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Dentro de la estructura atmica de cada tomo aislado hay niveles especficos de energa
asociados con cada capa y electrn en rbita.
Los niveles de energa asociados con cada capa son diferentes segn el elemento de que
se trate. Sin embargo, en general: Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor
es su estado de energa y cualquier electrn que haya abandonado a su tomo padre
tiene un estado de energa mayor que todo electrn que permanezca en la estructura
atmica.
En la siguiente figura se puede observar que slo puede haber niveles de energa
especficos para los electrones que permanecen en la estructura atmica de un tomo
aislado. El resultado es una serie de brechas entre niveles de energa permitidos donde
no se permiten portadores. Sin embargo, conforme los tomos de un material se acercan
entre s para formar la estructura entrelazada cristalina, interactan entre ellos, lo cual
hace que los electrones de una capa particular de un tomo tengan niveles de energa
ligeramente diferentes de los electrones presentes en la misma rbita de un tomo
adyacente.
El resultado es una expansin de los niveles de energa fijos discretos de los electrones
de valencia a bandas
La figura anterior muestra que hay un nivel de energa mnimo asociado con electrones
que se encuentran en la banda de conduccin y un nivel de energa mximo de electrones
enlazados a la capa de valencia del tomo. Entre los dos hay una brecha E g = 0.67 eV (Ge)
de energa que el electrn en la banda de valencia debe salvar para E g = 1.1 eV (Si)
E g = 1.43 eV (GaAs)
convertirse en portador libre. Esa brecha de energa es diferente para Ge,
Si y GaAS; el Ge tiene la brecha mnima y el GaAs la mxima.
Es importante entender las unidades utilizadas para una cantidad en este caso son
electrn volts (eV), que bsicamente es la energa que un electrn adquiere al pasar a
travs de una diferencia de potencial de exactamente un volt.