Universidad Nacional Mayor de San Marcos

Facultad de Ingeniera Electronica, Electrica y Telecomunicaciones

Curso de Laboratorio de Dispositivos Electronicos

Lab. 3: TRANSISTOR BIPOLAR (I)

Abril, 2017

Instructor: Prof. Jaime Luque Quispe

Email: jaime.luque@unmsm.edu.pe

archivos para simulacion por computadora acompanan a este documento, asegurese de solicitarlos al profesor.

1 objetivo
estudiar las caractersticas de operacion DC de los transistores bipolares: analisis del datasheet, simulacion
e implementacion de circuitos con diodos zener

2 caractersticas del transistor bipolar

las caracteristicas electricas del transistor bipolar NPN en configuracion base comun pueden ser resumidas
en las Figs. 1 and 2:

Figure 1: configuracion en base comun

1
 (a) (b)

Figure 2: caractersticas de entrada (a) y salida (b)

y las caracteristicas del transistor en configuracion emisor comun aparecen en las Figs. 3 y 4:

Figure 3: configuracion en emisor comun

obtenga los valores de los siguientes parametros de la hoja de datos del transistor 2N3904:
VCBO : voltaje maximo de colector a base
VCEO : voltaje maximo de colector a emisor

VEBO : voltaje maximo de emisor a base

2
 (a) (b)

Figure 4: caractersticas de entrada (a) y salida (b)

IC : corriente de colector
VCE (sat): voltaje de saturacion de colector a emisor
hF E : ganancia de corriente DC

PD : maxima disipacion de potencia

3 simulacion
3.1 analisis del punto de operacion de un transistor NPN
obtener los valores teoricos de voltaje y corriente DC en todos los nodos del circuito de polarizacion
por division de voltaje de la Fig. 5.

analizar el circuito por simulacion. archivo de simulacion orcad capture: transistor 1.dsn
modificar R1 =68k y repetir las mediciones.

4 implementacion
4.1 materiales y equipos
1 transistor NPN 2N3904 o 2N2222 (pares PNP : 2N3906/2N2907)

resistores 56K, 68K, 22K, 1K, 220 y potenciometro 100K, 500K y 1M ohms
1 fuente de alimentacion regulable DC
medicion: 1 multmetro, 1 miliampermetro, 1 microampermetro, 1 voltmetro
cables y conectores

3
 Figure 5: circuito de polarizacion por divisor de voltaje

4.2 punto de operacion del transistor: procedimiento

4.2.1 paso 1: implementar el circuito de referencia
el circuito es mostrado en la Fig. 5. Medir el valor real de la resistencias:
R1 = R2 = RC = RE =

4.2.2 paso 2: energizar el circuito y hacer mediciones

completar la tabla 1

Table 1: medicion de voltajes y corrientes

R1 IC IB VCE VBE VE
56K
68K
100K
250K
1M

4.3 caractersticas de salida: procedimiento

paso 1: implementar el circuito de referencia de la Fig. 6
Medir el valor real de la resistencias Rb y Rc .
paso 2: variar el potenciometro POT1 de 1M para establecer Vrb = 2.2v en Rb . Este ajuste establecera
una corriente de base (IB ) como Irb = Vrb/Rb de 10 A como indica la tabla 2.
paso 3: variar el potenciometro POT2 de 5K para establecer el voltaje entre el colector y emisor del
transistor (VCE ) en 2v.
paso 4: anotar los valores de voltaje del resistor Rc (Vrc ) y voltaje entre base y emisor del transistor (VBE )
en la tabla 2.

4
 Figure 6: circuito de polarizacion por divisor de voltaje

paso 5: variar el potenciometro POT2 tal que se obtengan los voltajes VCE conforme a la tabla 2. Notar
que Irb es mantenido en 10 A para los diferentes niveles de VCE .
paso 6: para cada valor de VCE anote los valores de Vrc y VBE . Usar la escala de mV para expresar VBE .
paso 7: repetir las instrucciones del paso 2 al paso 6 para todos los valores de Vrb de la tabla 2. Cada nivel
de Vrb establecera un valor diferente de Irb .
paso 8: Despues de que todos los valores son obtenidos, calcular el valor de la corriente de colector (IC )
como IC = Vrc/Rc y de la corriente de emisor (IE ) como IE = IB + IC . Usar el valor medido de la resistencia
Rc .
paso 9: obtener los valores de y como = IC/IE y = IC/IB .

5 analisis e interpretacion de resultados

de la seccion 4.2 (punto de operacion del transistor) graficar las rectas de carga y sobre ellas localizar
los puntos de operacion del transistor de la tabla 1.
de la seccion 4.3 (caractersticas de salida del transistor), graficar VCE versus IC para los valores de
IB usando los datos de la tabla 2. Escoger una escala apropiada para IC y nombrar las curvas para
cada valor de IB .

interpretar los resultados y dar sus conclusiones.

6 bibliografa recomendada
1. Electronica Teoria de Circuitos (Robert Boylestad): transistores de union bipolar (cap.3) y polarizacion
DC de transistores BJT (cap.4).

5
 Table 2: medicion de voltajes (: valores medidos. no : valores calculados.)

Vrb (V) IB . (A) VCE (V) Vrc (V) VBE (mV) IC (mA) IE (mA)
VDD = 15v
2.2 10 2
2.2 10 4
2.2 10 6
2.2 10 8
6.6 30 2
6.6 30 4
6.6 30 6
6.6 30 8
9.9 45 2
9.9 45 4
9.9 45 6
9.9 45 8
VDD = 20v
13.2 60 2
13.2 60 4
13.2 60 6
13.2 60 8