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Modlisation de matriaux supraconducteurs -

application un limiteur de courant

THSE NO 3469 (2006)


PRSENTE le 24 mars 2006
la facult informatique et communications
Laboratoire de systmes non-linaire
section des sytmes de communication

COLE POLYTECHNIQUE FDRALE DE LAUSANNE

POUR L'OBTENTION DU GRADE DE DOCTEUR S SCIENCES

PAR

Joseph DURON

ingnieur lectricien, Institut National Polytechnique de Grenoble, France


et de nationalit franaise

accepte sur proposition du jury:

Prof. B. Rimoldi, prsident du jury


Prof. M. Hasler, directeur de thse
Dr M. Decroux, rapporteur
Prof. A.-Ch. Rufer, rapporteur
Prof. P. Tixador, rapporteur

Lausanne, EPFL
2006
toutes les personnes
qui me sont chres
Rsum

Lobjectif principal de cette thse est la modlisation de matriaux supraconducteurs, et


plus particulirement, de ceux dits haute temprature critique. Ce travail est divis en
deux parties distinctes : dans un premier temps, nous nous intressons la reconstruction de
la distribution dynamique du courant dans la section dun ruban supraconducteur laide
dun modle dcrivant son comportement global. Ensuite, nous nous focalisons sur la mod-
lisation lectromagntique et thermique par lments finis des supraconducteurs en rgime
sur-critique, cest dire au-del du courant critique Ic .

Une introduction la supraconductivit est faite dans le premier chapitre de ce travail,


prsentant les proprits physiques principales que possde un matriau supraconducteur.
Ensuite, nous dcrirons les diffrents modles existants permettant de dcrire le compor-
tement dun chantillon supraconducteur. En se basant sur le modle de Bean, nous proposons
une nouvelle mthode permettant dvaluer la distribution du courant dans la section dun
ruban monofilamentaire partir de la mesure du profil magntique sa surface. Les rsultats
obtenus sont compars avec ceux donnes par une modlisation certes plus prcise, mais aussi
plus complexe : lutilisation de la mthode des lments finis.

Cette dernire sera largement utilise dans la seconde partie de ce travail, qui traite de la
modlisation de matriaux en rgime sur-critique. Ceci ncessite dintroduire une formulation
diffrente de lhabituelle loi de puissance Ec (J/Jc )n pour dcrire le comportement lectrique
du matriau dans une plage de courant plus importante, incluant les rgimes sur-critiques.
Pour cela, nous proposons une mthode originale, permettant dapprocher des mesures ef-
fectues sur des chantillons dYBCO et autorisant la description de la transition de ltat
supraconducteur vers ltat normal. La dpendance en temprature a aussi t introduite afin
dtudier les phnomnes thermiques qui se produisent. Il est ainsi possible de rsoudre de
manire couple les quations lectromagntiques et thermiques du problme : la rsolution
dun pas de temps lectromagntique conduit la connaissance des pertes locale. Ces pertes
sont injectes dans le modle thermique, et permet de calculer laugmentation de temprature
correspondante. Ce rsultat est alors utilis pour modifier les paramtres lectriques en vue
de la rsolution du prochain pas de temps.
Finalement, cette mthode a t utilise afin de simuler le comportement dun limiteur
de courant supraconducteur. Le comportement global du systme peut tre reproduit par
le modle numrique implment, autorisant ainsi ltude des variables locales, telles que la
densit de courant ou le profil de temprature. Les rsultats obtenus peuvent tre utiliss afin
doptimiser les performances du dispositif selon des critres spcifiques. Cest ainsi que nous
avons propos une modification de la gomtrie permettant dviter un possible emballement
thermique qui pourrait conduire la destruction du systme. Sur la base de cette proposition,
des modifications ont t apportes au design du dispositif, et sont actuellement testes.

Mots cls : modlisation numrique, supraconductivit, limiteur de courant.


Abstract

This thesis is focused on the modelling of superconducting materials, and in particular, high-
temperature superconducting materials. This work is divided in two parts: first, the dynamic
magnetic field mapping obtained by measurements is used in order to reconstruct the dy-
namic current distribution inside a tape assuming a model describing its global behavior.
In the second part, superconductors in over-critical regime have been both electrically and
thermally modelized with a finite element method. Calculations have been applied on a cur-
rent limiter and compared to a constructed and measured device at the University of Geneva.

The first chapter is an introduction to high-temperature superconducting materials,


where the main superconducting physical properties used are presented. Next, we introduce
the different existing models which can be used for describing the behavior of a supercon-
ducting tape. With the help of the Bean model, a novel method to evaluate the current
distribution in a mono-filamentary superconducting tape from surface magnetic field mea-
surements is proposed. The obtained results are compared with more precise, but more
complex, methods like finite element modeling, which will be used for the second part of
this work. The last part is focused on the modelization of superconducting material in over-
critical regime. To achieve this goal, we need to introduce a different expression than the
usual Ec (J/Jc )n power-law for describing the electric behavior of the material in a much
wider current range covering over-critical excursion. The original proposition we made is
able to fit the measurements made on YBCO tapes, allowing to describe the transition from
the superconducting to the normal state. Then, to taking into account the thermal phenom-
ena, the temperature dependence of the electrical parameters has been introduced in order
to solve a coupled electromagnetic and thermal problem: solving a time step of the electro-
magnetic part leads to the knowledge of the local losses. These losses are injected inside the
thermal part. The resulting temperature computation is used to modify the electrical pa-
rameters for the next time step. Finally, this method has been applied in order to simulate a
superconducting current limiter. The global behavior of the device can be reproduced by the
implemented numerical model, which also allows the study of the local variables, like current
density distribution or temperature profile. The obtained results can be used to optimize a
device according to specific criteria. In particular, we have proposed geometric modifications
for avoiding possible local thermal runaway, which can lead to the destruction of the device.
This proposition has beeing inspired the new design, which is now tested.

Keywords: numerical modelling, superconductivity, fault current limiter.


Table des matires

Remerciements 5

Prambule 7
Petit historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Proprits gnrales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Grandeurs critiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Surface critique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Motivations de cette thse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

I Problme inverse 17

1 Introduction 19
1.1 Motivations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.2 Pourquoi ne pas mesurer la densit de courant J ? . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.3 Proposition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

2 quations lectromagntiques dcrivant le comportement dun supracon-


ducteur 21
2.1 Relation B(H) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.2 Relation E(J) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.3 Modle de ltat critique, modle de Bean . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4 Rsum des quations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.5 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

3 Algorithme de recherche 27
3.1 Prsentation du systme de mesures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2 Calcul du profil magntique produit par une distribution de courant . . . . . 28
3.3 Inversion du problme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

4 Rsultats obtenus 33
4.1 Comparaison des densits de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.2 Amlioration du modle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.3 Travail futur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

II Modlisation par lments finis 39

5 Introduction 41

3
6 Introduction la mthode des lments finis 43
6.1 Un problme aux limites unidimensionnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
6.2 Discrtisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
6.3 Problme faible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
6.4 Mthode de Galerkin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
6.5 La mthode des lments finis de degr 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

7 Prsentation du logiciel Flux 51


7.1 Prsentation du module lectromagntique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.2 Sparation des phnomnes lectriques et magntiques . . . . . . . . . . . . . 52
7.3 Partie magntique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.4 Partie lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.5 Partie thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.6 Description gnrale dune gomtrie et rsolution . . . . . . . . . . . . . . . 56
7.7 Choix dune formulation pour ltude dun dispositif supraconducteur . . . . 57

8 Loi de modlisation des couches minces dYBCO 59


8.1 Mesures I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.2 Limitations de la loi de puissance E = f (J) utilise habituellement . . . . . . 60
8.3 Proposition dun nouveau modle E = f (J) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
8.4 Implmentation sous le logiciel Flux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.5 Implmentation de la fonction : . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
8.6 Dpendance en champ magntique des paramtres . . . . . . . . . . . . . . . 70

9 Simulation lectro-thermique couple 71


9.1 Dpendance en temprature des paramtres lectriques . . . . . . . . . . . . . 72
9.2 Trac de la courbe = f (J, T ) pour le matriau supraconducteur . . . . . . . 74
9.3 Paramtres thermiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.4 Coefficient dchange avec le bain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.5 Couplage des quations lectriques et thermiques . . . . . . . . . . . . . . . . 78
9.6 Mthode de rsolution dun problme coupl sous Flux . . . . . . . . . . 78

10 Application : modlisation dun limiteur de courant supraconducteur 81


10.1 Prsentation du systme rel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
10.2 Modlisation de la gomtrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
10.3 Rsultats obtenus pour la partie lectromagntique seule . . . . . . . . . . . . 85
10.4 Rsultats lors de la prise en compte de la temprature . . . . . . . . . . . . . 88
10.5 Modlisation des conditions dun court-circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
10.6 Simulation dun dfaut intervenant sur un maximum de tension . . . . . . . . 90
10.7 Simulation dun dfaut intervenant sur un zro de tension . . . . . . . . . . . 92

Conclusion et perspectives 97

A Programmation de la fonction E = f (J, T ) en langage FORTRAN 99

4
Remerciements

Ce mmoire de thse est le rsultat de trois annes de travail passes au sein du laboratoire
des systmes non linaires (LANOS) de lcole Polytechnique Fdrale de Lausanne (EPFL).
Cependant, il nest pas le fruit dun travail exclusivement solitaire, et de nombreuses personnes
mont particulirement aid durant ces annes, soit par leur collaboration, soit par leur amiti,
leur soutien ou leur simple prsence. Par ces quelques lignes, je tiens leur adresser ma plus
sincre reconnaissance.
Tout dabord, je voudrais tmoigner ma gratitude envers le Prof. Martin Hasler et le
Dr. Bertrand Dutoit pour la confiance quils mont accorde en me permettant de raliser
une thse au sein de leur laboratoire, aux Dr. Michel Decroux et Dr. Louis Antognazza de
lUniversit de Genve qui ont dvelopp le limiteur de courant et ralis les mesures, ainsi
quaux membres du LANOS, anciens comme actuels, pour lambiance amicale quils ont fait
et font rgner dans ce laboratoire.
Les simulations numriques ont t implmentes sous le logiciel Flux . La ralisa-
tion de celles-ci aurait t plus longue et difficile sans lexprience et les prcieux conseils de
Francesco Grilli et Svetlomir Stavrev qui mont transmis leur savoir-faire dans la modlisa-
tion de matriaux supraconducteurs. Un remerciement particulier au Dr. Daho Taghezout
et Gilles Dutoit de la socit Applied Magnetics (distributeur suisse du logiciel "Flux"),
qui mont fourni un support technique de qualit chaque fois que jen ai eu besoin. Toute
ma reconnaissance galement Graldine Conti, Philip Immoberdorf et Peter Buehlmann
pour leur collaboration durant le stage ou le projet de semestre quils ont effectu sous mon
encadrement.
Trois annes sans le soutien inestimable dami(e)s seraient un chec. Un grand merci
donc tous ceux et toutes celles qui ont t mes cts, et qui mont aid ou encourag.
Je voudrais plus spcialement adresser un clin dil Charlotte Eidenbenz, Sophie Baum-
gartner, Claire et Jrmie Chabloz, Kali et Louis Grandjean, Cline Freymond, Maryline et
Vincent Porchet, Julian Fleury, Sbastien Mariethoz, Sara Furrer, Chantal et Thomas Gau-
glhofer, Lucienne Bussy, Martine Schlaeppi, Simona et Christophe Hebeisen, Marina Kaempf
et Christian Albrecht, Emmanuel Marthe, Hlne Nigg, Annmarie McCaig, Thomas Hlie,
ainsi quaux membres du groupe des "JMJistes", en particulier Jrme Prvost, Daniel Dio-
losa, Andreia Semedo et Beniamino Di Martino. Mille excuses ceux que je nai pas cits sur
cette liste, sachez que vous tes tous et toutes dans mes penses.
Enfin, je tiens exprimer ma reconnaissance ma famille pour son soutien et ses en-
couragements durant toutes ces annes, et plus particulirement mes parents pour mavoir
donn la chance de faire des tudes universitaires correspondant mes souhaits.

5
6
Prambule

Petit historique

Lhistoire de la supraconductivit commence en 1911 dans un laboratoire de lUniver-


sit de Leiden aux Pays-Bas. Heike Kammerling-Onnes, qui sest intress auparavant la
liqufaction de lhlium, tudie les proprits des mtaux basse temprature, la temp-
rature de lhlium liquide plus exactement. Cest alors que Gilles Holst, tudiant dans ce
laboratoire, observa la disparition brutale de la rsistivit du mercure lorsque la tempra-
ture devenait lgrement infrieure 4.2 K. Les proprits extraordinaires observes sur la
conduction lectrique ont conduit lappellation de ce nouvel tat : "tat supraconducteur".

1908 Liqufaction de lhlium


H. Kammerling-Onnes dcouvre la supraconductivit du
1911
mercure en dessous de 4.2 K [1]
W. Meissner et R. Ochsenfeld dcouvre le diamagntisme
1933
parfait associ ltat supraconducteur
Thorie de London sur le comportement lectrodynamique
1935
des supraconducteurs
J. Bardeen, N. Cooper et J.R. Schrieffer propose une expli-
1957
cation quantique de la supraconductivit (thorie BCS)
Confirmation exprimentale de la valeur du fluxode (quan-
h
1961 tum de flux) 0 = 2|e| . Cette dcouverte prouve lexistence
de paires de Cooper
B. D. Josephson prdit de manire thorique leffet tunnel
1962 des paires de Cooper travers une couche mince isolante
(oxyde)
1965 Fabrication de cbles en NbTi
Record de temprature critique (films de Nb3 Ge vaporis
1974
avec Tc = 23.4 K)
Fabrication de cbles multifilamentaires en Nb3 Ge avec un
1974
stabilisateur en bronze
J. G. Bednorz et K. A. Mller dcouvrent la supraconducti-
1986
vit 30 K dans des composs La Ba Cu O
1987 Supraconductivit 92 K dans les composs YBa2 Cu3 O7
1993 Tc = 135 K des composs HgBa2 Ca2 Cu3 O8
Dcouverte des proprits supraconductrices du compos
2001
MgB2

Tab. 1: Petit historique de la supraconductivit

7
Proprits gnrales
Rsistivit
Cest le phnomne le plus connu et le plus remarquable : en dessous dune certaine
temprature, appele temprature critique (Tc ), la rsistivit dun matriau supraconducteur
devient brutalement non mesurable (figure 1). Pour le mercure, cette chute brutale intervient
lorsque la temprature T est de lordre de 4.2 K.

(a) Pour un matriau conventionnel et supraconduc- (b) Pour un l de mercure


teur [2] (Tc = 4.2 K) [3]

Fig. 1: volution de la rsistivit en fonction de la temprature.

Des expriences reposant sur la dcroissance exponentielle de linduction magntique


gnre par le courant circulant dans une bobine supraconductrice soigneusement court-
circuite montrent que la rsistivit chute aux alentours de 1024 m. La constante de
temps = L/R du circuit lectrique est alors suprieure 100 millnaires. Paradoxalement,
la rsistivit dun matriau supraconducteur ltat normal (cest--dire non supraconduc-
teur) est leve, de lordre du m. Pour comparaison, la rsistivit du cuivre 90 K est de
Cu (90 K) = 0.003 m = 0.3 cm.

Aimantation
Un matriau supraconducteur nest pas seulement un conducteur parfait. Dans ltat
normal, il est non magntique, son comportement nest pas modifi par la prsence dun
champ magntique. En revanche, en dessous de la temprature critique, il devient diamagn-
tique : son aimantation est ngative, pour des champs magntiques infrieurs une certaine
valeur appele champ critique (Hc ). Ce diamagntisme, sous certaines conditions, peut tre
pratiquement parfait. Le supraconducteur expulse alors totalement linduction magntique,
et ce indpendamment des conditions initiales. La susceptibilit magntique est alors gale
1. Cet effet est appel effet Meissner.
Ce comportement diamagntique distingue les matriaux supraconducteurs des mat-
riaux parfaitement conducteurs. Un matriau dont seule la rsistivit sannule (conducteur
parfait) prsente une hystrsis magntique. En champ croissant, ce matriau va se compor-
ter comme un supraconducteur : des courants induits en surface vont cranter linduction

8
magntique extrieure. Par contre, en champ dcroissant partir de Hc , les courants induits
dans le conducteur parfait vont sopposer la variation dinduction (loi de Lenz) alors que
dans un supraconducteur, les courants induits vont sannuler. Le tableau 2 ci-aprs illustre
cette distinction entre conducteur parfait et supraconducteur lors dun refroidissement sous
champ magntique externe.

Refroidissement puis suppression du champ Be


-

T = 300 K T < Tc T < Tc


Be 6= 0 T Be 6= 0 T Be = 0 T

Conducteur
parfait ( = 0)

Supraconducteur
idal ( = 0 et
= 1)

Tab. 2: Comparaison entre le comportement magntique dun conducteur parfait et celui dun supra-
conducteur idal.

Chaleur spcifique
En labsence de champ magntique, un saut de chaleur spcifique est associ au passage
de ltat normal vers ltat supraconducteur la temprature critique Tc . Ce saut est de faible
valeur, de lordre de quelques centaines de mJg1 K1 (figure 2). Il nest en gnral pas pris
en compte dans les simulations ou les tudes de matriaux, mais associ aux deux proprits
prcdentes il permet de confirmer clairement les proprits supraconductrices dun matriau.

Gap lectronique
On montre que ce saut de chaleur spcifique (figure 2) implique lexistence dun gap
dnergie entre ltat fondamental et les excitations du systme, comme dans un semi-conducteur.
Son existence est associe la prsence dtats lis de deux lectrons : les paires de Cooper [5].

Prsentation dun ruban supraconducteur haute temprature


critique
Un chantillon supraconducteur est un conducteur lectrique compos dun cur et dun
stabilisateur. Le cur, en noir sur les figures 3, 4 et 5, est ralis laide de brins supra-
conducteurs torsads et noy dans une matrice rsistive appele stabilisateur. Ce dernier sert
assurer la stabilit lectrique (lors dun "quench"), thermique et mcanique de lchan-
tillon. Il est en gnral compos dun alliage contenant majoritairement de largent. Pour des
supraconducteurs de type "couches minces", on utilise un alliage dor.

9
Fig. 2: Chaleur spcifique dun chantillon dYBCO [4].

Fig. 3: Ruban monofilamentaire supraconducteur.

Fig. 4: Ruban compos de 19 filaments supraconducteurs.

Fig. 5: Ruban compos de 55 filaments supraconducteurs.

La fabrication dun ruban passe par diffrentes tapes qui varient selon les matriaux et
les performances que lon dsire. Un exemple de processus pour des chantillons de NbTi est

10
reprsent la figure 6.

Fig. 6: tapes ncessaires la fabrication dun ruban NbTi.

Grandeurs critiques
Labsence de pertes lectriques dans un supraconducteur existe seulement dans un do-
maine restreint dfini par trois paramtres appels "grandeurs critiques".

Temprature critique Tc
La temprature critique est trs variable en fonction de la nature du (des) matriau(x)
composant(s) le supraconducteur (figure 7). Infrieure 23 K pour les matriaux conven-
tionnels, la temprature critique est comprise entre 100 et 130 K pour plusieurs matriaux
dcouverts depuis 1986. Ces derniers sont appels supraconducteurs haute temprature
critique.
Ils sont particulirement intressants puisquils peuvent tre utiliss la temprature de
lazote liquide (77 K), gaz prsent en abondance dans latmosphre, et dont la production est
bien moins coteuse que celle de lhlium liquide.

Champs critiques Hc1 et Hc2


La supraconductivit est dtruite si lchantillon est soumis un champ magntique, y
compris son champ magntique propre lorsquun courant le traverse. Tous les matriaux nont
cependant pas le mme comportement, et on distingue deux types de supraconducteurs.

11
Fig. 7: Temprature critique et anne de dcouverte de quelques matriaux supraconducteurs [6].

Supraconducteurs de type I : Les supraconducteurs de type I ne possdent quun seul


champ critique Hc : le champ critique thermodynamique. Ils expulsent totalement linduction
magntique tant que celle-ci est infrieure 0 Hc (figures 8 et 9). Linduction critique 0 Hc de
ces matriaux est faible, de lordre de 100 mT. De ce fait, elle limite beaucoup leur utilisation
dans le domaine de llectrotechnique, sauf ventuellement dans le cadre de lignes lectriques.
On dfinit un paramtre L appel longueur de pntration de London. Sa valeur est
donne par lquation :

m : masse de llectron

m
r
L = avec ns : densit dlectrons supraconducteurs (1)
0 ns e2
e : charge de llectron

Bien que L soit un paramtre intrinsque au matriau, son ordre de grandeur est de
lordre de la dizaine de nm. Il reprsente la longueur de pntration du champ magntique
dans le matriau h(x) = Hext exp(x/L) (figure 10).

Supraconducteurs de type II : Les matriaux supraconducteurs de type II possdent


deux champs critiques nots Hc1 et Hc2 (figure 8). La valeur de Hc2 est en gnral bien plus
leve que celle de Hc1 , et 0 Hc2 peut atteindre des dizaines de teslas. Cette particularit
supporter des champs magntiques importants les rend trs attrayants pour llectrotech-
nique.
En dessous du premier champ critique Hc1 , leur comportement, tout comme celui des
supraconducteurs de type I, est parfaitement diamagntique. Au-del, le diamagntisme de-
vient partiel et le matriau est alors dans ltat mixte. Son aimantation diminue avec le champ
pour sannuler compltement lorsquil est gal Hc2 . Le matriau passe alors ltat normal.

tat mixte, rseau de vortex


La rpartition de linduction magntique au sein dun supraconducteur de type II dans
ltat mixte nest pas uniforme. En effet, linduction magntique apparat uniquement en

12
(a) Type I (b) Type II

Fig. 8: Induction magntique dans un matriau supraconducteur parfait.

(a) Type I (b) Type II

Fig. 9: Magntisation dans un matriau supraconducteur parfait.

diffrents points (figure 11). Pour un matriau sans dfaut, ces points forment un rseau
triangulaire.
Les points, reprsents en blanc sur limage magnto-optique de la figure 12 sont de fait
des "tubes" qui traversent le matriau. Ils sont tous caractriss par exactement le mme flux
magntique, le fluxod, not 0 et dexpression :

h : constante de Planck

h 15
0 = = 2.07 10 Wb avec (2)
2e e : charge de llectron
Ainsi, le cur de chaque tube est dans ltat normal. Il laisse pntrer linduction ma-
gntique. Le reste du matriau est dans ltat supraconducteur. Des courants annulaires
persistants, appels "supra-courants", circulent sur une distance L autour de chaque cur
pour annuler le champ. Ces courants, de type tourbillonnaire, ont donn le nom de vortex
(tourbillon) cette structure microscopique.

Densit de courant critique Jc et courant critique Ic


Supraconducteurs de type I : Le courant critique dun supraconducteur de type I est
li au champ critique Hc . Il peut tre dtermin par la rgle de Silsbee : cest le courant qui

13
Fig. 10: Pntration du champ magntique dans un supraconducteur de type I.

Fig. 11: Rseau de vortex dans un matriau supraconducteur de type II [7].

cre le champ critique Hc la surface du conducteur. Il est donc ais de trouver le courant
critique dun cylindre de diamtre D : Ic = DHc .

Supraconducteurs de type II : La densit de courant critique pour un matriau de


type II est lie lancrage des vortex. Lorsque la force lectromagntique dpasse la force
dancrage, les vortex commencent se dplacer. Ce dplacement induit un champ lectrique
non nul aux bornes du matriau et provoque une dissipation importante dnergie.
Comme cette dissipation apparat progressivement, le courant critique Ic est dfini laide
dun critre. Le plus commun pour ces matriaux est celui du V cm1 : cest le courant qui
traverse lchantillon lorsque la tension aux bornes de lchantillon correspond un champ
lectrique de 1V cm1 .
partir de cette mesure, on calcule deux densits de courant critique :

14
Fig. 12: Image magnto-optique dun rseau de vortex dans un matriau NbSe2 4 K pour un champ
magntique Hext = 7 Oe 557 Am1 [8]. Cette valeur correspond une induction magntique
denviron 0.7 mT dans lair.

Jc = Ic /Ssupra avec Ssupra section supraconductrice


Je = Ic /Schantillon avec Schantillon section totale

On entend par section totale la somme des sections de la partie supraconductrice et de


la partie stabilisatrice.

Surface critique
Il existe une dpendance entre les grandeurs Tc , Hc et Jc . Lutilisation dun supracon-
ducteur avec un minimum de pertes ncessite quil soit plac dans des conditions o son tat
est non dissipatif. Il est donc ncessaire de connatre les limites ne pas dpasser afin de ne
pas sortir de cette zone dutilisation optimale en termes de pertes.
On appelle surface critique la surface qui dlimite ltat non dissipatif la surface dans le
plan [T, H, J] (figure 13).

Motivations de cette thse


Cette thse traite de la modlisation numrique des supraconducteurs. Sa principale
originalit rside dans lextension du modle E(J) dcrivant le comportement lectrique du
matriau afin de prendre en compte le passage de ltat intermdiaire ltat normal, ainsi
que dans la prise en compte des phnomnes thermiques causs par les pertes importantes
lorsque le courant dpasse le courant critique Ic . Il est particulirement important de tenir
compte de ces phnomnes lors du dveloppement de systmes risquant dtre exposs des
rgimes sur-critiques svres, comme cest le cas par exemple pour un limiteur de courant
insr dans un rseau lectrique. La possibilit de raliser des simulations numriques permet
de prdire le comportement lectrique et thermique du systme, et doptimiser les paramtres
gomtriques en vue den amliorer les performances.
Ce travail est divis en deux parties distinctes :

15
Fig. 13: La supraconductivit ne se manifeste que dans la rgion o T , H et J sont infrieurs aux
valeurs critiques Tc , Hc et Jc respectivement [2].

La premire partie est consacre ltude de la rpartition dynamique du courant dans


un chantillon supraconducteur laide dun modle global. En particulier, ce modle
nous permettra de reconstruire, partir de la mesure du champ magntique la surface
du conducteur, une approximation de la densit locale de courant dans un ruban.
Nous traiterons ensuite de la modlisation de matriaux supraconducteurs en rgime
sur-critique laide de la mthode des lments finis. Nous verrons comment raliser
une simulation lectromagnto-thermique couple, prenant en compte la modification
des paramtres lectriques due laugmentation de la temprature. Nous validerons les
rsultats obtenus en les comparant aux mesures ralises sur un limiteur de courant.

16
Premire partie

Problme inverse

17
Chapitre 1

Introduction

Cette premire partie est consacre la recherche de la distribution de courant dynamique


dans un chantillon supraconducteur.

1.1 Motivations

La connaissance de la rpartition du courant dans un chantillon supraconducteur est un


lment important pour la comprhension des proprits conductrices particulires observes.
Plus spcialement, la connaissance de cette rpartition dynamique en rgime alternatif est
ncessaire la dtermination des pertes dans un ruban.
De plus, le courant critique global Ic dun ruban dpend de ses caractristiques gom-
triques et de la densit de courant critique locale Jc . Sil est possible de calculer une carte
de la distribution du courant dans un ruban, cette mthode pourra tre utilise dans des
processus de contrle de qualit car elle permettra la dtection et la localisation de dfauts
dans lchantillon.

1.2 Pourquoi ne pas mesurer la densit de courant J ?

Il parat en effet plus simple de raliser des mesures sur un chantillon afin de connatre la
densit de courant J dans un ruban supraconducteur. Diverses mthodes existent pour cela,
comme celle propose par B. ten Haken [9] qui consiste appliquer un gradient magntique
passant par zro. De cette manire, le fort champ magntique externe (B > 0Hc ) fait
que la quasi-totalit du ruban est ltat normal, sauf la rgion que lon souhaite mesurer.
En dplaant cette rgion et en mesurant sa densit de courant critique Jc , il est possible
dvaluer la qualit de lchantillon. Cependant, cette technique possde le dsavantage de ne
pas maintenir les conditions de mesure stables : en effet, dune part, le test du ruban se fait
sous champ magntique, ce qui nest pas forcment une condition nominale dutilisation du
ruban, et dautre part, une rgion soumise un champ nul un instant t se retrouve soumise
un champ magntique important un instant t + t.
Il est aussi possible de passer par lanalyse des cycles dhystrsis magntiques [10], ou
par des mesures magnto-optique [11], cependant toutes ces techniques demandent une pr-
paration particulire de lchantillon ou bien une calibration prcise des appareils de mesures
[12].

19
1.3 Proposition
Nous proposons donc de reconstruire cette rpartition de courant laide des mesures de
champ magntique faites la surface de lchantillon laide de sondes de Hall. Lutilisation
de ce type de sondes ne ncessite aucune prparation particulire de lchantillon si ce nest les
oprations courantes permettant de raliser les connections lectriques et son refroidissement
temprature cryognique.
Ce problme est un problme dit "inverse" : partant de la consquence dun phnomne,
nous tentons de retrouver la cause de celui-ci. Il est frquent que les problmes inverses soient
des problmes mathmatiquement mal dfinis. En effet, il peut y avoir plusieurs solutions,
dans notre cas plusieurs distributions de courant, qui conduiraient la mme consquence.
Il conviendra donc de formuler certaines simplifications afin de limiter le nombre de
solutions possibles, et de rduire ainsi la complexit du problme. Nous poserons donc les
quations qui dcrivent le comportement lectromagntique dun supraconducteur en nous
plaant dans lhypothse du modle de Bean. Ensuite, nous prsenterons le systme de mesure
qui nous permettra dobtenir le profil dynamique du champ magntique la surface. Ces
donnes seront enfin traites afin de reconstruire la rpartition du courant dans la section
supraconductrice du conducteur.

20
Chapitre 2

quations lectromagntiques
dcrivant le comportement dun
supraconducteur

Macroscopiquement, les quations de Maxwell restent valables pour dcrire les phno-
mnes lectromagntiques qui se produisent dans un supraconducteur. En se plaant en rgime
quasi-stationnaire (les courants de dplacement sont considrs comme nuls), elles scrivent :

~ B~
rot(E) = ; div(B) ~ =0 ; ~
rot(H) = J~ (2.1)
t
Comme pour les autres conducteurs, les quations suivantes viennent complter les qua-
tions de Maxwell :

~ = H
B ~ ; J~ = E
~ ~ = J~
ou E (2.2)
Dans les quations (2.1) et (2.2) :
E~ est le champ lectrique (en Vm1 ),
B~ est le champ dinduction magntique (en T),
H~ est le champ magntique (en Am1 ),
J~ est la densit de courant lectrique (en Am2 ),
est la conductivit du milieu (en 1 m1 ),
est la rsistivit du milieu (en m),
est la permabilit magntique du milieu (en Hm1 ).

2.1 Relation B(H)


Linduction magntique B lintrieur dun matriau en fonction du champ externe H
et de laimantation M est donn par lexpression :
B = 0 H + 0 M = (1 + )0 H = 0 r H (2.3)
Nous avons vu quun supraconducteur tait diamagntique, cest dire que B est nul
lintrieur du matriau, lorsque H < Hc1 . Ceci entrane que M = H et = 1. En
revanche, lorsque le champ H est suprieur Hc1 , le matriau supraconducteur nest plus
diamagntique. Comme le champ critique Hc1 dun supraconducteur de type II est de valeur
faible, linduction B auquel il est soumis lors de son utilisation est en gnral bien suprieure
0 Hc1 . Il peut donc tre considr comme macroscopiquement non magntique [4].
On peut alors crire B~ = 0 H~ (figure 2.1).

21
Fig. 2.1: Caractristique B(H) dun supraconducteur [4].

2.2 Relation E(J)


partir de mesures courant-tension sur un chantillon, on peut dduire la caractristique
exprimentale V (I) qui se met habituellement sous la forme dune loi de puissance. Si lon
admet que cette caractristique reste valable pour la densit de courant, la relation E(J)
scrit :
 n
J
E = Ec (2.4)
Jc

Dans lquation (2.4), lexposant n dpend non seulement du matriau, mais aussi de
la temprature et de linduction. Plus lexposant n est lev, et plus la transition est raide
(figure 2.2).
Le paramtre n est parfois considr comme un indicateur de la qualit dun ruban : plus
il est lev et plus le brin est dexcellente qualit. En effet, dans ce cas, pour des densits de
courant et une valeur de n faibles, les pertes en rgime sous-critique sont plus leves que
pour une valeur leve de lexposant (figure 2.1). De plus, dans ce dernier cas, le courant
critique peut alors tre dtermin sans ambigut ds lors quune tension apparat aux bornes
de lchantillon.
La relation (2.4) peut tre introduite dans un programme informatique afin de dtermi-
ner les grandeurs lectromagntiques. Analytiquement, elle devient cependant difficilement
utilisable, sauf dans le cas o n est grand. Alors, ce paramtre peut tre considr comme
infini. Cette hypothse conduit au modle de ltat critique que nous dveloppons ci-aprs.

2.3 Modle de ltat critique, modle de Bean


2.3.1 Modle de ltat critique
Lhypothse de ce modle est que le coefficient n est considr comme infini [13]. Ainsi, la
caractristique E(J), reprsente la figure 2.3 se traduit mathmatiquement par lexpression
suivante :

E
J = Jc (|B|) (2.5)
|E|

22
4
x 10
n=3
n = 10
4 n = 100

E (V / m) 3

0.1 1
J/Jc

Fig. 2.2: Caractristique E(J) dun supraconducteur.

Fig. 2.3: Caractristique E(J) dun supraconducteur, modle de ltat critique.

Par consquent, la densit de courant J ne peut prendre que trois valeurs distinctes : Jc ,
0 ou +Jc . Nanmoins, dans ce modle, la valeur de Jc peut-tre dpendante de linduction
~
B.

2.3.2 Modle de Bean


Afin de permettre le dveloppement de calculs analytiques, il est ncessaire dajouter une
simplification supplmentaire au modle de ltat critique en supprimant la dpendance en
champ magntique de la densit de courant critique Jc . Ce nouveau modle est connu sous

23
le nom de modle de Bean [14].

2.4 Rsum des quations


Les quations dcrivant le comportement lectromagntique dun supraconducteur sont
rsumes dans le tableau 2.1 suivant :
~ ~
rot(E) = tB
quations de Maxwell ~ =0
div(B)
~
rot(H) = J~
Milieu non magntique ~ = 0 H
B ~
 n
Relation E(J) E = Ec JJc
J = 0 ou J = Jc
Modle de ltat critique ~ ~ ou 0
rot(H) = Jc (|B|)
~
Jc indpendant de |B|
Modle de Bean ~
rot(H) = Jc ou 0

Tab. 2.1: quations dcrivant le comportement lectromagntique dun matriau supraconducteur

2.5 Exemple
Dans le but dillustrer le modle de Bean sur lequel nous nous appuierons, nous allons
tudier le cas dun fil de longueur infinie et de diamtre 2a, soumis un champ magntique
externe variable (figure 2.4). Le cas dun fil de longueur finie ncessiterait la prise en compte
des conditions aux limites, en particulier du champ dmagntisant [15], que nous nexposerons
pas dans ce travail.

Fig. 2.4: Fil supraconducteur de largeur 2a soumis un champ magntique He .

On suppose les conditions initiales suivantes (t = 0) :


le fil est vierge, cest dire quaucun courant nest prsent,
le champ externe est nul, soit He = 0.

24
Fig. 2.5: Rpartition de linduction et des courants dans un fil supraconducteur soumis un champ
magntique externe He croissant.

Lorsque le champ He commence augmenter, des courants sont induits, en sens inverse,
partir de lextrieur de la circonfrence externe du fil afin dcranter le champ magntique
lintrieur du conducteur (figure 2.5). Cet effet est comparable leffet de peau dans un
conducteur conventionnel, la diffrence que ces courants ne sont pas amortis par la rsistivit
du matriau et persistent donc lorsque He /t = 0.
La rsolution des quations donnes au tableau 2.1 nous donne :

Tant que He Jc a, on a :

0 < x < a e J = 0, B = 0 (2.6)
a e < x < a J = Jc , B = 0 (He + Jc (x a))
e= H e

Jc

Lorsque He > Jc a, les courants ne peuvent plus se dvelopper car ils sont limits par la
valeur de la densit de courant critique Jc . Laimantation au centre de la plaque devient alors
non nulle.
Enfin, lorsque le champ magntique externe He diminue, la rpartition des courants
sinverse de manire sopposer cette variation. Des courants, toujours de sens oppos, se
dveloppent de nouveau partir de lextrieur de la plaque (figure 2.6).
On montre que le comportement lectrique du matriau est identique lorsque lon ap-
plique un courant alternatif la place dun champ magntique externe [16]. En particulier, le
changement du signe de I/t entrane la pntration, de lextrieur du ruban vers lintrieur,
dune zone dans laquelle la densit de courant est oppose ltat prcdent [17].

25
Fig. 2.6: Rpartition de linduction et des courants dans un fil supraconducteur soumis un champ
magntique externe He dcroissant.

26
Chapitre 3

Algorithme de recherche

3.1 Prsentation du systme de mesures


Le systme de mesures utilis est reprsent, de manire simplifie, la figure 3.1. Il
est compos dun gnrateur de signaux permettant la commande synchronise dune carte
dacquisition digitale 16 voies (rsolution : 12 bits) et dun amplificateur de courant alimentant
lchantillon supraconducteur (figure 3.1). Les sondes de Hall sont excites laide dun signal
sinusodal de frquence 1000 Hz et on ralise 4 mesures successives sur une priode de ce signal.
Ainsi, pour un courant frquence industriel (50 Hz), il est possible dobtenir 20 mesures sur
une priode.

Fig. 3.1: Diagramme simplifi du systme de mesures.

Les sondes de Hall sont disposes une distance de 0.1 mm de la surface du ruban que
lon souhaite tester, et permettent de mesurer la composante verticale du champ magntique.
Afin daugmenter la rsolution spatiale, elles sont dpendantes dune tte mobile pilote par
des moteurs "pas--pas". Grce ce dispositif mcanique, il est possible de les dplacer par pas
de 3.5 m [18] et de rpter les mesures afin dobtenir une cartographie du champ magntique
au-dessus de lchantillon. Une photo de ce dispositif mcanique est donne la figure 3.2.
Il est ainsi possible dobtenir lvolution de la composante verticale du champ magntique
pour un cycle (figures 3.3 et 3.4).
Lorsque lon analyse le profil magntique pour t 10 ms, soit un courant I 0 A,
on remarque quil nest pas nul (figure 3.5), sauf au centre du ruban. Ce phnomne est

27
Fig. 3.2: Tte mobile supportant les 7 sondes de Hall. Le cercle blanc indique la position des sondes,
tandis que les flches blanches dsignent lchantillon.

Fig. 3.3: Exemple de profils magntiques obtenus pour diffrentes valeurs de temps. Lchantillon
utilis est un ruban Bi-2223/Ag mono-filamentaire de courant critique Ic = 82 A 77 K.

caractristique du comportement dun matriau supraconducteur : comme nous lavons vu


au chapitre prcdent, lorsque la drive du courant change de signe, ltat antrieur est
mmoris, car une zone au sein de laquelle le signe de la densit de courant locale est gal au
signe de dI/dt commence pntrer, partir de lextrieur de lchantillon vers lintrieur.
Ainsi, bien que le courant total I puisse tre nul, la densit de courant locale peut ne pas
tre nulle. Cette situation conduit la prsence dun profil champ magntique la surface
de lchantillon.

3.2 Calcul du profil magntique produit par une distribution


de courant

La rsolution dun problme inverse ncessite la connaissance du problme direct, cest


dire savoir calculer le profil magntique produit par une distribution de courant donne.
Pour cela, nous appliquons le thorme dAmpre nonc ci-dessous :

28
Fig. 3.4: Profil du champ magntique obtenu pour un ruban Bi-2223/Ag mono-filamentaire de courant
critique Ic = 82 A 77 K. Le courant alimentant lchantillon est un courant sinusodal I = I sin(2f t).
La valeur de I est choisie proche de Ic , soit 70 A et f = 50 Hz.

Fig. 3.5: Profil magntique obtenu t 10 ms, soit I 0 A.

3.2.1 Thorme dAmpre


Thorme dAmpre dans le vide. Considrons dans le vide une courbe ferme oriente
C et une surface S sappuyant sur cette courbe. Lorientation de la courbe C dfinit, confor-
mment la rgle dorientation positive de lespace, une normale positive en tout point de la
surface S. La circulation du vecteur induction magntique divis par 0 est gale au courant
I traversant la surface S :

I ~
B
dl = Is (3.1)
C 0

Si le courant I traverse N fois la surface dfinie par la courbe C, alors la circulation est
gale N I.

29
3.2.2 Conducteur infiniment long
Ainsi, un conducteur rectiligne de longueur infinie parcouru par un courant I (figure 3.6)
cre, en tout point de lespace, une induction magntique B donne par :

~ = 0 2I ~u
B avec ~u vecteur unitaire orthoradial (3.2)
4 r

Fig. 3.6: Application du thorme dAmpre un conducteur rectiligne.

3.2.3 Conducteur de section rectangulaire


Considrons maintenant un conducteur dont la section est rectangulaire, comme repr-
sent la figure 3.7. Ce conducteur peut tre divis en petits lments dS, de longueur
infinitsimale, parcourus par une densit de courant J circulant perpendiculairement dS.

Fig. 3.7: Application du thorme dAmpre un conducteur de section rectangulaire.

Ainsi, le champ magntique cr par la circulation du courant I dans le conducteur en


un point P de lespace, de coordonnes (xc , yc ), sexprime par la relation suivante :

30
~ = 0 2 sign(J) |J|
Z
B p ~u dS
4 S (xc x)2 + (yc y)2 (3.3)
avec ~u un vecteur unitaire orthoradial

Les composantes horizontale x et verticale y du champ se dduisent de lexpression (3.3)


et scrivent de la manire suivante :

0 2 sign(J) |J| (yc y)


Z
Bx = p p dS
4 S (xc x) + (yc y)
2 2 (xc x)2 + (yc y)2
0 (yc y)
Z
= sign(J) |J| dS
2 S (xc x)2 + (yc y)2
(3.4)
0 2 sign(J) |J| (xc x)
Z
By = p p dS
4 S (xc x)2 + (yc y)2 (xc x)2 + (yc y)2
0 (xc x)
Z
= sign(J) |J| dS
2 S (xc x)2 + (yc y)2

3.2.4 Cas dun matriau supraconducteur


En faisant lhypothse que les lois dcrivant le comportement lectromagntique du mat-
riau sont celles du modle de Bean, et en connaissant la distribution de la densit de courant
dans la partie supraconductrice, il est ainsi possible dutiliser lquation (3.4) afin de calcu-
ler le profil magntique que lon mesurerait laide du dispositif prsent au dbut de ce
chapitre :

0 (xc x)
Z
By = Jc sign(J) dS
2 S (xc x)2 + (yc y)2
Ainsi, pour une densit de courant donne, par exemple celle reprsente la figure 3.8,
le champ magntique mesur par le capteur situ aux coordonnes xc et yc de lespace est
donn par lexpression suivante [19] :

X 0 Z Z (xc x)
By (xc yc ) = Jc sign(J) 2 + (y y)2
dxdy (3.5)
zones
2 (xc x) c

Fig. 3.8: Exemple de distribution de courant en se plaant dans les hypothses du modle de Bean.

31
3.3 Inversion du problme
Cependant, nous dsirons reconstruire, partir du profil magntique mesur au dessus
de lchantillon, la distribution de la densit de courant circulant dans lchantillon monofi-
lamentaire supraconducteur. Les dimensions de ce dernier sont donnes au tableau 3.1.

Largeur de chantillon 4.05 mm


Hauteur de chantillon 0.27 mm
Largeur de la partie supraconductrice 3.00 mm
Hauteur de la partie supraconductrice 0.22 mm
Densit de courant critique 1.02 108 Am2
Courant critique 68.238 A

Tab. 3.1: Caractristique de lchantillon supraconducteur utilis.

Une premire simplification est de considrer quaucun courant ne circule dans le sta-
bilisateur. Comme le modle de Bean nest valable que pour I Ic , cette hypothse est
acceptable. Ensuite, nous modliserons le cur supraconducteur comme un cur rectangu-
laire, malgr lcrasement que lon constate sur les bords des filaments (figures 4 et 5 du
prambule). De ce fait, la gomtrie du ruban se rapproche de la configuration reprsente
la figure 3.8.
En supposant une distribution de densit de courant connue, dfinie par quatre variables
x1 , x2 , x3 et x4 dlimitant les diffrentes zones (figure 3.9), et par la rsolution du problme
direct donne par lexpression (3.5), il nous est possible de calculer la composante verticale
du champ magntique pour un capteur situ aux coordonnes xc et yc de lespace.

Fig. 3.9: Schma reprsentatif des 4 variables que nous souhaitons dterminer.

En appliquant une mthode des moindres carrs, il nous est ainsi possible de minimiser
la fonction suivante, dfinie par la diffrence calcule entre le profil magntique mesur et le
profil magntique calcul, afin de rechercher la valeur des quatre variables recherches [18] :
s X
f (x1 , x2 , x3 , x4 ) = (By mesure By calcule )2 (3.6)
capteurs

32
Chapitre 4

Rsultats obtenus

Lchantillon est aliment par un courant sinusodal connu, dexpression i(t) = I sin(2f t)
avec I = 60.2 A et f = 50 Hz. Lorsque nous appliquons la mthode prsente au chapitre 3
pour t = /2 (soit lorsque le courant est maximal), nous obtenons le rsultat reprsent
la figure 4.1. Nous remarquons une bonne correspondance entre le profil reconstruit grce
la recherche des variables x1 , x2 , x3 et x4 en comparaison avec le profil mesur par les sondes
de Hall.

6
Profil mesur
Profil reconstruit
4

2
By (mT)

6
3 2 1 0 1 2 3
Positionx (mm)

Fig. 4.1: Comparaison entre le profil reconstruit par la mthode des moindres carrs et le profil mesur
pour t = /2.

Afin de permettre une vrification ces quatre valeurs obtenues, nous utiliserons les rsul-
tats du logiciel de simulation numrique Flux , logiciel que nous prsenterons en dtails
dans le cadre de la seconde partie de cette thse. Ce programme, dont les rsultats ont t
largement valids avec des mesures [17] [20], permet de simuler le comportement dun dis-
positif lectromagntique conventionnel ou supraconducteur en deux dimensions ou en trois
dimensions. Ainsi, nous avons la possibilit de comparer la carte de la densit de courant
obtenue grce notre modle avec celle obtenue grce aux simulations lments finis.

33
4.1 Comparaison des densits de courant

Les rsultats sont prsentes ci-aprs pour t = 3/4 (figure 4.2), t = 3/2 (figure 4.3),
t = 7/4 (figure 4.4), t = 5/2 (figure 4.5) et t = 3 (figure 4.6).

On remarque en particulier une trs bonne correspondance entre les rsultats donns
par la mthode des lments finis, et la distribution reconstitue laide des mesures de
champ magntique. Cependant, le modle que nous avons dvelopp possde un inconvnient
majeur : de par lvaluation de la double intgrale de la formule (3.5), la rsolution de la
recherche des valeurs de x1 , x2 , x3 et x4 par une mthode des moindres carrs est lente. Il
faut en effet environ une minute sur une machine de type Intel Xeon - 1.7 GHz pour rsoudre
un profil magntique mesur. De plus, comme aucun traitement numrique nest ralis sur
les mesures, celles-ci sont bruits, rendant la convergence de la mthode des moindres carrs
plus difficile.

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 3/4 (b) Rsultats

Fig. 4.2: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 3/2 (b) Rsultats

Fig. 4.3: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

34
100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 7/4 (b) Rsultats

Fig. 4.4: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 5/2 (b) Rsultats

Fig. 4.5: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 3 (b) Rsultats

Fig. 4.6: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

4.2 Amlioration du modle


Afin doptimiser la vitesse de rsolution du problme inverse, nous allons supprimer
lvaluation de la double intgration prsente dans lquation (3.5). Pour cela, nous Rallons
discrtiser la section en de petits lments dS, et nous approcherons le courant I = JdS
par un courant I qui circule au centre de gravit de dS (figure 4.7). Si le pas despace li la
discrtisation prise est suffisamment petit, lerreur commise sera ngligeable.
De cette manire, le temps de calcul pour la recherche de la distribution du courant dans
le supraconducteur est divise par 5, passant dune minute environ dix secondes.
De plus, la discrtisation autorise une autre amlioration : la place des zones parfaite-
ment rectangulaires que nous avons utilises (figure 3.8), nous pouvons maintenant considrer

35
Fig. 4.7: Amlioration du modle : discrtisation et approche de JdS par un courant I qui circule
R

au centre de gravit de dS.

une configuration compose dlments de forme elliptique, comme cela est illustr la figure
4.8. De cette manire, notre modlisation gomtrique se rapproche plus de la configuration
relle dun ruban supraconducteur.

Fig. 4.8: Amlioration du modle : les zones considres seront remplaces par des rectangles bord
arrondis.

Les rsultats ainsi obtenus pour t = /2, t = , t = 3/2 et t = 2 sont reprsents


respectivement aux figures 4.9, 4.10, 4.11 et 4.12. En particulier, bien que le modle de Bean
soit un modle dcrivant le comportement dun supraconducteur de manire trs simplifi, la
correspondance entre les distributions de courant obtenues par la mthode des lments finis
et celles obtenues laide de notre modle est satisfaisante.

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = /2 (b) Rsultats

Fig. 4.9: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

36
100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = (b) Rsultats

Fig. 4.10: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 3/2 (b) Rsultats

Fig. 4.11: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

100

50
Courant (A)

50

100
0 10 20 30 40
Temps (ms)

(a) t = 2 (b) Rsultats

Fig. 4.12: Comparaison entre le modle et le rsultat dune simulation lments finis (n = 15).

4.3 Travail futur


La modlisation implmente actuellement ne permet de prendre en compte que des
rubans monofilamentaires. Hors, la majorit des rubans produits sont multifilamentaires. La
discrtisation mise en place pourrait permettre de modliser ces derniers. Cette amlioration
est ncessaire si lon dsire appliquer cette mthode dans un cadre plus gnral. De plus,
afin dassurer la convergence de la mthode des moindres carrs, il conviendrait de mettre en
place un traitement adquat sur les mesures afin de supprimer le bruit magntique ambiant
qui sajoute au signal que lon souhaite traiter. Ce bruit entrane limpossibilit de diminuer
la diffrence By mesure By calcule et peut mme, dans certains cas, empcher la rsolution
correcte du problme.

37
38
Deuxime partie

Modlisation par lments finis

39
Chapitre 5

Introduction

Cette seconde partie traite de la modlisation de supraconducteurs en rgime sur-critique.


Lobjectif est de mettre en place une simulation o les quations lectromagntiques et ther-
miques sont rsolues.
Lorsque le courant dpasse largement le courant critique Ic , la rsistivit du matriau
devient comparable et mme suprieure la rsistivit des matriaux conducteurs conven-
tionnels comme le cuivre, laluminium ou largent. La densit de pertes dans les rgions
conductrices, donne par lexpression J 2 , devient trs importante et provoque une lvation
de temprature conduisant rapidement au dpassement de la temprature critique Tc . Le
domaine de fonctionnement se trouve alors largement en dehors de la surface critique.
Ce type de comportement est utilis par les limiteurs de courant. Insrs dans un rseau
lectrique, ces derniers sont "transparents" puisque leur impdance est trs faible lorsque les
conditions dexploitation sont nominales (In / Ic ). Lorsquun court-circuit apparat sur le
rseau, lintensit Icc peut, selon la nature du dfaut, atteindre rapidement dix fois le courant
nominal In et peut provoquer des dommages importants sur les quipements. Lajout en srie
dans le circuit dun limiteur de courant permet dviter une trop forte surintensit : en effet,
le matriau supraconducteur devient alors trs rsistif, et limpdance du rseau, faible en
exploitation nominale, augmente rapidement.
La cration dun modle numrique permettra de reproduire le comportement lectro-
magntique et thermique du matriau, en vue de loptimisation du systme selon les critres
noncs dans la rfrence [21].
Le modle de ltat critique, prsent au chapitre 2, prsente lavantage dtre une mod-
lisation simple du comportement dun matriau supraconducteur. Il est principalement utilis
lorsquon dsire obtenir rapidement des rsultats analytiques, ou dans le cadre de problmes
physiques mal dfinis, tels que la recherche de la distribution de courant J partir des mesures
de champ magntique. Ce modle prsente cependant deux inconvnients majeurs :
il ne permet pas la prise en compte des variations des paramtres en fonction de la
temprature,
le courant total I peut tre au maximum gal Ic puisque la densit de courant J ne
peut prendre que trois valeurs (Jc , 0 ou +Jc ).
Une mthode, certes plus coteuse en temps de calcul, permet nanmoins de rsoudre
de tels problmes : lutilisation de la mthode des lments finis. Par ailleurs, les rsultats
obtenus peuvent tre des grandeurs locales (J, E) comme des grandeurs globales du systme
(courant total I, tension V ). Nous possdons en outre une solide exprience dans ce domaine
au laboratoire des systmes non-linaires (LANOS), que ce soit en deux dimensions [17] ou
en trois dimensions [20].
Cette partie traitera de la modlisation du comportement lectrique du matriau supra-
conducteur E = f (J) adapte aux fortes densits de courant, ainsi que de la prise en compte

41
des phnomnes thermiques qui modifient ce comportement. Elle se terminera par lanalyse
et lamlioration de la gomtrie dun limiteur de courant, ainsi que par la simulation de ce
systme lorsquil est en rgime de limitation et la comparaison des rsultats obtenus avec des
mesures effectues en laboratoire.

42
Chapitre 6

Introduction la mthode des


lments finis

De nombreux ouvrages, orients soit vers le domaine mathmatique, soit vers le domaine
de lingnierie, prsentent dans les dtails la mthode des lments finis. Un exemple simple
dapplication de cette mthode est donn dans ce chapitre, mais on se reportera louvrage
dintroduction lanalyse numrique [22] pour un dveloppement mathmatique plus complet
et une prsentation des lments finis dordre 2 et suprieur. De plus, le livre du Prof. E.-G.
Thompson [23] propose une introduction avance dans la mise en uvre informatique de la
mthode laide dexemples concrets, accompagns parfois de la programmation en langage
C de tout ou partie du problme.
La mthode des lments finis est un outil mathmatique qui permet de rsoudre des
problmes dont les valeurs aux limites sont connues (contraintes). Initialement applique dans
le but dobtenir des solutions dquations diffrentielles linaires, la mthode a t tendue
la rsolution de problmes non-linaires.

6.1 Un problme aux limites unidimensionnel


Soit le problme reprsent la figure 6.1 : un fil conducteur parcouru par un courant I
est maintenu faiblement tendu ses extrmits. On applique un champ magntique B, dirig
horizontalement, tel que reprsent la figure 6.1. Ce fil est donc soumis une force dont


lintensit est donne par la loi de Laplace : df (x) = I dl B.

~ subi une
Fig. 6.1: Un fil conducteur parcouru par un courant I et soumis un champ magntique B
force F~ dont la direction et lintensit sont donnes par la loi de Laplace.

43
Cette force va provoquer le dplacement du fil, comme illustr la figure 6.2, sauf aux
extrmits x = 0 et x = 1, o ce dplacement est nul. Nous souhaitons connatre, pour
tout point dabscisse x, le dplacement vertical u(x). Ce problme est analogue lanalyse
mcanique dune poutre appuye en ses extrmits et en flchissement.

Fig. 6.2: Dplacement vertical du fil conducteur.

Lquation du systme est la suivante :


u (x) = f (x) si 0 < x < 1

(6.1)
u(0) = u(1) = 0
Lquation (6.1) est une quation diffrentielle du second ordre dont lintgration fait
apparatre deux constantes. Les deux conditions u(0) = 0 et u(1) = 0, appeles conditions
aux limites, nous permettront de dterminer ces constantes.
La complexit du problme (6.1) est conditionne par la fonction f (x). Si par exemple
cette fonction est une constante, il est possible de trouver la solution de manire analytique.
Cependant, la dtermination de la fonction u(x) peut rapidement devenir difficile selon la
nature de f (x). La mthode des lments finis propose dapprocher les valeurs de la solution
en discrtisant le problme, cest--dire en le transformant en un problme proche, mais qui
comporte un nombre fini de valeurs calculer.

6.2 Discrtisation
Divisons lintervalle [0, 1] en N + 1 parties (N tant un entier positif), comme dans la
figure 6.3. On pose h = 1/(N + 1), et on note xi = ih avec i = 0, 1, 2, 3, ..., N, N + 1 les points
de discrtisation.

Fig. 6.3: Discrtisation de lintervalle [0, 1] et nuds de discrtisation.

6.3 Problme faible


Multiplions la premire quation de (6.1) par une fonction v une fois continment dri-
vable sur ]0, 1[ (v C1 (]0, 1[, R)). Si nous lintgrons sur lintervalle ]0, 1[, nous obtenons :

44
Z 1 Z 1
u (x)v(x)dx = f (x)v(x)dx
0 0

Intgrons par partie le premier terme. Nous avons alors :


Z 1 Z 1

u (x)v (x)dx u (1)v(1) + u (0)v(0) = f (x)v(x)dx
0 0

Si nous imposons v dtre nulle en x = 0 et x = 1, alors nous sommes ramens lgalit


suivante :
Z 1 Z 1
u (x)v (x)dx = f (x)v(x)dx v C1 ([0, 1], R) (6.2)
0 0

Soit maintenant V lensemble de toutes les fonctions g continues, de premire drive g


continue par morceau et telles que g(0) = g(1) = 0. La proposition g continue par morceau
signifie que g existe et est continue, sauf ventuellement en un nombre fini de points o g
pourrait ne pas exister, mais possderait une limite gauche et droite. La somme de deux
fonctions de V reste un lment de V , tout comme le produit dune fonction de V par un
nombre rel. V possde donc une structure despace vectoriel.
Nous allons maintenant chercher u V qui satisfait lexpression (6.2) pour toute fonction
v V.
Lquation (6.2) est appele problme faible, ou forme variationnelle du problme dfini
par lquation (6.1). Puisque nous avons dduit le problme (6.2) du problme (6.1), il est
vident que toute solution u de (6.1) est solution de (6.2). On peut dmontrer que (6.2) a
une et une seule solution u qui est celle du problme (6.1).

6.4 Mthode de Galerkin


Base sur la formulation faible (6.2), nous prsentons maintenant la mthode de Galerkin,
qui est le point de dpart de toutes les mthodes dlments finis et des mthodes spectrales.
Si 1 , 2 , ..., N sont N fonctions linairement indpendantes de V , on peut alors cons-
truire un sous-espace vectoriel de V , que lon notera Vh , engendr par les combinaisons li-
naires des fonctions i . Nous verrons la section 6.5 comment choisir les fonctions i et
comment engendrer ce sous-espace Vh .
Vh est lensemble de toutes les fonctions g qui peuvent sexprimer sous la forme :

N
X
g(x) = gi i (x) avec gi R et N N
i=1

Il est alors possible de reformuler le problme (6.2) de cette manire : trouver une fonction
uh Vh telle que :
Z 1 Z 1
uh (x)vh (x)dx = f (x)vh (x)dx pour toute fonction vh Vh (6.3)
0 0

Lquation (6.3) est une approximation de Galerkin de lquation (6.2). Puisque la solu-
tion uh est cherche dans Vh , on peut donc crire :

N
X
uh (x) = ui i (x) o u1 , u2 , ..., uN sont N nombres rels dterminer
i=1

45
Si nous prenons vh = j , 1 j N dans lquation (6.3), le problme est de chercher
u1 , u2 , ..., uN tels que :

N
X Z Z 1
i (x)j (x)dx pour tout j = 1, 2, ..., N (6.4)

ui = f (x)j (x)dx
i=1 0

R1
Soit A la matrice N N des coefficients Aij = 0 i (x)j (x)dx, ~u le vecteur de compo-
R1
santes u1 , u2 , ..., uN et f~ le vecteur dont la j ime composante est gale fj = 0 f (x)j (x)dx.
Le problme (6.3) ou (6.4) est alors quivalent rsoudre le systme linaire dinconnue
~u suivant :

A~u = f~ (6.5)

6.5 La mthode des lments finis de degr 1


La mthode des lments finis, base sur la mthode de Galerkin, revient faire un
choix judicieux des fonctions 1 , 2 , ..., N dfinissant Vh . Les contraintes suivantes doivent
cependant tre respectes :
la matrice A doit tre une matrice creuse au sens o elle doit contenir un grand nombre
dlments nuls. De cette manire, les mthodes numriques telles que la dcomposition
LU ou la mthode de Jacobi sont bien adaptes pour la rsolution du systme linaire
(6.5),
la solution uh du problme (6.3) doit converger vers la solution u du problme (6.2)
lorsque le nombre N de fonctions linairement indpendantes de V devient grand.
La mthode commence par le choix pour chaque i des fonctions de telle sorte que :

xxi1
si


xi xi1 xi1 x xi

xxi+1
i (x) = xi xi+1 si xi x xi+1 (6.6)


0 si x xi1 ou x xi+1

Une reprsentation de la fonction i (parfois appele "fonction chapeau" cause de sa


forme) est faite la figure 6.4.

Fig. 6.4: Reprsentation dune fonction de base .

Une autre expression de la fonction i est :

46
i (xj ) = ij 0j N +1
o i|[xj1 ,xj ] est un polynme de degr 1 1 j N + 1

Les fonctions 1 , 2 , 3 , ..., N sont par dfinition linairement indpendantes. Elles consti-
tuent une base du sous-espace de fonctions Vh . Nous dirons ainsi que :
x0 , x1 , x2 , ..., xN , xN +1 sont les nuds de la discrtisation,
[x0 , x1 ], [x1 , x2 ], ..., [xN , xN +1 ] sont les lments gomtriques,
1 , 2 , ..., N sont les fonctions de base du sous-espace Vh de type lments finis de
degr 1 associes aux nuds intrieurs x1 , x2 , ..., xN .
Si g Vh alors g est une combinaison linaire des i , cest--dire :
N
X
g(x) = gi i (x)
i=1

Un exemple de fonction g est reprsent la figure 6.5. Nous pouvons remarquer que
g(xj ) = gj pour 1 j N , que g(0) = g(1) = 0 et que g est une fonction affine sur chaque
lment gomtrique.

Fig. 6.5: Un exemple de fonction g.

Nous avons vu la section 6.4 que pour rsoudre le problme nous devions :
construire la matrice A,
construire le vecteur f~,
rsoudre le systme linaire A~u = f~.
Les coefficients de la matrice A se calculent laide de la formule :
Z 1
Aij = i (x)j (x)dx pour 1 i, j N
0
Nous obtenons :

si i = j,

Z 1 2/h
i (x)j (x)dx = 1/h si |i j| = 1,
0 0 sinon.

47
R1
Les composantes du vecteur f~ sobtiennent en calculant 0 f (x)j (x)dx pour 1 j N .
Pour valuer ces intgrales, nous pouvons utiliser la mthode dintgration numrique dite
"formule composite des trapzes".

Formule
R1 composite des trapzes. Nous dsirons approcher numriquement la quantit
0 l(x)dx. Comme lintervalle [0, 1] est dj dcoup en petits intervalles [xi , xi+1 ], nous pou-
vons crire :
Z 1 N
X 1 Z xi+1
l(x)dx = l(x)dx
0 i=0 xi

La formule composite du trapze reprsente laire hachure de la figure 6.6 et scrit :

N 1 Z xi+1 N 1
X X xi+1 xi
l(x)dx (l(xi ) + l(xi+1 ))
xi 2
i=0 i=0

Fig. 6.6: Formule du trapze pour approcher


R
l(x)dx.

Si nous appliquons cette formulation au calcul de f~, nous obtenons :


Z 1
fj = f (x)j (x)dx hf (xj ) (6.7)
0

Connaissant A et f~, il est alors ais de rsoudre le systme de N quations dont les
inconnues sont les N valeurs des composantes du vecteur ~u.
On peut dmontrer que lerreur |u uh | commise par lutilisation dune mthode de
Galerkin est borne. En particulier, pour la mthode des lments finis de degr 1, lorsque la
discrtisation est rgulire, nous avons lestimation derreur suivante :

|u uh |1 Ch o C est une constante indpendante de N , mais dpendante de u (6.8)

Quand la discrtisation nest plus uniforme, on peut dmontrer (voir [22]) que lestimation
derreur (6.8) devient :

48
|u uh |1 C max |xi+1 xi |
0iN

De plus, lorsque les fonctions de base de Vh sont dfinies par des polynmes de degr plus
lev que 1, la prcision de la mthode augmente.
Notons pour finir que la thorie des lments finis, bien quoriginellement conue pour
la rsolution de problmes linaires, peut tre tendue la recherche de solutions pour des
problmes non-linaires laide dalgorithmes itratifs qui permettent de linariser les ph-
nomnes. De ce fait, elle est applicable dans des cadres tout fait gnraux, couvrant bon
nombre dapplications physiques, comme la mcanique, llectromagntisme ou la thermo-
dynamique, et en particulier dans le cadre de la modlisation de dispositifs supraconduc-
teurs [24].

49
50
Chapitre 7

Prsentation du logiciel Flux

Le logiciel Flux , dvelopp par la socit Cedrat [25], et distribu en Suisse par la
socit Applied Magnetics, est un logiciel de Conception Assiste par Ordinateur (C.A.O.)
destin llectrotechnique, permettant de modliser des phnomnes lectromagntiques
bidimensionnels ou tridimensionnels par la mthode des lments finis. Il comprend :
un descripteur gomtrique,
un descripteur des proprits physiques,
un mailleur automatique,
un solveur,
un module dexploitation des rsultats.
Dans sa version 8.10 (commercialise en 2004) et ses versions suprieures, un module de
rsolution de problmes thermiques a t ajout, permettant actuellement de rsoudre des
simulations thermiques, ou de raliser une tude magnto-harmonique couple thermique-
transitoire.
Nous exposons dans ce chapitre les principales possibilits du logiciel, les quations r-
solues et les critres de choix dune des formulations disponibles correspondant au problme
que lon souhaite modliser.

7.1 Prsentation du module lectromagntique


Le module lectromagntique permet la rsolution de problmes lectriques et/ou ma-
gntiques. Il serait trop long de donner tous les dtails concernant chaque application possible
et les quations rsolues pour chaque formulation. Ces informations sont contenues dans les
manuels utilisateurs du logiciel. On sy reportera pour obtenir des informations exhaustives.
Nous ne prsenterons donc que les caractristiques principales de ces diffrentes formulations.

7.1.1 quations rsolues


Les quations rsolues sont bases sur les quations de Maxwell :
Maxwell-Gauss : div(D)~ = q,
~ ~
Maxwell-Faraday : rot(E) = tB ,
Conservation du flux magntique : div(B) ~ = 0,
~ ~
Maxwell-Ampre : rot(H) = J~ + tD .
ces quatre quations viennent sajouter les quations constitutives de la matire :
Caractristique des milieux conducteurs : J~ = E,
~
~
Caractristique des milieux magntiques : B = H, ~
~ ~
Caractristique des milieux dilectriques : D = E.

51
Dans ces quations :
E~ est le champ lectrique (en Vm1 ),
B~ est le champ dinduction magntique (en T),
H~ est le champ magntique (en Am1 ),
J~ est la densit de courant lectrique (en Am2 ),
D~ est le champ de dplacement (en Asm2 ),
q est la charge lectrique (en C),
est la conductivit du milieu (en 1 m1 ),
est la permabilit magntique du milieu (en Hm1 ),
est la permittivit lectrique du milieu (en Fm1 ).

7.2 Sparation des phnomnes lectriques et magntiques


Avec pour objectif de faciliter la rsolution de problmes lectromagntiques, il est pos-
sible de simplifier les quations de base en dcouplant les quations en champs lectriques E~
~ et les quations en champs magntiques B
et D ~ et H.
~ Les quations de Maxwell peuvent alors
scrire diffremment conduisant alors une criture pour les systmes magntiques et une
autre criture pour les systmes lectriques. Le domaine de validit de cette simplification
dpend des matriaux, des frquences de travail, de la gomtrie et de la taille du domaine
dtude. Cependant, elle est habituellement considre comme valide pour des frquences
f < 1 GHz. Entre 1 et 10 GHz, cette simplification peut, selon les cas, rester valable, mais
au-del de 10 GHz, il nest plus possible de sparer les quations lectriques des quations
magntiques.

7.3 Partie magntique


7.3.1 Ce que lon peut modliser avec Flux
Au niveau du logiciel, les diffrents rgimes magntiques correspondent diffrentes ap-
plications physiques. Dune faon gnrale, une application magntique traite des phnomnes
magntiques crs par des courants stationnaires, des courants variables ou sinusodaux, ainsi
que des aimants.
Les trois applications physiques disponibles sont les applications magntostatique, ma-
gntique transitoire et magnto-harmonique. Les caractristiques principales de ces trois ap-
plications sont prsentes dans le tableau 7.1 ci-aprs.

Lapplication per-
Le champ magntique est
Application met la prise en
cr par des ...
compte ...
courants stationnaires (r-
magntostatique
gime permanent) ou aimants
courants variables (rgime va- des courants induits et
magntique transitoire riable, rgime transitoire) ou effets de peau, des effets
aimants de proximit
des courants induits et
courants sinusodaux (rgime
magnto-harmonique effets de peau, des effets
permanent)
de proximit

Tab. 7.1: Tableau descriptif des rgimes magntiques pouvant tre simuls.

52
7.3.2 Couplage avec un circuit lectrique

Il arrive que lanalyse des dispositifs lectromagntiques soit rendue complexe par lali-
mentation ou la nature de la charge du circuit lectrique connecte. Il peut en effet savrer
difficile de rcuprer les valeurs des tensions et/ou des courants aux bornes des conducteurs
constituant le dispositif analyser. Flux propose un module spcifique permettant de
dcrire un circuit lectrique dalimentation ou de charge. Les quations lectriques ainsi ob-
tenues sont ensuite introduites dans le logiciel de calcul de champs magntiques lors de la
phase de rsolution du problme. Ainsi, la prise en compte dun circuit lectrique externe se
fait sparment, simplifiant la description gnrale du problme rsoudre.
Dans le cas de la description dun ruban supraconducteur, nous avons vu en introduction
que celui-ci tait constitu dune partie supraconductrice et dun stabilisateur en parallle.
Lalimentation en courant du systme sera dcrit par le circuit lectrique reprsent la
figure 7.1. Ainsi, les rgions supraconductrices et le stabilisateur pourront tre assigns aux
composants correspondants du circuit.

Fig. 7.1: Circuit lectrique dcrivant un ruban supraconducteur et son alimentation.

Ce couplage circuit est disponible avec les applications magntique-transitoire et magnto-


harmonique.

7.3.3 Forme des quations

Pour un systme magntique, on se place dans lhypothse des rgimes quasi-stationnaires


et on nglige la variation du champ de dplacement D ~ en fonction du temps. Cette hypothse
provient du fait que, dans la majorit des conducteurs en rgime de fonctionnement nominal,
la densit de courant J est proportionnelle au champ lectrique E, et est bien suprieure aux
~
courants de dplacement tD . On peut alors ngliger ce terme dans les quations [26].
Les quations gnrales du module lectromagntique donnes au dbut de ce chapitre
scrivent alors de la faon suivante :
~ ~
Maxwell-Faraday : rot(E) = tB ,
Conservation du flux magntique : div(B)~ = 0,
~ ~
Maxwell-Ampre : rot(H) = J,
Caractristique des milieux conducteurs : J~ = E,
~
~
Caractristique des milieux magntiques : B = H. ~
Dans ces quations, les paramtres et caractrisant le matriau peuvent tre non
linaire.

53
7.4 Partie lectrique
7.4.1 Ce que lon peut modliser avec Flux
nouveau, au niveau du logiciel, les diffrents rgimes lectriques correspondent dif-
frentes applications physiques. Les trois applications physiques disponibles sont les appli-
cations lectrostatique, conduction lectrique et lectro-harmonique. Leurs caractristiques
sont prsentes dans le tableau 7.2 ci-aprs.

Caractristiques
Application Description
principales
tude de systmes de charges
lectro-statique
lectriques lquilibre
tude des courants lectriques
dans les milieux conducteurs rgime perma-
conduction lectrique sans prendre en compte les nent (courants
phnomnes magntiques qui continus)
en rsultent
tude des milieux dilec-
rgime harmonique
triques en rgime harmonique
lectro-harmonique (courants sinuso-
en tenant compte des pertes
daux)
dilectriques et/ou ohmiques

Tab. 7.2: Tableau de description des rgimes lectriques pouvant tre simuls.

Le couplage avec un circuit lectrique est disponible pour les applications conduction
lectrique et lectro-harmonique.

7.4.2 Forme des quations


Pour un systme lectrique, on suppose que le champ magntique ne modifie pas la
~
distribution de courant J dans les conducteurs. Cela se traduit par la nullit du terme tB .
Les quations rsoudre scrivent alors sous la forme suivante :
~ = q,
Maxwell-Gauss : div(D)
~
Maxwell-Faraday : rot(E) = 0,
~ ~
Maxwell-Ampre : rot(H) = J~ + tD ,
Caractristique des milieux conducteurs : J~ = E,
~
~
Caractristique des milieux dilectriques : D = E.~
Dans ces quations, les paramtres et caractrisant le matriau peuvent tre non
linaire.

7.5 Partie thermique


Le module thermique permet de rsoudre des problmes thermiques en rgime permanent
ou transitoire. Ce module ayant t ajout rcemment au logiciel, nous le prsentons donc
plus en dtails.

7.5.1 Que peut-on modliser avec Flux et comment ?


Les changes thermiques par conduction sont entirement pris en compte par le logi-
ciel. La convection, qui implique le transfert dnergie depuis ou vers un fluide, ainsi que le

54
rayonnement ne sont pas directement modlisables. On pourra cependant en tenir compte au
niveau des frontires entre le dispositif et le milieu extrieur par limposition de conditions
aux limites adaptes.
Comme pour la partie lectromagntique, les diffrents rgimes thermiques correspondent
diffrentes applications physiques. Les deux applications physiques disponibles sont les ap-
plications thermique permanent et thermique transitoire. Ces caractristiques de ces appli-
cations sont dcrites dans le tableau 7.3 ci-aprs.

est trait avec lap- les sources thermiques


Le rgime ...
plication ... sont ...
permanent thermique permanent constantes dans le temps
constantes ou variables dans
transitoire thermique transitoire
le temps

Tab. 7.3: Tableau descriptif des rgimes thermiques pouvant tre simuls.

Le rgime transitoire correspond aux cas o les sources thermiques sont constantes ou
variables dans le temps. Un exemple dapplication thermique transitoire o la source est
constante serait ltude de la temprature interne dun four lorsque le chauffage de celui-ci
est mis en route. Lautre cas correspond ltude des systmes dont les sources thermiques
sont variables dans le temps, comme par exemple ltude de la temprature dun dispositif
supraconducteur aliment par un courant sinusodal damplitude suprieure son courant
critique Ic .

7.5.2 Rsultats obtenus aprs rsolution


Les rsultats significatifs que lon peut obtenir sont la rpartition de la temprature (T )
au sein du systme tudi, ainsi que les flux thermiques changs avec le milieu extrieur au
niveau des frontires du systme tudi.

7.5.3 quations rsolues


Les quations utilises, avec la temprature T comme variable dtat, reposent sur :

la loi de Fourier :
~ = []grad(T ),
) + CT h T
lquation de la chaleur (1er principe de la thermodynamique) : div(~ t = q.
o :
~ est la densit de flux de chaleur,

[] est le tenseur de conductivit thermique (en Wm1 K1 ),
CT h est la capacit calorifique (en Jm3 K1 ),
q est la densit volumique de puissance thermique source (en Wm3 ).

Application thermique permanent : La condition de calcul pour une application ther-


mique permanent est la suivante : dT /dt = 0 (rgime permanent : la temprature ne varie
pas en fonction du temps). Les quations scrivent de la faon suivante :


~ = []grad(T ),
div(~
) = q.
Lquation rsolue par la mthode des lments finis devient alors :
 
div []grad(T ) = q (7.1)

55
Application thermique transitoire : Dans cette application, la condition de calcul est
dT /dt 6= 0 (rgime transitoire ou rgime variable : la temprature varie en fonction du temps).
Les quations scrivent donc :

~ = []grad(T ),
div(~ ) + CT h T
t = q.
Lquation rsolue est :
  T
div []grad(T ) + CT h =q (7.2)
t

7.5.4 Conditions initiales et conditions aux limites


Les quations prcdentes dcrivent la propagation de la chaleur dans un milieu pouvant
tre isotrope ou anisotrope. ces quations viennent sajouter la prise en compte dventuelles
conditions initiales, ainsi que les conditions aux limites, cest--dire la frontire avec dautres
milieux.

Condition initiales : Elles peuvent tre de diffrents types :


temprature uniforme dans tout le domaine dtude,
temprature non uniforme, cest--dire tempratures diffrentes sur tous les nuds du
domaine dtude (limit aux cas dtude en deux dimensions actuellement).

Conditions aux limites : Elles peuvent tre de cinq types et correspondent :


Une temprature T0 est impose sur la frontire. La temprature peut dpendre du
temps et mme varier le long de la frontire. Le cas le plus simple est T = T0 = cste
sur toute la frontire.
Une densit de flux de chaleur ~ est impose sur la frontire (source de chaleur entrante
ou sortante). Par convention, le flux de chaleur
~ est ngatif lorsquil sort de la surface.
Un cas particulier est ~ = 0, ce qui signifie que la paroi est isole thermiquement (on
dit aussi adiabatique). Il ny a alors pas dchange thermique avec le milieu extrieur.
Un transfert de chaleur par convection avec le milieu ambiant : ~ ~n = h (T Ta )
avec h le coefficient dchange convectif en Wm K et Ta la temprature ambiante
2 1

en K. Par convention, le flux de chaleur ~ est ngatif lorsquil sort de la surface, cest
dire lorsque la diffrence de temprature T Ta est positive.
Un transfert de chaleur par rayonnement avec le milieu ambiant : ~ ~n = (T 4 Ta4 )
avec le coefficient dchange radiatif (ou missivit) et la constante de Stephan-
Boltzmann ( = 5, 675 108 Wm2 K4 ). Par convention, le flux de chaleur ~ est
ngatif lorsquil sort de la surface, cest dire lorsque la diffrence de temprature
T Ta est positive.
Un transfert de chaleur par convection et rayonnement : ~ ~n = h(T Ta )(T 4 Ta4 ).

7.6 Description gnrale dune gomtrie et rsolution


La description dune gomtrie en vue dune simulation sous un logiciel dlments finis,
et en particulier sous Flux, se droule selon lordre suivant :
En premier lieu, il convient de dcrire la gomtrie en supprimant les dtails non essen-
tiels. Dans le cas dune optimisation gomtrique prvue, les coordonnes des points
seront paramtres de faon simplifier les modifications ultrieures de la gomtrie.

56
La phase de maillage permet de discrtiser la gomtrie. Un maillage automatique au
moyen du mailleur par dfaut donne souvent des rsultats convenables, mais on pourra
spcifier celui-l en assignant manuellement une discrtisation particulire.
Le choix dun modle et dune formulation vont dterminer les paramtres physiques
ncessaires la rsolution du problme.
Lintroduction des proprits physiques permet de dcrire les matriaux et de les cou-
pler aux volumes ou surfaces de la gomtrie, dintroduire les conditions aux limites.
Il convient aussi de dcrire le circuit lectrique coupl sil y a lieu.
Le lancement de la rsolution et lexploitation des rsultats. Des capteurs fictifs peuvent
tre introduits de manire recueillir lvolution de certaines variables, comme par
exemple le champ lectrique en un point particulier de la gomtrie.

7.7 Choix dune formulation pour ltude dun dispositif su-


praconducteur
Comme nous lavons dcrit prcdemment, le logiciel Flux dispose de trois formula-
tions lectriques (lectrostatique, conduction lectrique et lectro-harmonique), de trois for-
mulations magntiques (magntostatique, magntique transitoire et magnto-harmonique),
ainsi que deux applications thermiques (thermique permanent et thermique transitoire).
Les formulations statiques, quelles soient lectriques, magntiques ou thermiques, doivent
tre cartes car nous souhaitons alimenter notre dispositif supraconducteur laide dune
source de courant ou dune source de tension sinusodale. Cette condition nous permet dcar-
ter aussi la formulation "conduction lectrique", adapte ltude des rgimes permanents.
Le comportement lectrique non-linaire dun matriau supraconducteur fait quil est
impossible dutiliser une formulation harmonique, qui impose un rgime sinusodal linaire.
Dans le cadre de la modlisation de matriaux supraconducteurs, il convient donc dem-
ployer lapplication magntique transitoire. Cette dernire permettra en outre dintroduire
ventuellement une dpendance en fonction du champ magntique local des paramtres Jc et
n dcrivant le comportement lectrique du matriau.
Il existe diffrentes manires de rsoudre les quations de Maxwell par la mthode des
lments finis [27] ; En particulier, il existe la formulation A V sappuyant sur le potentiel
vecteur magntique et le potentiel scalaire lectrique [28], ou encore la formulation T T0
[29] qui utilise le potentiel vecteur courant T et le potentiel scalaire magntique . Le potentiel
vecteur auxiliaire T0 est utilis afin de permettre un couplage avec la description externe dun
circuit lectrique. Nous utiliserons donc cette dernire formulation, car cette possibilit de
couplage nous permettra dimposer un courant de transport qui circulera dans les parties
conductrices du systme simul.
La modlisation de la partie thermique, quand elle, utilisera la formulation transitoire
disponible dans ce module.

57
58
Chapitre 8

Loi de modlisation des couches


minces dYBCO

Ce chapitre prsente le comportement lectrique de couches minces dYBCO en rgime


sur-critique. partir de mesures ralises lUniversit de Genve sur des chantillons sans
stabilisateur, nous dvelopperons une expression E = f (J) permettant la description lec-
trique du matriau supraconducteur en vue de sa modlisation par lments finis. Enfin,
nous dcrirons les modalits dintroduction de cette proprit non-standard au sein du logi-
ciel Flux .

8.1 Mesures I
Dans le cadre du dveloppement dun limiteur de courant supraconducteur, les mesures
de rsistivit ralises par lUniversit de Genve sur des couches minces dYBCO [30] sont
reprsentes la figure 8.1. Nous pouvons remarquer que la plage de variation de la rsistivit
est comprise entre 103 cm et 102 cm, ce qui reprsente 5 ordres de grandeur.

Fig. 8.1: Mesures I effectues par lUniversit de Genve [30].

Daprs ces mesures, nous pouvons distinguer trois situations diffrentes selon la valeur
du courant I traversant lchantillon :

59
1. En dessous du courant critique Ic , la prcision des appareils de mesure utiliss nest
pas adapte pour obtenir des valeurs exploitables pour le champ lectrique E. Ceci est
tout fait normal car nous sommes intresss par des valeurs de rsistivit en rgime
sur-critique. Nous considrerons alors E comme nul dans ce cas.
2. De Ic 3Ic , les forces lectromagntiques agissant sur les vortex deviennent plus im-
portantes que les forces dancrage. Certains vortex se retrouvent librs et se dplacent
("flux-creep"), produisant des pertes dans le matriau et lapparition dune tension. Le
rseau liant les vortex entre eux est modifi, mais nest pas dtruit.
nOn remarque que
J
les mesures suivent une loi de puissance de type E = E0 Jc 1 . Trace dans un
plan logarithmique avec comme abscisses J/Jc 1, la courbe E(J) est linaire (voir la
figure 8.1).
3. Au-del de 3Ic , les forces lectromagntiques agissant sur le rseau de vortex deviennent
trop importantes. Aucun vortex ne peut sancrer et un effet davalanche dtruit le rseau.
La dissipation dnergie associe est si importante que le matriau passe brutalement
de ltat dissipatif intermdiaire ltat normal.

8.2 Limitations de la loi de puissance E = f (J) utilise habi-


tuellement
La modlisation de type loi de puissance (8.1) utilise habituellement pour ltude de
rubans ou de systmes base de matriaux supraconducteurs ne permet pas dapprocher
convenablement le comportement lectrique du matriau, car dune part, les mesures suivent
une loi en J/Jc 1, et dautre part, elle nest pas adapte comme illustr la figure 8.2. En
effet, une valeur de n faible conduit une rsistivit trop leve pour des valeurs de densit
de courant infrieures la densit de courant critique. De plus, lorsque J > 3Jc , la rsistivit
du matriau serait infrieure la rsistivit mesure. Inversement, lorsquune valeur de n plus
leve est choisie, lquation (8.1) nest plus adapte la modlisation du comportement du
matriau en rgime sur-critique. En particulier, le passage de ltat supraconducteur ltat
normal lorsque I = 3Ic ne peut pas tre pris en compte car le comportement (J/Jc )n nest
pas limit lorsque J augmente. Cette situation conduit une rsistivit suprieure la
rsistivit du matriau ltat normal (figure 8.2).
 n
E = Ec JJc + 0 J
 n1 (8.1)
ou = EJcc JJc + 0

8.3 Proposition dun nouveau modle E = f (J)


Dans le but dobtenir une modlisation correcte en rgime sur-critique des matriaux
supraconducteurs, et en particulier des couches minces dYBCO, sous un logiciel de simulation
par lments finis, nous devons proposer une loi E = f (J) qui permettra une meilleure
description du comportement lectrique mesur. Nous avons vu au chapitre 6 que certaines
conditions doivent tre respectes afin de ne pas entraner des instabilits numriques sur les
algorithmes de rsolution. En particulier :
cette loi ne devra pas comporter de discontinuit lorsque J = 3Jc ,
par ailleurs, afin de faciliter la convergence, sa drive premire devra tre, autant que
possible, continue.

60
n=3 Rsistivit de ltat normal 77 K
n = 10
0 n = 100
10

( cm)

5
10

0.1 1
J/Jc

Fig. 8.2: Rsistivit donne par lquation (8.1) en fonction du rapport J/Jc .

Lors de mesures effectues sur des rubans Bi-2223/Ag, nous avions propos une m-
thode permettant la modlisation des ventuelles excursions sur-critiques que pouvait subir
le dispositif supraconducteur [31]. Bien que ne sappuyant sur aucune base physique, lintro-
duction en parallle dans lquation (8.1) dune rsistivit sat reprsentant la rsistivit
ltat normal du matriau nous avait permis de mieux approcher le comportement lectrique
du matriau supraconducteur jusqu 3 Ic . Bien que le comportement des couches minces
dYBCO ne suive pas la loi (8.1), il est possible de sappuyer sur cette proposition pour pro-
poser le schma lectrique quivalent reprsent la figure 8.3, schma qui nous permettra de
modliser le comportement lectrique E = f (J) de lYBCO en rgime sur-critique. Chaque
lment composant ce schma est dcrit ci-aprs.

Fig. 8.3: Circuit lectrique quivalent de la loi E = f (J) pour des couches minces dYBCO.

8.3.1 0
Dans ce circuit, 0 reprsente la rsistivit lorsque la densit de courant I est infrieure
la densit de courant critique Jc . Celle-ci ntant pas mesure, nous considrerons alors
le matriau dans un tat parfaitement supraconducteur. Cependant, pour des raisons de
stabilit numrique, 0 ne peut tre nulle. Nous pouvons alors considrer que 0 correspond
la rsistivit dactivit thermique ("Thermal Activated Flux-Flow"), et sa valeur devra
respecter le critre donn par [32], savoir 0 102 Ec /Jc .

61
8.3.2 P L1

P L1 est la rsistivit lorsque la densit de courant se situe dans la plage Jc 3 Jc . Les


mesures (figure 8.1) dmontrent que sa formulation est une loi de puissance de formulation
E = E0 (J/Jc 1)n1 . Dans cette relation, Jc correspond la densit de courant critique
du matriau. On dtermine sa valeur laide du critre donn en introduction : cest le
courant qui traverse lchantillon lorsque le champ lectrique rsultant est de 1 Vcm1 . Les
paramtres E0 et n1 sont valus laide des mesures. Leurs valeurs sont respectivement de
10 Vm1 = 0.1 Vcm1 et 2.8. Il est noter que E0 ne correspond pas un champ lectrique
critique, mais un paramtre dont la valeur est dtermine sur la base de mesures.

8.3.3 P L2

Afin de ne pas introduire de discontinuit dans la loi, nous insrons en srie une seconde
rsistivit P L2 , dexpression semblable celle de P L1 , mais qui possdera un exposant n2
plus lev. De cette manire, la rsistivit de la branche augmentera rapidement lorsque la
densit de courant dpassera 3 Jc . La valeur de n2 dtermine la drive de la transition de ltat
supraconducteur ltat normal. Plus sa valeur sera grande, plus nous nous rapprocherons
des mesures. Mais en prenant une valeur trop importante, nous risquons dintroduire des
instabilits numriques qui nous empcheront de rsoudre le problme. De la valeur de n1
cite prcdemment, nous prendrons une diffrence dun ordre de grandeur, soit n2 = 30.

8.3.4 sat

sat est une rsistivit place en parallle afin de limiter la valeur de lorsque J aug-
mente. En effet, lorsque deux rsistivits sont en parallle, la rsistivit quivalente totale
est infrieure la plus petite des deux. Nous choisissons sa valeur gale la rsistivit du
matriau supraconducteur ltat normal. Cette valeur dpend de la composition chimique
du matriau supraconducteur, et des traitements utiliss lors de sa fabrication [33]. Pour une
temprature de rfrence gale 77 K, nous prendrons les valeurs suivantes : sat = 350 cm
pour le Bi-2223 [31] et de sat = 90 cm pour lYBCO [30] [34].

8.3.5 Expression de la rsistivit totale

Du schma lectrique quivalent 8.3, nous pouvons exprimer la rsistivit totale par :

(PL1 + PL2 + 0 )sat


= (8.2)
PL1 + PL2 + 0 + sat
si |J| < Jc
(
0
Avec PL1 = E0

|J|
n1
|J| Jc 1 si |J| Jc

si |J| < 2Jc


(
0
PL2 = E0

|J|
n2
|J| Jc 2 si |J| 2Jc

Exprime sous la forme E = f (J), nous obtenons :

62
2 2
10 10

0
10
0
10
2
10

( cm)
( cm)

4 2
10 10

6
10
4
10
8
10

10 6
10 10
0.1 1 10 0.1 1 10
J/Jc J/Jc 1
(a) J/Jc (b) J/Jc 1

Fig. 8.4: Reprsentation de lquation (8.2).


0 sat


0 +sat |J| 0 |J| si |J| < Jc




[E0 (|J|Jc )n1 +|J|J n1 0 ]sat

c
|E|(|J|) = E0 (|J|Jc )n1 +|J|Jcn1 0 +|J|Jcn1 sat |J| si Jc |J| < 2Jc




n1 n2 n2 n1
n1 [Jc E0 (|J|2J c ) 2 +Jc E0 (|J|Jc ) 1 +|J|Jc Jc 0 ]sat
n n

|J| si |J| 2Jc


n n 2 n n2 n1 n1 n2
Jc E0 (|J|2Jc ) 2 +Jc E0 (|J|Jc ) 1 +|J|Jc Jc 0 +|J|Jc Jc sat
(8.3)

8.3.6 Continuit de la fonction


Bien que la fonction (8.2) soit dfinie par morceaux, nous pouvons montrer quelle est
continue (figure 8.4), et que sa drive premire est aussi continue (figure 8.5). En effet,
lorsque |J| = Jc , nous avons :
= 00+
sat
sat
car (|J|/Jc 1) = 0

0 sat
|J| = |J| 0 +sat =0
J=Jc J=Jc
De mme, lorsque J = 2Jc , nous avons = (E 0 /(2Jc )+0 )sat
E#0 /(2Jc )+0 +sat
"
n1 E0 E E0
sat 02 +0
2 Jc2
et /|J| = E0
4 Jc
1
E0
2 Jc
.
2 Jc
+sat +0 2 Jc
+sat +0

8.4 Implmentation sous le logiciel Flux


Lintroduction de lquation dcrivant le comportement dun matriau non standard nest
pas directement possible au sein du logiciel. En effet, bien quon puisse dcrire des propri-
ts physiques particulires pour des matriaux, comme des matriaux non-linaires, cette
description se fait par lintermdiaire dune fonction externe, dite "fonction utilisateur", que
lutilisateur doit programmer en langage Fortran.
Le tableau 8.1 rsume le nom de la fonction donner, ainsi que les conditions dutilisation
remplir dans chaque cas.
Le choix de la formulation T T0 faite au chapitre 7 impose que lexpression (8.2) soit
prsente sous la forme dune loi de type E(J), au sein dune fonction nomme "USR_DEDJ".
Cette fonction, qui admet comme paramtres dentre la valeur de la densit de courant J,

63
10
10

d / d J ( / (A cm))
15
10

20
10

25
10

30
10
0.1 1 10
J/Jc 1


Fig. 8.5: Calcul de J en fonction de J/Jc 1.

impose lutilisation de la
Nom de la fonction tablit la loi ...
formulation en ...
USR_DBDH B(H) potentiel scalaire magntique
USR_DHDB H(B) potentiel vecteur magntique
USR_DJDE J(E) potentiel vecteur magntique
USR_DEDJ E(J) potentiel vecteur lectrique
USR_DDDE D(E)
USR_CT T h (T )
USR_RC CpT h (T )

Tab. 8.1: Sous-programmes utilisateur disponibles sous le logiciel "Flux".

calcule la rsistivit et la conductivit du matriau. Ainsi, en utilisant un algorithme


itratif de Newton, elle recherche un zro de la fonction dfinie par |E| |J|, et retourne le
calcul du champ lectrique et le tenseur de rsistivit incrmentale E/J en chaque point
du maillage.

8.4.1 La mthode de Newton

Mthode de Newton (ou de la tangente). Soit une fonction f : R R continment


drivable, et x0 un zro de f tel que f (x0 ) 6= 0. La tangente en B coupe Ox en a1 , la tangente
en C, dabscisses a1 coupe Ox en a2 comme indiqu la figure 8.6. Ainsi, on dfinit la suite
a1 , a2 , ..., an .
On peut montrer que, si la fontion f est monotone, ou que le point A est suffisamment
proche de la solution, cette suite a1 , a2 , ..., an converge quadratiquement vers x0 [22], et que :

f (an1 )
an = an1 (8.4)
f (an1 )

64
Fig. 8.6: Illustration graphique de la mthode de Newton [35].

8.4.2 Algorithme de la fonction dcrivant le comportement lectrique


Lalgorithme de la fonction suppose J connu (paramtre dentre de la fonction), et
calcule le module du champ lectrique |E| en recherchant un zro de la fonction = |E||J|
par lapplication du thorme de Newton. Lalgorithme utilis est le suivant :

Dbut q
Calcul de |J| = Jx2 + Jy2 + Jz2
|E| = 0
Rpter
Calcul de
Calcul de = 1
Calcul de R = |E| |J|
R
Calcul de |E|
R
Calcul de |E| = R
|E|
Calcul de |E| = |E| + |E|
Tant que ||E|| > |E|
Fin

8.4.3 Dveloppement de lalgorithme pour une fonction E(J) particulire


Le dveloppement de la fonction permettant la programmation du comportement lec-
trique modlis par lquation (8.2) ncessite des calculs trop importants que nous ne dvelop-
perons pas dans ce chapitre. Son code complet est donn dans lannexe A. Afin dillustrer la
complexit de cette programmation, nous allons expliquer la gnration du fichier FORTRAN
sur la premire partie de lquation (8.2), soit sur la fonction suivante :

si J Jc
(
0 J
|E| =  n (8.5)
E0 JJc 1 + 0 J si J > Jc

65
Expression de la conductivit 1 : Il ne faut tout dabord sintresser qu la partie
J > Jc et ne travailler que sur lexpression E0 (|J|/Jc 1)n en faisant abstraction de la partie
0 J qui sera ajoute par la suite.  n
Ainsi, en partant de |E| = E0 |J| Jc 1 , nous pouvons en dduire lexpression de la
fonction J(|E|) :
" #
|E| 1/n |E| 1/n
  
|J| = Jc + 1 = Jc + Jc (8.6)
E0 E0
La conductivit 1 scrit alors :
1/n 
|E|
|J| + 1 Jc E0
1 (|E|) = =  n
|E| E0 |J| 1
Jc
 1/n
|J| |E|
Or, daprs lquation (8.6), nous avons Jc = E0 + 1, do :

 1/n 
|E|
Jc E0 +1
1 (|E|) =  1/n n
E0 |E|
E0
(8.7)
  
1/n
|E|
Jc E0 +1 1/n
Jc 1 Jc Jc (E 1/n + E0 )
= = 1/n
|E| n 1 + =
|E| E0 |E| |E|E0
La rsistivit 1 scrit alors :

|E|E0
1 = 1/n
(8.8)
Jc (E 1/n + E0 )
Cependant, dans lexpression (8.7), nous remarquons que la conductivit 1 tend vers
linfini lorsque |E| tend vers zro. Donc, pour des faibles champs lectriques, la convergence
de lalgorithme nest pas assure.

Ajout de la rsistivit 0 : Afin de remdier aux ventuelles instabilits numriques qui


risquent de se produire, nous ajoutons une faible rsistivit 0 la rsistivit que nous aurions
obtenue partir de lexpression (8.7). Ainsi, nous avons maintenant :

" #
1/n
1 1 |E|E0 1
= + 0 = + 0 = + 0 (8.9)
(|E|) Jc ( n1 1) Jc Jc |E|1/n + E0
1/n
1/n |E| + |E|
E0

Nous remarquons alors que la rsistivit tend vers 0 pour des valeurs de champ lec-
trique |E| faible. Soit lim|E|0 = 1/0 .

Expression de la conductivit : Lexpression de la conductivit totale se dduit de


lexpression de la rsistivit obtenue en (8.9).
1/n
1 Jc (|E|1/n + E0 )
= 1/n
  = 1/n 1/n
|E|E0 1
+ 0 |E|E0 + Jc (|E|1/n + E0 )0
Jc 1/n
|E|1/n +E0

66
R
Calcul de |E| : En partant de lexpression |E| |J|, il est possible de calculer facilement
la valeur de la drive par rapport au champ lectrique E. En effet, comme :

|E|
R = |E| |J| = 1/n
  |J|
|E|E0 1
Jc 1/n + 0
|E|1/n +E0

Alors :

 1/n 1/n

E0 |E|1/n E0
|E| 1/n 1/n
R 1 (E0 +|E|1/n )Jc (E0 +|E|1/n )2 nJc
= 1/n
2
|E|

|E|E0 1/n
|E|E0
0 +
1/n

0 +
Jc E0 +|E|1/n 1/n
(E0 +|E|1/n )Jc
1/n 1/n
|E|E0 |E||E|1/n E0
1 1/n
(E0 +|E|1/n )Jc
1/n
(E0 +|E|1/n )2 nJc
= 1/n
 2 +  2
|E|E0 |E|E0
1/n
|E|E0
1/n
0 +
1/n

0 + 0 +
Jc E0 +|E|1/n (E0
1/n
+|E|1/n )Jc (E0
1/n
+|E|1/n )Jc
|E|1/n
1
1 1/n
n(E0 +|E|1/n )
= +
2 2
|E|1/n
= 1 2 + 1/n
1 2
n(E0 + |E|1/n )
!
|E|1/n
=+ 1/n
1 1 2
n(E0 + |E|1/n )

Expression du tenseur de rsistivit incrmentale : Afin de faciliter la convergence du


solveur numrique qui sera utilis, on introduit la notion de tenseur de rsistivit incrmentale.
Son expression est donne par lexpression (8.10) ci-aprs [36] :

E (J)
T
= T
= Id3 + J T avec : J = [Jx , Jy , Jz ] (8.10)
J J J
Dans lexpression 8.10, E et J sont les tenseurs de champ lectrique (respectivement de
densit de courant) obtenus partir de la valeur du vecteur champ lectrique [Ex , Ey , Ez ]
(respectivement la valeur du vecteur densit de courant [Jx , Jy , Jz ]).

Il convient donc de trouver lexpression de J T . Comme :

|J|2 q
= avec : |J| = Jx2 + Jy2 + Jz2
J T |J|2 J T

Et que :

|J|2
= 2J T
J T

Afin de calculer lexpression de J T
, il faut rechercher lexpression de |J|2
.

67
 
|E|
|J| |J|
=
|J|2
 
|J| |J|2
 
1 1 |E| |E|
=
2 |J|2 |J| |J|

Ainsi :

 
1 1 |E| |E|
= 2J T
J T 2 |J|2 |J| |J|
 
1 |E| |E|
= JT
|J|2 |J| |J|

Enfin :

 
J 1 |E| |E|
= Id3 + JJ T
E T |J|2 |J| |J|
  (8.11)
|E| 1 |E| |E|
= Id3 + JJ T
|J| |J|2 |J| |J|
|E| |J|
Il faut donc calculer |J| qui est linverse de |E| . Nous pouvons en dduire son expression
R
daprs |E| . En effet :
!
|J| |E| |E|1/n
= =+ 1/n
1 1 2 (8.12)
|E| |E| n(E0 + |E|1/n )
Donc :

|E| 1
=  
|J| |E|1/n
+ 1/n 1 1 2
n(E0 +|E|1/n )
1
=    
2
1 |E|1/n
+ 1/n 1 1 1
n(E0 +|E|1/n )

2
=  
|E|1/n
+ 1/n 1 1
n(E0 +|E|1/n )

2
=
|E|1/n 1
0 + 1/n
n(E0 +|E|1/n )

Ainsi, le tenseur de rsistivit incrmentale est donn par lexpression suivante :



E 1 2
= Id3 + JJ T (8.13)

J T |J|2 0 +
|E|1/n 1
1/n
n(E0 +|E|1/n )

68
Cas de faibles densits de courant : Comme lquation (8.2) nest dfinie que pour
des densits de courant J suprieures la densit de courant critique Jc , il convient de
traiter sparment le cas des faibles densits de courant. Comme lim|J|0+ = 0 , et ce afin
de conserver la continuit de la fonction, nous pouvons considrer que la rsistivit du
matriau est gale 0 .
Donc, pour des densits de courant infrieures Jc (|J| Jc ), le matriau a un compor-
tement linaire. Ainsi :

|E|
E = 0 J et = 0 Id3 (8.14)
J T

8.5 Implmentation de la fonction :


|E| sexprime en fonction de |J| par lquation non linaire (8.5). On utilise la mthode
de Newton pour la recherche du zro de la fonction R = |E| |J|.
La programmation de la fonction se rsume alors lalgorithme suivant :

Dbutq
|J| = Jx2 + Jy2 + Jz2
Si |J| < Jc alors,
E = 0 J
|E|
J T
= 0 Id3
Sinon,
|E| = 0

Rpter " #
1/n
|E|E0 1
1 = Jc 1 1
|E| n +E0n
= 1 + 0
= 1
R = |E| |J| 
R |E|1/n
|E| =+ 1/n 1 1 2
n(E0 +|E|1/n )
R
|E| = R
|E|
|E| = |E| + |E|
Tant que ||E|| > |E|
" #
1/n
|E|E0 1
1 = Jc 1 1
|E| n +E0n
= 1 + 0
E 1 2
J T
= Id3 + |J|2

|E|1/n 1
JJ T
0 + 1/n
n(E0 +|E|1/n )

Fin

Note : la valeur de est fixe par dfaut par la socit CEDRAT 104 .

69
8.6 Dpendance en champ magntique des paramtres
Nous avons vu au chapitre 7 quil tait possible, avec la formulation choisie, dintroduire
une dpendance en champ magntique des paramtres lectriques. Cette possibilit pourrait
tre introduite lors du dveloppement de la fonction utilisateur en langage FORTRAN. En
particulier, les lois de variation Jc (B) et de n(B) ont t prcdemment implmentes sous
le logiciel [20].
Le limiteur de courant supraconducteur que nous dsirons modliser nest pas utilis ac-
tuellement dans un environnement o un champ magntique externe est prsent. Bien que
lutilisation de matriaux supraconducteurs entrane la circulation de densits de courant
beaucoup plus leves que dans le cas de conducteurs conventionnels, nous pensons que lin-
fluence du champ magntique propre sur les paramtres lectriques est ngligeable compare
aux effets thermiques qui se produisent au sein du systme.
Ainsi, nous ne prendrons pas en compte la dpendance Jc (B) ou n(B). Cela pourra
cependant se faire aisment par modification de la fonction "USR_DEDJ" dans le cadre
dune amlioration future du modle.

70
Chapitre 9

Simulation lectro-thermique
couple

Lutilisation de matriaux supraconducteurs en rgime sur-critique entrane invitable-


ment lapparition de pertes importantes par effet Joule. En effet, la rsistivit du matriau
augmente rapidement au-del du courant critique. La valeur de la densit volumique de pertes
peut tre calcule de manire thorique laide de la formule (8.3). Elle est trace la figure
9.1 pour les valeurs de Jc , E0 , n1 et n2 donnes au chapitre prcdent.

15
10

10
10
Pertes (J / cm3)

5
10

0
10

5
10
0.1 1 10
J/Jc

Fig. 9.1: Densit volumique de pertes calcule partir de lquation (8.3).

Ces pertes importantes vont provoquer une lvation de temprature des matriaux,
et vont donc entraner une modification des proprits physiques, comme la baisse de la
densit du courant critique ou laugmentation de la rsistivit. Ces modifications vont leur
tour augmenter la valeur des pertes. Il y a donc un risque demballement thermique, qui
peut aller jusqu la destruction du systme. Afin dviter cela, une simulation par lments
finis du systme, qui inclura les paramtres lectromagntiques et thermiques, permettra
une meilleure comprhension des phnomnes et nous permettra, au besoin, de proposer une
optimisation du systme en vue den amliorer les performances.
Afin de permettre une telle tude lectromagnto-thermique, il convient donc dajouter
linfluence de la temprature sur les paramtres lectriques prsents au chapitre 8 du cha-
pitre 8. Nous donnerons ensuite la valeur des paramtres thermiques qui sera utilise pour

71
la simulation des phnomnes thermiques. Enfin, nous mettrons en place une stratgie qui
permettra la rsolution des quations lectromagntiques et thermiques au sein du logiciel
Flux .

9.1 Dpendance en temprature des paramtres lectriques


Nous tudions dans cette partie linfluence de la temprature sur les paramtres lec-
triques. Ainsi ces derniers seront dpendants de lchauffement provoqu par les pertes du
systme.

9.1.1 Dpendance en temprature de Jc


La densit de courant critique dun ruban supraconducteur est dpendante de la composi-
tion chimique du matriau et des traitements utiliss pour sa fabrication [37]. Sa dpendance
en temprature est donc complexe, mais elle peut tre dcrite de manire correcte pour des
matriaux Bi-2212 par la relation Jc = Jc (0)(1 T /Tc ) [38]. Cette relation est aussi valable
pour les rubans base dYBCO [39].
En partant de la relation Jc = Jc (0)(1 T /Tc ) , nous pouvons exprimer la densit de
courant critique Jc pour une temprature de rfrence :
 
Tref
Jc (Tref ) = Jc (0) 1
Tc

Ainsi, pour des valeurs de tempratures suprieures la temprature de rfrence, nous


pouvons dterminer la valeur du courant critique Jc (T ) partir de la mesure du courant
critique une temprature de rfrence Tref donne (figure 9.2) :


Jc (Tref ) (T(Tc T
c T )
(
ref )
si Tref T Tc
Jc (T ) = (9.1)
0 si Tc < T

7
10

6
10
Jc (A cm2)

5
10

4
10

3
10
78 80 82 84 86 88
Temprature (K)

Fig. 9.2: Variation de la densit de courant critique Jc en fonction de la temprature (Tref = 77 K).

Nous utiliserons les paramtres suivants : Tref = 77 K, Jc (77 K) = 3 1010 Am2 =


3 106 Acm2 Tc = 88 K, et = 1.5 [38].

72
9.1.2 Dpendance en temprature de la valeur de n1
Des mesures effectues par lUniversit de Genve montrent que ce paramtre nest pas
constant sur une plage de temprature comprise entre 76 K et 86 K. Il nexiste pas de modle
prcis permettant de prdire la variation de lexposant n1 de la loi de puissance (8.1) ou (8.2).
Il semble que cette variation soit linaire avec la temprature, comme le laissent supposer les
mesures effectues par lUniversit de Genve (figure 9.3). Lintroduction dune dpendance
en temprature de lexposant n demanderait cependant une tude complmentaire.

Fig. 9.3: Variation de lexposant n en fonction de la temprature (Mesures : Universit de Genve).

Comme le montre la figure 9.4, prendre une valeur de n1 faible induit une erreur qui
conduit une surestimation des pertes pour des valeurs de densits de courant infrieures
2 Jc . Cette erreur conduira une valuation pessimiste de la temprature, qui sera lgrement
plus faible au sein du systme rel que dans notre simulation. Pour des densits de courant
comprises entre 2 Jc et 3 Jc lerreur est ngligeable en comparaison avec la variation thermique
du paramtre Jc prsente ci-dessus.
Nous considrerons donc que le paramtre n1 reste constant avec la temprature, et nous
maintiendrons sa valeur 2.8, comme indiqu au chapitre 8.

9.1.3 Dpendance en temprature des rsistivits


Lallure globale de la dpendance en temprature de la rsistivit dun matriau conduc-
teur conventionnel est donne la figure 1 du prambule. En rgle gnrale, la rsistivit
augmente lorsque la temprature augmente, mais dans des proportions diffrentes suivant
les substances. On trouve mme certains matriaux dont la dpendance est inverse, cest-
-dire que la rsistivit diminue lorsque la temprature augmente. Cest le cas du germa-
nium, qui possde un coefficient de temprature gal 5 102 K1 , ou du silicium o
= 75 103 K1 [40], tous deux utiliss dans la fabrication des semi-conducteurs.
basse temprature, le comportement rsistif dun conducteur est non seulement d-
pendant de la temprature, mais aussi de la puret du matriau [41], ainsi que, dans le
cas de couches minces, de son paisseur [42]. Cependant, sur une plage de temprature
rduite, ce comportement peut tre linaris laide de la formulation suivante : (T ) =
(Tref ) (1 + (T Tref )) [31].

73
n1 = 3
n1 = 5
0
10
( cm)

5
10

0.1 1 10
J/Jc 1

Fig. 9.4: Variation de la rsistivit en fonction de la densit de courant pour les deux valeurs extrmes
de n1 (Tref = 77 K).

Valeurs des paramtres pour lYBCO : Pour lYBCO, nous utiliserons les paramtres
suivants : Tref = 77 K, (Tref ) = 9 107 m = 9 101 cm. Cette valeur est issue des mesures
faites par lUniversit de Genve. Larticle [43] donne un ordre de grandeur similaire. La valeur
du paramtre = 0.007 K1 correspond une valeur donne par larticle [34].

Valeurs utilises pour la modlisation du stabilisateur compos dor : Pour de lor,


les valeurs des paramtres utilises sont les suivantes : Tref = 77 K, (Tref ) = 7.5 109 m =
7.5 101 cm et = 0.01282 K1 [44].

9.2 Trac de la courbe = f (J, T ) pour le matriau supracon-


ducteur
partir des paramtres dcrits ci-dessus, il est possible de tracer la courbe dcrivant
la rsistivit de lYBCO en fonction de la temprature rduite T /Tc et de la densit de
courant rduite J/Jc (figure 9.5). Il est intressant de constater que pour des tempratures
leves proche de Tc , la transition de ltat supraconducteur ltat normal intervient pour
des valeurs de densits de courant infrieur Jc (77 K). A linverse, lorsque la temprature
est maintenue une valeur infrieure 77 K, la densit de courant pouvant circuler dans le
matriau est plus leve.

9.3 Paramtres thermiques


La modlisation de la partie thermique du problme ncessite la connaissance de la
conductivit thermique T h et de la chaleur spcifique CT h des matriaux. Bien que ces
paramtres soient variables avec la temprature, nous avons remarqu que leur ordre de
grandeur restait le mme sur une plage de temprature comprise entre 77 et 150 K [45].
Une tude ralise traitant de limportance des changes thermiques dans le processus de
retour ltat supraconducteur aprs transition fait lhypothse que ces deux paramtres
sont constants [46], laissant supposer que leurs variations respectives nest pas suffisamment
significative. Ainsi, nous nintroduirons donc pas ces variations dans le modle thermique,

74
Fig. 9.5: Trac de la rsistivit du matriau YBCO en fonction de J/Jc (77 K) et de T /Tc .

et nous nous contenterons dimplmenter leurs valeurs respectives pour une temprature de
rfrence de 77 K. Il sera cependant possible, lors dune amlioration du modle, de prendre
en compte ces variations, soit par lutilisation des fonctions standards disponibles dans le
module thermique du logiciel, soit par la programmation dune fonction spcifique en langage
FORTRAN (tableau 8.1). On se reportera aux rfrences donnes pour obtenir les variations
spcifiques chaque matriau (tableaux 9.1 et 9.2).

9.3.1 Conductivit thermique

La conductivit thermique T h des matriaux est donne au tableau 9.1.

Conductivit thermique
Matriau Rfrences
(Wm1 K1 )
YBCO 10 [45] [47]
Bi-2223 65 [48]
Bi-2212 5 [49]
Or 363 [50]
Argent 500 [41]
Saphir 1130 [51]

Tab. 9.1: Conductivit thermique de quelques matriaux supraconducteurs ou conventionnels pour


une temprature T = 77 K.

9.3.2 Capacit thermique

La capacit thermique CT h des matriaux est donne dans le tableau 9.2.

75
Capacit thermique
Matriau Rfrences
Cp (Jg1 K1 )
YBCO 1.1 106 [47]
Bi-2223 7.5 105 [52]
Bi-2212 1.1 105 [49]
Or 2.0 106 [53]
Argent 1.5 105 [41]
Saphir 2.4 105 [51]

Tab. 9.2: Capacit thermique de quelques matriaux supraconducteurs ou conventionnels pour une
temprature T = 77 K.

9.4 Coefficient dchange avec le bain


La plupart des systmes construits partir de supraconducteurs dits " haute temp-
rature critique" utilisent lazote liquide comme fluide cryognique. Les pertes du systme
peuvent principalement tre vacues de trois manires :
par convection naturelle lorsque le systme est simplement plong dans un bain,
par convection force lorsque la circulation du fluide est assure par un quipement
externe,
par changement de phase lorsque la valeur des pertes est grande et que llvation de
temprature est importante.
Le limiteur de courant que lon souhaite tudier est un dispositif qui est immerg dans
un bain dazote. Souhaitant le modliser en rgime sur-critique, lazote en contact avec les
surfaces du dispositif se vaporisera car la temprature augmentera au vu de la densit de
pertes engendre (figure 9.1). De ce fait, nous nous intresserons au cas du refroidissement
par convection naturelle avec changement de phase.
Ce type de transfert de chaleur est en gnral un processus complexe qui ncessite la
connaissance prcise des processus impliqus. Lbullition des liquides, et celle de lazote
liquide en particulier, gnre des flux thermiques trs levs et un transfert de chaleur im-
portant, dont lune des causes est la forte valeur de la chaleur latente de vaporisation. La
condition dapparition de ce phnomne est que la temprature de la surface soit suprieure
la temprature de saturation du fluide cryognique.
Le nombre et la varit des paramtres devant tre pris en compte rendent difficile ltude
de ce phnomne qui dpend entre autres :
des proprits thermophysiques des deux phases (liquide et vapeur),
des grandeurs qui caractrisent le changement de phase (tension superficielle, chaleur
latente de vaporisation),
de ltat de surface o se produit le transfert de chaleur.
Compte tenu du grand nombre de variables impliques et de son absence duniformit,
il ny a pas de modle analytique capable de dcrire le phnomne dbullition dans toute
sa complexit et de fournir des relations de calcul prcises pour le coefficient de transfert
thermique h [54].
Larticle [55] donne cependant une courbe simplifie, qui peut tre implmente sous un
logiciel dlments finis, permettant dobtenir une approximation de la valeur de ce coefficient
h en fonction de la diffrence de temprature entre la surface dchange et le bain cryognique
(figure 9.6).
En prenant quelques points de rfrence sur la courbe, nous nous proposons dapprocher
cette courbe laide de fonctions exponentielles, conduisant la formulation suivante :

76
Fig. 9.6: Modlisation du coefficient dchange thermique entre une surface plane et un bain dazote
liquide [55].




2364 si T < 2
si 2 T < 10

1629 exp(0.1863T )
h = (21629exp(0.1863 10)) (9.2)

15(T 10) + 1629 exp(0.1863 10) si 10 T < 25

si T 25

2 exp((T 25))

Cette formulation (9.2) nous donne la valeur du coefficient dchange h en fonction de


la diffrence de temprature T , comme illustr la figure 9.7. La temprature de rfrence
utilise pour le calcul de T est Tref = 77 K.

1
h (W cm2 K1)

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1 1 10 100
T (K)

Fig. 9.7: Coefficient dchange thermique h donn par lquation (9.2).

77
9.5 Couplage des quations lectriques et thermiques
La mise en place dune simulation numrique permettant de rsoudre un problme lectro-
magnto-thermique peut se faire de deux manires distinctes :
Par rsolution simultane des quations lectromagntiques et thermiques. Cest la
mthode idale, mais celle-ci ncessite un programme informatique qui autorise une
dpendance circulaire des variables (la densit de courant J dpend de la temprature
T , et la temprature T dpend de la densit de pertes, autrement dit du produit J 2 ).
Par la sparation des problmes thermiques et lectromagntiques, en rsolvant alter-
nativement un pas de temps de chaque problme et en changeant les rsultats entre
les deux modles implments (lecromagntique et thermique).
Bien que certains programmes de simulation par lments finis proposent la rsolution
simultane des quations lectromagntiques et thermiques, des tests effectus sous FEMLAB
[56] ont montr les avantages du logiciel Flux . En particulier, il nest pas directement
possible sous FEMLAB dimposer un courant de transport I circulant dans les parties conduc-
trices du systme modlis. Pour dcrire une telle condition aux limites, il convient dajouter,
sur chaque face constituant
R une borne dun conducteur, deux quations supplmentaires afin
dobtenir la contrainte JdS = I. En revanche, il est relativement ais dutiliser notre ex-
prience sur le logiciel Flux [17] [20], et de sparer le problme lectromagntique et le
problme thermique. La stratgie de rsolution se fera selon le schma propos dans larticle
[55]. De plus, les fonctions de couplage avec un circuit lectrique externe nous permettront de
reproduire facilement les conditions dun court-circuit qui surviendrait sur le rseau lectrique
dans lequel est insr le limiteur de courant.

9.6 Mthode de rsolution dun problme coupl sous Flux


La mthode de rsolution que nous utiliserons pour la rsolution du problme coupl,
cest--dire du modle lectromagntique et thermique, se trouve schmatis la figure 9.8.

Fig. 9.8: Stratgie de rsolution pour la simulation lectro-thermique.

partir de la simulation lectromagntique, nous connaissons les pertes E J sur chaque


point du maillage. Ces pertes peuvent tre injectes au sein du problme thermique. La
rsolution dun pas de temps thermique permet de calculer un chauffement des matriaux
et dobtenir la variation de la temprature par rapport la temprature de rfrence Tref =
77K. Cette augmentation de temprature est transmise au problme lectromagntique et

78
vient modifier les paramtres lectriques des matriaux avant la rsolution du pas de temps
correspondant.
Ce couplage se fait laide dun programme "python" qui se charge de gnrer un fichier
nomm "F3D_INI.SPI" chaque tape de la rsolution. Ce dernier contient les commandes
particulires permettant limportation des valeurs physiques dsires, la rsolution dun pas de
temps, ainsi que lexportations des rsultats qui seront transmettre. Il est automatiquement
dtect et lu lors du dmarrage du logiciel Flux.
La stabilit numrique de cette mthode est en gnral assure par le fait que la constante
de temps lectrique est largement infrieure la constante de temps thermique. Dans notre
cas, la prsence du substrat de saphir permet daugmenter la capacit thermique, et ainsi
daugmenter la constante de temps du dispositif.

79
80
Chapitre 10

Application : modlisation dun


limiteur de courant
supraconducteur

Un limiteur de courant est un dispositif qui, lorsquil est insr dans un rseau lectrique,
permet la variation rapide de limpdance dune ligne lectrique lorsquun dfaut se produit.
Ainsi, il est possible de diminuer le courant de dfaut, qui peut atteindre jusqu dix fois
le courant nominal In de la ligne sans sa prsence. cet gard, il na pas pour fonction
de remplacer la fonction essentielle de coupure que fournit louverture dun disjoncteur ou la
destruction dun fusible, mais vient en complment de ces installations. Bien que cette fonction
de limitation puisse tre intgre des dispositifs lectroniques, comme les FACTS (Flexible
AC Transmission System) par exemple [57], il est possible de saffranchir dun systme de
dtection et de commande en exploitant les proprits lectriques des supraconducteurs, et
plus particulirement leur capacit naturelle devenir trs rsistif lorsque le courant dpasse
le courant critique du dispositif.
Durant la phase de limitation, les pertes dans le limiteur sont trs importantes parce
quune tension apparat aux bornes du dispositif. Ces pertes provoquent une augmentation
de la temprature et entranent ainsi une modification des proprits lectriques et thermiques
du systme, pouvant aller jusqu provoquer la destruction des matriaux, et donc du systme
complet. La figure 10.1 est le rsultat dun emballement thermique qui sest produit lors de
la phase de dveloppement du limiteur que nous allons tudier dans ce chapitre.

Fig. 10.1: Dgradation des matriaux due un chauffement thermique lors dun test (Image : Uni-
versit de Genve).

Afin de mieux comprendre le comportement du systme et viter que de tels phnomnes

81
se produisent en phase dexploitation, nous nous proposons de mettre en place une simulation
par lments finis qui permettra lanalyse des grandeurs physiques locales ou globales, telles
que les pertes locales, la temprature, la densit de courant J ou encore le courant et la
tension aux bornes du dispositif.
Cette mise en place se fera en deux tapes : dans un premier temps, nous ne simulerons que
la partie lectromagntique, sans introduction de dpendances thermiques sur les variables.
Cela nous permettra de localiser les zones o les pertes sont les plus leves, et de proposer
une amlioration de la gomtrie du systme. Ensuite, nous ajouterons un couplage avec les
quations thermiques de faon permettre la comparaison des rsultats obtenus avec des
mesures ralises sur le systme rel. En particulier, nous verrons que le modle numrique
ralis donne des rsultats comparables ceux obtenus exprimentalement, et nous donne
accs des variables qui peuvent tre difficilement mesurables sans un systme de mesures
pouvant rapidement devenir coteux et complexe, comme la rpartition de la temprature
au sein du dispositif.

10.1 Prsentation du systme rel

Le limiteur de courant dvelopp lUniversit de Genve est un mandre supraconduc-


teur dYBCO, surmont dune couche stabilisatrice dor, le tout dpos sur un substrat de
saphir (figure 10.2). Loriginalit du systme repose sur le fait que, le long du mandre, des
tranglements ont t pratiqus. Ces tranglements, que nous nommerons constrictions (figure
10.3), permettent de rduire localement le courant critique de la ligne. Lorsque le dispositif
est soumis un court-circuit, la rsistivit des constrictions va rapidement augmenter pour
atteindre la valeur sat (voir chapitre 8). De cette faon, la puissance dissiper se retrouve
mieux rpartie sur la surface du substrat que dans le cas dun mandre sans tranglement
[58]. Le petit cercle noir visible sur la figure 10.2 indique la localisation de la brlure observe
la figure 10.1.

Fig. 10.2: Limiteur de courant supraconducteur (photo : Universit de Genve).

Les dimensions du systme sont donnes dans le tableau 10.1 ci-aprs :

82
Fig. 10.3: Dessin schmatique du limiteur ralis par lUniversit de Genve.

Largeur constriction 0.8 mm


Largeur connecteur 3.5 mm
Longueur constriction 2 mm
Longueur connecteur 1.5 mm
Hauteur YBCO 300 nm
120 nm sur les constrictions
Hauteur or
25 nm sur les connecteurs
Hauteur saphir 0.5 mm

Tab. 10.1: Dimensions du limiteur de courant.

Le courant critique Ic du limiteur 77 K se calcule partir de la densit de courant


critique de lYBCO Jc = 3 106 A cm2 . Sa valeur est donc de 2 0.8 103 300 109 3 1010 =
14.4 A.

10.2 Modlisation de la gomtrie

partir des figures 10.2 et 10.3, nous pouvons remarquer quil est possible de simplifier
la gomtrie modliser sous le logiciel de simulation en utilisant la priodicit et la symtrie
mdiane du mandre. Ainsi, seule la partie non hachure de la gomtrie sur la figure 10.3
est, dans un premier temps, introduite sous Flux . Par la suite, lors de lintroduction du
couplage thermique, nous simplifierons encore la gomtrie en ne modlisant quun quart de
constriction par lajout de la symtrie supplmentaire.
Nous constatons, daprs le tableau 10.1, quun ratio gomtrique denviron 12000 existe
entre les longueurs et les paisseurs des matriaux constituant le systme : la longueur totale
est de 5 mm alors que lpaisseur des parties conductrices est de 420 nm. Ceci posera un
problme lors du maillage de la gomtrie. En effet, un maillage rgulier conduira la prsence
de nombreux lments sur la longueur des lments et entranera une demande surraliste de
puissance informatique lors de la phase de rsolution du problme. linverse, un maillage
contenant des lments "aplatis" provoque une dgradation significative de la prcision des
rsultats. Il convient donc de trouver une mthode permettant dadapter les paisseurs, tout
en conservant les caractristiques du systme.

83
10.2.1 Adaptation des paisseurs
Afin de permettre la rsolution correcte du problme, il est ncessaire de faciliter le
maillage de la gomtrie. Pour cela, nous dcidons de multiplier les paisseurs dYBCO et
dor par un facteur = 1000, autrement dit dobtenir un ratio gomtrique de 12, valeur
plus raisonnable pour une simulation numrique par lments finis.

10.2.2 Effets de ladaptation des paisseurs sur les quations


Originalement, on cherche une solution aux quations de Maxwell :


~ =0
div(B)

~

~
rot(E) = tB






~ = J~
rot(H) (10.1)

~ = H ~

B





~ J~


E
~ = f (|J|)
~ |J|
Au lieu de chercher directement la solution, ladaptation des paisseurs revient trans-
former les coordonnes du problme de la manire suivante :

x, y, z, t) = (x, y, z, t)
(x, y, z, t) ( (10.2)
Si lon applique la transformation suivante :

~ = (B , B , B )


B x y z
~



E = (Ex , Ey , Ez )



~ = (H , H , H )
H x y z
(10.3)




~
J = (Jx , Jy , Jz )

avec et arbitraire

Alors les relations suivantes, issues des quations de Maxwell, sont vrifies :


~ =0
div(B)

~

~
rot(E) = tB (10.4)

~

= J~

rot(H)
Il convient cependant dadapter les relations des matriaux en consquence (rsistivit
et permabilit magntique r ).

10.2.3 Adaptation des grandeurs physiques


La multiplication des paisseurs entrane la modification des grandeurs physiques : le
courant critique Ic et la rsistance Ror de la couche dor ont alors des valeurs diffrentes
compares aux valeurs relles. Il faut donc les adapter en consquence.

Pour la couche dor : La valeur de la rsistance Ror est donne par lexpression Ror =
or lor /Sor avec lor et Sor respectivement la longueur en m et la section en m2 . La multiplica-
tion par 1000 de la hauteur de la couche dor multiplie donc la section Sor par 1000. Ainsi,
afin de garder la rsistance de la couche dor inchange, la rsistivit de lor sera multiplie
par un facteur 1000.

84
Pour la couche dYBCO : La valeur du courant critique Ic est donne par Ic = Jc
Ssupraconducteur . Par le mme raisonnement, et afin de conserver la valeur originale de Ic , la
densit de courant critique Jc sera divise par un facteur 1000. Enfin, la rsistivit sat sera
elle aussi multiplie par un facteur 1000.

10.3 Rsultats obtenus pour la partie lectromagntique seule


Le limiteur est aliment par une source de courant i(t) = I sin(2f t) avec I = 3 Ic =
43.2 A 50 Hz.
La figure 10.4 est obtenue pour t = 3/2, soit lorsque lamplitude du courant est
maximale. On sattachera plus particulirement la forte valeur de la densit de courant J
et du champ lectrique E dans langle interne cr par la frontire entre le connecteur et la
constriction. Cette observation confirme la localisation de lemballement thermique observ
la figure 10.1. Celui-ci est probablement provoqu par une densit de pertes locales trop
leves.

(a) Densit de courant J (b) Champ lectrique E

Fig. 10.4: Reprsentation des variables lectriques locales dans le matriau YBCO pour t = 3/2.

Afin doptimiser le comportement du systme, nous proposons de comparer le champ


lectrique maximum prsent dans langle concern pour la gomtrie originale et pour trois
autres gomtries reprsentes la figure 10.5.

Fig. 10.5: Gomtrie originale (A) et gomtries proposes (B, C, D).

On constate la figure 10.6 que la simple suppression de langle droit (gomtrie B)

85
permet une diminution de la valeur du champ lectrique maximum, mais que ce dernier reste
nanmoins lev.

Fig. 10.6: Valeur maximale du champ lectrique dans langle interne form par la frontire entre le
connecteur et la constriction.

En revanche, louverture de langle propose dans les gomtries C et D permet une


rduction significative de la valeur de E (figure 10.6), jusqu un facteur 3 compar la
gomtrie originale. Sachant que le champ lectrique et la densit de courant sont lis par
lexpression (8.3), nous pouvons en conclure que ces deux dernires gomtries sont les plus
avantageuses pour rduire les pertes locales et donc le risque demballement thermique dans
la zone considre. Ce rsultat est illustr par le trac de la densit de pertes locales, obtenue
par le calcul du produit E J, la figure 10.7.

Fig. 10.7: Valeur de la densit de pertes locales (E J) pour les quatre configurations analyses.

En comparaison avec la figure 10.4, le trac de la densit de courant J et du champ


lectrique E illustre clairement les amliorations apportes par lutilisation de la gomtrie
C sur le problme rencontr (figure 10.8).
Toutefois, il convient de prendre aussi en compte R T la
R puissance totale dissipe sur un
cycle. Celle-ci se calcule par la formulation P = 1/T 0 E J dV dt, normalise par unit
de surface. Les rsultats obtenus sont reports la figure 10.9.
La valeur de 196 Wcm2 obtenue pour la gomtrie originale correspond la valeur

86
(a) Densit de courant J (b) Champ lectrique E

Fig. 10.8: Reprsentation des variables lectriques locales dans le matriau YBCO pour la gomtrie
C et pour t = 3/2.

calcule par lUniversit de Genve lorsque I = 3 Ic [30]. Pour les gomtries C et D, nous
remarquons que la valeur de la puissance dissipe augmente denviron 20% par rapport la
gomtrie originale. Cela sexplique par le fait que le courant dispose dun espace plus rduit
lorsquil rencontre la zone proche de la constriction. Ainsi, le courant est oblig de circuler
dans une rgion dont la rsistivit est leve, entranant lapparition de pertes locales plus
importantes. Bien que localises sur une surface plus importante, ces pertes noptimisent
pas le fonctionnement du systme, car la puissance totale dissiper par le limiteur est plus
importante, ce qui contrevient aux critres noncs dans larticle [21].

Fig. 10.9: Puissance moyenne dissipe sur un cycle pour la gomtrie originale et les trois gomtries
proposes.

Il est noter qu la suite de cette tude, la gomtrie B propose a t une base de travail
pour llaboration dun nouveau dessin pour le limiteur de courant. Ce nouveau design est
actuellement test par lUniversit de Genve, et les premiers rsultats ont t prsents lors
de la confrence "EUCAS 2005" Vienne. Ces derniers devraient tre publis dans le courant
de lanne 2006.

87
10.4 Rsultats lors de la prise en compte de la temprature
Aprs avoir mis en vidence la localisation des zones o un risque demballement ther-
mique peut potentiellement survenir, nous allons simuler la gomtrie originale en incluant
les paramtres thermiques prsents au chapitre prcdent. Ceci devrait nous permettre de
calculer la temprature du limiteur lorsquun court-circuit, modlis laide dun circuit
lectrique simple, intervient.

10.4.1 Amliorations apportes au modle lectrique

Afin damliorer le modle lectrique, nous avons lgrement modifi celui-ci afin dy
ajouter deux principales modifications :
Lajout dune symtrie supplmentaire, soit au total deux symtries et une priodicit,
suppose que seule la moiti de la gomtrie non hachure reprsente la figure 10.3
est maintenant introduite dans le logiciel. Cette simplification permettra de rduire le
nombre de nuds du problme et de faciliter la convergence.
La permittivit relative r de lor et de lYBCO ont t adaptes au regard de la
multiplication des rsistivits et de la division de la densit de courant critique. En effet,
lpaisseur relie leffet de peau dans la couche dor est donne par = 2/(0 r ).
p

Pour la couche dYBCO, bien que le matriau ne soit pas linaire, un phnomne
semblable cet effet de peau se produit galement. Afin de garder la mme valeur de
lpaisseur , nous avons donc multipli r par un facteur 1000.

10.4.2 Adaptation des grandeurs physiques du modle thermique

La conductivit thermique T h a t multiplie par 1000 afin de tenir compte du fait


que les paisseurs de lor et de lYBCO sont mille fois suprieures dans le modle que dans
le systme rel. En revanche, comme les volumes sont plus importants dans la gomtrie
implmente sous Flux , la capacit thermique CT h est divise par 1000.

10.4.3 Rcapitulatif des paramtres physiques

Les tableaux 10.2 et 10.3 rsument les valeurs relles des paramtres physiques des ma-
triaux pour T = 77 K, ainsi que les valeurs implmentes dans le logiciel de modlisation
par lments finis aprs adaptation des paisseurs.

paisseur Jc r T h CT h
m A/cm2 cm W/(m K) J/(m3 K)
Relle 0.300 3 106 90 1 10 1.1 106
YBCO
Implmente 300 3 103 9 104 1000 1.0 104 1.1 103
Relle 0.120 7.5 101 1 363 2.0 106
Or
Implmente 120 7.5 102 1000 3.6 105 2.0 103
Relle 500 1130 2.4 105
Saphir
Implmente 500 1130 2.4 105

Tab. 10.2: Valeurs des paramtres physiques pour T = 77 K pour laxe z (paisseur). La rsistivit
pour lYBCO correspond sa rsistivit ltat normal.

88
Fig. 10.10: Reprsentation de la configuration utilise pour la partie thermique.

Jc r T h CT h
A/cm2 cm W/(m K) J/(m3 K)
Relle 3 106 90 1 10 1.1 106
YBCO
Implmente 3 103 9 104 1 1.0 10 2 1.1 103
Relle 7.5 101 1 363 2.0 106
Or
Implmente 7.5 102 1 3.6 101 2.0 103
Relle 1130 2.4 105
Saphir
Implmente 1130 2.4 105

Tab. 10.3: Valeurs des paramtres physiques pour T = 77 K pour les axes x et y (plan). La rsistivit
pour lYBCO correspond sa rsistivit ltat normal.

10.4.4 Surfaces dchange avec le bain


Les surfaces dchange avec le bain dazote sont reprsentes la figure 10.10. Sur ces
surfaces, nous avons impos une condition aux limites dcrivant la convection entre les ma-
triaux et le liquide cryognique laide dun coefficient dchange thermique h variable. Ce
coefficient dpend de la diffrence de temprature, comme expliqu au chapitre 9.

10.5 Modlisation des conditions dun court-circuit


La modlisation des conditions dun court-circuit intervenant sur le rseau lectrique dans
lequel est insr le limiteur de courant se fait laide du couplage circuit prsent au chapitre
7. Nous remplaons la source de courant par une source de tension v(t) = V sin(2t) pour
lalimentation. La valeur de V est de 6.25 V, de sorte que le champ lectrique impos aux
bornes de la gomtrie simule est de 25 Vcm1 [58]. Enfin, la figure 10.11 montre le circuit
lectrique dcrit dans le logiciel. La valeur de la rsistance Rload peut, un temps tcc choisi,
changer brutalement de valeur, ceci dans le but de reproduire les conditions dun dfaut.

10.5.1 Comportement gnral lors dun dfaut


Le comportement du limiteur tudi lorsquune surintensit brutale survient est repr-
sent la figure 10.12 [21]. Au dbut de la surintensit, un rgime transitoire apparat, et le
courant I monte rapidement, en quelques centaines de microsecondes, une valeur de 3 Ic .
Par la suite, le courant diminue pour se stabiliser une valeur proche de 1.5 Ic . Lorsquenfin
la temprature sest uniformise, et que le matriau supraconducteur a entirement transit
dans ltat normal, le comportement du systme, donn par la loi dOhm, devient linaire
avec la tension applique.

89
Fig. 10.11: Circuit lectrique dcrit pour reproduire les conditions dun court-circuit.

Fig. 10.12: Courant I dans le limiteur supraconducteur lors de lapparition dun dfaut [21].

10.6 Simulation dun dfaut intervenant sur un maximum de


tension
Lorsque t = 15 ms (soit t = 3/2), la valeur de la rsistance Rload diminue brutalement
de 1.7 0.2 . Sans la prsence dun limiteur de courant, le courant de dfaut serait donc
gal 2 V /R = 62.5 A (le facteur 2 provient du fait que la modlisation ne prend en compte
quune constriction d la symtrie mdiane du mandre).
Le courant calcul partir des rsultats de simulations monte rapidement une va-
leur lgrement suprieure 3 Ic (figure 10.13). Selon le choix de simuler ou non les phno-
mnes thermiques, le comportement du limiteur varie. Lorsque la temprature est suppose
constante et gale 77 K, le courant se stabilise sa valeur maximale [59]. linverse, lorsque
nous analysons les rsultats donns par la simulation lectromagntique-thermique couple,
nous remarquons que le courant diminue pour atteindre, en une centaine de microsecondes,
la valeur de 1.5 Jc . Ce comportement correspond celui auquel nous pouvions nous attendre
au regard de la figure 10.12 [21].
Lanalyse de la partie thermique nous permettra de vrifier le risque de brlure des
matriaux composant le systme. Pour cela, nous nous proposons danalyser la temprature
en trois points du dispositif : lextrmit interne de la constriction, langle interne form
par la frontire entre la constriction et le connecteur, ainsi qu lextrmit du connecteur

90
Fig. 10.13: Courant I circulant dans le limiteur avec et sans la prise en compte de la temprature lors
de lapparition dun dfaut pour t = 3/2.

(figure 10.14).

Fig. 10.14: Localisation des points A, B et C o sera calcule la temprature T .

Le trac des tempratures est fait la figure 10.15. Nous remarquons bien la monte
rapide en temprature de la constriction. Cette zone, qui correspond la rgion o les pertes
sont importantes, atteint la temprature critique Tc en une cinquantaine de microsecondes
environ. En revanche, le connecteur, dont le courant critique est plus important, voit sa
temprature slever dune manire plus lente dans le temps.
La distance entre le point A et le point C est de 2.5 mm. Le temps mis par le point C pour
atteindre la temprature de 80 K est denviron 155 s (figure 10.15) conduisant une vitesse
de propagation denviron 16 ms1 . Cette valeur correspond celle calcule thoriquement
dans larticle [30].
Le point B, situ dans langle form par la frontire entre la constriction et le connecteur,
est bien le sige dun emballement thermique : sa temprature augmente rapidement au-
del de t = 50 s pour atteindre 100 K en 300 s. La suppression de cet angle, telle que

91
propose pour la gomtrie B, devrait, comme nous lavons vu prcdemment, supprimer
ce problme. Dans les temps qui nous taient impartis, il ne nous a malheureusement pas
t possible dintgrer ce chapitre les rsultats issus dune simulation lectromagntique-
thermique ralise avec cette dernire gomtrie.

Fig. 10.15: Temprature des points A, B et C (figure 10.14).

10.7 Simulation dun dfaut intervenant sur un zro de ten-


sion
Ce cas est le plus dlicat mesurer exprimentalement, car il correspond la situation
la plus dfavorable pour le limiteur et il y a un risque de destruction du dispositif si celui-
ci nest pas dimensionn correctement. En effet, comme il existe une relation entre E et
J (8.2) et que la tension est nulle, la transition est plus lente que dans le cas dun dfaut
intervenant dans le cas de tension prsente aux bornes du dispositif. De par cette transition
plus lente, lnergie totale dissiper dans le limiteur est plus importante. Ainsi, la possibilit
de raliser des simulations numriques est un avantage certain, car cela permettra de raliser
une optimisation du systme sans lobligation de fabriquer des prototypes.
A t = 10 ms, soit t = , la valeur de la rsistance Rload chute de 3 0.02 . Sans
la prsence dun limiteur, la valeur maximale atteinte par le courant pour t = 3/2 serait
gale plus de 600 A (figure 10.16).
La prsence dun limiteur permet de rduire en environ 500 s le courant de dfaut,
comme le montre la figure 10.16.
Tout comme pour le cas dun dfaut intervenant au maximum de la tension, si la temp-
rature est maintenue constante 77 K, le comportement du systme est diffrent. En effet,
dans cette situation, la phase de limitation nest pas prsente, et le systme adopte un com-
portement linaire lorsque la densit de courant I devient suprieure 3 Jc . Cette situation
est induite par le fait que la rsistivit de lYBCO pour des densits de courant leves est
bien plus importante que celle de lor, ce qui signifie que le courant circule de prfrence dans
ce dernier matriau.
En revanche, lorsque les phnomnes thermiques sont simuls, les rsultats respectent le
comportement global dcrit la figure 10.12. Toutefois, les ordres de grandeurs obtenus sont
lgrement diffrents. En effet, aprs avoir atteint un maximum, le courant dcrot pour se

92
Fig. 10.16: Courant I dans le limiteur lorsquun dfaut intervient sur un zro de tension.

Fig. 10.17: Courant total I dans le limiteur dans le cadre de la simulation lectromagnto-thermique
et lorsque la temprature est fixe 77 K.

stabiliser une valeur proche de la valeur du courant critique Ic . Nous nous attendions, daprs
la figure 10.12, une valeur plus proche de 1.5 Ic . Par ailleurs, cette stabilisation intervient
plus de 1 ms aprs lapparition du dfaut. Larticle [59] montre que le rapport entre le courant
maximal Imax et le courant de limitation Ilim (figure 10.12 est dtermin par la rsistivit de
ltat normal sat , la diffrence de temprature T et la conductivit thermique . Comme
nous avons utilis la rsistivit sat = 90 cm mesure sur le limiteur lui-mme [30], nous
pouvons conclure que lerreur commise provient des paramtres thermiques utiliss, et plus
particulirement de la modlisation du coefficient de transfert h avec le bain cryognique. En
effet, la valeur maximale de transition entre la partie "bubble boiling" et la partie instable
ne correspond pas celle utilise dans les articles [60] [61], o cette valeur maximale est plus
leve. Louvrage de P. Tixador [62] donne la valeur de 14 Wcm2 K1 . Enfin, dans notre
modlisation, le coefficient dchange est pratiquement nul dans la partie "film boiling", ce
qui nest pas le cas dans les deux articles cits.
Enfin la figure 10.18 est une comparaison entre les rsultats obtenus par simulation et
les mesures effectues sur le systme. La valeur Imax obtenue sur les mesures (environ 2 Ic )

93
nest pas exacte. Elle devrait tre de 3 Ic approximativement. Ceci provient du fait que
loscilloscope utilis na pas chantillonn cette partie de la courbe. Nous constatons, outre
lerreur commise sur le courant Ilim , linfluence de linductance L du circuit. Cette inductance
tend ralentir la monte du courant durant la phase transitoire. Sa valeur est value 3 H
[59].

Fig. 10.18: Comparaison des rsultats obtenus par simulation et par exprimentation (Mesures :
Universit de Genve).

Si on introduit une inductance L de valeur 3 109 H dans le circuit lectrique, et que


lon modifie la modlisation du coefficient dchange (quation (10.5) et figure 10.19), alors le
comportement du systme se rapproche de celui mesur pour des valeurs de temps comprises
entre 10 et 11.5 ms, comme illustr la figure 10.20. Au del, les valeurs des paramtres
thermiques utilises devront tre valides et modifies afin dobtenir des rsultats plus proche
des mesures.



156 si T < 1
1.6 si 1 T < 2

20 T



6 T 3.4 si 2 T < 10

h= (10.5)


1400 T si 10 T < 20
1.8e13 T 16.8 si 20 T < 30





5 T 1.8 si T > 30

Les figures 10.21 et 10.22 reprsentent la densit de courant J lorsque le courant dans
le limiteur est maximal (t = 10.475 ms). Nous retrouvons le mme effet que celui observ au
paragraphe 10.3, savoir une densit de courant leve dans langle interne de la constriction.
Aprs 1 ms, nous constatons que la temprature de la constriction est proche de la
temprature critique (figure 10.24). Comme le matriau supraconducteur dans cette zone se
retrouve ltat normal, et que sa rsistivit est alors largement suprieure celle de lor
(tableau 10.2), le courant circule dans la couche dor. La temprature du connecteur tant
plus faible, cette partie est encore supraconductrice. Ainsi, il y a passage du courant de la
couche dor la couche dYBCO (figure 10.23).
Comme lYBCO est un matriau dont la densit de courant critique Jc est anisotrope
(sur lpaisseur de la couche dpose, elle est plus faible que dans le plan parallle au substrat
de saphir), il serait intressant, loccasion dun travail futur, dtudier limportance de cette

94
3

Coef. de transfert th. h (W cm2 K1)


2

0.1 1 10 100
T (K)

Fig. 10.19: Coefficient dchange thermique h donn par lquation (10.5).

Fig. 10.20: Comparaison des rsultats obtenus par simulation et par exprimentation lorsque la mo-
dlisation du coefficient dchange est corrige (Mesures : Universit de Genve).

anisotropie dans la phase de limitation, et de comparer les rsultats obtenus par simulation
avec des mesures exprimentales.

95
Fig. 10.21: Densit de courant J dans les matriaux YBCO et or pour I = Imax (t = 10.475 ms).

Fig. 10.22: Densit de courant J dans le matriau YBCO pour I = Imax (t = 10.475 ms).

Fig. 10.23: Densit de courant J dans les matriaux YBCO et or pour t = 11 ms.

Fig. 10.24: Temprature T dans les matriaux YBCO et or pour t = 11 ms.

96
Conclusion et perspectives

Le thme principal de cette thse est la modlisation de la rponse lectrique des mat-
riaux supraconducteurs, et plus particulirement ceux dits haute temprature critique. La
possibilit de simuler le comportement de ces matriaux est une cl essentielle pour le dve-
loppement dapplications dans le domaine industriel, ceci afin doptimiser les performances
du dispositif et permettre damliorer la qualit du produit en vue de son exploitation com-
merciale.

Dans la premire partie de ce travail, nous nous sommes attachs la rsolution dun
problme dit problme inverse : la recherche de la distribution dynamique de courant dans
un ruban supraconducteur partir de la mesure du profil magntique sa surface. Bien
que la rsolution de ce type de problmes soit extrmement complexe, nous avons pu re-
construire avec prcision la distribution dynamique de la densit de courant dans la section
dun ruban monofilamentaire en nous appuyant sur un modle dcrivant trs succinctement
le comportement lectromagntique dun supraconducteur. Lalgorithme de rsolution utilise
la minimisation de la somme des erreurs commises entre le champ magntique calcul et le
champ magntique mesur pour chaque capteur (mthode des moindres carrs). Il permet
lobtention rapide de rsultats en comparaison avec des mthodes certes plus prcises, comme
limagerie magnto-optique ou la modlisation par lments finis, mais qui demandent des
moyens exprimentaux ou informatiques plus importants. Un travail futur sera lextension de
cette mthode des rubans multifilamentaires, pouvant comporter jusqu une cinquantaine
de brins supraconducteurs. Il sera donc ncessaire de prendre en compte une gomtrie plus
complexe, et de disposer dune quantit de mesures plus importante. Pour cela, il serait int-
ressant dexploiter pleinement les possibilits offertes par le systme de mesures en ralisant
une cartographie en deux dimensions du profil magntique la surface de lchantillon, et
damliorer le modle gomtrique utilis par lalgorithme de recherche.

La seconde partie prsente ltude de dispositifs supraconducteurs pouvant tre soumis


un rgime sur-critique svre. En particulier, nous avons propos une formulation originale
permettant dapprocher la transition du matriau de ltat supraconducteur ltat normal.
Cette formulation, implmente dans un logiciel de simulation par lments finis autorise une
modlisation dans une plage de courant beaucoup plus vaste celle obtenue par lutilisation de
la loi habituelle de type Ec (J/Jc )n .
La puissance dissipe lors dune excursion sur-critique conduit une lvation de tem-
prature importante. Cette lvation de temprature a pour effet de faire varier considra-
blement les proprits lectriques locales des matriaux. Le modle propos autorise la prise
en compte de ces variations par un couplage entre les quations lectromagntiques et ther-
miques. Il est ainsi possible danalyser le dispositif dun point de vue global (tension aux
bornes des conducteurs, courant total), ou dun point de vue local (rpartition du courant ou
profils de temprature dans les volumes modliss). Ainsi, par lanalyse des variables locales
qui, exprimentalement, ne sont pas ou sont difficilement mesurables, il est possible de pro-

97
poser des amliorations, par exemple sur la gomtrie du systme, dans le but doptimiser le
comportement du systme selon certains critres spcifiques.
Ensuite, nous avons vu que la modlisation par lments finis de systmes possdant
un ratio gomtrique lev posait des problmes lors de la phase de maillage. Nous avons
contourn ce problme en multipliant la dimension la plus faible par un facteur choisi de
faon ramener la valeur de ce ratio une valeur plus acceptable. Cependant, les grandeurs
globales dpendantes de la gomtrie du systme, comme par exemple la rsistance qui est
inversement proportionnelle la section, vont se retrouver modifies. Il convient donc dadap-
ter les grandeurs locales en consquence afin de maintenir les grandeurs globales leur valeur
relle. Lapplication principale de technique est la simulation du comportement de matriaux
supraconducteurs fabriqus sous forme de couches minces, comme lYBCO par exemple.

Enfin, nous avons modlis, par lapplication de ces nouvelles mthodes, le comporte-
ment lectromagntique et thermique dun limiteur de courant compos dune couche mince
dYBCO supraconductrice surmonte dun film stabilisateur dor. Les rsultats obtenus per-
mettent dobtenir une bonne approximation du comportement du systme compars des
mesures ralises sur le systme rel. De cette manire, les rsultats numriques obtenus
offrent la possibilit danalyser linfluence de paramtres gomtriques ou physiques sans
avoir recours la ralisation de prototypes ou une phase exprimentale.

Une prochaine tape consistera raffiner encore la prcision des rsultats obtenus par
lamlioration du modle thermique utilis, et plus particulirement la manire de prendre en
compte lchange de chaleur entre le dispositif et le bain cryognique. Cet change, de type
convectif avec changement de phase, est dpendant de nombreux paramtres, et il convien-
drait donc de suggrer une formulation plus adapte que celle propose dans cette thse.
Enfin, nous navons pas jug ncessaire dans le cadre de ce travail dimplmenter laniso-
tropie sur le courant critique Jc prsente dans les matriaux supraconducteurs de type YBCO
ou BSCCO. Cependant, durant la phase de limitation, le courant I dans le limiteur va tre
transfr de la couche dYBCO la couche dor et vice-versa au niveau de la constriction.
Pour une modlisation encore plus prcise du comportement du dispositif supraconducteur
durant cette phase, il conviendra dintroduire cette anisotropie dans le modle lectromagn-
tique. Ceci peut se faire en intgrant au sein de la routine FORTRAN une densit de courant
critique non isotrope. En revanche, il sera ncessaire de prter une attention particulire au
calcul du tenseur de rsistivit, ceci afin de faciliter la convergence des lalgorithmes utiliss
par le logiciel dlments finis.

98
Annexe A

Programmation de la fonction
E = f (J, T ) en langage FORTRAN

C SUBROUTINE USR_DEDJ
SUBROUTINE USR_DEDJ (MATERIAL_NAME,STRING_LENGTH,
& NBRCN,COOPT,
& TIMESTEP,
& NBRCOEF,USER_COEFF,
& NB_SPAT_PAR,VAL_SPAT_PAR,VAL_SPAT_PAR_P,
& NB_VAR_PAR,VAL_VAR_PAR,VAL_VAR_PAR_P,
& NREAL,NCOMP, JPG ,
& EPG,DEDJPG,
& IOSTAT)
C

C User SUBROUTINE f o r E( J ) p r o p e r t y
C
CHARACTER ( ) MATERIAL_NAME
INTEGER STRING_LENGTH
C
INTEGER NBRCN
DOUBLE PRECISION COOPT(NBRCN)
C
DOUBLE PRECISION TIMESTEP( 2 )
C
INTEGER NBRCOEF
DOUBLE PRECISION USER_COEFF( )
C
INTEGER NB_SPAT_PAR
DOUBLE PRECISION VAL_SPAT_PAR( 2 , 3 , ) ,VAL_SPAT_PAR_P( 2 , 3 , )
C
INTEGER NB_VAR_PAR
DOUBLE PRECISION VAL_VAR_PAR( 2 , 3 , ) ,VAL_VAR_PAR_P( 2 , 3 , )
C
INTEGER NREAL,NCOMP
DOUBLE PRECISION JPG(NREAL,NCOMP)
C
DOUBLE PRECISION EPG(NREAL,NCOMP)
DOUBLE PRECISION DEDJPG (NREAL,NCOMP,NCOMP)
C
INTEGER IOSTAT
C
C Dclaration des constantes
C
C

99
DOUBLE PRECISION ZERO
PARAMETER (ZERO=0.0D0)
DOUBLE PRECISION UN
PARAMETER (UN=1.0D0)
DOUBLE PRECISION EPS
PARAMETER (EPS=1.0D8)
DOUBLE PRECISION EPSRE
PARAMETER (EPSRE=1.0D15)
C
C D c l a r a t i o n du nom de l a f o n c t i o n :
C
C
CHARACTER ( ) NOMSP
PARAMETER (NOMSP=USR_DEDJ )
C
C Dclaration des v a r i a b l e s u t i l i s e s
C
C
DOUBLE PRECISION N2
PARAMETER (N2=30)
DOUBLE PRECISION A1
PARAMETER (A1=1.0D0)
DOUBLE PRECISION A2
PARAMETER (A2=2.0D0)
C
DOUBLE PRECISION JC_TREF, E0 , N1 , RHO0,RHOSAT_TREF,TC
DOUBLE PRECISION ALPHA,BETA,TREF, T
DOUBLE PRECISION MODUJ2,MODJPG
DOUBLE PRECISION JC
DOUBLE PRECISION RHOSAT
DOUBLE PRECISION E1 , RHO1,RHO1_TEMP,RHO_TEMP,SIGMA_TEMP
DOUBLE PRECISION R,DELTAE
DOUBLE PRECISION dRHO1dE, dRHO2dE, dRdE
DOUBLE PRECISION RHO, SIGMA
DOUBLE PRECISION E2 , RHO2,RHO2_TEMP
DOUBLE PRECISION RHO_OR_TREF,RHO_OR
DOUBLE PRECISION dEdJ1_TEMP, dEdJ , dEdJ2_TEMP, dEdJ2
C
INTEGER I ,J
C
C IOSTAT I n i t i a l i z a t i o n
IOSTAT = 1
C
C S u p r a c o n d u c t e u r couche mince YBCO ( avec l o i de p u i s s a n c e m o d i f i e ) :
C
C L o i en p u i s s a n c e p l u s c o n d u c t i v i t e SIGMA0
C | E | = E0 ( J/ Jc 1)^N ou | J | = ( ( | E | / E0 ) ^ ( 1 /N) +1) Jc
C
IF ( ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_1 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_2 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_3 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_4 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. SUPRA_5 ) ) THEN
IOSTAT = 1
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes m a t r i a u
C
C
JC_TREF = USER_COEFF( 1 )
E0 = USER_COEFF( 2 )
N1 = USER_COEFF( 3 )

100
RHO0 = USER_COEFF( 4 )
RHOSAT_TREF = USER_COEFF( 5 )
TC = USER_COEFF( 6 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes v a r i a b l e s
C
C
ALPHA = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 1 )
BETA = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 2 )
TREF = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 3 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes s p a t i a l e s
C
C
T = VAL_SPAT_PAR ( 1 , 1 , 1 )
C
C T e s t s s u r l e s donnes p a s s e s en e n t r e
C
IF ( JC_TREF . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& E0 . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& N1 . LT . 2 . 0 D0 .OR.
& RHO0 . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& RHOSAT_TREF . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TC . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
IF ( ALPHA . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& BETA . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TREF . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TC . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
C C a l c u l du module de J
C
C
MODUJ2 = ZERO
DO 100 J = 1 , 2
MODUJ2 = MODUJ2 + JPG( 1 , J ) 2
100 CONTINUE
MODUJ2 = MODUJ2 + (JPG( 1 , 3 ) / 1 0 0 0 ) 2
MODJPG = SQRT(ABS(MODUJ2) )
C
C C a l c u l de Jc e t Rho_sat
C
C
JC = JC_TREF ( ( (TCT) ALPHA) / ( (TCTREF) ALPHA) )
RHOSAT = RHOSAT_TREF(1+BETA (TTREF) )
C
C S i T i n f r i e u r e Tc
C
C
IF (T . LT . TC) THEN
C
C Cas d un p o i n t v o i s i n de E = 0 ( dans n o t r e cas , p o i n t J < Jc ) :
C
C
IF ( MODJPG . LE . A1JC(1+EPSRE) ) THEN
DO 110 I = 1 , 3

101
EPG( 1 , I ) = RHO0JPG( 1 , I )
C
C dEj / d J j = rho0
C
C
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO0
110 CONTINUE
C
C Cas numro 1 : p r e m i r e powerlaw
C
C
ELSEIF ( MODJPG . LE . A2JC(1+EPSRE) ) THEN
C
C C a l c u l du module de E a p a r t i r du module de J
C
C ( par l a methode de NewtonRaphson )
C
E1 = 0
C
C Premier c a l c u l : ( pour t r e s r d a v o i r f a i t l a b o u c l e au moins une f o i s )
C
C
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
C
C Itrations
C
C
DO 200 WHILE (EPSE1 . LT . ABS(DELTAE) )
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
200 END DO
C
C On c a l c u l e l e s n o u v e l l e s v a l e u r s
C
C

102
RHO1 = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) ) RHO0
RHO = ( (RHO1+RHO0) RHOSAT) / (RHO1+RHO0+RHOSAT)
SIGMA = UN/RHO
C
C C a l c u l de l a r s i s t i v i t i n c r m e n t a l e
C
C
dEdJ1_TEMP = RHO1 2 / (RHO0+((E1 ( 1 /N1) RHO1) /
& (N1 ( E0 ( 1 /N1)+E1 ( 1 /N1 ) ) ) ) )
dEdJ = (dEdJ1_TEMPRHOSAT) / (dEdJ1_TEMP+RHOSAT)
C
DO 230 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHOJPG( 1 , I )
DO 220 J = 1 , 3
DEDJPG( 1 , J , I ) = ( dEdJRHO) /MODUJ2
& JPG( 1 , I ) JPG( 1 , J )
220 CONTINUE
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO + DEDJPG( 1 , I , I )
230 CONTINUE
C
C Cas numro 2 : Deuxime powerlaw
C
C
ELSE
C
C C a l c u l du module de E1 a p a r t i r du module de J
C
C ( par l a methode de NewtonRaphson )
C
E1 = 0
C
C Premier c a l c u l : ( pour t r e s r d a v o i r f a i t l a b o u c l e au moins une f o i s )
C
C
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
C
C Itrations
C
C
DO 300 WHILE (EPSE1 . LT . ABS(DELTAE) )
RHO1_TEMP = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
RHO_TEMP=RHO1_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E1 ) MODJPG
C
dRHO1dE = E0 ( 1 /N1 ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N1) E1 ( 1 /N1 ) ) /

103
& (JCN1 ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO1_TEMP+RHO0) (E1dRHO1dE ) / ( (RHO1_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E1 = E1+DELTAE
300 END DO
C
C On c a l c u l e l e s n o u v e l l e s v a l e u r s
C
C
RHO1 = ( E1E0 ( 1 /N1 ) ) / ( JC ( E1 ( 1 /N1)+A1E0 ( 1 /N1 ) ) ) RHO0
C
C C a l c u l du module de E2 a p a r t i r du module de J
C
C ( par l a methode de NewtonRaphson )
C
E2 = 0
C
C Premier c a l c u l : ( pour t r e s r d a v o i r f a i t l a b o u c l e au moins une f o i s )
C
C
RHO2_TEMP = ( E2E0 ( 1 /N2 ) ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
RHO_TEMP=RHO2_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E2 ) MODJPG
C
dRHO2dE = E0 ( 1 /N2 ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N2) E2 ( 1 /N2 ) ) /
& (JCN1 ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO2_TEMP+RHO0) (E2dRHO2dE ) / ( (RHO2_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E2 = E2+DELTAE
C
C Itrations
C
C
DO 310 WHILE (EPSE1 . LT . ABS(DELTAE) )
RHO2_TEMP = ( E2E0 ( 1 /N2 ) ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
RHO_TEMP=RHO2_TEMP+RHO0
SIGMA_TEMP = 1/RHO_TEMP
C
R = (SIGMA_TEMP E2 ) MODJPG
C
dRHO2dE = E0 ( 1 /N2 ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) )
& ( E0 ( 1 /N2) E2 ( 1 /N2 ) ) /
& (JCN1 ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) 2 )
C
dRdE = 1 / (RHO2_TEMP+RHO0) (E2dRHO2dE ) / ( (RHO2_TEMP+RHO0) 2 )
C
DELTAE = R/dRdE
C
E2 = E2+DELTAE
310 END DO
C
C On c a l c u l e l e s n o u v e l l e s v a l e u r s
C

104
C
RHO2 = ( E2E0 ( 1 /N2 ) ) / ( JC ( E2 ( 1 /N2)+A2E0 ( 1 /N2 ) ) ) RHO0
RHO = ( (RHO2+RHO1+RHO0) RHOSAT) / (RHO2+RHO1+RHO0+RHOSAT)
SIGMA = UN/RHO
C
C C a l c u l de l a r s i s t i v i t i n c r m e n t a l e
C
C
dEdJ1_TEMP = RHO1 2 / (RHO0+((E1 ( 1 /N1) RHO1) /
& (N1 ( E0 ( 1 /N1)+E1 ( 1 /N1 ) ) ) ) )
dEdJ1 = (dEdJ1_TEMPRHOSAT) / (dEdJ1_TEMP+RHOSAT)
dEdJ2_TEMP = RHO2 2 / (RHO0+((E2 ( 1 /N2) RHO2) /
& (N2 ( E0 ( 1 /N2)+E2 ( 1 /N2 ) ) ) ) )
dEdJ2 = (dEdJ2_TEMPRHOSAT) / (dEdJ2_TEMP+RHOSAT)
dEdJ = ( (dEdJ1_TEMP+dEdJ2_TEMP) RHOSAT) /
& (dEdJ1_TEMP+dEdJ2_TEMP+RHOSAT)
C
DO 330 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHOJPG( 1 , I )
DO 320 J = 1 , 3
DEDJPG( 1 , J , I ) = ( dEdJRHO) /MODUJ2
& JPG( 1 , I ) JPG( 1 , J )
320 CONTINUE
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO + DEDJPG( 1 , I , I )
330 CONTINUE
C
C Fin de l a b o u c l e IF J < Jc
C
C
ENDIF
C
C IF T >= Tc
C
C
ELSE
C
C Le m a t ria u x e s t a l o r s normal
C
C
DO 410 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHOSATJPG( 1 , I )
C d J j / dEj = Sigma
DEDJPG( 1 , I , I )= RHOSAT
410 CONTINUE
C
C Fin du t e s t IF T < Tc
C
C
ENDIF
C
C Matriaux L i n a i r e de type OR/ARGENT, . . .
C
C
ELSEIF ( ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_1 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_2 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_3 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_4 ) . Or .
& ( MATERIAL_NAME ( 1 :STRING_LENGTH) .EQ. OR_5 ) ) THEN
IOSTAT = 1
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes m a t r i a u

105
C
C
RHO_OR_TREF = USER_COEFF( 1 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes v a r i a b l e s
C
C
BETA = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 1 )
TREF = VAL_VAR_PAR ( 1 , 1 , 2 )
C
C R c u p r a t i o n d e s donnes s p a t i a l e s
C
C
T = VAL_SPAT_PAR ( 1 , 1 , 1 )
C
C T e s t s s u r l e s donnes p a s s e s en e n t r e
C
IF ( RHO_OR_TREF . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
IF ( BETA . LE . 0 . 0 D0 .OR.
& TREF . LE . 0 . 0 D0) THEN
IOSTAT = 1
GOTO 900
ENDIF
C
C C a l c u l du module de J
C
C
MODUJ2 = ZERO
DO 700 J = 1 , 2
MODUJ2 = MODUJ2 + JPG( 1 , J ) 2
700 CONTINUE
MODUJ2 = MODUJ2 + (JPG( 1 , 3 ) / 1 0 0 0 ) 2
MODJPG = SQRT(ABS(MODUJ2) )
C
C C a l c u l Rho_OR
C
C
RHO_OR = RHO_OR_TREF(1+BETA (TTREF) )
C
C Le m a t ria u x e s t l i n a i r e
C
C
DO 810 I = 1 , 3
EPG( 1 , I ) = RHO_ORJPG( 1 , I )
C d J j / dEj = Sigma
DEDJPG( 1 , I , I )= RHO_OR
810 CONTINUE
C
C Fin de l a b o u c l e IF SUPRA ELSIF OR
C
C
ENDIF
C
C Sortie
C
C
900 CONTINUE
END

106
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constrained OPF with FACTS devices. IEEE Transactions on Power Systems, 20 :15971605, 2005.
[58] M. Decroux, L. Antognazza, S. Reymond, W. Paul, M. Chen, and O. Fischer. Studies of YBCO strip
lines under voltage pulses : optimization of the design of fault current limiters. IEEE Transactions on
Applied Superconductivity, 13 :19881991, 2003.
[59] S. Reymond, L. Antognazza, M. Decroux, and O. Fischer. Simulation of the initial response of a high tc
superconducting lm submitted to a voltage source. Superconductor Science and Technology, 17 :522526,
2004.
[60] B. Zeimetz, J.E. Evetts, K. Tadinada, D.E. Eves, T.A. Coombs, and A.M. Campbell. Thermal instabi-
lity and current-voltage scaling in superconducting fault current limiters. Superconductor Science and
Technology, 17 :657662, 2004.
[61] Y. Iwasa, S.-Y. Hahn, H. Lee, J. Bascun, J. Jankowski, J. Reeves, A. Knoll, Y.-Y. Xie, and V. Selva-
manickam. Stability and quench protection of coated YBCO "composite" tape. IEEE Transactions on
Applied Superconductivity, 15 :16831686, 2005.
[62] P. Tixador. Les supraconducteurs. Hermes, 1995.

109
110
Curriculum vitae

Joseph DURON
EPFL - IC - LANOS
BC 228 / Station 14
CH - 1015 LAUSANNE

N le 02 juin 1978 Nantua (France).


Nationalit franaise.

tudes

2006 Docteur s Sciences de lcole Polytechnique Fdrale de Lausanne (E.P.F.L.)


"Modlisation numrique de matriaux supraconducteurs - Application un limiteur de
courant"
2001 Diplme dIngnieur lectricien de lInstitut National Polytechnique de Grenoble (I.N.P.G.)
cole Nationale Suprieure des Ingnieurs lectriciens de Grenoble (E.N.S.I.E.G.).
3e anne de cycle ingnieur eectue lE.P.F.L., dpartement lectricit.
1998 Diplme Universitaire de Technologie (D.U.T.) en Gnie lectrique et Informatique
Industrielle, option lectrotechnique et lectronique de Puissance
1996 Baccalaurat Scientique (S.) (mathmatiques et sciences physiques)
option sciences et techniques industrielles.

Expriences Professionnelles

20032005 Assistant-Doctorant lE.P.F.L. au sein du laboratoire des systmes non linaires :


Encadrement dtudiants durant leurs projets de semestre et pour les travaux dirigs lis
au cours Circuits et Systmes , aide ladministration de serveurs informatiques sous
environnement Windows.
2001 Stage de n dtudes niveau ingnieur eectu lE.P.F.L. au laboratoire des rseaux
dnergie : Travaux de recherches sur la dtermination des paramtres du canal de foudre
(intensit du courant, vitesse de larc en retour, ...)
19982000 Travail dt en bureau dtudes dans lentreprise S.I.S.E. (industrie de transformation des
matires plastiques) Oyonnax (France) :
Mise jour dune gamme de rgulateurs de temprature (2000).
Conception dun nouveau systme dinjection squentielle (1999).
Mise au point des premiers prototypes et lancement de la fabrication dun nouveau systme
de rgulation de temprature (1998).
1998 Stage de n dtudes niveau I.U.T. eectu dans lentreprise S.I.S.E.
Aide la conception dun nouveau systme de rgulation de temprature.

Divers

Passionn par le transport ferroviaire.


Connaissance des systmes informatiques Windows et Linux.
Connaissance de base des langages de programmation FORTRAN, C, et PYTHON.
Liste de publications

Duron, J. et al., Finite-element modelling of superconductors in over-critical regime with


temperature dependent resistivity, Proceedings of the European Conference on Applied Supercon-
ductivity, 2005.

Duron, J. et al., 3-D finite element simulations of strip lines in a YBCO/Au fault current
limiter, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 15, p. 1998, 2005.

Dutoit, B. et al., Dynamic field mapping for obtaining the current distribution in high-
temperature superconducting tapes, IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 15, p.
3644, 2005.

Duron, J. et al., Modelling the E-J relation of high-Tc superconductors in an arbitrary


current range, Physica C : Superconductivity and its Applications, 401, p. 231, 2004.

Sjstrm, M. et al., Equivalent circuit model for superconductors, IEEE Transactions on Applied
Superconductivity, 13, p. 1890, 2003.