Unidad 4. Componentes de los circuitos electrnicos.

Pablo estaba muy angustiado porque el regalo de estas Navidades que ms le gustaba,
haba dejado de funcionar. En concreto, se trataba de su preciada videoconsola. Adems de
que el aparato no funcionara ya le produca bastante rabia, haba que sumarle que este
sbado haba invitado a sus amigos a tomar unas cervezas en su casa y echar unas
partidas con la videoconsola. ltimamente solan emplear muchos sbados divirtindose
muchsimo con esta actividad.

Ms o menos, a la hora acordada...algunos con media hora de retraso llegaron los amigos a
su casa, entre ellos Miguel. Al contarles que se les haban fastidiado los planes de la tarde
de este sbado, Miguel dijo: "Me parece que, como siempre, voy a tener que poner en prctica mis conocimientos de
electrnica para resolver la situacin..."
Componentes electrnicos

Los componentes electrnicos son las piezas fsicas de las que se componen los circuitos electrnicos.

La variedad de componentes electrnicos que existe en el mercado es inmensa, as como sus aplicaciones.

Se pueden clasificar desde multitud de puntos de vista:

Segn su estructura fsica

1. Discretos: Son aquellos que estn encapsulados uno a uno.

2. Integrados: Forman conjuntos ms complejos que pueden contener desde unos pocos componentes
discretos hasta millones de ellos.
Segn los tipos de montaje, esto es, en funcin de cmo se vayan a conectar en la placa de circuito
impreso o PCB:

THD (Through Hole Device - Componentes de insercin).

El montaje de los componentes sobre la PCB se realiza por medio de un proceso de soldado. Se introducen las
patillas de los componentes en los agujeros correspondientes y se asegurarn las conexiones por medio de estao.

La siguiente figura muestra de modo esquemtico la forma en que el componente queda fijado a la PCB.

SMD (Surface Mounting Device - ensamblado de componentes de montaje superficial).

Los componentes THD fueron mecnicamente rediseados para tener pequeas pestaas metlicas que podan ser
soldadas directamente a la superficie de los circuitos impresos y por tanto no atravesar la placa, con las consiguientes
ventajas:
 Evitar taladrar la placa.
Reducir las interferencias electromagnticas.
Reducir el peso.
Reducir las dimensiones.

Permitir el uso de componentes en ambos lados de las tarjetas, y por tanto, una densidad de componentes mucho
mayor. (Estos dispositivos pueden reducir su tamao entre una cuarta a un dcima parte, y su costo entre la mitad y
la cuarta parte, comparado con componentes THD).

Conseguir valores mucho ms precisos.

Adems se presta a un alto grado de automatizacin, reduciendo el costo en mano de obra y aumentando las
tasas de produccin.

Segn la tipologa, es decir, segn la actuacin que introducen en la seal del circuito.

1. Pasivos: no introducen ganancia ni control. Realizan la conexin entre diversas partes del circuito y
en general provocan una modificacin (atenuacin, desfasaje) de la seal. (Fundamentalmente
resistores, bobinas y condensadores).
2. Activos: introducen ganancia o control. Principalmente amplifican las seales. (Los generadores y
todos los semiconductores).

Para saber ms

Empresas fabricantes de componentes electrnicos

Encapsulados de los componentes electrnicos
http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema4/tema4.32.html
http://www.pcpaudio.com/pcpfiles/doc_amplificadores/PCBs/PCBs.html
http://www.ucontrol.com.ar/wiki/index.php?title=Como_construir_tus_propios_PCB
Ventajas y desventajas de los componentes SMD
Resistores

Los resistores son componentes elctricos pasivos en los que la tensin instantnea aplicada es proporcional a la
intensidad de corriente que circula por ellos.

Su funcin en los circuitos es, por tanto, introducir una resistencia elctrica determinada entre dos puntos de un
circuito. Y su unidad de medida es el ohmio ().

Se pueden clasificar:

Segn la linealidad de la resistencia que ofrecen, es decir, segn sigan la ley de Ohm o no:

Resistores lineales: su valor de resistencia es constante y est predeterminado por el fabricante.

Resistores no lineales: su valor de resistencia vara de forma no lineal dependiendo de distintas
magnitudes fsicas
Segn su valor de resistencia:

Resistores fijos: su valor de resistencia es constante y est predeterminado por el fabricante.

Resistores variables: su valor de resistencia puede variar dentro de unos lmites.
Resistores ajustables: su valor de resistencia puede ser elegido por el usuario, despus de lo cual su
valor es constante (Primeramente se comporta como variables y luego como fijo)

Segn la tecnologa de fabricacin (los materiales con que estn construidos):

Aglomerados
De pelcula de carbn (Pirolticos),
De pelcula metlica,
Bobinados
Resistores lineales fijos

Estos componentes tienen dos terminales y presentan un valor nominal de resistencia constante (determinado por el
fabricante), y un comportamiento lineal.

Suelen fabricarse a base de mezclas de carbn y grafito, metales o aleaciones metlicas.

Las especificaciones tcnicas ms importantes que podemos encontrar en las hojas de caractersticas que nos
suministra el fabricante son:

Resistencia nominal (Rn): es el valor hmico que se espera que tenga el componente, normalmente a
temperatura ambiente de 25 C.
Tolerancia: es el margen de valores que rodean a la resistencia nominal y en el que se encuentra el valor real
de la resistencia. Se expresa en tanto por ciento sobre el valor nominal.

Los valores de resistencia nominal y tolerancia estn normalizados a travs de la norma UNE 20 531 79 de tal
forma que disponemos de una gama de valores y sus correspondientes tolerancias (series de valores normalizados y
tolerancias para resistores) a las que tenemos que acogernos a la hora de elegir la resistencia necesitada.

Las series de valores normalizados comerciales son:

Serie E3 E6 E12 E24 E48 E96 E192

Tolerancia 50% 20% 10% 5% 2% 1% 0,5%

Potencia nominal (Pn): es la potencia (en vatios) que la resistencia puede disipar sin deteriorarse a la
temperatura nominal de funcionamiento.

Tambin existen valores normalizados: 1/8, 1/4, 1/2, 1, 2, 4, 8, 10, 16 W, etc.

Tensin nominal (Vn): es la tensin continua que se corresponde con la resistencia y potencia nominal.
Intensidad nominal (In): es la intensidad continua que se corresponde con la resistencia y potencia nominal.
Tensin mxima de funcionamiento (Vm ax): es la mxima tensin continua o alterna eficaz que el
dispositivo no puede sobrepasar de forma continua a la temperatura nominal de funcionamiento.
Temperatura nominal (Tn): es la temperatura ambiente a la que se define la potencia nominal.
Temperatura mxima de funcionamiento (Tm ax): es la mxima temperatura ambiente en la que el
dispositivo puede trabajar sin deteriorarse.

La disipacin de una resistencia disminuye a medida que aumenta la temperatura ambiente en la que est trabajando.

Coeficiente de temperatura (Ct): es la variacin del valor de la resistencia con la temperatura.

Coeficiente de tensin (Cv): es la variacin relativa del valor de la resistencia respecto al cambio de tensin
que la ha provocado.
Estabilidad, derivas: representa la variacin relativa del valor de la resistencia por motivos operativos,
ambientales, periodos largos de funcionamiento, o por el propio funcionamiento.
 Ruido: se debe a seal (o seales) que acompaan a la seal de inters y que provoca pequeas variaciones
de tensin.

Adems, estos resistores tienen una codificacin de sus parmetros principales por colores, pintados sobre su
superficie. Es la siguiente:

Banda 1 Banda 2 Banda 3 Banda 4

Color
1 cifra 2 cifra Factor Tolerancia

Plata - - 0,01 10%

Oro - - 0,1 5%
Negro - 0 1 -
Marrn 1 1 10 1%
Rojo 2 2 102 2%

Naranja 3 3 103 -

Amarillo 4 4 104 -

Verde 5 5 105 0,5%

Azul 6 6 106 0,25%

Violeta 7 7 - 0,1%
Gris 8 8 - -
Blanco 9 9 - -
Ninguno - - - 20%

Una aplicacin muy usada en la industria de las resistencias lineales (extremadamente lineales, en este caso) son las
termorresistencias PT100:

Ya vimos en la unidad 1 que los conductores elctricos presentan, en general, un aumento de resistencia con la
temperatura. Aprovechando esta propiedad, a partir de materiales cuyo coeficiente se mantenga bastante constante
(generalmente platino) se construyen resistencias que tienen un valor nominal de 100 ( a 0
C, de donde se deriva el nombre de Pt l00. Gracias a su linealidad, y por una simple regla de
tres, sabiendo la resistencia del elemento en un momento determinado, sabremos la
temperatura a la que est, o viceversa.

Se emplean para un amplio margen de temperaturas que va desde 250 C hasta 850 C, con
una muy buena linealidad entre 200 C y 500 C.

Otros dispositivos similares son los Pt1000, con una resistencia de 1000 ohms a 0C.
Para saber ms

Cdigos de colores de resistores

Identificacin de resistores
Resistores lineales ajustables

Estos resistores pueden variar su valor, dentro de unos lmites. Tienen un tercer terminal unido a un contacto mvil
que puede desplazarse sobre el elemento resistivo proporcionando variaciones en el valor de la resistencia.

Este tercer terminal puede tener un desplazamiento:

Angular (o giratorio)

Longitudinal (o deslizante).

Segn su funcin en el circuito se denominan:

Potencimetros: se aplican en circuitos donde la variacin de resistencia la efecta el usuario desde el

exterior (controles de audio, video, etc.).

Trimmers: se diferencian de las anteriores en que su ajuste es definitivo en el circuito donde van aplicadas. Su
acceso est limitado al personal tcnico.

Reostatos: Uno de sus terminales extremos est elctricamente anulado. Suelen estar diseados para
soportar grandes corrientes, por lo que su uso es ms para circuitos elctricos que electrnicos.

Los materiales usados para la fabricacin de estos resistores suelen ser los mismos que los utilizados para los
resistores fijas.
Para saber ms

Caractersticas tcnicas de los resistores lineales variables

Resistores no lineales

Estas resistores se caracterizan porque su valor hmico, que vara de forma no lineal, es funcin de distintas
magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin, luz, campos magnticos, etc..

Estos resistores se pueden considerar como sensores de la magnitud fsica correspondiente, y son ampliamente
utilizados como tal en el campo de la robtica y la regulacin industrial, si bien en algunos casos se utilizan en
aplicaciones electrotcnicas, como se ver en los mdulos correspondientes.

Entre las ms comunes podemos destacar las siguientes:

Termistores: Son esencialmente termorresistencias a base de semiconductor. stos suelen presentar

coeficientes de sensibilidad bastante mayores que en el caso de metales, pero a costa de un gran prdida de
linealidad. Es decir, a una temperatura determinada sufren un cambio muy brusco en su resistencia (casi
constante hasta ese punto), lo que permite emplearlas como sondas de temperatura para alarmas,... La
temperatura de cambio es un parmetro caracterstico de los termistores.

Dentro de los termistores podemos destacar dos grupos: NTC y PTC:

Resistores NTC (Negative Temperature Coeficient): Esta resistencia se caracteriza por su disminucin del
valor resistivo a medida que aumenta la temperatura, por tanto presenta un coeficiente de temperatura negativo,
de donde procede su nombre.

Resistores PTC (Positive Temperature Coefficient): Estas, a diferencia de las anteriores, tiene un
coeficiente de temperatura positivo, de forma que que muestran aumentos muy bruscos de resistencia a partir
de una cierta temperatura.
 Varistores (VDR Voltaje Dependient Resistance): Estos dispositivos experimentan una disminucin en su
valor de resistencia a medida que aumenta la tensin aplicada en sus extremos. A diferencia de lo que ocurre
con las NTC y PTC la variacin se produce de una forma instantnea.

Las aplicaciones ms importantes de este componente se encuentran en: proteccin contra sobretensiones,
regulacin de tensin y supresin de transitorios.

Fotoresistores (LDR Voltaje Dependient Resistance): Estos resistores, tambin conocidas como
fotoconductores, clulas fotoelctricas o resistores dependiente de la luz, se caracterizan por su disminucin
de resistencia a medida que aumenta la luz que incide sobre ellos.

Las principales aplicaciones de estos componentes: controles de iluminacin, control de circuitos con rels, en
alarmas, etc..
Se pueden resumir en la siguiente tabla:

Resistores no lineales
Tipo de resistor Sensible a
Termistores: NTC y PTC Temperatura
Varistores: VDR Tensin
Fotorresistores: LDR Intensidad luminosa
Magnetorresistores: MDR Induccin magntica
Bandas extensiomtricas Deformacin mecnica

Para saber ms

Sobre las PTC:

http://www.ifent.org/lecciones/PTC/ptc.asp

Sobre las NTC:

http://www.ifent.org/lecciones/ntc/ntc.asp

Sobre los varistores:

http://www.ifent.org/lecciones/varistores/

Autoevaluacin

La tolerancia en una resistencia:

Se expresa en ohmios
Se expresa en vatios
Se expresa en tanto por ciento del valor nominal

Una resistencia cuyos colores son rojo-amarillo-negro, qu valor tiene?

200 con tolerancia 5%
20k con tolerancia 5%
200k con tolerancia 5%

Qu tipo de resistencia variable se ajusta a un determinado valor y slo es accesible a determinado personal tcnico
especializado?
trimmer
potencimetro
restato
Bobinas o inductores

Un inductor o bobina es un componente pasivo que, debido al fenmeno de la autoinduccin, almacena energa en
forma de campo magntico.

Los inductores pueden tener muchos tipos de constitucin, siendo la ms usual y reconocible, una bobina de material
conductor (alambre o hilo de cobre esmaltado), a veces con ncleo de aire o con ncleo de un material ferroso, para
incrementar su inductancia, como tambin se vio en unidades anteriores.

A continuacin se muestran algunas imgenes de bobinas comerciales:

Para saber ms

Componentes pasivos
Caracterizacin de componentes pasivos
Caractersticas de los componentes pasivos
Sobre las bobinas:
http://electronred.iespana.es/electronred/bobina.htm
Fabricante de inductores:
http://www.reospain.com/pagina_superior1.htm
http://www.electronicaarcer.com/

Autoevaluacin

Qu tipo de resistor aumenta su valor hmico cuando disminuye la temperatura?

PTC
NTC
LDR
Una bobina almacena energa, en qu forma?
Campo elctrico
Campo magntico
No almacena energa.
Condensadores

Un condensador o capacitor es un componente pasivo que, almacena energa en forma de campo elctrico.

Los condensadores, al igual que las resistencias, se pueden clasificar segn sea su valor de capacidad:

Condensadores fijos: Su valor de capacidad es constante establecido por el fabricante segn valores
normalizados.En funcin del material aislante pueden ser:
Condensadores de papel: En estos condensadores el dielctrico utilizado es la celulosa. El dielctrico de
papel se enrolla entre dos hojas metlicas, que normalmente son de aluminio. Una vez enrollado, el conjunto se
cierra con los terminales de conexin por medio de una resina termoplstica.
Condensadores de plstico: El dielctrico que utilizan es el polister. Tambin se fabrican con un proceso de
bobinado de las hojas de polister y aluminio.

Condensadores cermicos: El dielctrico utilizado es un compuesto cermico de una constante dielctrica

muy alta.

Condensadores electrolticos: Es el condensador que ofrece ms capacidad con menos volumen. Se fabrican
a partir de xidos de metales dielctricos, como el aluminio o el tantalio. Se ha de tener en cuenta la polaridad;
si no, el condensador se podra daar o destruir, y por tanto tampoco puede conectarse en corriente alterna.
 Condensadores variables: Se caracterizan porque pueden modificar su capacidad. Constan de un grupo de
armaduras que giran en torno a un eje, de manera que la superficie enfrentada con otras armaduras fijas sea
variable. El dielctrico generalmente es el aire, pero a veces se colocan lminas de plstico o de mica, como
separador.

A continuacin se muestran algunas imgenes de su aspecto interior donde se pueden ver claramente las armaduras
variables y algunas de condensadores comerciales.

Para saber ms

Cdigos de colores de condensadores

Condensadores (Teclear en la bsqueda)
 Pregunta de Eleccin Mltiple

De los componentes que se listan a continuacin, indica los que son pasivos:
condensador
optoacoplador
transistor

Qu tipo de condensador proporciona ms capacidad con menos volumen?

electroltico
cermico
polister
Componentes semiconductores

Los semiconductores son elementos slidos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor
metlico pero superior a la de un buen aislante.

El semiconductor ms utilizado es el silicio, seguido por el germanio y el selenio.

Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones denominados electrones de
valencia. Estos tomos forman una red cristalina en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia
con los cuatro tomos vecinos formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente algunos electrones de valencia
absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina,
convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al
potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina una vacante (hueco) que
con respecto a los electrones circundantes tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. A las
vacantes as producidas se las llama huecos con carga positiva. Este fenmeno se conoce a veces con el nombre
de conductividad intrnseca.

El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:

1. Los electrones libres son portadores de carga negativa, y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.
2. Los huecos son portadores de carga positiva, y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. En los huecos no
hay desplazamiento material de carga alguna, sino slo el sentido del movimiento en el que se crean los
huecos.
3. Al conectar una pila circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el
nmero de electrones dentro del cristal de silicio.
4. Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los
electrones que dan lugar a la corriente elctrica.
Dopado. Semiconductores P-N

En la prctica, para mejorar su conductividad elctrica, los semiconductores se utilizan con impurezas aadidas
voluntariamente.

A esa operacin se la denomina dopado, emplendose dos tipos:

Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su
orbital ms exterior. Por ejemplo, el fsforo, el antimonio y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital ms
exterior. Por ejemplo el boro, el galio y el indio.

Impurezas pentavalentes:

Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro
electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho
mejor conductor.

Un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.

Por tanto un cristal tipo N se caracteriza por tener un nmero amplio de electrones libres (portadores mayoritarios) y
un nmero bastante menor de huecos creados por agitacin trmica (portadores minoritarios), permaneciendo en su
conjunto elctricamente neutro.

Impurezas trivalentes:

En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes
con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un
hueco en la red cristalina. Los huecos originados son los que aportan la carga para el paso de la corriente elctrica
formada por electrones que son transportados de hueco en hueco.

Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Por tanto, un cristal tipo P se caracteriza por tener un nmero amplio de huecos (portadores mayoritarios) y un
nmero bastante menor de electrones libres creados por agitacin trmica (portadores minoritarios), permaneciendo
en su conjunto elctricamente neutro.
A estos fenmenos tambin se los conoce con el nombre de conductividad extrnseca.

Para saber ms

Sobre la semiconduccin:
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp
http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/tsemi/index.php
Unin PN

Al unir un cristal tipo P con uno tipo N, tiene lugar un efecto de difusin, por el cual los electrones libres de la zona N
tienden a difundirse hacia la zona P buscando un reparto uniforme por todo el cristal.

Este efecto comienza por los electrones libres ms prximos a la unin de los dos cristales.

Cuando un electrn libre abandona la zona N, deja el tomo que abandona descompensado elctricamente con una
carga positiva. Al llegar a la zona P, el electrn ocupa un hueco de este cristal, desapareciendo el hueco y dejando al
tomo descompensado elctricamente con una carga negativa.

Como resultado de este proceso se va formando en la zona de la unin un agotamiento de electrones libres y de
huecos, formndose lo que se llama capa de agotamiento o zona de difusin.

La aparicin de cargas positivas en la zona de difusin del cristal N y negativas en la zona de difusin del cristal P, da
lugar a una diferencia de potencial, llamada barrera de potencial.

La barrera de potencial se opone a la corriente de difusin, siendo cada vez ms difcil que un electrn pueda pasar la
capa de agotamiento desde la zona N a la P.

Se alcanza as un equilibrio entre la corriente de difusin y la barrera de potencial. Un electrn deber tener una
energa suficiente para atravesar la barrera de iones negativos de la zona P para pasar a recombinarse con un hueco, y
al hacerlo incrementa el ancho de la capa de agotamiento, haciendo que sea ms difcil que otro electrn pueda
lograrlo.

A esa configuracin se la denomina unin PN y es en la que basa su funcionamiento la gran mayora de los
componentes electrnicos, como los diodos, transistores, tiristores, circuitos integrados, etc.
Polarizacin PN

Segn como se polarice la unin PN, esto es, segn qu regin (P o N) se conecte al polo positivo de una pila, el
comportamiento es totalmente distinto.

Y as surgen los dos tipos de polarizacin:

En directo
En inverso

Polarizacin en directo:

Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la
regin N, la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en
la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin
de huecos en sentido contrario. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace
conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila
que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional
establecido para la corriente elctrica.

Unin PN polarizada en inverso:

Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la
regin P, la tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la
unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la
circulacin de electrones y huecos a travs de la unin.

En resumen: la unin PN se comporta de una forma asimtrica respecto de la conduccin elctrica; dependiendo del
sentido de la conexin, se comporta como un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada
en inverso).

Autoevaluacin

El semiconductor ms utilizado es
selenio
 germanio
silicio

Qu efecto se produce al unir un cristal N con otro P?

efecto de unin
efecto de dopado
efecto de difusin
El diodo

El diodo es el dispositivo ms sencillo construido con una unin pn.

Tiene dos terminales, uno conectado a la unin p y otro conectado a la unin n, y un encapsulado que lo protege. Su
comportamiento es idntico al de una union pn. El lado p recibe el nombre de nodo y el n, el de ctodo.

Para saber el funcionamiento de un diodo, es decir, cmo vara la tensin en funcin de la corriente, hay que acudir
a su curva tensincorriente e identificar los parmetros ms significativos.

Distinguiremos dos zonas en la grfica tensin-corriente: la zona de polarizacin directa y la de polarizacin inversa, al
no seguir una caracterstica lineal, como ocurre con los resistores, y adems de no ser simtrica:

Polarizacin directa. Nos situamos en la parte positiva de las abscisas, ya que consideramos que la tensin
aplicada es positiva. Los valores de tensin e intensidad en esta zona se denominan tensin directa e
intensidad directa respectivamente (se representan como ID e VD(irectos), o IF y VF(orw ard), del ingls).

En esta situacin la corriente es cero hasta que no se llega al valor de 0,6 V, zona que se denomina codo de un diodo.
A partir de este valor, a pequeos incrementos de tensin se observan grandes incrementos de corriente. El
comportamiento del diodo es el de un interruptor cerrado a partir de un determinado valor de tensin, necesario para
romper la barrera de potencial. Esta tensin recibe el nombre de tensin de codo o tensin umbral y se representa por
U(. Suele ser de unos 0,6 V para los diodos de silicio y de 0,2 V para los de germanio.
 Polarizacin inversa. Nos situamos en la parte negativa del eje de abscisas, y en la parte negativa del de
ordenadas. Esta situacin en la grfica corresponde a una pila conectando el polo positivo en el ctodo y a una
corriente de sentido negativo que equivale a una circulacin inversa a la anteriormente descrita. Los valores de
tensin e intensidad en esta zona se denominan tensin inversa e intensidad inversa respectivamente (se
representan como II e VI(nversa), o IR y VR(everse), del ingls).

En este tipo de polarizacin, el comportamiento del diodo es prcticamente el de un interruptor abierto, o el de un

buen aislante. No obstante, recordemos que existe una pequea corriente que circula en sentido inverso y que recibe
el nombre de corriente inversa de saturacin, I0. En el apartado referido a los semiconductores ya se adelantaba que,
superada una determinada tensin inversa, circulaba una gran corriente inversa que poda llegar a destruir el diodo.
Esta tensin se denomina tensin de ruptura y se representa por Uz. Para que esto no ocurra se debe de disear las
condiciones de trabajo del diodo de forma que la tensin inversa sea siempre menor a la de ruptura.

Por tanto, la curva completa, con sus principales parmetros queda:

Donde se observan tres zonas de trabajo diferenciadas:

En las aplicaciones en las que deliberadamente se trabaja el dispositivo en la zona inversa de ruptura, deben tomarse
las precauciones para evitar sobrecalentamiento. Un ejemplo de estas aplicaciones corresponde a los diodos Zener
(se vern ms adelante).
Aplicaciones

Los diodos de unin tienen dos aplicaciones bsicas: como rectificadores, y como conmutadores.

Rectificadores.

La propiedad ms obvia de la unin pn es su carcter unilateral, es decir, la corriente slo puede ir en una direccin.
Recordemos que un diodo ideal es un interruptor, y un buen rectificador debe acercarse a esta caracterstica. La
corriente inversa debe ser casi despreciable, y la tensin inversa de ruptura debe ser grande, mientras que la tensin
umbral debe ser lo ms pequea posible.

En la unidad siguiente se vern circuitos que hagan uso de esta propiedad.

A continuacin se muestra su smbolo normalizado y algunos diodos comerciales:

Conmutadores.

Ya hemos visto antes que si se considera el diodo como ideal, su comportamiento es como el de un interruptor. Por
tanto, si conseguimos un diodo real donde el tiempo de respuesta sea mnimo, ya que el tiempo entre conexin y
desconexin debe ser casi cero, habremos obtenido un diodo de conmutacin, Para que el diodo tenga estas
propiedades se suele dopar con oro al semiconductor, para que disminuya el nmero neto de portadores.

A continuacin se muestra su smbolo normalizado.

Para saber ms

Para ampliar tus conocimientos:

Hoja tcnica de un diodo rectificador

Identificacin de los terminales de un diodo

Para poder identificar el nodo y el ctodo de un diodo, imprescindible para polarizarlo correctamente, se debe
consultar el catlogo o las hojas de caractersticas o bien realizar una serie de comprobaciones.

Identificar un diodo a simple vista no resulta sencillo, pues no existe un criterio homogneo, sino que depende de su
construccin:

Para los diodos pequeos con cubierta de vidrio, el ctodo suele estar indicado con un punto coloreado; si es
de plstico, el ctodo se indica con una franja coloreada o bien con la extremidad redondeada.
En diodos ms grandes, el nodo suele estar indicado por un tringulo o por la letra A.

Pero es ms seguro y fiable acudir al uso del hmetro, con el siguiente procedimiento de comprobacin:

1. Se conecta el supuesto nodo del diodo con la punta positiva:

2. Si la lectura es baja, significar que existe conduccin y se confirmar que el terminal es el nodo. Invirtiendo
las puntas, se obtendr una lectura de una resistencia muy elevada, y tendremos los terminales identificados y
el funcionamiento del diodo comprobado.
3. Si la lectura es alta, significar que no hay conduccin y por tanto el terminal medido es el ctodo.

Animacin (Demo virtual) de un equipo de medida para diodos

Para saber ms

En los siguientes enlaces puedes ampliar informacin:

http://www.ifent.org/lecciones/diodo/default.asp
Animacin: Medida diodo

Autoevaluacin

Cundo un diodo permite el paso de la corriente elctrica?

Cuando se polariza de forma directa
Cuando se polariza con CA
Cuando se polariza de forma inversa

Qu tensin necesita un diodo polarizado directamente para empezar a conducir?

Cualquier tensin

0,5V
La tensin umbral
El diodo emisor de luz (LED)
El diodo LED (diodo emisor de luz o Light Emmiting Diode) es un diodo contaminado de una forma especial, de forma
que cuando se polariza en forma directa los electrones que se recombinan con un hueco emiten energa en forma de
radiacin dentro del espectro luminoso visible (si emiten radiacin infrarroja reciben la denominacin de IRED (Infra-Red
Emitting Diode).

Utilizando diferentes materiales de contaminacin de la unin se consiguen distintas frecuencias de radiacin y con
ello diferentes colores.

El resto del funcionamiento es igual que un diodo normal, aunque su cada de tensin en polarizacin directa
suele ser algo mayor (1,5 a 2,2 V) tomando como media un valor de 2 V. La corriente de excitacin directa
depende del tipo de diodo LED y su color, estando comprendidas entre 10 mA y 50 mA.

Se ha de conectar una resistencia limitadora de polarizacin en serie con el LED, cuyo clculo se hace con la
siguiente frmula:

R = (Vs - Vd) / Id

Ejemplo: para Vs = 12 V, Vd = 1,5 V , Id = 10 mA --> R = 1 K

Tienen la ventaja frente a las lmparas tradicionales de su gran duracin y resistencia a impactos y vibraciones,
aunque su intensidad luminosa es limitada por lo que suelen utilizarse ms como sealizacin que como fuente
luminosa.

Su representacin se realiza con un smbolo como el del diodo, pero con dos flechas sobre l apuntando al exterior,
que representan la emisin de luz.

El encapsulado est formado por un material resinoso, al que se puede dar diferentes formas, tamaos y colores.
Una de sus patillas es ms larga que la otra para identificar el nodo y ctodo respectivamente.

Un LED puede ser conectado a una alimentacin de corriente alterna. Para ello es necesario utilizar un diodo auxiliar,
que elimine los semiciclos negativos de la tensin de entrada.
LEDs bicolores, tricolores e intermitentes

El LED bicolor es idntico, en su forma fsica, al de un solo color. La polaridad aplicada entre sus patillas
determina el color de la radiacin emitida.

Interiormente est formado por dos LED's conectados en antiparalelo. Esto hace que solamente se ilumine uno de
ellos dependiendo de la conexin con la alimentacin.

El LED tricolor est formado por tres patillas, que corresponde a dos diodos conectados en ctodo comn.

Conectado el ctodo a la masa de la alimentacin, cuando se aplica el positivo a una de las patillas, el LED emite un
color, si se hace sobre la otra, el color obtenido es distinto. Si se alimentan las dos a la vez, la radiacin luminosa es
una mezcla de ambos.

LEDs intermitentes

Su conexin y apariencia fsica es idntica al LED normal. Lleva incorporado un pequeo circuito integrado en su
interior, que genera la frecuencia de destello.

Generalmente este tipo de LED no necesita resistencia limitadora para su conexin a la alimentacin.

Para saber ms

Para ampliar tus conocimientos:

http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/led/index.php
http://infoleds.wordpress.com/
http://iluminaled.com/
http://www.dbup.com.ar/info.html
Para saber ms sobre los fabricantes de LEDs:

http://www.tecsoled.es/
http://www.dbup.com.ar/
Historia y evolucin de los LEDs

Video sobre los diodos LED:

http://infoleds.wordpress.com/videos
Displays
El LED con forma rectangular alargada, se denomina segmento LED. Combinando en un mismo dispositivo varios
segmentos LED se obtienen los denominados displays, que permiten crear caracteres alfanumricos.

El display ms sencillo es el constituido por 7 segmentos LED formando un ocho. Dependiendo de la combinacin
que se realice con ellos, es posible obtener diferentes figuras, nmeros o letras. Estos se pueden encontrar en
configuracin de nodo o ctodo comn dependiendo del terminal de los segmentos que se encuentran unidos
interiormente.

Matriz de puntos

Otro tipo de display con mayor precisin en la representacin de smbolos, es el llamado de matriz de puntos, que
est formado por una serie de filas y columnas de LEDs circulares (8x8, 6x8, 5x7,...). Tienen la ventaja de poder ser
apilados en horizontal y en vertical para obtener pantallas de gran tamao. Su mayor inconveniente es la complejidad
del circuito que lo gobierna.
Para saber ms

Sobre los displays de 7 segmentos:

http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/7segmentos/index.php
Aproximaciones

En muchas de las aplicaciones de los diodos, no ser necesario conocer exactamente su curva de funcionamiento,
sino que se pueden realizar aproximaciones de la misma, hasta llegar a la idealizacin de los mismos.

Entendemos por diodo ideal aquel que se comporta como un interruptor cerrado (deja pasar toda la corriente) cuando
es polarizado directamente y como un interruptor abierto (no deja pasar la corriente) cuando se polariza inversamente.
En un diodo ideal no existir tensin umbral, porque a una tensin igual a cero conducir sin oponer ninguna
resistencia. Por otro lado, ante una polarizacin inversa, el diodo se comportar como un aislante perfecto, es decir, la
corriente inversa ser igual a cero.

Si ID es positiva, VD es cero, y se dice que el diodo est en estado On (encendido).

Si VD es negativo, ID es cero, y se dice que el diodo est en estado Off (apagado).

A veces se hace una aproximacin ms real, que consiste en considerar el diodo con la tensin umbral.

Incluso a veces se representa la curva directa como una recta, para acercar el esquema algo ms a la realidad.
Diodo zener

El diodo zener es un diodo fabricado de manera especial para trabajar en zona de ruptura inversa sin que se
destruya.

Ya sabemos, por anlisis de su curva de trabajo, que si se polariza inversamente un diodo normal, apenas circula
corriente, unos pocos microamperios o nanoamperios a lo sumo (corriente inversa). Pero al aumentar en exceso la
tensin inversa, se produce el efecto avalancha, con un aumento brusco de la corriente inversa que destruye el diodo.

Para evitarlo se fabrican los diodos zener, cuyo smbolo es alguno de los mostrados en las figuras:

Su comportamiento es el siguiente:

Polarizado directamente se comporta como un diodo normal, con una cada de tensin directa de unos 0,7
V.
Polarizado inversamente, prcticamente no conduce hasta llegar a la llamada tensin de zener (VZ) a que
se produce el efecto avalancha o efecto zener, con un aumento muy grande de la intensidad para pequeos
aumentos de la tensin. En la zona de trabajo la VZ permanece prcticamente constante para cualquier IZ.

Se fabrican diodos zener para gamas de tensiones de zener (VZ) desde 2 hasta 200 V:

3.9 V, 4.7 V, 5.6 V, 6.8 V, 8.2 V, 10 V, 12 V...

En el caso del diodo zener interesa la caracterstica de polarizacin inversa que, por comodidad, se representa de
forma invertida. NO CONFUNDIR CON LA POLARIZACIN DIRECTA!!

En la figura siguiente se representan las curvas para diodos zener de tensiones de zener de 3,9 a 12 voltios:

Su empleo fundamental es para mantener estable una tensin de salida a partir de una tensin de entrada que flucta
entre determinados valores.

Los datos ms importantes que hay que tener en cuenta cuando tengamos que elegir un diodo zener para cualquier
tipo de aplicacin son:

La tensin de zener, VZ es aquella que con ligeras variaciones mantiene el diodo entre sus extremos cuando se
polariza inversamente. Las variaciones de tensin se producen cuando cambia la corriente que atraviesa el
diodo en sentido inverso. (Iz )
La potencia de zener, PZ es el valor mximo que el elemento puede disipar cuando est polarizado, tambin en
sentido inverso.
La corriente mxima de zener, IZ se obtiene dividiendo la potencia por la tensin nominal. Si se sobrepasa esta
corriente, el diodo queda inservible.

Autoevaluacin

Qu ocurre si a un diodo zener se le polariza inversamente con una tensin superior a la de ruptura?
el diodo se destruye
el diodo si no es zener, se destruye
el diodo no conduce y no pasa nada

A quin corresponde el siguiente smbolo?

diodo rectificador
diodo zener
diodo de conmutacin
Transistor bipolar BJT

Tambin conocidos como BJT (Bipolar Junction Transistor - Transistor bipolar de unin), los transistores bipolares
son componentes semiconductores constituidos por la unin de tres cristales de cuarzo contaminados con algn tipo
de impureza.

El orden de colocacin de los cristales, PNP o NPN da nombre a los dos tipos de transistores bipolares existentes.

Tanto los transistores PNP como los NPN son elementos electrnicos bsicos con tres terminales, conectados
internamente a cada uno de los cristales que lo constituyen, que son conocidos con los nombres de emisor, base y
colector:

El emisor recibe este nombre porque es el que se encarga de emitir las cargas mviles (electrones o huecos
segn el caso) que atraviesa el transistor.
El colector es aquella parte del componente que recibe la mayor parte de las cargas que parten del emisor.
La base se encuentra entre el emisor y el colector y recibe este nombre porque constitua el soporte de ambos
cuando los transistores se fabricaban por el procedimiento de aleacin. (Actualmente por difusin: el transistor
es un solo cristal (P o N) en el cual se efectan dos difusiones para obtener tres capas diferentes.)

El emisor se fabrica muy dopado, mientras que la base se realiza poco dopada y muy delgada.

Casi todos los portadores que salen del emisor atraviesan la base y llegan al colector, siendo ste flujo de electrones
regulado por la tensin aplicada a la base.

La nica diferencia de funcionamiento entre los NPN y los PNP radica en el cambio de los sentidos de las corrientes y
la polaridad de las tensiones.

En la siguiente figura se muestran sus uniones PN y sus smbolos normalizados

A continuacin se muestran distintos tipos de encapsulados de los transistores BJT y algunas imgenes comerciales
de los mismos:
 Autoevaluacin

El transistor bipolar se denimina tambin:

BJT
UJT
UCD

Qu indica en un transistor el parmetro ?

ganancia
el inverso de la ganancia
relacin entre la intensidad del colector y del emisor
Polarizacin del transistor

Para que el transistor funcione correctamente debe ser polarizado aplicando unas determinadas tensiones continuas a
sus terminales.

Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas y conectar las resistencias oportunas para
que el transistor funcione dentro de los lmites indicados en el diseo, de forma que la seal aplicada a la entrada no
resulte deformada a la salida.

Si mediante dos bateras aplicamos unas tensiones positivas segn se observa en el grfico inferior (es decir la base
positiva respecto al emisor y el colector positivo respecto a la base) de un transistor NPN, el diodo PN formado por la
base y el emisor estar polarizado directamente, produciendo una corriente base-emisor, mientras que la unin
base-colector queda polarizada inversamente.

De una forma simplificada, el transistor PNP se puede asimilar a dos diodos conectados ctodo con ctodo, como se
muestra en la figura:

Anlogamente el transistor NPN se puede asimilar a dos diodos conectados nodo con nodo, como se muestra en la
figura:

En los esquemas siguientes se representa el reparto de corrientes para un transistor PNP.

Al polarizar directamente el emisor y la base sera de esperar que esta corriente de electrones que sale del emisor
(corriente "electrnica" inversa a la "tradicional") llegase ntegramente a la base, pero sto no ocurre as, sino que,
atrados por la tensin positiva del colector, la mayora se dirige al mismo. Para acentuar este efecto, la base se
construye poco dopada y muy estrecha Es decir, al ser la base muy delgada y estar el colector muy "negativo", casi
toda la carga atraviesa la base hacia el colector, siendo la corriente de colector mucho mayor que la de base (99%).

Por tanto se cumple que:

IE = IB + IC

pero IE es prcticamente igual a IC, siendo IB muy pequea.

IE IC

La corriente que circula por la base es pequea respecto a la de colector, por tanto, la corriente de colector es muy
parecida a la de emisor. Para relacionar las corrientes anteriores entre s aparecen dos parmetros:

Parmetro alfa ().

Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor:

= IC / IE

Su valor es algo inferior a la unidad.

Parmetro beta o ganancia de corriente (b).

Es la relacin entre las corrientes de colector y de base.

= IC / IB,

es decir:

IC = IB

En la prctica, puede valer entre 50 y 300 y llegar a 1000 en algunos transistores, es decir, la intensidad del colector
es unos cientos de veces mayor que la intensidad de base y proporcional a la misma.

Se puede deducir la relacin entre ambos parmetros:

= / (1 + )

Relacionando las corrientes de un transistor entre si obtenemos:

+1 = IE / IB

Las magnitudes y son conocidas como las ganancias de corriente en CC de las configuraciones BC y EC
respectivamente. Se puede comprobar que ambos valores estn relacionados entre s por la expresin:

= / (1-)

Para el caso de un transistor NPN, el razonamiento es anlogo.

En la unidad siguiente veremos los tipos de montajes con transistores bipolares y su utilizacin como amplificadores
y como interruptores controlados.
Curvas caractersticas

Son curvas suministradas por los fabricantes, que relacionan entre s distintas magnitudes referentes al transistor y
nos permiten determinar su idoneidad para diversas aplicaciones.

Siendo las ms importantes:

IC en funcin de VCE para IB = Cte . (curva de salida)

IB en funcin de VBE para VCE = Cte .
Potencia mxima.

Trataremos nicamente las curvas caractersticas en la polarizacin con emisor comn por ser la ms
ampliamente utilizada.
Caracterstica IC = f (VCE) para IB = cte (Curva de salida)
Son las curvas ms interesantes del transistor. Representan la intensidad de colector en funcin de la tensin
colector-emisor para diferentes valores de la intensidad de base.

En ellas se aprecian las siguientes zonas:

1. Zona activa: Es la zona blanca de la grfica siguiente. En ella, para cada intensidad de base resulta una intensidad
de colector veces mayor, mantenindose sensiblemente constante la tensin colector-emisor.

En esta se obtienen los siguientes valores:

IB> 0, IC = IB, 0< VCE< VCE(Sat), VBE <0,7 V

2. Zona de saturacin: Es la zona amarilla de la grfica. Al entrar en esta zona la intensidad de colector se dispara,
convirtindose el transistor en un circuito cerrado. En esta se obtienen los siguientes valores:

VCE = VCE(sat) (fijada por el fabricante), IC(Sat) = (VCC VCE(Sat) ) / RC

3. Zona de corte: Es la zona azul de la grfica. En esta zona la intensidad de colector se anula. El transistor se
comporta como un circuito abierto. En esta se obtienen los siguientes valores:

IB = 0, IC = 0, VCE = VCC, VBE < 0,7 V

4. Zona prohibida: Es la zona rayada de la grfica. En ella el producto de tensin por intensidad supera la potencia
soportable por el transistor.
En la siguiente figura se muestran todas las zonas de trabajo de los BJT:

Para intensidades de base no muy altas la tensin VCE afecta poco a la intensidad de colector que se mantiene casi
constante para cada intensidad de base, siempre que la tensin VCE se mantenga por encima de unos 0.7 voltios y
por debajo de la de ruptura.

Para una misma VCE la intensidad de colector crece mucho (del orden de miliamperios) para pequeos incrementos de
la corriente de base (del orden de microamperios).

Ejemplo:

Para VCE = 20 V

1. IB = 150 - 50 = 100 A --> IB = 0,1 mA

2. IC = 39 - 12 = 27 mA

De lo cual se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.

Se puede obtener la ganancia del transistor a partir de las curvas.

= IC / IB = 27 / 0.1 = 270

Tambin permiten determinar la resistencia de salida que vendra dada por:

Rsal = Vsal / Isal = VCE / IC

Y como

1. VCE = 40 - 20 = 20 V
2. IC = 43 - 39 = 4 mA

Rsal = 20 / 0.04 = 5000

Caracterstica IB = f(VBE) para VCE = cte
Se trata de curvas muy similares a las de un diodo, donde se mantiene constante la VCE y se representa la intensidad
de base en funcin de la tensin VBE.
Como ocurre con los diodos hay cierta diferencia entre los transistores de germanio que empiezan a conducir a unos
0.2 voltios de tensin VBE y los de silicio que lo hacen a unos 0.6 voltios. Aunque casi todos los transistores utilizados
son de silicio los de germanio an se usan en ciertas aplicaciones.

Estas curvas permiten el clculo de la resistencia de entrada:

Rentr = Ventr / Ientr = VBE / IB

La resistencia de entrada se hace muy pequea una vez se ha superado el codo de la tensin de conduccin.

Ejemplo, para el silicio:

* IB = 100 - 50 = 50 A
* VBE = 0,89 - 0,87 = 0,02 V

Rentr = VBE / IB = 0.04 / 5010-3 = 0.8

Caractersticas de potencia mxima
El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor que depende de la intensidad aplicada a la base.
Por efecto Joule el transistor disipa una potencia en dicha resistencia en forma de calor.

P = VCE IC

Si se supera la potencia mxima indicada por el fabricante el transistor podra destruirse.

La potencia mxima a que puede trabajar un transistor viene dada por la temperatura en la unin de colector y
depende de la temperatura ambiente.

Para aumentar la potencia en un transistor sin que se destruya se puede recurrir a colocarle un disipador de calor o
aleta de refrigeracin que le ayude a evacuar el calor al ambiente.
Recta de carga

Una vez establecida una cierta polarizacin para un transistor, podemos establecer la ecuacin que rige la intensidad
de colector respecto de la tensin VCE. Esta ecuacin define una recta denominada recta de carga que puede
superponerse a las grficas IC = f (VCE) determinando los puntos de funcionamiento del transistor

Es una recta superpuesta a las curvas del transistor que define los puntos de funcionamiento del transistor para
una cierta polarizacin (valores de la intensidad de colector y la tensin colector-emisor para distintas corrientes de
base).
La forma ms fcil de trazar la recta correspondiente sobre las curvas del transistor es encontrar los puntos de
interseccin con los ejes (para IC = 0 y para VCE =0).

Zona de corte: valor de la tensin colector-emisor para una

Ic = 0, VCE = Vcc
corriente de colector nula

Zona de saturacin:valor de la corriente de colector para una

VCE = 0, Ic = Vcc / Rc
tensin colector-emisor nula

Uniendo estos dos puntos sobre las curvas del transistor obtenemos la recta de carga del transistor.

Se obtienen tres puntos caractersticos sobre la recta:

1. Punto de saturacin:

Corresponde a la mayor intensidad de base posible. La intensidad de colector es mxima.

2. Punto de corte:

Corresponde a una intensidad de base igual a cero (IB = 0). La corriente de colector es casi nula (slo la de fugas).

3. Punto de trabajo o de reposo (punto Q):

Es la interseccin entre la tensin colectoremisor (Vceq) y la corriente de emisor (Ieq), cuando el transistor se halla
alimentado por una fuente de tensin continua de valor Vcc.

Para que la polarizacin del transistor se haga de forma correcta, es necesario que el punto Q sea inmune a los
cambios en la ganancia de corriente P, y as no se desplace sobre la recta de carga hacia las zonas de corte o
saturacin.

En todo caso, la recta de carga debe mantenerse siempre fuera de la zona prohibida para evitar que el transistor pueda
destruirse.
Transistor FET de unin (JFET)

El JFET, transistor de efecto de campo de unin o transistor unipolar, funciona con un nico tipo de portadores de
carga, huecos o electrones, segn el tipo de construccin.

Estn formados por una delgada capa de material semiconductor denominada canal entre dos capas de dopado
contrario denominadas sustrato.

A los terminales se les conoce como Surtidor (S(ource)), Puerta (G(ate) y Drenador (D(rain)).

Segn las impurezas de cada capa dan lugar a los JFET de canal N y los JFET de canal P.

En las siguientes imgenes se muestran sus uniones PN y sus smbolos normalizados.

Polarizacin

Se polariza el surtidor y el drenador de forma que se produce una corriente de portadores mayoritarios a travs del
canal. Si el canal es tipo N, los electrones sern los portadores mayoritarios y la polarizacin surtidor-drenador (VSD)
ser tal que los electrones salgan del surtidor y se dirijan al drenador atravesando el canal.

La unin formada por el canal y la puerta se polariza inversamente mediante una tensin puerta-surtidor (VGS).

Es como si tuviera dos diodos internos: el diodo puerta-surtidor y el diodo puerta-drenador

Caractersticas

Como consecuencia de la polarizacin se produce una capa de agotamiento en las proximidades de la unin, como en
cualquier diodo polarizado inversamente, lo que reduce el nmero de portadores existente en el canal aumentando la
resistencia de ste y disminuyendo la corriente del canal que se haba establecido.

Si la tensin de la puerta llega a un valor determinado (tensin de apagado), el canal se estrangula totalmente y la
corriente del canal (ID) se anula.

El JFET tiene menor ganancia de tensin que los transistores bipolares, pero su resistencia de entrada, al estar
polarizada inversamente, es mucho mayor (del orden de M) y su corriente de puerta es prcticamente nula. Es muy
estable ante variaciones de temperatura (los portadores minoritarios no intervienen) y tambin a otras variaciones
externas como radiaciones o ruidos elctricos.

Trabajando con tensiones inversas en la puerta se dice que el transistor funciona en modo de empobrecimiento, ya
que, al aumentar esta tensin se reduce el nmero de portadores del canal y disminuye la intensidad de drenador.

Curvas caractersticas

Representando valores de intensidad de drenador (ID) para distintos valores de tensin drenador-surtidor (VDS), se
obtiene un familia de curvas, como se aprecia en la grfica, para distintos valores de la tensin puerta-surtidor (VGS).
Es la denominada curva de salida

Del anlisis de la grfica se observa que:

Con una tensin nula entre puerta y surtidor VGS = 0 (en cortocircuito) se produce la intensidad mxima de
drenador.
Al aumentar la tensin inversa puerta-surtidor se reduce la intensidad de drenador.
A partir de una cierta tensin mnima de drenador-surtidor, la intensidad de drenador es prcticamente
constante para cada tensin de puerta (G-S)
La intensidad de salida es proporcional a la tensin de entrada.

Aplicaciones

Su uso principal aparece como componentes de circuitos integrados, aunque tambin se usa de forma discreta en
algunos circuitos de radio y televisin como en control automtico de ganancia y como interruptor analgico. (Se
estudiar en la siguiente unidad).
El transistor FET de puerta aislada (MOSFET)

En los transistores MOS (Metal Oxide Semiconductor), la puerta est aislada del canal por una fina capa de xido de
silicio (SiO2).

Se consigue as una resistencia de entrada elevadsima (de 10 G a 10.000 G), mayor an que la de los FET, con
una corriente de puerta prcticamente nula, lo que los hace ideales para amplificar seales muy dbiles.

La diferencia fundamental con respecto a los FET es que en aquellos la conductividad del canal DS era controlada por
la polarizacin inversa de una unin PN, mientras que en esto es gracias a un dielctrico (SiO2)

En las siguientes imgenes se muestran sus uniones PN y su smbolo normalizado.

En las siguientes imgenes se muestran algunos aspectos comerciales de los mismos.

Existen dos tipos de transistores MOS:

1. De empobrecimiento: para amplificar seales dbiles en altas frecuencias.

2. De enriquecimiento: como componentes de circuitos digitales.

1. MOSFET de empobrecimiento
 Polarizacin

Los electrones pueden circular del surtidor al drenador a travs del canal animados por la tensin surtidor-drenador.

La tensin inversa entre puerta y surtidor estrecha el canal, reduciendo el nmero de portadores (empobrecimiento) y
controlando la corriente de drenador.

Debido a la capa aislante de xido de silicio, la intensidad por la puerta es prcticamente nula y la impedancia de
entrada muy grande.

El sustrato suele estar unido al surtidor.

Curvas caractersticas

En la familia de curvas de salida se aprecia que tambin existen curvas para tensiones positivas de puerta (VGS>0), ya
que este tipo de transistor (de empobrecimiento) tambin puede funcionar en modo de enriquecimiento, esto es,
polarizando directamente la unin puerta surtidor, lo que aumenta la concentracin de portadores en el canal
(enriquecimiento) y la intensidad de drenador.

Gracias a la capa aislante de xido de silicio, la intensidad de entrada sigue siendo prcticamente nula.
 2. MOSFET de enriquecimiento

Es un transistor MOSFET diseado para trabajar exclusivamente en modo de enriquecimiento.

Simbolo normalizado

Polarizacin

La tensin de puerta polariza directamente la unin puerta surtidor y aumenta el nmero de portadores en el canal sin
que exista corriente de puerta por estar aislada por la capa de xido de silicio.

Curvas caractersticas

Aumentos de tensin de puerta provocan aumentos de intensidad de drenador para una tensin drenador-surtidor dada.
Para una tensin de puerta nula, la intensidad de drenador es cero. No pueden trabajar por tanto en modo de
empobrecimiento.

Para que aparezca corriente de drenador es necesario aplicar una tensin suficientemente positiva a la puerta,
denominada tensin umbral.

Para saber ms

Sobre los FET

http://www.ifent.org/lecciones/fet/default.asp

Sobre transistores:

http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/transistores/index.php
Hoja Tcnica Transistor MOS