aarti d'un germe, un stal géant est tré d'un ssin de siiclum en sion sera débité en sques, elles mémes coupées en puces 2a \du procéd UN PROCEDE EN TROIS PARTIES © Fabrication des tranches de semi-conducteur «Elaboration du matériau ‘Purification {¢ Tirage en lingots (monocrstal) # Découpe en tranches, polissage Trance verse @ Fabrication des composants sur les tranches (Front End) + Netioyage,oxdation + Photogravre 2 Dopage «Depot de couches * conse TFanchet porate composans @ Mise en boitier et tests finaux (Back End) # Selage,nettoyage des tranches S Assemblage sur rile, oudure { Surmoutage {oscoupe et plage des broches » Etamage, tests finaux - La production du silium monocristallin et la fabri- cation des composants exigent de nombreuses prouesses techniques. Précision, pureté chimique et propreté sont égale- ment poussées a leurs plus extrémes limites. Vinves- tissement est proportion- nel & ces performance: es composants semi- conducteurs repré- sentent aujourd'hui 300 snes, qui ont transformé Tan demier en composants di- vers 1,4km* de silcium mo- nocristallin. Une production ‘mondiale que quatre Airbus suffiraient & transporter. Lin- dustrestratgique des semi- conductours est batie sur Ie Sable; un matériau qul ne risque pas de manquer. Le siicium résulte ‘en effet de la réduction du sable de quartz (silce) par les métallurgiste qui uilisent depuls longtemps le licium dans les alliages d’acier et aluminium (fg. 1a). C'est sous cette forme pure & 98% que des chi rmistes le regoivent et en font!'un des, corps les plus purs jamais produits: le silicium polycristallin, dit “lec tronique”. Au passage sont réups- résles composts gazeux du siieium combiné avec le chlore et 'hydro- gene, notamment, qui résultent duu raffinage; is seront constamment utilisés lors de la fabrication des composanit. Silicium et AsGa (arséaiure de gal Iku) guile remplace parfois dans Jes transistors sont encore épurés au cours de lopération de tirage fg 16] ‘commune aux deux produits. Le t- rage consist faire crofire un cris- tal unique et gigantesque & partir d'un monocristal de silicium, par ‘exemple, utilisé comme germe. La suite du procédé étant trés sem- blable pour les deus fiiézes, seul sera déerit le traitement du slicium, qui revient, a ce stade, & environ 70 dollars le kilogramme. Le germe est placé a 'extémits d'un support qui tourne trés lentement et qui améne Te cristal &la surface d'un bain de si licium fondu dans un creuset de gra- phite (fig. 16). En respectant des conditions précises de vitesse de ro- tation, de température et de vitesse vertical de tirage, test possible de sortr du creuset, en 24 heures env ron, un lingot de silcium de 1,28 7m de longueur etrélable en dia- rte jusqu’s prés de25 cm. En fait este poids du ingot aceroché au ‘germe qui limite le plus les dimen- sions réalisabes, Prés de 50% dusi- lickum polycristalin introduit dans le creuset sont perdus au tirage Aprés mise an diamétre du lingot par tournage, Vorientaton cristallo- graphique précise est déterminée et indiquée par Pusinage d'un ou deux repires, Cest une donnée essentielle pour tout le travail sur le matériau aqui va suivre, La résistvits du sil cum, la vitesse et la nature de I'at- taque ou du dopage en dépendent, fortement. La tendanoe & Vaccrois- sement du diamétre des tranches sexplique par la possibilits de gra ver deux fois plus de puces pour un allongement de 20% du temps de fabrication lorsqu’on passe de 6 & 8 pouces par exemple. Le lingot tiré est découpé tla scie iamantéo en tranches de 06mm 'épaisseur environ, valeur suff sante pour supporter les nom: breuses contraintes thermiques et mécaniques du procédé. Au cours de Fopération, 30% du précieux si licium monocrstalin sont perdus. Les tranches (ou plaques, ou slices, ou wafers, ce dernier terme dési- ‘gant plutot les tranches gravées) subissent alors sur un face un po- lissage spéculaire, c'est-i-dire de qualité miroir: Etat de surface, dé fauts cristallographiques (moins de 1100 dislocations par centimet carré), taux d’oxygone, planéité meilleure que 5,5}m sur la surface utile, courbure inférieure & 50 um ‘pour 6 poucesde diamétre, oc, font Tobjet de mesures completes. Ces ‘caractérstiques accompagneront le lot de tranches issues du méme lin got tout au long du procédé, Les tranches sont maintenant prétes pour recevoir les trailements pay sico-chimiques de la fabrication de= ‘composants. Elles ne contiennen' plus que 25% du polyerstallin dl depart, etcoditent de 40 dollars en pouces & 160 dollars en 8 pouces— Foawors © TE =Propreté et sécurité ] garanties... (@ 2s précautions concemant a pureté clesfides a chasse la pousre etaux | vbxations (moins de 1 m/s), ne sont pastritées dans la description c-contre. Nilasécunté, Chor, hycrogine,ase- ric acids versa fabriction des seri- conducteus rst poutant pas de tout repos La plupart desingrédientsnéces- sires explosent au contact de Fair ou sont des poisons vilents. Le gaz stane (Gi0), par exemple, omniprésent dans abortion des creat sur sficium, unites deux quatés.. Par bonheur, les impérats dela production vont és au- el des obligations gales ies la s&- caurté ou fantpolaton; pour leu per- sonnel et fenvronnement, es usines de semi-conducteurs sont ainsi les plus } propre et es plus sores qui sient! Les sales blanches en dase 10, ou 1 ésor- rrais (moins dune pousstre de 0,2 ym | par cube dar de 30cm care), sont clésertes pour la méme raison de pro- preté, Cela ne suft plus; 8 05um ou ‘moins de fesse de gravure, alors que rméme les vis deviennent grants, | potion dueaufonctionnerentdesin- dispensable autornatismes préoccupe les spéiastes. Quant aux fides, air et eau comps leur pure est maintenant exigg au point ulation, etnon plus seuierent ala boutele. Ce sera dice; carfntésieur des canalstionsenacerine cxycable qui vont du réservor& la ma- | chine reoit dé depuis lngoeps un | poli spire (miro) pour éiterFac- ‘cumlation de poluants —on rose par- lerde poussére—qu‘un choc ibirert. prix de la nouveauté, qui refléte aussi des difficultés de fabrication encore mal maitrisées dans ce dia~ ‘mitre, Les fabricants de composants utilisent typiquoment 30000 & 60000 tranches de 6 pouces par ‘mois dans chacune de leurs usines, dont une quinzaine sont actuele- ment capables de traiter des tranches de 8 pouces. La premiere opération sur les tranches consiste& faire croitre une couche d’oxyde de silcium (Si0.) par exposition & 1000°C a de la vapeur eau trés pure ou & un mélange oxygone et d’hydrogéne. Lépais- sour de cette couche varie de 0,2 & 15 um selon les composants a obte- hi (fig. Zc}. Les tranches sont au- Journ fournies e plus souvent au Fabricant de composants apris ce wT traitement qui évite la contamina- tion dusilcium par Pair Le Si0e est ‘un solant couramment utilisé dans Ja fabrication d'un circuit intégré so- Jon le procédé planar, maintenant généralisé. Depuis son développe- ‘ment en 1959 par Texas Instru- ments et Fairchild, le planar n'a ‘conn que quatre améliorations im- Portantes; mais sa mise en ceuvre s'est constamment optimisée grace aux matériaux, équipements et technologies utilis, La technologie Cmos en est application la plus achevée. Les quatre opérations prin- cipales du planar —eroissance ou épdt d'une couche isolante ou conduetrce,photoithographie, gra- vyure, dopage— se suecident et se reproduisent autant de fois quil faut de couches pour obtenir le compo- sant final. Chacun de ces cycles se termine le plus souvent par une pas- sivation (isolation électrique ou & Yair par une couche d’oxyde); le cycle suivant commence parle dépot d'une résine photosensible sur la couche précédente (fig. 2a). Le but est de la protéger par de la résine plastique polymérisée lors de ex Position ultérieure & la humiére, les parties cachées par un masque stant ensuite enlevées au cours du développement. Ce qui se produit aux endroits oit une fenétre, par exemple, doit étre créée dans un cxyde en Fattaquant & acide ou par bombardement dions afin de déga- ger le siicium sous-jacent (fig. 2c) Une bonne réparttion de la résine est obtenue par centrifugation (usqu’a 6000 tr/min). La tranche est alors préte pour la ithographie, étape clé du procédé et de loin la plus delicate Elle est placée pour cela sous un ‘masque, plaque de quartz portant & échelle 1 les motifs & graver —la forme des trous & ménager dans oxyde, par exemple, La séparation rmasque-tranche de 2ym introduit une diffraction qui limite la résolu- tion & 3am environ fig. 26]. Le mas- ‘quage par proximilé concerne e core 10 & 15% de la production mondiale, et notamment es circuits linéaires. Lavantage de cette tech- nique est d'exposer la tranche en tune seule fois sur une machine simple sans object, done peu cod- teuse. Une forte amétioration de la précision était apportse vers 1970 avec le principe dela projection par balayage simultané du masque et on (FABRICATION DES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEL a— Elaboration du matériau = Cas du siliium Four ecgue (Swarr FP le nuage: surinis Table de quate indie de beminconde ce eg FF eb ———- teal oo honed eas ‘Siu poytitain m= Cas de rarséniure de gallium (AsGa) Fa ALS el TEE — “Callurn (60 bars, haus FaeaGR i Eee a a PL RNO ae température) rs b-Tirage et découpage des lingots Trage ase aa] (Un pat ep arenaton etalogaghue (hogy = 1S en) re Trnche verge (wala ‘¢~ Croissance d’une couche d’oxyde Vapeur eae Tranebes wns pure ne ouch eid) fesicum ere craton nah ele IO, (S tranes soe ourie tu abrcot de comgoses erconducteu,FABRICATION DE COMPOSANTS CMOS SUR LES TRANCHES DE SEMI-CONDUCTEURS (Front End) a~ Sensibilisation rose $0, sq 50000 8 pot de tone pots parcenaugaton Catton selsiine b - Lithographic (exposition) lumre wy agar ear tose Prtalthogahie parmuguge ptascens @ecrone scion du mq en nea) on pcs dt a ria Cusp sis pots ¢~ Gravure séche * Developpement] Pea asia »Disoluton des . panies expos Nettoyage Tranche 3 fon fete lode oe Neer Tayage ge fester de ine d— Dopage (implantation ionique) Si: mantde Faseay ions Mamues de ace ctken s Sov Trane ie cau ripen pe pra ero on tr exp ae al oeang pri bam ongun Sonne ak eet pr Son chats vonchs dom Servapess de open lanteur jonique. Le ge profond est contralé récislon sur cet arel. de la tranche déplacés en synchro- nisme. Cette photolithographie par balayage peut reproduire des détails de Ipm sur des tranches de 6 pouees; plus de 50% des tranches fabriquées actuellement sont expo- sées parce moyen. Mais pour les ir- cuits intégrés tres denses en tech- nologies submicraniques, comme les ‘mémoires, le principe retenu est la réduction optique par projection d'une image cing ou dix fois plus grande sur le masque que son des- sin surla tranche. I!impiique la mise enceuvre d'un photorépéteur (step per), équipement aussi précis quonéreux qui trate la surface de la tranche par morceaux successifs et Juxtaposés de 1 & 4m. La petite surface projetée & chaque pases - rmitée par la réduction, mais égale- ‘ment par la profondeur de champ touverture des objectifs més spé- cifiquos de ces appareils, Des détals de 0,6um sont obtenus sur la tranche. Un nombre entier de fu- tures “puces” —de un & moins de dix, généralement— est traité & chaque exposition. Un stepper met une dizaine de secondes pour char- {ger et positionner une tranche & +£0,15 um, et encore 1s pour exposer et se déplacer d'un pas. Dans ces conditions, le débit d'un photorépé= teur ne dépasse pas 50 & 60 tranches de 5 ou 6 pouces & Ihe Une ligne de production & abit levé comporte done plusieurs de ces machines travaillant en paral- Ble, Elles codtent de 1&3 millions de dollars pice. On estime que 35% environ des tranches fabriquées passent sur un photorépéteur. Les ‘mascques constituent Pune des prin- cipales limitations de Ia photolitho- ‘raphie, elle-méme goulotd'étran- loment de la fabrication des circuits intégrés, s sont réalisés par dépdt chimique en phase vapeur (CVD) dune trés mince couche de chrome ou d'oxyde de fer sur une plaque de quart, substratvingt fois moins dé formé que le verre par l'échauife- rent dti & Fexposition, Une résine spéciale est déposée sur le chrome, sur laquelle P'éeriture des motifs s¢ fait directement, trait aprés trait, par ‘unfaisceau d’éectrons. Le temps ro- quis est d'environ dix & quinze fois celui que met un photorépéteur pour traiter la méme surface, en partie parce que le faisceau d’élec- {rons ne peut étre dévié que faibie~ ment; le fonctionnement par pas reste nécessaire I ajoute salenteur a celle de 'écriture, qui se fait & quelques centimetres par seconde pour un trait; mais le “spot” dec trons mesure 0,12 & 0,2 ym de dia- smbre et convient aux résolutions les pls fines. Lécrture directe par fis- ceau d'électrons (F-beam) est éga- lement utilisée sur des tranches pour réaliser trés rapidement des circuits & la demande en petites sé ries. La lenteur d'un équipement B- beam peut alors étre compensée par la suppression de la douzaine de ‘masques normalement nécessaires. Comme l'étude, la fabrication et la verification d'un masque, qui doit étre parfait, demande au moins deux semaines, l'intérét de court- circuiter cette tape est évident. De pilus, I'éritue directe permet le mé= lange de difétents circuits pour phi- sieurs clients sur la méme tranche. Pourquoi conserver le masquage dans ces conditions? Parce que, coutre son ddbit vraiment trop lent pour la grande série, une machine E-beam cofte autant que plusieurs photorépéteurs.. Si bien que moins de 1% des tranches sont “dessinées" par faisceau d'lectrons. Un para metre déterminant sous-tend les re- cherebes vers des motifs toujours plus fins gravés dans le slicium: la Jongueur d’onde de la humire util- sée pour insolation de la résine. IL suffit de rappeler que la humitre v- sible est centrée sur 0,55 ym et que Ja production actuelle atteint 0,6 ym, pour sasir le probleme posé. Méme avec des longueurs d’onde tbs in- frioures & la dimension de la gra- vure, des ondes stationnaires mo- dlent en épaisseur exposition de la résine; ce qui lui donne des “parois trds ireégulitres aprés développe- rent, en raison de la superposition de strates dures et malls. Le rayon nement ultraviolet produit par des Tampes & vapeur de mercure est é- néralisé pour 'ilumination des ‘masques avec une “lumiére” cen- trée sur 0,4um. Des lasers exci- mires peuvent descendre 80,35 ou ‘méme 0,16 um, limite des rayons X. En dessous, électronique devient ‘quantique; effet transistor clas- sique disparait. La photolithographie par laser doit encore surmonter la ‘mauvaise qualité structurelle de ce type de lumiére. Les spécialistes es- timent aujourd'hui que la repro- duetion optique pourra convenir Taousvares et Tecuniques = W'THT = sans 19aqu’aux technologies 80,35 jm de _nesse. Dix fis mieux que la méme prévision faite ly a quince ans. La gravure est a phase suivante du procédé planar. Les tranches inso- les auront été au préalable débar- rasséns de la résine protégée par le masque, donc restée molle et facile ‘enlever. Cotte étapeintermédiaire ‘est complétée par un nettoyage soi- gmoux. Les tranches sont ensuite placées par petits lots dans une ma chine de gravure ionique, oit un plasma créé dans un gaz neutre — {réon, par exemple — par un champ lectrique & haute fréquence.Les jons, particule ts ourdes qu vien- nent attaquer Voxyde des tranches ‘aux ondroits ot il est découvert, comme le ferait un sablage sur de la pierre. Cette technique de gravure, dite “sche” par opposition la gravure 2 Tecide (humide) utilise jusqu’ récemment, procure dans certaines conditions une ataque de la couche visée bion perpendiculaire (aniso- tropique) & la tranche, alors que acide creuse I couche de fagon iso ‘ropique,c’est&-dire également en parte sous la résine qui la protige. Or une attaque aussi “droite” et contrdlée que possible est d’autant plus nécessaire que la gravure est fino; ext la gravure humide, pour cette raison principalement. En jouant sur la cristallographie de la couche attaquée, on peut choisir de graver des sillons en “V", par exemple, expoités par certains com- posants. Le micro-usinage de cap- teurs dans le silicium est basé sur cette possbiits. Ce qui rte de ré- sine est enlevé aprés la gravure, Les tranches passent ensuite au do- page. Lobjectiest ici de modifier lo- calement les caractéristiques élec- triques du sic, en forgant dans Je matériau des impuretés choisies en fonction de Vffet & obtenir. Le phosphore, 'arsenic, lantimoine, sont des “donneurs” d’eetrons: ls en ajoutent en surnombre dans la zone ainsi dapée N. Le bore, V'alu- ‘minjum et le gallium, “acceptewrs” provoquent ati contraire un appau- ‘issement en électrons; une région P apparait. Des zones de type N ou peuvent étre ainsi superposées en variant le dopant, dont la concen- tration ajuste la résistvité du sii- cium entre 0,001 et plus de 10000/em. La surface de sépara tion P-N est une jonction solés ow intégrés, les transistors sont tous construits de cette fagon. Les do- pants sont foreés dans le silicium aux endroits exposés & la diffusion thermique ou & Vimplantation. La diffusion, encore tres utilisée, consiste & déposer en CVD une fine couche de dopants sur la zone concernée, puis & chauffer la tranche & 100°C; les atomes do- pants migrent alors sous la surface dusilcium de fagonisotropique, re- poussant ainsi la joncion créée sous oxyde protecteur. Simultanément, Ja chaleur fait fondre en partie oxyde, qui rocouvre la fendtre ou- verte pour la difision ; la protection dela zone est totale, Le procédé pla- nar doit son succ’s & cette particu larté La profondeur de diftsion va rie de 2 & 15 um selon les besoins. implantation ionique est une autre ‘méthode de dopage, plus rapide, précise et contrélable que la dif sion thermique, et surtout moins chaude. Les tranches sont placées dans un implanteur, canon qui ac~ — — Fours de difus Pour acceler debit dela phe de dépat et de Aiffusion, plus: fours sont exploités en paralile, ¢ - Dépét d'une couche isolante ou de conducteurs, ‘en phase vapeur (CVD) so, scr éptae Sipaljesan Sipayeraio ha cetcrme are tcc eveiagenicmnacea 1 Stor age et Jel melon en CVD des sone Se cont " ¢--Amincissement des tranches terminges caesarean aetrngemanatt 2600 tro esc fn on H08 Ye test marquees pues ueser poe @ ASSEMBLAGE ET TESTS FINAUX (Back End) a Sciage des tranches 4~ ~ 2A Ciera fr aesaage Seige su ti ant eerieWER Ea b Montage des puces Les pues “bones (ars pa be) Sone ples et calles ‘aeune ge méatigue ont pare cone serie supper. ‘chaque plot de canst dela pe corespond Un conducteu del ge Det fo o0 {alumi son acs pr usar ‘rele ot leone ond). ¢- Surmoulage, finition LUnsuemaioge deine Ganyenete pe Ficet epi) Lespurirines dota ile sor eleve tes braces, Piles pus samees d-Test et tri ‘prs tet hectare dar un hart ule lace vant oe cnespondat Ses cactensiqus un tone pou ar dan ete vi 4 volescarexpondant Toschai de spetaons sazeuse; le dépétse fait par CVD ou ppar croissance d'une couche mono- cristalline (épizatie; fig. 2e) La ter- pérature ete mélange gazeux dans le four oit sont les tranches condi- tionnent la nature dela couche d6- posée; son épaisseur dépend du temps d'exposition. Une couche oxyde obtenue par ce moyen est ‘moins homogine et “solide” qu'un autre résultant de Voxydation ther- ‘mique (fg. 1c), par ailleurs davan- tage pénalisante en température et en temps, et moins bien cantréiée. Plusieurs méthodes sont done dis- ponibles pour réliser une opération physico-chimique. Le plasma, par exemple, est usable pour graver ou pour déposer un matériau, voire pour insoler une résine. Ainsi contrairement & la photolithogra- pie qui place tous les fabricants & 6galité devant les quelques steppers du marché, chacun peut adopter pour le reste du prooédé des reveties personnels, selon sa technologie et son expérience... La fabrication d'un composant semi-conducteur est faite de cing & quinze répétitions du cycle décritjusquici. La technologie Cos actuelle comporte jusqu'a quatre niveaux de conduetéurs mé- talliques. Le métal est plus difficile & “marier” au silcium qu'un dépét de silicium dopé pour réaliser ces liai- sons lest copendant prs en rai- son de sa résistance électrique dix fois plus faible, gage d'une bonne ropagationdes signaux rapids. Le dernier oycle se termine également par une métallsation du siicium aux endroits oi seront soudés es fils reliant la puce (chip, pastile) aux broches du composant, Cotte des- cription du procédé planar n'a pas évoqué les trés nombreuses étapes de contre, mesure, tests divers et nettoyages qui suivent chaque opé- ration et assurent la maitrse de la production, Avant le test final ind viduel sous pointes de chaque puce de la tranche terminée, qui mar- quera les défectueuses d'un point bleu, les tranches subissent une time ot ris sévire épreuve; par ust nage de la face arcdre, leur épais- seur est ramenée de 0,6 & 0.4mm. ‘Tout rebut ce stade code plus de 11000 dollars! Les amincir est pour- tant obligatoire pour faciliter le sciage et 'évacuation thermique du circuit terminé, Les tranches finies et testées sont rarement découpées en puces sure Taoustares et Tecumiques - W147 site oitelles ont été gravées, Les rations de sciage, montage, et final se font dans une unité semblage (back end) générale délocalisée on Asie du Sud-Es Mexique ou en Ecosse. Car, Vautomatisation, la main-d'or reste importante pour ces tra: beaucoup moins déleats que du front end. La tranche & sci @abord placée sur un flm de tique extensible etcollant, tend un cadre, puis découpée sur ce port par tne sie diamantée fig ‘Aprés quoi les bords du ¢ s'écartent, séparant ainsi ch puce de ses voisines. Toujour son film, la tranche “écartalée présontée & une machine quire les puces “bonnes” —sans bleu— et les préléve l'une a autre pour les placer chacun un point de colle au centre d grille métallique, dite “araigr destinée & former plus tar. broches ou sorties du compe (fg. 36 Lopération suivante consti rmaillon faible du back end: cs pose d'un fil tr in d’akumini: or entre chaque plot métall: siicium tla broche correspon sur la grill, Le lest fortemen puyé et soudé par ultrasons | ding) sur les parties concerr puis coupé, Les machines actu posent environ trois fs par soco mais la miniaturisation ré constamment la distance entr Droches, qui atteint aujoure 0,35mm avec les botiers CMS multanément, le nombre broches a progressé jusqu’a dé ser couramment les 300. Le m de sorties est prévu; dimensio ‘quantité imposent la suppres des is, remplacés dés mainte sur les boitiers CMS par une dure directe des sorties sur la p Les deux opérations finales del brication d'un circuit intégré cot tont a protéger a puce par un d de résine époxy sur sa face gra ‘ou mieux par son enrobage con (fg. 3c) et & enlever par poin nage les parties imutiles dela. Une demiare série de tests cass ‘composants par fourchettes de formances (fg. 2; ils sont © rmarqués,etstockés dans divers ballages, ou en vrar pour les ¢ posants diserets cuawoe am