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En las curvas se pueden observar tres zonas muy bien diferenciadas como ya se vio en
el apartado 5.1 del libro base:
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
En un transistor NMOS con las curvas idealizadas los modelos para las distintas zonas
de trabajo son:
- Corte. Circuito abierto a la salida y circuito abierto a la entrada,
iD=iS=iG=0A.
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
Figura 4. Modelos del transistor NMOS ideal: (a) corte, (b) saturacin y (c) hmica.
Sistemtica de anlisis
Al igual que se puede hacer en el caso del transistor bipolar, para analizar cualquier
circuito con transistores NMOS y determinar el punto de trabajo de cada uno de ellos,
es preciso seguir un proceso de prueba y error, que en este caso se desglosa en las
siguientes fases, detenindose el proceso cuando el resultado de una verificacin es
positivo:
- Hiptesis 1: el transistor trabaja en zona de corte y por consiguiente iD = 0A.
- Verificacin 1: uGS<Uto.
- Hiptesis 2: el transistor est operando en zona de saturacin, es decir,
iD=g(uGS-UT), y adems iG=0A e iD=iS.
- Verificacin 2: uDS>UCON.
- Solucin: el transistor est trabajando en zona hmica, es decir, uDS<UCON.
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
Ejemplo A
Solucin
- U DD + R1 I1 + R 2 I1 = 0, - R 2 I1 + UGS + ID R S = 0
Figura 5. (a) Circuito del ejemplo A y (b) circuito equivalente en zona de intensidad
constante.
U DD - R S I D - U DS - I D R D = 0
I D = g( U GS - U to )
R 2 I1 = 9,25V = U GS + I D R S
Operando con las dos ltimas ecuaciones se obtiene UGS=5,27V, valor que llevado a la
segunda ecuacin resulta en ID=0,3A, que sustituido en la primera ecuacin permite
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
De los dos valores obtenidos, 2,29V y 5,57V, slo es vlido el segundo ya que el otro es
menor que la tensin de umbral.
Sustituyendo este resultado en las dos primeras ecuaciones se obtienen los siguientes
valores: REQ=9,345 e ID=0,283A, y por consiguiente UDS=2,645V.
Ejemplo B
Solucin
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
30V = I D R D + U DS + R S IS = 2 I D R + U DS
Puesto que la ecuacin que relaciona la corriente de drenaje con la tensin entre los
terminales de puerta y fuente, en este caso U, es justamente la expresin de la fuente de
corriente dependiente del circuito equivalente, es decir, ID=g(UGS-UT), basta con
sustituir para determinar el valor de U en el punto de transicin de zona de saturacin a
zona hmica: 1,3A = 1 AV-1 (U-4V), es decir, U=5,3V.
Ejemplo C
Solucin:
Puesto que inicialmente la tensin entre drenaje y fuente es mayor que la tensin de
contraccin, y adems el enunciado nos indica que para todo instante la tensin entre
los terminales de puerta y fuente es de 5V, mayor que la tensin umbral de valor 4V, el
transistor estar trabajando en un principio en zona de saturacin.
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
t
du C 1 1 I t
iC = C ; u C = i C dt = i C dt + u C (0) = D + 10 V
dt C C0 C
Dicho proceso de descarga lineal ser vlido hasta que la tensin entre drenaje y fuente,
y por consiguiente la del condensador, alcance el valor de la tensin de contraccin de
3V, hecho que ocurrir para el instante de tiempo:
1A t
3V = + 10V; t = 7 s
1F
-(t -7 s)
u C = 3V e RC
y donde el producto RC, constante de tiempo del circuito, tiene un valor de 3s.
Ejercicio A
Ejercicio B
Solucin:
ecuacin de la lnea de carga: UDS =30V
punto de trabajo Q: UDS = UGS = 30V e ID=13A.
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Modelo de gran seal del transistor NMOS
Ejercicio C
Solucin: ID=1,19A.