CENTRO UNIVERSITRIO FUNDAO SANTO ANDR

FACULDADE DE ENGENHARIA CELSO DANIEL

ENGENHARIA ELETRNICA
NFASE EM ELETRNICA INDUSTRIAL

DAVID BERTO FARIAS

ESTUDO DO PROCESSO DE PURIFICAO DO SILCIO

GRAU METALRGICO NA FABRICAO DE CLULAS
FOTOVOLTAICAS

SANTO ANDR
2013

0
 DAVID BERTO FARIAS

ESTUDO DO PROCESSO DE PURIFICAO DO SILCIO

GRAU METALRGICO NA FABRICAO DE CLULAS
FOTOVOLTAICAS

Relatrio apresentado ao Programa

de Iniciao Cientfica do Centro
Universitrio Fundao Santo
Andr - PIIC 2013.

Orientador:
Prof. Mrio Gonalves Garcia Jr.

SANTO ANDR
2013

1
SUMRIO

1 Introduo ............................................................................................................................3
2 Objetivo ................................................................................................................................3
3 Radiao Solar ....................................................................................................................3
3.1 Definio .......................................................................................................................3
3.2 - Radiao solar mundial ...............................................................................................6
3.3 - Radiao solar no Brasil ..............................................................................................7
3.4 Massa de ar ..................................................................................................................7
4 Efeito Fotoeltrico e Efeito Fotovoltaico ..........................................................................8
4.1 Histria ..........................................................................................................................8
5 Silcio ....................................................................................................................................8
5.1 Quartzo .........................................................................................................................8
5.2 Graus de Pureza ..........................................................................................................9
5.2.1 Silcio Grau Metalrgico (ou Grau Metlico) .....................................................9
5.3 Silcio Grau Solar como Clula Fotovoltaica (Clula Solar).................................10
6 Processo De Purificao Do Silcio Grau Metalrgico para Silcio Grau Solar ........12
7 Ensaios Eltricos em Amostras ......................................................................................16
8 Resultados .........................................................................................................................17
9 Concluses ..........................................................................................................................2
10 Biografia .............................................................................................................................3

2
1 Introduo

Nos tempos atuais, com o a poluio e o chamado efeito estufa, a busca por
fontes renovveis e com o mnimo de agresso ao meio ambiente tm sido
foco de diversas pesquisas. O Sol fonte inesgotvel de energia limpa, ou
seja, desprovida de emisso de poluentes, devido radiao emitida que
contm diversas faixas de frequncia, podendo ser convertida em energia.
Parte dessa radiao solar, que atinge a Terra, pode ser utilizada de diversas
maneiras, inclusive transformao em energias alternativas como trmica,
luminosa, eltrica, etc. Com a tecnologia que temos ultimamente, converter
energia solar em energia eltrica uma atividade relativamente cara e de
pouca eficincia em comparao as outras formas de converso de energia
atualmente utilizadas. Os dispositivos utilizados para converter energia solar
em energia eltrica so as chamadas Clulas Fotovoltaicas (clulas solares), e
o principal elemento utilizado o Silcio, segundo elemento mais abundante da
natureza (atrs somente do Oxignio), que encontrado em diversos materiais
e compostos, dentre eles o quartzo, que no Brasil extremamente abundante.
Porm, para utilizao como clulas fotovoltaicas, necessrio um grau de
pureza extremamente elevado fazendo com que o processo de fabricao
tenha custo elevado.

Neste trabalho, ser mostrada uma das tcnicas existentes para obteno do
elemento Silcio Grau Solar a partir da purificao do Silcio Grau Metalrgico
para fabricao de clulas fotovoltaicas.

2 Objetivo

Estudo do processo de purificao do elemento Silcio Grau Metalrgico para

obteno de Silcio Grau Solar utilizando o mtodo de solidificao controlada a
fim de fabricar clulas fotovoltaicas.

3 Radiao Solar

3.1 Definio
A radiao solar caracterizada pela relao de ondas eletromagnticas de
4
diversos comprimentos, de infravermelhas (da ordem de 10 m ) a ultravioletas
8
(da ordem de 10 m ). As ondas que podem ser visualizadas (cores visveis)
compem uma estreita faixa de frequncia, que onde o Sol despeja maior
parte de sua energia.

A radiao possui duas componentes, campo magntico e campo eltrico, que

so perpendiculares entre si, e caracterizada pela letra grega , que pode ser
convertida em unidade de frequncia pela equao a seguir:

c
v

3
Onde c a velocidade da luz no vcuo ( 3 10 m / s ).
8

O fator da radiao magntica pode tambm ser caracterizado pela energia do

Fton, que a menor quantidade de energia que pode ser aproveitada, pode ser
adicionada ou retirada pelo campo eletromagntico.

E hv
34
Onde h a constante de Planck, que vale 6,63 10 J s ou
4.14 1035 eV s .

Figura 1 - Espectro Solar e Energia do Fton

A Terra recebe anualmente 1,5 x 1018 kWh de energia solar, o que

corresponde a 10.000 vezes o consumo mundial de energia neste perodo.
Este fato mostra que a radiao solar inesgotvel fonte energtica, havendo
um enorme potencial de utilizao por meio de sistemas de captao e
converso em outra forma de energia (trmica eltrica etc.).

Uma das possveis formas de converso da energia solar conseguida atravs

do efeito fotovoltaico que ocorre em dispositivos conhecidos como clulas
fotovoltaicas. Estas clulas so componentes optoeletrnicos que convertem
diretamente a radiao solar em eletricidade. So basicamente constitudas de
materiais semicondutores, sendo o silcio o material mais empregado.

Na trajetria anual em trono do Sol, o nosso planeta descreve uma trajetria

elptica no plano inclinado de 23,5 em relao ao plano equatorial. Esse
ngulo que proporciona as diferentes estaes climticas e faz com que no
seja constante a radiao solar numa rea especifica a mesma hora do dia em
cada dia.

4
Figura 2 - Movimento Orbital da Terra em Torno do Sol

A radiao solar composta de ondas de varias frequncias, de infravermelhas

a ultravioletas. Mas apenas 22% dessa radiao so realmente convertidas em
eletricidade pela clula.

Antes de atingir a atmosfera terrestre, a radiao solar composta de

aproximadamente 53% de luz invisvel (uma pequena parte de luz
infravermelha e a maior parte de luz ultravioleta) e 47% de luz visvel, que a
mesma luz que as plantas utilizam para realizar a fotossntese. Apenas uma
faixa inferior a 1m capaz de excitar eltrons numa clula.

5
Figura 3 - Espectro da radiao solar

3.2 - Radiao Solar Mundial

O mapa da imagem abaixo muito importante por duas razes. Primeiro,
porque ela nos mostra onde no mundo pode fazer melhor uso da energia solar.
E segundo, podemos ver que a energia solar tem um potencial muito maior do
que imaginamos.

Figura 4 - Radiao Solar Mundial

6
3.3 - Radiao Solar no Brasil
A figura a seguir mostra que o Brasil que condies extremamente favorveis
de obter campos para captao da radiao solar, conforme figura 5,
principalmente no Nordeste do pas, devido sua posio geogrfica.

Figura 5 - Radiao Solar no Brasil

3.4 Massa de Ar
Ao adentrar na atmosfera terrestre, a radiao sofre diversas alteraes
dependendo da espessura da camada de ar e dos gases que esto presentes.

Para estimar a quantidade de energia solar que a atmosfera absorve e o

quanto pode ser utilizada na converso em eletricidade, foi elaborada uma
tcnica para calcular a chamada massa de ar (air mass), a qual dificulta a
passagem da radiao at o solo.

Neste clculo, utiliza-se a Linha do Znite, que uma linha imaginria

perpendicular ao solo que une um ponto fixo no solo com o Sol. Com a
trajetria da Terra em torno do Sol, o ponto que se encontra na Terra se move,
traando outra linha imaginria. O ngulo zenital o ngulo entre a linha de
znite e a nova linha imaginria estabelecida de acordo com a nova posio do
Sol em relao Terra.

7
A massa de ar est diretamente relacionada com o ngulo zenital.
Internacionalmente, a massa de ar definida pela sigla AM (air mass)
calculada como:

1
AM
cos Z

Quanto maior o ngulo zenital, maior ser a camada de ar que os raios solares
tm de atravessar.

Os pases entre o trpico de cncer e capricrnio so os que possuem

menores massas de ar devido aos ngulos azimutais menores. Razo de
serem pases com maior iluminao e mais quentes.

4 Efeito Fotoeltrico e Efeito Fotovoltaico

O efeito fotovoltaico o surgimento de uma tenso eltrica em um material
semicondutor, quando exposto luz visvel.

4.1 Histria
O efeito fotovoltaico foi observado pela primeira vez pelo fsico francs
Alexandre Edmond Becquerel em 1839 (utilizando o primeiro componente
eletrnico da histria), e confundido com o efeito fotoeltrico. O efeito
fotoeltrico foi confirmado por Heinrich Hertz em 1887 (recebendo tambm o
nome de efeito Hertz, que no muito utilizado), e
posteriormente explicado por Albert Einstein, em 1905.

O efeito fotoeltrico a emisso de eltrons por um material, geralmente

metlico, quando exposto radiao eletromagntica de frequncia alta o
suficiente para que os seus ftons energizem os eltrons do material. Essa
frequncia depende do material.

O efeito fotovoltaico e o efeito fotoeltrico esto relacionados, mas so

processos diferentes.

5 Silcio

5.1 Quartzo
O Silcio um elemento proveniente do mineral Quartzo. Os cristais de quartzo
esto quase que exclusivamente localizadas no Brasil e, em quantidades
menores, em Madagascar, Nambia, China, frica do Sul, Canad e
Venezuela.

O Brasil o nico produtor de blocos de quartzo natural com propriedades

piezoeltricas (cristal que, quando submetido a uma presso, gera um campo
eltrico, em um eixo transversal quele onde foi aplicada a presso, que pode
ser coletado como tenso eltrica), especialmente nos estados de Gois,
Minas Gerais e Bahia. Este usado principalmente na produo de ligas de

8
Silcio para a indstria metalrgica e para uma pequena produo de silcio
metlico.

5.2 Graus de Pureza

Quando se fala em Silcio, utilizam-se trs graus de pureza: Silcio Grau
Metalrgico (SGM), Silcio Grau Solar (SGS) e Silcio Grau Eletrnico (SGE).

O Silcio Grau Metalrgico, possui grau de pureza de 98 a 99,9%, sua principal

aplicao na utilizao de fabricantes de transformadores; o Silcio Grau
Solar, possui grau de pureza de 99,9999%, que o utilizado exclusivamente na
fabricao de clulas fotovoltaicas; o Silcio Grau Eletrnico, possui grau de
pureza 99,999999999%, tendo como aplicao a fabricao de componentes
eletrnicos semicondutores. A maior parte do Silcio utilizado na fabricao de
Silcio Grau Solar tem origem do resduo proveniente da obteno de Silcio
Grau Eletrnico. (O SGE ser abordado com maiores detalhes no relatrio
final).

5.2.1 Silcio Grau Metalrgico (ou Grau Metlico)

Grau de pureza: de 98% a 99,9%.

Equao: SiO2(quartzo) + 2C (carvo) Si + 2CO (g)

Preo do Silcio Grau metlico: U$$2 por kilo.

Principais produtores de silcio e suas ligas (mil toneladas)

Pas Silcio Grau Silcio grau eletrnico

Metalrgico
1994 2011 2009
China 715 (23%) 5400(68%) 10
EUA 390 350 28
Noruega 350 320 17
Rssia 340 670 3
Brasil 250 (8%) 230 (3%) 0
Outros 1125 1030 Japo (19), Alemanha
(12), Canada (8), Coreia
do Sul (5)

Empresas produtoras de SGM no Brasil

Empresa Pureza
Globe Metals - USA (Camargo Corra 98,5
Metais at 2007). Produz 46.000
t/ano.
Par (ao lado de Tucuru)
Dow Corning - USA (CBCC at 2000), -
56.000 t/ano. MG
LIASA (46.000 t/ano). MG 98,5
RIMA. MG 98,5 - 99,9
MINASLIGAS (22.000 t/ano). MG 98,5 - 99,9

9
5.3 Silcio Grau Solar como Clula Fotovoltaica (Clula Solar)
O material semicondutor no conduz corrente eltrica por si s, ele composto
por tomos de quatro eltrons na camada de valncia, gerando uma rede
cristalina. Ao adicionar tomos com cinco eltrons na camada de valncia,
como o Fsforo, haver eltrons em excesso que estaro fracamente ligados
estrutura do material. Caso sejam adicionados tomos com trs eltrons na
camada de valncia, como o Boro, haver falta de eltrons (lacunas) que
proporcionam espao para que outros eltrons possam ocupar e estes mesmos
espaos se desloquem pela rede cristalina. Este processo de adicionar outros
materiais de diferentes caractersticas atmicas chamado de dopagem. Neste
caso o Fsforo um dopante tipo n, pois forma no semicondutor uma banda
com excesso de eltrons, chamada de banda de valncia. J o Boro um
dopante tipo p, formando uma banda carente de eltrons chamada banda de
conduo. necessria pouca energia para que os eltrons sejam transferidos
para as lacunas, sendo a energia do ambiente suficiente para que haja a
migrao de quase todos os eltrons.

O elemento semicondutor mais utilizado o Silcio, devido a sua fartura na

natureza. Mas para que o Silcio seja utilizado na aplicao de clulas
fotovoltaicas, necessrio que seja purificado at atingir um grau de pureza de
99,9999%, para que tenha o mnimo de perdas e melhor eficincia. Partindo
desse princpio, o Silcio dopando com Fsforo de um lado e Boro do outro,
os eltrons livres iro se deslocar para a banda de conduo causando um
acumulo de cargas tornando-a negativamente carregada. De modo
semelhante, as lacunas se deslocam para a banda de valncia, tornando-a
positivamente carregada. Esse acmulo de cargas forma um campo eltrico
dificultando a circulao de corrente, a qual chamamos de juno PN.

Materiais semicondutores possuem uma gap de energia (quantidade de

energia necessria para transferncia de um eltron para uma lacuna) da
ordem de 1eV. Quando a juno PN exposta a ftons com energia superior
ao gap, h excitao dos eltrons da banda de valncia para a banda de
conduo, ou seja, forma pares eltron-lacuna que, onde o campo eltrico
diferente de zero, gera corrente eltrica pela juno PN.

Se uma juno PN, como a da Figura 3, for exposta a ftons com energia maior
que o gap, ocorrer a gerao de pares eltron-lacuna; se isto acontecer na
regio onde o campo eltrico diferente de zero, as cargas sero aceleradas,
gerando assim, uma corrente atravs da juno; este deslocamento de cargas
d origem a uma diferena de potencial ao qual chamamos de Efeito
Fotovoltaico. Se as duas extremidades do pedao de silcio forem conectadas
por um fio, haver uma circulao de eltrons. Esta a base do funcionamento
das clulas fotovoltaicas.

10
 Figura 6 (a) Juno PN ilustrando regio onde acontece o acmulo de cargas; (b) Campo
eltrico resultante da transferncia de cargas atravs da Juno PN

Alm disso, importante citar que h fatores limitantes neste processo de

converso de energia da luz em energia eltrica. O primeiro limitador, ao se
tentar transformar a luz do Sol em eletricidade, o espectro de sua radiao.
Como foi visto, ele se espalha numa ampla faixa e apenas a parcela com
comprimento de onda inferior a aproximadamente 1m capaz de excitar os
eltrons em clulas de silcio (Figura 2.2.2).

Outro fator o de que cada fton s consegue excitar um eltron. Portanto,

para ftons com energia superior energia do gap, haver um excesso de
energia que ser convertida em calor. Por fim, mesmo para os eltrons
excitados, existe uma probabilidade de que estes no sejam coletados, e no
contribuam para a corrente. A tecnologia de fabricao de clulas fotovoltaicas
tenta reduzir ao mximo este ltimo efeito. Para clulas de silcio, o limite
terico de converso de radiao solar em eletricidade de 27%.

Figura 7 - Total de Energia Utilizada pela Clula Fotovoltaica

11
 6 Processo De Purificao Do Silcio Grau Metalrgico para
Silcio Grau Solar
O processo inovador proposto que est sendo estudado baseado em trs
etapas consecutivas:

1. Lixiviao cida, onde, utilizando-se de combinaes de cidos clordrico,

ntrico, fluordrico e outros compostos, em condies controladas, consegue-se
reduzir ou eliminar vrios dos contaminantes inicialmente presentes no SGM,
em particular os elementos de transio, como Fe, Al, Ti, Cr, Zr, Mo e outros.
A REORG, empresa junta a qual o estudo tem se desenvolvido juntamente com
a FINEP no projeto Inova Energia, conseguiu, nos testes realizados em escala
semi-piloto, a partir de SGM, com 98.5 % de pureza, somente utilizando esta
primeira etapa de lixiviao, chegar a um silcio purificado, com 99.95 % de
pureza. As anlises do SGM utilizado como matria prima e o silcio obtido
aps os ensaios de lixiviao cida podem ser vistas abaixo, Figuras 1 e 2
respectivamente; essas anlises foram realizadas por Laboratrio credenciado
da Universidade de So Paulo.

Figura 8 - Anlise por FRX de Silcio Grau Metalrgico

12
 Figura 9 - Anlise por FRX de Silcio Obtido aps Processo de Lixiviao cida

Figura 10 - Equipamentos utilizados para os ensaios de lixiviao de SGM

2. Solidificao Direcional Controlada, onde se estabelece um gradiente de

temperatura entre duas regies de um metal, promovendo-se a difuso de
impurezas para a regio de maior temperatura. Neste caso, a regio com maior
temperatura seria a regio superior do forno, deixando o silcio na regio
inferior, onde o mesmo escoado com velocidade de aproximadamente
5mm/hora. O forno de solidificao controlada foi projetado e construdo pela
REORG, para a etapa semi-piloto anterior, o nico no Brasil inteiramente
nacional e pode ser visto na Figura 4 abaixo.

13
Figura 11 - Forno de Solidificao Controlada construdo pela REORG para Purificao de
Silcio Vista de frente

Os testes realizados com esse forno mostraram ser possvel a purificao do

silcio utilizando o silcio aps lavagem cida (ver acima); desta forma, a partir
de silcio 99.95 %, conseguiu-se nesta etapa obter-se silcio purificado com
pureza acima de 99.999 %, conforme pode ser verificado pela anlise qumica
efetuada por Laboratrio credenciado da Universidade de So Paulo mostrada
na Figura 5 abaixo (note que na anlise por FRX no foi detectado nenhum
contaminante no silcio; como o FRX tem limitaes de deteco da ordem de
50 ppm, estima-se em pelo menos uma pureza acima de 99.999% para o silcio
obtido). Na Figura 6 est mostrado um bloco de silcio obtido aps o forno de
solidificao controlada; blocos de silcio como esse daro origem aos wafers,
uma vez cortado em finas camadas.

14
 Figura 12 - Anlise por FRX de Silcio obtido aps processo de solidificao controlada

Figura 13 - Bloco de silcio obtido em testes com o forno de solidificao controlada

construdo pela REORG; bloco com dimenses aproximadas de 15 cm x 15 cm x 15 cm,
pesando cerca de 8 kg.

3. Reator a plasma, onde se utiliza um jato de plasma, gerado em uma tocha de

plasma de arco transferido, a altssimas temperaturas, para volatilizar
elementos que ainda possam estar presentes no Silcio, em particular Boro e
Fsforo, importantes contaminantes que, caso presentes em certa quantidade,
diminuem a eficincia das clulas solares. O reator a plasma, inteiramente
projetado e construdo pela REORG, o nico no Brasil e pode ser visto na
Figura abaixo.

15
Figura 14 - Reator a Plasma para Purificao de Silcio construdo pela REORG (vista de
frente)

Os testes realizados em escala semi-piloto com esse reator mostraram ser

possvel a eliminao quase que completa de Fsforo e Boro, os principais
contaminantes que poderiam afetar a performance do Silcio Grau Solar.

7 Ensaios Eltricos em Amostras

Obram extradas trs amostras de dois diferentes estgios do processo
descrito, uma foi extrada aps ter passado pelo forno de solidificao
controlada, outra amostra aps reator de plasma e outra da matria prima que
foi processada.

Foram realizados diversos testes eltricos a fim de obter informaes sobre

sua composio e comportamento diante uma tenso fixa e com diversos
nveis de tenso.

Amostra n1 Resultado obtido pelo processo de solidificao direcional

controlada.

Figura 15 Amostra n1

Caractersticas:

Dimenses (mm): A=13,45; B=22,15 C=25,55

Volume (mL): 16
16
 Massa (g): 16,9989
Densidade (g/L): 1062,433

Amostra n2 Resultado obtido aps processo de plasma no reator construdo

pela REORG

Figura 16 Amostra n2

Caractersticas:

Dimenses (mm): A=22,45; B=23,45; C=26,05

Volume (mL): 21
Massa (g): 29,3159
Densidade (g/L): 1395,995

Foi conectada uma ponta fina em cada face do mesmo eixo de cada amostra e
adicionada tenso CC nas faces de maior e menor distncia entre si.

As amostras foram submetidas a diferentes nveis de tenso, com intervalo a

fim de medir sua corrente, obter a resistividade (por clculos) e como essas
caractersticas se comportam mediante presena de diferentes nveis de
tenso.

8 Resultados

Resultados Amostra n1

Tabela 1- Obtidos no Eixo com Menor Tabela 2- Obtidos no Eixo com Maior
Distncia Entre Pontos Eixo A Distncia Entre Pontos Eixo C

Tenso Corrente Resistncia Tenso Corrente Resistncia

(V) (mA) () (V) (mA) ()
2,50 4,50 0,56 2,50 6,40 0,39
5,00 9,50 0,53 5,00 13,30 0,38
7,50 15,10 0,50 7,50 20,90 0,36
10,00 21,20 0,47 10,00 29,80 0,34
12,50 28,30 0,44 12,50 38,80 0,32
15,00 35,90 0,42 15,00 49,10 0,31
17,50 44,80 0,39 17,50 60,90 0,29

17
20,00 54,70 0,37 20,00 74,10 0,27
22,50 66,40 0,34 22,50 89,40 0,25
25,00 79,80 0,31 25,00 94,80 0,26
27,50 95,00 0,29 27,50 115,00 0,24
30,00 113,10 0,27 30,00 138,30 0,22

Comparao dos Eixos - Amostra n1

160
140
120
Corrente (mA)

100
80
Menor
60
Maior
40
20
0
2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20 22,5 25 27,5 30
Tenso (V)

Figura 17 Amplitude da Corrente em Relao Tenso na Amostra n1

Neste grfico possvel observar que a corrente se eleva de curva de acordo

com o aumento da tenso e com diferena de 20mA do eixo de maior
comprimento com o de menor.

Resistncia - Amostra n1
0,6

0,5
Resistncia ()

0,4

0,3
Menor
0,2 Maior

0,1

0
2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20 22,5 25 27,5 30
Tenso (V)

Figura 18 - Variao da Resistncia em Relao Tenso na Amostra n1

2
 J no grfico acima, possvel observar que a resistncia diminui conforme a
tenso aumenta, porm de maneia linear, diferentemente da corrente.

Obs.: Na curva do grfico de maior distncia, h certa deformidade na

continuidade. No ponto (22.5,89.4), foi retirada a tenso da amostra at que a
temperatura da amostra se igualasse temperatura ambiente, e ento,
continuado os testes. Isso mostra que a temperatura est diretamente
envolvida no rendimento do material. Mas no altera a forma da linha do
grfico.

Resultados Amostra n2

Tabela 3 - Obtidos no Eixo com Menor Tabela 4 - Obtidos no Eixo com Maior
Distncia Entre Pontos Eixo A Distncia Entre Pontos Eixo C
Tenso Corrente Resistncia Tenso Corrente Resistncia
(V) (mA) () (V) (mA) ()
2,50 11,90 0,21 2,50 12,10 0,21
5,00 29,80 0,17 5,00 29,00 0,17
7,50 50,50 0,15 7,50 49,20 0,15
10,00 74,60 0,13 10,00 71,20 0,14
12,50 101,80 0,12 12,50 101,00 0,12
15,00 133,70 0,11 15,00 132,40 0,11
17,50 169,50 0,10 17,50 169,00 0,10
20,00 220,00 0,09 20,00 220,00 0,09
22,50 260,00 0,09 22,50 270,00 0,08
25,00 320,00 0,08 25,00 330,00 0,08
27,50 390,00 0,07 27,50 410,00 0,07
30,00 470,00 0,06 30,00 500,00 0,06

Comparao dos Eixos - Amostra n2

550
500
450
400
350
Corrente (mA)

300
250 Menor
200 Maior
150
100
50
0
2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20 22,5 25 27,5 30
Tenso (V)

Figura 19 - Amplitude da Corrente em Relao Tenso na Amostra n1

3
No grfico acima, as curvas se assemelham s da amostra anterior, porm
com valores de corrente elevados.

Resistncia - Amostra n2
0,25

0,2
Resistncia ()

0,15

Menor
0,1
Maior

0,05

0
2,5 5 7,5 10 12,5 15 17,5 20 22,5 25 27,5 30
Tenso (V)

Figura 20 - Variao da Resistncia em Relao Tenso na Amostra n1

Neste caso, foi observado que o grfico da resistncia no segue a forma linear
e diminui conforme o aumento da tenso.

9 Concluses

Nos ensaios, observou-se a na amostra n2, obteve densidade 31,4% elevada

em relao amostra n1. Conectada a tenso eltrica na amostra n1, o
grfico da corrente que circulava pela amostra manteve uma curva,
aumentando conforme a tenso aumentava, e no houve diferena significativa
entre os eixos de diferentes comprimentos. J o grfico da resistncia, manteve
a forma linear e diminuindo conforme o aumento da tenso. Mesmo com o a
temperatura, a linha do grfico manteve sua forma e teve diferena aproximada
de 0,2 de diferena entre os testes das distncias entre o eixo mais largo (C)
e o eixo mais estreito (A).

O grfico da corrente da amostra n2 obteve curva semelhante ao da amostra

n1, porm com valores elevados com diferena de aproximadamente de
+360mA. O grfico da resistncia obteve curvatura acentuada e com maior
valor quando submetida e menores tenses, que se estabilizavam conforme a
tenso aumentava.

Os resultados mostram o efeito provocado pelos contaminantes na eficincia

do material. Mesmo com 99,999% de pureza, esse 0,001% de elemento
contaminante resultou em diminuio de 31,4% da densidade do material e o
tornou menos sensvel s diferenas de tenso. Este efeito se d,
provavelmente, pelo este matria no ser totalmente isolante, devido a

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impurezas intrnsecas contidas em materiais com propriedades
semicondutoras.

Mas com o mtodo correto de dopagem a quantidade correta utilizada de

dopantes, pode resultar numa eficiente forma de obteno de energia eltrica
proveniente da converso da energia emitida recebida pelo Sol.

Como a principal fonte de Silcio Grau Solar vem do resduo da obteno do

Silcio Grau Eletrnico, que tido como desperdcio de matria-prima, sendo
desenvolvidas tcnicas para melhorar a eficincia da produo de
componentes eletrnicos. Purificar o Silcio Grau Metlico uma tima
alternativa tanto para dispensar a total dependncia da indstria de
componentes, como abre a possibilidade de transformar o Brasil num pais
fabricante suas prprias clulas solares com menor custo, e com o avano e
estudos de novas tecnologias, possvel eliminar grande porcentagem de
dependncia de combustveis fosseis e hidreltricas, que so a forma de
converso de energia mais utilizada na Brasil, evitando impactos ambientais.

10 Biografia

Electronica. Efeito Fotovoltaico, Disponvel em:

http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/173/
Acessado em: 20/04/2013

Electronica. Energia Solar, Disponvel em:

http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/18/30/
Acessado em: 20/04/2013

DNPM Departamento Nacional de Produo Mineral. Quartzo, Disponvel em:

https://sistemas.dnpm.gov.br/publicacao/mostra_imagem.asp?IDBancoArquivoArquivo
=7405
Acessado em: 26/04/2013

VILLALVA, Marcelo Gradella. Energia Solar Fotovoltaica Conceitos e Aplicaes.

So Paulo: Editora rica, 2013.

GTES, Grupo de Trabalho de Energia Solar. Manual de Engenharia Para Sistemas

Fotovoltaicos. Rio de Janeiro: Edio Especial, 2004.

MEI, Paulo Roberto. Purificao De Silcio Metalrgico Nacional Para Produo De

Clulas Solares. So Paulo: 2012

Solar Cells, Fuel and Batteries Stanford University Course by Bruce Clemens: Obtido
do site https://class.stanford.edu/courses/ no dia 01/10/2013