Estudios de Compatibilidad Electromagnética de Emisión de Circuitos Integrados Sobre Célula Gtem

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA
PROYECTO FIN DE CARRERA
ESTUDIOS DE COMPATIBILIDAD
ELECTROMAGNTICA DE EMISIN DE CIRCUITOS
INTEGRADOS SOBRE CLULA GTEM
JOS ENRIQUE CASTRO ABAD

SEVILLA, 2007
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA
PROYECTO FIN DE CARRERA
ELECTROMAGNTICA DE EMISIN DE CIRCUITOS
INTEGRADOS SOBRE CLULA GTEM
JOS ENRIQUE CASTRO ABAD

SEVILLA, 2007
AGRADECIMIENTOS
Este proyecto no hubiera sido posible sin la colaboracin y el apoyo de muchas

personas.
Me gustara empezar agradeciendo a Monsieur Mohamed Ramdani, profesor e
investigador, la oportunidad de conocer el mundo de la investigacin y de trabajar en el
seno de su laboratorio de Investigacin Aplicada en Electrnica en ESEO (cole Suprieur
dElectronique de lOuest) en Angers(Francia).
Agradecer fuertemente a mis compaeros de bureau, Adil Elabbazi y Nawaz
Burokur, doctorandos entonces, y Germain Bellanger por su ayuda tcnica, por su
compaerismo y por tratarme como un miembro ms de ESEO.
Adems gracias a todo el personal de ESEO por su buen humor, mejor trato y
acogida que me dieron en su Escuela.
Ya en Espaa, gracias a Alejandro Carballar, mi tutor, por su apoyo en estos aos de
carrera, por los consejos que me enviaba a Francia y por esas tertulias de ptica.
Y por supuesto, como no, a los grandes artfices de que hoy pueda entregar mi
proyecto fin de carrera y con ello terminar mi segunda carrera, que no son otros que mis
padres, que han soportado, algunas veces mejor que otras, tantos aos de libros y de
estudios. Aunque no pueda asegurar que no siga estudiando
Muchas gracias de corazn a todos.
ESEO, COLE SUPRIEUR DINGNIEURS
Este proyecto ha sido realizado en el Laboratorio de Investigacin Aplicada en

Electrnica de ESEO, cole Suprieur dElectronique de lOuest, que se encuentra en Angers,
Francia, teniendo como tutor a Mohamed Ramdani, profesor e investigador de dicho centro.
Imagen del exterior de ESEO
ESEO, creado en 1956, es un centro superior de enseanza de ingeniera privada de

reconocido prestigio en Francia. El centro forma a ingenieros en electrnica, informtica y
telecomunicaciones. ESEO ha diplomado a ms de 3500 ingenieros, saliendo cada ao 150.
Los cursos de formacin constan de cinco aos en la escuela asegurando una formacin
integral y pluridisciplinar, ofreciendo a los estudiantes la opcin de elegir entre los dominios
siguientes:
- Sistemas embarcados y automatismos
- Microelectrnica, microondas aplicadas a las comunicaciones
- Informtica, redes y telecomunicaciones
- Tratamiento de seal
- Biomedicina
INDICE
Lista de Abreviaturas ................................................................................................................... 5

Introduccin.................................................................................................................................. 6
MEMORIA .......................................................................................................................8
CAPTULO I ESTUDIOS DE COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNTICA ..............................................9
I.- Compatibilidad electromagntica ................................................................................... 10
II.- Fuentes de perturbacin electromagntica .................................................................. 10
1.- Descargas electrostticas............................................................................................. 10
2.- Cargas inductivas ........................................................................................................... 11
3.- Circuitos Integrados........................................................................................................ 11
4.- Las redes de comunicacin sin hilos ........................................................................... 11
5.- Los telfonos mviles y las estaciones repetidoras asociadas .............................. 12
6.- Las estaciones de radiofrecuencias............................................................................ 12
7.- Los radares........................................................................................................................ 13
III.- Mecanismos de emisin ..................................................................................................... 13
IV.- Comparacin entre medios de medida de susceptibilidad y emisin radiada. .. 14
1.- Los OATS ............................................................................................................................ 14
2.- La sala anecoica ............................................................................................................ 14
3.- La clula TEM.................................................................................................................... 16
4.- La clula 3D TEM.............................................................................................................. 16
5.- La clula GTEM ................................................................................................................ 17
CAPTULO II ........................................................................................................................18
LA CLULA GTEM ...............................................................................................................18
I.- Historia y desarrollo de la Clula GTEM ............................................................................. 19
II. Principio de funcionamiento de las Clulas TEM .......................................................... 19
1.- Clula GTEM y generacin de campo....................................................................... 19
2.- Caractersticas de la clula GTEM............................................................................... 20
2.1.- Terminacin Hbrida ............................................................................................... 20
2.3.- El Apex ...................................................................................................................... 21
3.- Tipos de Medida .............................................................................................................. 22
3.1.- Prueba de inmunidad hasta 18GHz.................................................................... 22
3.2.- Test de emisin ........................................................................................................ 22
CAPTULO III MEDIDAS SOBRE LA CLULA GTEM.....................................................................23
I.- Introduccin............................................................................................................................ 24
II.- Medidas .................................................................................................................................. 25
1.- Emisin radiada por el chip CESAME usando la clula GTEM y TEM.................... 25
A.- Medida de la emisin de cada bloque............................................................... 25
A.1.- Bloque NORM ......................................................................................................... 26
A.2.- Bloque NOR ............................................................................................................. 27
A.3.- Bloque ISO ............................................................................................................... 28
A.4.- Bloque ISV ................................................................................................................ 29
A.5.- Bloque RC ................................................................................................................ 30
A.6.- Bloque GRID ............................................................................................................ 31
A.7.- Bloque SSN............................................................................................................... 32
B.- Conclusiones............................................................................................................... 33
2.- Emisin radiada por los diferentes bloques del chip CESAME usando las
ventanas inferior y superior de la clula GTEM................................................................ 35
2.1.- Segn la orientacin NORTE................................................................................. 36
A.1.- El Bloque NORM...................................................................................................... 36
A.2.- EL Bloque NOR ........................................................................................................ 37
A.3.- El Bloque ISO ........................................................................................................... 37
A.4.- El Bloque ISV ............................................................................................................ 38
A.5.- El Bloque RC ............................................................................................................ 38
A.6.- El Bloque GRID ........................................................................................................ 39
A.7.- El Bloque SSN ........................................................................................................... 39
B.- Conclusiones............................................................................................................... 40
2.2.- Segn la orientacin OESTE .................................................................................. 41
A.1.- El bloque NORM ..................................................................................................... 41
A.2.- El bloque NOR......................................................................................................... 42
A.3.- El bloque ISO ........................................................................................................... 42
A.4.- El bloque ISV............................................................................................................ 43
A.5.- El bloque RC............................................................................................................ 43
A.6.- El bloque GRID........................................................................................................ 44
A.7.- El bloque SSN .......................................................................................................... 44
B.- Conclusiones............................................................................................................... 45
2.3.- Conclusiones generales ........................................................................................ 45
3.- Comparacin entre la emisin radiada por lo diferentes bloques del chip
CESAME medida sobre la clula GTEM ............................................................................ 46
A.1.- Bloque NORM y NOR ............................................................................................. 46
A.2.- Bloque ISO y ISV...................................................................................................... 47
A.3.- Bloque RC y GRID................................................................................................... 47
A.4.- Bloque ISV y RC ...................................................................................................... 48
A.5.- Bloque NORM y RC ................................................................................................ 48
B.- Conclusiones............................................................................................................... 49
A.1.- NORM y NOR........................................................................................................... 50
A.2.- ISO y ISV.................................................................................................................... 51
A.3.- RC y GRID ............................................................................................................... 51
A.4.- ISO y RC.................................................................................................................... 52
A.5.- NORM y RC.............................................................................................................. 52
A.6.- NORM y GRID.......................................................................................................... 53
B.- Conclusiones:.............................................................................................................. 53
4.- Comparacin de la emisin de los bloques del chip CESAME usando la clula
GTEM con una frecuencia de reloj de 30MHz y 15MHz de datos. .............................. 54
A.1.- NORM y NOR........................................................................................................... 54
A.2.- ISO e ISV ................................................................................................................... 55
A.3.- RC y GRID ................................................................................................................ 55
A.4.- NORM y GRID.......................................................................................................... 56
A.5.- NORM y RC.............................................................................................................. 56
B.-Conclusiones................................................................................................................ 57
A.1.- NORM y NOR........................................................................................................... 57
A.2.- ISO e ISV ................................................................................................................... 58
A.3.- RC y GRID ................................................................................................................ 58
A.4.- NORM y RC.............................................................................................................. 59
A.5.- NORM y GRID.......................................................................................................... 59
B.- Conclusiones:.............................................................................................................. 60
III.- Conclusiones Generales:.................................................................................................... 61
Anexo 1: Bibliografa.................................................................................................................. 62
Anexo 2: Modo tem................................................................................................................... 63
1.- Ecuaciones de Maxwell ................................................................................................. 63
2.- Ondas Electromagnticas Transversales (TEM) ......................................................... 64
PLANOS ........................................................................................................................66
1.- PCB ALI.................................................................................................................................... 67
PLIEGO DE CONDICIONES ................................................................................................68

I.- Especificaciones de materiales y equipo......................................................................... 69
1. La clula gtem .................................................................................................................... 69
2. El chip CESAME y la placa ALI......................................................................................... 71
2.1.- Chip CESAME ................................................................................................................ 71
2.2.- Placa ALI ........................................................................................................................ 73
3. Generador de seal........................................................................................................... 74
4. Amplificador ........................................................................................................................ 74
5. Analizador de espectro..................................................................................................... 75
II.- Especificaciones de utilizacin .......................................................................................... 76
1.- Banco de pruebas .......................................................................................................... 76
2.- Especificaciones de la norma [IEC 61967-1].............................................................. 77
3.- Especificaciones de las medidas................................................................................. 77
PRESUPUESTO .................................................................................................................78
I.- Presupuesto............................................................................................................................. 79
LISTA DE ABREVIATURAS
ALI: Nombre dado a la PCB que soporta al chip CESAME,

BNC: British Naval Connector
CEE: Comunidad Econmica Europea,
CEM: Compatibilidad electromagntica,
CESAME: Nombre del circuito integrado bajo anlisis,
DUT: Device Under Test
EMI: Interferencia Electromagntica,
ESEO: Ecole Suprieur d Electronique de lOuest
EST: Equipo bajo test,
FCC: Federal Communications Commission
GTEM: Giga Transverse Electomagnetique,
MEDEA: Micro Electronic Development for Eurepean Application
MESDIE: Microelectronic EMC System Design for High Density Interconnect and high
frequency Environment
OATS: Open area test,
PCB: Print circuit board,
RF: Radio frecuencia,
SAC: Semi-anechoic Chambre (sala semianecoica),
TEM: Transverse Electromagnetique Mode.
5
INTRODUCCIN
El uso extendido de dispositivos electrnicos pequeos y de alta velocidad que

trabajan cerca de otros dispositivos electrnicos y elctricos, as como la explosin de
numerosos y variados dispositivos de comunicacin wireless han dado lugar a problemas
graves de interferencias. Las nuevas tecnologas submicrnicas y la mayor capacidad de
compactacin dentro de los circuitos integrados han hecho que los grandes clientes
tengan la necesidad de dispositivos semiconductores de alta calidad. Es necesario
establecer las condiciones de emisin para encontrar las especificaciones de los sistemas
para la compatibilidad electromagntica.
La miniaturizacin continua, el aumento de las frecuencias de reloj, las transiciones

ms rpidas son fuente de muchos problemas de compatibilidad electromagntica en
diversos sectores, como en el automvil, la aeronutica, el multimedia, las
telecomunicaciones y los equipos de clculo. Los fabricantes de semiconductores estudian
los problemas a nivel de chip para encontrar las mejores soluciones.
Para 2012 se espera en los circuitos integrados corrientes con frecuencias del orden
de los 10 GHz. Este aumento de la frecuencia acarrear muchos problemas, tanto en
compatibilidad electromagntica como en emisiones parsitas. El diseo de sistemas micro-
electrnicos, que no se vean afectados por las interferencias electromagnticas, se ha
convertido hoy en da en uno de los objetivos principales a la hora de disear nuevos
dispositivos.
Con el fin de reducir todas las fuentes de perturbacin y de definir una estrategia
para limitar las interferencias es necesario desarrollar los medios y los mtodos para la
medida de dicha emisin radiada por los componentes.
En este proyecto, se realiza un estudio terico de la compatibilidad

electromagntica y de los diferentes medios de medida con sus ventajas y sus
inconvenientes. Adems se presenta el banco de pruebas de la clula GTEM y el modo
operacional de diferentes medidas, focalizando el estudio sobre la cuestin que ocupa este
trabajo, la emisin radiada. Finalmente, se presentan los diferentes ensayos de emisin
radiada realizados con la clula GTEM y los resultados obtenidos.
6
7
MEMORIA
CAPTULO I
ELECTROMAGNTICA
I.- COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNTICA
La directiva europea define la compatibilidad electromagntica (CEM) como:

La aptitud de un dispositivo, de un aparato o de un sistema a funcionar en su
entorno electromagntico de forma satisfactoria y sin producir por s mismo, perturbaciones
electromagnticas intolerables para todo lo que se encuentra en su entorno [RAMDA04].
Desde enero del 1996, todos los productos electrnicos y elctricos vendidos en la
Comunidad Econmica Europea (CEE) deben tener probada su compatibilidad
electromagntica, con la intencin de que no provoquen demasiadas interferencias
electromagnticas y a la vez, su funcionamiento no se vea afectado por una presencia
elevada de stas.
La CEM surgi de una necesidad a nivel de sistemas, despus descendi a nivel de
PCB y finalmente a nivel de componentes. Respecto a los circuitos integrados, la CEM tiene
por objetivo reducir lo mximo posible la emisin de radiacin electromagntica parsita
inherente a los componentes en una banda de frecuencia lo ms extensa posible.
De la definicin de compatibilidad electromagntica, se observa la necesidad de
diferenciar entre la radiacin recibida y la emitida. El estudio de la primera, que es llamada
susceptibilidad de circuitos integrados, se define como la capacidad para trabajar de la
manera esperada dentro de un entorno electromagntico desfavorable. La segunda, es la
emisin emitida, trata de cunto emite un sistema, una PCB o un componente para saber
como afecta a otros sistemas, PCB o componentes prximos. Estas medidas y su estudio son
de vital importancia hoy en da debido a las altas frecuencias de reloj con las que trabajan
los circuitos integrados.
II.- FUENTES DE PERTURBACIN ELECTROMAGNTICA
En este apartado, se enumeran las principales fuentes de perturbaciones

electromagnticas [BAFF02] que generan emisiones parsitas:
1.- Descargas electrostticas
Este fenmeno aparece cuando dos cuerpos con diferentes cargas se encuentran
prximos. La transferencia de carga puede crear una fuerte corriente. En condiciones
climatolgicas secas, la descarga del cuerpo humano puede generar corrientes de
alrededor de decenas de amperios en tiempos muy cortos. Los transistores MOS pueden ser
destruidos fcilmente por estas corrientes.
10
2.- Cargas inductivas
Son debidas a sistemas que poseen motores. (Figura I.1). En el equipamiento de los
automviles, cada vez hay mayor nmero de motores: limpiaparabrisas, elevalunas, aire-
acondicionado, retrovisor
Figura I.1 : Carga inductiva
3.- Circuitos Integrados
Es la materia de estudio de este trabajo. Debido a su funcionamiento interno cada

vez ms complejo, los circuitos integrados activos (Figura I.2), como los microcontroladores o
micro-procesadores, son causa de emisin no despreciable. Esta forma de emisin es tanto
radiada, como conducida.
Figura I. 2: Componentes
Los niveles de perturbacin emitida pueden alcanzar los milivatios y debido a la

complejidad de los sistemas (variedad de componentes y las altas frecuencias de trabajo),
cubren una banda de frecuencias extensa que aumenta continuamente.
4.- Las redes de comunicacin sin hilos
Son debidas al elevado nmero de sistemas porttiles y embarcados que existen hoy
en da. Emiten diferentes tipos de radiacin dependiendo de la distancia a la que sea
medida. Comunicaciones va Bluetooth o WIFI son ejemplos de ellas. Actualmente
introducen emisiones de decenas de milivatios a frecuencias en torno a 2.5GHz, aunque en
poco tiempo alcanzarn los 5GHz.
11
Figura I.3: Antena WiFi
5.- Los telfonos mviles y las estaciones repetidoras asociadas
Del hecho del nmero de aparatos y de estaciones existentes, son la perturbacin

ms numerosa en el mundo. La potencia emitida por un telfono (Figura I.4) puede alcanzar
un vatio y una antena hasta la centena de vatios.
Figura I.4 Telfono mvil y antena de tipo GSM
Tanto los telfonos como las estaciones trabajan en bandas de frecuencia

centradas en torno a 900MHz (GSM) y a 1.8GHz (UMTS).
6.- Las estaciones de radiofrecuencias
Aunque menos numerosas que las anteriores, tambin estn las antenas de
radiodifusin (Figura I.5) y de teledifusin, las cuales pueden emitir potencia de hasta varios
kilovatios.
Figura I.5: Estacin de radiodiffusion
12
7.- Los radares
Se utilizan en aplicaciones de aviacin, de marina civil, militares, y de meteorologa.

Son las fuentes ms energticas. Trabajan desde frecuencias gamma hasta frecuencias por
encima de los gigahercios.
Figura I.6: Radar
III.- MECANISMOS DE EMISIN
Existen tres mecanismos de emisin parsita [RAMDA04]:

1.- Emisin conducida por las alimentaciones (Fig. I.7 (izquierda)): cuando los circuitos
consumen potencia se producen picos de corriente, de los cules, una parte es atenuada
por las capacidades de desacoplamiento y el resto se propagan hacia el exterior del
circuito por el embalaje y hacia los equipos que estn conectados en ese momento a las
mismas alimentaciones.
2.- Acoplamiento por los contactos de entrada/salida (Fig. I.7 (centro)): son los picos
de corriente que aparecen sobre los pines de alimentacin del circuito integrado debido al
acoplamiento con otros pines de alimentaciones vecinas.
3.- Emisin radiada (Fig. I.7 (derecha)): las fluctuaciones de corrientes sobre las
alimentaciones al igual que las fluctuaciones en el substrato provocan la aparicin de
campos magnticos encima del chip. Estos campos pueden generar perturbaciones sobre
los equipos del entorno por el fenmeno inverso.
1.- Emisin parsita conducida 2.- Emisin conducida por 3.- Emisin radiada
por las alimentaciones contactos acoplados
Figura I.7: Tipos de emisin parsita
13
IV.- COMPARACIN ENTRE MEDIOS DE MEDIDA DE SUSCEPTIBILIDAD Y
EMISIN RADIADA.
A continuacin se presentan las principales caractersticas de los diferentes

dispositivos utilizados en las medidas de susceptibilidad y emisin.
1.- Los OATS
Un OAT (Open Area Test) (Figura I.8) necesita un terreno plano, libre de obstculos
como edificios o vallas.
Figura I.8: OATS
Consta de un mstil de medida, un plano de masa que acta como superficie

reflectora y una mesa giratoria. El DUT (dispositivo bajo estudio) es colocado sobre la tabla
giratoria y se realizan las medidas a diferentes distancias en funcin de la necesidad. La
altura de la antena que recibe la emisin es variable con la ayuda del mstil. Los datos de
la radiacin medida se van almacenando mientras se gira la mesa, se cambia la longitud
de la antena y se cambian la orientacin de los cables del dispositivo.
Debido a las diferentes condiciones, el tiempo, los efectos de la mesa giratoria, la
terminacin del plano de masa, la exposicin a la radiacin del medio ambiente, etc.,
pueden aparecer una gran diferencia entre las medidas. Todos estos inconvenientes
pueden llevar a una gran variabilidad, lo que ha hecho que se utilice la norma ANSI C63.4
1992 para especificar y regular los lmites para la obtencin de medidas fiables.
Los OATS estn bien construidos para la medida de interferencias electromagntica,
aunque fabricar un espacio libre de interferencias es difcil y muy caro, lo que es un
inconveniente aadido a los ya expuestos anteriormente.
2.- La sala anecoica
Son equipos de ensayos de emisin radiada en interior (Figura I.9). La idea es

construir un espacio electromagnticamente aislado con el uso de paredes de acero. La
sala anecoica es como una cmara de Faraday, cuyas paredes estn recubiertas de
14
absorbentes para limitar las reflexiones. Por consecuencia, todas las medidas son realizadas
en un ambiente libre de interferencias que provengan del exterior.
Figura I.9: Esquema de conexin de la sala anecoica
Se cuida especialmente la construccin tanto de las puertas de alimentacin, de las

puertas de ventilacin como de los accesos de los trabajadores para lograr gran
efectividad en las medidas. Adems sobre el techo y los muros se montan unos conos de
poliuretano rellenos de carbono o tejas de ferrita para absorber las posibles reflexiones. Son
efectivos cuando su altura es, como mnimo, un cuarto de la longitud de onda y su objetivo
es aumentar la efectividad del plano de masa.
La norma ANSI C63.4 1992 reconoce a las SAC como medio alternativo a los OATS
para la medida de la emisin.
Aunque las salas anecoicas trabajan correctamente en altas frecuencias ya que no
presentan casi ninguna reflexin y atenan la mayor parte del ruido ambiente, no pueden
atenuar las bajas frecuencias ni eliminar todas las resonancias.
Al principio, se utilizaban para la medida de sistemas completos pero realizando los
cambios adecuados, pueden ser utilizadas para la medida de la emisin de circuitos
integrados. Necesitan de estos cambios debido al dbil acoplamiento de los componentes.
Para obtener mejores resultados en las medidas es necesario aumentar el tamao del
dispositivo a medir. Por esto, se metaliza una cara de la PCB para que trabaje como una
antena.
Los aparatos necesarios para hacer la medida son un generador RF, un amplificador
de potencia que se conecta a una antena de banda ancha que emite un campo
electromagntico. Tambin se usa un indicador de campo para poder controlar la
magnitud del campo sobre el dispositivo bajo estudio.
Por otro lado, hace falta efectuar las medidas segn dos direcciones para probar las
dos polarizaciones (vertical y horizontal). Esto es por la directividad de la antena.
Los costes econmicos y el espacio que ocupan son los grandes inconvenientes
para no adaptar este mtodo a la medida en circuitos integrados.
Tanto los OATS como la sala anecoica adems de la necesidad de antenas, tienen
otro inconveniente y es que necesitan mucho tiempo para realizar las medidas.
15
3.- La clula TEM
La clula TEM (Figura I.10) es fundamentalmente, una seccin de una lnea de

transmisin rectangular con un plano central y extendido llamado septum, aislado
elctricamente de la clula, que recoge las seales emitidas como si fuera una
antena[RAMDA04]. Tiene los extremos acabados en punta para poder utilizar conectores
coaxiales estndares (BNC) y dirigir las seales hacia un analizador de espectro o cualquier
otro aparato de medida apto para el anlisis de dichas frecuencias.
Figura I.10: Clula TEM
Para minimizar las reflexiones en el interior de la clula, presenta una impedancia

caracterstica de 50. Adems, la altura del DUT no puede sobrepasar un tercio de la altura
de la clula, para asegurar que el campo en el interior sea uniforme.
Tambin presenta inconvenientes. El rango de frecuencias est limitado por las tres
partes diferentes de la clula cuyas transiciones provocan modos de alta frecuencia que
afectan a la homogeneidad y a la uniformidad del campo.
La tcnica de medida normalizada [IEC 61967-2] permite la medida de la radiacin
electromagntica de una placa electrnica o de un circuito integrado para frecuencias
hasta los 2 GHz.
4.- La clula 3D TEM
Las pruebas de emisin de radiacin y de inmunidad realizados a bajas frecuencias

necesitan mucho tiempo y presentan problemas de repetibilidad. La clula TEM 3D (Figura
I.11) viene a remediar estos problemas.
Figura I.11 Clula 3D TEM
16
El principio de aplicacin y la forma de trabajar son los mismos que el de la clula
TEM. Est formada por tres clulas TEM.
El objetivo de este medio de ensayo es la caracterizacin tridimensional de un
dispositivo sin tener que cambiar su orientacin y por tanto, independientemente de su sta.
Para hacer un ensayo con una clula TEM hay que cambiar la orientacin. Esto, ocasiona
problemas de repetibilidad debido a la reubicacin de los cables de alimentacin. La
clula TEM 3D mejora el tiempo y la repetibilidad [KLINGER01].
Los buenos resultados con el primer prototipo dieron lugar al nacimiento de la clula
3D. A bajas frecuencias, se comporta como si fueran tres clulas en una, mientras que a
frecuencias altas trabajan como una cavidad resonante.
5.- La clula GTEM
La clula GTEM es un hbrido entre la sala anecoica y la clula TEM. Presenta muchas
ventajas sobre los OATs y las SACs. Principalmente, la clula GTEM se construye para
aumentar la banda de frecuencias de medida con relacin a la clula TEM y a la TEM 3D.
Tiene el mismo principio de funcionamiento que las stas, pero posee absorbentes en su
interior, que cortan las resonancias parasitas a altas frecuencias [ICHELN95]. Aunque el
principio de funcionamiento ser estudiado en profundidad en el siguiente captulo, se
adelantan aqu las principales ventajas de la utilizacin de la clula GTEM:
1.- Ocupa poco espacio en relacin a los OATS y las salas anecoicas.
2.- Tiene un coste aceptable para todas las ventajas que presenta.
3.- Tiene un buen comportamiento en todo el rango de frecuencias de uso y ofrece un buen
blindaje del exterior.
4.- Puede ser utilizada tanto para medidas de emisin como de susceptibilidad.
17
CAPTULO II
LA CLULA GTEM
I.- HISTORIA Y DESARROLLO DE LA CLULA GTEM
La clula GTEM (Gigahertz Transversal Electromagnetic) fue introducida en 1987 por

D. Knigstein y D. Hansen, y patentada en 1989. Supera las limitaciones de la clula TEM
respecto al rango de frecuencias. Permite la medida de emisin radiada desde DC hasta 20
GHZ.
En 1995, la FCC admite la clula GTEM como medio para medir campos
electromagnticos tanto en emisin radiada como en susceptibilidad y son bien aceptadas
por los organismos internacionales de CEM/EMI.
Estn basadas en un concepto hbrido de clula TEM y sala anecoica. Esto es, es una
lnea de transmisin extendida que funciona en modo TEM y est terminada en una carga
hbrida de banda ancha [ICHELN95].
La idea fue evitar los bordes, debido a que stos eran la principal razn para la
limitacin del rango de frecuencias de la clula TEM. La GTEM tiene una seccin cnica que
permite evitar las resonancias en su interior. Se comporta como un filtro paso de baja.
Adems los conductores interior y exterior tienen la misma longitud, hecho que no suceda
en la TEM. Esto significa que el tiempo que las ondas viajan por cada conductor es el mismo,
lo que disminuye la dispersin de los pulsos. Presenta muchas ventajas respecto a otros
mecanismos de medida, como los OATS y los SACs.
II. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE LAS CLULAS TEM
El principio de las clulas TEM es la generacin de un campo uniforme en un entorno

blindado para asegurar un funcionamiento en modo TEM.
1.- Clula GTEM y generacin de campo
En 1987, la aparicin de la clula GTEM permiti la medida de emisin radiada a

frecuencias superiores a 1 GHz. La nueva idea de la GTEM es evitar los bordes que son el
principal problema de la limitacin en frecuencias de la clula TEM. La clula GTEM es una
variante de la tradicional TEM con un rango de frecuencia de trabajo ms amplio. Es una
lnea coaxial cnica, con un extremo de alimentacin, teniendo como dielctrico el aire y
una impedancia caracterstica de 50. La lnea coaxial est terminada por una
combinacin de resistencias discretas y absorbentes de radio frecuencia para lograr una
impedancia adaptada en todo el rango de frecuencias de trabajo. El conductor externo
de la clula est construido por paredes metlicas que proporcionan aislamiento tanto
para los campos externos como internos. La longitud del conductor interior y el exterior son
iguales.
19
Cuando se introducen seales de alta frecuencia, se propagan ondas TEM alrededor
del septum. La impedancia de las ondas de campo es 377 para la propagacin del
modo TEM. La intensidad del campo electromagntico generado es directamente
proporcional al voltaje aplicado y la distancia entre el conductor interior y exterior. La GTEM
da una excelente uniformidad del campo en todo su volumen, como se observa en la
figura II.1.
Figura II.1: Dos vistas de las lneas del campo en el interior de la clula GTEM
2.- Caractersticas de la clula GTEM
En funcin del tamao del dispositivo bajo estudio hay diversas clulas GTEM. Esto es
debido a que el tamao del dispositivo no puede exceder de un cierto lmite para que no
altere la uniformidad del campo en el interior de la clula. Los distintos tamaos y
caractersticas estn expuestos en el pliego de condiciones. Las caractersticas ms
importantes se exponen a continuacin:
2.1.- Terminacin Hbrida
Para evitar la propagacin de modos de altas frecuencias, se utiliza una terminacin

hbrida. El objetivo es obtener una reflexin dbil en la terminacin para minimizar el efecto
de las ondas estacionarias en el campo uniforme dentro del volumen de ensayo. La que
presenta la clula GTEM est formada por un conjunto de resistencias discretas y unas
pirmides absorbentes que constituyen una carga adaptada en todo el rango de
frecuencia. Sin embargo, la adaptacin no es perfecta.
a) Resistores discretos
El principio de funcionamiento de esta terminacin hbrida es la siguiente: hasta

frecuencias de algunos megahercios con una simple resistencia de 50 conectada en la
parte de atrs del conductor central sera suficiente para obtener una carga adaptada. El
problema es que para altas frecuencias, la anchura del conductor no permitira el uso de
una nica resistencia debido a que los efectos capacitivos e inductivos de la conexin a la
pared del fondo produciran reflexiones. Con esto la solucin es conectar un gran nmero
20
de resistores en paralelo entre el conductor central y la pared del fondo, que minimizaran
este efecto.
B) Absorbentes RF
Los absorbentes RF (Figura II.2) para aplicaciones CEM, son hechos de un material
con prdidas los cuales deben absorber las ondas incidentes.
Figura II.2: Vista frontal y lateral de los absorbentes RF
Los absorbentes RF evitan frecuencias parsitas en un rango de frecuencias bien

determinado. Estas frecuencias dependen principalmente de la altura de las pirmides, h, y
de la relacin con la longitud de onda, en la clula es:

h (1)
2
Esta relacin nos da la frecuencia mnima para la cual son efectivas estas pirmides.
2.3.- El Apex
El apex (Figura II.3) es la transicin del cable coaxial de 50 ohmios a la lnea

rectangular de transmisin.
Figura II.3: Apex
Se suele construir lo ms pequeo posible pero lo suficientemente grande para

poder conectar un conector tipo N.
21
3.- Tipos de Medida
Debido a sus caractersticas, con la clula GTEM es posible tanto medidas de la

inmunidad como de la emisin radiada de componentes. La inmunidad de componentes
del coche, ensayos de radio y equipamiento de telecomunicacin, medida de antenas,
medida de la potencia de la portadora, etc. son los ensayos ms significativos donde se
utiliza la GTEM. Este proyecto se centra en el estudio de la emisin de los circuitos integrados.
3.1.- Prueba de inmunidad hasta 18GHz
La ventaja del mtodo de pruebas de la GTEM es que las pruebas EMC cuestan slo
una fraccin del coste de los mtodos convencionales sobre todo para altas frecuencias
donde no son necesarias ni antenas ni salas de pruebas. La solucin GTEM proporciona una
solucin muy efectiva en coste.
Para esta medida, alimentamos la clula por la seccin cnica. Las ondas
transmitidas son esfricas hasta el cuerpo principal de la clula donde son ondas planas.
Aqu el campo es uniforme.
Otra ventaja es que para obtener la misma fuerza del campo electromagntico en
la regin de uniformidad, se requiere una alimentacin mucho ms pequea.
3.2.- Test de emisin
Invirtiendo el principio de aplicacin y sustituyendo el generador de seal de

inmunidad por un analizador de espectro es posible la medida de la emisin de un
dispositivo. La clula funciona como un transductor. Es por esta razn que no se necesita la
presencia de antenas. La puerta de la clula es conectada al aparato de medida
permitiendo la evaluacin de las perturbaciones emitidas. Usando como aparato de
medida un analizador de espectro, ste muestra la emisin del equipo bajo estudio como
un voltaje. El voltaje RF medido en el punto de alimentacin de la clula esta relacionado
con la radiacin electromagntica emitida por el circuito integrado.
22
CAPTULO III
MEDIDAS SOBRE LA CLULA GTEM

I.- INTRODUCCIN
El objetivo de este proyecto es la puesta en marcha y la comprobacin del buen

funcionamiento de la clula GTEM 250 de Schaffner (Figura I.1) mediante la realizacin de
diferentes ensayos.
Figura I.1: La clula GTEM 250 de Schaffner
En este captulo se presentan y exponen todos los ensayos realizados en el

laboratorio, las medidas y los datos obtenidos con sus grficas correspondientes y las
conclusiones extradas de todos ellos. Para la realizacin de estos ensayos se ha seguido la
norma IEC 61697-2 en el marco de la emisin radiada.
Para comprobar todo esto, se hace una comparativa entre las medidas recogidas
haciendo uso de la clula GTEM y de la TEM, la influencia de la orientacin del circuito, la
influencia de la tensin aplicada al circuito y de la frecuencia, analizando como afectan las
caractersticas y limitaciones de los aparatos con los que se ha contado.
24
II.- MEDIDAS
1.- Emisin radiada por el chip CESAME usando la clula GTEM y TEM.
En este primer ensayo se realiza la comparacin entre la emisin del circuito

integrado CESAME medida sobre la clula GTEM y TEM. La clula TEM utilizada para la
medida de la radiacin del circuito integrado es la clula mostrada en la figura II.2 y ha sido
fabricada en el seno del laboratorio de investigacin IETR (Linstitut dlectronique et de
tlcommunications de Rennes) del INSA (Instituto Nacional de Ciencias Aplicadas) de
Rennes y el laboratorio CEM del ESEO (Escuela Superior de Electrnica del Oeste) de Angers.
Figura II.1: Clula TEM
A.- Medida de la emisin de cada bloque
A continuacin, se muestran las grficas agrupadas por bloques, que representan la

emisin sobre la clula GTEM, sobre la TEM y la comparacin entre los dos, todas segn la
orientacin NORTE. En las dos primeras curvas de cada bloque, se representa en verde el
ruido y en rojo las seales obtenidas de hacer la medida segn las normas IEC61967-1 y
IEC61967-2. La tercera curva representa la comparacin entre la emisin de la clula GTEM
y la TEM despus de haberles restado la seal de ruido.
Alimentamos el circuito mediante dos seales cuadradas unipolares de amplitud 1.8
v, una para el reloj exterior a 50MHz y otra para los datos a 25 MHz. Estos son los valores
mximos de frecuencia que se pueden alcanzar en el laboratorio.
Las curvas se representan hasta 1.3 GHz, que es la mxima frecuencia de trabajo del
amplificador, ya que por encima de sta no se aprecia seal.
25
A.1.- Bloque NORM
En la figura II.2 se muestran las curvas de la emisin del bloque NORM medidas
usando la clula GTEM y la TEM, y la comparacin entre ambas.
Figura II.2: Comparacin de la emisin del bloque NORM sobre clula GTEM y TEM
Se observa que para las dos clulas las curvas obtenidas tienen la misma envolvente,
y que se produce una emisin ms importante a frecuencias bajas. La amplitud mxima
alcanza 33 dBV para la GTEM y 36 dBV para la TEM. En la banda de 600 a 900 MHz se
constata una disminucin de la emisin. En los alrededores de 900 MHz, aparece una
emisin importante que es debido a la red GSM. Esto parece afectar a ambas clulas por
igual, si bien en la GTEM est ms localizado.
26
A.2.- Bloque NOR
En la figura II.3 se muestran las curvas de la emisin del bloque NOR medidas usando
la clula GTEM y la TEM, y la comparacin entre ambas.
Figura II.3: Comparacin de la emisin del bloque NOR sobre clula GTEM y TEM
Se observa como la envolvente de las curvas para ambas clulas es bastante similar,
Pueden adems observarse como la emisin a mltiplos de la frecuencia de reloj alcanzan
valores ms elevados en la GTEM, mientras que son mayores en la TEM para mltiplos de la
frecuencia de datos. Tambin para la TEM el modo ms importante es el tercero de la
frecuencia da datos.
La emisin es ms importante a bajas frecuencias y va decayendo para valores
superiores. Alrededor de 900 MHz, se observa un pico de frecuencia importante debido a la
emisin de la red GSM.
27
A.3.- Bloque ISO
En la figura II.4 se muestran las curvas de la emisin del bloque ISO medidas usando
Figura II.4: Comparacin de la emisin del bloque ISO sobre clula GTEM y TEM
Se puede observar en las dos primeras curvas, que ambas poseen la misma
envolvente, aunque los picos a frecuencias mltiplos del reloj son ms fuertes para la GTEM.
La emisin es ms importante a bajas frecuencias. La amplitud mxima alcanza 35
dBV para la GTEM y 43 dBV para la TEM (el tercer mltiplo de la frecuencia de datos). En
la banda 600 MHz - 900 MHz se comprueba una disminucin de la emisin. Alrededor de 900
MHz, aparece un pico importante a la frecuencia de emisin de la red GSM.
28
A.4.- Bloque ISV
En la figura II.5 se muestran las curvas de la emisin del bloque ISV medidas usando la
clula GTEM y la TEM, y la comparacin entre ambas.
Figura II.5: Comparacin de la emisin del bloque ISV sobre clula GTEM y TEM
Se observa que para las dos clulas las curvas tienen una envolvente similar, si bien
hay una diferencia de 20 dBV a 75MHz. La emisin es ms importante a frecuencias bajas.
La amplitud mxima alcanza los 36 dBV para la GTEM y 40 dBV para la TEM. En la banda
de 600 MHz a 900 MHz se comprueba una disminucin de la emisin. Alrededor de 900 MHz,
aparece un pico importante de frecuencia debido a la emisin de la red GSM.
29
A.5.- Bloque RC
En la figura II.6 se muestran las curvas de la emisin del bloque RC medidas usando la
clula GTEM y la TEM, y la comparacin entre ambas.
Figura II.6: Comparacin de la emisin del bloque RC sobre clula GTEM y TEM
Para el bloque RC, se observa que ambas clulas presentan la misma envolvente
para frecuencias altas, mientras que a frecuencias bajas el emisin a la frecuencia de reloj
(50MHz) es ms mayor (unos 15 dBV) en la GTEM que en la TEM. Tambin se puede
observar como para sta, se produce mayor emisin (unos 15 dBV) a la frecuencia de
datos. La emisin ms importante aparece a frecuencias bajas. La amplitud mxima
alcanza los 34 dBV para la GTEM y 40 dBV para la clula TEM.
En la banda de 600 MHz a 900 MHz se comprueba una disminucin de la emisin.
Alrededor de 900 MHz, hay un pico importante debido a la red GSM.
30
A.6.- Bloque GRID
En la figura II.7 se muestran las curvas de la emisin del bloque GRID medidas usando
Figura II.7: Comparacin de la emisin del bloque GRID sobre clula GTEM y TEM
Se observa que las curvas para las dos clulas tienen la misma envolvente, si bien a
bajas frecuencias hay diferencias de 10 dBV entre una y otra. Sucede lo mismo que en los
anteriores casos, a frecuencias mltiplos del reloj hay mayor emisin en la GTEM y en los
mltiplos de datos es mayor en la TEM.
La emisin es ms importante a bajas frecuencias. La amplitud mxima alcanza 35
dBV para la GTEM y 42 dBV para la clula TEM. En la banda de 600 MHz a 900 MHz se
observa una disminucin de la emisin. Alrededor de 900 MHz, aparece un pico importante
debido a la red GSM.
31
A.7.- Bloque SSN
En la figura II.8 se muestran las curvas de la emisin del bloque SSN medidas usando
la clula GTEM y la TEM, y la comparacin entre ambas
Figura II.8: Comparacin de la emisin del bloque SSN sobre clula GTEM y TEM
Se observa, para ambas clulas, como las curvas poseen la misma envolvente y que
la emisin ms importante se produce a bajas frecuencias. La mayor diferencia entre
ambas se produce a 75MHz, con un valor de 13 dBV mayor en la TEM. La amplitud mxima
alcanza los 43 dBV para la clula TEM y 33 dBV para la GTEM. En la banda de 600 MHz a
900 MHz se observa una disminucin de la emisin. Alrededor de 900 MHz, aparece un
importante pico de emisin debido a la red GSM.
32
B.- Conclusiones
Despus de realizar estos ensayos y analizar las grficas obtenidas de la emisin

medida con la clula GTEM y la TEM, se pueden extraer varias conclusiones:
1.- Para todos los bloques, existe una buena correspondencia entre la medida sobre
GTEM y sobre TEM. Esta correspondencia era esperada ya que la distancia entre el septum y
el circuito bajo estudio en las dos clulas es el mismo y la medida de la emisin depende de
esta distancia. Las pequeas diferencias de amplitud observadas pueden ser debidas a que
el septum de la clula GTEM no est colocado paralelamente al circuito debido a la
asimetra de la GTEM.
2.- Hasta 100 MHz se observa para todos los bloques que los valores de la tensin
medida a la frecuencia de datos y sus mltiplos son ms fuertes en la TEM. Mientras que se
observa lo contrario para los valores de emisin a la frecuencia de reloj en la clula GTEM. A
partir de 100MHz, no hay diferencia de importancia entre los picos. Pero se sigue
observando que para frecuencias mltiplos de la frecuencia de reloj son ms fuertes los de
la GTEM. La causa puede ser debida a que la carga de adaptacin en la GTEM funciona
mejor en todo el rango de frecuencias.
3.- En la siguiente tabla se exponen las mximas amplitudes medidas y las

frecuencias que se producen para ambas clulas y cada bloque, as como la mayor
diferencia medida entre ambas clulas.
GTEM TEM Mayor diferencia
Bloque A(dBV) f(MHz) A(dBV) f(MHz) GTEM-TEM(dBV)
NORM 33 50 37 75 -10 a 75MHz
NOR 35 50 43 75 -11 a 75MHz
ISO 35 50 43 75 -11 a 75MHz
ISV 37 50 39 75 -18 a 75MHz
RC 34 50 40 75 -17 a 75MHz
GRID 35 50 43 75 -12 a 75MHz
SSN 34 50 43 75 -13 a 75MHz
33
4.- En la seal de ruido antes de alimentar el circuito, se observa un pico pequeo a
la frecuencia de 900MHz, correspondiendo con la frecuencia de la red GSM. El tamao de
dicha emisin, sugiere el buen aislamiento del exterior que presentan ambas clulas.
Cuando se alimenta el circuito y se amplifica la seal, se observa como el pico es
importante en comparacin con la emisin a su alrededor y afecta a ambas clulas por
igual. Si bien esto es cierto, en la GTEM es un pico ms localizado a 900MHz.
5.- La primera idea era realizar la comparacin con las grficas y resultados del
proyecto europeo MEDEA Comparison of radiated emission of a CMOS integrated circuit in
TEM and GTEM . Pero el no disponer de un generador de seal cuadrada hasta 100MHZ lo
ha hecho imposible. Los resultados utilizados han sido comparar la diferencia de nivel de
emisin entre la clula GTEM y la TEM.
34
2.- Emisin radiada por los diferentes bloques del chip CESAME usando las
ventanas inferior y superior de la clula GTEM.
En el proyecto europeo MEDEA Comparison of radiated emission of a CMOS

integrated circuit in TEM and GTEM se realiza una comparacin entre la emisin radiada
medida usando la clula TEM y la GTEM, tal y como se ha realizado en el apartado anterior
en este proyecto. La diferencia es que se utiliza la ventana inferior de la clula GTEM por no
contar en ese momento con la ventana superior. Despus se obtiene una relacin
matemtica (2.1) que relaciona la emisin medida usando ambas clulas, para explicar la
diferencia de emisin entre las dos debido a que las diferentes distancias al septum.
d GTEM
Gain (dBV) = 20 log (2.1)
d TEM
Donde d GTEM y d TEM son las distancias del septum al circuito integrado para las
clulas GTEM y TEM, respectivamente.

En este apartado se realiza una comparacin entre la emisin medida con el
circuito colocado en la ventana inferior y superior y se intenta comprobar si es posible el uso
de la ecuacin (2.1) para explicar la diferencia entre la medidas por la diferente distancia al
septum. Esta ecuacin tomar la siguiente expresin:
d SUP
GTEM
Gain (dBV) = 20 log (2.2)
dINF
GTEM
Donde d SUP INF

GTEM y dGTEM son las distancias del septum al circuito integrado para la clula
GTEM usando las ventana superior e inferior, respectivamente.
En la siguiente imagen se observa la pcb colocada en la ventana inferior vista desde

el interior de la clula GTEM.
Figura II.9: Imagen de la PCB colocada en la ventana inferior de la clula GTEM
A continuacin se realiza la comparacin entre la emisin medida con la clula TEM

y utilizando la ventana inferior y la superior de la clula GTEM.
35
2.1.- Segn la orientacin NORTE
En la siguiente imagen se observa la pcb colocada en la ventana superior vista desde
el exterior de la GTEM. La orientacin es segn la configuracin NORTE.
Figura II.10: PCB colocada en la ventana exterior de la GTEM, segn orientacin NORTE
Se realiza el estudio de cada bloque. Las condiciones del ensayo son las mismas que
para el punto anterior segn las normas IEC61967-1 y IEC61967-2.
A.1.- El Bloque NORM
En la figura II.11 se representa la emisin medida desde la ventana superior (HAUT) y

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque NORM.
Figura II.11: Comparacin de la emisin del bloque NORM, usando la ventana inferior y superior
sobre clula GTEM, segn la orientacin NORTE
Existen similitudes entre las envolventes de las dos curvas, con una diferencia entre
ambas que oscila entre los 15 y los 20 dBV. A partir de 200MHz la comparacin es imposible
debido a la dbil emisin medida para la ventana inferior que se confunde con el ruido.
36
A.2.- EL Bloque NOR

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque NOR.
Figura II.12: Comparacin de la emisin del bloque NOR, usando la ventana inferior y superior
Presentan envolventes casi iguales exceptuando el pico a 50MHz con diferencias

entre 15 y los 20 dBV. En este bloque se pueden comparar las curvas hasta 400MHz.
A.3.- El Bloque ISO

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque ISO.
Figura II.13: Comparacin de la emisin del bloque ISO, usando la ventana inferior y superior
Presentan envolventes casi iguales exceptuando el pico a 50MHz con diferencias

37
A.4.- El Bloque ISV

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque ISV.
Figura II.14: Comparacin de la emisin del bloque ISV, usando la ventana inferior y superior
Presentan envolventes parecidos exceptuando el pico a 50MHz con diferencias

A.5.- El Bloque RC

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque RC.
Figura II.15: Comparacin de la emisin del bloque RC, usando la ventana inferior y superior
Presentan envolventes similares a partir de 100MHz con diferencias entre 10 y los 20

dBV. En este bloque se pueden comparar las curvas hasta 200MHz.
38
A.6.- El Bloque GRID

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque GRID.
Figura II.16: Comparacin de la emisin del bloque GRID, usando la ventana inferior y superior
Se observa envolventes similares a partir de 100MHz. Las diferencias oscilan entre 15 y

los 20 dBV. En este bloque se pueden comparar las curvas hasta 300MHz.
A.7.- El Bloque SSN

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque SSN.
Figura II.17: Comparacin de la emisin del bloque SSN, usando la ventana inferior y superior
Las envolventes son muy similares para todo el rango con diferencias entre 15 y 23
39
B.- Conclusiones
1.- Se observa como para todos los bloques la diferencia entre los picos de emisin
estn entre 10 y 20 dBV. La mayora presenta una diferencia alrededor de 15 dBV. El
estudio MEDEA predice que la diferencia de la emisin medida viene dado por la frmula
(2.1), y midiendo en la clula las distancias dSUP INF

GTEM = 22.5cm y dGTEM = 4.3cm , la ganancia
queda:
22.5 cm
Gain(dBV) = 20 log = 14.37 dB (2.3)
4.3 cm
2.- Se pueden comparar las envolventes de las curvas hasta los 400 MHz, en el mejor
de los casos, que corresponde con el bloque NOR que es el de mayor emisin. A partir de
los 300MHz no es posible establecer una comparacin debido a que la emisin para la
ventana inferior es muy dbil y la seal se confunde con el ruido.
3.- Se vuelve a observar, tanto para la ventana superior como para la inferior,
emisin a la frecuencia 900MHz correspondiente a la red GSM.
40
2.2.- Segn la orientacin OESTE
A continuacin se realiza el estudio de cada bloque nuevamente, con la placa

colocada segn la orientacin OESTE (Figura II.18), que no es ms que la anterior posicin
girada 90.
Figura II.18: PCB colocada en la ventana superior de la GTEM, segn orientacin OESTE
Las condiciones del ensayo son las mismas que para los puntos anteriores segn las
normas IEC61967-1 y IEC61967-2.
A.1.- El bloque NORM

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque NORM.
Figura II.19: Comparacin de la emisin del bloque NORM, usando la ventana inferior y superior
sobre clula GTEM, segn la orientacin OESTE
Las envolventes presentan mucha similitud para todo el rango donde es posible
establecer comparacin, con diferencias entre 5 y 18 dBV. En este bloque se pueden
comparar las curvas hasta 100MHz.
41
A.2.- El bloque NOR

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque NOR.
Figura II.20: Comparacin de la emisin del bloque NOR, usando la ventana inferior y superior
Se observa como las envolventes son similares con diferencias alrededor de los 15
A.3.- El bloque ISO

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque ISO.
Figura II.21: Comparacin de la emisin del bloque ISO, usando la ventana inferior y superior
Se observa la gran similitud entre las envolventes con diferencias alrededor de los 15
42
A.4.- El bloque ISV

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque ISV.
Figura II.22: Comparacin de la emisin del bloque ISV, usando la ventana inferior y superior
Se observa como las envolventes son similares con diferencias entre 15 y 20 dBV. La
comparacin es posible hasta 150MHz.
A.5.- El bloque RC

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque RC.
Figura II.23: Comparacin de la emisin del bloque RC, usando la ventana inferior y superior
Ambas envolventes son similares con diferencias entre los 15 y los 20 dBV. Es posible
establecer comparacin entre las curvas hasta 200MHz.
43
A.6.- El bloque GRID

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque GRID.
Figura II.24: Comparacin de la emisin del bloque GRID, usando la ventana inferior y superior
Se observa como las envolventes son iguales con diferencias alrededor de 15 dBV.
Las curvas de emisin slo es posible compararlas hasta 200MHz.
A.7.- El bloque SSN

desde la ventana inferior (BAS) para el bloque SSN.
Figura II.25: Comparacin de la emisin del bloque SSN, usando la ventana inferior y superior
Ambas envolventes presentan formas similares con diferencias entre los 15 y los 20
dBV. Es posible establecer comparacin entre las curvas hasta 150MHz.
44
B.- Conclusiones
1.- Se observa como para esta orientacin, la diferencia entre las curvas de emisin
oscila entre los 15 y los 20 dBV, ajustndose bien al resultado esperado dado por la
ecuacin (2.1), y que presagiaba una diferencia entre la emisin medida con la placa
colocada en la ventana superior e inferior de 15dB.
2.- Las envolventes de las curvas medidas usando las ventanas superior y la inferior
son realmente similares.
3.- Se observa como a partir de 200 MHz, debido a que la emisin para algunos
bloques es muy dbil, no es posible realizar una comparacin ya que el nivel de ruido es del
mismo orden que la emisin.
2.3.- Conclusiones generales
1.- Para las orientaciones, se encuentra que las envolventes de las curvas son muy
similares para las medidas por la ventana inferior y superior.
2.- Para todos los bloques y para las dos orientaciones hay una diferencia de emisin
que oscila entre 10 y 20 dB, cuya media resultara cercana a los 15 dB, resultado que
predice el trabajo de investigacin MEDEA (Eq. 2.1).
3.- A partir de 300 MHz y, sobre todo, para la emisin segn la orientacin OESTE, que
es ms dbil que para la NORTE, no es posible hacer una comparacin, ya que la emisin
radiada y el ruido son del mismo orden. En concreto para la NORTE se puede comparar
hasta 400MHz, mientras que para el OESTE slo hasta 200MHz. Ambos son para el bloque
NOR, que es el que emite ms.
4.- Para todas las curvas representadas no existe ningn pico mayor usando la
ventana inferior.
45
3.- Comparacin entre la emisin radiada por lo diferentes bloques del chip
CESAME medida sobre la clula GTEM
En este apartado, se expone la comparacin entre la emisin de los diferentes

bloques del chip CESAME y as poder comparar si los mecanismos de reduccin de emisin
usados cumplen con lo esperado. La forma de hacer la medida es segn la norma IEC
61967-1 y IEC 61967-2. Las seales utilizadas para el reloj y para los datos son dos seales
unipolares de 1.8 v de amplitud y frecuencias 50 y 25 MHz respectivamente. Las curvas se
muestran hasta 1.3 GHz que es la frecuencia mxima del amplificador. La realizacin de las
medidas se ha hecho siguiendo las mismas pautas hasta ahora utilizadas.
Se empezar haciendo el estudio de la emisin de los diferentes bloques segn la

orientacin NORTE.
A.1.- Bloque NORM y NOR
En la figura II.26 se muestran las curvas superpuestas de la emisin radiada de los

bloques NORM y NOR.
Figura II.26: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del NOR,

Se observa como la emisin del bloque NOR es mayor que para el NORM en todo el
rango de frecuencias observado. Esto es debido a que NOR no tiene resistencias sobre las
lneas de alimentacin y los picos son mayores.
46
A.2.- Bloque ISO y ISV

bloques ISO e ISV.
Figura II.27: Comparacin de la emisin del bloque ISO y del ISV,

Se observa como la emisin del bloque ISO es mayor que para el bloque ISV.
A.3.- Bloque RC y GRID

bloques RC y GRID.
Figura II.28: Comparacin de la emisin del bloque GRID y del RC,

Se observa mayor efectividad en el bloque RC que en el GRID para todo el rango de

frecuencias exceptuando algunos picos a partir de 300MHz.
47
A.4.- Bloque ISV y RC
Para establecer cual es la estrategia ms eficiente se comparan los bloques ISV y RC.
En la figura II.29 se muestra las curvas para estos dos bloques.
Figura II.29: Comparacin de la emisin del bloque ISV y del RC,

Claramente para todo el rango de frecuencias la estrategia utilizada en el bloque

RC resulta ser ms eficiente que para el ISV.
A.5.- Bloque NORM y RC
Finalmente, se comparan los bloques NORM y RC, para determinar cual es el ms

eficiente segn esta orientacin. En la figura II.30 se muestran las curvas de estos bloques.
Figura II.30: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del RC,

El bloque RC emite menos en la primera y ltima parte del rango, mientras que entre
200 y 400MHz es el bloque NORM el que emite menos.
48
B.- Conclusiones
Despus de ver todas las graficas, se extraen algunas conclusiones:

1.- Las curvas obtenidas son las curvas esperadas para la comparacin entre NORM
y NOR, ya que el NOR no tiene resistencia sobre las lneas de alimentacin y esto hace que
los picos de emisin sean ms grandes.
2.- Para ISO e ISV ocurre lo mismo, ya que ISV tiene alimentaciones locales para las
partes P y N, las cuales evitan contaminaciones provenientes de las lneas de alimentacin.
Aunque estos resultados son esperados para radiacin conducida
3.- El bloque RC parece ser la forma ms efectiva de atenuar la emisin radiada en

esa orientacin.
4.- Para el bloque NORM, se observa como la emisin es ms dbil que para algunos
otros bloques. Debera ser ms fuerte que los otros tienen aislamiento para disminuir la
emisin. Pero es diferente si hablamos de la emisin conducida que la radiada y la placa
CESAME est fabricada para el estudio de la conducida.
5.- Aparece de nuevo el pico de la frecuencia de la red GSM en todas las curvas,
siendo el bloque GRID el que presenta menor emisin.
49
A continuacin se muestra las curvas correspondientes a la medida de la emisin de

los diferentes bloques de la placa CESAME cuando giramos la orientacin de la placa 90
grados. Las caractersticas de las alimentaciones y sus frecuencias son las mismas que para
el caso anterior.
A.1.- NORM y NOR

bloques NORM y NOR.
Figura II.31: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del NOR,

Sobre la mayora del rango de frecuencias, la emisin de NOR es ms fuerte,

excepto para las frecuencias alrededor de los 300 MHz.
50
A.2.- ISO y ISV

bloques ISO e ISV.
Figura II.32: Comparacin de la emisin del bloque ISO y del ISV,

La emisin para el bloque ISO es de menor amplitud que para el ISV. Adems, en la
emisin de ISV se observan picos importantes alrededor de los 900Mhz.
A.3.- RC y GRID

bloques RC y GRID.
Figura II.33: Comparacin de la emisin del bloque RC y del GRID,

La emisin del bloque RC es mayor sobre todo el rango de frecuencia, excepto en

los alrededores de 900 MHz, donde la seal de la red gsm le afecta ms a ste.
51
A.4.- ISO y RC
A continuacin se busca el bloque que emite menos. Se empieza con la

comparacin entre los bloques ISO y RC. En la figura II.34 se muestran las curvas.
Figura II.34: Comparacin de la emisin del bloque ISO y del RC,

Se observa como las dos curvas son parecidas, pero en general RC emite ms que
ISO. Ambas presentan buen aislamiento frente a la frecuencia de la red GSM.
A.5.- NORM y RC
Para la eleccin del mecanismo ms efectivo, se realiza la comparacin entre los

bloques NORM y RC, cuyas curvas se muestran en la figura II.35.
Figura II.35: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del RC,

La emisin es muy parecida para las dos curvas excepto para el primer pico a 25
MHz, cuya amplitud para RC es mucho ms grande que para NORM.
52
A.6.- NORM y GRID
Por ltimo, se comparan las curvas de los bloques NORM y GRID (Figura II.36).
Figura II.36: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del GRID,

La emisin de NORM y GRID son muy parecidas, si bien parece que GRID emite
menos en todo el rango, resultando el mecanismo ms efectivo.
B.- Conclusiones:
De la observacin de las grficas se extraen las siguientes conclusiones:

1.- En las curvas obtenidas para la comparacin entre NORM y NOR se obtiene el
mismo resultado que para la otra orientacin, es decir sigue siendo ms efectivo el bloque
NORM que el NOR.
2.- Para los bloques ISO e ISV se obtiene el resultado contrario. Es decir, para esta
orientacin el mecanismo usado en el bloque ISV resulta menos efectiva que la ISO.
3.- El bloque GRID es el que menos emite, siendo por tanto el mecanismo usado en
su fabricacin el ms efectivo segn esta orientacin.
4.- En general, con la orientacin OESTE, se tiene mejor comportamiento tanto en la

amplitud de la emisin en todo el rango, incluyendo a la frecuencia de la red GSM.
53
4.- Comparacin de la emisin de los bloques del chip CESAME usando la
clula GTEM con una frecuencia de reloj de 30MHz y 15MHz de datos.
En este apartado, se expone la comparacin entre la emisin de los diferentes

bloques del chip CESAME, al igual que el apartado anterior, pero variando la frecuencia de
alimentacin del circuito y ver cual es el efecto de dicha variacin en la emisin de los
diferentes bloques. Las seales utilizadas para el reloj y para los datos son dos seales
unipolares de 1.8 v de amplitud y frecuencias 30 y 15 MHz respectivamente. Las curvas se
muestran hasta 1.3 GHz que es la frecuencia mxima del amplificador. La realizacin de las
medidas se ha hecho siguiendo las mismas pautas hasta ahora utilizadas. La forma de hacer
la medida es segn la norma IEC 61967-1 y IEC 61967-2.
Se empezar haciendo el estudio de la emisin de los diferentes bloques segn la

orientacin NORTE.
A.1.- NORM y NOR

bloques NORM y NOR.
Figura II.37: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del NOR, sobre clula GTEM,
segn la orientacin NORTE con una frecuencia de reloj de 30MHz
Al igual que suceda usando una frecuencia de reloj de 50MHz, el mecanismo usado en
el bloque NORM es ms efectivo que el usado en el NOR. Aunque los dos primeros picos de
emisin son mayores en el NORM.
54
A.2.- ISO e ISV

bloques ISO e ISV.
Figura II.38: Comparacin de la emisin del bloque ISO y del ISV, sobre clula GTEM,
La emisin de ISO es ms fuerte que la de ISV para todo el rango de frecuencias, al

igual que ocurra cuando la frecuencia del reloj era 50MHz.
A.3.- RC y GRID

bloques RC y GRID.
Figura II.39: Comparacin de la emisin del bloque RC y del GRID, sobre clula GTEM,
La emisin de RC es ms dbil que para GRID, al igual que suceda cuando la

frecuencia de reloj era 50MHz.
55
A.4.- NORM y GRID

bloques RC y GRID.
Figura II.40: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del GRID, sobre clula GTEM,
Se observa que la emisin de NORM es ms dbil que para GRID en todo el rango.
A.5.- NORM y RC
A continuacin se realiza la comparacin entre los bloques que emiten menos para
encontrar la estrategia ms efectiva. En la figura II.41 se muestran las curvas de emisin
radiada de los bloques NORM y RC.
Figura II.41: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del RC, sobre clula GTEM,
La emisin de RC es ms dbil que para NORM para frecuencias hasta 100 MHz,
mientras que NORM emite menos a partir de esta frecuencia.
56
B.-Conclusiones
1.- Los resultados obtenidos al variar la frecuencia son los mismos cualitativamente,
siendo el bloque RC el que presenta mejor espectro de emisin, esto es emite menos.
2.- La estrategia del bloque NORM sigue siendo ms eficiente que la NOR, aunque
los primeros picos son ms pequeos para este ltimo.
3.- La estrategia del bloque ISV es ms eficiente que la ISO como ocurra cuando se
alimentaba con una seal de reloj de 50MHz.
4.- Se constata una disminucin en todos los bloques al disminuir la frecuencia de la
seal de reloj.
A continuacin, se realizan las medidas segn la orientacin OESTE, dejando todos

los otros parmetros invariantes y se realiza la misma comparacin.
A.1.- NORM y NOR

bloques NORM y NOR.
segn la orientacin OESTE con una frecuencia de reloj de 30MHz
En este caso, la emisin para el bloque NORM es ms elevada que para la emisin
del NOR en todo el rango de frecuencias.
57
A.2.- ISO e ISV
En la figura II.43 se muestran las curvas de la emisin radiada por los bloques ISO e ISV.
En esta grfica, se observa que ISO emite menos que ISV hasta los 400MHz. A partir
de sta, es ISV el ms eficiente, con una emisin que es casi nula.
A.3.- RC y GRID

bloques RC y GRID.
Figura II.44: Comparacin de la emisin del bloque RC y del GRID, sobre clula GTEM,
La emisin del bloque GRID es menor que la del bloque RC para esta orientacin, si
bien en torno a los 450 MHz y en torno a los 900MHz presenta emisin elevada que es
debida a la red GSM.
58
A.4.- NORM y RC

bloques NORM y RC.
Figura II.45: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del RC, sobre clula GTEM,
En estas curvas, se observa que hasta los 100 MHz presentan la misma emisin
aunque NORM es algo ms fuerte. Para frecuencias ms elevadas el RC es ms efectivo.
A.5.- NORM y GRID
En la figura II.46 se muestran las curvas de emisin radiada de los bloques GRID y
NORM.
Figura II.46: Comparacin de la emisin del bloque NORM y del GRID, sobre clula GTEM,
Claramente, el bloque GRID emite mucho menos que el bloque NORM para todo el
rango de frecuencias para esta orientacin.
59
B.- Conclusiones:
1.- Se observa que aparece un pico para cada mltiplo de la frecuencia de datos y
de reloj, esto es a 15 y 30MHz, como tambin ocurra en el caso de frecuencia de 50MHz
para el reloj y de 25MHz para los datos.
2.- Se encuentran los mismos resultados que cuando se utiliz las frecuencias de 50 y
25 MHz para el reloj y los datos respectivamente, pero con una amplitud de emisin ms
pequea.
3.- En este caso, el bloque NOR emite menos que NORM a frecuencias por debajo
de los 150MHz aunque la estrategia seguida era para lo contrario. La frecuencia de trabajo
tan pequea hace que la estrategia no tenga influencia. Si bien hay un rango de
frecuencia, de 150 a 300MHz, en la que la emisin del NOR es mayor que NORM.
4.- El bloque ISO emite menos que el ISV hasta los 400 MHz, a partir de la cual, ste
ltimo tiene una emisin casi nula.
5.- El bloque GRID presenta problemas en 450 y 900MHz, es decir la frecuencia de la
red GSM, que se observa afectarle ms que a ningn otro bloque. A pesar de sto, y hasta
esta frecuencia es el que mejor espectro presenta.
6.- Al bajar la frecuencia, las estrategias no se comportan como se esperaba.
60
III.- CONCLUSIONES GENERALES:
Despus de la realizacin de estos ensayos, representar las curvas de emisin y de

sacar conclusiones particulares, se pueden sacar las siguientes conclusiones generales:
1.- En todos los ensayos realizados, se producen picos de emisin a las frecuencias
de la seal de reloj, de la seal de datos y a la de los mltiplos de ambas. En este trabajo se
han realizado ensayos a dos frecuencias distintas (50 y 30 MHz para el reloj, siendo la mitad
respectivamente para los datos). Hubiera sido interesante contar con un generador de
seal a frecuencias ms elevadas, para tener emisin de mayor amplitud. Esto hubiera
dado lugar a medidas ms extensas en frecuencia, ya que la GTEM est preparada para
realizar ensayos hasta 20GHz. Adems, se podran haber comparado los resultados con los
obtenidos por el trabajo MEDEA.
2.- Con la clula GTEM se obtienen curvas similares usando las ventanas superior e
inferior para cada bloque del chip CESAME, comprobndose la veracidad de la expresin
que relaciona la diferencia de emisin en funcin de las distancias al septum. Con esto, se
comprueba la dependencia con la distancia del circuito al septum. Con un generador de
seal a frecuencias ms elevadas se emisin sera ms elevada y se podra haber realizado
la comprobacin en un rango de frecuencias ms amplio.
3.- Las estrategias seguidas en la construccin de los diferentes bloques del chip
CESAME cumplen su funcin segn la orientacin NORTE y OESTE, para frecuencias de 50 y
25 MHZ para datos y para reloj respectivamente. Para las otras frecuencias utilizadas se
observan algunas diferencias respecto a lo esperado.
4.- Se constata la diferencia de emisin en funcin de la orientacin de la placa
sobre la clula GTEM. Se observa como con la orientacin OESTE la emisin es menor para la
NORTE.
5.- En todas las medidas se observa como aparece un pico de emisin a la
frecuencia de la red GSM (900MHz).
6.- En general, todas las medidas realizadas dan los resultados positivos.
61
ANEXO 1: BIBLIOGRAFA
[BAFF02] BAFFREAU, S. Susceptibilit des micro-contrleurs aux

agressions lectromagntiques Thse. LInstitut National des
Sciences Appliques de Toulouse. 2002
[Guillo] GUILLORIT, J. Development, validation and automation of a
noise modelling methodology in Integrated Circuits .
STMicroelectronics, INSA-Toulouse
[Icheln95] ICHELN C. The Construction and Application of a GTEM cell
Masters Thesis. Technical University of Hamburg-Harburg, Faculty of
Electrical Engineering, Helsinki University of Technology, Faculty of
Electrical Engineering. November 1995
[Klinger01] KLINGLER, M., EGOT, S., GHYS, J. P. & RIOULT, J. On The Use Of
Three - Dimensional TEM Cells For Total Radiated Power
Measurements Institut National de Recherche sur les Transports et leur
Scurit. 2001 IEEE EMC International Symposium, Montral Canada,
August 13-17, 2001
[LAMOU02] LAMOUREUX, E. Modlisation de la circulation de courant
dans un circuit test en technologie CMOS 0.18 Rapport de stage.
INSA de Toulouse (2002)
[NOTH03] NOTHOFER, A., BOZEC, D., MARVIN, A., ALEXANDER, M.
&McCORMACK, L. The use of the GTEM Cells for EMC Measurements.
National Physical Laboratory, UK. York EMC Services Ltd. UK. January
2003
[RAMDA04] RAMDANI, M., SICARD, E., BENDHIA, S., CALVET, S., BAFFREAU, S.,
y LEVANT, J. L. La compatibilit lectromagntique dans les circuits
intgrs . 2004
[SCHAF04] Schaffner Datasheet GTEM Test Cells. Test Cells for EMC
Radiated & Inmunity Testing DC to 20 GHz . September 2004
[SICARD03] SICARD, E. Comparison of radiated emission of a CMOS
integrated circuit in TEM and GTEM MEDEA+Project MESDIE A509 .
2003
[WERN03] WERNER, J.,(Project Leader) Fraunhofer Institute A509:
Microelectronic EMC system design for high density interconnect and
high frequency environment (MESDIE)Jan 2001-Dec 2003
[ZAHN91] ZAHN, M. Teora Electromagntica. Universidad de Florida.
McGRAW-HILL (1991).
62
ANEXO 2: MODO TEM
1.- Ecuaciones de Maxwell
En el desarrollo histrico de la teora del campo electromagntico, a travs del siglo

XIX, la carga y el campo elctrico se estudiaron independientemente de las corrientes y sus
campos magnticos. Hasta que Faraday demostr que un campo magntico que vara
con el tiempo genera un campo elctrico, se tena la idea que los campos elctrico y
magntico eran distintos y separados. Faraday crey en la dualidad de que un campo
elctrico variable con el tiempo debera generar tambin un campo magntico, pero no
fue capaz de probar su hiptesis.
Correspondi a James Clerk Maxwell demostrar que la hiptesis de Faraday era
correcta y que sin esta correccin la Ley de Ampere y la conservacin de la carga no eran
consistentes:
r r r r r
H = J f J f = 0 (1.1)
r r
J f + f = 0 (1.2)
t
Esto es porque si se toma la divergencia de la ley de Ampere, en (1.1), la densidad

de corriente debe tener divergencia cero, ya que la divergencia del rotacional de un
vector es siempre cero. Este resultado contradice (1.2), si est presente una carga que vara
con el tiempo. Maxwell se dio cuenta que al sumar la corriente de desplazamiento en el
segundo miembro de la ley de Ampere se satisfaca la conservacin de la carga, debido a
r
que la ley de Gauss relaciona D con f .
Esta simple correccin tiene consecuencias de gran alcance, porque es posible

demostrar la existencia de ondas electromagnticas que viajan a la velocidad de la luz c,
comprobando as que la luz es una onda electromagntica. En virtud de la importancia de
la correccin de Maxwell, el conjunto completo de las leyes del campo electromagntico
constituye las llamadas ecuaciones de Maxwell. Estas ecuaciones en su completa
generalidad son:
r
r r B (1.3)
Ley de Faraday: E =
t r
r r r D (1.4)
Ley de Ampere: H = J f +
t
r r
Ley de Gauss: B = 0 (1.5)
63
r r
Conservacin de la carga: D = f (1.6)
2.- Ondas Electromagnticas Transversales (TEM)
Es posible encontrar una solucin de las ecuaciones de Maxwell que slo dependa
de la coordenada z y del tiempo, en medios lineales de permitividad y de permeabilidad .
En regiones donde no existen fuentes, as que f = 0 y Jf = 0, entonces las ecuaciones de
Maxwell se reducen a:
r
E y r E x r H
ux + u y = (2.1)
z z t
r
H y r H x r E
ux + u y = (2.2)
z z t
E z
=0 (2.3)
z
H z
=0 (2.4)
z
Estas relaciones dicen que en el mejor de los casos Ez y Hz son constantes en el

tiempo y en el espacio. A causa de que estn desacoplados, en ausencia de fuentes los
consideramos como nulos. Separando las componentes de (2.1) y (2.2) se observa que Ex
est acoplada a Hy y Ey acoplada a Hx.
E x H y E y H
= ; = x
z t z t
(2.5)
H y E H x E y
= x ; =
z t z t
Y forman dos sistemas de ecuaciones independientes. Cada solucin tiene campos

r r r
elctricos y magnticos perpendiculares. El flujo de potencia S = E H para cada solucin
r r
est en la direccin z y tambin es perpendicular a E y a H . Puesto que los campos y el flujo
son mutuamente perpendiculares, estas soluciones se denominan ondas electromagnticas
transversales (TEM). Son ondas, porque si se toma z de las ecuaciones superiores y t de
las inferiores, y se resuelve para los campos elctricos, se obtiene ecuaciones de onda en
una dimensin:
2E x 2
1 Ex 2E x 2
1 Ex
= ; = (2.6)
z 2 c 2 t 2 z 2 c 2 t 2
donde c es la velocidad de la onda,
64
1 1 1 3 10 8
c= = = m/ s (2.7)
oo r r r r
En el espacio libre, donde r = 1 y r = 1 , esta cantidad es igual a la velocidad de la
luz en el vaco, lo que demostraba que la luz es una onda transversal. En forma similar, si se
toma t de las ecuaciones superiores y z de las inferiores, en (2.5), se obtiene las
ecuaciones de onda en los campos magnticos:

2H y 2
1 Hy 2H x 2
1 Hx
= ; = (2.8)
z 2 c 2 t 2 z 2 c 2 t 2
65
PLANOS
1.- PCB ALI
GND ALI Board 1,8V
GND
2,5V
1 : Voltage
regulator output
2 : CESAME Side
1,8V
1 : Voltage
regulator output
SW2 : never used- 1 2 1 2 : CESAME Side
ALWAYS OFF
-0,8V
2
1 : Battery (-)
1 1 2 : CESAME Side -
Trimmer : 0.8 V
1,8V supply
Tuning 2 2 0V
1 : Voltage
regulator output
2 : CESAME Side -
Supply tuning and complementary information ground
Figura 1.1: Plano de la cara superior de la PCB ALI
67
PLIEGO DE CONDICIONES
I.- ESPECIFICACIONES DE MATERIALES Y EQUIPO
1. LA CLULA GTEM
Las clulas GTEM estn disponibles en diferentes tamaos. El nombre del modelo de
la GTEM indica el tamao de su septum. Existen desde 250 mm hasta los 2000 mm.
Figura 1.1: Especificaciones tcnicas y mecnicas segn el modelo de GTEM
69
En este proyecto se ha utilizado el modelo 250 de Schaffner, que es la ms pequea.
Dicha clula est provista de dos ventanas: una en la parte inferior (Figura 1.2); y otra en la
parte superior (Figura 2.3) para medidas de la radiacin de circuitos integrados que es una
especificacin de diseo del estndar SAE 1752/3 Testing of VLSI Integrated Circuits.
Figura 1.2: Ventana Superior de la GTEM Figura 1.3: Ventana Inferior de la GTEM
Esta norma dice que es necesaria una gua de ondas con una pequea distancia
entre el septum y el conductor exterior (aproximadamente de 45mm) y una ventana a esta
distancia para PCB estandarizadas. La diferencia entre una y otra, es la distancia entre el
septum y el circuito bajo estudio. La inferior est ms separada del septum y su utilizacin
ser para dispositivos cuya emisin sea elevada.
En la siguiente tabla se recogen los datos de inters de la GTEM 250:
GTEM 250 SPECIFICATIONS
Septum Height 250mm

Dimension (LxWxH en m) 1.25x0.65x0.45
Height 1(H1 en m) cell corpus 0.345
Height 2(H2 en m) supports 0.105
Door(LxH en m) 0.20x0.13
EUT size (max. dimension, LxWxH en m) 0.20x0.20x0.15
EUT size(3dB criteria, LxWxH en m) 0.150x0.15x0.08
RF-input connector N-type
Nominal impedance 50
Frequency range DC up to 20GHz
Max input power 50W(special version with 100W)
Measuring of Emission, Radiated,
radio frequency field-immunity test
Applications Calibration of antennas and field
probes/Test and measuring of Mobil
Phones/Screening measuring of material
Figura 1.4: Tabla de las longitudes de inters de la clula GTEM 250
70
En la siguiente figura se presentan las longitudes de la clula GTEM que aparecen en
la tabla anterior.
W
H1
L H2
Figura 1.5: Dimensiones de la clula GTEM (vistas cenital y lateral)
2. EL CHIP CESAME Y LA PLACA ALI
2.1.- Chip CESAME
El chip CESAME (Figura 2.1) es un circuito integrado de prueba para evaluar las
fluctuaciones de corriente que conllevan la emisin radioelctrica de altas frecuencias de
manera conducida y radiada y ver como afecta a su entorno que est formado por
microprocesadores, DSP, convertidores, etc. La misin de este proyecto es el estudio de la
emisin radiada de los bloques que forman CESAME con la utilizacin de la clula GTEM.
Figura 2.1: Chip CESAME sobre la placa
El circuito ha sido diseado por STMicroelectronics en Crolles (Francia) para la

validacin de reglas de diseo para baja emisin en tecnologa 0.18m.
El chip tiene por objetivo la medida de emisiones de los diferentes bloques que lo
forman. Estos bloques han sido fabricados utilizando diferentes estrategias de aislamiento y
para guiar las alimentaciones. El chip CESAME consta de 6 bloques digitales (Figura 2.2) con
la misma funcin pero fabricados utilizando diferentes mecanismos para disminuir la emisin
electromagntica (EMC).
71
Figura 2.2: Layout del chip CESAME
Hay un sptimo bloque para estudiar el ruido debido a la conmutacin simultnea

de un conjunto de 8 buffers de entrada/salida.
Cada bloque est construido de varias partes:
- Un ncleo lgico que genera ruido al conmutar
- Un sensor on-chip para hacer medidas
- Entradas/salidas: alimentacin, tierra, entradas y salidas digitales y analgicas
- Un bloque de mando que permite manejar el sensor y sincronizarlo con el ncleo.
Para un estudio real el ncleo lgico debe generar picos grandes de corriente que
mida el sensor. Debido a esto, todos los bloques estn formados por celdas estndar de ST
(inversores, puertas NAND y flip-flops), una estructura clsica con reloj en rbol y seales de
habilitacin con el fin de controlar cuantas puertas conmutan.
Los diferentes bloques que forman el chip CESAME y sus estrategias son:
- NORM, es fabricado segn las reglas de diseo clsicas para la tecnologa 0.18 m
STM y sirve de base para los bloques siguientes. Presenta resistencias Shunt en serie con la
alimentacin.
- NOR, es igual que el NORM excepto que no presenta las resitencias Shunt en serie
con las lneas de alimentacin. La ausencia de estas resistencias hace que los picos de
corriente sean ms grandes en el tiempo.
- GRID, tiene dos niveles de metales que dibujan dos rejillas encima del bloque lgico.
- ISO, est aislado del resto del substrato. Esta tcnica permite separar mejor las
partes N y P para disminuir el acoplamiento entre la capa Nwell y el substrato P, que ser
susceptible de transmitir parsitos de altas frecuencias.
-ISV, las alimentaciones de la capa Nwell y el substrato de este bloque son locales,
con el fin de evitar toda contaminacin por los picos de corriente.
-RC, tiene una fuerte capacidad de desacoplamiento on-chip para atenuar los
picos de corriente en las conmutaciones.
72
-SSN, es el sptimo corazn y el utilizado para la medida de ruido cuando un
conjunto de buffers E/S conmutan.
CESAME incluye 700.000 transistores sobre 3.3 mm x 3.3 mm die. El chip est montado
sobre un encapsulado TQFP 144. Tiene 144 pines. Necesita 4 tensiones de alimentaciones: 0V
para la masa, y 1.8 V para los bloques lgicos y los buffers de E/S, y 0.8V y 2.6V para los
capturadores on-chip.
2.2.- Placa ALI
Para trabajar con el chip CESAME, hay que construir una placa PCB de prueba
compatible con clulas TEM y GTEM. En este caso recibe el nombre de ALI (figura 2.3), con
las medidas de las ventanas de la clula donde se colocar.
Figura 2.3: Placa ALI
Hay que cumplir ciertas especificaciones sobre la colocacin y posicin particular

del chip en la clula. La norma impone as, que el circuito integrado bajo estudio debe ir
colocado sobre una placa cuadrada de dimensiones (103mm x 103mm) con cuatro capas
de metalizacin (figura 2.4).
Componentes asociados
Capa 4: masa + seal Capa 3: seal
Capa 1: plano de masa Capa 2: plan de V DD

Componentes bajo estudios
Figura 2.4: corte de la placa de estudio
La capa interna, es decir, el lado donde es implantado el componente bajo estudio,

est constituido de un plano de masa que constituye la unin entre el conductor exterior de
la clula TEM y la masa. A continuacin nos encontramos con un plano de alimentacin
conectado al potencial VDD, despus una capa que aglutina las diferentes seales
necesarias para el funcionamiento del circuito. En la ltima capa, donde son implantados
los componentes asociados, se encuentran las lneas de seales y de masa. Las vas
aseguran la continuidad de las lneas de alimentacin, de masa y de seal a travs de las
diferentes capas.
73
Con el fin de limitar la emisin de las pistas de la capa interna, se propone
igualmente, colocar en ciertos casos un plano de masa suplementario sobre la cara donde
est colocado los componentes a probar.
El chip CESAME ser colocado sobre la placa. Es necesario efectuar la medida
segn las cuatro orientaciones geomtricas del chip de prueba. En la prctica, las medidas
slo se realizan segn dos orientaciones, ya que los resultados son simtricos.
3. GENERADOR DE SEAL
Se utilizarn dos generadores de seal cuadrada Phillips PM5712 (figura 3.1).
Figura 3.1: Generador de seal
Uno para la seal de reloj y otro para la seal de datos del chip CESAME. La mxima
frecuencia a la que pueden trabajar es de 50MHz. Esto representa una limitacin.
4. AMPLIFICADOR
Se utilizar un amplificador de Hewlett Packard, 8447 D (figura III.9). El uso de dicho

amplificador es de vital importancia debido a que la seal que sale de la clula es muy
dbil y no se podra ver sin su ayuda. Presenta una ganancia de 25 dB hasta 1.3 GHz, que
ser la frecuencia mxima de trabajo hasta la cual se podrn obtener resultados.
Figura 4.1: Amplificador
74
5. ANALIZADOR DE ESPECTRO
Es posible la utilizacin de cualquier otro aparato receptor de emisin pero en este

proyecto se ha utilizado un analizador de espectro. El modelo es HP E44 (Figura 4.1).
Figura 5.1: Analizador de espectro
Los valores medidos son expresados en dBV, donde 60dBV corresponden a 1mV.
75
II.- ESPECIFICACIONES DE UTILIZACIN
1.- Banco de pruebas
En la figura 1.1 se muestra el banco de pruebas utilizado. Se pueden observar el

amplificador, los generadores de seal, el analizador de espectro y la clula GTEM.
Figura 1.1: Banco de pruebas para las medidas
La interconexin de los distintos dispositivos para llevar a cabo las medidas realizadas
se representa en la figura 1.2. Se puede observar como cada uno de los generadores se
utilizan para la seal de reloj con la que trabajan los distintos circuitos de la placa, y para
generar la seal de datos. Ambos van conectados a la PCB en los pines correspondientes.
Aparece tambin el amplificador que est colocado entre la salida de la clula y la
entrada al analizador de espectro.
(1)
(2)
AMPLIFIER
(4)
(1) Generadores de la seal

de reloj y de datos
(2) Amplificador
(3) Clula GTEM
(3)
(4) Analizador de Espectro
Figura 1.2: Esquema de conexin de los diferentes aparatos usados
76
2.- Especificaciones de la norma [IEC 61967-1]
Una vez preparado el banco de prueba, habr que calibrarlo. Para ello, se medir el
nivel de ruido ambiente en la clula colocando la placa bajo estudio sin alimentar. Se
efectan estas medidas en dos posiciones. Para tener el resultado final, conviene retirar en
cada punto el valor del ruido al igual que los 25dB que corresponden al preamplificador
necesario para efectuar la medida. Aunque en el caso de ste proyecto, debido a que no
se puede alimentar a ms de 50MHz la emisin es dbil y no se realiza esta resta. A 100MHz,
se puede notar un desplazamiento de los valores medidos. Este es debido al reglaje del
analizador de espectro, para el cual dos parmetros de precisin han sido cambiados.
Colocaremos de 1MHZ a 100MHz, con el fin de obtener una buena precisin de medida
(escala logartmica) 10KHz para los parmetros de resolucin de video RBW
(Resolution Band Width: resolucin del tamao de banda) y 1KHz para BW (Band Width: el
tamao de banda de video). Por encima de 100MHz, utilizamos 100KHz para RBW y 10KHZ
para BW. Todos estos parmetros son definidos dentro de la norma de emisin para
componentes [IEC 61967-1].
3.- Especificaciones de las medidas
La alimentacin del circuito (componentes sobre la cara exterior de la PCB ALI) se

realiza mediante dos seales, una de reloj exterior sobre el conector S3 y otra de datos en el
S15. Ambas son cuadradas, unipolares de amplitud 1.8 v. La frecuencia usada para el reloj
es el doble que la usada para los datos. Los valores mximos que se pueden alcanzar en el
laboratorio son 50 y 25 MHz para el reloj y para los datos respectivamente.
El amplificador, de 25 dB de ganancia hasta 1.3 GHz de frecuencia, que ha sido
utilizado, permite ver la seal que sale de las clulas GTEM y TEM dirigidas hacia el
analizador de espectro mediante un cable coaxial, ya que esta seal es muy dbil. Las
curvas se representan hasta 1.3 GHz de frecuencia, ya que por encima de sta no se
aprecia seal.
77
PRESUPUESTO
I.- PRESUPUESTO
Concepto Horas Precio Unidad Total
Ingeniero Freelance 700 55 38500
79

Estudios de Compatibilidad Electromagnética de Emisión de Circuitos Integrados Sobre Célula Gtem

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DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA

PROYECTO FIN DE CARRERA

ELECTROMAGNTICA DE EMISIN DE CIRCUITOS

INTEGRADOS SOBRE CLULA GTEM

JOS ENRIQUE CASTRO ABAD

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA

PROYECTO FIN DE CARRERA

ELECTROMAGNTICA DE EMISIN DE CIRCUITOS

INTEGRADOS SOBRE CLULA GTEM

JOS ENRIQUE CASTRO ABAD

Este proyecto no hubiera sido posible sin la colaboracin y el apoyo de muchas

Este proyecto ha sido realizado en el Laboratorio de Investigacin Aplicada en

Imagen del exterior de ESEO

ESEO, creado en 1956, es un centro superior de enseanza de ingeniera privada de

Lista de Abreviaturas ................................................................................................................... 5

PLIEGO DE CONDICIONES ................................................................................................68

ALI: Nombre dado a la PCB que soporta al chip CESAME,

El uso extendido de dispositivos electrnicos pequeos y de alta velocidad que

La miniaturizacin continua, el aumento de las frecuencias de reloj, las transiciones

En este proyecto, se realiza un estudio terico de la compatibilidad

La directiva europea define la compatibilidad electromagntica (CEM) como:

II.- FUENTES DE PERTURBACIN ELECTROMAGNTICA

En este apartado, se enumeran las principales fuentes de perturbaciones

1.- Descargas electrostticas

Figura I.1 : Carga inductiva

3.- Circuitos Integrados

Es la materia de estudio de este trabajo. Debido a su funcionamiento interno cada

Los niveles de perturbacin emitida pueden alcanzar los milivatios y debido a la

4.- Las redes de comunicacin sin hilos

5.- Los telfonos mviles y las estaciones repetidoras asociadas

Del hecho del nmero de aparatos y de estaciones existentes, son la perturbacin

Figura I.4 Telfono mvil y antena de tipo GSM

Tanto los telfonos como las estaciones trabajan en bandas de frecuencia

6.- Las estaciones de radiofrecuencias

Figura I.5: Estacin de radiodiffusion

Se utilizan en aplicaciones de aviacin, de marina civil, militares, y de meteorologa.

Figura I.6: Radar

III.- MECANISMOS DE EMISIN

Existen tres mecanismos de emisin parsita [RAMDA04]:

Figura I.7: Tipos de emisin parsita

A continuacin se presentan las principales caractersticas de los diferentes

1.- Los OATS

Figura I.8: OATS

Consta de un mstil de medida, un plano de masa que acta como superficie

2.- La sala anecoica

Son equipos de ensayos de emisin radiada en interior (Figura I.9). La idea es

Figura I.9: Esquema de conexin de la sala anecoica

Se cuida especialmente la construccin tanto de las puertas de alimentacin, de las

La clula TEM (Figura I.10) es fundamentalmente, una seccin de una lnea de

Figura I.10: Clula TEM

Para minimizar las reflexiones en el interior de la clula, presenta una impedancia

4.- La clula 3D TEM

Las pruebas de emisin de radiacin y de inmunidad realizados a bajas frecuencias

Figura I.11 Clula 3D TEM

5.- La clula GTEM

La clula GTEM (Gigahertz Transversal Electromagnetic) fue introducida en 1987 por

II. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DE LAS CLULAS TEM

El principio de las clulas TEM es la generacin de un campo uniforme en un entorno

1.- Clula GTEM y generacin de campo

En 1987, la aparicin de la clula GTEM permiti la medida de emisin radiada a

2.- Caractersticas de la clula GTEM

2.1.- Terminacin Hbrida

Para evitar la propagacin de modos de altas frecuencias, se utiliza una terminacin