre-raction augmente la frquence de coupure haute fh' 100 kHz ( fh = 10 Hz ).

7. Calcul de la frquence de coupure basse

Zs
(+)

ve = 0
+
vd Ze Rch
vs
Av vd
(-)

R4

R3

C1

Sylvain Gronimi Page 233 Amplificateurs de puissance


Universit Paul Sabatier Electronique analogique Problmes et corrigs

Le systme est du premier ordre puisque le circuit comporte un seul condensateur. Le ple de la
fonction de transfert est trouv partir de la constante de temps C1 Req , avec Req rsistance
quivalente du diple vue aux bornes du condensateur.

Pour ce calcul, remarquons que la branche compose de la source lie et de la rsistance R 4


possde la tension v d ses bornes aprs avoir constat que Z s << Rch (Thvenin).

i0 R3
vd R4
v d Av v d + R 4 i
i i 1 + Av
v0 vd Ze R4

+ v0 R4
do Req = R3 + Z e // R3 .
Av vd i0 1 + Av

1
La frquence de coupure basse est fb 15.9 Hz , valeur trs acceptable puisque le
2 R3 C1
gain en tension de la chane directe, fonction de la frquence, na pratiquement pas vari ( 10 5 ).

La fonction de transfert en tension peut sannuler par la prsence du mme condensateur. En


effet, si la tension de sortie v s est nulle, C1 voit ses bornes les rsistances R3 et R 4 // Z e en
1
srie et la valeur de la frquence de coupure relative au zro est fz 1.59 Hz .
2 (R3 + R 4 )C1

p
1+
z 1 + (R3 + R 4 )C1 p
La fonction de transfert est de la forme H (p ) = = ( p = j ).
p 1 + R3 C1 p
1+
c
R3 + R 4
Pour H ( j ) = 10 ( 20 dB )
R3
Pour 0 H ( j ) 1 ( 0 dB )

8. Trac du gain en tension

30

(15.849, 17.015) contre-raction dynamique (104.713K, 17.012)


20
ple ple

10
(1.6046, 3.0025)
pente pente
zro 20 dB/dcade - 20 dB/dcade
contre-raction
statique
0
gain unit

-10
10mHz 100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz
DB(V(S))
Frequency

Sylvain Gronimi Page 234 Amplificateurs de puissance


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9. Expressions et tracs des impdances

En ngligeant leffet d au condensateur C1 (effet aux basses frquences),



1 + j 1+ j
Ad 1 + Ad h'
Z e' ( j ) = Z e 1 + = Z e (1 + Ad ) = Z e'
1 + j 1 + j
1+ j
h
0, Ze' 1010 (200 dB, boucle ferme), , Z e' 10 6 (120 dB, boucle ouverte)


1+ j
1 + j h
Z s (p ) =
Zs Zs
'
= Zs
'
Ad 1 + Ad
1+ 1 + j 1+ j '
1 + j 1 + Ad h
0, Z s' 0.4 m (- 68 dB, boucle ferme), , Z e' 4 (12 dB, boucle ouverte)

Les ples et zros sont positionns aux valeurs 10 Hz et 100 kHz. Ces rsultats indiquent que les
impdances voluent rapidement partir de la frquence de coupure de la chane directe.

10. Evaluation du temps de monte

La rponse dun systme du premier ordre un chelon de tension damplitude V scrit



t
v S (t ) = V 1 e avec constante de temps du systme aux faibles signaux.


10
v S (t1 ) = 0.1 V t1 = Ln
9 t r = t 2 t1 = Ln 9
v (t ) = 0.9 V t = Ln 10
S 2 2

2 .2 0.35
soit t r 2.2 ou t r ou encore t r ( fh frquence de coupure haute).
h fh

Ici, le passe-bas du premier ordre prsente une frquence de coupure haute fh' 100 kHz et le
0.35 0.35 t
temps de monte scrit t r' = r et svalue 3.5 s ( t r temps de monte
fh' (1 + Ad )fh Ad
de la chane directe).

Ainsi, en rponse un chelon de tension en entre, le temps de monte est amlior par la
contre-raction dautant mieux que est grand ou encore le gain en boucle ferme A 'v 1 est
faible.

Sylvain Gronimi Page 235 Amplificateurs de puissance


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Etage de puissance push-pull srie en pont

Ltude porte sur ltage amplificateur de puissance pont en pont dont le schma de principe est
reprsent la figure ci-dessous.

Les transistors de sortie ( Q1 , Q2 , Q5 , Q6 ) possdent un gain de 50 et les prcdents


( Q3 , Q4 , Q7 , Q8 ) un gain de 100. Les sources de courant I 0 sont constitues par des miroirs
lmentaires dont les transistors ont un gain en courant trs lev devant lunit. Dans chacune de
ces trois catgories, les transistors sont supposs technologiquement parfaitement identiques ou
complmentaires. Les amplificateurs de tension ( U1 , U 2 ) sont supposs idaux et les diodes
identiques.

La valeur de la tension aux bornes dune diode ou dune jonction base-metteur de transistor sera de
lordre de 0.6 V, quelque soit le courant qui traverse le composant (mme si ce courant est
relativement faible). Les courants traversant les rsistances de 100 seront ngligs dans les
calculs.

Lalimentation fournit une tension VCC = 12 V et la charge Rch est de valeur 4 .

+ 12 V

100k
I0 I0

10k Q3 Q7 100k

Q1 Q5

100 0.33 0.33 100


+ -
vA(t) Rch
vB(t)
U1 U2
1 vF(t) 100k
- vS(t) +
0.33 0.33
100 100
vE(t)
200k Q2 Q6

10k Q4 Q8

10
I0 I0

Comprhension du schma

1. Donnez une description prcise du circuit.

Etude du rgime continu

2. Dessinez le schma et indiquez les potentiels de nuds en considrant la polarisation des tages
de puissance en classe B.

Sylvain Gronimi Page 236 Amplificateurs de puissance


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Etude du rgime pseudo-continu

Une tension sinusodale v E (t ) est applique en entre. Sa valeur crte est rgle de faon obtenir
une dynamique de sortie maximale correspondant la limite de lcrtage. Dans cette situation, le
courant minimum de polarisation des diodes est pris la valeur denviron 600 A et les transistors des
sources I 0 sont au voisinage de la saturation ( VCEsat 0.2 V ).

3. Dessinez le schma.
4. Calculez les valeurs crte des signaux v S (t ) , v A (t ) , v B (t ) , v E (t ) et tracez les chronogrammes.
5. Evaluez le rendement maximum du montage.

Etude du rgime dynamique aux frquences moyennes

Chaque tage de puissance possde un gain en tension voisin de lunit, une rsistance dentre
importante devant la rsistance de sortie de lamplificateur intgr et une rsistance de sortie faible
devant la charge.

6. Dessinez le schma.
7. Evaluez le transfert en tension Av = v s v e du montage.

Corrig
Comprhension du schma

1. Description

Le condensateur de liaison (1 F) isole lentre du continu et le condensateur de dcouplage (10


F) permet la connexion de lentre non inverseuse de U1 la masse dans le domaine des
frquences de travail (dcouplage du pont 10 k/10 k). Ainsi U1 est mont en amplificateur
inverseur et U 2 en amplificateur non inverseur. Ces amplificateurs pilotent chacun un tage
suiveur push-pull srie Darlington simples dont les sorties sont connectes la charge.
Lensemble constitue un montage de puissance mont en pont (structure en H) aliment par une
tension unique de 12 V. Le diviseur de tension 10 k/10 k impose un point de repos des
amplificateurs de tension et de puissance la moiti de la tension dalimentation de manire
profiter du maximum dexcursion de la tension de sortie sur la charge.
Quatre diodes compensent les seuils de conduction des jonctions des transistors et dfinissent
une classe B/AB. Les rsistances de 0.33 , valeur faible devant celle de la charge, servent la
stabilit en temprature des transistors de sortie. Les rsistances de 100 amliorent galement
cette stabilit par drivation du courant de fuite des Darlington. Les sources de courant I 0
fourniront le courant de polarisation des diodes et le courant maximum de base des Darlington
ncessaire lobtention de la dynamique maximale en sortie.

Etude du rgime continu

2. Schma avec valeurs des potentiels de noeuds

Les amplificateurs de tension tant supposs parfaits, aucun courant ne circule dans la rsistance
de 100 k connecte la borne non inverseuse de U 2 . De ce fait, les potentiels dentre des
deux amplificateurs sont au mme niveau. Aucun courant ne circule dans la rsistance de 100 k
connecte la borne non inverseuse de U1 puisque la diffrence de potentiels aux bornes de
celle-ci est nulle. Ainsi, il ny a pas de courant traversant les rsistances de retour de U1 (200 k)

Sylvain Gronimi Page 237 Amplificateurs de puissance


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et U 2 (100 k). Le pont de rsistances de 10 k fixe les potentiels dentre des amplificateurs de
tension la moiti de la tension dalimentation, soit 6 V. Les potentiels VA et VB tant aussi 6 V,
VS = 0 . Les diodes et les jonctions en direct des transistors produisent une translation de tension
de 0.6 V.

+ 12 V 0

100k
I0 I0

10k 7.2 V 7.2 V 100k


Q3 Q7

Q1 Q5 0 6V

6V 0.33 0.33
+ -
6V 6V Rch
6V 6V
U1 U2
100k
- 0V +
0.33 0.33
0

200k Q2 Q6
0 Q4 Q8
10k 4.8 V 4.8 V

I0 I0

Etude du rgime pseudo-continu

Considrons la demi priode pendant laquelle les transistors Q1 , Q3 , Q6 , Q8 conduisent,


Q2 , Q5 , Q4 , Q7 tant ltat bloqu. Le schma est alors le suivant.

3. Schma

+ 12 V

I0 I0
11.8 V Q3
100k
IB max
ID min Q1

10.6 V
VS 100k
6V + 0.33 VB - 6V
Rch
U1 10.6 V 9.95 V 2.05 V 1.4 V U2
100k
- VA IS max
VF 0.33 + VF

1.4 V
200k
Q6 ID min
0.2 V
Q8
IB max

I0 I0

Sylvain Gronimi Page 238 Amplificateurs de puissance


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4. Calcul des valeurs crte maximales des tensions et tracs

Les transistors des miroirs de courant sont au voisinage de la saturation et dlivreront un courant
I 0 constant (effet Early nglig) tant que leur tension VCE > VCEsat .

VCC = VEC sat ( PNP ) + VBE3 + VBE1 + (2 RE + Rch )ISmax + VEB6 + VEB8 + VCE sat ( NPN ) ISmax 1.974 A .

VSmax = Rch ISmax 7.9 V valeur maximale autour de la tension au repos 0 V, soit Vs 7.9 Vcrte .

VAmax = VCC VEC sat ( PNP ) VBE3 VBE1 + RE ISmax 9.95 V ,


VBmax = VCE sat ( NPN ) + VEB6 VEB8 + RE ISmax 2.05 V
carts maximaux par rapport la tension au repos 6 V, soit Va = Vb 3.95 Vcrte .

Les courants circulant dans les branches de contre-raction des amplificateurs de tension sont de
valeurs ngligeables devant celui traversant la charge, mais importants compars aux courants
dentre de ces amplificateurs (supposs nuls).
2 1
Pour U1 , V + = V = VF + VA = 6 V VF = 4.025 V
3 3

Pour U 2 , VF = V = (VB + 6 ) = 4.025 V


1
2
cart maximum par rapport la tension au repos 6 V, soit Vf = 1.975 Vcrte .

La prsence du condensateur de liaison en entre translate ce signal autour de 0 V (isolation du


continu), soit VEmax = VF 6 = 1.975 V . Ve 1.975 Vcrte est donc la valeur de lamplitude de la
tension sinusodale dentre ne pas dpasser avant crtage du signal de sortie.

Ce montage en pont prsente un transfert en tension VSmax VEmax = 4 , ce qui quadruple la


puissance en sortie par rapport au montage traditionnel.

10V

(250u, 9.95)
(750u, 9.95)
vF (t)
(250u, 7.975) (1m, 6.0)
5V

(750u, 4.025)
vA (t) vB (t)
(250u, 2.05)
0V

10V

(250u, 1.975) vS (t)


(750u, 7.9) vE (t)
0V
(250u, - 7.9)

(750u, - 1.975)

-10V
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms

Time

Au sein des chronogrammes, le signal sinusodal est de frquence 1 kHz (priode 1 ms).

Sylvain Gronimi Page 239 Amplificateurs de puissance


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5. Calcul du rendement maximum

Puissance maximale en sortie Putilemax =


(V s 2 )
2

7.8 W avec Vs amplitude crte maximale.


Rch

Puissance fournie par lalimentation sur une priode

Lalimentation fournit les courants de polarisation des miroirs du haut du schma (chacun des
transistors dun miroir consomme un courant constant I 0 ), ainsi que les courants de collecteur de
Q1 , Q3 , Q5 et Q7 , de forme sinusodale mono alterne dont les valeurs moyennes scrivent
Is Is
IC1 moy = IC5 moy 628 mA et IC3 moy = IC7 moy 12.6 mA ( I s amplitude crte maximale),

do ICC = 2 I 0 ( miroir ) + 2 I 0 ( miroir ) + IC1 moy + IC3 moy + IC5 moy + IC7 moy .

Le courant constant I 0 doit tre suprieur au courant de base maximum de Q3 de faon


polariser les diodes dans ce cas extrme. Pour cela, lhypothse propose I Dmin 0.6 mA et donc
I0 = IDmin + I B3 max 1 mA avec I B3 max 0.4 mA .

Pfourniemax = ICC VCC 15.42 W , max 0.506 .

Ce calcul correspond au rendement de ltage terminal. Le montage propos montre une


consommation supplmentaire de courants due au pont de polarisation gnrale 10 k/10 k (0.6
mA) et aux amplificateurs de tension. La consommation est essentiellement dfinie par le courant
moyen des transistors de puissance Q1 , Q2 , Q5 , Q6 .

Rgime dynamique aux faibles signaux

6. Schma

+ +
va Rch vb
U1 +1 +1 U2
100k ve
- vs -

ve 200k 100k

100k

7. Evaluation du gain en tension

Les adaptations en tension tant ralises, les tensions vide ( Rch = ), en sortie des montages
inverseur et non inverseur, sont respectivement v a 2 v e et v b 2 v e . Les contre-ractions
tension/courant et tension/tension produisent une trs faible rsistance de sortie (topologies
parallles), ce qui permet dcrire v s = v a v b 4 v e . Ce rsultat est videmment identique
celui trouv dans ltude du rgime pseudo-continu.

Sylvain Gronimi Page 240 Amplificateurs de puissance


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Amplificateur de tension (inspir du LM741 de National Semiconductor)


On considre le circuit intgr de la figure ci-dessous. Le but est de caractriser lamplificateur de
tension, puis dvaluer le produit gain bande passante au sein dune tude aux faibles signaux.
Tous les transistors de type NPN sont supposs identiques ( = 250 , VANPN = 100V ). Pour les
transistors de type PNP, Q3 , Q4 identiques ( ' = 5 , VAPNP trs grand), Q10 , Q11, Q15 identiques
( = 250 , VAPNP = 50V ). Lalimentation symtrique du montage est telle que VCC = 15 V et la
rsistance de charge se situe hors puce.

+VCC
Q1 Q2

Q11 Q10

v1 v2 Q14
R4
Q9
Q3 Q4 R1 C 4.5k
57.6k 30p
Q7 R5
7.5k Rch
vS
Q15
Q13 Q12 Q8
Q6
Q5

R2 R3
9.78k 20k

-VCC

Comprhension du schma

1. Donnez une description prcise du circuit.

Etude du rgime continu

2. Dterminez les courants de collecteur de Q10 et Q13 .


3. Evaluez la tension entre les bases de Q14 et Q15 , puis concluez sur la classe de fonctionnement
du dernier tage.
4. Dessinez le montage dans son rgime.
5. Calculez les courants de collecteur de Q1, Q2 ,Q3 , Q4 , Q5 , Q6 , Q7 , Q8 et Q9 .

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

6. Evaluez les paramtres rbe et rce des modles des transistors.


7. Evaluez les rsistances dynamiques prsentes par les tages de polarisation Q10 - Q11 - R1 - Q12 -
Q13 - R2 ( z10 , z13 ), par lensemble Q9 - R4 - R5 entre bases de Q14 - Q15 ( z9 ), ainsi que les
lments de la caractrisation de lensemble Q5 - Q6 ( ze , zs , Ai ).
8. Dessinez le montage dans son rgime.
9. Caractrisez le montage en rgime purement diffrentiel ( Ad , Zd , Zs ).
10. Caractrisez le montage en rgime de mode commun ( Ac , Zc ).
11. Dduisez le taux de rjection de mode commun.
12. Caractrisez ltage de gain en tension Q7 - Q8 ( A v , Z e' , Z s' ).

Sylvain Gronimi Page 241 Circuits intgrs


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Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences hautes)

13. Calculez la frquence de coupure haute du montage, les transistors tant sous leur schma aux
frquences moyennes. Justifiez ce rsultat, puis valuez le produit gain bande du circuit.

Etude du rgime pseudo-continu

14. Ecrivez les expressions des transferts IC3 (VD ) , IC4 (VD ) et I (VD ) de ltage diffrentiel avec I
courant de court-circuit en sortie de ltage. Tracez ces fonctions.
15. Dmontrez quen considrant la zone linaire des transferts, on retrouve lexpression du transfert
en tension vide de ltage diffrentiel obtenu lors de ltude en rgime dynamique aux faibles
signaux. Ecrivez lexpression de la conductance de transfert i (v d ) .

Sylvain Gronimi Page 242 Circuits intgrs


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Corrig
Comprhension du schma

1. Description

Le schma se compose dun circuit de polarisation, dun amplificateur diffrentiel, dun tage de gain
en tension et dun tage de sortie push-pull.
- Le circuit de polarisation est compos dune source de Widlar Q12 - Q13 - R2 et dun miroir de
courant lmentaire Q10 - Q11 polarisant respectivement ltage diffrentiel par le point commun
des bases de Q3 - Q4 et lmetteur commun Q8 . Les courants de ces sources sont rgls par la
rsistance R1 .
- Ltage diffrentiel est un amplificateur cascode, permettant dobtenir une bande passante plus
leve que le montage traditionnel comportement metteur commun. Les collecteurs communs
Q1 et Q2 sont suivis de bases communes Q3 et Q4 dont la charge dynamique du point
commun des bases est la source de Widlar et la charge dynamique des collecteurs est un miroir
de courant Q5 - Q6 . Le choix de la source de Widlar est, dune part, de polariser ltage dentre
trs faible courant (effet lentille au lieu dun effet miroir) et, dautre part, de prsenter une
charge dynamique trs importante en vue de minimiser au mieux lamplification de mode
commun. La prsence du miroir permet de doubler le courant dynamique traversant la rsistance
interne de cette source, donc de doubler la valeur du gain diffrentiel en tension (condition
vide). Il est remarquer que la sortie de ltage est alors asymtrique.
- Ltage de gain en tension, ncessaire pour obtenir un gain global de quelques centaines de
mille, est compos dun collecteur commun Q7 suivi par un metteur commun Q8 dont la forte
charge dynamique est le miroir de courant Q10 - Q11 . Le rle du collecteur commun est
damliorer le transfert en tension entre ltage diffrentiel de forte rsistance de sortie
(amplificateur conductance de transfert) et ltage metteur commun de relativement faible
rsistance dentre.
- Ltage de sortie est un tage push-pull srie metteur suiveur complmentaire, car Q14 et
Q15 sont des transistors de type oppos et monts en collecteur commun. Le rle de cet tage
en rgime dynamique est dabaisser la rsistance dynamique en sortie du circuit afin de
satisfaire ladaptation en tension vis--vis de la charge, tout en produisant un courant notoire
dans cette dernire. De plus, cette structure permet une dynamique maximale en sortie par
rapport aux tensions dalimentation. En rgime continu, le point commun de sortie des metteurs
doit tre au potentiel 0 V en absence de dynamique, ainsi pas de courant traversant la charge,
donc dcalage de tension nul (ralisable par une contre-raction totale tension-tension statique).
- La structure Q9 - R4 - R5 est un multiplicateur de VBE polaris par le courant du miroir Q10 - Q11 .
Son rle consiste produire une translation de tension continue entre les bases de Q14 et Q15
dont la valeur dfinit la classe de fonctionnement de ltage push-pull (A, AB, B). Pour ce type de
circuit intgr, la classe B est recommande afin de dissiper un minimum dnergie au repos
dune part, et dautre part, de minimiser la distorsion de croisement que produirait ltage de
sortie sans cette translation. La distorsion restante sera fortement rduite par leffet de contre-
raction d la prsence dlments extrieurs au circuit.
- La capacit intgre C est une capacit de compensation par effet Miller sur ltage de gain,
requise pour rtrcir la bande passante de lamplificateur afin que ce dernier soit
inconditionnellement stable. De ce fait, les applications de ce circuit intgr appartiennent au
domaine de lamplification linaire basses frquences, donc non utilisable en fonctionnement en
commutation par manque de rapidit d au phnomne de triangulation (slew rate).

Sylvain Gronimi Page 243 Circuits intgrs


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Etude du rgime continu

2. Courants issus des sources

+VCC VEB11 Courant de rfrence


2VCC VEB11 VBE12
Q11 Q10
= 500 A
o o
I pol
R1

R1
IC10 Miroir de courant IC10 I pol 500 A
o
Ipol
IC13
I
IC13 Ln
R2 pol
Q13 Q12 Source de Widlar
UT o
IC13
o

R2 VBE12 (quation transcendante)


-VCC
do IC13 10 A
o

3. Multiplicateur de VBE

R
VCE9 = VBE 9 1 + 4 0.96 V
R5
La valeur numrique trouve permet de prciser la classe du push-pull srie, ici classe B. En effet,
cette tension compense les seuils de conduction des deux jonctions base-metteur des transistors
Q14 et Q15 (deux fois 0.5 V) et les valeurs de leurs courants de base ne sont pas significatifs
(absence de ltage push-pull au sein du schma en rgime continu).

4. Schma

Q1 Q2

IC10o miroir
500 A
30 A 30 A 0A 15 V
32 A

Q3 Q4
VCE9 translateur
0.96 V de tension
Q7
25 A 25 A 128 nA

Q8 0A
2 A
Q5 Q6
source de 15 V
IC13o 30 A
Widlar
10 A
R3
20k

Les sources dynamiques sont teintes ( v 1 = v 2 = 0 ). Les tages de polarisation sont remplacs
par leur quivalent statique, savoir des sources de courant ( IC10 , IC13 ) et de tension VCE9 . Les
o o o

deux alimentations continues VCC sont videmment prsentes. Attention, le miroir de courant Q5 -
Q6 , reprsent sous sa forme originelle, reconduit le courant issu du collecteur de Q3 sa sortie,

Sylvain Gronimi Page 244 Circuits intgrs


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mais nest pas, pour autant, un tage de polarisation. Ltude du pseudo-continu permettra de
mieux saisir son rle.

5. Calcul des courants collecteurs

Pour ltage diffrentiel


VBE1 VBE 2 = VEB4 VEB3
+VCC
I E = I E3
Q1 Q2 quations du circuit 1
I E2 = I E 4
I
VEB3 VEB4 C13 = I B3 + I B4
VBE1 VBE2
I E1
VBE1 VBE2
Q Q e UT
Q3 Q4
1 2
IE2

quations technologiques
VEB3 VEB4
I E3
IC13 Q3 Q4 e UT
IE4

I E1 IE4 '
= I E1 = I E 2 et I E3 = I E 4 , do IC3 = IC4 = IC13 = 25 A , IC1 = IC2 30 A
I E2 I E3 o o o o o o 2 o o o

VBE8
Pour ltage de gain IC8 = IC10 500 A et I E7 = o
+ I B8 IC7 32 A
o o o R3 o o

VBE9 VBE9
o
Pour le multiplicateur de VBE , IC10 = IC9 + I B9 + IC 9 = IC10 418 A
o

o o o R5 o + 1 o R5

Pour la charge de ltage diffrentiel :

quations technologiques Q5 Q6 IC5 IC6 car VBE5 = VBE6 en ngligeant leffet Early.
IC3 = I B5 + I B6 + IC5
quations des nuds
IC4 = I B7 + IC6
I B5 + I B6 << IC5 et I B7 << IC6 IC5 = IC6 IC4 = 25 A
o o o

Un quilibrage de ltage peut tre ncessaire car I B5 + I B6 I B7 (voir la structure du 741).


o o o

Etude du rgime dynamique (faibles signaux)

6. Paramtres des modles

UT V
rbe = , rce A do rbe1,2 209 k , rce1,2 3.34 M , rbe3,4 5 k , rce3,4 ,
IC o IC o
rbe5,6 250 k , rce5,6 4 M , rbe7 196 k , rce7 3.14 M , rbe8 12.5 k , rce8 200 k ,
rbe9 15 k , rce9 239 k , rce10 100 k , rbe13 625 k , rce13 10 M

Sylvain Gronimi Page 245 Circuits intgrs


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7. Elments dynamiques demands

Les tages de polarisation sont quivalents des charges dynamiques


R2
z10 = rce10 = 100 k (miroir lmentaire), z13 rce13 1 + 48.5 M (Widlar)
R2 + rbe
13

Le miroir de courant, chargeant ltage diffrentiel, est quivalent un quadriple de transfert en


courant dont les paramtres valent
rbe5
ze = 992 , zs = rce6 = 4 M , Ai = 0.992
+2 +2

Le translateur de tension est quivalent une rsistance z9 de valeur ngligeable devant la


charge z10 mise en srie au niveau du collecteur de Q8 .
R 4 + R5 // rbe9
z9 112
1 + g m9 (R5 // rbe9 )

8. Schma en rgime dynamique

Q1 Q2
z10 miroir

v1 v2 Q14

Q3 Q4
C z9 translateur
de tension
Q7
ic3
Rch
Q15 vs
Q8

ze zs source de
z13 Widlar R3
Ai ic3

Les rsistances dynamiques des sources dalimentations sont ngligeables (voir cours Les
rgulateurs de tension ). La rsistance dynamique produite par le translateur de tension continu
est ngligeable devant la charge quivalente du miroir mise en srie z9 << z10 et les potentiels
des bases de Q14 , Q15 sont quasiment identiques. Le miroir de courant Q5 - Q6 sera reprsent
par un quadriple de transfert en courant, puisque le courant dynamique issu du collecteur de Q3
est reconduit en sortie la prcision du miroir. Le condensateur C aura un rle jouer
uniquement lors de ltude aux frquences hautes.

Etude du rgime dynamique (faibles signaux aux frquences moyennes)

Ltude met en oeuvre deux tapes, savoir le calcul du transfert en tension vide et la
rsistance de sortie du circuit, puis le calcul de la rsistance dentre du circuit comprenant cinq
tages par lapplication du thorme de Thvenin (voir annexe Mthode de travail pour la
caractrisation dun circuit complexe ).

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RG Zs5
Zs1 Zs2
Ze1 Ze2 Ze5 vs Rch

vg
vs1= A1 vg vs2=A2 vs1 vs5=A5 vs4

Ltage diffrentiel tant de structure relativement complexe, la mthode du demi-schma est


utilise (voir annexe Mthode de travail pour la caractrisation linaire dun tage diffrentiel ).

Le circuit tant linaire, deux rgimes sont tudis sparment par application du thorme de
superposition en effectuant deux tapes :

c ltude du rgime diffrentiel issu dune attaque symtrique ( v d 2 ), les sources de mode
commun tant teintes ( v c = 0 ), permettant de caractriser les performances Ad , Zd , Zs ,
d ltude du rgime de mode commun issu dune attaque parallle ( +v c ), les sources
diffrentielles tant teintes ( v d = 0 ), permettant de caractriser les performances Ac , Zc .

ib1 ib2
Q1 Q2
+ +
vd /2 - vd /2 v1 v 2 v1 + v 2 v d
+ +
v1 = + = + vc
2 2 2
vc vc

Q3 Q4 v1 v 2 v1 + v 2 v
v2 = + = d + vc
2 2 2
ib3+ib4
ic3 ic4

Ai ic3
ze zs vs2 z13

Les transistors Q1 , Q2 dune part et Q3 , Q4 dautre part, tant supposs technologiquement


identiques, les courants dentres se retrouvent, une mme proportionnalit prs, somms dans
la rsistance commune de base z13 . Si les courants sont issus dune attaque en tension
symtrique ( i b1 = i b2 ), il ne passe aucun courant dans z13 et les bases de Q3 et Q4 sont la
masse. Si les courants sont issus dune attaque en tension parallle ( i b1 = i b2 ), le courant dans
z13 est gal 2 i b , en posant i b3 = i b4 = i b , et la rsistance vue par le courant de base de Q3 ou
Q4 est 2 z13 .

Pour chacune des tudes, le choix du demi-schma de droite simpose, puisquil propose la sortie
vers ltage de gain.

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Q1 Q2 Q1 Q2 +
+ +
vd /2 vd /2 vc vc
+

Q3 Q4 Q3 Q4
2 z13 2 z13

ic3 ic4 ic3 ic4


ic3 = - ic4 ic3 = ic4

ze zs vs2 ze zs vs2
Ai ic3 Ai ic3

9. Caractrisation en rgime diffrentiel

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie du circuit, lattaque tant
une source de tension v d / 2 .

Etage collecteur commun Q2

i2

rbe2
i2 rce2 Z s' 1
- vd /2 v's1

v s' 1 rce2 ( + 1)
A1' = = 1
vd 2 rbe2 + rce2 ( + 1)

i0
i + ( + 1)i = i
i2 i1 0 2 1
rbe2 rbe2
i2
rce2 v0 0
v = r i
be2 2 Z s' 1 = rce2 // 833
rbe2
+1 +1
v 0 = rce2 i1

Etage base commune Q4

' i4 iC4

Z's1 i4 zs v's2
Z s' 2
rbe4 Ai ic3

v's1

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1 4
[
v s' = rbe + ( '+1)Z s' i 4
1
]
'
( )
v s2 = zs i c 4 Ai i c3 avec i c 4 = i c3 = ' i 4

v s' 2 2 ' zs +1 2 ' zs


A2' = = 3985 , Z s' 2 = zs = 4 M
v s' 1 rbe4 + ( '+1)Z s1 + 2 rbe4 + ( '+1)Z s' 1
'

Pour valuer Z s' 2 , les deux sources de tensions indpendantes lintrieur du diple sont teintes
( v d / 2 ). Pour le demi-schma de droite reprsent ici, la source v s' 1 = A1' ( v d 2) tant gale
zro, le courant i 4 est inexistant et i c 4 = 0 . Un mme raisonnement sur le demi-schma de
gauche conduit i c3 = 0 . Les sources lies ' i 4 et Ai i c3 ne dbitant aucun courant, le courant
i 0 , produit par la source de tension v 0 applique lentre du diple, traverse intgralement la
rsistance zs .

Pour ltage de gain en tension, lattaque est produite par lquivalent de Thvenin de ltage
diffrentiel.

Etage collecteur commun Q7

rbe7 i7

Z's2 rce7 R3
v's3
i7
Z s' 3

v's2

v s' 3 ( + 1) (R3 // rce ) Z s' 2 + rbe7


A3' = = 0.543 , Z s' 3 = rce7 // R3 // 9080
+ rbe + ( + 1) (R3 // rce )
7

v s' 2 Z s' 2 7 7
+1

Etage metteur commun Q8

i8
Z's3 rce8
rbe8 z10
v's4 Z s' 4
i8

v's3

A4' =
v s' 4
=
(
rce8 // z10 ) 772 , Z ' = rce8 // z10 66.7 k
s4
v s' 3 rbe8 + Z s' 3

Pour ltage push-pull srie, les transistors, monts en collecteur commun, travaillent forts
signaux alternativement pendant une demi priode, Q14 amplifiant le signal positif pendant que
Q15 est bloqu, puis inversement. Pour ltude dynamique, on utilisera la caractristique linaire
par morceaux de la diode base-metteur la place de la fonction exponentielle afin dobtenir une
valeur approche de r be14 et rbe15 (valeur relativement faible). Chaque transistor produit un gain en

Sylvain Gronimi Page 249 Circuits intgrs


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courant gal -(+1) pendant sa dure de conduction. Le transfert en tension et la rsistance de


sortie sont valus sans la charge, toujours tage non charg.

v s' 5 ( + 1)rce14
A5' = ' = ' 1
v s4 Z s4 + rbe7 + ( + 1)rce14
Etage collecteur commun Q14 (ou Q15 )
' Z s' 4 + rbe7 Z s' 4
Z s5 = rce14 // + 1 + 1 266

Le gain en tension de la chane non charge par Rch scrit


v s' 5 v s' 5 v s' 4 v s' 3 v s' 2 v s' 1
= = A5' A4' A3' A2' A1'
vd 2 v s' 4 v s' 3 v s' 2 v s' 1 v d 2

Le gain diffrentiel en tension et la rsistance de sortie du circuit intgr sont dfinis par
v s' A' A' A' A' A'
Ad = 5 = 1 2 3 4 5 835000 (118.4 dB), Z s = Z s' 5 266 .
vd 2

Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre

Pour ltage push-pull srie, la rsistance dentre Z e' 5 Rch 2.5 M est trs importante.

i14

rbe14
i14
Z e' 5 rce14 Rcharge

Pour ltage de gain en tension, lmetteur commun prsente la diode dentre de Q8 vue de sa
base, soit Z e' 4 = rbe8

i8

Z e' 4 rbe8 rce8 z10 Z'e5


i8

et le collecteur commun Z e' 3 = rbe7 + ( + 1) rce7 // R3 // Z e' 4 2.12 M . ( )


i7

rbe7
i7
Z e' 3 rce7 R3 Z'e4

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Pour ltage cascode, le base commune prsente la diode dentre de Q4 vue de son metteur,
rbe4
soit Z e' 2 = 833 .
'+1
' i4 iC4

i4
zs Z'e3
Z e' 2 rbe4
Ai ic3 = 0

rbe4 r
et le collecteur commun Z e' 1 = rbe2 + ( + 1) rce2 // rbe + ( + 1) be4 418 k .

' +1 2
'+1

i2

rbe2
i2
Z e' 1 rce2 Z'e2

La rsistance Z e' 1 tant vue par la source de tension v d / 2 , la rsistance diffrentielle dentre
vue par la source v d est
rbe4 + 1 UT
car ( + 1)
U U U
Z d = 2 Z e' 1 4 rbe2 836 k = = ( + 1) T = ( + 1) T = T = rbe2
'+1 ' +1 I B 4 IE4 I E2 I B2
0 0 0 0

La reprsentation de lamplificateur intgr de tension dans son rgime purement diffrentiel est
une source de tension contrle par la tension diffrentielle applique sur la branche contrlante
supportant Z d .

B1
(+)

Zs
Zd Rch
vd vs

Ad v d
(-)
B2

En constatant lorientation de la tension v d et la valeur algbrique du transfert ( Ad > 0 ), il en


dcoule que les entres en base de Q1 et de Q2 correspondent respectivement aux bornes non
inverseuse et inverseuse de lamplificateur. Enfin, la tension en charge v s dcoule de ladaptation
en tension, cest--dire

Rch
vs = Ad v d Ad v d car Z s << Rch
Z s + Rch

10. Caractrisation en rgime de mode commun

Premire tape : calcul du gain en tension et de la rsistance de sortie, lattaque tant une source
de tension v c .

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v s''1
Pour ltage collecteur commun, mmes rsultats avec les notations A1'' = ( A1' ) et Z s''1 Z s' 1
vc

Pour ltage pseudo-base commune

' i4 iC4
Z''s1 i4 zs
v''s2 Z s'' 2
rbe4 Ai ic3

v''s1
2 z13

1 [
v s'' = ( '+1)Z s'' + rbe + 2 z13 i 4
1 4
]
''
s1
v = z (i
s c4 A i
i c3 )
avec i c3 = i c 4 = ' i 4
v s'' ' zs 2 ' zs
A2'' = 2 = 1.64 10 3 , Z s''2 = zs = 4 M
v s''1 rbe4 + ( '+1)Z s''1 + 2 z13 + 2 ( + 2) z13
Pour ltage de gain en tension et ltage push-pull, les rsultats analytiques sont identiques ceux
v s''
trouvs lors de ltude du rgime diffrentiel avec les notations Ai'' = '' i Ai' et Z s''i pour i =3 5.
v si 1
v s'' 5
Le gain scrit = A5'' A4'' A3'' A2'' A1'' = Ac 0.69 , gain en tension en rgime de mode commun et
vc
la rsistance de sortie du montage est Z s = Z s''5 Z s' 5 .

Deuxime tape : calcul de la rsistance dentre

Pour les tages push-pull et gain en tension, les rsistances dentre demeurent inchanges
Z e''5 Z e' 5 , Z e'' 4 Z e' 4 , Z e'' 3 Z e' 3 .

Pour ltage cascode, le schma du base commune charges rparties est modifi par la
prsence de la rsistance 2 z13 en srie avec la rsistance rbe4 , ce qui conduit remplacer rbe4
par rbe4 + 2 z13 dans les expressions analytiques
rbe4 + 2 z13 rbe + 2 z13
soit Z e'' 2 = et Z e''1 = rbe2 + ( + 1) rce2 // 4 .
'+1 '+1
La rsistance de mode commun, vue par la source de tension v c dans le contexte du demi-
schma, est donc Z c = Z e''1 688 M .

La reprsentation de lamplificateur intgr de tension dans son rgime de mode commun est une
source de tension contrle par la tension de mode commun applique sur la branche contrlante
supportant Z c , schma vu des bases de Q1 ou Q2 .

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B1 ou B2

Zs
Zc Rch
vc vs

Ac v c

11. Taux de rjection de mode commun

v s' 5 A1' A2' A3' A4' A5' v s''


Les gains de transfert en tension sont Ad = = et Ac = 5 = A1'' A2'' A3'' A4'' A5'' .
vd 2 vc

La tension obtenue en fin de chane est la somme des tensions de sortie vide issues des deux
rgimes (thorme de superposition), soit v s5 = v s' 5 + v s'' 5 = Ad v d + Ac v c et la qualit de
lamplification diffrentielle par rapport lamplification du mode commun est exprime par la
Ad A2'
valeur du taux de rjection de mode commun TRMC = = , soit 122 dB. Il est vident que
Ac 2 A2''
ce TRMC est produit par ltage diffrentiel, comme le prouve son expression analytique.

La valeur trouve est trop leve pour un amplificateur de ce type. Le fait davoir nglig le
paramtre rce des modles de Q3 et Q4 augmente la valeur de Ad et diminue celle de Ac , ce
qui explique cette performance.

12. Caractrisation de ltage de gain

On considre le quadriple caractrisant ltage de gain en tension Q7 ,Q8 , attaqu par


lquivalent de Thvenin de ltage diffrentiel et charg par la rsistance dentre de ltage
push-pull Z e' 5 tant trs importante devant Z s' 4 .

Zs2 Zs3 Zs4


Ze3 Ze4 Ze5

vs3= vs4=
vs2 A3 vs2 A4 vs3

Le gain de transfert en tension Av aux frquences moyennes (absence de C) doit tre exprim en
terme de source lie la tension v de la branche contrlante supportant Z e' 3 afin de respecter la
modlisation du quadriple (voir cours La caractrisation dun amplificateur linaire ). La
caractrisation de ltage devient alors :
Zs'
Z e' = Z e' 3 2.12 M , Z s' = Z s' 4 66.7 k << Z e' 5 2.5 M , A v = 1 + ' 2 A3' A4' 1209
Z e3

13. Evaluation de la frquence de coupure haute (frquences hautes)

La caractrisation de ltage de gain va permettre une approche rapide du comportement en


frquence du circuit. Sous lhypothse dobtenir la frquence de coupure -3 dB uniquement par
la prsence du condensateur C, le schma quivalent du systme est alors du premier ordre (un
seul condensateur).

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C
i0

v Ze // Zs2

Zs2 Zs v0
Ze Ze5 Av v
v

vs2 Av v Zs

Le condensateur voit ses bornes une rsistance (diple de Thvenin)


( )( )
RC0 = Z s' + Z s' 2 // Z e' 1 A v 1680 M fh =
1
2 RC0 C
3.16 Hz

La constante de temps produisant la frquence trouve est de valeur norme devant la somme de
toutes les constantes de temps vide produites par les capacits parasites des transistors et
lapplication de la mthode du ple dominant donne (voir Annexes ) :
15 15
1
f1
2 a1
fh avec a1 = RC0 C + i =1
0
Rbe i
Cbei + R
i =1
0
bc i C bc i RC0 C

Lamplificateur de tension diffrentielle se comporte comme un circuit du premier ordre de gain en


Ad
boucle ouverte G( p ) = avec Ad 118 dB et fh 3.16 Hz .
f
1+ j
fh
La faible frquence de coupure haute permet datteindre un gain unit avec une pente de 20 dB
par dcade dans le plan de Bode. Cette compensation rend le circuit inconditionnellement stable.
Le produit gain en tension (en units et non en dB) frquence de coupure haute (proprit dun
systme du premier ordre) permet de chiffrer la frquence de transition ft = Ad fh 2.64 MHz .

150

232.631m, 118.205) (42.658K, 115.209)

100 amplificateur
(3.2359, 115.204) amplificateur compens non compens
(C = 30 pF)
50

- 40 dB / dcade
- 20 dB / dcade

(2.6510M, 8.2797m)

-50
100mHz 1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
DB(V(s))
Frequency

Si la capacit C de compensation tait absente, linfluence conjugue du montage metteur


commun Q8 (voir le problme Rponse en frquence dun metteur commun ), et du montage
base commune Q4 cumulant sur sa forte charge de collecteur les capacits parasites du miroir et
de lentre de Q7 , produirait la frquence de coupure haute. La prsence de ces ples rend le
systme instable comme le montre la simulation.

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Etude du rgime pseudo continu

+VCC

Q1 Q2
VD VBE1 VBE2

VEB3 VEB4

Q3 Q4
IB3 IB4
IC3 IC4

IC5 IC6 IC13o

Q5 Q6
10

VBE5 VBE6

-VCC

14. Expressions des transferts courant / tension

VBE1
I E ( + 1) I BS e UT
Q Q 1

1 2 VBE2 VD = VBE + VEB VEB VBE

( + 1)
1 3 4 2

E2
I I e UT
BS I E1 = I E3
VEB3
I E I E 2 = I E 4
3 ( '+1) I BS
' e UT

Q3 Q4 VEB4
(technologie) IC13o = I B3 + I B4 (circuit)

I E 4 ( '+1) I BS
' e UT
VBE5 = VBE6

VBE5
IC3 IC5
IC I BS e UT I = I I
5
Q5 Q6
C4 C6

VBE6
IC6 I BS e UT

A partir des quatre premires quations du circuit, on obtient :

I E1 = I E3 ' IC13
IC3 o
I E 2 = I E 4 IE VD
I C
VD
3
= e 2 UT = 3

I E1 I E3 I E 4 IC4 1 + e 2 UT
' IC13
VD = UT Ln I + Ln I ' I
C13o = IC3 + IC4 IC4
o
E2 E4 VD
' I = I + I 1 + e 2 UT
C13o C3 C4

et laide des trois dernires

IC5 = IC6 ' IC13 ' IC13 V


I o
o
= ' IC13 th D avec ' IC13 = 50 A
I I C4 I C3
VD

VD o 4 UT o

1 + e 2 UT 1 + e 2 UT

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linarisation
50uA du transfert
Q4 satur Q3 satur

25uA
(111.0E-18, 24.913u)

0A
Q3 bloqu Q4 bloqu
(111.0E-18, -37.759n)

-25uA

linarisation
du transfert
-50uA

-400mV -300mV -200mV -100mV 0V 100mV 200mV 300mV 400mV


IC(Q3) IC(Q4) IC(Q4) - IC(Q3)
VD

15. Retour ltude dynamique aux faibles signaux

Expression de v s' 2 v d (tension vide)


' IC13
La polarisation est obtenue pour VD = 0 , soit IC3 = IC4 = o
.
2 o o

Les pentes des transfert au point de polarisation sont telles que


V
D
e 2 UT
dIC3 ' IC13 ' IC13
2U iC iC4
= ' IC13 T = o
= 3 et = o
.
dVD V =0 o
V
2 8 U T v d v d 8 U T

1 + e 2 UT
D
D


VD =0

' IC13 IC 4 '


gm
i C3 = i C 4 = o
vd = o
vd = vd
8UT 4UT 4

Le transfert en tension de ltage diffrentiel v s' 2 v d vide scrit


iC4

'
rce6
v's2 v s' 2 gm rce6
Ai ic3 ic3 v s' 2 = rce6 ( i c 4 Ai i c3 ) 2 rce6 i c 4 =
vd 2

La relation obtenue dans ltude du rgime dynamique purement diffrentiel aux faibles signaux
est rapporte ci-dessous

v s' 2 A1' A2' ' rce6 rbe2 UT U U UT rbe4


= avec = = T = T = =
vd 2 rbe2 +1 ( + 1) I B2 IE2 IE4 ( '+1) I B4 ( '+1)
rbe4 + ( '+1) o o o o
+1

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ce qui conduit au mme rsultat.

Expression de i v d (courant de court-circuit)

VD v v
I ' IC13 th pour v d (t ) << 4 UT th d d
o 4 UT 4 UT 4 UT

i
i ' IC13 g'
rce6
v's2 = o
= m (ou encore i iC4 iC3 )
vd 4UT 2

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Amplificateur de tension TL071 (technologie BiFet)


La figure 1 reprsente le schma lectrique simplifi du circuit intgr TL071 de Texas Instruments.
Les tages de polarisation sont prsents sur la forme de sources de courant I1 et I 2 dont la
conception est dtaille la figure 2. Les types de transistors sont supposs technologiquement
identiques et possdent les caractristiques (effet Early nglig)
= 250 ( >> 1) , VBE0 0.6 V (JBT) et I DSS = 200 A , VP = 3 V (JFET).
Ltude porte ici sur le rgime continu.

Comprhension du schma (figure 1)

1. Donnez une description prcise du circuit. Prouvez que ce dernier est bien un amplificateur de
tension.
2. Montrez que les bornes in + et in - correspondent respectivement aux entres non
inverseuse et inverseuse du circuit.

Conception du circuit de polarisation (figure 2)

3. Evaluez les rsistances R6 et R7 afin dobtenir les courants I1 et I 2 de lordre de 160 A et de


250 A respectivement.
4. Trouvez la relation donnant la valeur minimale des tensions dalimentation VCC en fonction de la
tension de pincement VP du JFET et de la tension zener VZ de la diode D1 , ceci en maintenant le
courant de drain de J 3 inchang.

Etude du rgime continu

Le circuit est aliment par deux sources symtriques de tension VCC = 15 V et les entres sont
connectes la masse. Ltage push-pull consomme alors des courants IC8 = IC9 = 25 A .

5. Dessinez le schma et indiquez dessus toutes les variables de polarisation. Constatez que le
choix de la topologie du miroir chargeant valeur ltage diffrentiel, conduit un meilleur
quilibrage de la polarisation de ce dernier.
6. Evaluez le courant continu dalimentation ICC du circuit sans charge ( Vout = 0 ) et dduisez la
puissance dissipe.

Etude du rgime pseudo-continu

Une tension continue est applique lentre de lamplificateur telle que Vin + = VD et Vin = 0
(masse), la sortie tant charge par une rsistance Rch = 2 k .

7. Dterminez le domaine des valeurs de VD produisant un courant maximal de drain pour ltage
diffrentiel.
8. Pour VD = 5 V , valuez les courants et potentiels de nuds du schma en prcisant ltat des
transistors.

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+ VCC

I1 I2

Q8

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