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Nuevas Tecnologas en los

Dispositivos Electrnicos
Coordinador :
Francisco Gmiz Prez
Autores:
Andrs Godoy Medina
Andrs Roldn Aranda
Carlos Sampedro Matarn
Juan Antonio Jimnez Tejada
Juan Bautista Roldn Aranda
Juan Enrique Carceller Beltrn
Francisco Gmiz Prez
Francisco Jimnez Molinos
Pedro Cartujo Casinello

Dpto. Electrnica y Tecnologa de Computadores


Universidad de Granada
AUTORES: A. Godoy, A. Roldn, C. Sampedro, J.A. Jimnez Tejada, J.B.
Roldn, J.E. Carceller, F.Gmiz, F. Jimnez, P. Cartujo Cassinello
TITULO: NUEVAS TECNOLOGAS EN LOS DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
Ao publicacin: 2008
ISBN: 978-84-691-4090-1
Depsito legal: GR-1413-2008
Editorial: Departamento de Electrnica y Tecnologa de Computadores
Lugar publicacin: Granada
Resumen:
Nuevas tecnologas en los dispositivos electrnicos es un libro de texto cuyo
principal objetivo es proporcionar los fundamentos bsicos de los dispositivos
electrnicos ms comunes: uniones, el transistor bipolar y los transistores de
efecto campo metal-xido-semiconductor (MOSFET), metal-semiconductor
(MESFET) y de unin (JFET). Antes de abordar estos dispositivos hay un primer
captulo donde se asientan las bases de los semiconductores. Despus del estudio
de estos dispositivos clsicos hay un captulo dedicado a dispositivos
optoelectrnicos. La tecnologa de fabricacin de circuitos integrados tambin se
aborda en este libro con captulos dedicados al crecimiento de semiconductores,
su impurificacin, el crecimiento controlado de otros materiales, la litografa y el
grabado. A continuacin se trata de forma especfica la tecnologa de fabricacin
de circuitos integrados y finalmente se tratan aspectos industriales de la
fabricacin de componentes. El libro termina con captulos dedicados al
modelado de dispositivos electrnicos y los procesos de fabricacin. El libro
forma parte de los resultados de un proyecto de innovacin docente denominado
Aplicaciones de las nuevas tecnologas a
la enseanza de los dispositivos electrnicos. Los contenidos de este libro
tambin estn disponibles en formato web en la pgina del departamento de
Electrnica y tecnologa de computadores:
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/
Summary:
New Technologies in electronic devices is a textbook intended for
undergraduate courses. Our aim is to provide the basic principles of common
semiconductor devices: junctions, the bipolar transistor, and field-effect-
transistors (FET), such as the metal-oxide-semiconductor FET (MOSFET), the
junction FET (JFET) and the metal-semiconductor FET (MESFET). In a first
chapter, the fundamentals of semiconductors are given. After these classical
devices are studied there is a chapter where optoelectronic devices are treated.
There is a group of chapters devoted to silicon processing techniques such as
oxidation, ion implantation, lithography, etching. The fabrication processes of
integrated circuits are also described. The book finishes with two chapters
devoted to modelling of electronic devices and processes. This textwook is one of
the results of an educational project carried on at the University of Granada,
called Applications of the new technologies in teaching electronic devices. The
contents of this book can also be browsed in the webpage
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/
Contenidos:
Fundamentos de semiconductores.
Uniones semiconductoras.
El transistor de unin bipolar.
La estructura metal aislante semiconductor.
El transistor de efecto de campo MOS.
El transistor de efecto de campo de unin.
El transistor de efecto campo metal-semiconductor.
Dispositivos optoelectrnicos.
Crecimiento de semiconductores.
Impurificacin controlada de semiconductores.
Crecimiento y deposicin de pelculas.
Litografa y grabado.
Tecnologa de fabricacin de circuitos integrados.
Aspectos industriales de la fabricacin de componentes.
Modelos para simulacin de dispositivos electrnicos.
Modelos para simulacin de procesos.
Captu 1.
El

1 Transde
Efecto)
Captulo
FUNDAMENTOS DE
SEMICONDUCTORES

Diagrama de bandas de un
semiconductor tipo N
ndice
1-1 Introduccin 1-5 Transporte de carga. Corriente en
1-2 Metales, aislantes y semiconduc- semiconductores
tores 1-6 Corriente y generacin-
1-3 Estadstica de semiconductores recombinacin. Ecuacin de continuidad
1-4 Portadores en desequilibrio

Objetivos
Exponer la diferencia entre metales, aislantes y semiconductores.
Presentar las principales caractersticas de los semiconductores y los tipos que
existen.
Introducir el concepto de hueco y explicar su contribucin a la corriente en un
semiconductor.
Mostrar el modelo de diagramas de bandas para el estudio de los
semiconductores.
Exponer los fundamentos bsicos de la estadstica de semiconductores.
Proporcionar las ecuaciones bsicas para el clculo de la densidad de portadores
mviles en semiconductores.
Estudiar las situaciones de desequilibrio y los procesos de generacin y
recombinacin
Analizar los mecanismos de conduccin elctrica: difusin y deriva.
Exponer la ecuacin de continuidad.

Palabras Clave
Semiconductor. Densidad de estados. Ecuacin de difusin.
Electrn. Densidad de portadores. Relacin de Einstein.
Hueco. Generacin. Movilidad.
Enlace covalente. Recombinacin. Coeficiente de difusin.
Diagrama de bandas. Equilibrio trmico. Distribucin de Fermi-Dirac.
Impurezas donadoras y Pseudoniveles de Fermi. Distribucin de Maxwell-
aceptadoras. Corriente de arrastre. Boltzmann.
Nivel de Fermi. Corriente de difusin. Semiconductor degenerado.
Funcin de distribucin. Ecuacin de continuidad.
Captulo 1

1.1 Introduccin

En el presente tutorial estudiaremos dispositivos de estado


slido. Esto es, realizados sobre substratos slidos (generalmente, silicio
cristalino). Por tanto, no analizaremos vlvulas de vaco ni, los
recientemente propuestos, dispositivos moleculares.
A su vez, los slidos se pueden clasificar segn la ordenacin
espacial de los ncleos atmicos que lo constituyen. Como se observa en
la figura, si stos se ordenan de forma regular en el espacio se denominan
slidos cristalinos. Por el contrario, los slidos amorfos presentan una
disposicin irregular de sus tomos. Finalmente, cuando la estructura
regular no se conserva en todo en el espacio, sino en pequeas regiones,
decimos que el slido es policristalino pues est formado por multitud de
cristales.

Figura 1.1.1 Esquema de la ordenacin atmica en un


slido cristalino (a), amorfo (b) y policristalino (c)

La mayora de los semiconductores de inters son slidos


cristalinos, por lo que nos centraremos en este tipo de slidos. En este
primer captulo veremos cmo (y por qu) pueden ser conductores o no de
la electricidad.
En el siguiente apartado analizaremos las principales diferencias
entre metales, aislantes y semiconductores. Posteriormente nos
centraremos en los semiconductores.
En primer lugar, estudiaremos cmo obtener el nmero de
portadores de carga que pueden contribuir a la corriente elctrica para
poder conocer, de este modo, la conductividad de los semiconductores.
Despus veremos mediante qu procesos tiene lugar el transporte de los
portadores de carga, es decir, qu mecanismos son responsables de la
corriente elctrica. Tambin se estudiar que sucede al excitar (con luz,
por ejemplo) un semiconductor.

4 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
1.2 Metales, aislantes y semiconductores

En esta seccin veremos cul es la diferencia, desde dos puntos


de vista (fenomenolgico y microscpico) que hay entre metales, aislantes
y semiconductores. Despus nos centraremos en la descripcin de los
semiconductores atendiendo a dos modelos: el del enlace covalente y el
de las bandas de energa.

1.2.1 Descripcin fenomenolgica


A temperaturas prximas al cero absoluto (0 K) los metales son
conductores de la electricidad, con una resistividad menor que ( < 10-2
cm). Por el contrario, los aislantes y los semiconductores no son
conductores de la electricidad. Sin embargo, conforme se aumenta la
temperatura:
Los metales mantienen la conductividad casi constante, con un ligero
descenso
Los semiconductores incrementan su conductividad
Los aislantes no conducen

Adems, la conductividad de los semiconductores puede


controlarse de forma muy precisa mediante procesos tecnolgicos, como
veremos a lo largo de esta leccin.

1.2.2 Descripcin segn el tipo de enlace entre tomos


Como se sabe, existen tres tipos de enlaces entre tomos: inico,
metlico y covalente. A continuacin recordamos brevemente cada uno de
ellos haciendo hincapi especialmente en el caracterstico de los
semiconductores: el enlace covalente.

Enlace inico

Se caracteriza porque los electrones estn fuertemente ligados a


los tomos y no pueden moverse a lo largo y ancho del slido y no
conducen, por tanto, la electricidad (aislantes). Un ejemplo es la sal
(cloruro sdico), como se muestra en la Figura 1.2.1. Al constituirse el
enlace, un electrn del tomo de sodio es atrapado por el tomo de cloro,
de forma que se forman dos iones: uno positivo (formado por el ncleo
del tomo de sodio y toda su nube electrnica excepto el electrn) y uno
negativo (el tomo de cloro que ha atrapado un electrn). La atraccin
electrosttica entre ambos tomos es la fuerza que los une para constituir
el enlace. Obsrvese que en este tipo de enlace no se comparten los
electrones, sino que stos pertenecen a uno u otro tomo.

SECCIN 1.2: METALES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES 5


Captulo 1

Na+ Cl-

Figura 1.2.1 Enlace inico

Enlace metlico

En los slidos formados con este tipo de enlace, los electrones


exteriores estn desligados de los tomos, formando una nube electrnica
distribuida en todo el slido y que sirve de unin entre los ncleos
atmicos. Por tanto, los electrones exteriores no estn ligados a ningn
tomo en concreto, y pueden moverse libremente bajo la accin de un
campo elctrico. Estos slidos son, por consiguiente, buenos conductores
de la electricidad.

Enlace covalente:

En este tipo de slidos, los electrones de la capa ms externa de


cada tomo se comparten con los de otros tomos, formando el enlace
entre ellos, de forma que cada par de electrones constituye un enlace entre
tomos.
Por ejemplo, el silicio tiene cuatro electrones en su capa ms
externa y forma cuatro enlaces covalentes con otros tantos tomos de
silicio (ver Figura 1.2.2).

6 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
4+ 4+ 4+

Electrones
de valencia

4+ 4+ 4+

Enlace
covalente

4+ 4+ 4+

T = 0K

Figura 1.2.2 Esquema de un slido covalente

En principio (cierto a T = 0 K), los electrones que forman el


enlace se comparten por dos tomos y no pueden desplazarse por el cristal
bajo la accin de un campo elctrico. Por tanto, este material ser aislante.
Sin embargo, al aumentar la temperatura, la agitacin trmica de los
tomos de silicio puede provocar la ruptura de algunos enlaces, liberando
electrones, como se indica en la Figura 1.2.3. Todos los electrones que han
sido liberados pueden moverse por el cristal bajo la accin de un campo
elctrico, por lo que tenemos entonces que el slido, que a bajas
temperaturas es aislante, se comporta como un conductor de la
electricidad a una temperatura lo suficientemente alta como para romper
un nmero considerable de enlaces.

1.2.3 Semiconductores (modelo enlace covalente)


En este apartado realizaremos una descripcin de los
semiconductores que nos ayudar a entender cmo conducen la
electricidad y cmo se puede modificar tecnolgicamente su
conductividad.

Concepto de hueco

En un semiconductor, la conduccin se puede llevar a cabo de


dos formas:
Por los electrones libres
Por los electrones ligados, que van ocupando sucesivamente
diferentes enlaces

SECCIN 1.2: METALES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES 7


Captulo 1

4+ 4+ 4+

4+ 4+ 4+

Hueco
Electrn
libre

4+ 4+ 4+

T > 0K

Figura 1.2.3 Creacin de un electrn libre y de un hueco


mediante la ruptura de un enlace covalente

4+ 4+ 4+ 4+
Hueco
Electrn
libre

4+ 4+ 4+ 4+

Figura 1.2.4 Movimiento de los electrones y de los huecos


bajo un campo elctrico

El movimiento de los electrones ligados equivale al de "una


partcula" (hueco) de carga positiva y que se mueve en sentido contrario
al que realmente llevan estos electrones.
Por tanto, considerando la contribucin de ambos tipos de
partculas, la conductividad viene dada por:
= q n n + q p p , (1.1)
donde:
n: concentracin de electrones
p: concentracin de huecos
n: movilidad de los electrones
p: movilidad de los huecos
q: valor absoluto de la carga del electrn

8 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
Semiconductores intrnsecos y dopados (tipo N y tipo P)

En principio, los huecos y electrones libres se crean por pares


mediante la ruptura de enlaces covalentes. Por tanto, se cumple que:
n= p.
Esto es realmente as si el semiconductor no contiene impurezas
que modifiquen la conductividad (aportando electrones o huecos, como
veremos a continuacin). En este caso, se dice que el semiconductor es
intrnseco y a la concentracin de electrones (o de huecos) se le denomina
concentracin intrnseca de portadores (se suele representar como ni).
Por el contrario, los semiconductores dopados contienen impurezas para
modificar de forma controlada la conductividad. Los tomos de las
impurezas substituyen a los tomos del semiconductor (Si, por ejemplo),
como se muestra en la figura. En general, en estos semiconductores se
cumple que:
n p.
Segn las impurezas que introduzcamos, obtenemos dos tipos de
semiconductores dopados (tipo N y tipo P), como describimos a
continuacin.

Dopado tipo N

Se obtiene por substitucin de un tomo de silicio por algn


tomo de la columna V de la tabla peridica (impurezas donadoras). En
este caso, se aportan electrones libres para la conduccin gracias a que se
requiere poca energa para liberar uno de los electrones de la capa de
valencia de cada tomo de impureza. El resto de los electrones del tomo
forman enlaces covalentes con cuatro tomos de silicio vecinos. En
conclusin, se obtiene un electrn disponible para conducir la electricidad
y se queda un tomo fijo con carga positiva y con una configuracin
electrnica igual a la de un gas noble.
A temperatura ambiente y con una concentracin de impurezas
(ND) suficientemente alta, la concentracin de electrones ser
prcticamente igual a la concentracin de impurezas donadoras (n ~ ND),
puesto que casi todas las impurezas habrn perdido su quinto electrn.
Adems, debido a que resulta ms fcil romper el quinto enlace de la
impureza que cualquiera de los formados entre tomos de silicio (que
poseen la configuracin de gas noble), la mayora de los electrones
disponibles para la conduccin procedern de la ruptura de un enlace con
una impureza y no de la ruptura de un enlace entre tomos de silicio (que,
adems, genera un hueco). Por tanto, se cumple que:
n N D >> p q n n q n N D . (1.2)
Como vemos en este caso, se cumple que la conductividad
depende principalmente de la concentracin de electrones, no de los
huecos. Adems, el nmero de electrones disponibles (n) est

SECCIN 1.2: METALES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES 9


Captulo 1

determinado por la concentracin de impurezas donadoras, que se puede


fijar mediante procesos tecnolgicos.

4+ 4+ 4+

4+ 5+ 4+

In positivo (+q)
Electrn
libre

4+ 4+ 4+

Figura 1.2.5 Semiconductor tipo N (con impurezas


donadoras)

Dopado tipo P

Estos materiales se obtienen por la substitucin de un tomo de


silicio por algn tomo de la columna III de la tabla peridica (impurezas
aceptadoras). Como estos tomos slo tienen tres electrones en su capa
ms externa, formarn nada ms que tres enlaces con tomos vecinos,
quedando un enlace covalente no realizado. Se ha generado, por tanto, un
hueco que puede moverse bajo la accin de un campo elctrico, quedando
entonces un tomo fijo con carga negativa.
Con una concentracin de impurezas (NA) suficientemente alta se
cumple que p ~ NA >> n. Por tanto, la conductividad depende
principalmente por el movimiento de los huecos, cuyo nmero est
determinado por la concentracin de impurezas aceptadoras.

10 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
4+ 4+ 4+

Hueco

4+ 3+ 4+

In negativo (-q)

4+ 4+ 4+

Figura 1.2.6 Semiconductor tipo P (con impurezas


aceptadoras)

1.2.4 Modelo de bandas de energa


En este apartado vamos a describir una versin simplificada del
modelo de bandas de energa basndonos en las caractersticas que ya
conocemos de los semiconductores.

Introduccin

El modelo de bandas de energa resulta muy til para el estudio


del movimiento de electrones y huecos en semiconductores. Como hemos
dicho, en este curso veremos slo un modelo simplificado, en el que se
representan la energa de los electrones y de los huecos en funcin de la
posicin.
En este modelo, los electrones ligados (en un enlace covalente)
se representan en una banda de energa llamada banda de valencia. Por
otro lado, los electrones libres estn situados en la banda de conduccin.
Ambas bandas estn separadas por un rango de energas prohibidas,
denominado banda prohibida.
A 0 K, la banda de valencia de un semiconductor est completa
(no hay huecos) y no puede haber conduccin porque tampoco hay
electrones en la banda de conduccin. Para que sea posible la conduccin,
deben generarse electrones (en la banda de conduccin) y huecos en la
banda de valencia. Para ello, un electrn de la banda de valencia debe

SECCIN 1.2: METALES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES 11


Captulo 1

pasar a la de conduccin. De hecho, el ancho de la banda prohibida es


igual a la energa necesaria para romper un enlace covalente.
La diferencia que hay entre un semiconductor y un aislante es la
anchura de la banda prohibida. En el aislante es tan grande que los
electrones no pueden pasar de la banda de valencia a la de conduccin con
la nica aportacin de la energa trmica.
En el metal, la banda de conduccin est medio llena incluso a
bajas temperaturas y pueden conducir la electricidad.
Antes de seguir, sealaremos que la energa correspondiente al
fondo de la banda de conduccin se representar, en lo sucesivo, por Ec.
Del mismo modo, Ev es la energa ms alta de la banda de valencia.

Eg Eg

a) b) c)

Figura 1.2.7 Diagrama de bandas de un metal (a), un


semiconductor (b) y un aislante (c)

Semiconductores dopados en el modelo de bandas de energa

Semiconductores tipo N
La introduccin de impurezas donadoras equivale a la presencia
de un nivel energtico en el interior de la banda prohibida, cercano al
fondo de la banda de conduccin. De este modo, los electrones situados
en este nivel donador pueden saltar fcilmente a la banda de conduccin,
suministrndole electrones sin haber creado huecos.
Como la distancia entre ambas bandas es mucho mayor que la
que hay entre la banda de conduccin y el nivel donador que la que hay
entre ambas bandas, es mucho ms fcil que salte un electrn desde el
nivel donador que desde la banda de valencia.

Semiconductores tipo P
La introduccin de impurezas aceptadoras equivale a la
presencia de un nivel energtico en el interior de la banda prohibida,
cercano a la banda de valencia, y que permite que se generen huecos al
pasar electrones de la banda de valencia a este nivel aceptador.

12 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
1.3 Estadstica de semiconductores

En este apartado daremos respuesta a las siguientes preguntas:


Cuntos electrones hay en la banda de conduccin?
Cuntos huecos hay en la banda de valencia?
Cuntas impurezas estn ionizadas?

Para ello:

Primero veremos cuntos estados pueden ocupar los electrones


Despus aprenderemos cmo averiguar cules de ellos estn
realmente ocupados
Finalmente, calcularemos el nmero de electrones y huecos
disponibles para la conduccin

1.3.1 Densidad de estados


No todas las energas estn permitidas para los electrones y los
huecos, sino que los electrones slo pueden estar en ciertos estados con
una energa determinada. La diferencia de energa entre estados dentro de
una banda es muy pequea, por lo que se puede hablar de una banda
continua de estados con una densidad de estados por unidad de energa
dada por:
n estados
g c ( E ) = lim . (1.3)
E 0 E
La densidad de estados no es uniforme en toda la banda de
conduccin, sino que depende de la energa (la separacin entre estados es
menor para niveles ms separados de la banda prohibida). Se demuestra
que:

8 2
g c (E) = (me ) 3 / 2 E E c , si E > E c , (1.4)
h3

8 2
gv (E) = (mh ) 3 / 2 E v E , si E < E v , (1.5)
h3
donde:
gc(E): densidad de estados en la banda de conduccin por unidad de
energa
gv(E): densidad de estados en la banda de valencia por unidad de energa
Ec: mnimo de la banda de conduccin
Ev: energa mxima de la banda de valencia
me: masa efectiva de los electrones para la densidad de estados
mh: masa efectiva de los huecos para la densidad de estados

SECCIN 1.3: ESTADSTICA DE SEMICONDUCTORES 13


Captulo 1

1.3.2 Ocupacin de los estados en las bandas de


conduccin y valencia

La funcin de distribucin de Fermi-Dirac

Los estados de las bandas de conduccin y valencia no estn


uniformemente ocupados. En fsica estadstica se demuestran las
funciones que determinan la probabilidad de que un estado est ocupado o
no. Los electrones estn controlados por la estadstica de Fermi-Dirac,
que establece que la probabilidad de que un cierto estado de energa E
est ocupado por un electrn viene dada por la siguiente funcin:
1
f (E, T ) = EE f , (1.6)
1+ e kT

donde:
f(E,T): funcin de distribucin de Fermi-Dirac. Es la probabilidad de
que un estado de energa E est ocupado por un electrn. Toma
valores entre 0 y 1
Ef: nivel de Fermi o potencial electroqumico
K: constante de Boltzmann

Como puede observarse, la funcin de distribucin depende de la


temperatura. En la Figura 1.3.1 se ha representado la funcin de Fermi-
Dirac para tres valores de la temperatura. Con T = 0 K, la funcin de
distribucin es abrupta y se verifica:
si E < E F , f (E, 0 K) = 1

si E > E F , f ( E, 0 K) = 0
Conforme la temperatura aumenta, se ensancha la distribucin
(tanto ms cuanto mayor sea T), indicando que estados de mayor energa
pueden ser ocupados con mayor probabilidad que a temperaturas ms
bajas.
A continuacin enumeramos algunas propiedades interesantes de
la funcin de distribucin de Fermi-Dirac:
Para cualquier valor de la temperatura se cumple que para una
energa igual al nivel de Fermi, la probabilidad de ocupacin es 0.5:
[
f ( E = E F , T ) = 12 . ]
La funcin f(E,T) es simtrica respecto de EF.

Por otra parte, si f(E,T) es la probabilidad de que un estado de


energa E est ocupado por un electrn, entonces (1 f(E,T)) es la
probabilidad de que est vaco y por tanto (1 f(E,T)) proporciona la
probabilidad de que un estado de la banda de valencia est ocupado por
un hueco.

14 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
f(E)

1 T= 0 K
T1
T2 > T1
0.5
T2

0
EF E

Figura 1.3.1 Funcin de Fermi-Dirac para varias


temperaturas

Hueco s
1
Probabilidad

Electrones

EF E

Figura 1.3.2 Funcin de distribucin de Fermi-Dirac y


probabilidad de que un estado est ocupado o vaco

Finalmente, comentaremos que el nivel de Fermi es un potencial


termodinmico, como la presin y la temperatura. Por tanto, el nivel de
Fermi es constante en un sistema en equilibrio.

Ocupacin de los estados en las bandas de conduccin y valencia

El nmero de electrones con energa E es gc(E)f(E) y el de


huecos con energa E gv(E)(1f(E)). Pero, qu valor toma f(E) en las
bandas de conduccin y valencia? La respuesta es que depende de la
posicin del nivel de Fermi. Analicemos a continuacin dnde se sita el
nivel de Fermi en los distintos tipos de semiconductores.
Como se ilustra en la Figura 1.3.3:
a) En un semiconductor intrnseco el nivel de Fermi est
aproximadamente en la mitad de la banda prohibida (por simetra de la
funcin de Fermi-Dirac), puesto que tiene que haber el mismo nmero de
electrones y de huecos. Por tanto:
Ec + Ev
E F Ei 2
.

SECCIN 1.3: ESTADSTICA DE SEMICONDUCTORES 15


Captulo 1

Hemos denominado a la posicin del nivel de Fermi en el semiconductor


intrnseco como Ei.
b) En un semiconductor tipo N, hay muchos ms electrones que huecos,
por lo que EF debe estar ms cerca de la banda de conduccin que de la de
valencia.
c) Finalmente, en un semiconductor tipo P, EF est prximo a la banda de
valencia para que haya mayor nmero de huecos que de electrones.

H. E E
BC BC

EF
EF
El. BV BV

Prob. 0.5 0.5


a) E b)
BC

EF

BV

0.5
c)

Figura 1.3.3 Posicin del nivel de Fermi en un


semiconductor intrnseco (a), tipo N (b) y tipo P (c)

1.3.3 Concentracin de portadores en equilibrio trmico


Una vez que en los apartados anteriores hemos determinado la
densidad de estados y la probabilidad de que estn ocupados, estamos ya
en condiciones de determinar la magnitud que nos interesa: la
concentracin de electrones y huecos disponibles para la conduccin.
La concentracin de electrones en la banda de conduccin viene
dada por:

n0 = E g c ( E ) f ( E )dE , (1.7)
c

mientras que la de huecos en la banda de valencia es:

p 0 = = g v ( E )(1 f ( E ) ) dE .
Ev
(1.8)

El subndice 0 indica que estas expresiones son vlidas en situacin de


equilibrio trmico. Substituyendo las expresiones de las densidades de
estado y de la funcin de Fermi-Dirac que hemos mostrado en los
apartados anteriores podemos calcular estas integrales.

16 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
Desafortunadamente, no se obtiene una solucin analtica general. Sin
embargo, podemos realizar aproximar la funcin de Fermi-Dirac por:
EE f

f (E) e kT
. (1.9)

Esta aproximacin es bastante buena si se cumple que:


E c , v E F >> kT .
Cuando esto se verifica, se dice que el semiconductor es no degenerado y
que cumple la funcin de distribucin de Maxwell-Boltzmann (la funcin
de la ecuacin (1.9), que es la funcin de distribucin correspondiente a
partculas clsicas.
En este caso particular (bastante comn) se obtienen las
siguientes concentraciones electrones y huecos:
Ec E F

n0 = N c (T )e kT

Ev E F
. (1.10)
p0 = N v (T )e kT

Obsrvese que podemos expresar la densidad de electrones como


NC(T)f(EC) y la de huecos como NV(T)(1-f(EC)),por lo que se puede
identificar Nc(T) con una densidad efectiva de estados correspondiente a
la banda de conduccin. Es decir, es como si hubisemos reducido toda la
banda a la energa Ec y todos los posibles estados de la banda de
conduccin estuviesen condensados en el fondo de la banda de
conduccin. Anlogamente, se habla de la densidad efectiva de estados
correspondiente a la banda de valencia (Nv(T)). Estas densidades de
estados vienen dadas por:
3/ 2
2m n kT
N c (T ) = 2 , (1.11)
h2

3/ 2
2mh kT
N v (T ) = 2 . (1.12)
h2

Veamos ahora cul es la relacin que hay entre las
concentraciones de electrones y huecos. Calculemos en primer lugar el
valor de su producto:
Ev Ec Eg

n0 p0 = N c N v e kT
= N c N ve kT
. (1.13)

En el caso particular de un semiconductor intrnseco, se cumple


que ni = pi y que nipi = n2i. Por tanto:
Eg

ni = pi = N c N v e 2 . kT (1.14)

La concentracin intrnseca de portadores en un semiconductor


viene determinada por la anchura de la banda prohibida. Adems, para

SECCIN 1.3: ESTADSTICA DE SEMICONDUCTORES 17


Captulo 1

cualquier tipo de semiconductor, extrnseco o intrnseco, podemos


expresar la ecuacin (1.13) como:

n0 p0 = ni2 (Ley de accin de masas) . (1.15)


Vemos que cuanto mayor sea la concentracin de un tipo de
portadores, menor es la concentracin del otro tipo (n0 = ni2/p0). Por eso,
en un semiconductor extrnseco se habla de portadores mayoritarios y
minoritarios.
Por otro lado, otra forma conveniente de expresar las
concentraciones de portadores es referirlas a las concentraciones
intrnsecas:
EF Ei

n0 = ni e kT

Ei E f
. (1.16)
p0 = ni e kT

Volvemos a recalcar que estas ecuaciones son vlidas slo en


equilibrio trmico (ausencia de campo externo).

1.3.4 Clculo prctico de las concentraciones de portadores


Para calcular las concentraciones de portadores en
semiconductores extrnsecos con las expresiones del apartado anterior hay
que conocer la posicin del nivel de Fermi. No obstante, usualmente se
realizan algunas aproximaciones que lo evitan.

Semiconductores intrnsecos

Cul es la posicin del nivel de Fermi en un semiconductor


intrnseco (Ei)? La respuesta se obtiene igualando ni y pi (ecuaciones
(1.10)) y despejando:

Ec + Ev kT N v
Ei = + ln . (1.17)
2 2 Nc
Como puede verse, quedara justo en la mitad de la banda prohibida si las
densidades efectivas de estados en la banda de valencia y de conduccin
fuesen las mismas.

Semiconductores extrnsecos

Tipo N
Para obtener las densidades de portadores en un semiconductor
extrnseco tipo N, en principio deberamos emplear adems de (1.10)
(1.16) la siguiente ecuacin de neutralidad (puesto que desconocemos la
posicin del nivel de Fermi):

18 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
n0 = p0 + N D+ . (1.18)
Donde la concentracin de impurezas ionizadas viene dada por:

N D+ N0 1
= 1 D = EF ED . (1.19)
ND ND 1+ e kT

Con (1.10), (1.18) y (1.19) tenemos tres ecuaciones y tres


incgnitas (n0, ND+ y EF). Sin embargo, estos clculos resultan bastante
laboriosos y normalmente se realizan las siguientes aproximaciones:
A las temperaturas de inters todas las impurezas estn ionizadas.
Esto implica que:
N D+ N D .
En la mayora de casos prcticos se cumple que ND >> ni, por lo que:
n 0 >> p 0 .
Con estas aproximaciones se pueden calcular fcilmente las
concentraciones de portadores y la posicin del nivel de Fermi:

n0 N D
ni2
p0
ND (1.20)
Nc
E c E F = kT ln
ND

Tipo P
Anlogamente, para un semiconductor tipo P habra que plantear
la siguiente ecuacin de neutralidad:

p0 = n0 + N A , (1.21)
con:

N A 1
= E A EF . (1.22)
NA 1+ e kT

En este caso tambin se suelen realizar las siguientes


aproximaciones:
A las temperaturas de inters todas las impurezas estn ionizadas:
N A N A .
En la mayora de casos prcticos se cumple:
N A >> ni p 0 >> n0 .

Por lo que se verifica entonces que:

SECCIN 1.3: ESTADSTICA DE SEMICONDUCTORES 19


Captulo 1

p0 N A
ni2
n0
NA (1.23)
Nv
E F E v = kT ln
NA

Semiconductores compensados
Los semiconductores compensados poseen tanto impurezas
donadoras como aceptadoras.

ED
EF
Ei
EA

Figura 1.3.4 Diagrama de bandas de un semiconductor


compensado

Desde el punto de vista de la concentracin de portadores, se


comportan como semiconductores tipo N (o tipo P) con:
N D N D N A ( N A N A N D ).
La ecuacin de neutralidad correspondiente es:

n0 + N A= = p0 + N D+ . (1.24)
Adems, la posicin del nivel de Fermi debe verificar (1.10),
(1.19), (1.22)y (1.24),
por lo que habra que resolver este sistema de
ecuaciones. Sin embargo, en este caso, tambin se supone que todas las
impurezas estn ionizadas, cumplindose entonces que:
n0 N D N A
en un semiconductor tipo N,
p0 N A N D
en un tipo P).

20 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
1.4 Concentraciones de portadores en desequilibrio.
Pseudoniveles de Fermi

1.4.1 Equilibrio trmico. Generacin y recombinacin

Equilibrio trmico

Hasta ahora, todos nuestros clculos han supuesto una condicin


de equilibrio trmico. De hecho, las expresiones anteriores (para el
clculo de la concentracin de portadores) y el concepto de nivel de Fermi
son slo vlidos en esta situacin.
En equilibrio los electrones y huecos se generan por excitacin
trmica. Adems, tambin existe un proceso de aniquilacin de los
electrones y huecos. Ambos procesos estn balanceados de forma que las
concentraciones de electrones y huecos se mantienen constantes (y vienen
dadas por la estadstica de Fermi-Dirac). En semiconductores intrnsecos,
los electrones y huecos se crean por parejas y se cumple (en equilibrio
trmico):
g 0 = r0 , (1.25)
donde:
g0: nmero de pares electrn-hueco generados por unidad de tiempo
r0: nmero de pares electrn-hueco recombinados por unidad de
tiempo

Si aumenta g0 (p.e., al aumentar la temperatura), tambin


aumenta la tasa de recombinacin para alcanzar una nueva situacin de
equilibrio (ec. (1.25)).

Generacin y recombinacin

Por su parte, la tasa de recombinacin de pares e-h (r) verifica:

r = r np (r0 = r n0 p0 = ar ni2 , en equilibrio), . (1.26)


Es decir, la tasa de recombinacin es proporcional a la concentracin de
electrones y huecos (como es lgico suponer, cuantos ms haya, ms
probabilidad habr de que se encuentren y se recombinen). r es un cierto
coeficiente de proporcionalidad. Adems, podemos conocer la tasa de
generacin trmica de pares e-h a partir de la ecuacin de equilibrio
(1.25):

g = ar ni2 . (1.27)
En general, esta igualdad es cierta incluso fuera del equilibrio.

SECCIN 1.4: PORTADORES EN DESEQUILIBRIO 21


Captulo 1

1.4.2 Desequilibrio

Portadores en desequilibrio

Las concentraciones de portadores correspondientes al equilibrio


trmico se pueden modificar mediante la accin de un agente exterior.
Consideremos el caso de un semiconductor iluminado. El nmero de
pares electrn-hueco creados, por unidad de tiempo, es igual a la tasa de
generacin menos un trmino debido a la recombinacin:

= g r = (g 0 + G ) r np ,
dn dp
= (1.28)
dt dt
donde G es la tasa de generacin provocada por la iluminacin del
semiconductor.
Si dejamos transcurrir el tiempo se llega a una situacin
estacionaria, en la que se generan y recombinan los mismos pares
electrn-hueco por unidad de tiempo:

= 0 (g 0 + G ) = r np .
dn dp
= (1.29)
dt dt
Supongamos que ahora repentinamente cesa la accin externa.
Qu sucede? El semiconductor intenta recuperar la situacin de
equilibrio trmico mediante procesos de generacin-recombinacin, de
forma que en todo instante se verifica:
dn dp
=
dt dt
( )
= g r = g 0 r np = r ni2 r np = r ni2 np . (1.30)

Esto es, se cumple que:


Si hay un exceso de portadores (np > ni2 ) dn < 0 (domina la recombinacin)
dt
Si hay un defecto de portadores (np < ni2 ) dn > 0 (domina la generacin)
dt

La cuestin que nos planteamos ahora es: cunto tarda en


alcanzarse el equilibrio? La solucin se obtiene al resolver la ecuacin
diferencial (1.30). En general, es no lineal y difcil de resolver. Sin
embargo, tiene sencilla solucin en el siguiente caso particular,
correspondiente a un bajo nivel de inyeccin (esto es, el desequilibrio no
es muy pronunciado: se han generado pocos pares electrn-hueco).

Recuperacin del equilibrio con baja inyeccin

Desarrollemos la ecuacin (1.30):


dn d (n)
= = r (n0 p0 (n0 + n)( p0 + p ) ) =
dt dt (1.31)
= r (n0p + p0n + np ) r (n0p + p0n ).

22 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
En este caso se cumple:
p = n
y por tanto:
d (n)
= r (n0 + p0 )n . (1.32)
dt
Agrupando trminos e integrando se resuelve la ecuacin diferencial
(1.32):

n(t ) = ne t / . (1.33)
donde:
n: exceso de portadores tras el cese de la iluminacin (en t = 0)
es el tiempo medio de vida de los portadores de carga en
desequilibrio o constante de tiempo de recombinacin y viene dado
por:
= 1 / r (n0 + p 0 ) .

El caso particular de un semiconductor extrnseco (por ejemplo,


tipo N) resulta de inters porque se verifica que:
n n,
p0 n0
y, por tanto, se cumple que:
n(t ) = n 0 + n n 0
dp (t ) p (t )
= con p = ( r n 0 )1
dt p (1.34)
t / p
p(t ) = p 0 + p = p 0 + pe

En este caso, el tiempo de vida medio se ha nombrado como p y se le


suele llamar tiempo de vida medio de los portadores minoritarios.

Pseudoniveles de Fermi

En este apartado vamos a introducir el concepto de pseudonivel


de Fermi. Ya sabemos que la accin de un agente exterior (campo
elctrico, inyeccin de portadores, iluminacin, ...) puede variar la
concentracin de portadores correspondiente al equilibrio trmico. Si la
accin es constante en el tiempo se llega a una situacin estacionaria (g =
r), con unas concentraciones de portadores diferentes de las del equilibrio
pero independientes del tiempo:
n = n0 + n
. (1.35)
p = p0 + p

SECCIN 1.4: PORTADORES EN DESEQUILIBRIO 23


Captulo 1

Como ya hemos indicado anteriormente, estas concentraciones


de portadores ya no vienen descritas por la estadstica de Fermi-Dirac y
no pueden calcularse aplicando las frmulas anteriormente vistas. Para
ilustrar este hecho, consideremos el siguiente ejemplo:

Ejemplo

Supongamos una muestra semiconductora que se ilumina


uniformemente con luz de energa superior al gap. Se generan pares
electrn-hueco, de forma que aumenta la concentracin tanto de huecos
como de electrones. De acuerdo con la estadstica de Fermi-Dirac:

- un aumento de n E F

- un aumento de p E F
/E F que describa la concentrac iones n y p simultnea mente.
Como vemos en este ejemplo, en un sistema en desequilibrio no
podemos hablar de nivel de Fermi. En estos casos, se definen entonces los
pseudoniveles de Fermi, EFN y EFP, de forma que se verifica:
Ec E Fn

n = Nce kT

Ev E Fp (1.36)
p = Nve kT

En general, los pseudoniveles de Fermi son distintos (EFN EFP)


aunque sus valores no son independientes (en el caso del ejemplo tenemos
la ligadura n = p). Adems se cumple:
Eg E Fn E Fp eVnp

np = N c N v e e
kT kT
np = ni2 e kT (1.37)
Como vemos, la concentracin de portadores difiere tanto ms de la
correspondiente al equilibrio (n0p0) cuanto mayor sea la separacin de los
pseudoniveles (eVnp). Adems:
E Fn > E Fp (V np > 0) np > n i2 exceso de portadores
E Fn < E Fp (V np < 0) np < ni2 defecto de portadores.
Nota importante: los pseudoniveles de Fermi pueden ser dependientes de
la posicin, al contrario que el nivel de Fermi, que define un sistema en
equilibrio y es constante.

1.5 Transporte de carga. Corriente en semiconductores

La corriente elctrica en un semiconductor tiene dos


contribuciones que analizaremos a continuacin: la corriente de arrastre y
la de difusin.

24 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
1.5.1 Corriente de arrastre
La corriente de arrastre se debe a la presencia de un campo
elctrico que acelera a los electrones y huecos. Se denomina tambin
corriente de deriva (drift en ingls). En ausencia de campo elctrico, los
portadores se mueven aleatoriamente y no hay un transporte neto de
carga. Con la presencia de un campo elctrico, al movimiento aleatorio se
superpone una componente (la misma para todos los portadores de igual
carga) que provoca un movimiento neto en la direccin del campo
elctrico.
Ex = 0 Ex Ex

vn x = 0 vn x = vnx1 > 0 vn x > 0

Figura 1.5.1 Movimiento aleatorio trmico de un electrn


(a) y bajo la accin de un campo elctrico (b)

El resultado es una velocidad media en la direccin del campo


elctrico que es proporcional al campo elctrico aplicado:
v nx = n E x ,
(1.38)
v px = p E x .
El coeficiente de proporcional se denomina movilidad y:
depende de la temperatura
es inversamente proporcional a la masa efectiva del portador
es diferente para electrones y huecos. Adems:
n > p .
Conocida la velocidad de los portadores, podemos determinar
fcilmente la densidad de corriente debida al arrastre de portadores. En
efecto:
J nx = qnv x = qn n E x
J px = qpv x = qp p E x

( )
J x = q n n + p p E x

J x = E x (Ley de Ohm)

donde:
= q (n n + p p )
es la conductividad.

SECCIN 1.5: TRANSPORTE DE CARGA. CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES 25


Captulo 1

Para terminar este apartado dedicado a la corriente de deriva,


veamos cmo se refleja en el modelo de bandas de energa la presencia de
un campo elctrico:

En. cintica
qV

Figura 1.5.2 Inclinacin del diagrama de bandas debida a


la presencia de un campo elctrico. Se representan tambin
los procesos de aceleracin y choque (prdida de energa)
que sufren los electrones

La presencia del campo elctrico curva las bandas de energa. A


la energa potencial correspondiente al mnimo de una banda hay que
aadir el trmino debido a la energa potencial electrosttica (qV(x)):
E p ( x) = E c 0 qV ( x ) . (1.39)
Bajo la presencia de un campo elctrico, los electrones son
acelerados, ganando energa cintica. Despus sufren dispersin y pierden
su energa, siendo nuevamente acelerados.

1.5.2 Corriente de difusin


La corriente de difusin se debe a que una diferente
concentracin de portadores a lo largo del espacio provoca un flujo de
stos hacia las zonas de menor concentracin y es consecuencia directa
del movimiento trmico aleatorio de los portadores.
Se puede demostrar que:
n( x)
J nx = qD n ,
x
(1.40)
p( x)
J px = qD p .
x
Donde:
Dn: coeficiente de difusin de los electrones

26 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
Dp : coeficiente de difusin de los huecos

n(x)
t=0
t1 < t 2 < t3
t1

t2
t3
x
Figura 1.5.3 Evolucin del exceso de portadores inicialmente presente
en el origen de coordenadas al avanzar el tiempo

1.5.3 Corriente total. Relacin de Einstein


Sumando las dos contribuciones anteriores a la corriente, la
densidad de corriente de electrones y huecos viene dada por:
n( x)
J nx ( x) = q n n( x) E x ( x ) + qDn ,
x
(1.41)
p ( x )
J px ( x) = q p p( x) E x ( x) qD p .
x
Y la densidad de corriente total es:
J x ( x) = J nx ( x) + J px ( x). (1.42)

Es importante fijarse en el hecho de que la corriente arrastre es


proporcional a la concentracin de portadores. Por tanto, la contribucin
de los minoritarios a la corriente total es muy pequea. Sin embargo, la
corriente difusin es proporcional al gradiente de la concentracin, por lo
que la contribucin de los minoritarios a la corriente puede ser
considerable si hay un importante gradiente de concentracin.

Relacin de Einstein

En un semiconductor en equilibrio, las corrientes de difusin y


arrastre (para cada tipo de portador) se deben igualar. En el caso de los
electrones esto implica que:
n( x)
q n n( x) E x ( x) = qDn . (1.43)
x
Operando se deduce de esta igualdad la Relacin de Einstein
entre la movilidad y el coeficiente de difusin:

SECCIN 1.5: TRANSPORTE DE CARGA. CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES 27


Captulo 1

Dn kT
= (1.44)
n q
Anlogamente, para los huecos:
Dp kT
= (1.45)
p q
De la relacin de Einstein se deduce que un semiconductor con
buena movilidad tendr tambin un alto coeficiente de difusin.

1.6 Corriente y generacin-recombinacin. Ecuacin de


continuidad

La ecuacin de continuidad no es ms que un balance de la


variacin del nmero de portadores con el tiempo en un elemento
diferencial de volumen. Con un anlisis unidimensional se obtienen las
siguientes ecuaciones de continuidad para los electrones y para los
huecos, respectivamente:
n( x) 1 J n ( x) n( x)
= +G
t q x n
(1.46)
p( x) 1 J p ( x) p ( x)
= +G
t q x p
Es decir, la variacin en la concentracin de portadores por
unidad de tiempo tiene varias contribuciones: la debida a la variacin de
la corriente, ms la de los portadores que se generan menos los que se
recombinan (se ha supuesto la aproximacin de baja inyeccin).

28 CAPTULO 1 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES


Captulo 1
REFERENCIAS

[1] B.G. Streetman, S. Banerjee, Solid State Electronic Devices,


Prentice Hall, 2000.
[2] S. Dimitrijev, Understanding Semiconductor Devices, Oxford
University Press, 2000.

REFERENCIAS 29
2.
Uniones

2
Captulo
UNIONES

Smbolo de un LED
ndice
2-1 Introduccin 2-7 Fenmenos de ruptura
2-2 Unin PN en equilibrio trmico 2-8 Comportamiento dinmico. Modelos
2-3 Unin PN polarizada en condiciones de conmutacin y de pequea seal
estacionarias. Curva I-V 2-9 Tipos de diodos y aplicaciones
2-4 Dependencia con la temperatura 2-10 Unin metal-semiconductor
2-5 Modelos I-V de gran seal. Anlisis 2-11 Heterouniones
de circuitos con diodos
2-6 Distribucin de carga y campo en la
unin. Clculo del ancho de la zona de
carga espacial.

Objetivos
Explicar cualitativamente el funcionamiento de un diodo de unin PN.
Obtener la expresin que relaciona la corriente con la tensin aplicada en
condiciones estacionarias.
Obtener modelos de gran seal.
Estudiar la conmutacin del diodo entre los estados de conduccin y no corte.
Proporcionar un modelo de pequea seal.
Simplificar los modelos equivalentes encontrados para facilitar el anlisis de estos
circuitos a mano.
Estudiar otras uniones: unin metal-semiconductor y heterouniones

Palabras Clave
Diodo. LED. Resistencias parsitas.
Unin PN. Varactor. Respuesta en frecuencia.
Unin metal-semiconductor. Fotodiodo. Polarizacin.
Heterounin. Modelo de gran seal. Circuitos con diodos.
Rectificacin. Modelo de pequea seal.
Zner. Capacidades de las uniones.
2.1 Introduccin
Captulo 2

Los diodos son componentes electrnicos no lineales que,


idealmente, dejan pasar la corriente en un solo sentido. Usualmente estn
basados en la unin de dos semiconductores, uno tipo N y otro tipo P.
Despus se vern otros tipos de uniones y diodos.
La unin PN tambin aparecer en el estudio de otros
dispositivos y en la fabricacin de circuitos integrados, por lo que resulta
interesante estudiarla no slo por sus aplicaciones como diodo.
El smbolo de un diodo es:

i0
nodo Ctodo
+ v0 -
Figura 2.1.1 Smbolo de un diodo

La caracterstica de transferencia de un diodo ideal se representa


en la Figura 2.1.2.

iD

Polarizacin inversa Polarizacin directa

vD

vD < 0 V vD = 0 V
iD = 0 A iD > 0 A

Figura 2.1.2 Caracterstica de transferencia de un diodo


ideal. Cuando la tensin aplicada entre sus extremos es
negativa, se comporta como un circuito abierto impidiendo
el paso de corriente (independientemente de la tensin
aplicada). Sin embargo, permite la circulacin de corriente
en sentido contrario sin cada de tensin (se comporta como
un cortocircuito).

Entre las principales aplicaciones de los diodos cabe destacar su


uso:
En rectificadores
Como diodos emisores de luz (LEDs)

32 CAPTULO 2 UNIONES
Como detectores de luz
Como capacidades dependientes de tensin (varactores)
En osciladores (diodos tnel)

Captulo 2
2.2 Unin PN en equilibrio trmico

2.2.1 Descripcin
En condiciones de equilibrio trmico no hay excitacin externa
sobre el dispositivo y no debe haber ninguna corriente neta.
Para analizar qu ocurre en una unin PN en equilibrio trmico
supongamos primero las dos zonas P y N por separado:
zona N: hay una gran concentracin de electrones
zona P: hay una gran concentracin de huecos

Tipo P Tipo N
Ec
EF

EF
Ev

Figura 2.2.1 Diagramas de bandas de un semiconductor


tipo P y de un tipo N por separado.

Al poner los dos semiconductores en contacto, tendremos


corrientes de difusin de electrones y huecos prximos a la unin que
tienden a igualar las concentraciones. Este proceso no puede seguir
indefinidamente porque se generara carga no balanceada en las dos
regiones.
El campo generado por las cargas fijas que dejan los portadores
al difundirse se opone a este movimiento, generando una barrera de
potencial que se opone a la difusin. En sentido contrario a la corriente de
difusin, tenemos una de arrastre provocada por este campo elctrico.
Ambas se compensan en equilibrio trmico, de forma que no hay trasporte
neto de carga (corriente elctrica nula).

SECCIN 2.2: UNIN PN EN EQUILIBRIO TRMICO 33


N
N
+ - P
P

Ei nt
Captulo 2

Jd ifus in

Ja rras tre

EC
qR o
EF
EV

Figura 2.2.2 El campo elctrico que aparece en la unin se


opone a la difusin de los portadores mayoritarios

Los electrones (y huecos) que pueden superar la barrera de


potencial y difundirse se compensan exactamente con los pocos que hay
en la zona P (o zona N para los huecos) y que son arrastrados por el
campo elctrico. Por tanto, como hemos dicho, en equilibrio no hay
corriente neta y se verifican las siguientes igualdades:
J n (deriva) + J n (difusion) = 0
(2.1)
J p (deriva) + J p (difusion) = 0.
Se denomina zona de carga espacial a la zona en la que hay
campo elctrico e impurezas donadoras o aceptadoras sin cancelar. La
concentracin de portadores mviles en esta zona es muy pequea puesto
que son barridos por el campo elctrico.

2.2.2 Clculo del potencial de unin


Definimos los potenciales de Fermi1 como la distancia desde el
nivel de Fermi hasta el nivel de Fermi intrnseco (como potenciales). Por
tanto, estos potenciales de Fermi verifican:
q FN = E FN E iN (zona N),
(2.2)
q FP = (E FP E iP ) (zona P).

1
De aqu en adelante, el subndice N se usar para indicar que la magnitud a la
que acompaa se refiere a la zona N de la unin. Anlogamente, el subndice P
indica que la variable en cuestin se refiere a la zona P.

34 CAPTULO 2 UNIONES
A partir de estas definiciones, la altura de la barrera de energa potencial
( qV0 ) viene dada por (ver Figura 2.2.3):

qV0 = q FN + q FP . (2.3)

Captulo 2
Tipo P

Tipo N
Ei
qV0
EF EF
Ei

Figura 2.2.3 Clculo del potencial barrera (o de unin)


como suma de los potenciales de Fermi

Ya conocemos la altura de la barrera de potencial en funcin de


los pseudoniveles de Fermi. Pero resulta ms interesante calcularla en
funcin de los dopados de los dos semiconductores. Para ello, slo queda
relacionar los potenciales de Fermi con las concentraciones de portadores
o con los dopados:
q N

n N 0 = ni e kT
,
q P
(2.4)
p P0 = ni e kT
.
Luego:

kT n N 0 p P 0 kT N D N A


V0= ln ln . (2.5)
q n i2 q n2
i


Resulta interesante relacionar los cocientes de las
concentraciones de electrones (o huecos) en las dos zonas neutras (N y P).
De la primera igualdad de (2.5) y aplicando la ley de accin de masas:
nN0 P
= P 0 = e qV0 / kT . (2.6)
n P0 pN0

Ejercicio

Demostrar las igualdades (2.5) y (2.6) imponiendo que en equilibrio la


corriente es cero (se cancelan las corrientes de difusin y deriva, tanto
para electrones como para huecos).

SECCIN 2.2: UNIN PN EN EQUILIBRIO TRMICO 35


2.3 Unin PN polarizada en condiciones estacionarias

Descripcin cualitativa
Captulo 2

2.3.1

En equilibrio trmico hemos visto que la altura de la barrera es


tal que se compensan las corrientes de difusin y deriva.

N
N
+ - P
P

Ei nt

Jd ifusin

Ja rrastre

EC
qR o
EF
EV

Figura 2.3.1 Unin PN en equilibrio trmico: las corrientes


de difusin y deriva se cancelan

Si se aplica una tensin externa VD, se reduce (si VD > 0) o se


incrementa la barrera (VD < 0). Para el anlisis de la unin PN polarizada,
supondremos que toda la tensin aplicada VD cae en la regin de la unin
y una cantidad despreciable en las zonas neutras.

Polarizacin inversa

Cuando se aplica una tensin inversa (negativa) se incrementa la


barrera de potencial respecto al caso de equilibrio trmico y, como
consecuencia, se dificulta la corriente de difusin. Sin embargo, la
corriente de arrastre apenas aumenta porque no est limitada por la
velocidad de los portadores, sino por su cantidad. En consecuencia: la
magnitud de VD en inversa apenas influye sobre la corriente. Es decir,
con tensiones inversas se obtiene una corriente -IS independiente de la
polarizacin.

36 CAPTULO 2 UNIONES
N P
+ -

Captulo 2
VD

EF P

q(V0+V D )

qVD

EF N


Figura 2.3.2 Polarizacin inversa: la barrera de potencial
aumenta. Se bloquea la difusin de mayoritarios y no se
altera la corriente de arrastre, que est limitada por la
generacin de minoritarios.

Polarizacin directa

Con tensiones positivas, disminuye la barrera que bloquea la


difusin de los portadores mayoritarios. Por tanto:
J n (difusion ) > J n (deriva ),
(2.7)
J p (difusion ) > J p (deriva ).
Cuanto ms se disminuya la barrera, ms portadores mayoritarios la
podrn superar y difundirse hacia el otro lado de la unin y por tanto
mayor ser la corriente.
Los electrones y huecos inyectados (desde zona N y P,
respectivamente, donde son mayoritarios) se convierten en portadores
minoritarios al atravesar la unin, incrementando notablemente la
concentracin de minoritarios en la zona P y N, respectivamente.
La concentracin de mayoritarios apenas cambia, puesto que aumenta
en la misma cantidad que la de minoritarios (para mantener la neutralidad
elctrica) y trabajaremos bajo la hiptesis de baja inyeccin (ver Figura
2.3.4).
La corriente en las zonas neutras se debe a la difusin de los
portadores minoritarios y a los mayoritarios que van a recombinarse con
ellos.

SECCIN 2.3: UNIN PN POLARIZADA EN CONDICIONES ESTACIONARIAS 37


P
N + -
Captulo 2

VD

q(V0+V D )
EF N qVD
EF P

Figura 2.3.3 Polarizacin directa: disminucin de la


barrera de potencial y aumento de la corriente de difusin.

log n,p
nn(x)
pp(x)
z.c.e

np(0)
np(x)
pn(0)
pn(x)

Figura 2.3.4 Los portadores inyectados se convierten en


minoritarios e incrementan la concentracin de stos. La de
mayoritarios apenas se altera (a). La corriente en el diodo se
debe a la difusin y recombinacin de estos portadores
minoritarios (b).

38 CAPTULO 2 UNIONES
Curva I-V esttica

Como demostraremos en el siguiente apartado, la dependencia


entre la corriente que circula por el diodo y la tensin aplicada entre sus

Captulo 2
extremos viene dada por:

I D = I S e VT 1,
V D

(2.8)

con:
Dp D
I S = qA p n 0 + n n p 0 ,
Lp Ln

kT (2.9)
VT = ,
q
A = rea de la unin.
En la Figura 2.3.5 se muestra la representacin grfica de esta curva I-
V (ecuacin (2.8)). Como puede verse, cuando la tensin es negativa, la
corriente es muy pequea e independiente de la tensin. Sin embargo,
para valores positivos la corriente aumenta notablemente con pequeos
incrementos de tensin.

ID

VD

Figura 2.3.5 Caracterstica I-V de una unin PN

2.3.2 Descripcin cuantitativa. Clculo de la curva I-V


En este apartado vamos a demostrar la expresin (2.8). La
corriente se debe a la difusin y recombinacin de los portadores
minoritarios inyectados desde el otro lado de la unin. Fijmonos, por
ejemplo, en los huecos inyectados en la zona N. La corriente de difusin
en un cierto punto x viene dada por:

SECCIN 2.3: UNIN PN POLARIZADA EN CONDICIONES ESTACIONARIAS 39


p n ( x)
j p = qD p . (2.10)
x
En el captulo anterior se demostr que la distribucin pn(x)
Captulo 2

cuando se inyectan portadores que se difunden y recombinan viene dada


por el siguiente exceso de portadores:
( xn xn 0 )

p n ( x) = p n e Lp
. (2.11)

Evaluando la corriente justo en xn0 se obtiene, usando (2.10) y


(2.11), la siguiente expresin:
p p
j p = qD p . (2.12)
Lp

N P

-xn0 0 xp 0
np0+ )np
pn0+ )pn

np0
pn0

xn 0 0 xp

Figura 2.3.6 Esquema del exceso de minoritarios en


funcin de la posicin.

Para conocer la corriente, ya slo nos falta calcular p n . Si en


equilibrio trmico:
p p0
= eV0 / VT , (2.13)
pn0
con polarizacin se debe cumplir que:
p p ( x p 0 )
= e (V V
0 D ) / VT
. (2.14)
p n ( xn0 )
Desarrollando:
p p ( x p 0 ) p p0
= e VD / VT . (2.15)
pn ( xn0 ) pn0
La concentracin de mayoritarios apenas se ve alterada, por lo que:
p p ( x p 0 ) p p 0 .
y por tanto:

40 CAPTULO 2 UNIONES
p n ( x n0 )
e VD / VT . (2.16)
p n0
(Como ya habamos discutido de forma cualitativa, vemos ahora de nuevo

Captulo 2
que la poblacin de minoritarios aumenta o disminuye respecto del
equilibrio trmico dependiendo de la tensin VD). Finalmente:

p n = p n ( x n0 ) p n0 = p n 0 (eV D / VT
1) . (2.17)
Sustituyendo (2.17) en (2.12) obtenemos la corriente de difusin
de los minoritarios en la zona N:
Dp
jp = q p n 0 (e V D / VT
1) . (2.18)
Lp
Anlogamente, la difusin de electrones en la zona P es:

Dn
jn = q n p 0 (e V D / VT
1) . (2.19)
Ln
Por tanto, quedan demostradas las expresiones (2.8) y (2.9).

Observaciones

Si el dopado de las dos zonas es diferente, la corriente est


determinada principalmente por la zona ms dopada (es la que
inyecta ms minoritarios).
Calculada la corriente de minoritarios (difusin) la de mayoritarios es
fcil de obtener, puesto que la corriente I debe ser constante a lo largo
de todo el diodo (ver Figura 2.3.7)
En la demostracin de la curva I-V (ecuaciones (2.8) y (2.9)) hemos
asumido implcitamente las siguientes aproximaciones:
Toda la tensin cae en la unin (resistencia despreciable en las
zonas neutras). Esto es cierto si:
El nivel de inyeccin de portadores es bajo.
La resistencia de las zonas neutras es baja:
No hay generacin-recombinacin en la zona de transicin
Hay que destacar que a pesar de la primera suposicin, los
mayoritarios se mueven mediante arrastre por el campo elctrico en las
zonas neutras (pero, como hay muchos mayoritarios, el campo elctrico
necesario para generar una corriente apreciable puede considerarse
despreciable).

SECCIN 2.3: UNIN PN POLARIZADA EN CONDICIONES ESTACIONARIAS 41


N
N P
P
Captulo 2

-xn 0 xp
I
ID
In huecos

Ip
electrones

xn 0 0 xp

Figura 2.3.7 La corriente en el dispositivo es la misma en


todas las posiciones. La corriente de arrastre puede
calcularse como la corriente total menos la corriente de
difusin en el punto considerado. La corriente total viene
dada por la suma de las corrientes de difusin justo en los
extremos de las zonas neutras con la zona de carga espacial.

Polarizacin inversa. Las expresiones (2.11) y (2.17) siguen siendo


ciertas pero con VD negativo:
( xn xn 0 )

p n ( x) = p n e Lp
,
(2.20)
VD / VT
p n = p n 0 (e 1) p n 0 .
Los minoritarios prximos a la zona de carga espacial son
barridos por el campo elctrico hacia el otro lado de la barrera. Esta
corriente est limitada por lo rpido que se repongan (mediante
generacin trmica) los minoritarios barridos2.

pn0
2
Obsrvese que la tasa de generacin por unidad de volumen es g = .
p
Si asumimos que todos los huecos generados en el volumen ALP son inyectados
hacia el otro lado de la unin tenemos una corriente igual a:
pn0
I p = qAL p ,
p
que coincide con la expresin de IS. Vemos de este modo cul es la interpretacin
de la corriente inversa de saturacin y cmo est limitada por la generacin trmica
2
de portadores (recordar que L p = D p p ).

42 CAPTULO 2 UNIONES
N
N PP

Captulo 2
-xn 0 xp

np0
pn0

)np = -np0
)pn = -pn0
xn 0 0 xp

Figura 2.3.8 Concentracin de minoritarios con


polarizacin inversa. Un defecto de minoritarios (que son
barridos hacia el otro lado de la barrera por el campo
elctrico) viene acompaado del mismo defecto de
portadores en la poblacin de mayoritarios.

2.4 Dependencia con la temperatura

Aparte de la dependencia explcita de la corriente que circula por


el diodo con la temperatura (que se manifiesta en las expresiones (2.8) y
(2.9)), es ms fuerte la dependencia de IS con la temperatura. En efecto, la
corriente inversa de saturacin es directamente proporcional a:
E g / kT
I S n i2 = N c N v e . (2.21)
La influencia total de la temperatura sobre la corriente que
circula por el diodo bsicamente consiste en un desplazamiento de la
curva I-V en el eje V hacia la izquierda (unos - 2 mV/C), como se ilustra
en la Figura 2.5.1.

2.5 Modelos I-V de gran seal. Anlisis de circuitos con


diodos

En el apartado anterior ya hemos comprobado que la relacin


entre la intensidad que circula por el diodo y la tensin que se aplica es de
tipo exponencial y viene dada por:

(
I = I S eV / V 1 .
T
) (2.22)

SECCIN 2.3: UNIN PN POLARIZADA EN CONDICIONES ESTACIONARIAS 43


-2mV/oC
ID
T1
Captulo 2

T2

T3

T1>T2 > T3

VD

Figura 2.5.1 Dependencia de la curva I-V con la


temperatura.

Ejercicio

Calcular la intensidad que circula por el circuito de la Figura 2.5.2


y la tensin que cae en el diodo. Datos: IS = 2 fA, VDD = 5 V y R = 1K.
R
VDD +
ID VD
-
Figura 2.5.2 Diodo en serie con una resistencia. Slo en
circuitos sencillos puede usarse la ecuacin .(2.22) Para la
resolucin a mano del circuito.

Como se habr comprobado al resolver el ejercicio, la ecuacin


del diodo no es cmoda para resolver circuitos a mano, aunque s se usa
para la resolucin de circuitos mediante ordenador (p.e., con Spice).
Para clculos a mano se usan los modelos simplificados que se
muestran en la Figura 2.5.3.

44 CAPTULO 2 UNIONES
ID ID ID

Captulo 2
-1
RD

VD V( V D V( VD

V( V( RD
V D >V (

V D <V (

Figura 2.5.3 Modelos simplificados de la curva I-V de un


diodo.

Ejercicio

Resolver el ejercicio anterior empleando cada uno de los


modelos de la Figura 2.5.3. Comparar los resultados. Datos: V = 0.65 V,
RD = 20 .

2.6 Distribucin de carga y campo en la unin. Clculo del


ancho de la zona de carga espacial

Para el clculo de la carga que hay en la unin, supondremos las


siguientes aproximaciones:
Unin abrupta y dopados uniformes
Toda la carga de la zona de carga espacial es fija (se debe a las
impurezas ionizadas), no hay carga debida a electrones o huecos
(aproximacin de deplexin o vaciamiento)
Todas las impurezas estn ionizadas

Hay el mismo nmero de cargas negativas (impurezas


aceptadoras ionizadas) que de cargas positivas (impurezas donadoras
ionizadas) en la zona de carga espacial (en caso contrario, el campo
elctrico no sera nulo en las zonas neutras). Por tanto:
xn 0 N D = x p 0 N A . (2.23)
Esto implica, por ejemplo, que:
N A >> N D x n 0 >> x p 0 . (2.24)

SECCIN 2.6: DISTRIBUCIN DE CARGA Y CAMPO EN LA UNIN 45


W

N +
N + + - PP
Captulo 2

+ + + -
+ + + -
+ + + -
-xn0 0 xp 0
Densidad de carga
qND +

-xn0 xp 0

-qNA-

Campo elctrico
Em ax

-xn0 xp 0

Figura 2.6.1 a) Zona de carga espacial en una unin PN


abrupta. b) Densidad de carga en la z.c.e. c) Campo
elctrico.

2.6.1 Clculo del campo elctrico


El campo elctrico lo obtendremos integrando una vez la
ecuacin de Poisson unidimensional a lo largo de la zona de carga
espacial:

d 2V ( x) ( x)
= . (2.25)
2
d x
( (x) es la densidad de carga y la constante dielctrica del
semiconductor). Se obtiene:
dE ( x) q
= N A (si 0 > x > x p 0 )
dx . (2.26)
dE ( x) q
= N D (si xn 0 < x < 0)
dx
Integrando las anteriores ecuaciones entre un borde de la zona de
carga espacial y el punto de unin (o por geometra, observando la Figura

46 CAPTULO 2 UNIONES
2.6.1c) se obtiene el campo elctrico mximo:
qN D xn 0 qN A x p 0
E ( x = 0) = Emax = = . (2.27)

Captulo 2
2.6.2 Ancho de la z.c.e:
A continuacin, se integra la expresin:
dV ( x)
= E ( x) , (2.28)
dx
para conseguir eliminar la dependencia de E(x) con la posicin y
relacionar E y la anchura de la z.c.e. con el potencial barrera:
xn 0 dV ( x) x
x dx = x E ( x)dx
n0

p0 dx p0


xn 0
V ( xn 0 ) V ( x p 0 ) = x E ( x)dx . (2.29)
p0


xn 0
V0 = x E ( x)dx
p0

La integral del trmino de la derecha es igual al rea que encierra la


grfica de E(x) (Figura 2.6.1c). Por tanto:
1
V0 = ( xn 0 + x p 0 ) E max . (2.30)
2
Si definimos W = x n 0 + x p 0 , entonces:

1 1 qN D xn 0
V0 = WEmax = W. (2.31)
2 2
Teniendo en cuenta (2.23) y operando obtenemos:
1 q N AND
V0 = W 2. (2.32)
2 N A + ND
Por tanto:

2V0 1 1
W = ( + )
q N A ND
WN D
x p0 = . (2.33)
N A + ND
WN A
xn 0 =
N A + ND

SECCIN 2.6: DISTRIBUCIN DE CARGA Y CAMPO EN LA UNIN 47


Observaciones

Si en lugar de estar en condiciones de equilibrio trmico se aplica un


voltaje VD , entonces V ( x n 0 ) V ( x p 0 ) = V0 V D y se obtiene:
Captulo 2

2 (V0 VD ) 1 1
W= ( + ). (2.34)
q N A ND

W crece al aumentar el voltaje aplicado en inversa (VD negativo).


Si un lado de la unin est mucho ms dopado que el otro (por
ejemplo, NA >> ND) entonces:
W depende de la concentracin de las impurezas del lado menos
dopado. En el caso supuesto:
2 (V0 V D ) 1
W .
q ND
Casi toda la z.c.e. est en la regin del semiconductor menos
dopado (como tambin se deduce de (2.23)):
WN D
x p0 = 0,
N A + ND
WN A
x n0 = W.
N A + ND

48 CAPTULO 2 UNIONES
2.7 Fenmenos de ruptura

Hasta ahora hemos visto que los diodos en inversa slo conducen

Captulo 2
con una corriente muy pequea (-IS), denominada corriente inversa de
saturacin, que es independiente de la tensin aplicada. Sin embargo,
realmente no se puede aplicar cualquier voltaje en inversa mantenindose
esta situacin, sino que a partir de cierto valor crtico o tensin de ruptura,
la corriente inversa del diodo se incrementa abruptamente, obtenindose
un rango muy elevado de corriente con una pequea variacin de la
tensin (de forma anloga a como sucede en la regin de conduccin
directa). La Figura 2.8.1 muestra las dos regiones de conduccin de una
unin PN.

ID (A)

15

10

-30 -20 -10


-VZ 0
VD (V)
0.5
Codo Zener
-0.5

-1.0 Ntense las escalas


diferentes de las regiones
directa e inversa
-1.5

-2.0

-2.5

Figura 2.7.1 Caracterstica I-V completa de una unin PN.

A pesar del nombre de ruptura, este comportamiento no es


destructivo en s mismo si se limita la corriente (con una resistencia
externa, por ejemplo), al igual que sucede en la regin directa de
conduccin.

SECCIN 2.7: FENMENOS DE RUPTURA 49


Los diodos especialmente diseados para conducir en inversa se
suelen emplear para regular el voltaje en un punto (por ejemplo, en
fuentes de tensin) y se representan con un smbolo ligeramente diferente
al de un diodo (Figura 2.7.2).
Captulo 2

Figura 2.7.2 Smbolo de un diodo Zener

La ruptura o conduccin en inversa puede deberse a dos


fenmenos independientes: la ruptura por avalancha y la ruptura Zner o
tnel.
La ruptura por avalancha se ilustra en la Figura 2.7.3. Ya hemos
visto que en inversa la corriente se debe a los electrones y huecos
minoritarios que son arrastrados por el campo elctrico de la zona de
carga espacial. Sigamos el camino de un electrn. La energa cintica de
un electrn se incrementa conforme avanza a causa de la aceleracin
provocada por este campo elctrico. Puede ser que mientras se mueve, el
electrn choque con los tomos de la red cristalina. Si ha adquirido
suficiente energa cintica podra incluso romper un enlace entre tomos
de silicio, generando un par electrn-hueco. Los dos electrones (el inicial
y el generado en el choque) y el hueco son acelerados de nuevo por el
campo elctrico, incrementando la corriente inversa. Adems, los dos
electrones pueden adquirir de nuevo la suficiente energa como para
generar cada uno otro par electrn-hueco y as sucesivamente en un
proceso en cadena que puede llegar a incrementar notablemente la
corriente inversa.

Figura 2.7.3 Ruptura por avalancha en una unin PN.

La corriente por avalancha tiene un coeficiente de temperatura


negativo. Es decir, la corriente disminuye al aumentar la temperatura.
Esto se debe a que cuanto mayor sea la temperatura, mayor es la agitacin
trmica de los tomos y, por tanto, mayor es la probabilidad de choque de
stos con los electrones. Esto hace que los electrones tengan menos
opciones de adquirir la energa suficiente para ser capaces de romper los
enlaces y generar nuevos pares electrn-hueco.

50 CAPTULO 2 UNIONES
El otro proceso de ruptura, la rotura Zner o tnel, se ilustra en la
Figura 2.7.4. La rotura tnel tiene lugar si la distancia entre las bandas de
conduccin y valencia es pequea en la zona de carga espacial. Esto
sucede cuando el dopado de los semiconductores es alto, ya que esto

Captulo 2
favorece que la anchura de la zona de carga espacial sea pequea y la
curvatura de las bandas tenga lugar en poco espacio.
Mediante el proceso tnel un electrn puede pasar de la banda de
valencia a la de conduccin (Figura 2.7.4). Este proceso es un mecanismo
de origen cuntico y no tiene explicacin dentro del contexto de la fsica
clsica. Debido a que los electrones tambin tienen un carcter
ondulatorio pueden atravesar, con cierta probabilidad, barreras de
potencial si stas son lo suficientemente bajas o estrechas, como es el
caso.
Al contrario que la ruptura por avalancha, la ruptura Zener tiene
un coeficiente de temperatura positivo, puesto que se facilita la ruptura de
un enlace al aumentar la temperatura.

Figura 2.7.4 Ruptura mediante proceso tnel

El que tenga lugar en primer lugar la ruptura por avalancha o por


efecto tnel est bsicamente controlado por el dopado de los
semiconductores. Se puede conseguir que la tensin de ruptura sea casi
independiente de la temperatura si se disea la unin de forma que la
ruptura tenga lugar por ambos mecanismos a la vez.
Como el lector habr observado, a los diodos que trabajan en la
regin inversa se les denomina diodos Zner independientemente del
fenmeno en concreto que tenga lugar (podra ser nicamente la ruptura
por avalancha, como de hecho suele preferirse por presentar una
caracterstica ms abrupta).

SECCIN 2.7: FENMENOS DE RUPTURA 51


2.8 Comportamiento dinmico. Modelos de conmutacin
y de pequea seal
Captulo 2

2.8.1 Introduccin
Hasta ahora hemos estudiado la unin PN en condiciones
estacionarias. Sin embargo, normalmente los diodos se usan en
aplicaciones de conmutacin o en procesado de seales variables, por lo
que se requiere un anlisis del comportamiento transitorio y de pequea
seal.

2.8.2 Variacin temporal de la carga mvil almacenada


El comportamiento temporal viene determinado por el tiempo
necesario para eliminar o crear el exceso de carga en las zonas neutras.
Para determinarlo, se necesitan ecuaciones dependientes del tiempo y, por
tanto, se recurrir a la ecuacin de continuidad.
Antes de ello, debemos tener en mente que la corriente ID en
estado estacionario depende del exceso de portadores minoritarios en las
zonas neutras y, por tanto, cualquier variacin de ID (por ejemplo, en un
transitorio de corte) implica la variacin del exceso de carga. Por otro
lado, aumentar o disminuir el exceso de carga requiere tiempo y por ello
el cambio de estado de un diodo no es un proceso instantneo.
Como hemos dicho, para analizar la evolucin temporal se usa la
ecuacin de continuidad. Una vez integrada en el espacio (esto es, en la
variable xn) se obtiene (para los huecos):
Q p (t ) dQ p (t )
i p (t ) = + . (2.35)
p dt
donde:
i p (t ) es la corriente debida a los huecos
Q p (t ) es la carga total en exceso o defecto (debida a los huecos)
almacenada en la zona neutra N
p es el tiempo de vida media (o de recombinacin) de los huecos en
la zona N

La ecuacin (2.35) muestra que la corriente tiene dos


contribuciones: aportar los huecos que se recombinan e incrementar la
carga almacenada.
Anlogamente, se obtiene otra expresin para los electrones. Por
simplicidad, en lo sucesivo supondremos una unin P+N (esto es, NA >>
ND), de forma que la corriente se debe casi exclusivamente a la
contribucin de los huecos ( i (t ) i p (t ) ).
La ecuacin (2.35) determina el comportamiento transitorio del
diodo. Su solucin depende del tipo concreto de transicin que tenga
lugar. Veremos dos:

52 CAPTULO 2 UNIONES
Transitorio de corte (paso de polarizacin directa a corte)
Transitorio de paso a inversa

Captulo 2
2.8.3 Conmutacin. Transitorio de corte
R R
VDD + VDD +
VD VD
- -
Figura 2.8.1 El transitorio de corte del diodo transcurre
entre las situaciones estacionarias representadas en las dos
figuras.

En este transitorio, en el instante t = 0, se abre el circuito y se


impide el paso de corriente por el diodo.
En la situacin estacionaria, antes del corte, se verifica que:
Q p ( 0)
i (t < 0) = I i = p
, (2.36)

dQ p (t )
ya que dt
= 0 ). Despejando obtenemos la siguiente condicin inicial
que usaremos posteriormente:
Q p (0) = I i p . (2.37)
Para instantes t > 0, la ecuacin diferencial (2.35) cumple:
Q p (t ) dQ p (t ) dQ p (t ) Q p (t )
i (t > 0) = 0 = p
+ dt
dt
= p
. (2.38)

Resolviendo esta ecuacin diferencial (con la condicin inicial dada por


(2.37)) obtenemos el exceso de carga en funcin del tiempo:

Q p (0) = I i p
t / p
. (2.39)
Q p (t > 0) = Q p (0)e

Como vemos, el exceso de portadores minoritarios desaparece


conforme avanza el tiempo a una velocidad controlada por p (como es
lgico, puesto que el exceso de carga desaparece por recombinacin, no
circula corriente).

I Q(t) dpn
IJp )pn
IJpe -t /J p
tiempo creciente

xn
Figura 2.8.2 Grficas que representan en funcin de
tiempo, en un transitorio de corte, la intensidad (a), la carga
total almacenada (b) y la evolucin del exceso de
portadores (c).

SECCIN 2.8: COMPORTAMIENTO DINMICO 53


Por otro lado, ya se ha visto que el exceso de portadores est
relacionado con la cada de potencial en el diodo mediante la siguiente
expresin:
Captulo 2

p n (t ) = pn 0 (e v D (t ) / VT
1). (2.40)
Por tanto, aunque desde t = 0 no circule corriente, la tensin vD
no se anula hasta que desaparece el exceso de minoritarios (huecos en
nuestro caso particular).
En la figura se muestra cmo evoluciona la tensin vD para
diferentes valores del tiempo de recombinacin, que es el que determina
la rapidez con la que desaparece el exceso de minoritarios.

tp 0.1 us
v d( t , 0 )
tp 1 us 0.5
v d( t , 1 )

tp 10 us v d( t , 2 )

7 6 5 4
1 10 1 10 1 10 1 10
t

Figura 2.8.3 Grfica de Mathcad que muestra la evolucin


temporal de la tensin VD para tres valores diferentes de p.

Como puede verse, para mejorar la rapidez del diodo hay que
disminuir p. Esto puede lograrse introduciendo impurezas que favorecen
la recombinacin (como el oro) al crear niveles energticos
aproximadamente en la mitad de la banda prohibida. Otra opcin es usar
diodos cortos, que acumulan poca carga en las regiones neutras.

2.8.4 Conmutacin. Transitorio de paso a inversa


Es el que tiene lugar en la mayora de las aplicaciones de
conmutacin. Para su estudio, supongamos el circuito mostrado en la
Figura 2.8.4.
VDD (t)
E
R

VDD (t) +
vd
t
-
-E
Figura 2.8.4 Circuito y seal aplicada para el estudio del
transitorio de paso a inversa en una unin PN.

Antes de pasar de activa a inversa, se debe eliminar el exceso de


huecos en la zona N para pasar a la situacin correspondiente a la
polarizacin en inversa. Mientras haya un exceso de huecos, la tensin vD
que cae en el diodo ser positiva y la corriente vendr dada por la

54 CAPTULO 2 UNIONES
siguiente expresin (si la tensin de la fuente de alimentacin es del orden
de varios voltios):
E + vd (t ) E
I D (t ) = . (2.41)

Captulo 2
R R
Se denomina tiempo de almacenamiento (tsd: storage delay time)
al tiempo necesario para eliminar el exceso de carga y que vd se anule.
Una vez que eliminado el exceso de carga, se tiene que llegar a la
situacin correspondiente al estado en inversa. Para ello, se deben
eliminar minoritarios y aumentar la tensin del diodo en inversa. La
siguiente grfica ilustra claramente los dos pasos del proceso:

Figura 2.8.5 Evolucin temporal de la corriente que


atraviesa el diodo y de la tensin que cae en sus extremos
durante un transitorio de paso a inversa (simulacin
realizada con Pspice).

2.8.5 Modelos de pequea seal. Rgimen AC

Introduccin

Antes de explicar el modelo de pequea seal de una unin PN,


vamos a hacer un pequeo inciso para exponer qu es un modelo de
pequea seal y cul es su utilidad

Comentario: Qu es un modelo de pequea seal?

Supongamos un circuito en el que se cumple una relacin de


proporcionalidad entre las seales de entrada y de salida (ya sean
voltajes o corrientes):

SECCIN 2.8: COMPORTAMIENTO DINMICO 55


y ( x) = Ax, (2.42)
donde A es una constante. Este circuito es lineal (su curva caracterstica
de transferencia est descrita por una recta) y se verifica el principio de
Captulo 2

superposicin:
y ( x0 + x) = Ax0 + Ax = y ( x0 ) + y (x) . (2.43)
En una defincin ms general, se define un sistema lineal como
aquel que verifica el principio de superposicin, cualquiera que sea la
relacin entre la entrada y la salida (puede ser adems de una relacin
de proporcionalidad, de tipo diferencial, integral o combinacin lineal de
las tres posibilidades).
El principio de superposicin nos permite estudiar la respuesta
de un circuito descomponiendo el problema en dos partes: primero se
estudia la salida con ciertos valores fijos de las variables de entrada
(polarizacin) y luego cmo cambia la respuesta del circuito al cambiar
el valor de una de las variables de entrada.
En general, las curvas de transferencia de los dispositivos no son
lineales (por ejemplo, la curva I-V de un diodo es de tipo exponencial) y
no se puede aplicar el principio de superposicin. Para evitar esto y
conseguir trabajar con sistemas lineales, se linealiza la curva de
transferencia en torno a un cierto punto de trabajo (o de polarizacin)
desarrollando en serie de Taylor:
y
y ( x 0 + x ) = y ( x 0 ) + x . (2.44)
x x = x0

Esta aproximacin nos permite:


Poder seguir descomponiendo el problema en dos: respuesta en el
punto de polarizacin (y(x0)) y respuesta debido a variaciones en
torno a este punto de polarizacin:
( ) y
x x = x0
x )
Obtener una relacin de proporcionalidad entre las variaciones en la
salida y las variaciones en la entrada:
y
y = x, . (2.45)
x x= x 0

donde: y = y ( x0 + xi ) y ( x0 ).
Se entiende por anlisis de pequea seal el estudio de la
respuesta del circuito ante las variaciones de tensin (o corriente)
pequeas (x) en torno a un punto de polarizacin DC (dado por (x0,y0)).
Se impone que sean pequeas para que se cumpla la relacin de
linealidad para que en el desarrollo en serie de Taylor (2.44) podamos
quedarnos slo con los dos primeros trminos y, de este modo, poder
aplicar el principio de superposicin y obtener la relacin lineal (2.45)
entre las variaciones de la seal de salida y de salida.
Por tanto, con un modelo de pequea seal en primer lugar se
resuelve el circuito en continua, para obtener el punto de polarizacin.
Posteriormente, se anulan las fuentes que polarizan al circuito y se

56 CAPTULO 2 UNIONES
estudia la respuesta de ste ante variaciones de los valores de estas
fuentes. Posteriormente se particularizaremos este explicacin para el
caso de una unin PN y veremos un ejemplo de aplicacin.
Cuando adems el cambio en las seales de entrada en pequea

Captulo 2
seal es de tipo sinusoidal, hablamos de rgimen de alterna o AC.

Modelo de pequea seal y baja frecuencia

En este apartado particularizaremos lo estudiado en el anterior


para una unin PN. Supongamos la siguiente tensin aplicada al diodo3:
v D (t ) = VD + vd (t ), (2.46)
donde VD es la tensin de polarizacin (DC) y vd(t) las variaciones de
pequea seal. En este apartado supondremos que son independientes del
tiempo o lo suficientemente lentas como para que no influya el tiempo
necesario para modificar la carga almacenada en las zonas neutras.
R

+
vd(t) +
- vD(t)
VD -

Figura 2.8.6 La tensin vD aplicada al diodo se ha


descompuesto en dos componentes: una componente
continua que fija el punto de polarizacin del diodo (VD) y
una eventual variacin en torno a dicho valor (vd).

Veamos qu corriente, en funcin del tiempo, pasa por el diodo:

i D (t ) = I S e v D (t ) / VT
= I S e (V
D + vd (t ) ) / VT
= I D ev d (t ) / VT
, (2.47)
donde

I D = I S e VD / VT (2.48)
Como ya sabamos, no hay una relacin de linealidad entre la
corriente y la tensin en el diodo ni entre las variaciones de tensin y
corriente en el diodo. Sin embargo, esto ltimo puede solucionarse.
Desarrollando en serie de Taylor podemos obtener una relacin lineal
entre la corriente y la tensin de pequea seal:

3
La notacin aqu empleada es bastante habitual cuando se emplean modelos de pequea
seal. En minscula y con subndice en mayscula se expresa la tensin (o corriente, en su
caso) total. Cuando se escriben con mayscula tanto la variable como el subndice se indica
un punto de polarizacin (seal no variable). Con minscula y con subndice en minscula
se representan las variaciones de pequea seal.

SECCIN 2.8: COMPORTAMIENTO DINMICO 57


i
iD (t ) = I D + D vd = I D + id (t ). (2.49)
v D v D =VD
Captulo 2

Es decir:

i 1
id (t ) = D vd vd (2.50)
v D v D =VD
rd

De este modo, se obtiene una relacin lineal entre las pequeas


variaciones de corriente (id) ante pequeos cambios en la tensin aplicada
al diodo.(vd). El coeficiente de proporcionalidad se expresa mediante una
resistencia (rd), puesto que relaciona una tensin entre los terminales de
un elemento (el diodo) con la corriente que circula por dicho elemento
debido a esa tensin.
rd

Figura 2.8.7 Modelo de pequea seal y baja frecuencia de


un diodo.

Observaciones:

rd depende del punto de polarizacin (DC)


rd-1 no coincide necesariamente con la pendiente de la recta del
modelo de gran seal lineal a tramos, excepto si sta se calcula
precisamente a partir de la pendiente en el punto de polarizacin
dado.
En general, para resolver un ejercicio en el que intervienen variables
de pequea seal, se siguen los siguientes pasos:
Se resuelve el circuito en DC (se hacen las fuentes de pequea
seal igual a cero).
Se sustituye el elemento por su modelo de pequea seal y se
anulan las fuentes no variables que fijan el punto de
polarizacin4.
Se resuelve el circuito con las fuentes de pequea seal para
calcular las variaciones de pequea seal en la salida.

Ejercicio:

Considere el circuito de la Figura 2.8.8. La fuente de alimentacin


V+ tiene un valor en continua igual a 10V, sobre el que se superpone un
rizado dado por una sinusoide de 60 Hz y 0.5 V de amplitud. Calcule el
voltaje que cae en el diodo en continua y la amplitud de la seal
sinusoidal que aparece en la salida superpuesta sobre el valor en continua.

4
Anular una fuente de corriente equivale en un circuito a quitarla (dejando el circuito
abierto) y una fuente de tensin a sustituirla por un cortocircuito.

58 CAPTULO 2 UNIONES
Suponga que el diodo tiene una cada de 0.7 V con una corriente de 1 mA.

V+

Captulo 2
R 10K

Figura 2.8.8 Circuito del ejercicio

2.8.6 Modelos de pequea seal dependientes de la


frecuencia

Introduccin

Como se sabe, la capacidad est asociada a la presencia de


cargas, que modifican la distribucin de potencial acumulando energa.
Cuando se altera el potencial, cambiar la carga almacenada. El tiempo
necesario para ello depender de lo fcil que pueda circular o modificarse
la carga (p.e., en un circuito RC, depende del valor de la resistencia. En
una unin PN polarizada en directo, de lo rpido que se recombine el
exceso de carga). Como es sabido, en los condensadores de lminas
paralelas o, en general, en los sistemas en los que la carga depende
linealmente del voltaje aplicado, la capacidad se define como:
Q
C= . (2.51)
V
Sin embargo, hay sistemas en los que la carga depende de forma
ms complicada del voltaje:Q = Q(V). En este caso, se linealiza la funcin
Q(V) en torno a cierto punto de inters y se define la capacidad como:
dQ
C= , (2.52)
dV
de forma que el cambio en la carga almacenada se relaciona con el
cambio en el voltaje segn:
Q = CV . (2.53)
En el diodo hay dos tipos de carga: fijas y mviles y darn lugar
a dos capacidades en el modelo de pequea seal.

Capacidad de unin o de transicin

Se debe a la carga de los iones fijos de la zona de carga espacial.


La carga Q almacenada en la z.c.e. de un diodo es:

SECCIN 2.8: COMPORTAMIENTO DINMICO 59


N AND
Q = qAx p 0 N A = qAx n 0 N D = qA W (2.54)
NA + ND
Sustituyendo el valor de W:
Captulo 2

1/ 2
N AND
Q = A2q (V0 v D ) (2.55)
N A + ND
Por tanto, la capacidad (Cj) asociada a esta carga es:
1/ 2
dQ A 2 q N AND A
Cj = = Cj (2.56)
dv D 2 (V0 v D ) N A + N D W
Como puede verse, esta expresin es anloga a la de un condensador
de lminas planoparalelas de rea A y separadas una distancia W.

Observaciones:

Si la unin no es abrupta, sino que el perfil de impurezas cambia de


otra forma, la relacin entre W y vD es diferente. Para una unin en la
que el perfil de impurezas cambia linealmente se cumple:
1/ 3
A 2 q N AND
Cj = . (2.57)
2 (V0 v D ) N A + N D

Para una unin cualquiera, se obtendra:


m
A 2 q N AND
Cj = , (2.58)
2 (V0 v D ) N A + N D
donde m es un exponente que depende del perfil de impurezas y que
vara entre 1/2 (unin abrupta) y 1/3 (unin lineal).
Normalmente se suele expresar la capacidad de unin Cj en funcin
de su valor en ausencia de polarizacin:
m
A 2 q N A N D 1 CJO
Cj = Cj (2.59)
2 V0 N A + N D (1 v ) m D v
(1 V ) m D
V 0 0

En inversa, la carga almacenada es mayor que en directa, pero la


capacidad es menor. Adems, cuanto mayor sea la tensin inversa
aplicada, menor ser la capacidad y mayor la carga fija en la z.c.e.

Supongamos un diodo P N. Entonces:
m
A 2 q
Cj = ND . (2.60)
2 (V0 v D )
Por tanto, a partir de medidas experimentales de la capacidad Cj en
funcin de la tensin podemos determinar la concentracin de

60 CAPTULO 2 UNIONES
impurezas donadoras (ND) del diodo.

Captulo 2
Capacidad de difusin o de almacenamiento

A diferencia de la anterior, se debe a la carga mvil almacenada


en las zonas neutras de la unin. Supongamos de momento una unin
P+N. Ya sabemos que la carga debida al exceso de huecos en la zona P es:

Q p = I p p I p = p I S e v D / VT
(2.61)
Por tanto, la capacidad asociada a pequeos cambios en Qp es:
dQ p 1 I p
Cs = = p I S ev D / VT
CS = (2.62)
dv D VT VT
Si consideramos una unin PN hay que tener en cuenta tambin
la contribucin de Qn:
I p p I n n I
Cs = + Cs = T (2.63)
VT VT VT
Como vemos, en lugar de usar dos parmetros diferentes (n y
p), se ha definido un nico parmetro T (cuyo valor est comprendido
entre n y p) y que se denomina tiempo de trnsito.

Modelo de pequea seal

Finalmente, el modelo de pequea seal completo se obtiene al


incluir tanto la influencia sobre la corriente de los incrementos de tensin
de baja frecuencia (rigurosamente, de continua) como el efecto de ambas
capacidades, que limita la velocidad a la que puede cambiar la tensin en
los extremos del diodo.

Cs Cj
rd

Figura 2.8.9 Modelo de pequea seal de un diodo de


unin.

SECCIN 2.8: COMPORTAMIENTO DINMICO 61


2.9 Tipos de diodos y aplicaciones
Captulo 2

En este apartado describiremos brevemente algunos tipos de


diodos y sus principales aplicaciones.

2.9.1 Rectificadores
Se aprovecha la caracterstica del diodo de dejar pasar la
corriente slo en un nico sentido. Deben tener una caracterstica lo ms
prxima a la de un diodo ideal:
Muy baja corriente en inversa
Tensin umbral prxima a 0 V
Rd = 0
Tensin de ruptura elevada

Ejemplos de diodos rectificadores comerciales: 1N4001,


BYV95C.

2.9.2 Diodos de conmutacin


Se usan en aplicaciones en las que se requiere que el tiempo de
conmutacin entre los estados de conduccin y bloqueo de la corriente sea
muy bajo.
Ejemplo: UF4001.

2.9.3 Diodos Zner. Regulacin de voltaje


Se usan para estabilizar (o limitar) la tensin en un determinado
punto de un circuito. Ejemplo: eliminacin del rizado de una fuente de
alimentacin.
Vo Vo

rz

Figura 2.9.1 El diodo Zner fija la tensin de salida V0 (el


valor de rz es muy pequeo).

2.9.4 Varactores o diodos varicap


El smbolo de un diodo varicap se muestra en la siguiente figura:

Figura 2.9.2 Smbolo de un diodo varicap.

62 CAPTULO 2 UNIONES
Estos diodos se usan para conseguir capacidades controladas por
una tensin (por ejemplo, para su uso en filtros sintonizados) ya que la
capacidad de unin depende del voltaje aplicado entre sus extremos (VD).
Efectivamente, recordemos que:

Captulo 2
CJO
Cj VD m
VDm (en inversa) . (2.64)
(1 V0
)

2.9.5 Diodos emisores de luz (LED)


El smbolo de estos diodos se muestra en la Figura 2.9.3.

Figura 2.9.3 Smbolo de un diodo emisor de luz

En el arseniuro de galio y otros semiconductores compuestos, la


recombinacin de los minoritarios da lugar a la emisin de fotones.
Variando la composicin de algunos semiconductores (como GaAs1-x Px),
podemos modificar la anchura de la banda prohibida y, por tanto, la
longitud de onda de los fotones emitidos. La intensidad de la luz es
proporcional a la intensidad de corriente que circula por el diodo. Por
tanto, podemos establecer la intensidad luminosa polarizando
adecuadamente el diodo.

2.9.6 Fotodiodos o diodos fotodetectores


Su smbolo es:

Figura 2.9.4 Smbolo de un diodo fotodetector

Al contrario que los LED, se basan en el mecanismo de


generacin. La luz incidente rompe un enlace covalente y genera un par
electrn-hueco. Los fotodiodos se polarizan en inversa. En ausencia de
luz, la corriente es despreciable (-IS). Sin embargo, al iluminar el diodo, se
genera una corriente que, al igual que la corriente inversa de saturacin,
es independiente de la tensin inversa pero que, en este caso, depende de
la intensidad de la iluminacin.

SECCIN 2.9: TIPOS DE DIODOS Y APLICACIONES 63


2.10 Unin metal-semiconductor

En este apartado veremos las uniones entre un metal y un


Captulo 2

semiconductor y cmo se pueden obtener caractersticas similares a las de


un diodo de unin PN. Ms importante an, veremos que adems pueden
lograrse uniones entre metales y semiconductores no rectificadoras, es
decir, que permiten el paso de la corriente en ambos sentidos. Esto es
importante porque en la fabricacin de dispositivos semiconductores
siempre es necesario establecer contactos metlicos hacia las conexiones
externas y, en principio, no es admisible la limitacin de que conduzcan
slo en un sentido.
En un diodo de unin PN hemos visto que la diferencia en la
posicin del nivel de Fermi en los dos semiconductores provoca que al
unirlos se desplacen los portadores para igualar el nivel de Fermi en toda
la estructura, apareciendo una zona de carga espacial, caracterizada por la
curvatura de las bandas (y el consiguiente campo elctrico) y la presencia
de cargas fijas debidas a las impurezas ionizadas.
En una unin metal-semiconductor sucede algo similar. La
diferencia en la posicin del nivel de Fermi provoca el movimiento de los
electrones al unir ambos metales hasta que el nivel de Fermi se hace
uniforme en toda la estructura.
En el caso de la unin PN, ambos semiconductores poseen la
misma estructura de bandas y el nivel de Fermi en cada semiconductor
puede fijarse, por ejemplo, respecto a la banda de conduccin del mismo.
Sin embargo, el metal y el semiconductor tienen diferente estructura de
bandas y, por tanto, la banda de conduccin no es equivalente en ambos
materiales. Sin embargo, necesitamos comparar la posicin del nivel de
Fermi en ambos materiales. Para tener un punto de referencia comn,
elegimos la energa del vaco (E0), definida como la que tendra un
electrn sin energa cintica no ligado a ninguno de estos materiales.
Se definen la funcin trabajo como la energa que habra que
aportar a un electrn para que pase de tener la energa correspondiente al
nivel de Fermi a tener la del nivel del vaco. Para el metal y el
semiconductor, respectivamente:
q m = E 0 E Fm (2.65)

q s = E 0 E Fs (2.66)
Adems, en el caso del semiconductor, se define la
afinidad electrnica como la energa que habra que aportar a un electrn
situado en el fondo de la banda de conduccin para que escapase del
material y pasase al nivel del vaco E0. Esto es, la afinidad electrnica del
semiconductor viene dada por:
q = E 0 E c (2.67)

64 CAPTULO 2 UNIONES
Metal Semiconductor
E0

eP
eMs

Captulo 2
eMm - EC
Efs
Efm

EV

Figura 2.10.1 Funciones trabajo del metal y del


semiconductor y afinidad electrnica. Los diagramas de
bandas se corresponden con la situacin en la que los dos
materiales no estn en contacto.

En la Figura 2.10.1 se muestran los diagramas de bandas del


metal y de un semiconductor (tipo N) aislados y el significado grfico de
las magnitudes anteriormente definidas. En el caso representado, la
funcin trabajo del metal es mayor que la del semiconductor (Nm > Ns).
Esto implica que cuando los materiales se pongan en contacto, habr un
flujo de electrones del semiconductor al metal, hasta que se igual el nivel
de Fermi.
Al igual que suceda en la unin PN, este traspaso de electrones
del semiconductor al metal no puede continuar indefinidamente, sino que
se corta debido al campo elctrico opuesto a este movimiento que se crea
por las impurezas positivas descompensadas al irse los electrones. La
misma carga que aparece en el semiconductor, se produce tambin en el
metal, pero de signo contrario. No obstante, al ser la conductividad del
metal muy grande, el campo elctrico en su interior debe ser nulo y toda
la carga negativa se acumula en la interfaz con el semiconductor, no
existiendo por tanto una zona de carga espacial en la regin
correspondiente al metal.
La Figura 2.10.2 muestra el diagrama de bandas de la estructura
metal-semiconductor en equilibrio trmico. En la banda de conduccin
del semiconductor aparece una barrera de potencial que dificulta el
trnsito de electrones del semiconductor hacia el metal. La altura de esta
barrera de potencial viene dada por la diferencia de los potenciales de las
funciones trabajo de ambos materiales:
V0 = m s (2.68)
Obsrvese que debido a que para las energas en torno al nivel de
Fermi no hay estados energticos que puedan ser ocupados en el
semiconductor, aparece tambin una barrera de potencial del metal al
semiconductor. Esto es consecuencia directa de la discontinuidad en las
bandas de conduccin de ambos materiales y por eso no sucede en la
unin PN, en la que ambos materiales tienen la misma banda de
conduccin. La altura de esta barrera viene dada por:

SECCIN 2.10: UNIN METAL-SEMICONDUCTOR 65


B = m (2.69)
Captulo 2

E0

- + Ps

EC

EF

EV
Figura 2.10.2 Unin metal-semiconductor. La grfica
muestra la curvatura de la banda de conduccin del
semiconductor y la barrera de potencial que dificulta el
trnsito de los electrones del semiconductor hacia el metal.

Si ahora aplicamos una tensin positiva en el metal respecto del


semiconductor, atraeremos electrones del semiconductor hacia el metal. O
lo que es lo mismo, disminuye la barrera de potencial V0, rompindose la
situacin de equilibrio y producindose corriente neta. La corriente ser
tanto mayor cuanto mayor sea el voltaje aplicado y la consiguiente
disminucin de la barrera. Si, por el contrario, se aplica una tensin
negativa, se incrementa esta barrera de potencial, impidiendo el flujo de
electrones del semiconductor hacia el metal. Adems, la barrera NB entre
el metal y el semiconductor impide el trnsito de electrones del metal al
semiconductor. Por tanto, cuando la tensin aplicada es negativa, no
circula corriente por la unin.
Este comportamiento rectificador es completamente anlogo al
de la unin PN y la curvas caractersticas I-V son similares en ambos
casos.
En el caso de una unin entre un metal y un semiconductor tipo P
se obtiene el mismo comportamiento rectificador si Nm < Ns. En este caso
se forma una barrera en la banda de valencia que dificulta el paso de
huecos del semiconductor al metal.
Pueden lograrse uniones no rectificadoras (esto es, que permitan
el paso de la corriente en ambos sentidos) si Nm < Ns y el semiconductor
es tipo N o si Nm > Ns y el semiconductor es tipo P. En estos casos, la
carga que aparece en el semiconductor no la proporciona la deplexin del
mismo, sino la acumulacin de mayoritarios provenientes del metal. Por
ejemplo, en el primer caso, el nivel de Fermi en el metal es mayor que en
el semiconductor y por tanto, para igualar el nivel de Fermi, hay un
transvase de electrones del metal al semiconductor y la barrera que se

66 CAPTULO 2 UNIONES
forma cuando se alcanza el equilibrio trmico es precisamente en esta
direccin (ver Figura 2.10.3).
Si ahora aplicamos una tensin positiva en el metal respecto del
semiconductor, los electrones no tienen ningn problema para ir hacia el

Captulo 2
metal, producindose corriente. Si la tensin es en sentido contrario, los
electrones que van a pasar del metal al semiconductor ven una barrera de
potencial, pero esta es mucho menor que en los contactos rectificadores
(Ec - EF), por lo que una pequea disminucin de la barrera causada por la
tensin negativa aplicada es suficiente tambin para permitir el paso de
corriente. Por tanto, en este tipo de uniones metal-semiconductor se
permite el paso de la corriente en ambos sentidos, por lo que se
denominan no rectificadoras o contactos hmicos.
Tambin pueden lograrse contactos hmicos dopando mucho el
semiconductor, para conseguir una zona de deplexin delgada. De este
modo, en el caso en el que exista una barrera de potencial, sta ser muy
estrecha y podr ser atravesada mediante efecto tnel.

E0

+ -
EC

EF

EV

Figura 2.10.3 Diagrama de bandas de una unin metal-


semiconductor no rectificadora en equilibrio trmico.

2.11 Heterouniones

Ya hemos estudiado las uniones de dos semiconductores (P y N)


del mismo material y las uniones entre un metal y un semiconductor. En
este apartado estudiaremos las uniones entre dos materiales
semiconductores diferentes.
Por lo general, estos dos semiconductores tendrn diferentes
anchuras de la banda prohibida, afinidades electrnicas y funciones
trabajo. Esto provoca que estas uniones, adems de la curvatura de las
bandas (barrera de potencial) debida a la redistribucin de cargas para
igualar los niveles de Fermi, contengan discontinuidades en las bandas de
conduccin y de valencia y que las barreras para los electrones y para los
huecos no sean las mismas. En principio cabe esperar que la

SECCIN 2.10: UNIN METAL-SEMICONDUCTOR 67


discontinuidad en la banda de conduccin d cuenta de la diferencia de
afinidad electrnica entre los dos materiales ()Ec = q(Ps1 - Ps2)). La
discontinuidad en la banda de valencia sera entonces la resta de )Ec con
la diferencia de las anchuras de la banda prohibida ()Eg) en ambos
Captulo 2

materiales (ver Figura 2.11.1).


Como puede observarse, en una heterounin las barreras de
potencial que tienen que superar los electrones y huecos para pasar de un
lado de la unin al otro son diferentes. Esto permite que con las
heterouniones se pueda controlar la proporcin de electrones y huecos
inyectados en la unin. Esta propiedad se emplea, por ejemplo, en los
transistores bipolares de heterounin ( HBT, segn las siglas inglesas) en
los cuales se aumenta la proporcin de electrones inyectados a travs de
una unin respecto de la de huecos sin tener que ajustar los dopados de
los semiconductores (que se fijan entonces de acuerdo con otros
requerimientos). Esto permite mejorar la eficiencia de estos transistores,
como se comprobar en el captulo 3.
Por otro lado, las heterouniones tambin se emplean en
transistores de efecto campo. Como puede verse en la heterounin
mostrada en la Figura 2.11.1 se ha formado un pozo de potencial en donde
los huecos pueden quedar confinados. Anlogamente, en las
heterouniones entre AlGaAs y GaAs se forma un pozo de potencial en la
banda de conduccin que puede confinar a los electrones, formando un
gas bidimensional (los electrones slo pueden moverse en las dimensiones
del plano formado por la interfaz) que tiene buenas propiedades para la
conduccin.

68 CAPTULO 2 UNIONES
E0

qV0

Captulo 2
Ps 2

EC2
E0

Ps1
)E c

EC1
EF

EV 2
)E v

Figura 2.11.1 Diagrama de bandas de una heterounin, en


equilibrio trmico, formada por un semiconductor tipo N y
un semiconductor tipo P con diferente ancho de banda
prohibida.

REFERENCIAS

[1] B.G. Streetman, S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice


Hall, 2000.
[2] S. Dimitrijev, Understanding Semiconductor Devices, Oxford
University Press, 2000.

SECCIN 2.11: HETEROUNIONES 69


Captulo 1. El Trancto de Campo
de Unin (Esto esta

3
Captulo
EL TRANSISTOR
BIPOLAR DE UNIN
(BJT)

Transistor Bipolar
ndice
3-1 Introduccin 3-5 Comportamiento dinmico
3-2 Fundamentos bsicos. Descripcin 3-6 Efectos de segundo orden
cualitativa
3-3 Clculo de la corriente en rgimen
DC. Ecuaciones de Ebers-Moll
3-4 Caractersticas de transferencia.
Polarizacin

Objetivos
Describir el transistor bipolar.
Entender el funcionamiento bsico del transistor bipolar.
Describir los distintos modos de operacin de este dispositivo.
Evaluar de forma cuantitativa la corriente que circula por los diferentes
terminales del transistor.
Proporcionar modelos elctricos equivalentes en gran seal y pequea seal. Los
modelos debern ser lineales y permitirn analizar o disear circuitos electrnicos
que incluyan a este dispositivo.
Simplificar los modelos equivalentes encontrados para facilitar el anlisis de estos
circuitos.
Estudiar la conmutacin de este dispositivo entre sus estados.
Analizar la influencia de efectos de segundo orden no considerados en un primer
anlisis simplificado del dispositivo.

Palabras Clave
Transistor bipolar de unin. Saturacin. Efecto Kirk.
Transistor npn y pnp. Activa inversa. Modelo de gran seal.
Emisor. Corte. Modelo de pequea seal.
Base. Modulacin de la anchura de Transconductancia.
Colector. la base. Resistencia de salida.
Ganancia de corriente en Tensin Early. Capacidades de las uniones.
base comn y en emisor Ruptura. Resistencias parsitas.
comn. Deriva en la base. Respuesta en frecuencia.
Activa. Ecuaciones de Ebers-Moll.
3.1 Introduccin

El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado


slido. Fue inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley,
J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio Nobel en 1956).
Tambin se suele denominar por sus siglas inglesas BJT (bipolar junction
transistor).
Captulo 3

Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene


tres terminales (llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y
pnp:

B B

N P N P N P
E C E C

C C
B B

E E

Figura 3.1.1 Estructura y smbolo de un transistor bipolar


npn (izquierda) y pnp (derecha)

Entre sus principales aplicaciones podemos distinguir:


Analgicas: amplificadores, seguidores de tensin, ...
Digitales: conmutadores

3.2 Fundamentos bsicos. Descripcin cualitativa.

3.2.1 El BJT como fuente de corriente controlada por voltaje

En este apartado vamos a introducir el BJT como una fuente de


corriente controlada por tensin. Supongamos una unin PN polarizada en
inverso. Se puede considerar que es una fuente de corriente casi ideal
porque la corriente que la atraviesa es independiente de la tensin entre
sus extremos, como se ilustra en la Figura 3.2.1.
Sin embargo, presenta un inconveniente: la corriente es muy
pequea
(IS) y est limitada por la generacin trmica de minoritarios en las
cercanas de la unin. Esta corriente podra, no obstante, incrementarse
generando minoritarios, por ejemplo, mediante luz (ver Figura 3.2.2).
Adems, con la intensidad de la luz podemos controlar la intensidad de la
fuente de corriente. Sera bueno poder hacer esto elctricamente. Para

72 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


ello, podramos aadir una unin ms al sistema, puesto que en una unin
P+N se inyectan huecos desde la zona P+ en la zona N y el nmero de
huecos inyectados depende de la tensin aplicada en esta unin. Por tanto,
se tiene entonces una fuente de corriente controlada por tensin (que
determina el nmero de huecos inyectados en el semiconductor N), como
se observa en la Figura 3.2.3.
N - P
+

Captulo 3
VD

EF P

q(V0+V D )

EF N

Figura 3.2.1 Una unin PN en inverso se comporta como


una fuente de corriente: la corriente no depende de la
tensin en inverso aplicada, sino de lo rpido que se
reponen los minoritarios que caen por la barrera de
potencial.

(a) V (b) (c) V


I

N P N P
V

Inyector de
portadores

Figura 3.2.2 El incremento de la concentracin de


minoritarios puede realizarse con luz (a) y provoca el
aumento de la corriente inversa (b). Sera deseable contar
con otro procedimiento de inyeccin de minoritarios (c) que
pudisemos controlar elctricamente.

SECCIN 3.2: FUNDAMENTOS BSICOS. DESCRIPCIN CUALITATIVA 73


3.2.2 Las corrientes en el BJT
En un transistor bipolar pnp polarizado como en la Figura 3.2.3 se
producen los siguientes flujos de portadores:
1: huecos inyectados que se recombinan sin llegar al colector
2: huecos inyectados en el colector
3: corriente inversa de saturacin en la unin PN de la base y el
colector
4: electrones suministrados por el contacto de base para
Captulo 3

recombinarse con los huecos en la base


5: electrones inyectados en el emisor debido a que el emisor y la
base forman una unin PN polarizada en directo

Emisor Base Colector


IC
IE IC
p+ n p

IE

IB

VB C
VE B VB C

Figura 3.2.3 Polarizacin en activa de un BJT pnp

Flujo de huecos Flujo de electrones

2
IE IC
1

4 3

IB

VE B VB C

Figura 3.2.4 Flujo de portadores en un transistor pnp


polarizado en activa

En un buen transistor es deseable que se verifiquen las siguientes


condiciones:
Casi todos los huecos aportados por el emisor llegan al colector.

74 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Por tanto, se requiere que exista poca recombinacin en la base,
lo cual se consigue haciendo que la base sea estrecha (Wb << Lp).
Se define el factor de transporte:
I Cp IC
B T . (3.1)
I Ep I Ep
(Por tanto, se busca que B sea aproximadamente 1).

Captulo 3
La corriente de emisor se debe casi exclusivamente a los huecos
inyectados, no a los electrones procedentes de la base (para ello,
hay que dopar el emisor mucho ms que la base). Se define la
eficiencia de emisor como:
I Ep I Ep
= . (3.2)
IE I Ep + I En
(Por lo que en un buen transistor, se debe cumplir que sea
aproximadamente igual a 1).
Calculemos ahora cul es la relacin existente entre las
corrientes de colector y emisor (ganancia en base comn):

IC I Cp I Cp I Ep
F = = B . (3.3)
I E I Ep + I En I Ep I Ep + I En

En un buen transistor se cumple que F es casi 1, puesto que el


factor de transporte y la eficiencia de emisor son prximos a 1.
Por otra parte, la relacin entre las corrientes de colector y base
(ganancia en emisor comn):
IC IC 1 1 F
F = = = = (3.4)
I B I E IC IE
1 F1 1 1F
IC

De donde tambin se deduce que:


F
aF = . (3.5)
F +1
Cuanto ms prximo a 1 sea el valor de F mayor ser la
ganancia en corriente F. Valores tpicos de F son 200 para transistores
de baja potencia y 50 para transistores de potencia.

3.2.3 Modos de operacin del BJT


Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, puede operar segn 4
modos diferentes, segn estas uniones estn en directa o en inversa. Estas
regiones de operacin son:

SECCIN 3.2: FUNDAMENTOS BSICOS. DESCRIPCIN CUALITATIVA 75


Activa

Es el modo anteriormente analizado:


unin BE en directo: |VBE| 0.7 V
unin BC en inverso

En esta regin de operacin se cumple que:


IC = F I E ,
Captulo 3

(3.6)
IC = F I B .
Se usa sobre todo en aplicaciones analgicas (por ejemplo, como
amplificador).

Corte

Las dos uniones estn en inverso, por lo que no hay inyeccin de


portadores del emisor al colector y todas las corrientes son prcticamente
nulas.

Saturacin

En esta regin de operacin:


Unin BE en directo: |VBE| 0.7 V
Unin BC en directo: |VBE| 0.8 V
En estas condiciones existe inyeccin de portadores desde el
emisor, pero tambin desde el colector y, por tanto, se verifica (como
luego comprobaremos con ms detalle) que:
IC < F I E ,
(3.7)
IC < F I B .
Adems, se cumple que la diferencia de tensin entre el emisor y
el colector es baja (del orden de 0.1-0.2 V). Por ejemplo, para un pnp:
VEC = VEB + VBC (0.7 0.6) V = 0.1 V (3.8)
Los modos de corte y saturacin se emplean sobre todo en
aplicaciones digitales.

Activa inversa

Este modo de operacin es parecido al de la regin activa, pero


intercambiando los papeles de colector y del emisor. Es decir:
Unin BE en inverso
Unin BC en directo: |VBC| 0.6 V

76 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Normalmente el transistor no opera en esta regin. Recurdese que el BJT
no es completamente simtrico y est optimizado para trabajar en modo
activo normal (por ejemplo, el emisor se dopa ms que el colector).

3.3 Clculo de las corrientes. Ecuaciones de Ebers-Moll

Captulo 3
3.3.1 Introduccin
Hasta ahora, hemos visto cualitativamente el funcionamiento del
BJT, calculando unas corrientes a partir de otras a travs de los
parmetros F y F. Pero no sabemos el valor de estos parmetros ni cmo
relacionar las corrientes con las tensiones aplicadas. Esto es lo que se
pretende hacer en este apartado.
De forma anloga a como se hizo en el caso del diodo, se puede
calcular la corriente de emisor (debida a los huecos) a partir de la
corriente de difusin en la base justo en el lmite de la z.c.e. entre el
emisor y la base (se desprecia la recombinacin en la z.c.e). Del mismo
modo, la corriente de colector se calcula a partir de la corriente de
difusin en el lmite de la base con la z.c.e. espacial que comparte con el
colector:
dpn ( xn = 0)
I Ep = qAD p
dxn
(3.9)
dpn ( xn = Wb )
I Cp = qAD p
dxn
Por tanto, lo primero que hay que hacer es resolver la ecuacin
de difusin para calcular el perfil de minoritarios inyectados en la base
(pn):

d 2p( xn ) p n ( xn )
= (3.10)
dxn2 L2p

3.3.2 Solucin de la ecuacin de difusin en la base


En activa, el emisor inyecta huecos de forma que se genera un
exceso en la base, justo en el borde de la z.c.e., igual a:

p E = p n (0) = p n 0 (eV EB / VT
1) p n eV
EB / VT
. (3.11)
En el otro borde de la base, los huecos son barridos por el campo
elctrico hacia el colector, de modo que:
pC = pn (Wb ) = pn 0 . (3.12)

SECCIN 3.2: FUNDAMENTOS BSICOS. DESCRIPCIN CUALITATIVA 77


dpn
Si no hubiese corriente de base, el gradiente sera el
dxn
mismo en el colector y el emisor (para tener la misma corriente, como
indican las ecuaciones (3.9). Por tanto, la solucin de la ecuacin de
difusin sera una lnea recta, como se indica en la figura inferior.
Sin embargo, la corriente de base no es nula, aunque s pequea,
por lo que la solucin real no es exactamente una lnea recta, aunque se
aproxima bastante (por debajo, para obtener menos gradiente en el lado
Captulo 3

del colector):

*p
Sin recombinacin
)pE
en la base

-pn
WB

Con recombinacin
0 WB

Figura 3.3.1 Exceso de minoritarios en la base en funcin


de la posicin (activa)

En activa inversa, se obtiene una solucin completamente


anloga, pero intercambiando los papeles del emisor y del colector.
Como la ecuacin de difusin es lineal, la solucin general (con
inyeccin de huecos por parte del emisor y del colector) puede expresarse
como la superposicin de las soluciones obtenidas en activa (inyeccin
slo por parte del emisor) y activa inversa (inyeccin slo por parte del
colector). Esto se ilustra en la siguiente figura:

*p (a) *p (b) *p (c)

)pE )pE

)pC )pC

0 WB 0 WB 0 WB

Figura 3.3.2 Concentracin y flujo de minoritarios en la


base (c) como superposicin de la solucin de la ecuacin
de difusin en activa (a) y en activa inversa (b)

78 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Puede comprobarse fcilmente que la solucin de la ecuacin de
difusin (3.10) es:
(Wb xn ) / L p (Wb xn ) / L p
e e
p( x n ) = p E Wb / L p Wb / L p
+
e e
xn / L p xn / L p
(3.13)
e e
+ pC Wb / L p Wb / L p
.
e e

Captulo 3
Efectivamente se observa que la solucin es la suma de dos
trminos con la misma forma, cada uno debido a la contribucin de una
de las uniones.

3.3.3 Evaluacin de las corrientes


Conocido p(xn), podemos calcular ya las corrientes (). Al
realizar las derivadas, se obtendr que, como suceda con la concentracin
de minoritarios en la base, las corrientes tambin son superposicin de la
contribucin de ambas uniones.
Suponiendo que IE = IC (esto es, que la eficiencia de emisor es
igual a 1) se obtiene:

(
I E = A eV EB / VT
) (
1 B eV CB / VT
)
1 ,
IC = B (e VEB / VT
1) A(e VCB / VT
1), (3.14)
I B = I E IC ,
con:

qAD p W
A= coth b pn 0
Lp Lp

(3.15)
qAD p W
B= cosh b pn 0
Lp Lp

3.3.4 El modelo de diodos acoplados. Ecuaciones de Ebers-


Moll

Introduccin

Las ecuaciones vistas en el apartado anterior (dependientes de la


geometra) slo son vlidas para ese caso concreto de geometra uniforme
y simple y suponiendo, adems, = 1. En este apartado pretendemos
generalizarlas, buscando expresiones adecuadas para cualquier geometra
y dependientes de parmetros fcilmente medibles.

SECCIN 3.3: CLCULO DE LA CORRIENTE. ECUACIONES DE EBERS-MOLL 79


Para ello, nos basaremos en las ecuaciones y conclusiones del
apartado anterior: la inyeccin de portadores en la base se puede
descomponer en dos contribuciones debidas a dos diodos independientes.
Pero adems de la corriente de emisor o colector debida a estos
diodos, debemos superponer la contribucin de los inyectados por el otro
electrodo (colector o emisor) en la base y que llegan, respectivamente, al
emisor o al colector.
Esta descripcin se corresponde con el siguiente circuito
Captulo 3

equivalente:

IES(e qVEB/ kT-1) "F IES(e qVEB/k T-1)

IE IC

E C

"R ICS(e qVCB/ kT-1) IB I (eq VCB/kT-1)


CS

Figura 3.3.3 Circuito equivalente de un BJT


correspondiente a las ecuaciones de Ebers-Moll (modelo de
diodos acoplados)

Vemos pues que este modelo est descrito por la corriente de dos
diodos independientes y de dos fuentes de corriente que dan cuenta del
acoplamiento entre las dos uniones de la estructura.
Las ecuaciones de Ebers-Moll son las expresiones que relacionan
las corrientes y tensiones en el BJT de acuerdo con este modelo de diodos
acoplados.

Ecuaciones de Ebers-Moll

Segn el modelo de diodos acoplados presentado anteriormente,


las corrientes en los tres terminales de un BJT vienen dadas por las
siguientes expresiones (conocidas como ecuaciones de Ebers-Moll):

(
I E = I ES eV EB / VT
)
1 R I CS eV ( CB / VT
1 )
(
I C = F I ES eV EB / VT
)
1 I CS (eVCB / VT
1) (3.16)
I B = I E IC
Estas ecuaciones relacionan las corrientes en el BJT con las
tensiones aplicadas en sus uniones y son dependientes de cuatro
parmetros (las corrientes inversas de saturacin, IES e ICS y los
coeficientes de acoplamiento, F y R.

80 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Observaciones:

Con el convenio de signos seguido en este trabajo, en el caso de un


transistor npn las ecuaciones son exactamente iguales que las de un
pnp. Slo hay que cambiar las tensiones de signo o, lo que es lo
mismo, sustituir VBB por VBE y VCB por VBC.
En muchos textos se definen como positivas las corrientes entrantes
en el dispositivo. Con ese convenio de signos, habra que cambiar el
signo en los sumandos del miembro de la derecha de la ecuacin

Captulo 3
correspondiente a IC y IB = -IE IC.
Con VCB = 0 V (y, en general, en la regin activa) se cumple:

(
I E = I ES eVEB / VT 1 )
(
I C = F I ES eVEB / VT 1 ) (3.17)
I B = (1 F ) I ES e( VEB / VT
)
1
Por tanto, tal y como habamos definido en la introduccin de este
tema, se cumple que (en activa):
IC
=F
IE
(3.18)
IC F
= F
IB 1 F
Como puede verse, si cortocircuitamos la base y el colector, el BJT se
comporta como un diodo.
Anlogamente, en la regin activa inversa se cumple que:

IE
= R (3.19)
IC activa inversa
Como se ha comentado anteriormente, las ecuaciones de Ebers-Moll
son dependientes de cuatro parmetros. Sin embargo, puede
demostrarse que se cumple la siguiente relacin entre ellos:
F I ES = R I CS . (3.20)
Por tanto, slo quedan tres parmetros independientes.

Otros modelos DC

Versin de transporte de las ecuaciones de Ebers-Moll


Basndonos en la relacin (3.20) podemos expresar las
ecuaciones de Ebers-Moll como:

SECCIN 3.3: CLCULO DE LA CORRIENTE. ECUACIONES DE EBERS-MOLL 81


IE =
IS
F
(e
VEB / VT
) (
1 I S eV CB / VT
1 )
I C = I S eV( EB / VT
)
1
I CS
R
(e VCB / VT
1 ) (3.21)

I B = I E IC
Estas expresiones se conocen como la versin de transporte de
Captulo 3

las ecuaciones de Ebers-Moll.


En estas ecuaciones cambia el punto de vista respecto de las
ecuaciones de Ebers-Moll. En lugar de expresar la corriente de las fuentes
de corriente en funcin de la corriente que pasa por los diodos (mediante
los coeficientes F y R), expresamos la corriente que pasa por los diodos
en funcin de la de las fuentes de corriente.
De acuerdo con esto, se definen las corrientes de las fuentes de
corriente como:

I EC = I S eV ( CB / VT
1 )
I CC = I S (e VEB / VT
1)
(3.22)

Y el circuito equivalente queda del siguiente modo:

ICC /"F ICC

IE IC

IEC IEC /"R


IB
B

Figura 3.3.4 Versin de transporte del modelo de diodos


acoplados

Versin de Spice
Puesto que las ecuaciones de Ebers-Moll tienen slo tres
parmetros independientes, se puede buscar un modelo en el que slo
aparezcan tres elementos en lugar de cuatro.
El modelo de Spice conecta directamente el emisor con el
colector. Para obtenerlo, primero se calcula la corriente de base a partir de
la figura anterior:

82 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


I CC I EC
IB = + I EC I CC =
F R
(3.23)
1 1 I I
= I EC 1 + I CC 1 = EC + CC
R F R F
Es decir, podemos expresar la corriente de base como la
contribucin de dos diodos, con corriente inversa de saturacin igual a
IS/F e IS/R, respectivamente.

Captulo 3
Evidentemente, ninguna de estas corrientes es igual a la de
emisor ni a la de colector, por lo que debemos aadir ms elementos al
circuito equivalente. La corriente de emisor viene dada por:

I CC +1
IE = I EC = F I CC I EC =
F F
(3.24)
I
= I CC I EC + CC
F
Anlogamente:
I EC
I C = I CC I EC + (3.25)
R
El ltimo sumando de las ecuaciones (3.24) y (3.25) ya est
incluido en la expresin de la corriente de base, mientras que el resto es el
mismo en ambas expresiones. Por tanto, podemos expresar estas
ecuaciones mediante el siguiente circuito equivalente:

C
IC

IEC /$R
IB
B ICC - IEC
ICC /$F

IE
E

Figura 3.3.5 Versin de Spice del transistor bipolar

Modelos simplificados para anlisis a mano

Segn la regin en la que se encuentre operando el transistor, se


pueden eliminar algunos elementos de los anteriores modelos,
simplificando notablemente el modelo. Adems, los diodos se pueden

SECCIN 3.3: CLCULO DE LA CORRIENTE. ECUACIONES DE EBERS-MOLL 83


sustituir a su vez, para la resolucin a mano de circuitos, por su
correspondiente modelo (ideal con desplazamiento o lineal a trozos).

Activa
En la regin activa podemos eliminar los elementos dependientes
de la exponencial eV / V . El circuito basado en las ecuaciones de Ebers-
CB T

Moll queda entonces como:


Captulo 3

IE IC

E C
IB

Figura 3.3.6 Versin simplificada del modelo de diodos


acoplados vlida en la regin activa

El diodo se puede sustituir a su vez (para clculos sencillos a


mano) por una pila de 0.6-0.7 V en serie con una resistencia rd.
No obstante, el circuito equivalente en activa usualmente
empleado es el que se obtiene a partir de la versin de Spice:
C
IC

IB
B $FIB

IE
E

Figura 3.3.7 Modelo simplificado para el BJT en activa


Saturacin
En saturacin hay que usar el modelo completo. No obstante, se
puede simplificar teniendo en cuenta que tenemos dos uniones polarizadas
en directo. Por tanto, VBB = 0.6 V y VBC = 0.2 V.

Corte
En corte, slo quedan en las ecuaciones de Ebers-Moll los
trminos correspondientes a las corrientes inversas de saturacin de los
diodos, que son muy pequeas. Teniendo en cuenta la relacin (3.20)
podemos poner el circuito equivalente como:

84 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


C
IC

(1- "R )ICS


IB
B

(1- "F)IES

Captulo 3
IE
E

Figura 3.3.8 Modelo equivalente en la regin de corte

Para un anlisis sencillo a mano, basta con eliminar el transistor


cuando ste se encuentra en la regin de corte.

Ejercicio

Dibujar los circuitos equivalentes vistos en esta seccin y en la


anterior en el caso de que el transistor sea de tipo npn.

3.4 Caractersticas de transferencia. Polarizacin

3.4.1 Introduccin
Ya hemos visto que un BJT puede trabajar en cuatro regiones de
operacin diferentes. Que lo haga en una u otra depende de las tensiones
aplicadas a travs de elementos externos (resistencias y bateras), que
fijan el punto de trabajo del transistor (es decir, su polarizacin).
Los circuitos de polarizacin son los encargados de fijar el
funcionamiento en continua (DC) del transistor, esto es, el valor de las
tensiones aplicadas al BJT y de las corrientes que circulan por l.
En principio, hay seis variables para fijar: las tensiones entre los
terminales (VBB, VBC y VEC) y las corrientes que circulan (IE, IB e IC). Sin
embargo, slo dos de ellas son independientes puesto que existen cuatro
ecuaciones que relacionan estas seis variables: las dos ecuaciones de
Ebers-Moll y las dos leyes de Kirchoff. Por tanto, basta con fijarnos en
dos de estas variables e imponerlas externamente para determinar por
completo el punto de polarizacin del transistor.
Vamos a ver ahora uno de los circuitos de polarizacin ms
sencillos. Adems, introduciremos simultneamente las caractersticas de
transferencia (relaciones entre las variables, tensiones o corrientes, en el
transistor) habitualmente empleadas, tanto para la descripcin como para
la polarizacin de un BJT.

SECCIN 3.3: CLCULO DE LA CORRIENTE. ECUACIONES DE EBERS-MOLL 85


3.4.2 Caracterstica de transferencia IB-VBE
En la siguiente figura se muestra un circuito tpico de
polarizacin:
VCC

RC IC
Captulo 3

VCE
RB
VB B IB V IE
BE

Figura 3.4.1 Circuito tpico de polarizacin de un BJT

La malla formada por la pila VBB, la resistencia de base (RB) y la


unin BE determinan la corriente de base (y, por tanto, la de colector y la
de emisor). En efecto, como la corriente de base y la tensin de base-
emisor son la solucin del siguiente par de ecuaciones (en activa):
VBB = I B RB + VBE
IS (3.26)
IB = (eVBE / VT 1)
F
Obsrvese la completa analoga con la polarizacin de un diodo.
La solucin se puede obtener grficamente mediante la interseccin de la
curva caracterstica IB-VBE del transistor con la recta de carga impuesta
por la resistencia RB y la pila VBB (como suceda en el caso de un diodo).

iB

Recta de carga

IB
- 1/RB

VB E VB B vB E

Figura 3.4.2 Curva caracterstica iB-vBE de un transistor


bipolar npn y recta de carga impuesta por la malla formada
por la pila VBB, la resistencia de base RB y la unin BE en el
circuito de polarizacin de la Figura 3.4.1.

86 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Normalmente, para realizar un anlisis y diseo a mano de un
circuito de polarizacin no se suele resolver el anterior sistema de
ecuaciones, sino que se da un valor fijo a la tensin VBB
(aproximadamente 0.6-0.7 V) y se calcula la corriente de base como:

VBB VBE
IB = (3.27)
RB

Captulo 3
3.4.3 Caracterstica de transferencia IC-VCE
Estas caractersticas de transferencia tienen la forma mostrada en
la siguiente figura:

iC
Recta de carga

IB 5
IB 4
IB 3
IC IB 2
IB 1

- 1/RB

vCE
VCE VCC

Figura 3.4.3 Familia de curvas caractersticas ic-vce con ib


como parmetro

Cada una de las curvas se corresponde con un valor constante de


la intensidad de base (IB) o, lo que es lo mismo, de la tensin VBE. Para
entender por qu tiene esta forma la caracterstica I C VCE recordemos
las ecuaciones de Ebers-Moll:

IE =
IS
F
(eVEB / VT
) (
1 I S eVCB / VT 1 )
(3.28)
(
IC = I S e VEB / VT
)
1
IS
R
(e VCB / VT
)
1

En la regin activa:

SECCIN 3.4: CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA. POLARIZACIN. 87


IS
IE = eV EB / VT
F
I C = I S eV EB / VT
(3.29)
IS
IB = eV EB / VT
F
Como vemos, fijado el valor de VBB est fijado tambin el valor
Captulo 3

de las corrientes que circulan, que son independientes de la tensin en la


otra unin (VCB) y, por tanto, tambin de la tensin VCE = VCB + VBE. Por
eso, la curva IC-VCE es casi plana (tiene una pequea pendiente debida al
Efecto Early, que comentaremos posteriormente).
Fijado el valor de VBB, al disminuir el valor de VCB va cobrando
importancia el otro sumando de las ecuaciones de Ebers-Moll, y va
disminuyendo el valor de las corrientes de emisor y de colector. Cuando
VCB es igual a cero, estamos en la frontera entre las regiones activa y
saturacin. Para valores inferiores, la unin CB est en directo y la
tensin VCB es pequea. Las regiones activa y saturacin estn separadas
en la grfica IC-VCE por una curva de tipo exponencial. En efecto:
VCB = 0 VCE = VCB I C = I S eVEB / VT

3.5 Comportamiento dinmico

3.5.1 Introduccin
Hasta ahora se ha estudiado la relacin entre las corrientes y las
tensiones en el BJT cuando stas son estacionarias, no cambian con el
tiempo. Sin embargo, en la operacin normal del BJT pasaremos de un
estado a otro o le aplicaremos seales variables con el tiempo, por lo que
a continuacin se va a estudiar cmo responde el transistor bipolar en
estas situaciones.

3.5.2 BJT en conmutacin

Introduccin

En aplicaciones digitales, interesa que los BJTs acten como


interruptores. Un interruptor ideal cumple con las siguientes
especificaciones:
Estado ON: entre sus extremos caen 0 V para cualquier intensidad
circulando entre sus extremos
Estado OFF: bloquean el paso de corriente (I = 0 A) para cualquier
tensin aplicada entre sus extremos

88 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Un BJT en los estados de saturacin y corte cumple
aproximadamente con estas especificaciones, puesto que:
En saturacin, VCE = 0.2 (es decir, casi 0 V) independientemente de la
corriente de colector.
En corte, I es prcticamente igual a 0 A, independientemente de las
tensiones aplicadas (siempre que mantengan las uniones en inversa)

Antes de analizar el transitorio de conmutacin entre estos


estados, vamos a analizar con ms detalles estas regiones de operacin.

Captulo 3
BJT en corte

Como ya explic anteriormente, las corrientes en el estado de


corte son muy pequeas y pueden despreciarse en la mayora d los casos.
En los lmites de la base con las zonas de carga espacial, tenemos un
defecto de minoritarios (las uniones estn en inverso). En un transistor
pnp:
p E = p n 0 = pC (3.30)
Puesto que la corriente es despreciable, podemos suponer que en
toda la base el gradiente de concentracin es nulo y, por tanto, la
concentracin de minoritarios es constante (y nula). Es decir, el exceso de
minoritarios viene dado por la siguiente expresin (ver tambin Figura
3.5.1):

p n ( xn ) = pn 0 (3.31)

*p

0 WB xn

)pE *p(xn) = -pn )pC

Figura 3.5.1 Exceso de minoritarios en la base cuando el


transistor se encuentra en corte

Conmutacin

Hacer pasar el BJT de corte a saturacin y viceversa requiere un


cierto tiempo, no es una transicin instantnea. El tiempo necesario se
emplea en eliminar o aportar la carga en la base.

SECCIN 3.5: COMPORTAMIENTO DINMICO. 89


La Figura 3.5.2 ilustra cmo cambia la carga en la base y la
corriente en el colector durante una conmutacin de corte a saturacin
seguida de otra en sentido contrario. Es importante sealar que mientras
que el transistor est en saturacin, no cambia la corriente de colector.

iB
IB
iE
Captulo 3

RB
t
+ iB -IB (c)
RL iC
- QB
Lmite regin
de saturacin
-VCC t
(a) iC
IC IC = V CC /RL

t
*p

(b) t4
t3
t1 t2
t0 xn
-pn

Figura 3.5.2 Transitorios de conmutacin de corte a


saturacin y de saturacin a corte. Circuito (a), evolucin
del exceso de minoritarios en la base (b), de la carga total
en la base y de la corriente de colector (c). La carga en la
base en el instante t2 corresponde con el lmite de la regin
de saturacin.

3.5.3 Modelo de pequea seal


En la Figura 3.5.3 se ilustra el modelo en de pequea seal de un
transistor bipolar npn.en activa.
r:

rb B C rC
B C
C:
+
CB
vb 'e rB gm vb'e r0

Figura 3.5.3 Modelo de pequea seal de un transistor


bipolar npn

90 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Donde:
rbb y rcc dan cuenta de la cada de tensin desde los terminales del
dispositivo hasta la regin en donde est el BJT
ree es despreciable porque el terminal de emisor est ms prximo a
la conexin correspondiente y porque el dopado de emisor es ms
alto (la resistencia es menor)
Las variaciones en la corriente de emisor (ie) debidas a un cambio en
la tensin en la unin BE (vbe) las descomponemos en las variaciones
en la corriente de colector (ic) ms las variaciones en la corriente de

Captulo 3
base (ib):
ie = ic + ib
gmvbe reproduce la variacin en la corriente de colector causada por
un cambio (vbe) en la tensin en la unin BE. Por tanto, gm viene
dada por:

i IC
g m = C = (3.32)
v BE V
CE = cte
VT

r da cuenta de la variacin en la corriente de base:


i B I I
r1 = = B = C (3.33)
v BE VT F VT
Las capacidades C y C estn asociadas a las uniones BE y BC,
respectivamente:
IC CJE
C = C d + C je = F + m
F g m + 2CJE
VT V (3.34)
1 BE
Vi

C = Ccj = CJC
(1 ) V BC m
Vi
(3.35)

Finalmente, r0 da cuenta del efecto Early:

i IC
r01 = C = (3.36)
vCE V BE =cte
VA

SECCIN 3.5: COMPORTAMIENTO DINMICO 91


3.6 Efectos de segundo orden

A continuacin se comentar brevemente algunos efectos no


considerados en el tratamiento simplificado que condujo a las ecuaciones
de Ebers-Moll.
Deriva en la base
Captulo 3

3.6.1

La diferente concentracin de impurezas en la base da lugar a la


presencia de un campo elctrico que altera la difusin de minoritarios en
la base.
A veces este efecto se provoca, para conseguir que el campo
elctrico generado est a favor del movimiento de los minoritarios,
disminuyendo su tiempo de trnsito por la base y aumentando, por tanto,
F. En este caso, se obtienen transistores bipolares de deriva.

3.6.2 Estrechamiento de la base


Segn el modelo de Ebers-Moll, en activa la corriente de emisor
es independiente de la tensin VCE entre colector y emisor o, lo que es lo
mismo, es independiente de la tensin inversa aplicada en la unin BC.
Sin embargo, cuanto mayor sea esta tensin, mayor es la zona de carga
espacial y menor es la anchura efectiva de la base. Esto hace que la
probabilidad de recombinarse en la base sea menor y aumenta, por tanto,
el factor de transporte T y, consiguientemente, F y F.
Este fenmeno (conocido como efecto Early) puede modelarse
incluyendo un factor adicional en la expresin que nos proporciona la
corriente de colector en activa:

VCE
I C = I s eV
BE / VT
1 + , (3.37)
VA
donde a VA se le conoce como tensin Early.

3.6.3 Ruptura por avalancha


En activa la unin BC est en inverso y, al igual que sucede con
una unin PN, pueden producirse mecanismos de ruptura por avalancha
que incrementen bruscamente la corriente de colector. La tensin de
ruptura depende de la configuracin y se comprueba que la
correspondiente a emisor comn (BVCE0) es menor que la base comn
(BVCB0).

92 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


iC

Captulo 3
-VA vCE

Figura 3.6.1 Efecto de la modulacin de la anchura de la


base y tensin Early

IC IC

IE IB

-VCB -VCE
BV CB0 BV CE0
(a) (b)

Figura 3.6.2 Ruptura por avalancha en la unin BC con una


configuracin de base comn (a) y de emisor comn (b)

3.6.4 Dependencia de F con la corriente de colector


La ganancia de corriente F resulta ser dependiente de la tensin
de colector aplicada, siendo menor en las zonas de baja y alta corriente
que en la zona central de corriente intermedia.
A bajas corrientes, la corriente de colector disminuye debido a
que la fraccin de portadores inyectados por el emisor que se recombinan
en la zona de carga espacial antes de llegar a la base (y, por tanto, al
colector) no es despreciable. Con altos niveles de inyeccin, el efecto
Kirk provoca la disminucin de la corriente de colector. Del mismo modo
que el efecto Early provoca el aumento de la corriente de colector debido
a una disminucin de la anchura efectiva de la base, el efecto Kirk
provoca la disminucin de la corriente de colector al aumentar el ancho
efectivo de la base.
Este aumento del ancho efectivo de la base est provocado por el
hecho de tener una gran concentracin de portadores en trnsito por la
zona de carga espacial (por ejemplo, huecos en un transistor pnp). Esto
hace que tengamos una densidad de carga positiva adicional, que se suma
a la de impurezas ionizadas positivamente en la z.c.e. correspondiente a la
base y que resta a la densidad de cargas negativas debida a las impurezas

SECCIN 3.6: EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN 93


ionizadas en la z.c.e. del colector. Por tanto, para tener la misma densidad
de carga que (con baja inyeccin) se corresponde con la caida de tensin
VCB, el ancho de la z.c.e en la base tiene que ser menor y en el colector
mayor.

REFERENCIAS
Captulo 3

[1] B.G. Streetman, S. Banerjee, Solid State Electronic Devices,


Prentice Hall, 2000.
[2] S. Dimitrijev, Understanding Semiconductor Devices, Oxford
University Press, 2000.

94 CAPTULO 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN


Captulo
Estructura metal aislante
semiconductor

4
Captulo
LA ESTRUCTURA
METAL AISLANTE
SEMICONDUCTOR

Diagrama de
bandas
de una
estructura MIS
en equilibrio
ndice
4-1 Transistores de efecto campo. 4-4 Determinacin de la carga
4-2 Estructura MIS. en el semiconductor.
4-3 Estructura MIS polarizada. 4-5 Capacidad de la estructura MIS.

Objetivos
Definir el concepto de transistor de efecto campo.
Clasificar distintos tipos de transistores de efecto campo.
Presentar el dispositivo de efecto campo ms usado hoy en da en electrnica: el
MOSFET.
Analizar de forma separada, como dispositivo aparte, una parte esencial de su
estructura: el dispositivo metal-aislante-semiconductor (MIS).
En esta estructura el objetivo prioritario ser establecer una relacin entre la
tensin aplicada a los terminales externos con magnitudes elctricas internas
como son la cada de potencial en el xido y en el semiconductor, y las cargas
existentes en el semiconductor, en el aislante y en la interfaz silicio-aislante.

Palabras Clave
Transistor de efecto campo. Estructura metal-aislante- Tensin de banda plana.
Resistencia controlada por semiconductor. Potencial de superficie.
tensin. Funcin trabajo de un Carga en el xido.
Corriente controlada por material. Estados superficiales.
tensin. MIS en acumulacin. Carga en el semiconductor.
Dispositivos unipolares. Regin de vaciamiento Capacidad MIS.
Terminales de puerta, fuente depletion.
y drenador. MIS en inversin.
4.1 Transistores de efecto campo

Transistor de efecto campo Son dispositivos de tres terminales unipolares pues en su


Es un dispositivo de tres funcionamiento interviene solo un tipo de portadores de carga. A travs
terminales, unipolar. La corriente de uno de esos terminales, denominado puerta, aplicaremos un campo
que circula entre dos de ellos se
elctrico, con el cual controlaremos la corriente que circula entre los otros
controla por la tensin aplicada al
dos terminales del dispositivo. A estos ltimos los denominaremos fuente
tercero. Dicho control se lleva a
cabo modificando el espesor del (donde salen los portadores de carga) y drenador (donde se recogen los
canal por el que circulan las portadores).
cargas. La idea original de transistor de efecto campo la encontramos en
unas patentes de Lilienfeld de 1926-28, donde se presentaba una
estructura en la que se poda controlar la carga de un canal semiconductor
Captulo 4

mediante una lmina metlica G.


G

D S

Figura 4.1.1 Idea original de transistor de efecto campo:


una lmina metlica G controla la carga de un
semiconductor (entre los terminales D y S).
El desarrollo de este tipo de transistores fue posterior al de los
transistores bipolares. Recordemos que tres investigadores, Shockley,
Brattain y Bardeen recibieron el premio Nobel por sus trabajos
encaminados a la invencin del transistor bipolar de unin a finales de la
dcada de los 40. Sin embargo, hoy en da el nmero de transistores de
efecto campo que se producen en un ao, en particular los transistores de
efecto campo metal xido semiconductor (MOSFET), superan con creces
a los transistores bipolares.
El estudio de los transistores de efecto campo se va a iniciar con
el MOSFET (Figura 4.1.2) por ser el transistor ms empleado en
electrnica [1]. En esta figura tambin se muestran otros transistores de
efecto campo como el transistor de efecto campo de unin (JFET). La
corriente que circula entre fuente y drenador se controla modificando la
tensin aplicada a una unin en inverso. Sus aplicaciones principales se
limitan a lo que se conoce como front-end electronics, que podra
traducirse como electrnica de choque. Existen ciertas situaciones donde
las condiciones de operacin son extremadamente desfavorables, como
existencia de radiacin. El transistor ms resistente es el JFET,
eligindose para trabajar en ellas. El anlisis de este transistor se llevar a
cabo en el captulo 6. En el captulo 7 se describir el funcionamiento del
transistor de efecto campo metal semiconductor (MESFET). La diferencia

98 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


con el anterior es que emplea una unin entre un metal y un
semiconductor en lugar de una unin semiconductora como parte esencial
de la estructura. Una variante de este transistor es el transistor de efecto
campo de alta movilidad (HFET), con aplicaciones en la regin de
microondas, y que emplea heterouniones semiconductoras para conseguir
un canal de electrones de movilidad elevada. Todas estas estructuras se
pueden contemplar en la Figura 4.1.2.
S G D
G
+ +
+ P +
S xido D + +
+ + + + + +
canal
N

Captulo 4
canal
Semiconductor

MOSFET JFET

S G D S G D

+++++
+++ n+ n+

canal
canal GE2D

sustrato
sustrato GaAs (i)

MESFET HFET

Figura 4.1.2 Diferentes estructuras de transistor de efecto


campo: MOSFET, JFET, MESFET Y HFET.

4.2 Estructura MIS

Antes de analizar la estructura completa de un MOSFET la


estudiaremos paso a paso. En primer lugar se estudiar un dispositivo de
dos terminales conocido con el nombre de metal aislante semiconductor
(MIS), que realmente es el pilar en el que se sustenta dicha estructura. Se
emplear la palabra aislante para hacer ms general este dispositivo,
aunque realmente la mayor parte de los casos el aislante ser el SiO2.
Consideremos las tres partes que constituyen la estructura MIS
por separado (Figura 4.2.1). Las vamos a caracterizar por su funcin
trabajo, , (s si se trata del semiconductor y m si se trata del metal).
Funcin trabajo, : Diferencia entre el nivel del vaco, E0, (nivel
que tendra un electrn libre en el vaco) y el nivel de Fermi del material,
EF.

SECCIN 4.2: ESTRUCTURA MIS 99


En la Figura 4.2.1 tambin se representa la afinidad electrnica
del semiconductor, s. Vamos a considerar que el semiconductor es tipo P
con lo que el nivel de Fermi est situado prximo a la banda de valencia.
Por otro lado consideremos el caso en el que la funcin trabajo del
semiconductor es menor que la del metal: s < m.

4.2.1 Estructura MIS en equilibrio


Si encontrramos la forma de que estos tres materiales entraran
en contacto y los dejramos evolucionar hacia el equilibrio, la estructura
de bandas de la nueva estructura sera diferente a la que presentan los tres
materiales por separado. Para que se alcance el equilibrio, y el nivel de
Fermi sea el mismo en el metal y en el semiconductor, necesariamente
debe haber una redistribucin de carga. En la Figura 4.2.1 vemos que el
Captulo 4

nivel de Fermi del semiconductor, EFs, est por encima del nivel de Fermi
del metal, EFm,. Para que se igualen los niveles de Fermi, en el
semiconductor se debera desocupar la banda de valencia de electrones y
en el metal debera ocuparse la banda de conduccin con ms electrones.
E0

s
s
EC
m
E Fi
E Fs
E Fm EV

Metal Aislante Semiconductor

M I S

Figura 4.2.1 Diagrama de bandas de cada una de las partes


constituyentes de la estructura MIS analizadas por
separado.
Al desocuparse la banda de valencia en el semiconductor, es
decir al llenarse con ms huecos, la banda de valencia tiende a acercarse
al nivel de Fermi (Figura 4.2.2). El acercamiento es mayor cuanto ms
Regin de acumulacin en un cerca nos encontremos del aislante. Lejos del aislante, la accin del
MIS: contacto deja de sentirse en el semiconductor con lo que la banda de
Los portadores mayoritarios del valencia est situada con respecto al nivel de Fermi en la misma posicin
semiconductor se acercan a la que en el caso de encontrarse el semiconductor aislado. La banda de
superficie prxima al aislante, conduccin se curva exactamente igual que la de valencia pues el ancho
aumentando su concentracin en
de la banda prohibida es una constante del semiconductor.
esa regin.
En esta situacin se dice que la estructura se encuentra en
acumulacin, por los huecos acumulados cerca de la superficie con el
aislante.

100 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


qV FB

m
s

EF

P
M I S

Captulo 4
Figura 4.2.2 Diagrama de bandas de la estructura MIS en
equilibrio.

4.3 Estructura MIS polarizada

Recordemos que nuestro objetivo con cualquier dispositivo es


aplicarle una diferencia de potencial entre sus terminales y encontrar la
corriente que circula por los mismos. En esta estructura la conexin de
una fuente de alimentacin entre el metal y el semiconductor no va a dar
como resultado una corriente pues entre ambos se encuentra un aislante
que acta de barrera. Sin embargo, es de gran inters analizar qu ocurre
en la estructura, pues ser fundamental para estudiar el MOSFET.
Definamos en primer lugar sus terminales (Figura 4.3.1). Llamaremos
puerta al terminal conectado al metal y sustrato al terminal conectado al
semiconductor

Puerta P Sustrato
M I S
VG

Figura 4.3.1 Estructura MIS polarizada.


4.3.1 Tensin de banda plana
Cuando aplicamos una diferencia de potencial entre el metal y el
semiconductor, aunque no exista una corriente, s habr una
reorganizacin de la carga en el mismo. Lo que es evidente es que si
aplicamos una tensin positiva a la puerta alejaremos los huecos de la
superficie con el aislante. Si la tensin es negativa lo que haremos ser
atraer ms hacia esa superficie. Lo primero que nos vamos a preguntar es
qu tensin debemos aplicarle al metal para que las bandas sean planas, es
decir para conseguir la misma concentracin de huecos en todo el
semiconductor e igual a la que tendra en el caso de estar aislado (Figura

SECCIN 4.3: ESTRUCTURA MIS POLARIZADA 101


4.3.2). A esa tensin la llamaremos tensin de banda plana, VFB. Para
lograr esa situacin debemos alejar los huecos acumulados en superficie.
Habr que aplicar una tensin positiva al metal. El nivel de Fermi en el
metal quedar por tanto desplazado del nivel de Fermi en el
semiconductor en una cantidad qVFB. En el caso de que no existan cargas
en la estructura (cargas en el xido o estados superficiales) que den lugar
a un campo elctrico adicional la tensin de banda plana ser igual a la
diferencia de funciones trabajo entre el metal y el semiconductor

EC

E Fi
EF
qVG=qVFB EV
Captulo 4

qVFB=m- s EF

Figura 4.3.2 Diagrama de bandas de la estructura MIS para


una tensin de puerta igual a la tensin de banda plana.
4.3.2 Regin de vaciamiento o deplexin
Cuando aplicamos una tensin positiva al metal mayor que la
Regin de deplexin: tensin de banda plana se siguen alejando huecos de la superficie,
Los portadores mayoritarios del
crendose un zona de carga espacial, compuesta por impurezas ionizadas
semiconductor se alejan de la
negativamente (Figura 4.3.3). Las bandas en el semiconductor se curvan
superficie prxima al aislante
dejando en esa regin una carga de forma que reflejen este fenmeno. Cerca de la superficie la banda de
fija formada por impurezas valencia se aleja del nivel de Fermi indicando la disminucin de huecos
ionizadas. en esa regin. A la curvatura total de las bandas la llamaremos qs, donde
s se denomina potencial de superficie.

Potencial de superficie,s: EC
qs
Referido a la curvatura mxima
de las bandas en el E Fi
semiconductor corresponde al EF
valor del potencial en la EV
qVG
superficie del semiconductor con
el aislante. EF
Zona de
vaciamiento

Figura 4.3.3 Diagrama de bandas de la estructura MIS en


deplexin. La regin sombreada indica la zona del
semiconductor donde se han eliminado los huecos por la
aplicacin de una tensin positiva a la puerta.
4.3.3 Regin de inversin
Si se aumenta la tensin positiva aplicada al metal no slo se
seguirn repeliendo huecos de la superficie sino que se atraern
portadores minoritarios (electrones). En la superficie se crear una capa

102 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


de inversin (carga mvil) que convivir con la zona de carga espacial
(carga fija) situada a continuacin de la capa de inversin (Figura 4.3.4).
Es primordial conocer el lmite entre la regin de vaciamiento y la regin
de inversin, es decir cundo existe solo carga fija y cundo aparece la Regin de inversin:
carga mvil. Para contestar esta pregunta debemos fijarnos en el diagrama Los portadores minoritarios del
de bandas de la estructura. Al aumentar la tensin aplicada al metal la semiconductor se acercan a la
banda de valencia se sigue alejando del nivel de Fermi, pero superficie prxima al aislante. Se
simultneamente la banda de conduccin se acerca al nivel de Fermi. produce un cambio en el tipo de
Llegar un momento en el que la diferencia entre el fondo de la banda de portadores existentes en esa
conduccin y el nivel de Fermi en la superficie se aproxime a la regin.
separacin entre el nivel de Fermi y el mximo de la banda de valencia en
la zona neutra del semiconductor, lejos de la superficie. Ese ser el
momento en el que se defina el lmite entre las regiones de deplexin e

Captulo 4
inversin. Se define dicho lmite entre regiones cuando se cumpla
s = 2 F con F = ( E Fi () E F ) / q .

qs

qV i
s

EC

E
m F E Fi
F

EV

qV G

Lmina de inversin Zona de vaciamiento

Figura 4.3.4 Diagrama de bandas de la estructura MIS en


inversin. La regin sombreada ms cercana al aislante
corresponde a la zona del semiconductor donde han
aparecido electrones.
La condicin anterior no es suficiente para determinar la
separacin entre las regiones de vaciamiento e inversin. Lo que
realmente se necesita conocer es la tensin aplicada a la puerta para que
aparezca la lmina de inversin de carga. A partir del diagrama de bandas
de la Figura 4.3.5 y haciendo uso de la ley de Gauss se puede relacionar el
potencial de superficie con la tensin entre terminales VG.
Para ello se definen dos volmenes delimitados por sendas
superficies cerradas, uno dentro del aislante y otro en el semiconductor,
tal y como se ven en la Figura 4.3.5. El volumen localizado en el
semiconductor comprende toda la carga por unidad de superficie existente
en este material, QS. Uno de los extremos de ese volumen se coloca dentro
del semiconductor pero muy prximo al aislante. En esa cara el campo

SECCIN 4.3: ESTRUCTURA MIS POLARIZADA 103


elctrico se denomina ES. El otro extremo se toma dentro de la zona
neutra del semiconductor donde el campo elctrico es nulo. La otra
superficie de Gauss se sita dentro del aislante de manera que incluya las
posibles cargas fijas por unidad de superficie que existen en el xido, Qox,
y la densidad de estados superficiales de la interfaz semiconductor-
aislante, QSS. Una superficie de contorno se elige dentro del aislante de
manera que el campo sea igual al campo del xido, Ei, y la otra en la
interfaz semiconductor-aislante pero dentro del semiconductor, de manera
que el campo corresponda al del semiconductor en ese punto, ES, y el
volumen contenga los estados superficiales.

qs

qV i
Captulo 4

Qs E=0
Es EC

E
m F E Fi
F

EV

Qox qVG
Ei Es
Qss

Figura 4.3.5 Relacin entre el campo y las cargas


existentes en diferentes regiones de la estructura MIS.
Aplicando la ley de Gauss a las dos superficies se obtiene:
Qs = - s E s
Vi - (4.1)
Qox + Q ss = - i E i + s E s = - i Qs
di
donde s y i son las constantes dielctricas del semiconductor y el
aislante respectivamente, Vi es la tensin que cae en el aislante y di es el
espesor del aislante.
Analizando el diagrama de bandas de la Figura 4.3.5 se puede
relacionar la tensin externa VG con el potencial de superficie s:

q V G = m - s + q s + q V i . (4.2)
Introduciendo las ecuaciones (4.1) en esta ltima se obtiene:
Q s + Q ss + Qox
q V G = ms + q s - q , (4.3)
C ox
donde COX es la capacidad del aislante por unidad de superficie,
COX = i / d i y di es el espesor del aislante.
Si se quiere calcular ahora la tensin de banda plana bastara con
anular la carga del semiconductor y el potencial de superficie. La tensin

104 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


de banda plana queda corregida por las cargas en el xido y en la interfaz
Si-SiO2:

Qss + Qox
q V FB = ms - q . (4.4)
C ox
La ecuacin (4.3) se puede expresar por tanto:

Qs
q V G = qVFB + q s - q . (4.5)
C ox

4.4 Determinacin de la carga en el semiconductor

La ecuacin (4.5) no es definitiva por cuanto se desconoce cul

Captulo 4
es el valor de la carga que existe en el semiconductor para un valor dado
de la tensin de puerta, QS = QS (VG ) . Ni siquiera se conoce la relacin
carga del semiconductor con el potencial de superficie, QS = QS ( S ) .
Esta relacin se puede obtener resolviendo la ecuacin de Poisson en el
semiconductor:

dV
2
(x) q(p - n - N A )
=- =-
s s
2
dx
qV qV (4.6)
p = p po e - KT , n = n po e KT ,
N A = p po - n po ,
donde p es la concentracin de huecos, n la de electrones, NA la
concentracin de impurezas aceptadoras, pp0 es la concentracin de
huecos en equilibrio, np0 la concentracin de electrones en equilibrio, S es
la constante dielctrica del semiconductor y V = V ( x) es el potencial en
un punto x del semiconductor (Figura 4.4.1). Se ha tomado como origen
x = 0 la interfaz aislante-semiconductor, y como origen de potenciales el
potencial de los electrones de la banda de conduccin situados en la zona
neutra del semiconductor.
Introduciendo los valores de n, p y NA en la ecuacin de Poisson
(4.6) y relacionando el campo elctrico con el potencial se obtiene:
2
dV q dE dE
= n po( e KT - 1) - p po( e - KT - 1) = -
qV qV
=E . (4.7)
dx
2
s dx dV
Integrando entre el borde de la zona de carga espacial con la
zona neutra, donde el campo y el potencial son nulos, y un punto x del
semiconductor se llega a:

SECCIN 4.3: ESTRUCTURA MIS POLARIZADA 105


(n )
V
q qV qV
2
E =2 po( e KT - 1) - p po( e - KT - 1) d V
s 0
(4.8)
KT - qV qV qV qV
=2 p po( e KT + - 1)+ n po( e KT - - 1)
s KT KT

SiO 2 Si

0 EC
qV
E
qF E Fi
F

EV

V
Captulo 4

Figura 4.4.1 Diagrama de bandas en el semiconductor de la


estructura MIS. Definicin del potencial V = V ( x) en un
punto x.
Introduciendo la longitud de Debye, LDp, y la funcin f definidas
como:

sKT ,
L Dp = 2
q NA
1 (4.9)
qV qV n po qV qV 2
f = ( e - KT + - 1)+ ( e KT - - 1) ,
KT p po KT

donde el signo negativo se emplea para semiconductores N y el signo
positivo para semiconductores P, se puede escribir el campo elctrico
como:
KT
E= 2 f . (4.10)
q L Dp
Se puede calcular el campo en la superficie del semiconductor,
ES, sin ms que particularizar el valor del potencial V por el potencial de
superficie s:

KT q s
Es = 2 f . (4.11)
q L Dp KT
Conocido este campo podemos calcular la carga que existe en el
semiconductor.
| Q s |= s | E s | . (4.12)
En acumulacin e inversin los trminos que dominan en la
funcin f son los exponenciales, obtenindose un crecimiento de la carga

106 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


en estas regiones a medida que aumenta el valor absoluto de la tensin
aplicada a la puerta:
q| s|
| Q s | e 2KT . (4.13)

En la regin de vaciamiento quienes dominan son los trminos


lineales dentro de la raz, pudindose aproximar la carga por:

2 KT q s 2 KT q s
| Qs | s 1 s = 2 s q N A s . (4.14)
qL Dp KT qL Dp KT
A partir de esta expresin se puede estimar el ancho de la zona
de carga espacial sin ms que igualar:

| QS |= qN AW = 2 s q N A s , (4.15)

Captulo 4
de donde se obtiene una expresin muy similar a la de la anchura de la
zona de carga espacial en una unin pn:

2 s s
W = . (4.16)
qNA

4.5 Capacidad de la estructura MIS

Si se somete a la estructura a variaciones de tensin la carga


almacenada en el semiconductor tambin se ver alterada. Esto da lugar a
unos efectos capacitivos que se pueden cuantificar sin ms que derivar
(4.12) respecto al potencial de superficie:
dQ s
Cs = A ,
d s
-q s n po q s
| (1 - e KT )+ ( e KT - 1)|
sq N A
2
p po (4.17)
C s = A 1
2KT -q q 2
s n po q q s s
( e KT + - 1)
s
- 1)+ ( e KT -
KT p po KT
Si se representa esta funcin se puede ver que el valor de la
capacidad tiende rpidamente a infinito cuando la estructura se adentra
mucho en acumulacin o inversin. Esto es lgico pues a medida que se
penetra en esas dos regiones la concentracin de portadores mviles ir en
aumento, incrementndose tambin la capacidad.
Sin embargo, una cosa es el valor terico de la capacidad
asociada al semiconductor y otra bien distinta es la capacidad real de la
estructura. sta es la combinacin serie de la capacidad que se acaba de
calcular con la capacidad que presenta el xido, COX tal y como se
muestra en la Figura 4.5.1.

SECCIN 4.4: DETERMINACIN DE LA CARGA EN EL SEMICONDUCTOR 107


C OX CS

Figura 4.5.1 Modelo de capacidad de la estructura MIS.


Est compuesta por la capacidad del aislante y la capacidad
del semiconductor C = COX // C S .
Como la capacidad del xido toma un valor constante,
independientemente de la tensin externa aplicada, la capacidad
equivalente en las regiones de inversin y acumulacin coincidir con la
capacidad del xido COX. (Figura 4.5.2)
C
Captulo 4

Acumulacin Inversin
COX C OX

VG

Figura 4.5.2 Capacidad vista entre los terminales de la


estructura MIS.
Esta curva es vlida a bajas frecuencias. La razn es que los
portadores que constituyen el canal son portadores minoritarios que
provienen de todo el semiconductor. Si aumentamos la frecuencia puede
ocurrir que no le demos tiempo a estos portadores minoritarios a acercarse
y retirarse del canal de inversin a la misma velocidad a la que cambia la
tensin externa. Por tanto, aunque tengamos canal de inversin, ste no se
modifica, por lo que no se apreciar el crecimiento de la capacidad en
dicha regin. Se observar lo que se muestra en la Figura 4.5.3 en lnea
discontinua:
C

Acumulacin Inversin
LF

HF

VG

Figura 4.5.3 Capacidad vista entre los terminales de la


estructura MIS en alta y baja frecuencia. La separacin
entre ambas regiones la define el tiempo que tardan los
electrones del semiconductor en crear la lmina de
inversin bajo el aislante.

108 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


RESUMEN
En este captulo se ha descrito la parte fundamental del
MOSFET: la estructura Metal-Aislante-Semiconductor. Se han estudiado
las diferentes regiones en las que se puede encontrar este dispositivo de
dos terminales y como evoluciona la carga del semiconductor al pasar de
una regin a otra. Se han definido las magnitudes elctricas ms
significativas de la estructura. Se ha definido el valor de la tensin de
puerta necesaria para que aparezca el canal de inversin de carga. Se ha
encontrado una relacin entre la carga almacenada en el semiconductor y
la tensin externa aplicada a los terminales del dispositivo. Por ltimo se
ha encontrado una expresin para la capacidad de la estructura.

Captulo 4
CUESTIONES Y PROBLEMAS

1. Considerar una estructura MIS donde el semiconductor es de


silicio tipo P con una concentracin de impurezas aceptadoras
NA=1016 cm-3 y el aislante es SiO2. Cul es el potencial V(x) en el
semiconductor de una estructura MOS en inversin, calculado en
direccin perpendicular a la superficie Si-SiO2? Cul sera la
concentracin de electrones en el canal de inversin en esa misma
direccin? Cul es la carga asociada al canal de inversin? Y la
carga almacenada en la regin de vaciamiento?
La solucin a este problema depende del modelo que se utilice.
Podemos tener en cuenta o no la cuantizacin en la lmina de
inversin de carga. Hay que pensar que los electrones se
encuentran confinados en una capa muy delgada, dentro de un
pozo de potencial. Los estados permitidos de los electrones en ese
pozo realmente estn cuantizados. Aun despreciando la
cuantizacin lo que s deberamos usar es el hecho de la
degeneracin del semiconductor en esa lmina (el nivel de Fermi
sobrepasa con creces el fondo de la banda de conduccin).
A pesar de ello en este problema se propone estimar la
concentracin de electrones en el canal admitiendo que no existe
ni cuantizacin ni degeneracin.
Para obtener la solucin a este problema se propone resolver las
siguientes cuestiones:
a) Plantear la ecuacin de Poisson en el semiconductor, desde
la superficie con el xido hasta el borde de la zona de carga
espacial con la zona neutra, admitiendo que slo existen
impurezas ionizadas, despreciando los electrones y los
huecos.
b) Obtener el valor del campo elctrico en la misma regin.

CUESTIONES Y PROBLEMAS 109


c) Integrar una vez ms para obtener la expresin del potencial.
d) A partir de la distribucin de potencial calcular la
concentracin de electrones en esa regin, n (x ). Integrar la
expresin resultante a toda la regin para extraer la carga de
inversin por unidad de superficie QI.
e) Evaluar la anchura de la zona de carga espacial W y calcular
la carga por unidad de superficie, QB, asociada a esta regin.
f) Calcular la carga del semiconductor por unidad de superficie,
QS, de acuerdo con el modelo utilizado en este captulo.
g) Comprobar si esta QS, calculada con el modelo anterior, es
igual a la suma QI + QB , obtenidas con el modelo propuesto
en este problema. Identificar las posibles discrepancias.
Captulo 4

h) Representar la densidad de electrones y la densidad de


impurezas ionizadas a lo largo del semiconductor.
Considerar tres casos (S =1.5F, S =2.0F, S =2.2F) para
analizar cmo evolucionan estas magnitudes con el paso de la
zona de deplexin a inversin. Simular este transistor con
PISCES y comparar el resultado con el obtenido
analticamente.
2. Considrese la estructura MIS de la Figura P.1. en el que el
semiconductor de silicio est dopado con impurezas aceptadoras
en concentracin 1015 cm3. Se quiere comparar cul es la
densidad de electrones en fuerte inversin (S =2F ) y en dbil
inversin (S =F ).Evaluar la densidad de electrones en estos dos
casos justo en la superficie Si-SiO2.

EC

qS
E Fi
qF
EF
EV

SiO 2 Si

Figura P.1.

110 CAPTULO 4 ESTRUCTURA METAL AISLANTE SEMICONDUCTOR.


REFERENCIAS

[1] Y. P. Tsividis, Operation and modeling of the MOS Transistor.


McGraw Hill, New York, 1987.

Captulo 4

CUESTIONES Y PROBLEMAS 111


Captulo

5
Captulo
EL TRANSISTOR DE
EFECTO CAMPO MOS
(MOSFET).

Transistor
MOSFET. Estados
On y Off.
ndice
5-1 Estructura y smbolos de circuito. 5-7 Respuesta en frecuencia del
5-2 Modo de operacin. MOSFET.
5-3 Caracterstica de gran seal. 5-8 Efectos de canal corto.
5-4 Curvas caractersticas del MOSFET. 5-9 Conduccin subumbral en MOSFETs.
5-5 Modelos de circuito del MOSFET. 5-10 Corriente en el sustrato de
5-6 Uso de los modelos del MOSFET en MOSFETs.
circuitos.

Objetivos
Descripcin del transistor completo, partiendo de la estructura MIS, con el fin de
encontrar la caracterstica corriente tensin.
Encontrar las relaciones entre las corrientes que circulan por los tres terminales
con las diferencias de potencial existentes entre ellos. Para ello se har uso de un
modelo de canal gradual y se considerarn campos elctricos bajos.
Encontrar un modelo lineal a partir de las relaciones no lineales obtenidas entre
estas magnitudes. El objeto es simplificar el anlisis de los circuitos que
contengan a este tipo de dispositivos.
Descripcin de los modelos de gran seal y pequea seal. Encontrar esos
modelos lleva consigo sustituir el dispositivo por un circuito equivalente donde
aparezcan exclusivamente elementos con caracterstica I-V lineal.
Mostrar como se utilizan estos modelos en el anlisis de circuitos con MOSFETs.
Anlisis de un caso concreto: estudio de la respuesta en frecuencia del
dispositivo.
Introduccin de otros mecanismos en los modelos. Efecto de campos elctricos
elevados en el canal, corriente subumbral y la corriente a travs del sustrato.

Palabras Clave
MOSFET de enriquecimiento Regin triodo. Frecuencia para ganancia en
(normally off). Regin de saturacin. corriente en cortocircuito
MOSFET de deplexin Modulacin de la longitud del unidad.
(normally on). canal. Efectos de canal corto.
Canal de inversin de carga. Modelo de gran seal. Velocidad de saturacin.
Tensin umbral. Modelo de pequea seal. Conduccin subumbral.
Efecto body. Corriente en el sustrato.
Caracterstica I-V.
5.1 Estructura y smbolos de circuito

Una vez que se han asentado las bases de parte de este transistor,
como es la estructura metal-aislante-semiconductor, ya se est en
condiciones de abordar el estudio de la estructura completa. El dispositivo
se muestra en la Figura 5.1.1.
G
S D

MOSFET: SiO2
SiO2
SiO2
Transistor de efecto campo
+ +
basado en la estructura MIS. La n n
tensin aplicada a la puerta Contacto metlico
controla el espesor del canal, que o de polisilicio
une fuente y drenador, y en
consecuencia controla la Sustrato p L
corriente que por l circula.
Captulo 5

Figura 5.1.1 Estructura de un MOSFET de canal N.


Definicin de los contactos de fuente, S, puerta,G,
drenador, D, y sustrato, B, y de la longitud del canal, L.
En esta estructura se distinguen cuatro terminales: puerta, G, y
sustrato, B, definidos en la estructura MIS, y dos terminales ms:
drenador, D, y fuente, S. Se llaman as estos ltimos porque entre
drenador y fuente circula una corriente de forma que los portadores parten
de la fuente y llegan al drenador. En esta figura el semiconductor del
sustrato es silicio tipo P y los contactos de drenador y fuente son
contactos hmicos realizados sobre semiconductores N+. El aislante es el
propio xido del semiconductor, SiO2. Para que exista corriente entre
fuente y drenador es necesario establecer un camino por el cual fluya la
misma. Eso slo es posible si se crea una lmina de inversin de carga de
electrones que una las dos regiones N+. Para ello hay que aplicar una
tensin apropiada a la puerta.
Se pueden encontrar otras variedades de transistor MOSFET,
distintas a las presentadas en la Figura 5.1.1, dependiendo del tipo de
sustrato y si introducimos un canal entre fuente y drenador durante el
proceso de fabricacin del dispositivo. Se tienen los siguientes tipos de
MOSFET:
MOSFET de canal N de enriquecimiento (normally off): el
sustrato semiconductor es tipo P y no existe canal a menos que
apliquemos la tensin necesaria a la puerta para que esto ocurra.

114 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


MOSFET de canal P de enriquecimiento (normally off): el sustrato
semiconductor es tipo N y no existe canal a menos que apliquemos la
tensin necesaria a la puerta para que esto ocurra.
MOSFET de canal N de deplexin (normally on): el sustrato
semiconductor es tipo P y existe canal a tensin de puerta nula. Se puede
hacer desaparecer al canal con la aplicacin una tensin apropiada a la
puerta.
MOSFET de canal P de deplexin (normally on): el sustrato
semiconductor es tipo N y existe canal a tensin de puerta nula. Se puede
hacer desaparecer al canal con la aplicacin una tensin apropiada a la
puerta.
Cada uno de estos cuatro transistores se puede representar con
una pareja de smbolos como se muestran en la Figura 5.1.2. En el
smbolo de la izquierda de cada pareja aparece una flecha que nos indica
el sentido real de la corriente. En el smbolo de la derecha la punta de la
flecha nos indica que el sustrato o el canal es tipo N (dependiendo hacia
donde apunte la flecha).

Captulo 5
D D D D

Canal n G B G B G G B

S S S S

D D D D

Canal p G B G B G G B

S S S S
Enriquecimiento Deplexin
normally off normally on

Figura 5.1.2 Smbolos del MOSFET empleados en


circuitos. Hay cuatro modalidades dependiento del tipo del
canal y de si existe canal o no bajo tensin nula.

5.2 Clculo cualitativo de la caracterstica corriente-


tensin

5.2.1 Modo de operacin


La idea de estos transistores, como cualquier otro de efecto
campo, es poder controlar la corriente que circula por un canal
semiconductor mediante la aplicacin de un campo elctrico. En el caso
del MOSFET, el canal semiconductor lo constituye la lmina de inversin
de carga prxima a la superficie con el xido; la corriente fluye entre
drenador y fuente y el campo elctrico que controla el canal se aplica a la
puerta. En el caso de un transistor canal N de enriquecimiento, como el de
la Figura 5.2.1, para que exista canal es necesario aplicar una tensin
positiva, VGS. Por un lado repele los huecos de la superficie con el xido

SECCIN 5.1: ESTRUCTURA Y SMBOLOS DE CIRCUITO 115


(crendose una zona de carga espacial) y por otro atrae electrones
(formndose el canal propiamente dicho).
+
- VGS
Tensin umbral: S G D
Tensin aplicada a la puerta
necesaria para que aparezca la
lmina de inversin de carga y, + Canal n +
n n
por tanto, posibilite la conduccin
entre drenador y fuente. Zona de
carga espacial

Sustrato p L

Figura 5.2.1 MOSFET con canal de inversin de carga


bajo la puerta.
A la tensin aplicada a la puerta necesaria para que empiece a
crearse el canal se le conoce con el nombre de tensin umbral, VGS = Vt.
Captulo 5

Este es uno de los parmetros ms importantes de este dispositivo pues es


quien nos delimita los regmenes de conduccin y no conduccin en el
MOSFET. Su estudio es tema prioritario, aunque antes de abordarlo es
conveniente estudiar el efecto del terminal conectado al sustrato.
5.2.2 Efecto body
En el captulo 4 se calcul la carga que exista en el
semiconductor de una estructura MIS. En particular se calcul la carga de
la zona de carga espacial cuando la estructura operaba en deplexin.
Evaluando el valor de esa carga para el inicio de la regin de inversin
( S = 2 f ) se tiene que la carga de la regin de vaciamiento, Qbo, vale:

Q bo = - 2q N A s 2 f . (5.1)
En la Figura 5.2.1 se observa que el canal est a cero voltios,
pues estn conectados a tierra el drenador y la fuente. El sustrato tambin
se encuentra conectado a tierra. Si se observa exclusivamente el
semiconductor se puede ver una unin pn con los dos extremos a tierra. Si
ahora se aplicase una tensin negativa al sustrato (pues no interesa que
circule corriente en esa unin pn) esta tensin se empleara en aumentar la
zona de carga espacial que existe debajo del canal. El nuevo valor de la
carga, Qb, dependera de la diferencia de potencial aplicada entre el
sustrato y fuente, VSB:

Qb = - 2q N A s (2 f + V SB ) . (5.2)
Por regla general, la aplicacin de tensiones al sustrato no se
hace de manera intencionada. Lo ms conveniente sera no aadir
dificultad al estudio del dispositivo y conectar el sustrato al valor ms

116 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


bajo de todas las tensiones que existan en el resto del mismo (con el fin de
que la unin pn que se forma entre canal y sustrato no quede nunca
polarizada en directo y no fluyan corrientes parsitas hacia el sustrato). En
este caso, si se usan dos fuentes de alimentacin para que funcione
correctamente el dispositivo, una entre puerta y fuente, VGS, para controlar
la existencia de canal, y otra entre drenador y fuente, VDS, para hacer
circular una corriente entre el dispositivo, el sustrato debera conectarse a
tierra, al igual que la fuente (Figura 5.2.2).
+ +
- VGS - V DS
S G D

+ Canal n +
n n

Zona de
carga espacial

Sustrato p L

Captulo 5
B

Figura 5.2.2 MOSFET de canal N con fuentes de


alimentacin en la puerta y el drenador.
Sin embargo, los dispositivos, al formar parte de un circuito, no
se encuentran aislados sino que se encuentran conectados a otros
elementos iguales o distintos. Consideremos a modo de ejemplo el
circuito de la Figura 5.2.3, formado por dos transistores MOSFET de
canal N.
VDD

D
V G1
S

D
V G2
S

Figura 5.2.3 Combinacin de dos MOSFETs en un circuito


en el que se hace presente el efecto body.
Las tensiones VDD, VG1 y VG2 son positivas. Obsrvese como se
ha conectado el sustrato de los dos transistores al valor ms bajo de
tensin que existe en el circuito, en este caso a tierra. Sin embargo,
tambin se observa que mientras en el transistor 2 VSB 2 = 0 , en el
transistor 1 VSB1 > 0 . Ejemplos como este se pueden encontrar en
muchos circuitos con MOSFETs. Para hacer ms general el estudio de

SECCIN 5.2: MODO DE OPERACIN 117


este transistor se deber tener en cuenta que la diferencia de potencial
entre fuente y sustrato es mayor o igual que cero ( VSB 0 ).

5.2.3 Clculo de la tensin umbral Vt


En el captulo 4 se obtuvo una relacin entre la tensin aplicada a
la puerta, VG, con el potencial de superficie,S , y la carga almacenada en
el semiconductor de un MIS, QS . Si particularizamos ahora para el inicio
de la regin de inversin, VGS VG = Vt , la carga en el semiconductor ser
debida exclusivamente a la carga de la zona de vaciamiento, QS = Qb , y
el potencial de superficie tomar el valor S = 2 F . La relacin queda
por tanto:
ms Q b Q ss + Q ox
Vt= + 2 f -- =
q C ox C ox
Q Q + Q ox Q b - Q bo
= ms + 2 f - bo - ss - ,
q C ox C ox C ox
(5.3)
Captulo 5

V t = V t0 + ( 2 f + V SB - 2 f ),

=
1
2q s N A , C ox =
ox ,
C ox t ox
donde se ha definido Vt0 como la tensin umbral para VSB=0. Valores
tpicos para el parmetro y la capacidad del xido por unidad de
superficie COX son: = 0.5 V1/2 , C ox = 3.5 104 pF m 2 .
La tensin umbral Vt0 se puede controlar aadiendo impurezas
aceptadoras al semiconductor. Este es uno de los parmetros de diseo
ms relevantes del transistor por lo que su control resulta primordial. Para
espesores del xido de unas 0.1 m Vt0 puede oscilar entre 0.5 y 1.5 V.
Si las impurezas se introducen en una capa muy delgada prxima
a la superficie del semiconductor la variacin de la tensin umbral vendr
dada por:
Qi
V t = , (5.4)
C ox
donde Qi es la carga introducida por unidad de superficie. Si las nuevas
impurezas penetran una distancia considerable en el semiconductor habra
que recalcular la expresin (5.3) con los nuevos dopados.
Tambin se puede controlar la tensin umbral aadiendo
impurezas donadoras, es decir, implantado un canal tipo N, con lo que
tendramos un MOSFET canal N de deplexin. En este caso se pueden
conseguir valores de tensin umbral, Vt0, entre 1 y 4 V.

118 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


5.3 Caracterstica de gran seal

5.3.1 Modelo cualitativo


Consideremos la estructura MOSFET polarizada con las fuentes
de alimentacin que se muestran en la Figura 5.3.1. Para obtener las
relaciones corriente tensin en un MOSFET habr que relacionar la
corriente que circula entre drenador y fuente con las diferencias de
potencial VGS, VDS y VSB. No existen otras corrientes en el dispositivo, o al
menos apreciables, pues en el terminal de puerta nos encontramos un
aislante y en el terminal de sustrato una unin polarizada en inverso.
+ +
- VGS - V DS
S G D

+ +
n n

Captulo 5
0 V(y) V DS V
Sustrato p 0 y y+dy L y
-
B VSB
+

Figura 5.3.1 MOSFET de canal N. Definicin del potencial


V(y) en un elemento de longitud del canal situado a una
distancia y de la fuente.
En primer lugar se va a fijar la tensin VGS de forma que exista
canal de conduccin, y se va a estudiar qu ocurre cuando se vara la
tensin VDS. La existencia de una diferencia de potencial entre drenador y
fuente hace que la diferencia de potencial entre el metal de puerta y
cualquier punto del canal sea diferente segn la posicin en el canal. As,
en el extremo de fuente la diferencia de potencial puerta-canal coincidir
con VGS, pero en el extremo de drenador esa diferencia de potencial ser
igual a VGD = VGS VDS . Si llamamos V(y) a la tensin de un punto y del
canal, con V(y) variando entre V (0) = 0 y V ( L) = VDS , la diferencia de
potencial puerta-canal en ese punto y ser VGS V ( y ) . Esto significa que
si la tensin puerta canal vara con la posicin tambin variar el tamao
del canal de conduccin. Nos podemos encontrar con las situaciones que
se muestran en la Figura 5.3.2 dependiendo del valor de la tensin VDS :
(a) Para valores bajos de la tensin VDS el canal se puede considerar
uniforme.
(b) Para valores superiores s es apreciable la diferencia de espesor del
canal entre fuente y drenador.

SECCIN 5.3: CARACTERSTICA DE GRAN SEAL 119


(c) Si se sigue aumentando la tensin VDS llegar un momento que se
agote el canal. Eso ocurre cuando se d la condicin VGD = Vt . Al
valor de la tensin VDS que permite que esto ocurra se le denomina
VDSsat.
(d) Para valores ms altos de VDSsat. El agotamiento del canal tendr lugar
en lugares cada vez ms alejados del drenador.
S G D

V DS bajo
+ +
n n
(a)

S G D

V DS mayor
+ +
n n
Captulo 5

(b)

S G D

VGS-VDS=Vt
+ + VDSsatVGS-Vt
n n
(c)

S G D

V DS>V DSsat
+ +
n n
(d)

VDS

Figura 5.3.2 Evolucin del canal de un MOSFET cuando


se modifica la tensin VDS para un valor fijo de la tensin
VGS.
La corriente que circula por el canal tambin depende de cada
una de las situaciones anteriores (Figura 5.3.3).
(a) En este caso el canal se comporta como una resistencia cuya forma
geomtrica corresponde a un paraleleppedo. La relacin corriente
tensin ser lineal.
(b) En esta regin tenemos de nuevo un trozo de semiconductor, por lo
que tendremos un comportamiento resistivo. Sin embargo, la seccin

120 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


de este semiconductor en uno de sus extremos se va haciendo ms
pequea de forma progresiva. Eso significa que la resistencia que
presenta es mayor a medida que aumenta la tensin VDS. En
consecuencia, la pendiente de la curva I-V ir disminuyendo hasta
anularse.
(c) Punto de agotamiento del canal en el drenador. Es el punto donde se
anula la pendiente de la curva I-V.
ID

(c)

VDSsat

Captulo 5
V DS
(a) (b) (d)

Figura 5.3.3 Evolucin de la corriente que circula por el


canal de un MOSFET para los casos definidos en la Figura
5.3.2.
(d) A partir de ese punto el agotamiento del canal se desplaza hacia la
fuente. Se aprecia una regin con carga de inversin con forma
triangular en la que existe una diferencia de potencial entre sus
extremos igual a VDSsat (condicin de agotamiento del canal). Si
admitisemos que la longitud de esa cua no disminuye mucho con la
tensin VDS, al no variar la forma de manera apreciable y al tener
siempre aplicada la misma diferencia de potencial, tendramos la
misma corriente. Esto realmente no es cierto pues la longitud de esa
regin de carga de inversin se hace ms pequea con lo que su
resistencia disminuira y la pendiente de la curva I-V se hara mayor.
Esto se conoce como efecto de la longitud efectiva del canal y lo
trataremos ms adelante. Podran hacerse dos objeciones al clculo de
la corriente en esta regin: (i) Que la corriente se anule por agotarse
los portadores en parte del canal. (ii) Que la velocidad de los
electrones se haga infinita para poder mantener una corriente finita
con una densidad de electrones nula. A la primera objecin se
responde diciendo que si en parte del canal hay portadores
disponibles y existe una diferencia de potencial entre sus extremos,
necesariamente habr un flujo de electrones. Este flujo de portadores
no podr detenerse de forma brusca en el extremo donde se agota el
canal a menos que exista otra fuerza opuesta. Realmente hay
electrones atravesando todo el canal, por lo que el canal no se elimina

SECCIN 5.3: CARACTERSTICA DE GRAN SEAL 121


por completo. Tendr el tamao necesario para permitir ese flujo de
electrones. Esto responde tambin a la segunda objecin, pues si
existe canal ya no es necesario hacer tender la corriente a infinito,
hecho que no sera justificable fsicamente.
5.3.2 Modelo cuantitativo
Una vez descrito el comportamiento cualitativo del MOSFET
vamos a encontrar expresiones analticas para la caracterstica corriente
tensin. Para ello vamos a dividir el canal en unidades de longitud
infinitesimales de manera que podamos considerar uniforme el espesor
del canal en cada elemento (Figura 5.3.1). Sea dy la longitud de ese canal
infinitesimal, e y su distancia a la fuente. Como hiptesis se va a
considerar que la carga inducida en el canal por unidad de superficie se
puede expresar como:
QI ( y ) = C ox (VGS V ( y ) Vt ) . (5.5)
El significado de esta expresin es que toda la tensin aplicada
entre la puerta y el canal, (VGS V ( y )) , que supere la tensin umbral Vt se
Captulo 5

emplea en aumentar la carga de la lmina de inversin. Estrictamente esto


no es cierto, porque parte de la tensin aplicada se emplea tambin en
aumentar la carga de la zona de vaciamiento. Sin embargo, para establecer
un primer contacto con este dispositivo se asumir esta hiptesis.
La resistencia de este elemento del canal vendr dada por:
dy
dR = , (5.6)
W n Q I (y)
donde W es la profundidad del dispositivo y n es la movilidad de los
electrones.
La diferencia de potencial en los extremos de ese elemento ser

dV = I D dR = ID dy , (5.7)
W n Q I (y)
donde ID es la corriente que atraviesa el canal. Integrando la expresin
anterior a lo largo del canal se obtiene
L V DS V DS

I D dy = W Q (y)dV = W C
n I n ox (VGS -V -Vt )dV ,
0 o 0

k'W
ID= 2( V GS - V t )V DS - V 2DS , (5.8)
2 L
k = nC ox = n
ox .
t ox
Esta funcin es una parbola que presenta un mximo para
VDS = VGS Vt , justo el valor del agotamiento del canal en el drenador. A
partir de ese valor no tiene sentido usar la expresin parablica pues eso
implicara una disminucin de la corriente. Hemos visto que a partir del

122 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


valor de la tensin de agotamiento la corriente se mantiene constante,
tomando el valor del mximo. La expresin de la corriente en todo el
rango de tensiones quedara de la forma: Regin triodo:
El canal no se ha agotado en
k'W ningn punto del trayecto entre
ID= 2( V GS - V t )V DS - V 2DS VDS < VGS Vt ,
2 L drenador y fuente.
(5.9)
k W
VDS VGS Vt .
2
ID= ( V GS - V t )
Regin lineal:
2 L
Caso particular de la regin
Cuando el transistor se encuentra en la primera regin (tensiones triodo donde el espesor del canal
inferiores al valor de agotamiento) se dice que trabaja en la regin triodo se puede considerar uniforme a
y cuando se encuentra en la segunda se dice que trabaja en saturacin (por lo largo del mismo (en algunas
el valor constante de la corriente). ocasiones se utilizan como
sinnimas esta regin y la triodo).
5.3.3 Correccin por la modulacin del canal
Se ha mencionado anteriormente que la corriente no es Regin de saturacin:
exactamente constante una vez que aparece el agotamiento del canal en la El canal de inversin desaparece
en las proximidades del contacto
regin de drenador. Para tener en cuenta la longitud real del canal se
de drenador.
debera sustituir el parmetro longitud fsica, L, por longitud efectiva,
Leff = L xd , donde xd es la distancia que separa el punto de agotamiento

Captulo 5
en el canal del drenador (Figura 5.3.4). Introduciendo esta variable, la
corriente en la regin de saturacin quedara:

k W
VDS VGS Vt .
2
ID = ( V GS - V t ) (5.10)
2 L eff

G
S D

n+ n+

Leff xd

Figura 5.3.4 Definicin de la longitud efectiva del canal en


un MOSFET trabajando en la regin de saturacin.
Esta expresin presenta un problema: se desconoce cul es la
variacin de Leff con la tensin VDS. Sera muy til encontrar un parmetro
que modelara este efecto sin tener que encontrar la forma de la funcin
Leff = Leff (VDS ) . Para ello se calcula la pendiente de la corriente en la
regin de saturacin:
ID k W 2 dL eff I dx d
=- ( V GS - V t ) = d . (5.11)
V DS 2 Leff dV DS L eff d V DS

SECCIN 5.3: CARACTERSTICA DE GRAN SEAL 123


Si en la expresin anterior agrupamos en un trmino todo lo que
depende de la corriente y en el otro trmino lo que no depende de ella
encontramos:
-1
ID = dxd
Leff .
ID dV DS (5.12)
V DS
Definiendo los parmetros tensin Early, VA, y como:
-1
dx d 1
V A L eff (0.05-0.005 V -1 ), (5.13)
dV DS VA
podemos escribir la corriente en la regin de saturacin empleando este
ltimo parmetro:
k W
( V GS - V t ) (1+ V DS ) .
2
ID= (5.14)
2 L
De acuerdo con la definicin de la tensin Early, VA es un
parmetro que es independiente de la corriente ID. Se puede comprobar
Captulo 5

que es un parmetro nico para todo el dispositivo sin ms que evaluar el


cociente I D /(I D / VDS ) para cualquier curva I D VDS , tal y como se
observa en la Figura 5.3.5. El resultado de ese cociente es realmente la
base de todos los tringulos mostrados en la figura. Como se observa esa
base es comn a todos ellos. Los tringulos se construyen a partir de la
extrapolacin de las curvas I-V en saturacin hacia valores negativos de la
tensin.
ID

ID
/ V D
S

I D

VA V DS

Figura 5.3.5 Significado de la tensin Early. Base comn a


todos los tringulos construidos extrapolando las curvas I-V
en saturacin.

Ejemplo 5.1

El modelo empleado para calcular la caracterstica I-V en un


MOSFET considera que una variacin del potencial V(y) en un
punto y del canal slo afecta a la carga del canal de inversin y no a
la carga de la regin de vaciamiento, que coexiste debajo del canal,

124 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


segn se desprende de la ecuacin (5.5). En este ejemplo se
pretende deducir una nueva expresin para la corriente
I D = I D (VDS , VGS ) en un MOSFET incluyendo los efectos de la zona
de carga espacial.

Solucin.

Una forma ms correcta de calcular dicha corriente es


considerar que la carga de deplexin tambin se ve afectada
por ese potencial V ( y ) :

ms Q ss + Q ox Qb
Vt= - + 2 f - = V FB + 2 F + 2 F +V(y),
q C ox C ox
(5.15)
ms Q ss + Q ox
V FB = - .
q C ox

De esta forma la carga en inversin se puede escribir


como:

Q I (y) = - C ox ( V GS - V FB - 2 F - V(y) - 2 F + V(y) ) . (5.16)

Captulo 5
Para calcular la corriente se sustituye esta nueva
expresin de QI ( y ) en (5.6):

dy
dR = ,
nW C ox [ V GS - V FB - 2 F -V(y) - 2 F +V(y) ]

L V DS

I dy = C W[ V
0
D
0
n ox GS - V FB - 2 F -V(y) - 2 F +V(y) ]dV , (5.17)

W V DS 2 3 3

I D = nC ox [( V GS - V FB - 2 F ) - 2 ]V DS - 3 [(2 F - V DS ) - (2 F ) ] .
2 2
L

Si se desarrolla en serie el siguiente trmino:

3 3 3 1 3 1
(2 F + V DS )2 = (2 F )2 + (2 F )2 V DS + (2 F ) 2 V DS 2 + .. .
-
(5.18)
2 8

y admitimos que trabajamos a tensiones tales que VDS < 2 F


podemos quedarnos con los dos primeros trminos del
desarrollo, con lo quedara una corriente igual a la que se ha
obtenido en (5.9). Para tensiones VDS ms elevadas
deberemos incluir el tercer trmino del desarrollo en serie
con lo que la corriente tomar la forma:

SECCIN 5.3: CARACTERSTICA DE GRAN SEAL 125


K W
ID= 2( V GS - V t )V DS - (1+ )V 2DS V DS < V DSsat ,
2 L
K W ( V GS - V t )
2

ID= V DS > V DSsat , . (5.19)


2 L (1+ )
( V GS - V t )
= V DSsat = .
2 2 F (1+ )

5.4 Curvas caractersticas del MOSFET

En un MOSFET se puede trabajar con dos tipos de curvas I-V


(Figura 5.4.1). En una se representa la corriente de drenador, ID, en
funcin de la tensin drenador-fuente, VDS, manteniendo como parmetro
la tensin puerta fuente VGS. Se puede ver como al aumentar VGS la
corriente tambin lo hace. En esa grfica se pueden distinguir las regiones
hmica o triodo, la de saturacin y la regin de corte, caracterizada esta
ltima porque no circula corriente por el transistor. En la otra grfica se
Captulo 5

hace una representacin de la corriente de drenador en funcin de la


tensin puerta fuente, VGS, en la regin de saturacin. Dependiendo del
valor de la tensin fuente sustrato se tendrn diferentes valores para la
tensin umbral, y por tanto una menor corriente si aumenta VSB.

Regin de
ID Regin 300
saturacin
hmica o pinch-off
o triodo 250
VSB=0
V DS=V GS-V t 200
Real 150 VSB>0

Ideal 100
VGS aumenta
50
0
VDS 0 1 2 3 4 5 6 VGS (V)
VGSVt

Figura 5.4.1 Curvas ID-VDS para VGS constante y curvas ID-


VGS en la regin de saturacin de un MOSFET canal N de
enriquecimiento.
Para un transistor NMOS de deplexin las curvas caractersticas
tienen el mismo aspecto que el de enriquecimiento salvo que hay un
desplazamiento de la tensin umbral (Figura 5.4.2). Hay conduccin para
VGS = 0 e incluso para valores negativos de esta tensin, hasta que se
alcance la tensin umbral, tambin negativa. En el caso de transistores de
canal P habra que cambiar el signo tanto a la corriente como a las
tensiones del dispositivo.

126 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


Deplexin Acumulacin
ID

Acumulacin
(V GS>0)
VDS=cte
VGS=0
Deplexin
(VGS<0) Vt
V DS V GS

Figura 5.4.2 Diferentes curvas caractersticas de un


MOSFET canal N de deplexin: Existe conduccin para
VGS Vt , donde ahora Vt < 0 .

5.5 Modelos de circuito del MOSFET

5.5.1 Modelo de gran seal


Cuando el MOSFET forma parte de un circuito es conveniente

Captulo 5
trabajar con un modelo que simplifique el anlisis de ese circuito. En
primer lugar debemos conocer, o asumir y comprobar posteriormente, en
qu regin trabaja el dispositivo. En el caso de trabajar en la regin de
saturacin el modelo sera el de la Figura 5.5.1.
El modelo refleja el modo de operacin del MOSFET. Presenta
una resistencia infinita en el terminal de puerta como consecuencia del
aislante. Dispone de una fuente de corriente entre fuente y drenador
dependiente de la diferencia de potencial entre puerta y fuente. Si se
quiere incluir el efecto Early habra que hacer uso de la expresin (5.14),
que incluye al parmetro . Si se trabaja en la regin triodo habra que
sustituir la expresin de la corriente de la fuente dependiente que aparece
en el modelo por la correspondiente a esta regin triodo (5.9).
G + D

VGS ID= k W (VGS-Vt)2


2 L

-
S

Figura 5.5.1 Modelo de gran seal de un MOSFET.


5.5.2 Modelo de pequea seal en la regin de saturacin
Un transistor en general tiene inters cuando se utiliza en
aplicaciones dinmicas, es decir, cuando sus variables cambian con el
tiempo. Resulta primordial conocer, adems de la relacin entre las
variables estticas, la relacin entre las variaciones de estas mismas
variables.

SECCIN 5.5: MODELOS DE CIRCUITO DEL MOSFET 127


Cuando se emplea el transistor MOSFET como amplificador
interesa elegir la zona de saturacin y no la regin triodo. En primer lugar
porque en la zona de saturacin la corriente de drenador depende de una
sola variable, la tensin de control VGS, mientras que en la regin triodo
depende adems de la tensin VDS. Por otro lado, al ser la caracterstica
IV no lineal, la distorsin que se obtenga a la salida del amplificador
ser mayor en la zona triodo que en la de saturacin. Por estas razones nos
vamos a centrar en la regin de saturacin.
Analicemos la expresin de la corriente en saturacin desde un
punto puramente formal y veamos qu ocurre cuando las variables que en
ella aparecen cambian con el tiempo.
La corriente
k W
( V GS - V t ) (1 + V DS )
2
ID= (5.20)
2 L
es funcin de tres variables: VGS, VDS y VSB. La ltima est implcita en la
tensin umbral. Ya vimos que la tensin VSB no tiene porqu ser cero, lo
mismo que tampoco tiene que ser cero su variacin temporal. Es como si
Captulo 5

el sustrato actuara de segunda puerta en el MOSFET. Aunque de forma


intencionada solo modifiquemos externamente la tensin de control VGS,
por influencia del resto del circuito del que forma parte este transistor, las
tensiones VDS y VSB tambin pueden variar. Consideremos por tanto a
estas variables como la suma de su valor esttico ms un incremento:
VGS = VGS 0 + VGS ,
VDS = VDS 0 + VDS , (5.21)
VSB = VSB 0 + VSB .
La ecuacin de la corriente (5.20) se puede desarrollar en serie
de Taylor y expresarse en funcin de los incrementos anteriores:
I D I I
I D = I D I D 0 = VGS + D VDS + D VSB + ... , (5.22)
VGS VDS VSB
donde solo se han escrito los trminos de primer orden. Si las variaciones
de tensin que ah aparece son pequeas nos podramos quedar
exclusivamente con estos trminos del desarrollo. Tendramos una
relacin puramente lineal entre las variaciones de las distintas variables,
donde las derivadas parciales seran parmetros. Identificando las
variaciones de las variables con su notacin en minscula tendramos:
id = g m v gs + g D vds + g mb vsb , (5.23)
donde las transconductancias gm, gmb y la conductancia gD se definen
como:

128 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


I D
gm ,
VGS
I D
g mb , (5.24)
VSB
I D
gD .
VDS
La ecuacin (5.23) tiene un equivalente de circuito directo: la
combinacin de tres elementos en paralelo como se muestra en la Figura
5.5.2.
id
+

g mvgs g mbvsb rO=1/g D vds

Figura 5.5.2 Circuito elctrico equivalente que modela la

Captulo 5
ecuacin (5.23).
Desde el punto de vista del anlisis de circuitos lo que nos
estamos planteando se muestra en la Figura 5.5.3. Realmente nos estamos
preguntando por la corriente que circula por el drenador con una
configuracin de fuentes de corriente continua (que representan el
comportamieno esttico) y fuentes de corriente alterna (que representan
las variaciones de tensin).
ID+)ID

+ - +
V GS V SB V DS
- + -
)V GS )V SB )V DS

Figura 5.5.3 Combinacin de fuentes de corriente continua


y alterna en un circuito con un MOSFET.
El resultado que se ha encontrado en (5.23), donde aparece una
relacin lineal entre las distintas variaciones de las tensiones y corriente
(siempre que esas variaciones sean pequeas, lo que hace posible
introducir el concepto de pequea seal), nos permite analizar este
circuito aplicando el principio de superposicin. Eso es posible porque
tambin se dispone de un modelo lineal para estudiar al transistor en
condiciones de gran seal. Antes de hacer sto se debe encontrar el

SECCIN 5.5: MODELOS DE CIRCUITO DEL MOSFET 129


modelo de pequea seal, aunque ya est representado parte del mismo en
la Figura 5.5.2.
Dicho modelo debe relacionar variaciones de la corriente de
salida con variaciones de seal a la entrada VGS , VSB. En l no deben
intervenir las variables estticas o dc aunque sus elementos dependan
intrnsecamente de ellas. Los parmetros que deben incluirse son los
siguientes:
Transconductancias: reflejan las relaciones entre las variaciones de
las fuentes de tensin VGS y VSB con la corriente ID.
Resistencia de salida: indica la relacin entre las variaciones de
tensin y corriente a la salida. Es consecuencia directa del efecto de la
modulacin de la longitud del canal o efecto Early.
Capacidades: afectan al comportamiento en frecuencia e introducen
retardos. Incluyen las regiones de la estructura donde aparece algn
almacenamiento de carga elctrica.
Resistencias parsitas asociadas a los contactos: reflejan los
elementos resistivos que se encuentra la corriente a su paso por las
Captulo 5

diferentes regiones del dispositivo.


El valor de cada uno de estos elementos se comenta a
continuacin. Posteriormente se irn combinando cada uno de estos
elementos para obtener el circuito equivalente del transistor.
Clculo de la transconductancia gm. Haciendo uso de las
definiciones (5.24) se obtiene:
ID W
gm = = k ( V GS - V t )(1 + V DS ) . (5.25)
V GS L
En el caso que VDS << 1 se puede aproximar la
transconductacia por

W W
gm k ( V GS - V T ) = 2k I D . (5.26)
L L
Clculo de la transconductancia gmb:
ID W V t
g mb = = -k ( V GS - V t )(1 + V DS ) . (5.27)
V BS L V BS
Derivando la tensin umbral dada en (5.3) se obtiene:
V t
=- - . (5.28)
V BS 2 2 f + V SB

En el caso que VDS << 1 se puede aproximar por:

130 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


W W
k ( V GS - V t )(1 + V DS ) k ID
L L (5.29)
g mb = .
2 2 f + V SB 2(2 f + V SB )

Comparando las expresiones (5.26) y (5.29) se obtiene la


siguiente relacin entre las transconductancias:
g mb
= = . (5.30)
g m 2 2 f + V SB

El parmetro , definido en (5.28), puede tomar valores


tpicos entre 0.1 y 0.3. Este parmetro se obtiene tambin
como resultado de dividir la capacidad asociada a la zona de
carga espacial que existe debajo de la capa de inversin, Cjs,
(para calcularla se hace uso de la ecuacin (4.16)) y la
capacidad del xido de puerta, COX :

C js q s N A
= ; C js = . (5.31)
C ox 2(2 f + V SB )

Captulo 5
Clculo de la resistencia de salida rO:
-1 -1
ID Leff dx d 1 V
r o = =

=
= A. (5.32)
V DS I D dV DS ID ID
Como se observa, rO es funcin de la tensin Early.
Clculo de las capacidades. En este dispositivo existen
varias regiones que introducen efectos capacitivos:
9 Las zonas de carga espacial de las uniones drenador-
sustrato y fuente sustrato. Las expresiones de estas
capacidades, Csb y Cdb respectivamente, corresponden a
las de dos uniones polarizadas en inverso:

C sb 0
C sb =
V SB
1+
o
(5.33)
C db 0
C db =
V DB
1+
o
donde Csb0 y Cdb0 son las capacidades a tensin cero,
VSB y VDB son las diferencias de potencial en las uniones
fuente-sustrato y drenador-sustrato respectivamente y
0 es el potencial barrera de esas uniones.
9 Las regiones de interconexiones de puerta fuera de la
zona activa del transistor. Dan lugar a una capacidad
parsita entre el material de puerta y el sustrato, Cgb.

SECCIN 5.5: MODELOS DE CIRCUITO DEL MOSFET 131


Los valores tpicos de esta capacidad oscilan entre 0.04
y 0.15 fF por micrmetro cuadrado de interconexin.
9 Capacidad de la estructura MOS. Recordemos que en la
estructura MIS la capacidad de la estructura tanto en
acumulacin como en inversin coincida con la
capacidad del xido. En el caso del MOSFET existe
canal trabajando tanto en la regin triodo como en la de
saturacin. Sin embargo, en saturacin la carga de
inversin no se reparte por todo el canal, sino que se
encuentra ms cerca de la fuente. Hay que distinguir por
consiguiente entre la capacidad asociada a la zona
puerta-fuente, Cgs, y la capacidad puerta-drenador, Cgd.
Tambin hay que diferenciar si se trabaja en la regin
triodo o saturacin.
En la regin hmica el canal tiene un espesor
prcticamente uniforme por lo que las dos capacidades
sern iguales y su valor ser el de la mitad de la
capacidad del xido: C gs = C gd = (C OX WL) / 2 .
Captulo 5

En saturacin la regin de drenador no contribuye con


efectos capacitivos pues no existe carga en esa zona.
nicamente habr que tener en cuenta la capacidad
asociada al pequeo solapamiento que existe entre el
xido de puerta y la regin N+ de drenador (C gd 0) .
Para calcular la capacidad Cgs habr que ver como se
modifica la carga almacenada en el canal, QT, cuando se
produce una variacin de la tensin VGS.
Q T
Cgs = , (5.34)
V GS
donde, de acuerdo con (5.5), la carga almacenada en el
canal se puede expresar como:
L


QT = W C ox ( V GS - V(y) - V t )dy
0

W C n
2 2 V GS -V t


ox 2
= ( V GS - V - V t ) dV = (5.35)
ID 0

2
= WL C ox ( V GS - V t ).
3
Derivando con respecto a la tensin se obtiene:
2
C gs = WL C ox + Csolapamiento (5.36)
3
donde Csolapamiento es la capacidad asociada al pequeo
solapamiento que existe entre el xido de puerta y la
regin N+ de fuente.

132 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


La disposicin final de todos estos parmetros entre los cuatro
terminales del dispositivo se puede ver en la Figura 5.5.4.
Cgd

G D

Cgs g mvgs g mbvbs rO


C db

S C sb

C gb B

Figura 5.5.4 Modelo de pequea seal de un MOSFET.

5.6 Uso de los modelos del MOSFET en circuitos

Considrese el circuito de la Figura 5.6.1 en el que aparece una

Captulo 5
fuente de alimentacin VDD y una fuente de pequea seal vi. En el
apartado anterior se han encontrado modelos lineales para los regmenes
de gran y pequea seal. Este hecho permite que en primer lugar se pueda
aplicar el principio de superposicin y, posteriormente, analizar por
separado la respuesta del circuito a cada una de las fuentes.
V DD

R G1 RD

vi R G2 RS RL

Figura 5.6.1 Circuito real con un MOSFET donde se


combinan fuentes de corriente continua y alterna.
Si se estudia el rgimen de corriente continua se anula la fuente
vi y los condensadores permanecen en circuito abierto. El circuito se
transforma en el que se muestra en la Figura 5.6.2.a. En la Figura 5.6.2.b
se ha sustituido el MOSFET por su modelo equivalente. A partir de aqu
habra que hacer uso de las leyes de Kirchoff para analizar el circuito.
En el rgimen de pequea seal se anula la fuente de tensin
continua. El circuito resultante se muestra en la Figura 5.6.3.a. En la
Figura 5.6.3. b se ha eliminado el transistor y en su lugar se debe colocar

SECCIN 5.5: MODELOS DE CIRCUITO DEL MOSFET 133


el modelo equivalente de pequea seal. No se ha incorporado en el
dibujo para no aadir complejidad al mismo.
En cualquier caso, en la mayora de las situaciones prcticas no
se consideran todos los elementos del modelo. Normalmente se utilizan
modelos simplificados, especialmente cuando se hace anlisis a mano de
circuitos. Cuando se hace necesario un anlisis ms preciso se utilizan
programas de simulacin de circuitos. En estos casos s se incorporan
todos los elementos.
V DD V DD

RG1 RD R G1 RD
D
G
ID
S

RG2 RS R G2 RS
Captulo 5

(a) (b)

Figura 5.6.2 Respuesta del transistor de la Figura 5.6.1 a la


fuente de corriente continua y sustitucin del mismo por su
modelo equivalente de gran seal.

vi R G1 RG2 RS RD RL

(a)
D
G
S

vi R G1 RG2 RS RD RL

(b)

Figura 5.6.3 Respuesta del transistor de la Figura 5.6.1 a la


fuente de seal alterna y sustitucin del mismo por su
modelo equivalente de pequea seal.

134 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


5.7 Respuesta en frecuencia del MOSFET

Considrese un circuito con un MOSFET en el que se quiere


amplificar una corriente y recogerla amplificada a la salida en una carga
RL = 0 . Dicho circuito deber contar con fuentes de alimentacin para
polarizarlo adecuadamente. En este ejemplo vamos a mostrar slo el
anlisis de pequea seal de este circuito. Despus de anular las fuentes
de continua el circuito queda como en la Figura 5.7.1. En l se muestra la
fuente de corriente ig que se quiere amplificar y el cortocircuito de salida
donde se quiere medir la corriente id. El resto de elementos que aparecen
pertenecen al modelo de un transistor MOSFET. De la configuracin de
este circuito se deduce que el sustrato y la fuente se encuentran
cortocircuitados pues no aparecen los elementos gmb y Csb.
C gd
id

Captulo 5
ig vgs C gs Cgb g mvgs rO Cdb

Figura 5.7.1 Respuesta en pequea seal de un MOSFET


excitado con una fuente de corriente y donde la corriente de
salida se mide en un cortocircuito.
Para calcular la ganancia en corriente en funcin de la frecuencia
debemos acudir a la notacin fasorial y al formalismo de la transformada
de Laplace, para lo cual se transforman todos los elementos del circuito y
posteriormente se aplican las leyes de Kirchoff. De esta forma las
corrientes Ig(s) e Id(s) quedan de la forma:
I g = V gs(s( C gs + C gb + C gd )),
(5.37)
I d = g mV gs .
La funcin de transferencia se obtiene dividiendo las dos
corrientes anteriores:
gm
H (s) = I d = . (5.38)
I g s( C gs + C gb + C gd )
Para conocer la respuesta en frecuencia de este circuito basta
evaluar su funcin de transferencia en s = j .

gm
H ( j ) = . (5.39)
j( C gs + C gb + C gd )

SECCIN 5.7: RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL MOSFET 135


Se observa como el mdulo de la funcin de transferencia
disminuye con la frecuencia. Eso significa que la ganancia de corriente
puede tomar valores inferiores a la unidad a partir de una determinada
frecuencia. Sera interesante calcular dicha frecuencia pues ella nos
permite separar los rangos de frecuencia donde hay amplificacin de
aquellos en los que hay atenuacin. Para ello basta con hacer uno el
mdulo de la ganancia y despejar la frecuencia:

id 1 gm
(j2 f T ) = 1 f T = . (5.40)
ig 2 C gs + C gb + C gd
Esta frecuencia se va a denominar frecuencia para ganancia en
corriente en cortocircuito unidad, fT. Vemos que depende de la
transconductancia, es decir de la corriente del transistor, y de las
capacidades parsitas. Esto demuestra la importancia que tienen estas
capacidades a altas frecuencias, pues son las que determinan el
decrecimiento de la ganancia a medida que aumenta la frecuencia. En el
caso frecuente de que domine la capacidad Cgs el parmetro fT se puede
aproximar por:
Captulo 5

1 gm n
fT = 1.5 ( V GS - V t ) , (5.41)
2 C gs 2 L2
donde se ha hecho uso de (5.26) y (5.36). Se observa que la fT depende
inversamente del cuadrado de la longitud del canal. Eso significa que si
nosotros queremos aumentar el rango de frecuencias de operacin de un
transistor MOSFET uno de los primero aspectos en los que nos
deberamos fijar sera en reducir las dimensiones del dispositivo. Ms
adelante justificaremos que en el caso de transistores de longitud de canal
inferior a la micra el parmetro fT es proporcional a 1/L.
Otra de las conclusiones que se pueden sacar de este estudio es
que en el caso de frecuencias bajas o intermedias el efecto de los
condensadores del modelo es despreciable. Por ello, se suele emplear un
modelo simplificado que permite hacer una estimacin rpida del
comportamiento de los circuitos con MOSFETs. Este modelo se muestra
en la Figura 5.7.2. Este modelo recoge los mismos parmetros que se
tuvieron en cuenta cuando se realiz el anlisis puramente formal del
transistor en el apartado 5.5.2
G D

g mvgs+g mbvbs rO

Figura 5.7.2 Modelo simplificado del MOSFET a bajas


frecuencias.

136 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


5.8 Efectos de canal corto

Se acaba de deducir que la reduccin de la longitud del canal


comporta beneficios en cuanto que se puede utilizar el transistor a
mayores frecuencias. La disminucin de dimensiones en esta y las otras
direcciones lleva consigo, adems de un aumento de la fT, una reduccin
de los costes de fabricacin y valores ms bajos de las capacidades
parsitas. En un transistor bipolar la dimensin tpica es la anchura de su
regin de base, medida en sentido vertical al de fabricacin del
dispositivo, y que puede tomar valores del orden de 0.05 m. En el caso
de un MOSFET su dimensin tpica es la longitud del canal, de direccin
horizontal, y que toma valores inferiores a 1m. El uso de transistores de
longitud del canal inferior a 1m obliga a modificar los modelos de gran y
pequea seal del transistor. En los casos que hemos trabajado hasta
ahora se ha considerado rgimen de bajos campos en el movimiento de
los portadores por el canal del MOSFET. Sin embargo, si se reducen las
dimensiones del dispositivo pero no se reducen en la misma proporcin
las tensiones aplicadas entre sus terminales, el campo elctrico se ver

Captulo 5
incrementado. Esto tiene una repercusin inmediata: la relacin entre la
velocidad de los portadores de carga en el canal y el campo elctrico deja
de ser lineal. La Figura 5.8.1 muestra este fenmeno. En ella se representa
la velocidad de los electrones en un semiconductor en funcin del campo
elctrico. Para bajos valores del campo elctrico la relacin velocidad-
campo es de la forma:
v = n E . (5.42)
Para altos campos esta relacin se puede aproximar
empricamente por:
n E
v ,
E (5.43)
1+
Ec
donde Ec es el campo crtico, a partir del cual la relacin vE deja de ser
lineal. En esta figura Ec = 1.4104 V/cm y la movilidad de los electrones
n = 700 cm2V-1s-1.
Para ver cmo afecta esta relacin al comportamiento de un
MOSFET se puede evaluar la tensin que habra que aplicar al drenador
de un MOSFET de canal de 1m para alcanzar el campo crtico. El
resultado sera 1.5 V, por lo que resulta necesario modificar los modelos
empleados para describir al dispositivo.
Hasta ahora siempre que se haba trabajado con la expresin de
la corriente I = qnvWt (donde n es la densidad de electrones, v es su
velocidad, y W y t son la anchura y el espesor del canal respectivamente)
se haban considerado bajos campos, con lo que se apreciaba un
comportamiento hmico:

SECCIN 5.8: EFECTOS DE CANAL CORTO 137


I = qn n EWt = EWt = V / R . (5.44)
v
(m/s)

5
10

510
4

Medida
210
4

Aproximacin
4
10

510
3

3 4 5
10 10 10 E(V/cm)

Figura 5.8.1 Velocidad de los electrones en un


semiconductor en funcin del campo elctrico aplicado al
mismo.
De hecho, cuando se calcul la corriente de drenador en el
Captulo 5

MOSFET, se dividi el canal en elementos de longitud y se trabaj con la


resistencia de esos elementos, lo que llevaba implcito el comportamiento
hmico (ecuacin (5.6)).
Haciendo uso de la carga por unidad de superficie QI ( y ) = qnt y
de la expresin de la velocidad de los electrones a bajos campos (5.42)
podemos rescribir la expresin (5.7) correspondiente a la corriente que
circula por cada uno de esos elementos:
dV
I D = W Q I (y) n . (5.45)
dy
Para altos campos, haciendo uso de (5.43), quedara de la forma:

1 dV dV
I D 1+ = W Q I (y) n . (5.46)
Ec dy dy
Integrando la ecuacin anterior a lo largo del canal se obtiene
L
1 dV
V DS

I D 1+ dy = W Q (y) dV .
I n (5.47)
0 E c dy 0

La solucin de esta integral nos proporciona la expresin de la


corriente en la regin triodo:
nC ox
W
ID= ( 2( V GS - V t )V DS - V 2DS ) .
1 V DS L (5.48)
2 1+
Ec L
La corriente en la regin de saturacin se obtiene evaluando la
expresin anterior para V DS = VGS Vt :

138 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


k W
ID= (V GS - V t )2 ,
2 ( 1+ (V GS - V t ) ) L
(5.49)

aunque en la prctica la saturacin empieza antes de este valor. En esta


expresin se ha definido el parmetro 1 /( LE c ) . En este parmetro
tambin se suele incluir la dependencia de la corriente de drenador con el
campo perpendicular al canal. Para canales muy cortos la corriente de
drenador tiene un comportamiento lineal con (VGS Vt ) .

5.8.1 Modelos del MOSFET de canal corto


Al modificar las ecuaciones que describen el comportamiento del
MOSFET se deben cambiar en consecuencia los modelos del dispositivo.
Considrese un MOSFET de canal largo polarizado en saturacin y
conectado en serie con el terminal de fuente S una resistencia de valor
RSX (Figura 5.8.2) Al otro extremo de la resistencia se le asigna la letra S.
D

Captulo 5
S

R SX

Figura 5.8.2 MOSFET de canal largo con resistencia serie


conectada al terminal de fuente.
Se va a considerar todo el circuito como un bloque y se va a
extraer una relacin entre la corriente ID con la nuevas tensiones VDS y
VGS. Combinando la expresin de la corriente del MOSFET en saturacin
(5.9):

C ox W
(V -V t )
2
ID= G S (5.50)
2 L
y la segunda ley de Kirchoff aplicada a la rama DS:
V GS = V G S + I D R SX , (5.51)
se obtiene:
C ox W
(V - I D R SX - V t ) ,
2
ID= GS (5.52)
2 L
de donde se puede despejar el valor de la corriente ID:
C ox W
(V GS - V t ) .
2
ID=
W L (5.53)
2 1+ C ox R SX (V GS - V t )
L

SECCIN 5.8: EFECTOS DE CANAL CORTO 139


Se observa que un MOSFET de canal largo con una resistencia
en serie con el terminal de fuente proporciona el mismo comportamiento
que un MOSFET de canal corto sin ms que definir el parmetro como:
W
C ox R SX . (5.54)
L
Si se identifica con el mismo parmetro obtenido anteriormente
1 /( LE c ) se obtiene el valor de la resistencia que modela los efectos
de canal corto:
1 1 1
R SX = . (5.55)
E c C ox W
Para obtener el modelo de pequea seal habra que recalcular
las transconductancias gm y gmb tomando como punto de partida la nueva
expresin para la corriente de drenador (5.53).

5.9 Conduccin subumbral en MOSFETs


Captulo 5

De acuerdo con los modelos utilizados para estudiar el


MOSFET, para que exista corriente entre drenador y fuente debe existir
un canal de conduccin. Sin embargo, experimentalmente se comprueba
que por debajo de la tensin umbral existe una corriente pequea pero no
nula. Una corriente asociada al paso de los electrones que parten de la
fuente y deben alcanzar el drenador tras superar la barrera de potencial
entre fuente y sustrato. Esa corriente se representa en la Figura 5.9.1.
ID ID (A)

-4
10

-7
10

10 -10

-13
10
Vt V GS 0.5 1 1.5 2 V GS (V)
(a) (b)

Figura 5.9.1 Corriente de drenador en un MOSFET. Se


puede apreciar la corriente no nula para valores inferiores a
la tensin umbral.
En la Figura 5.9.1a la relacin ID1/2VGS deja de comportarse
como una recta para valores cercanos inferiores a la tensin umbral. Para
ver esa regin con ms detalle se puede hacer una representacin
logartmica (Figura 5.9.1b). En ella se observa un cambio de dependencia
con la tensin VGS , de cuadrtica a exponencial a medida que disminuye

140 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


la tensin de puerta. Esa corriente no nula por debajo de la tensin umbral
puede justificarse si se observa el diagrama de bandas del MOSFET en
esa regin de operacin (Figura 5.9.2).
La tensin VDS aplicada entre drenador y fuente cae principalmente
en la unin de drenador porque entre fuente y sustrato no hay diferencia de
potencial (las dos estn a tierra). Si se aplicara una tensin negativa al
sustrato la barrera en la zona de fuente sera an mayor. Los electrones que
pasan de fuente a drenador deben superar la barrera de fuente. La corriente
depende de la altura de esta barrera y es debida a difusin. El trmino de
arrastre es despreciable en el canal. Si tuviramos un canal ms corto las
zonas de carga espacial de drenador y fuente se introduciran en el canal
curvando las bandas en el mismo (esto puede verse en la Figura 5.9.3 donde
se comparan los diagramas de bandas de un transistor de canal largo con uno
corto).
En este caso el sustrato ya no tiene sentido como elemento que fija
la tensin a cero y por tanto se reduce tambin la barrera de fuente. El
trmino de arrastre sera ms importante aunque est demostrado por
diversos autores que sigue siendo despreciable frente al de difusin.
+ +

Captulo 5
V V
- GS - DS
G

S D
+ z.c.e. +
n n

L1
Sustrato p L

EC
E FS

VDS
EV

EFD

Figura 5.9.2 Diagrama de bandas entre fuente y drenador


en un MOSFET de canal largo trabajando en la regin
subumbral.

SECCIN 5.9: CONDUCCIN SUBUMBRAL EN MOSFETS 141


EC
E FS

EV V DS

E FD

Figura 5.9.3 Comparacin de los diagramas de bandas


entre drenador y fuente de un MOSFET de canal largo y
otro de canal corto.
Por tanto, la corriente subumbral es
dn
I sub = -q S eff D n ,
Captulo 5

(5.56)
dy
donde Seff es la seccin eficaz efectiva para la corriente subumbral
( S efff = Wd c ) , y dc es la anchura de la regin donde se encuentran la mayora
de los electrones. Si la longitud de difusin de electrones en el sustrato es
mayor que la longitud del canal ( LnD >> L) la densidad de electrones es
lineal, decreciendo de fuente a drenador (no hay recombinacin):
y
n(y) = n sd - ( n sd - n dd ) (5.57)
L1
donde nsd es la concentracin de electrones en el canal en el lado de fuente:
qV(z)
n sd = n p 0e KT (5.58)
y ndd es la concentracin de electrones en el canal en el extremo de drenador:
q (V(z)-V D )
n dd = n p 0e KT (5.59)
y V(z) es el potencial elctrico perpendicular a la superficie. Dicho potencial
se puede estimar a partir del diagrama de bandas de la Figura 5.9.4.

142 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


SiO 2 Si z

0 EC

V(z)

EF
EV

Figura 5.9.4 Diagrama de bandas en el semiconductor en la


direccin perpendicular a la superficie Si-SiO2. Definicin
del potencial V en un punto del semiconductor separado una
distancia z de la superficie.

Captulo 5
En dicho diagrama se ha considerado que el campo en la zona de
carga espacial es constante e igual a:
| Qdep | 2q s N A
Es = = . (5.60)
s s
El potencial en la regin de vaciamiento ser por tanto lineal:
V(z) = s - Es z . (5.61)
De acuerdo con esta expresin la concentracin de electrones en
la superficie con el xido es proporcional a exp(q S / KT ) y decrece
como exp(qES z / KT ) . Podemos considerar por tanto que la mayora de los
electrones se encuentran en una capa de espesor d c KT / qE S . Con este
parmetro se puede calcular finalmente la corriente que circula entre
drenador y fuente:
dn KT KT n dd - n sd
I sub = -q S eff D n = -q(W )( n ) =
dy qF y q L

qV(z)
exp - V D - 1
(5.62)
exp
KT s KT n i2 KT KT
,
= -q(W ) n
q 2q s N A q NA L

donde se ha admitido que en canales largos L1 L . Haciendo uso de la


longitud de Debye:

s KT
L Dp = 2 (5.63)
q NA

SECCIN 5.9: CONDUCCIN SUBUMBRAL EN MOSFETS 143


y admitiendo que V ( z ) S para 0 < z < d c podemos escribir la corriente
subumbral:
1
q s qV D
W KT n i2 KT 2 e KT (1 - e - KT )
2

I sub = s n . (5.64)
L q N 2A q s 2 L Dp
En esta expresin hay todava una variable interna a la cual no
tenemos acceso desde los terminales: el potencial de superficie s .
Necesitamos conocer su relacin con la tensin aplicada a la puerta del
transistor. Recordemos que esa relacin viene descrita por la ecuacin (4.5):
Qs
qV GS = qVFB + q s - q . (5.65)
C ox
Introduciendo en esta ecuacin la relacin entre el campo elctrico
del semiconductor con la carga en el mismo Q s = - s E s se puede escribir:

d i s
s = V GS - V FB - E s,
i
(5.66)
Captulo 5

d i s 2q s N A
s = V GS - V FB - .
i s
Elevando al cuadrado la ecuacin anterior se tiene:
2
2 2 d 2q s N A
s +( V FB - V GS ) + 2 s( V FB - V GS ) = i s a 2s 2 s , (5.67)
i s
donde se ha definido:
di .
a s q N A s (5.68)
i
De (5.67) se puede despejar el valor del potencial de superficie:

s 2 + 2 s( V FB - V GS - a 2s )+( V FB - V GS )2 = 0,
s = -( V FB - V GS - a 2s ) ( V FB - V GS - a 2s )2 - ( V FB - V GS )2 , (5.69)

s = ( V GS - V FB + a 2s ) - a s a 2s + 2( V GS - V FB ).
Teniendo en cuenta la dependencia del potencial de superficie
con la tensin de puerta se pueden agrupar constantes y modelar la
corriente subumbral por la siguiente expresin:

W qV GS qV DS
ID= kx exp 1- exp - , n 1.5 .

(5.70)
L nKT KT
Para VDS > KT / q , Isub es independiente de VDS. Este resultado era
de esperar pues en un canal largo la tensin VDS cae principalmente en la
unin de drenador. Se tiene una dependencia exponencial con VGS como se

144 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


observa experimentalmente (Figura 5.9.1.b). Desde el punto de vista del
dispositivo eso significa que, para valores grandes de VDS , se cumple que
ndd << n sd , con lo que el gradiente dn / dy no se ve afectado por la tensin
VDS.
La aplicacin principal del MOSFET operando en esta regin es
en baja potencia y a frecuencias bajas, ya que se ve obligado por el valor
bajo de fT.

5.10 Corriente en el sustrato de MOSFETs

En el estudio que venimos realizando del MOSFET se ha


admitido que la corriente que circula por el sustrato es despreciable pues
corresponde a la corriente que atraviesa una unin pn polarizada en
inverso. Acabamos de mencionar que la tensin VDS cae principalmente en
la unin de drenador. Tambin conocemos que a altas tensiones pueden
aparecer mecanismos de generacin de pares electrn hueco por
avalancha. Los electrones que se generan en estas condiciones cerca de la
unin de drenador escapan por el drenador y los huecos hacia el sustrato.
Aparece por tanto una corriente parsita en el dispositivo. Dicha corriente

Captulo 5
se puede modelar con el esquema de la Figura 5.10.1:
D

IDB

G B

Figura 5.10.1 Modelo del MOSFET incluyendo los efectos


de la corriente del sustrato.
donde la fuente de corriente IDB viene descrita por la siguiente ecuacin:

k2
I DB = k 1 (V DS - V DS sat ) I D exp - , (5.71)
V DS - V DSsat
donde k1 y k2 son parmetros que dependen del proceso de fabricacin
del dispositivo y toman los siguientes valores en transistores NMOS:
k1 = 5 V 1 , k 2 = 30 V . En transistores de canal P este fenmeno no es tan
importante pues los huecos son mucho menos energticos que los
electrones, por lo que son mucho menos eficientes para generar pares
electrn hueco.
La repercusin mayor de esta corriente parsita es en el
comportamiento de pequea seal del MOSFET. Este nuevo camino por
donde circula la corriente presenta una resistencia que puede ser del orden
de otras resistencias del modelo del dispositivo. Este camino paralelo que
permite disipar potencia puede ser un factor importante a la hora de

SECCIN 5.9: CONDUCCIN SUBUMBRAL EN MOSFETS 145


disear circuitos con transistores MOS. Para estimar el efecto de dicha
corriente se puede calcular la conductancia de pequea seal asociada,
gdb. Para ello se deriva la ecuacin (5.71):
I DB I DB
g db = = k2 . (5.72)
V DS
2
( V DS - V DSsat )
Para ver el efecto de este parmetro se puede comparar la inversa
de esta conductancia, rdb = 1 / g db , con la resistencia de salida del
transistor, ro. Considrese un transistor caracterizado por los parmetros
= 0.05 V-1 y VDSsat = 0.3 V, por el que circula una corriente ID = 100 A y
al que se le aplican entre drenador y fuente tensiones de 2 y 4 V. La
resistencia de salida de este transistor vale ro = 1/(ID) = 200 K. El valor
calculado de rdb para estas dos tensiones se encuentra en la tabla:
VDS (V) rdb ()
2 5.3109
4 815103
Resulta evidente que para una tensin de drenador de 2V la
Captulo 5

conductancia asociada al sustrato es despreciable frente a la conductancia


de salida 1/ro. Sin embargo, al aumentar la tensin esta conductancia
puede resultar comparable a la conductancia de salida. La configuracin
paralelo equivalente proporciona una conductancia mayor. Este efecto es
perjudicial si se pretenden disear fuentes de corriente de alta impedancia.

RESUMEN

En este captulo se ha descrito el transistor de efecto campo


metal-aislante-semiconductor. La corriente que circula a travs de dichos
terminales se ha expresado en funcin de las tensiones aplicadas al
dispositivo.
La caracterstica I-V resultante se ha linealizado para obtener
modelos de circuito en gran seal y pequea seal, mostrando ejemplos
de aplicacin de dichos modelos. Se han introducido modificaciones a la
corriente de drenador debido a efectos de segundo orden como la
existencia de altos campos en el canal de conduccin, la existencia de una
corriente por debajo de la tensin umbral y la corriente que deriva hacia el
sustrato.

CUESTIONES Y PROBLEMAS

1. Sea un MOSFET con los siguientes parmetros: Funcin trabajo


metal-semiconductor=-0.1eV, densidad de estados
superficiales=+1011 tomos/cm2, espesor del xido=40 nm, dopado

146 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


del sustrato= 1016 impurezas/cm3, profundidad W =2 m, longitud
del canal L =1 m, VSB =0 V.
a) Represntese en una grfica la corriente de drenador en
funcin de la tensin aplicada entre drenador y fuente para los
siguientes valores de la tensin VGS: 1.5, 2, 2.5, 3, 3.5 V. Para
la zona de inversin considerar dos casos: (i) que est
presente el efecto Early y (ii) que es despreciable.
b) Representar en otra grfica la corriente de drenador en
funcin de VGS en la zona de saturacin para los siguientes
valores de la tensin VSB: 0, 2, 5, 10, 15 V.
2. Repetir el apartado a) del ejercicio anterior utilizando la expresin
de la corriente (5.19) obtenida en el Ejemplo 5.1. En una grfica
aparte comparar la curva obtenida para VGS=3.5V del ejercicio
anterior con la que se obtendra con el modelo del citado ejemplo.
Incluir una tercera grfica en la que se haga uso del modelo de
canal corto (5.48) y (5.49).
3. Se ha fabricado un MOSFET en un substrato de silicio con una
16 -3
concentracin de impurezas de 210 cm . Se le hace trabajar en

Captulo 5
saturacin aplicndole una diferencia de potencial entre drenador y
fuente de 5 V y una tensin puerta fuente VGS. Se mide una
corriente de drenador de 12 A para esta tensin y se obtiene una
resistencia de salida de 6 M. Datos tecnolgicos: el espesor del
xido es de 400 , las dimensiones dibujadas de la puerta del
transistor son 7 m x 100 m y la difusin lateral de drenador y
fuente de 0.6 m.
a) Avergese si se trata de un transistor canal N o canal P.
b) Calcular la longitud real del transistor.
c) Calcular la tensin de saturacin para esta tensin VGS.
d) Calcular la longitud efectiva del canal.
e) Cul es el factor de decrecimiento de la longitud del canal al
aumentar VDS ( dxd / dVDS )?

4. Para un MOSFET de canal N trabajando en la regin lineal con VDS


= 0.1 V se mide una corriente de 40 A para VGS = 2 V y 80 A
para VGS = 3 V.
a) Cul es el valor aparente de la tensin umbral Vt?.
b) Si k'= 40 A/V2 Cul es el cociente W /L del dispositivo?
c) Qu corriente circular por el drenador si VGS =2.5 V y VDS =
0.15 V?
d) Si el dispositivo trabaja a VGS =2.5 V para qu valor de VDS
se alcanzar el estrangulamiento (pinch-off) en el terminal de
drenador? y cul es la corriente de drenador
correspondiente?

CUESTIONES Y PROBLEMAS 147


5. Sea un transistor MOS de canal N trabajando en la regin triodo
con valores pequeos de VDS y en un rango de tensiones VGS
comprendido entre los 0 V y 5 V. La tecnologa de fabricacin de
estos transistores proporciona un espesor de xido de 20nm, una
longitud de canal superior a 1 m y una tensin umbral de 0.8 V.
Cul debe ser la profundidad de este dispositivo para conseguir
una resistencia de al menos 1 K?
6. Sea un transistor MOSFET de silicio de canal P con las siguientes
caractersticas: funcin trabajo metal-semiconductor 0.1 V,
11 2
densidad de estados superficiales +10 tomos donadores/cm ,
16
espesor del xido 400 , dopado del sustrato 10
3
impurezas/cm
a) Calcular la tensin umbral.
b) Si se implantan impurezas tipo p con una concentracin de
15 -3
910 cm alcanzando una profundidad de 0.3 m cul es
la nueva tensin umbral?
c) Si la profundidad de la implantacin fuera de 3 m cuanto
Captulo 5

valdra la tensin umbral?


Sol.: a) -1.5 V, b) 1 V, c) -1.159 V
7. Estimar el tanto por ciento de la corriente de drenador que se
pierde por el sustrato en un MOSFET de canal N cuando circula
una corriente de drenador de 100 A y se aplican las siguientes
tensiones entre drenador y fuente: VDS =1 V y VDS =5 V. La tensin
drenador fuente de saturacin es de 0.3 V. Si se necesitan otras
constantes usar valores tpicos.
Sol.: 8.510-17 %, 3.97%
8. Para un transistor MOS de canal N se ha medido una tensin
umbral de 0.793 V a temperatura ambiente. Este transistor tiene
las siguientes caractersticas: concentracin de impurezas en el
sustrato 51015 cm3, densidad de estados superficiales +1011 cm-2,
funcin trabajo metal-semiconductor 0.1 V, (VSB=0 V).Si sobre el
sustrato de este tipo de transistores se implantan impurezas de
15 -3
fsforo en una concentracin 410 cm hasta una profundidad d,
la nueva tensin umbral es de 0.626 V. Estimar la profundidad de
la implantacin.
Sol.: 1.04 m.
9. Calcular el campo elctrico en el xido de puerta de un MOSFET
de silicio de canal N con espesor tox=0.1 m cuando se aplica una
tensin de puerta VGS = 5 V y una tensin de drenador
V DS = 4 V , en los siguientes casos:
a) En un punto prximo a la fuente (x = 0) y en otro prximo al
drenador. Hacer uso de las grficas de la Figura P.1 y de los
siguientes datos: densidad de estados superficiales: +1011

148 CAPTULO 5 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS (MOSFET)


cm2, densidad de carga en el xido: 1.610-8 C/cm2.
Averiguar el signo de la carga en el semiconductor!!.
b) A partir uso de las grficas determinar la tensin de banda
plana y delimitar sobre las figuras las regiones de
acumulacin, deplexin e inversin. Continuar la
representacin del mdulo de la carga en el semiconductor
para valores negativos del potencial de superficie.
c) Comparar el resultado con el campo elctrico necesario para
la avalancha en una unin pn (3105 V/cm para dopados
10 10 cm3 y 10 V/cm para dopados 10 cm3.
15 16 6 18

d) Llamemos EMAX al mximo del campo obtenido en los


apartados a) y c). Si tenemos una unin pn abrupta con
concentraciones uniformes de impurezas donadoras (1016
cm3 en el lado n) y de impurezas aceptadoras (10 cm en el
15 -3

lado p), qu tensin (VMAX) deberamos aplicar a los


extremos de la unin para que el campo mximo en la misma
coincidiera con EMAX?.
e) Si la unin anterior se polariza en inverso con una fuente de

Captulo 5
tensin de valor VMAX + 10 V en serie con una resistencia de
10 K, qu corriente circula por el circuito? AYUDA:
representar la caracterstica I-V en inverso determinando bien
cual es la tensin de ruptura.
-6
10 10
(B)
|QS| (C/cm )
2

-7
10
V G (V)

5
-8
10
0
10 -9
-10
-5 10
0 0.5 1 0 0.5 1
s (V) s (V)
Figura P.1.

REFERENCIAS

[1] Y. P. Tsividis, Operation and modelling of the MOS Transistor,


McGraw Hill, 1987.
[2] P.R.Gray and R.G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated
Circuits, 3a Ed., John Wiley & Sons, 1993.

CUESTIONES Y PROBLEMAS 149


Captulo

6
Captulo
EL TRANSISTOR DE
EFECTO CAMPO DE
UNIN (JFET).

S D

Transistor Jfet

G
ndice
6-1 Estructura y funcionamiento. caracterstica corriente tensin.
6-2 Clculo cualitativo de la 6-4 Modelos de gran seal y
caracterstica corriente tensin. pequea seal en saturacin.
6-3 Modelo de uniones abruptas
para el clculo de la

Objetivos
Definir las regiones que componen el transistor de efecto campo de unin.
Describir el funcionamiento bsico de este dispositivo.
Evaluar de forma cualitativa la corriente que va a circular por el canal del
transistor en funcin de las tensiones aplicadas a sus terminales.
Presentar un modelo que permita encontrar expresiones analticas para la
corriente que circula por el transistor.
Proporcionar modelos elctricos equivalentes en gran seal y pequea seal. Los
modelos debern ser lineales y permitirn analizar o disear circuitos electrnicos
que incluyan a este dispositivo.
Simplificar los modelos equivalentes encontrados para facilitar el anlisis de estos
circuitos.

Palabras Clave
Transistor de efecto campo Tensin de drenador. Modelo de gran seal.
de unin. Regin triodo. Modelo de pequea seal.
Dispositivo unipolar. Regin de saturacin. Transconductancia.
Espesor de la zona de carga Tensin de saturacin. Resistencia de salida.
espacial. Modulacin de la longitud del Capacidades de las uniones.
Espesor del canal de canal. Resistencias parsitas.
conduccin. Tensin Early. Respuesta en frecuencia.
Tensin de agotamiento. Regin de ruptura.
Corriente de drenador. Modelo analtico de uniones
Tensin de puerta. abruptas.
6.1 Estructura y funcionamiento

Como transistor de efecto campo la idea es controlar la corriente


que circula por un canal semiconductor mediante un campo elctrico
Transistor de efecto campo de
aplicado a un terminal de puerta. A diferencia del MOSFET, la estructura
unin:
La corriente que circula entre que nos encontramos ahora en la puerta es una unin polarizada en
fuente y drenador se controla inverso (para evitar que haya corriente a travs de ella). El diseo de
modificando el espesor del canal. dispositivo se muestra en la Figura 6.1.1.
Esto se consigue variando la
zona de carga espacial de las G S D D
dos uniones que constituyen el ID
dispositivo. Dichas uniones se G Canal p
polarizan en inverso mediante el N+ N+
S
terminal de puerta. P Canal
N D ID
G Canal n
N+
P S

Figura 6.1.1 Estructura de un JFET de canal P y smbolos


para el transistor de canal P y N.
En ella vemos un semiconductor tipo P en cuyos extremos
conectamos los terminales de fuente y drenador. A su vez se encuentra
Captulo 6

entre dos semiconductores tipo N sobre los que se conecta el terminal de


puerta. La regin N+ que se encuentra enterrada en la parte inferior del
dispositivo sirve para minimizar resistencias parsitas. Estas resistencias
estn asociadas a los caminos que debe seguir la corriente hasta llegar a la
zona activa del dispositivo. La aplicacin de una diferencia de potencial
entre fuente y drenador da lugar a un flujo de huecos (portadores
mayoritarios en el canal) entre estos dos terminales. Es un dispositivo
unipolar, al igual que el MOSFET, pues no participan portadores
minoritarios en la corriente.
Podemos encontrar igualmente transistores de canal N, es decir,
un semiconductor N entre otros dos tipo P. En este caso la conduccin a
travs del canal es debida a electrones. Para distinguir estos dos tipos de
transistores se utilizan los smbolos de la Figura 6.1.1.
6.1.1 Modo de operacin
El efecto de la puerta como terminal de control se puede ver en la
Figura 6.1.2. Al aumentar la tensin de puerta aumenta la zona de carga
espacial disminuyendo la seccin del canal. Esto permite controlar la
resistencia del semiconductor y por tanto la corriente que por l circula.

152 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


V GS
+
N

S D
P VGS1 < VGS2 < VGS3

+
N
V GS

Figura 6.1.2 Control del espesor del canal variando la


tensin aplicada a la puerta.
La zona de carga espacial se extiende y vara principalmente en
la regin menos dopada. A diferencia del MOSFET aqu existe canal Para
VGS =0. Sin embargo, se alcanzar una tensin a la cual la zona de carga
espacial ocupe todo el canal. A la tensin que origine este fenmeno se
denomina tensin de agotamiento o pinch-off (VGS =Vp ).
Tensin de agotamiento Vp : Diferencia de potencial aplicada entre
la puerta y un punto del canal semiconductor a la cual la zona de carga
espacial de las dos uniones en esa zona del canal se hace igual al espesor

Captulo 6
del canal.
Su clculo es sencillo pues basta igualar la anchura de la zona de
carga espacial de la regin P de una de las uniones (admitindolas
iguales) a la mitad de la anchura del canal:

2 s ( 0 +V p )
a= ,
NA (6.1)
q N A (1 + )
ND
donde NA y ND son las concentraciones de impurezas en la zona P y N
respectivamente y 0 es el potencial barrera de la unin. Despejando el
valor de la tensin de agotamiento se tiene:

NA
q N A (1 + )
ND - (6.2)
Vp= a
2
0 .
2s
La tensin de agotamiento suele tomar valores entre 1 y 3 V.
Presenta una dependencia trmica del orden de 2mV/oC.

SECCIN 6.1: ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO 153


6.2 Clculo cualitativo de la caracterstica corriente-
tensin

La relacin entre la corriente de drenador y las tensiones VDS y


VGS en el JFET es muy similar a la de otro transistor de efecto campo.
Basta con analizar la evolucin de la geometra del canal que se muestra
en la Figura 6.2.1.
+
V GS
G -

x(y)
S - V(y) + D +
2a b(y)
VDS
L -

+
G V GS V(L)=VDS
-
(a)
+
V GS
G -

ID
S D +
Captulo 6

V DS
-

G +
VGS VDS=-Vp+VGS
-
Pinch-off
(b)
+
VGS
G -

V(y)=-V p+VGS ID
S D +
V DS
-

G +
VGS V DS>-V p+V GS
-
Saturacin
(c)

Figura 6.2.1 Evolucin del canal a medida que se


incrementa la magnitud de la tensin VDS, para una tensin
VGS constante, en un JFET de canal P.
En esas figuras se mantiene la tensin VGS a un valor constante y
se aumenta el valor de la fuente de drenador. En ellas se muestra como la
zona de drenador es diferente de la de fuente pues la diferencia de

154 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


potencial entre la zona N de puerta y la P de canal vara con la posicin,
alcanzando un valor mayor en el drenador. El canal en esta zona es por
tanto ms estrecho. La manera de cambiar la geometra del canal es muy
similar a la del canal de un MOSFET. Por consiguiente, es esperable que
se obtengan unas curvas tambin similares, donde se distinga una regin
triodo, con un comportamiento lineal entre ID y VDS para valores bajos de
la tensin de drenador, y termine la corriente por saturarse a un valor
aproximadamente constante (no es estrictamente constante pues, al igual
que en el MOSFET, tambin aparece el efecto Early).
En la Figura 6.2.2 se muestra una coleccin de curvas para un
transistor de canal P. Se ha incluido tambin la regin de ruptura, que
refleja los mecanismos de generacin por avalancha en la unin drenador-
puerta para altos valores de la tensin VDS. Se observa como a medida que
aumenta la tensin de puerta la ruptura se alcanza para un valor menor de
VDS. Ello es lgico pues el aumento de tensin en la puerta de debe
compensar con una disminucin del potencial en el drenador. El
parmetro BVDG0 se define como la tensin de ruptura en la unin
drenador-puerta con la fuente abierta. El signo negativo del potencial VDS
y de la corriente ID resultan de la definicin de variables que se halla en la
Figura 6.2.1. Se observa como la magnitud de la corriente disminuye a
medida que aumenta la tensin de puerta.
ID (mA)

Captulo 6
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1

BVDG0 V DS (V)

V GS=1.0 V -1

V GS=0.5 V
-2

V GS=0 V Triodo

Acumulacin

Ruptura

Figura 6.2.2 Curvas caractersticas en un JFET de canal P.


Definicin de las regiones triodo, saturacin y ruptura.

6.3 Modelo de uniones abruptas para el clculo de la


caracterstica corriente tensin

Consideremos el transistor que se muestra en la Figura 6.3.1.

SECCIN 6.2: CLCULO CUALITATIVO DE LA CARACTRERSTICA CORRIENTE TENSIN 155


+
VGS
G -

x(y)
S - V(y) + D ID
2a b(y) +
V DS
L -

+
G V GS V(L)=VDS
-

Figura 6.3.1 Definicin de las magnitudes que intervienen


en el clculo de la caracterstica corriente tensin en el
JFETde canal P.
Sean y un punto del canal tomando la fuente como origen, L la
longitud del canal, V(y) el potencial en ese punto y, x(y) la anchura de la
zona de carga espacial en la zona P y b(y) la anchura del canal en ese
punto. La anchura de la zona de carga espacial x(y) se puede relacionar
con la diferencia de potencial entre la tensin puerta y la tensin del punto
y, V R ( y ) VGS ( y ) :

x(y) = k 1 0 + V R(y),
(6.3)
x(y) = k 1 0 +V GS -V(y),
Captulo 6

donde se ha definido

2 s
k1 = .
N (6.4)
q N A (1 + A )
ND
La anchura del canal se puede relacionar con x(y):

b(y) = 2a - 2x(y) = 2a - 2 k 1 0 + V GS - V(y) . (6.5)


La densidad de corriente en el punto y se puede expresar en
funcin del campo elctrico:
J y = E y,
ID dV(y) (6.6)
- = .
Wb(y) dy
Integrando esta ecuacin a lo largo de todo el canal se obtiene:
L V (L)

I D dy = W bdV . (6.7)
0 0

Definiendo V D ' S V ( L) y teniendo en cuenta que


| V DS |>| V ( L) | el resultado de la integral es:

156 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


2 k1 3 2 k1 3

I D = G0 V DS + ( 0 + V GS - V DS )2 - ( 0 + V GS )2 , (6.8)
3 a 3 a
donde se ha definido G 0 = 2aW / L . Haciendo uso de la condicin de
agotamiento del canal:

a = k1 0 +V p (6.9)
se puede escribir:

2 ( 0 + V GS - V DS ) 2 - ( 0 + V GS ) 2
3 3

I D = G 0 V DS + . (6.10)
3
1

( 0
+ V p ) 2

Esta expresin corresponde a la regin triodo. Es vlida para
valores de tensin inferiores a la condicin de agotamiento
| V D ' S |<| V Dsat || VGS V p | . En la Figura 6.3.2 podemos ver una serie de
curvas que corresponden a distintos valores de la tensin VGS y el valor de
VDS donde termina la regin triodo y comienza la regin saturacin.

ID
-Vp -3V p /4 -Vp /2 -V p /4

V DS

Captulo 6
V GS=3Vp /4

VGS=Vp /2

V GS=V p/4

V GS=0

Figura 6.3.2 Representacin de curvas de corriente en la


regin triodo junto con los valores de la tensin VDS que
delimitan dicha regin con la de regin de saturacin.
Para encontrar la expresin de la corriente en la regin de
saturacin basta con evaluar la ecuacin (6.10) para V D ' S = V GS V p :

I D = I D ( V D S = - V p + V GS ) , (6.11)

SECCIN 6.3: MODELO DE UNIONES ABRUPTAS 157


2 ( 0 + V p ) 2 - ( 0 + V GS ) 2
3 3


I D = G 0 - V p + V GS + . (6.12)
3
1

( 0
+ V p ) 2

Esta expresin se maximiza para VGS=0 y toma el valor:

2 ( 0 + V p )2 - ( 0 )2
3 3

I DSS I D (VGS = 0) = G 0 - V p + . (6.13)



1


3 ( 0
+ V p ) 2

Normalmente se suele utilizar una expresin emprica ms
compacta para la zona de saturacin, en la que aparece una dependencia
cuadrtica con la tensin VGS:
2
V GS
I D I DSS 1 - .
(6.14)
Vp
Para incluir el efecto de la modulacin de la longitud del canal se
aade el parmetro cuyo inverso nos proporciona la tensin Early.
2
V GS
I D = I DSS 1 - (1 + V DS ) .
(6.15)
Vp
Captulo 6

Ejemplo 6.1

Considerar un JFET de canal N con los siguientes


parmetros: ND =1016 cm-3, W/L=10, NA =1018 cm-3, L=10 m, a=1
m. Representar la relacin ID-VGS en saturacin obtenida con el
modelo de control de carga (ecuacin (6.12)). Compararla con la
relacin cuadrtica (6.14) en la misma grfica.

Solucin.

Para evaluar la expresin de la corriente de drenador


es necesario calcular en primer lugar el potencial barrera de
la unin y la tensin de agotamiento (6.2):
0 = 0.855 V
V p = 6.111 V
A partir de esos valores se puede calcular el parmetro
IDSS:
I DSS = 0.08 mA
El signo positivo de la corriente significa que el sentido
real de la corriente es de drenador a fuente, al revs que en
un transistor canal P. La tensin puerta fuente tambin
cambia de signo para que las uniones sigan en inversa, por
ello la tensin umbral es negativa. Con estos valores se

158 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


pueden representar las dos funciones. La Figura 6.3.3 nos
muestra el grado de aproximacin entre ambas expresiones.

IDSS 80

60

ID (A)
40
Funcin
cuadrtica
Modelo
de 20
Vp unin
abrupta
0
-8 -6 -4 -2 0
V GS (V)

Figura 6.3.3 Corriente de drenador en saturacin.

6.4 Modelos de gran seal y pequea seal en saturacin

Conocemos el valor de las corrientes que circulan por todos los


terminales del transistor en funcin de las diferencias de potencias

Captulo 6
existentes entre ellos: se ha obtenido una expresin para ID y sabemos que
la corriente que circula por la puerta corresponde a la de una unin
polarizada en inverso, del orden de 10-12-10-10 A. Se puede por tanto
modelar al transistor. En la regin de saturacin el modelo de gran seal
del transistor se muestra en la Figura 6.4.1. Se puede ver la similitud entre
este modelo y el del MOSFET. La nica diferencia es el valor de la fuente
dependiente de corriente.
G + D

vgs V GS 2
ID=IDSS(1- ) (1+ 8V DS)
Vp
-

Figura 6.4.1 Modelo del gran seal del JFET en


saturacin.
Para obtener el modelo de pequea seal en saturacin se puede
actuar de la misma manera que con el MOSFET. Tendremos los
siguientes elementos:
Transconductancia gm:

dI D 2 V V
gm = = - I DSS (1 - GS ) = g m 0 (1 - GS ) . (6.16)
dV GS Vp Vp Vp

SECCIN 6.3: MODELO DE UNIONES ABRUPTAS 159


Con valores tpicos de IDSS=-1 mA y Vp =2 V encontramos
una transconductancia gm0=1 mA/V.
Resistencia de salida ro:
1 ID V
= I DSS (1 - GS ) I D .
2
= (6.17)
ro V DS Vp
Capacidades asociadas a las zonas de carga espacial de las
uniones:
9 Capacidad puerta-fuente:

C gs 0
.
V GS 13 (6.18)
(1 + )
0
9 Capacidad puerta-drenador:

C gd 0
C gd = .
V 1
(6.19)
(1 + GD )3
0
9 Capacidad puerta-sustrato.

C gss 0
C gss = .
V GSS 12 (6.20)
(1 + )
0
Captulo 6

donde VGS, VGD y VGSS son la tensiones de las uniones


respectivas y Cgs0, Cgd0 y Cgss0 son las capacidades de las
uniones a tensin cero.
Resistencias parsitas de fuente y drenador: rs y rd. Est
asociadas a los caminos resistivos por los que circula la
corriente y unen los contactos con la zona activa del canal.
El efecto de la resistencia de fuente repercute en que IDSS y
gm toman valores ms pequeos. Al incluirse su efecto en
estos parmetros no se incluye explcitamente en el modelo,
que toma la forma definitiva que se muestra en la Figura
6.4.2.
C gd
rd
G D
+

C gss Cgs vgs g mvgs r0

Figura 6.4.2 Modelo de pequea seal del JFET.


Al igual que se estudi la respuesta en frecuencia del MOSFET
se puede hacer un anlisis similar con el JFET. Se puede definir

160 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


igualmente una frecuencia de ganancia en corriente en cortocircuito
unidad, fT. Se encontrara una expresin como

1 gm
fT= (6.21)
2 C gs + C dg + C gss

G + D

vgs gmvgs
-

Figura 6.4.3 Modelo de pequea seal simplificado vlido


para baja frecuencia.
Introduciendo valores tpicos para gm=1 mA/V y Cgs+Cdg+Cgss=5
pF se obtendra una fT=30 MHz.
A frecuencias bajas e intermedias el modelo de pequea seal se
puede simplificar por el que aparece en la Figura 6.4.3.

Ejemplo 6.2

Deducir una expresin para la conductancia del canal de un


JFET de canal P operando en la regin lineal, es decir, para valores
bajos de la tensin aplicada entre drenador y fuente, manteniendo

Captulo 6
fija la tensin VGS.

Solucin.

Otra forma de expresar la ecuacin (6.10) es:

( 0 + V GS - V D S ) 2 - ( 0 + V GS ) 2
3 3

V
I D = I p 3 ,
D S
+2 (6.22)
Va V a3 / 2

donde se ha definido V a 0 + V p e I p V a G o / 3 . La
ecuacin (6.22) se puede rescribir:

( 0 + V GS )2
3
VD 'S
3/ 2

V DS
ID = Ip 3 +2
1 1 . (6.23)
Va Va 3/ 2
0 + V GS

Si VD 'S << 0 +V GS podemos aproximar la corriente por:

3
VD 'S
V DS ( 0 +V GS )2
ID Ip 3 + 3 (6.24)
Va Va3/ 2
0 + V GS

La corriente para bajos valores de la tensin de


drenador quedara:

SECCIN 6.4: MODELOS DE GRAN SEAL Y PEQUEA SEAL EN SATURACIN 161


3I p 0 +V GS
1/ 2

ID = 1+ VD 'S . (6.25)
Va Va

La conductancia se obtiene derivando la expresin


anterior con respecto a VDS:

3I p 0 +V GS
1/ 2
I D
gD = = 1+ . (6.26)
VD 'S Va Va

RESUMEN

En este captulo se ha estudiado otro transistor de efecto campo.


Se han descrito las partes constituyentes de su estructura, cul es su
funcionamiento bsico. Se ha hecho uso de un modelo, el de uniones
abruptas y canal gradual, con el que se ha calculado la corriente que
circula por el canal del transistor. En el conjunto de ecuaciones que
describen la corriente de drenador se encuentra la dependencia explcita
con las tensiones aplicadas a los terminales de la estructura. Al igual que
con otros dispositivos la caracterstica corriente tensin es no lineal por lo
Captulo 6

que se han buscado modelos que linealicen esta caracterstica tanto en


condiciones de gran seal como de pequea seal. Estos modelos
constituyen la etapa bsica para poder analizar a este dispositivo en el
seno de un circuito electrnico.

CUESTIONES Y PROBLEMAS

1. Para un JFET canal N de uniones abruptas y concentraciones de


impurezas uniformes deducir una expresin para la corriente en la
regin triodo. Comprobar que se obtiene:

2 ( 0 V GS + V DS ) 2 - ( 0 V GS ) 2
3 3


I D = G 0 V DS . (6.27)
3 ( 0 + V p ) 2
1

Ahora, la diferencia de potencial entre puerta y canal necesaria


para agotarlo es Vp. Encontrar tambin la expresin para la
corriente en saturacin.
2. A partir de la conductancia obtenida en el Ejemplo 6.2, para un
JFET de canal P trabajando en la regin lineal, deducir una
expresin para la variacin ms importante de la conductancia del
canal con respecto a la temperatura. Para ello, seguir

162 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


considerando que la unin puerta-canal es abrupta y que la
movilidad de los mayoritarios en el canal vara como T-3/2.
Comprobar que se obtiene la siguiente expresin:


1 g D 3 ( EG + 3KT ) / q 0 1
= + . (6.28)
g D T 2 2Va1/ 2 (V GS + 0 )1/ 2 1 ( (V GS + 0 ) / Va ) T
1/ 2

3. Para el JFET (de canal N) de la figura calcule el punto de


operacin, la tensin umbral y comprobar que la tensin total a la
salida vale:

v O (t ) = 14.7 + 2.4 10 6 cos(t + ) V .

Datos: ND = 1016 cm-3, NA = 1018 cm-3, L = m, W / L = 10 , a = 1.0


m, 2a = ancho del canal, v i (t) = 0.1 cos ( t ) mV , C ,
R1 = 83 K, R2 = 100 K, R3 = 8 K, R4 = 282 K.
15 V

R1 R3
C
C V o(t)

Captulo 6
vi(t)
- R2 R4

Figura P.1.
4. Se pretende utilizar el JFET de la Figura P.2 como resistencia
variable en el intervalo 21.3 k 26.7 k para valores de la
tensin de puerta entre 10 V y 20 V. Suponiendo pequeos valores
de la tensin VDS calcular cual debe ser la longitud del canal y la
concentracin de impurezas del mismo conocidos el resto de los
parmetros que se muestran en la figura.
(Sol.: NA = 1.271017 cm-3, L = 266 m).
G

+
N
D
S
P 2 m

N
+
10 m

G
Figura P.2.

CUESTIONES Y PROBLEMAS 163


REFERENCIAS
[1] P.R.Gray and R.G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated
Circuits, 3a Ed., John Wiley & Sons, 1993.
[2] S. M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley & Sons,
1981.
Captulo 6

164 CAPTULO 6 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIN


Captulo

7
Captulo
EL TRANSISTOR DE
EFECTO CAMPO METAL
SEMICONDUCTOR

Transistor
MESFET
ndice
7-1 El arseniuro de galio. 7-4 Circuito equivalente
7-2 Estructura del MESFET. de pequea seal.
7-3 Principio de operacin.

Objetivos
Presentar otros materiales semiconductores empleados en aplicaciones
electrnicas particulares.
Describir la estructura del MESFET y su modo de operacin.
Presentar distintos modelos que tienen como fin el llegar a una expresin
analtica para la corriente de drenador.
Presentar otro modelo empleado en diseo asistido por ordenador que
proporciona una relacin I-V vlida para cualquier valor de la tensin.
Analizar cmo se modifican las expresiones de la corriente cuando se tienen en
cuenta otros efectos como las resistencias parsitas o la corriente de puerta a
travs del contacto Schottky.
Proponer un mtodo para extraer los parmetros que aparecen en las
caractersticas I-V a partir de medidas experimentales.
Presentar un modelo de pequea seal vlido para muy altas frecuencias, rango
donde es especialmente til este dispositivo.
Mostrar ejemplos de aplicacin de este modelo.

Palabras Clave
GaAs. Modelo de canal gradual. Corriente de puerta.
Contacto Schottky de puerta. Modelo de dos tramos para la Extraccin de parmetros.
Zona de carga espacial. velocidad de los electrones. Modelo de pequea seal.
Tensin de agotamiento. Modelo de Curtice.
Conductividad del canal. Resistencias parsitas.
7.1 El arseniuro de galio (GaAs)

La mayora de los transistores de efecto campo estn fabricados


de silicio por las excelentes propiedades de este material y por su
abundancia en la naturaleza. Sin embargo, tambin se utilizan materiales
compuestos en su fabricacin para utilizarlos en ciertas aplicaciones como
alta velocidad, alta frecuencia, o en situaciones donde se someten a los
circuitos a condiciones de operacin extremas, como alta y bajas
temperaturas y exposicin a la radiacin.
La tecnologa de materiales compuestos est menos desarrollada
que la del silicio por lo que se prefiere este material en la mayora de las
aplicaciones. Sin embargo, el GaAs y otros materiales compuestos
presentan ciertas ventajas sobre el silicio. Entre las ventajas hay que citar
(a) que es un material de ancho de banda prohibida directo, con lo que es
preferible en aplicaciones optoelectrnicas, (b) los electrones en este
material tienen mayor movilidad, con lo que se obtienen resistencias
parsitas menores, proporciona una mayor velocidad al funcionamiento
del dispositivo y un aumento de las frecuencias de operacin, (c) la
posibilidad de utilizar sustratos semiaislantes permite a este material
usarlo como base de los circuitos integrados monolticos de microondas y
ondas milimtricas. Entre las desventajas que presenta este material
frente al silicio hay que mencionar (a) una conductividad trmica menor,
con los problemas que esto conlleva a la hora de eliminar la potencia
disipada en los circuitos, (b) ausencia de unxido de calidad y (c) los
mayores costes de produccin.

7.2 Estructura del MESFET


Captulo 7

Transistor de efecto campo El transistor de efecto campo basado en materiales compuestos


metal semiconductor: ms importante es el transistor de efecto campo metal semiconductor
La corriente que circula entre (MESFET). El MESFET de GaAs (Figura 7.2.1) consta de un sustrato
fuente y drenador se controla semiaislante o ligeramente dopado tipo P. Encima de este semiconductor
modificando el espesor del canal.
hay otra capa conductora tipo N (canal) en la que se conectan tres
A semejanza del JFET, esto se
consigue variando la zona de
terminales: los contactos hmicos de fuente y drenador y un contacto
carga espacial en un Schottky que acta como puerta. Se pueden encontrar tambin canales
semiconductor. La diferencia con tipo P, sin embargo, son menos frecuentes puesto que la movilidad de los
el JFET estriba en que, en lugar huecos es inferior a la de los electrones. Entre fuente y drenador se har
de uniones pn, la puerta del circular una corriente mediante una tensin aplicada entre estos
transistor la constituye una unin terminales. Esta corriente se puede controlar a su vez mediante una
entre un metal y un tensin aplicada al terminal de puerta. El control de esta corriente se
semiconductor. realiza gracias a la variacin de la zona de carga espacial que aparece en
el canal debajo de la puerta. Esta regin de vaciamiento aumenta con el
incremento de la tensin aplicada entre puerta y fuente, VGS .

168 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


G
S D

z.c.e.
n+ n+
Canal n

Sustrato semiaislante

Figura 7.2.1 Estructura de un MESFET y detalle de la


modificacin de la zona de carga espacial para distintas
tensiones aplicadas entre los contactos de puerta y fuente.
Puede ocurrir que al ir aumentando esta tensin se agote por
completo el canal, anulndose la corriente entre drenador y fuente para
tensiones superiores. A la tensin VGS que agota el canal se le conoce con
el nombre de tensin umbral Vt , al igual que se defini en el MOSFET.
Para calcularla basta con igualar el espesor de la zona de carga espacial h,
que viene dado por

2 s ( 0 V GS )
h= , (7.1)
q ND
con el espesor del canal a (Figura 7.2.2). Despejando de esa igualdad la
tensin umbral se obtiene:

Captulo 7
qa 2 N D
Vt VGS (h = a) = 0 , (7.2)
2 s
donde ND es la concentracin de impurezas donadoras. Se suele definir
tambin la tensin de agotamiento o pinch-off, Vp, como:

qa 2 N D
Vp = . (7.3)
2 s
El espesor de la zona de carga espacial se puede rescribir:

( 0 V GS )
h=a . (7.4)
Vp

La unin metal semiconductor est polarizada en inverso para


aislar el terminal de puerta de los otros terminales. Al modificar la zona
de carga espacial con variaciones de la tensin VGS aparecen efectos
capacitivos entre la puerta y el canal, comportamiento anlogo al resto de
los transistores de efecto campo. Las diferencias con el resto de
transistores de efecto campo estriban en (i) la localizacin del canal, (ii)

SECCIN 7.2: ESTRUCTURA DEL MESFET 169


cmo se consigue el aislamiento de puerta y (iii) el tipo de material
utilizado.

G
S D

h
+ a +
n n
Canal n

Sustrato semiaislante

Figura 7.2.2 Definicin del espesor del canal h en un


MESFET.

7.3 Principio de operacin

La conductancia que presentara el canal tipo N sin tener en


cuenta la zona de carga espacial sera:
qN D nWa
G0 = , (7.5)
L
donde L es la longitud del canal y W su profundidad. La conductividad
real de este canal incluyendo los efectos de la zona de carga espacial
Captulo 7

sera:
qN D nW (a h)
G ds = . (7.6)
L
Cuando la zona de carga espacial ocupe todo el canal (a = h) la
conductividad se har nula.
Cuando, adems de aplicar una tensin a la puerta, la tensin VDS
es distinta de cero la diferencia de potencial entre puerta y un punto x del
canal variar a lo largo del mismo. Se debe dividir el canal en elementos
de longitud dx, cada uno de los cuales presentar un espesor ( a h( x)) )
y una conductividad diferentes entre s (Figura 7.3.1). El espesor de la
zona de carga espacial en un punto x es:

2 s ( 0 V GS + V ( x) )
h( x ) = , (7.7)
q ND

donde V ( x) es el potencial del canal en ese punto referido al terminal de


fuente. Este procedimiento se conoce como aproximacin de canal

170 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


gradual, y es el que se ha venido usando para calcular la caracterstica
corriente tensin en todos los transistores de efecto campo. El primero
que us este mtodo fue Shockley en su trabajo de 1952 Un transistor de
efecto campo unipolar [1].

G
S D

h(x)
h(x)
+ +
n n
Canal n

y
dx

Sustrato semiaislante x

Figura 7.3.1 Variacin del espesor del canal a-h en un


MESFET por efecto de la tensin VDS .
La resistencia de ese elemento de canal se puede escribir como:
dx
dR = , (7.8)
qN DW n (a h( x))
con lo que la cada de potencial en este pequeo segmento ser:
dx
dV = I D . (7.9)
qN DW n (a h( x))

Captulo 7
Integrando esta ecuacin entre 0 y L se obtiene la relacin entre
la corriente que circula por el canal con las tensiones aplicadas entre los
terminales del transistor:

2 (V DS + 0 V GS )2 - ( 0 V GS ) 2
3 3

I D = G0 V DS . (7.10)
3 1

( V p ) 2

Esta aproximacin es slo vlida mientras no aparezca el
agotamiento del canal en la regin de drenador, es decir, mientras no se
cumpla h( L) = a . A partir de ese punto la corriente tomara un valor
constante que se obtiene imponiendo la condicin de agotamiento
VDSsat = V p 0 + VGS :

V 3
2 ( 0 V GS ) 2
I D = G0 p
+ + V . (7.11)
3 3 ( ) 21
0 GS

Vp

SECCIN 7.3: PRINCIPIO DE OPERACIN 171


Si quisiramos mantener una corriente finita en un canal de
espesor nulo obligara a trabajar con una velocidad de los electrones
infinita o con un campo elctrico infinito. Para solucionar este problema
se puede hacer uso del hecho que la velocidad de deriva de los electrones
se satura para campos elevados, como se observa en la Figura 7.3.2.
v
GaAs

vsat

EC E

Figura 7.3.2 Relacin entre la velocidad de los electrones


en GaAs y el campo electrico aplicado al semiconductor.
7.3.1 Modelo de dos tramos de la velocidad
En los transistores de efecto campo de GaAs actuales es normal
que se supere el campo elctrico crtico, Ec, a partir del cual se satura la
velocidad. En consecuencia, vamos a considerar que la expresin de la
corriente (7.10) es vlida para tensiones VDS inferiores a VDSsat, donde
VDSsat se define como la diferencia de potencial entre drenador y fuente a
la cual el campo elctrico en el drenador E ( L) se iguala al campo crtico
Ec.
Captulo 7

El campo elctrico lateral se puede obtener de la siguiente


relacin:
J ( x) = E ( x),
ID
= qN D n E ( x),
W (a h( x)) (7.12)
ID
E ( x) = .
qN D nW (a h( x))
El campo es mximo en el extremo de drenador, ( x = L) :

I D (VDS )
E ( L) =
2 s( 0 V GS + VDS )
qN D nW (a )
qN D
I D (VDS ) (7.13)
= .
0 V GS + VDS
qN D nWa 1
Vp

172 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


Igualando el campo en el extremo de drenador al campo crtico
E ( L) = E c se tiene el inicio de la regin de saturacin (VDS = VDSsat ) .
Evaluando la expresin de la corriente (7.10) para VDSsat y haciendo uso
de las definiciones:
V DSsat VGS E L
u sat , ug 0 , c , (7.14)
Vp Vp Vp
se puede escribir la ecuacin (7.13) de la forma:

u sat
2
3
[ ]
(u g + u sat ) 3 / 2 u g3 / 2
= , (7.15)
1 (u g + u sat ) 1 / 2
de donde se puede extraer el valor de VDSsat.
Para >>1 la solucin de esta ecuacin se puede aproximar por
u sat + u g = 1 , idntico al modelo de canal gradual.
Para << 1 se puede aproximar u sat .
Tambin se puede resolver numricamente la ecuacin (7.15) y
obtener una frmula de interpolacin. Shur [2] demostr que dicha
frmula se poda aproximar por:
(1 u g )
u sat . (7.16)
+ 1 ug
La corriente de saturacin vendr dada por:
I D = qvsatWN D (a h( L))
0 VGS + VDSsat
= Go LEc (1 ( )1/ 2 )

Captulo 7
Vp (7.17)

= GoV p (1 (usat + u g )1/ 2 ).


En el caso lmite (dispositivo largo con pequea tensin
de estrangulamiento) la corriente de saturacin se reduce a la obtenida con
el modelo de canal gradual (7.11). En el otro extremo, <<1 (puerta corta
o gran tensin de estrangulamiento), se puede aproximar la corriente de
saturacin (7.17) por:

I D G oV p (1 ( + u g ) 1 / 2 ) . (7.18)
Para valores intermedios Shur [3] propuso una formula de
interpolacin:

(1 u ) 2

I D = G oV p
g
, (7.19)
1 + 3
que tambin se puede escribir como:

SECCIN 7.3: PRINCIPIO DE OPERACIN 173


I D = (VGS Vt ) 2 , (7.20)
donde
2 s n v sat W
= , Vt = 0 V p . (7.21)
a( nV p + 3v sat L)

Ejemplo 7.1

Considerar un MESFET de GaAs con los siguientes


parmetros: 0 = 0.6 V, ND = 31017 cm-3, W = 20 m, L = 1 m, VGS
= 0 V. Considerar que la movilidad de los electrones en este
material es 4000 cm2/(Vs) y la velocidad de saturacin 107 cm/s.
Calcular la curva IDS VDS empleando el modelo de canal gradual y
el modelo de dos tramos para la velocidad. Evaluar en este segundo
caso la anchura del canal en la regin de saturacin.
Solucin.

Con estos datos se puede calcular la tensin de


agotamiento Vp, que toma el valor de 2.069 V, y el campo
crtico 2.5103 V/cm. Con el modelo de canal gradual la
regin de saturacin comenzara para
VDSsat = VGS Vt = VGS + V p 0 = 1.469 V
Si la relacin velocidad-campo elctrico la
aproximamos por dos tramos lineales como se observa en la
Figura 7.3.2 e igualamos el campo E(L) de la expresin
(7.13) a 2.5103 V/cm se puede obtener el valor de la
tensin VDS que cumple estas condiciones: VDSsat = 0.223 V.
Captulo 7

Si evaluamos Ec L se obtiene 0.25V. Se puede comprobar


que para Ec L >>Vp se cumple VDSsat =Vt y en el caso Ec L
<<Vp se cumple que VDSsat Ec L. En la Figura 7.3.3 se
representa la curva IDVDS para este transistor admitiendo
(a) que la velocidad de los electrones crece de manera
indefinida y (b) que la velocidad de los electrones se satura a
partir del campo crtico (modelo de dos tramos para la
velocidad).
Cuando comienza la saturacin del transistor el canal
se agota en el extremo de drenador. Sin embargo, para
evitar hablar de espesores de canales nulos y de campos y
velocidades infinitas lo ms adecuado es hablar de un
espesor del canal finito. Este espesor, bsat, se puede estimar
introduciendo la velocidad de saturacin de los electrones:
I DSsat = qN DWbsat v sat
En este ejemplo IDSsat =3.547 mA con lo que bsat
=0.037 m. Se puede comparar este valor con el espesor del
canal en la regin de fuente: 0.046 m (Figura 7.3.4).

174 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


(a)
12

10

ID (mA)
6

4 (b)

2
0.22 V 1.469 V
0
0 1 2 3
VDS (V)

Figura 7.3.3 Representacin de las curvas IDVDS con el


modelo de canal gradual y admitiendo la saturacin de la
velocidad de los electrones en el canal.

VDS>VDSsat
G
S D

h(x)
+ +
n n
46 nm 37 nm

Inicio del agotamiento

Captulo 7
del canal

Figura 7.3.4 Estimacin del espesor del canal en las


regiones de fuente y drenador.
7.3.2 Modelo de Curtice
La conductancia del canal para valores bajos de la tensin VDS, se
puede obtener derivando la expresin de la corriente (7.10) con respecto a
VDS manteniendo constante VGS:

I V + V
1/ 2

g chi = D = G0 1 0 GS DS . (7.22)

V DS VGS = cte

V p

El modelo del dispositivo que se emplea en diseo asistido por
ordenador debe reproducir las curvas I-V en todo el rango de tensiones,
no solo en saturacin. Curtice [4] propuso una expresin que interpolaba
la corriente en todo el rango de tensiones:

SECCIN 7.3: PRINCIPIO DE OPERACIN 175


I D = I DSs (1 + V DS ) tanh(V DS ) , (7.23)
donde

I DSs = (VGS Vt ) 2 , (7.24)

0 VGS
I DSs = qWv sat N D a(1 ), (7.25)
Vp

es un parmetro que se elige de manera que cuando VDS 0 el valor de


la corriente de esta ltima ecuacin converja al valor de la corriente del
modelo de canal gradual:
g chi
= (7.26)
I DSs
y es un parmetro emprico que da idea de la conductancia de salida y
refleja la modulacin de la longitud del canal.
7.3.3 Efectos parsitos
Las resistencias serie de fuente y drenador (Figura 7.3.5) juegan
un papel importante en las caractersticas I-V del transistor. La resistencia
serie de fuente representa la resistencia total del contacto hmico de
fuente y la resistencia de la zona neutra del semiconductor entre el
contacto de fuente y la parte activa del canal. La resistencia serie de
drenador refleja o mismo que la de fuente pero referida a la regin de
drenador.
G
Captulo 7

RG

G
RS RD

S S D D

Figura 7.3.5 Resistencias serie en los tres terminales del


transistor.
Las diferencias de potencial entre los terminales externos se
pueden relacionar con las del dispositivo intrnseco:
VG ' S ' = VGS + I D RS ,
(7.27)
VD ' S ' = VDS + I D ( RS + RD ).
Para valores VDS << VDSsat podemos escribir la corriente de
drenador
I D g chiV DS g chV D 'S ' , (7.28)

176 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


donde gch es la conductancia del canal extrnseca. Combinando las
ecuaciones (7.27) y (7.28) se encuentra la relacin:
g chi
g ch = . (7.29)
1 + g ch ( R S + R D )
Despejando el valor de VGS de (7.27) e introducindolo en (7.24)
se obtiene una nueva expresin para la corriente de saturacin, IDSs, en
funcin de las tensiones de los terminales externos:

1 + 2R S (VG ' S ' Vt ) (1 + 4R S (VG ' S ' Vt )) 1 / 2


I DSs = . (7.30)
2R S
2

Teniendo en cuenta estos elementos extrnsecos se puede


rescribir la relacin corriente tensin (7.23):
I D = I DSs (1 + V D ' S ' ) tanh(V D ' S ' ) , (7.31)

g ch
= . (7.32)
I DSs
Hasta ahora se ha considerado que la corriente que circula por la
puerta es despreciable pues la unin Schottky est polarizada en inversa.
Sin embargo, hay situaciones en las que puede ser til hacer circular
corriente por la puerta, en particular cuando se est interesado en extraer
parmetros del dispositivo. Para tener en cuenta estas situaciones se suele
modelar la corriente de puerta mediante la combinacin de dos diodos.
Uno de ellos est conectado entre el contacto de puerta y el de fuente y el
otro entre el contacto de puerta y drenador (Figura 7.3.6). Ello dara lugar
a una corriente de puerta de valor:

Captulo 7
I G = I gs + I gd ,
VG ' S ' I G RG ( I D + I gs ) RS
I gs = I g 0 exp q ,
KT (7.33)
VG ' D ' I G RG ( I D + I gd ) RD
I gd = I g 0 exp q .
KT

S S D D

Figura 7.3.6 Inclusin de las uniones Schottky en el


modelo del transistor.

SECCIN 7.3: PRINCIPIO DE OPERACIN 177


7.3.4 Extraccin de parmetros del MESFET
Las ecuaciones estudiadas en el modelo de Curtice junto a las
correcciones por los elementos parsitos forman un conjunto completo de
expresiones que se emplean en el modelo analtico del MESFET usado en
el simulador de circuitos de GaAs UM-SPICE. Los parmetros del
modelo estn relacionados con la geometra, el dopado y los parmetros
del material tales como la velocidad de saturacin y la movilidad de bajo
campo.
Los parmetros de un MESFET real se pueden extraer a partir de
medidas experimentales corriente-tensin.
El parmetro se puede extraer de una curva ID VDS para
un valor constante de VGS.
Las corrientes de saturacin se extrapolan a VDS =0 para
todos los valores de VGS, considerando conocido el valor de
.
Para obtener RS, se representa ID1/2 en saturacin en funcin
de (VGS IDSRS) para diferentes valores de RS. Esta
representacin ser una lnea recta si se ha elegido el valor
adecuado para RS. Se puede tomar como criterio el que el
que el coeficiente de correlacin sea mayor que un valor
determinado.
De la pendiente de esta recta y del corte con el eje de abcisas
se obtienen y VT respectivamente.
El potencial barrera 0 se determina a partir de las
caractersticas I-V de la puerta.
El espesor del canal y el dopado se pueden extraer
Captulo 7

combinando (7.3) y la dosis de implantacin (producto


N D a ).
Considerando que las resistencias RD y RS son iguales se
puede obtener la resistencia intrnseca del canal Ri a partir
de la pendiente de la curva ID VDS en la regin lineal para
VGS elevada:
Rchi = R DS R S R D , (7.34)
donde Ri se relaciona con la tensin de puerta Rchi = 1 / g chi :

L L
Rchi = = . (7.35)
q n N DW (a h) qa n N DW (1 (( 0 VGS ) / V p )1 / 2 )

De esta ecuacin se puede obtener la movilidad de los


electrones n.
Posteriormente se puede calcular la velocidad de saturacin
despejndola de la definicin de .

178 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


7.4 Circuito equivalente de pequea seal

Los transistores de efecto campo, en particular los MESFETs de


GaAs, son tiles como amplificadores de bajo ruido, como generadores de
potencia con un alto rendimiento, y en aplicaciones lgicas de alta
velocidad. El modelo equivalente del transistor se muestra en la Figura
7.4.1, donde se sita cada elemento en la estructura real.
S G D

LS LG LD

RG

+
C gs v C gd
RS - gsr RD
ds

Ri

jt
g mvgse

Cds

Figura 7.4.1 Localizacin de los elementos del modelo de


pequea seal en el MESFET.
LG RG Cgd FET intrnseco RD LD

Captulo 7
+
vgs C gs
- jt
g mvgse rds C ds
Ri

RS

LS

Figura 7.4.2 Modelo de pequea seal del MESFET.


El MESFET (Figura 7.4.2) se puede dividir en dos partes: el
dispositivo intrnseco y los elementos extrnsecos o parsitos. La parte
intrnseca representa la zona activa del dispositivo, aquella cuyas
caractersticas dependen de la tensin aplicada a los terminales. El
funcionamiento del dispositivo intrnseco es el que se acaba de describir

SECCIN 7.4: CIRCUITO EQUIVALENTE DE PEQUEA SEAL 179


en el apartado anterior e incluye la zona activa del canal. Los elementos
extrnsecos no son necesarios para que el dispositivo pueda operar con
normalidad y no varan con las condiciones de polarizacin. Sin embargo,
en aplicaciones de alta frecuencia y alta velocidad el efecto de las partes
reactivas del MESFET puede deteriorar el funcionamiento del mismo por
lo que hay que incluirlos en el modelo equivalente.
El modelo est basado en la estructura real del dispositivo y es
vlido hasta la regin de microondas (varias decenas de gigahercios).
Cada elemento refleja las peculiaridades de alguna regin del dispositivo.
Cgs y Cgd representan el almacenamiento de carga en las zonas de carga
espacial de las regiones puerta-fuente y puerta-drenador. La resistencia RS
representa la resistencia total del contacto hmico de fuente y la
resistencia de la zona neutra del semiconductor entre el contacto de fuente
y la parte activa del canal. La resistencia RD igual que la de fuente pero
referida a este terminal. LG, LS y LD representan las inductancias de puerta,
fuente y drenador respectivamente. RG representa la resistencia de la
metalizacin de puerta. Ri es la resistencia del canal entre puerta y fuente.
Los valores de los elementos extrnsecos e intrnsecos dependen
de la estructura del canal, de la concentracin de impurezas, del tamao
del dispositivo, de su layout y de los procesos de fabricacin. Los
principales parmetros intrnsecos son la transconductancia gm, la
capacidad de entrada Cgs, la resistencia de salida rds y la capacidad de
realimentacin Cgd. Estos parmetros dependen de las tensiones de
polarizacin del dispositivo. El retardo de la corriente de drenador o de
la transconductancia respecto a la seal de entrada refleja el tiempo que
necesitan los electrones en atravesar la zona activa del canal. Es el tiempo
empleado para el intercambio de carga con la zona de vaciamiento en la
Captulo 7

regin de saturacin del canal. Es cero hasta que se alcanza la velocidad


de saturacin. Se espera que aumente con la tensin de drenador y
disminuya cuando aumente la tensin de puerta.
7.4.1 Estimacin de los elementos del circuito
Transconductancia: Derivando la expresin de la corriente
de drenador en la zona lineal (7.10) (obtenida del modelo de
canal gradual) se obtiene para este parmetro:

1 1
I D (VDS + 0 V GS ) 2 - ( 0 V GS ) 2
gm = = G0 . (7.36)

VGS VDS = cte
1
(V p )2
Para valores bajos de la tensin de drenador
(VDS << 0 VGS ) la corriente de drenador y la
transconductancia se pueden aproximar por las siguientes
expresiones:

180 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR



1/ 2
0 V GS
ID G0 1 V ,
V p DS
(7.37)
G0VDS
gm .
2(V p )1/ 2 ( 0 VGS )1/ 2
Derivando la expresin de la corriente en saturacin (7.11)
se obtiene la transconductancia en esta regin:

V GS 1 / 2
( g m ) sat G0 1 0 . (7.38)
V p

Capacidades: Las cargas almacenadas en la estructura dan


lugar a efectos capacitivos. La zona de carga espacial de la
regin de puerta vara en espesor a lo largo del canal por lo
que el acoplamiento capacitivo entre el metal de puerta y el
semiconductor se encuentra distribuido. En la prctica esta
capacidad se puede representar mediante dos capacidades
asociadas a las uniones Schottky de drenador-puerta y
fuente-puerta.

C g0
C GS = ,
1 V GS
o
(7.39)
C g0
C GD = ,
1 V GD

Captulo 7
o
donde

WL qN D s
Cg0 = . (7.40)
2 2 0

Resistencia intrnseca del canal entre puerta y fuente,


rds = Rchi = 1/ g chi .

L L
rds = =
{ }
.
q n N DW (a h) qa N W 1 ( V ) / V 1/ 2 (7.41)
n D 0 GS p

Resistencia asociada a la regin neutra entre los contactos de


fuente y puerta Ri (Figura 7.4.3). Admitiendo que la longitud
de esta regin es igual a la mitad de la longitud del canal
podemos escribir:

SECCIN 7.4: CIRCUITO EQUIVALENTE DE PEQUEA SEAL 181


s ( L / 2) ( L / 2)
Ri = = . (7.42)
Wa q n N DWa

L/2 L

a
Ri

Figura 7.4.3 Resistencia asociada a la regin neutra entre


los contactos de fuente y puerta.
Capacidad drenador fuente Cds (Figura 7.4.4): refleja el
acoplo capacitivo entre los contactos de fuente y drenador a
travs del sustrato semiaislante
sA s aW
C ds = = . (7.43)
X 3L

X 3L
Captulo 7

Figura 7.4.4 Capacidad asociada al acoplo entre los


contactos de drenador y fuente a travs del sustrato.
Un circuito simplificado que permite predecir de forma muy
acertada el funcionamiento de los transistores de efecto campo de GaAs
en circuitos de microondas como amplificadores y osciladores se muestra
en la Figura 7.4.5. En l no aparecen las resistencias de los contactos de
fuente, drenador y puerta as como la capacidad drenador puerta.
Ri
G D
+

vgs C gs gmvgs rds C ds

-
S S

Figura 7.4.5 Modelo de pequea seal simplificado para el


MESFET.

182 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


Los parmetros de un MESFET tpico suelen tomar los
siguientes valores: Cgs =0.3 pF, Cds =0.05 pF, gm =40 mS, rds =600 , Ri
=25 .
Como aplicacin de este circuito equivalente se puede calcular la
ganancia disponible mxima del MESFET, que se define como la
ganancia de potencia mxima que podemos conseguir a cualquier
frecuencia admitiendo que la entrada y salidas del circuito estn
adaptadas. Para ello se considera el circuito de la Figura 7.4.6.
Zs Ri io

+ + + +
ii
vs vi vgs Cgs g mvgs rds C ds Z o vo
-
- - -

Figura 7.4.6 Modelo de pequea seal del MESFET


excitado con una fuente de tensin a la entrada y cargado en
su puerta de salida con una carga Zo.
En primer lugar se calcula el valor de las impedancias Zs y Zo que
permiten adaptar la entrada y la salida:
j
Z s = Ri + ,
C gs
(7.44)
1
ZO = .
1/ rds j C ds
Una vez conseguido esto se calculan las potencias entregadas a la

Captulo 7
entrada del dispositivo y a la carga Zo:

Pi = 1/ 2 Re( I i*Vi ),
(7.45)
Po = 1/ 2 Re( I o*Vo ).
Su cociente proporciona la ganancia de potencia mxima:
1 g m2 rds 1
MAG = . (7.46)
4 (2 ) 2 Ri (C gs f ) 2
Introduciendo en esta ecuacin las expresiones de los distintos
parmetros que en ella aparecen (7.37)-(7.42) se tiene que la ganancia
mxima es proporcional a ND2 e inversamente proporcional al producto
( L f ) 2 . Esto indica que si queremos aumentar el rango de operacin de
este dispositivo debemos disminuir la longitud del canal o aumentar el
dopado del semiconductor. Las longitudes de canal que se emplean hoy
en da son inferiores a las 0.5 m, valor que ronda el lmite inferior para
la fotolitografa ptica. Con otras tcnicas como la litografa por haces de
electrones se pueden conseguir longitudes inferiores a las 0.2 m. Con

SECCIN 7.4: CIRCUITO EQUIVALENTE DE PEQUEA SEAL 183


respecto al aumento de las impurezas del canal semiconductor stas
incrementan los mecanismos de dispersin por impurezas ionizadas,
disminuyendo la movilidad, por lo que no es una solucin acertada el
aumento indiscriminado de este parmetro.

RESUMEN

En este captulo se ha introducido al transistor de efecto campo


metal semiconductor (MESFET). Se ha hablado de la importancia del
material sobre el que normalmente se construye este dispositivo (GaAs ) y
de las razones por las que se utiliza. Se ha descrito la estructura y el
funcionamiento bsico. Se han estudiado diferentes modelos que tienen
como objeto el llegar a una expresin para la corriente de drenador en
funcin de las tensiones aplicadas a los terminales. Se ha aadido
complejidad a estas expresiones al introducir otros efectos como las
resistencias parsitas o la corriente de puerta. Se ha propuesto un mtodo
para extraer los parmetros caractersticos del dispositivo. Finalmente se
ha presentado el modelo de pequea seal y se ha estimado el valor de los
parmetros que en l aparecen.

CUESTIONES Y PROBLEMAS

1. Considerando el circuito con un MESFET de la Figura 7.4.6


calcular la ganancia de potencia disponible mxima y la ganancia
Captulo 7

en potencia en caso de que la impedancia de fuente y carga tomen


el valor ZS =Zo =50 . Calcular el cuadrado de la ganancia en
corriente en cortocircuito. En este tercer caso cambiar la fuente de
tensin por una de corriente y considerar Zo = 0.
Para los parmetros del modelo de pequea seal utilizar los del
transistor MA4TF5005 polarizado a VDS =3V e ID =10 mA (Ri =5 ,
rds =406 , Cgs = 0.35 pF, Cds = 0.16 pF, gm = 32 mS). Evaluar
dichas ganancias comparndolas entre s en una grfica.
2. Considrese el dispositivo cuya estructura se representa en la
Figura P.1, con los siguientes valores de los parmetros:
a = 2 m, L = 20 m, W = 10 m, ND = 1016 cm-3
Para este dispositivo, conocido como MESFET, son aplicables las
expresiones obtenidas en el anlisis de JFET con unin abrupta.
Las difusiones N+ realizadas debajo de la fuente y el drenador se
realizan exclusivamente para conseguir contactos hmicos,
mientras que el contacto metlico de puerta es rectificador. Si la
barrera de este contacto vista desde el metal es de 0.6 eV, y

184 CAPTULO 7 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO METAL SEMICONDUCTOR


despreciamos el abatimiento Schottky de la barrera debido al
efecto imagen, calcular:
a) El potencial barrera visto desde el semiconductor.
b) La tensin de puerta que agota el canal. (Para poder aplicar la
misma expresin que se utiliza en el JFET admitir que el metal
es como si fuera un semiconductor fuertemente dopado).
c) La transconductancia del canal.
d) El tiempo de trnsito a travs del canal para una tensin de
drenador tal que se alcance la saturacin con VG=0.5Vp.
e) La limitacin en frecuencia del dispositivo.
V S=0 VG<0 V D>0

+ +
N N
a
L
GaAs tipo N
Sustrato semiaislante

Figura P.1.

REFERENCIAS
[1] W. Shockley. "A unipolar field effect transistor", PROC. IRE, vol.
40, pp. 1365-1376, November 1952.
[2] M.S. Shur. Low field mobility, effective saturation velocity and

Captulo 7
performance of submicron GaAs MESFETs Electron., Lett., Vol.
18 (21), pp. 909-911, Oct. 1982.
[3] M.S. Shur. Analitical model of GaAs MESFETs, IEEE Trans.
Electron Devices, vol. ED-25, pp. 612-618, June 1978.
[4] W.R. Curtice. A MESFET model for use in the design of GaAs
integrated circuits, IEEE Trans. MTT, vol. MTT-29, pp. 448-456,
May 1980.

CUESTIONES Y PROBLEMAS 185


C

8
Captulo
DISPOSITIVOS
OPTOELECTRNICOS.

Diodo Lser

S D

G
ndice
8-1 Introduccin 8-8 Descripciones cualitativas de la
8-2 Clasificacin de los dispositivos absorcin y de la ganancia de luz
optoelectrnicos en un semiconductor
8-3 Interaccin luz-materia 8-9 Amplificadores pticos y lseres
8-4 Transiciones entre estados. Ecua- semiconductores
cin de Einstein 8-10 Coeficiente de ganancia en un
8-5 Coeficiente de ganancia de inten- semiconductor
sidad de la radiacin luminosa 8-11 Perfil de emisin espontnea
8-6 Revisin de la teora elemental 8-12 Ejemplo: Obtencin de una
de semiconductores condicin umbral para obtener
8-7 Materiales semiconductores utili- ganancia en un semiconductor
zados en dispositivos optoelectr- 8-13 Diodos lser de homounin
nicos

Objetivos
Definir y clasificar funcionalmente los dispositivos optoelectrnicos.
Describir las caractersticas de la interaccin luz-materia, las transiciones entre
estados y la Ecuacin de Einstein.
Definir y evaluar los coeficientes de ganancia y absorcin de la intensidad de la
radiacin luminosa.
Establecer las condiciones de conservacin de la energa y el vector de onda en
las transiciones entre estados en materiales semiconductores.
Describir los materiales semiconductores utilizados en la fabricacin de estos
dispositivos.
Determinar las condiciones umbral en los diodos lser de homounin.

Palabras Clave
Dispositivos Conservacin de la energa y Densidad conjunta de
optoelectrnicos. del momento cristalino. estados.
Transiciones entre estados. Transiciones entre bandas de Perfil de emisin espontnea
Ecuacin de Einstein energa. en un semiconductor.
Absorcin de fotones. Amplificadores pticos. Espectro de emisin
Emisin espontnea y Lseres semiconductores. estimulada
estimulada de fotones. Condicin de mantenimiento Diodos lser de homounin
Coeficiente de absorcin y de la oscilacin.
de ganancia de la intensidad Condicin umbral de
de radiacin oscilacin.
8.1 Introduccin.

Hasta ahora todos los dispositivos estudiados tienen como


mecanismo bsico de su funcionamiento el transporte de corriente por uno
Dispositivos optoelectrnicos
o dos tipos de portadores de carga, electrones o huecos (o ambos). Existe
semiconductores
Son aquellos dispositivos otros tipos de dispositivos semiconductores cuya funcin es, en unos
semiconductores cuyo objetivo casos, producir luz a partir de corrientes elctricas, en otros, generar
es obtener radiacin luminosa a corrientes elctricas a partir de la incidencia de luz sobre ellos: son los
partir de corriente elctrica o bien denominados Dispositivos Optoelectrnicos Semiconductores. Aunque
generar corrientes elctricas a existen dispositivos realizados con materiales no semiconductores que
partir de radiacin luminosa. pueden realizar esta misma funcin (por ejemplo, los fotomultiplicadores)
Aunque hay dispositivos para nosotros, y en el contexto de esta materia, cuando hablemos de
optoelectrnicos que no son
dispositivos optoelectrnicos nos referiremos siempre a dispositivos
semiconductores, para nosotros
dispositivos optoelectrnicos
optoelectrnicos realizados con semiconductores.
equivaldr a dispositivos Por lo tanto, tenemos que introducir un nuevo elemento a lo ya
optoelectrnicos conocido: la radiacin luminosa, y estudiaremos algunos efectos de la
semiconductores interaccin de la luz con la materia, y de forma especial con los
semiconductores y su accin en los dispositivos con ellos fabricados. La
importancia actual de este tipo de dispositivos es obvia para cualquiera
que est un poco familiarizado con los circuitos electrnicos, e incluso
con la electrnica domstica: los mandos a distancia de los
electrodomsticos habituales funcionan (en su gran mayora) por emisin
y recepcin de rayos infrarrojos. El origen de la informacin que se
transmite por fibras pticas, propias de redes de comunicacin avanzadas,
suele estar en la emisin de luz por un dispositivo LED o lser
semiconductor. Los optoacopladores, en circuitos de control e
instrumentacin y las clulas solares son otros componentes en los que la
interaccin de la luz con las propiedades de uniones p-n determina el
funcionamiento de estos dispositivos.
Adems del aspecto aplicado de los dispositivos optoelectrnicos
que acabamos de citar, tambin conviene sealar que desde un punto de
Captulo 8

vista de conocimiento bsico de las propiedades de los materiales


semiconductores, las experiencias realizadas iluminando de forma
adecuada y controlada los semiconductores han ayudado en gran manera a
la comprensin de las propiedades de los mismos. As pues, tanto desde
un punto de vista fundamental como aplicado, estos elementos revisten
una importancia creciente en el mundo de la electrnica y merece la pena
que nos detengamos en su estudio.
Vamos a hacer ahora una puntualizacin en cuanto a la
nomenclatura: Por lo general, por "luz" entendemos la parte del espectro
de la radiacin electromagntica a la que es sensible el ojo humano, esto
es, que "vemos". Con ms propiedad, a esta zona deberamos llamarla
"espectro visible". Aqu, y en un abuso de lenguaje, por "luz"
entenderemos radiacin electromagntica en general, aunque los valores

188 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


numricos los centraremos en el espectro visible y la zona prxima del
infrarrojo -aquella que est limitando con el color rojo-. Alguna vez,
aunque muy raramente, incluiremos el ultravioleta.

8.2 Clasificacin de los dispositivos optoelectrnicos

Normalmente, los dispositivos optoelectrnicos se clasifican en


funcin de que sean capaces de emitir luz por ellos mismos o respondan
de determinada manera al recibirla. Los primeros se denominan emisores
de luz, y dentro de ellos, tenemos los dispositivos LED y los LSER.
Los segundos, receptores de luz, son los que producen corriente
elctrica al recibir una radiacin luminosa. En este grupo podemos
distinguir dos tipos distintos, que tienen, por diseo y objetivos,
caractersticas diferentes: unos cuya tarea primordial es detectar pequeas
intensidades de luz (la emisin de un mando a distancia, por ejemplo, o en
casos ms especializados y particulares, la dbil luz de una estrella a
travs de un telescopio), y estn formados por los dispositivos
denominados fotodiodos y fototransistores, y otros que se dedican a
producir tanta potencia elctrica como sea posible: las clulas solares.
An dentro de estos grupos se pueden establecer clasificaciones mas finas
en funcin de su construccin o de variaciones en su forma de operar, que
pueden ser importantes. Ms adelante, al explicar los distintos tipos de
estos dispositivos, veremos estas diferencias. Por ahora, para fijar ideas,
basta con tener en cuenta el cuadro siguiente:

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRNICOS

EMISORES DE LUZ RECEPTORES DE LUZ

LASER LED FOTODIODOS


CLULAS

Captulo 8
FOTOTRAN-
SOLARES
SISTORES

Figura 8.2.1 Clasificacin de los dispositivos semiconductores


optoelectrnicos segn su funcin

8.3 Interaccin luz-materia

Puesto que los dispositivos optoelectrnicos se basan en la


interaccin luz-materia, necesitamos introducir algunos conceptos bsicos
de estos procesos, mantenindonos al nivel que necesitaremos. Desde
luego, esta presentacin ser muy fenomenolgica, sin entrar en sus
fundamentos bsicos, lo que nos llevara a profundizar en la mecnica
cuntica mucho ms all de lo razonable en este curso. Con todo, unas

SECCIN 8.3 189


nociones mnimas de esa materia sern necesarias, ya que no podremos
evitarla por completo por la misma naturaleza de lo que aqu estamos
tratando. Y para entrar en el tema, vamos ahora, en primer lugar, a
recordar algunas definiciones y propiedades de las ondas
electromagnticas
8.3.1 Algunas propiedades de las ondas electromagnticas.
Las caractersticas ms elementales de una onda que se propaga
en un medio material vienen dadas por su frecuencia, , y su longitud de
onda . Estas magnitudes estn relacionadas por
= v con v = c/n , (8.1)
donde v es la velocidad de propagacin de la onda en el medio, lo que
normalmente llamamos la velocidad de la luz en ese medio, n su ndice de
refraccin y c la velocidad de la luz en el vaco (aproximadamente
31010cm/s). Normalmente, la velocidad de propagacin en el aire se toma
igual a la del vaco, y as lo haremos nosotros (lo que equivale a tomar
n = 1 en el aire). En general, n depende de la frecuencia, y se define un
nuevo ndice de refraccin ng que toma en cuenta dichas variaciones por
dn
n g = n + . (8.2)
d
Este valor interviene en las frmulas que se deducen desde
principios bsicos y que nosotros utilizaremos ms adelante.
Conviene tener en cuenta que la frecuencia no cambia al pasar de
un medio material a otro. Como la velocidad de propagacin s cambia, la
longitud de onda tambin. Tendremos pues que tener en cuenta esta
circunstancia y tener siempre presente a que medio nos referimos, que en
general ser o bien el semiconductor o bien el aire (que tomaremos como
vaco).
El nmero de onda se define como
1
= ; en el vaco, = (8.3)
Captulo 8

c
El vector de onda k es un vector que indica la direccin de
propagacin de la onda en el medio, y cuyo mdulo se indica a
continuacin:
2
k= ; en el vaco, k = 2 (8.4)

De acuerdo con la fsica cuntica, la energa de una onda
electromagntica se transmite en "paquetes" de valor h, siendo h la
constante de Plank. Cada uno de estos paquetes recibe el nombre de
fotones, y la energa de una onda depende del "nmero de fotones que
transporta la onda". En realidad, esta frase no tiene sentido, ya que lo que
se puede medir es el nmero de fotones que inciden en una superficie en

190 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


un tiempo dado. Esto nos dara la energa que ha alcanzado la superficie
en ese tiempo, que lgicamente, depende del tamao de la superficie y del
tiempo durante el que hemos medido. Para conseguir un parmetro que
sea independiente del rea y del tiempo de medida definimos la
intensidad de la radiacin como la energa de la onda incidente por
unidad de rea y unidad de tiempo:
Energa Potencia
I= = . (8.5)
Area Tiempo Area
A ttulo de informacin, la potencia media aportada por el sol
sobre la superficie terrestre, y en latitudes como las nuestras en el
momento de mxima iluminacin es de unos 1200 W/m2 = 120 mW/cm2 =
1.2 mW/mm2.
Si consideramos un elemento de volumen V en el espacio,
atravesado por radiacin luminosa, dentro de l hay almacenada una cierta
cantidad de energa, procedente del campo electromagntico que forma la
radiacin. Si la radiacin tiene un espectro continuo, llamemos ()d a
la densidad de energa en el volumen (energa por unidad de volumen) en
el intervalo de frecuencias entre y +d, e I()d a la intensidad de la
radiacin en el mismo intervalo. Se cumple que:
I ( ) d = [ ( ) d ] v , (8.6)
siendo v es la velocidad de propagacin de la onda electromagntica en el
medio en que est el volumen considerado. En el caso de una onda
monocromtica, esto es, que tenga una sola frecuencia, I representa la
intensidad de esa onda, y (8.6) queda:
I = v . (8.7)
Finalmente, nos quedan dos propiedades ms de las ondas: su
fase y su polarizacin. La fase tiene el sentido habitual, y la polarizacin
indica las direcciones en las que vibran los campos elctrico y magntico,
y son propios de cada onda.

Captulo 8
8.4 Transiciones entre estados. Ecuacin de Einstein

A principios del siglo XX se hicieron las primeras hiptesis


cunticas con el fin de explicar la estructura y estabilidad de los tomos.
Uno de los primeros modelos de xito fue el de Bohr, que estableca que
las transiciones de electrones entre dos niveles de energa E2 y E1 (E2 >
E1) slo se podan realizar si estaban acompaadas por la absorcin o
emisin de un fotn de energa h = E2 - E1. En 1916, y con el fin de
deducir de forma estadstica la densidad de energa emitida por el cuerpo
negro, A. Einstein propuso un modelo dinmico de las transiciones
electrnicas que podan tener lugar entre dos estados, y, con respecto a la
forma en que se emitan o absorban los fotones, consider los siguientes
tipos:

SECCIN 8.3 191


E2
h
electrn h
h =E 2-E 1
electrn
E1

Figura 8.4.1 En la emisin espontnea los electrones pasan del nivel 2 al


1 de forma aleatoria, y los fotones que se emiten salen en todas
direcciones y con cualquier fase en cualquier instante de tiempo

a) Emisin espontnea de un fotn del nivel 2 al nivel 1.


En este caso un electrn pasa del nivel E2 al nivel E1, y se emite
un fotn con energa h = E2 - E1 en cualquier direccin, con cualquier
polarizacin y con fase aleatoria, sin relacin con la de ningn otro fotn.
Adems, si N2 designa la densidad (nmero por unidad de volumen) de
tomos cuyo nivel 2 est ocupado por electrones, propuso que la variacin
temporal de la misma fuera de la forma:

dN 2
= A21 N 2 .
dt esp
(8.8)

siendo A21 una constante que depende de los niveles particulares que
estemos considerando. (Obsrvese que esta expresin presupone que
cualquier electrn que pase del nivel 2 al 1 encuentra un estado vaco en
el nivel 1, es decir, no tiene en cuenta el principio de exclusin de Pauli.
Tngase en cuenta que en 1916 no se conoca dicho principio).

E2

h electrn h =E 2-E 1

E1

Figura 8.4.2 El fotn absorbido produce la transicin del electrn del


Captulo 8

nivel 1 al 2. La desaparicin del fotn produce una disminucin de la


intensidad de la radiacin presente

b) Absorcin de un fotn
Ahora el electrn pasa del nivel 1 al 2 mediante la absorcin de
un fotn de igual energa que el caso anterior. Para ello es necesario que
haya fotones presentes, es decir, radiacin procedente de alguna otra
fuente (otros tomos, las paredes del recipiente, radiacin externa al
sistema, etc). Si ()d es la densidad de energa (por unidad de
volumen) entre las frecuencias y + d, la variacin temporal de la
densidad de tomos N1 cuyo nivel 1 est ocupado por electrones es de la
forma

192 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


dN 1 dN 2
= B12 ( ) N 1 =
.
dt abs
(8.9)
dt abs
Como antes, B12 es otra constante de proporcionalidad.

c) Emisin estimulada
Los dos tipos a) y b) citados anteriormente podan corresponder
ms o menos con las ideas admitidas que ya formaban parte del modelo
atmico de Bohr, y ser lgicas para la poca. Pero Einstein propuso
adems otro tipo de proceso, las transiciones del nivel 2 al nivel 1 por
emisin estimulada, en la que un fotn presente provocara (estimulara)
la transicin generando otro fotn. Esta idea era completamente nueva
Emisin estimulada de un
para la poca. La explicacin que da la mecnica cuntica actual es fotn
bastante compleja, y hay que tener en cuenta que los fotones son Es un proceso por el cual un
partculas de spin entero denominadas bosones. Este tipo de partculas fotn origina una transicin de un
tienen la propiedad de que pueden haber muchas en un mismo estado (no electrn de un nivel de mayor
rige para ellas el principio de exclusin de Pauli), y que cuantas ms hay energa a otro de menor. El
en un estado ms probable es que se les aada otra ms. Pero adems, los resultado es que el fotn saliente
fotones emitidos salen en el mismo estado que el que provoca la emisin, tiene todas sus propiedades
idnticas al que induce la
esto es, salen con la misma energa, fase, direccin y polarizacin que el
emisin, con lo que el proceso
fotn que induce la transicin. As, si un grupo de n fotones idnticos
termina con dos fotones. De esta
induce la emisin de otro ms, tenemos n+1 fotones con la misma fase, forma se puede obtener mayor
direccin, frecuencia y polarizacin, con lo que la intensidad de la nmero de fotones idnticos a la
radiacin formada por esos fotones aumenta. Si somos capaces de salida que a la entrada: Se puede
producir este tipo de emisin en una longitud d de materia podremos tener "amplificar" la intensidad de la
ms fotones idnticos a la salida que en la entrada: podemos "amplificar" radiacin.
la seal luminosa. Podemos pues ver que este tipo de radiacin va a ser,
precisamente, de capital importancia en el funcionamiento de los
amplificadores de luz y lseres. Ahora, la dinmica de los niveles
ocupados por electrones inducida por este proceso vendr dada por:

dN 2
= B21 ( ) N 2 . (8.10)

Captulo 8
dt em est

electrn E2

h h h =E 2-E 1
h
E1

Figura 8.4.3 La presencia de un fotn provoca (estimula) la transicin de


un electrn del nivel 2 al 1. El fotn emitido en esta transicin es idntico
al que la origina, y el proceso acaba con dos fotones idnticos

SECCIN 8.3 193


Por lo tanto, la variacin total de la densidad de niveles 2
ocupados por electrones viene dada por la suma de los distintos procesos,
y es:

dN 2
= A21 N 2 + B12 ( ) N1 B21 ( ) N 2 . (8.11)
dt
Esta ecuacin recibe el nombre de ecuacin de Einstein, y
constituye el punto de partida para el estudio de todos los procesos
optoelectrnicos.
Los coeficientes de proporcionalidad A21, B21 y B12 estn
relacionados entre s. Esta relacin se puede obtener imponiendo que en
equilibrio termodinmico N1 y N2 satisfagan la relacin de Boltzmann y
que () sea la del cuerpo negro:
E 2 E1
N 2 g2 8 n 2ng 2 h
= e k BT
; ( ) = h
. (8.12)
N1 g1 c3
e k BT
1
g1 y g2 son la degeneracin (nmero de electrones que pueden
ocupar cada nivel atmico) del nivel 1 y 2 respectivamente, y kB la
constante de Boltzmann. As se obtiene:

c3
g 2 B 21 = g 1 B12 ; B 21 = A21 . (8.13)
8 n 2 n g h 3

Consideremos ahora una situacin en la que nicamente


tengamos emisin espontnea: Por ejemplo, iluminamos un material, lo
que provoca transiciones desde los niveles de menor energa a los de
mayor, con lo que los estados ms energticos son ocupados por
electrones. Si apagamos la luz, estos electrones permanecen un cierto
tiempo en el nivel superior, y su cada al inferior se produce por emisin
espontnea ya que () es despreciable. Sea N2 la densidad de niveles
altos ocupados por electrones. Su evolucin temporal tras apagar la luz la
Captulo 8

podemos obtener a partir de la ecuacin de Einstein, que tendr la forma


dN 2 N 1
= A21 N 2 = 2 si definimos esp = . (8.14)
dt esp A21
Integrando, obtenemos:
t

esp (8.15)
N 2 (t ) = N 20 e .
El nmero de fotones que se emiten por unidad de tiempo es
precisamente la derivada de N2(t) con respecto al tiempo. Estos fotones
tienen una energa h cada uno por lo que la energa emitida por unidad
de tiempo, es decir, la potencia, ser:

194 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS



t (8.16)
dN 2 N
W = h = h 20 e esp .
dt esp
Los fotones salen en todas direcciones. Si nuestro detector
determina un ngulo slido , los que detectar ser /(4) del total.
Considerando que este ngulo slido corresponda a un rea A, la
intensidad que incidir sobre ella ser:
t

W dN 2 N
I= = h = h 20 e esp . (8.17)
4 A 4 A dt 4 A esp
Lo que nos indica que la intensidad medida ser proporcional a
una exponencial de constante de tiempo esp, que representa justamente la
vida media espontnea del nivel 2, y por eso recibe este nombre. En lo
sucesivo utilizaremos indistintamente A21 o esp, dependiendo de lo que
sea ms habitual en la prctica segn el contexto.

8.5 Coeficiente de ganancia de intensidad de la


radiacin luminosa

Vamos a dar ahora una definicin matemtica de la ganancia de


intensidad de una radiacin luminosa, sin proceder a una demostracin
rigurosa de la misma. La ganancia de intensidad est asociada a los
mecanismos de absorcin y emisin estimulados que dependen de la
intensidad de la radiacin presente a travs de (). Como ya se ha
indicado, cuanto mayor sea esta intensidad mayor sern el nmero de
fotones que se aadirn (y absorbern) en un trozo de material. Adems,
si tenemos en cuenta que el fotn estimulado es idntico al que estimula,
aquel sale en su misma direccin. As, podemos considerar un haz de
fotones idnticos (misma energa o frecuencia, fase, direccin y
polarizacin) que se propagan en la direccin z constituyendo un haz
monocromtico de intensidad I , y un trozo de material de longitud dz en

Captulo 8
dicha direccin (Figura 8.5.1). La intensidad que saldr del mismo ser
I + dI. El incremento dI depende de I (intensidad presente en el inicio
de dz), por lo que en cada trozo dz la produccin de fotones ser mayor
que en el anterior, en la mayora de los casos de forma no lineal. Teniendo
en cuenta esto, se define el coeficiente de ganancia de intensidad de
radiacin luminosa () como el incremento relativo de intensidad por
unidad de longitud:

1 dI La Ganancia de intensidad de
( ) = (8.18)
I dz radiacin luminosa es el
incremento relativo de intensidad
depende del material y en muchos casos de la posicin dentro por unidad de longitud.
del material, esto es =(, z, propiedades del material). Si >0 la
derivada de (8.18) es positiva, lo que significa que la intensidad aumenta.

SECCIN 8.3 195


I0
I1 I2 I3 I4

dz1 dz2 dz3 dz4

Figura 8.5.1 La intensidad que sale de cada elemento dz depende de la


que entra en el mismo.

Cuando < 0, se suele reemplazar || por , denominado


El coefiente de absorcin es la coeficiente de absorcin del material y la expresin anterior queda:
disminucin relativa de
intensidad por unidad de 1 dI
= . (8.19)
longitud. I dz

La relacin entre ellos es = - Y si es constante en todo el material, (8.19) se integra


inmediatamente y sale:

I ( z ) = I 0 e z , (8.20)
en donde I0 es la intensidad que incide sobre el origen del material que
estamos considerando. (8.20) es la conocida frmula que da la absorcin
de luz en un material. Tanto como dependen, en general, de la
frecuencia de la intensidad luminosa que estimula las transiciones.
Otra forma muy utilizada de expresar la ganancia se obtiene
multiplicando el numerador y denominador del segundo miembro de
(8.18) por el rea A sobre la que incide I :

d ( A I ) Incremento de potencia generada

= A dz =
Volumen en el que se genera la potencia (8.21)
.
I Intensidad incidente
O, vuelta a escribir de otra forma equivalente:
Captulo 8

Incremento de potencia generada por unidad de volumen


= . (8.22)
Intensidad incidente
Podemos an relacionar con el nmero de fotones, dividiendo
el numerador y el denominador de la expresin anterior por h. Y as,
tenemos:

Incremento del nmero de fotones generados por unidad de volumen


=
Nmero de fotones incidentes por unidad de rea
(8.23)

196 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


8.6 Revisin de la teora elemental de semiconductores

La nica forma de explicar correctamente las propiedades


elctricas y pticas de los slidos es utilizando la mecnica cuntica, lo
que introduce una dificultad tanto conceptual como matemtica muy
grande. Para que en nuestro nivel podamos hacer un uso adecuado de la
misma es preciso admitir bastantes ideas sin demostracin y hacer
simplificaciones muy considerables, con lo que podremos reducir
notablemente la complejidad. An as los resultados que se obtienen
tienen un grado de aproximacin bastante bueno y nos permitirn obtener
valores razonables de las propiedades que nos interesen, en el sentido de
que muestran una buena coincidencia con los datos obtenidos
experimentalmente. Aunque en el captulo 1 se ha dado una visin
cualitativa de las caractersticas de los semiconductores, vamos ahora a
profundizar un poco ms, especialmente en lo que concierne a la
estructura de bandas, ya que nos va a resultar imprescindible para explicar
los procesos de interaccin entre electrones y fotones en un material de
este tipo.
Para empezar, lo primero que vamos a admitir es que los slidos
que nos interesan son slidos cristalinos, esto es, que los tomos que los
constituyen estn dispuestos peridicamente en el espacio, ocupando
posiciones fijas en el espacio. Este modelo presenta algunas dificultades
conceptuales, ya que los ncleos y los electrones ms cercanos a ellos,
que no participan de la conduccin, tambin se mueven. No obstante, no
tendremos en cuenta esta situacin, considerndolos fijos. Esta ser, pues,
la primera de las aproximaciones citadas, (llamada, en este contexto
aproximacin adiabtica).
Lo caracterstico de la distribucin peridica de los tomos es
que tomando como origen uno cualquiera de ellos, los dems estn
dispuestos en puntos "discretos" R tales que
R = n1a 1 + n 2 a 2 + n3a 3 (8.24)
siendo n1, n2 y n3 nmeros enteros, y a1, a2 y a3 los tres vectores ms

Captulo 8
cortos que unen el origen con sus tres vecinos ms prximos. El conjunto
de puntos R se denomina red de Bravais, y, bsicamente, es una
idealizacin matemtica del cristal, ya que, en muchos casos, no basta con
asociar a un punto de la red un slo tomo, sino que hay que asociarle un
grupo de tomos. Este grupo constituye la base del cristal, de forma que

Slido cristalino = red de Bravais + base

Con estas aproximaciones, se puede demostrar que:


Los electrones del cristal se pueden tratar como independientes, de
forma que cada uno de ellos se puede describir mediante una funcin
de onda solucin de la ecuacin de Schrdinger :

SECCIN 8.3 197


h2 2
(r ) + V0 (r ) (r ) = E (r ) , (8.25)
2m
donde V0(r) es el potencial peridico de la red al que est sometido el
electrn considerado y que cumple la condicin de periodicidad
V0(r+R) = V0(r).
Las soluciones de la ecuacin anterior han de ser de la forma

k (r ) = e ik r u k (r ); con u k (r + R ) = u k (r) ,
(8.26)
E=E(k); E(k) = E(-k).
es decir, las soluciones dependen de un vector k que juega el papel de
nmero cuntico. El resultado expresado en la primera lnea de (8.26)
recibe el nombre de Teorema de Bloch, y las funciones (r) reciben
el nombre de funciones de Bloch. Para cada k, la funcin u(r) es
diferente, lo que hemos indicado por el subndice k. Por la misma
razn, lo ponemos tambin en (r). Si ahora reemplazamos k(r) en
(8.25) por su expresin en funcin de uk(r), la ecuacin que sta ha
de cumplir es:


h2
2m
{ }
2uk (r ) + [2ik uk (r )] k 2uk (r ) + V0 (r ) uk (r ) = E (k ) uk (r )

(8.27)
Si fijamos el valor de k, esta ecuacin es del tipo de las de valores
propios, que, en general, tiene infinitas soluciones, por lo que
necesitaremos otro nmero para sealar cada una de estas. Llamemos
n a este otro nmero, y los distintos valores de k(r), uk(r) y E(k) los
tendremos que sealar como n,k(r), un,k(r) y En(k). En la Figura
8.6.1 se muestra un diagrama de los posibles valores de la energa
para todo k en una dimensin y distintos valores consecutivos de n.
E
Captulo 8

Ed

Bandas de Energa
Los materiales que tienen una
E n+1
estructura cristalina tambin tiene
una estructura de bandas.
Ec
Esto no es privativo de
materiales cristralinos. Los que k
Eb
no lo son tambin pueden tener
estructura de bandas Ea En

Figura 8.6.1 Diagrama de bandas de un slido en una dimensin. Se


muestran tres bandas, En, En+1 y En+2

198 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


En ella se puede ver que un electrn puede tener cualquier valor
de la energa entre Ea y Eb, y entre Ec y Ed. En cambio no hay
ningn valor de k que permita los valores entre Eb y Ec. Las
zonas de energa permitida se llaman bandas permitidas, y las
que no son posibles, bandas prohibidas, o "gaps" (utilizando la
terminologa inglesa). No obstante, en la prctica se confunde
esta definicin con la expresin En(k). As, si decimos que "el
electrn est en la tercera banda con k0 ", queremos expresar que
el electrn tiene el valor de la energa que corresponde a E3(k0).
Como En(k)= En(-k) en k = 0 tiene que haber un mximo o un
mnimo relativo (un extremo relativo) de la energa.
En un semiconductor, a T = 0 K, estn ocupadas todas las bandas
hasta la que determina el lmite inferior de la banda prohibida o
gap. (Banda En en la Figura 8.6.1). Las bandas superiores estn
completamente vacas. A temperatura ambiente, algunos de los
electrones de la ltima banda pasan, adquiriendo energa de la
red cristalina, a la banda superior, quedando estados no ocupados
-huecos- en la banda inferior y estados ocupados por electrones
en la superior. La ltima banda que est ocupada a T=0 K se
denomina banda de valencia, y la primera vaca, banda de
conduccin.
Los valores que puede tomar k dependen de los vectores a1, a2 y
a3 que elijamos, pero para lo que necesitaremos podemos admitir
un cristal en el que tales vectores estn sobre los ejes de
coordenadas de forma que si las dimensiones del cristal son Lx ,
Ly y Lz , y la separacin entre los puntos de la red de Bravais (en
cada punto puede haber ms de un tomo si la base es
poliatmica) es ax , ay y az , el nmero de puntos de dicha red de
Bravais en cada direccin habr de ser Ni = Li/ai. (i=x,y,z). Pues
bien, cada componente del vector k, ki, debe valer:
2
ki = mi (i = x, y, z ); mi es un nmero entero (8.28)
N i ai

Captulo 8
(Para una deduccin rigurosa ms general ver las referencias 0 y
0).
En los materiales de inters para nosotros, ax =ay =az =a , y se
denomina constante de red. Para un material tpico en
optoelectrnica, el arseniuro de galio, GaAs, a = 0.565 nm
(= 5.65 ).
Los valores de mi mayores que Ni, si bien son posibles, no
aportan ninguna informacin ya que se puede demostrar que las
propiedades fsicas, elctricas y pticas de mi y de mi - Ni son las
misma. Por lo tanto,

mi es un nmero entero que vale 0 mi < Ni (i = x, y, z) (8.29)

SECCIN 8.3 199


Por lo tanto, hay Ni posibles valores para cada componente de k.
En cada banda de energa hay N1 x N2 x N3 =N estados posibles,
esto es tantos estados como puntos de la red de Bravais del
cristal. Si tenemos en cuenta que los slidos tienen del orden de
1022 tomos por centmetro cbico, podemos estimar
El vector de onda k tiene Ni (1022)1/3 = 2.15 x 107 (considerando que en cada punto de la
valores discretos, y hay tantos red de Bravais hay un tomo) para un cristal cbico de 1 cm de
valores permitidos como puntos lado. Incluso para un cristal cbico de 1 m de lado (=10-12 cm3)
de la red de Bravais tiene el el nmero de tomos sera:
cristal.
Ni (1022 at/cm3 x 10-12 cm3)1/3 = 2.15 x 103 tomos

que representa un nmero bastante grande (si dibujamos el eje kx


por ejemplo, sobre una longitud de 1m, la separacin entre
valores de kx sera inferior a 0.5 mm). Esto significa que hay
muchos valores de ki posibles en cada direccin.
La separacin en el espacio de las k entre cada uno de sus
valores la podemos obtener teniendo en cuenta que entre ki y ki+1
hay una distancia ki
2 2
k i = k i +1 k i = = (i = x, y, z ) (8.30)
N i ai Li
por lo que podemos considerar que cada k (cada estado
electrnico) "ocupa" un volumen k dado por:

2 2 2 (2 )3
k = = , (8.31)
Lx L y L z VC
siendo VC el volumen del cristal. Este resultado, aunque
deducido para un caso muy particular, vale de forma general.
El vector de onda k desempea el papel que en mecnica clsica
tiene el momento lineal con respecto a la conservacin del
Captulo 8

mismo: En las interacciones del electrn con fotones o con


vibraciones de la red (denominadas fonones), el vector de onda
total se conserva. As, si un fotn tiene un vector kph y es
absorbido por un electrn con un vector de onda ki, el electrn
acabar con un vector de onda kf tal que:
k f = k i + k ph . (8.32)
O, si el proceso fuera de emisin del fotn por parte del electrn:
k f = k i k ph . (8.33)
k recibe el nombre de pseudomomento o momento cristalino del
electrn, ya que no es momento lineal total del electrn, pero
tiene las propiedades de conservacin mencionadas.

200 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


Supongamos que un electrn pasa de un estado en una banda
En+1 a otro estado en otra banda de menor energa En emitiendo
un fotn de = 500 nm (que corresponde al color amarillo -
verdoso, en la zona visible del espectro). El fotn emitido tiene
un vector de onda (considerando n = 1):
2 2
k ph = = 10 5 cm 1 = 2 2 10 4 cm 1
5
Tomemos el valor de a para este material de 0.5 nm, por lo que el
mximo valor de k que puede tener el electrn es km
2 2
km = = 10 7 cm 1 = 2 2 10 7 cm 1 = 10 3 k ph
a 0.5
Si ahora dibujamos a escala en un diagrama de bandas esta
transicin, (Figura 8.6.2), partiendo de un valor para ki nos
encontraremos con que el valor de kf, que cambia en una
milsima de km, tenemos que dibujarlo vertical, ya que no
disponemos de tanta resolucin grfica como necesitaramos para
ver esta variacin. Esto es cierto no slo grficamente, sino
tambin con la precisin con que podemos calcular los valores ki
y kf, y la condicin que normalmente se toma en las transiciones
pticas es

kf = ki

E n+1

Captulo 8
Ec

Eb km = 2
a
kf = ki - kph
En

Figura 8.6.2 Diagrama de bandas de un slido mostrando una


transicin con emisin de un fotn entre dos bandas. Obsrvese
que la representacin de la grfica ha de ser vertical

Esta condicin es muy importante, y nos explica porqu unos


materiales tienen buenas propiedades optoelectrnicas y otros

SECCIN 8.3 201


no. Consideremos el caso de emisin de luz, y veamos en primer
lugar porque el silicio cristalino no sirve como dispositivo
emisor. Su banda de valencia tiene un mximo en k = 0, y la de
conduccin un mnimo en la direccin kx (y tambin en ky y kz )
aproximadamente a 0.85km. A temperaturas normales de
funcionamiento, los estados ocupados por electrones se sitan
entorno del mnimo de la banda de conduccin, y los ocupados
por huecos (vacos de electrones) entorno del mximo de la
banda de valencia, por lo que slo se pueden dar transiciones
entre estos extremos (los electrones no pueden realizar
transiciones "verticales" desde el mnimo de la banda de
conduccin a la de valencia porque los estados de esta banda a
los que deberan ir a parar los electrones provenientes de la de
conduccin ya estn ocupados). Sin embargo, los fotones no
tienen el vector k suficientemente grande para compensar la
variacin del momento cristalino del electrn y esta transicin no
puede tener lugar. En consecuencia, el silicio no emite luz. En
cambio, el GaAs, tiene el mximo de la banda de valencia, y el
mnimo de la banda de conduccin en k = 0. La transicin
"vertical" es posible, y este material es uno de los ms usados en
optoelectrnica.

E E
EC
EC

k k

EV EV
a) b)

Figura 8.6.3 Diagrama esquemtico de las bandas de


conduccin y valencia de un slido a) de gap indirecto tipo
Captulo 8

silicio y b) de gap directo tipo GaAs. En el caso a) un fotn no


puede producir una variacin de k tan grande, por lo que no
puede darse la transicin indicada.

En las situaciones normales de funcionamiento, se admite que


los electrones en la banda de conduccin y los huecos en la
banda de valencia estn situados en torno a un mnimo o mximo
(ambos en el mismo valor de k). (Ver Captulo 2). Si llamamos
EC0 y EV0 al mnimo y mximo de la banda de conduccin y
valencia respectivamente, y m c* , m v* a las masas efectivas de
electrones y huecos, la energa de los electrones en la banda de
conduccin la podemos expresar por:

202 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


h 2k 2
EC = EC 0 + , (8.34)
2 m c*
y la de los huecos en la de valencia por:
h2k 2
EV = EV 0 . (8.35)
2 m v*
Estas relaciones son una aproximacin un poco burda a la forma
de EC,V(k), muy especialmente en el caso de la banda de
valencia, en la que, incluso los modelos ms simples obligan a
considerar al menos dos bandas de diferente curvatura, las
denominadas banda de huecos ligeros y banda de huecos
pesados. An as, nos quedaremos con una sola banda para poder
establecer con cierta simplicidad las ideas bsicas y obtener
expresiones analticas que describen bastante bien los resultados
experimentales.
Finalmente, la probabilidad de que un estado de energa E1 est
ocupado por un electrn viene dada, en equilibrio
termodinmico, por la funcin de Fermi-Dirac:
1
f (E) = E EF
.
(8.36)
1 + e k BT
T es la temperatura absoluta, kB la constante de Boltzmann y EF
el nivel de Fermi (o potencial qumico) y es independiente de la
posicin. Cuando no estamos en equilibrio, utilizaremos los
pseudoniveles de Fermi, EFn y EFp y la probabilidad de que un
estado de la banda de conduccin est ocupado por electrones
vendr dado por
1
f c (E) = E E Fn
,
(8.37)
1 + e k BT
y la de que un estado en la banda de valencia est ocupado por
electrones por

Captulo 8
1
f v (E) = E E Fp
.
(8.38)
1+ e k BT

En equilibrio termodinmico, EFn = EFp = EF y las expresiones


anteriores se reducen a (8.36).

8.7 Materiales semiconductores utilizados en


dispositivos optoelectrnicos

Los materiales utilizados en dispositivos optoelectrnicos son


muy variados, y su uso depende de la aplicacin y rango de frecuencias a
que vayan destinados. En las zonas del espectro correspondientes al
infrarrojo cercano y al visible se usan aleaciones de materiales de la

SECCIN 8.3 203


columna III y V del sistema peridico, tipo GaAs (Arseniuro de Galio),
AlGaAs (Arseniuro de Galio y Aluminio), GaN (Nitruro de Galio), GaP
(Fosfuro de Galio), InP (Fosfuro de Indio), y mezclas entre ellos, y en el
infrarrojo medio o lejano algunos de estos as como compuestos de la
columna II y IV (CdHgTe, PbSSe...), casi siempre materiales de gap
directo. La razn ya ha sido mencionada. Los de gap indirecto pueden
jugar tambin algn papel si se impurifican convenientemente, de forma
que se creen niveles permitidos en la banda prohibida que pueden ayudar
a modificar el valor de k en una transicin que vaya de una banda al nivel
creado, y de all a la otra banda. Estos procesos, por su complejidad, no
los trataremos aqu.
El primer lser semiconductor que emiti luz fue de GaAs, y la
combinacin de este material con AlGaAs ha sido el ms utilizado.
Vamos, a modo de ejemplo, a ver principalmente este tipo de estructura.
En la Figura 8.7.1 se muestra el ancho de banda en funcin de la
constante de red. Como ejemplo tpico, podemos ver que el GaAs y el
AlAs tienen prcticamente la misma constante de red y diferente ancho de
banda prohibida.
Captulo 8

Figura 8.7.1 Ancho de la banda prohibida en funcin de la constante de


red. Las lneas discontinuas muestran las combinaciones de compuestos
en las que el gap es indirecto

Si ahora mezclamos adecuadamente GaAs y AlAs, de forma que


reemplacemos un cierto nmero de tomos de Ga por tomos de Al

204 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


podemos obtener un compuesto denominado AlxGa1-xAs, donde la x
indica la proporcin de tomos de Ga sustituidos por los de Al. As, por
ejemplo, Al0.2Ga0.8As significa que un 20% de tomos de Ga han sido
reemplazados por los de Al. El gap de este nuevo material est entra los
valores de los del GaAs y AlAs, y en el caso citado es de 1.67 eV. As
pues, podemos variar el gap a voluntad (dentro de unos lmites), y obtener
materiales que pueden emitir o absorber radiacin luminosa con una
frecuencia umbral determinada. Adems, en este ejemplo, la separacin
interatmica del nuevo material es muy aproximadamente la misma que la
del GaAs, y eso da una nueva posibilidad: Se pueden crecer capas de
AlGaAs sobre capas de GaAs sin que se produzcan tensiones que
deformen la red, y por lo tanto, no cambien la estructura de bandas de los
mismos. De ello resultan compuestos formado por capas de GaAs, con un
gap de 1.42 eV, y capas de AlxGa1-xAs con otro gap mayor, por ejemplo
de 1.67 eV. Estas estructuras compuestas presentan muchas ventajas, y de
hecho constituyen la base de la optoelectrnica actual. A modo de
ejemplo, podemos ver que en un dispositivo emisor de luz, si se consigue
que la emisin se produzca en la capa de GaAs, las capas de AlGaAs no
absorbern fotones porque tienen mayor gap, con lo que no disminuirn el
rendimiento. Volveremos sobre ellas cuando hablemos de los lseres de
heterounin. Lo que hemos referido, a modo de ejemplo al par GaAs y
AlAs vale para otros pares como GaP-AlP y (GaAs-InAs) - InP, dando, en
este caso, compuestos cuaternarios, esto es, formados por cuatro
elementos. En la Tabla 1 se dan algunos datos para los materiales ms
habituales:

Ancho de
Constante
banda Constante de
Material dielctrica
prohibida red (nm)
relativa - r
(eV)
GaAs 1.43 0.5653 13.2
AlAs (i) 2.16 0.5660 10.9

Captulo 8
GaP (i) 2.26 0.5451 11.1
InP 1.35 0.5969 12.4
Tabla 8.7.1 Propiedades ms significativas de algunos de los materiales
usados en optoelectrnica. El smbolo (i) indica que la banda prohibida es
indirecta.

8.8 Descripciones cualitativas de la absorcin y de la


ganancia de luz en un semiconductor

Con el fin de empezar a entender cmo son los procesos


optoelectrnicos en un semiconductor, consideremos algunas situaciones
ideales que nos servirn para ir describiendo cualitativamente las

SECCIN 8.3 205


transiciones entre bandas que en ellos tienen lugar, y fijar algunos
conceptos que luego utilizaremos de forma cuantitativa.

Ganancia
T=0 K
Estados
vacios
Eg h
I0

Perdidas
Ii
Estados
ocupados
a) b) c)

Figura 8.8.1 En a) se ilumina una muestra semiconductora que se


mantiene a 0 K. b) Diagrama de bandas, mostrando la ocupacin a 0 K. c)
Forma de la ganancia o perdida de luz del semiconductor.

En primer lugar, supongamos que tenemos un semiconductor


intrnseco a T = 0 K. En este caso, los estados de la banda de valencia
estarn completamente ocupados por electrones, y los de la de
conduccin, totalmente vacos (esta es la caracterstica que define a un
semiconductor). Supongamos ahora que iluminamos el semiconductor
con un haz de luz monocromtico cuya frecuencia podemos variar y que
no sea muy intenso (Figura 8.8.1 a). Si la frecuencia de la radiacin es tal
que su energa h es menor que la de la banda prohibida, Eg, entonces no
hay transiciones posibles ya que si bien hay muchos electrones en la
banda de valencia, no hay estados adonde puedan ir. Por lo tanto, si
prescindimos de las reflexiones que se producen en las superficies que
limitan al semiconductor, y que son inherentes a cualquier separacin de
medios de propagacin, la intensidad incidente sera igual a la
transmitida. No se absorberan fotones, por lo que el material sera
transparente (Figura 8.8.1 b). Cuando la energa de la luz supere la de la
banda prohibida, los electrones en la banda de valencia podrn saltar a la
Captulo 8

de conduccin, absorbiendo fotones. La intensidad de la luz saliente I0


ser menor que la de la luz incidente Ii. Si definimos la "Ganancia" como:

Ganancia = log (I0 /Ii) = - Perdidas

este parmetro tiene la forma que se muestra en la Figura 8.8.1 c). En esta
situacin no puede haber ganancia, tan slo prdida de luz.
Obsrvese que al describir la anterior situacin hemos
considerado que la radiacin incidente no fuera muy intensa, y, aunque
parezca que esto no nos ha servido para nada, no es as. Siempre que hay
radiacin, hay una parte de la misma que se absorbe: hay estimulacin.
Son dos procesos que se manifiestan juntos. Por lo tanto, en la explicacin
anterior deberamos haber aadido un trmino de emisin estimulada. Si

206 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


la radiacin incidente no es muy intensa, generar "pocas" transiciones
(por unidad de tiempo) y la concentracin de electrones en la banda de
conduccin nunca ser comparable a la que hay en la banda de valencia,
por lo que la contribucin de la emisin estimulada es despreciable.
Supongamos ahora que, manteniendo la temperatura a 0 K, y el
haz de prueba a frecuencia variable, iluminamos uniformemente el
semiconductor con una luz de energa h1 > Eg, de forma que hay
electrones ocupando estados en la banda de conduccin y estados vacos
en la de valencia. Como estamos a 0 K, la banda de conduccin estar
llena hasta EFn y la de valencia hasta EFp (Figura 8.8.2).

Ganancia
h1

Eg
2h h
I0
h

Perdidas
h
Ii h1 E Fn-E Fp

T=0 K

a) b) c)
.
Figura 8.8.2 En a) se ilumina una muestra semiconductora con una luz
de frecuencia h1 adems de la de test h . La muestra se mantiene a 0 K.
b) Diagrama de bandas, mostrando la ocupacin a 0 K la presencia de h1
causa que se ocupen estados en la banda de conduccin y se vacen en la
de valencia . c) Forma de la ganancia o perdida de luz del semiconductor.

Con esta nueva situacin, los procesos cambian radicalmente.


Ahora, un fotn de energa ligeramente superior a Eg no puede ser
absorbido, ya que los estados con esta diferencia de energa de la banda
de valencia estn vacos y los de la de conduccin ocupados. En cambio,
si pueden emitir por fotones estimulados en el mismo estado que el que lo

Captulo 8
provoca: Podemos tener amplificacin. A 0 K, esto se puede dar en el
intervalo de frecuencias:
E g < h < E Fn E Fp . (8.39)
O sea, en este intervalo podemos tener ganancia, si conseguimos
que haya suficientes electrones en la banda de conduccin y huecos en la
de valencia. Para energas superiores a EFn-EFp de nuevo tendramos
absorcin sin estimulacin (Este proceso est representado en la Figura
8.8.2 b) mediante una flecha que va desde la banda de valencia a la de
conduccin). La forma de la curva de ganancia es la que se muestra en la
Figura 8.8.2 c), y es justamente la misma que la de la Figura 8.8.1 c) pero
invertida. La emisin y la absorcin son fenmenos inversos uno del otro.
Si la temperatura no es de 0 K, la separacin entre estados vacos
y ocupados por electrones en ambas bandas no est bien definida. An

SECCIN 8.3 207


as, la forma de la curva es muy parecida a la dibujada, con los bordes de
la lnea vertical redondeados: El paso de ganancia a perdidas ya no es
brusco, sino continuo, aunque muy rpido, salvo que la temperatura sea
muy elevada.

8.9 Amplificadores pticos y Lseres semiconductores

De acuerdo con lo dicho, si conseguimos tener un nmero alto -


ms correctamente, una densidad elevada- de electrones en la banda de
conduccin y huecos en la de valencia podemos generar fotones mediante
emisin estimulada y amplificar la luz. Podemos, pues, conseguir un
amplificador ptico. Como veremos ms adelante, esta amplificacin
puede tener lugar para todas las frecuencias que se den en el intervalo
GE < h < CFN-FEPP . En realidad, no todas las transiciones de electrones
de una banda hacia la otra emiten fotones. Muchas de esas transiciones
ceden su energa a la red, calentando el semiconductor. La eficiencia de la
transicin ptica no es la misma a todas las frecuencias.

Espejos
Electrones

EC

Ii I0
EV

Huecos d
a) 1
b)

Figura 8.9.1 En a) se muestra un amplificador ptico. La luz que entra se


amplifica. En b) se han aadido dos espejos. Ya no hace falta luz externa.
Captulo 8

La emisin espontnea inicia el proceso que se mantiene por la accin de


los espejos.

Si ahora nosotros ponemos dos espejos en los extremos del


material semiconductor, separados por una distancia d, de forma que, al
reflejarse la luz entre ellos repetidamente, puedan formarse ondas
estacionarias, entonces en la cavidad ptica delimitada por los espejos
aumenta la densidad de energa correspondiente a las frecuencias que
puedan cumplir la condicin de ondas estacionarias:
c
m = d m = (m es un nmero entero). (8.40)
2 2d n
Cmo habr ms densidad de energa a estas frecuencias, se
inducirn ms transiciones estimuladas, lo que a su vez incrementar ms

208 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


la densidad de energa, que producir ms emisiones estimuladas, etc. De
esta forma tendremos amplificacin a unas determinadas energas, es
decir, un amplificador con seleccin de modos (cada par m, que
cumplen la ecuacin (8.40) recibe el nombre de modo). Pues bien. un
amplificador ptico en el que podamos amplificar selectivamente uno o
varios modos recibe el nombre de LSER.
En la prctica, los dispositivos LSER no requieren de ningn
haz externo para su funcionamiento. Consideremos de nuevo la estructura,
sin radiacin externa, y con una elevada densidad de electrones en la
banda de conduccin y de huecos en la de valencia. Estos electrones y
huecos se recombinarn espontneamente, emitiendo fotones en todo el
rango de frecuencias posible y en todas direcciones. La gran mayora de
estos fotones (por ejemplo, los que salgan en direccin paralela a los
espejos) se perdern al salir del semiconductor o ser absorbido de nuevo
por el mismo. Pero aquellos que salgan en la direccin de los espejos
sern reflejados una y otra vez, induciendo, en cada paso entre los
espejos, la emisin estimulada de nuevos fotones. De esta forma los
modos estacionarios irn incrementando su nmero de fotones, es decir,
su intensidad, hasta que se alcance una situacin estacionaria definida por
el hecho de que la velocidad a la que se recombinan los pares electrn-
hueco ha de ser igual a la velocidad a la que desde el exterior se aportan
pares electrn-hueco, ya que, en definitiva, no podemos obtener de ningn
sistema ms energa de la que aportamos.
Las siglas LSER son el acrnimo de Light Amplificacin by
Emision of Stimulated Radiation, en clara referencia al mecanismo fsico
que tiene lugar. Como ya hemos dicho, en la prctica hay que aadirle,
adems, la seleccin de frecuencia.
Podemos tambin ver un lser como un oscilador. En la Figura
8.9.2 se ha dibujado de forma muy esquemtica un lser: Una pieza de
material que proporciona una ganancia G de la intensidad luminosa, y dos

()lg
G=e I02

Captulo 8
I01 A

lg R2
R1

Figura 8.9.2 El Lser como oscilador. Se ha supuesto que () no


depende de la posicin en el material activo. En casi todos los lseres
reales, RD o RD = 1 con lo que Hilo o IOA es despreciable, y la luz slo sale
por un extremo

espejos con un coeficiente de reflexin RD y RD en los que se han incluido


todas las otras prdidas de intensidad que se puedan producir en el
sistema: zonas en las que slo hay absorcin de luz, reflexiones en las
superficies que puedan separar distintos materiales, etc. Consideremos un

SECCIN 8.3 209


punto cualquiera (por ejemplo, al A de la Figura 8.9.2) entre los espejos, y
sea IOA la intensidad de la luz en ese punto en un instante determinado.
Despus de una vuelta completa, la intensidad en el mismo punto HILA
ser:
I A1 = (G I A0 ) R 2 G R1 = G 2 R1 R 2 I A0 . (8.41)

Ahora se pueden dar tres situaciones:


G 2 R1 R 2 < 1 Despus de cada vuelta completa del haz de luz,
la intensidad decrece, por lo que al cabo de un cierto nmero de
vueltas "la luz se apaga". El sistema acabara teniendo slo la
radiacin debida a la emisin espontnea.
G 2 R1 R 2 > 1 Esta situacin representa un incremento de la
intensidad luminosa. Se puede dar al principio para iniciar la
oscilacin, pero no indefinidamente ya que tiene que haber algn
mecanismo que limite el aporte de energa.
G 2 R1 R 2 = 1 Es esta la condicin de mantenimiento estable
de la intensidad, y es la que representa un funcionamiento
continuo.
Estas tres condiciones se corresponden punto por punto con las
de cualquier circuito oscilador electrnico (construido con transistores o
amplificadores integrados, resistencias, bobinas y condensadores), y
describen respectivamente las situaciones de apagado, inicio y
mantenimiento.
Cuando se disea un sistema lser, normalmente se busca que
cumpla la condicin G 2 R1 R 2 = 1 . Esta condicin se denomina la
condicin umbral de funcionamiento, y es un problema bastante difcil ya
que implica tener conocimientos de las propiedades de los materiales que
intervienen (para obtener G) y de las pticas asociadas al tipo de cavidad
que realmente se va a tener segn sea el dispositivo (para calcular R1, R2 y
todas las dems prdidas que hemos resumido en ellas). Nosotros nos
Captulo 8

limitaremos exclusivamente a tratar de obtener G en casos muy sencillos,


pero suficientemente ilustrativos.
Como en general consideraremos que los materiales con los que
tratamos tienen propiedades uniformes en el espacio (una vez ms, para
simplificar), G lo podemos obtener de (), ecuacin (8.18):

1 dI
( ) = . (8.42)
I dz
Si () no depende de la posicin, en una ida y vuelta del haz de
luz (cruza dos veces lg), la intensidad I1 vale:
2l g 2l g
I1 = I 0 e G=e . (8.43)

210 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


As pues, y ms concretamente, nuestro objetivo ser calcular
().
Finalmente, conviene recalcar un ltimo aspecto de los
amplificadores y lseres. Hemos dicho que para que se produzca la
amplificacin deber haber una elevada densidad de electrones y huecos.
Por lo tanto, tendremos de alguna manera que generarlos. El proceso por
el cual se generan estos electrones y huecos recibe el nombre de
bombeo("pumping"). En los primeros lseres de estado slido -por
ejemplo, los de rub-, en los que los electrones realizaban transiciones
entre varios estados (aunque la parte estimulada era tan slo entre dos de
ellos), este bombeo se realizaba mediante un destello de luz. En los
lseres semiconductores, que se construyen con estructuras tipo uniones
p-n del mismo material (homouniones) o de distintos materiales
(heterouniones), el bombeo se realiza por inyeccin de corriente elctrica,
lo que es mucho ms eficiente en cuanto a la relacin entre energa
suministrada - energa obtenida (esto es, rendimiento energtico) y
adems, resulta fcil de variar, por lo que se puede, de forma
relativamente sencilla, modular la salida del lser y transmitir as
informacin. Estas son algunas de las ventajas de los lseres
semiconductores sobre los de otro tipo. En cambio, entre sus desventajas
podemos sealar la poca potencia que en general se obtiene as como el
hecho de que el haz de luz tenga un ngulo de apertura bastante notable.
Con todo, desde un punto de vista de aplicaciones electrnicas y
especialmente en comunicaciones, las ventajas superan claramente a las
desventajas .

8.10 Coeficiente de ganancia en un semiconductor

Vamos a obtener el coeficiente de ganancia () para el caso de


un semiconductor en el que las transiciones se realizasen entre la banda de
conduccin y la de valencia y que ambas fueran esfricas, es decir, que su
relacin E(k) fuera de la forma dada en las ecuaciones (8.34) y (8.35) y

Captulo 8
que para ms comodidad repetimos a continuacin:
h2k 2 h2k 2
EC = EC 0 + ; E V = EV 0 . (8.44)
2 m c* 2 m v*
Sea E2 un valor permitido de la energa de un electrn en la
banda de conduccin, y dE2 un intervalo infinitesimal de energa entorno
a E2. Los electrones que realicen transiciones con emisin de fotones
debern conservar su vector de onda k, y ello nos dar el valor de la
energa E1 y el correspondiente intervalo dE1 de la banda de valencia al
que debern ir a parar (ver Figura 8.10.1).
Llamemos k2 al valor de k cuya energa es E2. Este mismo valor
de k ser el que corresponder a E1. Por lo tanto,

SECCIN 8.3 211


E

E 2+dE 2 EC
E2
E C0 h +d(h)
h
EV0 k
E1
E 1+dE 1
EV

Figura 8.10.1 a) La forma de las bandas determina E1 y dE1 una vez


elegidos E2 y dE2 o viceversa.

h 2 k 22
= m c* ( E 2 E C 0 )
m c ( E 2 E C 0 ) = m v ( E v 0 E1 )
* *
2
. (8.45)
h 2 k 22 m c* dE 2 = m v* dE1
= m v* ( E v 0 E1 )
2

La energa del fotn emitida en esta transicin es:


h = E 2 E1 = ( E 2 E C 0 ) + ( E C 0 EV 0 ) + ( EV 0 E1 ) , (8.46)
y como EC0 -EV0 = Eg ,

m c*
h = ( E 2 E C 0 ) + E g + ( E 2 E C 0 ) o, lo que es lo mismo
m v*
m v*
E 2 EC 0 = (h E g ).
m v* + m c* (8.47)
Analogamente ,
m c*
EV 0 E1 = (h E g ).
m v* + m c*
As pues acabamos de relacionar el nivel E2 (o E1) con la
Captulo 8

frecuencia del fotn emitido o absorbido en la transicin


Sabemos que la densidad de estados entre E2 y E2 +dE2 viene
dada por g(E2)dE2. Supongamos ahora que todos los estados en el
intervalo dE2 estuvieran ocupados por electrones, y que todos realizaran
transiciones entre dE2 y dE1. Cul sera la densidad de fotones emitidos
en el intervalo d correspondiente?. Es decir, queremos pasar de la
densidad de estados a la densidad de frecuencias.
Para responder a esta cuestin, consideremos primero un caso
hipottico en el que el semiconductor fuera bidimensional. Entonces, el
vector de onda de los electrones tendra tambin slo 2 dimensiones (2D)
y la representacin E(k) la podemos "ver" en la Figura 8.10.2 . Los
electrones con energas E2 estaran sobre la circunferencia designada
como E2 y sus valores kx,ky determinan puntos que estn sobre la

212 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


proyeccin de dicha circunferencia en el plano kx,ky, y que es la
circunferencia interior dibujada. Anlogamente pasa con E2+dE2 y las
circunferencias interiores.

EC b x/2 bx/2

E 2+dE 2
E2
ky
bx
E1
E 1+dE 1
b x=2 /(L xa x)
EV b y=2 /(L ya y)

Figura 8.10.2 Representacin en 2 dimensiones de las bandas de energa,


y forma de obtener el rea asociada a cada estado k

Todos los electrones con energas entre E2 y E2+dE2


correspondern a estados que estn entre ambas circunferencias. Teniendo
en cuenta que se puede demostrar que en 2D el rea que ocupa cada
estado es (2 )2/SC , (siendo SC [= (Nx ax)(Ny ay)] la superficie del cristal,
Nx, Ny el nmero de tomos del cristal en las direcciones x, y y ax, ay la
distancia interatmica en dichas direcciones), el nmero de estados entre
E2 y E2+dE2 lo podemos obtener dividiendo el rea entre las
circunferencias en el plano kx ,ky por el rea que ocupa cada estado.
Pues bien, esto mismo podemos hacer con tres dimensiones,
reemplazando reas por volmenes. Obviamente, no podemos dibujarlo,
por lo que hemos de recurrir a la abstraccin del caso 2D. La superficie
entre las dos circunferencias del caso 2D se transforma en el volumen
entre dos esferas cuyas energas valen E2 y E2+dE2. Este volumen lo
podemos obtener fcilmente si tenemos en cuenta que a una esfera de
energa E2 le corresponde un radio k2 y un volumen V2 dados por:

Captulo 8
1
h2k 2 2 m c* 2
E 2 EC 0 = k = (E 2 E C 0 )1 / 2 ;
2 m c* h2

3
(8.48)
4 2m 2
*
V2 = 2 c (E 2 E C 0 )3 / 2 .
3 h

Si ahora incrementamos E2 hasta E2+dE2, el volumen V2
experimenta un incremento dV2 que se obtiene derivando (8.48):
3
2 m* 2
dV 2 = 2 2 c (E 2 E C 0 )1 / 2 dE 2 . (8.49)
h

SECCIN 8.3 213


Como cada estado ocupa un volumen (2)3/V en el espacio k,
siendo V el volumen del cristal, el nmero de estados en dV2 lo
obtendremos dividiendo dV2 por lo que ocupa cada estado:
3
V 2 m c 2
*
dV 2 (E 2 E C 0 )1 / 2 dE 2 ,
dN = =
4 2 h 2 (8.50)
(2 ) 3
V
y teniendo en cuenta (8.47),
3 1
V 2 m c 2 m v* 2
( )1 / 2
*
h E g m v* d (h ) ,
dN = (8.51)
4 2 h 2 m* + m*
c v

m *
c + m *
v
A este nmero, referido a la unidad de volumen (es decir, dN/V)
se le llama densidad conjunta ("joint density") de estados, j(h):
3
1 2 m r 2
( )1 / 2 ; m c* m v*
*
j ( h ) = h E g m r* = . (8.52)
4 2 h 2
m c* + m v*
j(h) d(h) representa el nmero por unidad de volumen de
transiciones con emisin de radiacin con energa entre h y h+d(h)
que se produciran si los estados de partida estuvieran completamente
llenos y los de llegada completamente vacos. De esta manera ya hemos
conseguido poner las energas en funcin de h. Conviene remarcar aqu
que la variable que interviene en j es h , o sea, la energa. Si queremos
pasarlo a frecuencia, ms til en nuestro caso, habremos de tener en
cuenta que:
j ( ) d = h j (h ) d (h ) . (8.53)
Ahora ya estamos en condiciones de calcular la ganancia de un
semiconductor. Recuperemos las ecuaciones de Einstein (8.9)-(8.11) y
planteemos un razonamiento anlogo. Sea R12 el nmero de transiciones
Captulo 8

por unidad de tiempo y unidad de volumen que tienen lugar desde la


banda de valencia a la de conduccin, en el intervalo de frecuencias entre
y +d. Estas transiciones dan cuenta de los procesos de absorcin que
tienen lugar en las condiciones citadas. De acuerdo con la frmula de
Einstein, R12 ser igual al producto de:
1. Un coeficiente de proporcionalidad B12
2. La densidad de energa () en el intervalo de frecuencias citado
3. El nmero de transiciones posibles en este intervalo de
frecuencia si los estados de partida estuvieran completamente
llenos y los de llegada completamente vacos, j() d
4. La probabilidad de que el estado de partida este realmente
ocupado fv(E1) por la probabilidad de que el estado de llegada
est vaco, 1-fc(E2):

214 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


R12 = B12 ( ) j ( ) d f v ( E1 ) [1 f c ( E 2 )] . (8.54)
De la misma forma, si R21 representan las transiciones producidas
por emisin estimulada que tienen lugar por unidad de tiempo y volumen
en el mismo intervalo de frecuencias, tendremos:
R 21 = B 21 ( ) j ( ) d f c ( E 2 ) [1 f v ( E1 )] . (8.55)
El nmero neto de transiciones con emisin de fotones es:
R 21 R12 = B 21 ( ) j ( ) d [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.56)
Aqu se ha tenido en cuenta que B21 = B12 ya que la degeneracin
de los estados es la misma en ambos casos. Si este valor lo multiplicamos
por h obtenemos la energa generada por unidad de tiempo y unidad de
volumen, es decir la potencia neta generada por unidad de volumen.
Si ahora calculamos la potencia incidente por unidad de rea,
esto es I() d, la intensidad en el intervalo de frecuencias d, teniendo en
cuenta la definicin (8.22) de () podremos obtener su valor
I ( ) d = ( ) d c / n g , (8.57)
siendo c la velocidad de la luz en el vaco. Como
Incremento de potencia generada por unidad de volumen
= , (8.58)
Intensidad incidente
reemplazando tenemos:

h (R 21 R12 ) ng
( ) = = B 21 h j ( ) [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.59)
I ( ) d c
Teniendo en cuenta la relacin

c3
B 21 = A21 , (8.60)
8 h 3 n 2 n g

Captulo 8
podemos poner

c2
( ) = A21 j ( ) [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.61)
8 n 2 2
Otra forma equivalente es:

c2 f ( E ) [1 f c ( E 2 )]
( ) = A21 f c ( E 2 ) [1 f v ( E1 )] j ( ) 1 v 1
8 n c ( E 2 ) [1 f v ( E1 )]
2 2
f
(8.62)
Y operando un poco ms:

SECCIN 8.3 215


h ( E Fn E Fp )
c2
( ) = A21 f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )]
j ( ) 1 e k BT . (8.63)
8 n 2 2

Esta ltima expresin muestra un aspecto muy importante: Todos
los factores son siempre positivos excepto el ltimo corchete. Este puede
ser negativo si h > EFn - EFp. En este caso, en lugar de ganancia
tendremos atenuacin (absorcin) de la radiacin. Por lo tanto, para tener
ganancia en un semiconductor intrnseco tendremos que seleccionar las
concentraciones de portadores para que, a aquellas frecuencias que
deseemos tener ganancia,
E g < h < EFn EFp . (8.64)
Este resultado lo habamos deducido para T=0 K. Ahora se
amplia a cualquier temperatura. Si estamos en equilibrio termodinmico,
EFn = EFp, y por lo tanto, no puede haber ganancia. Para tenerla hemos de
generar una situacin de no equilibrio, por lo general bastante fuerte.
Si observamos la expresin (8.61) y el hecho de que j()
depende de de la forma (h -Eg)1/2, se suele representar () por:

( ) = K (h E g )1 / 2 [ f c ( E 2 ) f v ( E1 )] . (8.65)
La constante K se determina experimentalmente, y E2 y E1
vienen dados por (8.47). A la vista de esta expresin se puede pensar que
se ha eliminado la parte de dependencia con la frecuencia debida al
trmino 2 en el denominador de (8.63), y as es. Ello se debe a que en el
intervalo de frecuencias de inters, es decir, aquellas en las que puede
haber ganancia, la influencia debida al citado trmino del denominador es
relativamente poco importante.

8.11 Perfil de Emisin Espontnea

Adems de relacionar el coeficiente de ganancia con el de


Captulo 8

absorcin, podemos relacionar aquel con el espectro de emisin


espontnea que resulta de la recombinacin de los electrones y los huecos,
y que se puede medir con bastante facilidad experimentalmente. El
razonamiento para establecer tal relacin es como sigue: Supongamos que
tenemos un semiconductor contenido en una cavidad cerrada que acta
como cuerpo negro, ambos en equilibrio termodinmico a una
temperatura T. Dentro de la cavidad, la densidad de energa de la
radiacin viene dada por la frmula de Plank (8.12) y que repetimos por
ms comodidad a continuacin:

8 2n 2ng h d
( ) d = . (8.66)
c 3 exp(h / k B T ) 1

216 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


Esta energa, al incidir sobre el semiconductor y ser absorbida
por l, producir transiciones de electrones desde la banda de valencia a la
de conduccin, que sern reemitidos a continuacin de nuevo a la banda
de valencia por recombinacin ya que en equilibrio termodinmico, la
concentracin de huecos y electrones es constante. Adems, en esta
situacin, la energa absorbida por el semiconductor del campo de
radiacin habr de ser igual a la que devuelve a partir de la recombinacin
de electrones y huecos (principio del equilibrio microscpico).
Sea R()d el nmero de fotones generados por unidad de
tiempo y de volumen, por los procesos espontneos de recombinacin,
con frecuencias entre y+d. Si multiplicamos esta cantidad por h
obtenemos la energa emitida por unidad de tiempo y volumen (=potencia
emitida por unidad de volumen) en el intervalo de frecuencias. Por lo
dicho anteriormente, esta potencia ha de ser igual a la absorbida, y
atendiendo a (8.22),
h R( )d = [ ( )]eq I ( )d = ( ) (c / n g ) ( )d , (8.67)
en donde hemos puesto el subndice "eq" al parmetro para subrayar la
condicin de equilibrio termodinmico. Reemplazando (8.66) y operando:

h
c2 k BT
[ ( )]eq = R( )
2 2
e 1. (8.68)
8 n

La condicin de equilibrio termodinmico implica que
EFn = EFp = EF. As pues, podemos poner:
[ ( )]eq = [ ( )]E Fn = E Fp
=
h
c2 k BT (8.69)
= A21 f ( E 2 ) [1 f ( E1 )] j ( ) e 1
8 n
2 2


Lo que nos permite identificar

Captulo 8
R ( ) = A21 f ( E 2 ) [1 f ( E1 )] j ( ) , (8.70)
y relacionar el coeficiente de ganancia con datos experimentales:

h ( E Fn E Fp )
f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )] c2 .
( ) = R( ) 1 e k BT
f ( E2 ) [1 f ( E1 )] 8 n 2 2 (8.71)

Es bastante habitual definir, de forma semiemprica,
f c ( E2 ) [1 f v ( E1 )] n
R( ) = g ( ) ,
f ( E2 ) [1 f ( E1 )] r
(8.72)

en donde n es la densidad de electrones en la banda de conduccin, r es


la vida media de recombinacin espontnea y g() una funcin que

SECCIN 8.3 217


representa la distribucin espectral de la emisin espontnea y el cociente
entre las funciones de ocupacin en el equilibrio y fuera de l. As:

h ( E Fn E Fp )
n c2 1 e .
( ) = g ( ) k BT
(8.73)
r 8 n 2 2

8.12 Ejemplo: Obtencin de una condicin umbral para


obtener ganancia en un semiconductor

Vamos a calcular, a modo de ejemplo, una condicin mnima


para que en un semiconductor tal como arseniuro de galio (GaAs) el
coeficiente de ganancia sea mayor que cero en algn intervalo de
frecuencias. Para ello tendremos que conseguir que los pseudoniveles de
Fermi se encuentren a una distancia en energa mayor que el gap del
GaAs (Eg = 1,43 eV). La forma fsica de conseguirlo es hacer que haya
muchos electrones en la banda de conduccin y muchos huecos en la de
valencia a la vez, lo que obviamente, est muy alejado de la condicin de
equilibrio termodinmico. Esta situacin se denomina inversin de
poblacin, ya que es la inversa de las "normales" que habitualmente
tenemos.
Para obtener la densidad de electrones en la banda de conduccin
tenemos que multiplicar la densidad de estados entre E2 y E2+dE2,
gc(E2)dE2, por la probabilidad de que estos estados estn ocupados por
electrones fc(E2) y sumar para todo el intervalo de energa que incluye la
banda de conduccin, que va desde EC0 hasta un valor muy grande ECM
que, por lo general, no conocemos y que podemos tomar como infinito sin
error apreciable, ya que para l la probabilidad de ocupacin ser
prcticamente nula:

n= f ( E ) g ( E )dE
EC 0
c 2 c 2 2 . (8.74)
Captulo 8

Anlogamente, la densidad de huecos en la banda de valencia la


podemos expresar como:
EV 0

p= [1 f ( E )] g ( E )dE .

v 1 v 1 1 (8.75)

Aqu es el valor mnimo de la banda de valencia el que se toma


muy alejado, a menos infinito.
La densidad de estados en la banda de conduccin no es sino el
nmero de estados por unidad de volumen que hay entre E2 y E2+dE2, y la
podemos obtener directamente de (8.50) teniendo en cuenta que
gc(E2)dE2 = 2 dN/V ya que hay dos electrones por cada estado debido a la
degeneracin por el spin. Por lo tanto,

218 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


3/ 2
1 2 mc* (E2 EC 0 )1 / 2 dE
n=
2 2 h 2
EC 0
E 2 E Fn 2 . (8.76)
1+ e k BT

Siguiendo un proceso completamente similar al utilizado para la


obtencin de gc(E2) se puede obtener gv(E1), y la expresin que da la
densidad de huecos en la banda de valencia es:

(EV 0 E1 )1/ 2 dE
3 / 2 EV 0
1 2 mv*
p=
2 2 h 2


E1 E Fp 1
. (8.77)
1+ e k BT

El signo menos en el exponente del denominador de la expresin


anterior aparece porque para obtener la densidad de huecos hay que
multiplicar por la probabilidad de que no haya electrones en los estados
considerados en la banda de valencia, [1-fv(E1)]. Ambas integrales se
pueden tratar de forma muy similar. En efecto, si llamamos
E 2 EC 0 EV 0 E1
=x =y
k BT k BT
EV 0 E Fp (8.78)
E Fn E C 0
= =
k BT k BT
y operamos las expresiones anteriores de n y p tenemos:
3/ 2
1 2 mc*k BT x1 / 2
n=
2 2 h 2



1 + e x
dx
0
3/ 2
. (8.79)
1 2 mv*k BT 1/ 2


y
p= dy
2 2 h 2
0
1 + e y

Las integrales son las mismas en las dos expresiones, excepcin


hecha de y , ya que x e y son variables de integracin que, por si
mismas, no significan nada. Este tipo de integrales se denominan

Captulo 8
integrales de Fermi de orden 1/2, y forman parte de un conjunto ms
amplio de integrales de Fermi de orden n/2 definidas por:

zn / 2
n ( ) =
2

0
1 + e z
dz . (8.80)

Para estas integrales no se conoce ninguna expresin analtica


exacta, para ningn valor de n 0 de modo que su clculo se realiza bien
mediante una aproximacin analtica del integrando suficientemente
precisa 0, o integrndola numricamente para distintos valores de .
Nosotros utilizaremos aqu el segundo mtodo, aunque el primero es ms
general.
Para mantener una conexin ms prxima con la electrnica de
los dispositivos vista en captulos anteriores, vamos a dejar el tratamiento

SECCIN 8.3 219


de las integrales de Fermi y multipliquemos y dividamos las expresiones
de n y p por exp() y exp() respectivamente, y pongmoslo de la forma:
3/ 2 EC 0 E Fn
1 2 mc*k BT
x1 / 2
n=

k BT
e dx
2 2 h 2
0
e + e x
. (8.81)
3 / 2 EV 0 E Fp
1 2 mv*k BT y1 / 2
p=

k BT
e dy
2 2 h 2
0
e + e y

En rgimen de funcionamiento "normal" de la mayora de los


dispositivos electrnicos habituales, la situacin es tal que EFn - EC0 < 0 y
EV0 - EFp < 0, por lo que siempre, en esos casos, exp() < exp(x) y
exp() < exp(y), y, tambin casi siempre, el smbolo "menor" se puede
reemplazar por "mucho menor". As,

x1 / 2 x1 / 2

0
e
+ e x
dx
0
e x
dx =
2
,
(8.82)

y lo mismo se obtiene para huecos. Pongamos (8.81) como:


EC 0 E Fn
2 mc*k BT
3/ 2

x1 / 2
dx
e + e
1 2
n=
2
e k BT
2 h 2 2
x
0 .
EV 0 E Fp (8.83)
2 mv*k BT
3/ 2
1/ 2
dy
1 2 y
p=
2
e k BT
2 h 2 2
0 e +e y

Los productos de constantes previos a los trminos
exponenciales representan lo que normalmente se denomina NC y NV,
densidad equivalente de estados en la banda de conduccin y de valencia
respectivamente. As pues:

EC 0 E Fn
x1 / 2

2
n = NC e k BT
E Fn
dx
0
E
C0
k BT
+ ex .
Captulo 8

e
(8.84)
EV 0 E Fp
y1 / 2

2
p = NV e k BT
EV 0 E Fp
dy
0 k BT
e + ey
Si consideramos una temperatura de 27 C (T = 300 K;
kBT = 0.0259 eV); mc* = 0.067 m0 y mv* = 0.55 m0 (m0 es la masa en
reposo del electrn. Estos datos son propios del GaAs), obtenemos
NC = 4.36 1017 cm-3, NV= 1.02 1019 cm-3 . Para seguir con los clculos,
llamaremos I al termino entre parntesis en ambos casos, y utilizaremos la
tabla Tabla 8.7.1, de la que podemos deducir algunas consecuencias
importantes:

220 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


exp[(EC0-EFn)/kBT] (EC0-EFn)/kBT
n p
o o I
(cm-3) (cm-3)
exp[(EFp-EV0)/kBT] (EFp-EV0)/kBT

103 6.91 1.000 4.361014 1.021016


102 4.61 0.996 4.341015 1.021017
50 3.91 0.993 8.661015 2.041017
20 3.00 0.983 2.141016 5.041017
10 2.30 0.967 4.221016 9.921017
7.75 2.05 0.957 5.401016 1.271018
5 1.61 0.936 8.161016 1.921018
2 0.69 0.860 1.871017 4.411018
1 0.00 0.765 3.341017 7.841018
0.5 -0.69 0.641 5.591017 1.311019
0.2 -1.61 0.457 9.961017 2.341019
0.129 -2.05 0.373 1.271018 2.991019
0.1 -2.30 0.329 1.431018 3.371019

Tabla 8.12.1 Clculo de los valores de n y p para distintas posiciones de


los pseudoniveles de Fermi. Las filas sombreadas indican posiciones de
los pseudoniveles de Fermi dentro de las bandas prohibidas

Para situar los pseudoniveles de Fermi en una determinada


posicin respecto de los extremos de las bandas hacen falta
muchos ms huecos que electrones. Por lo tanto, sera
conveniente inyectar electrones en un material muy dopado de
tipo p. Sin embargo, en los materiales dopados a los niveles altos

Captulo 8
de la tabla (~1019 cm-3), los niveles de energa creados por las
impurezas ya no son "individuales", sino que se mezclan entre
ellos creando "bandas de niveles", y tambin interaccionan con
las bandas de energa cambiando la forma del gap, de manera
que ste no queda claramente definido entre estados permitidos y
no permitidos, lo que conlleva que la regla de conservacin de k
ya no tiene que cumplirse necesariamente. Para evitar estas
cuestiones, vamos a seguir con nuestro modelo sencillo.
Si el dopado no es muy alto, entonces la conservacin de la
neutralidad elctrica obligar a que n p y estos provendrn de
la inyeccin elctrica. Por lo tanto, para conseguir situar los
niveles de Fermi de manera que Eg < EFn - EFp necesitaremos un
valor mnimo de n = p = 1.27 1018 cm-3. Este valor se deduce de

SECCIN 8.3 221


los de la tabla, y es el menor que cumple que n = p y
EFn - EFp = Eg. Esta condicin mnima para poder tener ganancia
se denomina condicin umbral para el funcionamiento del lser,
y es uno de los parmetros ms importantes en cualquier clculo
sobre el funcionamiento de estos dispositivos. Lgicamente, si
aumentramos los valores de n y p obtendramos ganancia neta

Por lo tanto, hemos de conseguir esas concentraciones de


electrones y huecos. Estas densidades tan altas darn lugar a una
recombinacin muy intensa que emitir luz -eso es lo que queremos-, y
que provocar una disminucin de la densidad de electrones que, al ser
banda a banda, podemos tomar proporcional al producto de n y p. Si al
mismo tiempo aportamos una densidad de electrones por unidad de
tiempo dada por G (bombeo de portadores), la densidad de electrones en
la banda de conduccin (y huecos en la de valencia) variar como:
dn
= R n p + G , (8.85)
dt
en donde R es el coeficiente de proporcionalidad de la recombinacin, y
para estas densidades de huecos y electrones en GaAs se puede tomar
como R = 210-10 cm-3/sec. En rgimen estacionario, para mantener estas
concentraciones necesitaremos un aporte (bombeo) G dado por:
dn
dt
(
= 0 G = R n p = 2 1010 1.27 1018 )
2
= 3.23 1026 cm 3s 1 . (8.86)

Como la densidad de electrones inyectados es igual a la de


huecos, G se expresa normalmente como:
pares e h
G = 3.23 1026 . (8.87)
cm3 s
Si admitimos ahora que la recombinacin se produce en una
distancia d tpica de 1 m, (ms adelante veremos como obtener esta
distancia) la densidad de corriente J necesaria para tener este valor de G
Captulo 8

es:
1 kA
J = q d G = 1.6 1019 C 10 4 cm 3.23 1026 3
= 5.17 2 . (8.88)
cm s cm
(q es el valor absoluto de la carga del electrn).
Este valor de la corriente es considerablemente grande, y de
todas las magnitudes que intervienen, la que parece ms fcil de
manipular sera la distancia d en la que hay recombinacin, ya que el resto
son parmetros propios del semiconductor. As se hace, y en los apartados
siguientes veremos cmo.
De las expresiones de n y p dadas por (8.83), podemos deducir
que estos parmetros tienen una dependencia muy grande con la
temperatura, y, por ello, tambin lo ser la densidad de corriente umbral.

222 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


Especialmente importante es el trmino de la forma exp(-E/kBT), y por lo
general se admite de forma semiemprica que la densidad de corriente
umbral a una temperatura T, J(T), se relaciona con la correspondiente a
otra temperatura T0, J0, por
T T0
(8.89)
J (T ) = J 0 e T0
,
en donde T0 suele tener un valor aproximado de 400 K para un buen lser.

8.13 Diodos lser de homounin

Vamos a ver ahora como se aplicara lo dicho anteriormente a un


diodo lser, y para empezar, consideraremos un diodo exclusivamente de
GaAs, es decir un dispositivo formado por un nico semiconductor, esto
es, un lser de homounin.
La Figura 8.13.1 muestra una estructura tpica de uno de tales
lseres. Los que as se construyeron era bsicamente una unin P-N (de
GaAs, aunque desde el punto de vista del tratamiento terico el
semiconductor puede ser otro). Lo importante es que toda la estructura es
del mismo semiconductor.
La zona sombreada representa la zona de carga espacial, y la
rayada, la zona en la que puede haber emisin de luz, no necesariamente
con coeficiente de ganancia positivo. La longitud de esta zona viene
determinada por la dispersin de la corriente debida, por ejemplo, a la
desigual superficie de los contactos metlicos. La anchura la podemos
determinar a partir del comportamiento general de una unin p-n.

Contactos
Metlicos I

10 m Zona de
Carga

Captulo 8
V
Espacial
p
~1 m
n m
200

Zona activa

Figura 8.13.1 Esquema de un diodo lser de GaAs con dimensiones


tpicas. La zona activa tiene una anchura aproximadamente igual al
contacto metlico superior, y es mayor que la zona de carga espacial

Debido a la alta inyeccin de portadores que hace falta para


situar los pseudoniveles de Fermi dentro de las bandas de conduccin y de

SECCIN 8.3 223


valencia, los dos materiales estn degenerados. Para simplificar el
problema, consideraremos que an as vale la representacin tpica de los
semiconductores con niveles de energa creados por las impurezas bien
definidos (no bandas de impurezas), con los extremos de las bandas de
energa perfectamente delimitados y que se cumple la regla de
conservacin de k.
Otro efecto de la alta inyeccin sobre las uniones p-n (en
general) es que la zona de carga espacial prcticamente desaparece, y en
cambio, los electrones inyectados en la zona p penetran profundamente en
ella, y ah tiene lugar la recombinacin con los huecos, mayoritarios en el
material tipo p. Lo mismo sucede con los huecos en la zona n. Las
profundidades de esta penetracin podemos estimarlas del orden de las
longitudes de difusin Ln = (Dn n)1/2 y Lp = (Dp p)1/2, siendo Dn y Dp los
coeficientes de difusin de huecos y de electrones respectivamente, y n y
p sus vidas medias. Para el GaAs , a estas concentraciones, podemos
tomar como valores tpicos:
n = 600 cm2/(Vs) Dn = n(kBT/q) = 15.51 cm2/s
p = 30 cm2/(Vs) Dp = p(kBT/q) = 0.78 cm2/s,
con lo que vemos que, si admitimos que la vida media de los electrones y
de los huecos, tendremos que:

Ln = Dn n 20 D p p = 4.47 L p , (8.90)

es decir, la longitud de difusin de los electrones ser unas 4.5 veces la


de los huecos. La Figura 8.13.2 muestra la forma de dichas
concentraciones.

p n
pp
nn

Ln pn
np
Lp
Captulo 8

Figura 8.13.2 Representacin esquemtica de las concentraciones de


huecos y de electrones en las zonas p y n en condiciones de alta
inyeccin. La longitud de difusin de los electrones en la zona p es
apreciablemente mayor que la de los huecos en la n.

Para hacer una estimacin aproximada de los valores numricos de las


magnitudes caractersticas de este tipo de dispositivos podemos despreciar
la longitud de difusin de huecos y admitir que toda la recombinacin
tiene lugar en una distancia d tal que

d Ln , (8.91)

224 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


Unin
Metalrgica
EC p n
E Fn
EFn E Fp
d

EV

EFp E Fp

Figura 8.13.3 Diagrama de la forma de los pseudoniveles de Fermi en


una unin p-n de GaAs. La variacin espacial de los mismos se produce
aproximadamente en el entorno de la longitud de difusin

Para calcular los parmetros propios de un diodo hemos de


conocer las concentraciones de portadores, o en su lugar, las posiciones
energticas de los pseudoniveles de Fermi en cada punto de la estructura.
Estos datos no son nada simples de obtener, as que para fijar ideas
tomaremos para ellos unos valores razonables.
Los electrones en la zona p, np se recombinan con los huecos all
presentes en densidad pp de acuerdo con
dn p
dt
=
np
p
( )
= p p np . (8.92)

Considerando los mismos valores que en el apartado anterior,


esto es, que pp = 91018 cm-3 y = 210--10 cm3/s obtenemos:
1
n = s = 0.56 ns Ln = 15.51 0.56 109 = 0.93m . (8.93)
1.8 109
Si ahora admitimos que el pseudonivel de Fermi de electrones
est 50 meV por encima del extremo inferior de la banda de conduccin,
y la temperatura de funcionamiento es de 350 K, entonces
(EC - EFn)/kBT =-1.66. De la Tabla 8.12.1, obtenemos n 9.961017 cm-3.
As pues, tenemos una densidad de electrones n que se recombina en una

Captulo 8
distancia d Ln a una velocidad n/r La densidad de corriente J para
mantener esta situacin de no equilibrio es:
qnd kA
J= = 18.49 . (8.94)
r cm 2
Este resultado es parecido al del apartado anterior, aunque algo
diferente por los valores numricos utilizados, y es tpico de los lseres de
homounin. Como se ve, J sigue siendo bastante grande, y para unas
dimensiones como las dadas en la Figura 8.13.1, la intensidad de corriente
que debera circular sera I=370 mA
De los razonamientos utilizados podemos deducir algunas
consideraciones importantes:

SECCIN 8.3 225


- La distancia d en la que hay recombinacin es un parmetro no
controlable tecnolgicamente, esto es, en el momento de disear el
dispositivo. De nuevo vemos que si se consiguiera actuar sobre d se
podra controlar J, y cualquier reduccin de d repercutira en una
reduccin de J, y por lo tanto, de I
- La distancia d es del orden de la longitud de onda de la luz amplificada.
El haz de luz puede extenderse a una distancia mayor que d, de forma que
no toda la intensidad de luz producida participar en la amplificacin.
- La forma tan poco simtrica de la zona donde se produce luz har que el
haz emergente sea muy divergente (se "abra mucho" a medida que nos
alejemos del dispositivo emisor).
Los dos primeros defectos se pueden corregir con el uso de
heterouniones, propias de los lseres semiconductores actuales. El tercero
de ellos se aplica a todos los lseres semiconductores, y es posiblemente
la mayor desventaja de stos frente a los lseres de gas o de estado slido
tipo YAG por ejemplo.
Captulo 8

226 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


RESUMEN

En este captulo se ha iniciado el estudio de los dispositivos


optoelectrnicos, empezando con los conceptos bsicos de la interaccin
luz-materia. Partiendo de las ecuaciones de Einstein se han definido los
coeficientes de absorcin y de ganancia de la intensidad luminosa en un
material cualquiera, se ha revisado sucintamente la teora de
semiconductores para establecer las reglas que rigen las transiciones entre
los estados de diferentes bandas, obteniendo la relacin bsica de
conservacin del momento cristalino, que distingue las transiciones
permitidas de las que no lo estn. De esta forma podemos explicar cmo
se produce la amplificacin de la luz en un semiconductor, es decir, como
funciona un amplificador ptico. Si ahora esta luz amplificada la hacemos
ir y volver entre dos espejos situados al inicio y final de la zona de
amplificacin de forma que se constituyan ondas estacionarias y podamos
por lo tanto seleccionar su frecuencia tenemos un oscilador con luz: un
lser. Como en todos los osciladores, se puede establecer una condicin
umbral para el arranque de la oscilacin, y otra de mantenimiento de la
misma. Hemos establecido tales condiciones, las hemos calculado en el
caso de semiconductores de bandas esfricas (tipo GaAs), definiendo a la
vez conceptos de uso ms general como la densidad conjunta de estados,
y se han determinado, la forma de la dependencia de la ganancia con la
frecuencia de la radiacin, as como el perfil de emisin espontnea.
Finalmente, se ha aplicado todo este conocimiento para la determinacin
de la condicin umbral de diodo lser de homounin de GaAs.

CUESTIONES Y PROBLEMAS

Captulo 8
1. Un modelo algo ms realista del GaAs puede obtenerse
admitiendo que la banda de valencia est compuesta por dos
bandas, denominadas banda de huecos ligeros y banda de huecos
pesados, y se describen por la expresin (8.44), reemplazando mv*
por mlh* y mhh* respectivamente (lh = light holes, hh = heavy holes).
Estas bandas tienen la misma energa en k=0 y se pueden tratar
como bandas independientes. Pues bien, considrese una muestra
de GaAs intrnseco con me* = 0.067 m0, mlh* = 0.067m0,
mhh* = 0.55m0 siendo m0 la masa en reposo del electrn
(m0 = 9.110-31 Kg), y Eg = 1.43 eV. Mediante bombeo ptico se
generan 51018 cm-3 electrones en la banda de conduccin (e igual
densidad de huecos en total en las de valencia). Considerando
T=0K

SECCIN 8.3 227


a) Determinar la posicin del pseudonivel de Fermi de electrones
EFn con respecto al extremo inferior de la banda de conduccin
(Rta: 0.1596 eV)
b) Cual es la posicin de EFp relativa a EV0? (Rta: 0.0189 eV)
c) Obtener las densidades de huecos ligeros y pesados (Rta:
17 -3 18 -3
plh = 210 cm , pph=4.810 cm )
d) Aceptando que la energa de los electrones en la banda de
valencia por encima de su mnimo de energa es toda ella energa
cintica, Cul es la "velocidad" de los electrones en el estado de
mayor energa ocupado?. (Rta: 9.141017cm/s)
e) Repetir los apartados anteriores pero considerando que la
temperatura es de T = 300 K. Observar las diferencias. (Para este
apartado es conveniente utilizar alguna herramienta informtica de
clculo numrico)
2. En una muestra de GaAs intrnseco a T = 0 K se generan
pares electrn hueco por absorcin de la radiacin producida por
un haz de luz de un lser de argn con =514.5 nm. Considerar
que la potencia de bombeo es de 103 W/cm3, que cada fotn
absorbido crea un par electrn-hueco, que estos se recombinan de
acuerdo con (8.85), con = 210-10 cm3/s, y que se ha alcanzado
un rgimen estacionario.
a) Cul es la densidad de huecos y de electrones en sus
15 -3
respectivas bandas? (Rta: 3.610 cm )
b) Cul es la distancia EFn - EC0 (en eV)? (Rta: 1.28103 eV)
c) Repetir los apartados anteriores a T 300 K y comparar.
(Tomar los datos necesarios del problema 1. Para el apartado c) es
muy conveniente usar algn programa de clculo numrico)
3. Un semiconductor intrnseco de GaAs se irradia con una
onda tal que h - Eg = 0.05 eV Suponiendo T = 0 K e ignorando los
huecos ligeros,
a) Identificar los niveles de energa en la banda de conduccin y de
Captulo 8

valencia que pueden participar en la transicin, admitiendo


conservacin de k. (Rta: E2-EC0 = 0.044 eV; EV0 - E1 = 0.0054 eV)
b) Determinar la densidad mnima de pares electrn-hueco
necesarios para conseguir ganancia a esa frecuencia. (Rta:
17 -3
7.410 cm )
c) Complicar el problema repitiendo los apartados anteriores sin
despreciar la banda de huecos ligeros y a T = 300 K.
(Tomar los datos necesarios del problema 1. Para el apartado c) es
muy conveniente usar algn programa de clculo numrico)
4. Las dimensiones de un semiconductor pueden llegar a
ser tan pequeas que la difusin de los portadores del punto en
que se producen puede convertirse en un problema. La ecuacin

228 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


que rige la generacin y perdida de los poretadores puede ponerse
como:

dn n
= G n2 ,
dt D

siendo D la vida media de difusin, que para este problema


tomaremos de 2.6 ns, y el coefienciente de recombinacin de
huecos y electrones, cuyo valor ser de 210-10 cm3/s.
a) Cul debe ser la concentracin mnima de portadores para que
la velocidad de recombinacin exceda a la de difusin? (Rta:
18 -3
1.910 cm )
b) Si se desea mantener una densidad de portadores de 31018 cm-
3
bombeando con un lser de argn que emite con =514,5 nm, y
cada fotn crea un par electrn hueco, obtener la potencia
absorbida por unidad de volumen de la radiacin de bombeo.
(Rta: 1.14109 W/cm3)
5. En la figura adjunta se muestra un esquema del perfil de
emisin espontnea de un lser de GaAs. La longitud del mismo
es de 680 m, su ndice de refraccin es 3.6, la reflectividad de las
aras es de 0.3, el coeficiente de absorcin residual en el cristal es
-1
10 cm , y la vida media de recombinacin, 1 ns.
m
0
23

68
0
m
1 m 12 meV

1.476 eV
43 meV

Captulo 8
a) Cul es la longitud de onda para la mxima ganancia? (Rta:
0.84 m)
b) Cul es la anchura a mitad de altura de altura (FWHM = Full
Width at Half Maximum) del coeficiente de ganancia en Hz y cm-1?
12 -1
(Rta: 5.110 Hz y 169 cm )
c) Determinar la densidad de portadores necesaria para llevar el
15 -3
lser a la condicin umbral. (Rta: 6.510 cm )
d) Esta concentracin de portadores debe mantenerse mediante
algn tipo de bombeo -inyeccin de portadores, bombeo ptico u
otros. Estimar la mnima potencia de bombeo para mantener una
inversin de 1016 cm-3 en toda la estructura. (Rta: 369 mW)

CUESTIONES Y PROBLEMAS 229


6. La grfica de la figura muestra el coeficiente de absorcin
a T =0 k de un semiconductor. Si la nuestra se somete a un
bombeo ptico tal que EFn - EC0 = 0.050 eV y EV0 -EFp = 2 meV,
encontrar el valor mximo del coeficiente de ganancia as como la
energa de los fotones a la que se produce.
300

200

(cm )
-1 100

Eg=1.43 eV

25 meV
Captulo 8

230 CAPTULO 8 DISPOSITIVOS OPTOELECTRNICOS


REFERENCIAS

J. T. Verdeyen, Laser Electronics, 3rd Edition. Prentice Hall, 1995


A. Yariv, Quantum Electronics, 3rd Edition. John Wiley and Sons, 1989
S.L. Chuang, Physics of Optoelectronic Devices. John Wiley and Sons,
1995
C. Kittel, Introduccin a la Fsica del Estado Slido, 3 Edicin. Ed.
Revert, S.A. Barcelona, 1975.
N. Ashcroft, M. Mermin. Solid State Physics. Holt, Rinehart and Winston,
1976
I. Melchor Ferrer. Tesis Doctoral. Departamento de Electrnica.
Universidad de Granada, 1997

Captulo 8

CUESTIONES Y PROBLEMAS 231


9 )

9
Captulo
CRECIMIENTO DE
SEMICONDUCTORES.

Fabricacin de una
oblea de Silicio
ndice

9-1 Introduccin 9-4 Produccin de obleas


9-2 Crecimiento en volumen. 9-5 Crecimiento epitaxial
Obtencin de Si cristalino. 9-6 Calidad de las capas cristalinas.
9-3 Crecimiento de materiales Defectos, dislocaciones, impurezas
compuestos. Tcnica LEC. Mtodo de residuales y otras imperfecciones
Bridgman.

Objetivos

Describir los principales mtodos de crecimiento en volumen de un cristal


semiconductor.
Explicar como se fabrica una oblea.
Definir los diferentes tipos y tcnicas de crecimiento epitaxial.
Presentar los principales defectos que se pueden producir en un cristal y
comentar sus efectos en el comportamiento elctrico del semiconductor.

Palabras clave
Mtodo de Czochralski. Homoepitaxia. Posicin substitucional
Mtodo de Zona Flotante. Heteroepitaxia. Defecto Frenkel.
Policristalin Epitaxia en fase liquida o LPE Gettering.
Monocristalino. Epitaxia en fase gaseosa o VPE
Coeficiente de segregacin. Epitaxia por haces
Tcnica LEC. moleculares (M.B.E.).
Mtodo de Bridgman. Posicin intersticial
9.1 Introduccin

Los semiconductores ms importantes para la fabricacin tanto


de dispositivos discretos como de circuitos integrados son, con diferencia,
el silicio (Si) y el arseniuro de galio (GaAs). El diagrama de la Figura
9.1.1 muestra el proceso de crecimiento de una oblea del semiconductor
correspondiente a partir de los materiales iniciales:

Figura 9.1.1: Esquema del proceso de fabricacin de una oblea.


Los materiales de partida (SiO2 para el silicio y galio y arsnico
para el GaAs) son tratados qumicamente para obtener un semiconductor
policristalino de gran pureza. Partiendo de este semiconductor de alta
pureza, se crecen, por diferentes tcnicas lingotes de semiconductor
monocristalino de determinado dimetro. Finalmente estos lingotes se
cortan en obleas que son limpiadas y pulidas. Sobre estas superficies
especulares se fabricarn por ltimo los diferentes dispositivos
electrnicos. Una tecnologa relacionada muy de cerca con el crecimiento
de cristales, involucra el crecimiento de capas delgadas de semiconductor
monocristalino. Esta tcnica se denomina Epitaxia. El crecimiento
epitaxial permite controlar los perfiles de dopado, optimizando as la
fabricacin de dispositivos y circuitos.
Captulo 9

9.2 Crecimiento en volumen. Obtencin de Si cristalino.

9.2.1 Obtencin de Si puro.


El material inicial para el crecimiento de lingotes de silicio es
una forma relativamente pura de arena (SiO2) denominada cuarcita. La
cuarcita se coloca en un horno junto con varias formas de carbn (hulla,
coke, astillas de madera), dando lugar a la reaccin siguiente:

234 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


SiC(solido) + SiO2(solido) Si(solido) + SiO(gas) + CO(gas)

Esta reaccin produce silicio metalrgico (MGS) con una pureza


del 98%. Este silicio no es todava lo suficientemente puro para poder
utilizarlo en la fabricacin de circuitos electrnicos. Por lo tanto es
necesario un proceso de purificacin. Para llevar a cabo tal proceso, el
silicio es pulverizado y tratado con cloruro de hidrgeno para obtener
triclorosilano (SiHCl3 ), de acuerdo con la reaccin:

SiO2(solido) + 3HCl(gas) SiHCl3(gas) + H2(gas)

A temperatura ambiente el triclorosilano es un lquido. La


destilacin fraccionada de este lquido permite eliminar las impurezas
indeseadas. A continuacin, el triclorosilano se reduce con hidrgeno para
obtener silicio electrnico (EGS : Electronic Grade Silicon):

SiHCl3(gas) + H2(gas) Si(solido) + 3HCl(gas)

Esta reaccin tiene lugar en un reactor que contiene una barra de


silicio caliente que sirve para que el silicio electrnico se deposite sobre
ella. El EGS es un silicio policristalino de alta pureza (concentracin de
impurezas en una parte por mil millones) y es el elemento de partida para
crear silicio monocristalino.

9.2.2 Crecimiento en volumen.


Una vez que se ha conseguido silicio de alta pureza o EGS
(Electronic Grade Silicon). Para la fabricacin de un CI se requiere Silicio
con estructura cristalina. Para conseguir un cristal de Si se pueden utilizar
varias tcnicas. Las ms importantes son: el mtodo de Czochralski y el
mtodo de Zona Flotante

Metodo de Czochralski

El mtodo de Czochralski es el mtodo empleado en el 90% de


los casos para obtener silicio monocristalino a partir de silicio
policristalino (EGS). Este mtodo utiliza para el crecimiento de cristales
un aparato denominado "puller", que consta de tres componentes

Captulo 9
principales como muestra la Figura 9.2.1

SECCIN 9.2 235


Figura 9.2.1 Puller de Czochralski. Fuente:Libro VLSI Technology
de Sze
(a) Un horno, que incluye un crisol de slice fundida (SiO2 ), un
soporte de grafito, un mecanismo de rotacin (en el sentido de las agujas
del reloj) un calentador y una fuente de alimentacin.
(b) Mecanismo de crecimiento del cristal, que incluye un soporte
para la semilla (muestra patrn del cristal que se pretende crecer) y un
mecanismo de rotacin (en el sentido contrario al de las agujas del reloj).
(c) Mecanismo del control de ambiente. Incluye una fuente
gaseosa (argn por ejemplo), un mecanismo para controlar el flujo
gaseoso y un sistema de vaciado.
El proceso de crecimiento se detalla a continuacin. El silicio
policristalino (EGS) se coloca en el crisol y el horno se calienta a una
temperatura superior a la de fusin del silicio obtenindose el material
fundido (MELT). A continuacin, se suspende sobre el crisol una muestra
pequea del tipo de cristal que se quiere crecer (<111> por ejemplo). Al
Captulo 9

introducir la semilla en el fundido, parte de la misma se funde, pero la punta


de la misma an toca a la superficie del lquido. Entonces lentamente
empieza a levantarse. El progresivo enfriamiento en la interfase slido-
lquido proporciona un silicio monocristalino con la misma orientacin
cristalina que la semilla pero de mayor dimetro.

236 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Figura 9.2.2: Formacin de una barra de Si cristalino mtodo de
Czochralski. Fuente:Libro VLSI Technology de Sze
Controlando cuidadosamente la temperatura, la velocidad de
elevacin y rotacin de la semilla y la velocidad de rotacin del crisol, se
mantiene un dimetro preciso del cristal. Mientras los lingotes son
estirados, se refrescan para que adquieran un estado slido. La longitud
del lingote vendr determinada por la cantidad de silicio fundido que hay
en el crisol. La velocidad tpica de crecimiento es de pocos milmetros por
minuto.
En este proceso se aaden la cantidad de impurezas necesarias
para formar un semiconductor tipo N o P con el dopado deseado.
Normalmente la concentracin de impurezas es de 1015 cm-3. Para
conseguir esta concentracin se incorpora cuidadosamente una pequea
cantidad de dopante por ejemplo Fsforo (para conseguir semiconductor
tipo N) o Boro (para tipo P) al Silicio fundido. La cantidad tpica es de un
microgramo por cada kilogramos de silicio. Para tener un mejor control se

Captulo 9
aade silicio altamente dopado al Silicio intrnseco fundido.
La concentracin de dopante del silicio una vez que se solidifica
es siempre inferior a la del silicio fundido. Esta segregacin causa que la
concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.
La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el
otro extremo. Tambin se tiene un pequeo gradiente de concentracin a
lo largo del radio de la barra de cristal. La relacin entre estas dos
concentraciones se define como coeficiente de segregacin en equilibrio, k0:

SECCIN 9.2 237


Cs
k0
Cl
donde Cs y Cl son las concentraciones en equilibrio en el slido y en
el lquido respectivamente.
La Figura 9.2.3 muestra algunos lingotes crecidos por el mtodo
de Czochralski.

Figura 9.2.3: Lingotes de Si crecidos por el mtodo de Czochralski


http://www.sumcosi.com/products/products2.html
Como se observa en la tabla siguiente, el valor de k0 para la
mayora de los dopantes habitualmente utilizados es menor que la unidad lo
que significa que durante el crecimiento los dopantes son rechazados hacia el
fundido. Consecuentemente, ste estar progresivamente ms enriquecido en
dopante a medida que se crece el cristal.

Si GaAs
Dopante k0 Tipo Dopante k0 Tipo
As 0.3 n S 0.5 n
Bi 7x10-4 n Se 0.1 n
C 0.07 n Sn 0.08 n
Li 10-2 n Te 0.064 n
O 0.5 n C 1 n/p
P 0.35 n Ge 0.018 n/p
Sb 0.023 n Si 2 n/p
Captulo 9

Te 2x10-4 n Be 3 p
Al 2.8x10-3 p Mg 0.1 p
Ga 8x10-3 p Zn 0.42 p
B 0.8 p Cr 5.7x10-4 Semi-
aislante
Au 2.5x10-5 Deep Fe 3x10-3 Semi-
lying aislante

Tabla 9.2.1: Coeficientes de segregacin para distintos dopantes

238 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Consideremos el caso de un cristal que est siendo crecido a partir
de un fundido de masa inicial M0 y concentracin de dopante inicial M0. Sea
S la cantidad de dopante que queda en el fundido cuando se ha crecido un
cristal de masa M. Supongamos ahora que el cristal aumenta su masa en dM,
lo que corresponde a una disminucin -dS en el peso del dopante presente en
el fundido.
Si Cs es la concentracin de impurezas en el cristal en ese
momento, CsdM ser el peso de las impurezas aadidas al cristal en este
crecimiento infinitesimal, y en consecuencia
- dS = Cs dM (9.1)
El peso del fundido restante tras crecer un cristal de masa M, ser
M0-M, por lo que la concentracin de dopante en el lquido es:
S
Cl = (9.2)
M0 - M
de donde,
S dM
- dS = Cl k0 dM = k0 (9.3)
M0 - M
obtenindose finalmente la siguiente ecuacin diferencial:
dS dm
= - k0 (9.4)
S M0 - M
Conocida la cantidad inicial de dopante presente en el fundido,
S0=C0M0, podemos integrar la ecuacin anterior:
S M
dS - dM

C0 M 0
S
= k0
0 M0
-M
(9.5)

Integrando la ecuacin anterior obtenemos:

M
k0
S
= 1 - (9.6)
C0 M0 M0
Como por otro lado tenemos que
S
Cl = (9.7)
M0 - M

Captulo 9
Cl (M0 - M ) M
k0

= 1 - (9.8)
C0 M 0 M0
De donde finalmente se obtiene la concentracin de dopante en el
cristal:
k0 - 1
M
Cs = C0 k0 1 - (9.9)
M0

SECCIN 9.2 239


A medida que el cristal crece, la concentracin inicial de dopado
C0k0 va disminuyendo si k0<1, e ir aumentando para k0>1. Cuando k01, se
obtiene una distribucin uniforme de impurezas.

Coeficiente de segregacin efectivo


Mientras se crece el cristal, los dopantes son rechazados hacia el
fundido continuamente (k0<1). Si la velocidad de rechazo es mayor que la
velocidad a la que el dopante es transportado por difusin hacia el interior
del fundido, se produce en el lquido un gradiente de concentracin de
dopante, como muestra Figura 9.2.4. Podemos definir un coeficiente de
segregacin efectivo, ke, cmo la relacin entre la concentracin de dopante
en el slido Cs, y la concentracin de dopante en el fluido lejos de la
interface, Cl.

Figura 9.2.4:Gradiente de concentracin de dopante


Consideremos una pequea lmina de fundido de espesor , tal que
fuera de esta lmina la concentracin de dopante tiene una concentracin
constante Cl. Dentro de la lmina, la concentracin de dopante puede
describirse, en condiciones estacionarias, por la ecuacin de continuidad
(analoga con la ecuacin de continuidad de portadores en semiconductores):
2
dC d C
0=v +D 2
(9.10)
dx dx
donde v es la velocidad de crecimiento del cristal, D el coeficiente de
difusin del dopante en el fundido y C la concentracin de dopante en el
fundido. La solucin a esta ecuacin diferencial de 21 orden con coeficientes
constantes es de la forma:
v
C = A1 e- D x + A2 (9.11)
Captulo 9

donde A1 y A2 son las constantes a determinar por las condiciones de


contorno. La primera condicin de contorno es que C=Cl(0) en x=0. La
segunda condicin es la de conservacin del nmero total de dopantes, esto
es, la suma de flujos de dopante en la interface debe ser cero. Considerando
la difusin de los tomos de dopante en el fundido (despreciando la difusin
en el slido) tendremos que:

dC
D + ( Cl (0) - Cs ) v = 0 (9.12)
dx x=0

240 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Teniendo en cuenta las condiciones de contorno anteriores y que
C=Cl para x=, tendremos que

-
v Cl - Cs
e D = (9.13)
Cl (0) - Cs
por lo que el coeficiente de segregacin efectiva queda en la forma:
Cs k0
ke = (9.14)
Cl k0 + (1 - k0 ) e- D
v

mientras que la distribucin de dopante en el cristal sigue la misma


ley anterior, pero sustituyendo k0 por ke:
ke - 1
M
Cs = C0 ke 1 - (9.15)
M0
Los valores de ke son mayores que los de k0 y puede aproximarse a
1 para valores grandes del parmetro de crecimiento v/D. La distribucin
uniforme (ke61) puede obtenerse empleando una velocidad elevada de
crecimiento y una velocidad de rotacin pequea ( es inversamente
proporcional a la velocidad de rotacin).
El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene una
considerable cantidad de oxigeno, debido a la disolucin del crisol de
Slice (SiO2). Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja
resistividad usado en un circuito integrado, adems puede controlar el
movimiento accidental de impurezas metlicas. Sin embargo para
aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta resistividad
este oxigeno es un problema. En estos casos se usa el mtodo de Zona
Flotante.

Metodo de Zona flotante

El mtodo de "float-zone" se utiliza para crecer silicio


monocristalino con concentracin de impurezas ms bajas que las
normalmente obtenidas por el mtodo de Czochralski.
El cilindro de silicio policristalino se sostiene verticalmente y se
conecta a uno de sus extremos a la semilla, girndose todo como muestra la
figura. El cilindro de silicio se encierra en un recipiente de cuarzo y se
mantiene en una atmsfera inerte (argn por ejemplo).

Captulo 9

SECCIN 9.2 241


Figura 9.2.5: Mtodo de zona flotante
http://www.oja-services.nl/iea-pvps/ ar02/dnk.htm
Durante la operacin, una pequea zona (pocos centmetros) del
cristal se hunde mediante un calentador que se desplaza a lo largo de todo el
cristal desde la semilla. El silicio fundido es retenido por la tensin
superficial entre ambas caras del silicio slido. Cuando la zona flotante se
desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo
inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la semilla.
Captulo 9

Mediante este proceso de "float zone" pueden obtenerse materiales con


resistividades ms altas que mediante el mtodo de Czochralski. Adems,
como no se necesita crisol, no existe, como en el caso anterior, posible
contaminacin desde el crisol.

242 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Figura 9.2.6: Puller para zona flotante de la empresa GTI
http://www.gt-equipment.com/
Para evaluar la distribucin de dopado de un proceso "float-zone",
consideremos el modelo simplificado de la figura anterior. Supongamos que
la concentracin inicial uniforme de dopante en el cilindro policristalino es
C0. Sea L la longitud de la zona fundida a una distancia x, A la seccin
transversal del cilindro y d la densidad del silicio. Sea S la cantidad de
dopante presente en la zona fundida. Cuando la zona fundida avanza dx, la
cantidad de dopante aadida al fundido es:
C0 d A dx (9.16)
mientras que la cantidad de dopante que desaparece debido a que es
incorporada al silicio monocristalino es:

dx
Cs d A dx = ke S (9.17)
L
donde ke es el coeficiente de segregacin efectiva. En consecuencia
la variacin en la cantidad de dopante en la zona fundida es:

k S
dS = C0 d A - e dx (9.18)
L
Integrando
x S
dS
dx = ke S (9.19)
0 S0
C0 d A -
L
donde S0=C0dAL es la cantidad inicial de dopante en la zona
fundida. Como resultado de la integral anterior se obtiene:

[ ]
Captulo 9
C0 A d L
1 - (1 - ke ) e- L
k x e
S= (9.20)
ke
Como Cs=keCl, y Cl que es la concentracin de dopante en el
lquido viene dada por:
S
Cl = (9.21)
A d L

SECCIN 9.2 243


finalmente la concentracin de dopante en el cristal se expresa en la
forma:

[
Cs = C0 1 - (1 - ke ) e
-
ke x
L ] (9.22)
Puesto que Cs es menor que C0, este mtodo, al igual que el mtodo
de Czochralski puede emplearse para purificar cristales.
Para ciertos dispositivos conmutadores (tiristores) se utilizan
grandes reas del chip (una oblea entera para un slo dispositivo). Esto
implica la necesidad de un dopado homogneo en toda la oblea. Para obtener
esto, se utiliza una lmina de silicio monocristalino crecida mediante la
tcnica de "float-zone" con un dopado mucho ms pequeo que el
finalmente requerido. A continuacin, la lmina se irradia con neutrones
trmicos. Este proceso denominado irradiacin de neutrones da lugar a una
transmutacin del silicio en fsforo obtenindose silicio monocristalino tipo-
n:
Si14 + neutrones Si14 + radiaci n P15 + radiaci n
30 31 31

La profundidad de penetracin de neutrones en silicio es de 100cm,


por lo que el dopado es muy uniforme en toda la lmina.

9.3 Crecimiento de materiales compuestos. Tcnica LEC.


Mtodo de Bridgman.

Los materiales iniciales para la obtencin de arseniuro de Galio


(GaAs) son los elementos puros arsnico y galio. Estos elementos se utilizan
para sintetizar GaAs policristalino. Al ser el arseniuro de galio una
combinacin de dos materiales, su comportamiento es muy diferente al del
silicio. La figura siguiente muestra el diagrama de fases del sistema galio-
arsnico:
Captulo 9

Figura 9.3.1: Diagrama de fases galio-arsnico.

244 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


La abcisa representa la composicin de los dos componentes en
trminos del porcentaje de peso atmicos (escala inferior) y porcentaje de
peso (escala superior). Consideremos por ejemplo, un fundido con una
composicin en arsnico inicial x. Cuando se baja la temperatura, la
composicin permanecer fija hasta que se alcance la lnea "lquidus".
Cuando se alcance dicha temperatura, (T1,x), empezar a solidificar material
con un 50% de tomos de arsnico, es decir, arseniuro de galio.
Al contrario que el silicio, el arsnico y el galio tienen presiones de
vapor muy elevadas a la temperatura de fusin del arseniuro de galio. Esto
significa que el arsnico es voltil y se evapora fcilmente a la temperatura
de fusin, tendiendo a abandonar el fluido y a condensarse sobre las paredes
del recipiente. En su fase de vapor, el arsnico existe cmo As2 y As4. Para
evitar la salida del arsnico del fundido, todas las manipulaciones de ste
deben realizarse en condiciones de sobre-presin de arsnico.
Para sintetizar arseniuro de galio, se utiliza un sistema que consiste
en un tubo de cuarzo sellado en el que se ha hecho el vaco. Este tubo se
coloca en un horno tal que tiene dos zonas, cada una de ellas a una
temperatura diferente. El arsnico de alta pureza se coloca en un recipiente
de grafito y se calienta a 610 1C, mientras que el galio de alta pureza se
coloca en otro recipiente de grafito y se calienta hasta por encima de la
temperatura de fusin del arseniuro de galio (1238 1C) En estas condiciones,
se establece una sobrepresin de arsnico que:
(1).-permite el transporte de vapor de arsnico hacia el fundido de
galio, obtenindose arseniuro de galio, y
(2).-evita la descomposicin del arseniuro de galio cuando se
forma (debido a la alta presin de vapor de arsnico).
Cuando el fundido se enfra, se obtiene arseniuro de galio
policristalino de alta pureza.

9.3.2 Tcnica LEC (Liquid-Encapsulated-Czochralski).


Para obtenerse GaAs monocristalino a partir del semiconductor
policristalino, pueden emplearse diferentes tcnicas. Puede utilizarse el
mtodo de Czochralski anteriormente detallado para el silicio. Sin embargo,
debido a la alta presin de vapor del arsnico a la temperatura de fusin del
arseniuro de galio, hay que tomar ciertas precauciones puesto que de lo
contrario, el arsnico abandonara rpidamente el fundido con lo que
nicamente quedara galio en el fundido. Por ejemplo, el proceso puede
hacerse en un ambiente con alta presin de arsnico, para evitar la

Captulo 9
evaporacin del arsnico presente en el fundido. Sin embargo, lo que
realmente se hace es aislar el fundido mediante una capa de un segundo
material (xido brico) que impide la salida del arsnico del fundido como
muestra la Figura 9.3.2

SECCIN 9.4 245


Figura 9.3.2: (a) Tcnica LEC, (b) Puller Czochralski
http://www.taloma.com/cwarwick/ thesis/figure_3_1.gif
A esta tcnica se le denomina tcnica LEC (Liquid-Encapsulated-
Czochralski), y permite, de la misma forma que el mtodo de Czochralski
para el silicio, obtener GaAs monocristalino.
Captulo 9

9.3.3 Tcnica de Bridgman


Existen otras tcnicas que permiten obtener GaAs monocristalino a
partir de un fundido de GaAs policristalino. La figura siguiente muestra un
sistema que emplea la tcnica de Bridgman para obtener GaAs
monocristalino:

246 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Figura 9.3.3: Tcnica de Bridgman
Se utiliza un horno de dos zonas. La zona de la izquierda se
mantiene a una temperatura de 610 1C para producir en el sistema una sobre
presin de arsnico que impida la vaporizacin excesiva del arsnico en el
GaAs fundido. La zona derecha, al contrario, se mantiene a una temperatura
justo por encima del punto de fusin del arseniuro de galio. El tubo sellado
est fabricado de cuarzo, y el recipiente donde se coloca el GaAs
policristalino de grafito. Cuando el horno se desplaza hacia la derecha, el
GaAs fundido se enfra por el extremo izquierdo, donde se coloca una
semilla (patrn con la orientacin cristalogrfica deseada para el cristal
resultante). El enfriamiento gradual del fundido de esta forma permite el
crecimiento de un cristal de GaAs. La distribucin de impurezas puede
describirse por las mismas ecuaciones anteriores:
ke -1
M
Cs = C0 k e 1 - (9.23)
M0

Cs k0
ke = (9.24)
Cl k 0 + (1 - k 0 ) e- D
v

donde la velocidad de crecimiento viene dada por la velocidad de


desplazamiento del horno en la direccin perpendicular.

Captulo 9

SECCIN 9.4 247


Figura 9.3.4: Horno vertical de Bridgman de tres zonas (izquierda) :
Horno vertical de Bridgman de cuatro zonas industrial (derecha)
http://www.cyberstar.fr/crystal/bridgman.htm

9.4 Produccin de obleas.


Captulo 9

Figura 9.4.1: Lingote monocristalino de Czochralski

248 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Despus de crecido el cristal, la primera operacin a realizar es
quitar los extremos del lingote, tanto el de la semilla, como el ltimo
extremo crecido:

Figura 9.4.2:Proceso de corte de la barrra de silicio.


La operacin siguiente es desgastar la superficie hasta que quede
definido el dimetro del lingote. A continuacin, y paralela a la generatriz
del cilindro se hacen unas marcas planas para especificar la orientacin del
cristal y el tipo de conductividad del material. La figura muestra las marcas
realizadas y el significado de stas:

Figura 9.4.3: Tipos de marcas y su significado.


Una vez realizadas estas operaciones, el lingote est preparado para
ser cortado en obleas. Cortadas las obleas, las dos caras de estas son tratadas
con una mezcla de Al2O3 y glicerina para producir una superficie plana
homognea con un error de "2 m. Esta operacin daa y contamina la
superficie y bordes de la oblea. Para reparar estos daos, las obleas son
tratadas mediante ataques qumicos que posteriormente veremos. El paso

Captulo 9
final en la obtencin de las obleas es el pulido, cuyo propsito es obtener una
superficie especular dnde puedan definirse los detalles de los dispositivos
electrnicos.

SECCIN 9.4 249


9.5 Crecimiento epitaxial.

El trmino epitaxia procede del griego "epi" (sobre) y taxis


(arreglo), y se aplica al proceso usado para crecer una capa delgada
cristalina sobre un substrato cristalino. En un proceso epitaxial, el
substrato de la oblea acta como la semilla en el crecimiento de un cristal.
Los procesos epitaxiales se diferencian de los procesos de crecimiento de
volumen antes mencionados en que la capa epitaxial puede crecerse a
temperaturas substancialmente ms pequeas que las del punto de fusin
del material (sobre un 30-50 % ms bajas). Cuando un material se crece
epitaxialmente sobre un substrato del mismo material, el proceso se
denomina homoepitaxia. Si la capa y el substrato son de materiales
diferentes, tal como el caso de AlxGa1-xAs sobre GaAs, el proceso se
denomina heteroepitaxia. En cualquier caso, en heteroepitaxia, las
estructuras cristalinas del substrato y de la capa crecida deben ser
parecidas si se pretende obtener un crecimiento cristalino.

Existen diferentes tipos de procesos epitaxiales:

-Epitaxia en fase gaseosa o VPE, en la que se crece la capa cristalina a


partir de los reactivos en fase gaseosa.

-Epitaxia en fase lquida LPE, en la que los reactivos utilizados para


crecer la capa cristalina estn en fase lquida.

-Epitaxia por haces moleculares MBE. Los reactivos involucrados en


este proceso son haces de tomos o molculas, en un entorno de muy alto
vaco.

En los dispositivos de silicio, el proceso epitaxial ms importante es


la epitaxia en fase gaseosa (VPE):
Captulo 9

250 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


9.5.2 Vapour Phase Epitaxy (VPE)
Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte
de grafito, como muestra la figura:

Figura 9.5.1: Vapour-Phase Epitxy (VPE)


En el recipiente se introduce la fuente gaseosa, tpicamente
tetracloruro de silicio (SiCl4) y se calienta todo a una temperatura de 12001C,
dndose la reaccin:

SiCl4(gas) + 2H2(gas) Si(solido) + 4HCl(gas)

Pero adems se produce tambin la reaccin siguiente:

SiCl4(gas) + Si(solido) 2SiCl2(gas)

Por lo tanto, si la concentracin de tetracloruro de silicio (SiCl4) es


demasiado elevada, predominar la segunda reaccin, por lo que se
producir una eliminacin de silicio del substrato en vez del crecimiento de
la capa epitaxial.
La Figura 9.5.2muestra el efecto de la concentracin de SiCl4 en el
gas reactivo sobre la velocidad de crecimiento de la capa epitaxial.
Inicialmente, la velocidad crecimiento aumenta linealmente con la

Captulo 9
concentracin de SiCl4, alcanzndose un valor mximo. Despus de este
mximo, la velocidad de crecimiento disminuye a medida que aumenta la
concentracin de SiCl4, llegando un momento en que la velocidad es
negativa, es decir, ocurre la reaccin de eliminacin de silicio. Generalmente
la capa epitaxial de silicio se crece en la regin de bajas concentraciones en
la que se verifica un comportamiento lineal:

SECCIN 9.6 251


Figura 9.5.2: Velocidad de crecimiento (VPE)
La capa epitaxial puede crecerse con un cierto dopado. El dopante
se introduce a la vez que el SiCl4 en la mezcla gaseosa. Como dopante tipo
p se utiliza el diborano (B2Cl4), mientras que la arsina (AsH3) y la fosfina
(PH3) se utilizan como dopantes tipo n.
Es posible crecer epitaxialmente tambin arseniuro de galio
mediante un proceso de epitaxia en fase gaseosa. Como el arseniuro de galio
se descompone en arsnico y galio por evaporacin, no es posible su
transporte directo en fase de vapor. Un procedimiento alternativo es usar As4
para el componente de arsnico y cloruro de galio GaCl3 para la componente
de galio. La reaccin que conduce al crecimiento epitaxial del GaAs es:
As4 + 4GaCl3 + 6H2 4GaAs + 12HCl
El As4 se genera trmicamente por descomposicin de la arsina:
As4 + 4GaCl3 + 6H2 4GaAs + 12HCl
El As4 se genera trmicamente por descomposicin de la arsina:
4 AsH 3 As 4 + 6 H 2
mientras que el cloruro de galio se obtiene a travs de la reaccin:
6 HCl + 2 Ga 2 GaCl3 + 3 H 2
Los reactivos se introducen en el reactor con un gas portador (H2),
mientras que las obleas de GaAs se mantienen a una temperatura entre 650
1C y 850 1C. Para evitar la descomposicin trmica del substrato y de la
lmina crecida cmo consecuencia de la elevada presin de vapor del
arsnico, debe existir una sobrepresin suficiente de arsnico.
Captulo 9

Otro procedimiento alternativo para obtener una capa epitaxial de


GaAs es el proceso de deposicin qumica de gases metal-orgnicos:
MOCVD (Metal-Organic-Chemical-Vapor-Deposition). Se utilizan
compuestos metalorgnicos como el trimetilgalio, Ga(CH3)3, que junto con
la arsina (AsH3) proporcionan, de acuerdo con la reaccin siguiente la capa
epitaxial de GaAs:
AsH3 + Ga (CH3 )3 GaAs + 3 CH 4
Durante el proceso de epitaxia, puede introducirse la cantidad
adecuada de dopante en el arseniuro de galio para obtener el dopado

252 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


deseado. El proceso se realiza aadiendo los dopantes en fase gaseosa a la
mezcla gaseosa utilizada. Como dopantes tipo n, se utilizan hidruros de
azufre o selenio, o tetrametilestao. Para conseguir un dopado tipo p, se
aade dietilzinc o dietilcadmio; tambin se utiliza cloruro de cromilo
(CrO2Cl2) para introducir cromo en el arseniuro de galio para obtener capas
semiaislantes.

-Cintica de crecimiento.
Consideremos la figura siguiente:

Figura 9.5.3:Esquema de una reaccin VPE


Sea Cg la concentracin de reactivos en la mezcla gaseosa, lejos de
la interface gas-substrato. Sea Cs la concentracin de reactivos justo en la
interface. Sea F1 el flujo de reactivos desde el volumen del gas hacia la
interface (flujo es el nmero de molculas que cruzan un rea unidad en la
unidad de tiempo). Sea F2 el flujo correspondiente de especies reactivas
consumidas en la reaccin epitaxial. Supongamos que F1 viene dado por:
F1 = h g (Cg - Cs ) (9.25)
donde hg es el coeficiente de transferencia de masa en la fase de
vapor, y viene dada por:

3 d v
hg = Dg (9.26)
2 L
siendo Dg la difusividad del gas, su viscosidad, d su densidad, v
la velocidad a la que es introducido el gas y L la longitud del tubo donde se
realiza el crecimiento epitaxial.
Por otro lado, el flujo consumido por la reaccin qumica que tiene
lugar en la superficie de la capa crecida puede expresarse cmo:
F2 = k s Cs (9.27)
donde ks es la constante de velocidad de la reaccin. En el estado

Captulo 9
estacionario ambos flujos sern idnticos, por lo que tendremos que:
F F1 = F2 (9.28)
de donde se obtiene que la concentracin de reactivos en la
interface es:

SECCIN 9.6 253


Cg
Cs =
(9.29)
1 + ks
hg
La velocidad de crecimiento de la capa semiconductora viene dada
por el flujo de estados estacionarios, F, dividido por el nmero de tomos de
semiconductor incorporados a una unidad de volumen de la lmina, Ca:
F k s h g Cg
v= = (9.30)
Ca k s + h g Ca
Ca tiene un valor de 5x1022 tomos/cm3 para el silicio y de 4.4x1022
tomos/cm3 para el arseniuro de galio.
Cmo Cg= y Ct, donde "y" es la fraccin molar de las especias
reactivas y Ct el nmero total molculas por cm3 de gas (reactivos ms gas
portador) se obtiene que la velocidad de crecimiento de la capa epitaxial:
F k s h g Cg
v= = (9.31)
Ca k s + h g Ca
La expresin anterior indica que la velocidad de crecimiento, para
una fraccin molar dada, est determinada por el menor de ks o hg:
- Si ksn hg entonces la velocidad de crecimiento viene dada por:

Ct
ks hg _ v = ks y (9.32)
Ca
es decir, la velocidad de crecimiento est determinada por cmo de
rpido se produzca la reaccin en la superficie del semiconductor. Se dice
que el proceso est controlado por la velocidad de reaccin superficial.
- Por otro lado, si ks o hg, entonces, la velocidad de crecimiento:
Ct
ks hg _ v = hg y (9.33)
Ca
es decir, la velocidad de crecimiento est determinada por cmo de
rpido llegan los reactivos a la superficie de la oblea. En este caso se dice
que el proceso est controlado por la transferencia de masa.
La Figura 9.5.4muestra la dependencia con la temperatura de la
velocidad de crecimiento para varias fuentes de silicio. A bajas temperaturas
(regin A) la velocidad de crecimiento sigue una ley exponencial,
Captulo 9

v _ e- Ea / KT 1 (Ea -1.5eV). A ms altas temperaturas (regin B) la


velocidad de crecimiento es esencialmente independiente de la temperatura.
Para obtener una lmina epitaxial de gran calidad las temperaturas
de crecimiento deben ser relativamente altas. Adems, el crecimiento
epitaxial debera hacerse a una temperatura a la que la velocidad de
crecimiento sea insensible a variaciones de la temperatura. Por lo tanto, el
crecimiento epitaxial en fase de vapor se produce generalmente en la regin
de transferencia de masa (altas temperaturas).

254 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Figura 9.5.4: Velocidad de crecimiento epitaxial frente a la temperatura

9.5.3 Epitaxia por haces moleculares (M.B.E.)


La epitaxia por haces moleculares es un proceso epitaxial
(crecimiento de la lmina delgada de semiconductor monocristalino) que
involucra la reaccin de uno o ms haces trmicos de tomos o molculas
con una superficie cristalina en condiciones de alto vaco (10-10 Torr). De
esta forma se consigue un control muy preciso tanto en la composicin
qumica cmo en los perfiles del dopante. La epitaxia por haces moleculares
(MBE) tiene un gran nmero de ventajas comparada con la epitaxia en fase
de vapor (VPE), alguna de las cuales se enumeran a continuacin:
-Procesado a bajas temperaturas (400 a 800 1C)
-Control preciso del perfil del dopado.
-Crecimiento de mltiples capas monocristalinas con espesores atmicos.
(superredes).
La figura siguiente muestra esquemticamente un sistema de
crecimiento MBE para GaAs:

Captulo 9

Figura 9.5.5 Esquema de un reactor MBE

SECCIN 9.6 255


Para evaporar As, Ga y los diferentes dopantes se utilizan diferentes
hornos de efusin realizados con nitruro de boro piroltico. Todos los hornos
se alojan en un recipiente en el que se mantiene un alto vaco (10-10 Torr). La
temperatura de cada horno se ajusta para dar la velocidad de evaporacin
deseada. El soporte del substrato gira continuamente para proporcionar capas
epitaxiales uniformes.
Antes de crecer la capa epitaxial es necesario realizar una limpieza
de la superficie. Esto puede hacerse "in-situ" cociendo a altas temperaturas la
muestra, lo que hace que desaparezcan las impurezas por evaporacin, o por
difusin hacia el interior del volumen. MBE puede usar una mayor variedad
de dopantes que VPE. Adems, puesto que el crecimiento se hace a capas
atmicas, el perfil de dopado puede ser controlado de una forma muy
precisa, sin ms que controlar los flujos relativos de dopantes y de silicio o
arseniuro de galio.
La temperatura del substrato para el crecimiento MBE est en el
rango 400 a 800 1C. La velocidad de crecimiento est comprendida entre
0.001 a 0.3 m/min.

9.6 Calidad de las capas cristalinas. Defectos,


dislocaciones, impurezas residuales y otras
imperfecciones.

Un cristal real, tal como una oblea semiconductora como las que
acabamos de estudiar, difiere en varios aspectos de un cristal ideal:
1.- El cristal real es finito, por lo que los tomos de la superficie
estn incompletamente ligados, rompindose de esta forma la periodicidad
de la red.
2.- Presenta defectos que influyen fuertemente sobre las
propiedades elctricas, mecnicas y pticas de los semiconductores.
Hay cuatro tipos de defectos diferentes en un semiconductor: (a)
puntuales ; (b) dislocaciones; (c) de rea, (d) de volumen.

(a) Defectos puntuales.


Cualquier tomo extrao a la red incorporado tanto en posicin
substitucional (en un lugar regular) o en posicin intersticial (entre lugares
regulares) es un defecto puntual. Un tomo ausente de la red provoca una
vacante que tambin es considerada como un defecto puntual. Un tomo
situado en posicin intersticial al lado de una vacante se denomina defecto
Captulo 9

Frenkel. Los defectos puntuales son particularmente importantes en los


procesos de difusin y oxidacin. La difusin de muchas impurezas depende
de la concentracin de vacantes, al igual que la velocidad de oxidacin del
silicio. Para ser elctricamente activos, los tomos en la red deben estar
colocados, por lo general, en posicin substitucional, creando de esta forma
niveles de energa en la banda prohibida del semiconductor.

256 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


Figura 9.6.1:Tipo de defectos puntuales

(b) Dislocaciones o defectos de lnea.


La figura siguiente muestra una red cristalina que presenta este tipo
de defecto, que consiste en la existencia de un plano extra de tomos AB
intercalado en la red. Este tipo de defectos son no-deseados puesto que
actan como lugares de precipitacin para impurezas metlicas que degradan
las caractersticas de los dispositivos.

Figura 9.6.2: Ejemplo de dislocaciones en una red

(c) Defectos de rea.

Captulo 9
Los defectos de rea representan una superficie de discontinuidad
en la red. Existen dos defectos tpicos:

-Twins. Representa un cambio en la orientacin cristalogrfica en un plano.

-Contorno granular aparece cuando se produce una transicin entre


cristales que no tienen una orientacin cristalogrfica particular a cristales
con una orientacin determinada.

SECCIN 9.6 257


Estos tipos de defectos se inducen durante el crecimiento del cristal.
Los cristales que presentan alguna de estos tipos de defectos no son tiles
para la construccin de circuitos integrados.

(d) Defectos de volumen.


Los precipitados de impurezas o tomos de dopantes constituyen la
cuarta categora de defectos en cristales semiconductores. Estos defectos se
producen como consecuencia de la solubilidad de las impurezas en el
material anfitrin. Hay una concentracin especfica de impurezas que la red
anfitriona puede aceptar en una solucin slida del material anfitrin y la
impureza. La solubilidad de la mayora de las impurezas disminuye a medida
que disminuye la temperatura. Por lo tanto, si a una temperatura dada, se
introduce la concentracin mxima permitida por su solubilidad de una
impureza en un cristal, y a continuacin este se enfra a temperaturas ms
bajas, la nica posibilidad de alcanzar el estado de equilibrio es precipitando
el exceso de tomos de impureza. Sin embargo, la diferencia de volumen
entre el cristal y el precipitado de la impureza da lugar a dislocaciones.

-Impurezas residuales.
Tanto el carbono como el oxgeno son impurezas residuales (no
intencionadamente introducidas) que aparecen al crecer el cristal. Las
concentraciones de carbn y oxgeno son mucho mayores en los cristales
crecidos mediante la tcnica de Czochralski que mediante la tcnica del
"float zone", debido a la disolucin del crisol de slice (que proporciona
oxgeno) y a la contaminacin del fundido con carbono procedente del
soporte de grafito.
Las concentraciones tpicas de carbono estn en el rango 1016 a 1017
tomos/cm3. Carbono entra en posicin substitucional en el silicio dando
lugar a la formacin de defectos.
En cuanto al oxgeno, las concentraciones tpicas caen dentro del
rango 1017 a 1018 tomos/cm3. Al contrario que el carbono, el oxgeno tiene
tanto efectos perjudiciales como beneficiosos.

-Perjudiciales. Puede actuar como donador, perturbando de esta


forma la resistividad de la red proporcionada por el dopado
intencionadamente introducido en el cristal.

-Beneficiosos. Por otro lado, los precipitados de oxgeno pueden ser


usados para gettering. Por gettering se entiende el proceso consistente en
Captulo 9

eliminar impurezas no deseadas o defectos de la regin de la oblea dedicada


a fabricar dispositivos electrnicos. Cuando la oblea se somete a altas
temperaturas (1050 1C en N2) el oxgeno se evapora de la superficie. Esto
hace disminuir el contenido de oxgeno cerca de la superficie, y de esta
forma la precipitacin de oxgeno no ocurre cerca de la superficie de la
oblea. El tratamiento crea una zona libre de defectos (zona desnuda) para la
fabricacin de dispositivos. Ciclos trmicos adicionales pueden utilizarse
para fomentar la formacin de precipitados de oxgeno en el interior de la
oblea que actan como sumideros (que atraen) impurezas, de manera que los

258 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


tomos de impurezas son atrados hacia estos zonas, dejando el resto de las
zonas, donde se fabricarn los dispositivos libres de impurezas.

9
Figura 9.6.3: Gettering
La profundidad de la zona desnuda (libre de impurezas) depende
del tiempo y de la temperatura de los ciclos de temperatura. La figura
siguiente muestra la anchura de la zona desnuda en funcin del tiempo, para
diferentes condiciones ambientales a las que se realiza el proceso:

Figura 9.6.4 Espesor de la zona libre de impurezas (zona desnuda) frente


al tiempo de tratamiento trmico
En cuanto al arseniuro de galio, suele estar altamente contaminado
por el crisol. Sin embargo, para aplicaciones fotnicas no supone restriccin
alguna debido al alto valor del dopado requerido en la mayora de los casos.
Para aplicaciones de circuitos integrados, el arseniuro de galio se dopa con

Captulo 9
cromo para obtener una resistividad inicial de 109 -cm. Oxgeno es una
impureza no deseada en el arseniuro de galio debido a la formacin de
complejos que aumentan la resistividad de la oblea. Para minimizar la
contaminacin de oxgeno puede emplearse crisoles de grafito. Mediante la
tcnica de Bridgman se obtiene una densidad de dislocaciones un orden de
magnitud ms pequea que la obtenida mediante el mtodo de Czochralski

SECCIN 9.6 259


REFERENCIAS

[1] S. Sze. VLSI Technology, Ed. Mcgraw-Hill.


[2] J.D.Plummer, M.D.Deal, P.B.Griffin, Silicon VLSI Technology,
Ed.Prentice Hall.
[3] Chang and S. Sze, ULSI Technology, Ed. Mcgraw-Hill.
[4] Streetman and Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice
Hall,Fifth Edition, 2000.
[5] Glosario: http://semiconductorglossary.com/
Captulo 9

260 CAPTULO 9 CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES


C

10 IMPURIFICACIN
CONTROLADA DE
Captulo
SEMICONDUCTORES.

Implantador
ndice

10-1 Introduccin. Difusin e 10-6 Implantacin Inica.


Implantacin Inica. Energa y dosis.
10-2 Difusin. 10-7 Mecanismos de parada.
Ecuacin de Fick. 10-8 Reactivacin de Impurezas.
10-3 Perfiles de difusin. Desorden y recocido.
10-4 Difusin extrnseca. 10-9 Efectos relacionados con la
10-5 Efectos relacionados Implantacin inica.
con la difusin.

Objetivos

Conocer las razones por las que es necesario contaminar determinadas zonas de
una muestra semiconductora.
Describir los diferentes procedimientos existentes para la impurificacin
controlada de semiconductores. Establecer las principales ventajas,
inconvenientes y diferencias de los diferentes procedimientos.
Obtener modelos analticos que nos proporcionen el perfil de dopado en funcin
de las variables tecnolgicas de proceso.
Obtener la ecuacin de la difusin de Fick y obtener soluciones a la misma una
vez establecidas las condiciones iniciales y de contorno.
Obtencin de mscaras para la difusin y la implantacin inica a partir de
dixido de silicio.
Difusin lateral.

Palabras Clave
Difusin. Difusin Intrnseca. Rango.
Implantacin Inica. Difusin extrnseca. Rango proyectado.
Impurezas. Difusin con concentracin Parada nuclear.
Substitucional. de dopante constante en la Parada electrnica.
Vacantes. superficie. Acanalamiento.
Intersticios. Difusin con cantidad de Implantacin lateral.
Ecuacin de Fick. dopante constante.
Perfil Impurezas. Mscaras.
Coeficiente de difusin. Difusin lateral.
10.1 Introduccin. Difusin e Implantacin Inica

Para la construccin de dispositivos electrnicos es necesario


introducir localmente en el semiconductor cantidades controladas de
Dopantes
impurezas en posicin substitucional (dopantes). Para ello se utilizan
Defectos puntuales, que
generalmente alguna de las dos siguientes tcnicas: difusin o
consisten en tomos de
impurezas que sustituyen a un
implantacin inica. Con estas tcnicas se puede dopar selectivamente el
tomo de la red cristalina, substrato del semiconductor y producir regiones tipo p tipo n segn
ocupando su misma posicin, y convenga.
que suelen tener un electrn ms
(donadores) o un electrn menos
(aceptores), modificando de esta
forma la conductividad intrnseca
del cristal al aadir portadores de
carga: electrones en el caso de
impurezas donadoras, y huecos
en el caso de impurezas
aceptadoras.
Captulo 10

Figura 1.1 Perfil de impurezas obtenido mediante la difusin de fsforo


en Silicio a 1000C durante 30 minutos.

264 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Hasta comienzos de 1970, el dopado selectivo se realizaba
principalmente mediante difusin a altas temperaturas. En este mtodo los
tomos de dopante se colocan en la superficie del semiconductor o cerca
de ella por deposicin a partir del propio dopante en fase gaseosa o bien a
partir de xidos dopados. La concentracin de dopante disminuye
montonamente a medida que se aleja de la superficie, y el perfil de
dopado depende tanto de la temperatura como del tiempo de difusin
(Figura 10.1.1).

Captulo 10

Figura 10.1.2. Perfil de impurezas resultante de la implantacin inica de


fsforo en silicio.

SECCIN 11.1 INTRODUCCIN. DIFUSIN E IMPLANTACIN INICA 265


A partir de 1970, muchas operaciones de dopado selectivo han
sido realizadas mediante tcnicas de implantacin inica. En esta tcnica,
los tomos del dopante son implantados en el interior del semiconductor
por medio de haces inicos de alta energa. El perfil del dopado tiene un
mximo en el interior del semiconductor (Figura 10.1.2), y est
determinado por la masa de los iones y la energa con que se hacen incidir
los mismos sobre la superficie semiconductora. Las ventajas de la
implantacin inica sobre la difusin son un control preciso de la cantidad
de dopantes introducidos, la reproductibilidad de los perfiles de impurezas
y una menor temperatura de proceso.
10.2 Difusin. Ecuacin de Fick

Para producir la difusin de impurezas en el interior del


semiconductor, se colocan las obleas del mismo en el interior de un horno
a travs del cual se hace pasar un gas inerte portador que contenga el
dopante deseado. El sistema es similar al empleado en la oxidacin
trmica. Los rangos de temperatura van entre 800 y 1200C para el silicio
y 600 y 1000C para el arseniuro de galio. (Figura 10.2.3)
Para el silicio, el dopante ms usual es el boro en el caso de
impurezas tipo p, y el arsnico y fsforo en el caso de impurezas tipo n.
Estos tres elementos tienen una alta solubilidad en silicio (5x1020 cm-3) en
el rango de temperatura de difusin, como muestra la figura 10.2.4. La
introduccin de estos dopantes puede hacerse de muy diferentes formas a
partir de fuentes slidas (BN, As2O3, P2O5), lquidas (BBr3, AsCl3, POCl3)
y gaseosas (B2H6, AsH3 y PH3). Generalmente el material elegido es
transportado hasta la superficie del semiconductor por un gas inerte (N2).
Para la difusin de impurezas en el arseniuro de galio, hay que
utilizar tcnicas especiales debido a la alta presin de vapor del arsnico,
para evitar la prdida de ste por evaporacin. Estos mtodos especiales
incluyen la difusin en ampollas selladas con una alta sobrepresin de
arsnico, y la difusin en un horno abierto con una capa protectora de
xido dopado. Para dopado tipo p se utilizan aleaciones de Zn-Ga-As y
ZnAs2 en el caso de ampollas selladas y ZnO-SiO2 para el horno abierto.
Como dopantes tipo n se utilizan tanto el azufre como el selenio. La
figura 10.2.5 muestra una fotografa de un horno de difusin.
Captulo 10

266 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.2.3.- Diferentes sistemas de difusin, con fuentes lquidas,
gaseosas y slidas.
Captulo 10

SECCIN 10.2 DIFUSIN. ECUACIN DE FICK 267


Figura 10.2.4. Solubilidad de diferentes sustancias en silicio en funcin
de la temperatura.
Captulo 10

Figura 10.2.5. Horno de difusin con el mdulo de control a la izquierda


y cuatro reactores de difusin.

268 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


1.2.1 Ecuacin de Fick.
El proceso de difusin en un semiconductor puede verse como el
movimiento de los tomos de dopantes por la red cristalina a travs de las
vacantes e intersticios de la misma, como consecuencia de un gradiente de
concentracin de impurezas, como muestra la figura 10.2.6

Figura 10.2.6. La difusin de las impurezas es provocada por un


gradiente de concentracin.
A temperaturas elevadas los tomos de la red vibran en torno a
su posicin de equilibrio. Existe por lo tanto una probabilidad finita de
que el tomo que forma la red adquiera la suficiente energa para
abandonar su lugar en la red y pase a ocupar un intersticio dejando una
vacante. Cuando un tomo de impurezas ocupa la vacante dejada por el
tomo anfitrin, el proceso se denomina difusin por vacante (a). Si un
tomo intersticial se mueve de un lugar a otro del cristal sin ocupar un
sitio de la red, entonces el mecanismo se denomina difusin por
intersticios (b). La figura 10.2.7 muestra los dos mecanismos de difusin:

(a) (b)
Figura 2.7 Mecanismos de difusin: (a) por vacantes; (b) por intersticios.
Captulo 10

En general ambos mecanismos de difusin pueden estar


presentes en el movimiento de las impurezas a travs de un substrato
cristalino, aunque dependiendo del tipo de impureza o substrato puede
dominar uno u otro mecanismo. En general, la facilidad de una impureza

SECCIN 10.2 DIFUSIN. ECUACIN DE FICK 269


a moverse a travs de un substrato se caracteriza por el coeficiente de
difusin D.
Para obtener una ecuacin que nos relacione la evolucin de la
concentracin de impurezas con el tiempo como consecuencia del
movimiento de impurezas en el interior del semiconductor, consideremos
la figura 10.2.8. Si C(x) es la concentracin de impurezas en un punto x
del cristal, supondremos que el flujo de impurezas en ese punto x, F(x),
que atraviesa una superficie unidad por unidad de tiempo es proporcional
a C(x):

C ( x )
F (x ) = D (10.1)
x
donde la constante de proporcionalidad D se denomina coeficiente de
difusin o difusividad. De acuerdo con esto, el flujo de tomos de dopante
es proporcional al gradiente de concentracin, y stos se movern desde
regiones con alta concentracin a regiones con ms baja concentracin, tal
como indica el signo menos.
Consideremos una capa infinitesimal de semiconductor de
espesor dx como muestra la figura 10.2.8

C(x)

Superficie F(x) F(x+dx)


semiconductor

x dx

Figura 10.2.8. Modelo de Fick para la difusin de impurezas.


Captulo 10

270 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


El cambio en la concentracin C(x) de tomos de dopante con el
tiempo en dx a una distancia x de la superficie puede escribirse como la
diferencia de flujo de tomos de dopante que entran en dicha regin por la
izquierda y el flujo de tomos de dopante que salen de ella por la derecha

C ( x, t )
dx = F ( x ) F ( x + dx ) (10.2)
t
Desarrollando en serie de Taylor, F(x+dx) hasta primer orden y
sustituyendo se obtiene:

C (x, t ) F ( x ) C ( x, t )
= = D (10.3)
t x x x
Si el coeficiente de difusin, D, es constante, se obtiene
finalmente:

C ( x, t ) 2 C ( x, t )
=D (10.4)
t x 2

Esta ecuacin se conoce con el nombre de ecuacin de difusin


de Fick, y puede emplearse para calcular la concentracin de dopante en
todo instante en el interior del cristal, una vez que se fijen las condiciones
iniciales y de contorno para poder resolverla.
La figura 10.2.9 muestra los coeficientes de difusin empricos,
medidos para bajas concentraciones en silicio y arseniuro de galio. Se
observa una dependencia del tipo exponencial:
Ea

D = D0 e kT (10.5)

donde D0 es el coeficiente de difusin para temperatura infinita y Ea la


energa de activacin. Para el modelo de difusin por intersticios, Ea est
relacionada con la energa requerida para mover los tomos de dopante de
un intersticio a otro; en este caso, los valores de Ea caen entre 0.5 y 1.5eV,
tanto para el silicio como para el arseniuro de galio. Por el contrario, para
el modelo de difusin por vacantes, la energa de activacin, Ea est
relacionada tanto con la energa de movimiento como con la energa de
formacin de vacantes. Por ello, para la difusin por vacantes, la energa
de activacin es mayor que en el caso de difusin por intersticios,
tomando valores entre 3 y 5eV. En la figura 10.2.9, puede observarse que
para los dopantes con mayor coeficiente de difusin (parte superior de las
grficas (cobre, litio, sodio)) la pendiente de las curvas, esto es, la energa
Captulo 10

de activacin, Ea, es menor de 2eV, siendo el movimiento atmico


intersticial el mecanismo de difusin dominante. Sin embargo, para las
impurezas con menor coeficiente de difusin (parte inferior de las

SECCIN 10.2 DIFUSIN. ECUACIN DE FICK 271


grficas) la energa de activacin es mayor de 3eV, siendo la difusin por
vacantes el mecanismo principal.

Figura 10.2.9. Coeficientes de difusin empricos de diferentes impurezas


en silicio y arseniuro de galio frente al inverso de la temperatura.
10.3 Perfiles de difusin

El perfil del dopado obtenido a travs de difusin depende de las


condiciones iniciales y de contorno. Vamos a estudiar en este apartado
dos casos importantes de difusin:
1.-Difusin con concentracin de dopante constante en la
superficie.
Los tomos de impureza son transportados a partir de una fuente
gaseosa hacia la superficie semiconductora. La fuente gaseosa mantiene a
nivel constante la concentracin de superficial durante todo el proceso de
difusin.
2.- Difusin con cantidad total de dopante constante.
Se deposita inicialmente una cantidad fija de dopante sobre la
superficie de la oblea. Este dopante se difunde a continuacin hacia el
interior de la oblea. La concentracin en la superficie disminuye a medida
Captulo 10

que transcurre el proceso de difusin.

272 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


1.3.1 Difusin con concentracin de dopante constante en
la superficie
Para poder resolver la ecuacin de Fick , (Eq.10.4) necesitamos
fijar condiciones iniciales y las condiciones de contorno.
Bajo la suposicin bajo la cual se obtuvo la ecuacin 10.4 de que
el coeficiente de difusin no depende de la concentracin, sin prdida de
generalidad podemos fijar como condicin inicial:

C ( x, t = 0) = 0 (10.6)
esto es, inicialmente la concentracin de dopante en el semiconductor es
cero. En cuanto a las condiciones de contorno:

C ( x = 0, t ) = cte = C S (10.7)

C ( x = , t ) = 0 (10.8)
donde Cs es la concentracin en la superficie (x=0) que es independiente
del tiempo (esta condicin es la que da nombre al mtodo). La segunda
condicin de contorno establece que a grandes distancias de la superficie
no hay tomos de dopante.
La solucin a la ecuacin de difusin de Fick con estas
condiciones iniciales y de contorno viene dada por:

x
C ( x, t ) = C S erfc (10.9)
2 Dt
donde erfc es la funcin error complementaria y Dt la longitud de
difusin. La figura siguiente muestra, tanto en escala lineal como en
escala logartmica la concentracin normalizada de impurezas como
funcin de la profundidad para tres valores diferentes de la longitud de
difusin (D se mantiene fija). Se observa que a medida que aumenta el
tiempo el dopante penetra cada vez ms hacia el interior del
semiconductor.

Captulo 10

10.3 PERFILES DE DIFUSIN 273


Figura 10.3.1. Perfiles de difusin con concentracin de dopante
constante para diferentes tiempos de difusin.
El nmero total de tomos de dopante por unidad de rea en el
semiconductor viene dado al integrar la concentracin de dopante a toda
la estructura:

Q (t ) = C ( x, t )dx (10.10)
0

Teniendo en cuenta la forma de C(x,t) se obtiene finalmente:

2
Q (t ) = C S Dt 1.13 Dt (10.11)

La ecuacin 10.11 pone de manifiesto que la cantidad de dopante
aumenta a medida que aumenta el tiempo. Finalmente el gradiente del
perfil de difusin puede obtenerse derivando la concentracin de tomos
de dopante (Ecuacin 10.9) teniendo en cuenta las propiedades de la
funcin error complementaria:
x2
dC C
= S e 4 Dt (10.12)
dx x ,t Dt
Captulo 10

1.3.2 Difusin con cantidad total de dopante constante


En este caso se deposita una cantidad fija de dopante sobre la
superficie del semiconductor que va difundindose por el mismo poco a

274 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


poco. La condicin inicial de este problema es la misma que en el caso
anterior, es decir, suponemos que no hay inicialmente tomos de dopante
en el interior del semiconductor:

C ( x, t = 0 ) = 0 (10.13)
Las condiciones de contorno por el contrario son ahora:

C (x, t )dx = S
0
(10.14)

C ( x = , t ) = 0 (10.15)
donde S es la cantidad total de dopante por unidad de rea. Con estas
condiciones de contorno, la solucin a la ecuacin de Fick (Ecuacin
10.4) es una distribucin gaussiana:
x2

C ( x, t ) =
S
e 4 Dt (10.16)
Dt
Puesto que la cantidad total de dopante permanece constante, a
medida que este se difunde hacia el interior del semiconductor deber
disminuir su concentracin en la superficie:

C ( x = 0, t ) C S (t ) =
S
(10.17)
Dt
La figura 10.3.2 muestra el perfil de la distribucin normalizada
por la cantidad total de dopante. Se observa en la figura la reduccin de la
concentracin superficial a medida que aumenta el tiempo de difusin, y
se ensancha el perfil de la distribucin. El gradiente del perfil del dopado
viene dado por:
x2
dC xS
= e 4 Dt (10.18)
2 (Dt )
32
dx x ,t

Captulo 10

10.3 PERFILES DE DIFUSIN 275


Figura 10.3.2. Perfiles de difusin con cantidad total de dopante
constante para diferentes tiempos de difusin.
Las dos tipos de difusiones que hemos estudiado (funcin error y
funcin gaussiana) son funciones de la distancia normalizada x / 2 Dt .
Por lo tanto si se normaliza la concentracin de dopado con la
concentracin en la superficie, podemos representar cada distribucin con
una nica curva vlida para todo t. Hay que hacer notar que mientras para
la funcin error complementaria Cs es una constante, para la distribucin
gaussiana, la variable de normalizacin depende del tiempo (Figura
10.3.3).
En la fabricacin de circuitos integrados, generalmente se utiliza
un proceso de difusin de dos pasos: En un primer paso se lleva a cabo un
proceso de difusin con concentracin superficial constante
(predeposicin). A continuacin se lleva a cabo una difusin con
cantidad de dopante constante (redistribucin). Para la mayora de los
casos prcticos, la longitud de difusin para la etapa de predeposicin es
mucho ms pequea que la longitud de difusin para la etapa de
distribucin. Por lo tanto, podemos considerar que el perfil de impurezas
conseguido mediante la etapa de predeposicin es una funcin delta en la
superficie.
Captulo 10

276 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.3.3. Concentraciones normalizadas frente a distancias
normalizadas para la funcin error complementada (erfc) y la distribucin
gaussiana.
10.4 Difusin extrnseca

Hasta ahora hemos considerado que el coeficiente de difusin es


constante. Esto ocurre nicamente cuando la concentracin de dopado es
ms pequea que la concentracin intrnseca del semiconductor, ni a la
temperatura de difusin. Por ejemplo para T=1000C, ni=5x1018cm-3 para
el GaAs y ni=5x1017cm-3 para Si. Cuando la concentracin de dopado es
ms pequea que la concentracin intrnseca se habla entonces de
difusin intrnseca, para la cual los coeficientes de difusin son
constantes y se obtienen los perfiles que acabamos de estudiar. Por el
contrario si la concentracin del dopado es mayor que la concentracin
intrnseca ni a la temperatura de difusin, entonces se habla de difusin
extrnseca, y los coeficientes de difusin dependen de la concentracin de
impurezas, tal como muestra la figura 10.4.1, esto es, produciendose un
aumento del coeficiente de difusin al aumentar la concentracin de
dopantes.
Captulo 10

10.3 PERFILES DE DIFUSIN 277


Figura 10.4.1. Evolucin del coeficiente de difusin en funcin de la
concentracin de dopantes.
En la regin intrnseca, los perfiles de dopado de difusiones
secuenciales o simultneas, pueden determinarse por superposicin, es
decir, las difusiones pueden tratarse independientemente.
Cuando los coeficientes de difusin dependan de la
concentracin de impurezas, no podremos utilizar la ecuacin de difusin
de Fick para determinar el perfil del dopado, y habr que utilizar por
contra la ecuacin de Fick generalizada:

C ( x, t ) C ( x, t )
= D (10.19)
t x x
Supongamos el caso en el que el coeficiente de difusin pueda
escribirse en la forma:

C
D = DS (10.20)
CS
donde CS es la concentracin en la superficie, DS es el coeficiente de
difusin en la superficie y un entero positivo. En este caso, la ecuacin
de difusin proporciona una ecuacin diferencial ordinaria que puede
resolverse numricamente. La figura 10.4.2 proporciona las soluciones en
condiciones de concentracin constante en la superficie para diferentes
valores de .
Captulo 10

278 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.4.2. Diferentes perfiles normalizados de difusin extrnseca.
En la figura 10.4.2 se aprecia que para cuando el coeficiente de
difusin depende de la concentracin, los perfiles de difusin son mucho
ms abruptos que los obtenidos cuando el coeficiente de difusin es
constante.

Captulo 10

Figura 10.4.3. Perfiles de difusin para una difusin extrnseca.

10.4 DIFUSIN EXTRNSECA 279


Los coeficientes de difusin de las impurezas ms usadas en
silicio dependen con la concentracin: arsnico y boro depende
linealmente con la concentracin, mientras que el coeficiente de difusin
del fsforo depende del cuadrado de la concentracin, por lo que
proporcionan uniones muy abruptas cuando se difunden sobre un dopado
con impurezas del tipo contrario. El fsforo tiene una alta difusividad en
silicio de ah que se utilice para formar impurezas profundas.
10.5 Efectos relacionados con la difusin

1.5.1 Efecto de difusiones sucesivas


Frecuentemente, en el proceso de fabricacin de un circuito
integrado hay diferente procesos de difusin. Cada proceso de difusin
supone el someter toda la oblea a una temperatura T durante un periodo
de tiempo t. Las impurezas introducidas previamente en el semiconductor
por procesos de difusin o implantacin anteriores tambin se movern
modificando su concentracin.
Si todos los procesos de difusin se producen a la misma
temperatura, donde el coeficiente de difusin es constante, entonces la
longitud de difusin viene dado por:

(Dt )eff = D1 (t1 + t2 + K) = D1t1 + D1t2 + K (10.22)


La expresin 10.21 viene a decir que hacer una difusin con un
tiempo total t1+t2 es lo mismo que hacer una difusin durante un tiempo t1
y posteriormente otra difusin, a la misma temperatura durante un tiempo
t2.
Matemticamente, podramos aumentar el tiempo t2 en la
expresin 10.21 multiplicando por un factor D2/D1, quedando:

D
(Dt )eff = D1t1 + D1t 2 2 = D1t1 + D2 t 2 (10.22)
D1
y obtener as una expresin para la longitud de difusin efectiva total para
un dopante que se difunde a una temperatura T1 con difusividad D1
durante un tiempo t1 y posteriormente se difunde a una temperatura T2
con una constante de difusin D2 durante un tiempo t2. En general, la
longitud de difusin total viene dada por la suma de las longitudes de
difusin de cada proceso:

(Dt )eff = D1t1 + D2 t 2 + K = Di ti (10.23)


i
Captulo 10

280 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


1.5.2 Mscaras para la difusin de SiO2
Las difusividades de los dopantes usualmente utilizados son
mucho ms pequeas en SiO2 que en silicio. Por lo tanto, el dixido de
silicio puede emplearse como una mscara efectiva de aislamiento frente
al paso de impurezas. Este efecto es la base del desarrollo de la moderna
tecnologa electrnica: Se deposita una capa de xido sobre la superficie
del semiconductor. En este xido se abren ventanas mediante un proceso
de etching o grabado. De esta forma se consigue incorporar impurezas en
reas selectivas del dopado.
En el caso del dixido de silicio el proceso de difusin puede
describirse mediante las dos siguientes etapas. Durante la primera etapa
las impurezas del dopante reaccionan con el dixido de silicio para formar
vidrio. A medida que el proceso contina el espesor del vidrio aumenta
hasta que todo el dixido de silicio se convierta en vidrio. Una vez
formado el vidrio, las impurezas de dopante se difunden por el vidrio, y
tras alcanzar la interfase vidrio-silicio, penetran y se difunden por el
interior del silicio. Durante la primera etapa el dixido de silicio es
totalmente efectivo en proteger el silicio de las impurezas del dopante. En
consecuencia, el espesor del xido requerido para la proteccin del silicio
viene determinada por la velocidad de formacin del vidrio la que a su
vez est determinada por el coeficiente de difusin de las impurezas en el
dixido de silicio. Las constantes de difusin tpicas en dixido de silicio
de los dopantes ms utilizados son, a 900 C, 4x10-19cm2/s para arsnico
3x10-19cm2/s para boro, y 10-18cm2/s para fsforo, mucho ms pequeas
que en silicio como puede observarse en la figura 10.2.9.
La figura 10.5.1 compara los perfiles de fsforo obtenidos
mediante una difusin a T=1000C durante t=30 minutos sobre SiO2
(negro) y sobre Si (rojo). Obsrvese cmo la penetracin de impurezas de
boro en la capa de dixido de silicio es mucho menor que en el caso de
silicio. La figura 10.5.2 muestra el espesor mnimo de xido trmico
crecido en ambiente seco requerido para formar una mscara efectiva para
la difusin de boro y fsforo en funcin del tiempo y de la temperatura.
Puesto que la constante de difusin del fsforo en el SiO2 es mayor que la
del boro, se necesitan espesores ms grandes de xido para fabricar las
mscaras para la difusin del fsforo.

Captulo 10

10.5 EFECTOS RELACIONADOS CON LA DIFUSIN 281


Figura 10.5.1. Prfiles de impurezas obtenidos mediante la difusin de
fsforo en Silicio y SiO2.
Captulo 10

Figura 10.5.2. Espesor mnimo de la mscara de SiO2 requerido para


impedir la difusin de boro y fsforo en el substrato.

282 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


1.5.3 Redistribucin de impurezas durante la oxidacin
trmica
Al producirse la oxidacin trmica del silicio, se consume el
silicio prximo a la superficie. Como consecuencia se produce la
redistribucin de las impurezas contenidas en el silicio. Esta
redistribucin depende de diferentes factores. Un primer factor es el
conocido coeficiente de segregacin. Cuando dos fase slidas se ponen en
contacto (silicio + oxido) las impurezas en ambos slidos se redistribuyen
hasta alcanzar el equilibrio. La relacin entre las concentraciones de
impurezas en el silicio y en el dixido de silicio se conoce con el nombre
de coeficiente de segregacin, k :
Concentracin en equilibrio impurezas en Si
k= (10.23)
Concentracin en equilibrio impurezas en SiO 2
Si el factor de segregacin para una determinada impureza es
mayor que 1, k>1, las impurezas son rechazadas del xido hacia el silicio,
aumentando la concentracin de impurezas en el silicio. Si k<1, entonces
las impurezas se mueven rpidamente hacia el SiO2, disminuyendo la
concentracin de impurezas en el silicio.

Captulo 10

Figura 10.5.3. Redistribucin de impurezas en silicio como consecuencia


de la oxidacin trmica.

10.5 EFECTOS RELACIONADOS CON LA DIFUSIN 283


Hay que tener en cuenta un segundo factor que influye sobre la
redistribucin de impurezas, y es la facilidad con la que las impurezas se
puedan mover a travs del SiO2 y escapar al ambiente gaseoso. La figura
10.5.3 resume las posibles combinaciones entre los factores anteriores,
mostrando los perfiles de impurezas resultantes tras la oxidacin.
En el caso de silicio, los dopantes tipo N, fsforo y arsnico
presentan un coeficiente de segregacin mayor que 1, por lo que las
impurezas son rechazadas del SiO2 al Si, producindose el aumento de la
concentracin en la superficie del silicio. Por el contrario, el boro presenta
un coeficiente de segregacin menor que la unidad, y por lo tanto se
produce una disminucin de la concentracin de impurezas en la
superficie del silicio (Figura 10.5.4).

Figura 10.5.4 Perfiles de boro, fsforo y arsnico en silicio tras una


oxidacin trmica.
1.5.4 Redistribucin de impurezas durante el crecimiento
epitaxial.
Al igual que en el caso de la oxidacin trmica, tambin se
produce una redistribucin de impurezas durante el crecimiento epitaxial.
De esta forma el perfil de impurezas real se separa del perfil abrupto.
Durante el crecimiento epitaxial, la temperatura es tan elevada que se
produce la difusin de impurezas tanto hacia el substrato como hacia la
capa epitaxial crecida, como se muestra en la figura 10.5.5 donde se
representa los perfiles de boro y fsforo, cuando sobre un substrato de
Captulo 10

silicio tipo p con un dopado NA=5x1015cm-3, se crece una capa epitaxial


de silicio tipo n, con dopado ND=2x1016cm-3.

284 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.5.5. Perfil de boro y fsforo obtenidos tras el crecimiento
epitaxial de una capa de silicio de 0.5m de espesor.

Figura 10.5.6. Perfil de boro obtenido tras el crecimiento epitaxial de una


capa de silicio de 0.5m de espesor
Captulo 10

La figura 10.5.6 muestra, el perfil total obtenido (en azul) cuando


sobre un substrato tipo p con una concentracin NA-sub=3x1016cm-3, se
crece una capa epitaxial de silicio tipo p, pero con una concentracin
menor de NA-epi=5x1015cm-3. Obsrvese como el perfil total se separa de

10.5 EFECTOS RELACIONADOS CON LA DIFUSIN 285


un perfil escalonado como consecuencia de la redistribucin de impurezas
durante el crecimiento epitaxial.
1.5.5 Difusin lateral
La ecuacin de difusin unidimensional que hemos considerado
hasta ahora no es vlida en los extremos de las ventanas abiertas en el
xido de mscara. En estos puntos las impurezas se difundirn tanto hacia
abajo, como lateralmente, por lo que habr que considerar un tratamiento
bidimensional. La figura siguiente muestra las lneas de concentracin de
dopante constante para el caso de difusin con concentracin constante en
la superficie, y difusividad independiente de la concentracin.

Figura 10.5.7. Contornos de difusin en torno al extremo de una ventana


abierta en la mscara de xido.
La figura 10.5.7 muestra que la penetracin lateral es del orden
del 80% de la profundidad alcanzada en la direccin vertical. Para
difusividades dependientes de la concentracin la relacin entre la
penetracin lateral y penetracin vertical es del 65 al 70 %. Debido a los
efectos de la difusin lateral, las uniones (material tipo n difundido en un
material tipo p o viceversa) consiste en una zona plana con extremos
cilndricos con un radio de curvatura rj como muestra la figura anterior.
(Ojo al tener en cuenta la longitud por ejemplo del canal en un MOSFET
(longitud de mscara y longitud efectiva).
10.6 Implantacin Inica. Energa y dosis

La implantacin inica consiste en la introduccin de partculas


energticas, cargadas, en el interior de un substrato cmo el silicio. La
energa de los iones va del rango 30 a 300 keV. Las concentraciones
Captulo 10

11 16
tpicas de iones implantados por centmetro cuadrado es de 10 a 10
2
iones/cm . Las principales ventajas de la implantacin inica sobre la

286 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


difusin es el control ms preciso de los perfiles de dopado deseados y la
baja temperatura a la que se realiza el proceso.

Figura 10.6.1. Esquema de un implantador inico.


La fuente de iones contiene los tomos ionizados del dopante.
Estos tomos pasan a travs de un analizador magntico de masas donde
los iones no deseados son eliminados del haz de iones. A continuacin el
haz de iones entran en un tubo acelerador donde son acelerados por un
campo elctrico, adquiriendo altas energas. El haz de iones de alta
energa pasa a travs de scanner verticales y horizontales y es
implantando en el substrato semiconductor.
Los iones altamente energticos que se introducen en el interior
substrato del semiconductor pierden su energa mediante colisiones con
electrones y ncleos del semiconductor, quedando finalmente en reposo.
La distancia total que recorre un in hasta quedar en reposo se denomina
rango, R cmo muestra la figura siguiente. La proyeccin de esta
distancia sobre el eje de incidencia se denomina rango proyectado, Rp.
Puesto que el nmero de colisiones por unidad de distancia recorrida y la
energa perdida en cada colisin son variables aleatorias, por lo que no
todos los iones irn a parar a la misma distancia de la superficie, sino que
existir una distribucin espacial de los iones que tienen la misma masa y
la misma energa inicial. Las fluctuaciones estadsticas en el rango
proyectado se denominan dispersin proyectada, Rp. Existe tambin
una fluctuacin estadstica a lo largo del eje perpendicular a la direccin
de incidencia, y se denomina dispersin lateral, R.

Captulo 10

10.6 IMPLANTACIN INICA. ENERGA Y DOSIS 287


Figura 10.6.2.

Figura 10.6.3.
A lo largo del eje de incidencia, el perfil de las impurezas
implantadas puede aproximarse por una funcin gaussiana (Ecuacin
10.25) tal como muestra la figura 10.6.4.
(
xRp )2
S 2 R 2p
n( x ) = e (10.25)
2 R p
donde S es la concentracin de iones por unidad de rea (dosis).
Captulo 10

288 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.6.4. Perfiles de impurezas implantadas a 200keV.
La concentracin en el mximo, Cp, (n(x=Rp), ejemplo 10.1) es
igual a:

S
C p n( R p ) = (10.26)
2 R p
expresin que nos da una relacin muy til entre la dosis, S, y la
concentracin de impurezas en el pico, Cp.
La ecuacin 10.25 es idntica a la ecuacin 10.16 obtenida en el
caso de difusin con cantidad total de dopante constante, excepto que el
2
factor 4Dt es reemplazado ahora por 2Rp ; adems, ahora la distribucin
aparece desplazada a lo largo del eje x una distancia Rp. Por lo tanto, para
la difusin el mximo aparece en x=0, mientras que en el caso de
implantacin inica el mximo aparece a una distancia Rp de la superficie.
La concentracin de iones se reduce en un 40% de su valor mximo a una
distancia Rp. A lo largo del eje perpendicular al eje de incidencia, la
distribucin de impurezas sigue tambin una funcin gaussiana, por lo
que aparecer tambin cierta implantacin lateral. Sin embargo, sta es
mucho ms pequea que la difusin lateral, cmo veremos prximamente.

Captulo 10

10.6 IMPLANTACIN INICA. ENERGA Y DOSIS 289


Figura 10.6.5. Rango proyectado, Rp, y desviacin tpica, Rp, para los
dopantes ms usuales en silicio, en funcin de la energa de implantacin.
Captulo 10

290 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Ejemplo 10.1

Considere un proceso de implantacin inica de boro con una


dosis S de 5x1014cm-2 y una energa de 80keV. Calcule la
concentracin de boro en el mximo del perfil.
Solucin
El perfil de impurezas implantadas para el caso del boro viene
descrito en funcin de la dosis, el rango proyectado y la desviacin tpica
del rango proyectado por la expresin 10.25. El mximo se obtendr en el
punto donde se anule la primera derivada:
( )2
dn
=
S (x R ) e p
xRp
2 R 2p
=0 (10.27)
dx 2 R p R 2
p

La derivada (10.27) se anular para x=Rp. Particularizando la


ecuacin 10.25 para x=Rp, se obtiene que el mximo de concentracin es
igual a:

S
C p n( R p ) = (10.28)
2 R p

De acuerdo con la figura 10.6.5, para boro y con una


energa inicial de 80keV, Rp=0.25m Rp=0.08m. Por lo
tanto el mximo de la distribucin es, de acuerdo con 10.28
para una dosis S=5x1014cm-2, Cp=2.49x1019cm-3.
10.7 Mecanismos de parada

Existen dos mecanismos mediante los cuales los iones pierden su


energa a medida que penetran hacia el interior del semiconductor.
El primer mecanismo es mediante la transferencia de energa a
los ncleos del substrato (Figura 10.7.1). Esto provoca la desviacin del
in incidente de su trayectoria original as como el que el ncleo del
semiconductor abandone su posicin de equilibrio, provocando
dislocaciones en la red.
Si E es la energa de un in en un punto x de su trayectoria,
definimos la potencia de parada nuclear como la energa perdida por el
in por unidad de espacio recorrido debido a colisiones con los ncleos de
la red cristalina:
Captulo 10

S n (E ) =
dE
(10.29)
dx colisiones

10.6 IMPLANTACIN INICA. ENERGA Y DOSIS 291


Figura 10.7.1. Diagrama de una colisin entre el in de impureza (M1)
con energa E0 y un in de la red cristalina (M2) inicialmente en reposo.

El segundo mecanismo mediante los cuales el in implantado


pierde su energa es la interaccin culombiana con la nube de electrones
que rodean a los tomos de la red cristalina en la que son implantados.
Los electrones del tomo de la red cristalina son excitados de esta forma a
niveles superiores, pudiendo llegar incluso a la ionizacin.

Figura 10.7.2. Diagrama de una colisin electrnica entre el in


implantado y la nube electrnica del substrato implantado.
Al igual que en el caso de las colisiones nucleares, si E es la
energa de un in en un punto x de su trayectoria, definimos la potencia de
Captulo 10

parada electrnica como la energa perdida por el in por unidad de


espacio recorrido debido a colisiones electrnicas:

292 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


S e (E ) =
dE
(10.29)
dx e

La prdida media de energa con la distancia recorrida puede


obtenerse mediante la superposicin de los dos mecanismos:

= S n (E ) + S e (E )
dE dE dE
= + (10.30)
dx dx n dx e
Si un in posee una energa inicial E0 la distancia total recorrida
hasta perder toda la energa y quedar en reposo, es decir, el rango, R,
R E0 dE
R = dx = (10.31)
0 0 S n ( E ) + S e (E )
conocida la energa inicial del in, E0, podemos calcular el rango R,
supuestas conocidas las funciones Sn(E) y Sp(E).
Estudios detallados del proceso de colisin de iones con tomos
del substrato, muestran que Sn(E) aumenta con la energa del in, para
bajos valores de la energa, y alcanza un valor mximo para un valor
intermedio de energa. Para altas energas, Sn(E) disminuye con la energa
debido a que las partculas a tan alta velocidad no tienen tiempo suficiente
de interaccin para que se produzca una transferencia efectiva de energa.
En el caso de Se(E) se ha comprobado que es proporcional a la
velocidad de incidencia del in (o lo que es lo mismo):

S e (E ) = k e E (10.32)
donde ke es igual a 107 (eV)1/2/cm para el silicio y 3x107 (eV)1/2/cm para
el arseniuro de galio.
La figura 10.7.3 muestra los parmetros Sn(E) para arsnico,
fsforo y boro en silicio, y Ss(E) para el silicio. A medida que los iones
son ms pesados la prdida de energa por colisin con los ncleos es
mayor. Se muestra tambin en la figura los puntos de corte de ambas
curvas. Para el boro, el punto de corte es de 10 keV. Esto significa que
puesto que el rango normal de energa de implantacin es de 30 a 300
keV, en el caso del boro el principal mecanismo de prdida de energa es
el de interaccin electrnica. Por el contrario, en el caso de arsnico que
tiene un masa atmica elevada, el cruce se produce para 700 keV, por lo
que las colisiones con los ncleos son el mecanismo principal de prdida
de energa para los iones implantados. Captulo 10

10.7 MECANISMOS DE PARADA 293


Figura 10.7.3. Potencia de parada nuclear y electrnica para los
principales impurezas en silicio, en funcin de la energa del in.
Una vez que se conoce Sn(E) y Sp(E), podemos calcular el rango a
partir de la ecuacin 10.31. Conocido el rango, podemos calcular el rango
proyectado y la dispersin proyectada a partir de las expresiones
aproximadas siguientes:

R
Rp
M (10.33)
1+ 2
3M 1

2 M 1 M 2
R p Rp (10.34)
3 M 1 + M 2
donde M1 es la masa del in incidente y M2 la masa de un tomo de la red
cristalina sobre la que se produce la implantacin.
Captulo 10

294 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.7.4. Rango proyectado en funcin de la energa de
implantacin para las principales impurezas implantadas en silicio. Se
muestra tambin, en lnea discontinua el rango proyectado en SiO2.

Figura 10.7.5. Desviacin del rango proyectado en funcin de la energa


de implantacin para las principales impurezas implantadas en silicio. Se
muestra tambin, en lnea discontinua el rango proyectado en SiO2
Captulo 10

Por lo que a partir de la energa inicial y la dosis (parmetros


tecnolgicos que controlan el proceso) hemos encontrado unas
expresiones analticas que nos permiten obtener el perfil de las impurezas
implantadas, evaluando la expresin 10.25.

10.7 MECANISMOS DE PARADA 295


Las figuras 10.7.4 y 10.7.5 muestran los rangos proyectados Rp
para arsnico, boro y fsforo en silicio y dixido de silicio y la desviacin
tpica del rango proyectado, Rp. A medida que mayor es la energa
perdida menor es el rango proyectado. En primera aproximacin, el rango
proyectado vara linealmente con la energa de los iones. Tambin se
observa que a igualdad de energa los iones que menor peso atmico
recorren una mayor distancia. Se muestra tambin la dispersin del rango
proyectado.
10.8 Reactivacin de Impurezas. Desorden y recocido

Cuando los iones energticos penetran en el substrato


semiconductor, pierden su energa tras una serie de colisiones electrnicas
y nucleares. La energa perdida en colisiones electrnicas produce
excitaciones de los electrones hasta niveles de mayor energa o
generacin de pares electrn-hueco. Sin embargo las colisiones
electrnicas no desplazan a los tomos del semiconductor de su posicin
de equilibrio en la red. Solamente las colisiones nucleares pueden
transferirla suficiente energa a los tomos del semiconductor de forma
que el desplazamiento de estos provoque desrdenes en la red. Estos
tomos desplazados pueden provocar a su vez una cascada secundaria de
desplazamientos en los tomos vecinos dando lugar a lo que se conoce
como rbol de desrdenes.
El rbol de desorden provocado por un in ligero es muy
diferente al rbol que producen los iones pesados. La mayora de la
energa perdida por un in ligero (B+ en silicio) es debido a colisiones
electrnicas que no causan dao en la red. Los electrones pierden su
energa a medida que penetran en la red. nicamente cuando la energa
del in es menor de 10 keV empiezan a ser dominantes las colisiones
nucleares, pero entonces el in se encuentra ya muy lejos de la superficie,
por lo que la mayora de los desrdenes ocurren en la parte final del
recorrido.
Por el contrario, para los iones pesados la prdida de energa se
debe principalmente a las colisiones nucleares, de ah que sea esperable
un dao mucho mayor que en el caso de iones ligeros.
Debido al dao causado por la implantacin inica, diferentes
parmetros del semiconductor, tales como la movilidad y vida media,
sufren una fuerte degradacin. Adems, la mayora de los iones
implantados no ocupan lugares substitucionales en la red, sino posiciones
intersticiales, no siendo por lo tanto elctricamente activos. Para activar
los iones implantados y restaurar los diferentes parmetros del
semiconductor daados por la implantacin, el semiconductor se recuece
durante un tiempo determinado y a una temperatura apropiada, que
Captulo 10

depende del tipo de impureza implantada y de la dosis de impurezas


implantadas.

296 CAPTULO 10 IMPURIFICACIN CONTROLADA DE SEMICONDUCTORES


Figura 10.8.1. rboles de desorden para iones ligeros (boro), y para iones
pesados (arsnico).
La figura 10.8.2 muestra la temperatura de recocido para
implantaciones de boro y fsforo en silicio. La temperatura de recocido se
define, para una dosis de iones dada, como la temperatura a la que el 90%
de los iones implantados son acti