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Eletrnica DIGITAL
ATIVIDADE para AVALIAO
EXERCCIO 1
Considerar um oscilador em anel constitudo por 3 inver-
sores iguais.
EXERCCIO 2
Considerar a seguinte porta lgica abaixo:
X1 M1
M3 X3
X2 M2
a. Que funo lgica implementada?(1,5 ponto)
b. Redesenhar o circuito eletrnico anterior substituindo R por transis-
tores PMOS.(1,5 ponto)
c. Para o novo circuito, supor que os comprimentos dos NMOS e PMOS
igual ao mnimo permitido pela tecnologia (Lmin), e que as larguras
dos NMOS so iguais entre si, acontecendo o mesmo com as largu-
ras dos PMOS. Sabendo quen = 3pe que, para a largura dos tran-
sistores, o valor mnimo permitido pela tecnologia igual ao dobro
do comprimento mnimo permitido, dimensionar as dimenses dos
NMOS e PMOS para iguais tempos de propagao na subida e des-
cida.(2 pontos)
EXERCCIO 3
Considerar a porta inversora TTL com os valores apresentados nos slides
da aula 4, com a entrada no nvel baixo (com tenso igual a 0,2 V).
Sabe-se que o valor exato da tenso Vo na sada depende da corrente
de sada Io.
Obter as equaes da tenso Vo nos trs seguintes casos:
VOH +VOL
2
VOL
tosc
b. Tosc=2N.tp=2 3 20 ns=120 ns
1 1
Fosc = = 1/(120n) 8.33 MHz
Tosc (120n)
EXERCCIO 2
X2
X1 M4 M5
X3 M6
X1 M1
M3 X3
X2 M2
ParatPLH = tPLHento
n.(W/L)n,eq = p.(W/L)p,eq
3p.(W/L)n,eq = p.(W/L)p,eq
Ou ainda,
3(W/L)n,eq = (W/L)n,eq
Logo,
3(W1,2,3/(2L)) = (W4,5,6/(2L))
Finalmente,
W4,5,6 = 3W1,2,3
Em concluso,
W(PMOS) = 3.W(NMOS)
EXERCCIO 3
A parcela R4.Io tem peso reduzido e, por isso, nela se usa Io ao invs
de IC4 que, devido saturao pode no ser IB4