ApostilaEQ PDF

Universidade Federal de Pernambuco
Centro de Tecnologia e Geocincias

Departamento de Engenharia Eltrica
Disciplina Equipamentos Eltricos EL418
1o Semestre de 2017
Prof. Zanoni Dueire Lins

Monitor Victor Andrade Lima Ferreira
Apostila de Prticas
2
Apresentao
A rea de transitrios eletromagnticos envolve uma ampla gama de

fenmenos, provocados por variaes sbitas de tenso ou corrente nos sistemas
eltricos, inicialmente em estado de regime permanente na grande maioria dos
casos. Essas variaes sbitas de tenso e corrente so provocadas por descargas
atmosfricas, faltas no sistema ou operao de disjuntores. Um estudo de
transitrios tanto pode levar especificao dos dispositivos de proteo dos
equipamentos de um sistema eltrico quanto permitir a determinao dos motivos
que provocaram uma perturbao no sistema.
Assim esta apostila o primeiro passo para que os alunos da graduao do
Departamento de Engenharia Eltrica e Sistemas de Potncia da UFPE tenham
contato com os fenmenos que envolvem os transitrios eletromagnticos
estudando suas causas e procurando solues que minimizem seus efeitos nos
sistemas eltricos.
Cada aula prtica procura dar enfoque a um assunto especifico tratado na
disciplina de Equipamentos Eltricos no pretendendo-se portanto ensinar, mas
apenas sedimentar os conhecimentos dos tpicos abordados.
A primeira prtica tem como objetivo apenas apresentar o ATPDRAW e
fornecer os subsdios necessrios para que o aluno possa desenvolver as demais
prticas. A partir da segunda prtica a apostila apresenta uma estrutura definida de
forma a fornecer um resumo terico do assunto abordado, a modelagem do circuito
para simulao no ATPDRAW e um questionrio onde o aluno ser indagado sobre
os resultados obtidos durante as simulaes.
A maioria dos modelos utilizados na apostila resultado de uma colaborao
da Diviso de Estudos de Alta Tenso - DEAT da Companhia Hidroeltrica do So
Francisco - CHESF, fazendo assim com que os casos estudados estejam o mais
prximo possvel da realidade.
Esta apostila foi desenvolvida com o apoio do Aluno Fbio Nepomuceno
Fraga, durante a realizao do seu Trabalho de Graduao.
3
Sumrio
Introduo ao ATPDRAW ...........................................................................................4

Prtica 01 - Energizao de Linhas de Transmisso ................................................29
Prtica 02 - Sobretenses Provocadas por Aplicao e Eliminao de Faltas .........34
Prtica 03 - Rejeio de Carga .................................................................................43
Prtica 04 - Manobras de Bancos Capacitores - Energizao e Abertura ................52
Prtica 05 - Energizao de Transformadores .........................................................61
Prtica 06 - Injeo de Surtos em Subestaes - Descargas Atmosfricas .............67
Prtica 07 - Mtodos de Controle das Sobretenses - Uso do Resistor de Pr-
Insero ....................................................................................................................73
Prtica 08 - Tenso Transitria de Restabelecimento ..............................................82
Referncias Bibliogrficas ........................................................................................89
4
INTRODUO AO ATPDRAW
Objetivo
Apresentar o ATPDRAW fornecendo os subsdios necessrios para que possamos

desenvolver as demais prticas.
O ATPDRAW
O ATPDRAW um preprocessador para o ATP (Alternative Transients Program).

resultado da cooperao entre Bonneville Power Administration e Norwegian
Electric Power Research Institute.
Foi desenvolvido motivado pelas facilidades operacionais encontradas no ambiente
Windows. No ATPDRAW o usurio constri o seu circuito na tela, selecionando os
componentes nos menus oferecidos, fazendo as devidas conexes e fornecendo os
parmetros necessrios, que so solicitados ao usurio. Como resultado criado
um arquivo de extenso "ATP" que servir de entrada para o ATP.
Usando o ATPDRAW
A tela principal do ATPDRAW esta mostrada na Figura 1. Nesta tela sero

desenvolvidas todas as etapas necessrias para a montagem dos circuitos no
ATPDRAW. Atravs dos menus presentes na tela principal iremos gerar um arquivo
de sada para o ATP.
Os meus encontrados na tela principal so:
File: Carrega e salva os circuitos, imprime e finaliza o programa;

Edit: Seleciona objetos ou grupo de objetos, copia, rotaciona, apaga;
5
View : Habilita e desabilita a Toolbar , controla o zoom, renova o desenho e
controla as opes de visualizao dos componentes;
ATP: cria as entradas para o arquivo do ATP (carto miscellaneous);
Objects: Edita e cria objetos modelados pelo usurio;
Tools: Chama os editores auxiliares e configura as opes do programa;
Window: configura as janelas de montagem de circuito e habilita a janela de mapa;
Help: Ajuda sobre menus e componentes do ATPDRAW.
Figura 1 - Tela principal do ATPDRAW
Um outro menu importante do ATPDRAW o Menu de seleo. Neste menu o

usurio pode escolher quais componentes vai utilizar para modelar seu circuito.
Para termos acesso ao menu de seleo basta clicarmos com o boto direito do
mouse na janela de montagem de circuito e assim o menu ser aberto. O menu est
mostrado na Figura 2.
6
Figura 2 - Menu de seleo
No menu de seleo esto disponveis todos os componentes de circuito do

ATPDRAW. Ao selecionarmos um componente no menu de seleo basta clicarmos
sobre a janela de montagem de circuito para que o componente seja inserido no
circuito. Aps a colocao do elemento na janela de montagem de circuito podemos
moviment-lo livremente por toda a janela bastando apenas clicar com o boto
esquerdo no mouse e arrast-lo. Com a posio de colocao do componente
definida devemos ento configurar seus parmetros, para isto devemos clicar no
componente com o boto direito do mouse. Ser aberta uma janela onde
entraremos com os parmetros do componente, isto pode ser visto na Figura 3.
Figura 3 - Janela de configurao dos parmetros do componente

7
Na janela de configurao dos parmetros dos componentes podemos tambm
solicitar algumas sadas para este componente. Isto feito atravs dos botes de
seleo de Output onde podemos escolher como sadas : tenso, corrente, corrente
& tenso e potncia & energia.
A seguir mostraremos uma lista dos principais modelos de componentes do
ATPDRAW que utilizaremos nas prticas seguintes com uma breve explanao
sobre seus parmetros de configurao.
Tabela 1 - Modelos de Componentes do ATPDRAW
Prob. Volt. - Voltmetro Prob. Curr. - Ampermetro
Escolher o nmero de fases Escolher o nmero de fases
Chave Monofsica Chave Trifsica

T-cl = instante de T-cl = instante de
fechamento da chave em fechamento da chave em
segundos segundos
T-op = instante de abertura T-op = instante de abertura
da chave em segundos da chave em segundos
Imar = corrente mxima que Imar = corrente mxima de
a chave pode abrir a chave pode abrir
Capacitor Resistor
C= em [uF] se Copt.=0
C= em uMho se Copt = R = em OHMS
freqncia do sistema
Indutor Resistor No Linear Tipo 99

Vflash = Tenso de
flashover em [V] do gap
Tdelay = Tempo mnimo
para a atuao
L= em mH se Xopt.=0
Jump = Nmero de
L= em Ohms se Xopt =
segmentos para o inicio do
Freq. do sistema
clculo.
VSEAL = Abre o gap se a
tenso for abaixo deste
valor
8
(Continuao)
RLC Monofsico RLC Trifsico

R = em OHMS R = em OHMS
L= em mH se Xopt.=0 L= em mH se Xopt.=0
L= em Ohms se Xopt=60Hz L= em Ohms se Xopt=60Hz
C= em [uF] se Copt.=0 C= em [uF] se Copt.=0
C= em [uMho] se Copt = C= em uMho se Copt =
Freq. do sistema Freq. do sistema
Splitter Linha RL Acoplada
Ro = resistncia de
seqncia zero em
Lo = indutncia de
seqncia zero em mH ou
Transforma um n trifsico
em 3 monofsicos R+ = resistncia de
seqncia positiva em
L+ = indutncia de
seqncia positiva em mH
ou
Linha Transposta Monofsica

R/I = Resistncia em /m
ILINE = 0 Indutncia em mH/m ou /m de acordo com
A Xopt
ILINE = 1 ou 2 - Mdulo da impedncia de surto em
ILINE = 0 - Capacitncia em uF/m ou uMho/m de acordo
com Copt
B
ILINE = 1 - Velocidade de propagao em m/s
ILINE = 2 - tempo de propagao
L = comprimento da linha em km
ILINE = configura a natureza dos parmetros
9
(Continuao)
Linha Trifsica Transposta

R/I+ = Resistncia de seqncia positiva em /m
R/I0 = Resistncia de seqncia zero em /m
ILINE = 0 Indutncia em mH/m ou /m de acordo com
Xopt
A ILINE = 1 ou 2 - Mdulo da impedncia de surto em
+ =seqncia positiva
0 = seqncia zero
ILINE = 0 - Capacitncia em uF/m ou uMho/m de acordo
com Copt
B ILINE = 1 - Velocidade de propagao em m/s
ILINE = 2 - tempo de propagao
+ =seqncia positiva
0 = seqncia zero
L = comprimento da linha em km
ILINE = configura a natureza dos parmetros
IPUNCH = 0 - No considera a condutncia da linha
IPUNCH = 1 - considera a condutncia da linha
Fonte Monofsica DC - Tipo 11 Fonte Monofsica AC - Tipo 14

U/I = 0 Fonte de tenso U/I = 0 Fonte de tenso
U/I = -1 Fonte de Corrente U/I = -1 Fonte de Corrente
Amp. = Amplitude em [V] Amp. = Amplitude em [V]
ou [A] ou [A]
Tsta = Instante a partir do
f = freqncia em Hz
qual a fonte est ligada
Tsto = Instante a partir do Pha = fase em graus ou
qual a fonte est desligada segundo
A1 = 0 fase em graus
A1 > 1 fase em segundos
Tsta = Instante a partir do
qual a fonte est ligada
Tsto = Instante a partir do
qual a fonte est desligada
10
(Continuao)
Fonte Trifsica - Tipo 14 Fonte 2-Slope Ramp. - Tipo 13

U/I = 0 Fonte de tenso U/I = 0 Fonte de tenso
U/I = -1 Fonte de Corrente U/I = -1 Fonte de Corrente
Amp. = Amplitude em [V] Amp. = Amplitude em [V]
ou [A] ou [A]
T0 = Tempo de subida em
f = freqncia em Hz
[s]
Pha = fase em graus ou A1 = Valor da funo em
segundo T1
T1 = Tempo para atingir 0.5
A1 = 0 fase em graus
do valor mximo na
A1 > 1 fase em segundos
descida
Tsta = Instante a partir do Tsta = Instante a partir do
qual a fonte est ligada qual a fonte est ligada
Tsto = Instante a partir do Tsto = Instante a partir do
qual a fonte est desligada qual a fonte est desligada
Transformador /Y Saturvel
Io = Corrente [A] de magnetizao em regime permanente
Fo = fluxo [Wb-turn] em regime permanente
Rmag = resistncia de magnetizao em Ohms
Rp = resistncia do enrolamento primrio
Lp = indutncia do enrolamento primrio em mH se Xopt.=0
Lp = indutncia do enrolamento primrio em Ohms se Xopt=60Hz
Vrp = tenso em kV do enrolamento primrio
Rs = resistncia do enrolamento secundrio
Lp = indutncia do enrolamento secundrio em mH se Xopt.=0
Lp = indutncia do enrolamento secundrio em Ohms se Xopt=60Hz
Vrs = tenso em kV do enrolamento secundrio
Lag = defasagem entre os enrolamentos ( 30 ou -30)
RMS = 0 caracterstica de saturao corrente/Fluxo
RMS = 1 caracterstica de saturao corrente/tenso
11
(Continuao)
Transformador Y/Y/ Saturvel

Io = Corrente [A] de magnetizao em regime permanente
Fo = fluxo [Wb-turn] em regime permanente
Rmag = resistncia de magnetizao em Ohms
Rp = resistncia do enrolamento primrio
Lp = indutncia do enrolamento primrio em mH se Xopt.=0
Lp = indutncia do enrolamento primrio em Ohms se Xopt=60Hz
Vrp = tenso em kV do enrolamento primrio
Rs = resistncia do enrolamento secundrio
Lp = indutncia do enrolamento secundrio em mH se Xopt.=0
Lp = indutncia do enrolamento secundrio em Ohms se Xopt=60Hz
Vrs = tenso em kV do enrolamento secundrio
Rt = resistncia do enrolamento tercirio
Lt= indutncia do enrolamento tercirio em mH se Xopt.=0
Lt = indutncia do enrolamento tercirio em Ohms se Xopt=60Hz
Vrt = tenso em kV do enrolamento tercirio
Lag = defasagem entre os enrolamentos ( 30 ou -30)
RMS = 0 caracterstica de saturao corrente/Fluxo
RMS = 1 caracterstica de saturao corrente/tenso
Com os principais componentes mostrados iremos agora passa a discutir os

parmetros de configurao do ATPDRAW. Estes parmetros esto baseados nos
cartes de miscellaneous do ATP. Os parmetros so configurados atravs do
menu ATP mostrado na Figura 4.
Figura 4 - Menu ATP

Onde:
Make Names : verifica a consistncia das informaes sobre os ns do circuito;

Make File : Gera o arquivo para ser rodado no ATP;
Edit File: Edita o arquivo gerado por Make File;
12
Settings: Abre a janela de configurao dos cartes de miscellaneous.
Dos itens do menu ATP o que merece um maior detalhamento a opo Settings
pois atravs desta opo que informaremos ao ATP os parmetros de
configurao. Na Figura 5 mostramos a janela de configurao dos parmetros de
simulao (1o carto de miscellaneous).
Onde:
DELTAT: Passo de integrao;

TMAX : Perodo de simulao;
FREQ: Freqncia do sistema;
XOPT : Parmetro de controle de indutncias (se igual a 0 L em mH, se igual a
freqncia do sistema XL =2fL em );
COPT: Parmetro de controle de capacitncias ( se igual a 0 C em F, se igual a
freqncia do sistema XL =2fC em MHO ).
Figura 5 - Janela de configurao dos parmetros Simulation

13
Na Figura 6 mostramos a janela de configurao dos parmetros Integer (2o
carto de miscellaneous). Onde :
IOUT: Freqncia para impresso dos resultados;

IPLOT: Freqncia para plotagem dos resultados;
IDOUBL: Impresso da tabela de conectividade ( =1);
KSSOUT: Impresso do regime permanente ( =1);
MAXOUT: Impresso dos valores mximos e mnimos ( =1);
IPUN: Mudana de freqncia de impresso IOUT ( = -1);
MENSAV: descarregamento da memria em disco para reiniciar( =1);
ICAT: Armazenamento permanente em disco dos dados para plotagem;
NENERG: Processamento estatstico ( = 0 deterministico).
Figura 6 - Janela de configurao dos parmetros Integer
Os parmetros dos cartes de miscellaneous devero ser ajustado de acordo com

as necessidades e objetivos das simulaes a serem realizadas no ATP.
Exemplo de Aplicao
A Figura 7 apresenta o primeiro exemplo de aplicao a ser analisado.

14
0 ,2 A t= 1 s 0 ,1 F 1 .0 0 0
(a) (b)
Figura 7 (a) circuito a ser analisado, (b) representao no ATP
Onde:
a fonte de corrente contnua, com amplitude igual a 0,2 A.

a capacitncia de 1 F;
a resistncia de 1000 ;
a chave est aberta em t = 0-; a fonte estar ativa em t = 0+ e a chave ser
fechada em t = 1s.
A ttulo de abordagem inicial do exemplo so feitas as seguintes consideraes

analticas.
Clculo da tenso no capacitor:
dv v dv v I
I0 i R iC C 0 ;
dt R dt RC C
re-arrumando, vem:
dv v RI 0 dv 1
dt ;
dt RC v RI 0 RC
integrando ambos os lados da equao, em relao a dv e dt,

respectivamente, vem:
15
1
dt lnv RI 0
1 t
dv K;
v RI 0 RC RC
colocando a ltima equao na forma exponencial, vem:
vt RI 0 e t RC K vt A e t RC RI 0 ,
onde: A e K .
O valor da constante A determinado a partir das condies iniciais. Por
exemplo para t=0, v=0 0 A RI 0 A RI 0 vt RI 0 1 e t RC .

Neste caso, para t , v RI 0 , ou seja v 200 V , para os dados do
circuito em anlise. O grfico da Figura 8 ilustra melhor o comportamento

dessa tenso.
200
[V]
160
120
80
40
0
0 2 4 6 8 [ms] 10
(file Ex1Apost.pl4; x-var t) v:XX0003
Figura 8 Tenso no capacitor em funo do tempo.
Clculo da corrente no capacitor:

16
it I 0 e t RC
1 t RC
it C
dv
CRI 0 . e
dt RC
Para os dados do circuito, vem: it 0.2 e 1000 t A. A Figura 9 ilustra o

comportamento da corrente no capacitor.
0.20
[A]
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0 2 4 6 8 [ms] 10
(file Ex1Apost.pl4; x-var t) c:XX0010-XX0018
Figura 9 Comportamento da corrente no capacitor
Clculo da potncia no capacitor:

pt vt it RI 0 1 e t RC I 0 e t RC pt RI 02 1 e t RC e t RC
Clculo da potncia mxima no capacitor:
dp
dt

1 t RC t RC 1
RI 02 1 e t RC
RC
e e

RC

e t RC 0 .

17
Esta ltima equao pode ser escrita da seguinte forma:
1
RI 02
RC

e t RC 1 e t RC e t RC 0 .

Como o primeiro termo diferente de zero, acarreta:

1 e t RC e t RC 0 e t RC 1 e t RC 0 .
Operando esta ltima equao, vem:
1 t 1 1
2e t RC 1 e t RC - ln t -RC ln
2 RC 2 2
Para os dados do circuito, t=0,6931 ms, substituindo este valor na equao

de p(t) obtida a potncia mxima de 10 W. O comportamento da potncia
no tempo pode ser vista atravs da Figura 10.
10
[V]
0
0 2 4 6 8 [ms] 10
(file Ex1Apost.pl4; x-var t) v: -XX0008
Figura 10 Comportamento da potncia no tempo.

18
Modelagem no ATPDRAW
Para nosso primeiro contato com o ATPDRAW iremos montar o circuito mostrado na
Figura 7.
Primeiramente vamos mostrar os parmetros dos componentes:
Fonte Monofsica DC - Tipo 11

U/I = -1
Amp. = 0.2
Tsta = 0
Tsto = 1
Chave Monofsica
T-cl = 1
T-op = -1
Imar = 0
Capacitor
C= 1
Resistor
R = 1000
Informaes sobre os cartes Miscellaneous :

19
Carto Miscellaneous ( Simulation )
DELTAT TMAX FREQ XOPT COPT
10x10-6 1x10-2 60 0 0
Carto Miscellaneous ( Integer )

IOU IPLOT IDOUB KSSOU MAXO IPU MENSA ICA NENER
T L T UT N V T G
1000 1 1 1 1 0 0 2 0
Agora clique com o boto direito do mouse da janela de montagem de circuito e

atravs do menu de seleo coloque os componentes do circuito como mostra a
Figura 11. Para girar o componente, selecione-o com o boto esquerdo do mouse e
ento clique com o boto direito, cada clique faz com que o componente gire 90 0.
Figura 11 - Montagem do circuito, inserindo componentes
Com os componentes do circuito inseridos, clique com o boto direito do mouse ou

d um clique duplo com o boto esquerdo para inserir os parmetros dos
20
componentes e para nomear os ns do circuito. Para cada componente o
procedimento o mesmo. Alm dos parmetros de configurao, nesta janela ,
podemos tambm definir as sadas que desejamos para cada componente Isto
feito atravs dos botes de seleo de Output (ver Figura 12).
Figura 12 - Montagem do circuito, configurao dos parmetros
Com os parmetros configurados vamos agora ligar os componentes. Isto feito

clicando-se com o boto esquerdo no n de um componente e arastando-o at o n
do outro como podemos ver na Figura . Posteriormente, o aterramento propiciado,
quando se clicar duas vezes sobre o n que se deseja aterrar, abrindo-se a tela
ilustrada na Figura 14.
Figura 13 - Montagem do circuito, ligando os componentes

21
Figura 14 Tela para especificar o aterramento.
Com todo o circuito da Figura 7 montado vamos agora configurar os parmetros dos
cartes de miscellaneous. Isto feito atravs das janelas da Figura 5 e Figura 6.
Com os cartes de miscellaneous configurados geraremos, atravs do menu
ATP(ver Figura 4), o arquivo de entrada para o ATP.
Os dados a serem fornecidos pelo ATP devero ser indicados atravs do

ATPDRAW. Na Figura 15 ilustrada forma de indicar tais sadas, indicando na
prpria janela de especificao do componente.
22
Figura 15 Especificao de informaes de sada
Observa-se, nesta figura, que foi solicitada a corrente que flui no capacitor.
Na Figura 16 ilustrada a corrente que foi solicitada, verifica-se que a corrente

estar fluindo no sentido terra-n positivo da fonte.
Figura 16 Indicao da corrente solicitada.
N figura 17 ilustrada tela, indicando a forma de solicitar que o programa ATP seja
rodado. Na Figura 18 a etapa de processamento do ATP ilustrada, verificando-se
a passagem pelo ambiente DOS, original.
23
Figura 17 Solicitao de processamento do ATP
Figura 18 Etapa de processamento do ATP.
Na Figura 19 ilustrada a forma de se obter os dados de sada graficamente, os

quais so desenhados atravs do Plotxy, conforme apresentado na Figura 20.
24
Figura 19 Solicitao de exposio grfica dos dados de sada
Variveis registradas
Variveis selecionadas
Solicitao de plotagem
Figua 20 Ilustrao do processamento do Plotxy

25
Observa-se que, pelo processo utilizado, a corrente obtida foi negativa. Uma
forma alternativa de solicitar a corrente seria atravs da utilizao de sondas,
conforme verificado na Figura 21.
Sonda de tenso
Sonda de corrente
Figura 21 Obteno de grandezas atravs de sondas.
A vantagem da utilizao de sondas que o sentido das grandezas pode ser

escolhido, diferentemente da solicitao atravs da tela de caracterizao do
componente, ilustrada anteriormente.
Na Figura 22 encontra-se ilustrado o resultado obtido. Verifica-se que foram

registradas as duas variveis solicitadas (tenso e corrente no capacitor), apesar de
no ter sido possvel explicitar graficamente os valores da corrente, tambm
selecionada, devido ao problema de escala. Observa-se que o sentido da polaridade
da tenso apresenta-se positiva, como tambm seria o da corrente, no identificvel
na figura.
26
Variveis registradas
Variveis selecionadas Solicitao de plotagem
Figura 22 Ilustrao das novas grandezas solicitadas atravs das sondas.
Atravs das telas de especificao dos componentes podem ser solicitadas,

tambm, a potncia e a energia consumida pelo componente. Na Figura 23
ilustrada a forma de proceder. Para o caso exemplificado est sendo solicitada a
potncia e a energia consumida pelo capacitor.
27
Figura 23 Solicitao da potncia e da energia consumida.

28
Valor mximo na curva

v=potncia
Aciona cursor (Analtico=10; erro=-0,11%)
c=energia Tempo para valor mximo
Cursor direciona(analtico=6,931E-04
a ms; erro=1,57%)
indicao dos valores na
curva
Figura 24 Grfico da potncia consumida pelo capacitor
Na figura 24 so ilustrados os resultados obtidos para a opo feita anteriormente.

So registrados, tambm, o valor mximo da tenso e o tempo para se atingir o
valor mximo, utilizando-se adequadamente o cursor disponvel. Verifica-se que o
erro cometido em relao aos valores obtidos analiticamente de -0,11% para a
tenso e de 1,57% para o tempo.
Tpicos para Reflexo
1. Confirmar a forma de onda da tenso no capacitor em funo do tempo.

2. Confirmar a forma de onda da potncia no capacitor em funo do tempo.
3. Determinar a forma de onda da potncia dissipada pelo resistor em funo do
tempo e da energia armazenada no capacitor.
4. Altere o valor da resistncia para um valor elevado e tambm para um valor
pequeno e responda novamente os itens anteriores.
5. Altere o valor da capacitncia para um valor elevado e tambm para um valor
pequeno e responda novamente os itens 1,2 e 3.
6. Compare os valores obtidos nos itens 4 e 5 com os valores anteriormente
obtidos nos itens 1,2 e 3.
PRTICA 01 - ENERGIZAO DE LINHAS DE TRANSMISSO
1.0 Resumo Terico
A energizao de uma linha de transmisso normalmente feita atravs do

fechamento de um disjuntor, o qual pode ser equipado com resistores de pr-
insero, dependendo do nvel de tenso da linha de transmisso, para diminuir as
sobretenses transitrias associadas a esta manobra.
As sobretenses resultantes podem alcanar valores elevados, principalmente
no terminal aberto ao final da linha de transmisso. Os valores so estatsticos
porque dependem dos instantes de fechamento dos contatos de cada fase do
disjuntor.
As sobretenses transitrias decorrentes de uma energizao de uma linha de
transmisso envolvem basicamente um processo de propagao de ondas,
sobrepostas tenso na freqncia industrial. Pode-se afirmar que as sobretenses
so caracterizadas por duas componentes principais, as quais so descritas
adiante.
Componentes na freqncia industrial: o efeito Ferranti faz com que a

tenso aumente ao longo da linha de transmisso. Na ausncia de
compensao reativa, a tenso de regime no lado receptor da linha de
transmisso sempre maior do que no emissor. O surto injetado
durante o fechamento do disjuntor tem uma taxa de crescimento
correspondente a que existe na freqncia industrial e uma amplitude
que depende do instante de fechamento.
Componente transitria: no instante do fechamento dos contatos do

disjuntor so injetados nas fases trs surtos de tenso que se propagam
pela linha de transmisso, praticamente na velocidade da luz, e que so
fortemente afetados pela resistncia da linha de transmisso e pelas
caractersticas dos componentes conectados nas suas duas
extremidades. As terminaes da linha de transmisso definem os
coeficientes de reflexo e as taxas de crescimento dos surtos refletidos.
A freqncia dominante da componente transitria definida pelo
29
comprimento da linha de transmisso. Por este motivo quanto maior o
comprimento menor a freqncia dominante e vice-versa.
2.0 Montagem de Casos
Sero analisados os 5 casos ilustrados nos circuitos mostrados na Tabela 1.

Cada circuito simula uma das seguintes situaes:
a) caso ideal, com fonte constante sem perdas e linha de transmisso sem
perdas;
b) idem caso a), incluindo as perdas da linha de transmisso;
c) idem caso b), porm com fonte senoidal;
d) idem caso c), porm acrescentando-se uma indutncia em srie com a
fonte;
e) idem caso d), porm sendo a linha de transmisso trifsica.
Tabela 1 Casos estudados
Circuito Esquemas representativos
U
1
U
2
U
3
4 U
30
U
5
Os elementos dos circuitos sero:
Fonte Monofsica AC - Tipo 14

U/I = 0
Amp. = 180000
f = 0.0001
Fonte para os circuitos 1 e 2
Pha = 0
A1 = 0
Tsta =-1
Tsto = 1

U/I = 0
Amp. = 180000
f = 60
Fonte para os circuitos 3 e 4
Pha = 0
A1 = 0
Tsta =-1
Tsto = 1
Fonte Trifsica - Tipo 14

U/I = 0
Amp. = 12826
f = 60
Fonte para o circuito 5
Pha = 69.95
A1 = 0
Tsta = -1
Tsto = 1
Chave Monofsica
T-cl = 0
Chave para os circuitos 1,2,3 e 4
T-op = 1
Imar = 0
Chave Trifsica
T-cl = 0
Chave para o circuito 5
T-op = 1
Imar = 0
31
R/I = 0
A = 4.353
Linha para o circuito 1
B = 0.0063
L = 150
ILINE = 0

R/I = 0.422
A = 4.353
Linha para os circuitos 2,3 e 4
B = 0.0063
L = 150
ILINE = 0

R/I+ = 0.066
R/I0 = 0.422
A+= 1.358
A0= 4.353
Linha para o circuito 5
B+= 0.0086
B0= 0.063
L = 150
ILINE = 0
IPUNCH = 0
RLC Trifsico
R_1=R_2=R_3=0 Reatncia equivalente da fonte do circuito
L_1=L_2=L_3=140.3 5
C_1=C_2=C_3=0
RLC Monofsico
R=0 Reatncia equivalente da fonte do circuito
L= 141.3 4
C= 0

1x10-5 5x10-2 60 0 0

IOUT IPLOT IDOUBL KSSOUT MAXOUT IPUN MENSAV ICAT NENERG
200 1 1 1 1 0 0 1 0
3.0 Exerccios
a) Obtenha o grfico da tenso nos terminais emissor e receptor das linhas

de transmisso dos circuitos 1,2,3,4 e 5.
32
b) Diminua o comprimento das linhas de transmisso para 75 km e
obtenha grfico da tenso nos terminais emissor e receptor das linhas
c) Escolha outro instante para a energizao das linhas de transmisso e
obtenha grfico da tenso nos terminais emissor e receptor das linhas
d) Compare as tenses obtidas nos itens anteriores.
e) Explique as diferenas entre as formas de onda das tenses de cada
circuito.
33
PRTICA 02 - SOBRETENSES PROVOCADAS POR APLICAO E
ELIMINAO DE FALTAS
Objetivo
Estudar os fenmenos de sobretenses que acontecem durante a ocorrncia de um

curto-circuito monofsico em um sistema eltrico.
Resumo Terico
A importncia dos estudos de aplicao de falta se prende basicamente a dois fatos.

O primeiro de que as sobretenses transitrias e sustentadas geradas em um
sistema quando da ocorrncia de um curto-circuito so fatores decisivos na seleo
dos pra-raios, uma vez que estes so escolhidos de modo a no atuarem
dinamicamente para esta manobra pois, em caso contrrio, a sua capacidade de
absoro de energia seria excedida. Baseado nos nveis de proteo oferecidos
pelos pra-raios, so aplicadas margens de segurana que levam determinao
dos nveis de isolamento a impulso atmosfrico (BIL) e de manobra (BSL) dos
equipamentos. O segundo fato que este fenmeno tem a si associados dois
riscos:
Risco de um curto-circuito monofsico evoluir para uma falta polifsica;

Risco de um curto-circuito monofsico causar um segundo defeito em uma outra
linha do sistema devido ao aparecimento de sobretenses elevadas.
Os estudos de eliminao de falta so importantes no sentido de que os pra-raios

devem limitar as sobretenses decorrentes desta ocorrncia a nveis compatveis
com a suportabilidade dos equipamentos por eles protegidos, drenando uma
energia que esteja dentro do limite de sua capacidade de absoro. Alm disto,
outro fator importante que os disjuntores devem suportar as tenses atravs de
seus polos quando da abertura de uma linha visando a eliminao da falta.
34
As sobretenses originadas de aplicaes de falta podem ser entendidas como a
composio de ondas viajantes, devido aplicao do curto propriamente dito, com
as tenses impostas pelo sistema em regime. Com relao primeira parcela, ou
seja, a componente transitria, dois tipos se destacam:
Nas fases ss devido ao prprio transitrio e ao deslocamento do neutro;

Nas fases defeituosas devido ao prprio transitrio de modificao do valor da
tenso no ponto. Neste caso o curto pode ser analisado como a injeo de uma
onda de mdulo igual e polaridade oposta tenso antes do defeito, de modo que o
valor resultante da tenso no ponto da falta seja zero. Este fato melhor visualizado
pelas Figuras 25 e 26.
Figura 25 - transmisso e reflexo de onda
As tenses transmitidas Et e refletidas Er so expressas em funo da onda

incidente E por:
2Z 2 Z 2 Z1
Et E e Er E
Z1 Z 2 Z 2 Z1
onde:
Z1 - impedncia caracterstica por onde a onda chega;
Z2 - associao de todas as impedncias caractersticas conectadas a Z1.
No caso de um curto-circuito Z2 = 0. Tem-se ento Et = 0 e Er = -E, conforme

35
Figura 26 - Aplicao do Curto
A manobra de eliminao de falta, quando esta operao for feita sem que haja
abertura de linha (por exemplo, curto no barramento) pode ser analisada
considerando que no circuito da Figura 27 a chave feche quando a tenso da fonte
passar pelo mximo, sem tenso inicial atravs do capacitor. Isto equivalente a
uma eliminao do defeito (no zero de corrente) atravs do capacitor, havendo, com
este chaveamento, uma redistribuio da tenso atravs de um circuito oscilatrio.
Figura 27 - Eliminao de Falta
No caso de um disjuntor operar no sentido de retirar a linha faltosa, esta anlise

pode ser feita de forma semelhante abertura de circuitos capacitivos.
Com relao aos estudos de eliminao de falta, procura-se tambm verificar as
sobretenses decorrentes da abertura de todos os defeitos e, assim como nos
casos de aplicao de falta, monitora-se a tenso no somente -no local onde
ocorreu o curto mas tambm ao longo do resto do sistema, j que o mximo valor
de sobretenso no ocorre necessariamente no ponto defeituoso. Quando o
disjuntor operar no sentido de eliminar a corrente de falta, as sobretenses que
ocorrem podem exceder a 1,7 p.u. e se manifestar tanto nas fases ss da linha
defeituosa, como em linhas ou barras no defeituosas em outros pontos do sistema.
Nestes casos especficos, procura-se verificar tambm as tenses atravs de cada
plo do disjuntor, bem como quanto tempo aps a abertura ocorrer o valor mximo
e a taxa de crescimento destas tenses. Estes estudos so de extrema importncia
para a especificao de disjuntores.
36
Dependendo das caractersticas do circuito sob a anlise, pode-se estudar
aberturas monopolares (para religamento monopolar) e abertura tripolar (para
religamento tripolar). Diversos fatores influenciam no valor das sobretenses
resultantes da aplicao e eliminao de falta, sendo que, para ambos os
fenmenos, os mais importantes so:
Natureza da falta;
Comprimento da linha de transmisso;
Grau de compensao da linha de transmisso;
Grau de aterramento do sistema;
Local da falta.
No caso particular de aplicao de defeito, observa-se que para uma mesma

configurao do sistema as sobretenses no so constantes, uma vez que
dependem do ponto da onda de tenso em que o defeito ocorre. Desta forma, a
pesquisa dos valores mximos feita admitindo-se uma distribuio sistemtica de
modo a cobrir toda a onda de tenso.
Um outro fator importante a resistncia de falta, sendo que a sua presena
influencia no sentido de diminuir os valores das sobretenses. Na anlise da
eliminao de curtos-circuitos, necessrio tambm se variar a seqncia de
abertura dos polos dos disjuntores, procurando-se obter os casos mais criticos de
sobretenses e as piores tenses atingidas entre os contatos dos disjuntores (TRT).
O defeito mais comumente estudado o curto-circuito monofsico, uma vez que
esta a falta mais freqente em um sistema de transmisso. Assumindo-se, para
um sistema de neutro isolado, que o valor de pico da componente transitria ocorre
simultaneamente com o pico da tenso freqncia industrial, a sobretenso
decorrente deste defeito poder atingir, teoricamente, 3 1 2.73 vezes o valor de
pico da tenso fase-terra. Na prtica, a componente transitria no composta de
somente uma nica freqncia, mas um fenmeno de multi-freqncias. Suas
amplitudes mximas no ocorrem todas no mesmo instante que o pico da tenso
fase-terra freqncia industrial. Por esta razo, as sobretenses so geralmente
bem abaixo de um fator 2.7, sendo elevadas somente em casos excepcionais de
37
sistemas radiais. O valor da elevao da tenso nas fases ss reduzido quando
mais transformadores prximos ao local da falta so aterrados diretamente ou via
reatncia de baixo valor hmico, o que equivalente a se ter um X0/X1 baixo.
Costuma-se, entretanto, verificar as sobretenses resultantes da aplicao dos
demais defeitos polifsicos envolvendo ou no a terra. Normalmente, durante a
ocorrncia de curtos fase-terra, as maiores sobretenses se localizam nas fases
ss, enquanto que para as demais faltas ocorrem nas fases defeituosas com valores
e formas de onda bastante semelhantes, caracterizadas por envolver principalmente
seqncia positiva.
Como o isolamento deve em qualquer circunstncia ser capaz de suportar a
sobretenso devido ocorrncia da falta, seria desapropriado e
desnecessariamente oneroso projetar ou utilizar um disjuntor com equipamentos
especiais (sincronizador) que limitasse as sobretenses de manobra para valores
menores que os produzidos por faltas.
O estudo das sobretenses provocadas por curto-circuito monofsico ser realizado

atravs do circuito mostrados na Figura 27.
Figura 27 - Circuito para simulao
Os elementos do circuito sero:
38
U/I = 0
Amp. = 12826
f = 60 Fonte que representa o
Pha = 69.95 equivalente da tenso do
A1 = 0 gerador de Itaparica (n
Tsta = -1 UITA)
Tsto = 1
RLC Trifsico Componente que

R=0 representa a impedncia
L= 0.0607 equivalente do gerador de
C= 0 Itaparica (n UITA)

U/I = 0
Amp. = 509205
Pha = 79.27 equivalente do sistema em
A1 = 0 Itaparica (n ITA50)
Tsta = -1
Tsto = 1
Linha RL Acoplada
Ro = 0.5 Componente que
Lo = 14.25 representa a impedncia
R+ = 0.75 equivalente do sistema em
L+ = 50 itaparica (n ITA50)
39
Io = 1
Fo = 0.001
Rmag = 1000000
Rp = 0.001
Lp = 0.0512
Vrp = 16
Rs = 0.004
Lp = 0.1833
Vrs = 295.98
Lag = -30
RMS = 0

R = 8.33 representa a compensao
L= 2500 shunt da linha de
C= 0 transmisso ( n ITA50 e
MLG50)

R/I+ = 0.026
R/I0 = 0.364
A+= 0.328
A0= 1.376
B+= 5.096
B0= 3.42
L = 215
ILINE = 0
IPUNCH = 0
40
Chave Trifsica
T-cl = 0.03
T-op = 0.09
Imar = 0
Resistor
Resistncia que representa

R = 0.001
a impedncia da falta.

4x10-5 2x10-1 60 60 60

T L T UT N V T G
1000 1 1 1 1 0 0 1 0
Tpicos para Reflexo
Obtenha o grfico das tenses nas fases "a" , "b" e "c" com seus respectivos
valores mximos, no n MLG50.
Obtenha o grfico das Corrente na fase "a" com seu respectivo valor mximo.
Aumentando o valor do resistor, que representa a impedncia da falta (n CH), para
50 , responda os itens anteriores.
Retirando a compensao shunt da linha de transmisso, responda novamente os
itens 1 e 2.
41
Para o circuito original, coloque um pra-raios no n MLG50 e responda os itens 1 e
2.
Resistor No Linear Tipo 99
Vflash = 0 Caracterstica no-linear
Tdelay = 1 Corrente(A) Tenso (V)
Jump = 1 1 475000
VSEAL = 0 10 481000
100 517000
500 554000
1000 573000
3000 610000
5000 631000
10000 673000
15000 708000
20000 743000
Compare os resultados obtidos nos itens anteriores.
42
PRTICA 03 - REJEIO DE CARGA
Objetivo
Estudar os fenmenos de rejeio de carga determinando as sobretenses

resultantes nas vrias situaes de ocorrncia da rejeio de carga.
Resumo Terico
A rejeio de uma carga causada, por exemplo, por uma operao indevida
de um disjuntor, ir produzir uma elevao da tenso ao longo de todo o sistema,
pois, com a conseqente reduo do fluxo de corrente o efeito capacitivo das linhas
se acentuar e a queda de tenso atravs das impedncias se reduzir. Alm disto,
h o fato dos geradores, por alimentarem em regra geral cargas indutivas, estarem
operando superexcitados, o que faz com que sua tenso seja superior das cargas.
Figura 7 - Rejeio de carga em um sistema radial

Este fenmeno pode ser melhor visualizado atravs da Figura 7, onde se apresenta
um sistema radial em que ocorreu uma perda sbita de carga com os respectivos
diagramas vetoriais representativos das condies pr e ps-manobra.
43
As sobretenses devido rejeio de carga so estudadas sob dois pontos
de vista, ou seja, sobretenses transitrias nos primeiros ciclos subsequentes
rejeio e sobretenses sustentadas que permanecem no sistema, normalmente
com distores harmnicas provocadas pela saturao dos elementos no-lineares
do sistema (transformadores e reatores). As sobretenses dependem das condies
de rejeio, isto , se a rejeio parcial ou total da carga do sistema. As
sobretenses com rejeio total de carga so mais elevadas, e consequentemente
solicitam os equipamentos da subestao terminal (onde se processa a rejeio)
com mais severidade, mas podem tambm solicitar outros pontos da rede.
Os pra-raios conectados na rede por ocasio de uma rejeio de carga
normalmente so severamente solicitados, apresentando elevados nveis de
absoro de energia com descargas sucessivas. A anlise da adequao dos
pra-raios, face a sobretenses devido a uma rejeio de carga, deve ser feita
considerando o transitrio inicial e a sobretenso sustentada.
O transitrio inicial, que ocorre no instante da abertura do disjuntor, da ordem de 1
a 2 ciclos e tem a forma de um surto de manobra. O valor deste surto geralmente
no superior aos obtidos em transitrios decorrentes de energizao e
religamento. No entanto, em certos sistemas, devido utilizao de resistores de
pr-insero e com a conseqente reduo dos nveis de sobretenses relativos
quelas manobras, por vezes necessria a verificao do desempenho dos
pra-raios para este surto inicial da rejeio de carga.
As sobretenses sustentadas subsequentes rejeio de carga de maneira
geral so mais altas que a maioria das sobretenses sustentadas de outras
operaes. Se durante este perodo os pra-raios vierem a operar, eles devero ser
capazes de reduzir estas sobretenses nos ciclos seguintes de forma a no causar
danos no equipamento devido excessiva absoro de energia.
Num estudo de transitrios, a integridade do pra-raios, nesta situao, pode
ser feita de maneira simplificada, sem necessidade de simular os pra-raios e sem
determinar a energia absorvida. Este critrio consiste em observar a mxima tenso
sustentada e verificar se este valor est abaixo da tenso nominal (reseal) dos
pra-raios. Quando a rejeio de carga seguida de curto-circuito, normalmente as
sobretenses nas fases ss aumentam significativamente.
44
Considerando que, devido ocorrncia do curto-circuito, o outro extremo da
linha ser aberto rapidamente pela atuao da proteo, deve-se verificar se os
pra-raios expostos possuem a capacidade de "reseal" transitrio. Esta uma
caracterstica especial dos pra-raios modernos providos de gape que possuem
tenso de "reseal" superior nominal durante os instantes iniciais do surto. Se for o
caso, esta caracterstica poder ser utilizada como critrio preliminar para
verificao da adequao dos pra-raios em anlise. Nos casos em que a aplicao
dos critrios mencionados acima resultar em compensao reativa exagerada, seja
por razes eltricas e/ou econmicas, conveniente uma avaliao da energia a ser
dissipada pelos pra-raios quando descarregando durante uma rejeio de carga.
Conservativamente deve-se considerar como tenso para descarga o nvel mnimo,
bem como o efeito da poluio.
Com relao influncia nos equipamentos, alm do que j foi enfocado em
relao aos pra-raios, as sobretenses devido rejeio de carga acarretam
outros efeitos danosos. Assim, por causa destas sobretenses elevadas, todo o
isolamento deve ser analisado frente a estas solicitaes.
Enquanto os transformadores so freqentemente bem protegidos por
pra-raios para as sobretenses transitrias, uma vez que esto localizados
diretamente em seus terminais, as sobretenses freqncia industrial causam
outras solicitaes (de efeito trmico) que devem ser consideradas, por exemplo
aquelas cansadas por harmnicos gerados por sua caracterstica no-linear as
quais o transformador deve ser capaz de suportar. Assim, de se esperar que de
um modo geral transformadores em EAT devam ter uma capacidade de sobreviver a
afeitos trmicos resultantes de uma sobre-excitao devido rejeio de carga no
sistema. Nesta anlise importante ressaltar que a sobre-velocidade reduz o fluxo
no transformador para uma dada sobretenso, enquanto sobretenses devido
rejeio de carga causam sobre-excitao, consequentemente de certa forma um
efeito compensa o outro.
45
importante notar que os valores da escala tenso de excitao devem ser
considerados como tenso nominal por hertz (tenso de excitao nominal em p.u.
dividido pela freqncia em p.u. de 60 Hz) aplicada ao enrolamento primrio para
qualquer carregamento. A operao abaixo da curva no causar perda significativa
da vida do isolamento do transformador. Por exemplo, o transformador pode operar
a 120% de excitao (1,2 vezes a tenso nominal por hertz) por um minuto sem
dano mensurvel. Se, por outro lado, a operao for de 120% por dois minutos, o
transformador poder sofrer dano permanente.
Os disjuntores podem tambm ser substancialmente influenciados por
sobretenses devido rejeio de carga. O primeiro disjuntor a ser manobrado, ou
seja, aquele que provocar a rejeio de carga, interromper a corrente de
curto-circuito ou a corrente de carga. Esta uma condio de operao normal para
o disjuntor e no requer maiores cuidados; supondo-se que a tenso de
restabelecimento transitria foi corretamente especificada. Por outro lado, o
disjuntor da outra extremidade da linha interromper uma corrente capacitiva em
nveis elevados de tenso e freqncia. Este tipo de interrupo mais severo do
que uma abertura da linha tenso nominal e portanto deve ser cuidadosamente
observado na preparao da especificao do disjuntor para atendimento desta
solicitao. prtica usual especificar que o disjuntor dever ser capaz de
interromper com 1,5 p.u. de tenso uma corrente capacitiva correspondente a 400
km de linha em vazio freqncia de 66 Hz. Para que seja garantido que os
disjuntores no sejam chamados a operar com tenses superiores a 1,5 p.u., so
instalados sistemas de proteo de sobretenso normalmente ajustados em torno
de 1,25-1,30 p.u. Esperasse assim que o tempo decorrido desde a atuao dos
rels at a separao fsica dos contatos dos disjuntores seja adequado para evitar
a abertura do disjuntor numa tenso superior a 1,5 p.u. Este tempo em conjunto
com a evoluo da sobretenso deve ser determinado em estudos de sistema com
a utilizao de programa de estabilidade.
46
O estudo de rejeio de cargas em sistemas eltricos ser realizado atravs do

circuito mostrado na Figura 8.
Figura 8 - Circuito para simulao da rejeio de carga

U/I = 0
Amp. = 17518.8
Pha = 69.95 equivalente da tenso dos
A1 = 0 geradores de Xingo.
Tsta = -1
Tsto = 1

L= 0.0607 equivalente dos geradores
C= 0 de Xingo.
2 Transformadores /Y Saturvel
47
Io = 9.6512 Curva de saturao (I x
Fluxo)
Fo = 62.797 9.6512 62.797
Rmag = 1000000 140.6662 67.5237
Rp = 0.0025 245.5322 71.5751
Lp = 0.1243 470.8973 76.977
Vrp = 18 887.8373 84.4047
Rs = 0.774 1413.7647 88.4561
Lp = 38.6982 1927.0929 91.157
Vrs = 317.54 5261.0845 94.5332
Lag = -30
RMS = 0

R/I+ = 0.023
R/I0 = 0.364
A+= 0.322
A0= 1.37
B+= 0.0136
B0= 0.008938
L = 200
ILINE = 0
IPUNCH = 0
RLC Trifsico
R = 20.167 Componente que
L= 3025 representa a Compensao
C= 0 shunt da linha
48
Chave Trifsica
T-cl = -1
T-op = 0.03
Imar = 0
Transformador Y/Y/ Saturvel

Io = 1
Fo = 0.001
Rmag = 1000000
Rp = 0.3721
Lp = 18.6037
Vrp = 317.54
Rs = 0.0566
Lp = 2.8301
Vrs = 132.79
Rt = 0.0121
Lt= 0.6065
Vrt = 13.8
Lag = 30
RMS = 0
Elemento RL Acoplado - Linha

Monofsica
Ro = 18.51 Impedncia equivalente da carga
Lo = 51.84
R+ = 3.17
L+ = 36.5

U/I = 0
Amp. = 181446.8
49
Pha = -58.2 equivalente da tenso da
A1 = 0 carga
Tsta = -1
Tsto = 1

1x10-4 1x10-1 60 60 0

T L T UT N V T G
500 1 1 1 1 0 0 1 0
Tpicos para Reflexo
Obtenha o grfico da tenso nos ns LT1 ,LT2 e TP.

Determine o valor e em que fase ocorre a maior sobretenso durante a simulao.
Aumente o comprimento das linhas de transmisso para 400 km e obtenha os
dados do item 1 e 2 e compare-os.
Retire do circuito o elemento RLC trifsico que representa a compensao shunt da
linha ( para um comprimento de 200 km ) e obtenha os dados do item 1 e 2 e
compare-os.
50
Para o circuito original, coloque um pra-raios no n LT2 e obtenha os dados do
item 1 e 2 e compare-os.
Jump = 1 100 811000
VSEAL = 0 200 822000
300 830000
500 841000
1000 860000
2000 888000
3000 910000
A partir das comparaes dos itens 3,4 e 5 ,a que concluses podemos chegar.
51
PRTICA 04 - MANOBRAS DE BANCOS CAPACITORES - ENERGIZAO
E ABERTURA
Objetivo
Estudar os fenmenos que envolvem as manobras de correntes capacitivas que

ocorrem durante as energizaes e aberturas de bancos capacitores.
Resumo Terico
As correntes capacitivas ocorrem sempre que se manobra bancos de

capacitores, linhas e cabos em vazio. A caracterstica predominante destas
manobras, em termos de solicitao do disjuntor e dos demais equipamentos no
sistema, incluindo-se o prprio banco ou bancos sendo manobrados, de natureza
predominantemente dieltrica.
Com correntes tpicas de algumas dezenas ou centenas e, em alguns casos,
poucos milhares de amperes, a solicitao trmica no disjuntor pode, via de regra,
ser desprezada, a no ser claro, quando se necessita de uma modelagem do
arco. Importantes neste tipo de manobra so, alm das caractersticas do meio
extintor, as caractersticas geomtricas da cmara do disjuntor, que interagem com
os campos eltricos resultantes da atuao da TRT (Tenso de Restabelecimento
Transitria) j prxima aos seus valores de pico, como por exemplo, o desenho dos
contatos e bocais, eventuais blindagens e evidentemente as distncias entre estes
elementos.
As correntes capacitivas, em outras palavras, no apresentam, devido sua
baixa intensidade, nenhuma dificuldade para serem interrompidas, sendo o
problema aquele que, em certas condies, se apresenta ao disjuntor, o de
mant-las neste estado.
Abertura de Banco de Capacitores
52
O caso mais simples de manobra em correntes capacitivas, e que portanto
mais se presta para se compreender os fundamentos do fenmeno, aquele
referente abertura de um nico banco de capacitores. O circuito monofsico
equivalente aquele da Figura 9, onde Lf , Cf e Rf so os parmetros da fonte com
tenso Uf e C a capacitncia do banco sendo manobrado e ic a corrente.
Figura 9 - Abertura de um banco capacitor. Circuito monofsico equivalente
Estando ainda o disjuntor fechado e desprezando-se inicialmente a

resistncia da fonte, tem-se:
Z Ceq u f
uc Equao 1
Z f Z Ceq
com:
Z f jL f Equao 2
j
Z Ceq Equao 3
C f C
Sendo ZCeq, a impedncia equivalente relativa s duas capacitncias em paralelo.

Substituindo-se a Equao 2 e Equao 3 na Equao 1 e rearranjando
temos:
uf uf
uc Equao 4
1
2
C eq L f 1
C eq
n
Com
1
n2 Equao 5
L f C f C
53
Como se pode ver, n a freqncia natural do circuito equivalente,
estando o disjuntor ainda fechado e retirando-se a fonte. evidente que n> que
a freqncia industrial, o que leva a uc > uf significando que a tenso do capacitor,
quando este est conectado ao circuito, maior do que aquela da fonte que o est
alimentando.
Portanto quando o disjuntor interrompe a corrente do capacitor no seu zero
natural, isolando-o do resto do circuito, este, juntamente com o terminal linha do
disjuntor, ir permanecer com a tenso Uc no seu patamar mximo, pois neste
instante uf = ufm, uma vez que o circuito capacitivo. O terminal fonte do disjuntor,
todavia, ir agora oscilar com a tenso da fonte, partindo claro de u fm, ocorrendo
assim uma queda repentina de tenso u c-ufm=um mxima, no instante
imediatamente posterior interrupo. Este salto de tenso, conhecido como
"voltage jump", provoca um transitrio de freqncia angular 0 1 L f C f na
passagem de uc para ufm. O degrau de tenso pode ser determinado aplicando-se

Kirchoff no circuito da Fig. 3.41. Tem-se ento, em valores eficazes, e ainda
desprezando-se a resistncia no circuito:
u m i Cm Z f i Cm L f Equao 6
Do que foi exposto, v-se que o transitrio do degrau de tenso semelhante

quele da TRT do curto terminal onde o lado da fonte oscila livremente na sua
freqncia natural 0, com a diferena agora de que a tenso impressa no u fm,
mas sim um.
Energizao de um banco de capacitores
A energizao de um banco de capacitores, embora sendo uma manobra

corriqueira, apresenta a ocorrncia de sobretenses e sobrecorrentes que devem
ser analisadas, dado o seu efeito no sistema. Considere-se ainda o circuito da
Figura 9, no qual o disjuntor est agora fechando o banco C. Para simplificar,
54
desprezamos aqui a capacitncia Cf da fonte, uma vez que C >> Cf . Chamando-se
de id a corrente que passa pelo circuito aps o fechamento do disjuntor, tem-se:
di f 1
Rf id Lf i d dt u 0 Equao 7
dt C
u0 a tenso do sistema no instante aleatrio do fechamento (t = 0 ), que na

realidade o instante da formao do pr-arco determinado pela ruptura do
dieltrico entre os contatos que se fecham, com a conseqente passagem da
corrente de fechamento, antes do contato galvanico dos mesmos. Poder-se-ia usar
a expresso senoidal para a tenso da fonte com a introduo de um ngulo de fase
aleatrio, porm, a anlise ficaria um pouco mais trabalhosa e a essncia do
fenmeno no to clara. Resolvendo a Equao 7 chegamos a seguinte expresso
para id :
e t /
i d (t ) u 0 u C0 sen n t Equao 8
L f R f2

C 4
Onde:
2
1 R
n f
L f C 2L f
2L f
Rf
1
C
u C0 i d dt t 0
Esta a expresso para a corrente de energizaco de um banco de

capacitores tambm chamada de corrente "inrush" e que, como se v pela equao
acima, transitria, amortecida e funo da diferena das tenses da fonte e do
55
banco no instante do fechamento e da freqncia natural do sistema. Na
aproximao feita, no se considerou a freqncia da fonte porm evidente que id,
aps o amortecimento, ir se acomodar sobre a corrente do banco i c e portanto a
sua equao deveria tambm conter um termo em .Todavia os parmetros
importantes de uma energizao de um banco de capacitores no que diz respeito
corrente "inrush", so o primeiro pico e a sua freqncia, valores esses que sero
os responsveis pelas solicitaes sobre o disjuntor, o que valida a aproximao
que leva Equao 8. Analisando-se a expresso de id(t), v-se que a corrente de
"inrush" na sua natureza igual corrente de descarga num reacendimento,
podendo-se considerar este ltimo como sendo uma energizao involuntria onde
o dieltrico se rompeu; da a mesma designao para ambas.
O estudo da abertura de bancos capacitores ser realizado atravs do circuito

Figura 10 - Circuito para simulao de abertura de banco capacitor

U/I = 0
Amp. = 187.794
f = 60
Pha =-90
A1 = 0
Tsta =-1
56
Tsto = 1
RLC Monofsico
R=0
L= 52.9
C= 0
Chave Monofsica
T-cl = -1
T-op = 0.01
Imar = 0
Capacitor
Valor para ambos os capacitores
C= 3.79
do circuito

1x10-5 5x10-2 60 0 0

T L T UT N V T G
500 1 1 1 1 0 0 2 0
57
O estudo da energizao de bancos capacitores ser realizado atravs do circuito
Figura 11 - Circuito para simulao de energizao de banco capacitor

U/I = 0
Amp. = 56.3
f = 60
Pha =-90
A1 = 0
Tsta =-1
Tsto = 1
RLC Monofsico
R = 0.1
L= 10
C= 0
Chave Monofsica
T-cl = 0.00415
T-op = 1
Imar = 0
58
Capacitor
C= 10
RLC Monofsico Representao do banco capacitor

R = 0.025 a ser energizado levando em conta
L= 0.2 a indutncia e a resistncia
C= 10 intrnseca do banco.

1x10-4 1x10-1 60 0 0

T L T UT N V T G
500 1 1 1 1 0 0 1 0
Tpicos para Reflexo
No circuito da Figura 10 obtenha o grfico da tenso atravs da chave, no n C e n

C1
No circuito da Figura 10 obtenha o grfico da corrente atravs do capacitor do n
C1.
No circuito da Figura 11 obtenha o grfico da tenso no n C e n C1.
59
No circuito da Figura 11 obtenha o grfico da corrente de "inrush" e da corrente da
fonte.
Modifique o instante de fechamento das chaves, responda novamente os itens
anteriores e compare os resultados obtidos.
60
PRTICA 05 - ENERGIZAO DE TRANSFORMADORES
Objetivo
Estudar os fenmenos que ocorrem durante as manobras de energizao de

transformadores devido as suas caractersticas no-lineares.
Resumo Terico
A energizao de um transformador de potncia geralmente provoca sobretenses

com forte contedo de harmnicos e baixo amortecimento, devido s caractersticas
de saturao do seu ncleo de ferro. A Figura 12 mostra uma caracterstica x I
tpica para um transformador de potncia.
I I
Figura 12 - Curva de Magnetizao de um Transformador de Potncia
Em regime permanente, a corrente de magnetizao de um transformador em vazio

normalmente na faixa de 0,5 a 2 % de sua corrente nominal. As perdas por
histerese costumam ser muito pequenas e a regio saturada da caracterstica de
magnetizao geralmente se inicia em torno de 1,2 pu de tenso.
Quando um transformador desligado do sistema eltrico h um fluxo residual que

permanece no ncleo magntico, o qual depende da caracterstica de magnetizao
e das oscilaes entre as capacitncias e as indutncias do transformador. No
61
instante que o transformador novamente energizado, dependendo das
caractersticas da rede eltrica, possvel que sobretenses transitrias
significativas provoquem forte saturao do ncleo magntico do transformador, a
qual pode ser agravada pelo fluxo residual existente. Neste caso a corrente de
"inrush" significativa e a tenso resultante bastante distorcida, com alto teor de
harmnicos. A tenso resultante depende de uma srie de fatores, tais como:
instantes de fechamento dos contatos do disjuntor, fluxo residual, tenso antes do
fechamento do disjuntor, potncia do transformador e configurao da rede eltrica.
As sobretenses provocadas pela energizao de um transformador tem uma
caracterstica marcante, uma vez que so fortemente influenciadas pela
caracterstica do ncleo magntico. Geralmente a saturao do transformador atua
como se fosse um limitador de sobretenses, reduzindo a magnitude e distorcendo
a forma de onda, devido forte injeo de harmnicos na rede. Entretanto, caso a
impedncia harmnica seja muito elevada possvel que as magnitudes das
sobretenses sejam elevadas. No geral o amortecimento baixo porque a corrente
de "inrush" permanece por muito tempo (as perdas no ferro costumam ser muito
pequenas). Este tipo de sobretenso pode ser provocado por outras manobras na
rede eltrica, tais como rejeio de carga e eliminao de defeitos.
As sobretenses acima descritas tem a sua importncia acentuada na medida em
que a potncia do transformador aumenta e grandes bancos de capacitores so
utilizados no sistema. Os bancos de capacitores tem o efeito de reduzir a ordem
dos picos de ressonncia da impedncia harmnica do sistema. Devido s suas
caractersticas bem peculiares (forte contedo de harmnicos e baixo
amortecimento), geralmente as sobretenses nas subestaes vizinhas tambm
apresentam formas de onda similares, porm com magnitudes inferiores s
magnitudes da barra onde o transformador energizado. A importncia das
sobretenses em questo est relacionada com as solicitaes transitrias nos
equipamentos principais das subestaes, com as energias absorvidas pelos pra-
raios de ZnO e com a possibilidade de sensibilizao das protees de neutro e
diferencial de barramento.
62
O estudo da energizao do transformador ser realizado atravs do circuito

Figura 13 - Circuito para Simulao da Energizao do Transformador

U/I = 0
Amp. = 10038
Pha = -90 equivalente da tenso do
A1 = 0 gerador
Tsta = -1
Tsto = 1
Elemento RL Acoplado - Linha

Monofsica Componente que
Ro = 0.0061 representa a impedncia
Lo = 0.244 equivalente do gerador
R+ = 0.0058
L+ = 0.2329
63
Fluxo)
Fo = 498.13 2.683 498.13
Rmag = 1000000 18.976 547.95
Rp = 0.0094 52.688 572.85
Lp = 0.3085 136.818 597.76
Vrp = 13.8
Rs = 0.87292
Lp = 28.566
Vrs = 132.79
Lag = -30
RMS = 0

R/I+ = 0.588
R/I0 = 0.3234
A+= 0.5206
A0= 1.6815
B+= 3.479
B0= 2.3435
L = 248.4
ILINE = 0
IPUNCH = 0
Chave Trifsica
T-cl = 0.029576
T-op = 1
Imar = 0
64
Transformador Y/Y/ Saturvel - Transformador a ser energizado
Fluxo)
Fo = 498.13 1.073 498.13
Rmag = 1000000 7.59 547.95
Rp = 2.226 21.075 572.85
Lp =93.95 54.727 597.76
Vrp = 127.01
Rs = 0.1217
Lp = 0.271
Vrs = 34.64
Rt = 0.3561
Lt= 0.5836
Vrt = 10
Lag = 30
RMS = 0
RLC Trifsico Componente utilizado para

R=0 representar as
L= 0 capacitncias utilizadas
C= 1.131 para referenciar os
terminais do enrolamento
em delta terra, uma vez
que no aconselhvel
deixar o delta flutuante
65
5x10-4 2x10-1 60 60 60

T L T UT N V T G
500 1 1 1 1 0 0 1 0
Tpicos para Reflexo
Obtenha o grfico da tenso no primrio e no secundrio do transformador.

Determine o valor mximo de tenso e em que fase ela ocorre.
Obtenha o grfico da corrente de "inrush" .
Determine o valor mximo da corrente de "inrush" e em que fase ela ocorre.
Na simulao anterior fizemos com que o transformador fosse energizado no
instante que a tenso na fase "a" estava no zero. Agora ajuste o T-op da chave para
um instante onde a tenso na fase "a" seja diferente de zero e responda as mesmas
questes anteriores.
Compare as respostas obtidas no dois casos e explique as diferenas.
66
PRTICA 06 - INJEO DE SURTOS EM SUBESTAES - DESCARGAS
ATMOSFRICAS
Objetivo
Estudar as sobretenses provocadas por descargas atmosfricas nos equipamentos

que compem uma subestao.
Resumo Terico
Os equipamentos de uma subestao esto sujeitos, entre outras solicitaes do

sistema, incidncia de sobretenses transitrias provocadas pela queda de
descargas atmosfricas nas linhas de transmisso. Considerando que a atenuao
e a distoro dos surtos atmosfricos ocorrem muito rapidamente, somente os
surtos originados nas proximidades das subestaes podem alcanar os
equipamentos com valores importantes. Os surtos atmosfricos podem ser
provocados por incidncia de descargas atmosfricas diretamente nos cabos das
fases, usualmente denominada de falha de blindagem, ou por incidncia nas torres
e/ou cabos pra-raios, usualmente denominados de "backflashover".
As solicitaes transitrias causadas por surtos atmosfricos so fortemente
influenciadas pelas caractersticas das descargas atmosfricas, as quais so
geralmente definidas por distribuies estatsticas de intensidades de corrente e
tempos de frente de onda. A Figura 14 apresenta uma forma de onda tpica de uma
descarga atmosfrica.
A literatura existente apresenta farto material sobre as caractersticas das descargas
atmosfricas. As primeiras informaes consideravam distribuies independentes
para intensidades de corrente e tempos de frente de onda.
67
Figura 14 - Forma de onda tpica de uma descarga atmosfrica
Posteriormente foi introduzido a taxa de crescimento como parmetro estatstico no

lugar da frente de onda e mais recentemente se consideram distribuies
estatsticas das formas de onda com as intensidades. Para efeito deste item o surto
ser considerado com a forma de onda tpica apresentada na Figura 14 e
intensidade de corrente apropriada. A incidncia de um surto de corrente
diretamente num dos cabos das fases provoca um surto de tenso que se propaga
a partir do ponto de incidncia nas duas direes possveis, com igual intensidade e
de magnitude igual ao produto da intensidade de corrente dividida por duas vezes a
impedncia de surto do cabo condutor, tal como indicado na Figura 15.
Figura 15 - Incidncia Direta no Cabo Fase
Desprezando-se a atenuao e a distoro face ao efeito corona e joule, verifica-se

que, caso o surto de tenso seja inferior ao isolamento das cadeias de isoladores, o
mesmo se propagar indefinidamente pela linha de transmisso at alcanar as
subestaes nas duas extremidades. Na prtica, a atenuao e a disperso so
significativas e so importantes apenas para os surtos originados nas proximidades
das subestaes. Os surtos induzidos nos cabos pra-raios tambm so ignorados.
68
As consideraes acima tem sido tradicionalmente utilizadas para os estudos de
coordenao de isolamento de subestaes, onde se considera que o surto injetado
sempre limitado pelo isolamento da linha de transmisso.
Quando as descargas atmosfricas atingem os cabos pra-raios ou as torres das
linhas de transmisso ocorre um processo de propagao bem mais complexo do
que o acima apresentado, uma vez que h diversos caminhos para os surtos. A
Figura 16 mostra a incidncia de uma descarga atmosfrica no cabo pra-raios, em
uma torre. A propagao, devido incidncia de uma descarga atmosfrica no cabo
pra-raios, inicia-se da mesma forma j anteriormente descrita. Devido aos diversos
pontos de descontinuidade existentes, e considerando a importncia da tenso
induzida, h um complexo processo da propagao de ondas, que poder provocar
uma elevao da tenso da cadeia de isoladores, provocando um "flashover" e
injetando um surto de tenso de amplitude significativa no cabo fase. Este surto
que, ento, poder alcanar os equipamentos da subestao. Neste caso
necessrio uma representao mais elaborada para a modelagem do surto injetado,
envolvendo os componentes indicados na Figura 16.
Figura 16 - Incidncia de uma descarga atmosfrica no cabo pra-raios
Uma anlise aprofundada de todos os componentes envolvidos na modelagem dos

surtos originados por descargas atmosfricas foge ao escopo deste captulo e, por
este motivo, apenas alguns aspectos referentes a modelagem dos componentes
so abordados. Em se tratando de um fenmeno de alta freqncia, uma vez que
descargas atmosfricas tm frente de onda na faixa de poucos microssegundos, os
cabos pra-raios e os cabos das fases das linhas de transmisso so representados
69
por sua impedncia de surto e tempo de propagao. O sistema de aterramento
pode ser representado por uma impedncia equivalente.
O estudo das descargas atmosfricas em subestaes ser realizado atravs do

circuito mostrado na Figura 17.
Figura 17 - Circuito utilizado para a simulao da descarga atmosfrica
Fonte 2-Slope Ramp. - Tipo 13 Fonte do tipo :

U/I = 0
Amp. = 1500x10-3
T0 = 1.2E10-6
A1 = 750E10-3
T1 = 50E10-6
Tsta = -1
Tsto = 1
RLC Monofsico
R = 320 Representa a impedncia da fonte
L= 0
C= 0
70
Linha RL Acoplada
R/I = 0
A = 320 Representa o barramento entre a
B = 0.00000005 fonte e o n PR1
L=0
ILINE = 2
Linha RL Acoplada
R/I = 0
A = 320 Representa o barramento entre o
B = 0.0000002 n PR1 e o n TRAFO
L=0
ILINE = 2
RLC Monofsico
R=0 Representa o Transformador pela
L= 0 sua capacitncia para a terra
C= 0.003

1x10-8 5x10-5 0 0 0

T L T UT N V T G
100 1 0 0 1 0 0 1 0
71
Tpicos para Reflexo
Obtenha o grfico da tenso nos ns CO, PR1 e TRAFO.

Determine os valores de pico das tenses obtidas no item 1.
Coloque um resistor no-linear, representando um pra-raios, no n PR1 e obtenha
os dados solicitados nos itens anteriores.
Jump = 1 1 457000
VSEAL = 0 10 481000
100 517000
500 554000
1000 573000
3000 610000
5000 631000
10000 673000
15000 708000
20000 743000
Compare os valores dos picos de tenso antes e depois da colocao dos pra-
raios.
Obtenha o grfico da corrente e da energia no pra-raios.
Modele um surto de tenso de 2000 kV - 1.2/50s e repita o item 4.
72
PRTICA 07 - MTODOS DE CONTROLE DAS SOBRETENSES - USO DO
RESISTOR DE PR-INSERO
Objetivo
Estudar, dentre os vrios mtodos de controle de sobretenso, o uso do resistor de

pr-insero.
Resumo Terico
As sobretenses em um sistema de transmisso no podem ser evitadas,

assim como a sua total supresso extremamente difcil. Entretanto, suas
magnitudes podem ser limitadas de modo a ficarem compatveis com os nveis de
isolamento dos equipamentos do sistema.
Existem diversas formas para controlar as sobretenses, sendo que os
mecanismos especiais utilizados para este fim devem levar em considerao que
cada tipo de sobretenso dependente das caractersticas dos equipamentos
usados, da configurao do sistema e dos seus critrios operativos.
Um dos meios mais efetivos na reduo das sobretenses causadas por
operaes de chaveamentos a insero de resistores, como por exemplo, os
arranjos mostrados na Figura 18.
Figura 18 - Arranjos para chaveamento de uma linha usando resistor de pre-

insero
No caso da energizao da linha, inicialmente fecha-se a chave A
colocando-se o resistor R em srie, entre a fonte e a linha de transmisso. Aps um
73
breve perodo de tempo fecha-se a chave B curto-circuitando desta forma o resistor.
Assim, na realidade, a linha energizada em dois estgios, com cada um deles
produzindo uma determinada sobretenso. A primeira delas devida energizaco
atravs do resistor e a segunda causada pelo "by-pass" do resistor. As
magnitudes de ambas as sobretenses dependem do valor do resistor de
pr-insero usado, de acordo com as curvas mostradas na Figura 19.
Figura 19 - Tenses resultantes da insero e do by-pass do resistor durante a

manobra de energizao
Estas duas curvas se cortam em um determinado ponto que corresponde ao

valor timo do resistor, cuja magnitude depende basicamente dos seguintes fatores:
Potncia de curto-circuito da fonte;

Comprimento da linha;
Grau de compensao da linha.
Em regra geral, entretanto, este valor timo da ordem da impedncia de

surto da linha.
Os tempos de insero normalmente utilizados se encontram na faixa de 6 a
15 milissegundos, sendo que a condio a ser obedecida que o resistor no deve
ser curto-circuitado antes que a primeira reflexo na extremidade aberta da linha
74
retorne ao terminal da fonte, isto , de modo a ser efetivo, o tempo de permanncia
deve ser maior que duas vezes o tempo de transito da linha.
Sendo T o tempo de trnsito da linha, verifica-se que se o resistor for
curto-circuitado em um tempo inferior a 2T, a tenso atravs do resistor ser V1.
Esta tenso trafegar at a extremidade aberta da linha onde seu valor ser
duplicado, elevando a tenso neste ponto a um nvel igual quele que ocorreria
caso a linha tivesse sido energizada sem resistor de pr-inserso. Entretanto, se o
resistor for curto-circuitado em um tempo superior a 2T, a tenso atravs do mesmo
ser V2, sendo V2 < V1. Neste caso, a tenso na extremidade aberta da linha
atingir um valor inferior ao da situao anterior. Verifica-se que a partir de um certo
valor, a sobretenso se torna insensvel ao aumento do tempo de permanncia.
Um outro fator que deve ser levado em conta no dimensionamento do resistor a
quantidade de energia por ele dissipada. Com o aumento no valor do resistor, a
corrente que flui atravs dele diminui, levando-o a absorver menor energia. Por essa
razo, deve-se selecionar um resistor igual ou maior que aquele correspondente ao
valor timo que atenda s condies pr-determinadas de mxima sobretenso
permitida.
O sistema se comporta de maneira anloga quando da ocorrncia de um
religamento cujas Sobretenses resultantes tendem a ser mais elevadas do que no
caso da energizao, devido a presena da carga armazenada na linha de
transmisso. Com a utilizao de resistores de pr-insero, estas sobretenses
so bastante atenuadas.
As sobretenses transitrias causadas pela abertura de disjuntores podem tambm
ser reduzidas pela insero de resistores, em geral de valor superior aqueles
usados no fechamento.
O estudo da utilizao do resistor de pr-insero ser realizado atravs do circuito

mostrados na Figura 20 , entretanto o mesmo no ser montado de uma vez.
Devemos acompanhar as questes e construir o circuito a medida que as
questes solicitarem.
75
Figura 20 - Circuito final para simulao da utilizao do resistor de pr-insero

U/I = 0
Amp. = 12826
A1 = 0 gerador de Itaparica (n
Tsta = -1 UITA)
Tsto = 1

L= 0.0607 equivalente do gerador de
C= 0 Itaparica (n UITA)

U/I = 0
76
Amp. = 509205
Pha = 79.27 equivalente do sistema em
A1 = 0 Itaparica (n ITA50)
Tsta = -1
Tsto = 1
Linha RL Acoplada
Ro = 0.5 Componente que
Lo = 14.25 representa a impedncia
R+ = 0.75 equivalente do sistema em
L+ = 50 Itaparica (n ITA50)
Io = 1
Fo = 0.001
Rmag = 1000000
Rp = 0.001
Lp = 0.0512
Vrp = 16
Rs = 0.004
Lp = 0.1833
Vrs = 295.98
Lag = -30
RMS = 0
RLC Trifsico Componente que representa a

R = 8.33 compensao shunt da linha de
77
L= 2500 transmisso ( n ITA50 e MLG50)
C= 0

R/I+ = 0.026
R/I0 = 0.364 Linha de transmisso entre os ns
A+= 0.328 ITA50 E MLG50
A0= 1.376
B+= 5.096
B0= 3.42
L = 215
ILINE = 0
IPUNCH = 0
Chave Trifsica
T-cl = 0.02 Chave para energizao da linha
T-op = 1 ( entre o n MLG50 e CH2 )
Imar = 0
Chave Trifsica
T-cl = 0.01 Chave para insero dos resistores
T-op = 1 de pr-insero ( entre o n CH1 e
Imar = 0 CH11)
RLC Trifsico
R = 200 Resistores de pr-insero
L= 0 instalados entre o ns MLG50 e
C= 0 CH1 e entre CH11 e CH2

R/I+ = 0.017
78
R/I0 = 0.39 Linha de transmisso a ser
A+= 0.267 energizada com o resistor de pr-
A0= 1.484 insero ( entre os ns CH2 e LT )
B+= 6.12
B0= 2.866
L = 219
ILINE = 0
IPUNCH = 0
RLC Trifsico Componente que representa a

R = 5.56 compensao shunt da linha de
L= 1666.7 transmisso a ser energizada ( n
C= 0 CH2 e LT)

Jump = 1 1 475000
VSEAL = 0 10 481000
100 517000
500 554000
1000 573000
Resistor no-linear para o pra-raios 3000 610000
colocado no n LT 5000 631000
10000 673000
15000 708000
20000 743000
79
4x10-5 2x10-1 60 60 60

T L T UT N V T G
1000 1 1 1 1 0 0 1 0
Tpicos para Reflexo
Monte o circuito da Figura 20 sem a chave e os resistores de pr-insero, sem a

compensao shunt da linha de transmisso a ser energizada e sem os pra-raios.
Determine a tenso no final da linha a ser energizada (n LT ).
Acrescente ao circuito do item 1 a compensao shunt da linha de transmisso a
ser energizada e determine a tenso no final da linha a ser energizada (n LT ).
Acrescente ao circuito do item 2 a chave e os resistores de pr-insero e determine
a tenso no final da linha a ser energizada (n LT ).
Altere o T-cl da chave entre os ns MLG50 e CH2 para 0.012s e determine a tenso
no final da linha a ser energizada (n LT ).
Explique a diferena no valor de tenso que ocorreu entre os itens 3 e 4.
Um outro mtodo eficiente para reduo das sobretenses a utilizao de pra-
raios, como foi visto nas prticas anteriores, instale o pra-raios do n LT e
determine a tenso no final da linha a ser energizada (n LT ).
Compare os valores de pico das sobretenses nos itens 1, 2 ,3 e 6 e explique o
porque das diferenas.
80
81
PRTICA 08 - TENSO TRANSITRIA DE RESTABELECIMENTO
Objetivo
Estudar o fenmeno da tenso transitria de restabelecimento que ocorre nos

contatos dos disjuntores quando manobrados sob curto-circuito.
Resumo Terico
A manobra de eliminao de falta num sistema eltrico de potncia acarreta o

aparecimento de sobretenses entre fase e terra e atravs dos contatos dos plos
do disjuntor manobrado. O conhecimento das sobretenses entre fase e terra
importante para a especificao dos pra-raios que iro limit-las a nveis
compatveis com a suportabilidade dos equipamentos por eles protegidos, drenando
uma energia que esteja dentro do limite de sua capacidade de absoro. No que se
refere s sobretenses atravs dos contatos dos plos do disjuntor manobrado,
estas devem ser conhecidas para a correta especificao das suportabilidades dos
disjuntores a este tipo de solicitao, tambm conhecida como Tenso de
Restabelecimento Transitria. Quando ocorre uma falta num sistema de potncia,
os disjuntores mais prximos devem isolar o trecho defeituoso o mais rpido
possvel, de forma a minimizar os feitos da falta sobre o restante do sistema.
A tenso de restabelecimento transitria (TRT) aquela que aparece atravs dos
contatos de um mesmo polo do disjuntor aps a extino do arco eltrico no interior
de sua cmara. Para que a interrupo da corrente de falta seja garantida, as
suportabilidades trmica e dieltrica do disjuntor devem ser sempre superiores
TRT, caso contrrio a falta ser restabelecida.
A magnitude total da TRT compreende um surto inicial, provocado pela abertura do

disjuntor, que se propaga atravs das linhas de transmisso e se reflete em pontos
de descontinuidade, acrescido destas reflexes ao chegarem ao ponto onde o surto
teve incio. O surto inicial por sua vez, possui uma componente de freqncia
82
industrial, definida pelas fontes conectadas rede, e cuja magnitude funo do
tipo de falta (trifsicas e bifsicas aterradas ou no, e monofsicas) e do grau de
aterramento da rede (relao x0/x1) e possui uma ou mais componentes de
freqncia natural, definidas pelos parmetros da rede (indutncias e
capacitncias), e cujo nmero funo do ponto de aplicao da falta.
No processo de interrupo da falta, aps a extino do arco, enquanto os contatos
do disjuntor ainda esto prximos um do outro, necessrio que o resfriamento do
interior da cmara do disjuntor seja mais rpido que o crescimento da TRT enquanto
que, quando os contatos do disjuntor j esto mais afastados um do outro, a
suportabilidade dieltrica do meio de extino deve ser superior aos valores
instantneos atingidos pela TRT. Portanto, a taxa de crescimento e o pico so os
parmetros que caracterizam a severidade da TRT.
Para o clculo da TRT, os seguintes fatores devem ser convenientemente
selecionados e combinados de forma a cobrir a diversa gama de possibilidade de
condies de operao de um sistema real :
Tipo de falta;
Local de aplicao da falta;
Extenso da rede a ser representada;
Clculo e localizao dos equivalentes da rede no representada;
Modelagem dos elementos da rede;
Tempo de observao do fenmeno.
Devido complexidade das redes eltricas existentes, no que se refere ao nmero

elevado de elementos que a compem, o clculo da TRT deve ser realizado atravs
de computadores digitais, com a utilizao de programas especficos para o clculo
de transitrios eletromagnticos, onde podem ser representados os diversos
elementos componentes da rede estudada. Todavia, para uma boa compreenso
dos fatores que influenciam nos resultados do fenmeno, costuma-se analisar a
TRT sob os seguintes pontos de vista:
83
Componente de freqncia industrial, para se verificar a dependncia da magnitude
dessa componente com o tipo de falta (triffica e bifsica, aterradas ou no e
monofsicas) e com o grau de aterramento da rede (relao x0/x1).
Componente (s) de freqncia natural, para se indentificar a dependncia do

nmero dessas componentes com o ponto de aplicao da falta (falta terminal, falta
quilomtrica, falta alimentada por transformador, etc).
Ondas trafegantes, para se analisar a dependncia da forma final dessa onda com
os coeficientes de reflexo e refrao, sendo que o primeiro influenciado pelo tipo
de terminao das linhas de transmisso (em vazio, por indutncia e por
capacitncia) e o segundo, pela incluso ou no da indutncia efetiva da fonte no
seu clculo.
O estudo do fenmeno da tenso transitria ser realizado atravs do circuito

mostrado na Figura 21
Figura 21 - Circuito para simulao da TRT
84
U/I = 0
Amp. = 12826
A1 = 0 gerador
Tsta = -1
Tsto = 1

L= 0.0607 equivalente do gerador
C= 0
Io = 1
Fo = 0.001
Rmag = 1000000
Rp = 0.001
Lp = 0.0512
Vrp = 16
Rs = 0.004
Lp = 0.1833
Vrs = 295.98
Lag = -30
RMS = 0

R/I+ = 0.026
R/I0 = 0.364
A+= 0.328
85
A0= 1.376
B+= 5.096
B0= 3.42
L = 215
ILINE = 0
IPUNCH = 0
RLC Trifsico Compensao Shunt da

R = 8.33 Linha de Transmisso.
L= 2500 Colocado em ITA50 e LT50
C= 0
RLC Trifsico
R=0 Representa as
L= 0 capacitncias parasitas dos
C= 19.74 equipamentos

1x10-4 2x10-1 60 60 60

86
T L T UT N V T G
500 1 1 1 1 0 0 1 0
Tpicos para Reflexo
Coloque um elemento RLC trifsico nos terminais do circuito ( n CURTO), com

uma resistncia de 0.001 , aterrando-o na outra extremidade. Calcule a TRT na
chave para o curto trifsico.
RLC Trifsico
R = 0.001
L=0
C=0
Usando um Splitter coloque um resistor de 0.001 na fase "a" dos terminais do

circuito ( n CURTO), aterrando-o na outra extremidade. Calcule a TRT na chave
para o curto monofsico.
Resistor Splitter
R = 0.001
87
Usando um Splitter coloque um resistor de 0.001 na fase "b" e outro na fase "c"
dos terminais do circuito ( n CURTO), aterrando-os na outra extremidade. Calcule
a TRT na chave para o curto bifsico com terra.
Resistor Splitter
R = 0.001
Compare os resultados obtidos nos itens anteriores e explique as diferenas

Repita os itens anteriores alterando o valor da resistncia de curto-circuito para
100. Compare os resultados e explique as diferenas.
88
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1]. Colombo, Roberto - Disjuntores em Sistemas de Potncia - 1a Edio - So

Paulo :Siemens S.A., 1990;
[2]. D'Ajuz, Ary - Transitrios eltricos e Coordenao de Isolamento, Aplicao em
sistemas de potncia de alta tenso - Rio de Janeiro - FURNAS - Universidade
Federal Fluminense / EDUFF, 1987;
[3]. Pereira, Marco Polo ; Filho, Jorge Amon - Curso Bsico sobre a utilizao do
ATP, CLAUE Comit Latino Americano de Usurios do EMPT/ATP - Novembro
de 1996;
[4]. Curso sobre Aplicao do Programa ATP em Sistemas Eltricos de Potncia -
CHESF;
[5]. Prikler, Lszl ; Hoidalen, Hans Kr. - APTDRAW for Windows 3.1x/95/NT,
version 1.0, User's Manual - November 1998;
[6]. Comit Latino Americano de Usurios do EMPT/ATP, CLAUE -
http://www.furnas.gov.br/atp/index.htm.
89

ApostilaEQ PDF

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

ApostilaEQ PDF

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Universidade Federal de Pernambuco

Centro de Tecnologia e Geocincias

Disciplina Equipamentos Eltricos EL418

Prof. Zanoni Dueire Lins

A rea de transitrios eletromagnticos envolve uma ampla gama de

Introduo ao ATPDRAW ...........................................................................................4

Apresentar o ATPDRAW fornecendo os subsdios necessrios para que possamos

O ATPDRAW um preprocessador para o ATP (Alternative Transients Program).

A tela principal do ATPDRAW esta mostrada na Figura 1. Nesta tela sero

Os meus encontrados na tela principal so:

File: Carrega e salva os circuitos, imprime e finaliza o programa;

Figura 1 - Tela principal do ATPDRAW

Um outro menu importante do ATPDRAW o Menu de seleo. Neste menu o

Figura 2 - Menu de seleo

No menu de seleo esto disponveis todos os componentes de circuito do

Figura 3 - Janela de configurao dos parmetros do componente

Tabela 1 - Modelos de Componentes do ATPDRAW

Prob. Volt. - Voltmetro Prob. Curr. - Ampermetro

Escolher o nmero de fases Escolher o nmero de fases

Chave Monofsica Chave Trifsica

Indutor Resistor No Linear Tipo 99

RLC Monofsico RLC Trifsico

Linha Transposta Monofsica

Linha Trifsica Transposta

Fonte Monofsica DC - Tipo 11 Fonte Monofsica AC - Tipo 14

Fonte Trifsica - Tipo 14 Fonte 2-Slope Ramp. - Tipo 13

Transformador Y/Y/ Saturvel

Com os principais componentes mostrados iremos agora passa a discutir os

Figura 4 - Menu ATP

Make Names : verifica a consistncia das informaes sobre os ns do circuito;

DELTAT: Passo de integrao;

Figura 5 - Janela de configurao dos parmetros Simulation

IOUT: Freqncia para impresso dos resultados;

Figura 6 - Janela de configurao dos parmetros Integer

Os parmetros dos cartes de miscellaneous devero ser ajustado de acordo com

A Figura 7 apresenta o primeiro exemplo de aplicao a ser analisado.

Figura 7 (a) circuito a ser analisado, (b) representao no ATP

a fonte de corrente contnua, com amplitude igual a 0,2 A.

A ttulo de abordagem inicial do exemplo so feitas as seguintes consideraes

Clculo da tenso no capacitor:

integrando ambos os lados da equao, em relao a dv e dt,

colocando a ltima equao na forma exponencial, vem:

exemplo para t=0, v=0 0 A RI 0 A RI 0 vt RI 0 1 e t RC .

circuito em anlise. O grfico da Figura 8 ilustra melhor o comportamento

Figura 8 Tenso no capacitor em funo do tempo.

Clculo da corrente no capacitor:

Para os dados do circuito, vem: it 0.2 e 1000 t A. A Figura 9 ilustra o

Figura 9 Comportamento da corrente no capacitor

Clculo da potncia no capacitor:

Clculo da potncia mxima no capacitor:

Como o primeiro termo diferente de zero, acarreta:

Operando esta ltima equao, vem:

Para os dados do circuito, t=0,6931 ms, substituindo este valor na equao

Figura 10 Comportamento da potncia no tempo.

Primeiramente vamos mostrar os parmetros dos componentes:

Fonte Monofsica DC - Tipo 11

Informaes sobre os cartes Miscellaneous :

Carto Miscellaneous ( Integer )

Agora clique com o boto direito do mouse da janela de montagem de circuito e

Figura 11 - Montagem do circuito, inserindo componentes

Com os componentes do circuito inseridos, clique com o boto direito do mouse ou

Figura 12 - Montagem do circuito, configurao dos parmetros

Com os parmetros configurados vamos agora ligar os componentes. Isto feito