UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERIA
FACULTAD DE CIENCIAS

Circuitos Electrnicos Analgicos

Informe n4

Profesor: Lic. Circe Rondinel

Alumno: Alejos Lipa Smith Salomon

20140323A

Experimentos: -Diodos. Circuitos basicos

-Diodos zener
Ciclo: 2017-I

03/05/2017
 ndice
Diodos. Circuitos bsicos

Objetivos................................................................................
................
Resumen
.
Fundamento
terico
..
Equipo
..
Hoja de datos, tablas y
clculos.
Discusin de
resultados
..
Observaciones y
recomendaciones
Conclusiones
..
Referencias
.
Diodos
zener
.
Objetivos
.
Resumen
.
Fundamento
terico

Equipo

Hoja de datos, tablas y clculos

.
Discusin de
resultados

Observaciones y
recomendaciones.
Conclusiones
.
Referencias
.

Diodos. Circuitos bsicos

Objetivo:

Estudiar el diodo de unin p-n y circuitos bsicos, discriminador,

recortador, rectificador de onda completa, filtro RC.

Resumen:
En este capitulo aprenderemos armar circuitos con diodos. Veremos
como afectan estos dispositivos en nuestros circuitos con ayuda del
osciloscopio y as poder darle el uso adecuado en los circuitos, para
esto en esta sesin armaremos diferentes circuitos y observaremos
en la pantalla del osciloscopio el comportamiento de la salida de
voltaje con respecto a la de entrada y as poder ver las variaciones
que ocurrieron en nuestros circuitos, y con esto darles el uso
adecuado a los diodos.

Fundamento terico:
MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge, Si Y GaAS
La construccin de cualquier dispositivo electrnico discreto
(individual) de estado slido (estructura de cristal duro) o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de la ms alta
calidad.
Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya
conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
aislante.
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de
dos clases: de un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de
un solo cristal como el germanio (Ge) y el silicio (Si) tienen una
estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos como el
arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de
galio (GaN) y el fosfuro de galio y arsnico (GaAsP) se componen de
dos o ms materiales semiconductores de diferentes estructuras
atmicas.
Los tres semiconductores ms frecuentemente utilizados en la
construccin de dispositivos electrnicos son Ge, Si y GaAs.
DIODO SEMICONDUCTOR:
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p estn disponibles,
podemos construir nuestro primer dispositivo electrnico de estado
slido. El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado
numerosas de mencionar, se crea uniendo un material tipo n a un
material tipo p, nada ms que eso; slo la unin de un material con
un portador mayoritario de electrones a uno con un portador
mayoritario de huecos. La simplicidad bsica de su construccin
refuerza la importancia del desarrollo de esta rea de estado slido.
Sin polarizacin aplicada (V=0 V):
En el momento en que los dos materiales se unen, los electrones y
los huecos en la regin de la unin se combinan y provocan una
carencia de portadores libres en la regin prxima a la unin, como se
muestra en la figura 1.12a. Observe en la figura 1.12a que las nicas
partculas mostradas en esta regin son los iones positivos y
negativos que quedan una vez que los portadores libres han sido
absorbidos.
Una unin tipo pn con polarizacin interna: (a) una distribucin de carga interna;
(b) un smbolo de diodo, con la polaridad definida y la direccin de la corriente; (c)
demostracin de que el flujo de portadores neto es cero en la terminal externa del
dispositivo cuando VD = 0 V.

Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llama

regin de empobrecimiento, debido a la disminucin de
portadores libres en la regin.

Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material,

se produce un dispositivo de dos terminales, como se muestra en las
figuras 1.12a y 1.12b. Se dispone entonces de tres opciones: sin
polarizacin, polarizacin en directa y polarizacin en inversa. El
trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de un voltaje externo a
travs de las dos terminales del dispositivo para extraer una
respuesta. La condicin mostrada en las figuras 1.12a y la 1.12b es la
situacin sin polarizacin porque no hay ningn voltaje externo
aplicado. Es un diodo con dos cables conductores que yace aislado
sobre un banco de laboratorio. En la figura 1.12b se proporciona el
smbolo de un diodo semiconductor para mostrar su correspondencia
con la unin p-n. En cada figura es evidente que el voltaje aplicado es
de 0 V (sin polarizacin) y la corriente resultante es de 0 A, casi como
un resistor aislado. La ausencia de voltaje a travs de un resistor
produce una corriente cero a travs de l. Incluso en este punto inicial
del anlisis es importante sealar la polaridad del voltaje a travs del
diodo en la figura 1.12b y la direccin dada a la corriente. Esas
polaridades sern reconocidas como las polaridades definidas del
diodo semiconductor. Si se aplica un voltaje a travs del diodo cuya
polaridad a travs de l sea la mostrada en la figura 1.12b, se
considerar que el voltaje es positivo. A la inversa, el voltaje es
negativo. Los mismos estndares se pueden aplicar a la direccin
definida de la corriente en la figura 1.12b. En condiciones sin
polarizacin, cualesquier portadores minoritarios (huecos) del
material tipo n localizados en la regin de empobrecimiento por
cualquier razn pasarn de inmediato al material p. Cuanto ms cerca
de la unin est el portador minoritario, mayor ser la atraccin de la
capa de iones negativos y menor la oposicin ofrecida por los iones
positivos en la regin de empobrecimiento del material tipo n.
Concluiremos, por consiguiente, para anlisis futuros, que cualesquier
portadores minoritarios del material tipo n localizados en la regin de
empobrecimiento pasarn directamente al material tipo p. Este flujo
de portadores se indica en la parte superior de la figura 1.12c para los
portadores minoritarios de cada material. Los portadores mayoritarios
(electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de atraccin
de la capa de iones positivos en el material tipo n y el escudo de
iones negativos en el material tipo p para que emigren al rea ms
all de la regin de empobrecimiento del material tipo p. Sin
embargo, el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el
material tipo n que invariablemente habr un menor nmero de
portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para que
atraviesen la regin de empobrecimiento hacia el material p. De
nueva cuenta, se puede aplicar el mismo tipo de planteamiento a los
portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo
resultante producido por los portadores mayoritarios se muestra en la
parte inferior de la figura 1.12c. Un examen minucioso de la figura
1.12c revela que las magnitudes relativas de los vectores de flujo son
tales que el flujo neto en una u otra direccin es cero. Las lneas
transversales indican esta cancelacin de los vectores de cada tipo de
flujo de portadores. La longitud del vector que representa el flujo de
huecos se traza ms larga que la del flujo de electrones para
demostrar quelas dos magnitudes no tienen que ser iguales para la
cancelacin, y que los niveles de dopado decada material pueden
producir un flujo desigual de huecos y electrones. En suma:
Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de un diodo
semiconductor, el flujo neto de carga en una direccin es cero.
En otras palabras, la corriente en condiciones sin polarizacin es cero,
como se muestra en las figuras 1.12a y 1.12b.
Condicin de polarizacin en inversa (VD<0 V):
Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n
con la terminal positiva conectada al material tipo n y la negativa
conectada al material tipo p como se muestra en la figura 1.13, el
nmero de iones positivos revelados en la regin de empobrecimiento
del material tipo n se incrementar por la gran cantidad de electrones
libres atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por las
mismas razones, el nmero de iones negativos no revelados se
incrementar en el material tipo p. El efecto neto, por consiguiente,
es una mayor apertura de la regin de empobrecimiento, la cual crea
una barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios
la puedan superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se
reduce efectivamente a cero, como se muestra en la figura 1.13a. Sin
embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran a la regin
de empobrecimiento no cambia, y se producen vectores de flujo de
portadores minoritarios de la misma magnitud indicada en la figura
1.12c sin voltaje aplicado.
La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se
llama corriente de saturacin en inversa y est representada
por Is.

Unin p-n polarizada en inversa: (a) distribucin interna de la carga en condiciones

de polarizacin en inversa; (b) polaridad de polarizacin en inversa y direccin de la
corriente de saturacin en inversa.

La corriente de saturacin en inversa rara vez es de ms de algunos

microamperes, excepto en el caso de dispositivos de alta potencia. De
hecho, en los ltimos aos su nivel, por lo general, se encuentra en el
intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio. El trmino
saturacin se deriva del hecho de que alcanza su nivel mximo con
rapidez y que no cambia de manera significativa con los incrementos
en el potencial de polarizacin en inversa, como se muestra en las
caractersticas de diodo de la figura 1.15 con VD < 0 V. Las
condiciones de polarizacin en inversa se ilustran en la figura 1.13b
para el smbolo de diodo y unin p-n. Observe, en particular, que la
direccin de Is se opone a la flecha del smbolo. Observe tambin que
el lado negativo del voltaje aplicado est conectado al material tipo p
y el lado positivo al material tipo n, y la diferencia indicada con las
letras subrayadas por cada regin revela una condicin de
polarizacin en inversa.
Condicin de polarizacin en directa (VD>0 V):
La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece
aplicando el potencial positivo al material tipo p y el potencial
negativo al tipo n como se muestra en la figura 1.14.

Unin p-n polarizada en directa: (a) distribucin interna de la carga en condiciones

de polarizacin en directa; (b) polarizacin directa y direccin de la corriente
resultante.

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD

presionar a los electrones en el material tipo n y a los huecos en el
material tipo p para que se recombinen con los iones prximos al
lmite y reducir el ancho de la regin de empobrecimiento como se
muestra en la figura 1.14a. El flujo de portadores minoritarios de
electrones resultante del material tipo p al material tipo n (y de
huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto
que el nivel de conduc-cin es controlado principalmente por el
nmero limitado de impurezas en el material), aunque la reduccin
del ancho de la regin de empobrecimiento produjo un intenso flujo
de portadores mayoritarios a travs de la unin. Un electrn del
material tipo p ahora ve una barrera reducida en la unin debido a
la regin de empobrecimiento reducida y a una fuerte atraccin del
potencial positivo aplicado al material tipo p. En cuanto se incrementa
la magnitud de la polarizacin aplicada, el ancho de la regin de
empobrecimiento continuar reducindose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un crecimiento
exponencial de la corriente como se muestra en la regin de
polarizacin en directa de las caractersticas de la figura 1.15.
Observe que la escala vertical de la figura 1.15 est en miliamperes
(aunque algunos diodos semiconductores tienen una escala vertical
medida en amperes) y la escala horizontal en la regin de
polarizacin en directa tiene un mximo de 1 V. Por consiguiente, en
general el voltaje a travs de un diodo polarizado en directa ser
menor de 1 V. Observe tambin cuan rpido se eleva la corriente
despus de la rodilla de la curva. Se puede demostrar por medio de la
fsica de estado slido que las caractersticas generales de un diodo
semiconductor se pueden definir mediante la siguiente ecuacin,
conocida como ecuacin de Shockley, para las regiones de
polarizacin en directa y en inversa:

Donde:

Is es la corriente de saturacin en inversa

VD es el voltaje de polarizacin en directa aplicado a travs del
diodo
n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las
condiciones de operacin y construccin fsica; vara entre 1 y 2
segn una amplia diversidad de factores. (se supondr n=1 en
todo este texto a menos que se indique de otra manera).
El voltaje VT en la ecuacin (1.1) se llama voltaje trmico y est
determinado por

Donde:
k es la constante de Boltzmann = 1.38x10-23 J/K
T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + la temperatura
en C.
q es la magnitud de la carga del electrn = 1.6x10-19 C.
Equipo:
Generador de funciones
Fuente DC
Osciloscopio
Multmetro
Resistencias
Cables
Diodos(Si)

Hoja de datos, tablas y clculos:

Paso 1:

Figura 1

R=0.984k
CH1 :Ve=4.78v f=301.4Hz
CH2: Vs=4v
Paso 2:

figura 2

CH1: VD=5.4v
CH2: VR=3.92v