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Estados del MOS


de canal n*

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Conduccin

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krt".,-V,l'
tDefiniciones de estado
para los transistores cle efecto de campo
siempre que tb.s < 0,2 | uo, - V,l

Definiciones de estado para los transistores de efecto de campo

Activo inverso Saturacin

Activo directo

Definiciones de los estados de los transistores bipolares


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CONTENIDO
Pnloco. xi
Pnloco A r.q. EorcrN sN Esp.tol- xiv

C.rprulo 1. PnrNclpros DEL MoDELADo y pRocESAMrENro n, ssAJ-..... I


1.1 Sinergia hombre-computador......... J
1.2 Caractersticas tensin-corriente y transferencia de los dispositivos ..................... 4
1.3 Amplificadoresideales 12
L4 Entradas, salidas y cargas intermedias.. 11
1.5 Amplificadores diferenciales.................. 23
1.6 Otras limitaciones de los amplificadores............ 39
1.1 Sumario 52
Referencias 52
Problemas 53

C.prur,o 2. Auprlnc.loREs opnRACToNALES 63


2.1 El amplihcador operacional.................... 63
2.2 Circuitos con operacionales sin memoria 65
2.3 Circuitos con amplificadores operacionales con memoria...... 76
2.4 Simulacin de amplificadores operacionales de ganancia infinita......... 83
2.5 Efectos de segundo orden en amplificadores operacionales ................ 81
2.6 Circuitos sin realimentacin negativa................... 111
2.7 Sumario 115
Referencias 116
Problemas 116

Cnprulo 3. SnurcoNnucroREs, uNroNES p-N y crRCUrros coN DroDos 121


3.1 Conduccin en aislantes y metales 128
3.2 Conduccin en semiconductores intrnsecos ............. 132
3.3 Semiconductores dopados 131
3.4 Difusin de huecos y electrones 144
3.5 La unin p-n en equilibrio ................ 146
3.6 El diodo de unin....... 150
3.7 Modelos de diodos de gran seal............. 154
3.8 Modelo esttico SPICE para el diodo............ t66
3.9 Circuitos no lineales conformadores de ondas 168
3. i0 Circuitos conlormadores de onda que utilizan amplificadores operacionales ....... 186
3.11 El diodo como intemrptor.............. 192
3.12 Propiedades dinmicas de la unin p-n ............... 194
3.13 Modelo dinmico SPICE para el diodo........... 242
3.14 Tipos especiales de diodos 204
3. 1 5 Sumario 206
Referencias 201
Problemas 208
vil coNrENtDo

C.prulo 4. BIpoLARES.
Tnq.r,rstsronns 219
4.1 Principios fisicos.......... 219
4.2 Modelos de Ebers-Mo11................... 222
4.3 Estado activo directo 225
4.4 Estados de cor1e, saturacin y activo inverso 229
4.5 La recta de carga 232
4.6 Transistor pnp............... 231
4.7 Anlisisdelpunto A ..... .. 238
4.8 Modelo esttico SPICE del transistor bipolar.....'.'.. 251
4.9 Efectos de segundo orden ....'.'.'.. 254
4.10 Modelo dinmico del transistor 264
4.ll La conmutacin del transistor '..... 265
4.12 Modelo dinmico SPICE del transistor bipolar '.'..'.'. 269
4.13 Fabricacin de circuitos integrados 212
4.14 Sumario 280

ReJbrencias 281
Problemus.... 281

C,lprur,o 5. TruLnststonns DE EFECTO DE cAMPo.... 291


5.1 El MOSFET de canal n....'..'.'.'....... 291
5.2 Anlisis del punto de trabajo de los MOSFET...'...'......'. 302
5.3 Resistencias FET y lneas de carga no lineales 311
5.4 MOSFET de canal p................... 3t7
5.5 Modelo esttico SPICE para eI MOSFET .) 1/
5.6 Transistores de efecto de campo con puefta de unin 325
5.1 Anlisis del punto de trabajo de 1os MESFET y JFET..' JJJ
5.8 Modelo SPICE esttico del JFET 338
5.9 Efectos de segundo orden de los FET 341
5 . I 0 Modelos dinmicos para los FETs . .. '. '.. '. '. 346
5.11 El FET como intenuptor................ 349
5.12 Sumario 358

Referencas 360
Problemas "" 360

C,prulo 6. Crncurros DE poLARIZActN............ 37 1

6.1 Polarizacin y seales en circuitos analgicos 371


6.2 Tcnicas de diseo de circuitos de polarizacin'................ 315
6.3 Principios de diseo de circuitos de polarizacin'................ 381
6.4 Variaciones en el diseo.. 387
6'5 Sensibilidad ' 394
6.6 Anlisis de los circuitos de polarizacin en SPICE......'.'. 399
6.1 Fuentes de corriente 407
6.8 Referencias de coriente especiales 426
6.9 Sumario 431
Referencias 439
Problemas.... 439

C.prur,o 7. Anrplrrrc.noREs coN TRANSISroRnS................... 451


7 .1 Principios del anlisis en pequea seal ............. 451
1 .2 Modelos del transistor en pequea seal ............ 4s3
1.3 Circuitos equivalentes en pequea seal ............ 463
1.4 Amplificadores en emisor comn y fuente comn 468
7.5 Amplificadores en base comn y puefia comn...'.'... 416
coNTENrDo lix

7.6 Amplificadores en colector comn y drenador comn.......... 482


7.7 Anlisis SPICE en pequea seal ............ 4Bl'
1.8 Amplificadores con varios transistores 489
1.9 Amplificadores diferencia1es................. 503
7.10 Aspectos avanzados en el diseo y anlisis en continua 539
1.lI Sumario 546
Referencias 541
Prohlema.s s4l
C,tpruro 8. Rospuusr. EN FRECUENCIA................, 565
8.1 Amplificador de banda ancha............ 565
8.2 Herramientas de anlisis para dinmica de circuitos 567
8.3 Respuesta en baja frecuencia 570
8.4 Respuesta en alta frecuencia 584
8.5 Respuesta en frecuencia de amplihcadores diferenciales de una etapa 609
8.6 Respuesta en frecuencia de amplificadores con dos transistores ....................... 618
8.1 Valores de los parmetros de los transistores bipolares.. 624
8.8 Sumario
ReJ'erencias 630
Problemas 630
C.rpruro 9. CIRcurros DE REALTMENTACIN......... 645
9.I Teora de realimentacin negativa ideal ............ 645
9.2 Efectos sobre la sensibilidad, ancho de banda y distorsin..... 647
9.3 Clases de amplificadores realimentados............... 6s4
9.4 Teora de realimentacin cuando hay efectos de carga 66r
9.5 Amplifi cadores FET y bipolares realimentados.................... 661
9.6 Estabilidad de los amplifi cadores realimentados................... 680
9.1 Osciladoressenoidales 695
9.8 Sumario 113
Referencias 115
Problemas 715
C.rpiruro 10. Crncunos y srsrEMAS DE porENCrA 725
10.1 Disipacin de potencia en los transistores............. 726
10.2 Transistores de potencia y amplificadores de potencia ................. 730
10.3 Amplificadores de clase A.................. tJz
10.4 Distorsin de no linealidad................. 739
10.5 Amplificadores en clase B .................. 742
10.6 Amplificador en clase A8............... 748
10.1 Operacionales de potencia 761
10.8 Amplificador en clase D.................. 164
I 0.9 Fuentes de alimentacin................. 768
10.10 Sumario . 779
Referencias 780
Problemas.. 780
C,cprur.o 11. Crncurros TNTEGR{Dos ANALcrcos. 7gg
11.1 El amplificador operacional de transconductancia 789
11.2 El amplificador operacional 141.Un caso a estudiar.................. .. j9j
11.3 Multiplicador analgico .. 812
11.4 PLL (bucle de captura de fase)........ 830
I1.5 Sumario 851
CONTENIDO

Referencias 852
Problemus.... 852

C.prulo 12. FnrRos........ 859


12.1 Conceptos bsicos de fi1tros....... 859
12.2 Filtros activos de segundo orden ....'....'. 867
12.3 Filtros activos de paso bajo de orden n 886
12.4 Extensin de la teora de los filtros pasivos a los activos 903
12.5 Circuitos de capacidades conmutadas.'..'......'....'.'. 9i0
12'6 Sumario 919
Referencias 920
Problemas.... 921

C,prur,o 13. Clncurros lcrcos DIGITALES.... 921


13.1 Puefias lgicas ideales y aproximaciones prcticas........."""""' 928
13.2 Circuitos lgicos NMOS y PMOS....... " 932
13.3 Circuitos lgicos CMOS 943
13.4 Circuitos lgicos de arseniuro de galio.'....'. 952
13.5 Circuitos lgicos TTL......'...... 959
13.6 Lgica de emisores acoplados 911
13.1 Sumario
Referencias 988
Problemus.... 989

Cprulo 14. Nlnuontas, INTERC6NEXIx v pRlNcrplos DE TEMPSRIzACIN 991


14.1 Circuitos biestables 998
14.2 Circuitos monoestables 1010
14.3 Circuitos astables 1013
14.4 Temporizador integrado 555............... 1018
14.5 Principios y problemas de la interconexin'.......'... 1022
14.6 Efectos en las lneas de transmisin ................'. 1048
14.'7 Memorias de estado s1ido........... 1013
14.8 Sumario l o84

Referencas 1086
problemas.... i086

ApNlrcn A. SPTCE
ANr_rsrs 10gg
A.1 Aniisis en continua 1099
A.2 Anlisis en alterna I 1 01

ReJerencas ll02

ApNrrcn B. CuanRrpolos................... 1103


-B.1 Definicin de cuadripolo 1103
8.2 Parmetros 2...........-...... 1104
8.3 Parmetros y.................. 1101
8.4 parmetros h................... 1109
B.5 Parmetros g............... ... 11 11

problemas.... I 116

Aprorcr C. P,nr,rnrnos SPICE DE Los TRANSISToRES BIPoLARES. 1111


l*i

t
PROLCGC

Este texto est inicialmente pensado para un curso en dos semestl'es de las ingenieras elctricas.
Cubre multitud de tpicos con una profundidad razonable aunque el prof'esor podr eliminar algunos
de los puntos para adaptarlo a las necesidades individuales de cada programa. La organizacin del
texto tambin es til para las necesidades especficas de las ingenieras en inlbrmtica ya que per-
mite avanzar en los aspectos digitales omitiendo muchos de los detalles de 1as aplicaciones lineales.
El texto exige como prerrequisito un curso de teora de circuitos que incluya el anlisis senoidal
en rgimen permanente y el anlisis transitorio de circuitos RC de primer orden. Tambin sera de
gran aytida otro crlrso simultneo de teora de circuitos que incluya las transfbrmadas de Laplace y
las funciones de transferencia cuando se est estudiando la segunda parte del libro. Finalmente, los
captulos 13 y 14 suponen una cierta farniliarizacion con las puertas lgicas ideales.
La secuenciacin de los captulos comienza con aspectos orientados a la instrumentacin tales
con'ro amplificadores operacionales y fbrn.ras de onda para dar a los estudiantes un rendimiento
rpido a sus horas de estudio y facilitar el acceso simultneo al laboratorio donde se pueden experi-
mentar los conceptos ms interesantes y los diseos mas sencillos.
E,1 nfasis inicial en amplificadores operacionales apunta l-racia un diseo descendenter ya que
obliga a los estudiantes, desde ei principio a ver los circuitos electrnicos en trminos de rndulos
fr-rncionales.
Al cornienzo del captulo l, el libro hace nfasis en las relaciones entre las representaciones gr-
ficas, matemticas y circuitales de los dispositivos. En la experiencia del autor. tal nfasis, conti-
nuado a lo largo del texto, ayuda a los estudiantes a una rnejol integracin y retencin del material.
E,l capttulo I introduce la idea de usar la simulacin en computador como soporte al estudio y a la
rplicacin tle la elcctrnica.
El modelado en SPICE est totalmente integrado en el texto y no es relegado a un apndice. Esta
integracin establece un ambiente de estudio en el que los estudiantes se aprovechan de la potencia
de clculo de los computadores mientras aprenden los conceptos. El texto centra continuamente la
atencin de los estudiantes en la in-rportancia del anlisis manuai algebraico y en los modelos senci-
llos para desarrollar el conocimiento y despus hacer nfhsis, mediante ejemplos seleccionados, en
cmo usar SPICE para extender este conocimiento mas all de ios lmites de estos modelos senci-
llos. Esta aproximacin permite un tratamiento vlido de los aspectos importantes que tradicional-
7

mente slo eran cubiertos superiicialmente debido a su complejidad matemtica; tres ejernplos de
esto pueden ser e1 anlisis de los retarclos de almacenamiento de carga, sensibilidades y distorsiones.
Las exposiciones y ejemplos SPICE son muy bsicos y no se clecantan hacia ninguna versin de
SPICE. Los ejemplos de1 texto fueron desarrollrdos mediante 1r versin eclucacional PSPICETT\r y
comprobados en clase mediante unr implementacion de redes de SPICE II.
El texto desarrolla nuevos conceptos de fbrma tradicional, por anlisis: sin embargo. las ideas son
despus resumidas y replanteadas desde la perspectiva del diseador. dndole otro sentido distinto
del que se obtendra de1 simpie anlisis de un conjunto de ecuaciones. El SPICE se usa para com-
pletar esta perspectiva de diseo prctico. Por ejemplo, el anlisis de sensibilidad numrico de1
SPICE se usa para identiflcar qu parmetros de circuitos y componentes son ms crticos para la
obtencin de las especificaciones. El diserdor traba.jar despus slo sobre los parmetros crticos
de 1as expresiones algebraicas para descubrir cmo mejorar el cit'cuito. Las ideas prcticas de diseo
de este tipo permiten e1 desarrollo de todos los tpicos en lugar de ser relegados a Llnos pocos ejem-
plos especiales y probiemas. Los ejemplos y eiercicios hacen hincapi en el anlisis crtico de los
resultados de SPICE en trminos de principios tericos.
El dia-erama de flujo acljunto mllestra los requisitos esenciales para cada captulo. Los captulos zl
y -5 introducen los transistores bipolares y los FETs pero exclusivamente sus modelos de gran sea1
y sr-r relacin con las clll'vas caractersticas. Los modelos de pequea seal aparecen bt'evemente en
el captu1o 6 y se detinen formalmente en el captulo 7. Esta aploximacin evita la confusin que se
suele asociar al intento de ensear demasiados modelos intes de que stos sean refbrzados medirLnte
aplicaciones. El nfasis inicial en los modelos de gran sea1 tambin genera dos posibles ramas de
evolucin directa para el estudiante: circuitos digitales en el captulo 13 algo ms convencional,
continuando por e1 captulo 6 donde los modelos se aplican al anlisis y diseo de 1os circuitos de
polarizacin.
Cualquier secuencia de captulos consistente con el diirgrama de fluios puede presentarse sin difi-
cultades de enseanza. Por ejemplo, los amplificaclol'es operacionales pueden ser situados detrirs de
los circuitos con transistores como prefieren algunos prof-esores. Se pueden dar varios tipos de cur-
sos inclr-ryendo variaciones sobre el siguiente tema bsico: un primer curso con la marora de los
captulos 1 a 5 ms el diseo de los circuitos de polarizacin del captr-rlo 6 y un segundo curso que
comenzari con la sensibilidad en el capitulo 6 y continuara con los aspectos ms irnportantes de los
captulos7a10,12y13.
Quiero reconocer mi deuda con algunos autores contemport.teos, especialmente Sedra y Smith.
Gray y Meyer, y Hodges y Jeickson cuyos lcidos y creativos libros de texto han influenciado nri
forma de pensar, mi enseanza y. presumiblemente este libro. De un trabajo inicial de Angelo he
trprendido por primera vez lo pliicentero que podra ser ensear con el apoyo de un texto que los estu-
clirntes sean capaces de leer.Tambin agradezco en gr1n medida el apoyo dei Departamento de Inge-
niera Elctrica e Ingenieri Informtica, especialmente por la ayuda prestada en los mor.nentos difi-
ciles y por el ambiente educativo v excelentes tacilidades del Centro para E,studios Avanzados de la
Universidad de Iowa. Muchos profesoles asociados y estudiantes contribuyeron al proyecto tanto en
clase como entre bastidores. Especialmente notables fueron los esfuelzos de Terly Shie. Tom Cross.
Geetani Edirisooriya. Brian Sobecks r Alissa Chan que me han ayudado a formular y comprobar el
manual cle solr-rciones.
De fbrma personal. agradezco a Rosemaly Malik y Lumir Samek sus vitales consejos. a Bill Streib
y N4argaret McDowell la inspiracion de las clases yt mi esposa Margaret su infalible apoyo.

Norbert R. Malik
PRLoGo lxiii

Principios de modelado
y procesado de seal

Amplificadores
operacionales

: Semiconductores.
uniones pn y
circuitos con diodos

Transistores bipol

Transistores de efecto de campo

Circuitos de polarizacin

Amplificadores
con transistores
': ll Memorias,
interconexin y principios
Respuesta en fiecuencia
de temporizacin

'.. Circuitos de realimentacin

Circ"ritos y sistemas
de potencia

i Circuitos integrados

Estructura de requisitos para los captulos


ri-E

l*u

Cuando se decidi la traduccin de la obra "Electronics Circuits" de N.R. Malik. la intencin era obte-
ner un texto en castellano que tuviese la mxima aceptacin posible dentro del segmento de lectores
al que va dirigido. Esta es cabe duda- una tarea compleja por cuanto el resultado final debe
satisfacer a un conjunto de-no
personas que presentan claras diferencias en los trminos que habitual-
mente manejan. E1 mbito de utilizacin de este texto (varias ingenieras y facultades de ciencias fsi-
cas) es ya, por s mismo, un panorama ampiio de divergencias y desacuerdos pero, si an aadimos
las diferencias idiomticas entre los distintos pases que compartimos el castellano como lengua
comrn, el problema se agrava y se puede hacer vlida la frase de "separados por un mismo idioma".
Con estas ideas muy presentes se ha procurado traducir respetando al mximo la obra original y lo
que el autor quiso poner en ella, as como cumpliendo con las normas de nuestro propio idioma, el que
formalmente regula la Real Academia Espaola de la Lengr,ra y e1 que introduciendo trminos no reco-
gidos an por aqulla, se habla en el contexto tcnico ono y que constituye una jerga
-acadmico
aparte. As, se han empleado trminos tales como, por ejemplo, senoidal o drenador en lugar de los
lingsticamente correctos, sinusodal o drenaje, por la sencillarazn de que los primeros se utilizan
mucho ms; esta misma idea se puede extender a otros casos que el lector ir encontrando a 1o largo del
texto y que, sin nimo de menosprecio alguno a la Lengua, consideramos que contribuyen a mejorar la
comunicacin. En otros casos se ha mantenido el trmino en ingls ya sea porque su traduccin conver-
tira una palabra en una frase (y dificultara la comprensin) ya sea porque la terminologa anglosajona
est ms xtendida en el mundillo tcnico; ejemplos de estos casos son los trminos sl.ew-rate, clrit,et',
brffir, aliasing entre otros. Para ellos, se ha optado por dar una traduccin a pie de pgina con la cor:res-
pondiente explicacin para la primera vez en que aparecen. Finalmente, en aquellos casos en que exista
la duda de cul de las dos versiones (la castellana o la anglosajona) era la mejor, nos hemos decidido por
1a primera pero indicando tambin el trmino en ingls en, al menos, la primera vez en que apat:ece. Por
esta serie de licencias que nos hemos concedido pedimos la comprensin del lector ya que se ha procu-
rado mantener la claridad del texto como primer objetivo an sacrificando el rigor literario.
Tambin se ha realizado una "relajacin progresiva en los trminos" a lo largo del texto, pasando
de una terminologa estricta en las primeras veces en que aparece un determinado concepto a una
ms acorde con el lenguaje tcnico habitual para ayudar al nefito a introducirse mejor en la 'Jerga
electrnica"; un ejemplo est trminos como fuente cle cilimentctcin, ampli.ficador operacional o
transistor bipoLar que, a medida que se suceden 1as pginas, se convierten en al,imentacin, opera-
cional y bipolar, forma de expresarse ms prxima a la que se emplea en e1 lenguaje habitual.
Cuando a 1o largo del texto encontremos un trmino que describe un concepto y que no nos resulta
tan familiar como el que aplicamos habitualmente, lejos de despreciar cualquiera de los dos, asuma-
mos que si con ambos se puede expresar el mismo concepto. no significa tanto que crea confusin
como que se enriquece nuestro Vocabulario y nuestro idioma. Desgraciadamente, en un texto slo
puede recogerse uno de ellos.
....E

Captu lo

PRINCIPIOS DE MODELADO
Y PROCESAAAIENTO DE SEAL

La electrnica se difercncia de forma significativa cle cursos anteriores de teora c1e circuitos. En
ellos,
las tensiones y corrientes consistan, bien en funciones tempolales elementales tales como
senoides o
exponenciales. bien en t'llotes continuos sin si-enificado o sentido especial. En la electrtrl..
las ten-
siones y con-ientes aplicadas son, en general, seules que contienen informacin que
el circuito l.)roce-
sctrt de algn modo. En los sistemas cu'Lalgicos la infbrmrcin se codifica en las
fbrmas de oncla de ten-
siones o corientes y e1 procesamiento podra traducirse en hacer la seal mayor o
menor. en eliminar
ruidos. cambiar su fbrma. cleterminar el valor de pico, rne<lio o combinarla con otra
seal. En sistemas
cligitales las seales son secuencias de nmeros binarios; 1os vilores altos y bajos de
unr coniente o de
una tensin representan respectivamente los valoles binarios uno y cero. Los circuitos
eiectrnicos digi-
tales realizan operaciones aritmticas y otras sofisticacias operaciones cle procesamiento
cle informacin
binaria. usindo itlterconexiones cle cilcuitos elech'nicos de propsito esplcial llamados pueltas
lgicas.
Podemos identificar los circuitos electrnicos por la presencia cle dispositivos especiales
cpre mocli-
fican la forma de la serl o arnplifican su potencia. Sgn este criterio. 1a electrdnica ,"
*igin .n
Itj96 con la transmisin de la seal sin cable por Marconi en ltalia y popov en Rusia. Los piimeros
receptores de radio detectaban seales mediante la utilizacin de disposiiivos c1e
contacto de puntas,
llamados "cat whiskers" (")', o mediante el uso de diods cle vaco, para cambiar
la forma de onda de
Ia seal. I-a eiectrnica moderna data de 1907, cuando Lee DeForest aadi
al diodo de vaco descu-
bierto por Thomas Edison en 1883 una re.iilla de control. El descubrimiento hecho por
DeForest
basrdo en que una seal cle entrada nuy pequea poclra controlar una seal grande
de salida a travs
delarejilladecontrol,constituyelabaseclelaamplificacin.En 1941
,unequipodeloslaboratorios
de la compaa Bell Teiephone: William Schockley, John Bardeen y Walter Brattain desarrollaron el
transistor de unin, un dispositivo cle estado slido y no cle vaco, que realizaba
la misma fncin.
Gracias a este descubrimieuto los inventores ganaron un premio Nobel y comenzaron
a hacerse avan-
ces en la miniatul:izacin, fiabilidad, velocidad de operacin y coste de
los circuitos electrnicos. El
circuito integrado (CI) inventado independientemente por Jack Kilby en Texas Instruments
y p'r

' Cat whlskers: denominados as por sri fttrrra de peio cle gato

L.-:
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de

Robert Noyce en Fairchild Semiconductor. condujo a avances iguahrente levolr-Lcionarios. El con-


cepto de circuito integrado haca posible la fabricacin de circuitos fbrmados por miles de transisto-
res, con sus resistencias y condensadores asociados en un nico chip serniconductor. El CI, adems,
elirnin la necesidacl de conexiones a nivel de circuito y llev a glandes reclucciones de coste.
Asociaclo al procesamiento de seal est el sentido del flLrjo de infbmracin a travs del circuito.
Un lado del circuito, por convencin la parte izquierda, lunciona como entrada y la seal entra en
fbrnra de tensin o corriente. El otlo extl'emo del circuito, el derecho, funciona cc't't'ttsttlicLt y la seal
procesada sale tlel circuito y pasa r ser observable para llevar a cabo alguna funci(rn rtil o para ser
proce\acla por' t)lro circuito.
Algr-rnas rreces, las fuentes conectadas a la entlada representatl "f ranscluctores tle entrctdct", dispo-
sitivos que convierten variables fsicas con'ro el scrido. temperatura, presin, caudal o aceleracin en
seales elctricas codificidas en variaciones de tensin o corriente. A stas, se las denomina seales
de corriente alterna (ca) porclue I'aran con el tiernpo. Sin embargo, en algunos c1sos, la seal se
pi-rede mantenef constlnte durante largos intervalos de tiempo (corriente continua o cc ) ] sigue siendo
r-rna seal, dado que coutiene infbrmacin. Como ejemplos tenemos la temperatura, la intensidad
luminosa, 1a tensin mecnica y la presin.
Los diagrarnas que representan circuitos electrnicos muestran a tlenudo una resistencia especial
en la salida. clenominadr corgu o resistencict cle cctrgct, a travs de lr cr-ral se transfbtrna la seal de
salida. La resistencia de carga representa a veces ttn trctnscluctrr de scLlickt que convierte la energa
eictrica eu otra ntagnitud fsica, como por ejemplo hace el sonar, qlle convierte energa elctrica en
ondas de presin submarinas. O, en otro caso, la resistencia cle carga podra representar la entrada de
otro circuito de procesamiento de seal, o simplemente comportal'se como ulia t'esistencia.
Algunos circrLitos eiectrnicos sirven como fi-rentes de seales usadas para distintas aplicaciones,
conro temporizactn y prueba de laboratorio de otros circuitos. Estas fuentes son ejemplos de circui-
tos electrnicos qLle no precisan de seales de entrada.
I
Otra idea introducida en la electrnica es la poluriz.ncin. Los dispositivos slo son capaces de
t arnplificar seales debido a la conversin de potencir continua en potencia en la seal. Por tanto,
adems de aplicar tensiones y corrientes contiuuas r las seales. debemos aplicarlas a nuestros cit'-
cuitos electrnicos. En consecuencia. en la mayor parte de los circuitos electrnicos. 1as seales de
tensin y de corriente se encllentran superpuestas sobre los niveles de polurizncin. Esto se repre-
senta en lir Figura l . l a como un circuito: tna.fiLene de oLrcnucn Vrr con corriente media 1p sumi-
nistrir potencia continua Vrplr l circuito. La ter.rsin ,, y la corriente ii contienen infbrrnacin que ser
procesada en el circuito y R. es la resistencia de carga, destino de la seal procesada. Sr-ipongamos
que la seal r 9st & 0 hasta el instante de tiempo / = 0, carnbia a un estrclo activo cuando pasan Z
segunclos y despus vuelve 1 estar en estado 0. Las formas de onda de la corriente y la tensin
tendran el aspecto de las Fi-suras 1.lb y c. Antes cle /= 0 y despus de /= I, slo aparecen en la
salida una tensin V,. y una corriente I de polarizacin. Sin ernbargo, cuando est presente trna sea1
cle entrada r.'. e l. contiene componentes de seal que superpot los niveles continuos Vt,e It,.
La mayol parte de los circuitos digitales no emplean directamente polarizacin, sin embargo, su capa-
cidad de recuperar niveles de seales que se han deteriorado durante la transrnisin depende de amplifi-
cadores de potencia que actan conjuntamente con luentes de alimentacin. El concepto de combinar
seales con niveies continuos es importante en el diseo de circuitos de interconexin digital.
Para distinguir entre los distintos tipos de tensiones y corrientes se siguen las siguientes conven-
ciones en notrcin: los caracteres en rnaysculas coll subndices en maysculas. tales conto Vpp ,
1,,,V, e 1, describen tensiones y corrientes continuas. Los caracteres en minsculas con subndices en
minsculas, como r,; . i , ii e lr describen seales. Los caracteres en mintsculas con subndices en
maysculas collo fr. e l- describen tensiones y corrientes totales, que incluyen tanto los valores con-
tinuos de polalizacin corno las seales.
1.1 / Sinergia hombre-computador I3

vpp

uL

Salida

t,r(t) - Vr+ u,(t) iLQ)=lL+it(r')

(b)

FIGURA'l .1 Notacin para los circuitos electrnicos: (a) continua, seal y tensiones y corrientes totales
en un circuito; (b) componentes de una forma de onda de tensin tpica; (c) componentes de una forma de onda
de corriente tpica.

Portanto, en la Figura 1.1b, para r< 0 y t > T, iL= 1,. Para0 < < T,i =1, + I. Estas distincto-
nes se convierteu en especialmente importantes en la introduccin del inlisis en pequea seal del
Captuio 7.

Lt
SI N ERGIA HOMBRE.COMPUTADOR

Antiguamente, gran parte del tiempo de un ingeniero estaba ocupado en realizar tediosos clculos. Hoy,
los ingenieros han sido reernplazados en ese tipo de tareas por la superior velocidrd, precisin y memo-
ria de los computadores. No obstante. los computadores son inf'eriores en la nrayor pafie de las tareas que
llevan asociadas decisiones o comprensin. Reconociendo que los seres humanos y 1os cot.nputadores tie-
nen capaciclades complementarias. es importante que los ingenieros mejoren estos aspectos que f'acilitan
su trabajo en colaboracin con los computadores y no en competencia. As se concentraran en recordar
principios bisicos y en cmo aplicarlos, a la vez que en aprender el manejo de computadores para exten-
der su conocimiento en reas en las que estn limitados por sus modestas capacidades de cilculo.
Los dispositivos y circuitos electrnicos son complejos, sin embiirgo su funcionamiento bsico se
comprende de una forma sencilla mediante modelos que sacrifican la exactitud a li sencillez. Estos
modelos nos ayudan a hrcer predicciones matemticas sobre cmo se comportar el circuito fsico.
Adems estn disponibles potentes paquetes de simulacin por computadol'que nos ayudan en nlles-
tras tarels de anlisis y diseo. Estos programas utilizin solisticaclos modelos que hacen prediccio-
nes matemticas mucho ms exactas que las calculadas mediante los sencillos modelos utilizados
I
I

i
I
CAPITULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

directamente por el hombre en crlculos manuales. Sin ernbargo, el computacior no puede interpretar
los resultados de sus predicciones ni, por 1o general, mejorar el diseo original. En este caso se
requieren el conocimiento humano y la intuicin afianzados con la experiencia obtenida con mode-
los sencillos, para evaluar resultados y sr-rgerir mejorls.
En este captulo aprenderemos algunos conceptos elementales de modelado y los usaremos para
describir amplificadores sencillos. En posteriores captulos aplicaremos los rnismos conceptos a una
gran variedad de dispositivos y cir-cuitos. Los modelos proporcionan un mecanismo eficiente y rela-
tivamente fcil de reunir, almacenar, relacionar y recuperar mucha informacin sin demasiada nece-
sidad de memorizarla. Ms an, concede una cualidad de comprensin que nos pennite recurrir I
experiencias previas para adcluirir nuevos conocimientos y analizar nuevos circuitos.
El programa de compr-rtadores llamado SPICE2 nos ayuda a aplicar las ideas de moclelado a cir-
cuitos cornplejos. Las simulaciones tambin nos hacen ms ef'ectivos en el laboratorio debido a que
las decisiones de diseo ya han siclo probadas, verificadas y me.joradas antes de que se haya cons-
truido realmente un prototipo.
SPICE realiza anlisis en continua. alterna o transitorio cle cualquier circuito c1r-re le describamos. La
informacin clue precisa es exactamente la que se necesitara para poder realizar el anlisis a mano.
Suministramos el diagrama del circuito introduciendo una sentencia para cada elemento: resistencie,
bobina, condensador o fuente. Esta sentencia le da un nrmero de nodo a cada punto de conexin y e1
valor numrico apropiado a los elementos pasivos y fuentes de continua. En lrs fuentes con valores
variables en el tiernpo usamos las convenciones SPICE para indicar la naturaleza de la funcin. Las
sentenciis especiales de control ir.rdican el tipo deseado cle anlisis y los valores numricos de salida
qlte queremos examinar. Segn se vaya introducienclo cacla nuevo dispositivo electrnico en los
siguientes captulos, describiremos su modelo SPICE correspondiente para poder avanzar. habi-rn-
donos t tener esta potente henamienta de clculo computacional que complementa nuestro trabajo.
Los resultados SPICE pueden ser significativamente distintos de los resultaclos
-numricos-
obtenidos en el anrlisis manual algebraicu,r. Las ecuaciones nos revelan cmo contli-
buyen los componentes individuales-ecuctcones
al funcionamiento global del circuito y debido a esto, da una
visin del circuito que no se obtiene con slo resultados numricos. Esta visin es ms importante
para diseadores qlle necesitan a menudo mejorar el circuito que estii siendo analizado.

1.2
CAMCTERSICNS TENSIN -CORRI ENTE Y DE TRANSFERENCIA
DE LOS DISPOSITIVOS

Usamos tres descripciones distintas para analizar y clisear circuitos electrnicos y ver la formr en
que funcionan: (1) ecr-raciones matemticas, (2) modelos de circuitos y (3) curvas grtficas. Las ecua-
ciones matemticas dan descripciones cuantitativas precisas de cada dispositivo. Los moclelos de cir-
cuitos permiten e1 ar.rlisis sistemtico cle elementos conectrdos entre s me<liante el uso de formalis-
mos de la teora de circuitos. Las representaciones grlicas facilitan el uso de las caractersticas
humanas de reconocimiento de patrones para asociar los elementos con dispositivos ideaies. Aunclue
estas descripciones representrn distintos puntos de vista, estn estrechamente relacionadas. Un cono-
cimiento claro de la forma exacta en que se relacionan hace que la electrnica sea mucho ms fcii.
El elemento clave es un sencillo grrfico qlre representa la corriente y la tensin de un dispositivo
dado. Por convencin, estos grrficos son conocidos corno cLu't)ct.s t,i (ten.;n-corriente), lunclue cLrr-
vas corriente-tensin sera un nombre ms adecuado.

N. clel T.: SPICE son las iniciales cie Sinrulation Program Integrated Circuit Emphasis o, en castellano, Proglarra tle Simu-
lacin para Circuitos Integrados.
1.2 I Caraclersticas tensin-corriente y de transferencia de los dispositivos 5

1.2.1 CURVAS Vl (TENSIN-CORRIENTE)

Comenzaremos con alguno s dipolos f-amiliares, es decir, elementos que tienen \n pot de nodos exclu-
sivamente.

Resistencia Para introclucir la idea de una curva caracterstica consideremos, para empezar, las
resistencias. A este elemento est asociado el smbolo de la Figura 1.2a. Siernpre que insertemos una
resistencia en un circuito. aadiremos dos variables, r e i, para indicar las tensiones y corrientes des-
conociclas: tambin introcluciremos una restriccin. Para la resistencia, esta restriccin es la ley de
Ohm, Ecuacin (1.1), que caracteriza la resistencia mediante una relacin entre v e l.
/r\
r=l-lv (1.1)
\R/
La caracterstica vi de la resistencia es una representacin de la Ecuacin (1.1)
en un sistema de coorclenadas de corriente y tensin, la lnea recta mostrada en
la Figura l 2b, donde la inversa de la pendiente es la resistencia R. La curva
1 ?,
caracterstica es simplemente la representacin grfica de la ecuacin que
t cafacteriza el elemento o la restriccin que impone el elemento en el circuito
n{, El :mholo, la eeuacin y la curvi-t ceracterstica son I'epresentuciolles equira-
?
I
lentes clel mismo objeto y debemos ser capaces de pasar de unas a otras con

facilidacl. Por ejemplo, cualquier elemento representado pof una lnea recta que
(a) atraviese el origen en su curva caracterstica puede escribirse como una ecua-
cin conro la (1.1) para describirlo matemticamente, y siempl'e podremos
representarlo por el smbolo de la Figura 1.2a.
FIGURA1.2 Resistencia:
rat smbolo esquemlico;
(b) curva vi. l-uente de tensin independiente Una primera visin de una fuente de tensin
independiente es la que muestra el smbolo de 1a Figura 1.3a. Cuando aadimos
este elemento en un circuito, introducimos nuevas variables v e i al iguai que ocu-
n.e con las resistencias. Sin embargo, en las fuentes de tensin no existe ninguna
ecuacin que relacione v e L En su lugar, el elemento est caracterizado por
(1.2)
v: V.,
(1.3)

La Ecuacin ( 1.2) indica que la tensin slo puede tomar el valor Vss. La Ecua-
cin (1.3) enfatiza el hecho de que la corriente no est definida de ningn modo
por la fuente de tensin. Esto quiere decir que la corriente puede tener clcl-
lt quier vc,lor positivo. negativo o cero.

.O La Figura 1.3 muestra esto ms claramente. T,a curva caracterstica es una


lnea de tensin constante en el punto v = Vr-,. La cantidad de corriente depende
totalmente de los dems elementos conectados a la fuente, no de la propia
J
fuente. De hecho, Ia nica forma de determinar la corriente en una fuente de
(a)
tensin ideal es aplicar las leyes de Kirchhoff de la corriente en uno de sus
nodos. La capacidad de que la fuente de tensin ideal d potencia ilimitada vl
a un circuito externo est deflnida implcitamente, ya que I puede ser arbitra-
FICURA 1.3 Fuente
de tensin independiente: riamente grande mientras que v es un valor fijo.
, a, simbolo esquemtico;
Hasta ahora. hemos caracterizado una fuente de tensin continua. Para una fuente
tb) curva yi. altema, reemplazafemos la Ecuacin ( 1 .2) por una funcin temporal u = v,(f). Esto
I
I

6l

; CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

significa que la lnea vertical de la Figura 1.2 se desplaza a tzquierda y derecha con el tiempo
segn vaya definiendo v,(r). El resto de observaciones sobre 1as fuentes de tensin sisuen
siendo vlidas.

Fuente de corriente independiente La fuente ideal de cor:riente de la Figura 1.4a introduce dos
variables y una restriccin. Matemticamente

l=1ss (1.4)

v-: (t.s)
La restriccin es que la corriente tiene el valor conocido 155. La tensin no est
especificada y slo se puede determinar mediante la ley de tensiones de Kirch-
hoff en aign bucle que contenga a la fuente. En la Figura 1.4b la lnea cons-
tante (horizontal) que representa la corriente y corta al eje de corrientes en el
valor 1.s.s muestra esto grficamente. La fuente de corriente independiente es
tambin capaz de generar potencia infinita. En una fuente de corriente alterna,
la lnea constante se desplaza hacia arriba y hacia abaio de una forma deter-
minada.

Cortocircuitos y circuitos abiertos Aunque no son propiamente ele-


FIGURA 1.4 Fuente mentos de un circuito, los cortocircuitos y los circuitos abiertos propor-
de corriente independiente; cionan restricciones similares a las de los elementos reales y es til estu-
(al smbolo esquemtico; diar sus descripciones. El cortocircuito de la Figura 1.5 aade al circuito
(b) curva vi. una tensin y = 0 y una corriente I que puede tener cualquier valor. Estas
restricciones se muestran en el grfico de 1a Figura I .5b. Cuando compa-
ramos las Figuras 1.5b y l.3b vemos que el cortocircuito es una fuente de
tensin independiente con V5.5 = 0 ya que ambas tienen las mismas curvas
caractersticas. A menudo, en casos de superposicin, es necesario desactiyttr las fuentes de ten-
sin. En la curva caracterstica vemos que desactivar una fuente de tensin implica mover la
lnea constante de tensin de la Figura l.3b hasta el origen, es decir, fiiar la tensin especificada
a cero. Por tanto, desactivar una fuente de tensin es equivalente a reemplazaria por un corto-
circuito en el diagrama del circuito.
Una comparacin similar de las Figuras 1.5c y d muestra que un circuito abierto en un diagrama
es equivaiente a una fuente de corriente que se ha desactivado o fijado a cero.
Hay otra forma ti1 de ver los cortocircuitos y los circuitos abiertos. Las Figuras 1.5 y 1.2 mues-
tran que un cortocircuito es el caso lmite de una resistencia segn se va aproximando a cero, y un
circuito abierto es el caso lmite de una resistencia que se aproxima a infinito.

,?+
FIGURA 1.5 Elementos '1.
extremos de un circuito. I
(a) cortocircuito; (b) curva l,' l,)

vi de un cortocircuito;
(c) circuito abierto; I I
(d) curva vi de un circuito (a) (c)
abierto.
1.2 / Caraclersticas tensin-corriente y de transferencia de los dispositivos 17

FICURA 1.6
Cuadripolo: Puerto Puerto
(a) concepto y notacin de entrada de salida
general; (b) ejemplo. (a) (b)

1.2.2 ENTRADA, SALIDAY CURVAS CARACTERSTICRS PARA CUADRIPOLOS

Muchos dispositivos electrnicos se modelan como cuodripolos, circuitos que se comunican con el
mundo exterior exclusivamente a travs de un puert de entrada y de un puerto de salida, como
muestra |a Figura 1.6a. La palabra "puerto" implica un par de nodos en donde la corriente que entra
por uno e eilos sale por el otro. Dentro de1 cuadripolo se encuentra un dispositivo electrnico o
interconexiones de elementos del circuito, como en 1a Figura l.6b'
Un interesante ejemplo de cuadripolo es la fuente de tensin controlada por tensin (VCVS')3 de
laFigura 1.7a. Un cuaclripoio introduce cuatroincgnitas: las variables de entrada v1 e i ! las vafia-
bles de salida v: e lu. Tambin introduce dos restricciones al circuito. Para VCVS son
lr =0 (1.6)

f2 - pvl (1.1)

b d
Entrada Salida
(a)

rr=
FIGURA 1.7 Fuente 2V
cle tensin controlada
por tensin; (a) smbolo
esq uemtico; r3u
{b) caracterstica
-2r -l.r
de entrada;
(c) caracterstica de salida;
rdr iuncin de lransferencia.

t N.
del T.: VCVS son las iniciales clel trmino anglosajn Voltage-Controlled Voltage Source
Bl CAPTULO '1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

I
;
En la Ecuacin (1.7) la tensin de entrada 1,, controla la tensin dependiente 1,., obligando a 12 ? Ser p
Veces l,. Al factor que relaciona la salida del cuadripoio con la entrada lo llamamos la transmitancia del
cuadripolo. La transmitancia del VCVS es r. Las cantidades restantes yi e iz DO estn especificadas.
Una descripcin grfica de un cuadripolo requiere dos cul'vas tensin-corriente, unr curvl ci/rlc-
terstica de entrctdct y una curva cctracter.stica cle scLlida que relacione 1as variables de salida. Para
la VCVS. la caracterstica de entrada es la curva yl de un circuito abierto como el de la Figura 1.7b.
La descripcin grfica del puerto de salida es la farnilia de curvas de la Figura 1.7c. Como la fuente
dependiente es de tensin. su salida se describe como una lnea con un valor constante de tensin.
Sin embargo, dado qr.re es dependiente, la posicin exacta de la lnea se determina por la variable cle
control 1'l. Es habitual sugerir grficarnente este control mostrando tnafttmilia de lneas, una para
cacla valor representativo de la variable de control, como en la Figura 1.7c. El valor del parmetro
determina el espacio existente entre 1as lneas. As, cuando vr = I Voltio. 1a lnea constante de ten-
sin se sitra en i,: - i Voltios, cuando yr = 2 Voltios, se sita en 2 pr Voltios y as sucesivarnente,
tanto para valores positivos de yr como negativos.
Adems de tener curvas caractersticas de entrada y de salida, un cuadripolo tiene un tercer gr-
fico asociado, las curvas de lafttncin de trttnsJerencicL q.ue relacionan las variables de salida con las
de entrada. Para VCVS, el grfico de la Ecuacin (1.7) se muestra en la Figura 1.7d, donde la pen-
diente de la curva es su transmitancia. La funcin de transf-erencia es importrnte porque muestra
exactamente como tronsfier el cuadripolo la infbrmacin desde 1a entrada hasta la salida.
La Figura 1.8a muestra otro cuadripoio, la fuente de corriente controlada pclr corriente (CCCS)4.
Su caracterstica de entrada es la curva ul de un cortocircuito. Su caracterstica de salida es una farni-
lia de lneas de corriente de valor constante, donde el valor de la corriente de entrada se Ltsa para
seleccionar una de lrs curvas de salida de las infinitas posibilidades existentes. Estas curvas dan
lugar a las descripciones matemticas
Nr =0 (1 8)

.= Fi ( 1.e)
Il

--]-
(b)

l, (amperios)

FIGURA 1.8 Fuente


de cbrriente controlada por
corriente; (a) esquema;
(b) caracterstica
de entrada; caracterstica
de salida; (d) funcin
de transferencia. (c) (d)

'N. del T.: CCCS son las siglas de Current-Controlled Current Source
1.2 / Caractersticas tensin-corriente y de transferencia de los dispositivos l9

La funcin de transferencia de la Figura l.8d es la expresin grfica de la Ecuacin (1.9), sienclo la


pendiente ia constante de proporcionalidad de 1a corriente de la Ecuacin (1.9).
Hay otros dos tipos de fuentes dependientes, la fuente de corriente controlada por tensin (VCCS)
y la luente de tensin controlada por corriente (CCVS), ambas representadas en la Figura 1.9.
Los siguientes ejemplos ilustran cmo estas sencillas ideas de modelado proporcionan una forma
de complender dispositivos que no sean f-amiliares.

tl
<:)-.l<
+
F!6URA 1.9 (a) Fuente
.'l
de corriente controlada
por tensin; (b) fuente
de tensin controlada
por corriente.

Ejercicio X.1 Para el cuadripolo cle la Figura 1.6b, escribil la ecnacin de (a) la crlrvr caracterstica cle entrada
y (b) la cun,a caracterstica de salicla.
ar.',.
Respuesta: (a) ,= l0 l1 = (r,1-2)/10r.

EJ FMPLO L I La Figura I . I 0a es la representacin de un cuadlipolo clenonin l.lo tl'an sistor bipolar. Lrs cur-
vas caraciersticas, rnostradas en las Fi-9r.rras 1.10b y c slo se aplican al plimer cuadrante de los valores de ten-
sin v corriente. Dibuial ltn modelo lineal cle cilcuito para e1 transistor e irrdc1r.rese cualquier restriccin ncce-
saria para usar el modelo.

Solue in E n plin'rer lugar poclemos reconocer er-r la Figura I . I 0b la culva r,l cle una fuente de ten sin cle 0,7 V.
Una fuente cle tensin de 0,7 V conectada entle los nodos B y E dar'a como resultado la misma caracterstica cle
entracla. Para restringirla al primer cuadrante, especificaremos los valores de entrada cle la corliente i, > 0.

0.7 v
(b)

tc.

1.600 rA is ='1 FA

1.200 rA le=3$A
FIGIJRA .l "1S Modeladcr
800 rA le=2LtR
de un cuadripolo:
(a) esquema del transistor; :100 rA ls= 1PA
(b) caracterstica
de entrada; opA iB=oFA L'('E
(c) caracterstica de salida. (c)
.l Principios de modelado y procesamiento de seal
CAPTULO /

Se-euidamente podemos reconocer las carrctersticas de salida, lneas de corriente con valor constante
etl-
qr.t"a, con yaloies c1e corrientes cle entrada, como las descripciones de una CCCS. conectrda entre los nodos
Corno
y E y controlaclas por lr,. A partir del espacio existente entre las lneas. la transmitancia debe ser 0 ='100.
;r, > O yu evita el funcionamieto en el tecer y clrarto cuaclrantes (ver la Figura l.l0c) slo necesitamos e1 requi-
)
sito ajicional rr.u 0 para restringir e1 funcionamiento al primer cuadrante. La Figula l.l1 nuestra el circuito
)0 y l'6)0 iJ
que repl'esenta el transistor cuanclo

FIGURA 1.11 Modelo


B
*c->--, n
ln,t
del circuito
para el dispositivo
cuadripolo de la Figura
i .10a.

Eiercicio 1.2 Describit'las caractersticas de entracla t salida de la Figura 1'9a si g"' = 2 ms'
son una fami-
R.espuesta La crracterstica de entracla es la lnea horizontal lr = 0' Lrs caractersticas de salicla
la misma distancia unas de otras, cada una de ellas ctiqr-retada con un valor de r',. Part
lia de lneas separaclas a
vr = ll V, +2 V.. . las iners se sepalall en intervalos de 2 mA'

EJEMPLO I .2 La Figura 1.12a es el esquenra c1el triodo de vaco de DeForest y la Figura 1 . 12b es un circuito
prirner'
que representa al trioclo bajo ciertas condciones. Flacer el esqLlema de las caractersticas de salida en el
cuadfante de1 triodo par& r]6 = 0 V, -l -2
V, V y 3 V
Se supone que p es un patmetro positvo.

FlCUR,4 1.12 Esquema


y modelo del circuito
del triodo de vaco. (a)

Soltcin Sin ., las curvas seran las de un VCVS, cle la Figura 1.7c. Pala incluir el efecto de rp, escribircmos
nnr ecuacin clue rclacine 1a corriente cle salida i" con la tensin cle salida vr. Si usamos el noclo K cotno refe-
rencia de tensin. podemos escribir

. u/)- l'\ li'-\ /\ lil',,'/ l'/'+!rr('


l ll t

una ecuacin que relaciona lrs variables cle salida l y lp utilizando 1a variable de entrada r"; col1lo r'u'iable de
control. Cuanclo rr; = 0 tenenios la ecuacin de una resistencia en la curva matcada coll vc = 0 de la Figura l. I 3.
Sustitu,endo en lr ccuacin cle tbnna consecutiva rr; por 2 y -3 obtenenlos tres nnevas lneas rectas de 1a
-1,
misma pcndiente, pero clesplazaclas hacia la clerecha por nclementos de l voltios. Ll

En el lmite en qLle /i, se acerc1 a cero, tanto el circuito de la Figura l.l2b como la curva carrc-
terstica cle la Figura l.l3 se aproximan al valor de VCVS. Podetnos llegar a la conclusin de que
aadir una resistencia pequea en sel'ie con una fuente de tensin dependiente hace que las curvas
caractersticas de salida se aparten ligeramente de las lneas veriicales. A la inversa, una familia de

11
1.2 I Caraclersticas tensin-corriente y de transferencia de los dispositivos

en fuentes de ten-
lneas verticales cercanas nos lleva a un circuito que consiste
sin dependientes y una resistencj.a en serie'
1.6 muestra que coloclr un:r resistencia grande en paralelo
con
El Problema
una fuente de corriente, .t*o la Figura 1'8a provoca que las lneas de la
una
"n distinta de,0., 1lr,' Los Ejemplos 1'l y 1'2
pendiente
Figura 1.8c tengan
de nuestra meto-
muestran tanto |a versatilidad como la aplicabilidad general
dologzi.
2pt 3r siguen el com-
Las curvas cle transferencia de las cltatro fuentes dependientes
portamiento de lneas rectas de entrada/salida que tienden a infinito en cada
FIGURA 1"1 3 Caracterstica que el dispositivo puede tener cualquier valor de ten-
ireccin. Esto implica
de salida los dispositi-
del triodo de vaco. sin o coniente, por muy grancle que sea. Desafortunadlmente,
posibilidades ms limitadas. Ms adelante compararemos
vos reales tienen
para comprender
curvas de transferencia y de salida reales con curvas ideales
mejor las limitaciones prcticas de los dispositivos reales'

1"2.3 MODEIADO DE DISPOSITIVOS

electrnicos, veamos la Figura 1' 14'


Para evaluar nuestros progresos en el modelado de los elementos
,. representa un dispositivo fsico,.por.ejemplo un transistor' y quere-
A la izquierdu y
predecir lo "n "1..tro
que ocurrir si ponemos este elemento en un circuito' Generaimente hay una
des-
mos
utilizarla en las simulaciones por com-
..ip.in matemtica basada en principios fsicos y podemos
para comprender con elia las
puiudor, pero a menudo .rta .r.rip.in es clemasiado compleja
primeras fases del anlisis o del diseo'

FIGURA 1"14 Papel


del modelado y curvas vi
en la descripcin
de d ispositivos
electrnicos.

que son, como los anteriores.


Tambin hay datos grficos en las curvas meclidas de los dispositivos
del circuito, que quiz sea vlido ni-
bastante complejos. Nuestro objetivo es un simple modelo lineal
comprender el elemento y a ver cmo
camente bajo algunas condiciones especiales que nos ayuden a
prcticas obtener este modelo. Una consiste en seguir
se comport en circuito. Existen do.s formas <ie
la descripcin matemtica de un conjunto de ecuat io'
el camino inferior de la figura. Srmplificamos
deriva un modelo que satisface dichas ecuaciones. Otra alterna-
,es linectles ,proxnaclcts! de ani se
t:un,as clel clispositivo pol'curvas ul simplificadas; esto tam-
tiva (canrino iuperior) esitrrnrirrn,'lcts
una de lrs tres
bin nos conduce un del circuito. como vimos, unl vez que tenemos
-t.1.lo
"
121 CAPTULO I/ Principios de modelado y procesamienro de seal

descripciones lineales de la derecha, las tenemos todas ya que podemos hacer fciles conversiones
de una a otra.
Hasta ahora slo hentos profundizado en la parte derecha de la Figura l.1zl. En captulos poste-
riores, segtn vayamos estudiando descripciones matemticas y grficas cle distintos disposilivos,
acudiremos a las tcnicas de este captulo para relacionar las descripciones con icieas sencillas de
nuestros conocimientos sobre la teora de circuitos. Dichas tcnicas de moclelado son muy generales
y potentes, aplicables tanto a dispositivos histricos tales como los tubos de vaco, como a disposi-
tivos modernos del tipo de transistores de efectos de campo y otros an por inventar.
En la siguiente seccin veremos por qu necesitamos los amplificadores y utilizaremos nuestras
ideas bsicas de modelado para estudiar algunas de sus propiedades prcticas.

1.)
I .._)

AMPLI FICADORES I DEALES

Todos los amplificadores tienen una seal de entrada que controla una seal de salida con ms poten-
cia. Esta seccin describe un amplificador ideal que encien'a la esencia de esta idea en un sencillo
modelo. Una t,ez comprendido el icleal, incorporaremos caractersticas adicionales que lo hagan
menos ideal y ms aproximado a los amplificadores reales.
(/)

I
__t
2T

[-
(a)

'l()

FICURA 1"15 Valor rms


de una tensin variable
con el tiempo; (a) forma
de onda de la tensin;
(b) valor cuadrtico medio
0l_
i0 T 2T
de v(f). (b)

Para revisar el significado de potencia de una sea1. supongamos la tensin 1,(r) de la Figura l.l5a
aplicada sobre una resistencia R,. La potenciu n,santnea disipada por R es

P,(,)= ' I
Rt,
Restringiendo nuestro estudio a tensiones como r,(r) que son periclicas con Lln peodo I (se repiten
cada Z segundos), la pofenr:ia medio en R es

P= =
I r r'r(r)r, _ I f, " t'n'
I f:'rn' TJ' Rt
1.3 / Amplificadores ideales 13

Si definimos el valor cuadrtico medio (rms' o valor eficaz) de u(t) por

(1.r0)

podremos calcular la potencia media en v(r) usando


)
v;
Pill't1,='-'
RI

La Figura l.l5b rnuestra el cuadrado de la ter.rsin r.,'1r; la lnea punteada es su media. El valor rlrlS, v
es la raz cuadrrda del cuadrado de su valor medio, un nmero asociado con cualquier seal peridica
que nos permite hallar la potencia media mediante el uso de una ecuacin habitual en circuitos de con-
tinua. Un crlculo similar del valor rnls de una corriente peridica variable con el tiempo l(t) nos da

'(r) dt

A menos que lo contrario, el trmino "potencia" significar en lo sucesivo potencin


se especifique
media. Un resultado til de este desarrollo es el concepto de valor rms de una seol de tensin o
corriente variable con el tiempo.

I.3.] LA NFCESIDAD EE LOS AMFLIFICADOR.ES

La Figura 1.16a es un ejemplo de la necesidad de los amplificadores. Tenemos unaJuente de


seal con tensin en circuito abierto r,5(r) y una resistencia interna R.s. Parr llegar a un objetivo
til, la seal debe ir dirigida a una carga dadtt Rt. Por ejemplo. supongamos que 1a fuente es la
cabeza de un lector de cintas de cassette con una tensin en circuito abierto de 100 mV rms y
resistencia interna Rs=22 kf), una carga de un altavoz de 100 mW y 8f) y el objetivo es pro-
ducil: msica audible. Dtrdo que el altavoz debe producir ondas de presin en el aire lo suficien-
temente intensas como para estimular el odo, es raro que la carga necesite un valor determinado
de potencia. Para producir msica al nivel 100 mW 1a tensin rms del altavoz debe cumplir

v;= l00mW
8

por tanto se necesita una tensin de salida Vt= 891 mV rms. Claramente 1a cabeza del lector de la
cinta es incapaz de producir 100 mW ya que el valor rms de ,,(t'), Vr es menor de los 894 mV reque-
ridos. La situacin es realmente peor que sta ya que una conexin directa entre la cabeza y el alta-
voz produce 1a divisin de tensin:

/8)
v. =
[s.;000 ) r, =(0,00036
x 100) = 0,036 mv

Es ms fcil, menos caro y una aproximacin ms flexible, amplificar la seal existente qtte
intentar disear un cabezal que pueda proporcionar directamente la potencia necesaria de
salida.
tN.del T.: El tlmino rnrs scn las iniciales cle Root-N4ean-Square. cs decir, r'alor cuadrtico medio clue recibe, tambin el
nombre de "l rlor eficaz".
CAPITULO 1/ Principios de modelado y procesamiento de seal

R"
r4\^'&-o H
+i l+
i'r(l) () n, i,;r,r
V
-l l_
.l
Fuente Carga

(a)
-

Amplificador
(b)

uL(t)

lu=8.9
J'
8,9 V L___

Ftct,JRA 1.'t6
(a) El problema
del amplificador: fuente
dada y carga; (b) fuente
acoplada a la carga
con un amplificador ideal;
(c) ampl ificacin vista
como proyeccin sobre
l funcin de transierencia.

1.3.2 EL AMPLIFICADOR IDEAL

Un tipo de ampiificador ideal es la VCVS . La Figura 1.16b nos ayuda a descubrir cmo incrementa la
potencia de la seal de salida. El anlisis de nuestro circuito lleva asociados valores rms. La corriente
de entrada del amplificador i(r) es cero debido a Ia existencia del circuito abierto. Esto hace que la ten-
sin interna caiga en la resisfencia del cabezal i,(t)l22kl = 0. La tensin de entrada dei amplificador es
- ".() -;,(r)[zzt<]
= r,,(r)
1.3 / Amplificadores ideales 115

La fuente dependiente produce pu.(r) Voltios sobre la resistencia de carga.


De esta forma, la ganancia de tensin,4,,, de un amplificador se define como
tensin de salida
A- (1.11)
tensin de entrada

En la noracin de la Figura 1.16b A" - p. Para producir los 100 mW del altavoz (894 mV de tensin
de salida), el amplificador debe tener una ganancia de tensin que cumpla

A,V, - r100: V,, =894


De esta forma la ganancia de tensin de p > 8,94 asegura una potencia de sonido adecuada.
La Figura 1.16c utiliza la caracterstica de transferencia VCVS para mostrar la forma en que
el amplificador ideal procesa la entrada v,(). La construccin grfica surge a partir de la idea de
componer funciones en matemticas. Recordemos que si una funcin =/0) es conocida y si '
es por s misma una funcin de otra variable /, entonces r(/) puede hallarse a partir de la susti-
rucin x(t') = J(.y(.t)).
Para cada I hallaremos en primer lugar el valor y(r); despus haliaremos la x que corresponde a
esa y. La curva caracterstica de transferencia de la Figura i.16c, un grfico de la funcin lneal
v,,= f(v,) toma el lugar de "r =fl).Para hallar cmo vara v con / desarrollaremos primero v" (r)
bajo la curva de transferencia. Adems, a la derecha se realiza un sistema de coordenadas para
y(r). En cada instante, como por ejemplo / = 1r, tenemos el valor grfico de v.(r). Proyectar este
valor hasta la caracterstica de transferencia utilizando la lnea punteada vertical es equivalente a
calcular yr(t) =.f(v,(t1)). Proyectar este valor horizontalmente hasta el instante 11 completa la ope-
racin de composicin de funciones. Haciendo esto para cadat, estableceremos la forma de onda
completa de salida para cualquier fbrma de onda de entrada. (Generalmente, podremos conocer la
fbrma general de la onda utilizando principalmente la imaginacin, es decir, sin realizar la pro-
yeccin punto a punto.)
La figura ejemplo 1.16c rnuestra que la seal de salida tiene exactamente la misma forma que la
de entrada, pero es 6,9 veces mayor. Un amplificador con una mayor ganancia de tensin tendra una
caracterstica de transferencia con ms pendiente y dara lugar a una seal de salida ms grande,
teniendo la misma entrada. En trminos de las funciones de transferencia r, frente a y,, la definicin
de la ganancia de tensin de la Ecuacin (1.1 1) se transforma en la pendiente

A,=#

Hacer la proyeccin a partir de una curva es un procedimiento importante que utilizaremos a menudo,
ya que da una visin de problemas complicados sin requerir demasiado esfuerzo.
Otro parmetro til de la ganancia de un amplificador es 1a ganancia de potencia,4,,, definida por
notencia de salida
(1.12)
/' potencia de entrada

Vemos que cuando F = 8,9 el amplificador de la Figura 1.16b entrega 100 mW al altavoz, pero no
toma potencia de entrada de la fuente ya que la corriente de entrada es cero. Por tanto, la ganancia de
potencia del amplificador ideal es infinita. En siguientes captulos veremos que muchos amplifica-
dores reales reciben una potencia de entrada insignificante y en consecuencia tienen aproximada-
mente una ganancia de potencia infinita.
II .,u
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Cuando un arnplificador aumenta la sea1 de potencia. siempre es en el


contexto de la FigLrra 1.1a. E,n ella tenemos una fuente de tensin continua
Vpp Que proporciona potencia al amplificador a travs de una tensin cons-
tante y una corriente de pulsos. El amplificador convierte parte c1e estl ten-
sin en seal de potencia, proporcionando as ganancia de potencia sin violar
el principio cle conservaciiin de energa. Mecliante la sola descripcin de
seales, nuestros circuitos equivalentes ocultan los detalles de la transferen-
cia de potencia.
Hasta ahorr la palabra "amplificador" ha querido dectr untlificctclor cLe tensin
en el que una tensin de entrada controla una tensin de salida. La VCVS de la
Figura 1.17a sirve como modelo. Podemos controlar una seal de salida con una
de entrada de otras tl'es fbrmas. una de ellas es utilizar un cntLplifitadrtr de
corrienfe modelado pol una ccCS corno en la Figura l.l7b. La funcin de trans-
ferencia de este ampliticador es Llna representacin de la corriente de salida fiente
a la de entrada. Para este circuito la giinancia es de corriente, pendiente cle la
funcin de transferencia. Los dispositivos fsicos llamados transistores bipola-
res funcionrn como arnplificadores de corriente.
Otra posibilidad es el ttmplificudor tle transc:ontluc'ttutcict. en ei que la ten-
sin de entrada controla la corriente de salidr como en la Figura I . l7c. Su nom-
bre describe rnuy bien su fr-rncin, dado que la conductancia es la relacin entre
tensin y corriente. y el pretijo trans significa a travs de. Es decir, el control
pasa desde una tensin de entradu hasta una corriente de solitla. La funcin de
transf'erencia de un amplificador de transconductancia es una representacin de
la coniente de salida en relacin con la tensin de entrada; la ganancia es g. y
la pendiente de la curva tiene dirnensiones de concluctancia. Los llamaclos tran-
sistores de ef'ecto de campo son de forma inherente arnplificadores de trans-
conductancia.
El amplificador de transresistencia, modelado por la CCVS cornpleta el con-
junto. La ganancia en este caso, es \a trunsresistencia r,,, en la Figura 1.17d.
Podemos concluir que 1as caractersticas vi de las cuatro fuentes clepenclientes
FCURA 1"17 Cuatro tipos son descripciones ideales de los cuatro arnplificaclores bsicos.
de amplificadores: Hasta ahora hemos tratado la ganancia cotrto un nmero positir o; sin
(a) amplificadores de tensin
(VCVS); (b) amplificadores de embargo tambin nos encontraremos fiecuentemente con valores negativos clue
j
{ corriente (CCCS); significan que la pendiente de la curva de transf'erencia es negativa. La Figura
(c) amplificadores de 1.18 muestra que su resultado es una senal de salicla int,errira, es decir. una
transconductancia (VCCS); imagen especular sobre el eje tiempo, que adems est amplificada. Inversio-
(d) amplificadores de nes de seal de este tipo no presental problernas de procesamiento de infor-
transresistencia (CCVS). macin.El ejemplo del cabezal/altavoz es extrapolable a muchas aplicaciones
prcticas. En vez de un cabezal, el origen de la seal podra ser un electrocar-
digrafb. una galga extensiomtrica o una antena receptora; en vez de mrsica.
la salida deseada podra ser un registro grlico, sectores de memoria magntica
en un disco de un computador o la posicin de un motor que rnane.ja los cables
de un ascensor.
Siempre hay una fuente dada que produce la seal de entrada y una carga, cacla una de ellas con
ciertos parmetros que deben funcionar unidos de alguna fbrma. El amplificador dct 7a potencta soli-
ciada por la carga, adems de mantener las caractersticas cle la seal. La siguiente sccin tratar
sobre complicaciones prcticas que sLlrgen al implementar estos conceptos bsicos sobre amplifica-
dores.
/ Entradas, salidas y cargas intermedias 17

lr.
I

FICURA 1.18
Ampl if icador i nversor;
l'l
(a) un VCVS con ganancia
l
negativa; (b) efecto 1

de la ganancia negativa (b)


en la seal de salida.

1.4
ENTRADAS, SALIDAS Y CARGAS INTERMEDIAS

1 .4.1 EFECTOS DE I.AS RESISTENCIAS DE ENTRADA Y SALIDA

para realizar un modelo ms realista de un amplificador, aadiremos resistencias internas a la fuente


ependiente como en la Figura 1.19a. Hay una resistencia de salida R, y una resistencia de entrada
R,. Las descripciones c1e los amplificadores suelen dar valores para [r, R' Y R" y debernos comprender
el significadocle estos parmetios antes de poclel disear, encargar o incluso utilizar de fbrma inteli-
gente un amplificador real.

FICURA 1.19 Modelo


r-eal de un amplificador;
ai circuito equivalente
del amplificador;
br anrplificador utilizado
para acoplar una fuente
a una carga dada. (a)

La Figura 1 . 1 9b es un circuito equivalente en el que una fuente de seal v. y R. se conecta a la carga


R. a travs de un amplificaclor no ideal. Debido a R, y a R, la tensin desarrollada en el amplificador
de entrada es s1o
R (1.13)
r) --- l,
' 4+R,
-
'

Esta divisin de tensin en la entrada del amplificador es la carga de entrada. La tensin de entrada
r,; se amplifica internamente en p; sin embargo la tensin amplificada no aparece en su totalidad
en

la resistencia de carga ctebido aILt resistencir de salida. As:


r
CAPITULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

(1.r4)

De las Ecuaciones ( 1. 13) y ( t . 1a) deducimos que la ganancia de tensin del amplificador no ideal es
lR,
A =! =u'Rr+&,
' (1.15)
l',
Observemos que p no es realmente la ganancia, sino nn lmite superior de la ganancia. Como la
ganancia mxima se encuentl:a en R -)co llamamos a p" gutancia cle tensin en circ:Ltito ctbierto.
Suele ser til una segunda definicin de ganancia de tensin, que incluye la carga de entrada. Defi-
nimos la nlleva ganancia A', como
, I'
A=!
t'
(1.16)

Sustituyendo v' de la Ecuacin (1.13) en la Ecuacin (1.14) obtenemos

.4=
RR
' Lt /-
' R--R,'R-R
( 1.17)

Esta definicin muestra que cuando los requisitos clel amplificador incluyen a v, y y,. no slo debe-
mos considerar a p sino tambin R' y R,,. Esto muestra que haremos mejor uso de ias capacidades de
un amplificador si la carga es tal que R. >> .R., y R. << R;. S1o entonces la ganancia se aproximar
a la del amplificador ideal. E1 tener dos expresiones de ganancia no supone ningrn problema siem-
pre que tengamos cuidado de indicar cul de ellas estamos utilizando en un momento dado.
Dado que el amplificador de la Figura 1.19b no tiene una corriente de entrada cero, su ganan-
cia no es infinito. Podemos derivar una expresin general para la ganancia de potencia de la
Figura 1.19b, sin embargo es ms fcil acudir a Ia definicin de la Ecuacin (1.12) y utilizar el
modelo del circuito cuando se necesita saber la ganancia de potencia.
Otra variable es la ganancia de corriente.
corriente de salida del amplificador
A= ( 1.18)
corriente de entrada del amplificador
En los siguientes ejercicio y ejemplo, aplicamos las diferentes clefiniciones y conceptos del modelado.

Ejercicio 1.3 Una seal con tensin de 5 mV en circuito rbierto y l0 kO de resistencia interna se conecta a
una cargt de 100 Q usando un amplificador no ideal. El arnplificador tiene una ganancia de tensin en circuito
abierto de 200, resistencia interna de 90 kO y 100 O de resistencia de salida. Calcular los valores numricos c1e
la tensin cle salida del amplificador y la ganancia de tensin.
.l
Respuesta Vo = 450 mV, A = 00.
',

EJEMPLO I .3 Tomando el arnpliticador del Ejercicio 1.3 hallar a) la ganancia cle corriente, b) 1a ganancia de
potencia y c) la tensin que habra en la resistencia de carga si la fuente se conectua directamente a la cargl sin
ntilizar r,rn amplificador.

Solucin a) El primer paso consiste en hacer un resllmen de los datos conociclos mecliante un diagrama como
el de la Fgura 1.20a. Utilizando las respuestas de los ejercicios y trabajando con valores rms llegamos a:
1.4 I Enfradas, salidas y cargas intermedias 19

Adems, la Ecuacin ( 1.18) nos da 1o siguiente:


1.5_!u_=q^ lo'
"A 5<10'

t0 ko 100 o 10 ko

mV 5mV
-5

[-- ou"n,. - _--*l-_- Ampliri cailor =- *l* a.'r" -]


(a) (b)

la fuente a travs de un
FIGURA 't "20 Diagramas de circuitos del Ejemplo 1.3; (a) Carga conectada a
amplificador; (b) Carga conectada directamente a la fuente.

br La potencia de salida de1 amplificador cae sobre R.. En consecuencla

P., \' 0 -15'


'' Rt. 100

La potencia de la seal que entra en el amplificaclor es:


(+.s'to')':2,25- ..,o..,
10 "w
P=vi=
i ti 9'lo"

,\s. 1a sanancia en potencia es


2.03x 10 ..-
A = i -()'ol'10"
' 2.25^l0'

I r La Figra 1.20b muestra que sin el arnplificaclor. la tensin en circuito abierto de 5 nV se reducir por la clivi-
.in cle tcnsin a

y'' -l\ ItJo


)^s=o.o+ss,nv r
/
10.100
a veces exis-
Es posible que el amplificador de tensin sea el modelo ns utilizado; sin embargo,
tencircunstaniiasespecialesquesonmsfavorablesparausare1an'rplificadoridealdelaFigura1
l7'
La fuente disponibl dicta cul es el circuito de entracla apropiado para el amplificador. Cualquier
201 CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

tuente de tensin apunta hacia una entrada en circuito abierto (control por tensin); cualquier fuente
de corriente favorece la utilizacin de una entrada en cortocircuito (control por corriente). La Figura
1.21a muestra la fuente como una tensin en serie con Llna pequea impedancia 2,. Esta impedan-
cia puede ser una funcin de la fiecuencia, suele ser flertemente variable y es, con bastante proba-
bilidad, no lineal (el viilor de Z, cambia con la corriente). Si hay Lrn flujo de corriente apreciable a
travs de Z, la entracla r,, del amplificador puede ser significativamente distinta a r,,(r), indicando
que la seal del amplificador est deformada. Las entradas en circuito rbierto de los amplificado-
res de tensin y transconductancia aseguran que yi = v,(r). Un antplificadol real con resistencia de
entrada R, >> I Z" I es la rnejor opcin.
Aunque tenemos tendencia a pensar en las seales como tensiones, algunas fuentes dan informa-
cin en fbrma de corriente. Un ejemplo es el fotodetector, que convierte intensidad luminosa en
corriente elctrica. Cualquier fuente de corriente no ideal, con alta impedancia interna. se visualiza
mejor en la Figura 1 .21 b, donde Z, sera dependie nte de la fiecuencia. muy variable y no lineai (fun-
cin de tensin). Un amplificador ideal con una resistencia de entrada cero es ms adecuada ya que
la tensin en Z es cero; de esta fbrma ii = l,(/) y Z,no tiene absoiutamente rringn efecto sobre 1a
seal de entrada. Un amplificador real con R; << I Z, I es una solttcin casi tan viicla.

FICURA 1.21 Fuentes


de seal y circuitos
de entrada
de un amplificador ideal;
(a) la fuente de tensin
favorece un circuito
abierto; (b) la fuente
de corriente favorece
un cortocircuito.

Las necesidades de la salida del amplificador sugieren cul sera el mejor: circuito cle salida. La
mayora de las veces, la informacin de salida se codifica en firrma de tensin, por lo que un ampli-
ficador de tensin o transresistencir es lo mejor. Sin ernbargi'r, la inlbrmacin puede tomar ocrsio-
nalmente fbrn.ia de corriente. Un ejemplo prctico es Lrna terminal de pantalla de video que utiliza el
cimpo rnagntico producido por Lrna bobina para desviar un haz de electrones. Como la fuerza
magntica de deflexin es proporcional a la corriente de la bobina, la infbrmacin sobre la desvia-
cin se debe codificar en forma de corriente. En este tipo de aplicaciones son ms convenientes los
amplificadores de corriente y de transconductanciu.

1.4..2 ,AAitPLlFlCAnCIRHS eOl"{ ETA,PAS EN CASCADA

Si un ampliticador no tiene la suficiente ganancia como para satisfacer las especificaciones, se deben
r-rtilizar clos amplificadores en cascadtt, como en la Figura 1.22. A partir de la figura, la ganancia del
prirrer arnplificador es

lR
.1r' = l ( l. r9)
' t', 'tR-'+R,,,
La ganancia del segundo amplificador es

RL
= A': : l-t: (I .20)
R,- * 4,,
/ Entradas, saiidas y cargas intermedias 21

La ganancia del amplificildor resultante es el producto de 1as ganancias


por separado; es clecir
Y0 1r- l,',r
_ A :X-=4,,X4,,
= yr:
.=.i,
I'1 v2
(r.21)

que da como resultado

.. + R,,
,lr -=U, RL
(.r.22)
R,,*8,, '-R,+4,,
despus de sustituir las Ecuaciones (1.19) y (1.20). El ltimo factor
es un trmino de carga cle salida.
El segr-rndo factor se llama el factor cle ccu'ga intenteclict, porque resulta de las
cargas e conexin
entre las partes del amplificador. Ei principio cle multiplicarias ganancias
individualel incluyenclo los
eJecttts cle corgct intenneclios, para obtener Ia ganancia global Je una
sucesin de amplificclores en
cascadacomo en laEcuacin (1.21) se extiende atrs o ms amplificadores
en cascada.

Flcu!{A 1.22
Amplificador en dos etapas VzL\ RL
lormads por la conerin
de dos amplificadores
en cascada. Ampliticador I Amplificador 2

, Resaltemos el papel de,sarrollado por la simplificacin que resulta cle la aplicacin de los moclelos
de los amplificadores en los anteriores desarrollos. Si nos concentramo,
.n lo. definiciones y mode-
los, podemos obtener fcilmente las ecuaciones necesariis usando
simplemente el anlisis cle circui-
tos y as evitar memorizarlas. E,ste patrn se rnantendr a 1o largo
del libro

1..4.3 AEeiEEL|OS

Hemos definido ganancia de tensin, corriente y potencia como


simples relaciones entre variables de
salida y entrada. Las ganerncias, as como otras ieiacion.r, ,. .*p."rn
a veces cle una tbrma ms con-
veniente en unidades logartmicas llamadas clecibelios (dB),
especialmente si tratamos con grandes
variacioes de ganancias o cascadas de amplificadores. La definicin
de gctncmciade tensin en cleci-
Deuo.\, A ,tu, es

A,,,u = 20 x tog lA, | = 20 x tog lv,, /r,, (1.23)


I

donde log se refiere al logaritmo en base 10. El signo de valor


absoluto es necesario, dado que la
ganancia es a veces negativa. La ganancia de potencia
en decibelios viene dada por

A,,u = 20 x log lA,l = 20 xtog li,,li,l (1.24)


La ganancia en potencia tiene una definicin diferente de decibelio.
a saber.

A,ru =10 x log ro x:rc,g r,l


ia,,] = le,, I (1.2s)
E,l Ploblema 1.29 trata la forma en que Arr: Se relaciona con A,,s y A,a.
221 CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Ejercicio 1.4 Un ampliticador tiene tensiones rms de entrada y salida de 35 mV y 6V respectivamente. Sus
resistencias de carga de entradr y salida son 10 kO y 20 kO respectivtmente. Calcular 1a ganancia cle tensin,
corriente y potencia de este amplificadot'en decibelios.
Resruesta A,,to = = 38,7 dB. A,,,8 = 1).,7 dB.
14,'7 dB. A,/1,

Para convertir los decibelios, utilizamos la inversa de la definicin. Por ejerr-rplo, un amplificador con
ganancia de potencia de 23 dB, en la Ecuacin (1.25) tiene una ganancia de potencia de

.4,, = lor3/ro =f,-rnn,t


Los decibelios. nombre dado en honor de Alexander Graham Bell, inventor del telfbno, se for-
mularon originariamente como medidas convenientemente relacionadas con la respuesta del odo
humano. Dado que el odo percibe el mismo incremento en la potencia de salida de un altavoz desde
0,lWaiW(incrementode0,gW)queunincrementodelWal0W(incrementode9W).tiene
sentido describirlos r rmbos como incrementos de l0 dB. Adems, con escalas de decibelios, pode-
mos describir grficamente conjuntos de nrmeros que se encuentran entre 1o muy grande y lo muy
pequeo. Por ejemplo. la curva de un amplificador de ganancia que varia desde I a 10'con r,arie-
ciones en algn parrnetro, se puede representrr convenientemente en una escala de decibelios que
vara entre 0 y 100 dB.
Otra caracterstica til es que la ganancia en decibelios de un amplificador en cascada es la suma
de las ganancias en decibelios de las etapas individuales. Si un amplificador de 3 etapas tiene una
ganancia en tensin dudu por
A, :4,,4,.4,.

T,4.Bl-,4 'l .1 Ganancias en decife|ics ), relacio"les de ganarca


Ganancia en decibelios Relacin en tensin o corriente
+20 xl0
+6 x2
+3 x l.114

+1 xl.l2
+0 x 1,0

I x0,892
--) x0,101

-6 x0,5
-20 x0,1

entonces, en decibelios, tenemos


A,.,u-20 frog la,l*lug 4,. +log ,, ]= A,,rorA,.rutA,.,,u
La Tabla 1.1 muestra unos cuantos valores importantes en decibelios y \us tensiones correspon-
dientes. Cero dB corresponde a la ganancia unidad, los vrlores positivos corresponden a ganancias
mayores que I y los negativos, a ganancias fraccionarias. Los signos rns y menos de la primera
columna nos recuerdan que los decibelios se suman. Los signos de producto en la segunda columna
nos recuerdan que las ganancias se multiplican. Recordando Llnos cuantos vrlores de la tabla 1.1
podemos hacer rpidas conversiones mentales desde decibelios. Para una tensin de 47 dB, obtene-
mos mentalmente 47 = 20 + 20 + 6 + I.
---------=--

Ampl ificadores d iferenciales

Razonaremos entonces que el vaior equivalente es: 10xl0x2x1.l2 221. Para


57 dB, pensa-
remos que : 57 = 20 + 20 + 20 - 3, lo que hace que el valor sea: l0 x l0 x L0x0.l0l
=107.

1.5
AMPLI FICADORES DI FERENCIALES

A continuacin introduciremos Lln nuevo tipo de amplificador, conociclo tanto como antplJicatlor rle
diferencicrs o omplificctdor diferencictl. Sus propiedades especiales hacen de este dispositivo
inte-
grado un elemento muy verstil, especialmente til para procesar seales de baja amplitucl
en entor-
nos ruidosos. El amplificador diferencial es tambin un bloque constructivo utilizadt en amplifica-
dores integrados de alta calidad, procesamiento de seales lineales y no lineales e incluso pu..tu,
lgicas y circuitos de interf'az digital. El conocimiento del amplificadr diferencial es por tan
esen-
cial, tanto para amplificadores comercialmente disponibles como para comprender los sofisticados
circuitos integrados descritos en captulos posteriores.

1.5.I DEFItr{ICIONES EASICAS

El amplificador diferencial, Figura 1.23, tiene una masa de referencia y tres nodos asociados al prg-
cesamiento de seal' El nodo marcado con un signo ms, esla entrcLda no inversorut El signo
menos
identitica la entrada tversorct. Como la entrada de informacin lleva asociaclos esos dos nclos.
deci-
mos que el amplificador tiene \na entraclo doble.El otr-o nodo es el de salida. Como slo hay
un nodo
de salida, este amplificador es de una salidct. Todos los amplificadores de secciones
anteriores tenan
una entrada y una salida.

FIcURA 1"23 Smbolo


esq uemtico
del amplificador
d reren c iai .

Algunos autores usan un smbolo triangular par:a el amplificador dif'erenciai; sin


embargo, en este
libro' reservaremos ese signo para el amplificador operacional, un ampliticador diferenciil
especiat
que tiene una ganancia de tensin excepcionalmente alta. Las seales etran
en el ampiificadoi it-
rencial como un par de tensiones v. y v. La informacin codificada en dos tensiones
de este modo
Io llamaremot-,!,94"41.fg."1,EaLDescribiremos esta seal con dos componentes:
un componente en
lgk{lif3tetgjs[d efi nido por
vtt: y.1 _ vb (1.26)
y un componen(e en
@gsgrudefinido por

l.lvt,
(1.21)
2

L
241 CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

En base a estos componentes, e1 amplificador diferencial de la Figura L23 realiza la operacrn


i

( 1 .28)

donde A, es la gcLnancia en 1199!9 gl-iJerencial y A, es la gunancicL en ruedB lcm'. Ordinariamente la


componente en modo dif'erencial es la informacin til para arnplificar y la de modo comn es un ele-
mento no deseado, como por ejernplo ruido. En consecnencia, el amplificador dif'erencial se disea
para que rrl sea grande, generalmente mucho mayor de uno, y que A..sea peqr.reo. a menudo menor
de uno.
Cuando una seal se combina con demasiado ruido aadido, el amplificador de una entrada no es
muy til, ya que amplifica de igual forma la seal que el ruido. Sin embargo podremos configurar a
menudo un amplificador diferencial para qr.ie la seal entre en el amplificador fundamentalmente a
travs del modo diferencial y que e1 ruido entre rnte todo eir ntoclo comn.

I .5.2 5EALFs NIFERFNCIAL85 COMO SUFERFOSICIN'{


DE LOS COlvtpONE"{TES PIFTK.ENCNAL Y FN ndODO eO,}lltN

Las Ecr-raciones (1.26) y (1.21) indican que podemos visualizar cualquier par arbitrario de tensio-
nes como una superposicin de componentes en modo comn y diferencial. Para ayudar a realizar
esta visualizacin haremos primero una pequea demostracin. Sean r,,,(r) y vrG), dos funciones tem-
porales arbitrarias.
Multiplicando las Ecuaciones (i.26) por Il2 y aadindole laEcr-racin (1.27) nos da

r',()-, t,t+$ (1.29)

Restando un medio de la Ecuacin (L26) de 1a (1.27) da

,,,()=r,(-+ ( r.30)

El circuito de la Figr"rra 1.2rla es una interpretacin de las Ecuaciones (1.29) y (1.30). La primera
expresa la tensin u.,(r) como la suma de tensiones de las dos fuentes en serie conectadas entre masr y
e1 nodo a en la Figura 1.24a.La Ecuacin (1.30) es una expresin semejante de r,,(r). Mediante el uso
de la superposicin, podemos aislar los distintos modos que componen la seal desconectando la
fuente en modo comn de la Figura 1.24a. Haciendo esto obtendremos la Figura 1.24b, que muestra
que la esencia de una .seal en ,!g4t:j-=<ryrlcil consiste en un par de tensiones de igual amplitud y
polaridad opuesta, una sutileze importante que no es evidente en 1a Ecuacin (1.26). En lo sucesivo,
nos referiremos al esquema de la Figura 1.24a. obteniendo la FigLrra l.2zlc. Llegaremos a la conclu-
sin de que el componente en m-ojq,eo-m-n (secLl en ntodo c'ontn pttro) es una tensin con idntice
fase en los dos nodos.
La idea de superposicin expresada en la Figura 1.24 no slo muestra la naturaleza bsica de los
modos comn y diferencial, sino que adems proporcitrna una importante herramienta conceptull y
i, analtica. Para hallar 1a respuesta de cualquier circuito lineal de tensin djferencial, podemos calcular las
respuestas a los modos diferencial y comrn de fbrma separada y despus sumar los resultados. Ahora
veremos la Ecuacin ( I .28) como una simple expresin de superposicin en el amplificador dif'erencial.
n"5
E"iercicio Hallar los corxponentes comrn y diferencial cuando las tensiones de entracla son y,, = +5 V y
vt,= 2Y.
Solrcitin v=+J Y, r,, = +1,5 V.
\

1.5 / Amplificadores diferenciales 125

EJEMPLO 1.4 Hallar los conponentes en modo comn y dit-erencial


cuando las tensiones de entrada son: u,,(l) = 2 + 3 cos 30 + 8 cos 16t y
v/,() = 6 - 4 cos 30 + 8 cos 16.
t)r(r) thft)
Solucin
2 2 v,,(t) = (2+ 3 cos 30 + 8 cos 16r) - (6 -,1 cos 30r + Scos I 6r) : -4 + 7 cos 30
r,, (r) = 0,5[(z+3cos30+8cosi6r) +(6-,lcos30+ 8cos16r)]

=4-0,5cos30r+8cos16r _.

EJEMPLO I "5 Las tensiones aplicadas a un amplificador dif'erencial son

r.',,(r) = 0,0l0cos(2n 400r) +0,20cos(2n 60t)

t,( r)
uo(r) = -0,0l0cos(2n 400r)+0,20cos(2n 60r)

1,,(t) t(r) Hallar r',,(t) si A.r = 100 y A, = 0.5


Solucin l,os componentes en modo diferencial y comn son
2 2

r,,(r) = g,92 tos(2n 4oor)

v
r'(r) = 0'29trls(2n 60r)
Utilizando 1a Ecuacin (1.28)
zto(r') r
o-()
= 2co'l2n 400r)+0.t0cos(27T 0/) J
Eiercicitt1,6 Hallar u,,(r) para un amplificador dif'erencial que tiene una ganancia en
modo dit-erencial 2 y en modo comn 0,001 si v.,(l) y u,(t) son las firnciones en el ejem-
plo 1.4.
R.espr.resta v,,(t) = -1,996+ 13.9995 cos 30 + 0,008 cos l6.

,I.5.3
R.FCHAZO DEL &IODO COMN

En el Ejemplo 1.5 la ?1gp$gd5$_lJgtdg en modo comn de 60 Hz era@veces


FIGURA 1.24 !a de la seal en rgq-&-di-_f9{gpelAl de 400 Hz de la entrada, sin embargo en la
a Componentes en modo salida el ruido slo era, !Sgggq.*-1.a*s..eal No slo se haba amplificad_o ia
iiierencial y comn seal 100 veces, sino que tambin se haba reducido el ruido relativo a la seal,
de una seal de entrada demoslrando la capacidrd del amplil'icadol dilerencial de discliminar Its sei-
cualqu iera; (b) seal les para quedarse con el componente deseado.
en nrodo diferencial puro;
c seal en modo Una"cifra de mrito" es un nmero que mide alguna capacidad especial de un
conrn puro. dispositivo. Las cifras de mrito son tiles como especificaciones y fbrman una
base de comparacin de elementos semejantes entre s. Describimos la gapacidad
del amplificador diferenciai de reducir el componente en modo comn mediante
trna cil'ra de mrito Illmacla ro-tt cle rechct:o clc ntttlo comn (RRMC)

RRMC = AA
( 1.31 )
At

]-
CAPITULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

En decibelios. RRMC es

l
,IB= 20los'IAll
RRMC ( 1.32)

Las especificaciones del amplificador diferencial suelen incluir A,r y RRMC.7'; hallaremos A, a partir
de lr Ecuacin (1.32)si es precistr.
Para apreciar mejor la forma en que RRMC se relrciona con la reduccin de ruido, escribimos la
Ecuacin i I .3 l.t como
./\ v" l"'' l',/ v"' u"'l= v''' l"
RRMC =^'A. =vv,,.'' v,.tx =l\ r'. r,, ,, v,,L v,.,
) v,.1 u,.
dondelossubndiceslyorepresentanlaentradaylasalidadelamplificadorydycrepresentanlos
componentes en rnodo diferencial y en modo comn. Despejando v",, I vil,,, nos da

u. /\
= nnvcl l I

r'., \ y,. /
Esta ecuacin muestra que el coeficiente que relaciona el modo comn y el modo diferencial es la
relacin entre las entradas, multiplicada por RRMC. Si somos capaces de configurar nrestro ampli-
ficador para que los componentes diferencial y en modo comn sean exacta-
mente seal y ruido. respectivamente, entonces RRMC es el factor de mejora
ro en la relacin seal/ruido.
t.'a

+o Uso del amplificador diferencial con entrada nica Podemos usar amplifi-
cadores diferenciales como amplificadores de una nica entrada introduciendo
seales por una entrada y poniendo la otra entrada a masa. Supongamos por
),,, ejemplo que r,,,(r) = v,(/) Y vi,(/)= 0. Lis Ecuaciones (1.26) y (I.21) dan as
-o
th
u.,(): u,() y (r)= 0.su,(r)
',

A partir de la Ecuacin (1.28)

u,,() = (o, . L)u,(r) * A,,v,(t)

donde la aproximacin rsume que RRMC es alto. De hecho. el amplificador


pierde su capacidad de eliminar las seales en modo comn cuando se usa de
esta forma.
La Seccin 1.4 describa los amplificadores con una entrada como modelos
simples de circuitos para mostrar cmo afectan las cargas de entrada y salida a
la amplificacin. Ahora aplicaremos estas mismas tcnicas al amplificador
diferencial.

FICURA 1.25 (a) Modelo 1,5.4 MODELO IDEAL DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
de circuito para amplificador
diferencial ideal; (b) funcin
de transferencia para seales La Figura 1.25a muestra un modelo sencillo en la Figr.rra 1.23 y la Ecuacin
de entrada en modo (1.28). Cuando la entrada es una seal en modo diferencial puro, u,(r) = 0, la fun-
diferencial puro. cin de transf-erencia es la lnea recta que se parece a 1a de1 ampliticador de una

.t
t

1.5 / Amplificadores diferenciales 127

entrada de la Figura 1.16c; sin embargo, la variable independiente esla tensin de entrada en modo
diferencial y la pendiente es la ganancia del modo diferencial.

Fuentes de seal diferencial Muchas fuentes modernas tienen salidas dobles diseadas especfi-
camente para ser utilizadas con amplificadores dif'erenciaies. En vez de introducir este tipo de fuen-
tes directamente, utilizaremos una aproximacin indirecta pafa comprenderlas.

t,(t)

rl^
lss
t<

(s,s
T
I
q :
I R+^R

(a)

t
*
,!

Ath

FIGURA
:el
1.26 Aplicacin
ampl ificador diferencial;
l:l
l{- Ampli fi crdor ------}l
dir isor de tensin; (b) salida
:el divisor que contiene la seal
-s un nivel no deseado
:: continua; (c) puente
.'r reatstone; (d) puente
:-e proporciona la entrada
rer anrplificador diferencial;
- salida del amplificdor
:-ando RRMC es alta.

La Figura 1.26a muestra un divisor de tensin que consiste en una resistencia fija y una variable.
La ltima representa un transductor que codifica una seai con cambios en la resistencia AR.
Un ejemplo de transductor es la galga extensiomtrica sujeta a una viga que se deforme mecnica-
mente. Cuando la viga est en posicin de reposo, AR es cero. Cuando se deforma hacia abajo, la
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

galga, sujeta a la parte superior de la viga, se estira, produciendo AR positivo. Cuando se desva hacia
arriba, AR se hace negativo. As AR, que puede ser constante o funcin del tiempo, indica el alcance
de la deforrnacin. A partir dei divisor de tensin
R+4R,,
''' - 2R+ aR "s'

sacando factor comn a R en el numerador y a 2R en el denominador obtenemos


.l
n I r+(^R R)
u' = r's
rRLr-(AR rR)l
donde A.R/R es por 1o general una cantidad pequea. Realizando la divisin entre los corchetes obtenemos

_y.,f,*o*_^R_
v'=- rl^Rl'-,11,4{)'* l=y,.l,*4]
*tl R ,l - ".]-
['* o -2R-tl R] 2 \'" 2R)
donde los tres primeros trminos de la serie nos da una buena aproximacin, dado que ARIR es muy
pequeo. De ah
V, AR (1.33)
vn =a*;-K,
La Figura 1.26b muestra cmo la tensin en el nodo a podra verse en un oscilocopio en el que AR
cambiase con el tiempo. La informacin, codificada en forma de cambios por unidad de R, se super-
pone sobre un gran nivel de continua VsJ2.Un amplificador de una entrada es poco adecuado en esta
situacin, porque amplificara tanto el trmino de continua como la. informacin. De hecho, inclu-
yendo la continua, la tensin total sera tan grande que el amplificador no 1o permitira. Claramente
el trmino de continua Vssl2 de ( 1.32) es una componente no deseada que el divisor da junto con la
seal.
La Figura 1.26c muestra \fl puente de Wheatstone que da salida en el formato de doble seal. El
puente consiste en dos divisores con una resistencia variable. En la medida con la viga, la segunda
galga est colocada en la parte inferior de la viga. Cuando la viga est en reposo, M es cero para
ambas galgas. Cuando est flexionada, una galga se estira y la otra se contrae, produciendo cambios
de signo complementario en A-R. En la Figura 1.26c vt, difiere de v., slo en el signo de AR. El desa-
r:rollo matemtico da, incluyendo el signo

,', =iv,,* aR ,,
4Rt.,
El puente da una tensin de salida en modo diferencial de
yss aR
y(1 = vo - vb =
2R
mostrando Que v eS directamente proprcional a AR. La componente de salida en modo comn es el
trmino de continua
=%'
2
En la Figura 1.26d el puente da la entrada para el amplificador diferencial cuya salida es
Y.. AR V.
--j-+-4
r'" =A2
R '2"

l-
1.5 / Amplificadores diferenciales 129

que se parece a la Figura 7.26c para un vrlor grande de RRMC. Advirtase que ei amplificador
dife-
rencial tambin convierte las clobles sectles en seale.s .simples. Si la seal e la Figura 1.26 es an
dernasiado pequea, podemos utilizar un circuito de una entrada para amplificarla ms ya que la con-
tinul es ahora rnu pequea.
Las dos nnsas cle re.ferencia de la Figura 1.26d implican ei mismo potencial, es decir, e1 circuito
no cambia elctricamente al conectar los dos puntos de masa del diagrama. Normalmente se usan
nluchos smbolos de masa en distintos puntos del circuito para evitar los cruces entre lneas que, de
otrr fbrma. ocurriran.

I.5.5 CMO N-I-EVA,R 81. RIJIPCI BE ENTRADAA fulCID0 COMN!

La explicacin del puente nos mostr cmo utilizar los ampliflcaclores dif'erenciales con luentes
de seales diferenciales. Tambin podemos utilizrrlos para redlrcir el ruido asociado a seales
referidas a lnasa. La capacidad de un arnplificador dif'erencial de reducir el ruido en moclo comn
es especialmente til a las seales de pequea amplitud, en procesamiento cle seales biolgicas,
por ejemplo. En esta aplicacin, las pequeas crntidades de ruido, casi siempre presentes en el
entorno, pueden ser, en realidad, mayores que la seal, por lo que hacer algtn tipo de reduccin
del ruido es obligatorio. A continllacin discutiremos tres situaciones comunes de este tipo.

Ruido por bucles cle lasa La Figura 1.27a muestra un amplificador cle una entrada a punto de
ser conectado a una fuente, u^. La fuente y la resistencia punteadas, v, y R,, representan la fuente
de ruido presente en todos los sistemas reales de meclida, una diferencia de teniin entre el ampli-
ficador y ias masas del generador de seal, a menudo el znntbitlo cle recl. Aunque esta fuente de rui_
dos es bastante poco visible en el laboratorio, la podemos detectar .on un voltmetro. Cuando
conectamos la entrada del amplificador a la fuente con dos hilos c1e conexin esperamos disminuir
el ruido. Sin embargo, los cabies reales siempre tienen resistencia, R,,, como en la Figura 1.27b.
Tengamos en cuenta que la resistencia del cable inferior se combina con la fuente del rirido y pro-
duce una corriente i,,. Esta corriente del bucle de masa produce una tensin de ruido Thvenin v,,
en
serie con vs en la entrada del amplificador como en la Figura 1.27c. Ambos se amplifican en la
misma rnedida y aparecen en la salida del amplificador. Si u" >> v',, el ruido aadido no ,.rpon" un
problema; sin embargo, en medidas de bajos niveles v',, puede ser bastante molesto.
La Figura 1.27d muestra cmo conectar un amplificador dif'erencial usando tres cables con resis-
tencia R,,. En la Figura 1.21e eI bucle de masa se reemplaza por su equivalente Thdvenin y
el ampli-
ficador diferencial por el modelo del circuito de la Figura t.jsa. oa que las cogientes en todas
las
resistencias son cero,

I -t.I
0nJ-

Por tanto, por definicit, f = 15 y y. = u',, + 0,5 r,,. As, debido a los cables de entrada, el ruido
de
bucle de masa entra en el amplificador en moclo comn mientras que la seal entra en modo
dif'e-
rencial. La tensin de salida es

v,, = A,tv, + A.(v,, + 0,5v") : (A,, +0,54, )r,, + A,v,,

mostrando que la relacin seal/ruido se ve mejorada en gran medida por la capacidad que
tiene el
amplificador de rechazar las seales en modo comn. Obiervemos qul no se hace ninguna accin
negativa cuando se introduce alguna seal en modo comn, como n este ejemplo. D.-e hecho,
la
amplitud de la seal de salida se incrementa ligeramente.
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Rs

*tffi
Amplificador
-a

R,,
1",a :
(a)

Amplificador
dferencial

ln
(c)

(a) fuente
FlCURA1.27 Utilizacindel amplificadordiferencial parareducirel ruidoporbuclesdemasa;
de ruido invisible entre la fuente d seal y el amplificador; (b) ruido del bucle de masa; (c) ruido del bucle
(e) circuito
cle masa como componente de entracla; (d) circuito de entrada que util.iza el amplificador diferencial;
de entrada equivalente cuando la resistencia de entrada del amplificador es alta.

Ruido por acoplamiento rnagntico La Figura 1.28a muestra un amplificador de una entrada
conectado a la fuente mecliante ios dos cables habituales. En esta ocasin, el ruido aparece en forma
e flujo magntico variable $ con el tiempo (r), creado por una coniente 1,, variable en algn circuito
.1.5
/ Amplificadores diferenciales I31

cercano. Conocemos la ley de Faraday: "Cuando el flujo magntico variable 0 () se acopla a una
espira, induce una fuerza o tensin electromotriz
d
,, dt
a lo Iargo de los conductores que fbrman la espira". La figura representa este ruido como la tensin
r,,,. Adems de reducir el area fsica A del circuito cerrado de entrada en la medida en que pueda redu-
cirse el nmero de enlaces, poco podemos hacer para resolver este problema con el ruido en un ampli-
ficador de una entrada.

Amplificador
00(0 t),,

->

(r)

1.",

?
( cl)

Pantalla

Pantal la

R ,t

,T
l'o

b Amplificador
diferencial

(e)

FICURA 1.28 (a) Amplificador de una entrada con ruido por acoplamiento magntico; (b) amplificador
: '='ecial configurado para reducir el ruido por acoplamiento magntico; (c) ruido inducido que entra en modo
:-^'in en el amplificador; (d) ruido de entrada por acoplamiento capacitivo; (e) par apantallado que reduce los
:'-. .rpos de ruido; (f) entrada del ruido por acoplamiento capacitivo en la entrada del amplificador diferencial.
r

32, CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

La Figura 1.28b muestra cmo conectrr el arnplificador diferencial a la fuente con tres cables. ut.t
par trenTaclo de entrada y un cable de masa. Como los cables bien trenzrdos permiten poco acopla-
miento del flujo rnagntico. se induce poca tensin asociada r1 ruido en la espira folmada por el par.
En vez de eilo, la mayora de los flujos rnagnticos acopian con e1 bucle abierto: por ello. la mayora
de las tensiones inducidas r',, entran en el circuito en modo comtn mientras que la seal entra de
nuevo en modo dif'erencial como se mLrestra en el circuito equivalente de la Figura 1.28c.

&.uido por acoXllameiento capacitivo Otro principio de flsica elenrental es que dos conductot'es
separados por un dielctrico fblrnan un conclerlsador. De esta lbrma, el ruiclo por acoplarniento capa-
citivo entra en un amplificador cle una entrada como en la Figura 1.28d, donde la corrienle de ruido
l,, depende del tiempo clerivaclo de la dif'erencia entre la tcnsin de ruido y,,, y la tensirin del nodo de
entrada del amplificador no conectado a masa. Formando el equivalente Thvenin de las dos tr.ren-
tes y sus irnpedancias internrs. tambin es fcil aadir la seal de entrrda.
Las Figuras 1.28e y f muestran emo un par trenzado dentro de una pantalla conductora conec-
tada slo en el lado de la fuente obliga a que ese luido entre al amplificador en modo comn. Las l-
neas de campo elctrico qr-re definen la capacidad distribuida deben acabar en la pantaila a lrasr por-
qlle por el par trenzado es inaccesible. El resultado es que r', , la capacidad de rr-rido C,, y la resistencia
del cable Ru se combinan en un ecluivalenie Thvenin de la fuente y lii impedancia del ruido obte-
niendo un circuito semejante al cle la Figura 1.28c. La configuracin de la Figura 1.28e es la estrn-
dar para medidas de niveles pequeos. dado que esta conexin fuerza a que los tres tipos de ruidos:
bucle de masa. inductivo i cepaeitir o. entren en modo comn en el amplifLcador. mientras que la
seil entra en moclo clif'erencial. Esta conexin se usa fiecuenternente porque los tres tipos de ruido
estrn presentes simultneamente en la nrayor'a de los circuitos.
En sistemrs de medida los ruidos inductivo y capacitiro son a menudo el zumbido de recl". Sin
embar-9o, de forma ms general. una seil se puede acoplal inadvertidamente con un circuito adyacente
mediante estos dos mecanismos. generando ruido. Cuando ambos circuitos fbrman parte dei funciona-
miento del sistema, estos tipos de ruido no se evitan fcilmente, y se suele necesitar gran cuidado en 1a
irnplementacin prctica de las tarjetas de circuito impreso y apantallainiento. Es obvio que las serla-
les que cimbian rpidaniente son mucho mrs problen-rticas que las seales que varan lentamente.

1"5, }',tCIPELC} CCI,\l\PLETCI PARA EL A,\AP!-IFICAPOR MNFERENCIAL

Del rnismo modo que en los amplificadores de una entrada, incorporarerros resistencias de entrada
y salida en nuestl'os modeios para predecir lo que ocurre cuando se conectan fuentes y cargas reales
del arnplificador diferencial a los amplificadores dif'erenciales. E1 circuito equivalente cle la Figura
J .29a incluye las resistencias de entrada y salida. Para ver cmo funciona este circuito equi.,,alente

aplicaremos excitaciones puras en modo diferencial y comrn a los noclos de entrada.


La Fi-eura L29b es igual a la 1.29a con excitacin en modo dif'erencial. Debido a 1r simetra de las
fuentes yelcir-cuitodeentradadelosdosbuclesdecorrientesonidnticos,haciendoL.=R,,.(1,-.)
siempre celo. En consecuencia, R... es un circuito abierto para las seales en modo dif'erencial. Saca-
mos en conclusin que cualquier fuente de una seal en modo diferencial slo vela resisencia cle
entr(rclo en moclo diJerenciul R. de la Figura 1.29c. Adems, a partir de la Figura 1.29b.

r'+l,
,2
v- =0

uN.
del T.: Esta seal suele ser de 50 60 Hz. segl el pas en el qlre se est

i

.1.5
/ Amplificadores diferenciales 133

0,5Rd

0,5Rd 0,5Rr/

a b
+
0.5t'n 0,5u,

(c) (d)

Rd

2
R0

O,.,
Y
:
-L

FIGURA 'l .29


Derivacin.de los modelos especiales del amplificador diferencial; (a) modelo completo
leJ amplificador diferencial; (b) modelo completo con excitacin en modo diferencial puro; (c) moelo
rplificado para seales en modo diferencial puro; (d) modelo completo con excitacin en moclo comn puro;
modelo simplificado para seales en modo comn puro.

As se anula la fuente dependiente controlada por v.. El diagrama general de la Figura l.29ase
reduce al circuito simplificado de Ia Figura 1.29c en la excitacin en modo diferencial puro.
En la excitacin en modo comn, como en la Figura l.2gd,lafuente en modo comn tiene la rsls-
tencia de entrad(t en modo comn R,.,,,, dada por

o*=?*o^ (t.34)
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

/ _ Lo\r
nLl tal\
-
RRMCdB = 26 dB
R, = 2o kf

R=9ooo R,.,,, = 100 kQ


R,, = 100 O

r00 )

9s ko

20 ko R=9ooQ

FIGURA 1.30 (a) Amplificador diferencial con carga resistiva; (b) circuito equivalente para amplificador
diferencial; (c) circuito para calcular el componente de salida en modo diferencial; (d) circuito para calcular el
componente en modo comn.

Adems,vemosque r,t =tu,y=0, loquedesconectalafuenteenmododiferencialdelasalidr


del circuito. Llegamos pues a la conclusin de que el modelo simplificado de la Figura l'29e es
vlido para seaies en modo comn.

ir.
---------

Ampl ificadores d iferenciales

En los amplificadores difrenciales se especifican las resistencias de entrada Rry R.,,, y usaremos
la Ecuacin ( 1 .34) si queremos utilizar los circuitos equivalentes de las Figura s L29a r 1.29e.
En muchos problemas podemos descomponer la excitacin en sus dos componentes en modo dif'e-
rencial y en modo comn y despus utilizar la superposicin. Esta aproxirnacin nos pennite evitar
el uso del circuito de la Figura l.29ay utiiizar en su h-rgar los circuitos ms sencillos 1.29c y e. E1
siguiente ejemplo demuestra esta aproximacin y adems muestra la carga de salida.

I'l.iercicio 1.7 Las especificaciones del amplificador diferencial de 1a Figula 1.30a se enumerln en el recuaclro.
Dibujar un circuito equivalente para el arrplificador. excluyendo lrs seales y la carga.
Respur-'sta Figula 1.30b.

EJEMPLO 1. Calcular r,,,(r) para el amplilicaclor diferencial cle la Figur.a 1.30a cuando

,,,, (r) - 0,03 sen(2n30) + 0,081 sen(2n60r)


-\

",,()
- 0.0,1 sen(2n30r)+0,080 sen(2n60r)

Solucin Los componentes en modo comn y diferencial de la excitacin son

",,(r)
-".,(r) -".,() -+0.07 sen(2n3ttr) +0,00 I sen(2n60r)

y, () = o,s l',,,(r)+
',,,()]
- -0,005 scn(2n30r)+ 0.08 r sen(2n60r)
Para calcular el cornponente en modo diferencial cle r', 1r1 'reducirernos el cilcuito general de la Figura 1.30b al
ircLrrto especial en modo dif'elenciat, FigLrra 1.30c. Debido a la cat-9a cle salida. el contponente en modo dife-
rencial de la tensin de salicla c-s

, (,)- 900
nrui*.ror
(r) :szr. 1r)

jr quc da

t',,,,() - 17.6 sen(2n30r) + 0.252 sen(2n60r)

Pera hLllar el componente en modo cornn reduciremos el circr-rito general cle la Figura 1.30b al cilcnito espe-
;irlen modo conrrn de la Figura 1.30d. A partir de estcr

() - (/) = 0.063 sen(2n30r)+ 1,021 sen(2ft60r)


',,,,
=l!-'o',
900+ 100
Sr,iperponiendo 1cs resultados. se obtiene la salitla total

r,,,(r) = 17.5 sen(2n30r) + 1.27 sen(2ft60r) __l

1.5"7 CARGA DE EI{TRADA

Cuando la firente de seal diferencial que conectamos al amplificador tiene resistencia interna, la
carga de entrada podra reducir la amplitud c1e la seal. La Figura L31a muestra una fuente con resis-
tencias internas R, conectadas al circuito general de entrada de un amplificador dif'erencial. Los com-
ponentes en modo comn L',, y diferencial i,,,r describen la tensin.

.-
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Como las resistencias R, son iguales. desconectando el componente en modo comn, se obtiene v, = 0 por
el argumento utilizado en la Figura 1.29b. As, en la Figura 1.3Ib se aplica el anlisis en modo diferencial.
E1 divisor de tensin RJ@ + 2R") reduce vn7 a v Qe es quien conffola realmente la fuente dependiente.

R 0,5Rd

o'5 4,

0,5R.t

FIGURA 1.31 Carga


R. \ 0,5&
de entrada. (a) fuente
en modo diferencial
conectada a la entrada general
del ampl ificador diferencial ;
(b) circu ito equ ivalente
para calcular la componente
de salida en modo diferencial;
(c) circuito equ ivalente
para calcular la componente
de salida en modo comn.
(c)

Cuando desconectamos las fuentes en modo diferencial en la Figura 1.31a para hallar la respuesta
en modo comn, dado que las resistencias de la fuente R, son idnticas, v., = v, y el circuito de entrada
se ve reducido a la Figura l.3lc. Como Nn = rt,, por simetra, podemos hacer un cortocircuito entre
los nodos ay b sin cambiar corrientes o tensiones. Esto hace el anlisis sencillo, dando
(q, +o.zs4)
V.r. E Vr, (1.3s)
(4, + 0,25R.,)+ 0,5R.

\..
1.5 / Amplificadores diferenciales 137

donde la aproximacin asume que R.. es grande en comparacin con 0,25 R,ry 0,5 R,.
A continuacin veremos como el Ejemplo 1.6 cambia cuando hay carga de entrada.

EiEMPLO L7 En la Figura 1.32a v,'(), v,:(r) y 1as especilicaciones del amplificador son las mismas del Ejem-
plo I .6. Crlculal r'.(11 pala este circuilo.

Solucin Las dos resistencias de 5 kO nos indican que debemos miral la cargii de entrada. Para calcular el
componente en modo dif'erencial de r,,,(t) utilizaremos la Figura 1.3lb donde, a partir del Ejempio 1.6.

u,,,(r) - +0.07 sen(2n30) + 0,001 sen(2n60)

Sin ernbargo, es la entrada de1 amplificador rr(/), no rr.,(/), 1o que se amplifica por lii ganancia del rnodo dif'e-
rencial de valor 280. Al incluir carga de entrada, ganancia y carga de salida, obtenemos

I zor ] ( soo)
r''',{r)=i -. v'' lt}I 2801
L20k+5k-5k
:.' +
\90Ur
. l=(O.ool'280,0.9)r ,l)= lo8r..()
- 100/

por tanto
u,,,,(r) = I 1,8 sen(2n30r) + 0,168 sen(2n60r)
Para calcular el componente en modo comn utilizarenos la Figura 1.32c donde

y,, () - -0,005 sen(2n30)+ 0,081 sen(2n60r)

a partir clel Ejemplo 1.6. La tensin v,, a la que responde el amplificador, se relaciona con y,.. a travs de una
dilisin de tensin. Cuando incluyamos la carga de entrrda, ganancia cle circuito abierto y carga de salida

r.
rgst*sLl (r)'-lt4l'"
(r)=I --r , 9oo \I (o.qto.t4xO.q)r.. (r)=r:..rr,.(r)
[(esk+5k)' 2.sk
" | \900 -100/
En consecuencia
r,,, (r) = 0,062 sen(2n30r) + 0,996 sen(2n60r)

Le respuesta en modo diferencial v comrn es

y,,() - t 1,7 sen(2n30r) + 1,16 sen(27T60/)

.'rrmpilrada con
tz,s sen(2:t30r) +1.21 sen(2n60t)
",()=
:el Ejemplo i.6 donde las resistencias de la fnente eran cero. lJ

4iercicio 1.8 Hal1ar v.(r), y,(0 y y,,(4 del circuito de la FigLrra 1.33

Respuesta
,,,(r) : o,o+ cos(2n65r)

,,(t) = +,2 cos(znood

v.(t) = z,g cos(2n65r) + 0,028 cos(27i60)


.l
CAPITULO / Principios de modelado y procesamiento de seal

Si R,. es suficientemente grande, 1o que casi siempre es cierto, no necesitamos preocupamos demasiado de las
resistencias R.. E1 Problema 1.39 nos ayuda a ver que incluso con resistencias de fuente distintas R.' + R.z el ampli-
frcador equivalente de la Figura 1.3lb an se aplica a la seal en modo diferencial aunque con un ligero cambio en
la ganancia.

A= 280
ri (r)
1 u (t\ RRMCdB = 26 dB
R = 2o kf
R=900Q R.,, = 100 kO
u"r(t) R'=looo

5 k() cr t0 ko
+\
t,(r)
0,5urr,(t) t.;J\tI u

_ 5ko _ 10ko
100 o
u,,(t)
O,5u.rr(t)
R= 900 o

ur'(

5ko I ro*n

FICURA 1.32 Circuitos 5kO . 10kl)


para calcular 100 e
urrr'(t)
los componentes
de la tensin de salida
oel tJemplo L./: 900 e2
(a) circuito original; l4 u,(t')
(b) circuito
del componente
en modo diferencial;
rc) circuito
del componente (c)
en modo comn.
1.6 / Otras limitaciones de los amplificadores I39

40 ko l0 ko

0.1 cos 2n65


40 ko r0 ko

5 cos 260

FIGURA 1.33 Circuito


clel Ejercicio 1 .8.

1.6
i
OTMS LIMITACIONES DE LOS AMPLIFICADORES
t
1.6.1 DEFIi'JICICINES GFNFKALES ME RESISTFNCNA DE ET.{TRADA Y PE SALIDA

A continuacin examinaremos varios efectos secuntlurios. razones adicionales por las que los arnpli-
ficadores reales se dif'erencian de 1os ideales. Los nuevos conceptos nos ayudarn a comprender
mejor 1o que veremos en el laboratorio y proporcionan una base para estudios ms detallados en cap-
tulos posteriores. Aprenderemos cmo algunos componentes internos, tales como transistores, pro-
vocan inevitablemente esos ef-ectos.
Las resistencias de entrada y salida eran simples conceptos en la Seccin 1.4 ya que exa-
minbamos nicamente circuitos uniclirecciottules. En estos circuitos, las seales pasan desde la
entrada hista la salida, pero no desde la salida hasta la entrada. Sin embargo, muchos circuitos
que estudiaremos en los siguientes captulos son bitlireccionules. Esto quiere decir que contie-
nen vas de rettlimentcLcin a travs de las clue los cambios sobre la salida at-ectan a las tensio-
nes y corrientes de 1a entrada. La consecuencia es que normalmente no podemos hallar la resis-
tencia de entrada o salida de circuitos bidireccior.rales mediante un simple exarlen del diagrama
del circuito. Para extender nuestris tcnicas de anlisis a circuitos de ese tipo, daremos defini-
ciones generales de resistencia de entrada y salida que simplifican las ideas de la Seccin 1.4
para circuitos unidireccionales.
La Figrua 1.34a define resistencia de entrada R; para dos cLradripolos. Debemos desconectu todas las
finciones independientes en los cuadripolos; sin embargo las fuentes dependientes siguen estando activas.
Si el circuito se va a utilizar con una resistencia de carga R conectada al puerto de salida, conecta-
remos esta resistencia de la forma mostrada. Dadas estas condiciones, la resistencia de entrada es

&=14
ll
( 1.36)
101 C,\PITULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Cuadripolo
linea1

R. = '''
,ir n,,=ti
iT
(a) (b)

FICURA'l .34 Definiciones de (a) resistencia de entrada; (b) resistencia de salida de un cuadripolo.

donde lr es la tensin de un generador de prueba aplic:ido a los nodos de entrada e i es la corriente


crlculada o rnedida de prueba que circula en respuesta a 17: Plra seales senoidales R se generalizir
a una impedancia de entrada Z compleja la relacin del f'asor de la tensin de prr-reba con el f'asor de
la corriente de prueba a una frecuencia dada.
La Figura 1.34b deflne la resistencia de salida de un cuadr"ipolo. Conectaremos una fuente de
entrada (de tensin o corriente) que se vaya a utilizar con los cuadripolos a los terminales de entradr
y luego desconectaremo\. proceso que siempre deja la resistencia de la fr-rente, R,, conectada a los
nodos de entrada. En los cuadripolos desconectaremos lrs fuentes independientes. tunque las fuen-
tes dependientes signen activas. Bajo estas condiciones. la resistencia de salida R., es

&=t IT

La resistencia de salida pasa r ser, de forma ms generai, la inpedancia de salida en seales senoidales.
Tanto R como R., son las resistencias Thvenin adecuadas paru terminar convenientemente un
cuadripolo. Como en el teorema de Thr'enin, podemos usar de forma alternativa la relacin entre
tensin en circuito abierto y corriente en cortocircuito para la resistencia o impedancia.
Cuando reescribimos las ecuaciones de entrada y salida en las formas

i, -lln,)r, \ it :ln,,)r,
las definiciones se convierten en informacin sobre la proporcionalidad de la respuesta lr a la exci-
tacin t:r. Para cualquier circuito que consista en resistencias lineales y fuentes dependientes, lrs cur-
vas vi de R' y R,,deben ser lneas rectas que pasen por el origen; la tcnica de la tensin de prueba
es slo un mecanismo que determinar otro punto de la recta para conocer su pendiente. A partir de
esta lnea de razonamiento llegamos a que definiciones equivalentes de resistencia de entrada y
salida llevan consigo la aplicacin de un test arbitrario de con'iente y medida o clcuio de ia tensin
resultante. E,ste procedimiento es ms conveniente en algunos cilcuitos.

EIEMPLO 1 .8 a) Hallar 1a resistencii de entrada del cuadripolo de la Figura 1.35a incluyendo el efecto cle la
.-trga externl R/_.
'r r
Hallar 1a resistencia de salida cuando 1r h-rente de la ligura se utiliza con el amplificador.
,'' HallarlosvaloresnumricosdeRryR,,cuandoR = l0kf,Rs= 100f), Rr=20 kO yg,,= 2 x 10 rS.
i, Lsar R, para hallar 1a tensin de entrada yr si r,. = 2V, Rs = 10 kO v los dems valoles son los mismos del
:panado c).
.1.6
/ Otras limitaciones de los amplificadores 141

Rs

+ 1

,j( , R,+ +Rr


-I_ $o.
I
Fuente Cuadripolo Carga
(a)

4s RF tT

+
ti 8,,,q L',.t

b=Ltl
FIGURA 1.35
.l
Diagramas (b) (c)
del Ejemplo .B; 8ko
ta) amplificador y fuente
de seal; (b) circuito
10 ko i ---v/'& 1 -'
para calcular R;; 10 ko
c) circuito para calcular Ro;
d) utilizacin de R,
para calcular yj; (e) circuito
.1
del Ejercicio .9.
(.1 ) (e)

Solucin a) En la Figura 1.35a, como suele ocurrir, los nocios de entracla se denotan por una flecha etique-
tida R en vez de especificarlos directamente. Conectandola carga y usando un generador de prueba, obtene-
mos la Figura 1.35b. Aplicando la ley de Kirchhoff de las corientes al nodo c obtenemos

. 1,. -r.R.
'r-il'r' Rl

Despejando la relacin y / i resulta


l RL +R F
R =f =
' i, 1* 9,,R,
Ob,:ervemos que R es funcin de R..
l Despus de conectar la fuente de sea1 y eliminar la tensin, como pide 1a definicin, obtenemos la Figura
i.l-ic. La leyde Kirchhoff de 1as corientes aplicada al nodo c nos da

r'1
i, = R,,,r
'' ' R. +Ro

Drdo que uno de los trminos no contiene a lr ni a v volvemos al circuito para buscar un modo de expresar r,1
:reiacin con lr o ur. Utilizando el divisor de tensin podemos escribir

R
=
'', o, -'o, ',
D:ipus de reemplazar v1 en la primera ecuacin, llegamos a
vr. R.+Ro
^-" --i, 1+ g,,,R"

Oisen emos que R., es funcin de R5


121 C\PTULO 1 / Principios de modelado y procesamienro de seal

: Sutituirncs los valores dados en las expresiones genelales para hallar los valores numricos R= 1,43 kO y
.? = 16.8 kO.
. E\ta cuestin es explicativa de lo que significa resistencia. Una vez que conocemos el valor nurnrico de R,
:,.Jentos utilizarlo para calcular la carga de entrada de cualquier R5. La Fi-qura 1.35d muestla que la divisin de
.i:r:irin en la entrada reduce la seal r..,. = 2 V a
1.43k
' - r.,r-.k + Iok 2 =o'2-suv
:. det-ir. R, provoca 1a divisin dc tensin habitLral en la entrada. Lf

Ejercicio 1.9 Hallar la resistencia cle entrada del cuadripolo de la Figr,rra 1.35e. La resistencia de carga es infinit:r.
Respuesta R=3kO.

la iiparicin de 9,,, en las expresiones finales del Ejemplo l.8a y b mostr que la fuente depen-
diente ejerca influencia sobre 1os valores de R y R,,. A veces, unl fuente dependiente reduce la resis-
tencia de entrada (o salida), otras veces la aumenta hasta donde sera su valor si g,, = 0. Finalizamos
con que el ef'ecto de la realimentacin y la fuente clependiente no se puede ignorar en el anlisis y las
definiciones de R, y R,, se deben aplicar fbrmalmente incluso en los circLlitos ms sencillos.

1.6.2 TENSINI DE NEsVI,ACINI

La Figura 1.36a ilustra un problema de las firnciones de transfererrcia llamado tensin de desvircin (o
tettsit't tle rffset en tenninologa anglosajona). La curva se desplaza dando un valor distinto de cero para
r' = 0. El tamao y direccin de la desviacin es impredecible y a menudo vara con la temperatura. Las
especificaciones del arnplificador describen la desviacin indicando un valor tpico para la tensin de
desviaciritt de entratlo V,rs, definido como la tensin de entrada necesaria para fbrzat r,, a cero.
El ef'ecto de la desviacin es aadir un componente de continua a la seal amplificada. Las ten-
siones de desviacin son especialmente problemticas si la seai de entrada vara lentamente. Como
ejempios tenemos ia temperatura y la presin atmostrica, que son casi constantes en intervalos muy
amplios. En esttts casos, no hiiy manera de saber si la variacin en la tensin de salida observada en
la seal. se debe a un desplazamiento o ambos ef'ectos. Despus de ver lo que es 1a saturacin del
amplificador, en nuestro siguiente punto, verernos que la desviacin tan.rbin puede ser problemtica
en seales que varan con rapidez.

1..3 DTSTORS|N NrO Lt{EAt-

La Figura 1.36b ilustra otro problema de ios amplificadores, la curvatura de la funcin de tlansf'e-
rencia. Es comn que la funcin caracterstica se haga ms horizontal para tensiones ['l grandes. Se
dice que la funcin caracterstica se s(ttLtro en 1as seales de entrada grandes. Con la saturacin, la
tensin de salida no puede superar un 1mite superior V.,,,r ni puede ser menor a un lmite inferior V,,,,:,
por muy glande que sea la seal de entrada. La curva de la Figula 1.36 se aproxirna a una lnea recta
slo para valores de r que sean no demasiado grandes en magnitud. Las seales pequeas, que se
proyectan sobre esta parte linea1 de la curva, se amplifican correctalrente: sin embargo, las tensiones
de entrada grandes se aplanan en sus extremos. Cuando la seal de salida no es slo una versin
arnplificada de la forma de onda de entrada, decimos que la seal se tlistorsionct por el amplificador.
La distorsin causada por proyectar sobre una funcin de transferencia no lineal se llama clstorsin
no lirLeal. Encontraremos otros tipos de distorsin a lo iargo del captulo.
1.6 I Otras limitaciones de los amplificadores 143

jp dc salida continua
prra enrda cero
Tensiiin I Y
.''>
fle de\vrt rorl 1
I

I
i
1


,:1

FIGURA 1.36 Ejemplos


de funciones de trnsferencia
no lineales; (a) tensin
de desviacin; (b) curvatura
de l funcin de transferencia.

En amplificadores de audio la distorsin no lineal aade sonidos molestos a la msica y reduce la


inteligibilidad de las palabras. Ambos efectos se dan debido a que la funcin de transferencia no
lineal produce nuevas frecuencias en la salida que no estaban presentes en la seal de entrada. Como
todos los amplificadores reales tienen funciones de transferencia no lineales, simplemente debemos
tener cuidado en utilizar amplitudes que sigan funcionando en la regin lineal (lnea recta) de la fun-
cin de transferencia. En la prctica, son la saturacin de la curva de ganancia y nuestro deseo de
evitar la distorsin, los que a menudo limitan la potencia de salida de un amplificador ms que la
resistencia de salida del mismo. Tengamos en cuenta que un desplazamiento en continua de una
etapa anterior del amplificador, combinada con la seal, puede ser lo suficientemente grande como
para llevar al siguiente amplificador a su regin de saturacin, como en la Figura 1.36b.

1.6.4 RESPUESTA FRECUENCIAL

Hasta ahora, todas ias propiedades que hemos estudiado de los amplificadores se relacionan con el
comportamiento esttico del amplificador, es decir, la respuesta del mismo a las seales en continua
C\PITULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

que son lentas en relacin con las limitaciones de velocidad inherentes al amplificador. Para com-
prender 1a respuesta a un amplificador con cambios rpidos de las seales, necesitamos conocer algo
sobre 1a dinmcct de los amplificadores.
Los amplificadores reales siernpre contienen condensadores, algunos inherentes a los componen-
tes del amplificador, otros inevitablemente asociados a la fabricacin o al cableado del circuito y
otros aadidos intencionalmente para algn fin til. Como las tensiones de los condensadores no pue-
den cambiar instantneamente, la intuicin sugiere que los condensadores internos podran limitar el
tiempo de respuesta de un amplificador. Dado que los condensadores bloquean la corriente continua,
se supone que tambin podran limitar la capacidad de los arr-rplificadores de responder a las seales
que varan lentamente.
El concepto ms importante asociado a esos efectos dinmicos es 7a respttesta Jrecuenciol del
arnplificador, para ello rene el efecto acumulador de los distintos condensadores en un par de dia-
gramas. La respuesta frecuencial es un f'actor importante en la seleccin de un amplificador que tenga
la dinmica adecuada para una aplicacin dada.
Podemos obtener la respuesta frecuencial de un amplificador de forma experimental apli-
cando una seal de entrada senoidal de fiecuencia variable y rnidiendo la ganancia en todo el
margen de frecuencias. Para asegurar que la operacin es lineal, debernos tener cuidado en que
la amplitud de la sea1 sea lo suficientemente pequea como paril evitar distorsiones. Como la
respuesta de los circuitos no lineales a las entradas senoidales es una senoide de la rnisrna fre-
cuencia, (probablemente con distinta magnitud y fase). podemos representcr convenientemente
las seales de entrada y salida mediante fasores. A cualquier frecuencia,co la ganancia del
amplificador es un nmero complejo A(7crl) la lelacin del fasor de salida con el de entrada a
fiecuencia co. La respuesta frecuencial es el conjunto de estos nmeros complejos, uno a cada
frecuencia. La magnitud de la ganancia, lA(7ro)l es la relacin de las amplitudes de salida y
entrada a frecuencia ro y el ngulo O(co) es la fase de la senoide de salida en relacin a la
entrada. Resumamos convenientemente esta informacin en dos grficos separados de 1a mag-
nitud lA(7or)l y fase 0(or). A veces el grfico de la magnitud muestra la ganancia en decibelios
y a veces como cociente.

A0o) Le

Ai?r' dB

A/??.dB-3dB
+- Frecuencias
|
medias
@t. @u 0)
-_---+ (rad/s)
(a)
FIGURA 1.37 Curvas
de respuesta frecuencial Oo(co)
a un amplificador
inrersor de gran ancho -900
cle banda; (a) magnitud
de 1a ganancia frente
a la frecuencia;
- 180"

:r desplazamiento
:ie iase de la ganancia
'':tte a la frecuencia.
Otras limitaciones de los amplificadores

La Figura I .37 muestra curvas tpicas de respuesta liecuencial de un amplificador de auclio o


video. La ctrrva de magnitud tiene una extensa regin central llamada "fret:uencas nteclicts", en la clue
la ganancia es ms o menos constante e independiente de la frecuencia. Las dos fiecuencias 6 y s
en las que la ganancia es 3 dB por debajo del vaior a frecuencias medias, se llaman frecuencias cle
corfe hferiorr superior, o, tambin lasfrecuencias inferior, superior u ntitad cle potencio. (Un cam-
bio de -3 dB en variacin de tensin equivale a un cambio de -6 dB en variacin clel cuadrado de la
tensin o una vrriacin de potencia de ll2). La regin de frecuencias mediis es la que es rtil para 1a
amplificacin. A frecuencias superiores co las capacidades clel circuito no se pueden cargar y des-
cargar lo suficientemente rpido como para seguir a la seal de entrada con sus rpiclas variaciones
por io que la amplitud de la seal de salida y, en consecllencia, la ganancia, disminuyen. A frecuen-
cias infel'iores a crt las altas impedancias de ciertos condensadores impiden el flujo de la seal y dis-
rninuye la amplitud de salida. Un parmetro importante es el ancho de bancla.

)B =cD11 -)L

Este es el ancho de la regin ttil en rad/s. En casos en Que cor. = 0 co << co' el ancho de banda es cos.
La segunda curva de la Figura 1.37 indica una posible caracterstica de fase del amplificador. A menudo
el cambio de fase es tambin prcticamente constante en la banda constante, colro en la Figura 1.37b.

,I..5
EFECTO ME UNA RESFTJESTA FRECUFT{CM.L SOBRE LAs sEALEs
EE ENTRADA

Es fcil, inicialmente, subestimar la importancir de la respuesta frecuencial clado que pocas veces
tendremos ondas senoidales puras. Para relacionar la respuesta frecuencial de Ios arnplificadores con
seales ms interesrntes tiene gran importancia el concepto .serie de Fourier. La mayor parte de los
estudiosos explican este tema en detalle en otros cursos. Para cumplir nuestros objetivos slo nece-
sitamos comprender las ideas fundamentales.
Jean Baptiste Fourier (1768-1830) fue un matemtico fiancs. interesado en la transferencia de
calor asociada con caones. En el curso de sus estudios descubri que toda seil r'(1) que se repite
cada f segundos, es decir, peridica con perodo I, es igual a una sllma de seales senoidales con
iiecuencias mltiplos enteros de una frecuencia funclamental, roo=2n(1/T) rad/s. Esta suma es 1a
serie de Fourier

r'(r)= I,e, cor(ncu,,r-$ )

clonde A,, y Q,, son, respectivamente, la amplitud y fase del coseno deI anttttico eu,tittttt 6u. Una
erplicacin detallada incluira frmulas de clcr-rlo numrico de los valores 4,, y
0, para una seal
clada: :rqu slo necesitamos saber que es posible hacer este tipo de clculos. Los ingenieros suelen
aprorimar la serie infinita de las seales reales por una serie finita que slo incluye los trminos lo
bastante grandes como para contribrLil de fonna importante a la suma.
La serie de Fourier nos permite visualizar una seal peridica como una nota de un clarinete, por
ejemplo, como la superposicirz de algunas seales senoidales con valores M, teniendo cada una su
amplitLrd y fase. Una fuente de tensin que reproduce la seal es ecluivalente a un conjunto cle fuen-
tes de tensin en serie, una a cada fiecuencia de Fourier.
Un amplificador lineal ideal aumenta el valor cle c'ucla componente senoiclal mediante el ntisnto fac-
tor de ganancia, produciendo una serie de Fourier cle salicla qLle es unr versin a escala de la serie de
CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Fourier de entrada. Sin embargo, segrn va pasando cada senoide por un amplificador real, la ampli-
tu<l se multiplica por la magnitud de la gananci a, lA(j a)l que corresponde a su fiecuencia especfica,
y a su fase se le aade 0(7ar).
La dependencia de la ganancia respecto de la frecuencia puede dar como resultado una seal de
salida distorsionada. A continuacin estudiaremos esto.

1.6.6 DISTORSIN DE AMPLITUD

EnlaFigural.3Sael espectrodelneasrepresentaunasealperidicadeentrada.Elespectroesun
diagrama que utiliza una lnea para cada frecuencia de entrada para mostrar la amplitud,4,,, del
coseno Fourier a esa frecuencia (la fase no se muestra). La misma figura muestra la respuesta de la
frecuencia de un amplificador apropiado a la seal. Como todos los componentes importantes de

Trminos
de entrada
de las
amplitudes
de Fourier 'l0ro,,
a)n 2oJo

FIGURA 1.38 Concepto


de distorsin de amplitud; Amplitud
(a) curva de ganancia
de Fourier
y espectro de seal
para una amplificacin
correcta; (b) espectro
@n 20,, l0ro,,
de seal que da como
resultado distorsin
de amplitud.
1.6 / Otras limitaciones de los amplificadores 147

Fourier estin en 1a regin de frecuencias medias en la que la ganancia es unifbrme, se amplifican del
mismo modo.
Sin embargo, Ia respuesta fiecuencial del amplificador no es apropiada para el espectro cle seal
de la Figura 1.38b, porque los cosenos de fiecuencias menores a (0r y mryores & os se amplifican
significativamente menos que los de frecuencirs medias. De forma clara. la serie Fourier de la salicia
no es una rplica a escala de la serie de entrada. Llamamos a esto dlslor.iin cle amtliturl. Para er,itar
este tipo de distribucin el arnplificador necesita un (D [lenor y ur cr)a mayor para esta seal.
En el Captulo 2 y en ios dems. veremos el inters clue tiene un ancho de banda que convenga
exactamente a un espectro de seal deterrninado. Es una buena idea reducir 1a ganancia a frecuencias
en ltrs que no hay seal para reclucir el ruido, concepto denominado.fltrado.

1.6.7 mrsTORstN DE FASE

Cuarrdo r-rn arnplificador tiene carnbio de fase, la seal se retrasa a la vez que se an'rplifica. El caso
mis sencillo de comprender es aquel en que el cambio de fase del amplificador es una funcin lineal
de la fiecuencia. As, la ganancia compleja es

A(jr) : At@(at) : At- k@= Ae ik"

en la que A es la ganancia constante. En este amplificador, cada tnnino de la serie de Fourier de


entrada l

r (r)= ),v, co.(rrto,,r r'Q, )


j

la modiflca en rlagnitud y fase por la ganancia compleja dando la seal de salida

u,,(r) = .or(r.ur + g,, - ftrrro,,)


,lon,
Factorizando da
N

u,,(t) : nZv,cosfrcou(r- ) +,,1


I

cuando cornparamos las expresion.. o. ,;;;" y enrrrda llegamos a I

,,,,(r): a",(r k)

Sacamos en conclusin que una curva de fase lineal con una pendiente de /t rad/s introcluce un retardo
cle k segundos, pero no cambia de otro modo la lbrma de la seal. Sin embargo la curva de fase no
es lineal para todas las fi'ecuencias, la seal de salida no toma la fbrma de la seal de entrada y cleci-
rnos que el amplificador introduce distorsin de fa.se. Como es inevitable algn desplazamiento de
fase, 1o mejor que podemos esperal"es slo una aproximacin a la fase lineal ideal.
El desplazamiento de f ase uniforme de la Figura I .37b resta aproximadamente l80o de Ia fase de cado
colnponente Fourier que est en la zona de frecuencias medias. E,sto invierte cacla con'tponente y produce
una seal de salida que es una versin inverlida de la entrada. Obsrvese que este desplazamiento uni-
firnne de 180 o es una curva de fase de pendiente ft = 0 que introduce el retardo de tienpo de /t = 0 s.
Dependiendo de la aplicacin, la distorsin de f-ase puede causar o no problemas. Como el odo tiene
poca sensibilidad a la distorsin de lase, el desplazarniento de fase se suele ignorar en amplificadores

a--
{81 C\PTULO 1 / Principios de modelado y procesamento de seal

de audio. No obstante. para la mayor parte de las seales. por ejemplo seales de video o pulsos en sts-
temas de comunicacirr. la fbrma de onda es importante y se debe minimizar la distorsin de f'ase.
El trmino general di.ytorsin de.frecuencicr,r se aplica a cambios no deseados de la seal y que dan
lesuitados no adecuados e incluye tanto la distorsin de amplitud como la de frse. Obsrvese que la
di.stctr.sin cle .frecuencicr es bcLstonte clilerente cle la distorsin nc lheall la ltima lleva asociado un
cit'c:uitct no !tectl que produce nuevas frecuencias en la salida y (lLLe no estoban presentes en la
entrutlct. Una gran onda senoidal aplicada a 1a curva de la Figura 1.36b, por ejemplo, produce una
fbrma de onda peridica de salida qlle no es una onda senoidal. El circuito no lineal genera, de esta
tbrma. armnicos de ia seal de entrada.
Introdujimos la serie de Fourier para ilustrar de una forma relativamente sencilla 1a importancia de
1a respuesta fiecuencial del amplificador. Cursos ms avanzados utilizan otra representacin de la
seal, la trrnsformada de Fourier, para mostrar que una seai de entrada no peridica tambin ocupa
ttnabcuulct especfica de fiecuencias. Aunque la msica est. en general, lejos de la periodicidad. la
transfbrmadr de Fourier lleva asociada la idea de que. en un amplificador estreo, co debe ser 1o sufi-
cientemente pequeo como para amplificar las frecuencias bajas de los pedales de un rgano y ol
debe ser lo suficientemente grande como para procesar los armnicos ms altos de los violines. De
modo mrs general. para evitar distorsin de fiecuencia. un amplificador necesita un ancho de banda
adecuado a 1a seal.

1..8 EFECTO DE LAS LIMITACIONES FRECUENCIALES SOBRE IA RESPUESTA


A UN PULSO

Algunas seales importantes. como por ejemplo las de video, consisten en niveles continuos sucesi-
vos (niveles de luminosidad de las imrgenes). Podemos ver dichas seales como sucesiones de prrl-
.so.r con distintas amplitudes. La Figura 1.39 muestra un pulso. Para ver cmo afecta la respuesta fre-
cuencial del amplificadcr a sn capacidad de procesar seales tipo pulso, comentaremos algunas ideas
soble el don-iinio del tiempo. Un resultado importante es la nocin intuitiva de ancho de brnda como
medida de la velocidad de procesamiento de informacin del amplificador. El principal punto es que
la respuesta fiecuencial y la transitoria estn estrechamente relacionadas.

Respuesta en alta frecuencia y tiempo de subida Para relacionar la res-


puesta fiecuencial con la trunsitoria revisaremos algunas propiedades del cir-
cuito RC de 1a Figura 1.40a. Si la entrada es una tensin senoidal de frecuencia
or . la relacin de 1os fasores cle salida v entrada es:
r y licuC I

FIGURA 1.3q Pulso.


; = oticot =
,r i,c* n l+ jcoRC *7ilJ (r.38)

donde V,, y Vr son los fasores de salida y entrada ! (Du = llRC.La ganancia de
tensin compleja, A(7co) es funcin de la frecuencia. La Figura 1.40b es la curva
de respuesta fiecuencial de amplitud del circuito, el grfico de 20 log lA(co)l contra 1a frecuencia. Este
circuito RC se llama un Jiltro pnso bajo porque deja pasar ondas senoidales de baja frecuencia, multi-
plicndolas por I (0 dB), pero tttena las frecuencias altas multiplicndolas por valores lA(lco)l < L EI
ancho de banda del circuito es olr.
Si aplicamos la etapa de la Figura i.40c a la entrada con el condensador descargado inicialmente,
al resolver 1a ecuacin diferenciil de primer orden que describe e1 circuittt. obtenemos
'o' ): u,'(t " ' ')
1.6 / Otras limitaciones de los amplificadores 149

La Figura 1.40d es un esqlrema de esta funcin. Observemos que el condensador que reduce la ampli-
ficacin a fiecuencias superiores de roa tambin impide que la tensin de salida responda instantne-
amente a cambios repentinos en la an-rplitud de entrada. Para cuantificar esta idea, definimos el
tiemln de subida, ,., del circuito con /, = I: - /r, donde /r es el instante en que la salida alcanza el l\c/o
del valor final y r, el instante en que alcanza el 90Vc del valor final.

A.,l
''tlTl

0dB
-3 dB

FICURA 1.40 Relacin


:rtre el tiempo de subida
,. el ancho de banda;
a circuito RC paso bajo; 0,9yss,
r respuestafrecuencial
rei circuito paso bajo; 0.1y{,s
: llano de subida al t)
:i:cuito RC; (d) respuesta
re salida al llano --t k- /,
(d)
Ce subida.

Cuando aplicamos las definiciones de /r y /2 de la Figura 1.40d a la Ecuacin (1.39) obtenemos

0,1K. : y..(l n-'on") (1.,10)

0,e%, = K,(1 -, "") (r.41)

Despejando 1r y /: llegamos a la expresin de tiempo de subida


)1 015
l, = tz (1.42)

donde/s = @n/2n es el ancho de banda en Hertzios. La Ecuacin (1.,12) muestra que el tiempo de subida
es inversamente proporcional al ancho de banda para el circuito RC de paso bajo. E,s evidente que el
tiempo de subida y el ancho de banda contienen la misma infonnacin del circr,rito, pero de distinta foma.
501 .l
CAPTULO / Principios de modelado y procesamiento de seal

La ganancia de un amplificador sencillo de ancho de banda finito es A,,, A(jr:t), donde A(lco) viene
dado por la Ecuacin (1.38) y 4,,, es una constante. Para amplificadores de este tipo, la Ecuacin
(1.42) es exacta. Los amplificadores con funciones de ganancia ms complejas tienen a menudo una
constante de tiempo que dornina el comportamiento en alta fiecuencia. Cuando esto se cumple, la
Ecuacin (1.42) nos sirve como una uprorintacin ttI. El tiempo de subida es un dato importante
que nos permite comparar los amplificadores segn sean sus velocidades de respuesta.
Podemos ver el tiempo de subida f inito de la Figura I .40d como una distorsin del flcmco de ,subidu
de la etapa de amplificacin o respuesta causada por el valor finito de ro. Asociamos otro tipo de
distorsin en el dominio del tiempo con una frecuencia pequea distinta de cero, co. Lo examinare-
mos a continuacin.

Limitacin en baja frecuencia El circuito RC de paso ulro de la trigura 1.41 tiene una ganancia
compleja dada por

V,,/ \ = ,t(,.o.)
/lt /(U, (1.43)
V .l(, ,, )-l
'

rll-F
,; n!
; l;
,,,

lA,l.re

0dB
-3 dB

t,(t)

Flanco Flinco
de cle
srrhitla bajacla

FIGURA 'l .41 Relacin entre


la respuesla en baja irecuencia
v el pulso de cada; (a) circuito RC It,s ICada
paso alto; (b) respuesta frecuencial
clel circuito paso alto; (c) pulso t
de entrada del circuito RC;
clr respuesta del circuito paso alto
al pulso de entrada.
Otras limitaciones de los amplificadores

donde V,, y V son fasores de entrada y salida y ) = l/RC es la frecuencia de corte inf-erior a media
potencia. La Figura i.4lb muestra la respuesta frecuencial de este circuito. Igual que rnfiltro puso
alto. dela pasar las seales de alta frecuencia (co >> ro.) multiplicndolas por rrno, pero reduce las
amplitudes de las seales de baja frecuencia. Ahora supongamos que la entracla es el pulso de la
Figura 1.41c. Como el circuito no puede distinguir un pulso de una subida en la entrada hasta que no
llegue el .flunco final (en r = 4. Ia respuesta inicial al pulso es la misma que a una subida en la ampli-
tud de entraclil V,s. es decir'

V,,d ' = V,,e '' '


'' (,) =
En el momento en qlle llega el final del pulso. hay una cada en la respuesta relativa a su valor
mximo como se muestra en la Figura 1 .41d. la cantidad de cada es V* u,,(Z). En general nos refe-
riremos ala cctdct tor unidad

cada vrr(r-"-'.t)
'v
cada oor unidad =
v =t-[t-'.r+(ro.r)'. ]
s5'

en el que el trmino exponencial se representa por el desarrollo de la serie infinita. Para pequeos
a,.T,la serie se aproxima Dor sus dos primeros trminos, obtenindose
cada por unidad = r rT (t.44)

Mejorando as la respuesta en baja fiecuencia, el menor co., da menos cada en 1a respuesta del pulso.
Los amplificadores con limitaciones en baja frecuencia tienen expresiones de gananciaA,,, A(7ro) cloncle
A(jol) est dado por (1.a3) y A,,, es un factor de ganancia constante. As, (1.42t) se aplica exactamente a
ese tipo de amplificadores y fiecuentemente es una aproximacin til para amplificadores complejos.
Cuando los amplificadores tienen lirnitaciones, tanto de baja como de alta frecuencia, ampliamente
separados como en la Figura I .31 ,1a frecuencia de corte superior 3 dB cla un tiempo de subida f inito
oproximatlo por la Ectacin (1.12) y la frecuencia de corte inf'erior 3 dB da una cada aproxirnada
por la Ecuacin (1.44). A veces utilizamos estas ecuaciones para estimar los lmites de ii curva cle
respuesta frecuencial a partir de medidas en el dorninio temporal.

1.6.9 |MPORTANCIA DEL /qT.iEHO DE BANDA

Utilicemos ahora las Ecuaciones (1.42) y (l.4zl) para relacionar el ancho de banda del amplifica-
dor con su velocidad de proceso de informacin. Como ejemplo intuitivo, imaginemos un televi-
sor que produce imgenes en blanco y negro. El haz de electrones barre la pantalla de izquierda a
derecha a velocidad constante y utiliza los cambios en intensidacl causados por una seal de vitleo
amplificada para construir la imagen en lnea a lnea. Para proclucir r-rna imagen cle alta resolucin.
las transiciones entre negro y blanco (cambios cle brillo en la imagen) deben ser cambios granes
en Ia amplitud de la seal de video que toman slo pequeas fracciones del tiempo de barrio. As.
la respuesta de salida del amplificador de video ms rpida facilita construccionLs de pantalla ms
detalladas. Esto hace posible que muestre ms infbrmacin durante el tiempo fijado pira proclucir
la estructura de la imagen. Con la Ecuacin (1.2t2) llegamos a ver que el ancho de banda propor-
ciona una limitacin fundamental a la velocidad de procesamiento de infbrmacin del amplifica-
dor. La Ecuacin (1.214) indica que la respuesta de baja frecuencia del amplificador de video debe
ser la adecuada para mantener ios niveles de gris durante los intervalos en los que la seal cle
entrada es constante.
521 C\PTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

1.7
SUMARIO

Los principios de este captulo crean los fundamentos de las ideas bsicas a los que nos ref-eriremos
frecuentemente en el resto del texto. En la electrnica son primordiales los dispositivos especiales
caracterizaclos por grficas a escala, descripciones matemrticas tericas o ambas. Aprendiendo a des-
clibir dispositivos familiares mediante curvas vi, nos es ms sencillo comprender descripciones gr-
ficas de componentes desconocidos y, adems, relacionar sus descripciones grfica y matemtica.
Una vez que enteridemos un nLrevo elemento, nos podemos interesar en predecir cmo funcionl
curndo se conecta con otros. Para este fin utilizamos representaciones de esquemas junto con las des-
cripciones grficas y rnatemticas. Esta integracin conduce a circuitos equivalentes sencillos que
representan a los dispositivos cuando se utilizan como componentes de una red.
Hay cuatro estructllras de amplificacin funclamentales, crda una de ellas basada en uno de los cur-
tro tipos de fuentes dependientes. Los amplificadores reales se diferer.rcian de las firentes dependien-
tes en clue tienen resistencias de entradr y/o salida finitas y distintas de cero. Estas resistencias pro-
vocan ef'ectos de carga y divisores de tensin y corriente en la entrada, salida y etapas intennedia del
arnplificador. Los circuitos equivalentes que consisten en fuentes y resistencias clependientes se pue-
den usar como modelos de los amplificadores reales. Para aumentar la amplificacin podemos utili-
zar la salicla de un amplificador con la entrada de otro, proceso denominado conexin en cascada. Si
incluimos la carga, se multiplican las ganancias de los amplificadores en cascada. Las unidades de
ganancia logartmicas conocidas como decibelios son tiles para muchas aplicaciones que incluyen
el tratamiento de et;,ipas de amplifLcaclores en cascada.
Las entladas y salidas de los amplificadores pueden ser ref'eridas a masa o diferenciales. Si un
amplificador tiene una entrada dit'erencial, lo llamaremos amplificador diferencial ya que su fun-
cin plincipal es ampliflcar la dif'erencia de las tensiones existentes en sus dos nodos de entrada.
Cualquier seil dif-erencial, como la entrala de un amplificador diferencial. se puede dividil en
componentes en modo comrn y en modo diferencial. La segunda funcin del amplificador dif-e-
rencial es reducir la componente en modo comn en relacin con la componente en modo dif-e-
rencial. La RRMC es un parmetro que indica la capacidad del amplificador de realizar este obje-
tivo. Los amplificadores diferenciales tienen tambin resistencias de entrada y salida clue
provocan efectos de carga.
Hemos estudiado varios efectos secudarios pero importantes que limitan el funcionamiento de los
arnplificadores. Hemos aprendido que debemos utilizar las definiciones de las resistencias de entrada
y salida que incluyen realimentacin interna en el circuito, de salida hacia la entrada. Otros ef-ectos
secundarios son la desviacin y la cu'vaturl de la funcin de transf'el"encie que causxn, respectiva-
mente, una componente continua en la salida, no relacionada con la seal de entrada, adems de la
distorsin no lineal. Las capacidades internas limitin la gainancia de los amplificadores a altas fre-
cuencias y, a veces, a bajas fiecuencias, adems de introducir desplazamientos en la fase y retardo en
la sea1. El ancho de banda es un parmetro que nos da 1a idea de los lmites en alta frecuencia de un
an-rplificador. Si la respuesta tiecuencial de un amplificador no es adecurcla para una serl deterrni-
nada, estar distorsionada, bien con distorsin de amplitud, de fase o ctn las dos.

REFERENCiAS

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2. Editor.s o.f Electronit's Mago:.ine. "An age of innovation: The world cf elcctronics 1930-2000
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3. Inwt.DevtoJ. BascEngineerhgCircuitAnal.r,sls,2ndde.,Macmiltan,Newyork, 1987.
4. Ntt-soN, J.W. Electric Circuirs, Addison-Wesley, Reading, MA, 1986.
5. Ssns, F. W., M. W. ZEueNsrv, y H. D. YouNG. Llniverst7, Physics. Addison-Wesley, Reading. }/rA, lgii.

PROBLEN{AS

Seccin 1.2
1.1 Represente la curva vi de una batera de 5V utili-
zando las convenciones de signos de corrientes y tensio-
nes de Ia Figura 1.3a. Muestre los puntos de la curvi
donde la fuente a) da I0 watios de potencia, b) absor.be 2
u atios de potencia, c) ni entrega ni absorbe potencia.
1,2 Cubra para cada con'rponente la letra correspondiente
vi de la Figura P1.2. Despr.rs indicar la letra de
de la curva
la ecr:acin cortespondiente.
FGURA P1.5
1.5 Represente ias curvas vi para cada fuente no ideal de
Nombre Curva Ecuacin
P 1.5.
Resistencia (u) v -6 Sugerencia Escriba una ecuacin para cada una.
Fuente de corriente (u) v 0
1.6 Coloque una resistencia r., en paralelo con la fuente de
Cortocircuito (w) , 2v corriente de la Figura 1.8a. Despus escriba y represente
Fuente de tensin (x) I 0 las ecuaciones para las funciones de salida.
Circuito abierto (y) i 3r' 1.7 La expresin y = 0 cuando I > 0 e i = 0 cuando r' < 0
(.2) i describe un dispositivo llamado diodo ideal.
Resistencir negativa l6
a) Represente la curva vi para el diodo.
1.3 Represente las curvas de entrada, salida y transf-erencia b) Represente el diagramii del dispositivo dipolo que
de una ftiente VCCS con [ansmitrncia g,, = 2 x l0 r S. Eti- puede reemplazar al diodo si i > 0
quetar las curvas.
c) Represente el diagrarna del dipolo qr.re puede reernpla-
l.-l Desarrolle P1.3 para una CCVS con r,,, = 2 x 10rO. zar al cliodo si v < 0
1.8 P1.8 es la funcin de salida de un dispositivo.

_L _l a) QLr modelo de un dipolo describe mejor el circuito


salida del dispositivo si 1' = 6r
cle

il
I

b) ,Cundo es 11 = I mA y y: > 5 V?

(a) (b) (c) l, (mA)

-l-I
60 t =6mA
50 -5mA
-4mA
_1, 40
30
20 =2mA
t0 . -lmA lr =0mA
(d) 0
(e) (f)

FICURA F1.2 FICURA P1.B


5{ CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

R-= I ko

Vcc= lov

aa
FIGURA P1.'I3
FIGURA Pl.11

ct el modo de funcionamiento represen- 1,11 La luente de corriente y el conjunto resistencia-


.Cundo est en
tado por Ia lnea recta indicada por *? batera de Pl. I I se tienen que conectar a los nodos a y .
Tengamos en cuenta que una vez que se hace la conexin,
dr Dibuje el diagrama de un cuadripolo cuya funcin de
I y u son iguales para ambos dispositivos.
idntica a la obtenida en la regin (v2 > 5, 0 <
srlida es
l:< -50 mA, 0 <1, < 5 mA). Asuma que la tensin de a) Represente 1a curva ll para el conjunto batera-resisten-
cnrrrJr l del euadripolo es siempre ceto. cia por s so1o.

1.9 Un cuadripolo tiene la funcin de transferencia Sugerencia Escribe la ecuacin.


i.=2 x l0 ty,. La coriente de entrada en mA es siempre b) Sobre el mismo sistema de coordenadas l-r, represente
cuatro veces la tensin de entrada en voltios. 1as curvas vi para la fuente de corriente y el conjunto
a) Represente las funciones de entrada y salida. batera-resistencia. Despus, muestre sobre dichas crLrvas
el resultado numrico de r'.
b t Dibuje un circuito equivalente que represente el cuadripolo.
c) Redibuje la representacin del apartado b). Despus,
1.10 Un dispositivo cuadripolo tiene la funcin de transf'e-
aada una lnea punteada para mostrar la nueva curva vi
rencia r'. = 2r,,. La coniente de entrada l es siempre 2 mA.
para la fuente de coniente si 1ss se incrementa a 4 mA. Indi-
a) Represente las funciones de entrada y salida que el nuevo valor de v con una flecha etiquetada con c
bt Dibuje un cilcr"rito equivalente que represente este cua- d) Aada al diagrama c) una 1nea punteada para 15. = I
dripolo. Observar 1a convencin de signos del cuadripolo mA. Utilice una flecha etiqlletada como d para mostrar la
de Ja Figura 1.6a. nlleva tensin de la fuente de coniente.
c) Utilice el circuiio equivalente creado anteriormente para e) Redibuje la representacin del apartado b). Despus,
hallar la corriente de salida cuando hay una resistencia de muestre cmo cambia v para incrementos y decrementos de
1 kO conectada a la entr'ida y una de 5 kO conectada a 1a V't.cuando Ri. se mantiene constante.
salida.
fl Describa detalladamente cmo cambiara esta solucin
grfica para la tensin de la fuente de corriente si la fuente

I
continua Vr. del apanado (b) se reemplazara por una fuente

ll 1,,
senoichl 2 sen 5.

-T-"-Tf-
g) Cornenzando con otra representacin del apartado (b),
---l- ,, | | t, t/ r, muestre cmo cambia v para Llna R ms grande y ms
pequeoque I kf)peroconel mismo Vcc.

(a) (b)
4 (c)
l.l2 PI.12 muestra las tunciones de entrada y salida de un
cuadripolo.
a) Dibuje un modelo para el cuadripolo.

I _L_
-t-'-r-' (e) (0

FICURA P1.12 FICURA P1 .14


t:

Problemas 155

t (mA) b) Use el modelo anterior para hatlar el valor de


P1.1 8d.

1.19 Podemos representar una fuente variable en el tiempo


como una curva vl desplazada. Describa detalladamente
con palabras las curvas yi de
a) u(t) = 5 sen 10.
b) l(/) = 0,2 cos 5.
c) R(t = 100 '.
r (voltios) Describa primero las curvas para / = 0. Despus, para / > 0.

FIGURA Pl.16 Seccin 1.3

1.20 Halle la ganancia de tensin necesaria si un amplifi-


bt Representar la funcin de transferencia del cuadripolo.
cador ideal de tensin se conecta a una fuente de sea1 de 2
1.13 Represente y etiquete las curuas caractersticas de salida milivoltios (rms) con resistencia interna de 200 f) sobre
del dispositivo de PI.13 que conesponde a yr = -1, 0, I y 2. una carga de 50 O que necesite 1l2W de potencia.
1.14 Para P1.14 represente y etiquete las funciones de 1.21 Una seal de 5 mV rms debe ser amplificada para
salida que conesponden a u1 = Q, I y 2Y I W de potencia a una resistencia de 100 O.
poder entregar
l l5 Cunta potencia puede dar a una carga externa una Cuntos amplificadores ideales de tensin se deben
luente de Vss voltios con resistencia de R ohmios?
Sugerencia Teorema de Ia transferencia de mxima tl t^
otencia.
-----> {--
1.16 P1.16 muestra un dispositivo misterioso y su curva vi.
r Para cada regin de A a D describa de fbrma tan com-
pleta como sea posible el elemento al que se parece dicho
Jispositivo.
: Cul es el valor de I si se conecta en paralelo una
r:nte ideal de 2 V aI dispositivo orientado de bhacia a?
:. ;CuI es el valor de i si se conecta en paralelo una fuente
J tensin ideal de 6 V al dispositivo, orientado debhaciaa?
:, Cul es el valor de u si se conecta en paralelo una
-rnte de coriente ideal de 2,5 A con el dispositivo y se
,:ienta de b hacia a?
l.l 7 a I Escriba una expresin para Ia tensin en R de p1. 1 7
.- i fuente dada se conecta directamente a 1a carga dada. q (voltios)
r Halle una expresin para la tensin en R si 1a fuente dada
!- .-onecta a la carga dada mediante un CCCS de = 1.
B
- .En qu caso es mayor la rensin de salida? Explquelo.
.18 El elemento de Pl.18 tiene ia curva yi de entrada cle
?, 1 Sb 1 la funcin de salida de Pl. I 8c.
. Dibuje un modelo de1 circuito que represente al disposi- z1 (voltios)
:- ",- ,-uando funciona en el primer cuadrante de las funcio-
,:.
0l 2 3
C entrada y salida.

_r--t_-
,.,,,(|)
!o, =Jo.
Ll--
12 24 36
,2 (voltios)

-_l (c)

FIGURA P1.17 FICURA P1.18


561 CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamiento de seal

Seccin 1.4
1.28 Una fuente, t , = 3 mV y Rs = 4 kO, se conecta a una
resistencia de calga de l0 O a travs de un amplificador
con dos etapas iguales en cascada. Las especificaciones del
amplificador son R, = 6 kO, R,, = 100 O y la ganancia de cir-
cuito abierto = 80.
a) Halle la ganancia de tensin 1./t,. siendo v,- 1a tensin en
1a cargii de 10 O.
FIGURA Pl.27
b) Halle la ganancia de potencia del amplificador en dos
etapas.
conectar en cascada, si 1a ganancia de tensin de cada uno
e de 8?
c) Halle la potencia de entrada y salida para cada etapa del
amplificador y determine la potencia que se necesita aadir
1.22 Una fuente con tensin en circuito abierto de 3 mV a la etapa de1 amplificador desde una fuente extema (fuente
mrs y resistencia interna de 10 kO se utiliza con una resis- de alimentacin) para cumplir 1a conservacin de energa.
tencia de carga de 5 kO. Calcular 1a tensin y potencia en
la car-ea si:
1.29 lln amplificador desarrolla una tensin de salida de v2
voitios rms en una resistencia de carga de R. ohmios. En 1a
a) Se conecta directamente la fuente a la carga
entrada del amplificador hay una tensin de entrada de vr
bt Hay un amplificador de tensin ideal con ganancia I voltios rms con unl resistencia de carga de Rr ohmios.
conectado entre la fuente y la carga. a) Escriba una explesin para la ganancia de potencia en
c) Hay r.rrr amplificador ideal con ganancia de tensin 10 decibelios, utilizando 11, 1,2, R ] R2.
que conecta la fuente y la carga.
b) Utilice la expresin del apartado (a) para relacionar la
1.23 Si utilizrmos un CCCS con transmitancia B para ganancia de potencia en decibelios con la ganancia de ten-
entregar 100 mW de potencia a una carga de 8 f) desde una sin 4,. = yzlr,r.
fuente de tensin de 0,1 V y 1 kO de resistencia, halle el c) Utilice los resultados de1 apartado (b) par'a probar que
mnimo valor vIido para B. en el caso especial en que R = Rr, la ganancia de potencia
1.21 Halle la ganancia de transresistencia necesaria para en decibelios tiene el mismo valor que 1a ganiincia de ten-
resolver el Problema 1.20 utilizando un CCVS. sin en decibelios.
1.25 Muestre cmo crear un VCVS a partir de dos flentes d) Escriba una expresin para Aca utilizando R;. R2 y las
dependientes de la Figura I.11. La respuestl consiste en un corrientes de entrada y salida ir e l:, respectivamente. A
diagrama y una ecuacin. partir de esa expresin. hille una relacin entre 4,,r y 4,,.
1.26 Muestre cmo crear un CCCS r"rtilizando los otros dos 1.30 Para e1 amplificador de dos etapas P1.30. crlcule:
trpos de fuentes dependientes de la Figura l l7. La res-
a) la ganancia de tensin de r a l,
pllesta consiste en un diagrama y una ecuacin.
b) la ganancia de corriente lr./1,
1.27 El recuadro de P I .27 debe contener un cuadripolo
que hace que la corriente de la bobina sea 80 r,eces c) la ganancia de potencizr. Defina la potencia de entrada
como potencia de seal que entra a 1a prirnera etapa.
ma\or a la de la seal, pero sin embargo no se viola nin-
guna de 1as leyes de Kirchhoff. Represente las carac- 1.31 P1.31 muestra un amplificado en dos etapas con una
tersticas de entrada, salida y transferencia del disposi- divisin de tensin ajustable, situado entre las etapas para
tir o. controlar el valor de la seal de salida. Podemos pensar en

20 kO tl L) IL
Rr=lokQ R,z=150O
+ +
+
Rr=
I 1'2 l,'L
u1
Fr =20 Fz=50 600
30 mV )
Rot=50O Rr,2= 20 ll

FICURA P1.3{)
a
t,t l0 ko I
t

FCURA }.! ,:tX

el divisor de tensin como en un amplificodor con ganan*


b) v,,(4 = 0.0lsen( I .000) + 0.0l5sen(2.000r)
eia negrtir ir cn det.ibelios.
ri, = -0,012sen(1.000d + 0,0l51sen(2.000)
a) ,Cmo estn lelacionados las ganancias en decibelios 1.35 La salida de un amplificaclor clifer.encial con A,/= 20 y
de A1 y A. y el clivisor cle tensin A,r,, con la ganancia total
A, = 0,-5 es r,,() = 16 sen(1"000) + 0, I sen(100r). Suponga
en decibelios'J
que la componente de 1.000 racl/s entra en el amplificador
A,,,u - 20 tog ]r,. L,r]l en modo difelente y la seal de 100 rad/s entra en modo_
b) Con Rr = 0 y R. = 10 kO, la ganancia en tensin entre r,, comn. Calcule la tensin del noclo en la entracla no inver-
l r'' cs de 70 dB. Halle los valores de R1 y R2 pnr.a qr,re el diyi_ tida y en la invertida.
sor de tensin reduzca la gananciii global a lg dB'incremen_ 1.36 Suponga que 1a resistencia de entrada de1 amplifi_
tando Rr y manteniendo 1a relacin Rr + R. cador dilerencial de 1a Figura l.27cl es una resistencia R,i
= l0 kf). Suponga
qrLe la resistencia de entrida cle la seguncla conectada entre los nodos a y . (por ejemplo, R.,= co).
etalra es >> l0 kO.
1.32 Halle la couiente de salicla y ganancias cle cortiente y Halle los componentes en modo comn y iferencial cle
potencia del amplilicador cle corriente de la Figura p1.32 la tensin cle entrada usando u. y ,,,, .uundn Rs 600 e.
=
1.33 Disee r-rn antplificador no ideal qr.re cumpla las R,, =1Q, R= 10 kO y R,, = 0,54
:isuientes condiciones: l) E,ntrega 1 W ctepotencia a una 1.37 En la Figura 1.28d sc supone que r,\ y r), son senoicles
resistencia de car--{a de I ke. 2) Tiene una resistencia de con flccuencias ), y ),, y con amplitucles V, y
K,respecti_
:alida de al nenos 100 O. 3) Tiene resistencia de entracla vamente. Halle la exrresin del fhsot cle cacla componente
de
al menos 2 kO. ,1) Tiene trclo lo anterior si la fuente
cle seal cle la tensin de entada si la impeclancia de entracla
del
es una corriente de 0,1 mA rms con r.esistencia interna amplificador es inflnita.
de
-50 kQ. Cualquier respuesta que lo cumpla es aceptable.
1.38 Muestre el modelo para un amplificaclor dif'erencial
Sugerencia v
Desr-r-olle r-rn cil.cnito equivalente partienclo una fuente doble.
de la carga.
a) i,Cules son los valores de A,, RRMC, R y R,?
Seccin tr.5 b) Halle el cornponente en modo dif-crencial cle r,,.
1.3,1 Un amplificador dif-erencial tiene resistencia c1e
c) Halle el componente en modo comrn de 1,,,.
ntrada inflnita (modo comn y clif'erencial), resistencia
de d) Halle el valor de r,,,.
:rLdaceroylospuu.nefros,4.,- 75. RRMC
= 40 dB. Halle la
tensin de salida cuanclo e) Halle el nuevo valor de 1,,, si la salicla del amplifica_
,11 t,, = 2,3 rnV y r,,, = 1.6 mV. do se conecta a tierra a travs de una resistencia de
carga de 800 O.

lr=
A
0. ImA
t,,

i- Anrpl iiicador
de c0rrienlr'
------------l

FICURA Pl,32

&----
y procesamiento de seal
C,\PTULO 1 / Principios de modelado

l0kO o 5 k()

50 kQ

loko b' D 5kQ


Fuente

FICURA P1.38

modo diferencial
resistencias dis- a) Suponga que aplicamos una seal en
1.39 Vuelva a dibujar la Figura 1'31 con rilt,u" un circuito equivalente simplifi-
,i,r,", n,' y R,, que ieemplazan a las resistencias R'' ;;;;.tito. trminos que
para r"' .ado qo. describa este caso especial' Utilice
a) Utilice 1a superposicin para hrllar expresiones ciasifiquen la seal de salida resultante'
eniaa una de
ttilizando ellas y' Y l"' Suponga que
que describa
: r',,. b) Dibuie un circuito equivaiente simplificado
h.,., ,on grande que se puede on-ritir' *." Jtp*i"l de exciiacin en modo comn Emplee tr-
demostrar que
bl Utilice 1os resultados obtenidos paia "
rninn, qu" clasifiquen la seal de salida
resultante'
r',, - r!, es ProPorcional a L'.' r'-v\
c) Para una seal de entrada general' usaremos.rr = y v''
1.,:10 P1.40 muestra una seal r'.
ruido v,, conectados
y un
.o*n ,.n.1 cle salida Exprese v' en funcin de r'
. lu ."rgu de 100 O por medio de un amplificador dife- en este caso?
1a seal y al ruido Cunto vale RRMC
r.n.id.!"u*inemos lo que le ocurre
el
a
amplificador' d) Para una enffada general utilizamos v' =
r' - fi como
;; io;." separada segrnpasan por de v" y r'i'' Qu es
,.ul ,1" salida. Exprese v,, en funcin
reem-
a) Vuelva a dibujar el circuito con el amplificador RRMC en este caso'l
pl"rado por su circuito equivalente completo' amplificador dife-
hallar r,'" 1.44 Dibuje e1 circuito equivalente de un
b) Con v,, desconectado, analice el circuito para rencial de una salicla que cumpla las siguientes
condiciones:
r'. f,7 ] r". utilizando en cada uno v'' de 2 kf si la seal
1) clesarrolle 4V sobre una resistencia
c) Con v, desconectado, hallar [1' v' v y v' utilizando
en a la enrrada:
puro cle 50 mV se aplica
la expresin r"'' .n .oo diferencial
en
.nt'l" .*pr"sin r',,. Halle v, utilizando resistencia de salicla menor cle 50 O
y RRMC de
r"' total'
2) tenga
d) Combine las respuestas (b) y (c) para calcular el 63 dB de entrada en modo comn'
en ampliti- MO en una seal de
1.41 Un amplificaclor operacional se convierte 3) tenga resistencia de entrada cle 10
una entrada a tie-
caclor de una sola entrada cuando ponemos enlrilda en modo comnl
a Ia otra entrada Utilizar el
r.ru | .on".rorrros una fuente r''.(0 4) clesanolle 50 mV entre sus entraclas si existe una fuente en
.ir*ito equivalente de la Figura l 29a para hallar de salida
ioJo diferencial aplicada a la entrada con resistencia
a) la resistencia de entrada Y n,= iO tO y tensin total en modo diferencial
v'= 150 mV'
conexin'
b) la tensin en circuito abierto v"() para esta
amplificadores
1.42 En el Captulo 7 estudiaremos distintos
La Figura
ion salida dobie' aclems de tener entradas dobles l2b' el
A' = 900

uno de estos ampliflcadores y 1a Pl RRMC: = 10 dB


Pl.,12",.pr.r"nta
la componente de
circuito eiuivalente en el que r',r sigue siendo R = 8o kg
por la Ecuacin (l '26) R.r, = 1 Mf)
entracla en modo diferencial clefini<ir
p -<.) 100 f
a) Halle v,(t) para el circuito de la Figura Pl'42c
t\n-J t

b) Halle v,,(r) para el circuito de la Figura Pl 40d'


de un amplifica-
1.413 Pl.43 mlrestra el circuito equivalente
que tiene dos nodos de entrada en vez de uno'
dor dif-erencial
y comn t"r
Los componentes cle entrada en modo diferencial
polaridades
y ,, tigu"n clefinindose por (1 26) y (1 27) Las
ielativas de la fuente dependiente son impofiantes
Problemas I59

2kQ

*
b o,5({t
i''
:

2ko
FIGURA P1"43

1.49 Un amplificador con ganancia de tensin 400 tiene


una tensin de desviacin de entrada de 0.5 mV.
a) Represente la funcin de transferencia.
', ( ) t0 ko b) Halle el valol de la tensin de salida cr.rrndo la de
entrada es cero.
c) Escriba una expresn pala la tensin de salida si la de
l0 r sen 50.
entrada es
Sugerencia Proyecte primelo sobre la curva de transi-e-
rencia.
1.50 Un amplificador se describe por las curvas de entrada
y transt'erencia de la Figula P1.50.
a) Cul es la ganancia del arr.rplificador en pequea?
b) Dibuje un modelo de circuito que describa el ampliti-
cador para -0,2 V< r,, < 0.2 V.

(cl
c) Dibuje un modelo del circuito que describa a1 amplifi-
)
cador para v, > 0,2 V.
FIGLJRA P1,42 Sugerencia la salida es constante para este margen de
entlada.
d) Dibujar un modelo del circuib clue describa al amplifi-
Seccir 1.6
cador para v < 0,2 V.
1,45 Halle la resistencia de salida del cuadrpolo de 1a
Figura 1.35e cuando hay una fuente de corriente con resis- Rs
tencia intelna de 2 kO conectada a la entrada.
1.46 Halle R; y R,, para el cLradripolo de P1.16.
1.47 Halle la resistencia de salida del circuito de Ia Figura
P1.16 utilizando una fuente de coriente conlo generador.
Utilice 1os valores numricos R. = R, = l0 kO, g,,, = 0.002 S.
1.48 La fuente dependiente del circuito de entrada hace
que el ampliticador de Pl.18 sea bidireccional. Halle Rr y,
R,, para los valores de f'r,rente y resistencia de carga dados. FlcuR,4, Pi "46

4-
601 CAPTULO 1 / Principios de modelado y procesamienro de seal

I*
l
5kQ 100 Q ,z

Q
L
R=200O

FIGURA P1.48

1.51 La tensin de entrada del amplificador de P1.50 es un modelo VCVS lineal que se aproxime al comporta-
miento de dicho amplificador no lineal sin demrsiados
r,, : -0,15 + A sen r errores para - V,.< r'; < V,.

donde la amplitud de la senoide es Ia informacin de 1.53 PI.-53 a las curvas de lespuesta frecuencial de la
ir-rters y 0,1-5 es un desplazarniento que surge de la rnte- ganancia de tensin de un amplificador. Escriba la serie de
rior elapa del rmplil'icador. Fourier de li tensin de salida para
a) Hal1e la amplitud mxima A parer que la infbnnacin
que llera la:erl no:e distursione.
a) una entrada v(t) = 0.002 sen(90t+ l0')+0.015
sen(270r + I 6' ) + 0,001 sen(9.0001 - I 2' ).
b)Si no hay desplazarniento. cmo debe ser de grande la
amplitud A antes de que comience la distorsin?
b) r-rna entrada r' (r) - 0.0 l7 sen(50r + 8') + 0,020
1,52 Un amplificador tiene una funcin de transf-erencra sen(250r-90')+0,005 sen(12.000/ 1-5').
no lineal dada por r,, = 80v, - 10y;-'.
1.54 Se necesiti un amplificador lineal que procese pulsos
a) Represente y clasifique cuidadosamente los valores de
de una duracin de 10 rs. La cada no debe superar el 37c
la funcin de transf-erencia para 7, < u <V. si V. es el
de la amplitud del pLrlso y el tiempo de subida no debe
valor positivo de y en el que la pendiente de la curva es
superal' 0,5 ps. Estime las frecuencias mayor y menor a
cefo.
media potencia necesarias.
bl Es el margen de salida del amplificador para el que la
1.55 Para amplificar la voz, 1a respuesta de la fiecuen-
terlsin de entlada se limita a -K < ui < V.?
cia debe ser aproximadamente uniforme entre 30 Hz y
c ) Halle el mayor valor, V,., de li en el que e1 tamao del 3.000 Hz. Estin.re el tiempo de subida y 1a cada por uni-
trmino a1 cubo no sllpere el l07c del tamao del trmino dad si se aplica a la entrada del anplificador un pulso de
lineal en la ecuacin de la funcin de transferencia. 1 ms de duracin.
dr Si la amplitud de la seal de entrada est limitada 1.56 La Figura Pl.-56 muestra la lespuesta de un amplifi-
estrictamente al margen definido en el apartado c), dibuje cador a un pulso ideal de 20 ,rs. La frecuencia de respuesta

z', (voltios)
l,(mA)
+12

z; (voltios)

zi (voltios) -''' . r'

FIGURA P].50
Problemas 161

IAUcD)l.'"

60

43

0 co (rad/s)

-'70"
-1 90"
211'
O (to) (grados)

FIGURA P.I.53

del amplificador es similar a la Figura 1.37. E,stime 1as fre- Dibuje un diagrama completo del circuito para el amplifi-
cuencias de corte del amplificador. cador, incluyendo valores para todos los elementos de1 cir-
1.57 Disee r.rn arnplificador en dos etapas del tipo de la cuito. Este problema necesita tomar decisiones en algunos
Figura P1.57. Para representar las seales, utilice valores parmetros; pero todos los circuitos que sigan las especifi-
IInS. caciones son v1idos. Demuestre que el amplificador
diseado cumple todas las especificaciones.
La segunda etapa tiene ganancia de tensin uno. y debe
entregar al menos 20 watios de potencia a la carga. El
ruido de saiida en modo comn no debe superar 1os 0,1 W.
La ganancia en modo dit-erencial en circuito abierto de la ;() (voltios)
etapa de entrada es menor de 200; la potencia de la seal
de salida en modo dif'erencial debe ser menor de 100 mW.
Se puede asumir que R,. es intinito. En otro caso, especifi- 3,0
que. para cada etapa del amplificador, valores distintos de 2,1
cero para la resistencia de salida, y valores finitos para la
de entrada.
La fuente de la seal diferencial consiste en una seal y, 0
con tensin rms de 100 mV.

FIGURA P1.56

Ganancia de
tensin = L

0,5 r;

FIGURA P1.57

4-
Captu lo

AA/IPLI FI CADO RES O PE RAC I O NALES

En este captulo introduciremos ms dispositivos activos, los llamados amplificadores operacionales


(A.O. o simplemente operacionales) y estudiaremos algunos circuitos que los usan. Usando AOs,
veremos que realizan operaciones tiles tales como la generacin de formas de onda senoidales o
cuadradas, la amplificacin, combinacin, integracin o diferenciacion de seales, la eliminacin del
ruido, rectificacin, cambio de las formas de onda, la produccin de cambios en la salida cuando una
seal de entrada aliance un determinado valor o la produccin de tensin o corriente constante. Con
los circuitos con operacionales desarrollaremos una interesante intuicin sobre el funcionamiento
general de los circuitos elctricos aunque no 1os contengan.{ambin, nuestra experiencia con las
condiciones de los circuitos con operacionales nos permitir ver las tareas de diseo como una suce-
sin de operaciones elementales realizadas por circuitos elementales. En posteriores captulos, cuan-
do estudiemos la estructura interna de los operacionales, usaremos estos conocimientos para expli-
car su comportamiento externo.

2.1
EL AMPLI FICADOR OPERACIONAL

Un amplificador operacional es un circuito integrado de bajo coste que se representa como el de la


Figura Z.Ia. Las seales entran por las entradas no-inversora e inversora. Al circuito real debemos
conectar dos fuentes de alimentacin como en la Figura 2,lb el diseo interno del operacional
conecta a masa el punto de unin de las dos fuentes y este punto servir como nodo de referencia
para el anlisis. Por convenio; los diagramas omitirn las fuentes de alimentacin como en la Figura
2.1a y algunas veces dejaran el nodo de masa a la imaginacin del lector.
Aunque el nombre principal es "amplificador" debemos evitar cualquier confusin inicial pen-
sando en el amplificador operacional como en una resistenqia o un condensador, cbmo un bloque
ms qu podemos usar para construir circuitos. El operacional es un bloque activo que aade poten-
cia a nuestros circuitos y entre los muchos circuitos que lo utilizan hay amplificadores!
2 / Amplificadores operacionales

'fl--o N.,n
b
"-1r.- de
salida

+
(a)

t-
I

A+ Qt
<H
+t
0d

(H
bt
I

t. /
t _.
v'
(c) (d)

FIGURA 2.1 Amplificador operacional: (a) smbolo; (b) smbolo mostrando las conexiones de alimentacin;
(c) como amplificador diferencial ideal; (d) mayor idealizacin.

Operacionales de ganancia infinita El amplificador operacional es esencialmente un amplifica-


dor diferencial en el que .R., es casi infinita y A, y Ro casi cero. As veremos el operacional como en
la Figura 2.lc donde una fuente de tensin controlada por tensin (VCVS) da una salida proporcio-
nal a la componente diferencial de la tensin de entrada. El trmino "amplificador operacional"
implica ms, una elevada ganancia en modo diferencial A. Esta ganancia es tan alta que, de hecho,
puede simplificarse el anlisis de los circuitos que contienen operacionales suponiendo que A es infi-
nita. Esta suposicin impone dos poderosas condiciones sobre las seales de entrada:
l. v"=vu (2.r)

2' l"=o (2.2)

Llamaremos a este par de ecuaciones "suposicin de ganancia infinita" . Despus daremos razones para
este supuesto, comentaremos su significado y aprenderemos a aplicarlo a diferentes circuitos.
Aplicaremos la suposicin de ganancia infinita slo a los circuitos con operacionales que usen rea-
limentacin negativa. Esto significa que la salida y la entrada inversora estn conectados mediante
un circuito externo de tal modo que para cualquier valor razonable de v., la elevada ganancia obliga
aqueladilerencia v=vo-vseapequeacomparadaconotrosvaloresdel circuitodebidoa

v,= Ao(v"_ vu) (2.3)

La Ecuacin (2.1) es una consecuencia de la ganancia infinita. En efecto, supongamos que A es casi
infinita en la Ecuacin (2.3) de tal forma que v, mantiene su verdadero valor mientras vo - v se vo o
cero.
2.2 / Ckcuitos con operacionales sin memoria 165

La segunda consecuencia de la ganancia infinita tiene que ver con la corriente de entrada

=lo-lt'
Rd

en la Figura 2.1c. Aunque R suele ser tan grande que ir es despreiable en comparacin con otras
corrientes en el circuito, el mismo proceso que supone va= rb, simultneamente implica la Ecuacin
(2.2) awque R no sea suficientemente grande. (Muchos prefieren ver el operacional con ganancia
infinita como el caso lmite de la Figura 2.ld cuando A -+ oo.)
Tomadas juntas las dos condiciones de ganancia infinita imponen una caractestica curosa a la entra-
da del operacional. Las Ecuaciones (2.I) y (2.2) suponen que la caracterstica de entrada de cualquier
operacional de ganancia infinita (en ejes i, v) es exactamente el mismo punto que el origen! Cuando
aplicamos la aproximacin de ganancia infinita a los circuitos, ignoramos cualquier condicin de tensin
en el nodo de salida. Haciendo esto, siempre acabamos con el nmero adecuado de ecuaciones para des-
pejar fcilmente. Esta inusual condicin hace un poco peculiar (porque lo es) el anlisis de los circuitos
con operacionales de ganancia infinita. Unavez superado es, sin embargo, fcil y divertido de aplicar.
El "anulador"l es una entrada hipottica cuya curva caracterstica tensin-corriente es un
nico punto (l,v) = (0,0). El"totalizador'n tiete todo el plano l-v como curva caracterstica, es
decir, est totalmente indefinido. Los "anuladores" y "totalizadores" pueden usarse para mode-
lar muchos dispositivos electrnicos, tales como los operacionales de ganancia infinita y dan un
marco terico para justificar el anlisis usando las Ecuaciones (2. 1) y (2.2). (Los lectores inte-
resados pueden buscar en el captulo de Sanjit Mitra acerca de los anuladores y totalizadores
como complemento de este texto. El texto de Mitra est en las referencias al final del captulo).
Examinaremos el proceso de hallar el lmite de A en la Seccin 2.5.2, definiremos ms claramen-
te el papel de R en la Seccin 2.2.3 y justificaremos la aproximacin de ganancia infinita usando los
principios de realimentacin negativa del Captulo 9. Mientras tanto, veremos cmo usar las
Ecuaciones (2.1) y (2.2) para obtener ecuaciones sencillas que se aproximen bastante al funciona-
miento de la mayora de los circuitos con operacionales.
Los circuitos con operacionales y realimentacin negativa que se prestan a anlisis de ganan-
cia infinita se dividen en dos categoras: circuitos con y sin memoria (ver el texto de Chua en
las referencias). IJn circuito con operacionales sin memoria contiene slo resistencias y opera-
cionales y su funcionamiento se caracteriza mediante una ecuacin algebraica. Un circuito con
memoria contiene, al menos, un elemento almacenador de energa, normalmente un condensa-
dor, y se caracteriza por una ecuacin diferencial temporal. Hay tambin circuitos con opera-
cionales que precisan un anlisis diferente porque no tienen realimentacin negativa. Los consi-
deraremos en la Seccin 2.6.

2.2
CIRCUITOS CON OPERACIONALES SIN MEMORIA

Describiremos ahora una considerable coleccin de circuitos basados en amplificadores operaciona-


les. Cada circuito, importante por s mismo, tambin sirve como un ejemplo de cmo aplicar la apro-
ximacin de ganancia infinita. Ntese en todos los casos que la clave del anlisis es 1a aplicacin de
las Ecuaciones (2.1) y (2.2) a los nodos de entrada.

'N. del T.: anulador o nullator.


'N. del T.: Totalizador o norator
v

TULO 2 / Amplificadores operacionales

2.2.1 AAAPLIFICADOR INVERSOR

La Figura 2.2a mtesfta un amplificador inversor. Usaremos los principios de ganancia infinita para
hallar la ganancia de tensin, la resistencia de entrada y la resistencia de salida del circuito.
Primero, hallaremos la ganancia de tensin vJv . La ganancia infinita del operacional obliga que
las tensiones de las entradas inversora y no inversora, conectada a masa, sean idnticas, es decir cero.
Decimos que hay una masa virtual en la entrada inversora. Usando esta masa virtual, la corriente de
entrada del amplificador es
. v,
l, = L
-0 (2.4)
&

[a Ecuacin (2.4) usa un convenio empleado generalmente en electrnica. Cuando una fuente de ten-
sin no se muestre explcitamente, trataremos v colo a una fuente independiente conectada entre la
entrada y la masa]. Usando de nuevo la idea de 1a masa virtual en el mismo diagrama, tenemos

i'=Yf \:2.5)

La ganancia infinita implica que l' = iz, luego igualamos las Ecuaciones (2.4) y (2.5) dando

o -'o - R' (2.6)


vi &

Para Rz > Rr, el circuito amplifica; el signo menos explica por qu el circuito se llama amplificador
inversor. Haciendo Rz = Rr tenemos un circuito que simplemente invierte la seal lo que es til por
s mismo.
Aunque los amplificadores operacionales de ganancia infinita siempre tienen corriente nula de
entrada, su corriente de salida no es nula. En la Figura 2.2a,Ia corriente lz que satisface la Ecuacin
(2.5) circula a travs de R, y se lleva a masa por la salida del operacional (ver Figura 2.1d).
Seguidamente, aplicaremos la definicin de resistencia de entrada al amplificador inversor. Si usa-
rrros v e lr de la Figura 2.2a como corriente y tensin para la Ecuacin (1.36), vemos que en la
Ecuacin (2.4),la resistencia de entrada del amplificador inversor es R1.

FICURA 2.2
(a) Amplificador inversor;
(b) circuito para hallar
la resistencia de salida.

El circuito del amplificador inversor da una solucin prctca para disear un amplificador como
el de la Figura 1.19a. Como el amplificador inversor tiene R = Rr y Lt = -R:' lRr, es fcil disear un
amplificador con especificaciones de resistencia de entrada y ganancia en circuito abierto. El
Ejemplo 2.1 ilustra esta idea.
2.2 I Circuitos con operacionales sin memoria

EJEMPLO 2.1 Disear un amplificador inversor que tenga una ganancia de tensin de -40 y una resistencta
de entrada de 5 kQ.

Solucin Para lograr la resistencia de entrada especificada, Rr = R; = 5 ko' Para una ganancia de -40' la
Ecuacin (2.6) necesita
R, = 40R, = 200 kQ tr

Los valores calculados para R1 y R2 son valores nominales para el diseo; en el caso prctico, los
valores realmente seleccionados para las resistencias pueden desviarse del nominal debido a las tole-
rancias de fabricacin. De acuerdo con la Ecuacin (2.6) el amplificador tenda la mxima ganancia
cuando R2 fuese mxima y R1 mnima. Para resistencias con una desviacin del nominal menor del
l%o,la ganancia puede ser tan alta como
202ko
A'=-+,s5
r.o=-'10'8

Ejercicio 2.1 Hallar el margen de valores de ganancia para el Ejemplo 2. I si las resistencias varan hasta + 107o.

Respuesta 48,9 < A, < - 32,7.

La incertidumbre en la ganancia de un amplificador inversor es de aproximadamente zxEo para


tolerancias en las resistencias de xEa para pequeos valores de x (ver Problema 2'4).
Usaremos la Figura 2.2b parahallar la resistencia de salida del amplificador inversor; I es el gene-
rador de test. Como la ganancia infinita establece una masa virtual en la entrada inversora,
V, =0-irRz

La ganancia infinita supone

l,'Rl
-0 2=\=o
=-=Q

As, Vt = 0. La corriente de test 1r, sin embargo, necesita condiciones no nulas ya que puede clr-
cular corriente no nula por la salida del operacional. As

R
v-0-
-___/ =_=0
"IrIr
Uniendo los resultados, concluimos que el circuito de la Figura 2.2a es una implementacin prcti-
ca de la Figura 1.19a en la que R = Rr, F = -Rz lR, y Ro = 0. Hemos probado que el amplificador
inversor ni tiene impedancia de salicla. De hecho, podemos probar de forma similar qtrela resisten-
cia de salida nula es una caracterstica comn a Ia mayora de los circuitos con amplificadores ope-
racionales con realimentacin negafiua. (Existen excepciones en las que las salidas del circuito y del
operacional no coinciden). Como dando demostraciones separadas para todos los casos, no introdu-
ciramos nuevos principios, sencillamente supondremos en el futuro nula la resistencia de salida.

2.2.2 AA,{PLIFICADOR SUMADOR

En algunos casos de procesado de seal se necesita una tensin suma de dos o ms tensiones. Por
ejemplo, podramos querer mezclar seales o aadir una componente de continua a una seal deter-
mihada. El amplijlcador sumador de la Figura 2.3 realiza esa funcin.
CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

FGURA 2.3
Amplificador sumador

Cuando se aplica la ley de Kirchhoff de corrientes a la entrada inversora, como quiera que es masa
virtual y la corriente de entrada al operacional es nula, obtenemos
v,-0 v:-0 un-0 0-ro
t f "' f
Rr R2 R^ -I^- R,

y despejando v", da
(n R
u =-l "v.* 'y^ +.'.+ (2.1)
'\R,'R2 *",)
que se reduce a una suma (ms una inversin) si todas las resistencias son iguales. La posibilidad de
diferentes resistencias aporta flexibilidad permitiendo al diseador dar pesos individuales a cada
entrada si se necesita.
Debido a la existencia de masa virtual, cada fuente de tensin ve una resistencia conectada a masa
con lo que no hay interaccin entre las distintas entradas mientras que en la salida s se produce la
combinacin. E,ste aspecto suele ser muy apreciado slo despus de intentar encontrar otra solucin
que mezcle tensiones (usando redes totalmente resistivas, por ejemplo).

2.2.3 CONVERTIDOR CORRIENTE-TENSON


En el Captulo I se comentaba que, a veces, la informacin est disponible en corriente porque se ori-
gina en un dispositivo de alta impedancia de salida como, por ejemplo, un fotodetector. El circuito
convertidor de la Figura 2.4 es una forma prctica del amplificador de trans-
conductancia que convierte la informacin en una manera ms til, en tensin.
Para analizarlo, ntese que la entrada inversora es una masa virtual; i toma el
valor que sea establecido por el circuito de excitacin (no mostrado). Debido a la
ganancia infinita, l; circula a travs de R, y la ley de la tensiones de Kirchhoff da

y,=0-i,Rr=-Rri, (2.8)

As cualquier cambio en i aparece en la salida como un cambio de la tensin y


podemos usar Rz como parmetro de escala. Dado que la corriente de entrada
puede ser cualquiera y debido a que las condiciones de ganancia infinita obli-
gan tensin nula a la entrada, la impedancia de entrada al circuito es nula. Para
ftcuRA 2.4 aplicar la definicin formal de impedancia de entrada deberamos usar una
Convertidor fuente de coniente de prueba ya que una fuente de tensin no nula aplicada
corriente-tens in
sobre la masa virtual violara la ley de las tensiones de Kirchhoff.
2.2 / Circuitos con operacionales sin memoria 169

2.2.4 CONVERTIDOR TENSIN-CORRIENTE


Hemos destacado en el Captulo 1 que algunas de las aplicaciones son adecuadas para la codificacin
en corriente de la informacin. La Figura 2.5 muestra un convertidor tensin-corriente qtre produce
una corriente de salida l proporcional av deforma independiente del valor de Zr, es decir, la corrien-
te de salida est controlada por tensin.
Pwa analizar el circuito, dmonos cuenta de que la Ecuacin (2.4) tambin se aplica a la Figura
2.5.Dada la ganancia infinita, j = jr. Combinando estas ecuaciones se tiene

.v,
-4 (2.e)

FICURA 2.5
Convertidor tensin-corriente.

Aunque cambie Zr, laconiente se mantiene en el valor de la Ecuacin (2.9).En efecto, Zve una
fuente de corriente controlada por tensin (VCCS) con una curva caracterstica horizontal v-i que
sigue a la corriente de entrada.
Como ejemplo de aplicacin, considrese el diseo de un voltmetro de continua basado en un ins-
trumento analgico de aguja. Este ltimo es un sistema electromagntico que produce sobre la aguja
una deflexion proporcional a la corriente medida. El problema es que la impedancia interna Zrvara
fuertemente de un instrumento a otro. Mientras que el movimiento del medidor depende de Zr,enla
Figura 2.5, sin embargo, la deflexin de la aguja es proporcional av,para cualquier 27,. Esto nos per-
mite resolver e1 diseo inicial y rcempTazar el medidor sin ningn tipo de calibracin. Sin esta con-
versin en corriente, sera necesario disear un sistema a medida para cada Z.
Por el mismo razonamiento empleado para el amplificador inversor, la resistencia de entrada es Rr.
El Problema 2.9 muestra que la resistencia de salida, definida por los dos extremos de Zt es infinita,
tal y como necesitamos. La limitacin de este circuito es que ninguno de los dos extremos de Zr estt
conectado a masa. Posteriormente, veremos un diseo de convertidor tensin-corriente ms comple-
jo sin esta restriccin.

2.2.5 AMPLIFICADOR NO NVERSOR


Hasta aqu, todos los circuitos con operacionales han sido derivados del amplificador inversor. Sin
embargo el amplificador no inversor de la Figura 2.6 tiene la estructura algo diferente, aunque el
mismo principio de ganancia infinita desvela sus propiedades.
En la Figura 2.6 la gatancia infinita obliga a corriente de entrada al operacional nula por lo que

La ganancia infinita obliga tambin a que ," *":t;;; el punto b sea una copia exacta de v, dando
it=lL
R1
2 / Amplificadores operacionales

Por la ley de Ohm,


12=
(', -'")
R"

Sustituyendo it e iz en la primera ecuacin y despejando v", da


A vR
o t
(2.r0)
- -1
'r,Rl
Al contrario de la Ecuacin (2.6) para el amplificador inversor, la expresin de la
ganancia no tiene signo menos y de ah el nombre de amplificador no inversor.
FIGURA 2.6 Ambos amplificadores tienen resistencia de salida nula pero difieren en la
Amplificador no inversor. resistencia de enffada. Cuando aplicamos una tensin entre la entrada y masa
de la Figura 2.6,1a corriente de entrada es nula para no contradecir la suposi-
cin de ganancia infinita; por lo tanto, la resistencia de entrada del amplifica-
dor no inversor es infinita. Combinando esto con el resultado de la Ecuacin
(2.10) y la resistencia de salida nula, el amplificador no inversor es una solucin prbtica para el
amplificador de tensin de la Figura l.Ja con p = (1 + R' / R').

2.2.6 CIRCUITO SEGUIDOR DE EMISOR

La Figura 2.7 muesfra un conexionado sencillo y muy til de un amplificador


operacional denominado seguidor de emisor. Como siempra v ! 16 son tensio-
z';f\'-pr,, nes referidas a masa. La aproximacin de ganancia infinita implica vo = v es
decir, la salida sigue a la tensin de entrada. Si aplicamos una tensin a la entra-
avl da y una corriente a la salida, vemos que la resistencia de entrada es infinita y
la de salida, nula. Concluimos que el seguidor de emisor es una forma prctica
de construir un amplificador de tensin de ganancia unidad.
Este seguidor de emisor se usa a menudo para eliminar cargas entre circuitos
+ (introducir "aislamiento"'). A cualquier amplificador usado para este fin le
damos el nombre de buffer o amplificador buffer. Para demostrar lo importan-
FIGURA 2.7 te que puede ser este aislamiento en circuitos prcticos, analizaremos un cir-
Seguidor de emisor. cuito de muestreo y retencin que usa un seguidor de emisor como "buffer".

2.2.7 CIRCUITO DE MUESTREO Y RETENCIN

La Figura 2.8a es un ejemplo de un circuito de muestreo y retencin ideal un condensador y un inte-


rruptor analgico. Siguiendo a un reloj 0(t), el interruptor se cierra por un instante y el condensador
se carga instantneamente al valor y" circulando una corriente infinita desde Ia fuente de tensin.
Cuando el intemrptor se abre, el condensador aislado retiene esta muestra de tensin hasta el siguien-
te instante de muestreo, cuando el interruptor se cierra de nuevo. La Figura 2.8b mugstra las formas
de onda de entrada, el reloj y la salida. La operacin de muestreo y retencin suele ser el primer paso
de la conversin de seales analgicas en digitales. Esto se debe a que el circuito de conversin
analgico/digital que convierte tensiones analgicas como v"(t) en una secuencia binaria de dgitos,
necesita una tensin del tipo v,(f) que no cambie durante el proceso de conversin.

'N. del T.: e1 trmino aislamiento no significa que haya aislamiento galvnico entre el circuito de entrada y el de salida, si-
no que hay aislamiento de efectos, es decir, 1as impedancias de salida no afectan a la entrada y viceversa.

I
t
I
&

Circuitos con operacionales sin memoria

u"(t)

L.'r-
re'
-/
l
--",,

L,:
uoG)

ur(t)
| .-l --l
ffir
It-,,"''

stv

f*-
n rent" *l=- Muestreo y retenci-

(c)
--+C*s"|
(d)

FIGURA 2.8 Circuito de, muestreo y retencin: (a) ideal; (b) formas de onda de entrada y salida; (c)
con fuente
real y carga; (d) empleando seguidores de emisor para aislamiento.

En la Figura 2.8c aparece un entorno ms realista de muestreo y retencin incluyendo las resis-
tencias de salida de la fuente y la carga; estas resistencias introducen algunos probmas prcticos.
Primero debido a Rs, el condensador se carga exponencialmente, no instantneamente. En segundo
lugar, si e1 interruptor se reabre antes que el condensador est completamente cargado, la caida de
tensin en R5 reduce la tensin almacenada. Finalmente, el condensador se descarga sobre R provo-
cando cadas de v"(t) entre los instantes de muestreo. La Figura 2.8d muestra cm se pueden
"onr"-a
guir caractersticas cuasi ideales aun en presencia de R5 y R usando seguidores de emisor. Debido
la resistencia de entrada infinita, el primer seguidor de emisor reproduce v" en el condensador sin pro-
vocar cada de tensin en R5. Este seguidor de emisor proporciona la elevada corriente necesaria para
lograr una catgarpidadel condensador ya que su resistencia de salida es nula. El segundo seguidor
de emisor copia la tensin almacenada en el condensador sobre R pero evita la aescarga enffetues-
tras. (El lector puede ayudarse redibujando la Figura 2.8d sustituyendo los seguidoreste emisor por
la Figura 1.17a con p = 1.)
LO 2 I Amplificadores operacionales

2.2.8 AAAPLIFICADORES DIFERENCIALES

El circuito del amplificador de instrumentacin delaFigxa2.9a nos proporciona una forma fcil de imple-
mentar el amplificador diferencial de la Figura 1.23. Con las adecuadas resistencias, el circuito amplihca la
componente diferencial y elimina la componente de modo comn del par de tensiones de entradav",vo.

L'b

La

,=R" R,
uo)
R:=Rr O:7uo-

(a) (b)

0,5u,0

FICURA 2.9 Amplificador de instrumentacin: (a) circuito bsico; (b) bsqueda de la resistencia de entrada en la
entrada inversora; (c) resistencia de entrada en el lado no inversor; (d) fuente de tensin para el Ejercicio 2.2; (e)
buffers aadidos para eliminar la carga de la entrada.

Para obtener 1a expresin de la ganancia, usaremos superposicin para hallar la contribucin indi-
vidual de y, y y sobre vn. Hacemos v = 0 en la Figura 2.9a conectando a masa Rr. Esto produce un
amplificador no inversor como el de la Figura 2.6 donde v* es la tensin de entrada; el divisor de ten-
sin da v*. Como no puede entrar corriente por la entrada no inversora,

,-=(-oo )' "' (2.1 r)


\ n, *,1
Esta tensin es amplificada con la ganancia dada por la Ecuacin (2.10) dando

,o'o=(,*&) R4 r=RoIR, *R,], (2.t2)


\ R, )Rr+Ro " R, \Rr+Ro) "
2.2 / Circuitos con operacionales sin memoria 173

Para hallar el segundo trmino de la superposicin, desconectamos y,; ahora vb entra a un circuito
que se parece al amplificador inversor de la Figura 2.2 excepfo que R3 ll R,, conecta la entrada no
inversora a masa aunque R, ll Ro no,tiene ningn efecto sobre el agrplificador inversor. Debido a la
ganancia infinita, la corriente en R: I I Ro y con ella la tensin que cae en ellas, debe ser nula. As,
concluimos que cuando y, = 0, la entrada no inversora est conectada a masa lo que produce una masa
virtual en la entrada inversora de la Figura 2.9atal y como est en la Figura 2.2. As, se aplica la
Ecuacin (2.6) y

Vo,b = -
ln,) (2.r3)
[J ",

Superponiendo las expresiones (2.12) y (2.I3), da

&lR,+R,) v ln") 'lv,


In * R,,l " -l\R,, "
1r
-Jl (2.14)

Cuando se disea, Rq= Rz y R: = Rrl para ello, (2.14) se convierte en

R., , R^,
v" :rlv -v,l=Jlv,l (2.rs)
Rr' R, '"'

Fijndose en Ia Ecuacin (1.28), (2.15) describe un amplificador diferencial con ganancia de modo
comn nula y ganancia diferencial R2 / R1.
Si no se satisfacen exactamente las condiciones de diseo, las caractersticas no llegan a ser idea-
les. Sustituyendo (1.29) y (1.30) envay v de la Ecuacin (2.14) descubriremos que una diferencia en
las resistencias aade una componente de modo comn no nula en la salida. (Vase Problema 2.25).
En un diseo con componentes discretos, podemos cambiar R3 por una resistencia variable (poten-
cimetro) y ajustaremos su valor para minimizar la tensin de modo comn en la tensin de salida.
En diseos integrados, la operacin equivalente se realiza mediante un ajuste con lser de las resis-
tencias a sus valores finales.
Otro problema con el amplificador diferencial de la Figura 2.9 es que las resistencias entre cada
entrada y masa son diferentes. El Ejemplo 2.2 explica que las resistencias en las entradas inversora
y no inversora del amplificador diftrencial son Rr y R: + R4, respectivamente. Tambin demuestra
que la asimetra en la resistencia de entrada puede provocar la entrada de ruido de modo comn que
produzca tensiones diferenciales y que se amplifique con la seal.

UEMPLO 2.2 Hallar 1a resistencia vista entre cada entrada y masa del amplificador diferencial de la Figura 2.9a.

Solucin La Figura 2.9b determina la resistencia entre el punto D y masa con la otra mitad de la excitacin
simtrica desconectada. La corriente a travs de R, I I Ra es cro debido a la ganancia infinita, provocando una
masa virtual en las entradas del operacional. Por ello, la resistencia de entrada del nodo inversor es v7 I i, = pr.
En la Figura 2.9c, no hay masa virtual en las entradas del operacional ya que puede circular coriente por R,; sin
embargo, la corriente de entrada al operacional es nula. As, la fuente yr v R: * R. tr

Ejercicio 2.2 La fuente de la Figura 2.9dest conectada a las entradas del amplificador de instrumentacin
siendo Rr = R: = 5 kO y R, = R = 50 kO.
a) Calcular la parte de v, que se produce como consecuencia slo de la tensin diferencial v"
Sugerencia Usar primero las resistencias de entrada halladas en el Ejemplo 2.2 para calcular 16, 16, v.
b) Calcular la componente de v, debida slo a v,.. La pista del apartado (a) tambin se puede aplicar aqu.
2 / Amplificadores operacionales

c) la entrada?
Cul es la RRMC del circuito teniendo en cuenta los efectos de la carga en
Respuesfas 7.08 v,. 4.17 v,,.1.10

ub

FCURA 2.10
Amplificadores
diferenciales:
(a) con salida
diferencial; (b) con
salida referida a
masa. (a)

Podemos resolver los problemas de carga causados por desigualdades en las resistencias de entrada
aadiendo seguidores de emisor en las entradas del circuito como en la Figura 2.9e. Este circuito ya
se acerca al modelo de amplificador diferencial ideal de la Figura 1.25a con A = Rz / R1 y A" = Q.
La Figura nos muestra un amplificador diferenci al con entrada y salida dferenciales . Para
2. 10a
verificarlo usamos superposicin. Con una seal diferencial pura aplicada, la ganancia infinita en
ambos operacionales obliga a que la tensin producida sobre R. d una corriente

, vo-ln vd
'R.&
Por la ganancia infinita de los operacionales, esta corriente no tiene por donde circular salvo a travs
de R. Las corrientes producen una diferencia de tensin v, - uy entre la dos salidas. Resolviendo con
detalle da

v, - vr = i.(2Rt* &)= (?.') ',


As, se amplifica v ] aparece como la diferencia entre las dos tensiones de salida. Cualquier tensin
de modo com supone yo = rt, sin embargo i. = 0 y r, - ry = 0. En resumen, la salida diferencial
vr - y, no contiene tensiones de modo comn y s la componente diferencial amplificada. La resis-
tencia de entrada al circuito es claramente infinita tanto para las seales de modo comn como para
las diferenciales y la resistencia de salida es nula para ambos nodos. Lo mejor de todo es que el cir-
cuito de la Figura 2.9ano tiene resistencias crticas. El circuito de la Figura 2.10b combina el recha-
zo de modo comn del de la Figura 2. 10a con una salida nica como el de la Figura 2.9a. Sus carac-
tersticas son prximas a
(zn. ) ---4.
n
A,
" -l ' +l I A, =0
\4 ) R,
Ya que la seal de modo comn no est amplificada por la primera etapa, cualquier pequea ganancia
de modo comn de la segunda etapa causada por valores de resistencias inadecuadas no resulta impor-
tante. (En la Seccin 2.5 veremos que el amplificador tiene ganancia de modo comn propia no nula,
un efecto de segundo orden que hemos ignorado al anaTizar estos amplificadores diferenciales.)
2.2 I Circutos con operacionales sin memoria 175

2.2.9 FUENTES DE CORRIENTE

El convertidor tensin-corriente de la Figura 2.5 aplica una corriente controlada por tensin sobre la
impedancia de carga pero Zno estaba conectada a masa. La fuente de corriente de la Figura 2.11 no
tiene esta limitacin.
En primer lugar, usaremos la aproximacin de ganancia infinita para obtener la necesaria ecuacin
de diseo. La tensin v en la entrada inversora es igual que la de la entrada no-inversora dando v =
iLZr.La corriente de entrada es

, v,- irZ, , irZ, -v,


rr - -t2- (2.16)
& R,

Aplicando la ley de Kirchhoff de corrientes a la entrada no inversora, da


v^-irZ, . , i,Z,
=,t-f. (2.11)
&

i ^'";:?i,l
i,=-'i
'R+
u = ifzr
FICURA 2.11 l,.
Y
Fuente de corriente
constante.

Despejando (v, - irZr) en (2.16) y sustituyndolo en el numerador de (2.17) nos lleva a

-Rr(', - irZr) . irZ, (2.18)


R,R, -I.f
'Ro
Despejando iL en (2.18), da

. ( , t, RrZr\
,1 l-f l:-
Rzv,
(2.te)
'\ ---R4 Rg3 ) R'R'
Para obtener una fuente de corriente, debemos disear el circuito de tal modo que la corriente en la
carga sea independiente de Zr. Lo conseguimos eligiendo los componentes que hagan nulo el coefi-
ciente de ZL enla Ecuacin (2.19). Esto significa
IR,
Ro - R,R,
Sustituyendo en la Ecuacin (2.19) da

i.=L
'Ro \2.20)

que describe el funcionamiento del circuito.


I
t

2 / Amplificadores operacionales

La resistencia de entrada es finita y, adems, una funcin de Zr. Para verlo, ntese que cuando v;
es constante, i es tambin constante por la Ecuacin (2.20). Cualquier cambio en Zr (Figura 2.ll)
provoca un cambio en v y, consecuentemente, en ir. Si aadimos un seguidor de emisor en serie con
Rr, el resultado es la realizacin prctica de un sistema VCCS.
Cualquiera que haya seguido el desarrollo se habr dado cuenta de que hemos dado una realiza-
cin con operacionales para cada amplificador excepto para el CCCS. Ya que los operacionales tie-
nen resistencia de salida nula, podremos hacer un CCCS conectando en cascada un convertidor
comiente-tensin y una fuente de corriente. Esta coleccin completa de fuentes dependientes (bloques
constructivos) significa que si podemos idear un nuevo circuito con amplificadores referidos a masa
ideales, podemos usar operacionales para implementar la idea. El lector interesado en inventos inte-
ligentes puede acudir al texto de Chua en las referencias. Este libro describe un conjunto interesante
de circuitos, muchos realizados con operacionales de ganancia infinita que hacen calquier cosa
rotando las caractersticas tensin-corriente para convertir condensadores no lineales en inductancias
no lineales.

2.3
CIRCUITOS CON AA,{PLIFICADORES OPERACIONALES CON MEMORIA

La caracterstica comn de los circuitos con operacionales en esta seccin es que su principio de fun-
cionamiento depende, al menos, de un elemento de almacenamiento de energa. Describiremos estos
circuitos, a los que llamaremos circuitos con memoria, mediante ecuaciones diferenciales o por ecua-
ciones de fasores en el anlisis senoidal de su funcionamiento en rgimen permanente. Para la
mayora, siendo el filtro un buen ejemplo, la descripcin fasorial es ms adecuada. Nosotros usamos
el integrador para demodtrar tanto la descripcin fasorial como la llevada a cabo con ecuaciones dife-
renciales.

2.3.1 EL INTEGRADOR

El circuito integrador de la Figura 2.12 da una salida en tensin proporcional a la integral de la ten-
sin de entrada. Lo confirmaremos seguidamente. Debido a la ganancia infinita,

(2.21)

lntegrando ambos lados y despejando v"(t) da


(2.22)

Usando un determinado tiempo inicial to y una tensin inicial, podemos escribir la integral definida

,,,(t): -# I v,@)du+,"(r.)
2.3 I Circuitos con amplificadores operacionales con memoria 177

ur(t)

u.(t)
T 2T J
_E

uo(t)

FIGURA 2.12
Integrador:
(a) circuito;
(b) forma de onda
uol) = - #l uO) dr
con entrada
cuadrada. (a) (b)

Una de las aplicaciones del integrador es convertir una forma de onda cuadrada en triangular. La
Figura 2.12b nos da las formas de onda suponiendo descargado inicialmente el condensador.
Para el primer Tt2 el ckctito integra E. Al final de este interralo, la integral es el rea debajo de la ten-
sin de enfrada durante el primer semiciclo, ET2.Paraello, efl f = T2,latensin de salida es -1lRC veces
este rea, o V" = -ETDRC. Esto establece la tensin pico-pico; integrando los sucesivos valores constan-
tes, positivos y negativos, provoca una salida peridica. Como la conversin cuadrado-triangular trabaja
sobre un amplio margen de frecuencias, el circuito es til en generadores de seal de laboratorio que pro-
ducen varias formas de onda de salida. Los operacionales reales en contraste con los ideales sern estu-
diados, teniendo efectos de segundo orden que ponen lmites superiores a las frecuencias de frabajo tiles.
Usar un circuito para cambiar la fotma de la onda intencionalmente en una forma especificada es
una operacin denominada conformado. La conversin cuadrada-triangular es un primer ejemplo de
los que contiene el Captulo 3.

2.3.2 ANALISIS USANDO IMPEDANCIA COMPLEJA

El anlisis senoidal en rgimen permanente de circuitos con memoria usando impedancias complejas
es una alternativa a las ecuaciones diferenciales o integrales. Dado que este anlisis produce expre-
siones algebraicas similares a las de un circuito en continua, una alternativa cmoda es reemplazar las
resistencias por impedancias en las expresiones de la ganancia. Por ejemplo, podemos ver el integra-
dor de la Figura 2.I2a como un amplificador inversor en el que el condensador reemplaza a Rz. Por
ello, en la Ecuacin (2.6) cambiamos Rz por IljaC y R1 por R para aplicarlo a la Figura 2.12a. La
relacin de fasores V,, I V es entonces
vo_
V
-Z'R -- ,1
jaRC
(2.23)

equivalente a (2.22) para anlisis senoidal en rgimen pemanente.

2.3.3 INTEGMDORES DIFERENCIALES, NO NVERSORES Y SUMADORES

El integrador diftrencial de la Figura 2.l3aintegra la componente diferencial de la tensin de entra-


da aplicada a los dos terminales. Para verificarlo, notemos que la estructura es como la del amplifi-
TULO 2 I Amplificadores operacionales

cador de instrumentacin de la Figura 2.9a peto con Rz y Ra cambiadas por |liaC y Rr y R:, por R.
De (2.15) deducimos que
I
v"=
" .l .(y.-V)
forRC' ' "
que es el resultado esperado.
Para describir el mencionado integ.rador no inversor de la Figura 2.13b hacemos Vr = 0 y Vz= Vi
en la ecuacin anterior. Otra aproximacin es ver la Figura 2.13b como un circuito RC seguido de un
amplificador no inversor en el que Rz est rcemplazada por la impedancia Zc.

ul

u2

.T
(a)
I
(b)
:
(c)

FIGURA 2.1 3 Otros circu itos integradores: (a) integrador d iferencial; (b) integrador no inversor; (c) integrador
sumador.

La Figura 2.13c muestra:un integrador sumador. Como su estructura se parece a la del amplifica-
dor sumador de la Figura 2.5 usaremos la Ecuacin (2.7) para establecer que
|
, /-
(Lr,*Lu.*..
v =-jtoC\R,
\
*lu^,.)
' &' R^ ")
Esto significa que la salida es la integral negativa de la suma ponderada de las tensiones de entrada.
El estudio que sigue ilustra otra aproximacin al anlisis, aplicando directamente tcnicas de faso-
res al circuito con operacionales.

2.3.4 FILTROS ACTIVOS DE PRIMER ORDEN

La Figura 2.14a muestra un circuito de un filtro activo de primer orden de paso bajo. Se llama de
"primer orden" porque contiene slo un elemento almacenador de energa y, por el1o, queda descri-
to por una ecuacin diferencial de primer orden. Es un"filtro de paso bajo" porqte deja pasar las fre-
cuencias bajas atenuando las altas. "Activo" quiere decir que contiene un dispositivo amplificador,
el operacional. Entre la entrada inversora y la salida hay una impedancia

7R2
' jruoR Cr+l
Debido a la masa virtual, el fasor de salida es y" - -Iz7-.La ganancia infinita implica 12 - I \/' lllt.
Combinando estas ecuaciones da
v,, _-1222
:-Z'
V I,R, RI
2.3 / Circutos con amplificadores operacionales con memoria 179

Sustituyendo Zz dala expresin final

--22 = -R.l& - -&l&


vo
(2.24)
vi & l+ jaR"c, t+ i(ooloo u)

l?1."

\ t, 2olog[R2/ R1)

=llRzCz
(a) (b)

lfl,"
20 log [R,

R. C1

FIGURA 2.14 Filtros de primer


orden: (a) circuito de paso bajo;
{**--]F
(b) respuesta amplitud-frecuencia
del circuito de paso bajo; (c) circuito
de paso alto; (d) respuesta frecuencial
del circuito de paso alto. (d)

donde co = llRzCz es la frecuencia de corte del filtro. Como el denominador vale r/2 cuando
cD = (Da, la frecuencia de corte es la frecuencia a la que hay
-3 dB o el ancho de banda del filtro. La
Figura 2.14b muestra como la magnitud de (2.24) en dB cambia con la frecuencia. Por debajo de rrri,
la ganancia es ms o menos constante. Para frecuencias mucho mayores eue cDr la ganancia cae a20
dB/dcada, es decir, la ganancia cae 10 veces con cada incremento de 10 veces de co.
El filtro de paso bajo es til para separar de una seal el ruido de una segunda seal. Es necesario
que todas las frecuencias interesantes (ver Seccin 1.6.5) de la seal deseada estn por debajo de ro7
y que todas las frecuencias del ruido o de la seal no deseada estn por encima de roa. Podemos ima-
ginar todas estas frecuencias pasando por el filtro aTavez. Este amplifica todas las frecuencias de la
seal deseada en aproximadamente *R, / & muestras que atenan todas las dems.

EJEMPLO 2.3 Una seal s(r) con todas sus frecuencias importantes por debajo de 4kJtzest slo disponible
de la forma
u,(r) = 5 (r) + 0.2 cos(2nlosr)
CAPTU LO 2 / Ampl ificadores operacionales

Esto es, s(r) esta combinada con una seal de 100 kHz.
a Disear un filtro de paso bajo con ganancia de -10 para reducir el ruido.
bl Hallar la tensin de salida del filtro.
Solucin a) Como tenemos tres componentes a los que hay que dar valor (Figura 2.14) y slo tenemos dos
condiciones, la ganancia y la frecuencia de cofte, podemos empezar por un valor adecuado para Rr, 10 kf).
Entonces, para satisfacer la condicin de ganancia, Rz = 100 kf). Para la frecuencia de corte de 4kHz,

1
R,C. =:=1.98x10-'
2n4.000

dando
5
3.98 x 10
' =-=398
C. nF
(r00ft)

b) Como el filtro de paso bajo es lineal, podemos hallar su respuesta por superposicin. Como todos las com-
ponentes de s() estn debajo de 4kHz, s(t) es sencillamente amplificada en -10. El filtro multiplica el fasor de
ruido.O.224i. por Ia ganancia compleja calculada en la Ecuacin (2.24) que es
-10 -l0 -0.4 1t "

l r i(2nto' zn+.ooo] t+i25

La salida completa es
u,(r) = -t os (r) + 0,08 cos(2nl0s t +go") n

Ejercicio 2.3 Disear un integrador que proces_e la tensin

v,(r) = 0,t cos(2ntl'z t)+ 0,3 cos(2n103r) + 0,zcos(2 x2 x tla t)


sin modificar la amplitud de la primera componente. Usar (2.23) para hallar la tensin de salida. Suponer el fun-
cionamiento en rgimen permanente.
Respuesta
R: l0 ko
C = 0,1s9 pF,

u,,(r) = o,tcor(zn1o'z r + 90") + o,o3cos

(znto' r+ oo") + 0,001 cos(2n2 x toa r + 90")

El filtro activo de la Figura 2.l4aes mejor que el circuito RC de la Figura 1.40a por tres motivos: tiene
ganancia de tensin, impedancia de salida nula e impedancia de entrada independiente de la frecuencia.
El circuito activo no slo filtra sino que tambin amplifica. Como la resistencia de salida es nula, la
Ecuacin (2.24) se usa tambin cuando se conecte una impedancia de carga entre la salida y masa. En
los filtros pasivos, cualquier impedancia de carga se conviefte en pafie del filtro y cambia la ganancia.
(Tambin, podemos poner en cascada filtros activos como los de la Figura 2.14a sin ningn efecto de
cargas. La funcin de la ganancia simplemente se multiplica, incrementando tanto la ganancia a bajas fre-
cuencias como la atenuacin a altas frecuencias.. Como el filtro pasivo tiene impedancia de entrada

Z :R+ I
jaC
filtro R aparecen en la expresin
sta vara con la frecuencia. La resistencia de la fuente R5 y la del
de rrr1 y el ancho de banda depende de cada fuente empleada. En el filtro activo. Ia resistencia de
2.3 / Circuitos con amplificadores operacionales con memoria lBl

entrada R1 no depende de la frecuencia por lo que el ancho de banda depende slo de R2 y los efec-
tos de las cargas en la entrada slo afectan a la ganancia, nunca a rllH.
La Figura 2.14c muestratnfiltro de paso alto de primer orden. Usando las impedancias comple-
jas, es fcil probar que la funcin del filtro es

v" _( Rr) iorR,c,=- Rz .(or co.) (2.2s)


t=l--^J lil'rRg t+{' & 'J
Cuando rlr-)oo, la ganancia se aproxima a -R:" I R1, y cuando ro-+0, la ganancia tiende a cero. La res-
puesta frecuencial amplificada es como en la Figura 2.14d.F,ste filtro elimina el ruido de frecuencias
bajas de seales que tengan frecuencias superiores a o. Como la salida del circuito es la del opera-
cional, la resistencia de salida es nula. La impedancia de entrada es una funcin de la frecuencia. Para
evitar la dependencia de la frecuencia podemos aadir un seguidor de emisor en serie con la entrada.

2.g.5 FILTRO/OSCIIADOR DE SEGUNDO ORDEN

I-a Figura 2.15a muestra un filtro de paso bajo de segundo orden que usa un amplificador no inver-
sor como bloque constructivo. La Figura 2.15b presenta el circuito como un VCVS de ganancia A.
Como es una fuente dependiente
v
V^=;
as que por la ley de Kirchhoff de corriente en el nodo y
l/ l/ rl

?: i.oc!z+(v,-v)irc

Ganancia (dB)

FIGURA 2.15 Oscilador


20 log A
*-*-*t'::f
-:
/ filtro de segundo orden: A=3-''t2r
7'
-40 dB/dec
(a) circuito; (b) modelo
incluyendo una VCVS de
ganancia A; (c) respuesta
frecuencial para dist inl.os
valores de A.
821 CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

y en el nodo
v"-v,,lA
= t)L^v^
j
R"A
Multiplicando ambas ecuaciones por R, cambiando RC por I/a" y arreglndolo un poco da
( u, ,) ( )
^
lj\ o"A.-j-lv"+lr-+tlv,=v,
0o) \ 0o l
(^ 1)
I i-+-lv -vr =0
('rrr,A A ) "

Despejando V. de la funcin de la ganancia compleja

v Aruol (2.26)
vi -a2 (3- l,)a.a +al
+

dondeA = (1+R: /R')y a"=I lRC..


La Figura 2.15c es la respuesta frecuencial, con la ganancia en decibelios. Si elegimos A de tal
forma que 3 - A = !2, el filtro tiene la frecuencia de corte a -3 dB en cD,. Para este valor de A, la res-
puesta frecuencial tiene el aspecto de la del filtro de primer orden pero a altas frecuencias la ganancia I
cae 40 dB por cada dcada en lugar de 20 dB/dec. Esto significa mayor reduccin de las frecuencias
I
no deseadas o del ruido que la que se{a posible usando un filtro de primer orden del mismo ancho de
banda. Para valores de 0 < 3 - A < \l2la respuesta frecuencial muestra un pico. Los filtros con estas
respuestas son tiles como subcircuitos de filtros ms complejos descritos en el Captulo 12.
Para determinados valores deA el circuito se convierte etwoscilador senoidal, es decir, v gene-
rador de seales senoidales. Con una ganancia de 3, el trmino imaginario de la Ecuacin (2.26)
j
-
desaparece y la ganancia se hace infinita para or ro,. Fsicamente, para A = 3 el amplificador reem- (
plaza exactamente la energa disipada en las resistencias y el circuito genera su propia seial (oscila)
de frecuencia coo aunque la tensin de entrada sea nula.

2.3.6 DERIVADOR

La Figura 2.16a muestra un circuito derivador. Por la masa virtual

i,{i=cful!)
Y v.(t) = - Ri2(t).Como = lr, estas ecuaciones implican

dv (t\
,"=_RC_i
Para hallar la representacin fasorial, pensemos en la Figura 2.16a como un amplificador inversor
conRz=RyR' =IljaC;as
L_ = rnc (2.21)
V

que corresponde a la derivada para estas seales senoidales.


2.4 / Smulacin de amplificadores operacionales de ganancia infinita I83

Una aplicacin habitual de los derivadores es detectar y enfatizar las transiciones rpidas de las
seales. Por ejemplo, la Figura 2.16b muestra cmo se identifican los flancos inicial y final de la
seal de entrada en la salida del derivador. Debido al signo menos de la ecuacin diferencial, los
picos negativos de la salida tienen lugar para las pendientes positivas y viceversa. La seal de salida
puede usarse para sincronizar algn otro evento que tenga lugar al comienzo o al final del pulso. Para
esta aplicacin, el diseador debe elegir la constante de tiempo RC de la derivada de tal forma que
sea corta en relacin con el ancho del pulso.
Los derivadores son a veces molestos porque derivan tambin el ruido que usualmente coexiste con la
seal de entrada, creando una pobre relacin seal/ruido en la salida. La Ecuacin (2.27) muestra que el
circuito tiene una muy elevada ganancia para el ruido a altas frecuencias. Este problema se puede miti-
gar situando un condensador en paralelo con la resistencia. Para una adecuada seleccin del condensa-
dor, el circuito modificado deriva seales de baja frecuencia con ganancia constante a alta frecuencia.

t2
----->

,l() e---l
uo(D

FIGURA 2.16 Derivador:


(a) circuito; (b) ejemplo
de formas de onda de entrada :
y salida. (a) (b)

2.4
SIMULACIN OE AMPLIFCADORES OPERAcIoNITes or GANANcA IFNIITA
La simulacin en computador con SPICE de circuitos con operacionales de ganancia infinita es til
para confirmar que un diseo es correcto as como para comprobar nuestra intuicin. En SpICE
manejamos resistencias, condensadores, inductancias y fuentes de continua de forma exacta: los
amplificadores operacionales necesitan una aproximacin especial.
Para una simulacin en SPICE, primero numeramos los nodos del circuito, nombrando como
cero el
nodo de referencia. Cada resistencia, condensador, inductancia y fuente necesita una lnea de cdigo
sepa-
rada, su lnea.Laprimera entrada, para una resistencia, es un nombre nico que empieza por
R. n"rpuer,
estin los nmeros de los nodos de la resistencia y, finalmente, el valor hmico. Uno o ms espacis
en
blanco separan cada una de estas entradas. Las lneas de los condensadores, inductancias. fuentes de
corriente o tensin siguen un formato similar aunque los nombres empiezan por C, L, V e respectiva-
d
mente; especificamos sus valores en faradios, henrios, amperios y voltios. Para una fuente de tensin,
el
SPICE intetpreta el valor como la tensin en el primer nodo respecto del segundo. para una fuente
de
corriente' el valor es la corriente en amperios que circula a travs de la fuente desde el primer nodo hacia
el segundo. La identificacin adicional "DC" antes del valor de una fuente de tensin coniente- indi-
ca explcitamente una fuente de continua. El Apndice A proporciona algunos sencillos -o ejemplos.
Las sentencias de control nos permiten hacer variar una tensin o comiente de entrada sobre un
margen especificado de valores. Otras sentencias de control dirigen al SPICE a imprimir o dibujar
la
tensin de un nodo, la diferencia de tensin entre dos nodos o la corriente que ciriula a travsde
la
fuente de tensin, para cada valor de la variable barrida. Como en la salida del SpICE slo estn
dis-
2 / Amplificadores operacionales

ponibles las corrientes en las fuentes, a veces aadimos fuentes de tensin nula en el circuito para E
servir de ampermetros en aquellos lugares en que queremos observar corrientes. Los ejemplos a 1o Si

largo del texto introducen gradualmente conceptos de control ms importantes.


S

R2 trXAMPLE 2.4 Cl

R11210K 5
F'22420K II
R34320K
R43010K L
tr
El40321E8
vs=
VSlODC5
-5V VT5ODCO t

I r(vz)
+vz =0
VZ53DCO
.DC Vr -5 5 0.5
. PLOT DC I (VZ
. END
)
Lll

in
t\:
{
T _vr
(b)

I(Vr) (mA)

' 0.49 mA
FICURA 2.17 Modelo
SPICE para la fuente de
corriente: (a) circuito; 0,40 , (voltios)
{b) cdigo; (c) respuesta -5,0 mA 0,0
parcial del Ejercicio 2.4. (c)

El SPICE carece de un formato de cdigo especial para los amplificadores operacionales, por 1o
que usaremos un modelo de circuito, el modelo de fuente dependiente de la Figura 2.Id. La primera ffi
entrada de un elemento tipo VCVS es un nombre que comience por "E". Los nodos de la fuente ]M
dependiente estarn listados despus, seguidos por los nodos que definen la tensin de control. La
tu
sexta entrada es la transmitancia de las fuentes dependientes, con el signo algebraico consistente con
lm0r
las convenciones. El SPICE no permite ganancia infinita, sin embargo, si usamos valores grandes rm
para A, como 108, el resultado, en la prctica, es el mismo que obtendramos con ganancia infinita. [
Como el SPICE necesita un camino a masa desde cualquier nodo, suele ser necesario incluir una il&il

resistencia elevada, como 10e O, entre los dos nodos de entrada del operacional para evitar el men- nm
saje de effor. Entonces modelamos el operacional como en la Figura 2.1c. Cuando nuestro estudio flM

llegue al punto donde nos preocupemos del operacional real en lugar del ideal, usaremos variaciones urfu

de estos modelos bsicos para estudiar las desviaciones del comportamiento ideal. rl@l
I
Los siguientes ejemplos ilustran cmo usar SPICE para explorar circuitos con operacionales de
|w
ganancia infinita. m8
Simulacin de amplificadores operacionales de ganancia

EJEMPLO 2.4 Usar el SPICE para verificar que el circuito de la Figura 2.11 es una fuente de corriente que
satisface la Ecuacin (2.20)

Solucin Como el SPICE necesita valores numricos, debemos disear y especificar el circuito. para satisfa-
cer la ecuacin de diseo, hacemos que Rl y R+ sean 10 kO y Rz y R:, 20 kA y dejamos la tensin de entrada en
5 V. Con estos valores, la Ecuacin (2.20) predice una corriente constante de 0,5 mA. Para verificar esto. exa-
minaremos la salida del SPICE de la caracterstica v - i vista por Zt, es dectr l, en funcin de v.
La Figura 2.17a muestra el circuito equivalente con el operacional modelado como una fuente ideal VCVS.
La fuente de tensin VTreemplaza a Z2pata dar la variable independiente para nuestra grfica de tensin-corrien-
te. La Figura 2.11 da el listado del cdigo.
El SPICE necesita que la primera lnea de cdigo sea un ttulo como "EXAMPLE 2.4". Las siguientes ocho
lneas de cdigo son lneas de dispositivos como antes se analiz. El SPICE siempre necesita un ;'.END" en la
ultima lnea de cdigo. Inmediatamente antes de .END hay dos lneas de cdigo de control. Lalnea de control
".DC" necesita que la fuente de continua Vr, nominalmente de cero voltios, pueda barrer el margen de
-5 a +5 V
en incrementos de 0,5 V. La lnea ".PLOT" busca la representacin de la corriente continua I(VZ) enel ampe-
metro Vz frente a la tensin Vrpara cada valor de Vr. (Necesitamos el ampermetro con la adecuada polaridad
ya que el SPICE define la corriente en una fuente de tensin como la corriente que circula hacia su nodo de refe-
rencia positivo.)
El diagrama de salida del SPICE es la esperada lnea horizontal que caracteriza una fuente de corriente cons-
tante de 0.5 mA. Cambiando VS por otros valores, positivos y negativos, da resultados similares a los predichos
por la Ecuacin (2.20). tr
Una vez que el cdigo SPICE est escrito, es siempre tentador explorar otros aspectos de diseo
debido al pequeo esfuerzo adicional necesario. Por ejemplo, podemos pensar que un valor no conec-
to en los valores de las resistencias de la Figura 2.I7 a podra conducir a una fuente de corriente imper-
fecta, es decir, podra producir pendiente no nula en la caracterstica v-i. Sera tambin fcil explrar
la vaiacin de la resistencia de entrada con la carga. El siguiente ejercicio demuestra el primer punto.

Ejercicio 2.4 Determinar el cambio de1 cdigo que incrementa R1 en un l\Va.I|sar el SPICE para determinar
el efecto de este cambio sobre la curva v - I de salida. Si el cambio causase resistencia de salida, ro finita. esti-
mar su valor.
Respuesta La lnea del dispositivo R1 se convierte en "R1 I 2 10.1K-,vase la Figtra 2.l7c,Ro =lMO.

El ejemplo precedente, y este ejercicio exponen un anlisis con SPICE en continua. Seguidamente,
demostramos la aplicacin del anlisis transitorio y en alterna a circuitos con operacionals de ganan-
cia infinita.

EJEMPLO 2.5 Para un derivador con 1/RC = 2n x 103 rad/s, usar el anlisis en alterna de SpICE para
confir-
mar la Ecuacin (2.27) y el anlisis transitorio para verificar la Figura 2.16.

Solucir La Figura 2.18a muestra un derivador con C = 0,01 .rF y R elegida para dar esa constante de tiem-
po. La Figura 2.18b muestra el cdigo SPICE de un anlisis en alterna. Como antes, la VCVS de alta ganancia
modela el operacional de ganancia infinita. La lnea V,S describe la fuente como un fasor de altema de
mptud
unidad y fase nula (por defecto). La lnea .AC solicita del SPICE el clculo en alterna, especficamenrc 2
an-
lisis por cada dcada cuando la frecuencia de la fuente cambia desde 10 hasta 10s Hz.Lilnea.plOT solicita
una representacin de los datos en alterna; VDB (2) es un cdigo SPICE para veinte veces el logaritmo
decimal
(201og) de la tensin del nodo 2. Como la tensin de entrada es I V para todas
las frecuencias, et iuuo da num-
ricamente la ganancia en decibelios del circuito. Podramos aadir a ta salida una representacin de la fase
de la
tensin del nodo 2 aadiendo la sentencia Vp(2) en la lnea .PLOT.
I,a Figura 2. 1 8c, la representacin SPICE de los datos de salida muestra una variacin Iineal
de la ganancia como
predeca la Ecuacin (2.2'7). Advirtase que la ganancia es 0 dB en a 2nf
= = llRC = 2n103, es dJcir, en/- 103
Hz. una dcada por encima y por debajo de 1 kHz la ganancia es +20 y
-20 dB, respectivamente.
2 / Amplificadores operacionales

15.9 ko
EXAMPLE 2.5
v(2) R2315900
c131E8
E20031E8
VSlt]ACl
.AC DEC 2O 10 1OE4
.PTOT AC VDB(2)
END
(b)

20 log I V(2) I

40 dB
Y(2) (mv)
10
20dB
6

0dB
t0 100 .1.0k 10k 100 0
-t
(ms)

-20 dB
-6
-40 dB -10
(c) (d)

V(2) (mv)

t,'71

0,00 /(ms)

FIGURA 2.18 Cdigo del circuito _) 65


y salida para el Ejemplo 2.5
y el Ejercicio 2.5. -4,00

Para el anlisis transitorio, reemplazamos las tres lneas de cdigo precedentes al ".END" por
vs I 0 PULSE (0 1E-3 rE-3 00 6E-3 10E-3)
.TRAN0.03E-3 10E-3
.PLor rRAN v(1) v(2)

La primera lnea cambia la forma de onda de la fuente a un pulso. Los parmetros ordenados en el argumen-
to de PULSE 0 especifican que la fuente debe de cambiar de 0 a 1 mV despus de un retardo de I ms. EI pulso
de entrada tiene tiempos de subida y cada nulos y una anchura de 6 ms. La ltima entrada indica que el pulso
se repita cada 10 ms. La lnea .TRAN solicita un anlisis transitorio de l0 ms con salida cada 0,03 ms. Esto supo-
ne 330 puntos en la salida, datos ms que suficientes para definir la forma de la curva. La lnea .PLOT pide un
grfico de las tensiones de entrada y salida.
La curva a puntos de la Figura 2.18d es el pulso de entrada de 1 mV; la lnea a trazos es la salida del deri-
vador. Los pulsos reales tienen velocidades finitas de aumento y decremento en su comienzo y en su final y la
amplitud de la salida del derivador queda determinada por esta velocidad y por el multiplicador RC. En la simu-
lacin, el cambio de 1 mV en la tensin y el tiempo entre clculos, 0,03 ms, dan una derivada efectiva de
AV lmV
Ar 0.03 ms
y resulta una amplitud del pulso de RC x 33,3 = 5,3 mV. tr
2.5 / EecIos de segundo orden en amplificadores operacionales lS7

Ejercicio 2.5 Estimar las nuevas amplitudes de los picos de la tensin de salida n, los tiempos de subida y bajada
del pulso del Ejemplo 2.5 cambian, respectivamente, a 0,06 y 0,09 ms. Usar el SPICE para comprobar la prediccin.
Respuesta -2,65 mV, 1,77 mY. Figura 2.18d.

2.5
EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN EN AAAPLIFICADORES OPERACIONALES

2.s.1 TNTRODUCCTN

Atrs, hemos visto el amplificador operacional como un dispositivo ideal de ganancia infinita sin
ningn tipo de limitaciones ni estticas ni dinmicas. Para comprender mejor las limitaciones prcticas
de los circuitos con operacionales, explicaremos ahora vanos efectos de segundo orden, desviaciones
del comportamiento ideal que se caracterizan mediante parmetros numricos. Obtenemos los valores
de los parmetros de las hojas de datos de los fabricantes o por medida directa. La Tabla 2.1 lista los
valores de los parmetros para dos operacionales: el pA14l, un dispositivo de baja frecuencia y uso
general y eI H42544 que fue diseado para el procesado a gran velocidad en aplicaciones de video.
Exploraremos uno por uno los efectos de estos parmetros, introduciendo sencillos aadidos a
nuestro modelo VCVS para demostrar cmo los efectos de segundo orden limitan los circuitos con
operacionales. Los modelos modificados de operacionales dan una base general para anlisis manual
en casos sencillos y para la simulacin computacional de circuitos complejos. Ya que hay muchas
combinaciones de circuitos especficos, entradas y parmetros, es importante (como siempre) fijar los
conceptos y ser capaz de aplicarlos despus a cualquier situacin que podamos encontrar.
Estudiaremos las causas fsicas de estos efectos de segundo orden en posteriores captulos.

2.5,2 GANANCIA EN IAZO ABIERTO

Comenzaremos nuestro estudio de los efectos de segundo orden por una revisin crtica de nuestra
suposicin clave, la ganancia infinita. Los amplificadores operacionales tienen ganancia diferencial
slo finita, llamada habitualmente ganancia de lazo abierto en las hojas de datos. "Lazo abierto" sig-
nifica que A. esla ganancia propia del operacionzl, medida en ausencia de cualquier lazo externo de
realimentacin. Para determinar el efecto de la ganancia finita de cualquier operacional, debemos
incluir la fuente dependiente explcitamente en nuestro anlisis.

TABLA 2.1 lnformacin de Ias hojas de datos de dos operacionales


Parmetros estticos tA74l H.2544
Ganancia en lazo abiertcr 2xld 6x103
Resistencia de entrada 2MO 90 kf)
Resistencia de salida 75f 20a
Corriente de cortocircuito 25 mA 40 mA
Lmites de saturacin: tensin pico-pico 28V 22V
de salida (con alimentacin de t15V)
Tensin de desviacin 5mV 6mV
Corriente de polarizacin 80 nA 7mA
Corriente de desviacin 20 nA 0,2 mA
Razn de rechazo de modo comn 90 dB 89 dB
CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

TABLA2.1 (Continuacin)
Parmetros dinmicos tA14l HA2544
Frecuencia para ganancia unidad 100 Hz 45 x 106 Hz
Slew-rate 0,5 V/us 150 V/ps

La Figura 2.19 muestra cmo se determina el efecto de la ganancia finita en un amplificador inver-
sor. Sencillamente, cambiamos el operacional por su modelo VCVS. Aunque A sea finita, it = izPor-
que an asumimos resistencia de entrada infinita. La tensin v, sin embargo, no es nula. De la ley de
Kirchhoff de las corrientes
r-rt 4(_vu)
R1
-ro- R2

Tras multiplicar por R1 y agrupar coeficientes


( n, RA,)
vr = (2.28)
[l+ l*'0, )"
Como v, = -Avu podemos sustituir

vo=-4
4,1

en (2.28). Hacindolo y despejando la ganancia del circuito, da


lo -Ao (2.2e)
v, -
-
(n,/n,)(t+a,)+t
Ntese que la ganancia del circuito se aproxima a -R:' / Rr cuando A1m.

,,ju;

FIGURA 2.19
Amplificador inversor
usando un operacional
de ganancia finita.

Obviamente, el anlisis de ganancia finita supone ms esfuerzo que el de ganancia infinita. Cuando I
se necesita obtener criterios cuantitativos para diseo de circuitos en la prctica, el anlisis detallado ii

es el camino a elegir. Por ejemplo, el denominador de (2.29') sugiere que un buen diseo de amplifi- ,d
.llfr

cador inversor (con ganancia independienfe de A) necesita la desigualdad

R.
JA, R, R,
>> l+r A,>>1+-
R)oR, "R'
2.5 / Eecros de segundo orden en amplificadores operacionales l89

con A >> 1. En trminos prcticos de ingeniera, la desigualdad se traduce en

A,>ro['.+)

Esta desigualdad asegura buenos diseos ya que A, aunque no la relacin de las resistencias, est
sujeta a cambios importantes en la fabricacin. La suposicin de ganancia infinita es casi siempre
vlida para operacionales como el 741 donde A = 2 x 10s; sin embargo, R2 / Rt = 599 poda quedar
fuera de mrgenes para el HA2544.
Limitaciones similares presentan otros circuitos que hemos aralizado con ganancia infinita. El
Problema 2.49 da una expresin con ganancia finita para el amplificador no inversor. Seguidamente,
examinaremos la resistencia de entrada del amplificador operacional.

2.5.3 RESISTENCIA DE ENTRADA

En la Figura 2.20 aparece un amplificador inversor construido con un operacional que tiene resisten-
cia de entrada R, finita as como ganancia finita. Cuando aplicamos la ley de Kirchhoff de la corrien-
te a las tres resistencias tenemos

v-va _ro
*vo-nr(-vu) (2.30)
Rl R,1 R2

Para eliminar y, sustituimos v = -yo / A. Esto da

v. Ir I l+A,lv 4l--L

R
---L--l-L-L

Ln, n,'& 14
La ganancia de tensin es

'o =
-A (2.3t)
yi
(n, n,)(r * a,) + t + (n, /nn)

FIGURA2.2O Amplificador A(jeub)


inversor usando un operacional
de resistencia de entrada Rd
y ganancia en lazo abierto Ad.

Cuando se comparan (2.3I) y (2.29) vemos que el valor finito de R reduce la ganancia de tensin del
circuito haciendo mayor el denominador. Por supuesto (2.31) se reduce a (2.29) cuando R se apro-
xima a infinito. El Problema 2.54 determina un lmite inferior para R usando la Ecuacin (2.31).
ULO 2 / Amplificadores operacionales

2.5.4 RESISTENCIA DE SALIDA

Podemos determinar el efecto de la resistencia de salida del operacional en cualquier circuito aa-
diendo una resistencia r, en serie con la fuente dependiente en su modelo. El Problema 2.53 emplea
este mtodo para mostrar que el amplificador no inversor de la Figura 2.6 tiene
una resistencia de salida dada Por
fo
12V R=
t+ r" f (n,+ R,) + arn,/(n, + nr)

750 O Advirtase que R,-+0 cuando A-+ oo como habamos establecido previamente.
El efecto de la realimentacin sobre R, ser analizado extensamente en el con-
texto general del amplificador realimentado en el Captulo 9.

FIGURA 2.21 Corriente 2.5.5 AXIITM CORRIENTE DE SALIDA


de salida del amplificador.

Cualquier amplificador operacional contiene habitualmente proteccin de cor-


tocircuito para limitar la corriente que proporciona por su terminal de salida. Si
la corriente de salida supera el valor de cortocircuito, el operacional se protege de cualquier dao
interno en lugar de continuar amplificando. Hay que destacar que no se necesita un cortocircuito para
superar este lmite de corriente. El siguiente ejemplo ilustra como la limitacin de coniente de cor-
tocircuito impone un valor mnimo a los valores de las resistencias del diseo.
Ejercicio 2.6 Disear un amplificador no inversor con ganancia de 20 usando el modelo de1 operacional 741'
La mxima tensin de entrada es de 0,6 V. Usar los menores valores de resistencia posibles pero sin sobrepasar
la corriente de cortocircuito de 25 mA.
R.espuesta Rr = 24 O, R' = 456 O

UEMPLO 2. Redisear el amplificador del Ejercicio 2.6 de IaI fbrma que la mxima corriente no se supere
cuando se conecta una carga de 750 O enffe la salida y masa.

Solucin La Figura 2.2I nos ayuda a ver el problema. En la salida es necesario que
12 + 12
-- '-
1,,= <1." =25m4
750 & +R,
Simplificando la ecuacin y sustituyendo la condicin de ganancia da
Rr +19Rr >1,33kO

As. Rr = 66,5 O y R2 = lQft, = 1,26 kO. El efecto de la carga externa es absorber pafte de los recursos disponi-
bles de 1,. comparados con el caso de circuito abierto, haciendo necesarios mayores valores de resistencia en el
amplificador. I
Este ejemplo muestra que la corriente de cortocircuito sita un lmite inferior en los valores prc-
ticos de resistencias en circuitos con operacionales. Las resistencias son comnmente de mayores
valores que este mnimo ya que as disipan menos potencia para unos mismos niveles de tensin. El
lmite superior de los valores disponibles para las resistencias anda alrededor de 20 MO. Cuando exa-
minemos las corrientes de desviacin descubrimos un lmite superior para las resistencias. Otras res-
tricciones se irn dando a lo largo del texto, especialmente en el Captulo 8.
2.5 I Eecfos de segundo orden en amplificadores operacionales 191

2.5. LMTES DE SATURACIN ,i


i
:l
La salida de tensin del operacional est limitada por la saturacin de su funcin de transferen-
ii
cia, una idea ya expuesta para amplificadores en general en la Figura 1.36b, y para operaciona- ii
les, aparece en la Figura 2.22.La funcin cie transferencia de un operacional se satura habitual- i
mente cuando la tensin de salida es algo menor que las alimentaciones. Por ejemplo, la Tabla
.

2.1 muestra que con una alimentacin de + 15 V, la tensin pico a pico de salidaest limitada a
28Y.La Figura 2.22 esl.a caracterstica cle lazo abierto (funcin de transferencia) del 741.
La fuerte pndiente, An = 2 x 10s, es difcil de asimilar intuitivamente. Como I v, I esta limitada
a 14 Y o menos, para garantizar un funcionamiento lineal, la tensin de entrada debe estar en el
margen

-V'1vn3V'
donde Vx = 14 l2 x 10s = 70 rV. Esto ayuda a entender por qu la "ganancia infinita" obliga a ten-
siones diferenciales entre las entradas de aproximadamente cero. La tensin diferencial de entrada de
un operacional real, aunque no es exactamente cero, es lo suficientemente pequea comparada con
el resto de tensiones del circuito.
La aproximacin de corciente de entrada nula es intuitivamente evidente considerando el signifi-
cado de la elevada ganancia. Con v confinada a esos pequeos valores, la corriente de entrada es des-
preciable comparada con otras corrientes en el circuito. Para un operacional de relativamente baja
resistencia de entrada, como 10 kO, lvl < 70 rV implica

rlr:l;"" < 7 x 10-eA

Este argumento es consistente con la poca importancia del trmino R en la Ecuacin (2.31) cuan-
do A. es grande.

j
I
I

,le,=z
I

t0:
il
I

FIGURA 2.22 Funcin


de transferencia en lazo abierto
de un operacional. (Las escalas
de vo y vd son diferentes.)
921 CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

FCURA 2.23 Funcin


de transferencia
de un amplificador no inversor
de ganancia 20.

En todos los circuitos con operacionales que hemos estudiado, el funcionamiento


lineal termina
cuando la tensin de salida supera los lmites de saturacin. Por ejemplo, en
la Figura 2.23 aparece
el efecto de la saturacin del operacional en la funcin de transferencii de un amplificador
nolnu".-
sor de ganancia 20 que usa el 741. La variable independiente en esta figura
es litensin de entrada
al circuito v;, no la entrada del operacional, v.

+N
o-+-\ +N
'o---.1+--r
u,t^ I -)nr"
_"--17
% J, )< t'o

=
FIGURA 2.24 Subcircuito + U +
de un operaciorlal: 1t -, .
U
I----o o
D,rlu r--4U

' a_t -f'M
(a) definicin del subcircuito -t'
para el 741; (b) cdigo SptCE =- :
para un circuito u>o u< o
con dos operacionales. (b) (c)

La Figura 2.24a muestra la curva de la Figura 2.22 cuando se usa la misma escala
en ambos ejes. Esta
curva representa el operacional como un dispositivo que da tensin de salida constante de Vp
-Ve. depen-
diendo de que r,, sea positiva o negativa. Los dos estados del modelo de gran seal deloperacional de las
Figuras 2.24b y c expresan la idea con dos circuitos equivalentes. Son tiles para anaTizar los circuitos con
operacionales que no tienen realimentacin negativa para mantener el funcionamiento en la parte vertical
de la funcin de ffansferencia, es deci, para funcionamiento en lazo abierto. En la Seccin 2.6 estudiare-
mos algunos circuitos no lineales con operacionales en los que la saturacin es crucial para el correcto fun-
cionamiento del circuito y no una limitacin prcticano deseada como en los circuitos lineales.

2.s.7 TENSTN DE DESV|ACTN lOrrSrr

En la Seccin I.6.2 hemos comprendido que la funcin de transferencia de u! amplificador falla a


veces en el entorno del origen. La tensin de desviacin de la Tabla 2.1 certifica este defecto. Como
se ha aclarado, la tensin de desviacin es impredecible en polaridad y cambia con 1a temperatura.
As, el valor publicado es un valor tpico que nos permite estimar si una desviacin como sa es un
problema para un determinado circuito.
2.5 / Efecros de segundo orden en amplificadores operacionales I93

Podemos representar la desviacin de salida como el resultado de tnafuente de tensin continua


de desviacin en serie con la entrada de un amplificador ideal. La Figura 2.25(a) nos representa esa
idea. Como el signo de vos es desconocido, la polaridad de la fuente es arbitraria.
Es frecuente asumir ganancia infinita cuando se calculan los efectos de la tensin de desviacin,
procedimiento justificado en la Figura 2.25b. Como A es la pendiente de la curva, para el anlisis en
condiciones de ganancia infinita asumimos que la ganancia se hace infinita pero sin cambiar la ten-
sin de desviacin. Asi, no se obliga que V5 sea nula en la Figura 2.25a aunque s lo sea u,.
Consecuentemente, podemos deterrninar el efecto de la tensin de desviacin sobre cualquier circui-
to sin ms que aadir una fuente externa V5 y usando superposicin y anlisis de ganancia infinita
es la forma habitual.

vos
+
a a ----)
+r
FICURA 2.25 Tensin de uo u(t u"
desviacin: (a) vista como b
consecuencia de una fuente
de tensin aplicada a un
lAmnlificarlorl lmnlificador
ampl ificador operacional sin rer +l I

tensin de desviacin; (b) no -l l- *,r


leanacja = erl
afectada por la suposicin de tl
ganancia infinita. (a)

Por ejemplo, para hallar el efecto de la tensin de desviacin sobre el amplificador inversor de la
Figura 2.26a,hacemos cero v", como en la Figura 2.26b y despus, lo analizamos. Con vista, podra-
mos darnos cuenta de que en la Figura 2.26b hay un amplificador no inversor con tensin de entrada
-Vos e inmediatamente llega la Ecuacin (2.32) como respuesta coffecta. Para das menos afortuna-
dos, o circuitos ms complicados deberamos de ser capaces de resolver el problema usando los prin-
cipios bsicos. La ganancia infinita supone que la entrada inversora tiene una tensin -Vos. Para ello

.
t.
-vo, t^
%,o, -(-v^)
'Rr
- -
R2

donde V,os es la tensin de desviacin del circuito. Resolviendo da

= - u, (2.32)
Vo.os
['.*J
R2 ) R^
+

,
FIGURA 2.26 lnclusin
uo uo,oS
del efecto de la tensin de
desviacin: (a) amplificador
.14r- vos
inversor; (b) circuito para calcular
la componente de salida debida
I-=
a este efecto. (a)
CAPITULO 2 / Amplificadores operacionales

La superposicin aplicada a la Figura 2.26a da

,.(t) :- - . u^
3,,,,, [t "oJ
el efecto no deseado que vimos antes en la Figura 1.36a. Advirtase que para un amplificador inver-
sor con ganancia de -20 que use un operacional con una tensin desviacin de slo 5 mV aparece
una desviacin a la salida de -105 mV. Vimos en el Captulo I que si la tensin de entrada vara len-
tamente, una desviacin de salida que vara con la temperatura se confunde fcilmente con la varia-
cin de la seal. Si la salida va a ser amplificada por otro circuito, la desviacin ser amplificada
junto a Ia seal y puede llevarlo a saturacin. Las tensiones de desviacin pueden causar problemas
en otros circuitos adems de los amplificadores inversores. Este anlisis slo demuestra cmo llevar
a cabo un estudio sobre la tensin de desviacin.

Ejercicio 2.7 Obtener la expresin de la componente de desviacin en la salida de un amplificador no inver-


sor en trminos de la tensin de desviacin del operacional, V5.
Respuesta Ecuacin (2.32).

2.5.8 CORRIENTE DE POLARIZACIN Y CORRIENTE DE DESVIACIN

Muchos operacionales necesitan un camino de continua entre cada entrada y masa para que circule
la pequea corriente de polarizacin necesariapara los componentes internos. Si conectamos a masa
ambas entradas, la corriente continua circula como en la Figura 2.2'7a. Las hojas de datos de los ope-
racionales danla corriente de polarizacin, I6 y la coniente de desviacin los. Estn definidas por

I-,+I^.
tr=7. Ior=lu,-lu, (2.33)

,t - a ,, -

Ar,(ur,- uo')

FIGURA 2.27 (a) corrientes l.)

continuas de entrada
Aau
en un operacional; (b), (c) modelos
de operacional mostrando
cmo se modelan las corrientes
de polarizacin y de desviacin;
td) operacional corr corriente
de desviacin vista
como un operacional ideal
con una fuente externa. (d)
2.5 I Efectos de segundo orden en amplificadores operacionales 195

(La corriente de desviacin es un dato positivo en las hojas de datos aunque puede ser positiva o
negativa). Como con las ecuaciones definidas para modos comn y diferencial, podemos despejar de
las Ecuaciones (2.33) IH a Isz y dibujar un circuito que explique los resultados. Esto da

Iur= Iu +0,51o, Iur= Iu -0,51os

y la Figura 2.21b.Esta figura, en sentido de modelado, "explica" las corrientes de polarizacin y


desviacin atribuyndolas a fuentes de corriente internas ficticias. Pero ms importante an, pode-
mos aislar los efectos de las corrientes de polarizacin desconectando 0,5 1os como en la Figura
2.27cy podemos calcular el efecto de los eliminando las corrientes 1 como enlaFigwa2.27d.
Como la polarizacin de continua y la desviacin son seales independientes, no estn obligadas a
ser nulas cuando la ganancia del operacional se aproxima a infinito; slo debe ser nula la corrien-
te producida por la seal de entrada. Por ello, podemos tratar el operacional como un dispositivo de
ganancia infinita y las corrientes de polarizacin y desviacin como cor:rientes externas superpues-
/as sobre las seales.
La Figura 2.28a emplea la Figura 2.27 c para estudiar las corrientes de polarizacin sobre un ampli-
ficador no inversor. El operacional tiene ganancia infinita. Sin las fuentes de polarizacin, el circui-
to amplifica v, de la forma habitual.

FIGURA 2.28
(a) Amplificador no inversor
incluyendo corrientes
uo ui
de polarizacin;
(b) amplificador no inversor
con una resistencia
que cancela el efecto
de las corrientes
de polarizacin;
(c) amplificador inversor
con el efecto de las corrientes
de polarizacin cancelado.
CAPTU LO 2 / Amplificadores operacionales

Desconectando v,, haciendo masa la entrada no inversora, y la ganancia infinita obliga a que la ten-
sin en el nodo b sea nula. Con ambos extremos de Rr a tensin de masa, toda la Is circula a travs
de Ru produciendo una tensin de salida Vu.rc = InRz. La salida total es, entonces

,"(t):(t.*) v,+laR2

Los buenos diseadores se anticipan a este resultado y aaden una resistencia R, en serie con la entra-
da no inversora como en la Figura 2.28b. Una adecuada seleccin de R, hace que 16 produzca la misma
tensin continua en las dos entradas, eliminando el efecto causado por 16. En el Problema 2.61 hallare-
mos que R, = R' ll R:. Para los no iniciados, R, aparece como un componente redundante ya que no tiene
efecto sobre la seal. Un anlisis similar para el amplificador inversor muestra que una R, = Rr ll R: colo-
cada como en la Figura 2.28c elimina la corriente de polarizacin sobre el circuito. (Una persona ms
inteligente que impulsiva omitira el segundo anlisis observando que con r = 0 los circuitos de la
Figura 2.28b y c son idnticos.) "La resistencia en continua vista desde cada una de las entradas y masa
debe ser la misma" es una conclusin fcil para ambos circuitos.
La Figura 2.29 muestra un amplificador no inversor con corriente de desviacin. Cuando se des-
conecta v, y la ganancia es infinita, ambos extremos de Rr estn a masa y la corriente de desviacin
circula slo a travs de Rz. La componente de continua en la salida causada slo por la corriente de
desviacin es -(0,5 /os)Rz.
Al final de la Seccin 2.5.5 dijimos que 20 MQ ms o menos era el lmite superior de las resis-
tencias discretas. Si usamos Rz = 20 Mf) en un amplificador no inversor basado en el l4I
(lot = 20 nA) la tensin de desviacin en la salida es slo de 0,2 V. Si cambiamos el 741 por un
H42544 (Io' = 0,2 mA), calcularamos una tensin de desviacin en la salida de 2.000 V!
Claramente, la corriente de desviacin saturara el operacional. Concluimos que es bueno en la prc-
tica comprobar 15 cuando se usen valores grandes de resistencia.
Los circuitos integrados operacionales tienen, habitualmente, terminales externos para corregir las
corientes y tensiones de desviacin y los fabricantes dan ideas especificas para anular las desviaciones
usando componentes externos especiales. El procedimiento es especfico para cada operacional. Como
regla, los valores de desviacin presentan derivas con la temperatura causando problemas en estos dis-
positivos. Algunos operacionales tienen compensacin de corriente de polarizacin construida interna-
mente con lo que no son necesarios caminos externos de continua para la corriente de polarizacin.

FIGURA 2.29 Circuito para calcular


el et'ecto de la corriente de
desviacin en las caractersticas
del circuito del amplificador
no inversor.
2.5 I Efecfos de segundo orden en amplificadores operacionales 497

2.5.9 RAZN DE RECHAZO DE MODO COMN

Como otros amplificadores diferenciales, los operacionales tienen una RRMC grande pero finita
como se sugiere en la Tabla 2.7.lJn operacional real se parece, as, a la Figura I.25ay los compo-
nentes externos afectan a las seales de modo comn y diferenciales.
Es interesante pensar lo que ocurre con la componente de modo comn de la entrada cuando ,4.1 se
aproxima a infinito. Como v es obligada a ser nula, la tensin de modo comn de las entradas es yc.
En los circuitos como el amplificador inversor en los que hay masa virtual en la entrada del opera-
cional, v. es nula, y el funcionamiento del circuito no queda afectado por la ganancia de modo comn.
Sin embargo cuando las entradas no estn al potencial de masa, como en el amplificador no inversor,
se desanolla una tensin de modo comn en la salida. Esto suele causar un cambio despreciable en
el funcionamiento del circuito. Pero, para el amplificador diferencial, la RRMC es una consideracin
importante debido a que una ganancia de modo comn no nula del operacional provoca una salida
del circuito de modo comn. Es decir, se aade un trmino de modo comn a la Ecuacin (2.15) aun-
que las resistencias tengan valor exacto.
Para predecir las consecuencias de la tensin de desviacin, aadimos una fuente de tensin inde-
pendiente en serie con la entrada del operacional ideal. Para la ganancia de modo comn se emplea
una aproximacin similar. Para el operacional, como para cualquier amplificador diferencial, la
Ecuacin (1.28) describe la tensin de salida. Sacando como factor A, da

( n
A,f v, +
) :A,,(ro.=:-")
E'") "\ , RRMC ./
vo = =A.tr, (2.34)

El equivalente de las Figuras 2.30ay b es una interpretacin creativa de la Ecuacin (2.34. El ope-
racional de RRMC finita, es equivalente a un operacional de infinita RRMC que tiene una VCVS en
serie con su entrada. La VCVS est controlada por v. y tiene ganancia de tensin de 1/RRMC. Este
modelo es fcil de implementar con SPICE.
Para clculos manuales, el circuito aproximado de la Figura 2.30c es ms simple. Como RRMC
es grande para los operacionales, la tensin dependiente en la Figura 2.30b contribuye realmente
poco al valor de v.. As, podemos estimar v. de la Figura 2.30a. llna vez que tengamos esta esti-
macin, usaremos la fuente independiente (I/RRMC)v, dela Figura 2.30c, superposicin y arili-
sis de ganancia infinita para determinar la componente de modo comn de la salida. Enseguida ten-
dremos un ejemplo que compara los anlisis manual y por computador de la RRMC de los opera-
cionales.

2.5.10 MODELOS SPICE PARA LOS EFECTOS ESTATICOS DE SEGUNDO ORDEN

Los efectos de segundo orden son importantes porque degradan potencialmente 1as caractersticas del
circuito, aunque pueden hacer ms difciles de analizar manualmente los circuitos con operacionales.
Actualmente, las instalaciones de SPICE suelen incluir modelos de libreras para circuitos especfi-
cos usados habitualmente tales como los operacionales. Un modelo sofisticado de operacional hace
fcil una simulacin realista de un circuito dado; sin embargo, modelos caseros ms simples son ms
verstiles permitindonos estudiar efectos de segundo orden de forma individual. Con la excepcin
de la saturacin, podemos simular todos los efectos de segundo orden estudiados aadiendo resis-
tencias y fuentes dependientes e independientes al modelo bsico VCVS del operacional. Despus,
veremos los diodos en el prximo captulo y ya estaremos en condiciones para simular tambin la
saturacin. El siguiente ejemplo demuestra, usando un anlisis en SPICE, cmo estudiar los efectos
de segundo orden.
CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

RRMC "(

+ +
lo u(l t,,
Nn Dd

+ I op"ru.ionul
I op.ru.ionul
L op".o.ion"l
t)
ideal ldeal
real

! (a)
(c)

que usa un operacional con RRMC


FIGURA 2.30 RRMC finita: (a) operacional real con RRMC finita; (b) modelo
real aproximado por un operacional ideal y una fuente independiente'
finiia y VCVS externa; fcl opeiaconal

tiene RRMC
E EMPLO 2.7 a) Usar el anlisis manual para estimar r,.,(r) para la Figva2.3la. El operacional
= 90. La iensin de entrada es

v,, (r) = 0,0 10 s en2n400t + 0,20 sen2n6ot

r,r(r) = -O,OtO sen 2400r + 0,20 set2n60t

de 60 Hz estimada
b) Emplear el SpICE y eI modelo de la Figura 2.30b para calcular la componente de la salida
en Ia parte (a)
c) Usar SPICE para determinar la ganancia de modo comn de1 circuito'

Primero hallaremos la componente diferencial de |a salida empleando (2 La ganancia dife-


Solucin a)
rencial del amplificador es 10. Luego

,",0,,(t) = l0[v,(r)- vr(r)] =o,zoosen2n400

Despus, hallamos la componente de modo comn. Del divisor de tensiones de la Figura


2'31a, la tensin de
modo comn en las entradas del operacional es

l)
".1,;=f \ ))/
, r'

Como 90 dB corresponde a RRCM = 3,16 x 10', la fuente independiente de la Figura 2.31b desarrolla

y = .--_1 u (r)=2.87xt0,y"(r)
' l.l6 x l0- '

u, (r) = 2,88 x 10-? sen 2n400r + 5,76 x 10-6 sen 2ru60r

como la Figura 2.3lb es un amplificador inversor con ganancia diferencial de 1 I

6 5
,".,,,(i =1 lv,(r) = 3,16x 10 sen2.400+6,34 x.l0 sen2n60r

Superponiendo los resultados de modo comn y diferencial da

v.(t)=v"r,,,(i)+v",-(r)=0,200sen2n400t+6'34xl05sen2n60
2.5 / Efectos de segundo orden en amprificadores operacionares
99

A pesar de que las resistencias


estn perfectamente ajustadas, hay componente de modo
comn en ta salida debi-
do a que la ganancia de modo comn no es nula; no obstante
el ampliiicador es bastante efectivo eliminando el
ruido de modo comn de 60 Hz en relacin con la seal de 400
Hz.
de 60 Hz es una componente pura de modo comn, luego usaremos
et circuiro de la Figura
i],trj.t":T5:"ente
l )
. RRMC
=3.16x10

50 ko 50 kf)

(b)

EXAMPLE 2 .7
RF315OK
50 kQ RG5O5OK
RI1235K
RI2255K
*OP AMP
EOAI 0 5 4 1.0E8
RIN 4 5 1EB
*T\]EXT TRANSMITTANCE
= 1/CMRR
ECM43503.1546E5
0,2 sen2x60t
VIN 2 O AC 0.2
.AC LrN 1 60 60
. PRrNT AC \.14 (1)
. FNI)
(c) (d)
FlcuRA 2'31 Hallando la seal de salida en modo comn: (a) amplificador original con
comn v-; (b) circuito paralrallar la.componente de modo."rnr.i" entrada de modo
para la simulacin
,i""lsuperposicin; (c) circuito
en SpICE;
(cl) cdigo SplCE.

La Figura 2'31d es el cdigo en SPICE. La fuente EoA, una vcvs, es el operacional


con una ganancia cle
108' aproximadamente infinita. Las lneas con asteriscos son sentencias de comentarios,
ignoradas por el SpICE
pero tiles para la documentacin. Para que el nodo
4 tengaconectados los dos componentes mnimos necesa-
rios por el SPICE, incluimos una resistencia de 100
Mo n el mdulo del operacional. La fuente dependiente
ECMintroduce una ganancia de modo comn no nula en el
circuito. La salida del SpICE mostraba la tensin en
el nodo 1 de 6,309 x 10-s V que verifica el anlisis manual.
c) Para determinar la ganancia de modo comn del circuito, cambiamos
en el listado SpICE la amplitud de vIN
a uno y obtenemos la tensin de salida. EI resultado
del anlisis es V(l) =A. = 3,155 x 10r V. ComoA.,
el amplificador diferencial riene una RRMC 90 dB, = 10,
= ig*r 1". ru a.i por s mismo. tr
"p*".i*a
Todos los efectos de segundo orden estudiados son limitaciones
estticas, es decir, describen el
operacional cuando las seales cambian lentamente.
Cuando las seales cambian rpidamente, como
CAPTULO 2 I Amplificadores operacionales

hemos visto en la Seccin 1.6.4, es tambin necesario considerar las limitaciones dinmicas impues-
tas por las capacidades en el amplificador. En los operacionales, estas limitaciones son dos, la res-
puesta frecuencial y la velocidad de cambio.

2.5.11 RESPUESTA FRECUENCIAL DE LOS AMPLIFICADORES OPERACONALES

Cuando excitamos un amplificador enlazo abierto con una seal senoidal diferencial, la gananciaA.
se convierle en una funcin compleja A(rrl) la relacin entre el fasor de salida y el de entrada. Para la
mayora de los operacionales, esta funcin tiene la forma

A, ( aH )
Al ro) = ------.l- = A,l (2.3s)
l+i(or or") "\7t'r+t'rrl
I

donde ora es una constante llamada frecuencia a potencias medias o ancho de banda en bucle abier-
to. Hay que notar que A(ro) tiene la misma forma funcional que la ganancia deun circuito RC (1.38)
excepto que la ganancia del operacional tiende a A en lugar de a uno cuando o: se aproxima a cero.
La curva de respuesta magnitud-frecuencia de la Ecuacin (2.35) de dB est en la Figura 2.32. Las
hojas de caractersticas no dan tlr7 pero dan la frecuencia a ganancia unidad, co" , la frecuencia a la
que la ganancia del operacional es cero dB. Podemos relacionar ) con @a y Aa por medio del
siguiente argumento. Cuando (D )) J (2.35) se puede aproximar por
FI
4,a ..
A(ro)=-- (2.36) er
la I
De la Ecuacin (2.36), ro, satisface
A,r
l('.)l=
-.
:1
cDr

asr

{D"=AntDu (2.31)

DelaTabla2.ldeloperacional'741,a"=2x106 rad/s.Como A=2 x lOs. jnferimosqueelancho


de banda ooadel'741 es de slo 3l,4radlsy fa= 5Hz, en efecto un pequeo ancho de banda! En con-
traste, el H42544 tigne Jn = 7.500 Hz.

2.5.12 PRODUCTO GANANCIA-ANCHO DE BANDA

.Un importante dato para un amplificador, incluido el operacional , es el producto ganancia-ancho de


banda, el producto de la ganancia mxima y el ancho de banda. En trminos de la Ecuacin (2.35) y
la Figura 232 es AJl = ol,. Por esfa razn, el trmino usado habitualmente para la frecuencia a
ganancia unidad ol,, es el producto ganancia-ancho de banda. Vimos en el Captulo I que el ancho
de banda es indicativo de la velocidad de procesado de informacin del dispositivo. El producto
ganancia-ancho de banda combina la velocidad y la apacidad de amplificacin en un nico par-
metro.
Todas las ecuaciones obtenidas en secciones previas para los circuitos con operacionales suponan
operacionales con gran ganancia de tensin, sin embargo, la Figura 2.32nos presenta el hecho de que
para seales de frecuencias significativamente mayores eue rrlr, la ganancia enlazo abierto puede ser
tan pequea que invalide la aproximacin de ganancia infinita. Por tanto, debemos esperar que el
2.5 / Efectos de segundo orden en amplificadores operacionales I101

ancho de banda finito produzca desviaciones del comportamiento ideal cuando apliquemos frecuen-
cias altas o cambios abruptos al circuito. Para determinar exactamente las limitaciones de frecuencia
de los operacionales cuando analicemos el circuito, representaremos el operacional por una VCVS
con transmitancia compleja, por ejemplo, la Ecuacin (2.35). Para simplificar los clculos, podemos
emplear primero la constante Apara la transmitancia y luego reemplazarla por (2.35) en la expre-
sin final. Para ilustrar esta tcnica determinaremos la respuesta frecuencial de un amplificador no
inversor.

Ganancia x ancho de banda para el amplificador no inversor El Problema 2.49 establece que
la ganancia del amplificador no inversor es

vo: 4,1

vi t+,aon,/(4 +4)

lAai'; I

lAls

FCURA 2.32 Respuesta


en frecuencia de un operacional
compensado i nternamente.

Para hallar la respuesta en frecuencia, reemplazamos A por (2.35), dando

e'r" / (ro
A'(o't\-
ln = .'N1\.-'
v - 13")
t+le,a,lQ)+o")][4/(R,.R,)]
- A,t
iro + oo + A,{D HR,/(R, * R,)
)H
-Ad
@ (D..
A,l (Rr+ Rl )l
Ir
+ A,t Rtf
r+ Ao 4f (nr+4).r,o+CIn[1*,+, R,/(R, *R,)]
La expresin final tiene la forma

Ar,(t)= A,;L
J(D+(DB
donde

es la ganancia a bajas frecuencias del circuito no inversor y


CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

on : aoll+ a, n,/(n, + n,)] (2.38)

es el ancho de banda. Esta expresin muestra que

A,,uou=A,,rDu={D,
es decir, para el amplificador no inversor, la ganancia a bajas frecuencias multiplicada por el ancho

Para expresar esta conclusin en trminos ms familiares, supongamos A tan grande en la expresin
de ganancia que

n -Rr*R,
n-
'Rr
Esto da

A,a u =[t. 0=0, (2.3e)


"*J
Cada relacin de resistencias que consideremos al elegir la ganancia corresponde a un caso particu-
lar de ancho de banda co. Como el producto es invariante, menores ganancias dan mayores anchos
de banda y viceversa. El caso extremo es el seguidor de emisor con ganancia unidad. En este caso,
toda la ganancia se transforma en ancho de banda, dando un ancho de banda de 3 dB de at".

Ganancia x ancho de banda para amplificadores idnticos en cascada Cuando un caso parti-
cular de diseo especifica una ganancia y l.rn ancho de banda, con una etapa nica, el amplificador
operacional debera tener una ro, igual o mayor que el producto necesario. Si el ancho de banda es
suficiente, siempre podremos reducir la ganancia con un divisor de tensin.
Pero si no tenemos un operacional con la adecuada co? para un determinado caso, podemos poner
amplificadores en cascada. Consideremos n amplificadores idnticos en cascada, cada uno con una
ganancia a bajas frecuencias de At> 0 y un ancho de banda r. Como las ganancias de los amplifi-
cadores en cascada se multiplican, la ganancia total de las n etapas es

Ai
A,,(<o):[
,t ,]
=
[t
+; (roor,)]"

Por definicin, el ancho de banda a -3 dB, es aquella frecuencia, co,,, tal que la magnitud de
lA,(ro)l sea l/fl veces el valor a baias frecuencias; es decir,
A,,, _Ai
l,(tr,,)l= tl
+ (rou,on)'
It
Igualando denominadores da

, u, =, uJ2'ul (2.40)

Con lo que concluimos que el producto ganancia-ancho de banda de n etapas en cascada es

Ar@ un = l,;r rrlz'F I = erto rle; tJrr' _ t)


que es mayor que el producto ALoJs de una sola etapa. Para etapas en cascada, el producto ganancia-
ancho de banda crece con n porque A'crece ms rpido con n que decrece lara2. Podemos usar la
ir
I

2.5 / Efectos de segundo orden en amprificadores operacionales 103

Ecuacin (2'40) iterativamente para hacer converger un diseo que


satisfaga unas especificaciones
dadas tal como se ilustra en el siguiente ejemplo.

EJEMPLO 2'8 Disear un amplificador de audio con ganancia A, 5.000 y ancho de banda
= or = 20.000 radls
usando un operacional 741.yase la Ecuacin (2.39).

Solucin El producto ganancia-ancho de banda necesario es

A,,au = 5.000(20.000) = 108 rad/s

ComoelT4ltiener0"=2nx 106, Iascondicionesdediseonopuedensersatisfechasporunnicoamplifi-


cador no invesor. (Si no se hubiera especificado er 741 podramos
usar er Hd;;-;;;;;;;'i;;;i ,,*"
ro"=2,8x108.)
Consideremos n = 2, dos amplificadores no inversores idnticos en
cascada. para lograr las especificaciones,
hacemos A = (5.000)'/'z= 70,7. Segn (2.39) el ancho de banda
de cada etapa es
2n x 106

^'==8'8xloarad/s
De (2.40), el ancho de banda del amplificador de dos erapas es

r '
tor, = (8.8 t 0o )( 2' - t)" =56. x l0r rad/s
que es ms ancho de banda,del necesario; pero, superar
en el ancho de banda o en la ganancia los mnimos espe-
cificados suele ser aceptabte.
Para conseguir exactamente las especificaciones, podramos
haber usado la Ecuacin (2.40) de otra manera,
conn=2y rur= 20.000rad/s. Entonce. '
20.000
co, =;- -'-r),l-t:3l'lx l0'rad/s
12'
Ahora construimos dos etapas con una ganancia, cada una, de

. tr.t 2nxl}o
'l'=-=3",=202
como la ganancia de las etapas en cascada, de2022 4,08 x 10a, supera el
= valor especificado, usaremos un divi-
sor de tensin para reducir la ganancia a 5.000. LJ

Ganancia x ancho de banda del amplificador inversor Para el amplificador


inversor, el produc-
to ganancia-ancho de banda no es constante, as el circuito no permite
transformar gununiu"n uncho
de banda. El Problema 2.jl d,a como ganancia compleja pu.u .l inversor

(-n'/n )
(2.41)
A,(or)=
l+j(orzcou)
coll rrl dado por la Ecuacin (2.39). por ello, para este circuito

lganancialx (ancho de banda)' = *., !.r,( o,=+l -


Rr " = R, "( o Rr+R, ) =;{r;co.
Rr+R, -.
(2.42
\t

una funcin de los valores de la resistencia y, por ello, de la ganancia.


Como el producto ganancia-
ancho de banda cambia con Rz / Rr, el amplificador inversonio
no, permite traducir directamente la
ganancia por ancho de banda como pasa con el circuito ^lr4s
no inversor. an, proucto el ganancia-
2 I Amplficadores operacionales

ancho de banda de un amplificador inversor es siempre menor que (r. Por ejemplo, cuando
R2 I R = I para un inversor de ganancia unidad, el producto es a"12, slo la mitad del ancho de banda
del circuito seguidor de emisor.

Ejercicio 2.8 Hallar el ancho de banda de un amplificador inversor de ganancia *5 con el H42544.
Respuesta 7,5 MHz.

Los estudios de los anchos de banda de los amplificadores inversores y no inversores se han limi-
tado tcitamente a los operacionales internamente compensados, un caso sencillo pero importante
descrito por la Ecuacin (2.35). Estudiaremos conceptos sobre la respuesta frecuencial mucho ms
generales en los Captulos 8 y 9.
El efecto de las limitaciones de frecuencia de los operacionales sobre otros circuitos, los filtros
por ejemplo, pueden ser difciles de anal\zar. Para todos los circuitos, se puede hacer una aproxi-
macin bastante efectiva que es resolver el diseo inicial usando las ecuaciones de ganancia infi-
nita y despus continuar con simulaciones por computador que incluyan las limitaciones en fre-
cuencia de los operacionales. Describiremos seguidamente un modelo de SPICE sencillo que es
muy til para este fin.

2.5.13 MODELO DINAMICO LINEAL PARA EL OPERACIONAL EN SPICE

La Figura 2.33a describe un modelo dinmico lineal para el operacional en SPICE. El circuito inter-
no RC - VCVS da la funcin de respuesta frecuencial de (2.35). Los valores para R y C deben satis-
facer
1
=0H =t"
RC 4,1

Una segunda VCVS con transmitancia unidad asegura que los componentes conectados al pin de sali-
da no afecten a la respuesta frecuencial del operacional: las resistencias R y R proporcionan los
efectos realistas de las cargas tanto a la entrada como a la salida. El siguiente ejemplo indica por qu
el diseador debe ser consciente de la respuesta en frecuencia del operacional cuando l o ella traba-
ja con ecuaciones basadas en operacionales ideales

UEMPLO 2.9 a) Disear un filtro de paso bajo de primer orden con ganancia a baja frecuencia de -10 y una
frecuencia de corle de I kHz. Despus redisese para una frecuencia de corte de 50 kHz. Suponer el operacio-
nal ideal en ambos diseos.
b) Comprobar con SPICE ambos diseos usando un operacional no ideal descrito por
ganancia en lazo abierlo = lOa

R,=50kO
R,=200O
rD, :2n x 105 rad/s

Solucin a) LaEcuacin(2.24),cofl(s=llRzCzdescribeelfiltrodelaFigura2.l4a.Elegimosarbitraria-
mente Rr = 2 kO y Rz = 20 kO para satisfacer la ganancia. Pira una frecuencia de corte de I kHz necesitamos
1
= cop = 2 x l0r rad/s
RtC,
-
2.5 / Efectos de segundo orden en amplificadores operacionales 105

(a)

Rz:
20 ko

Diseo l: C, = 3696 OP

I
o:::: ?: 9:: 1:? tl
(b)

FIGURA 2.33 Uso del modelo.dinmico del operacional: (a) moclelo incluyendo los
efectos de una respuesta
en,frecuencia de primer orden; (b) esquema del filtro; (c) circuito equivalent del filtro
in.rry"no modelo
del operacional; (d) cdigo SPICE; (e) resultados de la iimulacn di femplo z.o. "r

as, c2- 8.000 pF. como la frecuencia de corte para el segundo diseo es 50 veces mayor

c, =
!!oof - l5e pF
'50
para el segundo diseo que muestra la Figura 2.33b.
CAPTULO 2 I Amplifcadores operacionales

EXAMPLE 2.9
VI6OACl
20 ko
Rl612K
R.2 I 4 20K
c2 1 4 8000P
*c2 1- 4 1-59P
**** OP AMP ****
RIN 1 O 5OK
vo
ROUT 5 4 200
vd 8I20011E4
C E250301
R231
c 3 0 0.0159
;*** OP AMP ****
.AC DEC 20 10 1000.E3
Diseo 1: Cz = 0,008 PF
.PRINT AC VDB(4)
Diseo 2: Cz = 159 pF
. END
(c) (d)

?5

3ro _:. _
.! 15 _Y_

Fro l kHz lSeno 50 kHz


diseo
850
-5
_10

-15
_20

-25
t01 rc2 103 104 105 t06
Frecuencia (Hz)
(e)
FIGURA 2.33 (Continuacin.)

b) Para predecir la respuesta del filtro para un operacional con las especificaciones dadas, reemplazamos el
modelo del operacional por el modelo de la Figura 2.32a y obtendremos la Figura 2.33c. Para que el operacio-
nal tenga el ancho de banda conecto necesitamos

| 0, _ 2n105
RC A,t 101
Tras una eleccin arbitraria R = 1 O. esta ecuacin da

101
c= = o'0159 F
2n x l05

La Figura 2.33d proporciona el cdigo SPICE con la descripcin del operacional entre comentarios.
Advirtase que el segundo valor del condensador de filtro G est incluido, pero como comentario. Despus de
esta primera ejecucin de SPICE, suprimimos el asterisco de la primera linea de Cr, lo ponemos en Ia segunda
2.5 I Efectos de segundo orden en amplificadores operacionales l'l07

y ejecutamos la simulacin por segunda vez para el otro caso del filtro. Con esta estrategia podemos cambiar un
parmetro del circuito mientras mantenemos la informacin original para posterior documentacin.
La Figura 2.33d muestra los resultados de los clculos de SPICE para los dos diseos. El de 1 kHz alcanza
las especificaciones pero, debido al lmite en la respuesta frecuencial del operacional, la frecuencia de corte del
segundo filtro es de slo '7 ,28 kHz en lugar de los 50 kHz sealados por la flecha. Esto confirma las sospechas
de que las ecuaciones como la (2.29), qte supone ganancia infinita a todas las frecuencias, pierde validez a altas
frecuencias cuando 1as limitaciones dinmicas de los operacionales son importantes.
Las simulaciones tambin desvelan algo ms til, las caractersticas del mundo real de los circuitos con operacio-
nales. Se puede advertir que a ms de 1 kHz la curva del filtro toca fondo a -20 dB en lugar de continuar cayendo
como predeca (2.24). A frecuencias tan altas que la ganancia del operacional es despreciable, el filtro activo degene-
ra en un circuito RC pasivo donde el operacional slo confibuye con sus resistencias de entrada y salida. En la Figura
2.33c, como los dos condensadores se convierten en cofiocircuitos, el circuito degenera en un divisor de tensin

% _ 2oo ll 5ok _ ,oo


= _ro ou
vi 200 J 50k+2k 2.000

Se insta al lector a extender otra dcada la respuesta para verificar que el filtro de 50 kHz tambin toca fondo
a-20 dB. tr

Subcircuito SPICE para operacionales Con SPICE podemos definir cualquier subcircuito con un
simple bloque de cdigo y despus referirse a lpara cada aparicin del subcircuito. Los subcircui-
tos reducen la cantidad de cdigo que debemos escribir, otganiza la simulacin minimizando errores
y nos permite cambiar parmetros del subcircuito para todos los casos cambiando slo el cdigo del
subcircuito. Los subcircuitos son tiles para simular circuitos con varios operacionales.

. SUBCKT OPAMP 1 2 6
,, lc) .: 15 !2
RIN 1 2 2MEG
r----M,\&__l + ROUT 5 6 75
t/
+ to5v, El30I22E5
vi <
Xx ) Lt/ R341
\r" o'o: ta r
I
r
c 4 0 0.0318
II:: E250401
. ENDS

AMPLIFIER
. SBCKT OPAMP 12 6
RIN 1 2 2MEG
ROUT 5 6 75
El30L2285
R341
c 4 0 0.0318
E2504Ar
3ko . ENDS
VTSOACl

FICURA 2.34 R1344K


v R2401K
Subcircu ito
R3322K
de un operacional: R42L1K
(a) definicin
del subcircuito .AC DEC 20 10 1E6
para el 741; (b) cdigo . PRINT AC VDB ( 1 )
SPICE para un circuito . END
con dos operacionales"
CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

La Figura 2.34a da la descripcin de un subcircuito para el 141 (Tabla 2.1). Las primeras
lneas del subcircuito indican que la comunicacin co el exterior es a travs de nodos ordena-
dos 1, 2 y 6. El detalle del cdigo indica que esfos nodos exlernos son, respectivamente, entra-
das no inversora, inversora y salida. La sentencia .ENDS indica el final de la descripcin del
subcircuito.
La Figura 2.34b muestra cmo hallar la respuesta en frecuencia de un amplificador de dos etapas
usando subcircuitos 74I.El cdigo SPICE hace referencia a cada 741 como una sentencia para un
elemento individual. Identificamos cada subcircuito por un nombre que comience por X, con una lista
de sus nodos y con el nombre de referencia del subcircuito. La numeracin interna de los nodos de
un subcircuito es independiente de la numeracin externa en la simulacin SPICE. (Ntese, la repe-
ticin de los nmeros 1-5 para los nodos en este ejemplo.) Daremos la descripcin del subcircuito
slo una vez sin problema de cuantas veces aparezca el operacional en el circuito y la deficicin del
subcircuito puede darse en cualquier lugar en el cdigo del circuito.

Ejercicio 2.9 Empleando SPICE, determinar cmo cambia la respuesta en frecuencia del derivador de la
Figura 2. 1 8c cuando cambiamos el operacional ideal por el subcircuito del 7 41 de la Figura 2.34a. Con esta res-
puesta en frecuencia, determinar el lmite superior de las frecuencias de entrada a que se podra usar este deri-
vador.
Respuesta Figura 2.35, aproximadamente 10 kHz.

Las simulaciones en computador conducen frecuentemente a investigaciones tericas que mejoran


el conocimiento de un circuito. La explicacin de la asntota de -20 dB en el Ejemplo 2.9 fue un
ejemplo. Otro es el Problema 2.73 que indica cmo desarrollar la teora del derivador para explicar
la Figura 2.35.
I

I
I

i'

2.5.14 CAPACIDAD DE CAMBIO DE LA SALIDA' (SLEW-RATE)

Normalmente, las limitaciones dinmicas de los operacionales quedan impuestas por un efecto de
segundo orden denominado "capacidad de cambio de salida (slew-rate)" cuando produce transicio-
nes de tensin rpidas. En contraste con el ancho de banda finito, una limitacin dinmica lineal, la
capacidad de cambio es una limitacin dinmica de tipo no lineal.
Desde el punto de vista de la teora lineal, el seguidor de emisor de la Figura 2.36 es un cir-
cuito de primer orden con cD como ancho de banda. As cuando aplicamos un pulso suficiente-
mente pequeo para que no se sature el operacional, esperamos que v"(r) crezca exponencialmente
con constante de tiempo lfto" y que, al final del pulso, decrezca exponencialmente hasta cero
como en la Figura 2.36b. Cuando analizamos esta hiptesis ms detenidamente, la posibilidad de
fallo es evidente. Como la capacidad interna del operacional necesita que v,(0*) = 0 en / = 0*, hay
r=Vp voltios entre los pines de entrada en el flanco de subida del pulso e igual en el flanco de
bajada. Pero si r = Vr.supera los pocos microvoltios que permiten la elevada ganancia de la
Figura 2.22,los transistores internos del operacional pasan aun comportamiento no lineal mien-
tras la seal de entrada no se haga ms razonable. (Discutiremos estos detalles internos en el
Captulo 9.) La manifestacin externa de estas no linealidades es que la tensin de salida del ope-
racional sube y baja, no exponencialmente sino linealmente a una velocidad fija como en la

o
N. del T.: La capacidad de cambio de la tensin de salida de un operacional es generalmente conocida con el trmino
anglosajn "slewing" y se mide con e1 parmetro slew-rate.
2.5 / Efectos de segundo orden en amprificadores operacionares
109

Figura 2.36c. Esta velocidad de cambio. sr, est determinada por


la estructura interna del opera_
cional. La prueba del pulso de la Figura 2.36 es una forma adecuada
de medir un valor desCono_
cido de slew-rate.

<n

lt

-50
10 102 103 104 105 106
f (Hz)

o
'd
_on
C

b0 1

o I

t I

-270
FICURA 2.3S Curvas de amplitud
y fase del derivador. 10 102 103 104 105 106
f (Hz)
La consecuenciaprctica es que cuando la teora lineal predice una velocidad
de cambio parava
que supera sr, la tensin de salida cambia a la velocidad del slew-rate.
Como Ia derivada de l expo-
nencial en los instantes de conmutacin es V r,voltios por segundo, el
seguidor de emisor crece line_
almente. para cualquier pulso tal que Vr) srlco". En la Tabla ll, po,
eempto, vemos que el 741 hace
crecer linealmente su salida para yF > 0,0g y y el 2544, para V, >
O,S V. Los generadores de onda
cuadrada, sistemas de muestreo y retencin y filtros de capacidades
conmutadas-son ejemplos de cir-
cuitos cuyo funcionamiento queda limitado por el slew_rate.
El slew-rate puede limitar, tambin, a circuitos que trabajen con formas de onda
suaves, como
senoides' Supongamos, por ejemplo, que el ciruito es tal que produce
la forma de onda
v"(t) =y, senrrl". como la mxima velocidad de cambio de esta snoie es
rrrv,, el operacional es
capaz de producir esta forma de onda solo si sr ) oJVu. Si el producto
de la tensin poria frecuencia
supera e1 slew-rate, la forma de onda de salida queda distoionada parecindose
ms a una onda
triangular que a una senoide.
Las hojas de datos de operacionales especifican a menudo el ancho de
bancla de potencia,ror, defi-
nido por

ote =L rad,ls

donde sr es el slew-rate y Vwa es la mxima tensin que el operacional puede


proporcionar en su sali-
da, es decir, su lmite de saturacin. El operacionat puede desanollai esta
senoide con la mxima
potencia, de amplitud v a todas las frecuencias menores de ap sin
distorsin.

F,iercicio 2.10 Hallar el ancho <le banda de potencia en kHz parael741 y el2544de la Tabla 2.1 suponiendo
una alimentacin de 15 V.
Respuesta 5,68 kHz y 2,17 MHz.
CAPTULO 2 / Amplificadores operacionales

uoft)

t.(t\
I

u,(t) uo(t) ,, un1)

t
+ 0+
(a)

uoft)

FlCURA2.36 ComParacin
de las resistencias dinmicas lineales
v no lineales: (a) seguidor de emisor;
(b) for*ut de onda Predichas
por la teora lineal; (c) formas
ie onda de un oPeracional dominado
por el slew-rate.

Elsiguienteejemplodemuestracmoincorporarciertosefectosdesegundoordenenproblemas
Prcticos de diseo'

y retencin de la Figura 2'2'7 con las corien-


EJEMPLO 2.10 La Figura 2.37a muestra el circuito de muestreo
indicadas explcitamente' En la Figura 2'37b apatecen los tiempos
tes de polarizacin del ,"g.rnOo operacional aunque el opera-
de conmutacin. nt int"nupt-- d"L. cerrado hasta que c pueda cargarse completamente,
"rtu, interruptor 7-t debe ser lo suficientemente corto
del
cional cambie lineaimente'. E1 intervalo entre los cierres apreciablemente la tensin
operacional no reduzcan
como para que las corrientes de polarizacin del ,.gundo
almacenada.
V/rs y que v' est limitada por
Supngase qlre el slqw-raLe del operacional es 5
0<v.<10V
se carge completamente pala el peor
caso de la tensin de entrada'
a) Hallar el mnimo tiempo de cierre tal que c
mxima del condensador sea s1o tres cuartos de 1os 25 mA
b) Hallar el valor de C tal que la cor:riente de carga
de la corriente de cortocircuito del operacional'
? tal que la tensin del condensador decaiga no
c) Si la coriente de polarizacin de 0,2pA, hallar el mnimo
de nuevo' usar la capacidad hallada en el apartado b)'
ms de 10 mV antes de que el inteffuptor se cieffe

y, despus de que el condensador se haya cargado


10 v a0 v' es decir'
solucin a) El peor caso es cuando =
10 V' luego se necesita
durante un flanco de la seal. La tensin cambia

l0 l0
.sr --=lus
5 x 10
2.6 I Circuitos sin realimentacin negativa 11'l

FIGURA 2.37 (a) Circuito


de muestreo y retencin;
Cerrado
(b) tiempos de conmutacin.

Abieo

b) La mxima velocidad de carga es sr = 5 x 106 V/s. Como la mxima corriente permitida por ei circuito es
0,75 x 25mA = 18.8 mA

18.8xro-3 >c4!=c.r,
dt
luegoC<3.760pF
c) Con el interruptor abierto, el condensador se descarga a Ia velocidad

dv
_- I"z 0.2xt0n
l0 r' --- '/ "
={lr1rr.
dt C .1760 x
Entonces

l0mV
-/ _r__--=lggu.r
53,2Y ls
y T < 190 ps es e1 valor necesario
tr

2.6
ctRcutros slN nrrulMr

T'os circuitos de este apartado difieren de los anteriores


en que o no tienen seal de realimentacin o
si la tienen, la positiva es mayor que la negativa. En estos circuitos, el operacional
se adapta mejor a
un dispositivo con dos estados definidos por la Figura 2.24. Su principl aplicacin
es el procesado
de seal no lineal.

2.6.1 CIRCUITO COMPARADOR BASICO

El circuito comparador de la Figura 2.38a compara continuamente la seal vr(r) con la tensin
de
referencia V, y produce una salida binaria, un valor p&r& v > V,y otraparav < V.
CAPTU LO 2 / Ampl ificadores operacionales

FIGURA 2.38 Comparador


con un operacional elemental:
(a) circuito; (b) modelo
para V> V,; (c) modelo
para V, < %; (d) funcin
de transferencia.

uo(t)

vP

-vM

FIGURA 2.39 Comparador


empleado como sistema
de alarma de temperatura.

Como no hay realimentacin negativa, el funcionamiento del operacional no queda confinado a la


parte abrupta de la curva de la ganancia de la Figura 2.22. Debido a que

vo=v,-V,,
cuando 1) ) Vn el circuito es equivalente a la Figura 2.38b; cuand o v 1 V, el equivalente es la Figura
2.38c. Estas desigualdades definen la funcin de transferencia (Figura 2.38d).
El comparador extrae informacin binaria de una entrada analgica. La Figura 2.39 sugiere una de
las muchas aplicaciones. La tensin de entrada vi representa la temperatura Z. Mientras la tempera-
tura se mantenga por debajo del nivel definido por V,,la salida permanece a -V. Si la temperatura
fuera demasiado alta, la salida del comparador conmutara a Vp, cambio que podemos usar para acti-
var una alarma. Como V. puede ser positiva, negativa o nula, el comparador es un bloque construc-
tivo muy verstil. En estas aplicaciones, eI slew-rate es importante para garantizar transiciones rpi-
das. Ms adelante, iremos encontrando aplicaciones para el comparador como los convertidores
analgico-digital, temporizadores y generadores de forma de onda.

2.6.2 CIRCUITO SCHMITT.TRIGGER

El circuito final de esta seccin, el Schmitt-trigger de la Figura 2.40a,


es un ejemplo de biestable, un
circuito con dos estados estables. (En el Captulo 14 hablaremos de varios circuitos relacionados con
2.6 / Circuitos sin realimentacin negativa 113

ste.) La primera versin con tubos de vaco fue descrito por el ingeniero biomdico Otto Schmitt en
1938 y a 1 debe su nombre. (Este trabajo est incluido en las referencias al final del captulo.) El
Schmitt-trigger se diferencia de la estructura similar del amplificador inversor en que Rz realimenta
la informacin de salida a la entrada no inversora del operacional, nuestro primer ejemplo de reali-
mentacin ms positiva que negativa.
Para hallar la funcin de transferencia, supongamos, para empezar, que vi toma un valor muy nega-
tivo. Despus asumamos como hiptesis que la entrada al operacional, v es tambin negativa, pro-
vocando que la salida se vaya a saturacin negativa. Despus, redibujamos el circuito, cambiando el
operacional por e1 modelo de la Figura 2.24c para dar la Figura 2.40b. Para comprobar la hiptesis,
calculamos ahora y. Por superposicin
RR,
r" = ---:r r. + ---::r (-yM
" R,+R,' R,+& ) (2.43)

Como v es negativa para cualquier valor negativo de y, nuestra hiptesis fue conecta. De hecho,
(2.43) indica que v debe ser positiva para invalidar el modelo. Para hallar este valor crtico de y,
hacemos v cero en la Ecuacin (2.43) y despejamos y. El resultado es

",
= (&u)u, =,. (2.44)

Rz

u" ,.
R,
qil^---J r-l I

l',,'"
-T
.
',1 'M
: -LI
FICURA 2.40 (a)
Circu ito Schm itrtrigger;
(a) (b) (c)
(b) modelo del Schmitt-
trigger para v muy
negativa; (c) segmento
inicial de la funcin de
transferencia; (d) modelo
despus de que y, supera vP
el umbral de
conmutacin; 1)
I

I
(e) funcin de
t),oe
transferencia completa; (fl
-_j_
smbolo especial para el
Schmitt-trigger.
:
(d) (e)

Hemos encontrado hasta dnde llega la forma de la funcin de transferencia de la Figura 2.40c
Unavez que vr supere i*, el operacional cambia de estado,lo que significa que el modelo cambia
al de la Figura 2.40d. En la funcin de transferencia hay una discontinuidad y v. cambia a la satura-
cin positiva. Por superposicin

R.R (2.4s)
" : &+R,iT-'pR,+&
,,1

-
ULO 2 / Amplificadores operacionales

que verifica que el modelo actual es correcto para cualquier v positivo; esto tambin indica algo cuno-
so: de acuerdo con (2.45), y; deberia tomar ahora un valor negativo antes de que el signo de v., y por
ello el estado de la salida, cambie de nuevo. Haciendo v cero en la Ecuacin (2.45) y despejando ur da

li= -(flo:, t2.461

La Figura 2.40e superpone este resultado con la Figura 2.40c.Para el Schmitt-trigger, v no es.una
luncin de v, como en la mayora de los casos porque toma dos valores.
Las flechas indican el camino del par (u, , v,) durante una prueba en la que v vario de muy negativo a
muy positivo y regresa. En cierto sentido, el circuito recuerda su estado previo. Por ejemplo, coll v = Q,
si v ha sido recientemente ms positiva que v*, la salida es Vp y si ha sido ms negativa que v , la salida
sera-Vu. Este efecto de memoria indicado por las curvas como la de la Figura2.4}e se denomina /zi.s-
resls. (Un ejemplo ms prosaico de histresis es la curva densidad de flujo magntico-fuerza magneto-
motriz para materiales ferromagnticos). El Schimtltrigger, llamado comparador con histresis es w
subcircuito usado frecuentemente y que tiene su propia representacin esquemtica (Figura 2.40D.La
Figura 2.41 da una aplicacin del Schimtt-trigger. La entrada es una seal digital binaria daada por un
ruido adicional de elevado valor. Usando las Ecuaciones (2.44) y (2.aQ, el diseador ha fijado v* y v al
peor caso de los niveles de ruido. De (2.44) y Q.aO, el ancho de la regin de histresis es

v* -v =f,V,+vp)=H (2.41)

u uo(t)

-* vP

0i

I -- t.'
tl ,, .l- -
\r
,
'
. \,
,.!,::' -
"--t--
--,........t,.,,. ltt
_l..l'-
FIGURA 2.41 Empleo :/_'
de un Schmitt-trigger I
.,,|...
para eliminar ruido I I

I I
de una seal digital.

El diseador usar los parmetros R' y 11 de la regin de histresis. Las fle-


Rz para definir el ancho
chas muestran los tiempos /1 ] /2 cuando la entrada crtza el umbral y provoca el cambio al otro nivel.
El circuito da una seal binaria limpia que podemos ver proyectado los valores instantneos sobre la
curva de histresis. Advirtase que, debido a la histresis, la seal ms el ruido para un valor digital
positivo puede ser ms negativo que la seal ms el ruido para la seal digital negativa.
Aadiendo una referencia positiva Vn entre la entrada inversora y masa de la Figura 2.40a el
diseador puede trasladar la funcin de transferencia de la Figura 2.40ehacia la derecha por
R, * R,
Ir^
R,^
2.7 / Sumario 1115

220ko-

FIGURA 2.42 Schmitt-trigger


diseado en el Ejemplo 2.1 1 . +
mientras que la histresis permanece inamovible. Una tensin de referencia negativa desplaza la
curva a la izquierda. Debido a la realimentacin positiva, el Schmitt-trigger cambia de estado muy
rpido, hacindolo muy til para interface.r entre seales analgicas lentas y circuitos digitales de alta
velocidad. Estos ltimos funcionan mal en ocasiones, cuando las transiciones de la seal de entrada
son demasiado lentas.

EJEMPLO 2..l1 Disear un circuito Schmitt-trigger con una histresis de 2 V, centrado on v = +2,18 V,
empleando el HA25554 de la Tabla 2.1

Solucin Para H = 2V, (2.47)necesita


rfR., ll+lll:2
R^'.

Podemos satisfacerio empleando R, = 20 kO y R2 -- 220 kO. El centrado significa Vn = 2 Y y la Figura 2.42 es


el diseo linal. tr
Ejercicio 2.11 Cul es el peor caso de Ia tolerancia del +5Va de las resistencias en el ancho de la histresis
del ejemplo 2.11?
ResPuesta 2'2lV > 11 > 1'81
t:
!

2.7
SUMARIO

Este captulo describe muchos circuitos tiles que usan el amplificador operacional como dispositi-
vo activo. Cada circuito rcalizauna funcin importante de procesado de seal y podemos
"o..rbin*-
los fcilmente en sistemas de procesamiento complejos despreciando las resistencias de salida.
Lamayora de los circuitos usan realimentacin negativa para hacer la funcin ms o menos inde-
pendiente de los parmetros del operacional. Los circuitos ms imporlantes con realimentacin nega-
tiva son amplificadores inversores y no inversores, sumadores, amplificadores diferenciales y fuen-
tes de corriente, circuitos que no dependen de elementos almacenadores de energa para realizar su
funcin. Los circuitos con memoria como integradores, derivadores y filtros tambin usan realimen-
tacin negativa. Podemos obtener los principios bsicos de funcionamiento de los circuitos con ope-
racionales realimentados, tanto familiares como no familiares, usando la aproximacin de ganancia
infinita. Esto nos obliga a suponer que las corrientes y la tensin de entrada al operacional son
simultneamente nulas. Como los circuitos que usan operacionales realimentados son muy numero-
sos, es imprescindible dominar el anlisis de ganancia infinita para que podamos aplicarlo a cualquier
problema que podamos encontrar.
2 / Amplificadores operacionales

Los amplificadores operacionales tienen un cierto nmero de efectos internos de segundo orden
que suponen desviaciones del funcionamiento ideal. Son importantes porque determinan los lmites
prcticos de trabajo de los circuitos con operacionales y, por ello, nos imponen restricciones cuando
diseamos circuitos. Las hojas de datos de los operacionales dan datos numricos para describir los
efectos de segundo orden. Los efectos estticos son la ganancia finita, resistencias de entrada finita,
resistencia de salida no nula, corrientes de polarizacin, corriente y tensin de desviacin y lmite en
la tensin de salida. Los efectos dinmicos de segundo orden son el ancho de banda finito, el cambio
de fase y el slew-rate. Para incluir estos efectos en nuestro anlisis aadimos componentes al mode-
1o bsico VCVS del operacional. Como el modelo es ms real, se convierte en mas complicado y las
simulaciones en SPICE juegan un papel creciente en el desarrollo y soporte de la intuicin.
Los circuitos que no tienen realimentacin negativa emplean los operacionales como comparado-
res amplificadores- y no se aplica el anlisis de ganancia infinita. Cuando la tensin de entra-
-no
da es positiva, la salida es un valor de continua, el valor de saturacin a positivo y cuando la entrada (

j
es negativa, la salida es la saturacin negativa. Para este funcionamiento diremos que el operacional
l
trabaja en lazo abierto (aunque e1 circuito pueda emplear un lazo de realimentacin positiva). Varios
tipos de comparadores, incluyendo el Schmitt-trigger y los osciladores de relajacin emplean el ope- ,'

racional enlazo abierto. En el siguiente captulo se dan algunos otros circuitos no lineales para con- (

formado de ondas que empleen operacionales enlazo abierto I


(

I
REFERENCIAS
't

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2. JuNc, W.G. ic Op Amp Cookbook, Howard Sams, Indianapolis, 1974.
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5. Seon, A., y K. Svrru. Microelectronc Circuits,3rd Ed. Saunders College Publishing, Philadelphia, 1993. a

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7. Tunrsxca, P. SPICE. A Guide to Circuit Simulatirn & Analysis Using PSPICE, Prentice Hall, Englewood t
Cliffs NJ. 1988.
c

2
r
a
PROBLEMAS b

DIRECTIVAS IMPORTANTES PARA LOS PRO- Secciones 2.2.1 - 2,2,4


BLEMAS CON PSPICE No maneje los listados de sali-
2.1 Disear un amplificador inversor con ganancia de ten-
da de SPICE. En lugar de ello, sintetice la informacin til
sin de -20 y R = 1,5 kO.
del fichero de salida de SPICE igual que en los ejemplos
del texto. Incluya su cdigo SPICE y un diagrama del cir- 2.2 Disear un amplificador inversor con ganancia de -30.
cuito con los nodos numerados segn el cdigo. Mencione La corriente de salida del operacional debe ser 0,5 mA
Ios valores relevantes de la salida SPICE y comntelos cuando rr, = -2V.
cuando sea apropiado. Realice representaciones para cada 2.3 Para medir la ganancia diferencial de un amplificador
curva relevante y etiquete los puntos adecuados. Haga diferencial en el laboratorio necesitamos una seal diferen-
pequeas tablas para presentar los datos numricos si es cial pura como la de la Figura 1.24b. Todo 1o que esta dis-
til para mejorar la claridad. ponible es un generador de senoidales y,. Disea un cir-
117

FICURA P2.5 FIGURA P2.7


cuito operacional que d la seal que falta, con la fase c)
invertida y dibuje el circuito de la fuente resultante.
Exprese v como funcin de v,y V,.

Exprese u en funcin de ,, para el circuito. 2.8 Dibuje las curvas yi de entrada y salida det amplifica_
dor inversor de la Figura p2.8. Etiquete cada curva con Ia
2.4 Partiendo de (2.6, halle la expresin pan A, + AA, informacin cuantitativa aclecuada.
cambiando Rz por Rz + ARz y Rt por R, + /R1. Muestre que
para variaciones iguales del cociente AR/R, las variaciones 2.9 Demuestre que en el conveidor tensin_corriente de
de M/A,22(APJR). la Figura 2.5 Zrve infinita resistencia de salida.
Sugerencia Factorice y despus desprecie los trminos Sugerencia Aplique la definicin de la Figura 1.34b,
pequeos. despus reemplace Ztpor :una tensin de test y desconecte
la fuente de entrada r,.
2.5 Usar la aproximacin de ganancia infinita para halar
vI v del circuito de la Figura p2.5. 2.lO La Figura P2.lOa da el smbolo de un fototransistor y
Sugerencia Comience con la Figura P2.10b sus caractersticas de salida. Este disposi_
la corrienle en R3.
tivo convierte la intensidad luminosa I en Wm2 en una
2.6 La Figlra P2.6 muestra un amplificador inversor corriente de salida i".
diseado para una ganancia e -4. Esi conectado a una
a) Disear un convertidor corriente-tensin para procesar
fuente de R" = 5 kA y a una carga de R 5 kf).
= la salida del fototransistor. El circuito debe proptrcionar
a) Halle la tensin de entrada en funcin de v,. tensiones de salida entre 0 y +10 V para intensiad lumi_
Sugerencia Carga de entrada. nosa entre 0 y 400 Wm'z, respectivamente. Como ta tensin

b) Halle v, en funcin de u,. de salida debe ser positiva puede ser necesario un circuito
con dos operacionales. Dibuje un circuito para este sistema
c) Halle L en funcin de v.. usando una fuente dependiente controlada por luz para
2.7 En la Figura p2.7 representar el fototransistor.
, % es una tensin continua. El ope_
racional tiene ganancia infinita. b) Las caractersticas reales del fototransistor tienen pen_
a) Exprese ,r como funcin de v, y diente no nula. Redibuje el circuito del apartado (a) con el
V.
fototransistor reemplazado por un modelo ms adecuado
b) Exprese como funcin de v, si
y V. las curvas dejan el eje de corrientes con una pendiente [:ii
de
1/40 mA por voltio. Cmo cambia la tensin de salida
40 ko del ll:
t!
!

t
100 ko

|.-Fuente --N

FIGURA P2.6
FICURA P2.B
CAPITULO 2 I Amplificadores operacionales

l"(mA)

I,
8 400
lntensidad luminosa
^l+ -- 6 300 I I(wm2)
= I W/mr +l l/ 4 200 |

+l J
2 *'.- '-- 100
t\
t- U,

(a)

FIGURA P2.10 FIGURA P2.14

circuito I/V si se usa el transistor real en lugar del ideal? c) Halle l en funcin de v,.
Explquelo. d) Espera que lv,l sea mayor para este diseo que para el
inicial? Explquelo.
2.11 Se disponen de fuentes de tensin que producen
0.2 sen 20r y 9 V de continua. Se necesitan dos crcuitos de 2.L6 Reemplace cada amplificador de la Figura P2.16 por
acondicionamiento para tomar las tensiones disponibles un amplificador de la Figura 1.19a con valores numricos
como entradas y producir salidas de para r, R y R,. Use estos circuitos para hallar r1, :.2, 13! ra.
a) r'"(r)=4-4sen21t.
2.17 EnP2.l1 aparecetn sumador no inversor. Demuestre
b) v,()=4+4sen21t. que para un operacional de ganancia infinita, el circuito
Dibuje los esquemas de los dos circuitos indicando los queda descrito por
valores de los componentes. Si es necesario, se puede usar
ms de un operacional para cada circuito. ," =ll'*&'l
N\ R,)
$"
2.12 EnP2.I2halle v" I i" para
ou'
a) R, = 20 kO.
b) R=0.
Secciones 2.2.5 - 2.2.7

2.13 Disee un amplificador no inversor con ganancia de


20- La corriente de salida mxima del operacional de 0,5
mA suceder para una mxima tensin de salida de 8 V.

2.14 Halle los valores mximo y mnimo de la ganancia de


tensin para el circuito de la Figura P2.14 si se usan resis-
tencias del 57o.

2.15 Reemplace el amplificador inversor de la Figura P2.6 (a)


por uno no inversor de ganancia +4.
a) Halle v en funcin de v,.

b) Halle v, en funcin de y,.


121 kQ
200 ko

,:
(b)

FICURA P2"12 FICURA P2.16


Problemas I1 1 9

FIGURA P2.17 FICURA P2.20

Sugerencia Defina v, como la tensin de la entrada no v" = 4(v,-vo)


inversora.
La mxima corriente de cortocircuito del operacional es 25 ,f
2.18 a) Halle la resistencia de entrada del circuito de la tf
mA. Demuestre que para v" = 5 V ! vu = 2 V simultnea-
Figura P2.18. b) Utilizando la ganancia infinita, obtenga la ;
mente, la coriente de cortocircuito no se supera. -if
expresin de la ganancia de tensin v, / r;.
't
2.24 Construrmos en el laboratorio un amplificador de ins- i5
2.19 Demuestre que la resistencia de salida del amplifica-
trumentacin como el de la Figura 2.9a con una ganancia
i
,i
dor no inversor (con operacionales de ganancia infinita) es Il
nominal de 10. Rz y R1 tienen exactamente los valores dese-
nula. Aplique la definicin de R" y explique cada paso de i:
ados de 100 kO y 10 kA respectivamente; sin embargo, Ra
su razonamiento.
tiene un l0 7a mas del nominal t R3 un l07o menos. ,i
220 Para el circuito de 1a Figura P2.20 halle el valor de y., si a) Halle los valores numricos para los dos coeficientes de
a) v'=JV la Ecuacin (2.14)

b) v;=0V b) Descomponga v" y v en ss componentes de modo


comn y diferenciales. Halle despus los valores de Ay A,
c) Escriba una ecuacin que relacione v, con v.
y la RRMC del amplificador.
2.21 El operacional de la Figura P2.21 tiene ganancia infinita.
2.25 a) Descomponiendo v"y v6 de la Ecuacin (2.14) en
a) Halle la tensin v,, para el circuito'dado. sus componentes diferenciales y de modo comn, demues-
b) Aada una resistencia de 1 kO de Ia salida a masa. Halle tre que el amplificador diferencial de la Figura 2.9a ttene
Ia corriente que sale del operacional hacia esta resistencia. ganancias diferenciales y de modo comn.

2,22 Los dos circuitos con las cajas de la Figura P2.22 tie' &(R' +R,)+,Rr(R, * R-)
nen ganancia de tensin unidad. Calcule v" para los dos cir-
^-
^' 2ppn)
cuitos y explique por qu se diferencian las respuestas.
Secciones 2.2-8 - 2.2.9 R4R1 - R2R3
'^'- n,(Rr+R,)
2.23 El amplificador diferencial de la Figura P2.23 tiene un
operacional de ganancia infinita por lo que su ganancia es

I
FICURA P2.'IB FIGURA P2.21
l2Ol Cnpf UlO z / nmplfcadores operacionales

20 ko 1,)

lko 0,

FIGURA P2.22

b) Suponga Rz y Rr con valores colTectos (20 kO y 1 kO 30 ko


respectivamente) pero R S un I)Vo rnayor ! Rt un l%o
menor. Calcule los valores de A, A. y RRMC.

2.26 Recalcule el Ejercicio 2.2 cambiando Ia resistencia de


la fuente de 5 k por 50 Q.

2.27 El operacional de la Figura P2.2i tiene ganancia infi-


nita.
a) Halle la corriente en la fuente de continua.
b) Halle v.,. :
c) Halle la tensin de entrada en modo comn.
FICURA P2.27

2.28 Disear un amplificador como el de la Figura 2. l0b Haga que los valores de las resistencias sean tan prximas
que tiene una ganancia diferencial de 2.000. como sea posible.
a) Dibuje el esquema indicando los valores de resistencia
a) Dibuje el esquema del circuito indicando todos los vaio-
elegidos. res de 1os componentes.

b) Calcule las componentes diferencial y de modo comn b) Halle la magnitud y la polaridad de la rensin de salida
en la entrada y en la salida de la primera etapa amplifica- de cada operacional y la corriente por esta fuente cuando
dora cuando y, = +3 mV y v = -2,5 mV. v = 0,4V y Z es una resistencia de 10 kO.

c) Comenzando con los valores del apartado b), etiquete c) Halle la magnitud y la polaridad de la corriente de sali-
cada nodo del diagrama con su tensin. Emplee el anlisis da de cada operacional cuando v = 0,4 Y y Z1 es una resis-
de ganancia infinita y obtenga los cuatro valores ms tencia de 1 kO.
importantes. d) Repita el apartado (c) para v = -0,4 V.
2.29 Disee una VCCS que tenga una transconductancia
de - 0,3 mA/V usando operacionales de ganancia infinita.

20 ko

ub
1)

FIGURA P2.23
121

Secciones 2.3.1 - 2.3.5


2,34 }Jalle y dibuje la respuesta del integrador de la Figura
2.12 csando RC = 10 3 s y
a) la tensin de entrada es constante, v = 0,2 Y.
b) la entrada, v;(r), es un pulso de I V de amplitud y 2 ms
de duracin y la condicin inicial es v,(0*) = Q \,r.
c) La entrada v(t) = 9,2 sen 20 V (supngase funciona-
miento en rgimen permanente).

2.35 Obtenga la expresin de la ganancia para la Figura


,,au*o rr.r, 2.13b viendo el circuito como un filtro RC seguido por un
"amplificador" no inversor en que l/jcoC reemplaza a R2 y
2.30 Usando operacionales de ganancia infinita, disear R reemplaza a Rr. Vea por qu los dos productos RC deben
t:
una CCCS con ganancia de corriente de 20. Use cuatro ser muy prximos para que el circuito funcione como inte- I

resistencias iguales de 1 kO. grador.


:i
2.31 Demuestre que la resistencia de salida de la fuente de 2.36 La Figura P2.36 muestra wa inductanca "snttica" i
;
corriente de la Figura P2.31 esta dada por construida con un operacional de ganancia infinita, resis- ;l
;
tencias y un condensador. Empleando el anlisis senoidal
r R'Rr&

' R,&-&&
en rgimen permanente y la aproximacin de ganancia
nita para hallar la impedancia de entradaV I I.
infi- :

Sugerencias l) Justifique Vs=V.2) Escriba las ecuacio- ;i


Halle el valor de R, cuando Rr = R = 20,2kfl. y R2 = Ro = 1
nes que relacionan d con Ia, Ia con 13 ..., 1r con 4.
19,8 kO.
3) Comenzando con V I Ir sustituya hasta que quede slo en
2.32 El operacional d,eP2.32 tiene ganancia infinita funcin de las resistencias y el condensador.
a) Halle Ia resistencia de entrada entre los terminales xx y Advirtase que el circuito puede realizar una inductancia
dibuje la caracterstica de entrada. El anlisis es ms senci- de prcticamente cualquier valor para un condensador dado
11o si se reconoce un subcircuito familiar; sin embargo, porque los valores de Rr, R3, R4 y R5 pemiten el escalado.
tambin sirve aplicar los principios de ganancia infinita. Fste y otros circuitos parecidos son importantes porque no
es posible en la prctica fabricar inductancias en circuitos
Esta clase de circuito puede usarse para eliminar las pr-
integrados.
didas en circuitos sintonizados, produciendo un oscilador
de resistencia negativa.

2,33 El operacional de la Figura P2.33 tiene ganancia infi-


n'ita.
a) Exprese v* en funcin de v,.
b) Aplique la ley de Kirchhoff de las corrientes al nodo v.,
para hallar la expresin de v, en funcin de v,.
c) Halle una expresin parav. / v",

FICURA P2.33 FICURA P2.36


CAPTULO 2 I Amplificadores operacionales

cz

FICURA P2.37

2.37 Se han diseado dos filtros con la misma frecuencia 2.43 El derivador de la Figura 2.76a emplea RC = 104s.
as = ll RzCt. Cada uno se conecta despus a una fuente de Halle v,(r) cuando v;(/) = 0,04 sen 25r + 0,015 cos 200.
resistencia interna Rs como en la Figura P2.37. Halle y Suponga funcionamiento en rgimen permanente.
compare las funciones reales de los filtros V" I Vs. LQU
2,44 Coloque un condensador C, en paralelo con R en el
conclusin podemos sacar de esta comparacin?
derivador de la Figura 2.16a.Halle y dibuje la magnitud de
2.38 Disee un filtro que tenga las caractersticas de ancho la ganancia como funcin de ro.
de banda de la Figura P2.38 usando dos circuitos de filtro
2.45 Emplee circuitos con operacionales en cascada para
en cascada. Disear para que el menor condensador sea
disear un cuadripolo que satisfaga las siguientes condi-
1.000 pF y el mayor 1 -rF y distribuya los 20 dB de ganan-
ciones: resistencia de entrada nula. la salida es una fuen-
cia por igual entre los dos filtros. D el esquema final con
te de corriente dependiente conectada a masa y
el valor de los componentes.
" = 20
2.39 Obtenga laBcracin (.2.25). li,0)dt
2.40 Recalcule el Ejemplo 2.3 usando el filtro de segundo
orden de la Figura 2.75a con A = 3 -{2. Emplee C = 0,001 Seccin 2.4
rF para el condensador y R' - 2 kO en el amplificador. 2.46 a) Utilice el anlisis transitorio en SPICE para dibu-
jar la respuesta del derivador de la Figura 2.16 a un pulso
2.41 Disee un oscilador senoidal de 800 Hz basado en el
de 1 V y 20 ms de duracin conR = 10 kO y or = 0,01pF.
circuito de la Figura 2. l5a.
b) Reptalo paraR = 10 kO y C = 2 PF.
2.42 La forma de onda de la Figura P2.42 es la entrada
c) Que conclusin se puede sacar de comparar los resul-
para el derivador de la Figura 2.16a.
tados de (a) y (b)?
a) Dibuje la forma de onda de la salida.
b) Halle RC si la tensin de salida debe estar siempre en el
2.47 Construya un modelo en SPICE para el amplifica-
margen
dor diferencial de la Figura 2.9a con Rz = R+ = 10 kO y
R:=Rr=1kO.
+I2> vo > -l2Y
a) Aplique una seal de modo comn a las entradas y halle
c) Haga un dibujo comentado de v,(t) para el diseo del la tensin de salida usando SPICE. Cul es la ganancia de
apartado (b). modo comn?

zro (voltios)
Ganancia (dB)
20 dB
z0 dn/dec -20 dB/dec
| (
ro (rad,/s)
126

FICURA P2.38 FICURA P2.42


Problemas 4123

b) Repita el apartado a) pero cambiando R a 9 kf). 2.52 Un amplificador inversor con operacionales de
c) Emplee la expresin de A. dada en el Problema 2.25 ganancia infinita tiene una ganancia de -500. Halle la
para comprobar el resultado de b). ganancia real del circuito y e\ Va de error cuando el opera-
cional tiene
2.48 Emplee el SPICE para dibujar Ia respuesta en fre-
a) A = 704
cuencia del filtro diseado en el Ejemplo 2.3. Con el resul-
tado verifique que tiene la frecuencia de corte deseada. b) Ad= 10s

2.53 La Figura P2.53 es el circuito equivalente del ampli-


Secciones 2.5,2 - 2.5.5 ficador no inversor en el que el operacional tiene ganancia
2.49 Demuestre que cuando el operacional tiene ganancia Ad y resistencia de salida r,. Demuestre que la resistencia
infinita Ar, el amplificador no inversor tiene ganancia de salida de este circuito es
,,, A,
yi = 7+ A,lRlf (n, +nr) &= l+ r" I (R,+ AdRrl(Rr +
&)+ &)

2.50 Cuando el operacional tiene ganancia infinita, el inte- Sugerencia El circuito es manejado por una fuente de
grador queda descrito por (2.23). tensin ideal de vr voltios.
a) Demuestre que cuando tiene ganancia finita A.i, la 2.54 a) De (2.31) estime la R. ms pequea para que la
expresin es respuesta de ganancia infinita vo I v,z *ft, / R1 es una buena
aproximacin. La respuesta involucra a A, R1 y R2.
Y.= -t
v tl Ao + jaRC(l + rl Ao)
Sugerencia Comience escribiendo una desigualdad
"mucho mayor". Despus emplee la aproximacin de inge-
b) Halle una desigualdad que indique el margen de ro en
niera en la que "mucho mayor" quiere decir "al menos un
qlue (2.23) es una buena aproximacin aunque la ganancia factor de 10".
sea finita. b) Para un amplificador inversor que use Rz = 2O k,
Rr = 1 k y A= 705, Cul es el menor valor de R. que no
2,51 La Ecuacin (2.27) descrlbe el derivador cuando el puede ser despreciado cuando la ganancia se calcula con la
operacional tiene ganancia infinita. aproximacin de ganancia infinita?
a) Demuestre que, para ganancia finitaAo, la expresin se
convierte en
2.55 Construya un modelo SPICE, para el filtro del Ejemplo
2.3. Use el anlisis de alterna para obtener la respuesta en
v.= - jaRC frecuencia del filtro para un operacional de ganancia
vi (1+IlA)+ j(DRClAd a) Ad= 108yR;=co.
b) Halle la desigualdad que da el margen de ot para que bt A.1 - l0'yR'=l00ko.
(2.21) es una buena aproximacin aunque la ganancia sea Examine Ias curvas cuidadosamente e identifique cualquier
fi n ita. diferencia en ganancia y/o frecuencia de corte enffe las cur-
vas de SPICE y las esperadas.

2.56 Se necesita una fuente de laboratorio de continua de


5 V pero solo se dispone de una fuente de +15 V.
a) Muestre cmo se podra usar un divisor de tensin y un
operacional como buffer para obtener la fuente deseada.
b) Por qu se necesita unbuffer en(a)?
c) Si se usa un 741 como buffer cul es la mxima corrien-
te que puede dar la fuente de +5 V? (En el Captulo 10
veremos como se disean amplificadores operaconales de
potencia para dar altas potencias de salida.)

Secciones 2.5.6 - 2.5,9

2,57 Un amplificador inversor de ganancia -80 emplea un


FIGURA P2.53 operacional que se satura a +10 V. l;i

L
f,
I
CAPITULO 2 / Amplificadores operacionales

uo(t)

=-
(a) (b)
FICURA P2.60

a) Halle la mxima tensin de entrada con funcionamiento zacin en amplificadores inversores y no inversores.
lineal. Advierta que cuando v; = 0, los circuitos son idnticos. As
b) Halle slo se necesita estudiar un circuito.
los mnimos valores de R, y Rr si el operacional
tiene una corriente de cofiocircuito de 5 mA. Suponiendo ganancia infinita, halle la expresin de y, en
c) funcin de In, Rz, Rr y R" para la Figwa 2.28c cuando
y Rr del apartado (b) calcule la
Para los valores de R,
v' = 0. Halle el valor de R, que hace nula la salida debida a
disipacin de potencia en cada resistencia cuando la ten-
la desviacin.
sin de salida es l0 V.
d) Para resistencias 100 veces mayores que en el apartado 2.62 a) Demuestre que la componente de la salida de un
(b) calcule la corriente de salida y la disipacin de potencia derivador debido a la coriente de polarizacin es RIa.
en cada resistencia cuando y, = 10 V. b) Demuestre que la salida de un integrador debida a la
corriente de polarizacin es dv.ldt = IBIC.
2.58 Un integrador emplea operacionales de ganancia infi-
nita. Relacione la tensin de salida v, con la corriente de c) Cuanto tarda el integrador en saturarse cuando C =
desviacin del operacional cuando y = 0. 0,001 F, 1 = 80 nA y I VsruntcN I = 14 V?

2.59 Cuando el operacional de la Figura 2.28c fiene :una 2.63 Halle el valor de la tensin de desviacin de la salida
corriente de polarizacin 13 demuesfre que si & de un derivador cuando la tensin de desviacin es 5 mV.
= Rl lR2,
v,=0cuandovr-0.
2,64 Los operacionales de ganancia infinita en las dos eta-
2.60 E\ operacional de ganancia infinita de la Figura pas de la FiguraP2.64 se saturan a + l0 V. Si cada uno riene
P2.60a tiene una tensin de desviacin Vos. una tensin de desviacin Vost = Vos, = 8 mV con las pola-
ridades indicadas.
a) Demostrar que vo crece con (l/RC)Vos.
b) Si RC = 0,01s y Vos = 5 mV, cunto se tarda en llegar a) Halle la componente de v" debida a cada tensin de des-
viacin,
al lmite de saturacin de l2Y?
c) Tras la saturacin del operacional qu tensin hay en el
condensador?
Para prevenir la saturacin por la tensin de desviacin, a
veces se coloca una resistencia grande R2 en paralelo con C
como en la Figura P2.60b. El condensador slo se carga
hasta que se alcance el equilibrio (Cdv/dt = 0).
d) Verifique que para Vos = 5 mV y R2 = 100 x R el valor
final de y es menor que el lmite de saturacin del opera- 91 kC
cional.
4.7 kQ
Sugerencia Con 1a fuente desconectada, el circuito en 4.1ko-
equilibrio se parece a la Figura 2.26b.

2.61 Las Figuras 2.28b y 2.28c muestran la resistencia &


aadida para eliminar el efecto de las corrientes de polari-
TIGURA P2.64
b) Dibuje la funcin de transferencia v. / v, del amplifica- 2.70 a) Disee un filtro de primer orden usando operacio_
dor mostrando la ganancia, la tensin total de desviacin y nales de ganancia infinita, dos resistencias y un condensa_
los lmites de saturacin. dor. El filtro tendr una resistencia de entrada de 10 kO.
c)Suponga que la tensin de entrada es tal que produce una frecuencia de corte de 5 x lOs Hz y una ganancia en
cambios de +8 V en v, cuando no se tiene en cuenta la ten- bajas frecuencias de 10 dB.
sin de desviacin. Cmo son las variaciones de v,? b) Haga el modelo SPICE del filtro usando una VCVS de
Comprelo con V5 1. ganancia 10E para el operacional de ganancia infinita.
d) Se saturar con esta combinacin de seal y off'set? Obtenga la respuesta en dB para verificar el diseo.
Indique la seal de entrada del apartado c) en la funcin de c) Cambie el operacional por un modelo que incluya el
transferencia dei apartado b). ancho de banda y la ganancia del'l4I. Calcule la respuesta
del filtro usando este modelo.
2.65 Use el modelo de la Figura 2.30c para analizar el
efecto de la RRMC en la ganancia del amplificador no 2.71 La Ecuacin (2.29) cla la ganancia de un amplificador
inversor. inversor con un amplificador de ganancia A.

Secciones 2.5.10 - 2.5.14 a) Halle la expresin de la respuesta si el operacional tiene


la ganancia compleja dada por (2.35).
2.66 a) Dibuje e1 circuito del modelo SpICE del operacio-
nal que incorpore simultneamente todos los parmetros: b) Demuestre que la expresin de (a) puede ponerse de la
ganancia en modo diferencial, resistencia de entrada, resis- forma
tencia de salida, tensin de desviacin, corriente de desvia-
(&+ A,&+ &)
cin, corrientes de polarizacin. ,s',"(t) = -,q,nrf
b) Escriba el cdigo 1+ j(rolro")
SPICE para ese modelo, adecuado
para el HA2544 de la Tabla 2. 1. (-R,R,)
-
2.67 Disee un amplificador no inversor con ganancia 1+7,J
200. Halle el tiempo de subida si el operacional empleado
es

a el74l descriro en la Tabta 2.1.


b) el2544. *B RI
*"1,,.,&*n,
.,.=r,,[,+.4,
I

2.68 Disee un amplificador inversor con ganancia


-70.
Halle el tiempo de subida si el operacional usado es
2.72 Un operacional tiene los siguientes parmetros
a) e1741 descrito en la Tabla 2.1. resistencia de enada = 40 kO
b) e|2544. resistencia de salida = 150 f)
2.69 Se necesita un amplificador de ganancia 800 y ancho ganancia = 20.000
de banda 1 MHz. Estudie los diseos con una, dos, tres y
coiente de desviacin = 0,2 pA
cuatro etapas idnticas no inversoras. Hgalo en una tabla
que muestre la ganancia de las etapas y el ancho de banda frecuencia a ganancia unidad = 5 x 106 rad/s
en Hz para el74l y eL2544. a) Construya su modelo SPICE.

Rr = 3'3 kQ
bl Disee un inversor con ganancia nominal de -20.
c) Emplee SPICE para dibujar la respuesta en frecuencia
del amplificador con un operacional como el del apartado
(a). Compare Ia respuesta en frecuencia de la simulacin
con la esperada.

2.73 El Ejercicio 2.9 indica que el derivador tiene curvas


de amplitud y fase como en Ia Figura 2.35 cuando se inclu-
ye la dinmica del operacional
a) Obtenga la expresin de la ganancia en funcin de la
frecuencia siguiendo el procedimiento siguiente:
Observe que cambiando R1 por lljuC y R2 por R en el
inversor se obtiene el derivador. Comience con la respues-
ta en frecuencia del inversor dada en el problema 2.71b
CAPTULO 2 I Amplilicadores operacionales

(expresin completa). La expresin final debe incluir a A,, las formas de onda de entrada y salida si Vp - Vm = 10 V,
RC,y au. Rt = 2,4 kO y R, = 4,7 ldl incluyendo las posiciones rela-
b) Suponga que el pico de la curva de respuesta tiene lugar tivas y los pasos por cero de las dos formas de onda.
cerca de la frecuencia que hace que la parte real del deno- 2.80 Aada a la Figura 2.40auna tensin de referencia de
minador se hace cero. Detemnese esta frecuencia usando tal forma que haga que la entrada inversora sea positiva res-
A=2x 105,RC=2nxl03!a.=2n x 106, losmismos pecto de masa.
r.alores empleados en la simulacin.
a) Empleando este circuito modificado, halle las nuevas
c) Use la expresin terica para confirmar que a altas fre- versiones de las Ecuaciones (2.43) - (.2.46) vlidas para 1.
cuencias la fase del derivador tiende a -2'70. Dibuje el circuito equivalente para ayudar en el razona-
2.74 Un inversor con el 741 tiene ganancia -80. miento.
a) Halle el ancho de banda otr. b) Dibuje la funcin de transferencia para Vp = Vv = 8 V,
Vn = +4,0V, Rr = 5 kO y R, = l0 kO
b)Halle la mxima amplitud de la senoide a ro6 que puede
manejar sin problemas de capacidad de cambio de tensin. 2.81 El oscilador de relajacin de la Figura P2.81 usa un
c) Repita (a) y (b) paru el}{A2544. circuito con dos estados para generar oscilaciones peridi-
cas en la salida. El operacional trabaja en los lmites de
2.75 a) Estime el tiempo de subida t. de la salida del ampli-
saturacin, en este caso +14V.
ficador no inversor de ganancia 20 construido con el 741.
a) Dibuje el circuito equivalente suponiendo v,= -14 V. En
b) Si el amplificador sube linealmente desde 0,1 a 0,9 del I = 0 el condensador est cargado ava x -3,24 V. Calcule v,
valor final de un pulso de salida en /, segundos, donde /, es y diga por qu el operacional debe cambiar pronto de ena-
la respuesta de (a) cmo es de grande el pulso de salida? da.
2.76 El circuito de la Figura 2.12 integra una onda cuadra- b) Dibuje un nuevo diagrama mostrando el nuevo circuito
da de frecuencia variable de 2 V de amplitud. Halle el mni- equivalente. Use el valor final de la tensin en el conden-
mo slew-rate aceptable en funcin de la frecuencia. sador de (a) como condicin inicial. Cunto tiempo estar
Advierta slew-rate del operacional no debe limitar la
qll.e el el operacional en e1 estado supuesto?
frecuencia de la onda que puede integrar. c) Revise los apartados anteriores del problema. Despus
intente dibujar v.(t) y 4Q) para todo r. Halle Ia frecuencia
Seccion 2.6
de la onda-
2.77 El comparador de la Figura 2.38a usa un operacional
con lmites de saturacin de + 15 V. Si el slew-rate es de 2.82 Use el modelo de dos entradas en lazo abierto de la
150 V/rs cmo son de rpidas las transiciones? Figura2.24 para demostrar que el circuito Schmitrtrigger
de la Figura P2.82 tiene la funcin de transferencia indica-
2.78 Un termmetro electrnico produce una tensin de
da. Halle las expresiones de v* y v en funcin de los valo-
salida en mV dada por
res de las resistencias y de los lmites de saturacin.
u"(z)= 30+37
donde Z es la temperatura en oC.
a) Dibuje la caracterstica del termmetro.
Un comparador como el de la Figura 2.38a con una tensin
de referencia de 5 V cambia su estado de salida cuando la
temperatura supera 50o C.
b) Dibuje el diagrama del sistema indicando cmo se usa un
circuito con operacionales para conectar r;"(f con la enada
del comparador. Incluya los valores de los componentes.
c) Si el operacional tiene una tensin de desviacin de
+5 mV el comparador podra cambiar de estado a una
temperatura incorrecta. Use los valores mas crticos de
esta tensin de desviacin para establecer los extremos
superior e inferior en los que e1 comparador podra cam- t

biar de estado.

2.79 A un Schmitt-nigger como el de Ia Figura 2.40a le


FIGURA P2.82
entra una forma de onda triangular de l0 V de pico. Dibuje
l'127

Captu lo

SEMICONDUCTORES, UNIONES p-n


Y CIRCUITOS CON DIODOS

En este captulo vamos a revisar la conduccin elctrica en dos clases de materiales que nos son fami-
liares, aislantes y conductores. Despus estudiaremos unos materiales especiales llamados semicon-
ductorS:s que tienen propiedades elctricas intermedias entre conductores y aislantes. Prestaremos
especial atencin a las uniones entre diferentes tipos de semiconductores porque estas uniones son
crticas para el funcionamiento de muchos dispositivos de estado slido importantes. El ms simple
de estos dispositivos es la propia unin, el diodo de unin. Despus, equipados ya con los conoci-
mientos tericos necesarios construiremos modelos simples para representar el diodo. Finalmente,
utilizaremos los modelos para analizar y disear interesantes y tiles circuitos.
Cuando los circuitos electrnicos eran dispositivos discretos fabricados independientemente e inter-
conectados entre s, perdamos poco por retrasar el estudio de la fsica de estado slido hasta los lti-
mos cursos, simplemente introducamos los dispositivos utilizando sus curvas tensin-corriente. Sin
embargo, hoy, la mayora de los cicuitos electrnicos son ntegrados. Todos los componentes del cir-
cuito se fabrican al mismo tiempo en el mismo chip de silicio. Respecto a las caractersticas fsicas de
todos los componentes del chip, el proceso de fabricacin comn fija al diseador unas restricciones y
posibilidades nicas para todos ellos. Para apreciar mejor las restricciones y utilizar las posibilidades
existentes, es til una breve introduccin a la teora de estado slido. Esta teora proporciona la herra-
mienta matemtica que necesitamos para acceder al proceso bsico de modelado de la Figura l.l4 y,
dentro de este proceso, nos proporciona una perspectiva fsica de los dispositivos. Para evitar largas des-
cripciones, que puedan distraerros de nuestro objetivo, presentamos los conceptos de la teoa de esta-
do slido de forma simplificada e intuitiva (muchos libros de texto excelentes cubren esta materia ms
rigurosamente, Streetman y Mattson, incluidos entre las referencias del final del captulo, son buenos
ejemplos.)
Este captulo tambin introduce importantes conceptos referentes al funcionamiento de circuitos
no lineales. Si estuvieran disponibles fuentes dependientes y lineales las usaramos para construir los
amplificadores de los captulos precedentes; sin embargo, los nicos dispositivos que tenemos son
los semiconductores llamados transistores. Estos tienen caractersticas de salida similares a fuentes
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

de corriente dependientes, pero slo en ciertas regiones del plano vl. Los modelos del diodo juegan
un papel importante para ayudarnos a entender y analizar tales comportamientos no lineales.

3.1
CONDUCCIN EN AISLANTES Y METALES

3.I.1 AISLANTES Y METALES

Consideremos un slido aislante como el diamante. Faltos de energa, los tomos del diamante per-
manecen juntos en una red cristalina de geometra regular. Si incrementamos la temperatura, los to-
mos empiezan a vibrar alrededor de sus posiciones en la red, y a medida que se aumenta la tempera-
tura progresivamente, este movimiento aleatorio pasa a ser cadavez ms violento. Los electrones de
valencia compafien este movimiento, pero, debido a las fuertes fuerzas atmicas, permanecen estre-
chamente ligados a sus tomos internos. Debido a que no existen electrones libres de las fuerzas at-
micas y capaces de moverse a travs de la red cristalina, cualquier campo elctrico establecido en el
aislante por una fuente de tensin externa no produce comiente. La esencia de un aislante es, enton-
ces, que todos los electrones de valencia permanezcan firmemente ligados a sus tomos internos,
incluso a altas temperaturas y en presencia de un campo elctrico.
En el otro extremo estn los conductores como la plata, el oro o el cobre, cuyos tomos de valen-
cia estn ligados a los tomos intemos por fuerzas atmicas dbiles. A una temperatura de cero abso-
luto los electrones de valencia estn en las mismas condiciones que en un aislante. Sin embargo,
como las fuerzas atmicas son dbiles a una temperatura ligeramente elevada, todos los electrones de
valencia son sacudidos desligndose de sus tomos internos y siendo capaces entonces de moverse
libremente a travs de la red cristalina. La concentracin resultante de electrones libres, alrededor de
1022 por cmt, es un nmero enorme. El resultado es una red de iones positivos inamovibles vibrando
aleatoriamente en un mar de electrones libres con una movilidad muy alta.

3.1.2 DESPI-AZAMIENTO EN UN CAMPO ELCTRICO

Debido a su energa trmica, los electrones libres se mueven a alta velocidad hasta que colisionan con
un ion de la red cristalina y entonces cambian se direccin. Como este movimiento es aleatorio no
hay desviacin direccional y el desplazamiento medio es cero. Las trayectorias de la Figura 3.1 des-
criben en dos dimensiones desplazamientos tridimensionales sucesivos, comenzando en el punto 0 y
finalizando en el punto 6. Para comparar, las lneas azules muestran el movimiento de los electrones
en presencia de un campo elctrico E. Como la intensidad de campo es fuerza por unidad de carga,
el campo acta sobre el electrn, produciendo una desviacin direccional a cada trayectoria. Debido
a su carga negativa, el desplazamiento de la red de electrones es opuesto a la direccin del campo.
Aunque el desplazamiento de la red es pequeo comparado con la suma de los desplazamientos indi-
viduales, explica los importantes procesos de conduccin elctrica.
El desplazamiento medio por unidad de tiempo causado por el campo elctrico es la velocidad de
desplazamiento, v del electrn. Supuesto que la intensidad de campo no es demasiado grande, la
velocidad media de desplazamiento, (v), de los electrones libres vara en proporcin directa a la
intensidad de campo elctrico E. Cuantitativamente

(, o) - u,,u (3.1)

:'

t
Conduccin en aislantes y metales 129

constante de. proporcionalidad pu, es ra mov,idacr der


-1-110".tu erectrn. Los i
ratura provocun
-ouii,i"'n;;;;l;;-&:;^;i;;'";'{,":i"i:;r:"',?l;,?lT;TH:*1'"':TY::
ms frecuentes de los
disrancias ms p"qu"nul'ili#:ffiil:I?,ilrt"ll
::,:::::".:",i:l:::"frj: ta red cristalinaymedio J, L""'p","";i;;;""
f::"",'"T:.::i1'j*: 1," *:0,",,"-iento
tanto, la movilidad del electrn d.ecrece con la femperatura. "";il:,ffiJ';::i:
<-
E
1!

FIGURA 3.1
Desplazam ientos tpicos
de un electrn sin camp<_r
elctrico (lneas cont inuas)
y con campo elctrico
(lneas discontinuas). El
punto de comienzo es 0.
l+Desplazamienro >l
de la red

3.I.3 RESISTENCIA
Estas simples ideas fsicas nos ayudan a
comprender las resistencias. La Figura
slido conductor' de longitud t y una seccin_ 3.2 muestra un
transversal de rea A, al cual se le aplica
sin externa' Esta tensin establlce dentro una ten-
del material ."po'"rectrico uniforme
a | E I =v/L vorrios p". ;;;;,;;;;'ij
JI ru *ugnitu"" "r ui"t, o. para
estimar
de
el
intensi-
compor_
tamiento medio' visualizamos todos los electrone.s
libres, incluyendo aquellos mostrados expl-
citamente en el volumen de prueba supuesto,
movindose juntor"rru"iu la izquierda a la
media de desplazamiento. velocidad

10,)l= u.l (3.2)

\<_-- z

FIGURA 3.2
Desplazamiento
de electrones libres
en una resistencia.
v
La fuente externa quita simultneamente electrones
del lado positivo del material y los propor_
ciona al lado negativo para mantener una
corriente externa de l amperios. Esta ,d;i;
"orrl".rt.",
i

CnpfUlO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos l


nmero de culombios de carga negativa desplazado por delante del punto de observacin p cada
segundo. De la Figura 3.2 vemos que la carga Q en culombios dentro del volumen imaginario es
g= qnAd (3.3)
tnC
donde q = 1,6 x 10 es la carga del electrn y n es la concentracir de electrones libres en elec-
trones por unidad de volumen. El tiempo, Ar, requerido por esta carga para desplazarse por delante
del punto de observacin es
d
A= / \ (3 4)
\vrl
Dividiendo la Ecuacin ( 3.3 ) por la Ecuacin (3.4 ) y utilizando l(v.)l de la Ecuacin ( 3.2 ) obte-
nemos

I I l-).]
v:t_t_tv (3.s)
lqnt,\A)l
Como la relacin entre V e 1es la resistencia -R del material, la Ecuacin ( 3.5 ) muestra que R depen-
de de las dimensiones espaciales y de las propiedades del material. Para separar las contribuciones
geomtricas de las propiedades del material, expresamos la resistencia R de la forma

n=1"!
oA
(3.6)

donde o, la conductividad, es un parmetro que caracteriza el material conductor a partir del cual
construimos la resistencia. De las Ecuaciones (3.5) y (3.6)

o: qnt,siemens / cm (3.1)

Para producir cadas de tensin apreciables en un espacio fsico pequeo, las resistencias utilizan
materiales conductores con baja movilidad como el nquel-cromo, carbono, pelcula de carbono y
pelcula metlica.
La Ecuacin ( 3.5 ) se refiere a la forma ms fundamental de la ley de Ohm. Sustituyendo el valor
de de la Ecuacin (. 3.1 ) y dividiendo ambos lados por L se obtiene

!v ol
A:
El lado izquierdo es la magnitud de la densidad de corriente J, la corriente por unidad de irea pro-
ducida por el campo E en un punto del material. Utilizando notacin vectorial, la ley de Ohm es

J=oE (3.8)

Por lo tanto, la densidad de corriente es, en cualquier punto, directamente proporcional a la intensi-
dad de campo, y la conductividad es la constante de proporcionalidad.
Conduccin en aislantes y metales 131

3.1.4 COEFICENTE DE TEMPERATURA DE UNA RESISTENCIA

Veremos ahora cmo varalaresistencia de un material conductor con la temperatura. En su momen-


to, estos conceptos nos ayudarn a entender cmo disear circuitos electrnicos que puedan funcio-
nar adecuadamente dentro de un amplio margen de temperatura.
En un conductor, la concentracin de electrones libres, n, en la Ecuacin(3.7 ) es una constante
porque todos los electrones de valencia contribuyen a la corriente; sin embargo, la movilidad
r,
decrece con la temperatura debido a que se hacen ms frecuentes las colisiones. Por lo tanto, espera-
mos que o decrezca y la resistencia de la Ecuacin ( 3.6 ) aumente con la temperatura. Esto est de
acuerdo con las medidas en resistencias metlicas, que muestran una variacin tpica lineal como la
de la Figura 3.3. Para 7 muy cercana a alguna temperatura de referencia Z, la expresin de esta lnea
recta toma la expresin

n(r) = n(r^)[r * r^)]


"(r -
(3.e)

donde R(?") y R(f^) son las resistencias a las temperaturas Z y Z, respectivamente. La constante cr ,
llamada el coeficiente de temperatura de la resistencia, es la variacin R por cada unidad de tempe-
ratura

Int rt - n( r^ )]/n( r- ) AR/R


(3. r0)
T-Tr LT
(Utilizamos coeficientes de temperatura similares para describir resistencias no metlicas, con-
densadores, tensiones de referencia y otras magnitudes donde la variacin de la temperatura
influye).
Con las Ecuaciones (3.9) y (3.10) podemos tratar cuantitativamente los cambios en la resistencia
inducidos por la temperatura, como vemos a continuacin.

FIGURA 3.3 Variacin


de la resistencia
con la temperatura
para una resistencia
de metal.

3.1. A 18oC una resistencia tiene un valor


Ejercicio de 20 kO. Si o = 0,0039/"C Cul ser la resistencia a 50"C?
Respuesta R=22,5kO

il.
EJEMPLO 3.1 Determinar el margen de temperatura centrado en 18 oC para el que la resistencia del Ejercicio
3.1 vara no ms del +257o de su valor nominal de 20 kO.
li
Solucin IJn 5Va de variacin significa que M/R = 0,05. De la Ecuacin (3.10),

a=0.0039-0'05
AT
/I
,/
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

as que AT = 12,8'C. Por lo tanto la resistencia estar dentro de las tolerancias especificadas pala

(t g' c- 12,8" c) < r < (18" c + 12,8" c)

5,2"C<Z<30,8'C
f,

3.2
CONDUCCIN EN SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

3.2.1 SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Los semiconductores son materiales tales como el silicio, germanio o arseniuro de galio, que tienen
propiedades conductoras intermedias entre los aislantes y los metales. Distinguimos entre semicon-
du"ior"r intrnsecos y semiconducfores extrnscos, que sern el objeto de la prxima seccin.
Debido a su importancia creciente, nos centraremos bsicamente en el silicio, sin embargo, nuestros
resultados generales se aplican tambin a los otros semiconductores.

3.2.2 ELECTRONES LIBRES Y HUECOS

La Figura 3.4 muestra un tomo de un semiconductor de valencia 4 como un in y cuatro electrones


de valencia asociados. En estado slido, muchos de estos tomos muy cercanos forman una red cris-
talina regular en la que cada electrn de valencia es compartido en un enlace covalente con otro de
los cuatro tomos vecinos ms cercanos. La Figura 3.4b es una representacin bidimensional de esta
red tridimensional cuando es perfecta.
Los enlaces covalentes que fijan los electrones de valencia a los tomos internos en los semi-
conductores son ms fuertes que los enlaces metlicos pero considerablemente ms dbiles que los
enlaces en los aislantes. Por lo tanto, cuando una red cristalina adquiere energa trmica y la tem-
peratura aumenta, algunos enlaces covalentes se rompen. Los electrones de valencia se liberan de
la atraccin de sus tomos internos y se conviertenen electrones de conduccin, libres para des-
plazarse en respuesta a un campo elctrico. La Figura 3.4c muestra un electrn de conduccin, que
se ha desplazado a la derecha bajo la influencia del campo. Al contrario que los conductores, donde
todos los electrones de valencia estn disponibles para la conduccin a baja temperatura, slo wa
pequeafraccin de los enlaces se rompe en un semiconductor. A mayores temperaturas, los enla-
ces covalentes se rompen en mayor cantidad, proporcionando electrones libres adicionales.
En un conductor, el producto de la rotura de cada enlace es un electrn de conduccin y un in
positivo, /r7o en la red cristalino. En un semiconductor, sin embargo, cuando se rompe un enlace
y se van los electrones, queda tambin una carga positiva en la red llamada hueco y que tambin
es mvil. En la Figura 3.4d una flecha muestra el hueco asociado con el tomo central ionizado;
el electrn que anteriormente ocupaba e1 sitio vacante se ha desplazado fuera de la figura. La
Figura 3.4e muestra el mecanismo mediante el que se mueve el hueco. El electrn de un enlace
covalente vecino que, por casualidad, se aproxima al sitio vacante de la red cristalina es captura-
do por las fuerzas atmicas locales, abandonando su tomo original y formando un enlace cova-
lente con su tomo vecino. En efecto, el hueco se ha movido a una posicin adyacente en la red
cristalina.
3.2 / Conduccin en semiconductores intrnsecos 133

E
<-

il il lt | | lt

t|||
=E=E=E= =E=E=E=
_E4_ =E-E=E= ll
-E1E=E=
-))+-ll
l lt l l | | lt
=E=E=E= =E=E=E=
ll | | ll il tr
(a) (b) (c)

E E
<- <-

lt I lt il | tl ll | il
=E=E=E= =E=E=E- A -rt-r- A
--/+3\-W -/*:\=
rlil | | ---. ll ll il lt I
-ErE=E=
lt I
-EtE=E- A
-w-\=t=
lt | | tl |llI
=E=E=E= =E=E=E= -A-,^-zr-
-\-w-\-
|il| ll|il lt | ll
(d) (e) (f)
FlcuRA 3.4 semicondutor intrnseco: a) semiconductor de tomo de varencia 4;
b) estructura de una red cristalina atmic p"rr".in; c) generacin
trmica de un electrn libre; d) hueco generado
despus de que el electrn libre producido're l,uya ido; e)
movimiento
de un hueco balo la influencia.de un campo elcirico; f)
semiconu.ir. compuesto (arseniuro de galio) con
tomos de valencia 3 y valencia 5 con los enlaces intactos.

Pero el hueco no slo tiene un movimiento aleatorio, sino que


tambin se desplaza bajo la influen-
cia de un campo elctrico contribuyendo a la generacin de
iorriente. un .u-po elctrico produce
movimiento de los electrones atrayndolos haia su polo positivo.
Esto estimula el movimiento de
los huecos en la direccin del campo, como en las Figurasi.4d
y e. como en realidad los electrones
cambian sus posiciones, tratar los huecos como partulas
cargaas mviles, puede parece. u pri."-
ra vista artificial e innecesario. Estudios de mecnica cuntica
emuestran, sin embargo, que el movi-
miento de los huecos es matemticamente equivalente al desplazamiento
de una partcula cargada
positivamente y con una_ masa ligeramente superior
a la de un electrn (de la natural eza msrestric-
tiva del movimiento de.los huecos parece lgico esperar que la movilidad
de los huecos sea menor
que la de los electrones). Por lo tanto, a efectos prcticos,
ii"*pr" que se rompa un enlace covalen-
se genera tn par electrn-hueco y ambs p*t"ulu, mvites
::^:::t^:",Tt^"^":9yl:l y cargadas par-
ucrpan en ta conduccln.
como los electrones libres y los huecos se producen siempre a pares
^hueco, en un semiconductor intrn-
seco, la concentracin de electrones n, y la concentracin
ae p, son siempre iguales. La nota-
cin estndar es

n = p = rxj portadores /cm3


--a'/

CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

donde n;, la concentracin de portadores intrnsecos, tiene un valor para ca{a semiconductor y para
cada temperatura.
Hay tambin materiales semiconductores compuestos formados por tomos de varios tipos. Un ejem-
plo imporlante es el arseniuro de galio, que contiene igual nmero de tomos de galio de valencia 3 que
de arsnico de valencia 5. La Figura 3.4f muestra la estructura del cristal de arseniuro de galio. Como
en los semiconductores de tomos de valencia 4, cada tomo comparte electrones en los enlaces cova-
lentes con sus cuatro vecinos ms prximos; sin embargo en la red del GaAs cada vecino es un tomo
del otro tipo. La generacin trmica de los pares electrn-hueco ocuffe en los materiales compuestos
justo como en los materiales de valencia 4. La diferencia principal es cuantitativs, cot't k teniendo un
valor mucho ms bajo y r, mucho ms alto en el arseniuro de galio que en el silicio o germanio.

3.2.3 RECOMBINACIN DE HUECOS Y ELECTRONES

Junto con la generacin de pares electrn-hueco en los semiconductores, ocurre simultneamen-


te un proceso de recombinacin. Cuando un electrn fropieza con un hueco, algunas veces el
electrn es recapturado, reestablecindose el enlace covalente y desapareciendo espontnea-
mente el electrn libre y el hueco. La velocidad de recombinacin es proporcional a la concen-
tracin de pares electrn-hueco, idea que tiene sentido fsico, ya que a mayor concentracin de
pares electrn-hueco mayor posibilidad de encuentro de huecos y electrones. Los procesos de
generacin y recombinacin coexisten en un estado de equilibrio dinmico que se describe a
continuacin.

3.2.4 EQUTLTBRTO TRMCO Y ni {r)

En los semiconductores intrnsecos, el equilibrio trmico compensa la generacin y recombina-


cin de portadores de carga y establece 7a concentrctcin de portadores intrnseca, ni, pata cada
temperatura. El fluido de la Figura 3.5a ilustra la idea. El flujo entrante, a una velocidad deter-
minada por el grifo representa la generacin de nuevos pares electrn-hueco que es funcin de la
temperatura de la red cristalina; el flujo saliente representa la desaparicin de pares electrn-
hueco por recombinacin. El flujo saliente es proporcional al volumen de fluido, as como la
recombinacin es proporcional a la concentracin de portadores. El volumen de fluido en rgi-
men permanente representa la concentracin de portadores en equilibrio ;. El equilibrio implica
idnticos flujo entrante y flujo saliente -volumen constante en el pontenedor- fijado ni en el semi-
conductor. Si el grifo se abre ms, se romper el equilibrio y temporalmente entrar ms flujo del
que sale. Entonces el volumen de fluido se incrementa hasta que el flujo saliente iguale al flujo
entrante. Si el grifo se ceffase parcialmente, se producira un nuevo equilibrio con un volumen de
fluido menor. Por analoga, el incremento o descenso de la temperatura de la red cristalina pro-
voca un nuevo equilibrio que implica una mayor o menor n. La primera fila de la Tabla 3.1 enu-
mera las concentraciones de carga intrnsecas a 27"C para los materiales semiconductores ms
comnmente utilizados.
La generacin de pares electrn-hueco es funcin de la temperatura. Para el silicio, la concentra-
cin intrnseca es

r \
= 3.88 x l }tb T3 e-oasl cm
2
n ,(l
3.2 / Conduccin en semiconductores intrnsecos 1135

ut'," entrante
|\

Volumen V * n,

sariente

/lYr'"
(a)

,l {rm-6) toe("?)
8,0 x 1025

6,0 x 1025

4,0 x 1025

FIGURA 3.5
concentracin de 2,0 x loz5
portadores i ntrnsecos :
a) analoga con los fluidos;
b) variacin del valor
al cuadrado u'o < lo"
con la temperatura 20 40 60 80 100t20140 20 40 60 80 100120t40
c) logaritmo del valor Z (grados centgrados) Z (grados centgrados)
al cuadrado.
(b) (c)

donde Zes la temperatura absoluta. En el germanio y el arseniuro de galio se tienen expresiones simi-
lares con constantes diferentes.

Cuando estudiemos dispositivos de estado slido en los prximos captulos, encontraremos repe-
tidamente el cuadrado nt, (T), asociado con valores de importantes parmetros. Es ms, este factor es
nuestro mayor adversario al intentar disear circuitos que trabajen a 1o largo de un amplio margen de
temperaturas. No necesitamos conocer la ecuacin especfica; sin embargo, es til saber y recordar
que n', se aproxima a una exponencial creciente funcin de T alo largo daun amplio
-u.gn de tem-
peraturas, como podemos ver en las Figuras 3.5b y c.

TABIA 3.1 Constantes de semiconductores a 27qC


Silicio Germanio Arseniuro de ealio Unidades
h 1,45 x 10ro 2,4 x l0t3 1,8 x 10 cm'
Vn 1.500 3.900 8.500 cm2lv-s
Vo 480 1.900 400 cm'lv-s
361 CAPTULO 3 / Semiconductores, rliones p-n y circuitos con diodos

3.2.5 CONDUCTIVIDAD DEL SILICIO INTRINSECO

En un semiconductor, huecos y electrones responden a un campo elctrico desplazndose en direc-


ciones opuestas. Esto proporciona dos componentes de corriente que se suman para igualar a la
corriente externa. no una corriente debida slo a los electrones como en un metal. La velocidad de
desplazamiento media de cada portador de carga est relacionada con la intensidad de campo por su
propia movilidad, !L para los electrones y Fp ptra los huecos. Mediante la suma de un volumen ima-
ginario de huecos movindose hacia la derecha en la Figura 3.2 podamos demostrar qre en general
la conductividad de un semiconductor es:

o= q(rp,, + ppr) (3.r2)

donde p es la concentracin de huecos. En semiconductores intrnsecos, las concentraciones de hue-


cos y electrones son ambas iguales anyla Ecuacin (3.12) se reduce a

o,=qn,(r,*rr) (3. 1 3)

Valores tpicos para la movilidad de huecos y electrones a 27 'C se dan en la Tabla 3.1. Debido a la
alta movilidad de sus electrones, el arseniuro de galio est jugando un papel cadavez ms importan-
te en dispositivos de alta velocidad.
Las Ecuaciones (3.6) y (3.8) se aplican ambas tanto al desplazamiento en materiales semiconductores
como en metales, si usamos La Ecuacin (3.12) para la conductividad como en el siguiente ejemplo.

EJEMPLO 3.2 La Figura 3.6 muestra un cilindro de silicio intrnseco. Calcule su resistencia a27 "C.

Solucin Las concentraciones de huecos y electrones son n -- p = n portadores por cmt. Utilizando valores de
la Tabla 3. Ien la Ecuacin (3.13) para obtener

o = 1,6x10 le x1,45x10r0 4,59x 10-6S/cm


"(t.s00+480) =
La longitud de el camino resistivo es 8 cm y el rea a travs de la cual circula la corriente es A = dI)'/4 = 7,85 x 10'
crt'. Usando estos valores en la Ecuacin (3.6) da R = 2,22 Mo.. tr

|.--8.--_-.------l
FCURA 3.6 Resistencia
construida con un
sem iconductor intrnseco.

En semiconductores intrnsecos, p" y pp, de la Ecuacin (3.13) decrecen ambos ligeramente con el
aumento de la temperatura porque se hacen ms frecuentes las colisiones en la red; sin embargo, esto
es compensado por el gran aumento en n y p causado por la generacin trmica de nuevos pares
electrn-hueco. La resistencia especial construida con material semiconductor intnseco, llamada
termstor, es til como transductor para rnedir la temperatura porque su resistencia decrece de mane-
ra espectacular al aumentar la temperatura, como en la Figura 3.7, esto es, tiene un coeficiente de
temperatura negativo. Este compoftamiento se puede comparar con el modesto incremento de la
Figura 3.3 para una resistencia metlica.
137

FIGURA 3.7 Variacin


de la resistencia
de un semiconductor
intrnseco
con la temperatura.

Ejercicio 3.2 En el Ejemplo 3.2 obtuvimos que R = 2,22 MO a 27"C para el rermistor de la Figura 3.6. Hallar
R a 35 "C. Suponer que los cambios de las movilidades son despreciables.
Respuesta R=990k4.

En el ejemplo y el ejercicio anteriores obtuvimos que un crecimiento de 8'C de la temperatura pro-


duca una cada del 557o en la resistencia del termistor. Podemos hacer una aproximaci,n burda del
coeficiente de temperatura del termistor utilizando estas cantidades en la Ecuacin 3.10. Esto da

oo/^ _(g,g"to'-z,zz"tou)f z,zz'tou


o= _
LT 35 -2t -0'069
-69.000 partes por milln (ppm) por grado C. Obsrvese que o( es una funcin de la temperatura,
no una constante.

3.3
SEMICONDUCTORES DOPADOS

Para producir semiconductores con conductividad precisamente controlada y relativamente


constan-
te dentro de un margen de temperatura amplio, aadimos al material cantidades cuidadosamente
medidas de ciertas impurezas. Hay dos tipos de impurezas, donadoras y aceptadoras, y dos clases
correspondientes de semiconductores dopados, tipo n y tipo p.

3.3.1 SEMICONDUCTORES TIPO n

Producimos un semiconductor de tipo n introduciendo una pequea concentracin de impurezas


de
valencia 5, tales como el antimonio o el fsforo, dentro de la estructura de la red cristalina. La Figura
3.8 muestra uno de los puntos de la red en los que se localiza un tomo de impureza. A 0 K cuatro
de los electrones de valencia del tomo de impureza comparten enlaces covalentes con los
electrones
de los tomos de silicio vecinos, pero el quinto est sin compartir, y por lo tanto ligado slo
ligera-
mente a su tomo de origen. Una pequea cantidad de energa trmica es suficiente paraliberar
iodos
estos electrones donadores no compartidos. Una vez liberados de sus enlaces origlnales,
estos to-
mos se comportan de forma muy parecida a los electrones libres de un metal. El tomo de impureza
de la Figura 3.8b ha sido ionizado de esta manera y el electrn se ha desplazado hacia
la derecha bajo
la influencia de un campo elctrico.
I
[1
?
CAP|TULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

I E
I <-
$
I
I
|||il||
=E=E=E=
| |_ ll
=E=E=E=-
il il |
=E=@=E-
il | ll
=E=@=E=
I ll ll
FIGURA 3.8
Semiconductor de tipo
=E=E=E-
il lt ll
=E=E=E=
I ll ll
donador: a) a I=0 K;
b) a I>0 K. (a) (b)

Las impurezas de valencia 5 se llaman donadoras o de tipo r? porque donan electrones libres.
Ntese que aqu no se generan huecos mviles cuando los tomos de impureza donan electrones en
materiales tipo n. Despus de liberar estos electrones libres se generan iones positivofios, anclados
en la red cristalina e incapaces de desplazarse en respuesta a un campo elctrico aplicado.
Obviamente hay una gran similitud entre los semiconductores tipo n y los conductores; sin embargo,
la concentracin de electrones libres, rz, es mucho ms baja en el semiconductor y su valor se con-
trola estrictamente durante el proceso de dopado.
En el silicio dopado hay tambin pares electrn-hueco ordinarios que se estn generando y recom-
binando continuamente como en los materiales intrnsecos; sin embargo, a temperaturas moderadas los
electrones donantes predominan en el comportamiento elctrico en virtud de su mucho mayor nme-
ro. Por ejemplo, la concentracin de donadores, N, puede ser del orden de 10tn tomos/cm3, compa-
rado con n = 1,5x1010 electrones/cm3 disponibles en el silicio intrnseco a27C. Desde el momento en
que hay 6,61x108 electrones donados por cada electrn intrnseco, la conductividad del material dopa-
do es mucho mayor que la de un material intrnseco. Por otro lado, la conductividad del semiconduc-
tor dopado es mucho ms baja que la de un conductor. Un metal monovalente tendra alrededor de 1022
electrones libres/cm3, aproximadamente mil veces ms que el semiconductor dopado!

3.3.2 CONCENTMCION DE PORTADORES EN EL SLlClO TIPO n

La presencia de eleitrones donadores altera profundalrrente el equilibrio que establece n',.La ley de
accn de masas, que se aplica a tdos los semiconductores, intrnsecos o dopados, requiere que el
producto de las concentraciones de huecos y electrones libres sea siempre constante. Como la ley se
aplica a materiales intrnsecos

nP=n2 (3.14)

En el material tipo n, algunos electrones vienen de los tomos donadores y algunos de los pares
electrn-hueco generados trmicamente en el silicio; sin embargo, los huecos surgen slo de la gene-
racin trmica de los pares electrn-hueco. Por lo tanto, cuando la concentracin del donador es N,
la concentracin de electrones libres es

n= No+ p (3.1s)

Podemos obtener los valores exactos para n y p a cualquier temperatura resolviendo simultneamen-
te las Ecuaciones (3.14) y (3.15) parc n y p respectivamente. La Figura 3.9 muestra la concentracin
3.3 / Semiconductores dopados 1139

de electrones resultante. Para materiales fuertemente dopados hay un margen amplio de temperatura
extrnseca, a lo largo del cual la concentracin de electrones donados es mucho mayor que la con-
centracin intrnseca. A una temperatura lo bastante alta el materi al se comporta como si fieru intrn-
seco.Esto es, el nmero de portadores donados es desprqgiable frente a los pares de portadores gene-
rados trmicamente. Enla regn extrnseca, sin embargo, los portadores donados predominan en el
comportamiento elctrico del material. Esta observacin nos lleva a una aproximacin muy til del
material donador

nxN (3. r6)

Sustituyendo la expresin de n de la Ecuacin (3.16) en (3.14) se obtiene una aproxirnacin para la


concentracin de huecos apropiada para temperaturas extrnsecas

ni./\ ln,l
o- *, =('nLr '' (3.17)

Como N )) tt o,27C,la Ecuacin (3.17) muestra que la concentracin de huecos es mucho menor
QUe /? enmateriales tipo n. Debido a que n >> p llamamos a los electrones portadores mayoritarios
y a los htecos poadores minoritarios en los materiales tipo n. En el margen de temperatura extrn-
seca, la aproximacin

O= QV,N (3.18)

describe la conductividad de los semiconductores tipo n. Esto se obtiene de la Ecuacin (3.12) susti-
tuyendo las Ecuaciones (3.16) y (3.11) y viendo despus que la concentracin de huecos es despre-
ciable a temperaturas extrnsecas.

N.t
FIGURA 3.9
Concentracin
de electrones libres
en silicio tipo n en funcin l+
t7l
Regin +l+ Regin
de la temperatura. exlnnseca rntfinseca

3.3.3 SEMICONDUCTORES TIPO P

Podemos producir otra clase de semiconductor dopado, tipo p, introduciendo pequeas concentra-
ciones de impurezas aceptadoras de valencia 3 como el boro o el indio. La Figura 3.10a muestra
cmo los tres electrones de valencia de cada impureza estn compartidos en enlaces covalentes con
los tomos de silicio vecinos a una temperatura de cero absoluto. Por cada tomo de impureza hay
un electrn de valencia de un tomo de silicio sin compaero para compartir un enlace. Esta asimetra
elctrica representa una posicin de baja energa capaz de capturar y fijar cualquier electrn que pase
1o bastante cerca. Cuando la red cristalina adquiere energa frmica, es casi seguro que un electrn de
los tomos de silicio vecinos ser capturado (aceptado) por un tomo de impureza como muestra la
flecha de la Figura 3.10b. Esto crea un in negativo inmvil en la red cristalina y deja un solo electrn
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

\
en un enlace covalente compartido originalmente por dos e'l<Erones del silicio. Se ha formado un
hueco que puede desplazarse a travs de la red cristalina. En el material, un ligero aumento de la tem-
peratura sobre el cero absoluto crea N, huecos por cmt, cada uno de ellos libre para desplazarse a
travs de la red cristalina cuando se aplica un campo elctrico. Por cada uno de estos huecos hay un
in negativo fijo en la red del cristal.

E
+

il il ll ll ll ll
=E=E=E=
ll ll ll
=E=E=E=
l----r ll ll
-E_A=E=
| | |
=EIA=E=
| ll ll
FIGURA 3.10 Impurezas del
silicio tipo p: a) a cero
absoluto;
=E=E=E=
| | il
=E=E=E=
lt t,l I
b) a una temperatura elevada. (a) (b)

3.3.4 CONCENTRACION DE PORTADORES EN SILICIO TIPO N

Razonamientos similares a los utilizados para las impurezas de tipo donador llevan a que e1 nmero
total de huecos cumple la Ecuacin G.l0 y

P=N"+n (3.19)

Un examen cuidadoso de estas ecuaciones a temperaturas bajas y moderadas lleva a aproximaciones


tiles como
p=No (3.20)

ni ( ,,)
nN-=l-ln. (3.2r)
I
NO \N."/
Por lo tanto en materiales tipo p la concentracin de electrones libres a temperaturas moderadas es
mucho menor que el valor intrnseco correspondiente. Como p >> n, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones los portadores minoritarios. La ecuacin
o= 4IroN. (3.22)

aproxima la conductividad elctrica de un material tipo p a temperaturas moderadas.


Tambin es posible crear semiconductores compuestos de tipo n p. En el arseniuro de galio, por ejem-
plo, podemos hacer esto reemplazando selectivamente unos pocos tomos de galio o arsnico por tomos
de silicio. El resultado es material tipo n p, respectivamente, con tomos de silicio como impurezas.

3.3.5 COMPENSACIN

Mientras se fabrican semiconductores dopados, podemos convertir material tipo n en material tipo p,
y viceversa, mediante un proceso llamado compensacin.Para convertir semiconductores tipo n en
14'.1

tipo p, por ejemplo, aadimos una concentracin de impurezas aceptadoras N" ) Na.Las propiedades
de este material compen,sado son las mismas que las de un nratqlia!,.jipo p ordinario
con ccentra-
cin N" - N, de impurezas aceptadoras. De forma similar podemoi-aRadir impurezas donadoras
a un
material aceptador para producir material tipo n con una concentracin A/ N, de impurezas
-
doras. Todas las ecuaciones aproximadas para las concentraciones de pofiadores y coniuctividad
dona-
de
materiales dopados se aplican cuando se utiliza esta tcnica.

Conductor

IIGURA 3.11
Conductividad
de un conductor,
un semiconductor
intrnseco y semiconductor Margen -----*l-- Margen
dopado. l.- Extrnseco
Intrnseco

Aunque no est dibujada a escala la Figura 3.11 resume las diferencias de conductividad de los
tres
tipos de material. A temperaturas extrnsecas, donde la mayora de los dispositivos de estado
slido
funcionan, las conductividades de los semiconductores dopados son much ms bajas que
las de los
conductores debido a la menor concentracin de portadores de czr:ga,pero mucho ,nuyo*, que
en los
materiales intrnsecos. En los materiales dopados, igual que en loi cnductores, el n-"ro
d" portu-
dores de carga es constante, por lo tanto sus conductividdes tienen un pequeo coeficiente
de tem-
peratura negativo causado por las variaciones de la movilidad con la temperatura.
Esto significa que
las resistencias hechas de semiconductores dopados, y aquellas hechas d conductores,
Jnen coefi-
cientes de temperatura positivos. A temperaturas intrnseas, los semiconductores dopados
empiezan
a parecerse a materiales intnsecos; sin embargo, para evitar este problema las concentraciones
de
impurezas son altas.

3.3. RESISTENCIAS EN CIRCUITOS INTEGMDOS

En el Captulo 4 veremos cmo se fabrican los circuitos integrados. Ah veremos que


las resistencias
de circuito integrado menos caras son simples lminas de poco espesor de material
semiconductor
dopado, como en la Figura 3.12. Todas las resistencias de un mism circuito integrado
se fabrican al
mismo tiempo, teniendo el mismo grosor / y conductividad o. Esto significa qu,
el mismo cir-
cuito integrado, podemos obtener diferentes valores de resistencias variando las "n
dimensiones geom

It

FICURA 3.12 Resistencia de


circu ito integrado fabricada
con material dopado.
r

CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

tricas L y il2. Si sustituimos el reaA en la Ecuacin (3.6) por el producto Wt dela Figura 3.I2 la
resistencia pasa a ser
IL L
R:-x-=R
otW "w
(3.23)

que define la resistencia pelicular R". Obsrvese que R" contiene todos aquellos parmetros comunes
a todas las resistencias del circuito integrado. Tcnicamente, R" tiene unidades de ohmios; sin embar-
go nosotros utilizamos ohmios por cuadro, para enfafizar que la resistencia pelicular es la resistencia
de un cuadro de semiconductor de cualquier tamao vista desde arriba.
Para apreciar la utilidad de la resistencia pelicular, obsrvese que para producir una resistencia de
6 kO a partir de una de semiconductor de 600 f) por cuadro, necesitamos slo una superficie que
tenga un rea con una relacin entre longitud y anchura de 10 a 1. Esto es muy til porque la pro-
porcin longitud-anchura se controla directamente durante el proceso de fabricacin. Las resistencias
integradas tpicas cumplen la Ecuacin (3.9) con coeficientes de temperatura cr 11.000 partes por
milln. Para valores reales de resistencia pelicular, las resistencias de valor alto requieren formas
geomtricas muy largas y estrechas, y excesivo espacio en el circuito integrado. Es tan difcil conju-
gar este tipo de geometra con otras necesidades de diseo y con la posicin de conexiones y bloques
que los diseadores de circuitos integrados trabajan con circuitos con resistencias de valor relativa-
mente bajo.
A partir de la Ecuacin (3.23) descubrimos otro importante principio de diseo. Debido al pequeo
tamao de los circuitos integrados, las resistencias del chip tienen casi la misma temperatura. Como la
variacin de temperatura est incluida en R, (mediante o ), se deduce que la relacin entre resistencias
que cumplen la Ecuacin (3.23) permanece constante aunque la temperaturavare, porque R, elimina la
distorsin (vara de la misma forma para todas las resistencias) y la relacin entre resistencias permane-
ce constante dentro de un margen de temperaturas amplio. Si la relacin entre los valores de las resis-
tencias depende slo de la geometra podemos establecer su valor con una precisin aproximada del l7o
durante el proceso de fabricacin. Como conclusin, un buen diseo de cicuito integrado debe hacer que
el funcionamiento del conjunto del circuito dependa de la relacin entre los valores de las resistencias.
Muchos de los circuitos amplificadores operacionales del Captulo 2 tienen determinado su fun-
cionamiento por la relacin entre los valores de las resistencias (por ejemplo, amplificadores inver-
sores y no inversores, circuitos sumadores, amplificadores diferenciales) y, por lo tanto, son buenos
para diseos de circuitos integrados.

EJEMPLO 3.3 Una resistencia R est hecha con una seccin de semiconductor de W x L = 2rm por 20 rm
con una resistencia pelicular de 900 Q por cuadro. Obtener los valores mximo y mnimo de R si R" vara un +
207o. Suponer que Wy son constantes.

Solucin a) De la Ecuacin (3.23),la resistencia nominal es

o=
( t,\
o,|tr): eoO
lzo)
e.Ooo o
ItJ=
Incluyendo las variaciones del 20Vo de R, da

R + AR = 9.000(1 r 0,2) = 9.000 r 1.800 o

Por lo tanto

7.200 0< R < 10.800 f) tr


3.3 / Semiconductores dopados 1143
---------"-:-
Este ejemplo sugiere qu tipo de variaciones podemos esperar si comparamos dos resistencias de
9kO de dos circuitos integrados fabricados por separado. En el siguiente ejercicio estimaremos la
variacin de una resistencia de un chip sabiendo que se ha obtenido con unos controles de calidad
determinados de su geometra durante la fabricacin.

Ejercicio 3.3 Obtener los valores mximo y mnimo para la resistencia del Ejemplo 3.3 si R, es constante pero
W y Lvaran ambos un +17o.
Respuesta 8.822O < R< 9.182 O.

3.3.7 TEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES MINORITARIOS

Ya conocemos el equilibrio trmico que regula la concentracin de huecos y electrones en los semi-
conductores. Siempre que alteremos este equilibrio, nos encontramos una impofiante constante de
tiempo llamada tiempo de vida de los portadores minoritarios. Un experimento clsico arroja alguna
"luz" sobre la dinmica del restablecimiento del equilibrio.

L(t)

l,
L(l) = Intensidad de Ia luz

+fir+--
FIGURA 3.13
Experimento para medir
la vida de los portadores:
a) estructura fsica;
b) formas de onda.
'I^f.
lffi';"'
(a)
Vr+ LV
uo(t)

vl
= V, + LVe-tlr p

La Figura 3.13 muestra una seccin delgada de semiconductor tipo n que constituye una resisten-
cia R de un divisor de tensin. El material es brevemente iluminado por un pulso de luz de intensi-
dad L(t) como muestra la Figura 3. 13b. Los fotones de la energa luminosa alteran el equilibrio pro-
duciendo nuevos pares electrn-hueco. Si R >> R, el divisor de tensin hace que

R, R, A r ,. ..r
v"\t) =
& *'
=iv : R'v olvonlr) +t,n(t)l
Durante el pulso la concentracin de portadores aumenta, disminuyendo R y aumentando la ten-
sin de salida AV voltios sobre su valor de equilibrio Vr donde AV se atribuye a los pares electrn-
hueco generados. Cuando el pulso finaliza, el exceso de portadores generado por la luz se recom-
bina para reestablecer el equilibrio original, producindose una cada exponencial hacia las condi-
ciones de equilibrio como en la Figura 3.13b. La constante de tiempo, t*llamada tiempo de vida
de portadores minoritarios, es funcin del material e indica el tiempo que tardan en recombinarse
el 687o de los portadores que haba en exceso. Un experimento similar, utilizando material tipo p,
establece la existencia de un tiempo de vida de portadores minoritarios, rn, paa los electrones. En
el silicio, las vidas de los minoritarios van de 0,01rs a 1 rs. Veremos bastantes situaciones impor-
tantes en las que un proceso de recombinacin exponencial est caractertzado por la vlda de los
portadores cuando investiguemos las limitaciones de velocidad de los dispositivos electrnicos.
1r
I
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

t 3.4
I
r
I DIFUSIN DE HUECOS Y ELECTRONES
I

Los electrones y huecos mviles producen corrientes elctricas mediante dos mecanismos distintos:
desplazamiento bajo la influencia de un campo elctrico, que ya fue comentado, y difusin que es el
objeto de este apartado. Ambos procesos son impofiantes en los dispositivos de estado slido.
Los maestros de escuela demuestran la difusin vertiendo tinta en agua limpia. El movimiento tr-
mico aleatorio de las molculas de tinta hace que se esparzan o difundan en todas las direcciones
hasta que se distribuyen uniformemente por toda la solucin. Hay tres condiciones esenciales para
ste o cualquier otro proceso de difusin: partculas mviles, movimiento aleatorio de las partculas
y una dstribucin espacial no uniforme de las partculas. Ya hemos visto que los huecos y electro-
nes de un semiconductor slido satisfacen las dos primeras condiciones.

3.4.1 CORRIENTES DE DIFUSIN

Si los huecos y/o electrones adquieren una distribucin espacial no uniforme, entonces, en virtud de
su energa trmica, se difunden como las molculas de tinta hasta que su concentracin es, ota yez,
uniforme. Como los huecos y electrones son parlculas cargadas, este movimiento constituye una
corriente elctrica llamada corriente de dfusin. Incluso cuando estn espacialmente concentrados
los huecos y electrones libres permanecen en concentraciones bastante bajas (=10'e portadores fren-
te 1022 tomos por cmt) y por lo tanto estn ampliamente espaciados y separados unos de otros por
los tomos de la red cristalina. As que las fuerzas elctricas de repulsin o atraccin entre portado-
res son despreciables.
En un proceso de difusin el nmero de partculas que cruza una unidad de rea por unidad de
tiempo en una direccin perpendicular al rea es proporcional al gradiente de concentracin negati-
vo de las partculas, donde la constante de proporcionalidad se llama constante de difusin. El gra-
diente negativo significa el movimiento neto de las partculas es siempre de la regin de mayor con-
centracin a la regin de menor concentracin. En geometras simples en las que la concentracin
vara slo segn una variable espacial, el gradiente se reduce a una simple derivada espacial. Para los
huecos con una concentracin que vara slo en la direccin x, el caso ms til en una geometra sim-
ple de semiconductor, la densidad de corriente de difusin es

dp
Jr=-QDo amperios / cm2 (3.24)
dx

donde Q,, la constante de difusin para huecos, es una propiedad del material. Anlogamente para
los electrones, la densidad de corriente de difusin es

dn
J 4D" amperios / cm2 (3.2s)
": d-

donde D, es la constante de difusin para los electrones. No hay signo menos en la Ecuacin (3.25)
debido a la carga negativa de los electrones y al convenio de corrientes que utilizamos. D, y D,, son,
ambas, funciones de la temperatura.
Como las constantes de difusin y movilidad se refieren ambas a flujos de partculas cargadas a
travs de una red cristalina que posee energa trmica, no debera ser una sorpresa saber que estn
__,_

3.4 I Difusin de huecos y electrones 1145

relacionados. Justificar este hecho va ms all de los objetivos de este libro, as que nicamente cita-
remos un importante resultado conocido como la relacin de Einstein
D"DKT
____]-_-___:L_t/ __ (3.26)
pp$nq - vT -

donde ft es la constante de Boltzman, T la temperatura absoluta y q la carga del electrn. La primera


igualdad muesffa que las constantes de difusin y movilidad para huecos estn relacionados entre s.
La segunda, que cada cociente es igual a Vr, vna cantidad que llamamos tensin trmica. Como la
constante de Boltzman es 1,38x10 t'JlK, el valor numrico de Vr est alrededor de ll40 V 25 mV a
27 "C, un nmero a recordar porque 1o usaremos a menudo en el futuro.

Ejercicio 3.4
En un material de 4,5cm2 de seccin, la concentracin de electrones en un instante determinado
3,
r/0'0or
es n("r) = 106 e cm cuando r se mide en cm perpendicularmente a la superficie de la seccin. La concen-
tracin es uniforme en las direcciones ), y z. Si la constante de difusin es D, = 20 cm2ls, determinar la corrien-
te de electrones a x = 0,005 cm.
Respuesta 1" (0,005) = -97 rA.

3.4.2 LONGTUD DE DIFUSN

Una forma de establecer las corientes de difusin es iluminar el extremo de una muestra de semi-
conductor alargada. En el clsico experimento de la Figura 3.14a se usa un material tipo n para medir
indirectamente 1a corriente de difusin debida a los huecos. Cuando la luz est apagada, los huecos,
en el silicio tipo n, tienen una concentracin unifurme de p,o n2l N,t, y no existe corriente de difu-
sin. Cuando encendemos laluz,la fotogeneracin de pares electrn-hueco altera el equilibrio cerca
de la superficie iluminada; lejos, cerca del extremo en sombra, las concentraciones de portadores no
cambian. Los huecos se difunden hacia la derecha porque su concentracin no es uniforme; sin
embargo muchos se recombinan porque las concentraciones exceden los valores de equilibrio. La
concentracin de huecos en rgimen pennanente, p("r), se determina midiendo la conductividad con
una sonda mvil y es

p(x) = a'pe
*lt'
Pno+ (3.27)

I-A-

' -.++ J
+_+ - f
+-|*-+

(a) (b)

FIGURA 3.14 a) Concentracin de huecos no uniforme causada por la iluminacin de silicio tipo n;
b) perfil de la concentracin de huecos en rgimen permanente definida por la longitud de difusin lo.

donde Ap es el exceso de concentracin de minoritarios en la superficie iluminada como muestra la


Figura 3.I4b. Lp es una constante espacial que llamamos longitud de difusin para los huecos. Ahora
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

podemos calcular la densidad de corriente de difusin para los huecos en cualquier punto r sustitu-
yendo la Ecuacin (3.27) en la Ecuacin (3.24).
Este estudio ha hecho hincapi en la difusin de huecos, sin embargo, la luz tambin causa un
exceso de electrones que se difunden lejos de la superficie iluminada. Esta segunda corriente de dere-
cha a izquierda, cancela la corriente de huecos en cualquier punto r, haciendo que la corriente neta
sea cero de acuerdo con la ausencia de un camino para la corriente fuera del material. La longitud de
difusin para los electrones, 1", se mide usando material tipo n iluminado. En el silicio, las longitu-
des de difusin para huecos y electrones son del orden de 1 a 100 p, con un valor tpico de 10 r.

EJEMPLO 3.4 Para el material de la Figura 3.14, n = 1,45 x 10tucm


ty tomos/cm3.
N = 1016
a) Calcular la concentracin de huecos antes de encender la luz
b) Si la luz produce en la superficie iluminada un aumento de la concentracin de huecos igual a 11 veces su
vlor de equilibrio, hallar la densidad de corriente de huecos en funcin de x. Suponer que la longitud de difu-
sin para los huecos es Lr= ll
x 10+ cm y la constante de difusin es D, = 24 cm2ls.
c) Calcular los valores de la corriente de huecos para r = 0 y x = 10-3 si el rea de la seccin es 1,5 cm'.

Solucin a) Sin la luz, la concentracin de huecos es el valor de equilibrio

rl (l.45t lo'o)'
o^=
N- l0' =2.lxloocm-.

b) En la superficie iluminada, p,o + Ao = 1lp,o, 6,

LP = l0 p,o = 2,7x 105 cm-3

De la Ecuacin (3.27)

p(x) = Z,t" 10 + 2,1 x 105 e-xto'oot2

De la Ecuacin (3.24)

10. rlc:'oorz
t r(x) =-L6x10 'n1z+111I-!0' e-)to'oot2 =6.12x19

c)
1r(0) = 1,5x6,12xl0 r0
0/0'0012
= l.008pA

1r(0,001) = 10-e-0'001/0'00r2 = 435pA tr F


el
al
3.5 C(

n UNN p-n EN EQUILIBRIO d,


et
b,
pr
Los principios de funcionamiento de muchos dispositivos electrnicos dependen de la actividad elc- c)
trica en el intetface entre materiales tipo n y tipo p, una regin de slo unas micras de anchura lla-
mada unin pn. La comprensin completa de la unin requiere principios de mecnica cuntica que 1
estn ms all de los objetivos de este texto; sin embargo, la descripcin intuitiva de este apartado
proporciona un fundamento fsico que es adecuado para la mayora de los anlisis de los circuitos
bsicos y las tareas de diseo. El texto de Mattson, citado en las referencias del final del captulo, da
una descripcin matemtica ms completa y excelentes ayudas grficas para su comprensin.
La unin p-n en equilibrio 147

3.5.I CORRIENTE DE DIFUSIN

Un experimento imaginario nos introduce en algunas de las caractersticas ms importantes


de la
unin pn. Imaginemos un cristal de silicio simple en el que la mitad esta dopada con
impurezas tipo
p y la otra mitad con impurezas tipo n. Los huecos del lado p, inicialmente, se
difunden en el mate-
rial tipo n donde la concentracin de huecos es baja, y los ectrones se difunden en el
material tipo
p' cada portador se mueve dejando tras de s un in inmvil en la red cristalina de polaridad
opuesta
a la suya. Eventualmente, los huecos y electrones difundidos, que han pasado
a ser portado."r^rrrino-
ritarios, se recombinan con otros portadores de carga. El resultdo de esta difusin s
una regin vir-
tualmente vaca de portadores mviles como muestra la Figura 3.15a, la regin
de carga o ie depte-
xin. La difusin continua de partculas cargadas. a trvs de la regin de deplexin
fJrma los com-
ponentes la cor:riente de huecos y electrones que se suman para dar
corriente de difusin Iu, La
corriente de difusin queda limitada automticamente por el cmpo elctrico asociado
a los iones de
la red cristalina. Como un hueco se difunde del lado p al lado n, pierde energa cintica
debido a la
fuerza retardante del campo elctrico. La diferencia di potencial ntre los lados p y
n que resulta de
este campo elctrico se llama tensin de barrera Vyo y se muestra en la Figura
:.i jU. V^ es el traba_
jo realizado o la energa cintica perdida por unidad d" por cada hueco que qtzalaregin de
deplexin. Una banera de potencial de idntico valor "u.gu se pn" u la difusin de los electro'nes en
direccin opuesta. Como los porladores mayoritarios, cuya energa trmica vara ampliamente,
estn
siempre disponibles, la tensin de barrera acta como unJltro e energa,permitiendo
slo a aque-
llos porladores cuya energa exceda el valor mnimo V76 escalar la colina Je potencial
y contribuir a 1;.

-._l de Regin
deplexin l-
r

.*E*-
Potencial de un hueco (voltios)

J,"+
AI,T
F+l- -l "n

-
Id,
l-l'-l
(a) (b)

FICURA 3.15 Unin pn


en un circuito abierto:
a) corriente de difusin, l,r,
corriente de
desplazamiento, l,,
en la regin de deplexin;
b) colina de potencial vista
por los electrones;
c) geometra de la regin
de deplexin.
(c)

La regin de deplexin generalmente no se extiende a igual distancia en


el material p que en el
material n. La Figura 3.15c muestra una regin de deplexin de ancho
w = xp+ , done xo es el
ancho del material p y x, el ancho del material n. Como cada in fue
abandonado por un ptador
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

mvil que se recombina con un portador de signo contrario, el nmero de iones negativos es igual al
nmero de iones positivos. Para una unin con una seccin de reaA, igualando el nmero de iones
positivos y negativos da NoA = Nx,A
N,t
xp =-x n
(3.28)
N,,

Esto muestra qlue la regin de deplexin se extiende ms all en el material que est ms ligera-
mente dopado.

3.5.2 CORRIENTE DE DESPIAZAAAIENTO

Opuesta a la corriente de difusin es la corriente de desplazamiento l,,fambin indicada en la Figura


3.I5a.La corriente de desplazamiento est formada por electrones y huecos generados trmicamen-
te, que se crean continuamente a lo largo del material, y que de alguna forma tropiezan entre ellos en
la regin de deplexin. Cada uno de estos huecos (electrones) es forzado por el campo dentro del
material p(n). Obsrvese que las componentes de huecos y electrones de 1, son ambas opuestas en
sentido a las correspondientes componentes de Iy.

3.5.3 POTENCIAL DE BARRERAY CONCENTRACIONES DE CARGA

Desplazamiento y difusin son dos procesos que estn continuamente en marcha regulados por un
equilibrio establecido en las proximidades de la unin. Cuando no hay un camino externo para la
corriente, la corriente I = I,- I,dela Figura 3.15a debe ser cero para cumplir la ley de Kirchhoff.
Esta condicin establece el equilibrio de la unin. El siguiente desarrollo nos lleva a una expresin
matemtica para la banera de potencial cuando la unin est en equilibrio, e introduce algunas impor-
tantes nuevas ideas sobre el funcionamiento de la unin.
Las lneas continuas y de trazos de la Figura 3.16 muestran, respectivamente, las concentraciones
de huecos y electrones en equilibrio. Como los resultados clave para nosotros dependen slo de la
concentracin de portadores fuera de la regin de deplexin, seleccionamos la escala del eje x para
disminuir el ancho de la regin de deplexin w a una lnea vertical gruesa. Para simplificar el estu-
dio consideramos slo la componente de huecos I e I,.
Si suponemos concentraciones uniformes de impurezas en las direcciones z e y, de la Ecuacin
(3.24) se obtiene la corriente de difusin

1,,,(x\ = eJ n(x) = el-0o,4!1


L Ax _i

De la Ecuacin 3.8 se obtiene la corriente de desplazamiento

I *(*) : AoE , = ,+qp,


rp(x) E
"

Igualando las corrientes de difusin y desplazamiento

do( x)
-Dr-;=Vrp\x)8,
3.5 / La unin p-n en equilibrio 1149

Concentracin de huecos y electrones

-E"

<-.Regin de deplexin

,?
FIGURA 3.16 ,"1
Concentraciones
de huecos y electrones
en una unin pn
materialo tut"tutn
en circuito abierto. \o
-r/

Dividiendo por t, p(x), sustituyendo Vr por Dolt, en la Ecuacin (3.26'), e integrando a lo largo de la
regin de deplexin da

l,
-y_' "-*-!l oot-t\r.=-r,f;,:r#=
p\x)l dx _l
!_,8"d* (3.2e)

La integral de la derecha, que integra la intensidad de campo a lo largo de la regin de deplexin es


el trabajo en julios hecho por cada culombio de carga al cntzar la regin de deplexin, o la energa
cintica que pierden al saltar la barrera. Esta es precisamente la definicin de potencial debarceraV6
de la Figura 3.15. Haciendo la integral y sustituyendo los valores de concentracin de la Figura 3.16
en los lmites de la integral da

-,,'4;7;,)=-,,^ffi:,,,
Dividiendo por -Vr y tomando antilogaritmos da

'l : * o e-v'olv' (3.30)


Nd

que es equivalente a

Vto = ,-0,(aJo\
'\ni (3.31)
)

Ejercicio 3.5 Obtener la tensin de barrera, Vn,para el silicio a27'C s


a) N, = N, = 10tn cm-'
b) N" = 10't y N, = 10'e cm-'
c) Para la parte (b), determinar la extensin relativa de la regin de deplexin a los dos lados de la unin.
Respuesta 1,02 V, 0,902V,rp = 100 ,,.

1.

;l CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

r
ti 3.6
EL DIODO DE UNIN

A continuacin introducimos un dispositivo llamado diodo de unin, esencialmente la unin pn.


Conociendo los principios de funcionamiento general del diodo nos permite comprender multitud de
circuitos no lineales utilizados para fines diversos como cambiadores de formas de onda, detectores
de seales de radio y convertidores alterna"/continua. Examinando algunos aspectos tericos del fun-
cionamiento de los diodos, tambin nos preparamos para comprender dispositivos ms complejos,
transistores, que funcionan como interruptores controlados en circuitos digitales y como fuentes
dependientes en circuitos analgicos.
La Figura 3.17 muestra la estructura fsica del diodo y su smbolo. Llamamos al lado p del diodo
el nodi y al lado n el ctodo. El smbolo define tambin los sentidos para corrientes de diodo posi-
tivas lo y tensiones y. Estas mismas direcciones de referencia se aplican a la curva vi del diodo,
Figura 3.I7b y ala ecuacin del diodo
io=I'(""1'' -I)

ID

t--__r-__l
ttl
TD

plnF- -
MVI

FIGURA 3.17 Diodo r n-


de unin: a) estructura
un
fsica y smbolo;
b) caractersticas vl. (a)

donde Vz = k T/q esla tensin trmica o potencial equivalente de temperatura e 1" se llama la corrienfe
de saturacin inversa. A continuacin explicaremos la curva vl y la ecuacin del diodo basndonos en
|a teora de la unin pn. Primero viene un estudio cualitativo, seguido por un tratamiento cuantitativo.

3..1 CURVA Y ECUACIN OTI DIODO

La Figura 3.18a muestra la unin pn con su regin de deplexin y su potencial de barera V0.
Podemos controlar la corriente del diodo con una tensin externa, para lo que se usan conductores
metlicos para hacer las conexiones con los extremos de la pastilla de silicio. Los potenciales de con-
tacto desarrollan en las uniones silicio-metal una fraccin y de Vo en el lado p, y la restante (1_,Y)Vo
en el lado n, con las polaridades como las que se muestran. Tomndolos juntos, los potenciales de
contacto anulan la barrera de potencial, haciendo imposible medir directamente V.0.
En la Figura 3.18b aplicamos una tensin externa vo al diodo; V es la barrera de potencial con esta
tensin de polarizacin presente. De la ley de Kirchhoff para las tensiones

V, = lV,o - v o +(l - y)V,. = V t. - v


o
151

P^u:?'"-= 0, se cumple V = yro, el valor que hallamos para el caso


en que haba equilibrio en la Figura
3'15' Cuando v = 0, entonces io = 0, lo que est de acuerdo con la ctndicin
d equilibrio.
Pata vo > 0, la tensin externa altera el equilibrio moviendo los electrones
del material p al mate-
rial n a travs del circuito extemo. Esto aae electrones al lado n y huecos
al lado p, neuiralizando
los electrones de la red cristalina a ambos lados de la unin,
n la Figura 3.tg. gsto hace que
la regin de deplexin se estreche y, por lo tanto, se redtzcala"o-o
barrera de-potencial. Disminuyendo
V, por debajo de [ se incrementa mucho la corriente de difusin,
muchos portadores poseen ahora
suficiente energa para escalar la colina de potencial que es ms baja, mientras
que la coniente de
desplazamiento cambia muy poco. Esto explica fsicaminte el increniento
de corrinte para y > 0 en
la Ecuacin (3.32). Cuando hacemos el nodo tan positivo respecto al
ctodo que hay di.ec-
ta, decimos que el diodo est polarizado directamente. Paraun diodo directamente "ni"n
polarizado, apro-
ximamos la Ecuacin (3.32) por

io = [,'u/vr (3.33)

l-vr*F
ir 0

un> o

- VJ> Vto +

FIGURA 3.18 Diodo


de unin: a) circuito io.0
abierto;
b) con polarizacin
directa;
c) con polarizacin uo<o
inversa. (c)

Para vo < 0, la fuente de tensin mueve los electrones del


material n al p; creando iones adiciona-
les a ambos lados de la unin como en la Figura 3.18c. Esto incrementala
barrera de potencial por
encima de su valor de equilibrio, reduciendo la corriente de difusin;
la corriente de desplazamiento
1' sev de nuevo poco afectada. Si la barrera se hace lo suficiente
ala mediante una tensin " poru-
tizacin inversa, la corriente de difusin es despreciable y slo la
corriente de desplazamiento nega-
tiva circula a travs del diodo' Cuando la polarizacin inversa del
diodo es fuerte la Ecuacin (3.32)
se reduce & i = -,.
A continuacin justificaremos la forma matem tica de la ecuacin del
diodo. Esto nos proporcio-
na conocimientos acerca de cmo se controlan los parmetros
del diodo durante ta tatricaclon y nos
prepara para estudios posteriores de los efectos dinmicos
de diodos y transistores.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

3.6.2 PERFILES DE CARGA DE MINORITARIOS

La ecuacin del diodo surge de pequeas concentraciones de cargas minoritarias en exceso que exis-
ten dentro de la regin de deplexin a lo largo de unas pocas longitudes de difusin. "Por exceso"
quiere decir por encima de los valores existentes en el equilibrio. Cuando la polarizacin directa reba-
ja el potencial de barrera, decimos que se inyectan huecos adicionales del lado p en el material n
(donde pasan a ser portadores minoritarios); al mismo tiempo se inyectan electrones en el material p.
Las corrientes de difusin resultantes son como las del experimento descrito en la Figura 3.I4.La
nica diferencia es que los portadores minoritarios en exceso se introducen por inyeccin en lugar de
por fotones de luz. A cada lado de la unin los nuevos portadores minoritarios se difunden lejos, dis-
minuyendo en nmero por recombinacin y estableciendo perfiles de concentracin exponenciales
caracterizados por las longitudes de difusin Lpy L,. Esto aadepequeas modificaciones a las cur-
vas de las cargas minoritarias en equilibrio trmico de la Figura 3. 1 6 como vemos en la Figura 3 . 1 9a.
De nuevo seleccionamos la escala del eje x para resaltar las concentraciones fuera de la regin de
deplexin.
Suponiendo de momento que la corriente de huecos es dominante, obtenemos ahora la ecuacin
del diodo. La tensin vp aplicada altera el equilibrio de la unin; sin embargo, si v no es demasiado
grande, se aplican condiciones cercanas al equilibrio. Para estos bajos niveles de inyeccin podemos
hacer iguales las componentes de difusin y desplazamiento de la corriente" huecos e integrar a lo
largo de la regin de deplexin como hicimos en la Ecuacin (3.29). Para este caso, sin embargo, la
integracin del campo E, alo largo de la regin de deplexin da V en lugar de VLo.Por 1o tanto

-r, f)::_,# : !__n.d, - v, = v,o -,,

que nos lleva a

p(0) = pGr)1'',-'o)lv, - N oe-v,olv, u'nlv,

despus de integrar, sustituimos p (-w) = N,, y hecho esto la Ecuacin (3.30) nos permite renombrar
el coeficiente de la exponencial dando

(3.34)

Esta ecuacin muestra cmo la tensin externa, v, controla la concentracin de huecos minoritarios,
p(0), en el extremo de la regin de deplexin de la Figura 3.19a.
Como la concentracin de huecos en exceso en el material n. p1x. - ntlNn en la Figura 3.19a, dis-
minuye con la constante espacial Zu, podemos escribir

-#),,',, >0
^r-+=[aor
Sustituyendo p(0) por su valor de la Ecuacin (3.34) y despejando p(x) se obtiene que la concentra-
cin de huecos en el material n es

p(*) =
#1n,,', -r]e-'t', .
#, .r > o (3.35)
diodo de unin 153

Concentraciones de huecos y electrones Concentraciones de huecos y electrones

p(x)
-E" -E*

0 0
(a) (b)

FICURA 3.'19 Concentraciones de cargas minoritarias almacenadas para: a) polarizacin directa del diodo;
b) polarizacin inversa del diodo.

Como la Ecuacin (3.35) da la concentracin de huecos en el material n en funcin de x, podemos


t:j
utilizarla para calcular la corriente de difusin. Sustituyendo p(x) en la Ecuacin
e.2D y multipli- ::i

cando por A para obtener la corriente obtenemos la componente de huecos de la corriente e difusin 1
l:i

fuera de la regin de deplexin que es ;1

i:

aAn2D
io.o(x) =ffi{d,', _ I), ", (3.36)

La corriente decrece con r porque el flujo de huecos minoritarios disminuye gradualmente por
recombinacin: Una corriente de nuevos electrones, suministrados por la cor:riente ot"rnu, fluye den-
tro del material n (desde la derecha en la Figura 3.18(b) para dar lugar a esta recombinacin. La suma
de estas dos corrientes en cualquier punto x es constante. Esto es, la corriente de huecos decrece y
simultneamente aumenta la corriente de electrones a medida que aumenta . El camino ms fcil
para obtener la coniente externa del diodo es evaluar la Ecuacin (3.36) para
= 0, donde la com-
ponente de electrones de la corriente del diodo es cero. Esto da

(3.37)

una ecuacin que describe a muchos diodos y que nos permite llizar los detalles que ya
hemos visto
para generalizar un poco.
La Figura 3.19a muestra que los electrones son inyectados en el material p, un hecho ignorado en
nuestro desarrollo. Recombinndose a medida que se difunden ms lejos, foiman u.ru.uu
de con-
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

centracin anloga a la de los huecos. Sumando la corriente de electrones a la de huecos de la


Ecuacin (3.37) se obtiene la ecuacin del diodo completa

i,(*) = r,(e'ot', -r)= A,lqf+:.#:l


' 'lN rLo )N
(e"tu, -t) (3.38)
"L,
En la obtencin de la Ecuacin (3.38) supusimos tcitamente polarizacin directa; sin embargo, si
pasamos alapolazacin negativa, las distribuciones de las cargas minoritarias toman las formas de
la Figura 3.19b y la ecuacin sigue siendo vlida. De la Ecuacin (3.38) podemos aprender que la
corriente inversa de saturacin,1", est relacionada con los parmetros fsicos por

r,=Antqih.#] (3.3e)

Esta ecuacin revela algunos aspectos importantes sobre el diodo. Primero, L es directamente pro-
porcional al readel diodo A, un parmetro que podemos controlar fcilmente durante la fabricacin.
Esto nos permite fabricar diodos con valores mayores o menores de esta corriente para una misma
tensin. Segundo, obsrvese que el trmino n?, altamente sensible a la temperatura (ver Figura 3.5)
es funcin de 1,. Finalmente, como los dos trminos entre parntesis corresponden a corrientes de
huecos y electrones respectivamente, vemos que si el material p est mucho ms fuertemente dopa-
do que el material n, esto es, si N, >> N, entonces la corriente de huecos determinar el funciona-
miento del diodo y la Ecuacin (3.38) se reduce a la Ecuacin (3.31). Usaremos esto cuando estu-
diemos la dinmica del diodo y cuando introduzcamos los transistores bipolares.
Hicimos dos suposiciones claves para la obtencin del diodo. Primero, ignoramos los huecos y
electrones generados trmicamente por la regin de deplexin. Esto produce errores en la Ecuacin
(3.32) parc vD pequeas. Segundo, supusimos w nivel de inyeccin baio, o sea, asumimos Que v er&
bastante menor quep(0) y n(0) en la Figura 3.19 donde ambos son pequeos comparados con los
niveles de dopado mayoritarios en sus respectivos lados de la regin de deplexin. Cuando hay un
nivel de inyeccin alto, esto no es demasiado cierto y la Ecuacin (3.32) ya no es fiable. El factor r,
el coeficiente de emisin, aparece a veces en la ecuacin del diodo para corregir estos casos, dando

io?)=1,(e"lnv' -1) (3.40)

Elegimos el coeficiente de emisin para tener resultados coincidentes con las medidas hechas en
la regin de ihters; los valores tiles estn entre 1 < 11 < 2. En el futuro supondremos rl = 1 a menos
que haya alguna razn especial para hacer otra cosa.
Habiendo explicado la caracterstica no lineal vi del diodo, a continuacin aprenderemos a usar el
diodo para procesado no lineal de formas de onda de seal y potencia.

3.7
MODELOS DE DIODO DE GRAN SEAL

Como la descripcin matemtica del diodo es no lineal, emplearemos modelos simplificados que nos
ayuden a entender y estimar cmo se comporta el diodo en los circuitos. Siempre que haga falta, estn
disponibles programas de clculo que implementan la ecuacin no lineal del diodo para comprobar
nuestros anlisis intuitivos y estimaciones con mayor fiabilidad de clculo.
3 .7 I Modelos de d iodo de gran seal I 1 55

Los modelos de este captulo se llaman modelos de gran seal porque son tiles para predecir el
comportamiento de los circuitos cuando las tensiones y corrientes son grandes. Los utilizaremos para
analizar y disear circuitos lgicos, fuentes de alimentacin,recortadores de onda y circuitos de pola-
rizacin. Conceptualmente el ms importante es el modelo de diodo ideal.

3.7.1 CAMCTERISTCA DEL DIODO IDEAL

E7 diodo ideal caracterizala esencia del funcionamiento del diodo, distinguiendo entre conduccin
directa y conduccin inversa, siendo esta ltima despreciable. Se define por

vo =0 cuando l, > 0

lr=0cuandovo(0
el diodo ideal tiene la curva vi de la Figura 3.20a. Cuando el diodo conduce corriente, decimos que
el diodo est ON o en estado ON o en conduccin. Cuando bloquea la corriente decimos que el diodo
est OFF o en estado OFF o cortado. El diodo ideal emula estos estados, respectivamente, con cor-
tocircuitos y circuitos abiertos como sugiere la Figura 3.20b. Cuando l - 0 y v = 0, el punto de fun-
cionamiento se sita en el punto de ruptura de la Figura 3.20a, donde el corlocircuito y el circuito
abierto, representan ambos el diodo ideal.

A
?
Inl
il
I

*l
-DY
? li'
L,/ ,/

=
j
I

FIGURA 3.20 a) Curva vi C


de un diodo ideal; -a
b) modelos para un diodo C
ideal. (b)

El modelo de diodo ideal nos lleva a circuitos equivalentes simples, que son fciles de analizar.
Para in > 0 el modelo es algo inexacto porque desprecia la cada de tensin directa en el diodo real.
No obstante, el modelo es muy importante para ayudarnos a comprender circuitos de diodos no fami-
liares y para realizar estimaciones de tensiones y corrientes en el diodo.

3.7.2 NNAUSS EN CONTNUA DE CIRCUITOS QUE CONTIENEN DIODOS


IDEALES

El anlisis de continua usando diodos ideales es una buena forma de empezar a estudiar circuitos
con diodos que no nos sean familiares. Unavez que entendamos cmo trabajan los circuitos para un
valor de la tensin continua de entrada, generalmente es fcil deducir su funcionamiento para otros
valores de entrada de continua e incluso de tensin alterna. El problema del diodo es que.inicial-
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

mente no se sabe si est en conduccin o cortado. Normalmente el siguiente procedimiento es efec-


tivo:
1. Hacer una suposicin razonada acerca del estado de cada diodo.
2. Redibujar el circuito sustituyendo los diodos en conduccin por un cortocircuito y los diodos cor-
tados por un circuito abierto.
3. Mediante el anlisis del circuito determinar la corriente en cada cortocircuito que represente un
diodo en conduccin y la tensin en cada circuito abierlo que represente un diodo en circuito
abierto.
4. Comprobar las suposiciones hechas para cada diodo. Si hay contradiccin -una corriente
negativa en un diodo en conduccin o una tensin positiva en un diodo cortado- en cual-
quier lugar de circuito, volver a1 primer paso y comenzar de nuevo con una mejor suposi-
cin.
5. Cuando no hay contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas para el circuito se aproximan
bastante a los valores verdaderos.

UEMPLO 3.5 El diodo de la Figura 3.21a es ideal. Obtener Va.

Solucin La Figura 3.21a introduce un tipo de circuito ampliamente utilizado en electrnica. Las fle-
chas indican el sentido de las tensiones respecto a una referencia de masa de cero voltios. Esta referencia
est implcita pero a menudo se omite en el diagrama. La Figura 3.2Ib es la notacin ms convencional
para el mismo circuito. La notacin compacta muestra cmo se conectan los componentes a los termina-
les de alimentacin y masa.

+12 V
+t:
t I troko
lrorc
t--'"^
TI
+-
I

-8V
r2v+
I (b)
|-n
+'"
A
C

-8V
+
vA

i.:
(a)

+l2Y

FIGURA 3.21 Modelos


de un diodo ideal de un circuito
con diodos: a) circuito original;
b) notacin ms familiar +
para el circuito; c) suponiendo
vA
el diodo en conduccin; C,
d) puntos de funcionamiento
I '1
del diodo; fl suponiendo el diodo
cortado. -8V :
le)
Modelos de diodos de gran seal '157

Se espera que la corriente fluya del terminal de +12 V a travs del diodo, en sentidopostvo,haciala fuente
-8 V; por lo tanto suponemos que el diodo est en conduccin. La Figura 3.21c muestra el modelo del circuito
resultante. De este circuito equivalente se obtiene

. t2-(-8)
,r= =2mA
*
El punto x de Ia Figura 3.21d muestra el significado de nuestro resultado de 2 mA y confirma que Ia suposi-
cin inicial era correcta. De la Figura 3.21c, Ve = V. -8
Aunque ya est solucionado todo, veamos qu habra ocurrido en caso de una suposicin incorrecta.
La Figura
3.21e- muestra el circuito equivalente si se supone el diodo cortado. Como la
coffiente por la resistencia es cero, Vn
= +12Y Y Vc = -8 V. Por to tanto el modelo nos dice que la tensin del diodo es u = I/r. = 12 (-8) 20 V. pero
-
suponer que el diodo est conado requiere que la tensin del nodo sea negativa respecto al ctodo,
=
por lo tanto
hay una contradiccin. El punto y de la Figura 3.21d nos ayuda a ver qu ha curri do.El moclelo
del circuito abier-
to predice un punto de funcionamiento que no est sobre la curva ideal del diodo, un punto para que
el las curvas
vi para el circuito abierto y el diodo ideal no son coincidentes. Concluimos que Ia suposicin del diodo
cortado es
incorrecta y recomenzamos suponiendo el diodo en conduccin. Obviamente, la forma de minimizar
el trabajo es
acefar con la suposicin coffecta a la primera. Este es un problema que se resuelve con la experiencia.
tr
Ejercicio 3.6 Obtener Vo si tas fuentes de +12 y -B V de Ia Figura 3.21a se intercambian
Respuesta -8 V.

EJEMPLO 3. El diodo de la Figura 3.22 es ideal. Hallar Vc.

Solucin Supongamos el diodo en conduccin. Se obtiene la Figura 3.22c.Est claro que l es negativa, as
que la suposicin inicial es incorecta.
Suponer que el diodo est cortado, genera la Figna3.22d. Como circula corriente nula por
el circuito v = 5 V
Y vc = 6 V; por Io tanto yD = rt -vc = -1 V. Del diagrama, Vc = +6 y. tl
Ejercicio 3.7 Haltar V si cambiamos la orientacin del diodo en la Figura 3.22a.
Respuesta Vc = 5.33 V.

+l0V +10V

6V 6V

(b)

FIGURA 3.22 Circuito


del ejemplo 3.6: a) circuito 2,5 KQ A 2,5k9 A C
yc
original; b) circuito
suponiendo el diodo |
t
*'"-G__t_-. I
en conduccin; c) despus
de aplicar el teorema ftu
|'l
tsko
de Thvenin; d) circuito
con el diodo cortado. +
6V
l_ Iuu
(d)
1581 CAPTULO 3'l Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

EJEMPLO 3.7 Hallar 4 en la Figura 3.23a cuando a)V = +72 V, )t = -6 V. Suponer ideales los diodos.

Solucin a) Cuando V, > 0, esperamos una orriente positiva 1,, que se divide en dos partes, una por el diodo
y otra por la resistencia de 5 kl), as que suponemos el diodo Dr en conduccin. Esta corriente continuara a travs
de la resistencia de 2 kC), con Dz cortado, puesto que la conduccin inversa es imposibte.
La Figura 3.23b muestra nuestro modelo de circuito. Como Dr cortocircuita la esistencia de 5 kQ, I = l2l2k = 6
mA' Para D ip1 = +6 mA porque la tensin en la resistencia de 5 k es cero. Dt est cortado porque yr2 = -72 Y .
Por lo tanto las suposiciones iniciales se verifican.
b) Cuando Vr = -6V en la Figura 3.23a, esperamos una corriente negativa. Esto sugiere que D1 est cortado y
D2conduce,dandolaFigura3.23c.Deestecircuito I=-6/5 mA.ParaDl, rot=-6 Vypara D2,ip2=+6/5mA.
Como iz es positiva y yDr negativa, no hay contradiccin. f

Ejercicio 3.8 Obtenga I, y vp2 en 1a Figura 3.23a si 14 =5V


Respuesta 2.5 mA. -5 V.

Estos ejemplos muestran cmo el modelo de diodo ideal reduce el problema del anlisis del cir-
cuito a algo familiar y que no tiene ecuaciones no lineales. Tambin los cortocircuitos o circuitos
abiertos que reemplazan al diodo a menudo conducen a circuitos simples. Conservamos la ventaja
del anlisis de circuitos lineales y alcanzamos mayor precisin usando modelos ms complicados
como el descrito a continuacin.

tD
A -----> C

I,I 1,1
+
12V I

FIGURA 3.23 a) Circuito


resistencia-d iodo;
b) equivalente supuesto
para v-+12Y;
c) equivalente supuesto
para Vi=-6V.

3.7.3 OTROS MODELOS DE DIODOS

Modelo con tensin de codo En la Figura 3.24a, la lnea de tensin constante aproxima el com-
portamiento del diodo para iD ) 0, proporcionando una desviacin (offset) de la tensin como en un
3.7 I Modelos de diodos de gran seal 1159

diodo real. Una tensin de codo de 0,7 V normalmente es buena aproximacin para'una unin pn de
silicio conduciendo una corriente moderada a2J"C. (Para diodos de germanio, 0,25V es ms adecua-
do; para arseniuro de galio, I,2V).Paravo <0,7 V, el circuito abierto es el equivalente del diodo. La
Figura 3.24b muestra los modelos de circuito correspondientes.
Modificamos ligeramente el procedimiento para analizar circuitos con diodos ideales para adap-
tarlo al modelo con tensin de codo. Los diodos en conduccin se reemplazan por fuentes de 0,7 V
(para el silicio) y los diodos en corte por circuitos abiertos. Para verificar la suposicin de conduc-
cin se necesita que la corriente de la fuente, iD, sea positiva. Para verificar la suposicin de corte se
necesita eue v < 0,7 V, flo v ( 0 V como para el diodo ideal.
El Ejemplo 3.8 repite el Ejemplo 3.5 pero usando un modelo ms fiable.

ON . llt
,'J
uD
"DY
A
FIGURA 3.24 Modelo con I +
si GoA, Ge C uD
tensin de codo
para un diodo de silicio. V, (voitios) 0;7 1.2 0.25 a
a) curva vi; b) modelos. C
(a) (b)

EJEMPLO 3.8 Hallar Vt en la Figura 3.25a uirtlizando el modelo con tensin de codo.

Solucin La Figura 3.25b muestra el circuito equivalente suponiendo el diodo en conduccin. De este circui-
to, VA = -8 + 0,7 = -:7 ,3, y

. t2-(-i.3)
tr= -
=+l.93mA
l'k
confirmando que el diodo est en conduccin. La Frgura3.25c muestra el punto de funcionamiento en la curva
del diodo idealizado. La tensin de codo no produce una gian diferencia si comparamos esta respuesta con la
estimada para el diodo ideal de la Figura 3.21d porque la tensin de codo es bastante pequea comparada con
los 20V que soporta el conjunto diodo-resistencia.
12V +12Y
I I
t I

rorc J tooo
! f
J_-. v^ Av.
I n

I 0.7 +
I r,,
FIGURA 3.25 Anlisis
del ejemplo 3.7 usando I
8V
CIv Y

el modelo con tensin -8V


(a) (b)
de codo.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Ejercicio 3.9 Utilizar el modelo con tensin de codo para hallar la corriente del diodo de silicio si ste cam-
bia su orientacin en la Figura3.22a.
Respuesta 40 pA.

EJEMPLO 3.9 Suponer que D1 y D2enla Figura 3.23a son diodos ideales de GaAs con una tensin de codo
de 1,2Y. Hallar el valor de 1 cuando a) V= 12 V, b) 11 = 1,7 Y, c) Hallar la menor Vparala que los estados
del diodo en el apartado b) no son vlidos.

Solucin a) SuponiendoDienconduccinyD2encorteseobtienelaFigura3.26aparaV=12Y.Deldia-
g|rama

12,1.2
I'2k
= =+5.4mA

El circuito equivalente tambin muesffa que

,,,.= -(12- 1,2) = -10,8 v

FIGURA 3.26 a) Circuito


equivalente para la figura
cuando los diodos t +
son de CaAs con Dr
en conduccin y D, v
en corte; b) puntos zr, (voltios)
de funcionamiento
en las curvas del diodo.

Como esto corresponde al punto w en la Figura 3.26b, Dz est cortado como se supuso.
Para verificar que D1 est en conduccin debemos demostrar que l1 ) 0. De Ia Figura 3.26a, Ia corriente por Ia
resistencia de 5 kO es 1,2/5k = 0,24 mA. Como 1, = 5,4 mA

iot = 5,4- 0,24 = 5,16 mA

El punto de funcionamiento para D1 es el punto x de Ia Figura 3.26b, verificndose que D1 est en conduccin.
Concluimos que

1; = 5'4 mA

b) Para V = l,'7 V esperamos 1, > 0; por tanto la Figura 3.26a es otra vez el punto de arranque. El anlisis da

- 1.2
I,= 1.72k =+0.25mA

La coriente D1 es

1.2
io, = I,-lT= 0,01mA
Modelos de diodo de gran 161

poniendo el nuevo punto de funcionamiento de Dr en el punto y de ta Figura 3.26b. Latensin en D2


es

v,=1,7-1,2=0,5V

Como esto corresponde al punto z en la Figura 3.26b,la suposicin de D2 se vedfica. Como ambas suposicio_
nes son coffectas, I = 0,25 mA.
c) Obsrvese que en apartado b), reducir la fuente de tensin motiv que los puntos de funcionamiento
de los
diodos se trasladaranmuycerca delpunto de rupturaaT,2Y (dexay, ydew az). Si 14 sereduce ms,Dzo Dt
cambiarn de estado (tambin es posible pero menos probable que ambos cambien de estado exactamente para
el mismo valor de V;).
Supongamos que para algn valor de V, D2 empieza a conducir, mientras que D' permanece, a su vez, en
con-
duccin. Para que D2 opere en su punto de ruptura, su tensin de ctodo tiene que ser 1,2 V menor que la del
nodo' o Vo = -1,2 V. Para alcanzar este punto, V enlaFigura 3.26a tiene que reducirse hasta-1,2+1,2
= 0.
A continuacin examinamos la otra posibilidad. Suponemos que Dl se corta en la Figura 3.26a mientras D2per-
manece, tambin, cortado. Dr se cortar cuando su corriente sea cero. Este supuesto nos lleva a

1.2 v-r.2
i^,=L--- ' t.2
5k 2k --=o -5k

ResolviendoV'=1,68V.
Al comparar los dos resultados vemos que como V, es reducida desde 1,7 V, el primer evento imporlante es que
D1 se corta. Esto sucede cuando V = 1,68 V, y el circuito equivalente es un simple divisor de
tensin. tr
Bjercicio 3.10En la Figura 3.23, se invierte la polaridad de Dz. Ambos diodos son de germanio con tensiones
de codo de 0,25 V y ambos estn inicialmente cortaalos. Si
V empieza a crecer desde cer, primero entra en con-
duccin un diodo y luego el otro. Determinar el orden de entrada en conduccin de los diodos y los dos
valores
crticos de V.
Respuesta Dr entra en conduccin a 0,35 V I Dz a 0,5 y .

Tensin de codo El modelo con tensin de codo proporciona estimaciones razonables para un
diodo directamente polarizado y conduciendo corrientes altas; sin embargo la Figura 3.24auestra
que este modelo da errores de tensin grandes cerca de i 0. A veces un punto crtico en
= el funcio_
namiento de un circuito de diodos es la tensin a la que empieza a circulr una corriente percepti-
ble.Llamamos esta tensin latensin de codo del cliodo,Vr. Si 10,; es la corriente de un diodo de
sili_
cio cuando su tensin es 0,7 V, y definimos V, como la tensin a la que la corriente del diodo es el
0,17o de 1o,r de la Ecuacin (3.3)

Io,roI,eo''|"
Por definicin, V, cumple

0,0011o., x I,

de la relacin
0.00110 7=''lv"-o:)fv,t
'
,r,

V, = 0,7 +VrLn(O,OOt) 0,5 volt


^y
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Este valor se usar constantemente en el futuro, con raras excepciones slo para casos especiales.
El modelo de la Figura 3.27 aproxima el diodo en conduccin por una resistencia serie ry y una
fuente Vr. Elegimos el valor de la resistencia para obtener una buena aproximacin a la curva real
dentro del margen de funcionamiento deseado. Este modelo aumenta la precisin, pero tambin
incrementa la complejidad del anlisis manual un inconveniente menor cuando las simulaciones de
computador son fcilmente accesibles. El principal mrito de este modelo es el concepto de la ten-
sin V, a la que empieza a circular una corriente perceptible.

I A
.\
.-., A
?,.
-, ll,o
,f
FIGURA 3.27 Modelo
oNj + Curv a bvlY + ON
aproximado lineal real I { V,
de un diodo:
a) aproximacin
OFF
V,
uD l
C
I
C
a la caracterstica vi;
b) modelo. (a) (b)

Los principiantes no deben preocuparse acerca de qu modelo de diodo utilizar. La nica regla es
utilizar el modelo ms simple que mejore la comprensin del problema cuando no se usa un simula-
dor. Si se necesita mayor precisin, normalmente se hace un segundo anlisis con un modelo ms
complejo. Finalmente, las simulaciones con computador siempre pueden usarse para obtener valores
numricos precisos.
El siguiente apartado introduce la ruptura del diodo, un hecho importante que no se incluye en las
ecuaciones. teora o modelos desarrollados hasta el momento.

9.7.4 LA RUPTURA DE LA UNIN

Si aplicamos suficiente tensin negativa a la unin pn, su caracterstica se quiebra bruscamente hacia
abajo a una teisin casi constante -V., como en la Figura 3.28. V, se llama Ia ten.sin de ruptura del
diodo. I a regin de ruplura, en la que el diodo funciona como una fuente de tensin negativa, est
delimitada por una corriente mnima I-, y una corriente mxima, 1,,,. La primera esta definida por
la esquina de la curva, la segunda por la potencia mxima que puede disipar el diodo sin sobrecalen-
tarse. El diodo se sobrecalienta si su potencia mxima disipada sobrepasa P,,, = V,,1,,,.,.
El smbolo de la Figura 3.28b representa un diodo que funciona intencionadamente en la zona de
ruptura. Como el producto tensin comiente es positivo en cualquier lugar de la curva del diodo,
incluso en la ruptura, el diodo nunca entrega potencia al circuito. Esto restringe su uso como fuente
de tensin a las aplicaciones en las que la fuente absorbe potencia. Ejemplos de esto son una tensin
de referencia, compensacin para cambios de temperatura en otros elementos y fijar lmites en cir-
cuitos recortadores de onda.
Hay dos mecanismos de ruptura del diodo, zener y avalancha. La ruptura zener oculrre en uniones
fuertemente dopadas que tienen una regin de deplexin muy estrecha, cuando el campo elctrico es
tan intenso que rompe los enlaces covalentes. Esto proporciona un gran nmero de porladores adi-
cionales para contribuir a la corriente inversa l. En la ruptura de avalancha, los electrones, acelera-
3.7 I Modelos de diodo de gran seal 1163

dos hasta altas velocidades por el campo, rompen los enlaces colisionando y creando de ese modo
nuevos pares electrn-hueco que, a su vez, rompen todava ms enlaces y as sucesivamente todos
estos nuevos portadores se suman a la corriente 1,. Cuando la tensin de ruptura es menor que 5,7 V,
el mecanismo zener es normalmente el responsable; para tensiones mayores, lo ms probable es que
tenga lugar la avalancha. A los diodos especialmente diseados para trabajar en la regin de ruptura
{;
los llamamos diodos zener, sin tener en cuenta qu mecanismo es el responsable de la ruptura, y V.
eslatensin zener. I
$
e

t

lr
FICURA 3.28
lli,=-r,
a) Caracterstica del diodo '[ uu=-v,
mostrando la regin
de ruptura; b) smbolo
para un diodo zener.
l.
(b)

Modelos de diodo zener Incluyendo la ruptura, el diodo es un dispositivo de tres estados aproxi-
mado por la caractersticaidealizada de la Figura 3.29a.lJn circuito abierto representa el diodo de sili-
cio para -V,3 v,I 0,7 V; y fuentes de tensin de 0,7 V y -V. sustituyen al diodo para ip > 0 e l < 0,
respectivamente. Ocasionalmente se presentan interesantes problemas en lgica digital que requieren
esta descripcin triestado.

l.c
-v
-r"--- ol'D
J'-l

IT = \
i

l JI
AA
(a) (b)
1
FIGURA 3.29 a) Caracterstica
estilizada del diodo que sugiere tD
C i
lc
IT
i.
un modelo de tres estados;
b) modelo simple I
para el funcionamiento
en zona zener; c) modelo -v 't
l-Jr-
t' 1,,
!v
T*,,
z
ms complejo del zener
con una resistencia
para tener en cuenta la pendiente
,7 u\
le
I I'
A
de la zona zener. (c)
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

En la mayora de las aplicaciones-el smbolo del zener indica funcionamiento en la regin de rup-
tura y el modelo necesita slo aproximar al diodo en esa regin. Las Figuras 3.29b y c muestran el
ms popular de los modelos de la regin de ruptura. En ambas, el terminal positivo de la fuente de
tensin es el ctodo porque yD es negativo.
Regulador de tensin zener La Figura 3.30 representa un diodo zener en un circuito regulador de
tensin. La funcin del diodo es mantener una tensin constante en la resistencia de carga Rry V"n.
Una idea clave para disear el regulador es asegurar que la corriente del zener est dentro de los lmi-
tes -1,,n y-I*, de la Figura 3.28a. El siguiente ejemplo examina las variaciones de R.

FIGURA 3.30 Circuito regulador de


tensin con un zener.

EiEMPLO 3.10 Utlizar el modelo zener de la Figura 3.29b parahallar los valores mximo y mnimo de R. del
circuito regulador de la Figura 3.30 cuando R" = 48,7 {l y Vre = 15 V. El zener de 5 V tiene una corriente inver-
sa mnima de 10 mA, y su disipacin de potencia mxima es lW.

Solucin Primero, dibujamos el circuito equivalente para el regulador, Figura 3.31. Para el funcionamiento en zona
zener necesitamos | > 10 mA. Tambin, como la potencia disipada mxima del diodo es I W, es necesario que

5/. < I watt

1. < 200 mA

Obsrvese que del circuito equivalente se deduce que 1. es constante

15-5
I" = 4gJ
= 205 mA

Por 1o tanto los cambios de R van acompaados por cambios en l. Aplicando la ley de Kirchhoff de las corrien-
tes al nodo
5
l"=205 mA=1 + -
'Rr
de aqu deducimos que laR ms pequea corresponde ala I,ms pequea, y viceversa. Por lo tanto R.;, cumple
5
205mA=l0mA+-
R,

y Rt.^n, cumple

5
205mA=200mA+-
R,

As para que el regulador funcione coffectamente

25,6 Q< R < 1kO tr


3.7 / Modelos de diodo de gran seal 165

I IL !
-l+- x
t

x
li
t5v tI
FIGURA 3.3'l Circuito equivalente 1
para el circuito regulador I
de tensin con zener ;
i
de la Figura 3.30.
I
{
{.
I
Ejercicio 3.11
En la Figura 3.30, R = 500 O y Rs = 10 O. para un zener de l0 V con lmites de corriente de
20 mA y 2 mA, utilizar el modelo zener de tensin constante para determinar los lmites permisibles de V63. $
:
Respuesta 10,2V< %< 10,4V.

La resistencia interna, r,, del zenu (Figura 3.29c) causa una tensin de desviacin en el funciona-
miento del regulador respecto al comportamiento idealizado descrito al principio. Como r.1148,7 apa-
rece en el equivalente Thvenin visto por R la resistencia zener provoca una ligera cada de la
ten-
sin de salida para incrementos de la corriente de carga.

3.7.5 VARIACIN CON IA TEMPEMTURA

La Figura 3.32a muestra como la tensin de codo, corriente inversa y tensin de ruptura cambian con
la tenperatura para los diodos de silicio. La tensin de codo, Vo, decrece araznde 2 mV/"C. Esto
significa que la tensin de la fuente en el modelo cambia de acuerdo a

voQ) = v,(r^)- o,ooz(r - 4-) (3.4r)


donde Zn es una temperatura de referencia. De aqu podemos estimar el coeficiente de temperatura,
ao, de la tensin de codo del diodo. Comenzamos con la definicin

LV,f V^
CL^=-= (3.42)
"AT T -T*

<- -2 mV/'C

UD C
FIGURA 3.32 a) Cambios
{s
t
en las caractersticas del diodo
con la temperatura; b) modelo
*= (+) I, (T)
Se duplica
para el diodo inversamente
polarizado que incluye Avalancha <- ->- Zener
cada 5o C J
A
TA
la variacin de la temperatura. (a) (b)
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Si usamos 27"C para Tn, entonces V" (Ti = 0,7 V. La variacin -2 mY l"C da

ao= -
:ff
0.002
x -0.0029 f " C = 2.900 ppm I " C

La corriente inversa de saturacin del diodo se duplica cada incremento de 5"C de la temperatura.
Cuando esta corriente pueda llegar a ser importante, por ejemplo para un diodo trabajando con un
margen de temperaturas amplio, sustituimos el circuito abierto del modelo de diodo cortado por una
fuente de corriente independiente de valor io= -Is que cambia de acuerdo con

r,(r) = r(Z^) '2Q r)ls


La Figura 3.2b muestra el modelo.
Los coeficientes de temperatura para Vz dentro de un margen del +O,IVo por oC son tpicos. El
signo de la variacin de la temperatura depende del mecanismo fsico de ruptura. PnaVz < 5,7 V
(mecanismo zener) el coeficiente de temperatura es negativo; para Vz > 5,7 V (avalancha) es positi-
vo. Un zener de 5,7 V es el mejor para usarlo como tensin de referencia porque su coeficiente de
temperatura est muy cercano al cero.

3.8
MODELO ESTATCO SPICE PARA EL DIODO

El SPICE tiene un modelo matemtico predefinido para el diodo, que se reduce a la Ecuacin (3.40)
para el anlisis en continua. El SPICE tambin incluye en los clculos la regin de ruptura como una
opcin de usuario. La Figura 3.33c muestra el cdigo SPICE para los diodos de la Figura 3.33b. Cada
diodo comienza con una lnea en la que figura un nombre que comienza con "D". A continuacin
aparecen los nmeros de los nodos en el orden nodo-ctodo. Luego viene el nombre del modelo del
elemento, que se elige arbitrariamente (por ejemplo, KAY). La funcin de la clase es relacionar el
diodo con alguna lnea de cdigo .MODEL en particular. Lalnea.MODEL especifica el modelo y
tipo de dispositivo y enumera los valores de sus parmetros.

a
Notacin Valores
Texto SPICE por defecto DT 4 2 ]KA,-{
IJ IS 1,0E-14 A .MODEL KAY D
D364TOM
n N I .MODEL TOM D N=2 BV=5.7
v BV
D2 3 5 KAY 2.5
I IBV 1,0E-3 A
^,
(a) (c)

FGURA 3.33 Cdigo SPICE para un diodo: a) notacin de los parmetros y valores por defecto; b) circuito
conteniendo diodos; c) codificacin por defecto para un diodo (D), diodo con valores que no son por defecto
(D:), diodo por defecto excepto para el rea (Dz).
3.8 / Modelo esttico SPICE para el diodo )167

La primera lnea de cdigo de la Figura 3.33c establece que D1 pertenece a la clase de elementos lla-
mada KAY. La lnea .MODEL que sigue describe todos los dispositivos que pertenencen a la clase
KAY. Despus del nombre de modelo una D indica que todos los KAY son diodos. (Los otros dis-
positivos que no son diodos tambin usan las lneas .MODEL). Como no hay otros cdigos en lnea
.MODEL, D1 es un diodo que utiliza los valores por defecto, que se enumeran en la ltima columna
de la Figura 3.33a.
D3 pertenece a una segunda clase, llamada TOM. Obsrvese que la lnea .MODEL de esta clase
invalida los valores por defecto del coeficiente de emisin y la tensin zener enumerando los valores
que los reemplazan, pero mantiene el valor por defecto de 1". (Las declaraciones de los parmetros
pueden escribirse en cualquier orden). Si hubiera otros diodos idnticos a D3 en el circuito, cada uno
debera tener una lnea propia que describiese sus conexiones, pero todos compartiran la misma des-
cripcin .MODEL utilizando el nombre de la clase TOM.
Cmo guiarse por la corriente inversa de saturacin I" y el rea A [ver Ecuacin (3.39)] es una
importante tcnica de diseo, es til poder asignar diferentes reas relativas a otros diodos que son
iguales en todo lo dems. El SPICE emplea un factor AREA opcional en la lnea del elemento para
este propsito. Este nmero, aadido al final de la lnea del elemento, le dice al SPICE el nmero de
diodos del tipo descrito en la lnea .MODEL que deben ponerse en paralelo para obtener ese diodo.
Por ejemplo, en la Figura 3.33c la lnea del elemento Dz asocia este diodo con el modelo KAY; sin
embargo, el 2,5 del final indica que le rea de Dz es 2,5 veces la de Dr. Cuando se indica un rea en
1a lnea del elemento, SPICE escala convenientemente todos los parmetros del diodo pertinentes,
incluyendo {.
El SPICE supone que todos los datos de entrada se aplican a los dispositivos a una temperatura de
27"C y siempre hace el anlisis en continua para esta temperatura. Si incluimos una lnea adicional
de cdigo especificando alguna otra temperatura en grados Celsius, por ejemplo .TEMP = 50, el
SPICE calcula los valores de los parmetros para esta temperattra y realiza un segundo anlisis.
La disponibilidad de modelos SPICE no lineales aumenta nuestra capacidad de resolver proble-
mas, como sugiere el siguiente ejemplo.

EJEMPLO 3.1 I En la Figura 3.34a Dz tiene una corriente inversa de 3 x 10-ts A. Dr es idntico excepto que
su rea es 9,5 veces la de Dz. Hallar las tensiones de los nodos V" y Vo y la corriente del diodo a T = 2'7"C y
Z= 100"C.
Solucin El cdigo SPICE est en la Figura 3.34b, las respuestas obtenidas de los datos de salida de SPICE
estin en la Figura 3.34c.

T Resouestas ::

va DIODtr DIVIDER -:
va= 1,2626v
VCClODC2 27"C ;i'
Vn= 0'6604Y
RII22K Io=3,68'7 x 10-4 A
vb
DI 2 3 TOM 9.5
D23OTOM
lr, .MODEL TOM D IS=3E_15 vo= 7,oo69Y
v .TEMP=100 100"c Vu= 0'5397 v
.PRINT DC I(VCC) Io= 4,965 x 10-4 A
. END
(a) (b) (c)

FIGURA 3.34 Ejemplo usando modelos de SPICE: a) circuito; b) cdigo SPICE; c) resultados del anlisis para
27"C y para 100'C.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Debido a las diferentes reas de las uniones, los datos a 27"C muestran que las cadas de tensin en los dos
diodos no son las mismas incluso aunque las corrientes de los diodos son las mismas. Debido a la baja corien-
te. ambas cadas son menores de los 0,7 V que empleamos en nuestros simples modelos lineales. En el segundo
de respuestas, las cadas de los diodos decrecen ambas al crecer la temperatura (como indicaba la Figura
-srupo
3.32), algo menos de los 2 mV/"C indicados. Normalmente el SPICE refleja mejor el funcionamiento real que
nuestras estimaciones. tr

Ejercicio 3.12 En la Figura 3.34c suponer que los valores de V, y V6 a 27"C son corectos. Calcular los valo-
res que se esperan si Ia cada de los diodos es -2 mV/C.
Respuesta Vo = 0,5144 Y, V. = 0,9706 V.

El Ejemplo 3.11 presenta problemas conceptualmente simples, pero no son fciles de resolver
mediante anlisis manual. Para resolver este problema sin software de simulacin, deberamos haber
estimado la corriente, calcular las correspondientes tensiones de los diodos con la Ecuacin (3.32)
usando valores individuales de 1,, recalcular la corriente partiendo de las nuevas tensiones y conti-
nuar iterando hasta que las soluciones convergieran. El SPICE hace esas iteraciones, pero de forma
transparente para el usuario.

UEMPLO 3.12 La Figura 3.35a muestra el regulador de tensin del Ejemplo 3.10 con una fuente de
corriente continua reemplazando a la resistencia de carga. Utilizar el SPICE para dibujar la tensin en la carga
en funcin de la corriente de carga 1, con un margen de corrientes de carga de cero a 300 mA. Explique los
resultados.

Solucin Las Figuras 3.35 a-c muestran el circuito de la simulacin. En el Ejemplo 3.10 obtuvimos que la ali-
mentacin de 15 V entregaba una corriente constante de 205mA. Cuando la coriente de carga es cero, toda la
corriente de alimentacin circula por el diodo. Como 1. aumenta, la corriente del diodo disminuye. Cuando la
corriente de carga iguala a la corriente de alimentacin menos Ia corriente mnima del diodo, 205 -2 = 203 mA,
esperamos que el punto de funcionamiento del diodo salga de la regin de ruptura y entre en la regin de corrien-
te constante de la Figura 3.28a. tr

Ejercicio 3,13 Estimar el valor de la corriente de carga, I, para el que la curva de la Figura 3.35c empezara
a disminuir si la fuente de 15 V fuera sustituida por una de l0 V. Utlzar el SPICE para comprobar el resultado.
Respuesta 101 mA, cambiar la lnea de la fuente a VBB 2 0 DC 10, Figura 3.35d.

3.9
CIRCUITOS NO LINEALES CONFORAAADORES DE ONDAS

A continuacin estudiamos una clase de circuitos que explota las no linealidades de los diodos para
cambiar las formas de las ondas que varan en el tiempo. Recordemos que un circuito lineal respon-
de a una onda de entrada senoidal produciendo una onda de salida senoidal de la misma frecuencia,
posiblemente difiriendo en magnitud y/o fase. En contraste, la salida de un circuito conformador de
ondas contiene nuevas frecuencies, cada una mltiplo de la frecuencia de la onda senoidal de entra-
da. En un amplificador, los arrnnicos de salida no son deseables y los llamamos distorsin. En un
circuito conformador de ondas, producir armnicos es la cuestin. Las senoides no son las nicas
seales de entrada tiles para los circuitos recortadores; es posible y til utilizar seales peridicas
generales e incluso seales de entrada no peridicas.
3.9 I Circuitos no lineales conformadores de onda 1169

EXAMPLE 3 .12
VBB2ODC15
RS 2 L 48.1
48;7 { DZ O 1 ZENER
.MODEL ZENER D BV=5 IBV=2M
t5v ILlODCO
.PLOT DC V(1)
.DC IL O 3OOM 3M
. END
(b)

o
'i/
3s
!4
FIGURA 3.35 Simulacin o o
de SPICE de un regulador de ^') -0
tensin: a) circuito;
b) cdigo SPICE; c) grfica
de Ia tensin de salida; 50 100 150 200 250 50 100 150 200 300
d) tensin de salida 1. (mA) 1. (mA)
para el Ejercicio 3.13. (c) (d)

Estudiamos un circuito conformador de ondas comparando su onda de entrada y su salida variantes


en el tiempo. A menudo empezamos con una seal de entrada simple como una onda senoidal y anali-
zamos el circuito con diodos ideales para determinar la naturaleza de la onda de salida. Para generali-
zar el anlisis a cualquier seal de entrada, usamos una.funcin de transferenca esttica no lineal, un
simple dibujo punto a punto de la variable de salida en funcin de la variable de entrada. Una vez que
conocemos la caracterstica de transferencia, usamos la tcnica de proyeccin de ondas de la Figura 1.16
para entender cmo procesa el circuito cualquier forma de onda. La caractestica de transferencia nos
permite clasificar un circuito recorlador de acuerdo con su manera de modificar las formas de onda.
El diodo ideal es la herramienta ms efectiva para explorar un circuito conformador de ondas no
familiar; las caractersticas de transferencia basadas en el anlisis de un diodo ideal pueden no ser
suficientemente precisas en algunas situaciones. En tales casos, un segundo anlisis usando el mode-
lo con tensin de codo del diodo se lleva a cabo normalmente; las simulaciones de computador nos
permiten incluso ms precisin mediante la inclusin de las no linealidades exactas del diodo.
Mientras que los circuitos conformadores de onda hechos slo de diodos, resistencias, fuentes de
continua y en casiones condensadores son ampliamente usados, los amplificadores operacionales
aportan beneficios adicionales. Los amplificadores operacionales pueden compensar las deficiencias
de los diodos, proporcionar resistencias de salida bajas convenientes para circuitos en cascada, y

combinar las salidas de circuitos internos no lineales para producir el funcionamiento no lineal dese- I

ado de todo el conjunto. Unavez que dominemos los circuitos de resistencias, condensadores y dio-
dos examinaremos tambin aquellos que incluyen amplificadores operacionales.

Circuito limitador La Figura 3.36a muestra un circuito conocido como limitador. Cuando y > 0,
circula la corriente directa, y el diodo pasa a ser el cortocircuito de la Figura 3.36b. Cuando v es
negativa, se tiene el circuito abierto de la Figura 3.36c. De estas figuras concluimos que

vo=0, parau,)0 (3.44)

vo = l. para v, ( 0 (3.4s)
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

R R

U t)
) )
(a) (b)

R uo(t)
FIGURA 3.36 Circuito
limitador :a) esquema
del circuito; b) modelo
ll*
---4AAA----#,
a
AI
I

para v(t)0; c) modelo '' (tu)


YI . 'n I

para v(t)0; d) onda tt


lo -A)
l'rl
de salida para una entrada
senoidal. (c) (d)

Esta ecuaciones implican que si v'(r) es la funcin del tiempo


v,(r)=Asenro/

entonces v,,(r) es la onda de la Figura 3.36d.


Para visualizar mejor el funcionamiento del circuito, esquematizamos su funcin de transferencia,
la representacin grfica de las Ecuaciones (3.44) y (.3 .45) mostrada en la Figura 3.31 a. Las esquinas
de la curva que aparecen en la funcin de transferencia en el punto donde cambia el estado de 1os dio-
dos se llaman puntos de ruptura.

t.t (t)

u,(t)

FIGURA 3.37 Limitador:


a) caracterstica
de transferencia;
b) procesado para una seal
senoidal de entrada.

En la Figura 3.37b aparece la forma en que el circuito maneja una onda senoidal. Obsrvese que
la amplitud de la salida est limitada al margen -oo< vo I 0, un resultado que el circuito alcanza eli-
minaido la parte positiva de la onda de entrada. Es obvio que cualquier onda de entrada sale sin su
3.9 / Circuitos no lineales conformadores de onda l'17'l

parte positiva. El limitador produce, recordando el concepto de serie de Fourier del Apartado
1.6.5, una onda de salida peridica con la misma frecuencia fundamental que la senoide de :
entrada. La onda de salida contiene adems muchos armnicos que no estaban presentes en la Ii
onda de entrada. t
Invirtiendo el sentido del diodo de la Figura 3.36a, el circuito elimina la parte negativa dela !
onda, un resultado fcil de confirrirar aplicando nuestro razonamiento original al circuito modi-
ficado.
La Figura 3.38a muestra un limitador que incluye una fuente %. Si el diodo es ideal, condu-
ce corriente slo cuando v2V". Entonces rn=V" como en la Figura 3.38b. Cuando v; > V", el
diodo no conduce como en la Figura 3.38c, y la salida es vo = vi. La caracterstica de transfe-
rencia descrita por estas desigualdades, Figura 3.38d, muestra que para una onda que vara en
el tiempo, v(), el circuito limita la parte de la onda ms positiva que K y reproduce el resto.
Este resultado vlido para V, positiva, negativa o cero, se modifica de una forma interesante
invirtiendo la polaridad del diodo. Distintas disposiciones de los elementos del circuito pro-
!,
porcionan distintas, pero relacionadas, funciones limitadoras. El Problema 3.43 explora estas
{
posibilidades. t

I
z

tl
F.

FICURA 3.38 Limitador


incluyendo una fuente
independiente: a) esquema
del circuito;
b) conduciendo
con un diodo ideal; ui
c) en corte con un diodo
ideal; d) funcin
de transferencia.

La Figura 3.39a muestra un limitador ms complicado. Cuando hay dos diodos es un poco ms
difcil ver la fo.rma de empezar un anlisis con diodos ideales. Lo ms frecuente es seleccionar un
valor concreto de v, como cero, como punto de inicio. Unavez que hemos dibujado el circuito equi-
valente, el siguiente paso es intuitivo.

- En la Figura 3.39a, suponemos que v = 0. Como V"y V, tratan ambas de forzar corrientes inver-
sas en los diodos, suponemos que los diodos no conducen y dibujamos la Figura 3.39b. Cuando v; = Q
en este circuito, no circula coniente por rR, cada nodo tiene tensin negativa respecto a su ctodo y
vemos que nuestra suposicin era correcta par&v = 0. Adems, la caracterstica de transferencia es
v,= v' siempre que la Figura 3.39b sea vlida.
Examinando la Figura 3.39b ms detalladamente observamos que Dry Dz permanecen cor-
tados hasta que vi alcanza el valor V,.Paruv2V,, Dt entra en conduccin produciendo un cor-
tocircuito que hace que vo - V,. Una vez que Dr conduce, valores ms positivos de v incre-
mentan la corriente por R y D1, pero no afectan a u". Por lo tanto la salida permanece constan-
te a V* y D2 sigue cortado.
Cuando v1 pasa a ser negativa, Dz no conduce hasta que v = -Vy. Para v 3 -V, D, es un cortocir-
cuito y u" es igual a -V,. La caracterstica de transferencia de la Figura 3.39c resume estos resultados.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

u,(t)

-vy
FIGURA 3.39 a) Circuito
limitador; b) modelo
para v; prxima a 0;
c) funcin de transferencia;
d) ondas de entrada
y salida.

La Figura 3.39d muestra una entrada triangular v(t) y la salida resultante v"(t). Aquellas partes de
la onda de entrada por encima de V,y por debajo de -K son eliminadas por el circuito no lineal limi-
tando la onda de salida al margen -Vr 3 vo < V,. Obsrvese que los valores de V- y -V, son parme-
tros de diseo arbitrarios porque dependen de las fuentes utilizadas en el circuito.
Como cualquier onda situada entre los dos valores lmite no sufre cambios, este limitador puede
usarse para proteger los circuitos de tensiones excesivas.

Efecto de la tensin de codo del diodo Ahora determinaremos el efecto de la tensin de codo del
diodo en un circuito limitador. Si usamos el modelo con tensin de codo de la Figura 3.24 para ana-
lizar el circuito imitador de la Figura 3.36a, se toma y > 0,7 V para conmutar el diodo. El circuito
equivalente en conduccin es la Figura 3.38b, con V, = 0,7 V. Esto es, podemos considerar V, como
una fuente de tensin en el modelo con tensin de codo. Cuando v< O,'IY, el diodo debera abrirse,
dando un circuito como el de la Figura 3.38c, pero sin V,. Por lo tanto la caracterstica de transfe-
rencia es la de la Figura 3.38d, con V,= 0,'7 V. Usando un diodo con tensin de codo en un limitador
como en la Figura 3.38a, se aaden 0,7 V cuando el diodo conduce, provocando que el circuito limi-
te aV, + 0,7 V en lugar de aV,. En el limitador de la Figura 3.39, las desviaciones de tensin del
diodo simplemente incrementan V, y V, en 0,7 Y .
En realidad, los diodos tienen caractersticas vi exponenciales, que dan una caracterstica de trans-
ferencia similar a las idealizadas, pero con transiciones suaves reemplazando a los puntos de ruptura
bruscos.

Rectificador de media onda El circuito rectificador de media onda de la Figura 3.40 convierte la
tensin alterna en continua pulsante. Si el diodo es ideal

vo: vi cuando y- > 0

v,=0cuandov,<0
\ \
\

3.9 I Crcuitos no lineales conformadores de onda 173

Estas ecuaciones definen la funcin de transferencia de la Figura 3.40b. La proyeccin muestra que
una onda senoidal de entrada se convierte en una onda de salida continua pulsante, el valor metlio o
componente de continua es la parte de la salida que es de inters. El resto es una superposicin de
armnicos senoidales de distintas frecuencias que puede ser eliminado con un filtro.
Para cuantificar el xito de un rectificador al producir continua, calculamos la media de u,(r). Por
definicin es el rea que encierra u,(r) durante un perodo Z, dividido por el perodo. Para vi(t) = y*
Sefl(l)of, la media es

,,, =l+ {",,"n, ", " . fw,l=Y (3.46)

donde el peodo 7 est relacionado con {D por cD6 = )f = )/1.

+----
u
OTT
t, t

u,(t)

u(t) = V* sen orl


(b)

Valor
medio

ui
0, .
I'L
u,(t)
0.7 v

uoQ)
+
vM uoQ)
ur(t) = V*sen rulnt

(c) (d) (e)

FICURA 3.40 Rectificador de media onda: a) circuito; b) funcin de transferencia y procesado de la onda;
c) modelo con tensin de codo suponiendo que el diodo conduce; d) diagrama urao para determinar el plT
del diodo.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Para determinar el efecto de la tensin de codo del diodo en la salida de un rectificador usamos el
modelo con tensin de codo. Cuando el diodo conduce, se tiene la Figura 3.40c. Ahora el diodo con-
duce slo plr&v > 0,7 V, dando y, = v-},J como en la Figura 3.40d. Slo aquella parte de la onda
de entrada mayor que 0,7 V aparece en la salida. Ms especficamente, la conduccin del diodo
comienza en el instante tt y ftnaliza en el /2 donde

VMsenroo/t :0,7 y V, senr'otr=0,'/

Por lo tanto /r y /2 son dos soluciones distintas de

/:
r 'lo'z)
ao \V, )
-sen
Como la circulacin de corriente comienza en el ngulo co6t1 y finaliza en (Dntz, la diferencia (Dotz{Dott
se llama ngulo de conducci. Como el rea encerrada por v(r) en la Figura 3.40d es menor que en
la Figura 3.40b, la componente de continua de salida es menor cuando se usa un diodo real. Para
hallar la media para cualquier yM sustituimos los lmites en la primera integral de la Ecuacin (3.46)
por tty t2.

En algunas aplicaciones, VM >> 0,7 V y el error producido al ignorar la reduccin del ngulo de
conduccin es despreciable.
Los diodos utilizados en circuitos rectificadores prcticos deben cumplir una especificacin lla-
mada la tensin inversa de pico (TIP) para asegurar que el diodo no se rompa cuando la tensin sea
negativa. Para examinar el TIP, observemos que en la Figura 3.40e cuando v(t) alcanza su pico nega-
tivo, no circula cor:riente porR y v_r=ro= -Vu voltios. Por lo tanto debemos seleccionar diodos
tales que su TIP > Vy para prevenir la ruptura.
Los diodos seleccionados para los rectificadores tambin deben cumplir una especificacin de
corriente de pico. Obsrvese en la Figura 3.40a que cuando el diodo est en conduccin, su pico de
corriente es VulR. Si incluimos la tensin de codo, el pico de corriente para silicio es

',,,r"=ff
En el Captulo 10, veremos que el rectificador es un subcircuito clave en las fuentes de alimenta-
cin que proporcionan la potencia continua requerda por los circuitos electrnicos; sin embargo, el
rectificador tambin tiene importantes aplicaciones en el procesado de seal. El circuito de control
de volumen automtico en las radios utiliza un rectificador para generar la tensin continua que
gobierna la potencia de la seal. Cuando las condiciones atmosfricas atenan la seal, esa tensin
continua se usa para aumentar la ganancia del amplificador que procesa la seal automticamente.
Cuando la seal es demasiado fuerte, automticamente, el circuito reduce la ganancia para prevenir
la saturacin del amplificador. El rectificador tambin elimina la informacin de la seal portadora
de alta frecuencia, y es fundamental para el funcionamiento del barato instrumento analgico para
medir corriente alterna que studiamos a continuacin.

Ampermetro de alterna analgico El mecanismo para medida de continua produce una desvia-
cin de la aguja del indicador que es directamente proporcional a la corriente medida. Cuando |a
corriente medida es la de salida de un rectificador, pulsante continua, la inercia evita que la aguja del
indicador siga las variaciones instantneas de la seal. En su lugar, la desviacin observada es pro-
porcional a la corriente media. La Ecuacin 3.46 muestra que con un diodo ideal la componente
media de la salida de un rectificador es proporcional a la amplitud de la senoide de entrada, Vy; por
3.9 / Circuitos no lineales conformadores de ondas 1175

lo tanto la desviacin de la aguja es proporcional a la amplitud de la seal de alterna, resultando un


ampemetro de alterna.

EJEMPLO 3.,l 3 Necesitamos un medidor analgico para medir tensiones senoidales con valores de pico entre
0 y 400 V. El circuito es el de la Figura 3.40a con R = R" + r,,, donder. es la resistencia de 10.000 O de un
mecanismo de medida disponible y R, es una resistencia serie desconocida. El diodo es ideal. Hallar el valor de
& si la senoide de 400 V genera una medida de corriente continua de 2 mA.
Solucin Cuando aplicamos una senoide de Vy = 400 V, aplicando la Ecuacin (3.46) Ia tensin continua en
R es 400/n =127,3Y. La corriente medida de 2 mA viene de

2x1O'
. 127.3
R. + 10.000

Resolviendo R, = 53.7 kA. tr

Ejercicio 3.14
Calcular Ia corriente continua en el medidor del Ejemplo 3.13 cuando y,(/) = 50 sen ot.
Respuesta 1= 0,25 mA.

La tensin de codo de los diodos limita seriamente la utilidad de los rectificadores en aplicaciones
de procesado de seal, porque con la tensin de codo no hay proporcionalidad entre la entrada y el
valor medio de la salida. Pronto aprenderemos a usar amplificadores operacionales para compensar
las desviaciones de los diodos en tales aplicaciones.

Cargador de bateras La Figura 3.41 es un circuito cargador de bateras simple que carga yBB
desde una fuente alterna

v,(t) = V, senat = Vt sen? (3.41)

El diodo ideal conduce cuando vZVaB y se corta pard v<Vs, dando una coriente de batera de

. v,-vm
)
,= -- o-, para v, vro (3.48)

I= 0, parav,lVru

La caracterstica de transferencia del circuito, con la corriente de batera i como variable de sali-
da, es la dibujada a partir de la Ecuacin (3.48) en la Figura 3.41b. Esta figura tambin muestra gr-
ficamente como la caracterstica de transferencia no lineal modela la corriente de la batera. En cada
ciclo de entrada 2r radianes, el diodo conduce corriente slo para 0c = 0z 0r radianes. El valor medio,
It, de la corriente es el que recarga labatera.
En un problema de diseo, el valor dado de la corriente de carga 1oc es el punto de partida tpico.
Por 1o tanto necesitamos una ecuacin de diseo que relacione Ioc cotl los parmetros del circuito R
y V1. De la Figura 3.4Ib se obtiene la corriente media de labatera

.
toc:
I [b, V, senO- !-g
(3.49)
{ R
^
t

CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

donde obtenemos la integral sustituyendo la expresin de y de la Ecuacin (3.47) en la Ecuacin


(3.48). Los lmites de integracin son aquellos ngulos 0, que cumplen
V, sen?, = Vuu (3.50)

El siguiente ejemplo muestra cmo seleccionar estas ecuaciones con un problema de diseo.

u,(t)

Ipc
{
(D/=0
It"
or oz
t
ur(r)

(l)/=e
(b)

FIGURA 3.41 Circuito


cargador de bateras:
a) esquema; b) funcin
de transferencia y formas
de onda; c) equivalente
para determinar el TIP;
d) esquema utilizado
para determinar
la disipacin de potencia
t t^
e1 02

en R. (d)

EJEMPLO 3.I4 Disear un cargador de bateras paraentregar IDc= 4 A a una batera de 12 V. Disear impli-
ca hallar las especificaciones de los diodos, TIP y corriente de pico, adems de R y Vy. Suponer que nuestras
ecuaciones basadas en un diodo ideal son suficientemente precisas.
3.9 / Circuitos no lineales conformadores de ondas 1177

Solucin Las ecuaciones de diseo disponibles, Ecuaciones Q.a\ y (3.50) no indican un camino directo para lle-
gar a una solucin. En estos casos, empezamos con una propuesta razonada. Una vez que el diseo est completo y
vemos las consecuencias podemos redisear, si es necesario, utilizando la experiencia anterior para mejorar el iseo.
Si conocisemos 0r y 02, podramos usar (3.50) para hallar Vu, la gve Vu" = 12 V. As, con valores conoci_
dos para Vu a Ioc, podamos resolver la Ecuacin (3.49) paraR. La Figura 3.41b muestra que 0r 02 son sim-
!
tricos respecto a nl2 90". As que podemos seieccionar arbitrariamente 0r 20" y 0z 160', poiejemplo. Con
= =
Vns= 12 V, la Ecuacin (3.50) es

V, sen2o" = 72

que da Vy = 35,1 V. Para una corriente de carga 4 AlaBctacin (3.49) necesita

-=
lrf l',{:s,r,"'e - n) do
donde los ngulos se dan en radianes

l
R = (-35.tcoso- t2e)l;:il8 = 1.46 a
8,T

Este valor es menor que el que encontramos nomalmente en circuitos electrnicos, pero razonable para una apli-
cacin de potencia. A continuacin hallamos las especificaciones para el diodo rectificador.
En la Figura 3.41b, vemos que el pico de la corriente por el diodo ocurre cuando y es mxima, a 35,1 V. Con el
diodo ideal en cortocircuito

35 l- l2
Ir,,^=T=15.8A
1,46

La Figura 3.41c muestra que en este circuito el diodo debe resistir una tensin inversa de Vy + Vaa 35,I+12
= =
4'7 ,I V . Un diseador prudente aade un 20Vo o ms a los valores de TIP e I
pt" corrro factor de seguridad. Esto
completa el diseo inicial.
Examinemos ahora la decisin arbitraria que hicimos acerca de los ngulos de conduccin. Como la corriente
de la Figura 3.41b debe ser de 4 A elegir un intervalo de conduccin menor incrementa la corriente de pico ya
que el rea encerada por la curva de la coniente debe ser la misma. pero con Vuu 12 V en la Ecuacirr(3.50),
=
esto tambin implica un valor mayor de Vy, incrementando el TIp que debe soportar el diodo. En general, un
intervalo de conduccin menor necesita diodos ms caros. El ngulo de conduccin original pu.."" .!. un com-
promiso satisfactorio.

Un buen ingeniero aprende a ser cuidadoso, buscando posibles problemas en un diseo, incluso
aunque no deban estar cubiertos por las especificaciones. Por ejemplo, es una buena idea preocupar-
se por los valores de la potencia de las resistencias en circuitos con corrientes grandes. para deter-
minar qu potencia debe disipar una resistencia R en el ejemplo anterior, necesitamos hallar el valor
rms, I,ns, de la corriente por la resistencia, entonces usar 1.,,"R. Para hacer una aproximacin y evitar
alguna integracin, aproximamos el cuadrado de los pulsos de corriente de la Figura 3.41b pr trin-
gulos de altura (15,8)'zA2 con una base de (160'-20') como en la Figura 3.41d. El valor medio de esta
corriente al cuadrado es

){tur"-ro"Xrs,s)' :48,542
360"

o, I,u" = 6,96 A. Esto da una potencia media disipada estimada en la resistencia de 1,46 C) de

Po = 48,5x1,46 = i70,8W t
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Pasar por alto este detalle puede generar problemas, como una resistencia vaporizada cuando se
conecte el circuito. A menudo hay en el diseo muchos enfoques y muchas soluciones aceptables.
Por ejemplo, como V no estaba especificada, podamos haber empezado por fljn Vu a 170 V, el
valor de pico de una red de 120 V rms. La Ecuacin (3.50) habra establecido entonces los lmites y
llevado hasta R. Los circuitos rectificadores para cargadores de batera que trabajan desde la red se
estudian despus de otro importante componente de potencia, el transformador.

Ejercicio3.L5 Determinar R, lpx.! lapotenciadelaresistenciasiVv = lT0Venelproblemadediseodel


Ejemplo 3.13.
Respuesta 12,1f), 13,14, 182 V, 41W.

Transformador Los transformadores como el de la Figura 3.42a suelen proporcionar la tensin de


entrada a los circuitos rectificadores. El transformador consta de dos devanados, un devanado pri-
mario de Nr vueltas y un devanado secundario de Nz vueltas, ambos arrollados alrededor de un
ncleo comn de material magntico. El flujo magntico $, creado en el ncleo por las corrientes
alternas ir e lz, transfiere magnticamente potencia entre el primario y el secundario incluso aunque
no haya conexin elctnca directa. Cuando 1/' y Nz difieren, vt y rz difieren en la misma relacin.
Esto hace posible la transformacin de tensin altema a niveles menores antes de convertirla a ten-
sin continua, una caracterstica que nos permite generar eficientemente tensiones continuas bajas
desde tensiones de red (120 en USA, 220 en Espaa) en aplicaciones tales como cargadores de
bateras, calculadoras, contestadores y afeitadoras elctricas.

t1 .
-----> +

Nr Nz
=l
u, gll
Secundario

*-fr
Primario Secundario
(b)

t1 l. tl i2
. FIGURA 3.42 ----.->- ------>

Transformador:
H
+l I Nv.
i--l )t t----l-___-]
a) construccin fsica; ,\ ur gll
t_

b) esquema del transformador


ideal; c) modelo SPICE
'r l*)
\Z ( Eu2: R/.

para el transformador ideal;


d) circuito mostrando
o__l
I
-# lN:
L__l
(d)
la transformacin (c)
de la resistencia.
3.9 / Circuitos no Iineales conformadores de ondas 179

El aislamiento elcrico que un transformador impone entre primario


y secundario es til para
reducir la posibilidad de descargas elctricas. una persona
qu" ,oqu. .tmponentes del circuito en el
secundario de baja tensin nunca est expuesta.a las.tensiones
alta, que pueden existir en el prima-
rio' De forma similar, el transformador asla dispositivos electrnics
delicados de posibles daos
causados por conexin accidental a tensiones altas. (Veremos
otro mtodo de aislamient o, el aisla-
miento ptico' al final del captulo). Los transformadores
tienen tambin aplicaciones en circuitos de
comunicacin de alta frecuencia, donde el.ncleo es aire
en vez de material ferromagnti co. El trans-
formador ideal, es un modelo idealizado que incluye la esencia del transfbrmador
Transformador ideal El transformador ideal, representado esquemticamente en la Figura 3.42b,
tiene un parmetro llamado relacin de espiras (tambin
llamad rehcin cle transformacin), N, y
dos ecuaciones que lo definen

vl (3.s1)

it: Ni, (3.s2)


Cuando la potencia elctrica pasa del primario al secundario,
si N es mayor que uno, la tensin se
reduce y la corriente aumenta, siendo N el factor de proporcionalidad
en ambos casos. Esto implica
que en cada instante, la potencia de entrada vr(t)ir(i)
es exactamente igual a la potencia de salida
v'(t)it(t), haciendo del transformador ideal un dispositivo sin prdidas.
El primario recibe potencia a
tensin alta y corriente baja y entrega la potenci a tensin
uu:u v alta. La Figura 3.42c es
un modelo SPICE de un transformador ideal, que usa fuentes "-Lnte
ependientes pru i-ft",r"n ru,
Ecuaciones (3.51) y (3.52).
otra caracterstica, especialmente til en electrnica de alta frecuencia,
es la capacidad del trans-
formador para transformar resistencias. De la Figura
3.42d y de las ecuaciones del transformador
Nv, . v.
F tr
= fy'- -: N'R
concluimos que en el primario, el circuito ve una resistencia
de entrada de
R' = NtR'
El mismo tipo de anlisis muestra que una resistencia
R. conectada al primario se transforma en

n, =frR"
realesI os. transformadores reales contienen
l::::i:::ldores
yJ capacidades vdorL. v'
--rv^vssv parsitas el primario y secunoano.
en cr secundario.
rambin inducrancias, resisrencias
Prrlll'rlu circui
Los clrcurtos que emplean transformadores con
ncleo de hierro deben tener corrientes medias de
valor cero enn pflmaflo
orimario y
v secrndarin nqrq nraani-
secundario para prevenir
2':I,::,i:,1*:X,j::1i::1,"?,,nrenmeno";li;-"-rq*;;.*i;ffi ffi J#i'J,lnl
y::j:lljlipacin de porencia. En los circuitos rectificad.", q;; ,;;l;;;",.t"il;"#il;
::
en los transformadores son cero.

Rectificador de onda completa La Figura 3.43a,


muestra un puente rectificador cle oncla comple-
a' se llama puente rectificaclor potqu. tu estructura
es similar al circuito en puente de la Figura
l.26c.El porqu se llama de ond completa lo vemos
en sus ondas de salida.
. 9u11do v() )
0, suponemos que D1 y Dz conducen ambos, mientras
Dz y Dq estn cortados. Esto
da la Figura 3.43d, donde las flechas muestran
la direccin de la corriente y confirman qrue D1 y D,
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

conducen. Los ctodos Dz Y D+ tienen tensin positiva respecto a sus nodos, lo que
concuerda con
la suposicin de D3 y D cortados. Concluimos que

v"(r): v,(t). para u,(r)> o

u(t) = VM sefl at
(a) (b)

uoQ)

FlGURA3.43 Rectificador
de onda completa de tipo
puente: a) diagrama
del circuito; b) circuito
cuando v(t)>O; c) circuito
cuando v(t)<O; d) onda
de salida.
(d)

Para v() I 0, suponemos que D3 y Da conducen, mientras D, y Dzestn


- cortados como en la Figura
3.43c. Las corrientes circulan como indican ras flechas porqu. ,r < 0. concluimos
que

v"(t) = -r,(t), para v,(r) < o

Combinando las dos ecuaciones de entrada/salida da

u, = lu,(r)l

la caracterstica de transferencia valor absoluto de la Figura 3.43d. Esta figura


tambin muestra las
ondas de entrada y salida para una entrada senoidal. Coparando la salida
con la del rectificador de
media onda, obtenemos el doble de reapara el mismo p"iiodo. Por lo
tanto, la componente de con-
tinua de la onda es

2V..
Vor:J (3.53)
It
Es fcil ver en las Figuras 3.43b y c, que el TIp para cada diodo es V,.
3.9 / Circuitos no lineales conformadores de ondas IlBl

0.7 v
+
uo(t)
FICURA 3.44 Efectos
de las tensiones de codo en:
a) circuito equivalente;
b) funcin de transferencia.

Aunque el rectificador de onda completa ideal produce el doble de continua que el rectificador de
media onda, tiene algunas desventajas. La ms obvia es que necesita cuatro diodos en lugar de uno.
Menos obvio es el efecto de las desviaciones de los diodos reales. Obsrvese en la Figura 3.44a que
cuando los diodos reales conducen, las dos desviaciones se restan de la tensin de la fuente. Para dio-
dos de silicio

v.(t) = v,(t) -t'+


cuando v(t) 2 1,4 V, causando la conduccin de D1 y Dz. De forma similar

v"(t) = -v,(t) -t'+


patav(t) <-1,4, cuando D3y Da conducen. La caracterstica de transferencia resultante,Figura3.44b,
tiene una zona muerta de anchura 2,8 V en la que la salida es cero. Esto da menores ngulos de con-
duccin y una reduccin del valor de la componente de continua de salida comparado con el valor
terico. En contraste, el rectificador de media onda introduce slo una tensin de codo cuando con-
duce. Obsrvese que en las Figuras 3.43b y clacorriente de lafuente alterna su direccin, resultan-
do un valor medio nulo. Esto significa que podemos obtener v;(r) de un transformador real con ncleo
de hierro. La Figura 3.45a muestra cmo usar un transformador para incrementar o reducir los nive-
les de tensin alterna y tener aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida. La tensin
del primario de valor de pico, Vp, se convierte a la tensin del secundario de valor de pico Vu = Vp/N.
El circuito equivalente de salida de la Figura 3.45b es el mismo que el de la Figura 3.43b.

FICURA 3.45 Puente ur(t) = ' u'(r) =


o/ uo(\ vM at
rectificador Yp sen sen

con transformador
de entrada: a) circuito
completo; b) circuito
equivalente
del secundario.

EJEMPLO 3.1 5 Disear un puente rectificador con transformador de entrada que genere una tensin continua
de salida de 9 V a partir de una tensin de lnea de 120 V (rms). Seleccionar el trarrsformador y los diodos ide-
ales de forma que el pico de corriente del diodo no supere 20 mA. Especificar el valor de R y en mnimo TIP
del diodo como parte del diseo.
t
l82l CAPTULo 3 / Se.icondu.toret, uniones p-n y circuitos .on diodos

I
F
Solucin
! Suponemos diodos ideales para el diseo inicial y examinaremos las consecuencias de esta suposi-
cin cuando el diseo est completo. Comenzando con los 9 V de continua de Ia tensin de salida, la tensin
mxima del puente la da la ecuacin
2V..
o- ------lL
fi

con 1o que Vv = 14,1V, para la tensin de pico en el secundario de1 hansformador. El valor de pico de la tensin del
primario es r/2x 120 = 170 V; por 1o tanto, el transformador necesita una relacin de espiras de 170/la, 1 12,1.
= =
La corriente de pico circula por los diodos cuando Vu = 14,1 V. para limitar las corrientes a 20 mA, elegimos

R = t4,U2omA = 705 a

Valores mayores de R, que den corrientes de pico por el diodo menores, tambin son aceptables. La especifica-
cin del TIP es Vy= 14,1 V. tr
El siguiente ejercicio muestra que la suposicin de diodos ideales en el ejemplo precedente lleva
a un diseo conservador.

Ejercicio3.16 Hallar el valor real de la corriente de pico y el TIP cuando se sustituyen los diodos i<leales del
Ejemplo 3.15 por diodos de silicio.
Respuesta 18 mA, 12,7 V.

Rectificador de onda completa de dos diodos La Figura 3.46a muestra un rectificador de onda,
completa que utiliza solo dos diodos. La etiqueta TM indica que el devanado secundario tiene toma
media. Un secundario con toma media produce dos tensiones, cada una de valor la mitad de la ten-
sin total del secundario. La ecuacin para cada fuente es

u,(r): e,5-%-r"no (3.s4)

Cuando la tensin del primario es positiva, D1 conduce D2 es cortado, dando la Figura 3.46c, donde

,"(t): v,(t), paru v,(r)> o

Con tensin de primario negativa, las fuentes v(t de la Figura 3.46b pasan a ser negativas, dando la
Figura 3.46d y

v"(t) = -v,(t), para r,(r) > o

Por lo tanto, la funcin de transferencia y las formas de onda de la tensin de salida son las de la
Figura 3.43d.
El TIP de estos circuitos difiere del puente rectificador. En la Figura 3.46c, vemos que la tensin
inversa mxima que soporta el diodo D2 oevrre en el instante en que v(f) es mxima. En ese instante

v, = vo =V,

por lo que Dz debe sopoftar 2Vu en comparacin con Vu para el puente rectificador. Debido al fun-
cionamiento simtrico, el TIP de Dr es tambin2Vv.El efecto de la tensin de codo del diodo en la
funcin de transferencia tambin difiere de la que tena el puente rectificador.
En el Captulo 10 veremos cmo combinar rectificadores con filtros para producir la tensin de
salida continua requerida por las fuentes de alimentacin.
Circuitos no lineales conformadores de ondas

D1

+
u^(t) +
+
R
N:1
CT
D2

(a)

FIGURA 3.46
Rectificador de onda
completa de dos diodos:
a) esquema; b) circuito
equivalente; c) equivalente
cuando r(t)0;
d) equivalente cuando
\1(f)0

Circuito recortador La Figura 3.47a muestraun circuito recoftador. Siempre que el pico positi-
vo de v(r) excede de Vpn, este circuito 1o recorta aVs para cualquier onda peridica de entraa.
Suponemos el diodo ideal. Sea v(f) una onda peridica cualquiera, por ejemplo la de la Figura
3'47b' y supongamos que C est descargado inicialmente. Como v;(0) y la tensin en el condensador
son cero, el diodo est cortado, porque su nodo est a tensin cero y su ctodo a va. Como el con-
densador no puede cargarse debido a que el diodo est en circuito abierto, las tensiones de los nodos
a los dos lados del condensador crecen juntas a medida que 1o hace v;(r). Suponiendo Voi.olVaa, al
diodo entra en conduccin cuando
v : Vsn

dando el circuito equivalente de la Figura 3.48c. A medida que v(r) crece ms todava, la corriente
del diodo io car}a C, y la tensin del condensador es

vr=v,(t)-vuu
Tras este transitorio inicial, la tensin de entrada alcutza
%.,, mienffas la tensin de salida penanece
a V. Cuando la tensin del nodo del lado izquierdo de C comienza a disminuir, el condensador no puede
descargarse (para esto necesitara una corriente negativa por el diodo). En lugar de eso, el diodo ,"
"ortu,
dando la Figura 3.47d. La carga almacenada durante el transitorio inicial est atrapada por el circuito
abierto y el diodo nunca vuelve a conducir. De la Figura 3.4lc,latensin del condensadoi es

Vc,^o,=Vnro-Vuu
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

r--i u,(t)

u,(t) v.
v
"r'''o0
:
(a)

FIGURA 3.47 Circuito


recoftador: a) diagrama
del circuito; b) tensin
peridica de entrada;
c) equivalente durante
el transitorio, cuando C
se carga; d) equivalente
-=
una vez Cest cargado. (c) (d)

Una vez completado el transitorio, la tensin de salida es

v"(t) = ,,(t) -vc,^^ = v,(t) -v0,". +v""

Esta ecuacin muestra como obtener v.(t) a partir de v(t) finalizado el transitorio.
Primero debemos restar a v"(t) su valor de pico y luego sumarle VBB. El resultado de todo ello es
la Figura 3.48. El circuito limita el pico positivo de v(r) a Vnn automticamente, para cualquier onda
de entrada peridica y cualquier Vrr, positiva, negativa o cero, a condicin de que el diodo conduz-
ca slo cuando se carga C.

uo(t)

FIGURA 3.48 Onda de salida


del circuito recortador.

Como problema prctico, obsrvese que conectar una resistencia de carga a los terminales de salida
de la Figura 3.47d proporciona un camino de descarga al condensador y modifica el funcionamiento del
circuito. Si 1a resistencia de carga es grande, el condensador se descarga poco durante cada ciclo, dis-
torsionando ligeramente la onda de salida. Esta es una ms de las muchas situaciones donde la resis-
tencia de entrada infinita del circuito seguidor del Captulo 2 es til. Un seguidor, insertado entre la sali-
da de este circuito y la resistencia de carga, reproduce la tensin de salida original del circuito recorta-
dor en la carga sin modificacin alguna. Pero como el seguidor es bsicamente una VCVS, la salida
proporciona la corriente requerida por la carga resistiva sin descargar el condensador.
Como con el diodo de los circuitos limitadores, podemos llevar a cabo modificaciones con el cir-
cuito recortador invirtiendo la polaridad del diodo y cambiando la magnitud y polaridad de V. En
general, uno puede limitar el pico (positivo o negativo) de cualquier onda peridic a de entrada a VBa
3.9 / Cicuitos no conformadores de ondas 185

voltios, donde V es positiva, negativa o cero, siempre que el diodo conduzca slo cuando el con-
densador se carga. Una profundizacin mayor se deja para el lector, con el Problema3.52 como gua.

Convertidor ca-cc y doblador de tensin El circuito de la Figura 3.49a convierte alterna en continua.
Reconocemos este circuito, como el circuito recofiador de la Figura 3.47a con Vsn = 0 y tomando la sali-
da entre los terminales del condensador en lugar de los del diodo. Despus de un transitorio inicial, la sali-
da continua iguala el pico positivo de la tensin de enada del circuito. En el Captulo 10 aadiremos una
resistencia de carga al convertidor y llamaremos al resultado rectfficador de media onda confiltro por con-
densador, un circuito importante en fuentes de alimentacin sencillas. En un detector de pico analgico,
el convertidor tensin/corriente con operacionales fansforma la salida continua del converlidor en una
desviacin del medidor proporcional al valor del pico de cualquier seal de entrada peridica.
La Figura 3.49b, es un circuito relacionado con el anterior, el fublador de tensin, que produce una
tensin continua de salida igual al doble del valor de pico positivo de v(r). Para entender el doblador,
consideremos el transitorio de entrada con ambos condensadores inicialmente descargados y una enfra-
da senoidal de amplitud V. Cuando yr se hace positiva, el diodo ideal Dr se corta y entonces D2 entra en
conduccin dando la Figura 3.49c. Ambos condensadores se cargan inicialmente aO,5 Vu con las pola-
ridades indicadas. Cuando v; decrece y alcanza su pico negativo, D2 se cort&, Dr entra en conduccin, y
el condensador de entrada se carga &Vu colnlo en la Figura 3.49d. A continuacin, durante unos pocos
ciclos, los diodos funcionan como intemrptores, transfiriendo carga de la entrada a la capacidad de sali-
da, y luego recargando lacapacidad de entrada. El siguiente Ejercicio profundiza en esta ansferencia de
carga. La secuencia contina hasta que el circuito alcanza el estado final mostrado en la Figura 3.49e I
li
r:1.

?,

i,
0.5v.. l.
+il-
(-l.....'.......".......H !i
+ Crr I I + iii
it:r
uittt itt- c{ o.sv, iti
iia

.l; rl,i
i'i
:l
(c) f,'i
'It
':i
vM vLo
,l -:*
,
----lt-l H+ -r+ iJ
+ Cll +crr LI + +llll+crr I I + 'ii
iii

',(') t tt) i ,! zr, \ul t cf l; [i;

-t-l -llt
^L
ii:
1;l
rir
,1
(e) (fl
ir
;i'

FICURA 3'49 Convertidores alterna,/continua: a) convertidor bsico; b) circuito doblador de tensin; c) doblador
durante el transitorio inicial; d) circuito equivalente mostrando cmo se cargan las capacidades durante un ciclo
de entrada negativo; e) circuito equivalente despus de los transitorios iniciles; fl circuito mostrando cmo
cambia la tensin de salida al final de un ciclo de entrada.

Ejercicio 3.17 La Figura 3.49f, nos ayuda a comprender cmo cambia la tensin de salida al final del primer
ciclo de entrada. Los valores iniciales de V" y V" son los de la Figura 3.49d. Los diodos cambian entonces su
estado y la tensin de entrada llega aVy, dando la Figura3.49f .La carga L.Q se mueve del condensador de entra-
da al de salida para cumplir la ley de Kirchhoff de tensiones, incrementando V. y V, en la misma AV porque las
capacidades son iguales. Hallar el nuevo valor de V, despus del primer, segundo y tercer ciclo de entrada. puede
. ser necesario algn clculo algebraico.
Respuesta l,25VM 1,625VM, 7,813VM.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

EIEMPLO 3.1 Utilizar el anlisis transitorio del SPICE para dibujar la tensin de salida de la Figura 3.49b
cuando la entrada es una onda senoidal de 60 Hz y 10 V de amplitud'

Solucin El cdigo SPICE de la Figura 3.10 emplea los diodos por defecto. En el anlisis transitorio utiliza-
mos una funcin SIN especial para describir una fuente senoidal. La lnea del elemento Vr describe una fuente
senoidal con tiempo de rtardoiero, 10 V de amplitud y frecuencia 60Hz.La sentencia ".TRAN" especifica un
tiempo de simulain de 0,ls, seis ciclos de la onda de entrada, y 100 valores de salida' La Figura 3'50b mues-
tra una onda de salida que est bastante de acuerdo con las respuestas al Ejercicio 3'17. (Es de esperar que la
tensin de codo haga pequeas contribuciones a la tensin de salida que no predijimos.) tr

20

15
EXAMPLE3 .16
vr 3 0 srN(0 10 60)
ct 3 2 1000u 3ro
c2 r a 1000u
D1 O 2 RtrCT
D2 2 1 RECT
.MODEL RtrCT D
.rRAN 0.001 0.1
.PLOT TRAN V(1) 20 40 60 80 100
. END r (ms)
(a) (b)

FIGURA 3.50 Simulacin de un doblador de tensin: a) cdigo SPICE del circuito de la figura 3.49b; b) tensin
de salida.

3.1 0
CIRCUITOS CONFORAAADORES DE ONDA QUE UTILIZAN AAAPLIFICADORES
OPERACIONALES

Los circuitos conformadores de onda utilizan amplificadores operacionales de ganancia infinita


as como diodos y resistencias. La mayora de estos circuitos usan operacionales realimentados
negativamente, justificando el uso del anlisis de ganancia infinita. Destaquemos las contribu-
ciones especiales de los amplificadores operacionales a medida que crece su uso en circuitos
especficos.

Circuito limitador centrado La Figura 3.5Ia muestra:ur.;- circuito lmitador centrado con amplifi-
cadores operacionales. Para simplificar, pensemos en los diodos como dispositivos de tres estados
igual que en la Figura 3.29a. Para y positivas, la corriente I es positiva, causando la conduccin en
la zot de ruptura como en la Figura 3.5lb, donde V. es la tensin zener del diodo. Usando la masa
virtual de la entrada del amplificador operacional, vemos que

lo : -V,
3.1O / Circuitos conformadores de onda que utilizan amplificadores operacionales 187

Para v negativa, la corriente es negativa dando la Figura 3.51c y la ecuacin

lo=Vo

Estas ecuaciones dan la Figura 3.5ld.

V
I 2.

D.
I
t)
<0

uoQ)

Vn------ VD

u,(t)

--*-
--d_t-
r+l-
--l+ t-
(e) (f)

FIGURA 3.51 Circuito lirnitador.utilizando amplificadores operacionales: a) esquema del circuito; b) equivalente
c) equivalente cuando v,<0; d) funcin de transfrencia; e) generando ,nu onda recoriada y'alrerna; -
:':11"^11:9,
l) elementos de realimentacin alternativos que generan otras funciones limitadoras.

Un uso de esta funcin de transferencia es convefiir una onda senoidal en una onda cuadrada de
la
misma frecuencia fundamental, como muestra la Figura 3.51e. (Como la caracterstica
de transferen-
cia,no es simtrica respecto al eje de tiempos, la onda cuadrada esta desplazada por una componen-
te de continua') El circuito limitador centrado se usa tambin para obtenei informacin
sobre ei signo
algebraico instantneo de ondas analgicas, porque la salida binaria o de dos niveles del
limitador
centrado cambia el valor siempre que la tensin de entrada pase por cero.
Al reemplazar el diodo zener por uno de los elementos de realimentacin de la Figura 3.51f resul-
tan tres variaciones sobre el circuito bsico. Se propone al lector obtener y dibujar lis
caractersticas
de transferencia de cada uno de estos limitadores.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Ejercicio 3.18 Disear un limitador de diodos como en la Figura 3.51a que transforme una onda senoidal de
entrada de l0 V de pico en una onda cuadrada con tensin pico a pico de 4 V. (ms una componente de conti-
nua). Especificar la tensin zene y el pico operacionales disipado en el zener para su circuito.
Respuesta R = 1 kA (arbitrariamente), 3,3 V, 33 mW.

Circuitos limitadores El circuito limitador de la Figura 3.52a es un amplificador inversor con dio-
dos zener en anti-serie y en paralelo con la resistencia de realimentacin R. Suponemos que para lvl
pequeas ambos diodos estn cortados. La Figura 3.52b muestra que esta suposicin da un amplifi-
cador inversor. Tambin confirma nuestras suposiciones de no conduccin de los diodos, a menos
que la tensin lv,l supere V, + Vo voltios respecto a la masa virtual los diodos no pueden conducir.
Cuando la amplitud de v, es suficientemente grande, sin embargo, un diodo conduce en sentido direc-
to y el otro en inverso. La Figura 3.52c muestra el circuito equivalente para v grande y positiva.
Considerando ambas polaridades la tensin de entrada da la Figura 3.52d, donde Vr = V, * Vo.
Una ventaja de 1os limitadores con operacionales sobre los limitadores de diodo-resistencia es que
la resistencia de carga no afecta a la funcin de transferencia. Por ejemplo, el limitador de la Figura
3.39b pasa a ser un divisor de tensin cuando se conecta una carga R a la salida. Otra ventaja es que
la ganancia de potencia de los amplificadores de potencia hacen posible en la caractestica de trans-
ferencia una pendiente mayor que uno.

Rectificadores de precisin Al principio de este captulo vimos que las tensiones de codo de los dio-
dos conducen a desviaciones en las caractersticas de los rectificadores de media onda y onda completa.
Enlos rectificadores de precisin que siguen, los amplificadores operacionales compensan automtica-
mente las desviaciones de los diodos, produciendo funciones de transferencia como las de los circuitos
con diodos ideales. Esta caracterstica es de importancia crtica en aquellos circuitos de procesado de
seal que requieren una tensin continua de salida proporcional a la amplitud de la seal de entrada.

+r
iR-

R.

FIGURA 3.52 Circuito


limitador: a) esquema
del circuito; b) equivalente
para tensiones de salida
pequeas; c) circuito para vi
grandes; d) funcin
de transferencia.
3.10 / Crcuitos conformadores de onda que utilizan amplificadores operacionales l189

iRo

FICURA 3.53
Rectificador de precisin:
a) circuito; b) equivalente
cuando v20;
c) equivalente cuando
v,<0; d) funcin
de transferencia.

Rectificador de media onda de precisin La Figura 3.53a muestra un rectificador de precisin de


media onda. Suponiendo un amplificador operacional de ganancia infinita, razonemos el funcionamien-
to del circuito cuando v es positivo. Como I no puede entrar en el amplificador operacional ni circular
en direccin opuesta a travs de D1, suponemos que circula por Rr y D2. EI resultado, usando modelos
con tensin de codo para los diodos es el de la Figura 3.53b. El habirual anlisis de ganancia infinita da

.
t-
y, -0 0-r"
RRF
A partir del cual

V = -RF para v, > 0


"Rt
-v..
Cuando v10, Dz se corta y D1 enfra en conduccin dando la Figura 3.53c (donde la realimentacin
a travs de Dr justifica el anlisis de ganancia infinita). La masa vifiual exige que

vo=0, parav,l0
La Figura 3.53d, un dibujo de las Ecuaciones (3.56) y (3.51), muestra que el rectificador de precisin
tiene la caracterstica de transferencia de media onda ideal (ms una inversin del ngulo sin impor-
tancia) incluso aunque se obtenga con diodos reales. El secreto del circuito es que la salida del ampli-
ficador operacional, v", toma el valor necesario para asegurar que la caracterstica de transferencia es
ideal. En la Figura 3.53b vemos que

vr=vo-vo, para y)0 (3.s6)


CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

y en la Figura 3.53c

v"==Vo, para y, ( 0 (3.s'7)

El amplificador operacional tambin proporciona, si es necesario, ganancia de tensin. Al contra-


rio que la mayora de circuitos con amplificadores operacionales que hemos visto, el rectificador de
precisin no tiene resistencia de salida cero porque la salida del circuito, v,, no coincide con la sali-
da del amplificador operacional, y,. Un seguidor en la salida corregira este problema, que puede ser
importante en alguna aplicacin.

Rectificador de onda completa de precisin En la Figura 3.54 vemos el rectificador de media


onda de precisin y un amplificador sumador usados como subcircuitos en el rectificador de onda
completa de precisin. El circuito sumador da

,"=-(r,+2vo) (3.s8)

Como y es la salida de un circuito de media onda de precisin, la Ecuacin (3.56) da

vn:-Y, parav->0
y de la Ecuacin (3.57)
Yn :0' Para v' < 0

Sustituyendo estos valores de v en la Ecuacin (3.58) da

vo: l; para v, ) 0

vo = -vi, para v, < 0

Pero las dos ltimas ecuaciones describen el rectificador de onda completa con diodos ideales
(incluso aunque el circuito emplee diodos reales). La Figura 3.54b muestra las formas de onda para
vi! 2vn de la Ecuacin (3.58) cuando v;(r) es una onda senoidal. Este esquema sugiere que los valo-
res de las resistencias son bastante crticos porque el ciclo debe hacer iguales las dos mitades de la
onda de salida.

(a) (b)

FIGURA 3.54 Rectificador de precisin completa: a) circuito; b) esquema mostrando como el circuito combina
vn(t) y v(f).

L.
3.10 / Circuitos conformadores de onda que utilizan amplificadores operacionales 1g"l

Comparador Ya vimos el comparador, un circuito que tiene dos ondas de entrada analgicas, v,(t) y
v6(t) y una salida digital o binaria v.(t), en el Captulo 2. Ahora que sabemos un poco sobre la dinmica
de los amplificadores operacionales, es importante reconocer que la mayoa de las aplicaciones del com-
parador requieren una transicin rpida de la salida en el instante en que las dos ondas de entrada se cru-
zan. Los condensadores relativamente grandes, incluidos dentro de algunos amplificadores operaciona-
les para asegurar la estabilidad, provocan tiempos de subida malos y bajo slew-rate. Consecuentemente,
usImos amplificadores operacionales muy rpidos en las aplicaciones del comparador ms crticas.
A veces aadimos un circuito limitador al comparador, como en la Figura 3.55a. El limitador hace
independientes los niveles de salida de la fuente de alimentacin y los circuitos conmutan ms rpi-
do porque las transiciones de la tensin de salida no son tan grandes. El limitador tambin nos per-
mite fijar a medida los niveles de salida para satisfacer los requerimientos de la familia lgica dada.
La Figura 3.55b muestra un comparador que desarrolla su salida en el nodo de salida de un ampli-
ficador operacional de ganancia infinita. Debido a la masa virtual a la entrada del segundo amplific-
ada operacional
l.
(t)==lv,(t)-rr(r)]
Rt

Cuando v"(t) > v6(t), entonces i(t) > 0, y

v"(t) = -(v,+v,)

uo(t)
t(t)

-- (:u\
, 't f. 'r'-

.tl't
uoQ)

uu(t)

FIGURA 3.55 Circuitos


comparadorer' urnptifi.uor.
operacional con")limitador de salida;
b) comparador con baja resistencia
de salida; c) funcin de transferencia
para el circuito de
b) cuando vt( = Vp.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

Cuando v"(t) > v,(t), entonces l(0 < 0 y


v"(t) =V,+Vo

A veces se usa una tensin de referencia constante, Vp, para una entrada en lugar de una funcin
que vara en el tiempo. En este caso, la funcin de transferencia entre la salia y la entrada de ten-
sin variable es til. Usando

voQ) : vo

en la Figura 3.55b, por ejemplo, da la Figura 3.55c.

Modelo SPICE para un amplificador operacional saturado La Figura 3.56 muestra nuestro
modelo de amplificador operacional dinmico con diodos limitadores aadidos a la salida. Los valo-
res para Vp Y Vu son los lmites de saturacin de las hojas de caractersticas del amplificador opera-
cional. Los diodos estn cortados para -Va < v" < Vp', sin embargo, cuando yo fate de superar esos
lmites, un diodo conduce, limitando la tensin de salida. El resultado es la caracterstica de transfe-
rencia no lineal de laFigura2.22.

vP- 0"7

FIGURA 3.56 Modelo


SPICE para un amplificador
operacional con lmites
de saturacin Vey -Vy.

EJEMPLO 3.17 Construir un subcircuito SPICE esttico para el amplificador operacional que incluya la satu-
racin de la curva de ganancia en lazo abierlo. Usar este subcircuito y el SPICE para haltar la funcin de trans-
ferencia del comparador de la Figura 2.38, cuando el comparador usa el HA25444 y V, = 2y.

Solucin La Figura 3.57a muestra los diagramas del subcircuito y el comparador, y la Figura 3.57b el cdigo
SPICE. La Figura 3.57c muestra la salida. Para modelar mejor los lmites de saturacin de +11 V, las tensiones de
alimentacin deben cambiarse a +10 V, ya que la corriente que circula porR, hacia e1 subcircuito es muy alta. tr

3.11
EL DIODO COMO INTERRUPTOR

Este corto apartado introduce el dispositivo ms elegante, verstil e importante de la electrnica


modema- el interruptor electrnico. El intemrptor sirve de base a todos los circuitos lgicos que usa-
mos para tomar decisiones, forma la base para el almacenamiento de la informacin digital y nos per-
mite construir nterfaces con los que los computadores controlan a los perifricos y los perifricos
controlan a los computadores. El interruptor tambin es la base de muchos circuitos de procesado de
193

EXAMPLE3 . 17 i:1

ii;
10,3 V
f
.SUBCKTHA2544L23 'r.

ii.

RIN 1 2 9OK n

E140I2683
*
ROUr 4 3 20 I
t:

+l DL1 3 5 LIMIT F

L DL2 6 3 LIMIT [.
e0kot .MODEL LIMIT D ii]

_l t VP
vT4
5 O DC 10.3
6 0 DC -10.3
i.
li:
!1

b *---) F\TNE

3"

xt23Lr1A2544
VR3ODC2
VIN2O DCO
. PLOT DC v (1)
.DC VIN 0 10 0.1
. END

(b)

20,0

l1,3

FIGURA 3.57 Caracterstica


de transferencia de un comparador: -t 1,3

a) subcircuito SPICE y diagramas


del comparador; b) cdigo SpICE -20,0
para el subcircuito HA2544 46 10
y para el comparador; c) funcin er, (volts)
de transferencia.
(c)

seal -moduladores y detectores que transfieren informacin a y de la seal portadora- condensado-


res conmutados y dispositivos de control de carga que filtran las seales. En este apartado nos
encon-
tramos el intemrptor electrnico en su forma ms simple, el diodo de unin.

3.1I.I INTERRUPTOR IDEAL

El intemrptor ideal, Figura 3.58a, es un dispositivo de dos estados: circuitos abierto y cortocircuito. Las
dos curvas vl, Figura 3.58b, describen el intemrptor en trminos de tensin y corriente de conmutacin,
i* Y v"-. En la Figura 3.58c el interruptor controla una carga simple que se conecta./desconecta como
una limpara, rel o una alarma, representadas por la resistencia R. Cuando est cerrado, el intemrptor
aplica la tensin de alimentacinVcc a la carga, la corriente circula hacia sta y el dispositivo de carga
se conecta. Cuando el intemrptor se abre, la corriente de carga es cero, y la carga se desconecta.
CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

vcc

lruu 1" R
I
l, ,,," tiI
* It
.\11
Tr,.. I nterruDtor v
I cerrado lY +
l
!"
Dr^ l "fly ur.
t_
l

t
-tt
1
ilntemrptor
J
r
I
abierto
:
(a) (b) (c)
FIGURA 3.58 a) lnterruptor ideal; b) curva vi de un interruptor ideal; c) una aplicacin del interruptor;
d) aplicacin usando un diodo como interruptor.

3.11.2 INTERRUPTOR CON DIODOS

El diodo es til en este tipo de aplicacin porque en conduccin se parece a un intemrptor cerrado y
cuando est cortado a un intemrptor abierto. Con el diodo nos encontramos tambin, por primera vez,
la idea de un interuptor controlado o electrnico.
En la Figura 3.58d, usamos un diodo ideal como interruptor y una fuente vc, para abrir y cerrar. La
tensin de control toma slo dos valores, cero y V6'6. Cuando y. = 0 el diodo entra en conduccin,
conectando R aVcc exactamente como el interruptor crrado de la Figura 3.58c. Cuando v. = /.. yo1-
tios (o ms), el diodo se corta e i",,, es cero, justo como en la Figura 3.58c cuando el inter:ruptor est
abierlo. Obsrvese que la fuente de control, vo nunca enfrega potencia al circuito. Cuando v. absor-
be cortiente, su tensin es cero; cuando su tensin es alta su corriente es cero. El diodo nos permite
usar una seal de baja potencia para controlar un dispositivo R que, 1 solo, puede consumir cantidad
considerable de potencia que es suministrada por V66.
Un diodo real conmuta igual que el diodo ideal, excepto que hay una pequea cada de tensin V
en el inter:ruptor cuando est cerrado. Tambin, para abrir el interruptor, y. debe exceder Vcc-Vo en
lugar de V66. Examinaremos estos detalles prcticos ms adelante usando nuestros modelos de diodo
en el Problema 3.68.
Un aspecto prctico extremadamente importante es la velocidad de transicin entre conduccin y
corte para los interruptores electrnicos, porque esto limita la velocidad de los circuitos. Para inte-
rruptores hechos con diodos y con transistores que estudiaremos ms tarde, la velocidad de las con-
mutaciones depende de las propiedades dinmicas de la unin pn, el tema del siguiente apartado.

3.12
PROPTEDADES D|NAMTCAS DE lA UNTON p-n
Empezamos por distinguir entre propiedades estticas y dinmicas de un dispositivo electrnico,
usando el diodo como el ejemplo ms simple. La familiar curva yi del diodo esla caracterstcq est(i-
3.12 / Propiedades dinmicas de la unin p-n 1195

tica. La palabra esttica implica que el funcionamiento entre dos terminales de un circuito se descri-
be mediante tna ecuacin algebraica, ip = f(vp), que relaciona la tensin y la corriente continuas
correspondientes; para el diodo, sta es la Ecuacin (3.32). La caracterstica esttica de un dispositi-
vo tambin relaciona las corrientes y tensiones que varan en el tiempo, pero slo si las variaciones
no son "demasiado rpidas". Los dispositivos electrnicos siempre contienen pequeas capacidades
parsitas internas que modifican el comportamiento del dispositivo para seales rpidas. Por lo tanto,
en general, estos dispositivos se describen como ecuaciones diferenciales, que para seales suficien-
temente lentas, se reducen a ecuaciones algebraicas. As que esttico significa que las variables del
dispositivo estn cambiando despacio, de forma que las derivadas de las ecuaciones diferenciales son
lo bastante pequeas para poder ignorarlas. En este contexto, la palabra equilibrio se refiere a un sis-
tema esttico en el sentido de que todas las derivadas son cero (o despreciables) -un equilbrio din-
mico- en contraste con el equilibrio tnnico de una unin pn no polarizada. En resumen,las prope-
dades dnmicas de un dispositivo tienen que ver con sus capacidades internas, y las seales "rpi-
das" o "lentas" para un dispositivo en particular se definen respecto a constantes de tiempo asocia-
das a estas capacidades.
Las propiedades dinmicas del diodo son importantes porque limitan la validez de la teora que
hemos estudiado, tanto como interruptores como cuando son componentes clave de los circuitos con-
formadores de onda. Todas las descripciones previas de los circuitos con diodos asuman un funcio-
namiento esttico del diodo. Cuando comprobamos los circuitos en el laboratorio, hallamos que tra-
bajan como predijimos dentro de un margen de frecuencias; sin embargo, siempre podemos hallar
experimentalmente algunas frecuencias de entrada altas por encima de las cuales la forma de onda de
salida es notablemente distinta de la ideal. A esta frecuencia la capacidad interna del diodo comien-
za a afecfar negativamente al funcionamiento del circuito, y no es demasiado adecuado describir el
diodo por su curva esttica vl. Despus de un rpido vistazo a la idea bsica de capacidad empeza-
mos con los parsitos del diodo.
Definimos un condensador lineal por su curva caracterstica, la curva lineal carga-tensin de la
Figura 3.59. Cuando el punto de funcionamiento se mueve del punto a al punto D, el cambio de ten-
sin AV debe ir acompaado por un cambio de la carga almacenada LQ. La capacidad de gran seal
se define por C = LQILV. Por 1o tanto las capacidades grandes requieren que los incrementos de ten-
sin, AV, vayan acompaados por acumulaciones de carga relativamente grandes AQ. Adems, los
valores de C grandes requieren que los cambios rpidos de tensin (LV|LI grande) vayan acom-
paados por una corriente de carga grande

LQ LV
x:c n,
tl
En las uniones pn hay dos clases de capacidades parsitas, la capacidad de difusin y la capacidad de I
tili
deplexin, ambas caracterizadas por curvas no lineales carga-tensin. ti
i

bt
I

.,j I

tLo
:"I
I
a>-----J
.'''' Lv
FIGURA 3.59 Curva
caracterstica
de un condensador lineal.
F

l96l CAPTULO 3 / Semiconductores, uniones p-n y circuitos con diodos

3.12.1 CAPACIDAD DE DFUSIN

La Figura 3.60 es una visin ampliada de las curvas de concentracin minoritarias de la Figura 3.19a.
La capacidad de difusin de una unin pn (o diodo) tiene que ver con el exceso (sobre el nivel de
equilibrio) de cargas minoritarias, Q"y Q". En el corte de seccin A de un diodo, cada pequeo volu-
men, Adx, en el lado n de la unin contiene

t .. n?f
lnlx)- *le ax
exceso de huecos, cada uno con una carga de 4 culombios. El total de carga almacenada cerca de la
unin debido a los huecos es, por tanto

&t .
t-'L''p(x)-1-l,q
Q"= Lql "?1
No-)
x

donde la integral infinita es una buena aproximacin de la integral real si el lado p del diodo es
mayor que cuatro o cinco longitudes de difusin. Sustituyendo p(x) de la Ecuacin (3.35) e inte-
grando da

(3.59)
Qo= Aqnf
!;{r"'" -t)
Como la tensin del diodo v es la variable independiente y Qrla variable dependiente de la Ecuacin
(3.59) describe un condensador no lineal.

FIGURA 3.60 Carga de los


minoritarios almacenada en un
diodo directamente
polarizado.

Realizando la misma operacin para hallar el exceso de carga Q^ almacenada en electrones el


material p da

Q,= Aqn?
fr;(,"'' -r) (3.60)
3.12 / Propiedades dinmicas de la unin p-n 1197

Si llamamos a la carga total almacenada en los minoritarios Qa - Q, + Q,, (3.59) y (3.60) dan una
ecuacin de la forma

Qo = K(n',1', _ t) (3.61)

donde K es una constante. Dibujando la Ecuacin (3.61) da la curva de 7a capacidad de difusin de


la Figura 3.61, que tiene la forma de la curva del diodo.
Un condensador no lineal como el de la Figura 3.61 comparte con el conden-
sador lineal la propiedad fundamental de que un cambio en la carga almacena-
da AQ va acompaado por un cambio de la tensin AV. De la forma de la Figura
3.61 inferimos que la capacidad de difusin tiene poca impofiancia cuando el
diodo est inversamente polarizado ya que los cambios de tensin negativos
necesitan un movimiento despreciable de carga. En aplicaciones de conmuta-
cin, sin embargo, donde el diodo conmuta entre la polarizacin inversa y
uD directa (puntos e y b),la capacidad de difusin y el retraso que crea son pro-
blemas a tener en cuenta.

FIGURA 3.61 Curva Q-V 3.21.2 CAPACIDAD DE DEPLEXN


no lineal para la capacidad
de difusin de un diodo.
La capacidad de deplexin (capacidad de transicin, barrera o carga espacial)
tiene que ver con la carga almacenada en iones inmviles de la regin de deple-
xin. Debido a que la cantidad de cargas de la regin de deplexin cambia con
la tensin, no es sofprendente que haya un efecto capacitivo. Una consecuencia directa (ver el texto
de Mattson en las referencias del final del captulo) es que la carga de deplexin,Qa",,,vaaconla
tensin del diodo como en la Figura 3.62a.La capacidad de deplexin domina el comportamiento
dinmico del diodo cuando el diodo est polarizado inversamente. Aunque menos importante que la
capacidad de difusin para el diodo directamente polarizado, la capacidad de deplexin contribuye a
los retrasos de las conmutaciones durante las transiciones entre los puntos a y .
Para condensadores no lineales se usa mucho una segunda definicin, \a capacidad incremental o
de pequea seal. La capacidad incremental se define en un punto Q de la atrva V-Q como la pen-
diente de la curva en ese punto
do
C=-
dv
Esta definicin nos conduce a usar la tangente a la curva para estimar el cambio de carga almacena-
da dQ necesario para un pequeo cambio /7 de tensin (la Figura 3.59 muestra que la capacidad
incremental y la "capacidad" son las mismas para un condensador lineal). La capacidad de deplexin
incremental de la unin pn es especialmente interesante y til. Calculando dQ", / dvo a partir de la
expresin terica, paru ia Figura 3.62a da el resultado