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orden de 10 MV/cm.
Resumen El aislamiento unido al estudio y control de La rigidez dielctrica de un material slido obtenida bajo
los modelos de circulacin de slidos, se consideran requisitos condiciones cuidadosamente controladas es conocida como
imprescindibles para lograr una alta eficiencia durante las rigidez intrnseca del material dielctrico. Los materiales
operaciones de manipulacin de slidos. Existen una gran aislantes slidos usualmente fallan a tensiones muy por debajo
variedad de materiales no conductores de la electricidad que e la ruptura intrnseca usualmente debido a alguna de las
son usados diariamente en mltiples y diversas aplicaciones siguientes mencionada anteriormente. Cuando se aplican una
cotidianas, ya sea como aislantes (evitan la circulacin de tensin por un periodo muy corto, del orden de 10-8 s, la
corriente elctrica) o como dielctricos (modifican el valor de rigidez dielctrica de un slido incrementa a un valor
un campo elctrico).. considerablemente alto, conocido como rigidez elctrica
intrnseca.
La ruptura intrnseca depende, al igual que en los gases, de
ndice de Trminos Avalancha elctrica, descarga la presencia de electrones libres que sean capaces de
intrnseca, descarga electromecnica, trmica, electroqumica desplazarse a travs de la celosa del dielctrico. En slidos
usualmente existen pocos electrones libres en un dielctrico
slido, junto con imperfecciones estructurales y una pequea
cantidad de impurezas. Los tomos o molculas de las
I.INTRODUCCIN impurezas actan como trampas de los electrones de
conduccin, pero solo hasta cierto nivel de campo elctrico o
Los materiales aislantes son capaces de soportar los temperatura. Cuando los rangos permisibles son excedidos,
gradientes de tensin aplicados, siempre que no sean electrones adicionales junto con los electrones atrapados en las
demasiados elevados, limitando la corriente de fuga a valores imperfecciones son liberados, dando origen a un proceso de
muy bajos debido a sus elevadas resistividades elctricas. conduccin .La perforacin intrnseca se contiene con voltajes
La perforacin dielctrica tiene gran importancia por aplicados de muy corta duracin y en condicione ideales en
aquello procedemos a aclarar las principales descargas y sus que los fenmenos ajenos a la estructura del dielctrico e
causas. pueden elimina.
Incluso en la mayora de casos las tensiones de perforacin Si el material sometido a ensayo es puro y homogneo, la
que curren en aleaciones de material son muy variables por temperatura y las condiciones ambientales son
aquello corresponden a intensidad de campo mucho menores cuidadosamente controladas y la muestra est tan estresada
que las que se obtiene para un material puro que no hay descargas externas. Con subtensiones aplicadas por
un cortocircuito en el tiempo, la fuerza elctrica aumenta hasta
II. OBJETIVOS un lmite superior que se llama la resistencia elctrica
intrnseca. La fuerza intrnseca es una propiedad del material y
Observar que en los materiales solidos dielctricos presentan temperatura solamente. Experimentalmente se alcanza
una alta resistividad. raramente la fuerza intrnseca, pero se han hecho numerosos
intentos para medirlo para diversos materiales para lograr la
Investigar las diferentes perforaciones que se producen. resistencia ms alta, la muestra est diseada de manera que
Figura.3
Diagrama de nivel de energa esquemtico para un dielctrico Ecuacion.3
amorfo Donde I es la energa de ionizacin correspondiente a la transicin de
un electrn
A bajas temperaturas, los niveles de la trampa se llenarn en Desde una banda de valencia hasta una banda de conduccin.
su mayor parte con electrones atrapados all como el cristal se
enfri durante su fabricacin. Con la temperatura algunos de
los electrones atrapados sern excitados trmicamente en la Un electrn para permanecer acelerado y conducir as a la
banda de conduccin, debido a la pequea brecha de energa inestabilidad en cualquier campo debe encontrarse con una
entre los niveles de y el nivel de conduccin. Un cristal energa que lo traiga por encima de la curva B de modo que
amorfo tendr por lo tanto algunos electrones de conduccin. gana energa ms rpidamente que pierde. La ecuacin (3) nos
permite determinar la intensidad de campo crtico Ec que se
Cuando un campo se aplica a un cristal, los electrones de
requiere para causar colisin ionizacin desde la valencia
Figura.4
La tasa media de ganancia de energa A E, T, We de una aplicacin
Campo para varias intensidades de campo y la tasa media de prdida
de energa a la red
B WL, T
Ecuacion.4
Para hacer de las colisiones electrn-electrones el factor
dominante. En este caso lo es necesaria para calcular la
temperatura del electrnTe que ser mayor que La temperatura
de la red T. La ecuacin (2) del balance energtico tomar
entonces la forma
Ecuacion.4
Esta relacin se traza esquemticamente en la figura siguiente en el
que la familia de Diferenciando con respecto a d encontramos que la
Las curvas trazadas para varios valores de E representan las l.h.s. De expresin (6.4) tiene una mximo cuando d / d0 D exp [1/2] D
la ecuacin
0.6. Por lo tanto, ningn valor real de V puede producir un
valor estable de d / d0 menor que 0,6. Si la fuerza intrnseca
no se alcanza a este valor, un aumento adicional en V hace que
el grosor inestable y el espcimen se derrumba. La mayor
fuerza aparente es entonces dada por
Ecuacion.5
Este tratamiento ignora la posibilidad de que se produzca
inestabilidad en
Campo medio debido a la concentracin del esfuerzo en las
irregularidades, la dependencia
De Y en el tiempo y el estrs, y tambin en el flujo de plstico.
Figura.5
Descomposicin del espcimen slido debido al borde de
descarga ambiental
efecto
Ecuacin.6
Aqu d1 y d2 representan el espesor de los medios 1 y 2, y 1
Y 2 son sus respectivas permitividades
Para el caso simple cuando un gas dielctrico est en serie Figura.6
con un dielctrico slido estresado entre dos paralelos Canales de desglose en plexigls entre plano de puntos
electrodos de placa, la tensin en la parte gaseosa exceder la Electrodos Radio del punto D 0,01 pulg; Espesor 0,19 pulg.
Nmero total de
del slido por la relacin de permitividades o E1D rE2. Para
Impulsos D 190. Nmero de canales producidos D 16; N punto
el caso mostrado anteriormente. La tensin en la parte gaseosa
indica final
aumenta a medida que x disminuye y alcanza valores altos Del canal n. Radios de crculos aumentan en unidades de 10 2
como d1 se hace muy pequeo (punto B). En consecuencia, el pulgadas
ambiente se descompone a una tensin aplicada relativamente
baja. La carga en la punta de la descarga perturbar an ms el
campo local aplicado y transformar a un sistema altamente no
VI. PERFORACIN TRMICA
uniforme. La concentracin de carga en l se ha estimado que
la punta de un canal de descarga es suficiente para campo del La ruptura trmica de un material aislante slido se
orden de 10 MV / cm, que es superior al desglose intrnseco incrementa con su espesor, pero aunque solo aplica solo para
campo. Un desglose local en las puntas de la descarga es algunos valores de espesor arriba de los causados por el calor
probable, por lo tanto, y el desglose completo es el resultado del flujo de corriente en el aislante.
Ecuacion.10
Donde Cv es la capacidad trmica del dielctrico, es la conductividad
elctrica
Ecuacion.10.2
Se ve que alcanzar la condicin crtica requiere una combinacin de
Figura.8 Tiempo y campo crtico y que el campo crtico es independiente del
Entrada y salida de calor, muestra cbica Temperatura crtica Tc debido al rpido aumento de la temperatura.
IX. REFERENCIAS
Ecuacion.13
El voltaje a travs de la cavidad [1] G. O. Young, Synthetic structure of industrial plastics
(Book style with paper title and editor), in
En la prctica, una cavidad en un material es a menudo casi Plastics, 2nd ed. vol. 3, J. Peters, Ed. New York:
esfrica, y para tal caso la intensidad de campo interna es McGraw-Hill, 1964, pp. 1564.
[2] E Kuffel, W.S Zaegnl, J Kuffel High Voltage
Engineering (second edition) Newnes Second edition
2000, published by Butterworth-Heinemann E. Kuffel,
Ecuacion.14 W.S. Zaengl and J. Kuffel 2000
donde E es el campo elctrico del dielctrico
Figura.12
Secuencia de descarga en una cavidad bajo voltajes alternos