FAMILIAS LOGICAS

una familia lgica de dispositivos circuitos integrados digitales monolticos, es un grupo

de puertas lgicas (o compuertas) construidas usando uno de varios diseos diferentes,
usualmente con niveles lgicos compatibles y caractersticas de fuente de poder dentro de una
familia. Muchas familias lgicas fueron producidas como componentes individuales, cada uno
conteniendo una o algunas funciones bsicas relacionadas, las cuales podran ser utilizadas
como construccin de bloques para crear sistemas o como por as llamarlo pegamento
para interconectar circuitos integrados ms complejos

ESPECIFICACIONES GENRICAS DE UNA FAMILIA LGICA

Estas especificaciones son las que en general estn incluidas en la hoja de datos correspondiente a
cada circuito que brinda el fabricante. Dentro de ellas algunas, como ser tensin de alimentacin y
niveles de tensin y corriente de entrada y salida, son iguales para todos los circuitos de la familia
con independencia de la funcin lgica que realiza cada uno de ellos, de esta manera se asegura
fcil interconexin entre ellos para implementar funciones lgicas ms complejas. Hay otras
caractersticas que dependen de la funcin que ejecuta el circuito, por ejemplo el consumo de
potencia y los tiempos de retardo, propagacin y conmutacin, y en consecuencia sus valores y
caractersticas pueden diferir de un integrante a otro. Especificaciones genricas de una familia
lgica Estas especificaciones son las que en general estn incluidas en la hoja de datos
correspondiente a cada circuito que brinda el fabricante. Dentro de ellas algunas, como ser
tensin de alimentacin y niveles de tensin y corriente de entrada y salida, son iguales para todos
los circuitos de la familia con independencia de la funcin lgica que realiza cada uno de ellos, de
esta manera se asegura fcil interconexin entre ellos para implementar funciones lgicas ms
complejas. Hay otras caractersticas que dependen de la funcin que ejecuta el circuito, por
ejemplo el consumo de potencia y los tiempos de retardo, propagacin y conmutacin, y en
consecuencia sus valores y caractersticas pueden diferir de un integrante a otro.

CMOS
El semiconductor complementario de xido metlico o complementary metal-oxide-
semiconductor (CMOS) es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos
integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de
tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de
energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas, colocado en la placa base.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican usan la tecnologa
CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y
muchos otros tipos de circuitos integrados digitales de consumo considerablemente bajo.
Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0 ; el valor 0 no se propaga al surtidor (S) y
por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado
de conduccin y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la salida.
Otra caracterstica importante de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal
degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0
1, siempre que an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

HISTORIA
La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,1 de Fairchild Semiconductor, a
principios de los aos 1960. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su
famosa familia lgica CD4000.
Posteriormente, la introduccin de un bfer y mejoras en el proceso de oxidacin
local condujeron a la introduccin de la serie 4000B, de gran xito debido a su bajo consumo
(prcticamente cero, en condiciones estticas) y gran margen de alimentacin (de 3 a 18 V).
RCA tambin fabric LSI en esta tecnologa, como su familia COSMAC de amplia aceptacin
en determinados sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la mayor dificultad de
fabricacin frente a dispositivos NMOS.
Pero su taln de Aquiles consista en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la frecuencia
de reloj, su consumo sube proporcionalmente, hacindose mayor que el de otras tecnologas.
Esto se debe a dos factores:

La capacidad MOS, intrnseca a los transistores MOS.

La utilizacin de MOS de canal P, ms lentos que los de canal N, por ser la movilidad de
los huecos menor que la de los electrones.
El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de transistores,
que obliga a utilizar un mayor nmero de mscaras.
Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores pronosticaban el final de la
tecnologa CMOS, que sera sustituida por la novedosa I2L, entonces prometedora.
Esta fue la situacin durante una dcada, para, en los ochenta, cambia el escenario
rpidamente:

Por un lado, las mejoras en los materiales, tcnicas de litografa y fabricacin, permitan
reducir el tamao de los transistores, con lo que la capacidad MOS resultaba cada vez
menor.
Por otro, la integracin de dispositivos cada vez ms complejos obligaba a la introduccin
de un mayor nmero de mscaras para asegurar el aislamiento entre transistores, de
modo que no era ms difcil la fabricacin de CMOS que de NMOS.
En este momento empez un eclosin de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101
a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido
y velocidad a sus contrapartidas NMOS. Tambin los microprocesadores, NMOS hasta la
fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02, etc.).
Y aparecieron nuevas familias lgicas, HC y HCT en competencia directa con la TTL-LS,
dominadora del sector digital hasta el momento.
Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la arquitectura de los
circuitos NMOS:

Uso de cargas activas. Esto es, un transistor se polariza con otros transistores y no con
resistencias debido al menor tamao de aquellos. Adems, el transistor MOS funciona
fcilmente como fuente de corriente constante. Entonces un inversor se hace conectando
 el transistor inversor a la carga activa. Cuando se satura el transistor, drena toda la
corriente de la carga y el nivel da salida baja. Cuando se corta, la carga activa inyecta
corriente hasta que el nivel de salida sube. Y aqu est el compromiso: es deseable una
corriente pequea porque reduce la necesidad de superficie en el silicio (transistores ms
pequeos) y la disipacin (menor consumo). Pero las transiciones de nivel bajo a nivel alto
se realizan porque la carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor,
adems de las capacidades parsitas que existan, por lo que una corriente elevada es
mejor, pues se cargan las capacidades rpidamente.
Estructuras de almacenamiento dinmicas. La propia capacidad MOS se puede utilizar
para retener la informacin durante cortos periodos de tiempo. Este medio ahorra
transistores frente al biestable esttico. Como la capacidad MOS es relativamente
pequea, en esta aplicacin hay que usar transistores grandes y corrientes reducidas, lo
que lleva a un dispositivo lento.
La tecnologa CMOS mejora estos dos factores:

Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que slo se consuma corriente
en las transiciones, de modo que el transistor de canal P puede aportar la corriente
necesaria para cargar rpidamente las capacidades parsitas, con un transistor de canal
N ms pequeo, de modo que la clula resulta ms pequea que su contrapartida en
NMOS.
En CMOS se suelen sustituir los registros dinmicos por estticos, debido a que as se
puede bajar el reloj hasta cero y las reducidas dimensiones y bajo consumo de la celda
CMOS ya no hacen tan atractivos los registros dinmicos.
Por ltimo, se suelen emplear transistores pequeos, poniendo una celda mayor para la
interfaz con las patillas, ya que las necesidades de corriente son mucho mayores en las lneas
de salida del chip.
La disminucin del tamao de los transistores y otras mejoras condujo a nuevas familias
CMOS: AC, ACT, ACQ, etc.

CMOS ANALOGICOS
Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos
caractersticas importantes, a saber.

Alta impedancia de entrada

La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeo condensador, por lo que no
existe corriente de polarizacin. Un transistor, para que pueda funcionar, necesita tensin de
polarizacin.

Baja resistencia de canal

Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la superficie del
transistor. Es decir, que si se le piden corrientes reducidas, la cada de tensin en el transistor
llega a ser muy reducida.
Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-to-Rail",
en los que el margen de la tensin de salida abarca desde la alimentacin negativa a la
positiva. Tambin es til en el diseo de reguladores de tensin lineales y fuentes
conmutadas.
Ventajas
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de
circuitos integrados digitales:

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los

transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo
experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o lo que
es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se encuentra en
la regin de corte en estado estacionario.

Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o
degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin.

Los circuitos CMOS son sencillos de disear.

La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de

integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.
Inconvenientes
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son
empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es
comparativamente menor que la de otras familias lgicas.

Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura

CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con
relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los circuitos
integrados. El latch-up produce un camino de baja resistencia a la corriente de alimentacin
que acarrea la destruccin del dispositivo. Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este
riesgo es prcticamente nulo. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato
y pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente
conectado a masa o alimentacin.

Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a ser
comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).

PROBLEMAS
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnologa CMOS, aunque no son
exclusivos de ella.

Sensibilidad a las cargas estticas

Histricamente, este problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas del
circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la alimentacin, que, adems
de proteger el dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a masa. Este ltimo
mtodo permite quitar la alimentacin de un slo dispositivo.

Latch-up
Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura cmos que se dispara cuando la
salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen
transitorios por usar lneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentacin o
alimentacin mal desacoplada. El Latch-Up produce un camino de baja resistencia a la
corriente de alimentacin, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destruccin del
dispositivo. Las ltimas tecnologas se anuncian como inmunes al latch-up.

Resistencia a la radiacin[editar]
El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la existencia de cargas
atrapadas en el xido. Una partcula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar
cargas a su paso, cambiando la tensin umbral de los transistores y deteriorando o
inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (Hardened), fabricados
habitualmente en silicio sobre aislante (SOI)

TTL
TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, lgica transistor a
transistor. Es una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los
componentes fabricados con tecnologa TTLRS los elementos de entrada y salida del
dispositivo son transistores bipolares

CARACTERISTICAS
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75V y los 5,25V
(como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V.
Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,0V y
0,8V para el estado L (bajo) y los 2,2V y Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta
caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual
han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los
CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 400 MHz.
Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de
circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves
prdidas).

HISTORIA
Aunque la tecnologa TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania, fue Signetics la
compaa que la populariz por su mayor velocidad e inmunidad al ruido que su
predecesora DTL, ofrecida por Fairchild Semiconductor y Texas Instruments, principalmente.
Texas Instruments inmediatamente pas a fabricar TTL,con su familia 74xx que se convertira
en un estndar de la industria.
FAMILIAS
Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las series
militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que representa la
familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.
Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: serie estndar.

TTL-L (low power): serie de bajo consumo.
TTL-S (schottky): serie rpida (usa diodos Schottky).
TTL-AS (advanced schottky): versin mejorada de la serie anterior.
TTL-LS (low power schottky): combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms
extendida).
TTL-ALS (advanced low power schottky): versin mejorada de la serie LSS.
TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).
TTL-AF (advanced FAST): versin mejorada de la serie F.
TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL.
APLICACIONES
Adems de los circuitos LSI y MSI descritos aqu, las tecnologas LS y S tambin se han
empleado en:

Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros.

Memorias RAM.
Memorias PROM.
Programmable array logic, o PAL, consistente en una PROM que interconecta las
entradas y cierto nmero de puertas lgicas.