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CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16
CARRERA: MECATRNICA
Para el anlisis del comportamiento del diodo y generacin de su curva de operacin, es necesario analizar tres casos:
a) Diodo sin polarizacin:
En esta situacin cuando el diodo no se encuentra polarizado, a temperatura ambiente, los portadores mayoritarios son
empujados desde el extremo a la unin y pasan a una capa opuesta, formando una zona denominada Banda de agotamiento
o barrera de Potencial y se representa de la siguiente manera.
CARRERA: MECATRNICA
Con stos antecedentes, se concluye que la curva de funcionamiento del diodo de silicio que se ha tomado como ejemplo es la
siguiente:
CARRERA: MECATRNICA
OBJETIVOS:
Generar la curva de operacin del diodo en polarizacin directa mediante el uso de equipos de medida del laboratorio para
compararlos con el anlisis terico del trabajo preparatorio.
Determinar los valores de voltaje y corriente en un circuito con diodos en configuracin mixta mediante el uso de equipos de
medida del laboratorio para compararlos con los valores determinados tericamente en el trabajo preparatorio.
EQUIPOS Y MATERIALES:
Fuente de alimentacin variable y cables.
Multmetro y cables.
Diodos de Si (1N4007) y resistencias.
INSTRUCCIONES:
Utilice el mandil.
Tenga a mano el trabajo preparatorio y circuitos de la prctica.
Coloque las maletas en la parte posterior del laboratorio a fin de mantener despejada en rea de trabajo.
Verifique la disponibilidad y funcionalidad de los equipos a usar en la prctica
ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:
A. Trabajo preparatorio:
1. Investigue y describa el mtodo que se realiza para determinar el estado de un diodo aplicando multmetro.
2. Para el diodo de Silicio 1N4007 investigue toda la informacin disponible en el ECG para ste dispositivo. (Deber anexar
al Trabajo las hojas obtenidas del ECG).
3. Usando la informacin obtenida en el ECG, complete la informacin de la tabla 1:
Tabla 1: Datos tcnicos del diodo 1N4007
PARMETRO VALOR
No de ECG
Voltaje de umbral
4. Si en el circuito de la figura 1 se pretende variar la fuente de alimentacin (Vin) de 0.1V a 5V de corriente continua, calcule
el valor de R mnimo y su respectiva potencia de disipacin, que se podra colocar antes de superar la potencia mxima del
diodo 1N4007. (Necesitar usar la informacin de la tabla del apartado 3)
CARRERA: MECATRNICA
5. Una vez que ha determinado el valor de R mnima, seleccione un valor de R comercial y disponible en el mercado que sea
al menos 20 veces mayor que la R calculada en el numeral 4 (con esto asegura no superar la potencia del diodo) y calcule
la mxima potencia que disipar sta al variar la fuente de alimentacin (Vin) de 0.1V a 5V de corriente continua (este dato
le ayudar al momento de seleccionar la resistencia para implementar el circuito).
6. Use el valor de R seleccionado en el numeral 5, grafique el circuito equivalente y realice los clculos necesarios para
completar la informacin solicitada en la tabla 2:
Tabla 2: Valores calculados para el diodo en polarizacin directa.
Vin VD ID
0.1V
0.2V
0.3V
0.4V
0.5V
0.6V
0.65V
0.7V
0.75V
0.8V
0.9V
1V
1.5V
2V
2.5V
3V
3.5V
4V
5V
NOTA: Antes de la tabla deber presentar el clculo realizado para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario no ser vlida la informacin.
7. Con los resultados obtenidos en la tabla anterior y usando papel milimetrado, grafique la curva de funcionamiento terica
del diodo en polarizacin directa.
8. Grafique el circuito equivalente que se obtiene como resultado al invertir la polaridad de la fuente del circuito de anterior y
calcule los parmetros de la tabla 3:
UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
CDIGO: SGC.DI.505
VERSIN: 1.0
DEPARTAMENTO: ELCTRICA Y ELECTRNICA FECHA ULTIMA
REVISIN: 26/10/16
CARRERA: MECATRNICA
1V
2V
3V
4V
5V
NOTA: Antes de la tabla deber presentar el clculo realizado para cada uno de los voltajes solicitados, caso contrario no ser vlida la informacin.
9. Bajo qu escenario se podra llegar a la zona de avalancha del diodo 1N4007 y verificar su comportamiento en el
laboratorio?
10. Para el circuito de la figura 2, considerando que los diodos son de silicio, de la serie 1N4007 :
Valor
calculado
NOTA: Antes de la tabla deber presentar el clculo realizado para cada uno de los parmetros solicitados, caso contrario no ser vlida la informacin.
11. En base a los resultados obtenidos en el numeral 10, determine la disipacin de potencia de los diodos y las resistencias.
(Esto le permitir verificar que los diodos no superen el consumo mximo y le indicar las potencias nominales adecuadas
para las resistencias que debe adquirir para la prctica).
12. Adquiera los materiales necesarios para la prctica.
B. Procedimiento de la prctica:
1. Mida la resistencia del diodo:
Resistencia en polarizacin directa: ____________
Resistencia en polarizacin inversa: ____________
Y compruebe si el estado del diodo es adecuado: Si o No y por qu?
_________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________
2. Arme el circuito de la figura 1 del trabajo preparatorio (usando la resistencia seleccionada en el numeral 5 del trabajo
preparatorio) y mida el voltaje y corriente a travs del diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 5.
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0.1V
0.2V
0.3V
0.4V
0.5V
0.6V
0.65V
0.7V
0.75V
0.8V
0.9V
1V
1.5V
2V
2.5V
3V
3.5V
4V
5V
3. Con la informacin de la tabla 5 y haciendo uso de papel milimetrado, grafique la curva real de operacin del diodo en
polarizacin directa. (ste tem realizarlo en el informe de prctica).
4. Invierta la polaridad de la fuente del circuito del apartado anterior (diodo en polarizacin inversa) y mida el voltaje y
corriente a travs del diodo, a los valores de voltajes de entrada mostrados en la tabla 6.
Tabla 6: Valores medidos para el diodo en polarizacin inversa.
Vin VD ID
1V
2V
3V
4V
5V
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REVISIN: 26/10/16
CARRERA: MECATRNICA
5. Arme el circuito de la figura 2 del trabajo preparatorio y mida los parmetros indicados en la tabla 7.
Tabla 7: Valores medidos para el circuito en conexin mixta.
Parmetro I1(mA) I2 (mA) I3 (mA) I4 (mA) I5 (mA) V1 (V) V2(V)
Valor
calculado
RESULTADOS OBTENIDOS:
Elabore un informe de la prctica en el formato indicado por el docente en dnde se evidencie un anlisis comparativo de los
valores calculados con respecto a los medidos de las circuitos implementados en la prctica y genere las respectivas conclusiones.
CONCLUSIONES:
En polarizacin directa el diodo de silicio conduce cuando su voltaje oscila entre 0.5 a 0.7 V.
En polarizacin inversa el diodo no conduce y se comporta como un circuito abierto.
El modelo aproximado usado en la prctica genera resultados aceptables.
RECOMENDACIONES:
Verificar el funcionamiento de los equipos de medida y cables de conexin del laboratorio.
Verificar el buen estado de los elementos que se usar en la prctica.
Verificar que los circuitos propuestos para la prctica estn armados correctamente.
Leer detenidamente ste documento antes de presentarse a la prctica.
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS Y DE LA WEB:
FIRMAS
Nombre: Ing. Mayra Erazo Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo