Estrutura Cristalina

Cincia dos Materiais - DEMAT - EE - UFRGS
Captulo 3 -
Estrutura Cristalina
Prof. C.P. Bergmann DEMAT - PPGE3M - EE UFRGS 2014

3. ESTRUTURA CRISTALINA
3-1 INTRODUO
3-2 ORDENAO DOS TOMOS
3-3 CLULAS UNITRIAS
3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL
3-5 METAIS
3-6 CRISTAIS INICOS
3-7 CRISTAIS COVALENTES
3-8 POLMEROS
3-9 IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO
3-1 INTRODUO
ESTRUTURA PROPRIEDADES
CINCIA DOS MATERIAIS
ESTRUTURA ATMICA
ESTRUTURA CRISTALINA
MICROESTRUTURA
antes de entender fenmenos que determinam propriedades nos materiais a partir da MICROESTRUTURA deve-se
primeiramente entender a (ESTRUTURA ATMICA) e ESTRUTURA CRISTALINA dos materiais porque estas definem
algumas de suas propriedades mais importantes de interesse tecnolgico.
Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS
3-1 INTRODUO
DIVISO DA ESTRUTURA NOS MATERIAIS

Cincia dos Materiais-DEMAT-EE-UFRGS
3-1 INTRODUO
As propriedades de materiais esto diretamente associadas sua estrutura cristalina. Metais apresentam diferentes
caractersticas mecnicas. Exemplos:
-alguns so mais dcteis que outros;
-magnsio e berlio que tm a mesma estrutura (HC) se deformam muito menos
que ouro e prata (CFC) que tm outra estrutura cristalina.
O que se pode fazer para

modificar a resistncia
mecnica de um material ?
Diferena significativa nas propriedades de materiais cristalinos e no cristalinos de mesma composio. Exemplos:
Diamante e carbono, BN-a e BN-b, Fe-a e Fe-g e outros. Fe-g
Fe-a
Cermicos e polmeros no-cristalinos tendem a ser opticamente transparentes enquanto cristalinos no. Por qu?
As propriedades dos materiais slidos cristalinos depende da estrutura cristalina, ou seja, da maneira na qual os
tomos, molculas ou ons esto espacialmente dispostos.
Grande parte da diferena das propriedades dos materiais de interesse tecnolgico,

Importncia da estrutura cristalina
assim as diferenas na estrutura cristalina de grande importncia na Engenharia.
3-2 ORDENAO DE TOMOS

Os materiais slidos podem ser classificados de acordo com a regularidade na qual os tomos ou ons se dispem em relao
seus vizinhos, considerando ngulos, distncias e simetria da ordenao.
Ordem a longo alcance Ordem a curto alcance Sem ordenamento

Vidro Polmero Gs
Cristal
Metais, muitas cermicos e alguns polmeros. Alotropia ou transformaes polimrficas

-Alguns materiais podem ter mais de uma estrutura cristalina dependendo da
Mais baixa energia livre
temperatura e presso. So denominados de alotrpicos (elementos qumicos) ou
Maior empacotamento polimrficos (compostos em geral).
Fe-g
Fe-a
-Geralmente as transformaes polimrficas so acompanhadas de

Por solidificao ou por saturao/ cristalizao mudanas na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas .
em solues aquosas.
3-2 ORDENAO DE TOMOS

3.2.3 Ordem a longo alcance
A rede formada por tomos se repete regularmente: conjunto de pontos espaciais que possuem vizinhana idntica.
- simetria com os vizinhos;
- distncias parmetros de rede (a, b, c); CRITRIOS PELOS QUAIS SE DEFINE UM CRISTAL
- ngulos entre arestas (a, b, g )
Ideais (tericas): puras, temperatura 0 K, 1 atm presso: baixa energia e maior empacotamento.
Exemplo esquemtico de rede
Reais: compreendem os defeitos (imperfeies) possveis nas ideais.
A clula unitria menor poro da rede cristalina que retm as caractersticas de toda a rede.
TIPOS DE SIMETRIA
At agora, eram conhecidos 5 tipos de simetria para descrever a estrutura cristalina: rotao, inverso, rotao-inverso, translao e reverso temporal. Um sexto tipo de simetria,
a rotao reversa foi proposta recentemente (2010), fazendo com que os materiais cristalinos possam se organizar em 17.800 estruturas diferentes (antes era 1.651 !).
14 REDES DE BRAVAIS (7 SISTEMAS CRISTALINOS)
3-3 CLULA UNITRIA

3.3.1 Nmero de tomos por clula unitria
O nmero de tomos por clula unitria o nmero especfico de pontos da rede que define cada clula unitria.
Um ponto no vrtice da clula unitria cbica partilhado por oito clulas unitrias do arredor; assim, somente 1/8 de cada vrtice pertence a uma
clula particular. No centro da face compartilhado por 2 clulas unitrias.
Nmero de tomos por clula unitria no sistema cristalino cbico.
CS
n pontos da rede = 8*(vrtices) * 1 = 1 tomo
clula unitria 8
CCC
n pontos da rede = 8*(vrtices) * 1 + 1 centro = 2 tomos

clula unitria 8
CFC
n pontos da rede = 8*(vrtices) * 1 + 6 * 1 centro face = 4 tomos

clula unitria 8 2
HC
n pontos da rede = 12*(vrtices) * 1 + 2 * 1 centro face + 3 no centro = 6 tomos
clula unitria 6 2
3-3 CLULA UNITRIA

3.3.2 Relao entre raio atmico e parmetro de rede
A relao entre o raio atmico (r) e o parmetro (ao) determinada geometricamente a partir da direo em que os
tomos esto em contato (direo de empacotamento fechado, ou de maior empacotamento).
Relao entre o raio atmico e o parmetro para as clulas unitrias do sistema cristalino cbico
CS CCC CFC HC
ao = r + r (diagonal cubo)2 = (4 r)2 = ao2 + ao2 + ao2

(diagonal face)2 = (4 r)2 = ao2 + ao2
Diagonal face
ao = 4r ao = 4r ao = 2r co = 1,633 ao
ao = 2r
31/2 21/2
Exemplo: O raio atmico do Fe 1,24 A. Calcule o parmetro de rede do Fe CCC e do FeCFC. Hexagonal Hexagonal Compacto
FeCCC
FeCFC
ao = 4 x 1,24 A = 2,86 A ao = 4 x 1,24 A = 3,51 A

31/2 21/2
3-3 CLULA UNITRIA

3.3.3 Nmero de coordenao
O nmero de coordenao o nmero de vizinhos mais prximos.
Depende: (i) da covalncia: o nmero de ligaes covalentes que um tomo pode compartilhar; (ii) do fator de em pacotamento cristalino.
Relao entre o raio atmico e o parmetro para as clulas unitrias do sistema cristalino cbico
CS CCC CFC HC
NC= 6
NC= 8
NC= 12 NC= 12
3-3 CLULA UNITRIA

3.3.4 Fator de empacotamento
O fator de empacotamento (FE) a frao de volume da clula unitria efetivamente ocupada por tomos, assumindo que os
tomos so esferas rgidas. FE = (n tomos / clula) * volume cada tomo
volume da clula unitria
CS
FECS = (n tomos / clula) * volume cada tomo = (1 tomo / clula) * 4/3pr3 = 1 * 4/3pr3 = 4/3pr3 = 0,52 ou 52%
volume da clula unitria ao3 (2r)3 8.r3
CCC
FECCC = (n tomos / clula) * volume cada tomo = (2 tomos / clula) * 4/3pr3 = 2 * 4/3pr3 = 2 . 4/3pr3 = 0,68 ou 68%
volume da clula unitria ao3 (4r/31/2)3 64.r3/(31/2)3
CFC
FECFC = (n tomos / clula) * volume cada tomo = (4 tomos / clula) * 4/3pr3 = 4 * 4/3pr3 = 4 . 4/3pr3 = 0,74 ou 74%
volume da clula unitria ao3 (4r/21/2)3 64.r3/(21/2)3
HC
FEHC = (n tomos / clula) * volume cada tomo = (6 tomos / clula) * 4/3pr3 = 6 * 4/3pr3 = 25,12r3 = 0,74 ou 74%
volume da clula unitria ao3 3.(2r)3.1,633.cos30 33,94r3
3-3 CLULA UNITRIA

3.3.5 Densidade
A densidade terica de um cristal igual a massa da clula unitria dividida pelo seu volume.
= massa da clula unitria = (n tomos / clula)*(massa atmica de cada tomo)

volume da clula unitria (volume da clula unitria) * (n de Avogadro)
Exemplo: Determine a densidade do FeCCC, que tem um a0 de 2,866A e massa atmica de 55,85 g/g.mol.
FeCCC
Massa da clula unitria = n tomos / clula * massa atmica = 2 tomos * 55,85 g/g.mol
nmero de Avogadro 6,02 .1023 tomos/g.mol
Volume da clula unitria = a03 = (2,866 A)3 = 23,54.10-30 m3/clula
= massa clula unitria = (2 tomos) * 55,85 g/g.mol = 0,7879.10-7g/m3 = 7,879.10-6 g/m3 = 7,879 Mg/m3 ou g/cm3
volume clula unitria (23,54.10-30 m3) * 6,02 .1023 tomos/g.mol Mgm3 = g/cm3
A densidade medida 7,870 Mg/m3. Por que a diferena da densidade terica e a medida?
Exemplo: Calcule a mudana de densidade e de volume que ocorre quando o Fe CCC aquecido e transforma-se em FeCFC. Na transformao de fase, o
parmetro de rede muda de aoCCC = 2,863A para aoCFC = 3,591A.
CCC CFC FeCCC = massa clula unitria = (2 tomos) * 55,85 g/g.mol = 7,883 Mg/m3
volume clula unitria (23,54.10 m ) * 6,02 .10 tomos/g.mol
-30 3 23
FeCFC = massa clula unitria = (4 tomos) * 55,85 g/g.mol = 8,013 Mg/m3

volume clula unitria (46,31.10-30 m3) * 6,02 .1023 tomos/g.mol
Mudana de volume = Vf - Vi * 100 = 46,31 - 47,08 * 100 = -1,64%

2 tomos 4 tomos Vi 47,08
Volume da clula FeCCC Volume da clula FeCFC
= (aFeCCC)3 = 23,54A3 = (aFeCFC)3 = 46,31A3 Mudana de densidade = FeCFC - FeCCC * 100 = 8,013 - 7,883 * 100 = +1,64%
Volume de 4 tomos FeCCC 7,883
= 2 * (aFeCCC)3 = 47,08A3

necessrio identificar pontos, direes e planos em um cristal. Para isso utiliza-se um sistema conhecido como ndices de
Miller., baseado em um sistema de eixos coordenados. sistema de eixos coordenados
3.4.1 Direes
Algumas direes da clula unitria so de particular importncia, por exemplo os metais se
deformam ao longo da direo de maior empacotamento. Muitas propriedades dos materiais
dependem da direo do cristal em que se encontram e so medidas.
0, 0, 1 e , 1, 0
NDICES DE MILLER PARA DIREES:
1. Definir dois pontos por onde passa a direo , 1, 0 - 0, 0, 1 = , 1 , -1
2. Definir o ponto alvo e origem, fazendo-se: ALVO-ORIGEM 2x , 1 , 1 = 1, 2, -2

3. Eliminar as fraes e reduzir ao m.m.c.
Direo [1 2 2]
4. Escrever entre colchetes, e se houver n negativo o sinal
colocado sobre o n: x y z
[h k l]
Algumas observaes:
- direo e suas mltiplas so idnticas: [111] [222];
- ndices de Miller simtricos no so da mesma direo (direes e suas
negativas no so idnticas): [111] [111];
FAMLIA DE DIREES: ndices de Miller de direes similares: Ex.
3.4.2 Direes da clula unitria
Exemplo: Determine os ndices de Miller das direes A, B e C, da figura abaixo.
Direo A:
1. alvo= 1, 0, 0; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 0, 0
3. sem fraes
4. [1 0 0] Direo B:
1. alvo= 1,1,1; origem= 0, 0, 0
2. alvo - origem = 1, 1, 1
3. sem fraes
4. [1 1 1]
Direo C:
1. alvo= 0, 0, 1; origem= 1/2, 1, 0
2. alvo - origem = -1/2, -1, 1
3. 2 (-1/2, -1, 1) = -1, -2, 2
4. [1 2 2]

3.4.2 Direes da clula unitria
Caracterizao de direes em um cristal: densidade linear, distncia de repetio e fator de empacotamento.
DENSIDADE LINEAR: Nmero de tomos por unidades de comprimento: L = nmero de tomos
Exemplo: Calcule a densidade linear para a direo [1 1 1] do Cu CFC. unidade de comprimento
Dado: ao= 0,362 nm
Dr = a0 31/2
L = + = 1,60 tomo/nm
Dr = 0,362 x 31/2 0,626 nm
Dr = 0,627 nm
DISTNCIA DE REPETIO: De quanto em quanto se repete o centro de um tomo. o inverso da densidade linear.
Exemplo: Calcule a distncia de repetio para a direo [1 1 1] do Cu CFC.
Dado: ao= 0,362 nm
o centro do tomo se repete a cada
diagonal do cubo (Dr)
Dr = a0 31/2
Dr = 0,362 x 31/2
Dr = 0,627 nm (inverso da L)
FATOR DE EMPACOTAMENTO LINEAR: quanto da direo est definitivamente coberta por tomos.
Exemplo: Calcule o fator de empacotamento para a direo [1 1 1] do Cu CFC.
Dado: ao= 0,362 nm
r = a0 21/2/4
r = 0,362 x 21/2 /4 FEL = 2r/ Dr = 0,408 ou 40,8%
r = 0,128 nm

3.4.3 Planos
Um cristal possui planos de tomos que influenciam as
propriedades e o comportamento de um material.
NDICES DE MILLER PARA PLANOS: 1 1 1
1. Definir trs pontos onde o plano corta x, y e z. 1/1 1/1 1/1
2. Calcular os recprocos dos valores obtidos. No tem fraes
3. Eliminar as fraes sem reduzir ao m.m.c. (1 1 1)
4. Escrever entre parnteses, e se houver n negativo o sinal
x y z
colocado sobre este n: (h k l)
OBS.: Se o plano passar pela origem, desloque-a.
Observaes importantes:
- Iguais ndices de Miller para direo e plano, significa que estes apresentam perpendicularidade.
- ndices de Miller simtricos so o mesmo plano, depende apenas do referencial (planos e seus
negativos so idnticos).
- Planos e seus mltiplos no so idnticos (densidade planar diferente).

FAMLIA DE PLANOS: em cada clula unitria os planos formam um grupo equivalente
que tem ndices particulares devido a orientao de suas coordenadas.

3.4.3 Planos
Exemplo: Determine os ndices de Miller para os planos A, B e C da figura abaixo.
Plano A:
1. 1 1 1 Plano B:
2. 1/1 1/1 1/1 1. 1 2
3. No tem fraes 2. 1/1 1/2 1/
4. (1 1 1) 3. 2 1 0
4. (2 1 0)
Plano C: passa
pela origem
(x, y, z)
1. -1
2. 1/ 1/-1 1/
3. 0 -1 0
4. (0 1 0)

3.4.3 Planos
Caracterizao de planos em um cristal: densidade planar, fator de empacotamento e distncia entre planos.
DENSIDADE PLANAR: Nmero de tomos por unidades de rea: P = nmero de tomos no plano
Exemplo: Calcule a densidade planar para os planos {1 1 0} do Cu CFC. rea do plano
Dado: ao= 0,362 nm
P = 2 x ( + + ) = 10,8 tomos/nm2
ao x ao 2
FATOR DE EMPACOTAMENTO PLANAR: quanto da rea est efetivamente coberta por tomos: FEP = rea dos tomos
Exemplo: Calcule a densidade planar para os planos {1 1 0} do Cu CFC. rea do plano
Dado: ao= 0,362 nm
FEP = 2 x p r2 = 0,56 ou 56%.
r = a0 2 /4
1/2
ao x ao 2
r = 0,362 x 2 /4
1/2
r = 0,128 nm
DISTNCIA INTERPLANAR: Distncia de 2 planos com mesmos ndices de Miller. Para o sistema cbico: D(h, k, l) = ao/(h2+k2+l2)1/2
Exemplo: Calcule a distncia interplanar entre dois planos adjacentes [1 1 0 ] para o Au CFC.
Dado: ao= 0,408 nm.
d (1, 1, 0) = 0,408 nm / (12 + 12 + 02)1/2 = 0,288 nm

Para o sistema hexagonal:
Dhkl= ao/[4/3(h2+hk+k2)+l2(ao2/co2)]0,5

3.4.4 ndices de Miller para a Clula Hexagonal
Chamados ndices de Miller Bravais, devido a modificao em relao ao sistema
cristalino. Estabelece-se 4 eixos (a1 a2 a3 c), 3 coplanares. Tem-se 4 intersees e 4
ndices de Miller: h k i l onde
para planos i =-(h + k)
para direes [uvw]=[u v t w] onde u= n (2u-v)/3 v= n (2v-u)/3 t= -(u + v) w= nw
Pode-se similarmente aos ndices de Miller para plano da estrutura cristalina
cbica, considerando apenas 3 eixos.
Exemplo: Determine os ndices de Miller para os planos A e B e para as direes C e D.
Direo C:
Plano A: 1. alvo= 0, 0, 0, 1; origem= 1, 0, 0, 0
1. 1
2. alvo - origem = -1, 0, 0, 1
2. 1/ 1/ 1/ 1/1
3. 0 0 0 1 3. sem fraes
4. (0 0 0 1) ou (0 0 1) 4. [1 0 01]
Plano B: Direo D:
1. 1 1 -1/2 1 1. alvo= 0, 1, 0, 0; origem= 1, 0, 0, 0
2. 1/1 1/1 -2/1 1/1 2. alvo - origem = -1, 1, 0, 0
3. 1 1 -2 1 3. sem fraes
4. (1 1 -2 1) ou (1 1 1) 4. [1 1 0 0]
3-5 METAIS
Os metais cristalizam preferencialmente em sistemas cbico(CCC, CFC) ou hexagonal (HC). Metais no cristalizam no
sistema hexagonal simples, pois o fator de empacotamento muito baixo.
Sistema cbico Sistema hexagonal compacto
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.1 Introduo
Na ionizao de um tomo, o nion aumenta
consideravelmente de tamanho em relao ao tomo
neutro. O contrrio ocorre com a formao do ction.
A relao de raios entre o nion (geralmente maior) e o ction vai determinar o tipo de arranjo cristalino de um composto inico. O ction
(geralmente menor) preencher os vazios intersticiais da rede, procurando maximizar a ocupao do stio, respeitando a neutralidade de cargas
na rede.
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.3.1 Teoria da rede cristalina para cristais inicos
Modelo matemtico da estrutura cristalina de cristais inicos: clculo de propriedades do cristal: energia de ligao e
espaamento de equilbrio dos ons no cristal. Considera-se que: que a rede construda por arranjo peridico de esferas
rgidas (com raios fixos) que tocam-se em uma direo e so eletricamente carregadas com cargas elementares. Ex: NaCl
Energia de ligao entre duas esferas vizinhas: E1, 2 1 z1 z2e 2 z1 z2 1 1 e2
E1, 2
4p 0 r1, 2 4p 0 r1, 2
CADEIA LINEAR: as outras esferas tambm devem ser consideradas

ECL E12 E13 E14 ... E12' ' E13' E14' 2 ECL
k 2
2
Como: ECL (1) k 1

e e r12 d0 r13 2d0 r14 3d0
4p 0 rCL
Ento: ECL 2

e2 1 1 1 1
1 ... e2
4p 0 d 0 2 3 4 5 ECL ACL ACL = 2 ln2 = 1,386
4p 0 d 0
ln 2 e2
A energia de ligao de um simples on em uma molcula de dois ons, separado por uma distncia d 0, : EMol 4p d
ECL 0 0
Logo, ACL a razo da energia de ligao de um on na cadeia linear em relao a um on na molcula: CL
A
EMol
IMPORTANTE: ACL > 1 significa que a situao de um on na cadeia linear energeticamente mais estvel
que em uma molcula de dois ons, embora na cadeia linear, haja repulso entre cargas.
REDE TRIDIMENSIONAL: Energia de ligao de um on na rede, EG : EG Eik com i, k = 1...N

Pode-se escrever que: EG 1 e 1
2
1 ik
com A e A = constante de Madelung
4p 0 d 0 nik nik
2 2
Significado de A: razo entre a energia
e z z e de ligao do on na rede cristalina e a
Ento, EG : E A ou, genericamente: EG A 1 2 N
4p d 4p d energia de ligao do on na molcula
G
0 0 0 0
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.3.1 Teoria da rede cristalina para cristais inicos
ENERGIA DE LIGAO EM UMA REDE TRIDIMENSIONAL
Constante de Madelung de vrios cermicos: Os valores de A para a estrutura AX
no so muito maiores que 1;
Tipo Estrutura Nome Valor de A
Diferena no tipo de estrutura AX
AX NaCl Cloreto de sdio 1,748 difere muito pouco os valores de A;
CsCl Cloreto de csio 1,763 A ligao mais forte da estrutura
ZnS Blenda de zinco 1,638 do corindum
ZnS Wurtzita 1,641

AX2 CaF2 Fluorita 5,03
A2 X3 Al2O3 xido de alumnio 25,0
Verificao experimental da energia de ligao calculada

Os valores medidos so
menores que os valores tericos
Material Eteorica (kJ/mol) Eexperimental (kJ/mol) E/ Eteorica
A diferena pode ser explicada NaCl 858 766 - 0,11
pelo potencial de repulso
CsCl 687 649 - 0,05
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.2 Stios intersticiais
Localizao dos stios
intersticiais nas clulas unitrias
cbicas e hexagonal compacta.
Um tomo em um stio intersticial
toca dois ou mais tomos da clula
unitria. O tamanho de cada stio
intersticial pode ser calculado em
termos do tamanho dos tomos da
posio regular da rede.
Clculo do tamanho de um stio intersticial: (a) cbico (cbico simples); (b) octadrico e (c) tetradrico do CFC.
tetradrico
CS cbico CFC octadrico
2R + 2r = D = ao 3 ao = 2R
D/4 = R+ r
2R + 2r = 2R 3 2R + 2r = ao = 4R/ 2
ao 3/4 = R + r
r = 3 R - R 2r = (4R/ 2) - 2R
(4R /2).3/4 = R + r
r = (3 - 1) R 2r = 0,828 R
(R.3)/2 - R = r
r /R= 0,414
r /R= 0,732 r /R= 0,225
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.3 Tipos de estruturas
Interstcios cbico, octaedral e tetraedral

Os compostos inicos mais simples possuem igual nmero de ctions e nions, como o MgO (Mg+2, O-2).
NC
Trs formas principais: CsCl 8
NaCl 6
ZnS 4
Cincia dos Materiais - DEMAT - EE - UFRGS/
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.3.2 Estruturas do tipo AX
CS tipo CsCl CFC tipo NaCl CFC tipo ZnS
Cada Cs+ tem 8 Cl- vizinhos NC=8 Cada Na+ tem 6 Cl- vizinhos (NC=6) Cada S-2 tem 4 Zn-2 vizinhos (NC=4)
nos interstcios cbicos nos interstcios octaedrais nos interstcios tetraedrais
rCs+ = 1,69 RCl- = 1,81 r/R=0,92 rNa+ = 1,02 RCl = 1,81
- r/R=0,56 rZn+2 = 0,74 RS-2 = 1,84 r/R=0,40
Os ons se tocam pela diagonal do cubo: Os ons se tocam na aresta do cubo: Os ons se tocam pela diagonal do cubo
Dc = 2 (R+r) ao= 2(r+R)/31/2 ao = 2 (R+r) ao= 4(r+R)/31/2
3-6 CRISTAIS INICOS

Estruturas do tipo AX
Estrutura hexagonal com

seis interstcios com Ni+2
CsCl NaCl ZnS NiAs

Estruturas do tipo AX2 2
Relao de 1 ction para 2 nion
Estrutura cbica simples alternada para a relao 2 para 1
Exemplos: UO2, PuO2, ThO2
CaF2
Estruturas do tipo AnXm
Relao de 2 ction para 3 nion Uso: materiais magnticos no
metlicos em aplicaes eletrnicas
Estrutura hexagonal com ocupao dos interstcios tetraedrais
Exemplos: sesquixidos Fe2O3, Cr2O3
Al2O3
Estruturas do tipo AnBmXP xido duplo com dois ctions
Estrutura mais complexa devido a presena de mais um

tipo de ction
Exemplos: CaTiO3, SrZnO3, SrSnO3, Ferritas e Espinlios
BaTiO3
Estrutura da Perovskita
3-6 CRISTAIS INICOS

3.6.3 Tipos de estruturas
Exemplo: Determine a estrutura cristalina e calcule a densidade e o fator de empacotamento do MgO.
Dados: rMg+2= 0,066 nm RO-2 = 0,132 nm MMg = 24,31 g/mol MO = 15,99 g/mol
Soluo:
= m/V
rMg+2/ RO-2 = 0,5 NC=6 CFC tipo NaCl
ao=(2 RO-2 + 2 rMg+2 ) = 0,396 nm
Massa cl. unit.= 4Mg+2 + 4O-2 (4.MMg+ 4. MO)/6,02.1023 ons= 26,78 . 10-23 g
Volume da clula unitria = a03 = 0,0621 . 10-27m3
= 26,78 . 10-23 g/ 0,0621 . 10-27 m3 = 4,31 . 106 g/m3 ou 4,31 g/cm3
FE = Vons/Vcl. Unit.
Vol ons cl. unit.= 4VMg+2 + 4VO-2 (4. 4/3p r3 + 4. 4/3p R3 )= 0,0433 . 10-29 m3
Volume da clula unitria = a03 = 0,0621 . 10-27 m3
FE = 0,0433 . 10-29 m3 / 0,0621 . 10-27 m3 = 69,8%
3-7 CRISTAIS COVALENTES

3.7.1 Estruturas do Diamante
C Ocupao dos interstcios ~ ZnS Totalmente covalente Exemplos: Ge, Si, Pb
Os tomos se tocam pela

diagonal do cubo Dc = 8r
ao= 8r / 31/2
Exemplo: Calcule a densidade do Diamante.

Dados: rC= 0,077 nm MC = 12 g/mol
Soluo:
= m/V
Massa da clula unit.= 8 C 8 x 12/6,02.1023 = 15,95 . 10-23 g
Volume da clula unitria: ao3 ao= 8 r / 3 0,5 r = 0,077 nm
ao= 8 . 0,077 nm / 3 0,5 = 0,356 nm
a03 = 0,0451 . 10-27m3
= 15,95 . 10-23 g / 0,0451 . 10-27 m3 = 3,54 . 106 g/m3 ou 3,54 g/cm3
3-8 POLMEROS
Tipicamente: amorfos (ordem a curto alcance)
Sob condies especiais: estrutura cristalina.

Ex.: polietileno estrutura ortorrmbica
3-9 DIFRAO DE RAIOS X

Difrao de raios-X diferentes comprimentos de onda
A luz visvel tem comprimento de onda da ordem de 1000 nm , da mesma ordem de
Espectro de radiao eletromagntica, salientando o comprimento de onda grandeza das ranhuras do vidro ao lado. Na estrutura cristalina: Interao do fton
para a radiao X. com o orbital de eltrons. O empilhamento de tomos anlogo s ranhuras da
figura ao lado.
FENMENO DA DIFRAO: Quando um feixe de raios x dirigido
um material cristalino, esses raios so difratados pelos planos dos
tomos ou ons dentro do cristal
DIFRATMETRO:
ABC = n
AB = BC = d sen Na interferncia construtiva, com feixes em fase, a
Ento: diferena no comprimento da trajetria dos feixes de
raio-x adjacentes um nmero inteiro de .
Lei de Bragg:
n = 2d sen Distncia interplanar (exemplos):
Cbico
d a distncia interplanar Dhkl= ao/(h2+k2+l2)0,5
o ngulo de difrao com a
superfcie (2 = ngulo de
difrao - medido Hexagonal
Difratograma p de alumnio. experimentalmente) Dhkl= ao/[4/3(h2+hk+k2)+l2(ao2/co2)]0,5

A lei de Bragg necessria, mas no suficiente. As clulas unitrias no primitivas
provocam difrao no prevista pela lei de Bragg para certos ngulos.
Estrutura cristalina Difrao no ocorre Difrao ocorre
CCC h+k+l=nmero par h+k+l=nmero mpar
CFC h, k, l (par e mpar) h, k, l (ou par ou mpar)
HC h+2k=3n, l par (n inteiro) todos outros casos
3-9 DIFRAO DE RAIOS X

Exemplo: Uma amostra de ferro CCC foi colocada num difractmetro de raio-x incidentes com = 0,1541nm. A difrao pelos planos
{110} ocorreu para 2= 44,704o. Calcule o valor do parmetro de rede do ferro CCC (considere a difrao de 1a ordem, com n=1).
Soluo:
d[110]
2= 44,704o = 22,352o
= 2.d[hkl] sen
d[110]= / 2 sen = 0,1541nm / 2(sen 22,35o) = 0,2026 nm
ao(Fe)
d[110]= ao / (h2+k2+l2)0,5
ao(Fe)= d[110]= ao / (h2+k2+l2)0,5 = 0,2026nm (1,414) = 0,287 nm

IMPORTNCIA: Controlar as imperfeies possibilita obter materiais com diferentes propriedades para aplicaes industriais.

ESTRUTURA CRISTALINA IDEAL: Rede sem defeitos, T= 0K, 1 atm presso. Propriedades: EL, E, diagrama de
fases, equilbrio termodinmico.
ESTRUTURA CRISTALINA REAL: Todos os materiais apresentam imperfeies (defeitos) na
T=0K . da rede, quantizadas por fnons. Propriedades: k, a, C.
estrutura cristalina. Para T>0K, h vibraes
Classificao dos defeitos pelo alcance dimensional na estrutura cristalina: T>0K
i) defeitos pontuais: vacncias, tomos intersticiais, tomos substitucionais, defeito Frenkel e Schottky. Propriedades:
difuso, processos de transporte conduo inica, reaes de estado slido, transformaes de fase, evoluo da microestrutura,
deformao em Televadas.
ii) defeitos lineares: discordncias. Propriedades: mecnicas (deformao plstica), fragilidade, dureza.
iii) defeitos planares: superfcies interna e externa, interfaces (falhas de empilhamento, contorno de fases). Propriedades:
magnticas e dieltricas.
iv) defeitos volumtricos: estruturas amorfas ou no-cristalinas.


Comparao dos defeitos pelo alcance dimensional na estrutura cristalina:

3.10.2 Defeitos pontuais
Podem ser classificados segundo:
- vacncia
FORMA - tomo intruso
- schottky
- frenkel
ORIGEM DO DEFEITO - intrnseco

- extrnseco
- sub rede de ctions

ESTEQUIOMETRIA no
estequiomtrico
- sub rede de nions

3.10.2.1 Quanto forma
VACNCIAS (ou lacunas): a falta de um tomo na rede cristalina. Pode resultar do empacotamento
imperfeito na solidificao inicial, ou devido a vibraes trmicas dos tomos em funo da temperaturas.
nv: n de vacncias/cm3
Em funo da temperatura: nv = n exp (-Q/RT) n: n tomos por /cm3
Q: energia necessria para produzir a vacncia (J/mol)
R: cte dos gases (8,31 J/molK)
T: temperatura em K
Exemplo: Calcule o n de vacncias por centmetro cbico e o n de vacncias por tomo de cobre, quando o cobre est (a) a temperatura ambiente,
(b) 1084C. Aproximadamente 83600 J/mol so requeridos para produzir uma vacncia no cobre. Dados: a 0 = 3,6151 x 10-8 cm; Q = 83600 J/mol; R =
8,31J/mol K.
Clculo de n (nmero de tomos de cobre por cm3): n = n tomos/clula = 4 tomos/clula = 8,47 x 1022 tomos Cu/cm3
volume da clula (3,6151x10-8 cm)3
nv a 25C: nv = n exp(-Q/RT) = 8,47x1022 tomos/cm3. exp[-83600J/mol / (8,31J/mol.K.(273+25) K)] = 1,847x108 vacncias/cm3
nv/n a 25C: nv/n = 1,847 x 108 vacncias/cm3 / 8,47 x 1022 tomos de Cu/cm3 = nv/n = 2,18x10-15 vacncias/tomo de Cu
nv a 1084C: nv = n exp(-Q/RT) = 8,47x1022 tomos/cm3. exp[-83600J/mol / (8,31J/mol.K.(273+1084) K)] = 5,11x1019 vacncias/cm3

nv/n a 1084C: nv/n = 5,11 x 1019 vacncias/cm3 / 8,47 x 1022 tomos de Cu/cm3 = nv/n = 6,03x10-4 vacncias/tomo de Cu
Influncia na densidade:
Exemplo: O ferro tem a densidade medida de 7,87 Mg/m3. O parmetro de rede do FeCCC 2,866 A. Calcule a percentagem de vacncias no ferro puro.
Dados: a0 = 2,866 A; MFe = 55,85g/gmol.
Deveriam ser 2
= n tomos/clula x massa de cada tomo 7,87 Mg/m3 = n tomos/clula x 55,85 g/gmol n tomos/clula = 1,998 tomos no
volume da clula unitria x n Avogadro (2,866 x 10 -8 cm)3 x 6,02 x 1023 FeCCC!
% Vacncias = (2 - 1,998) x 100 / 2 = 0,1%

DEFEITO INTERSTICIAL: Quando um tomo abrigado por uma estrutura cristalina,
principalmente se esta tiver um baixo fator de empacotamento, distorcendo a rede.
DEFEITO SUBSTITUCIONAL: Quando um tomo deslocado de sua posio original
(a) (b)
por outro, e conforme o tamanho, pode: (a) aproximar os tomos da rede; (b) separar
os tomos da rede. Consequncia: distoro da rede.
Em compostos inicos:
DEFEITO FRENKEL: um on desloca-se de sua posio na rede (formando uma lacuna) para
uma posio intersticial.
DEFEITO SCHOTTKY: lacuna de um par de ons, mantendo o equilbrio de cargas. FRENKEL SCHOTTKY
CARGA NA REDE
Notao Krger-Vink para defeitos em cristais inicos: M
i POSIO NA REDE
TIPO
1. A letra maiscula indica o tipo de defeito pontual, isto , um dos ons, dos quais a rede cristalina formada, ou se vacncia ou impureza;
2. O subscrito indica a posio que o on ou vacncia ocupa na rede: 3 possibilidades: posio do ction, do nion ou intersticial;
3. O superescrito indica o excesso de carga: se positiva: pontos; se negativa: traos; se no h excesso de carga, pode-se indic-lo por X.
Exemplos:
Exemplo: Supondo ao= 0,40185 do CsCl e a densidade medida de 4,285 Mg/m3, calcular o nmero de defeitos Schottky por clula
unitria. Dados: rCs+= 0,167 nm; MCs+=132,91 RCl- = 0,181 nm; MCl-= 35,45.
Soluo: =m/V 4,285= m/V ao= 0,40185 nm

rCs+= 0,167 nm RCl- = 0,181 nm
rCs+/ RCl- = 0,92 NC=8 CS tipo CsCl
Massa cl. unit.= Cs+ + Cl- X.(MCs+ MCl)/6,02.1023 ons

Volume da clula unitria = a03 = 0,0649 . 10-27m3
4,285 Mg/m3= X.27,97. 10-23 g/ 0,0649 . 10-27 m3
X= 0,9943 ons
no defeitos= (1-0,9943)/1 * 100 = 0,568%

3.10.2.2 Quanto origem do defeito
INTRNSECO: Surge no material apenas pelo efeito da TEMPERATURA. Vacncias, defeitos tipo
Schottky e tipo Frenkel Termodinamicamente defeitos devem estar presentes em uma estrutura
cristalina energia de formao G=H - TS (aumento do termo TS na energia livre). Balano
entre variao de entalpia aumenta com a criao do defeito e variao da entropia. Isso acarreta
na diminuio da energia livre na formao inicial do defeito. Normalmente existem mais defeitos
presentes nos cristais do que corresponde concentrao de equilbrio termodinmico, porque
cristais so preparados a altas temperaturas
FRENKEL: consiste em um par de defeitos: uma vacncia e um on intersticial FORMAO DO DEFEITO FRENKEL
Defeito na rede do ction: MMVM + Mi [Mi]= xi [VM]=xv xi.xv=xf =exp(-gf /kT)
2
Defeito na rede do nion: OOVO + Oi x : concentrao de defeitos Frenkel

F
Clculo da concentrao de defeito em funo da T: gF: energia livre de formao defeito Frenkel
k: constante de Boltzmann
xf=exp(-gf /2kT)
T: temperatura
IMPORTANTE: com 1gF, 2 defeitos so formados
SCHOTTKY: consiste em vacncias de nions e ctions, em relao estequiomtrica
Defeito na rede : nulo VM + VX FORMAO DO DEFEITO SCHOTTKY
Ex. para Al2O3: nulo 2VAl + 3VO
Clculo da concentrao de defeitos em Al2O3 em funo da T.
Aplicando a lei de conservao de massa:
[VAl]2. [VO]3 = K(T) = exp (-gS/kT) xV,Al: concentrao de defeitos Schottky
[VAl] = xV,Al [VO] = xV,O gS: energia livre de formao para defeito Schottky
xV,O = 3/2 xV,Al K: constante de equilbrio da reao, f(T) K = (8/27)1/5
x2V,Al . 27/8 x3V,Al = K(T) xV,Al = K exp (-gs/5kT) IMPORTANTE: com 1gS, 5 defeitos so formados. Para muitos cristais: gS < gF
CONSIDERAES:
- ons deslocados das posies normais da rede so adicionados na superfcie, nos contornos internos, ou nas discordncias.
- Defeito Schottky causa aumento no volume do cristal.
- Contribuio anmala em a a Televadas devido a diminuio da densidade pelo defeito Schottky
EXTRNSECO: Defeitos que vm de fora do cristal no so gerados pela temperatura: (i) presena de impurezas; (ii) adies
intencionais (dopantes) com ons de carga igual (ISOVALENTE) ou desigual (ALIOVALENTE); (iii) mudana de valncia e (iv)
mudana na presso de oxignio externa (no-estequiometria). A desordem extrnseca ser compensada por mudanas na rede:
i) no nmero de lacunas ou de defeitos intersticiais intrnsecos e ii) na valncia dos ons da matriz da rede.
Defeitos extrnsecos na estrutura devido incorporao de ons: levam formao de solues slidas ou do tipo intersticial
ou do tipo substitucional.
Quando ISOVALENTE: so incorporados de forma simples, distores elsticas devido diferena
nos raios inicos e aplica-se a regra de Hume-Rothery (tamanho dos ons, valncia,
eletronegatividade e estrutura cristalina) para saber se a soluo slida ilimitada (Ex.: MgO-NiO)
Quando ALIOVALENTE: Excesso de cargas introduzidas deve ser compensada por defeitos hospedeiros: VM, VX, Mi e Xi.
Causa grande concentrao de defeitos na rede. O tipo de defeito induzido hospedeiro pode no ser predito, depende da
energia de formao. Lei de conservao de massa: defeito hospedeiro dominante. Exemplos:
OBSERVAES SOBRE A ORIGEM DE DEFEITOS INTRNSECOS E DEFEITOS EXTRNSECO:

1. A concentrao de defeitos intrnsecos aumenta exponencialmente com a temperatura.
2. O clculo da energia absoluta de formao e da concentrao de defeitos pode no ser possvel, pois
o valor do termo S incerto.
3. A energia de formao dos tipos possveis de defeitos intrnsecos pode ser diferente dependendo do
tipo de estrutura cristalina, raio inico, polaribilidade; logo deve ser determinada experimentalmente.
4. Em halognios alcalinos, hF muito grande, e observa-se predominantemente defeitos Schottky.
5. Na estrutura tipo fluorita, hF pequeno, logo observa-se frequentemente defeitos Frenkel.
6. Em xidos, hSch cerca de 2 a 3 vezes maior que em halognios alcalinos, a concentrao de
defeitos muito pequena e s apresenta importncia em altas temperaturas. Defeitos intrnsecos em
xidos so frequentemente mascarados por defeitos extrnsecos. Ex: xS,(Al2O3, PF) 10-7 = 0,1ppm
3.10.2.2 Quanto estequiometria

3.10.3 Defeitos lineares
DISCORDNCIAS: associadas a cristalizao e a deformao. A origem pode ser trmica, mecnica e supersaturao de
defeitos pontuais. Quantidade e movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos. As discordncias podem ser: tipo CUNHA; HLICE (ou espiral) e
MISTA. As discordncias geram um vetor de Burgers que fornece a magnitude e a direo de distoro da rede. Corresponde
distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia.
O vetor de Burgers perpendicular O vetor de Burgers paralelo direo

discordncia em cunha da linha de discordncia
Exemplo: Supondo a estrutura CCC com ao= 0,4 nm, com uma discordncia como na figura ao lado,
determine o comprimento e a direo do vetor de Burgers.
Comprimento: D(hkl)= ao/(h2+k2+l2)0,5 D(222)= 0,4/(22+22+22)0,5 = 0,115 nm
Direo:
3.10.4 Defeitos planares
SUPERFCIE EXTERNA: Mais evidente dos defeitos de superfcie
devido a descontinuidade. Coordenao atmica na superfcie
no comparvel a dos tomos no interior do cristal. tomos
superficiais tem seus vizinhos em apenas um lado, logo possuem
mais energia e esto menos firmemente ligados aos tomos
externos.
CONTORNO DE GRO: Microestrutura de metais e outros materiais slidos consistem de muitos gros. Gro: poro de
material onde o arranjo cristalino idntico, variando sua orientao. Contorno de gro: fronteira entre os gros.
3.10.5 Defeitos volumtricos
Algumas estruturas sem ordenamento a longo alcance so consideradas como defeitos volumtricos, como o caso
do vidro e dos polmeros
Vidros
Polmeros
3-11 EXERCCIOS
1 Quais so os nveis de ordenao dos tomos em um slido e como diferem entre si?
2 O que se entende por estrutura cristalina de um material?
3 O que a clula unitria de uma rede cristalina.
4 Quantos e quais so os sistemas cristalinos? Como diferem entre si? Quais so suas caractersticas?
5 O que parmetro de rede da clula unitria?
6 Faa uma lista de metais com estrutura cristalina hexagonal, outra com metais CFC e CCC.
7 Quantos tipos de clulas unitrias so conhecidas. Que so redes de Bravais?
8 Qual o nmero de tomos (ou nmero de pontos de rede) das clulas unitrias do sistema cbico para metais?
9 Determine as relaes entre o raio atmico e o parmetro de rede para o sistema cbico em metais.
10 Nmero de coordenao: o que e do que depende? Quais so os nmeros de coordenao nas clulas
unitrias dos metais?
11 O que fator de empacotamento em uma clula unitria? Calcule o fator de empacotamento para as clulas
cbicas para metais.
12 Calcule a densidade do FeCFC e FeCCC.
13 Quantas clulas unitrias esto presentes em um centmetro cbico do NiCFC?
14 O que alotropia? O que anisotropia?
15 O que distncia interplanar.
3-11 EXERCCIOS
16 Determine os ndices de Miller para as direes das Figuras 1e 2. b) Determine os ndices de Miller para os planos
das Figuras 3 e 4.
Figura 1 Figura 2 Figura 3 Figura 4
17 O lantnio tem uma estrutura CFC abaixo de 865oC com a=5.337 A, mas tem uma estrutura CCC com a=4,26 A
acima de 865C. Calcule a troca de volume quando La passa por 865C. La expande ou contrai se lhe fornece
energia a essa temperatura?
18 Calcule a densidade linear e o fator de empacotamento linear nos sistemas: a) CS para a direo [011] e b) CCC
para a direo [111], supondo ligaes metlicas entre os tomos e que o parmetro de rede seja 4 .
19 Para um metal hipottico com parmetro de rede de 0,4 nm, calcule a densidade planar: A) de um plano (101) para
a clula CCC. B) do plano (020) de uma clula CFC.
3-11 EXERCCIOS
20 Para o cobre: qual o espaamento de repetio (vetor de Burgers) dos tomos na direo [211]?
21 Como podem apresentar-se os compostos cermicos de estrutura AX? Descreva-os.
22 Como podem apresentar-se os compostos cermicos de estrutura AmXp? Descreva-os.
23 Como podem apresentar-se os compostos cermicos de estrutura AmBnXp? Descreva-os.
24 Defina a constante de Madelung. Qual seu significado fsico?
25 Baseado na razo entre os raios e a necessidade de balano de cargas da estrutura cbica, qual o arranjo
atmico do CoO?
26 Baseado no raio inico, determine o nmero de coordenao esperado para os seguintes compostos:
a)FeO b)CaO c)SiC d)PbS e)B2O3
27 Calcule a densidade do composto CdS.
28 Descreva a estrutura cristalina do Al2O3.
29 Descreva a estrutura cristalina tipo perovskita. Cite um exemplo.
30 Descreva a estrutura cristalina tipo espinlio. Cite um exemplo.
31 Descreva a estrutura cristalina cbica tipo diamante. Cite exemplos de materiais que cristalizam nessa
estrutura.
32 Comente a cristalinidade de materiais polimricos.
33 Descreva a estrutura no-cristalina dos vidros. O que so pontes-de-oxignio e modificadores de redes?
34 Como pode-se obter informaes sobre estrutura cristalina de materiais a partir da difrao de raio-X?
35 Nos exerccios em que voc calculou a densidade terica de metais ou compostos, esta difere dos valores
que voc obtm na prtica analisando slidos mesmo com porosidade nula. A que se deve a diferena? E qual
sua conseqncia?
3-11 EXERCCIOS
36 Que tipo de defeitos podem ocorrer num cristal. Quais so os defeitos pontuais? Descreva-os.
37Classifique os defeitos pontuais quanto forma, origem e estequiometria.
38 O que so defeitos: a) no-estequiomtricos?
39 O que so defeitos extrnsecos e intrnsecos?
40 O que on aliovalente e on isovaente?
41 Calcule o nmero de vacncias por cm3 e o nmero de vacncias por tomo de cobre (a) a temperatura
ambiente e (b) a 1084oC (justo acima do ponto de fuso. 83,6 kJ so necessrios para produzir uma vacncia
no cobre.)
42 Quais as conseqncias de um defeito tipo Frenkel na rede, por exemplo, do MgO?
43 Supondo o parmetro de rede do CsCl de 4,0185 A e a densidade de 4,285 Mg/m3, calcular o nmero de
defeitos Schottky por clula unitria.
44 O que a notao de Krger-Vink. Utilize esta notao para representar: a) vacncia de um ction Mg+2
em MgO; b) vacncia de um ction Cs+ em NaCl; c) vacncia de um nion O-2 em NiO; d) Al substituindo on
Ni em NiO; e) Mg substituindo Ni em NiO; f) Mg+2 substituindo Na em NaCl; g) Mg intersticial em MgO e O em
um interstcio de Al2O3
45 O que so discordncias e como podem ocorrer?
46 Qual o significado do vetor de Burgers? Qual a relao entre a discordncia e a direo do vetor de
Burgers para cada tipo de discordncia?
47 Defina gro. O que contorno de gro. Que tipo defeito considerado um contorno de gro?
48Como pode a superfcie de um cristal ser considerado um defeito da estrutura cristalina?
49 O que so defeitos volumtricos?
50 Cite algumas propriedades influenciadas diretamente pela presena de defeitos.

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Cincia dos Materiais - DEMAT - EE - UFRGS

Prof. C.P. Bergmann DEMAT - PPGE3M - EE UFRGS 2014

DIVISO DA ESTRUTURA NOS MATERIAIS

O que se pode fazer para

Grande parte da diferena das propriedades dos materiais de interesse tecnolgico,

3-2 ORDENAO DE TOMOS

Ordem a longo alcance Ordem a curto alcance Sem ordenamento

Metais, muitas cermicos e alguns polmeros. Alotropia ou transformaes polimrficas

-Geralmente as transformaes polimrficas so acompanhadas de

3-2 ORDENAO DE TOMOS

3-3 CLULA UNITRIA

n pontos da rede = 8*(vrtices) * 1 + 1 centro = 2 tomos

n pontos da rede = 8*(vrtices) * 1 + 6 * 1 centro face = 4 tomos

3-3 CLULA UNITRIA

ao = r + r (diagonal cubo)2 = (4 r)2 = ao2 + ao2 + ao2

ao = 4 x 1,24 A = 2,86 A ao = 4 x 1,24 A = 3,51 A

3-3 CLULA UNITRIA

3-3 CLULA UNITRIA

3-3 CLULA UNITRIA

= massa da clula unitria = (n tomos / clula)*(massa atmica de cada tomo)

FeCFC = massa clula unitria = (4 tomos) * 55,85 g/g.mol = 8,013 Mg/m3

Mudana de volume = Vf - Vi * 100 = 46,31 - 47,08 * 100 = -1,64%

3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

2. Definir o ponto alvo e origem, fazendo-se: ALVO-ORIGEM 2x , 1 , 1 = 1, 2, -2

3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

- Planos e seus mltiplos no so idnticos (densidade planar diferente).

3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

d (1, 1, 0) = 0,408 nm / (12 + 12 + 02)1/2 = 0,288 nm

3-4 DIREES E PLANOS NO CRISTAL

Exemplo: Determine os ndices de Miller para os planos A e B e para as direes C e D.

3-6 CRISTAIS INICOS

3-6 CRISTAIS INICOS

REDE TRIDIMENSIONAL: Energia de ligao de um on na rede, EG : EG Eik com i, k = 1...N

3-6 CRISTAIS INICOS

ZnS Wurtzita 1,641

Verificao experimental da energia de ligao calculada

3-6 CRISTAIS INICOS

3-6 CRISTAIS INICOS

Interstcios cbico, octaedral e tetraedral

3-6 CRISTAIS INICOS

3-6 CRISTAIS INICOS

Estrutura hexagonal com

CsCl NaCl ZnS NiAs

Estruturas do tipo AnBmXP xido duplo com dois ctions

Estrutura mais complexa devido a presena de mais um

3-6 CRISTAIS INICOS

3-7 CRISTAIS COVALENTES

Os tomos se tocam pela

Exemplo: Calcule a densidade do Diamante.

Sob condies especiais: estrutura cristalina.

3-9 DIFRAO DE RAIOS X

Difratograma p de alumnio. experimentalmente) Dhkl= ao/[4/3(h2+hk+k2)+l2(ao2/co2)]0,5

3-9 DIFRAO DE RAIOS X

3-10 IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

3-10 IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

iv) defeitos volumtricos: estruturas amorfas ou no-cristalinas.

3-10 IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

3-10 IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

ORIGEM DO DEFEITO - intrnseco

- sub rede de ctions

3-10 IMPERFEIES NO ARRANJO CRISTALINO

n pontos da rede = 8(vrtices) 1 + 1 centro = 2 tomos

n pontos da rede = 8(vrtices) 1 + 6 * 1 centro face = 4 tomos