Vous êtes sur la page 1sur 7

Ciclo 2017-II

Prof. Ing. L.Farro

Cuestionario Nro. 1 - Semiconductores

1.- En un semiconductor extrnseco de tipo p la conduccin a bajas temperaturas se


debe al movimiento de:

a) Los electrones activados trmicamente.


b) Los huecos.
c) Los electrones y huecos.
d) No hay conduccin neta a bajas temperaturas.
2.- En un semiconductor intrnseco la conductividad est controlada por:

a) La movilidad y la temperatura.
b) La temperatura y la concentracin de dopante.
c) La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.
d) La concentracin de dopante.
3.- Cul de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo
n, donadores?:

a) Fsforo, P.
b) Aluminio, Al.
c) Boro, B.
d) Germanio, Ge.
4.- En un semiconductor tipo n la conduccin a alta temperatura se debe a:

a) Electrones donadores.
b) Electrones donadores y electrones activados trmicamente.
c) Electrones donadores, huecos y electrones activados trmicamente.
d) Huecos y electrones activados trmicamente.
5.- Los electrones se ordenan en los slidos cristalinos metlicos en:

a) Orbitales atmicos de baja energa.


b) Bandas continuas de energa.
c) Orbitales atmicos separados.
d) Bandas de estados de energa muy prximos.
6.- El campo elctrico acelera los electrones de un metal que estn situados en:

a) La banda de valencia.
b) La banda de conduccin.
c) Fuera del tomo.
d) Es independiente de la banda en la que estn situados.
7.- La estructura electrnica de los semiconductores est formada por:
a) Dos bandas de energa con algunos estados superpuestos.
b) Dos bandas de energa, con electrones conductores en la de conduccin.
c) Bandas de valencia y conduccin, separadas por un intervalo prohibido de energa.
d) Bandas de valencia y conduccin coincidentes.
8.- En los semiconductores, los agentes activos de conduccin son:

a) Los electrones de la banda de valencia.


b) Los huecos de la banda de valencia.
c) Los electrones de la banda de conduccin.
d) Electrones y huecos.
9.- Un semiconductor que contiene elementos qumicos con la capa electrnica de
valencia diferente a la de los del semiconductor se denomina:

a) Extrnseco.
b) Intrnseco.
c) Dbilmente extrnseco.
d) No recibe ningn nombre especial.
10.- Los parmetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrnseco
son:

a) Temperatura, movilidad y diferencia energtica entre bandas.


b) Temperatura y movilidad.
c) Concentracin de portadores de carga libre.
d) Energa prohibida y concentracin de portadores de carga libre.
11.- La concentracin de portadores de carga, en los semiconductores extrnsecos:

a) Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitacin trmica de la


red cristalina.
b) Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c) Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como
promotores del mecanismo conductor.
d) Ninguna es correcta ya que la concentracin de portadores de carga es
independiente de la temperatura en los extrnsecos.

12.- La naturaleza del dopante incide en:

a) Aumento de la energa de la banda prohibida, disminuyendo la poblacin de


portadores de carga libre.
b) Disminucin de la energa de la banda de energa prohibida, aumentando la
concentracin de portadores libres.
c) El valor de la energa de ionizacin y por tanto en una mayor aptitud para
suministrar portadores de carga libre.
d) El mecanismo de conduccin, intrnseco o extrnseco.

13.- La diferencia entre la estructura electrnica de un metal y un semiconductor


radica en:

a) La diferencia de poblacin electrnica en la banda de conduccin.


b) La inexistencia de una banda de energa prohibida en el metal separando las
bandas de valencia y conduccin.
c) Un mayor valor de la energa prohibida en el semiconductor que en el metal.
d) La inexistencia de banda de valencia en los metales.

Indicar si son verdaderas o falsas las siguientes afirmaciones:

a) La difusin tiende a homogeneizar las concentraciones.

b) Los procesos de difusin, aunque suponen movimientos de carga, no dan lugar


a corrientes elctricas en el semiconductor.

c) La corriente de difusin de huecos es proporcional al gradiente de la


concentracin de huecos.

d) A mayor nmero de huecos, mayor nmero de recombinaciones.

e) Si por causas externas al semiconductor se genera un exceso de electrones y


huecos, al desaparecer esta las condiciones de equilibrio no vuelven a
alcanzarse.

f) Para el clculo de las intensidades de corriente en los semiconductores es


suficiente con considerar lo que les sucede a los electrones.

g) La ecuacin de continuidad se obtiene al plantear el principio de conservacin


de carga a un semiconductor.
h) La ecuacin de continuidad nos da la variacin de las concentraciones de
huecos y electrones.

i) En la ecuacin de continuidad no interviene la generacin de pares electrn


hueco.

j) La inyeccin de portadores de carga en un punto de un semiconductor implica


la aparicin de procesos de difusin.

k) La inyeccin de portadores de carga en un punto de un semiconductor hace


que los electrones y los huecos se muevan con igual facilidad a lo largo del
semiconductor.

l) La inyeccin de portadores de carga en un punto de un semiconductor hace


que aparezca un campo elctrico, y como consecuencia una corriente, en el
interior del semiconductor.

m)En los semiconductores extrnsecos que presentan diferencias en el dopado no


se puede plantear el principio de conservacin de la carga.

n) En los semiconductores extrnsecos que presentan diferencias en el dopado,


aparece un campo elctrico en el interior del semiconductor.

o) En los semiconductores extrnsecos que presentan diferencias en el dopado la


presencia del campo no implica que aparezcan diferencias de potencial en el
semiconductor.

Problemas propuestos nro. 1


Prob.1: Una muestra de Ge est contaminada uniformemente con tomos de
aluminio, donde una concentracin de impurezas de 5 x 10 16 cm-3. A 300ok la
concentracin de portadores intrnsecos es aproximadamente 2 x 10 13 cm-3.
Calcular las concentraciones aproximadas de huecos y electrones en este
semiconductor.
Prob.2: A la temperatura ambiente la concentracin de portadores intrnsecos del Ge
es aproximadamente 2 x 1013 cm-3, consideremos una muestra de Ge que tenga una
concentracin de donantes ND= 5 x 1014 cm-3 y no tenga aceptadores.
Estimar las condiciones en equilibrio de huecos y electrones.
Prob.3: Si una barra de Ge se dopa con Indio (grupo III de la tabla peridica) en una
concentracin de 2 x 1012 tomos/cm3 a una temperatura de 300ok.
Calcular las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor en estas
circunstancias. Dato: ni (a 300ok)= 2.36 x 1013 cm-3.
Prob.4: Tenemos una muestra de silicio a la temperatura ambiente. Se contamina
con 1016 cm-3 tomos de fosforo (ND=1016 cm-3), se pide calcular la concentracin
aproximada de huecos y electrones.
Prob.5: Para el germanio intrnseco a la temperatura ambiente (300 ok). En que
tanto por ciento aumenta ni (T) cuando la temperatura aumenta en un grado?
Prob.6: Una muestra de silicio est contaminada uniformemente con tomos de
fosforo, con una concentracin de 10 13 cm-3 a la temperatura de inters a la
concentracin de portadores intrnsecos es de 1.5 x 10 10 cm-3 y las movilidades con
n= 1,300 cm2/v-s y p= 500 cm2/v-s.

Prob.7: Calcular la resistividad de un sustrato de silicio dopado con 10 18 tomos/cm3


de elemento dopante. Datos: n= 300 cm2/v-s, e= 1.6 x 10-19 coul.
Prob.8: Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado con 1018 tomos/cm3
de elemento dopante tipo aceptor, a la temperatura ambiente. Dato: p= 190 cm2/v-
s.
Prob.9: Un sustrato semiconductor de Si de 1 mm 2 de seccin, se utiliza para disear
una resistencia. La concentracin de dopado p es de 5 x 1016 tomos/cm3. Se pide:
a) Calcular la resistencia elctrica para las dimensiones a= 100 mm, l= 500 mm,
h= 0.1 mm.)
b) La densidad de corriente que circula para una tensin de 5v.
c) Concentracion de dopante para R= 100 ohmios.
Prob.10: La concentracin intrnseca de portadores ni del silicio a 300 ok es 1.6 x 1016
m-3. Calcular la conductividad intrnseca. Datos: n= 0.15 m2/v-s y p= 0.05 m2/v-s.

Prob.11: a) calcular la concentracin de huecos y electrones de germanio tipo p a


300ok, si la conductividad es 100 -cm-1.

b) Para el silicio tipo n, la conductividad es 0.1 -cm-1. Hallar las concentraciones de


huecos y electrones.

Prob.12: Obtener la concentracin de electrones libres y huecos en una muestra de


germanio a 300ok que tiene una concentracin de tomos donadores igual a 2 x 10 14
cm-3 y una de aceptadores de 3 x 1014 cm-3. Dato: ni (Ge)= 2.5 x 1013 cm-3.

a) La conductividad se debe fundamentalmente a los electrones o a los huecos?.


Explique.
b) Si las concentraciones son iguales de donadores y aceptadores de 10 15
atomos-cm-3, de que tipo es el germanio?

Prob.13: Representar los modelos de bandas aceptores y donadores a la


temperatura de 0ok y de 300ok.
Prob.14: Un mono cristal de Ge dopado con tomos de fosforo, esta tallado en forma
de lmina de espesor de d=10-4 m. Entre sus dos caras existe una diferencia de
potencial de 4 voltios. Siendo la resistividad y la movilidad entre ellas de = 0.1 -m
y n= 0.39 m2/v-s, resistividad a temperatura ambiente. Calcular:

a) Tiempo que emplea un electrn de conduccin en atravesar la lmina.


b) Concentracion (Nd) de donadores.

Prob.15: Calcular los valores de potencial entre dos puntos x1 y x2 de un


semiconductor tipo p de dopado no uniforme p(x).
Prob.16: a) Probar que la resistividad del Ge intrnseco a 300 ok es de 45 -cm.
b) Si se aade una impureza donadora en una proporcin de 1 tomo por 108
tomos de Ge. Comprobar que la resistividad desciende a 3.7 -cm.
Prob.17: Considerar el Ge intrnseco a 300ok En qu tanto por ciento aumenta la
conductividad cuando la temperatura aumenta en 1 ok?

-------------------