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Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FACULTAD DE

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

Sección A

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FACULTAD DE

LABORATORIO N°3 DE MANUFACTURA

EL

PROCESOS DE

(MC216)

TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACION CARACTERÍSTICAS

PROFESOR

DE

PRÁCTICA:

ING.

BOBADILLA

Código

CIRCUITOS DE

CURVAS

SALAZAR SECCIÓN: A INTEGRANTES

  • 1. -----------------------------------

  • 2. -----------------------------------

  • 3. CUEVAS HUAMANI, Maico Ernesto
    4. -----------------------------------

20140109J

  • 5. -------------------------------------

Fecha de realización: Rímac, 25 de AGOSTO del 2016 Fecha de entrega: Rímac, 15 de SETIEMBRE del 2016

Laboratorio 3

TÍTULO EL TRANSISTOR BIPOLAR

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT’s

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica CURVAS CARACTERÍSTICAS . CAPACIDADES.- Sección A ____________________________________________________________________________ 1.1.-

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

CURVAS CARACTERÍSTICAS

  • . CAPACIDADES.-

Sección A

____________________________________________________________________________

1.1.- Determina las corrientes y voltajes de los circuitos de polarización de BJT’s básicos.

1.2.- Implementar y obtener el cuadro de voltajes de los circuitos de polarización de BJT’s básicos.

1.3.- Verifica la curva característica del transistor

  • . INFORME PREVIO.-

____________________________________________________________________________

  • 1. Indicar las características eléctricas del Transistor BC548 (ECG 123AP). Considerar h FE = para todos los cálculos.

  • 2. Asignar un nombre a cada tipo de polarización que se presenta a continuación (revisar textos).

  • 3. Calcular I B , I C , V CE , V RC , V C , V B , V E , además ubicar el punto Q en la recta de Carga.

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica CURVAS CARACTERÍSTICAS . CAPACIDADES.- Sección A ____________________________________________________________________________ 1.1.-
  • 4. Calcular I B , I C , V CE , V RC , V RE, V C , V B , V E , además ubicar el punto Q en la recta de Carga.

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica CURVAS CARACTERÍSTICAS . CAPACIDADES.- Sección A ____________________________________________________________________________ 1.1.-

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 5. Calcular I , I ,

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

Sección A

  • 5. Calcular I B , I C , V CE , V RC , V RE, V C , V B , V E , además ubicar el punto Q en la recta de Carga.

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 5. Calcular I , I ,
  • 6. Calcular I B , I C , V CE , V RC , V C , V B , V E , además ubicar el punto Q en la recta de Carga.

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 5. Calcular I , I ,
  • 7. Calcular I B , I C , V CE , V RC , V RE, V C , V B , V E , además ubicar el punto Q en la recta de Carga.

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 5. Calcular I , I ,

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica 3 . PARTE EXPERIMENTAL.- Sección A ____________________________________________________________________________ MATERIALES

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

3
3

. PARTE EXPERIMENTAL.-

Sección A

____________________________________________________________________________

MATERIALES Y EQUIPOS:

2 transistor 2N2222

2 transistor BC 548

Resistencia 1 K, 1.2 K, 2.7K, 3.9 K, 6.8K ,27K, 100K, 1000K, 1500K

1 PROTOBOARD

1 Multímetro Digital

1 Multímetro Analógico

1 OSCILOSCOPIO

1 fuente de alimentación de 0 a 12 v

CABLES TELEFÓNICOS

PROCEDIMIENTO:

  • 1. Con el rango del ohmímetro en Rx1 (multímetro analógico) ó posición Diode Test (Multímetro Digital), determinar la Base, Colector y Emisor considerando:

Multímetro analógico:

(+) punta negra, (-) punta roja.

Multímetro digital : (+) punta roja, (-) punta negra. Unión Directa Inversa Estado BE 0.671 0
Multímetro digital
:
(+) punta roja, (-) punta negra.
Unión
Directa
Inversa
Estado
BE
0.671
0
Correcto
BC
0.671
0
Correcto
  • 2. Monte el circuito de la figura:

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 3. Energizar el circuito y llenar

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

Sección A

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 3. Energizar el circuito y llenar
  • 3. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multímetro en DC VOLT.

V B

V C

V E

V CE

V CB

VRC

V RE

8.43v

3.751v

0.1mv

0.619v

4.41v

4.11v

-------

  • 4. Monte el circuito de la figura:

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 3. Energizar el circuito y llenar
  • 5. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multímetro en DC VOLT.

V B

V C

V E

V CE

V CB

VRC

V RE

7.12v

4.67kv

1.2v

7.96v

2.378v

3.27v

0.87v

  • 6. Monte el circuito de la figura:

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 7. Energizar el circuito y llenar

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

Sección A

  • 7. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multímetro en DC VOLT.

V B

V C

V E

V CE

V CB

VRC

V RE

5.951v

4.426v

1.056v

0.606v

5.952v

-------

------

  • 8. Monte el circuito de la figura:

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 7. Energizar el circuito y llenar
  • 9. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multímetro en DC VOLT.

V B

V C

V E

V CE

V CB

VRC

V RE

1.459v

6.93v

0.2mv

0.654v

1.46v

-----

-----

10. Monte el circuito de la figura:

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A 8. Energizar el circuito y llenar

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

Sección A

8.

Energizar

el circuito

y llenar

el

cuadro de voltajes con

el multímetro en DC

 

VOLT.

V B

V C

V E

V CE

V CB

VRC

V RE

0

4.541v

1.384v

 

0.614v

-----

0.5492v

-

4
4

. INFORME FINAL.-

____________________________________________________________________________

  • 1. Presentar los cuadros de voltajes totalmente llenos.

  • 2. Hacer una comparación entre los voltajes calculados y medidos para cada caso. Ejemplo:

 

Figura 1

 

VB

VC

VE

VCE

VCB

VRC

VRB

Calculad

 

o

+0.69

+0.13

0.00

+0.13

-0.55

+8.87

+8.31

Medido

8.43v

3.751v

0.1mv

0.619v

4.41v

4.11v

-------

 

Figura 2

 

VB

VC

VE

VCE

VCB

VRC

VRE

Calculad

 

o

+2.82

+2.26

+2.15

+0.12

-0.56

+6.74

+6.18

Medido

7.12v

4.67kv

1.2v

7.96v

2.378v

3.27v

0.87v

 

Figura 3

 

VB

VC

VE

VCE

VCB

VRC

VRE

LAB – Circuitos Electrónicos

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica Sección A Calculad o +2.38 +3.47 +1.71 +1.76

Universidad Nacional de Ingeniería Facultad de Ingeniería Mecánica

Sección A

Calculad

   
 

o

+2.38

+3.47

+1.71

+1.76

+1.09

+8.53

+1.71

Medido

5.951

4.426v

1.056v

0.606v

5.952v

-------

------

v

 

Figura 4

 

VB

VC

VE

VCE

VCB

VRC

VRE

 

Calculad

 
 

o

+0.41

+0.87

0.00

+0.87

+0.95

+10.4

+0.95

Medido

1.459

6.93v

0.2mv

0.654v

1.46v

-----

-----

v

 

Figura 5

 

VB

VC

VE

VCE

VCB

VRC

VRE

 

Calculad

 
 

o

+3.10

+4.11

+2.43

+1.69

+1.01

+7.89

+2.43

Medido

 

0.5492

0

4.541v

1.384v

0.614v

-----

v

-

3.

Observaciones

4.

Durante las mediciones, el voltaje característico base/emisor, vario en algunas medidas previas. Esto probablemente a la variación de la temperatura en el mismo.

Conclusiones Se comprobaron las proporciones entre las magnitudes físicas características

del transistor. Las magnitudes en si mismas no coincidieron con los resultados teóricos.

Se comprobó mediante la variación de las propiedades explicadas en observaciones la sensibilidad de los materiales tipo n y p a la temperatura (indirectamente).

LAB – Circuitos Electrónicos