UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR

DE SAN MARCOS
(Universidad del Per, Decana de Amrica)

Laboratorio de Dispositivos Electrnicos

EXPERIENCIA N1

Tema: Diodo Semiconductor

Profesor: Luque Quispe, Jaime

Turno: Lunes, 12:00 2:00 pm

Integrantes: Paredes Macedo, Karen (16190026)

Gonzales Carhuapoma, Juan Jos (16190095)

Palomino De la Cruz, Leonel (16190135)

Lunes 8 de Mayo del 2017

Tabla 2: medicin de voltajes y corrientes

Vr: voltaje en el resistor, Vd: voltaje en el diodo, id: corriente en el diodo.

 Vr Vd medido Id medida Id (Vd/R)
Medicin
() (V) (A) (A)
1 0.1 0.534 0.0002 0.00137

2 0.2 0.567 0.0004 0.00145

3 0.3 0.588 0.0006 0.00151

4 0.4 0.598 0.0008 0.00153

5 0.5 0.611 0.0010 0.00157

6 0.6 0.617 0.0012 0.00158

7 0.7 0.622 0.0015 0.00159

8 0.8 0.629 0.0021 0.00161

9 0.9 0.635 0.0023 0.00163

10 1 0.641 0.0026 0.00164

11 2 0.671 0.0050 0.00172

12 3 0.688 0.0080 0.00176

13 4 0.700 0.0100 0.00179

14 5 0.711 0.0130 0.00182

15 6 0.721 0.0150 0.00185

16 7 0.727 0.0180 0.00186

17 8 0.733 0.0210 0.00188

18 9 0.738 0.0230 0.00189

19 10 0.744 0.0260 0.00191

Anlisis e interpretacin de los resultados:

a. Graficar la curva voltaje versus corriente del diodo

 Vd vs id
0.03

0.03

0.02

Corriente del diodo (mla) 0.02

0.01

0.01

0
0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8

Voltaje del diodo (v)

a)
 b. Obtener el valor de la corriente de saturacin inversa Is y el factor n del diodo (idea: usar una curva de
ajuste lineal como en el ejemplo de la seccin 3.1 hecho arriba.

Medicin Vd Ln(Id)
1 0.534 -8.517
2 0.567 -7.824

Clculo de Is y 3 0.588 -7.419 n:

4 0.598 -7.131
De la ecuacin y = 22.597x -
5 0.611 -6.908
20.41 de la Grafica Vd vs Ln
6 0.617 -6.725
(id):
7 0.622 -6.502
- La 8 0.629 -6.166 corriente de
saturacin
9 0.635 -6.075
inversa es : -20.41
10 0.641 -5.952
- El factor n del diodo se
halla 11 0.671 -5.298 mediante la
frmula: 12 0.688 -4.828
13 0.700 -4.605
14 0.711 -4.343
15 0.721 -4.200
16 0.727 -4.017
17 0.731 -3.863
18 0.736 -3.772
19 0.74 -3.650

1
n= ( )
( m vt )

Donde m es la pendiente de la recta Vd vs Ln (id) y vt es el voltaje trmico. Este ltimo se obtiene de la

siguiente manera:

kb tk
vt=
qe

23
Donde kb es la constante de Boltzman ( 1.38 10 , tk es la temperatura en grados Kelvin (273 + 25C) y

q e es la carga del electrn.

1.38 1023 298 k

vt= =25.7 mV
1.6 1019 C
Reemplazando los valores en ( ) :

1
n=
22.597 0.0257

n=1.722

c. Obtener la resistencia dinmica (rd) en un punto de la curva de operacin obtenida en (a). Nota 1. La
eleccin de este punto es libre pero debe estar arriba del punto de inflexin de la curva. Nota 2: para el
clculo considere un rango pequeo de excursin de la corriente id arriba y abajo del punto escogido (ej.
excursin de 1 mA).

nV T
rd = ; de donde
id

V T :Voltaje trmico

1.38 1023 (20 +273)

2
1.6 1019
rd =
0.003

r d =168 107

COMENTARIOS.

-El cambio abrupto de direccin de la curva se debe al cambio de las escalas

de corriente de arriba hacia abajo del eje.
-la curva no es la misma que en una simulacin. Ya que en el caso de este
ltimo. El diodo es ideal, y en el caso real los diodos poseen factores como son
la resistencia de cuerpo y resistencia interna.
-La temperatura juega un rol importante en el accionar del diodo ya que a temperatura de ambiente y si
esta se incrementa, se produce una cada de tensin, lo cual es significativo para una representacin de
en dcimas de volts.

BIBLIOGRAFA

ROBERT BOYLESTALD
LUIS NASHEKLSY - Dcima Edicin Electrnica. Teora de circuitos.