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CONTENIDO
CONTENIDO...............................................................................................................1
1. OBJETIVO..............................................................................................................2
2. FUNDAMENTO TEORICO.....................................................................................2
6. CLCULOS Y RESULTADOS..............................................................................13
7. CUESTIONARIO...................................................................................................15
8. CONCLUSIONES.................................................................................................15
9. RECOMENDACIONES.........................................................................................16
10.BIBLIOGRAFA....................................................................................................16
2. FUNDAMENTO TEORICO
FIGURA 3.5
Panel con diodos, puente de diodos,
resistencias y condensadores.
1. Armar los circuitos mostrados en la, previa medicin de las resistencias y/o
capacitancias.
2. Seleccionar una frecuencia de 60Hz y una amplitud de 5 voltios en el
generador de ondas (G) a-b.
3. Seleccionar el selector de ondas sinusoidales del generador de ondas (G).
4. Conectar los bornes a-b al canal I del osciloscopio y los bornes c-d al canal
II del osciloscopio, y anotar las principales caractersticas de la onda
mostrada por el mismo (VMAX, periodo, etc.)
5. Repetir los pasos anteriores para una frecuencia de 200 Hz y 1000 Hz.
6. Seleccionar el selector de ondas cuadradas y repetir los pasos 1,2 y 4.
7. Seleccionar el selector de ondas triangulares y repetir los pasos 1,2 y 4.
8. Para el caso del circuito 3, adems observar el desfasaje entre el voltaje
del generador de funciones con seal sinusoidal y la tensin sinusoidal en
el condensador de dicho circuito.
Capacitancia vs V1 (R)
105
90
75
60
VR (V) 45
30
15
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
Capacitancia (F)
Capacitancia vs V2 (C)
105
90
75
60
VC (V) 45
30
15
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
Capacitancia (F)
0.8
0.6
Corriente (A)
0.4
0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
Capacitancia (F)
Circuito 2:
Z
(cartesiano
) Z(polar)
94- 281.414<-
1 265.251j 70.48
94- 198.315<-
2 174.622j 61.70
94- 164.211<-
3 134.645j 55.07
94- 150.370<-
4 117.368j 51.30
129.558<-
5 94-89.16j 43.48
94- 97.423<-
6 25.6034j 15.23
-50
-100
Z (94 - 265.251j)
Resistencia
-150
Reactancia
-200
-250
-300
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
-5
-10
Z (94-25.6034j)
Resistencia
-15
Reactancia
-20
-25
-30
3.Graficar el lugar geomtrico de los fasores corriente para los tres casos
tomando como referencia el fasor tensin (V). En el mismo diagrama
graficar el lugar gemoetrico de los fasores V1 y V2.
LECTURA A vs VR
100
80
60
VR (V)
40
20
0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1
Corriente (A)
8. RECOMENDACIONES
9. BIBLIOGRAFA
[2] http://www.fceia.unr.edu.ar/tci/utiles/Apuntes/Cap%206%20-2012%20ELEM
%20DIN.pdf