Problemas:

Amplificador Acoplado Inductivamente 2

Amplificador Acoplado Con Transformador 9

Simetra Complementaria 16

Darlington 23

Respuesta A Baja Frecuencia 36

Frecuencia Superior 50

Respuesta A Alta Frecuencia 60

Circuito Diferencial Con Fuente De Corriente 69

Formulario 89
Amplificador
Acoplado
Con
Inductancia

2
Encontrar R1, R2, PLAC, PCC, PC, n y F.M. de un amplificador acoplado inductivamente
sea:

Datos:
VCC 12V
VBE 0.7V
Circuito Equivalente de C.D.
RE 100
RL 1K
60

3
RCD RE 100
RCA RL 1K

VCC 12V
I CQ 0.0109 A
RCD RCA 100 1K
VBB I B RB VBE I E RE
IC
IB

I E IC
RB
VBB I C RE VBE

RE 60 100
RB 600
10 10
600
VBB 0.0109 A 100 0.7V 1.9V
60

4
 RB 600
R1 712.87
VBB 1.9V
1 1
VCC 12V
R1 712.87

RBVCC 600 12V

R2 3789.47
VBB 1.9V
R2 3789.47

VCE VCC I E RE
VCEQ VCC I C RE 12V 0.0109 A 100 10.91V
Va I CQ RCA 0.0109 A 1K 10.9V
VCE maxCA VCEQ Va 10.91V 10.9V 21.81V
VCEmax 21.81V
I C maxCA CA
0.02181A
RCA 1K
I cm I C maxCA I C Q 0.02181A 0.0109 A 0.01091A

I 2 RL 0.01091A 1K
2

PLAC CM 0.0595W
2 2
PLAC 0.0595W

PCC VCC I CQ 12V 0.0109 A 0.1308W

PCC 0.1308W

PC PCC PLAC 0.1308W 0.0595W

PC 0.07128W

PLAC 0.0595W
100 100 45.5%
PCC 0.1308W
45.5%

PC 0.07128W
F .M . 1.197
PLAC 0.0595W
F .M . 1.197

5
Encontrar R1, R2, PLAC, PCC, PC, n de un amplificador acoplado inductivamente sea:

Datos:
VCC 10V
R1 15
Circuito Equivalente de C.D.
R2 85
RE 1
RL 100
40

VCC R1 10V 15
VBB 1.5V
R1 R2 15 85
RB R1 P R2 15 P85 12.75

VBB I BQ RB VBEQ I CQ RE
R
VBB I CQ B RE VBEQ

I CQ
V BB VBEQ

1.5V 0.7V
RB
12.75
RE 1
40
I CQ 0.606 A

6
VC EQ VCC I CQ RE 10V 0.606 A 1
VCEQ 9.39V

RCD RE 1
RCA RL 100

VCEQ max CA 9.39V 0.606 A 100 69.99V

VCEQ max CA 69.99V
I C maxCA 0.699 A
RCA 100

I cm I C maxCA I CQ 0.699 A 0.606 A 93mA

I cm max 2 RL 93mA 100

2

PLAC max
2 2
PLAC max 4.65W

PCC VCC I CQ 10V 0.606 A

PCC 6.06W

PC PCC PLAC 6.06W 4.65W

PC 1.41W
PLAC max 4.65W
max
PCC 6.06W
max 0.767 76.7%

7
Encontrar R1, R2, PLAC, PCC, PC, n de un amplificador acoplado inductivamente sea:

Datos:
VCC 12V
R2 60
R1 10 Circuito Equivalente de C.D.
RE 1
RL 100
60

VCC R1 12V 10
VBB 1.714V
R1 R2 10 60
RB R1 P R2 10 P60 8.57

VBB I BQ RB VBEQ I CQ RE
R
VBB I CQ B RE VBEQ

I CQ
V BB VBEQ

1.714V 0.7V
RB 8.57
RE 60 1

I CQ 0.887 A

8
VC EQ VCC I CQ RE 12V 0.887 A 1
VCEQ 11.11V

RCD RE 1
RCA RL 100

VCEQ max CA 11.11V 0.887 A 100 99.81V

VCEQ max CA 99.81V
I C maxCA 0.998 A
RCA 100

I cm I C maxCA I CQ 0.998 A 0.887 A 0.111A

I cm max 2 RL 0.111A 100

2

PLAC max
2 2
PLAC max 616mW

PCC VCC I CQ 12V 0.887 A

PCC 10.64W

PC PCC PLAC 10.64W 0.616W

PC 10.02W
PLAC max 616mW
max
PCC 10.64W
max 0.0578 5.78%

9
 Amplificador
Acoplado
Con
Transformador

Encontrar R1, R2, PLAC, PCC, PC, n de un amplificador acoplado con transformador sea:

10
Datos:
Re lacion 8 :1 Circuito Equivalente de C.A.
VCC 12V
100
RL 8 ii
ib ie
i 80 iL

8
a N1 / N 2
1
a 8
RL a 2 RL 82 8 512
RCD 0
RCA RL 512
VCC 12V
I CQ
RCD RCA 0 512
I CQ 23.43mA

iL iL ib
i
ii ib ii
iL
a
ib
ib RB

ii RB hie RL
mVT 25mV
hie 1.07
I CQ 23.43mA

11
 a RB
i 80
RB hie RL
8 100 RB
80
RB 1.07 100 512
800 RB
80
RB 51201.07
80 RB 51201.07
RB 0.1RB 5120.107
800
RB 0.1RB 5120.107
0.9 RB 5120.107
5120.107
RB 5.689k
0.9

I CQ 23.43mA 5.689k
VBB RB VBEQ 0.7V
100
VBB 2.03V

RB 5.689k
R1
1 VBB / VCC 1 2.03V /12V
R1 6.847 k

RBVCC 5.689k 12V

R2
VBB 2.03V
R2 33.63K

I cm 2 RL 23.43mA 512
2

PLAC max
2 2
PLAC max 140.53mW

PCC I CQVCC 23.43mA 12V

PCC 281.16mW

PC PCC PLAC max 281.16mW 140.53mW

PC 140.63mW

PLAC max 140.53mW

max
PCC 281.16mW
max 0.499 49.9%

12
Encontrar R1, R2, PLAC, PCC, PC, n de un amplificador acoplado con transformador sea:

Datos:
Re lacion12 :1
Circuito Equivalente de C.A.
VCC 24V
200
RL 8 ii
RCD 200 ib ie
iL
i 300

12
a N1 / N 2
1
a 12
RL a 2 RL 122 8 1152
RCD 200
RCA RL 1152
VCC 24V
I CQ
RCD RCA 200 1152
I CQ 17.75mA

iL iL ib
i
ii ib ii
iL
a
ib
ib RB

ii RB hie RL
mVT 25mV
hie 1.408
I CQ 17.75mA

13
 a RB
i 300
RB hie RL
12 200 RB
300
RB 1.408 200 1152
2400 RB
300
RB 230401.408
300 RB 230401.408
RB 0.125RB 28800.176
2400
RB 0.125 RB 28800.176
0.875 RB 28800.176
28800.176
RB 32.914486k
0.875

I CQ 17.75mA 32.914486k
VBB RB VBEQ 0.7V
200
VBB 3.292V

I cm 2 RL 17.75mA 1152
2

PLAC max
2 2
PLAC max 181.476mW

PCC ICQVCC 17.75mA 24V

PCC 426mW

PC PCC PLAC max 426mW 181.476mW

PC 244.524mW

PLAC max 181.476mW

max
PCC 426mW
max 0.426 42.6%

14
Encontrar R1, R2, PLAC, PCC, PC, de un amplificador acoplado con transformador sea:

Datos:
Re lacion 20 :1 Circuito Equivalente de C.A.
VCC 32V
100
RL 8 ii
ib ie
RCD 100 iL
i 200

20
a N1 / N 2
1
a 20
RL a 2 RL 202 8 3200
RCD 100
RCA RL 3200
VCC 32V
I CQ
RCD RCA 100 3200
I CQ 9.697 mA

iL iL ib
i
ii ib ii
iL
a
ib
ib RB

ii RB hie RL
mVT 25mV
hie 2.578
I CQ 9.697 mA

15
 a RB
i 200
RB hie RL
20 100 RB
200
RB 2.578 100 3200
2000 RB
200
RB 320002.578
200 RB 320002.578
RB 0.1RB 32000.2578
2000
RB 0.1RB 32000.2578
0.9 RB 32000.2578
32000.2578
RB 35555.842
0.9

I CQ 9.697 mA 35555.842
VBB RB VBEQ 0.7V
100
VBB 4.148V

RB 35555.842
R1
1 VBB / VCC 1 4.148V / 32V
R1 40.85k

RBVCC 35555.842 32V

R2
VBB 4.148V
R2 274.29k

I 2 R 9.697 mA 3200
2

PLAC max cm L
2 2
PLAC max 150.45mW

PCC ICQVCC 9.697 mA 32V

PCC 310.304mW

PC PCC PLAC max 310.304mW 150.45mW

PC 159.85mW

16
 Simetra
Complementaria

17
Encontrar R1, R2, Rin, PLAC, PCC, PC y n para el siguiente circuito con simetra
complementaria

Datos:
RL 18
VCC 18V
1 2 60
i 20

R1 R1
R2 R2
Q1 Q2

R2
i 20
R2
2 RL

R2 R2
20
R2 R 2
60 2 18 60 36

R
R2 20 2 36 0.33R2 720
60
R2 0.33R2 720
720
R2
0.67
R2 1.0746k

18
 2VBEQ R2 2 0.7V 1.0746k
R1
VCC 2VBEQ 18V 2 0.7V
R1 90.63

V 2 18V
2

PLAC max CC
8 RL 8 18
PLAC max 2.25W

18V
2
VCC 2
PCC max
2 RL 2 18
PCC max 2.86W

18V
2
V 2
PC max CC 2
4 RL 4 18
2

PC max 0.114W

PLAC max 2.25W

max
PCC max 2.86W
max 0.786 78.67%

Rin
RL R2

18 1.0746k
R2 1.0746 k
2 RL 2 18
60

Rin 358.79

19
Encontrar R1, R2, Rin, PLAC, PCC, PC y n para el siguiente circuito con simetra
complementaria

Datos:
RL 12
VCC 18V
1 2 60
i 20

R1 R1
R2 R2
Q1 Q2

R2
i 20
R2
2 RL

R2 R2
20
R2 R 2
60 2 12 60 24

R
R2 20 2 24 0.33R2 480
60
R2 0.33R2 480
480
R2
0.67
R2 716.417

20
 2VBEQ R2 2 0.7V 716.417
R1
VCC 2VBEQ 18V 2 0.7V
R1 60.42

V 2 18V
2

PLAC max CC
8 RL 8 12
PLAC max 3.375W

18V
2
VCC 2
PCC max
2 RL 2 12
PCC max 4.297W

18V
2
V 2
PC max CC 2
4 RL 4 12
2

PC max 0.1709W

PLAC max 3.375W

max
PCC max 4.297W
max 0.785 78.5%

Rin
RL R2

12 716.417
R2 716.417
2 RL 2 12
60

Rin 239.202

21
Encontrar R1, R2, Rin, PLAC, PCC, PC y n para el siguiente circuito con simetra
complementaria

Datos:
RL 8
VCC 12V
VBE 0.7V
1 2 60
i 20

R1 R1
R2 R2
Q1 Q2

R2
i 20
R2
2 RL

R2 R2
20
R2 R 2
60 2 8 60 16

R
R2 20 2 16 0.33R2 320
60
R2 0.33R2 320
320
R2
0.67
R2 477.61

22
 2VBEQ R2 2 0.7V 477.61
R1
VCC 2VBEQ 12V 2 0.7V
R1 63.08

V 2 12V
2

PLAC max CC
8 RL 8 8
PLAC max 2.25W

12V
2
V 2
PCC max CC
2 RL 2 8
PCC max 2.86W

12V
2
V 2
PC max CC2 2
4 RL 4 8
PC max 0.114W

Rin
RL R2

8 477.61
R2 477.61
2 RL 2 8 60


Rin 159.468

23
Amplificador
Darlington

24
Disee un amplificador Es utilizando un par Darlington para excitar una
carga de 8 con una combinada de 20000, VBE= 1.4V, Vcc=20V y i=
500. Disee el amplificadorpara un intervalo de freq. de 40 a 15000Hz.
Encuentre, RE, R1, R2, Ren, Ci, Po.

RE RL RE 8

iRL v Re n
v 1 i
Re n RL

iRL (500)(8)
Re n Re n 4 K
v 1
1
C1 C1 248.67 f
WL Re q

RCD RE 2 8
Rca RE 2 P RL 8 P8 4
Vcc 20V
Icq
RCD Rca 8 4
Icq 1.66 A

En Darlington, IB IE IC 1.66 A

25
 1 1 1

Re n RB 1 2( RL P RE )
1 1 1 1
0.0000125
4000 RB 20000(4) RB

1
0.00025 0.0000125
RB
1
0.00025 0.0000125
RB

1
0.0002375
RB
RB 4.21K
1
RB
0.0002375

RB
VBB IBQ 2* VBET ICQ 2 RE
1
ICQRB
VBB VBET ICQ 2 RE
1 2
(1.66 A)(4210)
VBB 1.4V (1.66 A)(8)
20000

VBB 15.029V

RB 4210
R1
VBB 15.029V R1 2.403K
1 1
Vcc 20V

RBVcc (4210)(20V )
R2 R 2 5.602 K
VBB 15.029V

Icm 2 RL (1.66 A)(8)

PLAC PLAC 11.022W
2 2

Pcc VccIcq (20V )(1.66 A) Pcc 33.2W

PLAC 11.022W
n X 100 X 100 n 33.2
Pcc 33.2W

26
Tambien:

RB
RTM 1 RE
T
RTM 1 8.2105
4210
8
20000

VBB RTM 1Ieq VBET (8.2105)(1.66 A) 1.4V

VBB 15.029V

2 2
1 Icq 1 1.66 A
Po RL 8
2 2 2 2
Po 2.75W

Pc Pcc PLAC
Pc 22.178W
Pc
F .M .
PLAC
F .M . 2.01

27
Disear unamplificador EF para mxima oscilacin simtrica utilizando un
par transistor Darlington con una combinada de 10000 y VBE=1.4V. El
amplificador debe manejar una carga de 20 con Rin=3K, Vcc= 12V, y
fl=20Hz. Determine i y Po.

v 1

v Re n (1)(3000)
i i 150
RL 20

RE RL RE 20

RCD RE 20
Rca RE P RL 20 P20 10

Vcc 12V
Icq Icq 0.4 A 400mA
RCD Rca 20 10

IB IE IC 0.4 A
1 2 T
1 1 1
T 10000
Re n RB 1 2( RL P RE )
1 1 1 1 1

3000 RB (10000)(20 P20) RB (10000)(10)

28
 1
0.000333 0.00001
RB
1
0.000333 0.00001
RB
1
0.000323
RB

1
RB RB 3.09 K
0.000323

RB 3090
RTM 1 RE 20
T 10000
RTM 1 20.309

VBB IEQRTM 1 VBET (0.4 A)(20.309) 1.4V

VBB 9.5236V

RB 3090
R1
VBB 9.5236v R1 14.973K
1 1
Vcc 12v

RBVcc (3090)(12v)
R2 R 2 3.893K
VBB 9.5236v

Icm 2 RL (0.4 A) 2 (20)

PLAC PLAC 1.6W
2 2

Pcc VccIcq (12v )(0.4 A) 4.8W

PLAC 1.6W
n X 100 X 100 n 33.33
Pcc 4.8W

2 2
1 Icq 1 0.4 A
Po RL (20) Po 0.4W
2 2 2 2

Pc Pcc PLAC 4.8W 1.6W Pc 3.2W

Pc 3.2W
F .M . F .M . 2
PLAC 1.6W

29
Disear un amplificador EF clase A usando un par transistor Darlington con
una combinada de 8000 y VBE=1.4V para manejar una carga de 8 con
Rin=5K. Determine todos los valores de los componentes para fl=20Hz,
y encontrar i y Po cuando Vcc=24V.

Icm Icq
v 1 RE 8
R E RL

iRL
v
Re n
i 625
v Re n (1)(5000)
i
RL 8

RCD RE 8
Rca RE P RL 8 P8 4
Vcc 24V
Icq Icq 2 A
RCD Rca 8 4
IB IE IC
1 1 1

Re n RB 1 2( RE P RL)
1 1 1 1 1
0.00003125
5000 RB 8000(8 P8 RB

30
 1
0.0002 1 0.000031251
RB
1
0.00016875 1
RB
1
RB RB 5925.92
0.00016875 1

RB 5925.92
RTM 1 RE 8
T 8000
RTM 1 8.74

VBB RTM 1Ieq VBET (8.74)(2 A) 1.4V

VBB 18.48V

RB 5925.92
R1
VBB 18.48V R1 25771.81
1 1
Vcc 24V

RBVcc (5925.92)(24V )
R2 R 2 7696
VBB 18.48V

Icm 2 RL (2 A) 2 (8)
PLAC PLAC 16W
2 2

Pcc VccIeq (24V )(2 A) Pcc 48W

Pc Pcc PLAC 48W 16W Pc 32W

PLAC 16W
n X 100 X 100 n 33.33
Pcc 48W

Pc 32W
F .M . F .M . 2
PLAC 16W

2 2
1 Icq 1 2 A
Po RL 8 Po 4W
2 2 2 2

31
Disear un amplificador EF clase A usando un par transistor Darlington con
una combinada de 6000 y VBE=1.4V para manejar una carga de 10.El
sistema necesita i=500 para fl=500Hz. Usar este circuito con Vcc=12V.
Determine todos los valores de los componentes para el amplificador y Po.

v 1
Icm Icq
RE RL
RE 10

iRL iRL (500)(10)

v Re n Re n 5000
Re n v 1

RCD RE 10
Rca RE P RL 10 P10 5

Vcc 12V
Icq Icq 0.8
RCD Rca 10 5

IE IB IC
1 1 1

Re n RB 1 2( RE P RL)
1 1 1 1
(0.0000333 1 )
5000 RB (6000)(5) RB

32
 1
0.0002 1 0.0000333 1
RB
1
0.0001666 1
RB
1
RB RB 6000
0.0001666 1

RB
RTM 1 RE
BT

6000
RTM 10 RTM 1 11
6000

VBB IeqRTM 1 VBET (0.8 A)(11) 1.4V

VBB 10.2V

RB 6000
R1
VBB 10.2V R1 40000
1 1
Vcc 12V

RBVcc (6000)(12V )
R2 R 2 7058.82
VBB 10.2V

Icm 2 RL (0.8 A) 2 (10)

PLAC PLAC 3.2W
2 2

Pcc VccIeq (12V )(0.8 A) Pcc 9.6W

Pc Pcc PLAC 9.6W 3.2W Pc 6.4W

PLAC 3.2W
n X 100 X 100 n 33.33
Pcc 9.6W

Pc 6.4W
F .M . F .M . 2
PLAC 3.2W

2 2
1 Icq 1 0.8 A
Po RL (10) Po 0.8W
2 2 2 2

33
Diseese un amplificador ES utilizando un par Darlington que posee una B
combinada de 10000 y una VBE=1.4V: El amplificador debe excitar una
carga de 20 con Ren=3K. Utilcense Vcc= 12V, fl=20Hz y determinese
i y Po.

RE RL
Re n RB P[ 1 2( RE P RL)] 3090
R1 15.0 K
RB (100000) 9.52
3K 1
RB 100000 12
RB 3.09 K 3090(12)
R2 3.87 K
9.52
Vcc 12 3.09 K 1
Icq i X
3090 i 150
Rca RCD 10 20 10 2
10000
Icq 400mA
2 2
1 Icq 1 .4
RB Po RL 20 Po 0.4W
VBB VBE Icq RE 2 2 2 2
1 2
3090
1.4 (400 x103 ) 20
10000 1
VBB 9.52V C1 199 f
2 fl ( RE RL)

34
Disear un amplificador Darlington en configuracin de colector comun
con una T = 10000, VBRQT = 1.4V, RL=20, Rin= 3K, Vcc= 12V.
Calcular la ganancia de corriente y la PLACmax.

iRL
v 1
Rin
vRin 1(3K )
i 150
RL 20

Vcc
Icq 2
RCD Rca
RE RL 20

1
RCD RE 20 mCD
20
Rca RL P RE 10
1
mca
10
12V
Icq 2 Icq 2 400ma
20 10

VT 25mv
hib 2
Icq 2 400ma
hib 2 .0625

35
Rin RB PZx
Zx 2 1 2hib 2 1 2( RL PRE )
Zx 1 2( RL PRE )

Rin RB P 1 2( RL PRE ) 3K
DespejamosRB :
1 1 1
; BT 1 2
Rin RB 1 2( RL PRE )
1 1 1

RB Rin T ( RL P RE )

1 1 1

RB 3K 10000 X 10)
RB 3.09 K

Icq1RB
VBB VBET Icq 2 RE
1
IBQ 2 IEQ1 Icq1

IBQ 2 RB
VBB VBET Icq 2 RE
1
Icq 2 RB
VBB VBET Icq 2 RE
1 2
400maX 3.04 K
VBB 1.4V (400maX .02k )
10000
VBB 9.52V

RB 3.04k I Lm 2 RL
R1 PLAC max
VBB
9.52 2
1 Vcc 1 12 I Em 2 I cm 2 Icq 2 400ma
R1 14.95 K
I cm 2 Icq 2 400ma
RBVcc 3.09 K (12V ) I Lm
R2 2 2 2
VBB 9.52V I Lm 200ma
R 2 3.89 K

(200ma) 2 (20)
PLAC max
2
PLAC max 0.4W

36
Respuesta
A Baja
Frecuencia

37
*Encontrar la magnitud y la fase contra frecuencia de la siguiente funcin de
transferencia:

s
1 10
i ( s) 40
s
1
50
Cuando:
a ) = 10
b) 10
c) 50

a)
j
1 10 1
i ( j ) 40 40
j 1
1
50
i ( s) 40
| i ( s ) |dB 20 log10 40
| i ( s ) |dB 32dB , 0
b)
10
j10
1 10 1 0 j
i ( j ) 40 40
j10 1 0.2 j
1
50
i ( j ) 55.47, 33.69
| i ( s ) |dB 20 log10 55.47
| i ( s ) |dB 34.90dB , 33.69
c)
50
j 50
1 10 1 5 j
i ( j ) 40 40
j 50 1 j
1
50
i ( j ) 144.22, 33.69
| i ( s ) |dB 20 log10 144.22
| i ( s ) |dB 43.18dB , 33.69

38
*Encontrar magnitud y fase:

para:
s 10 s 300 s 4000
i ( s) 104
s 2 s 12 s 2000
cuando =10
10 j 300 j 4000 j
i ( j ) 104
2 j 12 j 2000 j
10 10 j 300 10 j 4000 10 j
i ( j ) 104
2 10 j 12 10 j 2000 10 j
i ( j ) 532956.46, 71.73
| i( s) |dB 20 log10 (532956.46)
| i( s) |dB 114.53dB , 71.73
cuando =300
10 300 j 300 300 j 4000 300 j
i ( j ) 104
2 300 j 12 300 j 2000 300 j
i ( j ) 28042.43, 48.47
| i( s) |dB 20 log10 (28042.43)
| i( s) |dB 88.95dB , 48.47
cuando =4000
10 4000 j 300 4000 j 4000 4000 j
i ( j ) 104
2 4000 j 12 4000 j 2000 4000 j
i ( j ) 12684.61, 22.66
| i( s) |dB 20 log10 (12684.61)
| i( s) |dB 86.06 dB , 22.66
cuando =2
10 2 j 300 2 j 4000 2 j
i ( j ) 104
2 2 j 12 2 j 2000 2 j
i ( j ) 1778285.78, 42.79
| i( s) |dB 20 log10 (1778285.784)
| i( s) |dB 125dB , 42.79

39
cuando =12
10 12 j 300 12 j 4000 12 j
i ( j ) 104
5 12 j 12 12 j 2000 12 j
i ( j ) 454318.43, 73.22
| i ( s ) |dB 20 log10 (454318.43)
i ( s) |dB 113.14 dB , 73.22

cuando =2000
10 2000 j 300 2000 j 4000 2000 j
i ( j ) 104
5 2000 j 12 2000 j 2000 2000 j
i ( j ) 15988.181, 26.85
i ( j ) 84.07 dB , 26.85

40
*Determine la frecuencia de corte inferior para el siguiente circuito, usando los
siguientes parmetros:

CS 10 F C E 20 F CC 1 F
RS 1K R1 40 K R2 10 K R E 2K RC 4 K
RL 2.2 K =100 r0 Vcc=20v

Determinar re para las condiciones de dc:

R E (100)(2 K ) 200 K >10R 2 100 K
El resultado es:
R Vcc 10 K (20 V) 200
VB 2 4V
R2 R1 10K+40K 50
V 4 V-0.7 V 3.3
IE E 1.65 mA
RE 2K 2
Por tanto,
26 mV
re 15.76
1.65 mA
re 100(15.76) 1576 1.576 K
Ganancia en la banda media:
V RC || RL (4 K ) || (2.2 K )
AV 0 90
Vi re 15.76
La impedancia de entrada
Z i Ri R1 || R2 || re
Z i 40 K ||10 K ||1.576 K
Z i 1.32 K
por tanto,
1 1
f Ls
2 ( RS Ri )Cs (6.28)(1K 1.32 K )(10 F )
f Ls 6.86 Hz

41
CC :
1
f LC
2 ( RC RL )CC
1

(6.28)(4 K 2.2 K )(1 F )

f LC 25.68Hz

CE :
RS RS || R1 || R2 1K || 40 K ||10 K 0.889 K
RS 0.889 K
Re RE || ( re ) 2 K || ( 15.76)
100
2 K || (8.89 15.76) 2 K || 24.65 24.35
1 1 106
f LE 327 Hz
2 ReC E (6.28)(24.35)(20 F ) 3058.36

42
*Encontrar la magnitud y fase de la ganancia de corriente en funcin de la frecuencia.

hie 1K
200

RB R1 || R2 1K ||1.5 K 0.6 K
hie 1K
hib
hfe 1 200 1
hib 4.97
RB 600
im
RB 600
hib 4.97
hfe 1 200 1
im 75.37
RB 600
Re qCe RE || hib 100 || 4.97
hfe 1 200 1
Re qCe 100 || 7.96 7.37
1 1
pce
Ce Re qCe 10 10 F 7.37
6

pce 13568.52 Hz
1 1
ze 1000 Hz
CeRE 10 10 7.37
6

s ze s 1000
i ( s) im
s pce s 13568.52
1000 j 1000 1000 j
i ( j ) 75.37 75.37 j
13568.52 j 13568.52 13568.52
i ( j ) 5.55, 0
| i ( s ) |dB 20 log10 (5.55)
| i ( s ) |dB 14.89 dB , 0

*Encontrar Magnitud y fase:

43
RCD RC RE 1K 60 1060
Rca RC || RL 1K || 1K 0.5 K 500

VCC 20 V
I CQ
RCD Rca 1060 +500
I CQ 12.82mA
IC I B
I C 12.82mA
IB 0.1282mA
100
mVT 26mV
hie 202.81mA
IB 0.1282mA
Rb ' RB || hie RE ( 1)
Rb ' 1000 || [202.81 60(101)]
Rb ' 1000 || 6262.81 862.31
hfe Rb ' ri
im
hie RE ( 1) Rb ' ri
100 (862.31)(10000)
im
202.81 60(101) 862.31 10000
im (0.01596)(793.857)
im 12.675

44
Re qcc1 Rb ' ri 862.31 10000
Re qcc1 10862.31
1
pcc1
(cc1 )(Re qcc1 )
1 1
pcc1 6

(20 10 )(10862.31) 4.603
pcc1 0.217 Hz
s
i ( s) im
s pcc1
s
i ( s) 12.675 s j
s 0.217
0 j 0 0.217 j
i ( j ) 12.675 12.675
0.217 j 0.217 0.217 j
i ( j ) 8.9645
| i ( s ) |dB 20 log10 (8.96) 19.046
| i ( s ) |dB 19.046, 45

para CC2

Re qcc2 RC RL 1000 1000

Re qcc2 2 K
1 1
pcc2
CC2 Re qcc2 10 10 F 2000
6

pcc2 50 Hz
s
i ( s) im
s pcc2
j 0 50 j
i ( j ) 12.67 12.67
50 j 50 50 j
i ( j ) 8.9545
| i( s) |dB 20 log10 (8.95) 19.03
| i( s) |dB 19.03; 45
"Para Ce"
RB 1000
Re qCe RE || hib 60 || 2.008
hfe 1 101
Re qCe 60 || 11.908 9.936

45
 1 1
pce
Ce Re qCe 100 10 F 9.936
6

pce 1006.44 Hz
1 1
ze
Ce RE 100 106 F 9.936
ze 166.66 Hz
Expresion completa
s s s ze
i(s)=im s pce
s+ pcc1 s pcc 2
0 0.217 j 0 50 j 166.66 166.66 j
i ( j ) 12.67
0.217 0.217 j 50 50 j 1006.44 1006.44 j

i ( j ) 12.67 0.707145 0.707145 0.1650
i ( j ) 1.04890
| i ( s ) |dB 20 log10 1.048 0.40
| i ( s ) |dB 0.40, 90

46
Hallar CC1 de modo que la frecuencia de corte sea f L 10 Hz.

hie 1K
100

fL L
2
L 2 f L 2 (10 Hz )
L 62.83 pcc1
Rb ' RB || hie RE ( 1) 500 K || 1K 100(101)
Rb ' 10858.93
Re qcc1 Rb ' ri 10858.93 50 K
Re qcc1 60858.93 60.85 K
1 1
cc1
pcc1 Re qcc1 62.83 60858.93
cc1 261.5nF

47
48
Encontrar CC1 cuando L 5 rad seg
hfe 50

L 5 pcc1
I E IC
I
IB C

Vcc I B RB VBE I E RE
I
Vcc C RB VBE I C RE

R
Vcc I C B RE VBE

Vcc VBE 5 0.7
IC
RB 1K
RE 1K
50
I C 4.215mA
I C 4.215mA
IB 0.0843mA
50
mVT 25mV
hie 296.51
I BQ 0.0843mA
Rb ' RB || hie RE ( 1) 1K || 296.51 1K (51)
Rb ' 980.87
Re qcc1 Rb ' ri 980.87 10
Re qcc1 990.87
1
cc1
pcc1 Re qcc1
1
cc1
5 rad seg 990.878
cc1 201.84 F

*Encontrar Magnitud y fase en funcin de la frecuencia:

49
hfe 100
hie 1K

Rb ' RB || hie RE 1 1K || 1K 100 101

Rb ' 917.35
para CC1
hfe Rb ' ri 100 (917.35)(1K )
im
hie RE ( 1) Rb ' ri 1K 100 101 917.35 1K
im 4.31
Re qcc1 Rb ' ri 917.35 1000
Re qcc1 1917.35
1 1
pcc1
CC1 Re qcc1 200 10 1917.35
6

pcc1 2.607 rad seg

s
i ( s) im
s pcc1
j 0 2.607 j
i ( s) 4.31 4.31
2.607 j 2.607 2.607
i ( j ) 3.047, 45
| i ( s ) |dB 20 log10 3.047
| i ( s ) |dB 9.67 dB , 45

50
para CC2
hfeRC ri || RB
im
RC RL ri || RB hie RE 1
100 (1.5K ) (1K ||1K )
im
1.5 K 100 (1K ||1K ) 1K 100(101)
im 93.75 (0.0431)
im 4.04
Re qcc2 RC RL 1.5 K 100
Re qcc2 1.6 K
1 1
pcc2
CC2 Re qcc2 10 10 1600
6

pcc2 62.5
s
i ( s ) im
s pcc2
j 0 62.5 j
i ( j ) 4.04 4.04 2.85, 135
62.5 62.5 j 62.5 62.5 j
| i ( s) |dB 20 log10 (2.85)
| i ( s) |dB 9.11dB , 135
para Ce
hie 1K
hib 9.9
hfe 1 100 1
RB 1K
im
RB 1K
hib 9.9
hfe 1 100 1
im 50.50
RB 1K
Re qce RE || hib 100 || 9.9 16.52
hfe 1 101
1 1
pce 6
3030.3
Ce Re qce (20 10 )(16.528)
1 1
ze 500
CeRE (20 10 6 )(100)
s ze
i ( s ) im
s pce
500 500 j
i ( j ) 50.5 8.33, 0
3030.3 3030 j
| i ( s) |dB 20 log10 (8.33)
| i ( s) |dB 18.4, 0

51
Frecuencia Superior
De Corte

52
 1. Encuentre la frecuencia superior de corte (fh)

Datos:
R1 = 1k RE = 100 hfe = 100
R2 = 10k RL = 1k cbc = 5pf
Ri = 10k Ci, CL, CE = 20uf IEQ = 10mA
RC = 1k Wt = 109 rad/seg rbb = 0

RB R1// R2 1 //10 0.909

R ' L Rc // RL 1 //1 0.5

Ic IE
Ic IE 10mA
IB 0.1mA
100

rb ' e hie
25mV 25mV
hie 250
IBQ 0.1mA

Rb ' e RB // ri rbb ' // rb ' e

0.909 //10 0 // 0.25
Rb ' e 0.833 // 0.25 0.192 192.289

53
gm 40 IEQ 40 10mA 0.4J

CM cb ' c (1 gmR ' L) 5 f 1 (0.4J )(500) 1 f

gm 0.4J
cb ' e 40nf
Wt 10G rad
seg

CT cb ' e CM 40 f 1 f 41 f

1 1 rad
Wh 126.82
Rb ' eCT (192.3)(41 f ) seg

rad
126.82
Wh seg
fh 20.185 Hz
2 2

54
2. Encuentre la frecuencia superior de corte (fh), a partir de los siguientes datos.

Datos:
Ri = 10k RL = 200 rbe = 150 cbe = 200pf gm = 0.51/
RB = 2k Rc >>> RL rbb = 25 cbc = 2pf

Rx ri // RB 10 // 2 1.66

hfe
gm
rb ' e
hfe gmrb ' e 0.5V (150) 75

Rb ' e ( Rx rbb ') // rb ' e (1.66 0.25) // 0.15

Rb ' e 1.91 // 0.15 0.139 139

CM cb ' c (1 gmR ' L ) 2 f 1 0.5(200) 20.2 f

1 1
Wh
Rb ' e(cb ' e CM ) 139 200 f 20200 f
1 rad
Wh 352.659
139(20400 f ) seg

rad
352.659
Wh seg
fh 56.127 Hz
2 2

55
 3. Encuentre la frecuencia superior de corte (fh)

Datos:
R1 = 0.5k RE = 50 hfe = 80
R2 = 5k RL = 1k cbc = 7pf
Ri = 5k Ci, CL, CE = 1uf IEQ = 10mA
RC = 0.5k Wt = 1010 rad/seg rbb = 0

2.5
RB R1// R 2 0.5 // 5 0.454
5.5

Ic IE
Ic IE 10mA
IB 0.125mA
80

500000
R ' L Rc // RL 0.5 //1 333.333 0.333
1500

rb ' e hie
25mV 25mV
hie 200
IBQ 0.125mA

Rb ' e RB // Ri rbb ' // rb ' e

0.454 // 5 0 // 200
2.27 83241.657
Rb ' e // 200 0.416 // 200 135.132
5.454 616

56
gm 40 IEQ 40 10mA 0.4J

CM cb ' c 1 gmR ' L 7 f 1 0.4J 0.333k 939.4 f

gm 0.4J
cb ' e 4 f
Wt 100G

CT cb ' e CM 4 f 939.4 f 943.4 f

1 1 rad
Wh 7844.150
Rb ' eCT 135.132(943.4 f ) seg

rad
7844.150
Wh seg
fh 1.248 Hz
2 2

57
 4. Encuentre la frecuencia superior de corte (fh)

Datos:
R1 = 2k RE = 85 hfe =150, hie =312.5
=rbe
R2 = 7k RL = 2k cbc = 9pf
Ri = 1k Ci, CL, CE = 12uf ICQ = 12mA
RC = 4k Wt = 229 rad/seg rbb = 100

14
RB R1// R 2 2 // 7 1.555
9

8
R ' L Rc // RL 4 // 2 1.333
6

Ic 12mA
IB 0.08mA
150

Rb ' e RB // Ri rbb ' // rb ' e

1.555 //1 100 // 312.5
1555000
Rb ' e 100 // 312.5 708.61 // 312.5
2555
221440.802
Rb ' e 216.862
1021.11

IE Ic
gm 40 IEQ 40(12mA) 0.48J

58
CM cb ' c 1 gmR ' L 9 f 1 (0.48J )(1.333) 5nf

gm 0.48J
cb ' e 0.00218nf
Wt 22G rad
seg

CT cb ' e CM 0.00218nf 5nf 5.002nf

1 1 rad
Wh 921.876
Rb ' eCT 216.862(5.002nf ) seg

rad
921.876
Wh seg
fh 146.721 Hz
2 2

59
5. Encuentre la frecuencia superior de corte (fh), a partir de los siguientes datos.

Datos:
Ri = 5k RL = 100 rbe = 145 cbe = 400pf gm = 0.551/
RB = 1k Rc >>> RL rbb = 20 cbc = 9pf

5
Rx Ri // RB 5 //1 0.833
6

hfe
gm
rb ' e
hfe gmrb ' e (0.55J )(145) 79.75

123.685
Rb ' e ( Rx rbb ') // rb ' e (0.833 20) //145 123.932
0.998

CM cb ' c (1 gmR ' L) 9 f 1 (0.55J )(100) 0.504 f

1 1 rad
Wh 8.9254
Rb ' e(cb ' e CM ) 123.932(400 f 504 f ) seg

rad
8.9254
Wh seg
fh 1.42 Hz
2 2

60
6. Encuentre la frecuencia superior de corte (fh), a partir de los siguientes datos.

Datos:
Ri = 3k RL = 128 rbe = 170 cbe = 350pf gm = 0.611/
RB = 0.75k Rc >>> RL rbb = 15 cbc = 6pf

2.25
Rx Ri // RB 3 // 0.75 0.6
3.75

hfe
gm
rb ' e
hfe gmrb ' e (0.61J )(170) 103.7

104.550
Rb ' e ( Rx rbb ') // rb ' e (0.6 15) //170 133.184
0.785

CM cb ' c (1 gmR ' L) 6 f 1 (0.61J )(128) 0.047 f

1 1 rad
Wh 9.106
Rb ' e(cb ' e CM ) 133.184(350 f 0.047 f ) seg

rad
9.106
Wh seg
fh 1.44 Hz
2 2

61
Respuesta
A Alta
Frecuencia

62
PROBLEMA1

ri 10k rbb 25
cb c 2 pf gm 0.5v RB 2 K
rb e 150 cbe 200 pf RL 200

Encontrar:
fh, im, f , fT
1 1
f
2 rb ecb e 2 150 200 *1012 F

f 5.305MHz
hfe
gm
rb e
hfe gmrb e 0.5J 150 75
fT f hfe 5.305MHz 75
fT 397.875MHz

63
hie rbb rb e 25 150
hie 175
hib 2.302
hfe 1 76
RB
im
RB
hib
hfe 1
2000
im
2000
2.302
76
im 69.88
h
fh
2
RL RC P RL 200

CM cbc 1 gmRL 2 pf 1 0.5J 200

CM 202 pf

Rb e RB P ri rbb P rb e
Rb e 2000 P10000 25 P150
Rbe 137.78

CT cbe CM 200 pf 202 pf 402 pf

1 1
h
Rb eCT 137.78 402 *1012 F
rad
h 18.054 *106
seg

rad
18.054 *106
h seg
fh
2 2
fh 2.83MHz

64
PROBLEMA 2

ri 10k rbb 25 cbc 2 pf gm 0.5V

RB 2k rb e 150 cb e 200 pf RL 200
Encontrar:
fh, f , f

10k 2k
Rx 1.66 *103
10k 2k

hfe
gm
rbe

hfe gmrb e 0.5V 150 75

gm 0.5
IE 0.0125
40 40
0125
IB . 166.66mA
75
25mV
hie 150
166.66mA

65
 Rbe Rx rbb P rbe
Rb e 1.66 *103 25 P150
Rbe 137.78

CM cb c 1 gmRL
CM 2 pf 1 .5v 200 2.02 *10 10 F
1 1
h
Rbe cbe CM 137.78 200 pf 2.02 *10 10
rad
h 18.054 *106
seg

h 18.054 *106
fh
2 2
fh 2.87 MHz

1 1
f
2 rb ecb e 2 150 200 pf

f 5.3*106 Hz

f f B hfe 5.3*106 Hz 75
fT 397.88MHz

66
PROBLEMA 3

rad
t 104 hfe 100 cb c 5 pf
seg
rbb 0 rb e 250 IEQ 10mA

Encontrar :
im, CM , CT

I EQ I CQ
I CQ 10mA
I BQ 0.1mA
100

25mV 25mV
hie
I BQ 0.1mA
hie 250

hie 250
hib
hfe 1 101
hib 2.47

67
 RB R1 P R2 1K P10 K
RB 909.09

RB 909.09
im
RB 909.09
hib 2.47
hfe 1 101
im 79.25

RL RC P RL 1K P1K 500

gm 40 I EQ 40 10mA 400mV

CM cbc 1 gmRL 5 pf 1 0.4J 500

CM 1005 pf

Rb e RB P ri rbb P rb e 909.09 P10k P 250

Rb e 833.33

gm 0.4
cb e 4 F
t 1*104

CT cb e CM 4 F 1005 pF
CT 4.001 F

68
PROBLEMA 4

RS 1k R E =2k R C =4k
RL 2.2k CS 10 F CC 1 F
CE 20 F
Encontrar :
fh, fT , f

RT RS P R1 P R2 P Ri
RT 1k P 40k P10k P1.32k
RT 0.531k

Ci CW Cbe 1 90 4 pf
Ci 6 pf 36 pf 1- -90 4 pF
Ci 406 pF

1 1
fh
2 RT Ci 2 .531k 406 pF
fh 738.24kHz

1 1
f
2 re Cbe Cbc 2 100 15.76 40 pF
f 2.52 MHz

f f 100 2.52 MHz

fT 252 MHz

69
PROBLEMA 5

gm 3.3mS
RD 1.8 *103

Calcular la capacitancia Miller

1 1
rs 303
gm 3.3*103

RD 1.8 *103
v 5.94
rs 303

CM 1 v Cgd 1- -5.94 3 pF
CM 20.82 pF

70
Circuito Diferencial
Con
Fuente De Corriente

71
1.- CIRCUITO DIFERENCIAL

Silicio
hfe1 hfe2 100
CMRRdB ?

VCC 6V
VCB1 3V
2 2

VCC ICRC1 VCB1 IB 5mA

VCC VCB1
IC
RC1

6V 3V
IC
6K

IC 0.5mA

IC
IB

0.5mA
IB
100

IB 5mA

mVT
hie
IB

25mV
hie
5mA

hie 5K

72
 1
IEE IE1 IE2 IE1 IE2 IE IC ( )

1
IEE 2 IE1 2 IC ( )

101
IEE 2 0.5mA
100

IEE 1.01mA

hfeRc1
Vd
hie1

100 6 K
Vd
5K

Vd 120

hfe Rc1 2 2 K
Vc
hie 2 REE 1 0.1K

100 6 K 4 K
Vc
5 K 2 5.25 K 101 0.1K

Vc 0.938

Vd
CMRRdB 20 log10
Vc

120
CMRRdB 20 log10
0.938

CMRRdB 42.135dB

73
2.- CIRCUITO DIFERENCIAL

hfe1,2,3,4 100
Silicio, RRMC ?

6V VBE1 VBE2 VEE

6V 0.7 0.7 IEEREE

6V 1.4V
IEE
4.7 K

IEE 0.978mA

IEE IE
IE2 IB1
1
2
2

0.978mA 0.489
IE2 IB1
101
2
2

IE2 0.489mA IB1 0.047 mA

25mV 25mV
hie1 hie2
0.047 mA 0.0048

hie1 531.91K hie2 5.2 K

74
Modo diferencial

hfe 2 RC1
Vd
hie1 hie2 1

100 6.2
2

Vd
531.9 5.2(101)

Vd 58.65

Modo comn

hfe 2 RC1
Vc IEE 2.02mA
hie1 hie2 2 REE 1

1002 6.2 K
Vc
531.9 5.2 2 4.7 101

Vc 30.89

58.65
RRMC dB 20 log
30.89

RRMC dB 5.56dB

75
3.-CIRCUITO DIFERENCIAL

1
VCB1 VCB2 VCC
2

IC1 IC2 1mA

hfe1 hfe2 100 Silicio

Calcular : RC1 , RC2 , REE

VCB1 VCB2 1/ 2VCC

VCB1 VCB2 1/ 2 15V
VCB1 VCB2 7.5V

VCC VRC1 VCB1

VCC IC1 RC1 VCB1

VCC VCB1
RC1
IC1

15V 7.5V
RC1
1mA

RC1 RC2 7.5K

IEE IE1 IE2

IEE 2 IE1

1
IEE 2 IC1

101
IEE 2 1mA
100

IEE 2.02mA

76
15V VBE IEE ( REE )

15V 0.7V
REE
2.02mA

REE 7.08 K

hfeRC1 hfeRC1
Vd Vc
hie1 hie1 2 REE ( 1)

(100)(7.5 K ) (100)(7.5 K )
Vd Vc
2.5K 2.5 K 2(7.08 K )(101)

Vd 300 Vc 0.5235

300
CMRRdB 20 log
0.5235

CMRRdB 55.16dB

77
4.- CIRCUITO DIFERENCIAL

Silicio
hfe1 hfe2 100
RRMCdB ?

12V IC (10 K ) VCB VBE IE (10.6 K ) VCB 1/ 2VCC

IE IC
12V IC (10 K ) VCC / 2 VBE IC (10.6 K )

12V IC (20.6 K ) VCC / 2 0.7V

12V IC (20.6 K ) 3V 0.7V

12V 3.7V
IC
20.6 K

IC 0.4462mA 0.5mA

IC
IB

0.4462
IB
100

IB 0.004462mA 5mA

mVT
hie
IB

25mV
hie
0.004462mA

hie 5.602 K 5

78
RC1 RC2 62.5K IEE IE1 IE2

1
IEE 2 IE 2 IC

101
IEE 2 IE 2 0.4462mA
100

IEE 0.9014mA

hfeRC1 hfe( RC1 2(2 K )

Vd Vc
hie1 hie1 2 REE ( 1) 0.1K

(100)(6 K ) (100) 6 K 2 2 K
Vd Vc
5.602 K 5.602 K 2(5.25 K )(101) 0.1K

Vd 107.104 Vc 0.9379

Vd
CMRRdB 20 log
Vc

107.104
CMRRdB 20 log
0.9379

CMRRdB 41.15dB

79
5.- MULTIETAPA DIFERENCIAL

VCC 15V

VEE 15V

IC1 IC2 0.1mA

T1 , T2 VCB1 VCB2 1/ 2VCC
hfe hfe 50
1 2

IC3 IC4 1mA

T1 , T2 VCB3 VCB4 1/ 2(VCC VB3 )
hfe hfe 50
3 4

Calcular : RC1 , RC2 , RC3 , RC4

REE1 , REE2
RRMCdB ?

IC3
IB3

1mA
IB3
50

IB3 0.02mA

ICT IC1 IB3 0.1mA 0.02mA

ICT 0.12mA

VCB1 1/ 2VCC 1/ 2(15V )

VCB1 7.5V

VCE VCB VBE 7.5V 0.7V

VCE 8.2V

80
 15V VCB1
RC1
ICT

15V 7.5V
RC1
0.12mA

RC1 RC2 62.5K

1
IEE1 2 IE1 2 IC

51
IEE1 2 IE1 2 0.1mA
50

IEE1 0.204mA

15V VBE1 IEE1 REE1

15V 0.7V
REE1
0.204mA

REE1 70.09 K

VB3 VCB1 7.5V

VCB3 1/ 2(VCC VB3 )

VCB3 1/ 2(15V 7.5V )

VCB3 3.75V

1
IEE2 2 IE3 2 IC3

51
IEE2 2 IE3 2 1mA
50

81
IEE2 2.04mA

30V ICT RC1 VBE3 IEE2 REE2

30V (0.12mA)(62.5 K ) 0.7V 2.04mAREE2
30V 7.5V 0.7V 2.04mAREE2
30V 8.2V 2.04mAREE2
30V 8.2V
REE2
2.04mA

REE2 10.68 K

VCE3 VCB3 VBE 3.75V 0.7V

VCE3 4.45V

30V IC3 RC3 VCE3 IEE2 REE2

30V (1mA) RC3 4.45V (2.04mA)(10.68 K )
30V 1mARC3 4.45V 21.78V
30V 1mARC3 26.23V
30V 26.23V
RC3
1mA

RC3 RC4 3.77 K

hfeRC1 (50)(62.5K )
VdT 1,T 2
hie1 12.5K

VdT 1,T 2 250

25mV 25mV
hie1
IB1 0.1mA

50

hie1,2 12.5K

hfeRC1
VcT 1,T 2
hie1 2 REE1 ( 1)

82
 (50)(62.5)
VcT 1,T 2
12.5K 2(70.09 K )(51)

VcT 1,T 2 0.4363

Vd
RRMCdB (T 1,T 2) 20 log
Vc

250
RRMCdB (T 1,T 2) 20 log
0.4363

RRMCdB (T 1,T 2) 55.16dB

25mV 25mV
hie3,4
IB3 0.02mA

hie3,4 1.25 K

hfeRC3
VdT 3,T 4
hie3

(50)(3.77 K )
VdT 3,T 4
1.25 K

VdT 3,T 4 150.8

hfeRC3
VcT 3,T 4
hie3 2 REE2 ( 1)

(50)(3.77 K )
VcT 3,T 4
1.25 K 2(10.68 K )(51)

VcT 3,T 4 0.1728

Vd
RRMCdB (T 3,T 4) 20 Log
Vc

83
 150.8
RRMCdB (T 3,T 4) 20 Log
0.1728

RRMCdB (T 3,T 4) 58.81dB

RRMCTOT RRMCdB (T1 ,T2 ) RRMCdB (T3 ,T4)

RRMCTOT 55.16dB 58.81dB

RRMCTOT 113.97 dB

6.-CIRCUITO DIFERENCIAL

84
 Silicio
hfe1 hfe2 100
CMRRdB ?

VCC 8
VCB1 4V
2 2

VCC ICRC1 VCB1

VCC VCB1
IC
RC1

8V 4V
IC
10 K

IC 0.4mA

IC 0.4mA
IB
100

IB 4mA

mVT 25mV
hie 6.25 K
IB 4mA

1
IEE IE1 IE2 IE1 IE2 IE IC

1
IEE 2 IE1 2 IC

101
IEE 2 0.4mA
100

IEE 0.808mA

hfeRC1 (100)(10 K )
Vd 160
hie1 6.25K

85
 hfe RC1 2(2 K )
RRMCTOT 113.97 dB Vc
hie1 2 REE ( 1) 0.1K

100 10 K 4 K
Vc
6.25 2(7.25 K )(101) 0.1K

Vc 179.16

Vd
CMRRdB 20 log10
Vc

160
CMRRdB 20 log10
179.16

CMRRdB 0.9829dB

7.-CIRCUITO DIFERENCIAL

86
 VCB1 VCB2 1/ 2VCC
IC1 IC2 3mA
hfe1 hfe2 100
Silicio
calcular : RC1 , RC2 , REE , CMRRdB ?

VCB1 VCB2 1/ 2VCC

VCB1 VCB2 1/ 2(25V ) 12.5V

VCC IC1 RC1 VCB1

VCC VCB1 25V 12.5V

RC1
IC1 3mA

RC1 RC2 4.16 K

IEE IE1 IE2

IEE 2 IE1
1
IEE 2 IC

101
IEE 2 3mA
100

IEE 6.06mA

VCC VBE IEEREE

87
 VCC VBE 25V 0.7V
REE
IEE 6.06mA

REE 24.88K

IC 3mA
IB 0.03mA
100

mVT 25mV
hie 833.3K
IBQ 0.03mA

hfeRC1 hfeRC1
Vd Vc
hie1 hie1 2 REE 1

(100)(4.16 K ) (100)(4.16 K )
Vd Vc
833.3K (833.3) 2(24.88)(101)

Vd 0.4992 Vc 99.35

Vd
CMRRdB 20 log
Vc

0.4992
CMRRdB 20 log
99.35

CMRRdB 14.02dB

8.-CIRCUITO DIFERENCIAL

88
 Silicio
hfe1 hfe2 100
CMRRdB ? VCC=12V,-12V

VCC 12V
VCB1 6V
2 2

VCC ICRC1 VCB1

VCC VCB1 12V 6V

IC 1.2mA
RC1 5K

IC 1.2mA
IB 0.012mA
100

mVT 25mV
hie 2.08 K
IB 0.012mA

1
IEE IE1 IE1 IE1 IE2 IE IC

1
IEE 2 IE1 2 IC

101
IEE 2 1.2mA
100

IEE 2.424mA

hfeRC1 hfeRC1
Vd Vc
hie1 hie1 2 REE 1 0.1K

89
 (100)(5 K ) (100)(5 K )
Vd Vc
2.08 K 2.08 K 2(5.25 K )(101) 0.1K

Vd 240.38 Vc 154.32

Vd
CMRRdB 20 log
Vc

240.38
CMRRdB 20 log
154.32

CMRRdB 3.845dB

FORMULARIO

90
 I CM 2 RL I cm 2 RL
PLAC PLAC max
2 2

PCC VCC I CQ R2
i
R2
2 RL
PLAC
% 100
P
CC
2VBEQ R2
R1
PC PCC PLAC VCC 2VBEQ

RB VCC 2
R1 PLAC max
VBB 8 RL
1
VCC
VCC 2
RBVCC PCC max
R2 2 RL
VBB

VCC 2
PC PC max
F .M . 4 2 RL
PLAC

RL R2
a N1 / N 2 Rin
R2
2 RL

RL a 2 RL

Rb ' RB P hie RE 1
iL iL ib
i
ii ib ii
hfe Rb ' ri
im
iL hie RE 1 Rb ' ri
a
ib
1
pcc1
ib RB cc1 Re qcc1

ii RB hie RL
s
i s cc im
mVT s pcc1
1

hie
I CQ
s j

91
i s dB 20 log10 i j

hfeRC ri P RB
im
RC RL ri P RB hie RE ( 1)

Re qcc2 RC RL

1
pcc2
CC2 Re qcc2

s
i s cc im
s pcc2
2

hie
hib
hfe 1

RB
im
RB
hib
hfe 1

RB
Re qCE RE P hib
hfe 1

1
P ce
Ce Re qce

1
ze
CeRE

s ze
i s ce im
s pce

s s s ze
i s im
s pcc1 s pcc 2 s pce

hie rbb ' rb ' e

 hie
hib
hfe 1

25mV
hie rb ' e
I BQ

RB
im
RB
hib
hfe 1
1 1
f
2 rb ' e cb ' e 2 rb ' e cb ' e cb ' c

fT f hfe
h
fh
2
T hfe
Rb ' e RB P ri rbb ' P rb ' e

1
1
rb ' e cb ' e cb ' c
i'L Rb ' e cb ' e CM RC
i gmRb ' e
ii ' 1 sRb ' e cb ' e CM RC RL
hfe
gm
rb ' e

gm 40 I EQ i s dB 20 Log10 i j

gm L
cb ' e fL
T 2
RB P ri
ARM hfeRC
rb ' e hie RB P ri RC RE 1

CT cb ' e CM hfeRc1
Vd
hie1
CM cb ' c 1 gmR 'L
hfe 2 RC1
Vc
R 'L RC P RL hie1 hie2 2 REE 1

1 Vd
h CMRRdB 20 log10
Rb ' eCT Vc