UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERIA ELCTRICA Y ELECTRNICA

IT144 LABORATORIO DE CIRCUITOS ANALGICOS.

EXPERIENCIA N 9

EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

I. OBJETIVO :

Disear, simular, implementar y analizar circuitos con amplificadores operacionales.

A.- Relacin de Circuitos en estudio :

A1.- Amplificador Inversor.(Circuito 1) :

Vin = 200 mV / 1 KHz ; fi = 100 Hz ; fs = 16 KHz ; IC LM741 ; G = 10 ; Ri = 5 K

C2
0.082n
R2
100K
-12V
4

R1 2 1
V-

- OS1
5K LM741OUT 6
C1 0.15u 3 5
V+

+ OS2

Ri 5K
7

R3 100K R4 5K
+12V
Vin
0 0
CIRCUITO 1
0

A2. Amplificador no inversor (Circuito 2) :

Vin = 200 mV / 1 KHz ; fi = 100 Hz ; fs = 16 KHz ; IC LM 741 ; G = 10 ; Ri = 20 K

 C2
0.22n
R2
45K
LM741 -12V

4
R1 R5 2 1

V-
- OS1
5K 400K OUT
6
C1 3 5

V+
0 + OS2
4n R4
20K R3 +12V

7
5K
400K
Vin
0 0
CIRCUITO 2
0

A3. Amplificador Seguidor Emisivo. (Circuito 3)

Vin = 500 mV / 2 KHz ; Ri = 20 K ; fi = 10 Hz ; IC LM 741.

R2

-12V
4

2 1
V-

- OS1
6
OUT
C1 3 5
V+

+ OS2
R4
72n
Ri 5K
7

20K
R3 200K
+12V
Vin
0
CIRCUITO 3
0
0
A4. Circuito Conversor V/I (Circuito 4) :

Vin = 500 mV / 2 KHz. ; ZL = (50, 100, 150, 200, 250, 300, 420) ohms ; IC LM 741
R2
22K
-12V
C1 R1

4
2 1 + VL -

V-
- OS1
1u 2.2K LM741OUT 6

3 5

V+
+ OS2
ZL R3
Vin 2.2K

7
R4 2.2K
+12V
0

0 CIRCUITO 4
0

A5. Amplificador para seal Tipo Puente (Circuito 5) :

+12V
7

R5
+1.5V 3 5
V+

+ OS2
2.2K LM741OUT 6

R2 2 1 R7 2.2K
V-

- OS1
0.42K R1 0.42K
-12V
4

R9 2.2K
0.42K R4
R8 42K
R3
0
4

-12V
2 1 R10 42K
V-

0 - OS1
LM741OUT 6
R6
3 5
V+

+ OS2
R11 5K
2.2K
+12V
7

CIRCUITO 5 0
R1 = R2 = R3 ; R4 es una resistencia transductora de 420 a 0C y 200 a 25C
aproximadamente.

B.- INFORME PREVIO.

1. Compare las caractersticas tcnicas de los amplificadores operacionales, LM741,

LM308, y TL082.
2. Explique el funcionamiento, indique posibles aplicaciones del
Termistor NTC
Resistencia del Platino
La Termocupla
El Transductor de efecto Hall
La celda para medir PH
3. Obtenga la funcin de transferencia de los circuitos de A1, A2, A3, A4, y A5.
4. Disee los circuitos de A1, A2, A3, A4, y A5, segn los parmetros indicados para
cada caso.
5. Simule en computadora la respuesta a una excitacin sinusoidal y los diagramas
de Bode de los circuitos A1, A2, y A3; Asimismo respuesta a cambios de
impedancia del circuito A4, y el diagrama de Bode al punto VR11 del circuito A5.

C.- IMPLEMENTACIN.

Equipo Y Material Bsico:

Uno (01) Osciloscopio.

Uno (01) Generador de Seales.
Dos (02) Fuentes DC de 12V.
Uno (01) Multimetro digital.
Dos (02) CI LM 741.
Uno (01) Termistor NTC 190 aprox. a 25C
Dos (02) Potenciometros de 10K.
Condensadores y resistencias segn diseo.

D.- PROCEDIMIENTO.

1. Construir los circuitos A1 hasta A5, verificando que la salida sea cero en ausencia
de seal.
2. Para los circuitos A1, A2, y A3 efecte un barrido de frecuencia de 5 Hz a 150
KHz, aplicando el generador de seales con la magnitud indicada para cada
circuito.
3. Para el circuito A4, aplique el Vin con una frecuencia de 1 KHz, y tome los valores
de voltaje en el nodo 6 del A.O., y la resistencia R3 cuando RL = ZL vara entre 50
ohms y 420 ohms.
4. Para el circuito A5 verifique que el voltaje V(R3,R4) sea nulo a la temperatura de
referencia, puede usar hielo como referencia de 0C, luego calibre los controles de
NULL para que la salida sea nula.
5. Deje que el NTC alcance la temperatura ambiente y lea el voltaje de salida.
6. Finalmente mida el voltaje de salida despus de tocar firmemente con las yemas de
los dedos indice y pulgar (36.8 C aprox.) al sensor NTC.

D.- INFORME FINAL :

1. En funcin de sus datos experimentales construyan los diagramas de Bode de los

circuitos A1 hasta A3, use MATLAB.
2. Grafque la corriente IL para los distintos valores de RL, use sus datos
experimentales.
3. Grafque Vo vs T C usando los puntos de las mediciones realizadas.
4. Anote las conclusiones, observaciones y comentarios referentes a :
a. Diseo.
b. Simulacin, y
c. Implementacin.