Previo 1 Ok

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA
EXPERIENCIA N1:
EL SCR
I. OBEJTIVO:
1) Familiarizarse con el SCR (Rectificador de Silicio).

2) Determinar experimentalmente algunas de sus caractersticas.
II. MATERIALES Y EQUIPO:

1) Un SCR
2) Una resistencia de 100 a 5Watts
3) Resistencias varias
4) Potencimetros
5) Multmetro
6) Miliampermetro
7) Transformador de 220V/9V
III. PROCEDIMIENTO
CUESTIONARIO
1) Haga una introduccin terica de los SCR.
SCR
El Rectificador Controlado de Silicio (SCR) es un dispositivo de tres terminales que

se comporta como un disco rectificador: conduce en directo y no conduce en
inverso, pero adicionalmente para entrar en conduccin debe inyectarse en
la terminal compuerta una corriente mayor a la mnima requerida.
Est constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternadamente con

impurezas del tipo P y del tipo N.
Segn la figura 1, la regin terminal

P2 es el nodo (A) y la otra regin
terminal
N 1 el ctodo (K). La puerta (G) se sita en la zona P1 .
Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el SCR vienen

determinados por la polarizacin a la que est sometido y, como su nombre
lo indica (controlado), mediante una seal exterior se le puede cambiar de
uno a otro.
Laboratorio de Electrnica de Potencia

Informe Previo 1
Figura 1. Constitucin interna

del SCR
Con polarizacin inversa (A negativo respecto a K) las uniones

U1 y U3
quedan polarizadas inversamente; la corriente a travs de dispositivo ser

debida a portadores minoritarios, siendo muy pequea y pudindose
considerar casi nula para cualquier valor de la tensin de polarizacin
menor que la mxima inversa aplicable

V BOR , a la que se produce la
ruptura por avalancha, con posibilidad de destruccin del componente. El

SCR se comporta como circuito abierto y se dice que est en estado de
bloqueo inverso (Figura 2.a).
Figura 2.a Bloqueo directo Figura 2.b Conduccin

e inverso
Con polarizacin directa (

V A >V K ) solamente la unin U2 queda
polarizada inversamente por lo que la nica corriente que circula por el
dispositivo es la inversa de saturacin correspondiente y, tambin, muy
pequea hasta un valor de polarizacin

V BO , llamado de avalancha,
ruptura o de cebado, en el que la corriente a travs del dispositivo crece de

forma abrupta, no siendo recomendable establecer dicha conduccin por
este mtodo. Hasta dicho valor

V BO , el SCR sigue comportndose como

Informe Previo 1
un circuito abierto (Figura 2.a), pero ahora se encuentra en el llamado

estado de bloqueo directo.
Si con la polarizacin directa se introduce una corriente de puerta (G) que

contribuya a aumentar el tipo de portadores que predominan en esa zona
(siendo
P1 : la corriente ser positiva), se conseguir que, por efecto de la
difusin, aumente tambin el nmero de portadores mayoritarios que

constituirn una corriente de elevado valor que cebara el SCR siendo est
limitada exclusivamente por la impedancia exterior al dispositivo. El SCR se
encuentra ahora en estado de conduccin y se comporta casi como un corto
circuito (Figura2.b) siendo la tensin

V AK entre sus extremos muy
pequea ( 1V para tiristores de media-baja potencia) y denominada

VT .
Las caractersticas principales de un SCR son:
ITmax : Mxima corriente que puede conducir (pico, RMS o promedio)

VDmax : Mximo voltaje entre nodo o ctodo (inverso o directo en no
conduccin).
IGTmin: Corriente de compuerta mnima para producir el disparo.
VGTmax: Voltaje compuerta ctodo mximo
Ihold min : Corriente de sostenimiento mnima.
VFON: Voltaje nodo ctodo cuando est en conduccin
dv/dt max : Mxima variacin de voltaje admisible sin disparo
Figura 3. Curva caracterstica del SCR

Informe Previo 1

Informe Previo 1
TRIAC
El Triodo de corriente alterna (Triac) es un componente con tres terminales y

derivado del tiristor, que puede considerarse elctricamente como dos
tiristores en anti-paralelo. Presenta, sin embargo, dos ventajas fundamentales
sobre este circuito equivalente:
El circuito de control resulta mucho ms sencillo al no existir ms que un

electrodo de mando.
Puede bascular al estado conductor independientemente de la polaridad
de la tensin aplicada al terminal de control.
Al igual que ocurra en el tiristor, el paso del estado de bloqueo al estado

conductor solo se realiza por aplicacin de un impulso de corriente en el
electrodo de mando; y el paso del estado conductor al estado de bloqueo se
produce por aplicacin de una tensin de polaridad inversa, o por la
disminucin de la corriente por debajo del valor de mantenimiento

IH ,
siendo este ltimo el caso ms utilizado.
En la Figura 4 se representa su estructura interna, formada por seis capas de

semiconductor. Los electrodos a los que se aplica la tensin principal a
controlar se le denomina nodo 2 (

A 2 ) o terminal 2, y nodo 1 ( A 2 ) o
terminal 1; al electrodo de control se le denomina puerta (G). El paso de la
corriente principal se efectuara entre

A2 Y
A 1 , siendo el circuito de control
formado por G y
A1 .
Figura 4

Informe Previo 1
Si dividimos la estructura interna del triac segn un eje vertical, obtendremos

los dos tiristores que lo forman:
P2N 2P1 N 1 , para tensiones de A2 positivas respecto de

A1 .
P1N 2P2 N 3 , para tensiones de A2 positivas respecto de

A1 .
N 4 y P 1 forman la puerta para las distintas polaridades de esta terminal. En la
Figura 4 se puede ver esta divisin, as como el sentido de circulacin de la

corriente (representado por una flecha) para ambas mitades del elemento.
Si se polariza al triac con una tensin positiva en

A2 respecto de
A 1 con el
terminal G al aire, y aumentamos el valor de esta polarizacin, se obtendr una

curva caracterstica idntica a la del tiristor en polarizacin directa, pero al
contrario que este, si se invierte el sentido de la polarizacin se observa una
curva simtrica de la anterior respecto del origen, tal como se muestra en la
figura 5.
Al igual que ocurra con el tiristor, si el terminal G se conecta a una fuente de
tensin respecto de
A 1 , vemos que el momento del cebado del triac se
adelanta respecto al anterior. Lo excepcional del triac es que este cebado se

produce independientemente del sentido de la tensin aplicada a la puerta.
Figura 5
DIAC

Informe Previo 1
Si a la estructura de la figura 4 se le quita la capa

N4 y el terminal de la
puerta, obtenemos un nuevo elemento compuesto por dos tiristores en anti-
paralelo. Dicho elemento est preparado para conducir en los dos sentidos de
sus terminales y se le conoce como diac, diodo de corriente alterna. En la
figura 6 se representa la estructura resultante. Si dividimos la estructura segn
un eje vertical, se observan los dos tiristores que lo componen:
P2N 2P1 N 1 , para V >0

21
P1N 2P2 N 3 , para V <0

21
Figura 6
La curva caracterstica del diac es igualmente simtrica respecto del origen,

pero solo cuenta con una curva, ya que no dispone de terminal de puerta. Otra
diferencia respecto del triac es que la tensin a la que se produce el cebado es
considerablemente menor y suele estar alrededor de los 30 voltios. La curva se
observa en la Figura 7.

Informe Previo 1
Figura 7
Debido a su comportamiento bidireccional y a su bajo valor de tensin de

cebado, se suele emplear como elemento de disparo de un tiristor o un triac.
De hecho, esta prctica est limitada al control y cebado de un triac mediante
el disparo de un diac.
(IGBT)
El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los

atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje
como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el
fenmeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a
circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas
de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la
ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de
entrada muy dbil en la puerta.
Caractersticas de funcionamiento:
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:
Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)

Informe Previo 1
Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)

Alta potencia (>5 kW)
Figura 8
2) Indique el modelo equivalente con transistores
Para el SCR
Para el TRIAC (Equivale a dos SCR en antiparalelo)
Para el DIAC

Informe Previo 1

Informe Previo 1
Para el IGBT
3) Que es tensin de disparo Vgk y corriente de mantenimiento

IH?
La tensin de disparo
La tensin VGK que va de compuerta a ctodo, se aplica directamente por

encima de la cual se enciende el tiristor por disparo directo.
Corriente de manteamiento
Para mantener un tiristor en estado de conduccin es necesario que exista

una corriente mnima que mantenga la conduccin del SCR; en caso
contrario, pasara al estado de bloqueo. Esta corriente I H tambin es
conocida como corriente hiposttica.
Links de referencia:
http://www.udb.edu.sv/udb/archivo/guia/electronica-tecnologico/electronica-
de-potencia/2014/i/guia-3.pdf
http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/electronica-de-potencia/material-
de-clase-1/MC-F-002.pdf
http://konnan2001.galeon.com/SCR.HTML

Informe Previo 1

Previo 1 Ok

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Previo 1 Ok

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

1) Familiarizarse con el SCR (Rectificador de Silicio).

II. MATERIALES Y EQUIPO:

1) Haga una introduccin terica de los SCR.

El Rectificador Controlado de Silicio (SCR) es un dispositivo de tres terminales que

Est constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternadamente con

Segn la figura 1, la regin terminal

Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el SCR vienen

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Figura 1. Constitucin interna

Con polarizacin inversa (A negativo respecto a K) las uniones

quedan polarizadas inversamente; la corriente a travs de dispositivo ser

menor que la mxima inversa aplicable

ruptura por avalancha, con posibilidad de destruccin del componente. El

Figura 2.a Bloqueo directo Figura 2.b Conduccin

Con polarizacin directa (

pequea hasta un valor de polarizacin

ruptura o de cebado, en el que la corriente a travs del dispositivo crece de

este mtodo. Hasta dicho valor

Laboratorio de Electrnica de Potencia

un circuito abierto (Figura 2.a), pero ahora se encuentra en el llamado

Si con la polarizacin directa se introduce una corriente de puerta (G) que

difusin, aumente tambin el nmero de portadores mayoritarios que

circuito (Figura2.b) siendo la tensin

pequea ( 1V para tiristores de media-baja potencia) y denominada

Las caractersticas principales de un SCR son:

ITmax : Mxima corriente que puede conducir (pico, RMS o promedio)

Figura 3. Curva caracterstica del SCR

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Laboratorio de Electrnica de Potencia

El Triodo de corriente alterna (Triac) es un componente con tres terminales y

El circuito de control resulta mucho ms sencillo al no existir ms que un

Al igual que ocurra en el tiristor, el paso del estado de bloqueo al estado

disminucin de la corriente por debajo del valor de mantenimiento

siendo este ltimo el caso ms utilizado.

En la Figura 4 se representa su estructura interna, formada por seis capas de

controlar se le denomina nodo 2 (

terminal 1; al electrodo de control se le denomina puerta (G). El paso de la

corriente principal se efectuara entre

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Si dividimos la estructura interna del triac segn un eje vertical, obtendremos

P2N 2P1 N 1 , para tensiones de A2 positivas respecto de

P1N 2P2 N 3 , para tensiones de A2 positivas respecto de

N 4 y P 1 forman la puerta para las distintas polaridades de esta terminal. En la

Figura 4 se puede ver esta divisin, as como el sentido de circulacin de la

Si se polariza al triac con una tensin positiva en

terminal G al aire, y aumentamos el valor de esta polarizacin, se obtendr una

Al igual que ocurra con el tiristor, si el terminal G se conecta a una fuente de

adelanta respecto al anterior. Lo excepcional del triac es que este cebado se

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Si a la estructura de la figura 4 se le quita la capa

P2N 2P1 N 1 , para V >0

P1N 2P2 N 3 , para V <0

La curva caracterstica del diac es igualmente simtrica respecto del origen,

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Debido a su comportamiento bidireccional y a su bajo valor de tensin de

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Laboratorio de Electrnica de Potencia

Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)