TRANSISTORES JFET

Daniel Gonzlez Rojas

dargonzalezr@correo.udistrital.edu.co
Daniel Moreno Arias
dieamorenoa@correo.udistrital.edu.co

Configuracin de polarizacin fija.

1. INTRODUCCIN: En este informe de
laboratorio se realizar una comprobacin de las Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los
propiedades enunciadas en clase sobre los transistores BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET
J FET. tiene el inconveniente de que la tensin V GS debe ser
negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que
2. OBJETIVOS: exige unos circuitos de polarizacin caractersticos para
este tipo de dispositivos. En este apartado se presentan
Analizar e identificar los parmetros uno de los circuitos ms utilizados: polarizacin simple
y caractersticas principales en los FET y o fija (Figura 1), se utiliza una fuente de tensin externa
comprobar experimentalmente el anlisis de para generar una VGS<0.
los circuitos de polarizacin de los FET.
Analizar los resultados obtenidos en las
experiencias de laboratorio y presentar tablas
con los datos obtenidos.
Realizar conclusiones de los resultados
obtenidos y el anlisis de los mismos en el
desarrollo de la experiencia de laboratorio.

3. MARCO TEORICO:
El transistor de efecto de campo FET (Field Efect
Transistor), a diferencia del BJT, el FET es un transistor
unipolar (donde solo electrones o huecos participan en
el proceso de conduccin). El principio con el que
operan es el siguiente, la presin (potencial) de una
fuente en S, ocasionar un flujo de electrones hacia D,
este flujo es controlado por la compuerta G (vlvula).
Obsrvese de la figura que los dos materiales tipo p se
encuentran conectados entre s y tambin con la Ilustracin 1 Circuito de polarizacin simple de
terminal de la compuerta G. un NJFET. (a) Diagrama circuital. (b) Ecuaciones
analticas. (c)Representacin grfica del punto
Con respecto a su construccin y material de dopado, de trabajo.
los FETS se clasifican en:
Configuracin de auto polarizacin.
El transistor de efecto de campo de unin,
JFET (Junction Field Transistor) La configuracin de auto polarizacin (figura 2), la
El transistor de efecto de campo metal-xido cada de tensin en la resistencia R S debida a ID
permite generar una VGS<0.
semiconductor, MOSFET (Metal-Oxide
Semiconductor Field-Effect Transistor. Que a
su vez se divide en dos tipos
MOSFET de tipo decreciente
MOSFET de tipo creciente

El MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos

ms utilizados en el diseo y construccin de circuitos
integrados para computadoras digitales, en parte
debido a su estabilidad trmica.
 Luego, aplicando las leyes de Kirchhoff, y teniendo en
cuenta que IR2 = IR1, entonces podremos encontrar el
valor del voltaje de la compuerta: VG.

VG VGS VRS = 0

VGS = VG VRS

Sustituyendo a VRS = IS * RS = IDRS, tenemos:

VGS = VG IDRS

Los valores VG y RS los fija la red. Y la ecuacin No.3

corresponde a una lnea recta en el plano de ID VGS.

Cuando ID sea cero el valor de V GS ser igual a VG y

cuando VGS sea cero, ID ser igual a la relacin VG sobre
RS .

De acuerdo a la figura No.4, si R S se incrementa,

Ilustracin 2 Auto polarizacin de un NJFET. (a) entonces la recta cruzar por un valor menor de I D
Diagrama circuital. (b) Ecuaciones analticas. (c) cuando VGS sea cero. Pero esto ocasionar niveles
Representacin grfica del punto de trabajo. menores de estabilidad de los ID y ms negativos de
VGS.
Polarizacin mediante divisor de voltaje.
VDS = VDD ID (RD + RS)
Tal como lo hicimos para el BJT, la polarizacin del
JFET se puede realizar por divisor de voltaje. Su IR1 = IR2 = VDD / (R1 +R2)
construccin bsica es exactamente la misma, pero el
anlisis en DC es muy diferente. Puesto que, la
corriente de la compuerta (IG) es de cero amperios
mientras que para el BJT la corriente de la base (I B)
afecta los niveles de DC de la corriente y del voltaje
tanto para el circuito de entrada como el de salida.
Pues IB proporcionaba la relacin entre el circuito de
entrada y el de salida mientras que el VGS har lo
mismo para el JFET.

Ilustracin 4 Grfica de JFET polarizado por

divisor de voltaje.

4. METODOLOGA:
Materiales utilizados:

Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.

Un transistor 2N3904
Un multitester digital o analgico
Un JFET K373
Un LED de color (verde, rojo o amarillo)
Resistores W: de 270, 470, 33K,
Ilustracin 3 Polarizacin por divisor de voltaje 4.7K, 100K, 1.8K, 2K, 1M.
de un JFET Potencimetro de 10K.
Entonces, realizando el anlisis de la misma forma que
para un BJT, tenemos:

VG = R2 * VDD / R1 + R2
 IS 3.6 mA

ID 3.7 mA
Procedimiento:

MEDICION DE IDSS Y VP

IG 0.42 mA

Los resultados para la Fig. 1B, se muestran en la

siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO

1 Arme el circuito mostrado en la Fig. 1A, coloque un

ampermetro entre el circuito y la fuente de voltaje,
encienda esta y observe tanto el ampermetro como el VDS 1.97
LED, si no pasa corriente (LED apagado), apague la
fuente e invierta las conexiones del LED. (Verifique la
posicin del LED).
VGS 0.83
2 Arme y conecte el divisor de voltaje de la Fig. 1B y
conecte el terminal central a la compuerta (retirarla
previamente del nivel de referencia), gire el
potencimetro y observe la corriente, con el voltmetro VGD 1.2
mida la tensin VGS en el momento en que ID se hace
cero.

Los resultados para la Fig. 1A, se muestran en la IS 0.032

siguiente tabla

ID 1.4mA
MAGNITUD VALOR MEDIDO

IG 0
VDS 3.6

Tericamente sabemos que el VP es igual al Vgs,

VGS 1.42 mV gracias a esto decimos que el Vp equivale a 0.83 V y
que la Idss equivale tericamente a la Is medida dado
esto obtenemos que Idss equivale a 3.5mA.

POLARIZACION FIJA
VGD 3.5
 Vgs
1
Vp


Id=Idss

Obtenemos que Id=Is

Para obtener el valor Vds usamos la siguiente ecuacin

Vds=VccRdId (2)

Y que a su vez

Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada Vgs=Vgg(3)

los instrumentos tal que pueda medir ID y VGS;
encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS
as tambin VDS. De ser posible cambie el transistor
con otra mesa y anote las nuevas medidas. Y que la resta de los voltajes previamente hallados nos
resulta dando como solucin el valor de Vgd

VALOR VALOR
MAGNITUD
MEDIDO CALCULADO Vgd=VdVg(4 )

AUTOPOLARIZACION
VDS 4.4 V 6.2V
Arme el circuito mostrado. Conecte adecuadamente los
instrumentos para medir ID y VGS, encienda las fuente
y anote los valores de ID, VGS y las dems tensiones
del circuito.
VGS 0.67 0.7

Todo circuito debe ser armado con las fuentes

apagadas previamente ajustadas al valor dado en el
diagrama.
VGD 4.5 5.5

IS 2.1 mA 1.9mA

ID 1.76 mA 1.9mA

IG 0.5 A 0A

Tericamente obtenemos que: Ig=0

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:
Para hallar el valor de Id usamos la siguiente ecuacin:
 VALOR
MAGNITUD VALOR MEDIDO
CALCULADO

VDS 3.4 6.6

VGS 235 mV 0.65

VGD 3.7 6.58

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

IS 0.9 mA 1.9mA

MAGNITU VALOR VALOR

D MEDIDO CALCULADO

ID 1,2 mA 1.9mA

VDS 7 6.5

IG 0.02A 0

VGS 260mV 2.48

Asignndole un valor a Id de 5mA.

Con la siguiente ecuacin obtenemos que

VGD 6.9 7
Vgs=IdRs (5)

Y que a su vez IS 1.8 2.01

Id=Is (6)

Con la ecuacin:

Vds=Vcc( Id ( Rd + Rs ) ) (7)

ID 1.89 mA 2.3 mA
Resolviendo nuevamente la ecuacin (2) obtenemos el
valor terico de Vd y con la ecuacin (4) obtenemos el
valor de Vgd.
IG 0 0
POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as

como las tensiones en los diferentes nudos y puntos del
Con la siguiente ecuacin hallamos el valor terico de
circuito.
Vg
 ( R 2Vdd )
Vg= ( 8)
( R 1+ R 2 ) VGS - 0.67 V - 0.80 V

Para hallar Vgs tenemos que

VGD 8.5 V 9V
Vgs=Vg( IdRs) (9)

Obtenemos que
IS 1.9 mA 1.97 mA
Vgs Id
0 1.6mA
2.48 0
ID 2 mA 1.97 mA
Con la ecuacin de la malla de salida obtenemos que

Vds=Vc( Id( Rd +Rs ))( 10)

IG 0 mA 0 mA

Y con la ecuacin (4) hallamos el valor terico de Vgd.

POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE

VE = -10V - (-0.7V)
Arme el circuito mostrado y realice las medidas de ID,
IC y las tensiones entre terminales de los dispositivos VE = - 9.3 V
(JFET Y BJT) as como en los dems puntos del
circuito. Para hallar la corriente decimos que

IE = (9.3V)/(4.7K)

IE = 1.97 mA

Tericamente sabemos que IE = IC = ID = IS

Usando el valor de ID = 1.97 mA,

VGS = - 0.80 V

VC = Vb Vgs

Vds= 10V (ID) (RD) - VC

Vgd =9 V 0 V = 9 V
Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

5. CONCLUSIONES:
VALOR
MAGNITUD VALOR MEDIDO Nos pudimos dar cuenta que el transistor JFET
CALCULADO
es muy delicado al contacto puesto que con la
ms mnima manipulacin los valores de
medicin pueden variar, todo esto debido a la
esttica.
VDS 8.45 V 8.27 V
Los datos tericos y los medidos varan en
amplio rango puesto que al momento de
 realizar los clculos los rangos dados por el
fabricante del JFET se dejan a un lado y solo
se toma un valor como referencia.
6. REFERENCIAS:
[2] J. Gutierrez, UNAD, Julio 2011. [En lnea].
Available:
http://datateca.unad.edu.co/contenidos/201419/contLin
ea/leccin_21_configuraciones_de_polarizacin_del_fet.h
tml. [ltimo acceso: 06 11 2016].

[1] A. Hernandez, Monografias, Agosto 2011. [En

lnea]. Available:
http://www.monografias.com/trabajos89/conceptos-
electronica-teoria-circuitos/conceptos-electronica-
teoria-circuitos.shtml. [ltimo acceso: 06 11 2016].