PUNTOS DE RED: los puntos de red estn en las esquinas de las celdas

unitarias y en algunos casos, en las caras o el centro de la celda unitaria.

NMERO DE COORDINACIN: es la cantidad de tomos que tocan a

determinado tomo, o sea la cantidad de vecinos ms cercanos a ese tomo en
particular. Es una medida de qu tan compacto y eficiente es el
empaquetamiento de los tomos.
Los materiales que pueden tener ms de una estructura cristalina se llaman
alotrpicos, polimorfos o polimrficos.

ALOTROPA: suele reservarse para este comportamiento en los elementos

puros.

POLIMORFISMO: se usa para compuestos.

COMPORTAMIENTO ISOTRPICO Y ANISTROPICO:

Un material es cristalogrficamente anistropico si sus propiedades dependen
de la direccin cristalografa en la cual se mide la propiedad.
Si las propiedades son idnticas en todas las direcciones el material es
cristalogrficamente isotrpico.

SITIOS INTERSTICIALES: en cualquiera de las estructuras que hemos

descrito, hay pequeos huecos entre los tomos normales y en ellos se pueden
ubicar tomos ms pequeos, a esos lugares se les llama sitios intersticiales.

DEFECTOS PUNTUALES: son perturbaciones localizadas en los arreglos

inicos o atmicos en una estructura cristalina que de otra manera sera
perfecta.
Suceden por el movimiento de los tomos o iones cuando ganan energa al
calentarse durante el procesamiento del material o por la introduccin
intencional o no intencional de impurezas.

LOS DOPANTES: Son elementos o compuestos que se adicionan de manera

deliberada, en concentraciones conocidas, en localizaciones especficas en la
microestructura con un efecto benfico deseado, sobre las propiedades o el
procesamiento.
Los defectos puntuales aunque aparecen en uno de dos sitios, su presencia se
siente a distancias muchos mayores en el material cristalino.

VACANCIAS: se produce una vacancia cuando un tomo o un Ion est ausente

de su sitio normal en la estructura cristalina, aumenta la aleatoriedad o
entropa general del material lo cual incrementa la estabilidad termodinmica
de un material cristalino.

DEFECTOS INTERSTICIALES: se forman cuando se inserta un tomo o ion

adicional en la estructura cristalina en una posicin por lo general desocupada.
Los tomos o iones Intersticiales, aunque mucho menores que los tomos o
iones localizados en los puntos de red siguen siendo mayores que los sitios
intersticiales que ocupan en consecuencia, la regin cristalina vecina est
comprimida y distorsionada.
Defectos sustitucionales: se introducen defectos sustitucionales cuando se
remplaza un atomo o un ion por un tipo distinto de atomo