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I.-OBJETIVO:
NOTA : El profesor debe realizar una breve introduccin del experimento y sus objetivos. As mismo
debe permanecer durante toda la
II.-EQUIPOS Y MATERIALES:
- Osciloscopio
- Generador de funciones
- Fuente de alimentacin
- 1 Multmetro digital
-1 Protoboard.
III.-DESCRIPCION BASICA:
Es una conexin de dos transistores de unin bipolar para funcionar como un solo transistor
superbeta,
la conexin Darlington se muestra en la figura A. La principal caracterstica de la conexin
Darlington
acta como una sola unidad con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de dos transistores por separado. Si la conexin se hace utilizando dos transistores
corriente de:
12D
Una conexin de transistor Darlington proporciona un transistor con una ganancia de corriente de
varios miles.
2.-Conecte un
voltmetro y mida Vcc= 12 v. Para nuestro circuito Mida los voltajes VE, VB y VC.
SEAL DE ENTRADA
SEAL DE SALIDA
Ve2= 12V Vc2= 12V Vb2= 11.7V Ic2= 55.044ma ib2= 517.64 ua
V0max= 4v Vi= 6V
8. Aplique una seal senosoidal de 1000
hz y 1 vpp con C2 desconectado.Observe en el osciloscopio las formas de onda de
seales de entrada y salida simultneamente .Dibuje las formas de onda de las seales
de entrada y salida.Mida y tome nota de las amplitudes.
SEAL DE SALIDA
SEAL DE ENTRADA
Vc1 = 571.7mV
Vb1=707mV
9. Incremente la magnitud de la seal de entrada hasta que observe que la salida empieza a
distorsionarse,justo antes anote.
V0max= 1v Vi=4
Esta configuracin sirve para que el dispositivosea capazde proporcionar una gran ganancia
decorriente y,al poder estar todo integrado,requiere menos espacio que dos transistores normales
en la misma configuracin.Laganancia total del Darlington es el producto dela ganancia de los
transistoresindividuales. Undispositivo tpico tiene una ganancia encorriente de 1000 o superior.
Tambin tienen un mayor desplazamiento de fase en altasfrecuencias que un nico transistor, de
ah quepueda convertirse fcilmente en inestable la tensin base-emisor tambin es mayor,
siendo lasuma de ambas tensiones base-emisor
En la figura 1 lo que amplifica este montaje es la corriente que pasa por Ic2. El primer transistor
hace la funcin de polarizacin y el segundo transistor es el que soporta la intensidad Ic2, por eso
el segundo transistor ha de ser un transistor de mayor potencia que el primer transistor.La
ganancia de corriente de este circuito es el producto de las dos betas de los transistores.La tensin
de base-emisor es de 1,4 V ya que hay dos transistores.
Este circuito puede servir para que se pueda colocar componente de mayor potencia, por ejemplo
un rel.