Universidad Nacional de Ingeniera Seccin A

Facultad de Ingeniera Mecnica

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

LABORATORIO N3 DE PROCESOS DE
MANUFACTURA

(MC216)

EL TRANSISTOR BIPOLAR
CIRCUITOS DE POLARIZACION
CURVAS CARACTERSTICAS

PROFESOR DE
PRCTICA: ING.
SALAZAR BOBADILLA

SECCIN: A

INTEGRANTES Cdigo

1. -----------------------------------

2. -----------------------------------

3. CUEVAS HUAMANI, Maico Ernesto 20140109J

4. -----------------------------------

5. -------------------------------------

Fecha de realizacin: Rmac, 25 de AGOSTO del 2016

Fecha de entrega: Rmac, 15 de SETIEMBRE del 2016

Laboratorio 3

TTULO

EL TRANSISTOR BIPOLAR

CIRCUITOS DE POLARIZACIN DE TRANSISTORES BJTs

LAB Circuitos Electrnicos

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CURVAS CARACTERSTICAS

1. CAPACIDADES.-
____________________________________________________________________________

1.1.- Determina las corrientes y voltajes de los circuitos de polarizacin de BJTs

bsicos.

1.2.- Implementar y obtener el cuadro de voltajes de los circuitos de polarizacin

de BJTs bsicos.

1.3.- Verifica la curva caracterstica del transistor

2. INFORME PREVIO.-
____________________________________________________________________________

1. Indicar las caractersticas elctricas del Transistor BC548 (ECG 123AP).

Considerar hFE = para todos los clculos.
2. Asignar un nombre a cada tipo de polarizacin que se presenta a continuacin
(revisar textos).
3. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VC, VB, VE, adems ubicar el punto Q en la recta de
Carga.

4. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VRE, VC, VB, VE, adems ubicar el punto Q en la recta de
Carga.

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5. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VRE, VC, VB, VE, adems ubicar el punto Q en la recta de
Carga.

6. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VC, VB, VE, adems ubicar el punto Q en la recta de
Carga.

7. Calcular IB, IC, VCE, VRC, VRE, VC, VB, VE, adems ubicar el punto Q en la recta de
Carga.

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3. PARTE EXPERIMENTAL.-
____________________________________________________________________________

MATERIALES Y EQUIPOS:

2 transistor 2N2222
2 transistor BC 548
Resistencia 1 K, 1.2 K, 2.7K, 3.9 K, 6.8K ,27K, 100K, 1000K, 1500K
1 PROTOBOARD
1 Multmetro Digital
1 Multmetro Analgico
1 OSCILOSCOPIO
1 fuente de alimentacin de 0 a 12 v
CABLES TELEFNICOS

PROCEDIMIENTO:

1. Con el rango del ohmmetro en Rx1 (multmetro analgico) posicin Diode

Test (Multmetro Digital), determinar la Base, Colector y Emisor considerando:

Multmetro analgico: (+) punta negra, (-) punta roja.

Multmetro digital : (+) punta roja, (-) punta negra.

Unin Directa Inversa Estado

BE 0.671 0 Correcto

BC 0.671 0 Correcto

2. Monte el circuito de la figura:

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3. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multmetro en DC VOLT.

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

8.43v 3.751v 0.1mv 0.619v 4.41v 4.11v -------

4. Monte el circuito de la figura:

5. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multmetro en DC VOLT.

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

7.12v 4.67kv 1.2v 7.96v 2.378v 3.27v 0.87v

6. Monte el circuito de la figura:

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7. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multmetro en DC VOLT.

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

5.951v 4.426v 1.056v 0.606v 5.952v ------- ------

8. Monte el circuito de la figura:

9. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multmetro en DC VOLT.

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

1.459v 6.93v 0.2mv 0.654v 1.46v ----- -----

10. Monte el circuito de la figura:

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8. Energizar el circuito y llenar el cuadro de voltajes con el multmetro en DC

VOLT.

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

0 4.541v 1.384v 0.614v ----- 0.5492v -

4. INFORME FINAL.-
____________________________________________________________________________

1. Presentar los cuadros de voltajes totalmente llenos.

2. Hacer una comparacin entre los voltajes calculados y medidos para cada
caso.
Ejemplo:

Figura 1

VB VC VE VCE VCB VRC VRB

Calculad
o +0.69 +0.13 0.00 +0.13 -0.55 +8.87 +8.31
Medido 8.43v 3.751v 0.1mv 0.619v 4.41v 4.11v -------

Figura 2

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Calculad
o +2.82 +2.26 +2.15 +0.12 -0.56 +6.74 +6.18
Medido 7.12v 4.67kv 1.2v 7.96v 2.378v 3.27v 0.87v

Figura 3

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

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Calculad
o +2.38 +3.47 +1.71 +1.76 +1.09 +8.53 +1.71
Medido 5.951 4.426v 1.056v 0.606v 5.952v ------- ------
v

Figura 4

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Calculad
o +0.41 +0.87 0.00 +0.87 +0.95 +10.4 +0.95
Medido 1.459 6.93v 0.2mv 0.654v 1.46v ----- -----
v

Figura 5

VB VC VE VCE VCB VRC VRE

Calculad
o +3.10 +4.11 +2.43 +1.69 +1.01 +7.89 +2.43
Medido 0.5492
0 4.541v 1.384v 0.614v ----- -
v

3. Observaciones
Durante las mediciones, el voltaje caracterstico base/emisor, vario en algunas
medidas previas. Esto probablemente a la variacin de la temperatura en el
mismo.

4. Conclusiones
Se comprobaron las proporciones entre las magnitudes fsicas caractersticas
del transistor.
Las magnitudes en si mismas no coincidieron con los resultados tericos.
Se comprob mediante la variacin de las propiedades explicadas en
observaciones la sensibilidad de los materiales tipo n y p a la temperatura
(indirectamente).

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