Eletrnica Analgica

ELETRNICA
BSICA

Org.: Rogrio Matos

Tcnico em Eletrnica SENAI
Tcnico e Especialista em Hardware SENAC
Graduando em Anlise e desenvolvimento de Sistemas - UNP
 2

Resistores

Esta aula ir descrever os resistores de valores fixos e comentar algumas de suas aplicaes
mais importantes nos circuitos eltricos/eletrnicos.

Para que servem os resistores?

Na prtica, os resistores limitam a intensidade de corrente eltrica atravs de determinados

componentes. Uma aplicao tpica disso, como exemplo, o resistor associado em srie
com um LED, como se ilustra:

Nesse circuito, o resistor limita a corrente que passa atravs do LED, permitindo apenas uma
intensidade suficiente para que ele possa acender. Sem esse resistor a intensidade de corrente
atravs do LED iria danific-lo permanentemente. Aps esse captulo voc estar apto para
calcular um valor hmico satisfatrio para tal resistor.

O "retngulo" com terminais uma representao simblica

para os resistores de valores fixos tanto na Europa como no
Reino Unido; a representao em "linha quebrada" (zig-zag)
usada nas Amricas e Japo.

Apesar disso, nas ilustraes eletrnicas brasileiras (de revistas etc.) opta-se pelo
"retngulo", talvez por simplicidade do desenho. Nos livros de Fsica publicados no Brasil,
em geral, usam-se do "zig-zag" (linha quebrada).
Resistores especiais tambm so usados como transdutores em circuitos sensores.
Transdutores so componentes eletrnicos que efetuam converso de energia de uma
modalidade para outra onde, uma delas, necessariamente energia eltrica.
 3

Microfones, interruptores e Resistores Dependentes da Luz ou LDRs, so exemplos de

transdutores de entrada.

Alto-falantes, lmpadas de filamento, rels, "buzzers" e tambm os LEDs, so exemplos de

transdutores de sada.

No caso dos LDRs, mudanas da intensidade da luz que incide em suas superfcies resultam
numa alterao nos valores hmicos de suas resistncias.

Voc pode citar outros exemplos de transdutores de cada tipo?

Em outros circuitos, os resistores podem ser usados para dirigir fraes da corrente eltrica
para partes particulares do circuito, assim como podem ser usados para controlar o "ganho de
tenso" em amplificadores.

Resistores tambm so usados em associaes com capacitores no intuito de alterar sua

"constante de tempo" (ajuste do tempo de carga ou descarga).

A maioria dos circuitos requerem a presena de resistores para seus corretos funcionamento.
Assim sendo, preciso saber alguns detalhes sobre diferentes tipos de resistores e como
fazer uma boa escolha dos resistores disponveis (valores adequados, seja em ,k ou
M ) para uma particular aplicao.

1. D trs funes que os resistores podem desempenhar num circuito.

2. Que um transdutor?
3. D exemplos de transdutores de entrada e de sada.

Resistores de valores fixos

A ilustrao mostra detalhes construtivos de um resistor de filme de carbono (carvo):

Durante a construo, uma pelcula fina de carbono (filme) depositada sobre um pequeno
tubo de cermica. O filme resistivo enrolado em hlice por fora do tubinho tudo com
mquina automtica at que a resistncia entre os dois extremos fique to prxima
quanto possvel do valor que se deseja. So acrescentados terminais (um em forma de tampa
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e outro em forma de fio) em cada extremo e, a seguir, o resistor recoberto com uma camada
isolante. A etapa final pintar (tudo automaticamente) faixas coloridas transversais para
indicar o valor da resistncia.

Resistores de filme de carbono (popularmente, resistores de carvo) so baratos, facilmente

disponveis e podem ser obtidos com valores de (+ ou -) 10% ou 5% dos valores neles
marcados (ditos valores nominais).

Resistores de filme de metal ou de xido de metal so feitos de maneira similar aos de

carbono, mas apresentam maior acuidade em seus valores (podem ser obtidos com
tolerncias de (+ ou-) 2% ou 1% do valor nominal).

H algumas diferenas nos desempenhos de cada um desses tipos de resistores, mas nada to
marcante que afete o uso deles em circuitos simples.
Resistores de fio, so feitos enrolando fios finos, de ligas especiais, sobre uma barra
cermica. Eles podem ser confeccionados com extrema preciso ao ponto de serem
recomendados para circuitos e reparos de multitestes, osciloscpios e outros aparelhos de
medio. Alguns desses tipos de resistores permitem passagem de corrente muito intensa
sem que ocorra aquecimento excessivo e, como tais, podem ser usados em fontes de
alimentao e circuitos de corrente bem intensas.

Cdigo de cores

Como os valores hmicos dos resistores podem ser reconhecidos pelas cores das faixas em
suas superfcies?
Simples, cada cor e sua posio no corpo do resistor representa um nmero, de acordo com o
seguinte esquema :

Resistncias Correntes

Nominal Nominal
Cor Multiplicador Tolerncia
1 2

Sem codificao 20%

Prateado 0.01 10%

Dourado 0.1 5%
 5

Preto 0 1.0

Castanho 1 1 10 1%

Vermelho 2 2 100 2%

Laranja 3 3 1K

Amarelo 4 4 10 K

Verde 5 5 100 K

Azul 6 6 1M

Violeta 7 7 10 M

Cinzento 8 8

Branco 9 9

Resistncias
de Preciso Nominal Nominal Nominal Multiplicador Tolerncia
1 2 3
Cor

Prateado 0.01

Dourado 0.1 5%

Preto 0 0 1.0

Castanho 1 1 1 10 1%

Vermelho 2 2 2 100 2%

Laranja 3 3 3 1K

Amarelo 4 4 4 10 K

Verde 5 5 5 100 K 0.5%

Azul 6 6 6 1M
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Violeta 7 7 7 10 M

Cinzento 8 8 8

Branco 9 9 9

A PRIMEIRA FAIXA em um resistor interpretada como o PRIMEIRO DGITO do valor

hmico da resistncia do resistor. Para o resistor mostrado abaixo, a primeira faixa
amarela, assim o primeiro dgito 4:

A SEGUNDA FAIXA d o SEGUNDO DGITO. Essa uma faixa violeta, ento o segundo
dgito 7. A TERCEIRA FAIXA chamada de MULTIPLICADOR e no interpretada do
mesmo modo. O nmero associado cor do multiplicador nos informa quantos "zeros"
devem ser colocados aps os dgitos que j temos. Aqui, uma faixa vermelha nos diz que
devemos acrescentar 2 zeros. O valor hmico desse resistor ento 4 7 00 ohms, quer dizer,
4 700 ou 4,7 k .

Verifique novamente, nosso exemplo, para confirmar que voc entendeu realmente o cdigo
de cores dados pelas trs primeiras faixas coloridas no corpo do resistor.

A QUARTA FAIXA (se existir), um pouco mais afastada das outras trs, a faixa de
tolerncia. Ela nos informa a preciso do valor real da resistncia em relao ao valor lido
pelo cdigo de cores. Isso expresso em termos de porcentagem. A maioria dos resistores
obtidos nas lojas apresentam uma faixa de cor prata, indicando que o valor real da
resistncia est dentro da tolerncia dos 10% do valor nominal. A codificao em cores, para
a tolerncia a seguinte:

COR MARROM VERMELHO OURO PRATA

TOLERNCIA + ou 1% + ou 2% + ou + ou
5% 10%
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Nosso resistor apresenta uma quarta faixa de cor OURO. Isso significa que o valor nominal
que encontramos 4 700 tem uma tolerncia de 5% para mais ou para menos. Ora, 5% de 4
700 so 235 ento, o valor real de nosso resistor pode ser qualquer um dentro da
seguinte faixa de valores: 4 700 - 235 = 4 465 e 4 700 + 235 = 4 935 .

A ausncia da quarta faixa indica uma tolerncia de 20% !!!!!!

Quando voc for ler em voz alta um valor hmico de resistor (a pedido de seu professor),
procure a faixa de tolerncia, normalmente prata e segure o resistor com essa faixa mantida
do lado direito. Valores de resistncias podem ser lidos rapidamente e com preciso, isso no
difcil, mas requer prtica!

1. Cite trs diferentes tipos de resistores.

2. Qual o valor hmico do resistor cujas faixas coloridas so:
(A) marrom, preto, vermelho?
(B) cinza, vermelho, marrom?
(C) laranja, branco, verde?
3. D o cdigo de cores para os seguintes valores de resistncia:
(A) 1,8 k (B) 270 (C) 56 k
4. Obtenha os valores mximos e mnimos de resistncias dos resistores marcados com as
seguintes faixas:
(A) vermelho, vermelho, preto ----- ouro
(B) amarelo, violeta, amarelo ----- prata

Como sero as cores para um resistor de valor nominal 12 ohms?

Ser: marrom, vermelho e preto.

A cor preta (0) para a faixa do multiplicador indica que nenhum zero (0 zeros) deve ser
acrescentado aos dois dgitos j obtidos.

Qual ser o cdigo de cores para 47 ohms?

A resposta : amarelo, violeta e preto.

Usando esse mtodo, para indicar valores entre 10 ohms e 100 ohms, significa que todos os
valores de resistor requerem o mesmo nmero de faixas.

Para resistores com valores hmicos nominais entre 1 ohm e 10 ohms, a cor do multiplicador
mudada para OURO.

Por exemplo, as cores marrom, preto e ouro indicam um resistor de resistncia 1 ohm
(valor nominal).

Outro exemplo, as cores vermelho, vermelho e ouro indicam uma resistncia de 2,2 ohms.
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Resistores de filme de metal, fabricados com 1% ou 2% de tolerncia, usam freqentemente

um cdigo com, 4 faixas coloridas para os dgitos e 1 faixa para a tolerncia, num total de 5
faixas. Estas so as chamadas resistncias de preciso.

Assim, um resistor de 1k , 1% ter as seguintes faixas:

marrom, preto, preto, marrom marrom
1 0 0 1zero 1%
J, um resistor de 56k , 2% ter as seguintes faixas:
verde, azul, preto, vermelho vermelho
5 6 0 2zeros 2%
provvel que voc utilize resistores de valores pequenos assim como resistores de filme de
metal em algumas ocasies, por isso til saber esses detalhes. A maioria dos circuitos
eletrnicos, porm, ser montada com resistores de carvo (filme de carbono) e, portanto, o
mais usado ser o cdigo de trs cores + tolerncia. Esse voc tem que dominar, com
certeza!

1. D os valores hmicos nominais dos resistores que apresentam as seguintes faixas de

cores:
(A) laranja, laranja, preto
(B) cinza, vermelho, ouro
(C) laranja, laranja, preto, vermelho
2. Como fica o cdigo de cores para um resistor de 10 kW nominais,
(A) usando o trs sistema de cores?
(B) usando o sistema de quatro cores?

Padres E12 e E24

Se voc j tem alguma experincia na montagem de circuitos, ter notado que os resistores
tm comumente valores como 2,2 ( ,k ou M ), 3,3 ( ,k ou M ) ou 4,7 ( ,
k ou M ) e no encontra no mercado valores igualmente espaados tais como 2, 3, 4, 5
etc.

Os fabricantes no produzem resistores com esses valores hmicos nominais.

Por que ser?

A resposta, pelo menos em parte tem algo a ver com a preciso expressas pelas
porcentagens. Na tabela abaixo indicamos os valores encontrados nos denominados padres
E12 e E24, um para aqueles com tolerncia de 10% e outro para a tolerncia de 5%:
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Os resistores so fabricados com resistncias nominais de valores mltiplos desses vistos nas
tabelas, por exemplo, 1,2 12 120 1200 etc.

Considere os valores adjacentes 100 e 120 do padro E12; 100 mltiplo de 10 e 120
mltiplo de 12. Ora, como esse padro para tolerncia de 10%, teremos: 10% de 100 =
10 e 10% de 120 = 12 . Assim sendo, os resistores marcados como 100 podero ter
qualquer valor entre 90 e 110 e os marcados como 120 podero ter qualquer
valor entre 108 e 132 . Essas duas faixas de alcances se sobrepem, mas s
ligeiramente; s 2 , entre 108 e 110 .
Nominal = 100
90 110
Nominal
= 120

1
32
Vamos repetir o raciocnio para valores do extremo da tabela, digamos 680 e 820 .O
marcado como 680 poder ter resistncia real de at 680 + 68 = 748 , enquanto
que aquele marcado como 820 poder ter resistncia to baixa quanto 820 - 82 =
738 .

Novamente h superposio porm, de valor bastante pequeno, s 10 !

Os padres E12 e E24 so projetados para cobrir todos os valores de resistncia, com o
mnimo de sobreposio entre eles.

Isso significa que, quando voc substituir um resistor danificado por outro com um valor
nominal mais alto, sua resistncia real, quase certamente, tambm ter valor maior. Do ponto
de vista prtico, tudo isso serviu para mostrar a voc que os resistores de filme de carbono
so disponveis em mltiplos dos valores indicados nos padres E12 e E24.

Que valor do padro E12 est mais prximo a 5 030 ?

Limitador de corrente

Agora voc j est pronto para calcular o valor hmico do resistor que deve ser conectado
em srie com um LED. um resistor limitador de corrente. Observe a ilustrao:
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Um LED tpico requer uma corrente de

intensidade de 10 mA e proporciona uma
"queda de tenso" de 2V enquanto est
aceso.
Nossa fonte de tenso fornece 9V.
Qual deve ser a tenso entre os terminais de
R1?

A resposta 9V 2V = 7V. Lembre-se que a soma das tenses sobre componentes em srie
deve ser igual tenso da fonte de alimentao.
Agora, com relao a R1, temos duas informaes: a intensidade de corrente que passa por
ele (10mA) e a tenso que ele suporta (7V).

Para calcular sua resistncia usamos a frmula:

R1 = U I
Substituindo-se U e I por seus valores temos:
R1 = 7V 0,01A = 700

Cuidado com as unidades!

A frmula deve ser aplicada com as grandezas (resistncia, tenso e intensidade de corrente
eltrica) medidas nas unidades fundamentais que so, respectivamente, ohm ( ), volt (V)
e ampre (A). No caso, os 10 mA devem ser convertidos para 0,01A, antes de se fazer a
substituio.

O valor obtido, mediante clculo, para R1 foi de 700 . Qual o valor mais prximo que
deve ser selecionado entre os indicados nos padres E12 e E24?

Resistores de 680 , 750 e 820 so os mais provveis. 680 a escolha bvia.

Argumente voc, por que ?

Isso acarretar uma corrente ligeiramente maior que os 10 mA atravs do LED (e do prprio
resistor R1!) mas, a maioria dos LEDs no sero danificados pois podem suportar at cerca
de 20 mA.

Que cores tero as faixas desse resistor de 680 ?

Exerccio proposto:
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1. No circuito por acender um LED, a fonte de

alimentao fornece 6 V. Qual deve ser o valor de
R1? Se a fonte for substituda por outra de 9V,
qual o novo valor de R1?
OBS: Os alunos devem resolver !

Potncia nos resistores

Quando corrente eltrica circula atravs de resistores, especificamente, e nos condutores, em

geral, esses sempre se aquecem. Neles ocorre converso de energia eltrica em energia
trmica. Essa energia trmica produzida, via de regra, transferida para fora do corpo do
resistor sob a forma de calor.

Isso torna-se bvio se examinarmos o que acontece no filamento da lmpada da lanterna. Seu
filamento comporta-se como um resistor de resistncia elevada (em confronto com as demais
partes condutoras do circuito). Nele a energia eltrica proveniente das pilhas, via corrente
eltrica, convertida em energia trmica. Essa quantidade aquece o filamento at que ele
adquira a cor branca e passa a ser transferida para o ambiente sob a forma de calor e luz. A
lmpada um transdutor de sada, convertendo energia eltrica em energia trmica e
posteriormente em calor (parcela intil e indesejvel) e luz (parcela til).

Embora no to evidente como na lmpada e em alguns resistores de fonte de alimentao,

esse aquecimento devido passagem de corrente eltrica ocorre com todos os componentes
eletrnicos, sem exceo.

A maior ou menor quantidade de energia eltrica convertida em trmica num componente

depende apenas de dois fatores: a resistncia hmica do componente e a intensidade de
corrente eltrica que o atravessa. Esses dois fatores so fundamentais para se conhecer a
rapidez com que a energia eltrica converte-se em trmica.

A rapidez de converso de energia, em qualquer campo ligado Cincia, conhecida pela

denominao de potncia.
A potncia de um dispositivo qualquer nos informa "quanto de energia" foi convertida de
uma modalidade para outra, a cada "unidade de tempo" de funcionamento.

Energia convertida
Potncia
Tempo para a converso
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As unidades oficiais para as grandezas da expresso acima so: Potncia em watt (W),
Energia em joule (J) e Tempo em segundo (s).

Em particular, na Eletrnica, a potncia eltrica nos informa quanto de energia eltrica, a

cada segundo, foi convertida em outra modalidade de energia. Em termos de grandezas
eltricas a expresso da potncia pode ser posta sob a forma:
Potncia eltrica = tenso x intensidade de corrente
Ou
P=U.I

Pergunta: Usando da definio de tenso e intensidade de corrente eltrica voc conseguiria

chegar a esse resultado?

Isso importante para que voc perceber a deduo dessa frmula.

Dentro da Eletrnica, para os resistores, onde a energia eltrica convertida exclusivamente

em energia trmica (a mais degradadas das modalidade de energia ... a mais "vagabunda",
"indesejvel", "intil" etc.), essa potncia passa a ser denominada potncia dissipada no
resistor.

Desse modo, podemos escrever: P = U . I = (R.I). I = R . I2

Lembre-se disso: para calcular a potncia dissipada por resistores podemos usar as
expresses P = U.I ou P = R.I2.

Voc poderia deduzir uma terceira expresso para o clculo da potncia dissipada em
resistor?. Tente, e eis uma dica: na expresso P = U.I, deixe o U quieto e substitua o I por
U/R.

Vamos checar o entendimento disso:

a) Uma mquina converte 1000 joules de energia trmica em energia eltrica a cada 2
segundos. Qual sua potncia?

b) Um resistor submetido tenso de 10V atravessado por corrente eltrica de intensidade

0,5A. Qual sua resistncia? Que potncia ele dissipa?

c) Um resistor de resistncia 100 ohms percorrido por corrente d.c. de 200 mA. Que tenso
eltrica ele suporta? Que potncia ele dissipa?

importante e indispensvel que a energia trmica produzida num resistor seja transferida
para o meio ambiente sob a forma de calor. Ora, essa transferncia ir depender, entre outros
fatores, da superfcie do corpo do resistor. Quanto maior for a rea dessa superfcie mais
favorvel ser essa transferncia. Um resistor de tamanho pequeno (rea pequena) no
poder dissipar (perder energia trmica para o ambiente sob a forma de calor) calor com
rapidez adequada, quando percorrido por corrente muito intensa. Ele ir se aquecer em
demasia o que o levar destruio total.
 13

A cada finalidade, prevendo-se as possveis intensidades de corrente que o atravessaro,

deve-se adotar um resistor de tamanho adequado (potncia adequada) para seu correto
funcionamento. Quanto maior o tamanho fsico de um resistor maior ser a potncia que
pode dissipar (sem usar outros artifcios).

A ilustrao abaixo mostra resistores de tamanhos diferentes:

O resistor de carvo mais comum nos circuitos de aprendizagem so os de 0,5W. Em mdia,

tais resistores, pelo seu tamanho, podem dissipar calor razo de 0,5 joules a cada segundo,
ou seja, tm potncia mxima de 0,5W.

Alguns tipos de resistores (cujo tamanho fsico no pode exceder umas dadas dimenses,
mesmo porque nem caberiam nas caixas que alojam o circuito) devem usar outros recursos
que permitam uma maior dissipao para os seus tamanhos.

Um dos recursos manter uma ventilao forada mediante ventiladores.

Outro, coloca-los no interior de uma cpsula de alumnio dotada de aletas. Estes

dispositivos so chamados de dissipadores.

Isso determina uma superfcie efetiva bem maior. Temos uma ilustrao dessa tcnica na
figura acima, para o resistor de 25 W..

1. Que valor de potncia recomendada para um resistor limitador de corrente de 680W , de

modo que o LED conectado em srie seja percorrido por corrente de 10 mA?

CAPITULO 1 - RETIFICADORES
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Introduo

Os circuitos retificadores de meia onda e onda completa fornecem uma tenso de sada
consistindo em uma srie de pulsos de mesmo sinal produzindo, assim, um fluxo de corrente
unidirecional atravs da carga. No entanto, muitos equipamentos de corrente contnua
necessitam de uma alimentao cuja variao no tempo seja to pequena quanto possvel.
Para eliminar essa limitao, adiciona-se um filtro na sada do circuito retificador comum,
como forma de minimizar as variaes no tempo dos nveis da tenso e da corrente de sada.

Este fascculo tratar das tcnicas normalmente empregadas na obteno da filtragem

do processo de retificao, com o objetivo de capacitar o leitor a empregar essas tcnicas na
construo de fontes com um maior grau de pureza na sada.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades contidas

neste fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

* Armazenamento de energia em capacitores.

* Retificao de meia onda.
* Retificao de onda completa.

Filtros em fontes de alimentao

A tenso contnua pura se caracteriza por ter uma nica polaridade e por um valor que
no varia ao longo do tempo, como mostrado no grfico da Fig.1.

Fig.1 Tenso puramente contnua como funo do tempo.

A tenso de sada produzida pelos circuitos retificadores, tanto de meia onda como de
onda completa, toma a forma de uma srie de pulsos. A Fig.2 mostra esse tipo de tenso de
sada para o caso do retificador de onda completa. Como pode ser a observado, embora os
pulsos de tenso sejam de mesma polaridade, existe uma variao no tempo do valor da
tenso de sada.
 15

Fig.2 Dependncia no tempo da tenso de sada de um retificador de

onda completa.
Salvo em algumas situaes, como por exemplo na sada dos carregadores de bateria
convencionais, a tenso pulsada fornecida pelos circuitos retificadores comuns no
apropriada para uso em circuitos mais sofisticados cuja operao demanda um alto grau de
pureza na tenso contnua de alimentao.

Essa deficincia presente no retificador comum resolvida pelo emprego de um filtro

conectado entre a sada do retificador e a carga, conforme ilustrado na Fig.3. O filtro atua no
sentido de aproximar a tenso na carga, tanto quanto possvel, da tenso contnua ideal, de
valor constante como mostrado no grfico da Fig.1.

Fig.3 Diagrama de blocos de um circuito retificador com filtro na sada.

O CAPACITOR COMO ELEMENTO DE FILTRAGEM

A capacidade de armazenamento de energia eltrica dos capacitores pode ser utilizada

como recurso para realizar um processo de filtragem na tenso de sada de um circuito
retificador. Essa filtragem realizada conectando-se o capacitor diretamente nos terminais
de sada do circuito retificador, como mostrado nos dois diagramas da Fig.4.

Fig.4 Circuitos retificadores de meia onda e onda completa com capacitor de sada.
Considere, por exemplo, a operao do retificador de meia onda com capacitor de
sada. Nos intervalos de tempo em que o diodo entra em regime de conduo, uma parte da
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corrente flui atravs da carga com a parte restante fluindo para o capacitor, como mostrado na
Fig.5.

Fig.5 Operao do retificador de meia onda com capacitor de sada

durante o regime de conduo.

Nesses intervalos de tempo, carga eltrica transferida da armadura conectada ao

ctodo do diodo para a segunda armadura do capacitor.

Nos intervalos de tempo em que o diodo opera no regime de bloqueio, o capacitor

inicia o processo de transferncia da carga eltrica da armadura negativa para a positiva. Com
o circuito retificador em bloqueio, no possvel a ocorrncia de um fluxo de corrente atravs
do circuito retificador. Consequentemente, a corrente produzida pela descarga do capacitor
flui atravs do resistor de carga, conforme ilustrado na Fig.6.

Fig.6 Operao do retificador de meia onda com capacitor de sada

durante o regime de bloqueio.

Por estar em paralelo com o capacitor, o resistor de carga fica sempre submetido
mesma diferena de potencial existente entre as armaduras do capacitor. medida que ocorre
a descarga do capacitor, a diferena de potencial entre as armaduras diminui, como mostrado
na Fig.7.

Fig.7 Tenso de sada do circuito retificador durante o processo de descarga do capacitor.

Esse processo de descarga continua at o momento em que a tenso na entrada atinje

um valor V1 suficiente para colocar o diodo novamente no regime de conduo, como
 17

mostrado na Fig.8. Este valor V1 exatamente igual tenso no capacitor aps um certo
intervalo de tempo de descarga. A partir desse instante de tempo, o nodo do diodo torna-se
positivo em relao ao ctodo, e a carga eltrica armazenada na armadura positiva do
capacitor comea novamente a aumentar.

Fig.8 Grfico da tenso de sada do retificador de meia onda com filtro capacitivo.
Observando-se o grfico da Fig.8, nota-se que o diodo permanece em conduo at o
instante em que a tenso de entrada atinge o valor mximo Vmx. Dessa forma, a colocao do
capacitor permite que a tenso de sada, embora varivel, permanea sempre prxima ao valor
mximo Vmx, obtendo-se efetivamente um aumento no valor mdio da tenso de sada.

O aumento no valor mdio da tenso no resistor de carga pode ser observado

comparando-se os grficos das tenses de sada do circuito retificador com e sem filtro
capacitivo, conforme ilustrado na Fig.9.

Fig.9 Comparao das tenses de sada do circuito retificador de meia onda com e
sem filtro capacitivo.

A colocao de um capacitor na sada de um circuito retificador aumenta o valor da

tenso mdia na carga.

TENSO DE ONDULAO

O capacitor na sada do circuito retificador sofre sucessivos processos de carga e

descarga. Nos perodos de conduo do diodo o capacitor sofre carga e sua tenso aumenta,
enquanto nos perodos de bloqueio o capacitor descarrega e sua tenso diminui.

Os intervalos de tempo t1 e t2 indicados na Fig.10 definem as duraes dos processos

de carga e descarga, respectivamente.
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t1 = intervalo de tempo do processo de carga do capacitor.

t2 = intervalo de tempo do processo de descarga do capacitor.

Fig.10 Definio dos tempos de carga e descarga do capacitor.

Como se pode observar no grfico da Fig.11, a tenso de sada no assume o valor

constante caracterstico de uma tenso puramente contnua, variando no tempo entre os
valores extremos V1 e Vmx. Essa variao na tenso de sada denominada de ondulao,
termo derivado do ingls ripple.

Fig.11 Ondulao na tenso de sada do circuito retificador de meia onda com filtro
capacitivo.

Ondulao ou ripple, a variao observada na tenso de sada do circuito

retificador com filtro capacitivo.

A diferena entre os valores Vmx e V1 definida como a tenso de ondulao Vond.

Este parmetro, definido no grfico da Fig.12, assume a expresso matemtica,

Vond Vmx V1 (1)

Fig.12 Tenso de ondulao na sada do retificador de meia onda com filtro

capacitivo.
 19

A tenso de ondulao de uma fonte retificada uma medida da componente

alternada presente na sada da fonte. O valor dessa componente alternada serve como
parmetro de avaliao da qualidade de um circuito retificador.

Quanto menor o valor da componente alternada presente na sada de uma fonte

retificadora melhor sua qualidade.

FATORES QUE INFLUENCIAM A ONDULAO

A ondulao na sada de um circuito retificador depende fundamentalmente dos trs

fatores descritos a seguir.

Capacidade de armazenamento do capacitor

A capacidade de armazenamento de um capacitor proporcional ao valor de sua

capacitncia. Fixado o valor da resistncia de carga, um maior valor da capacitncia implica
um processo de descarga mais lento e, consequentemente, uma menor tenso de ondulao.

Resistncia de carga

Quanto maior for o valor da resistncia de carga, menor ser a corrente suprida pelo
capacitor durante o processo de descarga. Dessa forma, a carga eltrica armazenada na
armadura positiva do capacitor diminui mais lentamente na descarga, resultando em uma
menor tenso de ondulao.

Tipo de circuito retificador

Fixados os valores da resistncia de carga e da capacitncia do circuito retificador, a

tenso de ondulao fica dependente apenas do tipo de circuito retificador. Como mostrado
na Fig.13, no circuito retificador de onda completa o capacitor carregado duas vezes a cada
ciclo da tenso de entrada. Esse tipo de circuito opera, portanto, com a metade do tempo do
retificador de meia onda, exibindo assim uma menor tenso de ondulao.
 20

Fig.13 Grficos das tenses no capacitor de sada dos retificadores de onda completa e de
meia onda.

TENSO DE SADA NO RETIFICADOR COM FILTRO CAPACITIVO

A tenso mdia Vcc no capacitor de sada de um circuito retificador de onda completa

ou de meia onda pode ser calculada a partir da expresso

Vond
Vcc Vmx (2)
2
onde Vmx o valor mximo da tenso de entrada, que relacionada ao valor ca por

Vcc 2 Vca (3)

e Vond a tenso de ondulao j definida anteriormente.

Na ausncia de um resistor de carga, ou equivalentemente com a sada em aberto, o

capacitor nunca descarrega. Nessas condies, Vond = 0 e da Eq.(2), tem-se que

Vcc Vmx 2 Vca

A tenso de sada nesse caso assume a forma mostrada no grfico da Fig.14, tanto para
o retificador de onda completa quanto para o de meia onda.
 21

Fig.14 Tenses de sada dos retificadores de onda completa e meia onda, na ausncia de
carga.

Na ausncia de um resistor de carga, as tenses de sada dos circuitos retificadores

de meia onda e de onda completa com filtro capacitivo no variam no tempo.
O exemplo seguinte ilustra o comportamento da tenso de sada de um circuito
retificador de meia onda com filtro como funo do resistor de carga.

Exemplo 1: Analisar o comportamento de um circuito retificador de meia onda: (a) Na

ausncia de um resistor de carga e (b) na presena de um resistor de carga que provoque uma
tenso de ondulao de 3V.

Fig.15 Circuito retificador para o Exemplo 1.

Com base na Fig.15, na ausncia de um resistor de carga, a tenso de sada

constante, sendo dada por

Vcc 2 Vca

Com Vca =15 V obtm-se,

Vcc 2 15 21,2 V

Esse comportamento pode ser observado conectando-se um osciloscpio em modo dc

na sada da fonte retificadora. A forma de onda observada seria constante conforme mostrado
na Fig.16.
 22

Fig.16 Forma de onda de sada para o circuito retificador da Fig.15.

(b) Com um resistor na sada, conforme mostrado na Fig.17, aparece uma ondulao na
tenso de sada. Admitindo-se que a tenso de ondulao seja Vond = 3 V, o uso da Eq.(2)
fornece

3
Vcc 15 2 21,2 1,5
2
Vcc 19,7 V

Fig.17 Circuito retificador conectado a uma

carga.

A tenso cc na sada diminui portanto de 1,5 V devido presena do resistor de carga.

A forma de onda da sada, observada na tela do osciloscpio, operando em modo dc,

seria aquela mostrada na Fig.18.

Fig.18 Forma de onda de sada para o circuito retificador da Fig.17.

OBSERVAO DA ONDULAO COM OSCILOSCPIO

A ondulao uma componente alternada presente na tenso de sada de uma fonte

retificadora com filtro capacitivo conectado a um resistor de carga. Em situaes de interesse
prtico, o valor da tenso de ondulao normalmente inferior a 10% do valor Vcc. Com esse
valor reduzido, torna-se difcil a medio precisa da tenso de ondulao por intermdio de
um osciloscpio que esteja operando em modo dc.
Para obter uma medida precisa do parmetro Vond, deve-se utilizar o osciloscpio no
modo ac, pois elimina-se a componente cc na sada da fonte retificadora, possibilitando que
apenas a componente alternada seja visualizada na tela do osciloscpio.

A Fig.19 ilustra o que se observa na tela de um osciloscpio conectado sada de uma

fonte retificadora com filtro capacitivo operando nos modos dc e ac. Note-se que para
operao no modo ac, o ganho vertical pode ser aumentado de forma a permitir uma
caracterizao precisa da ondulao da fonte retificadora.
 23

Fig.19 Tenso no capacitor de sada de uma fonte retificadora observada na tela de um

osciloscpio operando nos modos dc e ac.

Para medir com preciso o valor da tenso de ondulao no capacitor de sada de

uma fonte retificadora, deve-se utilizar o modo de operao ac do osciloscpio.

ESPECIFICAO DO FILTRO CAPACITIVO

De acordo com a Eq.(2), a tenso no capacitor de sada de uma fonte retificadora

depende da tenso de ondulao. Esta, por sua vez, depende do tipo de circuito retificador, do
valor da capacitncia do filtro e do resistor de carga ou equivalentemente da corrente na
carga. Essa dependncia torna difcil a obteno de uma expresso exata que possibilite a
determinao da capacitncia do filtro para operao em um valor Vcc pr-especificado.

Entretanto, devido grande tolerncia nos valores de capacitncia dos capacitores

eletrolticos, que pode chegar a 50% do valor nominal, pode-se formular uma expresso
simplificada para obteno de um valor adequado da capacitncia do filtro. Essa expresso
pode ser utilizada no projeto do filtro capacitivo, sem introduzir erro significativo em
situaes em que a tenso de ondulao seja inferior a 20% do valor Vcc . Nessas condies, a
capacitncia do filtro pode ser obtida da expresso
I mx
C T (4)
Vond
onde:

Vond Tenso de ondulao medida em Volts

Imx Corrente mxima na carga em mA
T Perodo aproximado da descarga do capacitor
C = Valor da capacitncia do filtro em F
Para uma frequncia ac de 60 Hz utiliza-se :
T = 16,6 ms para um retificador de meia onda
T = 8,33 ms para um retificador de onda completa
A seguir so apresentados dois exemplos de dimensionamento do filtro capacitivo com
o emprego da Eq.(4).
 24

EXEMPLO 2: Deseja-se montar uma fonte retificadora de meia onda com tenso de sada de
12V, corrente de 150mA, e com ondulao de 2V. Assumindo a frequncia da rede eltrica de
60 Hz, determinar a capacitncia.

Utilizando T = 16,6 ms, Imx = 150 mA e Vond = 2 V, o uso da Eq.(4) fornece

150
C 16,6 C 1245 F
2

EXEMPLO 3: Repetir o Exemplo 2 para o caso de um circuito de onda completa.

Neste caso, utiliza-se na Eq.(4) o valor T = 8,33 ms, que fornece

150
C 8,33 C 625 F
2
Ao se projetar uma fonte retificadora, alm do valor da capacitncia do filtro, deve-se,
tambm, especificar sua tenso de isolao. A tenso de isolao deve ser sempre superior ao
maior valor da tenso de operao do capacitor.

FILTRO CAPACITIVO IDEAL

O filtro capacitivo ideal seria aquele que possibilitasse a obteno de uma tenso de
sada no ondulada. Certamente este tipo de capacitor deveria exibir uma capacidade de
armazenamento de carga eltrica elevadssima para poder manter a tenso de sada
absolutamente constante. Nota-se, portanto, que a utilizao prtica de um filtro capacitivo
que produza pequena ondulao na sada requer uma certa ponderao:

Diminuir o percentual de ondulao implica no uso de filtros de alta capacitncia,

que alm de serem mais volumosos, aumentam o custo do projeto.

Na prtica, os filtros capacitivos normalmente utilizados na construo de fontes

retificadoras so do tipo eletroltico, pois esse tipo de filtro apresenta um alto valor de
capacitncia por unidade de volume.

Vale tambm observar que, se a tenso de ondulao de uma fonte retificadora

elevada demais para alimentao de um determinado equipamento, utilizam-se normalmente
circuitos eletrnicos destinados especificamente regulao da tenso de alimentao,
evitando, assim, a necessidade de alterao do filtro capacitivo.
Apndice

QUESTIONRIO
1. Qual o objetivo de utilizao de um filtro na sada de um retificador?
2. O que ocorre com a tenso mdia na carga quando se coloca um capacitor em paralelo
com a sada de um retificador?
3. O que ondulao?
4. Qual a relao entre ondulao e qualidade de uma fonte retificadora?
 25

5. Que fatores influenciam a ondulao?

6. Qual a tenso mdia na sada de um retificador de meia onda, com filtro, submetido a uma
tenso de entrada com Vmx = 10 V para uma tenso de ondulao de 1 V?
7. Que modo de operao deve ser utilizado em um osciloscpio para medio precisa da
tenso de ondulao na sada de uma fonte retificadora com filtro?
8. Por que se utilizam capacitores eletrolticos na construo de fontes retificadoras?

DIODO EMISSOR DE LUZ - LED

Introduo

A maioria dos aparelhos eletrnicos faz uso de mostradores luminosos que so

empregados para indicar, por exemplo, se um equipamento est ligado ou desligado; ou
mesmo para exibir valores numricos ou mensagens em painis de calculadoras eletrnicas,
telefones celulares etc. Esses mostradores luminosos so fabricados com base nas
propriedades pticas de alguns materiais semicondutores que podem emitir luz quando
polarizados adequadamente. O componente que fabricado com essas caractersticas
denominado de LED. Essa sigla a abreviao do termo ingls Light Emitting Diode, ou
Diodo Emissor de Luz, na lngua portuguesa.

Este fascculo tratar das principais caractersticas e do princpio de funcionamento do

diodo emissor de luz, com o objetivo de capacitar o leitor a utilizar esse componente em suas
atividades.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades contidas

neste fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

* Diodo semicondutor.

Diodo emissor de luz

O diodo emissor de luz um tipo especial de juno semicondutora que emite luz
quando diretamente polarizada. A sigla LED surgida do termo ingls Light Emitting Diode,
a denominao amplamente utilizada nas referncias a esse componente.

A forma adotada para se representar o LED em diagramas de circuito essa mostrada

na Fig.1.

Fig.1 Representao de circuito de um diodo emissor de luz.

LEDs so encapsulados nas mais diversas configuraes, algumas das quais esto
ilustradas na Fig.2.
 26

Fig.2 Alguns encapsulamentos tpicos de LEDs.

O ctodo do LED pode ser identificado como sendo o terminal localizado prximo ao
corte lateral na base do encapsulamento, conforme indicado na Fig.3.

Fig.3 Identificao do ctodo de um tipo comum de LED.

LEDs so largamente utilizados como mostradores luminosos em uma variedade de

equipamentos eletro/eletrnicos, em dispositivos de controle remoto, em sensores de alarmes
residenciais ou industriais, ou mesmo como fontes de luz em sistemas de comunicaes
pticas.

Dentre as caractersticas principais do diodo emissor de luz, pode-se destacar:

Baixo consumo de energia.
Imunidade a vibraes mecnicas.
Pequenas dimenses.
Alta durabilidade.
PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

Como ilustrado na Fig.4, quando o diodo emissor de luz

polarizado diretamente, entra em conduo, permitindo a circulao
de corrente.

A corrente atravs do LED se processa atravs da injeo de

lacunas provenientes do lado p e de eltrons, do lado n da juno.
Dessa forma, uma grande quantidade de eltrons e lacunas coexistem
em uma estreita regio nas proximidades da juno.

Fig.4 Diodo emissor de luz no regime de conduo.

 27

A coexistncia de eltrons e lacunas possibilita a

ocorrncia de processos de recombinao eltron/lacuna.
Recombinao o nome que se d ao processo de captura de
eltrons por lacunas existentes nas ligaes entre tomos do
cristal semicondutor. Nesse processo, o eltron libera energia na
forma de um fton de luz, conforme ilustrado na Fig.5.

Fig.5 Emisso de ftons por processos de recombinao na juno pn.

PARMETROS CARACTERSTICOS DO LED

A seguir so apresentados alguns dos parmetros de especificao de um LED.

CORRENTE DIRETA NOMINAL

A corrente direta nominal, denotada pelo parmetro IF o valor de corrente de

conduo especificado pelo fabricante para o qual o LED apresenta um rendimento luminoso
timo. Esse valor tipicamente 20mA para LEDs disponveis comercialmente.

CORRENTE DIRETA MXIMA

A corrente direta mxima, denotada pelo parmetro IFM, corresponde ao valor mximo
da corrente de conduo que pode fluir atravs do LED, sem que este venha a sofrer ruptura
estrutural.

TENSO DIRETA NOMINAL

A tenso direta nominal, denotada pelo parmetro VF a

especificao fornecida pelo fabricante para a queda da tenso tpica atravs
do LED quando a corrente de conduo atinge o valor nominal IF , como
ilustrado na Fig.6.

Fig.6 Queda de tenso e corrente nominais em um LED.

TENSO INVERSA MXIMA

A tenso inversa mxima, denotada pelo parmetro VR, a especificao para o valor
mximo da tenso inversa que pode ser aplicada ao LED sem que este venha a sofrer ruptura.
A tenso inversa mxima em LEDs comerciais tipicamente da ordem de 5V.

A Tabela 1 lista as caractersticas de alguns LEDs disponveis comercialmente.

 28

Tabela 1 Parmetros caractersticos de alguns LEDs comerciais.

LED Cor VF (IF = 20mA) IF mx

LD 30C vermelho 1,6V 100mA
LD 37I verde 2,4V 60mA
LD 35I amarelo 2,4V 60mA

O diodo emissor de luz pode ser testado seguindo o mesmo procedimento de teste do
diodo comum; ou seja, com o emprego de um multmetro selecionado para medio de
resistncia. O painel do instrumento deve indicar valores de alta e baixa resistncia ao se
alternar a posio dos terminais de conexo do multmetro aos terminais do LED. Geralmente
o LED acende durante o teste com polarizao direta.

OUTROS TIPOS DE LEDs

LED BICOLOR

O LED bicolor consiste essencialmente de dois

LEDs colocados em um nico encapsulamento,
conforme ilustrado na Fig.7. Esse dispositivo tem trs
terminais, um dos quais comum a ambos os LEDs do
encapsulamento. A cor da luz emitida pode ser
selecionada alimentando-se o par de terminais
referente a essa cor.

Fig.7 LED bicolor e representao de circuito das conexes eltricas.

LED INFRAVERMELHO

Existem LEDs que emitem luz no infravermelho, que uma forma de radiao
invisvel ao olho humano. Apesar de no se poder observar a luz emitida de um LED
infravermelho, esse dispositivo apresenta o mesmo princpio de funcionamento dos LEDs
convencionais.
LEDs infravermelhos so utilizados principalmente em alarmes residenciais e
industriais, em dispositivos de controle remoto e em sistemas de comunicaes pticas.

UTILIZAO DO LED

O emprego do LED em
tenses contnuas exige a fixao da
sua corrente direta nominal. A
limitao da corrente pode ser feita
atravs de um resistor conectado em
srie com o LED.

A Fig.8 ilustra o diagrama de

um circuito retificador de onda
 29

completa que utiliza um LED como indicador de fornecimento da tenso de sada do circuito.

Fig.8 Circuito retificador de onda completa com LED indicador da tenso cc.
O valor de resistncia do resistor limitador pode ser obtido da expresso

Vcc VB
Rlim (1)
IF
onde
Vcc = tenso de sada da fonte.
VF = tenso nominal de conduo do LED.
IF = corrente nominal de conduo do LED.

EXEMPLO 1: Determinar a resistncia do resistor limitador para uma fonte que fornece uma
tenso cc de 10 V, para utilizao de um LED LD30C, como mostrador luminoso.

Da segunda linha da Tabela 1, tem-se que

VF = 1,6 V , IF = 20 mA
Utilizando o valor Vcc=10 V da Tabela 1, resulta,
10 1,6 8,4
Rlim
0,02 0,02

Rlim = 420
Nessas condies, a potncia dissipada no resistor seria,

P = (Vcc - VB ) IF = (10 1,6) 0,02 = 8,4 0,02

P = 168 Mw

DIODO ZENER

A maior aplicao do diodo Zener reside na regulao de tenso de sada de fontes de

alimentao. Atravs da utilizao do diodo Zener, em conjunto com um resistor, pode-se
conseguir que uma fonte de alimentao fornea tenso praticamente constante carga.

Este fascculo faz uma descrio do princpio de funcionamento de um circuito

regulador de tenso com diodo Zener, fornecendo informaes indispensveis para que o
leitor adquira o conhecimento necessrio montagem, reparo e teste de fontes de cc
reguladas.
 30

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades contidas

neste fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

Diodo Zener.

O diodo Zener como regulador de tenso

O comportamento do diodo Zener na regio de ruptura permite a montagem de

circuitos reguladores de tenso, a partir de fontes que forneam tenses onduladas, incluindo
situaes em que a carga apresente um consumo varivel. Um diagrama representativo de um
circuito regulador de tenso a diodo Zener na sada de uma fonte de alimentao ilustrado
na Fig.1.

Fig.1 Diagrama de blocos e formas de onda associadas aos trs estgios de uma fonte de
alimentao regulada a diodo Zener.

Para que o diodo Zener opere

adequadamente como regulador de tenso
necessrio introduzir um resistor que limite a
corrente inversa atravs do diodo a um nvel
inferior ao valor mximo especificado pelo
fabricante, conforme indicado na Fig.2. Como pode
ser a observado, o diodo deve ser conectado em
paralelo com a carga, que fica assim submetida mesma tenso existente entre os terminais
do Zener.

Fig.2 Diagrama de um circuito regulador a diodo Zener, com um resistor

limitador de corrente.

FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO REGULADOR

 31

O circuito regulador com diodo Zener deve ser alimentado na entrada com uma tenso pelo
menos 40% superior ao valor da tenso Zener, para que possa efetuar adequadamente a regulao. Por
exemplo, se a tenso regulada for especificada com um valor de 6V o circuito regulador deve utilizar
um diodo Zener com VZ = 6V e ser alimentado com uma tenso de entrada de pelo menos 8,5V, como
mostra a Fig.3.

Fig.3 Um possvel diagrama de circuito para obteno de uma sada regulada de 6V.

Com base no diagrama de circuito mostrado na Fig.4, a corrente atravs do resistor limitador
dada pela soma
Is I z I R (1)
onde:

Is = corrente atravs do resistor Rs;

Iz = corrente inversa no diodo Zener;
IR = corrente de carga.

Fig.4 Correntes atravs dos elementos do circuito da Fig.3.

Com o diodo Zener operando na regio de ruptura, a corrente atravs do resistor

limitador tal que a queda de tenso se torna

Vs = Vent Vz (2)

onde:

Vs = queda de tenso no resistor limitador.

Vent = tenso de entrada.

Existem trs possibilidades de variao nas condies de operao da fonte regulada:

Variaes no nvel de tenso de entrada.

Variaes na corrente de carga.
Variaes no nvel de tenso de entrada e na corrente de carga.

A operao do circuito regulador mediante essas condies analisada a seguir.

 32

VARIAES NO NVEL DE TENSO DE ENTRADA

Esta situao muito comum em circuitos eletrnicos alimentados pela rede eltrica
ca, como resultado da ondulao na tenso cc obtida a partir do processo de retificao com
ou sem filtro capacitivo de sada. O comportamento do circuito regulador operando sob estas
condies discutido a seguir.

Acrscimo no nvel de tenso de entrada

Quando ocorre um acrscimo no nvel da tenso de entrada, esse aumento

normalmente tenderia a ser transferido diretamente para a carga. Entretanto, o diodo Zener
estando em paralelo com a carga mantm a tenso de sada constante.

A Fig.5a mostra o circuito regulador submetido a um acrscimo na tenso de entrada

que varia de um valor Vent(t1) at um valor Vent(t2) entre os instantes de tempo t1 e t2, de
acordo com o grfico da Fig.5b. A este aumento de tenso deve corresponder um aumento de
corrente no circuito.

Fig.5 (a) Circuito regulador a diodo Zener, com o grfico ilustrativo do aumento na tenso
de entrada em (b) e o aumento correspondente na corrente atravs do diodo em (c).

O aumento de corrente no circuito ocorre exclusivamente atravs do diodo Zener,

conforme se pode verificar a partir da curva caracterstica mostrada na Fig.5c. Como pode ser
a observado, a corrente atravs do diodo que no instante t1 valia Iz(t1), aumenta para um
valor Iz(t2). Isso faz que a tenso atravs do diodo aumente do valor Vz(t1) para o valor
Vz(t2). No entanto, como a regio de ruptura na curva caracterstica praticamente vertical, a
variao na tenso Zener muito pequena, fazendo que a tenso na carga permanea
praticamente constante.
 33

Pela Eq.(1), um aumento no valor da corrente Iz provoca um aumento na corrente Is

atravs do resistor limitador. Esse aumento de corrente provoca um aumento na queda de
tenso Vs atravs do resistor. Como a tenso Zener se mantm praticamente constante,
conclui-se que o aumento no valor da tenso de entrada totalmente aplicado entre os
terminais do resistor limitador.

Decrscimo no nvel de tenso de entrada

A Fig.6a mostra o grfico da tenso de entrada quando esta diminui de um valor

Vent(t1) at um valor Vent(t2). Nessa
situao a corrente no circuito tende
a diminuir.

De acordo com o que foi

discutido anteriormente, essa
variao de corrente ocorre
exclusivamente atravs do diodo
Zener, conforme se pode verificar a
partir de um exame da curva
caracterstica mostrada na Fig.6b. A queda de tenso atravs do diodo, e por conseqncia
atravs da carga, sofre um decrscimo praticamente desprezvel devido caracterstica
vertical da curva da Fig.6b na regio de ruptura.

Fig.6 (a) Grfico ilustrativo do decrscimo da tenso de entrada provocando um decrscimo

correspondente na corrente atravs do diodo Zener em (b).

Como a tenso Zener se mantm praticamente constante, conclui-se que o decrscimo

no nvel da tenso de entrada totalmente aplicado entre os terminais do resistor limitador.

A partir dessa anlise pode-se extrair a seguinte concluso, ilustrada diagramaticamente na

Fig.7:

Fig.7 Comportamento do circuito regulador mediante variaes no nvel de tenso de

entrada.

Qualquer variao no nvel da tenso de entrada diretamente transferida para o

resistor limitador. A variao de corrente no resistor limitador ocorre exclusivamente
 34

devido variao de corrente atravs do diodo Zener, que dessa forma mantm a tenso e a
corrente na carga constantes.

VARIAO NA CORRENTE DE CARGA

Devido caracterstica no ideal dos filtros capacitivos, a tenso de ondulao na

sada de uma fonte retificadora influenciada pelo valor da corrente consumida pela carga.

O diodo Zener, quando utilizado

em um circuito regulador, possibilita que
a tenso de sada permanea
praticamente invarivel
independentemente do consumo de
corrente pela carga.
Para o circuito representado na
Fig.8, admitindo-se que a tenso de entrada seja constante e que o diodo Zener esteja
operando na regio de ruptura, a Eq.(2) indica que a queda de tenso sobre o resistor
limitador constante.

Fig.8 Circuito regulado a diodo Zener.

A corrente atravs do resistor limitador pode ser obtida da expresso

Vent Vz
Is (3)
Rs

com o numerador da Eq.(3) representando a queda de tenso no resistor Rs. Dessa forma, a
corrente Is permanece constante.

Da Eq.(1), reproduzida a seguir,

Is = Iz + IR (1)

nota-se que, como a soma das correntes no segundo membro constante, ento:

IR Iz

IR Iz

A partir das relaes representadas no diagrama anterior pode-se extrair a seguinte

concluso:

Para uma tenso de entrada constante, qualquer variao na corrente atravs da

carga compensada por uma variao oposta na corrente atravs do diodo Zener, de forma
a manter a tenso na carga praticamente constante.
 35

VARIAES NO NVEL DE TENSO DE ENTRADA E NA CORRENTE DE

CARGA

Na maioria dos casos os circuitos reguladores esto sujeitos a variaes simultneas de

tenso de entrada e de corrente de carga. Essas variaes se traduzem como variaes de
tenso e corrente nos elementos do circuito regulador, que obedecem aos dois princpios
seguintes:
Variaes na tenso de entrada so transferidas diretamente para o resistor limitador.
Variaes na corrente de carga so compensadas por variaes opostas de corrente no
diodo Zener.

Esses dois princpios esto representados diagramaticamente na Fig.9.

Fig.9 Comportamento de um circuito regulado a diodo Zener mediante variaes nas

condies de operao.
FONTE DE ALIMENTAO COM TENSO DE SADA REGULADA A DIODO
ZENER

Uma fonte de alimentao com tenso de sada regulada a diodo Zener se compe
basicamente dos trs blocos representados na Fig.10.

Fig.10 Diagrama de blocos representativo de uma fonte de alimentao regulada a diodo

Zener.

Os blocos do diagrama da Fig.10 realizam as seguintes funes:

Retificao: A tenso ca da rede eltrica transformada em cc pulsada.

Filtragem: A tenso cc pulsada filtrada, fornecendo uma sada ondulada prxima
tenso cc ideal.
Regulao: A tenso cc ondulada transformada em uma tenso cc praticamente
constante, como mostrado na Fig.11.
 36

Fig.11 Efeito do bloco regulador sobre a forma de tenso ondulada existente na sada do
filtro de um circuito retificador.

A Fig.12 ilustra o aspecto de uma placa de

circuito impresso configurada para implementao de
uma fonte cc com tenso de sada regulada a diodo
Zener, e os blocos correspondentes ao diagrama da
Fig.10. O reparo ou teste de um circuito desse tipo pode
ser realizado com base no fluxograma mostrado na
Fig.13.

Fig.12 Placa de circuito impresso de uma fonte cc regulada a diodo Zener.

 37

Fig.13 Fluxograma utilizado para o reparo ou teste de uma

fonte cc regulada a diodo Zener.

TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR - TJB

O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo de cristais semicondutores, capaz

de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de
sinais ou como chave eletrnica.
 38

Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra uma ampla gama de aplicaes,
como por exemplo:

Amplificador de sinais: Equipamentos de som e imagem e controle industrial.

Chave eletrnica: Controle industrial, calculadoras e computadores eletrnicos.

O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento da

eletrnica, devido a sua versatilidade de aplicao, constituindo-
se em elemento chave em grande parte dos equipamentos
eletrnicos.

A estrutura bsica do transistor se compe de duas camadas de

material semicondutor, de mesmo tipo de dopagem, entre as
quais inserida uma terceira camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo
de dopagem distinto dos outros dois, formando uma configurao semelhante de um
sanduche, conforme ilustrado na Fig.1.

Como mostrado na Fig.2, a configurao da estrutura, em

forma de sanduche, permite que se obtenham dois tipos
distintos de transistor:
Um com as camadas externas de material tipo p e com a
camada central formada de um material tipo n. Esse tipo
de transistor denominado de transistor bipolar pnp.
Outro com as camadas externas de material tipo n e com
a camada central formada com um material tipo p. Esse tipo de transistor denominado de
transistor bipolar npn.

Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funes diferindo apenas na forma
como as fontes de alimentao so conectadas aos terminais do componente.

O transistor bipolar pode se apresentar em duas configuraes: pnp e npn.

Terminais do Transistor

Como mostrado na Fig.3, cada uma das camadas que

formam o transistor conectada a um terminal que
permite a interligao da estrutura do componente aos
circuitos eletrnicos.

Fig.3 Estrutura bsica de um transistor de trs terminais.

Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das camadas:
 39

A camada central denominada de base, sendo representada pela letra B.

Uma das camadas externas denominada de coletor, sendo representada pela letra C.
A outra camada externa denominada de emissor, sendo representada pela letra E.

A Fig.4 mostra os dois tipos de transistor, com a identificao dos terminais.

Fig.4 Transistores pnp e npn com a identificao dos terminais.

O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor.

A Fig.4 mostra os dois tipos de transistor, com a identificao dos terminais.

Embora as camadas referentes ao coletor e ao emissor de um transistor tenham o mesmo tipo
de dopagem, elas diferem em dimenso geomtrica e no grau de dopagem, realizando
portanto funes distintas quando o componente conectado a um circuito eletrnico.

SIMBOLOGIA

Alguns transistores so dotados de blindagem. Essa blindagem

consiste de um encapsulamento metlico envolvendo a estrutura
semicondutora, com o fim de evitar que o funcionamento do
componente seja afetado por campos eletromagnticos no ambiente.
Esses transistores apresentam um quarto terminal, ligado
blindagem para que esta possa ser conectada ao terra do circuito
eletrnico. A representao de circuito desses transistores est
ilustrada na Fig.6.

Fig.6 Representao de circuito de um transistor blindado.

ASPECTO REAL DOS TRANSISTORES

Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que variam em funo do

fabricante, do tipo de aplicao e da capacidade de dissipar calor. A Fig.7 ilustra os aspectos
de alguns encapsulamentos.
 40

Fig.7 Encapsulamentos tpicos de um transistor.

Devido variedade de configuraes, a identificao dos terminais de um transistor deve
sempre ser feita com auxlio do folheto de especificaes tcnicas do componente.

TESTE DE TRANSISTORES

Existem instrumentos sofisticados destinados especificamente ao teste das condies de

operao de um transistor. No entanto, o uso de um multmetro tambm permite detectar
possveis defeitos no componente.
Como no teste de diodos com o uso de um multmetro, o teste de transistores pode no
fornecer um resultado definitivo, e o uso do multmetro serve apenas para detectar os defeitos
mais comuns nos transistores e diodos.

No caso do diodo, so os seguintes os defeitos de deteco imediata com o uso de um

multmetro:

Juno pn em curto.
Juno pn em aberto.

Como descrito em fascculos anteriores, o teste de qualquer juno pn com o uso de um

multmetro feito em duas etapas:

Etapa 1: Realiza-se inicialmente a identificao da polaridade real das pontas de prova do

multmetro.
Etapa 2: Aps a identificao de polaridade, realiza-se o teste do diodo, que consiste em
detectar a existncia de baixa e alta resistncias ao se intercambiarem os dois contatos entre as
pontas de prova e os terminais da juno pn.

Conforme ilustrado na Fig.8, a estrutura de um transistor consiste em uma juno pn entre a

base e o coletor e de uma segunda juno pn entre a base e o emissor.

Fig.8 Junes pn do transistor npn em (a) e do transistor pnp em (b).

Portanto, para a deteco de defeitos, o transistor pode ser considerado como composto de
dois diodos conectados nas formas ilustradas na Fig.9.
 41

Fig.9 Representao de transistores npn e pnp por diodos equivalentes.

A deteco de defeitos no transistor consiste em verificar a existncia de curto ou de circuito

aberto entre os pares de terminais BC, BE e CE.

TESTE COM O USO DO MULTMETRO

O procedimento de teste das junes base-coletor e base-emissor descrito a seguir tomando

como exemplo o caso de um transistor npn.

DETECO DE DESCONTINUIDADES NAS JUNES

Com o potencial positivo da ponta de prova aplicado base do transistor e o potencial

negativo aplicado ao coletor ou ao emissor, como ilustrado na Fig.10, as junes
correspondentes ficam polarizadas diretamente.

Na ausncia de defeitos, o instrumento dever indicar baixa resistncia das junes BC e BE.
Se houver uma juno em aberto, o instrumento fornecer a indicao de uma resistncia
altssima quando essa juno estiver sendo testada.

Fig.10 Deteco de descontinuidades nas junes BC e BE de um transistor npn.

DETECO DE CURTOS NAS JUNES

Para este teste as pontas de prova devem ser

conectadas conforme mostrado na Fig.11.
Com a ponta de prova negativa conectada
base, a segunda ponta de prova polariza
inversamente a juno BC ou BE. Na
ausncia de defeitos, o multmetro dever
fornecer a indicao de altas resistncias nas
junes. Se houver uma juno em curto o
instrumento indicar uma baixa resistncia naquela juno.
 42

Fig.11 Teste para deteco de curtos nas junes BC e BE de um transistor npn.

DETECO DE CURTO-CIRCUITO ENTRE COLETOR E EMISSOR

Para completar os testes deve-se ainda

verificar a condio eltrica entre os
terminais do coletor e do emissor.

Com o terminal da base em aberto, o

circuito equivalente entre os terminais
B e C corresponde a dois diodos em
srie conectados inversamente. Dessa
forma o multmetro dever fornecer
uma indicao de altssima resistncia para as duas possibilidades de conexo das pontas de
prova mostradas na Fig.12.

Fig.12 Teste para deteco de curto-circuito entre os terminais C e E de um transistor npn.

Para o caso de um transistor pnp os testes podem ser conduzidos seguindo o procedimento
descrito anteriormente, exceto que as pontas de prova devem ser invertidas com relao s
configuraes ilustradas nas Figs.10 a 12.

Todos os testes devem ser realizados com o seletor do multmetro posicionado na escala
R10 ou R100 e com o transistor desconectado de qualquer circuito externo.

Os testes realizados com multmetro no permitem detectar alteraes nas caractersticas

do transistor. Mesmo que o multmetro no detecte defeitos, existe ainda a possibilidade de
que existam alteraes nas caractersticas do transistor que o tornem imprprio para uso
em circuitos.

Apndice
QUESTIONRIO
1. Qual a estrutura bsica de um transistor bipolar?
2. Quais so as configuraes de um transistor?
3. Desenhe os smbolos possveis de um transistor e identifique os seus terminais.
4. Quais defeitos podem ser identificados em um transistor com o uso de um multmetro?
5. Descreva os procedimentos de execuo dos testes identificados na questo anterior.

POLARIZAO DOS TRANSISTORES

O transistor desempenha um papel fundamental na eletrnica. A partir da sua descoberta o

desenvolvimento da eletrnica tem se tornado cada vez mais rpido. Hoje, na era dos
computadores, o transistor ainda tem lugar de destaque e suas aplicaes se estendem a
milhares de circuitos com as mais diversas finalidades.
 43

Este fascculo tratar do princpio de funcionamento do transistor bipolar, fornecendo

informaes indispensveis para que o leitor esteja capacitado a montar e reparar circuitos
transistorizados. Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades
contidas neste fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

Diodo semicondutor.
Transistor bipolar: estrutura bsica e testes.

Princpio de operao

Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura de um transistor

necessrio aplicar tenses entre os seus terminais. O movimento dos eltrons livres e lacunas
est intimamente relacionado polaridade da tenso aplicada a cada par de terminais do
transistor, como descrito a seguir.

OPERAO DO TRANSISTOR NA REGIO ATIVA

A estrutura fsica do transistor propicia

a formao de duas junes pn, conforme
ilustrado na Fig.1:
Uma juno pn entre o cristal da base e
o cristal do emissor, chamada de juno base-
emissor.
Uma juno pn entre o cristal da base e
o cristal do coletor, chamada de juno base-
coletor.

Fig.1 Junes base-coletor e base-emissor em um transistor.

A formao das duas junes no transistor faz que ocorra um processo de difuso dos
portadores. Como no caso do diodo, esse
processo de difuso d origem a uma barreira de
potencial em cada juno.

No transistor, portanto, existem duas barreiras

de potencial, mostradas na Fig.2, que se formam
a partir da juno dos cristais semicondutores:

A barreira de potencial na juno base-emissor.

A barreira de potencial na juno base-coletor.

Fig.2 Barreiras de potencial formadas nas duas junes de um transistor.

 44

As caractersticas normais de polarizao dos terminais do transistor so sumarizadas a seguir.

JUNO BASE-EMISSOR

Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento na regio ativa, a

juno base-emissor fica polarizada diretamente, conforme ilustrado na Fig.3.

Fig.3 Polarizao da juno base-emissor de transistores pnp e npn para operao na regio
ativa.

A conduo atravs da juno base-emissor provocada pela aplicao de uma tenso

externa entre a base e o emissor, com polarizao direta, ou seja, com o material tipo p tendo
polarizao positiva com relao ao material tipo n.

Na regio ativa a juno base-emissor de um transistor fica diretamente polarizada.

JUNO BASE-COLETOR
Para operao na regio ativa, a juno base-coletor fica polarizada inversamente, ou
seja, com o material tipo p polarizado negativamente em relao ao material tipo n, conforme
mostrado na Fig.4.
Na regio ativa a juno base-coletor de um transistor fica inversamente polarizada.

Fig.4 Polarizao da juno base-coletor de transistores pnp e npn para operao na regio
ativa.
 45

POLARIZAO SIMULTNEA DAS DUAS JUNES

Para que o transistor funcione adequadamente, as duas junes devem ser polarizadas
simultaneamente. Isso feito aplicando-se tenses externas nas duas junes do componente.
A Fig.5 mostra a forma de polarizao de um transistor para operao na regio ativa.

Fig.5 Polarizaes dos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.

Uma forma alternativa de configurao, que permite obter a operao do transistor na regio
ativa mostrada na Fig.6, para o caso de um transistor npn.

Fig.6 Configurao alternativa para operao de um transistor npn na regio

ativa.

Uma inspeo do diagrama de circuito mostrado na Fig.6 permite extrair as seguintes

observaes:
A bateria B1 polariza diretamente a juno base-emissor.

A bateria B2 submete o coletor a um potencial mais elevado do que aquele

aplicado base.

Dessa forma, a juno base-coletor est submetida a uma polarizao inversa, o que
juntamente com a polarizao direta aplicada juno base-emissor, possibilita operao na
regio ativa do transistor. Conclui-se portanto que os dois esquemas mostrados na Fig.7
produzem polarizaes equivalentes nas junes do transistor.
 46

Fig.7 Diagramas de circuito que permitem a operao de um transistor npn na regio ativa.

Em resumo, para operao de um transistor na regio ativa, tem-se:

Polarizao direta da juno base-emissor.
Polarizao inversa da juno base-coletor.
A alimentao simultnea das duas junes, atravs de baterias externas, d origem a trs
tenses entre os terminais do transistor:
Tenso base-emissor, representada pelo parmetro VBE.
Tenso coletor-base, representada pelo parmetro VCB.
Tenso coletor-emissor, representada pelo parmetro VCE.

Esses parmetros esto representados na Fig.8 para os transistores pnp e npn. Como pode ser
a observado, as tenses entre os terminais so definidas matematicamente pelas relaes.

onde VB, VC e VE so os potenciais eltricos na base, coletor e emissor, respectivamente.

Fig.8 Tenses nas junes dos transistores pnp e npn.

Com base na Fig.8, ou alternativamente, somando as Eqs.(1) e (2) e comparando com a

Eq.(3), tem-se que as tenses entre terminais satisfazem a condio

Na Fig.8 as baterias externas esto polarizadas de forma a permitir a operao do diodo na

regio ativa. Nessas condies, as tenses definidas nas Eqs.(1) a (3) devem assumir os sinais
indicados na Tabela 1.

Tabela 1 Sinais das tenses entre terminais para os transistores pnp e npn.

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR BIPOLAR

 47

A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento de eltrons livres e

lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem s correntes nos terminais do
transistor. Utiliza-se como representao de circuito para essas correntes aquela indicada na
Fig.9.

Fig.9 Representao de circuito das correntes nos terminais de um transistor.

As correntes definidas na Fig.9, recebem as seguintes denominaes:

IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.

O sentido das correntes representadas na Fig.9 segue uma conveno que estabelece:
Correntes positivas so aquelas que fluem do circuito externo para os terminais do transistor.
De acordo com essa conveno as correntes nos terminais do transistor satisfazem a relao

Seguindo a conveno adotada, para transistores npn e pnp operando na regio ativa, os sinais
das trs correntes definidas anteriormente so aqueles indicados na Tabela 2, conforme
ilustrado na Fig.10.

Tabela 2 Sinais das correntes nos terminais dos transistores pnp e npn para operao na
regio ativa.

Fig.10 Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operao na regio
ativa.
 48

O princpio bsico que explica a origem das correntes no transistor o mesmo para estruturas
npn e pnp, e a anlise do movimento de portadores de carga pode ser realizada tomando-se
como exemplo qualquer das duas estruturas. Isso feito a seguir para a anlise das correntes
em um transistor pnp posto em operao na regio ativa.

CORRENTE DE BASE

A corrente de base produzida pela aplicao de uma tenso que polariza diretamente a
juno base-emissor e cujo efeito semelhante quele observado em um diodo semicondutor
polarizado diretamente.

Como ilustrado na Fig.11, a aplicao de

uma tenso positiva.

com um valor superior ao potencial de

barreira da juno base-emissor,
facilita a injeo de lacunas do emissor
para a base e de eltrons livres no
sentido inverso. Como no caso de uma
juno semicondutora comum, o
potencial de barreira tipicamente 0,6 a
0,7 V para o silcio e 0,2 a 0,3V para o
germnio.

Fig.11 Movimento de portadores nas proximidades da juno base-emissor quando esta

polarizada diretamente.

Transistores so construdos com o emissor tendo um grau de dopagem muito superior

quele da base. Dessa forma o fluxo de portadores ocorre predominantemente por parte das
lacunas injetadas na base.

A pequena quantidade de eltrons disponveis na base se recombina com parte das lacunas a
injetadas, dando origem corrente de base. Com o pequeno grau de dopagem da base, poucas
recombinaes ocorrem, resultando em um pequeno valor para a corrente de base,
normalmente na faixa de microampres a miliampres.
Assim, a maior parte das lacunas provenientes do emissor no se recombina com os eltrons
da base, podendo portanto atingir a juno base-coletor.

Em um transistor pnp corrente de base provocada pela aplicao de uma tenso VEB > 0
ligeiramente superior ao potencial de barreira da juno base-emissor. Essa corrente
muito pequena devido ao pequeno grau de dopagem da base.

CORRENTE DE COLETOR
 49

Devido pequena espessura da regio da base e tambm ao seu pequeno grau de dopagem, o
excesso de lacunas que no se recombinaram com os eltrons naquela regio atingem a juno
base-coletor, conforme ilustrado na Fig.12. Como a juno base-coletor est inversamente
polarizada, essas lacunas so
aceleradas pela queda de
potencial existente naquela
juno, dando origem corrente
de coletor.

A corrente de coletor tem um

valor muito superior corrente de
base porque a grande maioria das
lacunas provenientes do emissor
no se recombinam com os
eltrons da base, sendo portanto
injetadas diretamente no coletor.

Tipicamente, um mximo de 5%
do total de lacunas provenientes
do emissor produz a corrente de base, com o restante dando origem corrente de coletor. Essa
grande diferena entre as correntes de base e de coletor est ilustrada na Fig.13.

Fig.12 Movimento de portadores e correntes resultantes nos terminais de um transistor pnp.

Fig.13 Comparao entre as correntes de base e de coletor em um transistor pnp.

 50

CORRENTE DE EMISSOR

A partir da discusso das sees anteriores, e de acordo com o princpio da conservao da

carga estabelecido pela Eq.(5), a corrente de emissor pode ser obtida da relao.

De acordo com a conveno adotada para definir as

correntes nos terminais do transistor, os sinais a elas
atribudos indicados na Tabela 2, so compatveis
com os sentidos dos fluxos de corrente, mostrados
na Fig.14. Consequentemente, para o transistor pnp
operando na regio ativa:

IB < 0 (IB) > 0, indicando que a corrente na

base flui do terminal B para o circuito.
IC < 0 (IC) > 0, indicando que a corrente no
coletor flui do terminal C para o circuito.
IE > 0 indica que a corrente no emissor flui do circuito para o terminal E.

Fig.14 Sentidos das correntes em um transistor pnp operando na regio ativa.

CONTROLE DE CORRENTE NO TRANSISTOR

A principal caracterstica do transistor reside no fato de a corrente de base poder controlar

eficientemente a corrente de coletor. A corrente de base pode ser modificada pelo ajuste
externo da tenso na juno base-emissor, conforme ilustrado na Fig.15.

Dessa forma, qualquer

variao na tenso da fonte
aparece diretamente como
uma variao na altura da
barreira de potencial da
juno base-emissor, fazendo
que mais ou menos
portadores provenientes do
emissor sejam injetados na
base. Como as correntes de
base e de coletor variam em
proporo direta com o
nmero de portadores
provenientes do emissor,
conclui-se que variaes na
tenso aplicada juno base-emissor, ou equivalentemente na corrente de base, causam
variaes na corrente de coletor.
 51

Fig.15 Influncia da corrente de base na corrente de coletor de um transistor.

Nota-se que apesar de a corrente de base ser de pequeno valor, ela atua essencialmente
de forma a liberar a passagem de mais ou menos corrente do emissor para o coletor. Dessa
forma a corrente de base atua como corrente de controle, e a corrente de coletor, como
corrente controlada.

GANHO DE CORRENTE DO TRANSISTOR

Como discutido na seo anterior, atravs de um transistor possvel utilizar um

pequeno valor de corrente IB para controlar a circulao de uma corrente IC, de valor bem
mais elevado.
Uma medida da relao entre a corrente controlada IC e a corrente de controle IB pode ser
obtida do parmetro definido como o ganho de corrente contnua entre base e coletor.

Como na regio ativa as correntes IC e IB tm o mesmo sinal, nesse regime de operao o

parmetro DC um nmero positivo.

Cada transistor fabricado com um valor bem definido para o parmetro DC, que depende
das caractersticas materiais e estruturais do componente e do regime de operao do
transistor. Da Eq.(7) tem-se que

A Eq.(8) mostra que a corrente de coletor diretamente proporcional corrente de base, e que
IC pode ser calculado a partir do conhecimento dos valores de DC e IB.

importante salientar que o fato de o transistor permitir a obteno de um ganho de corrente

entre base e coletor no implica em criao de correntes no interior da estrutura. Todas as
correntes que circulam em um transistor so provenientes das fontes de alimentao, com a
corrente de base atuando no sentido de liberar a passagem de mais ou menos corrente do
emissor para o coletor.

Os transistores no geram ou criam correntes internamente, atuando apenas como

controladores do nvel de corrente fornecido externamente.

Apndice
QUESTIONRIO
1. De que forma deve-se polarizar os transistores pnp e npn para operao na regio ativa?
2. Quais os sentidos reais das correntes em um transistor pnp polarizado na regio ativa?
3. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.
4. Qual o valor tpico da tenso VBE de um transistor pnp para operao na regio ativa?
5. Repetir a questo anterior para o caso de um transistor npn.
6. Que frao tpica da corrente proveniente do emissor de um transistor pnp flui para a base
quando o componente opera na regio ativa?
7. Para um transistor npn operando com IB = 10 A e IC = 1 mA, calcule o ganho de
corrente contnua entre base e coletor.
 52

TENSES E CORRENTES NO TRANSISTOR

Introduo

As tenses e correntes presentes nos terminais de um transistor esto diretamente relacionados

entre si. Este o caso, por exemplo, da relao existente entre as correntes no transistor que
pode ser utilizada para determinar de que forma variaes na corrente de base afetam as
outras correntes no componente.

Para obter sucesso na montagem, teste ou reparo de circuitos transistorizados necessrio

conhecer perfeitamente como e por que se relacionam as tenses e correntes em um transistor.

Este fascculo, que trata das relaes entre os parmetros de circuito do transistor bipolar, foi
elaborado com o objetivo de fornecer ao leitor os conhecimentos fundamentais necessrios
produo, teste e manuteno de circuitos eletrnicos.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades contidas neste

fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

Lei de Ohm.
Leis de Kirchhoff.
Transistor bipolar: princpio de funcionamento.

O circuito do coletor

Na grande maioria dos circuitos transistorizados, o coletor do transistor conectado fonte de

alimentao atravs de um resistor de coletor, representado pelo parmetro RC, conforme
ilustrado na Fig.1.

Fig.1 Circuito a transistor com resistor de coletor.

O resistor de coletor completa a malha do coletor, ilustrada na Fig.1, que a poro

do circuito composta pelo grupo de componentes onde circula a corrente de coletor. Como
pode ser a observado estes componentes so o resistor RC, a fonte de alimentao VCC e a
poro do transistor entre os terminais do coletor e do emissor.

Com base na Fig.2, a aplicao da segunda lei de Kirchhoff malha do coletor fornece
 53

onde:

VCC representa a tenso da fonte de alimentao.

VRc representa a queda de tenso no resistor RC.
VCE representa a tenso coletor-emissor.

Fig.2 Parmetros de circuito da malha do coletor.

Desprezando-se a resistncia interna da fonte de alimentao, a tenso por ela fornecida

independe da corrente solicitada pelo circuito. Da lei de Ohm, a queda de tenso no resistor de
coletor relacionada corrente na malha pela relao

Como se pode notar da Eq.(2), a queda de tenso no resistor varia proporcionalmente

corrente de coletor.
A tenso coletor-emissor VCE o ltimo termo da equao da malha de coletor. A partir da
Eq.(1), tem-se que

o que indica que a tenso coletor-emissor depende dos valores da tenso de alimentao e da
queda de tenso no resistor RC.

O exemplo a seguir ilustra o emprego das equaes da malha do coletor.

Exemplo 1: Para o circuito da Fig.3, o resistor de coletor de 680. Com a fonte de

alimentao fornecendo uma tenso de 12 V, a corrente de coletor de 6 mA. Determinar a
tenso coletor-emissor.

Fig.3 Circuito a transistor para o Exemplo 1.

 54

A queda de tenso no resistor de coletor pode ser calculada da Eq.(2) resultando em

Utilizando VC = 12 V e o valor obtido para a tenso no resistor de coletor na Eq.(3) tem-se

que

Influncia da corrente de base

Como discutido em fascculos anteriores, na regio ativa a corrente de coletor proporcional

a corrente de base de acordo com a relao

com representando o ganho de corrente do transistor.

Pela Eq.(2) a queda de tenso no resistor de coletor tambm proporcional corrente de

coletor. A forma que a tenso VRc influenciada pela corrente de base pode ser determinada
inserindo a Eq.(4) na Eq.(2), fornecendo

ou alternativamente

A Eq.(5) mostra que com valores constantes do resistor de coletor e do ganho de corrente do
transistor na regio ativa, a tenso no resistor de coletor diretamente proporcional corrente
de base.
A forma que a tenso coletor-emissor influenciada pela corrente de base pode ser obtida
inserindo a Eq.(5) na Eq.(3), resultando em

O sinal negativo na frente do segundo termo do segundo membro da Eq.(6) indica que a
tenso coletor-emissor diminui quando a corrente de base aumenta e aumenta quando a
corrente de base diminui.

A influncia da corrente de base nos parmetros da malha do coletor, definida a partir das
Eqs.(4) a (6), pode ser representada diagramaticamente como indicado na Tabela 1.

Tabela 1 Influncia da corrente de base nos parmetros da malha do coletor.

Exemplo 2: Para o circuito representado na Fig.4, a base do transistor conectada fonte

VBB por um resistor limitador RB. Determinar os parmetros da malha do coletor para: (a) IB
= 40 A, (b) IB = 70 A.
 55

Fig.4 Circuito a transistor para o Exemplo 2.

(a) IB = 40 A :
Da Fig.4 tem-se que, RC = 820 , VCC = 10 V, = 100. Da Eq.(4) resulta

Da Eq.(2) obtm-se

Da Eq.(6) tem-se que

Repetindo o mesmo procedimento do item (a), obtm-se

Nota-se portanto que o aumento da corrente de base causa as variaes nos parmetros da
malha do coletor, indicadas na Tabela 1. Dos resultados obtidos nos itens (a) e (b) vale
observar que um aumento de apenas 70 A 40 A = 30 A, na corrente de base provoca um
aumento de 7 mA4 mA = 3 mA, na corrente de coletor.

Apndice
QUESTIONRIO
1.Repita o Exemplo 1 utilizando IC = 5 mA.
2.Repita o Exemplo 2 utilizando IB = 50 A e RB = 500 .

CURVA CARACTERSTICAS DO TRANSISTOR

Introduo

O comportamento de componentes eletrnicos fabricados com materiais

semicondutores geralmente expresso por curvas caractersticas, que so fornecidas pelo
fabricante. Essas curvas caractersticas permitem obter a tenso entre terminais, dada a
corrente atravs do componente ou vice-versa. Esse o caso, por exemplo, da curva
caracterstica VI de um diodo semicondutor, que um componente de dois terminais.

Sendo o transistor um componente de trs terminais, e estando a ele associadas trs

correntes e tenses, a situao se torna um pouco mais complexa pois o nmero de curvas
 56

caractersticas aumenta, havendo portanto para cada par de terminais uma relao entre tenso
e corrente que depende dos parmetros eltricos impostos ao terceiro terminal.

O objetivo deste fascculo apresentar ao leitor as curvas caractersticas do transistor e

mostrar como essas curvas devem ser utilizadas para obteno das condies de operao de
circuitos transistorizados.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades contidas

neste fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

Transistor bipolar: princpio de operao.

Transistor bipolar: relao entre parmetros de circuito.

Configuraes do transistor

Existem trs possibilidades de configurar um transistor em um circuito. O nome dado

a cada configurao definido com base no terminal do transistor que comum s duas
malhas do circuito. Dessa forma, trs configuraes so possveis:

Configurao emissor comum: o terminal do emissor comum s duas malhas do

circuito, como mostrado na Fig.1a.

Configurao base comum: o terminal da base do transistor comum s duas malhas do

circuito, como ilustrado na Fig.1b.

Configurao coletor comum: o terminal do coletor comum s duas malhas do

circuito, como na Fig.1c.

Fig.1 Configuraes de um transistor em um circuito.

I d(mA)

Curvas caractersticas 150

O comportamento de um componente eletrnico pode 100

ser obtido aplicando-se uma tenso entre seus terminais, e
medindo-se a corrente atravs do componente. Dessa forma 50

geram-se pares de valores de corrente e de tenso que podem

V d(V)
ser representados graficamente atravs da curva caracterstica 0
-1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
do dispositivo.
-50

-100 I d(A)
 57

No diodo semicondutor, por exemplo, a corrente depende do valor e da polaridade da

tenso aplicada aos seus terminais, conforme mostrado na Fig.2

O comportamento do transistor tambm expresso atravs de curvas caractersticas.

Estas so obtidas atravs de medidas eltricas sob condies controladas de tenso e de
corrente.

O emprego das curvas caractersticas do transistor de grande importncia no projeto

de circuitos, pois permite obter o comportamento do componente em uma ampla faixa de
condies de operao.

Fig.2 Curva caracterstica de um diodo semicondutor.

PARMETROS DAS CURVAS CARACTERSTICAS

Nos componentes semicondutores com apenas dois terminais, a tenso entre terminais
e a corrente atravs do componente so utilizados na representao grfica da curva
caracterstica.

Como o transistor um componente de trs terminais, cada par de terminais est associado a
uma corrente e uma tenso. Dessa forma, podem-se em princpio utilizar os seis parmetros
definidos a seguir para representar as propriedades do transistor:

IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.
VCB = tenso coletor-base.
VCE = tenso coletor-emissor.
VBE = tenso base-emissor.

Fig.3 Parmetros eltricos representativos do transistor.

Os seis parmetros representativos do transistor esto mostrados na Fig.3. Alguns

desses parmetros juntamente com outros no eltricos, tais como temperatura, podem ser
utilizados em uma srie de curvas caractersticas que expressam o comportamento do
transistor nas mais diversas condies de operao.

CURVAS CARACTERSTICAS NA CONFIGURAO EMISSOR COMUM

O tipo de ligao mais utilizado em

circuitos transistorizados a configurao
emissor comum, mostrada na Fig.4. As curvas
caractersticas dos transistores, fornecidas pelos
 58

fabricantes, geralmente se referem a esse tipo de configurao.

Fig.4 Configurao emissor comum.

Analisando a Fig.4, verifica-se que, na configurao emissor comum, apenas quatro

parmetros so suficientes para descrever o comportamento do transistor. Uma escolha
possvel corresponde aos parmetros, VBE, IB, VCE e IC. Uma vez conhecidos esses quatro
parmetros os dois restantes podem ser obtidos utilizando as leis de Kirchhoff.

Com essa escolha, os parmetros VBE e IB so denominados de parmetros de

entrada com VCE e IC representando os parmetros de sada.

Portanto, para representar graficamente o comportamento do transistor na

configurao emissor comum so necessrios dois conjuntos de curvas caractersticas:

Uma curva que expressa a relao entre os parmetros de entrada, denominada de curva
caracterstica de entrada.

Um conjunto de curvas que expressam as relaes entre os parmetros de sada,

denominadas de curvas caractersticas de sada.

CURVAS CARACTERSTICAS DE SADA

A influncia da corrente de base na corrente de emissor torna maior a importncia das

curvas caractersticas de sada na representao das propriedades eltricas do transistor. Essas
curvas caractersticas so tambm denominadas de curvas caractersticas do coletor.

Sabendo que para cada valor do parmetro I C(mA) BC547

VCE a corrente IC dependente do valor da corrente 100
0.8 0.7 0.6
IB, cada curva caracterstica de sada construda de 0.5
0.4
forma a representar graficamente a relao entre IC e 80
VCE para um determinado valor de IB. A Fig.5 mostra
as curvas caractersticas de sada tpicas de um 0.3

transistor npn. 60

0.2
Caracterstica de sada
40

IC = f(VCE) , IB = parmetro I B(mA)=0.1

20

Cada curva representada na Fig.5 mostra a

0
dependncia da corrente de coletor IC com a tenso 0 10 20 30 40 50
V CE(V)
coletor-emissor VCE, para um determinado valor fixo
da corrente de base. Em folhetos de especificaes
 59

tcnicas, o topo do grfico indica que IC uma funo de VCE para cada valor fixo de IB,
atravs da representao:

Fig.5 Curvas caractersticas de sada de um transistor npn.

IC

IC=f(VCE) , IB = parmetro
IB

Deve-se observar que, de acordo com a conveno VC E

adotada para representao das correntes e tenses em um
transistor, nos transistores pnp os parmetros IB, IC e VCE so
negativos pois em condies normais de operao, o coletor
polarizado negativamente em relao ao emissor e as
correntes de coletor e de base fluem dos terminais do
transistor para as malhas do circuito, conforme mostrado na Fig.6.

Fig.6 Polarizaes e sentidos reais das correntes em um transistor pnp.

Dessa forma, as curvas caractersticas de sada para transistores pnp so

representaes grficas de (IC) (VCE) para cada valor de (IB), como mostrado na Fig.7.

I C(mA) Transistor pnp

100
0.8 0.7 0.6
0.5
0.4

Outro aspecto de importncia no que se refere 80

s curvas caractersticas fornecidas pelos fabricantes 0.3
que essas curvas representam o comportamento mdio 60
de um grande nmero de transistores de mesma
0.2
especificao. Isso significa que, na prtica, as
40
propriedades eltricas do componente podem
apresentar pequenos desvios em relao ao I B(mA)=0.1

comportamento previsto pelas curvas caractersticas. 20

0
0 10 20 30 40 50
V CE(V)

Fig.7 Curvas caractersticas de sada de um transistor pnp.

 60

As curvas caractersticas fornecidas pelo fabricante representam o comportamento

mdio de um grupo de componentes de mesma especificao.

UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS DE SADA

Com o uso das curvas caractersticas possvel determinar as condies de operao

de um transistor em um circuito. Isso feito utilizando-se o conceito de reta de carga,
examinado a seguir.

Reta de carga

Para o caso de um transistor npn conectado ao circuito mostrado na Fig.8, aplicando-

a
se a 2 . Lei de Kirchhoff malha de coletor tem-se que

VCC VCE RC I C 1
ou alternativamente

VCE VCC RC I C 2
Para valores fixos dos parmetros VCC e RC, a
Eq.(2) representa uma relao linear entre a tenso
coletor-emissor VCE e a corrente de coletor IC.

Fig.8 Circuito com transistor npn na configurao emissor comum.

A relao entre VCE e IC expressa pela Eq.(2) representada graficamente por um

segmento de reta em um diagrama ICVCE. Esse segmento de reta, denominado de reta de
carga, pode ser traado conhecendo-se apenas dois de seus pontos. Estes so obtidos
diretamente da Eq.(2), observando-se que:

Interseo com o eixo horizontal IC = 0 VCE IC

= VCC . 100
Interseo com o eixo vertical VCE = 0
ponto de saturao
V V80
I C CC . CC

RC RC

60
reta de carga
A Fig.9 mostra a representao grfica da reta de
carga prevista pela Eq.(2), e que corresponde linha 40
traada entre os pontos de interseo com os dois eixos ponto de
corte
do grfico. 20

0 V CC
0
0 10 20 30 40 V CE
50
 61

Para o circuito da Fig.8, duas condies de operao definem os pontos de interseo

da reta de carga com os eixos na Fig.9:

Condio de corte.
Condio de saturao.

Condio de corte

A condio de corte ocorre quando a corrente de base no transistor nula. A partir da

relao entre correntes j derivada anteriormente,

Fig.9 Reta de carga representada no diagrama IC VCE.

I C I B 1I CBO 3
Desprezando-se a corrente de fuga no coletor, a condio IB=0 fornece IC=0 que define
o ponto de corte mostrado na Fig.9.

Condio de saturao

A condio de saturao ocorre quando a corrente de base suficientemente alta de

forma a anular a tenso coletor-emissor. Dessa forma, impondo VCE = 0 na Eq.(2) resulta
VCC
IC , que corresponde ao ponto de saturao mostrado na Fig.9. Essa situao
RC
equivale existncia de um curto entre os terminais do coletor e do emissor no circuito da
Fig.8, de forma que toda a tenso da fonte de alimentao se transfere diretamente para o
resistor de coletor.

Ponto de operao

Uma vez traada a reta de carga pode-se determinar graficamente os valores de VCE e
de IC, para um dado valor da corrente de base IB na configurao emissor comum.

O procedimento grfico pode ser descrito com base no circuito mostrado na Fig.10a,
onde admite-se que a corrente de base esteja estabelecida em um valor IB = IBQ. A Fig.10b
mostra as curvas caractersticas de sada que incluem aquela referente ao valor IB = IBQ.
 62

100
IC
80 I B=I BQ

60

40

20

0
0
(a) 0 10 20 30 40V CE
50
(b)

Fig.10 Circuito e curvas caractersticas de sada de um circuito transistorizado na

configurao emissor comum.
Como se pode verificar na Fig.10b, qualquer ponto sobre a curva caracterstica pode
ser utilizado para representar os valores da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor no
circuito da Fig.10a. A questo portanto a se considerar a seguinte:

Conhecidos os valores de VCC e RC no circuito da Fig.10a, quais so os valores

resultantes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor?

A resposta a essa questo s pode ser obtida se

100
for utilizada mais uma informao. Esta informao IC

adicional fornecida pela reta de carga do circuito,

80 I BQ
incorporada ao grfico das caractersticas de sada, V CC
conforme ilustrado na Fig.11. RC
60
Q

Ou seja, da mesma forma que os valores de I CQ

40
corrente e tenso para o circuito definem algum ponto
na curva caracterstica, a soluo deve tambm estar 20
em algum ponto da reta de carga. S existe portanto
um ponto que pode existir simultaneamente na reta de 00
V CEQ 20 V CC V CE
carga e na curva caracterstica correspondente a uma 0 10 30 40 50

corrente de base IBQ. Esse ponto, mostrado na Fig.11,

o ponto de operao ou ponto quiescente Q.

Fig.11 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.

Determinado o ponto quiescente do circuito, obtm-se diretamente do grfico os

valores quiescentes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor, representados pelos
parmetros ICQ e VCEQ, respectivamente. A queda de tenso sobre o resistor de coletor no
ponto quiescente fica assim determinada pela expresso
 63

VRcQ VCC VCEQ 4

O exemplo seguinte ilustra o clculo numrico do ponto quiescente de um circuito
transistorizado.

Exemplo1: O circuito mostrado na Fig.12 utiliza um transistor BC146. Para uma corrente de
base de 100A determinar os parmetros IC, VCE e VRc.
As curvas caractersticas do transistor BC146 esto representadas no grfico da
Fig.12(b), juntamente com a reta de carga do circuito. A interseo da reta de carga com a
curva correspondente a uma corrente de base de 100 A ocorre no ponto quiescente Q. Como
pode ser a observado, os valores de corrente e tenso so,

I CQ 22 mA, VCEQ 3,4 V

A tenso no resistor de coletor obtida da Eq.(4), resultando em
VRcQ 6 3,4 2,6 V
(a) I C(mA)
BC146
60

I B(A)=200

40
150

22 mA Q 100
20

50
25

0
0 3,4 V 5 10
V CE(V)
(b)

Fig.12 (a) Circuito transistorizado referente ao Exemplo 1. (b) Curvas caractersticas do

transistor BC146 e reta de carga do circuito.
CURVA DE DISSIPAO MXIMA

Utilizando o valor da potncia de dissipao mxima do transistor, pode-se definir, no

diagrama das curvas caractersticas de sada, as faixas de valores de corrente de coletor e de
tenso coletor-emissor que assegurem a operao do transistor dentro de seus limites de
dissipao de potncia.

Como j discutido no fascculo anterior, a potncia de dissipao mxima do transistor

dada aproximadamente pela expresso.

PC,mx VCE I C 5
A relao dada pela Eq.(5) pode tambm ser escrita na forma
 64

PC,mx
IC = 6
VCE
A Eq.(6) estabelece a dependncia da corrente de coletor com a tenso coletor-emissor
para um dado valor da potncia de dissipao mxima. Dessa forma, conhecido o valor de
PC,mx, fornecido pelo fabricante, e atribuindo-se valores ao parmetro VCE, os valores
correspondentes de IC podem ser calculados da Eq.(6).
Por exemplo, considerando o caso do transistor BC547 com a especificao PC,mx =
500mW a 25C, tem-se

0,5 W
IC = 7
VCE

Utilizando o conjunto de valores de VCE listados na 2a. coluna da Tabela 1, obtm-se

os valores de IC da 3a. coluna daquela tabela.

Tabela 1 Alguns valores de VCE e IC correspondentes dissipao mxima de 500 mW no

transistor BC547.

I C(mA)
100
1

80
Ponto VCE IC
60 1 5V 0,1A = 100 mA
2 2 10 V 0,05 A = 50 mA
40 3 20 V 0,025 A = 25 mA
3 4 40 V 0,0125 A = 12,5 mA
20 4

0
0 10 20 30 40 50
V CE(V)

Fig.13 Representao grfica da Eq.(7) para o transistor BC547.

I C(mA) BC547
Representando-se os quatro pontos no diagrama 100

IC VCE, obtm-se o grfico mostrado na Fig.13. A curva de dissipao

mxima
curva que passa pelos quatro pontos a representao 80
grfica da relao entre os parmetros IC e VCE, definida
pela Eq.(7). regio de dissipao
60
excessiva
A curva de dissipao mxima do transistor
define o limite entre duas regies, indicadas na Fig.14. A 40
regio localizada acima da curva de dissipao mxima
representa a regio de dissipao excessiva do
20 regio de
funcionamento
normal
0
0 10 20 30 40 50
V CE(V)
 65

transistor, pois os valores de VCE e IC naquela regio fornecem uma potncia de dissipao
superior potncia de dissipao mxima do componente.

A regio abaixo da curva representa a regio de funcionamento normal do

componente, pois valores de VCE e IC no interior dessa regio correspondem a uma potncia
de dissipao inferior potncia de dissipao mxima do transistor.

Para operao do componente a temperaturas diferentes de 25 C, deve-se utilizar a

potncia de dissipao mxima na temperatura de trabalho para ento calcular a curva de
dissipao mxima a partir da Eq.(6).

Fig.14 Regies definindo o regime de operao do transistor BC547

LIMITAO DA DISSIPAO DE POTNCIA SOBRE A RETA DE CARGA

A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor

para um determinado valor do resistor de coletor e da tenso de alimentao. Como a curva
de dissipao mxima estabelece o limite da regio de funcionamento normal do transistor,
faz-se necessrio que a reta de carga esteja sempre situada abaixo daquela curva.

A Fig.15a representa o trecho de um circuito alimentando um transistor npn BC547 na

configurao emissor comum. Na Fig.15b est traada a curva de dissipao mxima de 500
mW referente a uma temperatura de 25C. No mesmo grfico esto representadas as retas de
carga obtidas atribuindo-se para VCC os valores de 40 V e 30 V, respectivamente, com RC
fixado em 500 em ambos os casos.

(a) (b)
I C(mA) BC547
100
curva de dissipao
80 mxima
P1
60

40

20 P2

B A
0
0 10 20 30 40 50
V CE(V)
 66

Fig.15 (a)Transistor na configurao emissor comum. (b)Curva de dissipao mxima e retas

de carga: A(VCC=40 V, RC=500 ), B (VCC=30 V, RC=500 ).

Observa-se na Fig.15b que a reta de carga B est situada totalmente abaixo da curva
de dissipao mxima do transistor. Dessa forma, qualquer valor de corrente de base pode ser
utilizado no circuito da Fig.15a sem que a potncia de dissipao mxima do componente seja
superada.

Por outro lado, examinando-se a reta de carga A da Fig.15b, observa-se que sobre o
trecho entre os pontos P1 e P2 a potncia dissipada supera o valor mximo definido pela curva
de dissipao mxima do componente. Dessa forma, os parmetros de circuito referentes
curva A no possibilitariam a operao segura do componente para um valor arbitrrio da
corrente de base.

Para evitar a possibilidade de dissipao excessiva de um transistor, os parmetros

de circuito devem ser escolhidos de forma que a reta de carga correspondente esteja situada
totalmente abaixo da curva de dissipao mxima do componente.

Apndice

QUESTIONRIO
1. Cite as configuraes de um transistor em um circuito, caracterizando-as.
2. Para um transistor na configurao emissor comum, quais so os parmetros de entrada e
sada?
3. Para um transistor na configurao emissor comum, como so representadas as curvas
caractersticas de sada?
4. O que a reta de carga de um circuito transistorizado na configurao emissor comum?
5. Qual a denominao dos pontos de interseo da reta de carga com os eixos vertical e
horizontal do diagrama IC VCE?
6. Para as condies estabelecidas no Exemplo 1, utilize o grfico da Fig.12b para
determinar:
(a) IC no ponto de saturao.
(b) VCE no ponto de corte.
7. Para operao segura de um transistor, qual deve ser a disposio da reta de carga com
respeito curva de dissipao mxima do transistor?

A descoberta do transistor determinou o final da era das vlvulas eletrnicas, uma

vez que a partir do emprego daquele componente foi possvel desenvolver circuitos
eletrnicos operando a baixas voltagens compondo montagens substancialmente mais
compactas, eliminando as limitaes inerentes s vlvulas que, por envelhecimento, eram
frequentemente substitudas nos equipamentos eletrnicos.

Apesar dessas vantagens, o transistor tambm tem as suas limitaes. Um dos fatores
mais importantes com respeito a essas limitaes se refere quela imposta pelo aquecimento
do componente.
 67

Este fascculo trata dos fatores associados ao aquecimento do transistor e das correntes
de fuga presentes no componente, com o objetivo de capacitar o leitor a conhecer os limites
de operao que devero ser observados quando da utilizao de transistores em circuitos
eletrnicos.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das atividades contidas

neste fascculo, o leitor dever estar familiarizado com os conceitos relativos a:

Dissipao de potncia.
Diodo semicondutor.
Transistor bipolar: princpio de operao.

Dissipao de potncia no transistor

Todo componente sujeito a uma diferena de potencial V e percorrido por uma

corrente I consome uma potncia

P VI 1
Pode-se citar, por exemplo, o caso de uma lmpada que ao estar submetida a uma
diferena de potencial entre seus terminais percorrida por uma corrente, dissipando energia
em forma de luz e calor.

O transistor consome potncia devido circulao de corrente eltrica atravs das

junes, provocada pela aplicao de tenses entre os seus terminais. Essa potncia dissipada
na forma de calor, resulta em um aquecimento do componente.

POTNCIA FORNECIDA AO TRANSISTOR

O transistor um componente de trs terminais, conforme ilustrado

na Fig.1. Admitindo os sentidos de corrente e os potenciais nos terminais
a indicados, a potncia fornecida ao transistor pelas fontes externas pode
ser calculada da relao com os parmetros IC, IB e IE, representando as
correntes fluindo do circuito para os terminais do transistor e VC, VB e VE,
correspondendo aos potenciais nos terminais C, B e E, respectivamente.

Ptotal VC I C VB I B VE I E 2
Sem alterao da Eq.(2) pode-se escrever

Ptotal VC I C VE I C VE I C VB I B VE I B VE I B VE I E

ou seja, os termos entre parntesis so todos nulos e no alteram a Eq.(2).

Reagrupando os termos da expresso anterior, tem-se que
 68

Fig.1 Grandezas eltricas associadas aos terminais de um transistor

Ptotal VC VE I C VB VE I B VE I C I B I E 3
Com base na Fig.1 as quedas de tenso entre os terminais C e E e entre os terminais B
e E podem ser obtidas das relaes

VCE VC VE 4
VBE VB VE 5
Substituindo as Eqs.(4) e (5) na Eq.(3) vem

Ptotal VCE I C VBE I B VE I C I B I E 6

a
Pela 1 . lei de Kirchhoff, a soma das correntes que fluem do circuito para os terminais
do transistor da Fig.1 nula, i.e.,
IC IB IE 0 7
e consequentemente, o ltimo termo entre parntesis da Eq.(6) nulo, resultando em

Ptotal VCE I C VBE I B 8

A Eq.(8) mostra que a potncia fornecida ao transistor a soma de dois termos:

A potncia de coletor, definida pela relao

PC VCE I C 9

A potncia de base, definida pela relao

PB VBE I B 10

DISSIPAO MXIMA NO TRANSISTOR

Nas Eqs.(8) a (10) deve-se utilizar a conveno de sinais e as definies para as

correntes e tenses nos terminais do transistor. Dessa forma, para um transistor npn operando
na regio ativa os parmetros IC, IB, VCE e VBE so todos positivos, sendo todos negativos para
o caso de um transistor pnp. Assim, as potncias obtidas das Eqs.(8) a (10) so sempre
nmeros positivos.

Como discutido em fascculos anteriores, considerando o transistor operando na regio

ativa, conforme ilustrado na Fig.2, tem-se que IB << IC. Alm disso, como na regio ativa a
juno base-emissor polarizada diretamente
 69

VBE 0,2 a 0,3 V (germnio)

VBE 0,6 a 0,7 V (silcio)

e esses valores tpicos so sempre bem inferiores

tenso coletor-emissor em condies normais de
operao do transistor.

Fig.2 Transistor npn operando na regio ativa.

Com essas consideraes, conclui-se a partir das Eqs.(9) e (10) que as potncias PC e
PB satisfazem condio

PC VCE I C VBE I B = PB
ou seja, a potncia de coletor muito superior potncia de base do transistor. Isso permite
desprezar o segundo termo do segundo membro da Eq.(8), i.e.,

PC PB Ptotal PC PB PC

ou equivalentemente, utilizando a Eq.(9),

Ptotal VCE I C 11
A potncia fornecida ao transistor dissipada em forma de calor produzindo uma
elevao de temperatura da estrutura semicondutora do componente.

Os valores mximos de temperatura de operao dos cristais de germnio e silcio

esto mostrados na Tabela 1. Acima dos limites de temperatura a estabelecidos, as
propriedades materiais dos cristais de Si e Ge sofrem alteraes significativas desviando-os de
suas caractersticas normais de operao.

Tabela 1 Temperaturas mximas de operao para os cristais de

Si e Ge

Cristal Temperatura mxima

silcio 120 C
germnio 90C

Para evitar que as caractersticas eltricas do transistor sejam influenciadas pelo

aquecimento excessivo do cristal semicondutor, a potncia dissipada no transistor limitada a
um valor que permite o funcionamento normal do componente. Esse valor de potncia
denominado de potncia de dissipao mxima e representado pelo parmetro PC,mx., sendo
fornecido pelo fabricante nos folhetos de especificaes do componente.
 70

Potncia de dissipao mxima o valor mximo de potncia que pode ser fornecida
ao transistor sem que este sofra desvios significativos de suas caractersticas eltricas ou
danos por sobreaquecimento.

FATORES QUE INFLUENCIAM NA DISSIPAO MXIMA

A potncia de dissipao mxima de um transistor influenciada pela resistncia

trmica do encapsulamento e pela temperatura externa, conforme discutido a seguir.

Resistncia trmica do encapsulamento

A resistncia trmica um parmetro que

determina a oposio apresentada por um material ao
fluxo de calor. Dessa forma bons condutores trmicos so
aqueles materiais que exibem uma baixa resistncia
trmica e nos quais o calor pode ser transmitido mais
rapidamente.

No caso do transistor, a resistncia trmica do

encapsulamento determina a rapidez com que o calor
gerado internamente escoado para o meio ambiente, conforme ilustrado na Fig.3

Os transistores fabricados com capacidade de dissipao elevada, denominados de

transistores de potncia, so normalmente encapsulados em invlucros metlicos, como
ilustrado na Fig.4. Esse tipo de componente afixado em uma superfcie metlica que
aumenta a eficincia da dissipao de calor para o meio ambiente.

Fig.3 Fluxo de calor atravs do encapsulamento de um transistor.

Fig.4 Encapsulamento de um Fig.5 Transistor com encapsulamento de

transistor de potncia plstico.

Os transistores de baixa dissipao, geralmente denominados de transistores de sinal,

so encapsulados em invlucros plsticos, na forma ilustrada na Fig.5.

Temperatura externa

O fluxo de calor atravs de um material tambm depende da diferena de temperatura

entre as paredes do material, conforme ilustrado na Fig.6.
 71

Para que haja transmisso de calor, as duas superfcies

devem exibir temperaturas distintas e nessas condies o calor
flui da parede de temperatura mais alta para aquela de
temperatura mais baixa.

Quanto maior for a diferena de temperatura entre

paredes, tanto maior ser o fluxo de calor. Isso explica por
exemplo, por que uma xcara de caf esfria mais rapidamente no
inverno do que no vero.

Esse conceito aplicado ao transistor pode ser posto de

acordo com a seguinte afirmativa:

Fig.6 Fluxo de calor entre as paredes de um material.

O fluxo de calor entre o transistor e o meio ambiente depende da diferena entre a

temperatura interna do transistor e a temperatura do ambiente externo.

Dessa forma, quanto mais baixa for a temperatura do ambiente externo, tanto mais
rapidamente se dar o escoamento do calor gerado no componente, diminuindo assim o seu
aquecimento.
Assim, dois transistores trabalhando com tenses e correntes idnticas podero
aquecer diferentemente se estiverem operando em ambientes de temperaturas distintas.

Devido influncia da temperatura na transmisso de calor, a especificao de

potncia mxima de dissipao feita para uma dada temperatura.

Por exemplo, o folheto de especificaes tcnicas do transistor BC547 fornece um

valor para a potncia mxima de dissipao de 500 mW a uma temperatura de no mximo 25
C. Esse valor de temperatura geralmente adotado como padro nos folhetos de
especificaes de transistores e outros componentes.

VARIAO DA POTNCIA DE DISSIPAO MXIMA COM A TEMPERATURA

Em muitas ocasies faz-se necessrio utilizar transistores em circuitos que iro

funcionar a temperaturas superiores ao valor padro de 25C. Nessas situaes necessrio
considerar que o valor de potncia de dissipao mxima especificado a 25 C no pode ser
empregado.
 72
BC548
500

Potncia de dissipao mxima (mW)

400

300

200

100

0
0 50 100 150
Temp. ambiente ( oC)

Para que o transistor possa ser utilizado a uma temperatura ambiente superior ao valor
padro de 25 C, os fabricantes fornecem, no folheto de especificaes do componente, um
grfico da potncia de dissipao mxima como funo da temperatura ambiente. O grfico
mostrado na Fig.7, por exemplo, representativo das condies de operao dos transistores
BC546, 547 e 548. O emprego do grfico na determinao da potncia de dissipao mxima
ilustrado no exemplo a seguir.

Fig.7 Potncia de dissipao mxima como funo da temperatura ambiente para

o transistor BC548.

Exemplo 1: Determinar a potncia de dissipao mxima para o transistor BC548 para

operao a uma temperatura ambiente de 50
C.
BC548
500
Potncia de dissipao mxima (mW)

400

No grfico da Fig.8, seleciona-se no

eixo horizontal o valor de 50C para a 300
temperatura ambiente. A interseo com a
curva, da linha vertical traada a partir desse
valor de temperatura, define o valor de 400 200

mW para a potncia de dissipao mxima.

100

0
0 50 100 150
Temp. ambiente ( oC)
 73

Fig.8 Determinao grfica da potncia de dissipao mxima para o Exemplo

1.

Correntes de fuga no transistor

Os transistores so fabricados com materiais semicondutores do tipo p e do tipo n.
Esses materiais sofrem um processo de purificao e dopagem que permite obter a
predominncia de um tipo de portador.
Assim, qualquer cristal semicondutor do tipo p apresenta uma grande quantidade de
lacunas e apenas uma pequena quantidade de eltrons livres. Nesses materiais, as lacunas so
denominadas de portadores majoritrios e os eltrons de portadores minoritrios,
conforme ilustrado na Fig.9a.

Semelhantemente, em um semicondutor tipo n, existe uma grande predominncia de

eltrons livres em comparao com as lacunas, conforme mostrado na Fig.9b. Nesses
materiais, os eltrons livres so os portadores majoritrios e as lacunas, os minoritrios.

Fig.9 Portadores majoritrios e minoritrios em um

semicondutor:(a) tipo p, (b) tipo n.

MOVIMENTO DOS PORTADORES MINORITRIOS

Os portadores minoritrios sofrem a influncia das tenses externas aplicadas ao

componente semicondutor, movimentando-se no interior da estrutura cristalina.

O movimento de
portadores minoritrios atravs
de uma juno pn s
importante quando esta fica
submetida a uma polarizao
inversa. Como pode ser
observado na Fig.10, o potencial
inversamente aplicado favorece
a injeo dos portadores
minoritrios atravs da juno, dando origem a uma pequena corrente de fuga.
Fig.10 Movimento de portadores minoritrios em uma juno pn
inversamente polarizada.
 74

Nos transistores o movimento dos portadores minoritrios importante apenas na

juno base-coletor visto que essa juno permanece inversamente polarizada nas condies
normais de operao do componente.

CORRENTE DE COLETOR COM EMISSOR EM ABERTO

A injeo dos portadores minoritrios atravs da juno

base-coletor, inversamente polarizada, d origem a uma pequena
corrente de fuga entre base e coletor.

Com o emissor em aberto, na configurao mostrada na

Fig.11, essa corrente de fuga assume um valor prximo daquele
obtido para um diodo inversamente polarizado. Para o transistor,
essa corrente denominada de corrente de coletor com emissor
em aberto, sendo representada pelo parmetro ICBO.

Com o emissor em aberto tem-se IE = 0 e da Eq.(7) resulta

I B I C 12
Fig.11 Transistor com emissor em aberto.

e da definio do parmetro ICBO, obtm-se

I I CBO
IE 0 C 13
I B I CBO

CORRENTE DE COLETOR COM BASE EM ABERTO

Um segundo parmetro de importncia na avaliao dos

efeitos das correntes de fuga em um transistor a corrente de
coletor com base em aberto, representada pelo parmetro ICEO.

Como mostrado na Fig.12, com a base em aberto tem-se

IB = 0 e da Eq.(7) resulta

I E I C 14

Fig.12 Transistor com base em aberto.

 75

e da definio do parmetro ICEO, obtm-se

I I CEO
IB 0 C 15
I E I CEO

CORREO DA RELAO ENTRE AS CORRENTES NO TRANSISTOR

Como discutido em fascculos anteriores, o ganho de corrente do transistor em

operao na regio ativa permite obter a corrente de coletor diretamente da corrente de base, a
partir da expresso

I C I B 16
No entanto a Eq.(16) prev que a corrente de coletor se anula se a corrente de base
tambm for nula. Conforme j discutido na seo anterior isso no ocorre pois com IB = 0,
flui uma pequena corrente ICEO entre coletor e emissor.

Isso implica que a Eq.(16) foi obtida de forma aproximada sob a hiptese de o
transistor operar na regio ativa. No entanto, deve-se introduzir uma modificao na Eq.(16)
de forma a se poder prever o comportamento do transistor quando a corrente de base tende a
diminuir at um valor nulo. Essa modificao corresponde a uma simples adio do termo
ICEO ao segundo membro da Eq.(16) resultando em

I C I B + I CEO 17
Assim, uma inspeo da Eq.(17) mostra que:

IB 0 IC = ICEO, conforme previsto pela Eq.(15).

Na regio ativa, IB >> ICEO IC IB, conforme previsto pela Eq.(16).

Como mencionado anteriormente, a corrente ICBO da ordem da corrente de saturao

inversa obtida para um diodo comum. Surge ento uma importante questo:

Qual a ordem de grandeza da corrente de fuga no coletor de um transistor? Ou

alternativamente: Qual a relao entre a corrente de coletor com base em aberto, ICEO, e
aquela obtida com emissor em aberto, ICBO?

A resposta a essa questo envolve uma anlise mais detalhada que leva em conta todas
as componentes de corrente do transistor e que permite demonstrar que a relao procurada
da forma

I CEO 1I CBO 18
Como na regio ativa, 100, a Eq.(18) mostra uma diferena importante entre o
valor da corrente de fuga no coletor de um transistor relativamente quela em um diodo
comum.
 76

A corrente de fuga no coletor de um transistor aproximadamente (+1) vezes

superior quela observada em um diodo polarizado inversamente.

Na aproximao >> 1, a Eq.(18) pode ser aproximada para

I CEO I CBO 19
Inserindo a aproximao dada pela Eq.(19) na Eq.(17), resulta
I C I B I CBO 20

INFLUNCIA DA TEMPERATURA NA CORRENTE DE COLETOR

O aquecimento de um cristal semicondutor promove o rompimento de ligaes
covalentes, gerando portadores minoritrios no cristal.
No caso do transistor, o acrscimo de portadores I CBO(nA)
100000
minoritrios com a temperatura aumenta a corrente de
fuga no coletor.
10000

A Fig.13 apresenta um grfico tpico da 1000 Ge

dependncia com a temperatura da corrente ICBO para
transistores de germnio e silcio, em escala logartmica. 100
Como se pode observar na Fig.13, a corrente
ICBO dobra a cada 10 C aproximadamente nos 10 Si

transistores de germnio e silcio. Embora essa variao

seja aproximadamente a mesma em ambos os tipos de 1

materiais, o parmetro ICBO cerca de 500 vezes menor

no transistor de silcio relativamente ao de germnio. 0.1
0 50 100 150
Da a grande predominncia de uso do silcio na Temperatura (oC)
fabricao de transistores e outros dispositivos
semicondutores.

Fig.13 Dependncia com a temperatura da corrente ICBO para transistores de germnio e

silcio.

DISPARO TRMICO

O disparo trmico, tambm denominado de avalanche trmica, um fenmeno que

ocorre no transistor devido corrente de fuga e que pode lev-lo destruio por
superaquecimento. Como ilustrado na Fig.14, a sequncia de eventos que culminam com este
fenmeno a seguinte:

A medida que o transistor funciona em um circuito eletrnico ocorre um aquecimento das

junes como resultado da dissipao da potncia eltrica

Ptotal VCE I C
O aquecimento aumenta a gerao de portadores minoritrios produzindo um acrscimo
na corrente de fuga no coletor
 77

I CEO I CBO
Uma maior corrente de fuga provoca uma maior corrente de coletor
I C I B + I CEO I B + I CBO
O acrscimo em IC promove o aumento da potncia dissipada no transistor e o ciclo se
repete, podendo levar a uma autodestruio do transistor.

Ptotal VCE I C

Fig.14 Representao do ciclo da avalanche trmica em um transistor.

Apndice

QUESTIONRIO
1. Qual a potncia dissipada em um transistor de silcio npn submetido s condies
eltricas: IB = 20 A, VBE = 0,6 V, IC = 2 mA e VCE = 10 V?
2. O que resistncia trmica?
3. Quais os fatores que influenciam a potncia dissipada em um transistor?
4. O que potncia de dissipao mxima de um transistor?
5. Determine a potncia de dissipao mxima de um transistor BC548 operando a uma
temperatura ambiente de 100 C.
6. O que so portadores majoritrios e minoritrios em um cristal semicondutor?
7. Sob que polarizao de uma juno pn se torna importante o movimento de portadores
minoritrios?
8. Defina os parmetros ICB0 e ICE0.
9. Por que a maioria de componentes semicondutores fabricada com cristais de silcio?
10. O que disparo trmico e que conseqncia pode provocar em um transistor?
 78

AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Existe uma vasta literatura sobre circuitos integrados de amplificadores operacionais,

apresentando curvas, frmulas e circuitos que revelam as principais caractersticas desses
componentes. Entretanto, freqentemente, os que pretende usar esses dispositivos sentem
dificuldades em selecionar as informaes que so realmente teis em seu projeto, se
embaraando com as demais informaes por no saber interpreta-las. Nesta apostila
focalizamos os amplificadores operacionais no que se refere as suas caractersticas eltricas e
as especificaes encontrada nos manuais.
Podemos definir de maneira simplificada um amplificador de tenso de alto ganho
com acoplamento direto possuindo um nico terminal de sada, mas duas entrada: uma que
permite a inverso do sinal de sada em relao a entrada, e outra no inversora (figura 1).

FIGURA 1

Os amplificadores operacionais, podem ser utilizados nas mais diversas aplicaes

prticas como osciladores, amplificadores de corrente contnua e alternada para sensores,
instrumentos, como filtro de tonalidade comutadores de nvel etc.
Um dos mais populares amplificadores operacionais disponvel na forma de circuito
integrado o 741.
Em torno deste circuito integrado de amplificador operacional discutiremos o
funcionamento deste tipo de dispositivo e daremos os exemplos prticos.
Conhecendo suas caractersticas voc no ter problemas em realizar seus projetos
com amplificadores operacionais

PRINCIPIO BSICO DE FUNCIONAMENTO

Um amplificador operacional consiste basicamente num amplificador de tenso, ou

seja podemos obter em sua sada uma variao de tenso muito maior que a variao de
tenso aplicada em suas entradas.
Conforme vimos os amplificadores operacionais possuem duas entradas: uma entrada
inversora marcada com o sinal (-), e uma entrada no inversora marcada com o sinal (+).
Quando a variao de tenso aplicada na entrada (+), se faz num sentido, a variao da
tenso na sada do circuito se faz no mesmo sentido (figura 2). Por outro lado, ao ser aplicado
o sinal de entrada invernosa (-), a variao de tenso na sada se faz em sentido contrrio da
tenso de entrada (figura 3).
FIGURA 2
 79

FIGURA 3

Como em condies normais o ganho dos amplificadores operacionais muito

elevado, na amplificao pode ocorrer distores prejudiciais finalidade do projeto. Nestas
condies, com a finalidade, de se controlar o ganho do amplificador e tambm de reduzir a
distoro, utilizado um circuito externo de realimentao negativa, conforme o mostrado na
figura 4.

FIGURA 4

O ganho do amplificador ser ento pela relao existente entre os resistores R1 e R2.
Normalmente, para os amplificadores tipo 741, o ganho sem realimentao da ordem de
100000. Nas aplicaes prtica entretanto, a faixa de ganho fixada entre 1 e 1000.

POLARIZAO

Na figura 5 temos uma configurao denominada como terra virtual. Nesta

configurao, a entrada no inversora mantida ligada terra, e a entrada inversora
mantida para realimentao negativa que fixa o ganho do diapositivo.
 80

FIGURA 5

A impedncia de entrada do circuito para este caso dado pelo valor do prprio R1,
enquanto a impedncia de sada dado pela seguinte expresso:

Z out = Zs x Gr
G

Z out = Impedncia de sada

Zs = Impedncia de sada do amplificador operacional
GR = Ganho do amplificador como realimentao.
G = Ganho do amplificador sem realimentao.

No caso de um amplificador com ganho 100, por exemplo, e uma impedncia de

entrada de 100K, podemos utilizar os seguintes componentes externos: R1 deve Ter um valor
igual ao da Impedncia de entrada, ou seja :

R1 = 100K
R2 deve ser 100 vezes maior que R1, ou seja:
R2 = 10M

Se aplicarmos entrada deste circuito um sinal senoidal de 0,1 V de amplitude,

tambm senoidal (fig. 6).

FIGURA 6
 81

Para o circuito da figura 6 ocorrem entretanto alguns problemas que em certas

aplicaes devem ser eliminados. Este problema consiste no fato de que a senide obtida na
sada no simtrica em relao ao potencial de referncia (0 V). Na verdade, se designarmos
a entrada do circuito, veremos que na ausncia de sinal no teremos uma tenso nula de sada
mas esta tender a um valor positivo considervel. Em suma, "em repouso" a tenso de sada
no nula, como deveria ser.
Este problema causado pela necessidade de uma corrente de polarizao de base na
entrada.
A entrada de um amplificador operacional consiste em um par diferencial como
mostrado na figura 7. Para que este par funcione corretamente preciso que a corrente de
emissor dos transistores seja constante. Se uma das entradas estiver diretamente ligada terra
como no circuito tomado como exemplo, haver um desequilbrio entre as correntes de
emissor e o resultado ser esta tendncia do sinal de sada se deslocar para valores positivos.
FIGURA 7

Esse efeito pode ser compensado pela utilizao de resistor ligado entre a entrada no
inversora e a terra, conforme mostra na figura 8. O valor deste resistor deve ser equivalente ao
obtido pela a ligao de R1 em paralelo com R2.
Chamamos de R3 este componente, podemos calcular ento seu valor pela expresso:

R3 = R1 x R2
R1 + R2

Para o nosso circuito este resistor da ordem de 99 k.

R3= 99 k
 82

FIGURA 8

Com a utilizao deste resistor, as tenses nas duas entradas se mantm prximas e
com isso, na ausncia de sinal de entrada a tenso de sada tende a 0.
Dizemos "tende zero" porque, os transistores no podem Ter exatamente as
caractersticas eltricas. H portanto uma tendncia da tenso de sada fugir de "0" na
ausncia de sinal. Isso entretanto pode ser facilmente compensado por um ajuste externo
denominado "Off-set Voltage Adjustement". Na figura 9 temos a ligao de um resistor
varivel que pode ser usado para esta finalidade.

FIGURA 9

"BANDWIDTH"

De posse do amplificador tomado como exemplo no item anterior, supomos que a

senide aplicada sua entrada tenha uma freqncia de 100 kHz. Ao observamos a forma de
onda obtida na sada veremos que ele est muito longe de ser uma senide. Na verdade a
distoro introduzida faz com que ela tende a uma forma triangular, conforme mostra a figura
10.
FIGURA 10
 83

Essa distoro se deve ao fato do amplificador operacional, nesta freqncia no poder

acompanhar as variaes da tenso entrada. Essa velocidade, segundo a qual a tenso sada
pode aumentar ou diminuir de valor, indicada pela expresso inglesa "slew rate", sendo da
ordem de 0,5 V/s para o 741.
Outro problema que influi na resposta de freqncia do amplificador operacional, o
produto ganho x faixa passante. Para o caso do 741, esse produto de 1 MHz, o que significa
que o produto do ganho do amplificador pela freqncia de operao no deve exceder 1
MHz.
Por exemplo, se fizermos o amplificador operacional operar com um ganho de 1000,
esse ganho s ser obtido para sinal at 1 kHz porque:

1000 x 1 khz = 1 MHZ

Se o amplificador operar com ganho 100, o sinal j poder ir at 10000 Hz, porque:

100 x 10000 Hz = 1 MHz

Na figura 11, temos um grfico que demostra bem este fenmeno.

A curva I mostra o ganho sem realimentao. Verifique que este ganho cai
rapidamente medida que a freqncia aumenta. Esta curva mostra uma atenuao de 20 dB
por oitava, a qual tem por origem um capacitor de 30 pF existente no interior do prprio
integrado. A curva II mostra que, para um ganho de 100 vezes, este se mantm constante at a
freqncia de 10 kHz, a partir do que cai rapidamente.

FIGURA 11

CORRENTES E TENSES DE SADA

Os amplificadores operacionais fornecem uma tenso de sada, se bem que existem

tipos destinados a fornecer uma corrente de sada. Assim, se a sada de um amplificador
operacional for curto-circuitada, podem circular pelo componente correntes muito elevadas,
s quais podem causar a sua destruio.
Muitos amplificadores operacionais possuem uma proteo interna contra curtos-
circuitos de modo que sua sada pode ficar indefinidamente curto-circuita com a terra. Para o
caso do 741, existe uma proteo que limita a corrente de sada em 25 mA.
 84

OPERAO DIFERENCIAL

O que vimos no exemplo de aplicao foi a operao do amplificador de modo que o

sinal como referncia a terra. Em alguns casos o sinal a ser aplicado feito entre as duas
entradas do amplificador, ou seja, deseja-se aplicar na realidade uma diferena de tenses para
ser amplificada. Dizemos nestas condies que o amplificador opera de modo diferencial
(figura 12)
Na mesma figura 12, temos as frmulas que permitem encontrar os valores dos
resistores para esta configurao.

FIGURA 12

Na operao diferencial, se aplicarmos as duas entradas, duas ondas senoidais de

mesma amplitude, conforme mostra a figura 13, o resultado ser um "cancelamento" de modo
que o amplificador as ignorar, mantendo nula a tenso de sada.
Dizemos nestas condies que o amplificador opera "de modo comum" e uma
caracterstica importante a ser considerada num amplificador de quanto ele capaz de
ignorar as duas "ondas" de entrada aplicadas.
A maneira segundo a qual os sinais de modo comum so rejeitados expressada pela
relao CCRR (Commom Mode Rejection Ratio) sendo tipicamente de 90 dB para o caso do
741.
Isso quer dizer que duas senides de mesma amplitude aplicadas simultaneamente s
duas entradas produzem um sinal de sada de 33 V se sua amplitude for de 1 V.

FIGURA 13
 85

O AMPLIFICADOR OPERACIONAL 741

O amplificador operacional 741 pode ser obtidos de diversos fabricantes, os quais

mudam eventualmente sua denominao, acrescentando prefixos indicativos de sua origem,
ou ento fornecendo-os com novas denominaes. Em todos os casos entretanto, os tipos
podem ser substitudos entre si, sem problemas.
Na figura 14, temos dois invlucros mais comuns para o 741. So as seguintes as suas
principais caractersticas eltricas:

A o - Ganho sem realimentao (Open - Loop Voltage Gain) - 100 dB.

Z in - impedncia de entrada (Input Impedance) - 1 M ohms.
Z o - impedncia de sada (output impedance) - 150 ohms
I b - corrente de polarizao (inmut bias current) 200 mA.
V smax - mxima tenso de alimentao - 18 - 0 -18 V.
V imax - mxima tenso de entrada - 13 - 0 - 13 V.
V omax - mxima tenso de sada - 14 - 0 - 14 V.
CMMR - Rejeio de modo comum - 90 dB.
f T - freqncia de transio - 1 MHz.
S - velocidade da variao de tenso (slew rate) - 1 V/s.

FIGURA 14 A

FIGURA 14 B
 86

BIBLIOGRAFIA

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