Tecnicas de Alta Tension

Teora y aplicaciones

Profesor Juan Luis Dinamarca

Ing. Civil Electricista
Laboratorio de Alta Tension
Universidad Tecnica Federico Santa Mara
Valparaiso, Chile
 c 2007
Copyright

ningun derecho reservado.

Indice general

I Teora Fundamental 1
1. Introduccion a la Alta Tension 3
1.1. Tecnicas de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1. Definicion clasica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2. Campos de aplicacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2. Fundamentos de la tecnica de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3. Tipos de solicitacion electrica sobre un aislamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.1. Solicitacion de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.2. Solicitacion de campo electrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4. Esfuerzos transversales y longitudinales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5. Esfuerzo localizado en microvolumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.6. Rangos de solicitacion de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.7. Valores caractersticos de los parametros de diseno en equipos de alta tension . . . . . . . . . . . . . 6
1.8. El desafo del diseno en la tecnica de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.9. Conceptos de electrostatica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.9.1. Intensidad de campo electrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.9.2. Densidad de flujo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.9.3. ecuacion de campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.9.4. Formas de distribucion de campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.9.5. Metodos de calculo del campo electrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.9.6. Metodos practicos de diseno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.10. Estructura microscopica de los materiales aislantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.10.1. Equilibrio energetico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.10.2. Cargas elementales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.10.3. Estructuras cristalinas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.11. De los materiales de la tecnica de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.11.1. Gases . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.11.2. Lquidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.11.3. Solidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.12. Estructuras tpicas en los sistemas de aislamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2. Teora dielectrica fundamental 11

2.1. Modelo dielectrico macroscopico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.1. Densidad de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.2. Desplazamiento de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.3. Densidad de corriente galvanica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.4. Corriente de desplazamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.5. Densidad de corriente circuital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.1.6. Refraccion en fronteras dielectricas ideales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.1.7. Refraccion en fronteras dielectricas no ideales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

iii
 2.2. Ruptura dielectrica a solicitacion escalon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2.1. Modelo fundamental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2.2. Corriente de conduccion (galvanica) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.2.3. Corriente de carga (capacitiva) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.4. Corriente de absorcion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.5. Representacion grafica de la corriente de respuesta escalon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.6. Circuitos de medicion de la respuesta de absorcion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2.7. analisis del ensayo de respuesta a escalon (absorcion) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.3. Respuesta dielectrica a solicitacion armonica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.1. Solicitacion sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.2. Histeresis dielectrica y permitividad media . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.3. Permitividad dielectrica compleja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.4. Potencia compleja en un dielectrico real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3.5. Factor de perdidas (concepto fsico) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3.6. Modelos dielectricos para excitacion armonica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

3. Fundamentos teoricos de la ruptura dielectrica 19

3.1. Ruptura microscopica por descargas parciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
3.1.1. Analisis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.1.2. Circuitos de medicion de DP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.2. Ruptura macroscopica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2.1. Ruptura dielectrica transversal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2.2. Ruptura dielectrica longitudinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.3. Ruptura de fronteras dielectricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.3.1. Forma de los aisladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.4. Contaminacion de aislaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

II Materiales Dielectricos 27
4. Ruptura dielectrica en gases 29
4.1. Movimiento de partculas en gases. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.1.1. Camino medio libre, m . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.1.2. Movilidad, b. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.2. Fenomenos de ionizacion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.1. Energa de ionizacion, Wi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.2. Ionizacion natural . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.3. Ionizacion por campo electrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.4. Termoionizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.2.5. Fotoionizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3. Mecanismos para la descarga gaseosa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3.1. Ionizacion diferencial, . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.3.2. Mecanismo de avalancha . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.3.3. Mecanismo de canales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.4. Ruptura dielectrica en campo homogeneo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.5. Ruptura dielectrica en campo inhomogeneo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.5.1. Solicitacion de iniciacion corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.6. Modos de descarga corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.6.1. Modos de descarga negativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.6.2. Modos de corona positivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.7. ejemplos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.7.1. Disposicion esferaplano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

iv
 4.7.2. Tiempo de ruptura a impulso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.7.3. Descargas tipo GAP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36

5. Aplicaciones tecnicas de los gases aislantes 39

5.1. Rigidez dielectrica intrnseca de gases aislantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.2. Comportamiento del SF6 en campo cuasi-homogeneo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.3. Probabilidad de ruptura a impulso de distancias de aire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.3.1. Modelo barrasuperficie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
5.3.2. Influencia de la forma de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
5.4. Fenomenos asociados al efecto corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.4.1. Perdidas de potencia por efecto corona . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.4.2. Ruido audible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.4.3. Radio interferencia (RI,EMI) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
5.4.4. Medicion del ruido de RI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
5.5. Radio y TV interferencia en media tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

6. Dielectricos lquidos 47
6.1. Teora de la conduccion dielectrica en lquidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.1.1. Lquidos polares y no polares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.1.2. Curva de corriente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.2. Teoras de ruptura dielectrica en lquidos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.2.1. Teora de avalanchas electronicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.2.2. Teora de puentes conductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
6.2.3. Teora de cavitacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
6.2.4. Teora de burbujas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

7. Dielectricos lquidos de aplicacion industrial. 51

7.1. Aplicaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.2. Tipos de lquidos dielectricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.3. Aceites minerales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.3.1. Composicion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
7.3.2. Caractersticas fsicas medias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.3.3. Envejecimiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.3.4. Gases disueltos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.3.5. Humedad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.3.6. Inhibidores de oxidacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.3.7. Reacondicionamiento del aceite mineral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.3.8. Inhibidores de electrificacion por circulacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.4. Innovaciones en la fase lquida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.4.1. Askareles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.4.2. Siliconas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.4.3. Esteres sinteticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

8. Dielectricos solidos 59
8.1. Propiedades dielectricas generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.2. Clasificacion termica de los dielectricos solidos, segun IEC-85. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8.3. Formas de polarizacion en dielectricos solidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
8.3.1. Polarizacion electronica, Pe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
8.3.2. Polarizacion atomica Pa , (ionica) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
8.3.3. Polarizacion de orientacion o dipolar,Pd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
8.4. Tiempos de respuesta de la polarizacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
8.5. Mecanismos de perdidas dielectricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
8.5.1. Polmeros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

v
 8.5.2. Ceramicas y vidrios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
8.6. Mecanismos de ruptura dielectrica en solidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
8.6.1. Ruptura intrnseca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
8.6.2. Ruptura termo-electronica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.6.3. Ruptura de avalancha . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.6.4. Ruptura termica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.6.5. Ruptura electro-mecanica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66

9. Dielectricos solidos de aplicacion industrial 69

9.1. Materiales Dielectricos Inorganicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
9.1.1. Mica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
9.1.2. Asbesto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
9.1.3. Vidrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
9.1.4. Ceramicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
9.2. Materiales Dielectricos Organicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.2.1. Barnices y Resinas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
9.2.2. Derivados de Celulosa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

III Aplicaciones 81
10.Tecnicas de experimentacion en alta tension 83
10.1. Generacion de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
10.2. Genracion de ATCA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
10.2.1. Transformador de ensayo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
10.2.2. Cascada de transformadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
10.2.3. Circuito equivalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
10.2.4. Circuitos resonantes para la generacion de alta tension alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
10.3. Generacion de ATCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
10.3.1. Circuitos de rectificacion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
10.3.2. Ondulacion de senales rectificadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
10.4. Generacion de AT de impulso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
10.4.1. Generador de una etapa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
10.4.2. Generador de impulsos segun Marx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
10.4.3. Control de forma de onda en ensayo de impulso de transformadores . . . . . . . . . . . . . . 90
10.5. Generador de impulsos de corriente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
10.6. Medicion de senales de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
10.6.1. Modo directo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
10.6.2. Modo indirecto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
Referencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98

Anexos 101
A. Factores de campo 101

B. Normas de ensayo. 103

B.1. Norma de ensayo para propiedades dielectricas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
B.2. Normas de ensayo de materiales dielectricos ASTM. Aceites derivados de petroleo (ASTMD117) . 104

vi
Indice de figuras

1.1. Solicitaciones electricas sobre un material . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.2. Condensador de placas paralelas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3. Condensador cilndrico coaxial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4. Solicitacion longitudinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5. Descarga parcial interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6. Solicitacion de tension en sistemas trifasicos de alta tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.7. Esquema de diseno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.8. Material aislante (condensador de placas paralelas) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.9. Modelo atomico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.1. Ejemplo de refraccion de campo electrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.2. Modelo ante solicitacion escalon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.3. Representacion cualitativa de la respuesta a escalon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.4. Circuitos de medicion de absorcion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.5. Forma de onda sinusoidal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.6. Dielectricos en solicitacion alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.7. Condensador de placas paralelas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.8. Circuito equivalente de un dielectrico en corriente alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.9. Diagramas fasoriales del modelo para solicitacion alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.10. Medicion de tan por puente de perdidas (modelo Doble MU). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

3.1. Modelo descargas parciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3.2. proceso de generacion de DP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.3. Esquema de medicion de DP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.4. Esquema alternativo de medicion de DP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.5. Circuito de medicion de DP en transformadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.7. Descargas transversales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.6. Oscilogramas de ejemplo para identificacion de DP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.8. Ensayo de rigidez dielectrica en aceite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.9. Ensayo de rigidez dielectrica en aire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.10. Ruptura dielectrica longitudinal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.11. Forma de un aislador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

4.1. Ionizacion diferencial en funcion del campo aplicado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

4.2. Verificacion de la ley de Paschen para algunos gases. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.3. Intensidad de iniciacion en campo homogeneo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.4. Identificacion de los modos corona. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.5. Zona de accion Trichel y forma del pulso corona. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.6. Incandescencia negativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.7. Proceso de pulsos corona positivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.9. Formacion de la funcion del tiempo de ruptura a impulso. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.8. Tension de ruptura positiva de diposicion esferaplano. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

vii
4.10. Modelo de la descarga tipo GAP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

5.1. Variacion de la rigidez dielectrica en funcion de la distancia entre electrodos . . . . . . . . . . . . 39

5.2. Rigidez dielectrica porcentual de la mezcla SF6 N2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.3. Grado de homogeneidad lmite L de comportamiento del SF6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.4. Factor de curvatura ek para configuracion cilndrica coaxial en SF6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.5. Distribucion normal de la probabilidad de ruptura a impulso de distancias en aire . . . . . . . . . 41
5.6. Caractersticas de la tension de ruptura de distancias barrasuperficie. . . . . . . . . . . . . . . . . 42
5.7. Influencia del frente del impulso en la tension de ruptura del modelo barrasuperficie. . . . . . . . 42
5.8. Factores m y w (IEC 60-1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
5.9. Modelo basico de un detector de RI del tipo cuasipeak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

6.1. Curva de corriente en funcion del campo solicitante para dielectricos lquidos . . . . . . . . . . . . 48
6.2. Sombras de Schlieren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

7.1. Cadenas organicas de aceites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

7.2. Tipos de envejecimiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
7.3. Rigidez dielectrica a impulso del papel impregnado en funcion de la humedad . . . . . . . . . . . . 53
7.4. Oxidacion del aceite mineral. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.5. Unidad de reacondicionamiento de aceite mineral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.6. Distribucion de iones en una estratificacion dielectrica papelaceite . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.7. Polidimetilsiloxano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
7.8. Pentaestirolester. Ri : radicales con varios atomos de carbon. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

8.1. Rangos de resistividad de los materiales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

8.2. diagrama esquematico del espectro de relajacion a escalon . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
8.3. Espectro de relajacion de un material bajo solicitacion alterna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
8.4. Espectro de temperatura para r y tan en el XLPE y EPR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
8.5. Variacion de la rigidez dielectrica segun la duracion de la solicitacion . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.6. Flujos termicos en un volumen unitario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
8.7. Modelo para solicitacion termica estacionaria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
8.8. Modelo de analisis con evacuacion radial de calor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
8.9. Funciones de potencia termica generada y radiada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
8.10. Ruptura del XPLE por electro-estriccion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

9.1. Modelo estructural de la moscovita. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

9.2. Factor de perdidas en el vidrio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
9.3. Diagrama arcillacuarzofeldespato para la porcelana. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
9.4. Variacion de la resistividad con la temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
9.5. Grupo epoxico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
9.6. Polietileno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.7. Formacion del polipropileno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.8. vinilbenceno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.9. Estructura final del poliestireno. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.10. Tefon. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.11. Estructura final del cloruro de polivinilo (PVC). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
9.12. Principales caractersticas del PVC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
9.13. Grupo isocianato. R: grupo o cadena organica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
9.14. Resistividad del papel impregnado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

10.1. Esquema basico de conexion de un transformador de AT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

10.2. Esquema para cascada de dos etapas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
10.3. Circuito equivalente para el transformador de ensayos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
10.4. Diagrama fasorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

viii
10.5. Circuito serie resonante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
10.6. Rectificador de media onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
10.7. Circuitos de Greinach . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
10.8. Ondulacion en circuito doblador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
10.9. Esquema basico de un generador de impulsos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
10.10. Forma de onda de un impulso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
10.11. Generador de Marx de cuatro etapas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
10.12. Generador de Marx. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
10.13. Espinterometro con disparo controlado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
10.14. Rango de controlabilidad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
10.15. Circuito equivalente del generador de impulsos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
10.16. Modelos para prueba de impulsos a devanados de alta impedancia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
10.17. Equivalente para baja impedancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
10.18. Oscilacion de la tension en bornes del transformador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
10.19. Modificacion del circuito de ensayo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
10.20. Circuito capacitivo basico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
10.21. Esquema voltmetro electrostatico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
10.22. Espinterometro esferico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
10.23. Metodo indirecto con miliampermetro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
10.24. Divisor para ATCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
10.25. Divisor para impulsos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
10.26. Equivalente divisor para impulsos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
10.27. Divisor capacitivo para ATCA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
10.28. Divisor capacitivo para impulso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
10.29. Tipos de respuestas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
10.30. Divisores de ramas paralelas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
10.31. Circuito Schubb-Fortescue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
10.32. Formas de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
10.33. Circuito simplificado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98

ix
x
Indice de tablas

1.1. Clasificacion de los niveles de tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.2. Parametros caractersticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.1. Valores para aislamiento mica-resina . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

3.1. Clasificacion de la contaminacion en aislaciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

4.1. Camino medio libre de electrones en gases, a 20 C, 760 T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

2
4.2. Movilidad de iones de gases en cm sV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.3. Energa de ionizacion en gases. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
4.4. Constantes C1 y C2 para el calculo de ionizacion diferencial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
4.5. Resumen de los modos de descarga corona. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

5.1. Principales gases de aplicacion tecnica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

5.2. Formas de ruptura de distancias barrasuperficie para solicitacion PSI. . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.3. Factores Kx para diversas configuraciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.4. Valores tpicos de constantes representativas de pulsos corona. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
5.5. Rango de parametros para los que es aplicable el modelo CIGRE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

7.1. Caractersticas fsicas medias de los aceites minerales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

7.2. Resumen de la Figura 7.4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7.3. Comparacion de propiedades de lquidos dielectricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.4. Requerimientos lmites del aceite mineral (ASTMD 3487). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

9.1. Explicacion de la Figura 9.1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

9.2. Propiedades mecanicas de la porcelana. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
9.3. Propiedades electricas de la porcelana . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
9.4. Propiedades de la laca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75
9.5. Resumen de propiedades para resinas policondensadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.6. Propiedades del P.E. de baja densidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
9.7. Propiedades del acrlico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
9.8. Propiedades del mylar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

A.1. Factor de campo para algunas configuraciones comunes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101

B.1. Lista de normas mas utilizadas para medicion de propiedades dielectricas. . . . . . . . . . . . . . . 103
B.2. Lista de ensayos para materiales dielectricos ASTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

xi
xii
 Parte I

Teora Fundamental

1
Captulo 1

Introduccion a la Alta Tension

1.1. Tecnicas de alta tension 1.3. Tipos de solicitacion electri-

ca sobre un aislamiento
1.1.1. Definicion clasica
A la tecnica de alta tension, pertenecen todos los
fenomenos relacionados con altas intensidades del cam-
po electrico, y con los materiales aislantes que lo sus-
tentan, en sus aplicaciones en sistemas electrico[1].

1.1.2. Campos de aplicacion

Sistemas y aparatos electricos: estudios, disenos
y ensayos.

Materiales dielectricos: investigacion y aplicacion.

Sistemas electromagneticos de alta sensibili-

dad: precipitacion electrostatica, compatibilidad Figura 1.1: Solicitaciones electricas sobre un material
electromagnetica.

Se llama sistema de aislacion a la configuracion

1.2. Fundamentos de la tecnica de electrodos y materiales dielectricos destinados a
sustentar, para un fin determinado, cierto nivel de
de alta tension solicitacion electrica.

Fuente teorica: Para el estudio de las aislaciones se debe distinguir

entre la solicitacion electrica global que se aplica e a
Modelos dielectricos un sistema de aislacion y la solicitacion interna que
Estructura fsico-qumica de materiales afecta a la estructura cristalina de las componentes.

Fenomenos de rigidez dielectrica

Fuente experimental:
Medicion de parametros dielectricos
Estudios de tolerancia al campo electrico
Estudios de tolerancia al potencial electrico
Estudio de envejecimiento y vida util
Solicitacion de tension: Es la aplicacion de un po-
tencial electrico a un sistema de aislacion. Los en-
sayos y criterios de instalacion de los equipos de
alta tension, son referidos a solicitaciones de ten-
sion.
Solicitacion de campo: Es el efecto, que sobre un
volumen microscopico de material, origina la apli-
cacion de una solicitacion de tension en el sistema.

3
4 Captulo 1

El diseno de las aislaciones se refiere a solicitacio- Cada material se caracteriza por un valor lmite
nes de campo. de tolerancia a la solicitacion de campo, denominada
Rigidez Dielectrica, cuyo smbolo es ED .
1.3.1. Solicitacion de tension
Las configuraciones geometricas mas frecuentes en
Para que un sistema sustente con exito una solicita- los equipos electricos son las siguientes :
cion de tension, es necesario que cada microvolumen
de sus componentes participe adecuadamente en el
1.3.2.1. Condensador de placas paralelas
trabajo dielectrico.
Es la configuracion que menos solicitacion interna
La solicitacion de tension suele tambien recibir algu- provoca en el material. Se la considera como referencia
nas de las siguientes denominaciones: para calcular todas las demas solicitaciones en otras
geometras.
a) Tension de servicio: es la tension nominal del
sistema electrico, al cual se incorpora un deter-
minado sistema de aislamiento. Ejemplo: 13,2 kV,
13,8 kV.
b) Tension crtica de servicio: es la maxima varia-
cion sostenida de la tension de servicio. Ejemplo:
regulacion de tension 10 %.
c) Clase de aislacion: es la tension que caracteriza
los ensayos de un sistema aislante y lo determina
para incorporarse a una instalacion de alta ten-
sion. Ejemplo: clase 12 kV, clase 17,5 kV, clase
115 kV.
Al definir la clase se fija una serie de parametros que
la aislacion debe cumplir:
Maxima tension alterna de corta duracion (minu- Figura 1.2: Condensador de placas paralelas
tos)
Maxima tension continua de corta duracion (mi- Se denomina campo homogeneo a esta configuracion,
nutos) pues todos los puntos del dielectrico poseen identica
solicitacion. Esto es estrictamente cierto solo si las
Maxima tension de impulso de breve duracion (mi- placas tienen superficie infinita.
lisegundos)
Las tensiones de clase definidas segun la comision U
E= [kV/cm] (1.1)
electrica internacional (IEC) son: d

Serie I (internacional): 3,6-7,2-12-17,5-24-36-48,3- El campo tiene orientacion desde la placa energiza-

52-72,5kV da hacia la placa aterrizada.

Serie II (USA y Canada): 4,76-8,25-15-15,5-25,8-

38-48,3-72,5kV 1.3.2.2. Condensador cilndrico coaxial

1.3.2. Solicitacion de campo electrico

U
Se denomina intensidad de Campo Electrico a la E= [kV/cm] (1.2)
Re
solicitacion que afecta a cada volumen microscopico r ln
Ri
de material dielectrico. Se mide en V/m o kV/cm, y
su smbolo es E. La solicitacion depende del voltaje La orientacion del campo es desde el cilindro interno
aplicado y de la geometra de los electrodos. energizado, hacia el cilindro externo aterrizado.
Captulo 1 5

En este caso, la solicitacion interna no es ho- caso homogeneo.

mogenea, pues como se observa en la formula, E
depende de la distancia al eje, r, a la que se
encuentre el microvolumen. Se habla entonces de un
Campo in-Homogeneo.
Para la geometra indicada, se dice que el campo
cilndrico tiene un 61 % de rendimiento, tomando como
referencia el campo homogeneo al cual se le asigno un
100 % de rendimiento.

1.4. Esfuerzos transversales y

longitudinales
En los dos ejemplos del punto anterior, el material
es solicitado internamente por el campo electrico en
forma transversal, es decir el campo atraviesa todo el
material.

Existen aplicaciones dielectricas en que la solicita-

cion de campo es de tipo longitudinal, es decir a lo
largo de una frontera entre dos materiales.
Figura 1.3: Condensador cilndrico coaxial
La importancia de estas configuraciones radica en
que las fronteras dielectricas tienen una tolerancia
La maxima intensidad de campo ocurre cuando r es muy restringida al campo electrico, es decir baja
mnima, o sea para r = Ri y su valor es: rigidez longitudinal. Ello se complica mas aun con
los fenomenos de contaminacion que analizaremos
U posteriormente.
Emax = [kV/cm] (1.3)
Re
Ri ln
Ri

Se dice que el campo electrico se concentra en la

cercana del cilindro interior.

Ejemplo 1.1 Un material cuya rigidez dielectrica es

ED = 60kV /cm se somete a prueba:

a) Entre dos placas separadas 1,5cm

b) Entre dos cilindros coaxiales con diametros 2 y

5cm respectivamente.

Calcular los potenciales de ruptura en cada caso.

a) Campo homogeneo

UD = ED d = 60 1,5 = 90kV
Figura 1.4: Solicitacion longitudinal
b) Campo cilndrico

Re
UD = ED Ri ln
Ri
= 60 ln(2,5) = 55kV 1.5. Esfuerzo localizado en mi-
crovolumen
Analisis:
El espesor del dielectrico es es el mismo es el mismo Se denomina descarga parcial a una descarga de
en los dos casos. Sin embargo en la solicitacion baja energa, localizada en un volumen incremental
in-homogenea, el material soporta solo el 61 % de del del espacio de campo, que no compromete al volumen
6 Captulo 1

global. 1.6. Rangos de solicitacion de

tension
Estas descargas se originan cuando se se sobrepasa
en algun punto cierto nivel de intensidad de campo,
llamado intensidad de iniciacion de descargas parcia- Clase electrica Rang, kVLL rms
les, Ei . Baja tension V 1
Alta tension media 1 < V 70
Puntos sensibles para la generacion de descargas par- Alta tension 110 < V 230
ciales son: Extra alta tension 275 < V 800
Ultra alta tension 1000 V
Cercana de electrodos muy agudos (efectos de
Tabla 1.1: Clasificacion de los niveles de tension
punta)

Inclusiones de gas en dielectricos solidos o lquidos

Superficies aislantes contaminadas.

Figura 1.5: Descarga parcial interna

En general estas descargas ocurren en microvolume- Figura 1.6: Solicitacion de tension en sistemas trifasi-
nes de gas. cos de alta tension

Se presentan como pulsos de corta duracion 100ns

y se caracterizan por los siguientes parametros: La Figura 1.6 muestra los rangos de amplitud y dura-
cion de solicitaciones de tension en sistemas electricos
trifasicos. Donde:
Tension de iniciacion Ui , que es la amplitud de la
tension aplicada, para la cual se manifiestan las Vmax
primeras descargas. Vs =
Vclase
2
3
Carga electrica Q trasferida en la descarga y que se
manifiesta tambien en los terminales de medicion.
1.7. Valores caractersticos de
Energa o potencia envuelta en el proceso. los parametros de diseno en
equipos de alta tension
Las aislaciones solidas son especialmente sensibles a
las descargas parciales internas. Su efecto es un dete- Los parametros a considerar en el diseno de equi-
rioro progresivo, que tarde o temprano termina en una pos de alta tension se resumen y ejemplifican en la
ruptura dielectrica total del material. Tabla 1.2 segun [2].
Captulo 1 7

Esfuerzo de Esfuerzo de Esfuerzo Complejidad Grado de

Equipo operacion diseno Mecanico relativa del automatizacion
kVef /cm kVmax /cm relativo aislamiento
Generadores 25 130 1,0 1,0 0,2
Transformadores 15 115 1,0 0,9 0,3
S/E en SF6 40 180 0,2 0,3 < 0,1
Condensadores 600-1000 2000-3000 0,1 0,2 0,8

Tabla 1.2: Parametros caractersticos

Figura 1.7: Esquema de diseno

1.8. El desafo del diseno en la 1.9.2. Densidad de flujo

tecnica de alta tension Es la especificacion de la intensidad de campo para
un medio especfico de permitividad .
El esquema de la Figura 1.7 ilustra la interrelacion
de los diversos aspectos a considerar en el diseno y


D = 0 r E (1.5)
operacion de los sistemas de aislamiento.
r mide la capacidad relativa de un medio para asu-
Consecuencias: mir carga electrica y 0 = 8, 859F/cm
Necesidad de laboratorios
Necesidad de personal calificado 1.9.3. ecuacion de campo
Necesidad de investigacion aplicada En un medio sin carga espacial se le denomina ecua-
cion de Laplace:
2 = 0 (1.6)
1.9. Conceptos de electrostatica
Mientras que en un medio con carga espacial media
1.9.1. Intensidad de campo electrico s se le conoce como ecuacion de Poisson:

Concepto relativo a la fuersa electrostatica ejercida s

2 + =0 (1.7)
sobre una partcula gargada ubicada en un espacio de
influencia electrostatica.



F = qE (1.4)
1.9.4. Formas de distribucion de campo
1. Distribucion de campo homogenea:


Con q en C y E en V/m. Igual intensidad de campo en todo el espacio.
8 Captulo 1

2. Distribucion de campo in-homogenea: experiencia. Una manera de cuantificar este valor es a

La intensidad de campo cambia de un punto a traves del factor de campo (ver Anexo A)
otro.
En un campo Laplaciano no homogeneo, el valor 1.10. Estructura microscopica
maximo de intensidad de campo |E| esta referido a
la geometria. de los materiales aislantes
|E|: electrodo de mayor curvatura Un material aislante sometido a una diferencia de
|E|: electrodo de menor curvatura potencial, puede considerarse como un conjunto de
partculas electricamente cargadas.
Entre estos valores extremos existe un rango de in-
tensidades intermedias calificadas fundamentalmente Estas cargas pueden ser de dos tipos:
por la geometra del sistema de electrodos.
Cargas libres (positivas o negativas)
La condicion homogenea de un campo es una
situacion ideal. Las geometras practicas califican mas Cargas asociadas, llamadas dipolos
bien como cuasi-homogeneos, como el caso del campo
esferico externo con distancia de electrodos inferior al Las cargas libres son las responsables de la circu-
diametro de las esferas. lacion de la corriente electrica. Pueden ser electrones
(con carga negativa) o iones (de carga positiva o
Un campo se denomina fuertemente in-homogeneo, negativa segun sea el material).
cuando sostiene actividad corona importante.
Las cargas asociadas consisten en pares de cargas
de distinto signo, que se mantienen separadas por la
1.9.5. Metodos de calculo del campo estructura de la materia, sin neutralizarse entre si. Se
electrico les denomina dipolos.
1. Solucion cerrada de la ecuacion de Laplace:
Configuraciones mas frecuentes: cilindro superfi-
cie, cilinddros paralelos, esferas de igual diame-
tro, placas paralelas de canto redondeado, cilin-
dros coaxiales, esferas concentricas.
2. Transformaciones matematicas de la ecuacion de
Laplace:
Representacion conforme
Representacion poligonal
Cambio de coordenadas (a) Sin solicitacion (relajado)

3. Aproximacion numerica:
Diferencias finitas, elementos finitos, Monte Carlo,
momentos, imagenes, simulacion de carga, simu-
lacion de carga superficial.

1.9.6. Metodos practicos de diseno

En la mayor parte de los casoa practicos, el
diseno del aislamiento consiste en dimensionar el
espesor mnimo suficiente para soportar la maxima so-
licitacion, es decir, la especificada para el punto crtico. (b) Solicitado en tension

En consecuencia, el interes inicial del ingeniero se Figura 1.8: Material aislante (condensador de placas
centra en conocer el valor de |E|, para lo cual se ayu- paralelas)
da de datos teorico-experimentales acumulados por la
Captulo 1 9

Las cargas electricas libres se desplazan hacia las 1.10.3. Estructuras cristalinas
placas y los dipolos giran, orientandose segun la solici-
Los materiales dielectricos pueden ser solidos, lqui-
tacion del voltaje aplicado.
dos o gaseosos. La diferencia fundamental entre ellos
es la densidad de su estructura cristalina. Se denomi-
1.10.1. Equilibrio energetico na as a los enlaces que existen entre las moleculas,
que forman verdaderas paredes que dificultan la libre
Entre las partculas que se desplazan y los dipolos circulacion de las cargas y la rotacion de los dipolos.
que giran para su orientacion final, se acumula un
Material Estructura Consecuencia
trabajo, que debe ser igual a la energa electrica
cristalina
aportadad por la fuente de potencial aplicado al
Solido densa Estabilidad electrica
condensador.
Aislamiento termico
Lquido debil Inestabilidad electrica
En este estado de equilibrio, se dice que el material
Refrigerante
esta polarizado. Un material con esta propiedad
Gas inexistente Ionizables
es llamado dielectrico, y se diferencia de los consuc-
tores por su capacidad de mantener cargas polarizadas.
1.11. De los materiales de la
El fenomeno de polarizacion es reversible. Al retirar
la fuente de potencial y cortocircuitar el condensador,
tecnica de alta tension
las cargas libres vuelven a su posicion original, y los
1.11.1. Gases
dipolos se relajan.
Naturales: H2 , N2 , aire, Ne, He, Cl

1.10.2. Cargas elementales Sinteticos: CCl4 , SO2 , SF6

De acuerdo a la teora atomica, la carga dielectrica Caractersticas fundamentales:

elemental es el electron, que corresponde a una Auto regenerativos ante descargas
partcula de masa muy pequena (9, 1 1031 kg) y
carga negativa de 1,62 1019 C. Caractersticas de rigidez dielectrica controlables
por presion y temperatura.
Los electrones forman orbitas alrededor del nucleo Mezclables
atomico, que esta formado por protones, de carga po-
sitiva, y neutrones que no tienen carga neta. La masa Permitividad unitaria
de un proton es 1, 67 1027 kg, es decir mil veces la de Factor de perdidas < 105
un electron.
Baja capacidad de absorcion termica

1.11.2. Lquidos
Derivados del petroleo: aceite de transformadores y
cables
Sinteticos: clorodifenilos, clorobencenos, siliconas
Caractersticas fundamentales:
Alto grado de regeneracion ante descargas
Figura 1.9: Modelo atomico de Bohr Alta capacidad de absorcion y transferencia termi-
ca

En un material no energizado, la carga electronica Sensibles a contaminacion y degradacion

total esta en equilibrio con la carga del nucleo. Si una permitividades < 2, 5 para derivados del petroleo
molecula pierde electrones, queda con una carga ne- y entre 2 y 100 para los sinteticos
ta positiva y se le denomina ion positivo. Si captura
electrones se constituira en un ion negativo. Factor de perdidas > 103
10 Captulo 1

1.11.3. Solidos
Inorganicos: vidrio, ceramicas, mica
Organicos: resinas naturales (colofon, laca); resinas
sinteticas policondensadas (poliester, nylon); resi-
nas poliaditivas (epoxicas); polmeros (PE, teflon,
PVC).
Caractersticas fundamentales:
Trabajan inmersos en medios gaseosos o lquidos
Elevada rigidez dielectrica transversal
Baja rigidez dielectrica de frontera (fenomenos de
campo)
Baja capacidad de auto regeneracion
baja capacidad de transferencia termica
Deterioro microscopico: termico, mecanico,
electrico, ambiental
2 < r < 10. . .
tan > 103

1.12. Estructuras tpicas en los

sistemas de aislamiento
Estructura solido - gas:
Soporte y suspension de elementos conductores.
Problema basico: manejo de frontera solido - gas
Estructura en gas:
Distancias aislantes entre elementos conductores.
Problema basico: rigidez transversal del gas (sello
y pureza)
Estratificaciones impregnadas en lquido:
Sistemas electricos sujetos a solicitaciones termi-
cas.
Problema basico: estabilidad del impregnante y
calidad de transferencia termica
Otras:
Solidos en solicitacion transversal
Gases contaminados en solicitacion transversal.

Referencias
[1] A. Roth, Hochspannungstechnik. springer Verlag,
1959.
[2] A. Cookson, IEEE EI. Ins Magazine, vol. 6, no. 6,
1990.
Captulo 2

Teora dielectrica fundamental

2.1. Modelo dielectrico ma- P : polarizacion dielectrica C/m
2

croscopico : susceptibilidad dipolar

Externamente, un material puede modelarse en En resumen, un dielectrico puede analizarse como la
terminos de cargas electricas distribuidas en volume- superposicion de un medio vaco, de permitividad rela-
nes unitarios medios. tiva unitaria, y de un medio POLAR, de permitividad
relativa equivalente = r 1.
2.1.1. Densidad de carga espacial
2.1.3. Densidad de corriente galvanica
3
= c + p C/m (2.1)
Junto al desplazamiento dielectrico, los materiales
c se relaciona con cargas libres o de conduccion, aislantes presentan cierto grado de conduccion galvani-
mientras que p corresponde a cargas asociadas o di- ca volumetrica y superficial que se cuantifica por la
polos. La existencia de p se sustenta en una estructura densidad de corriente de conduccion, en un proceso di-
cristalina. sipativo irreversible.

2
2.1.2. Desplazamiento de carga Jc = E , A/m (2.5)

El trabajo que afecta al material en el campo electri-

: conductividad S/m (< 1010 )
co se sustenta por:

Desplazamiento local de cargas libres en el volu- 2.1.4. Corriente de desplazamiento

men dielectrico
Externamente, el trabajo dielectrico de sustentacion
Rotacion dipolar en el medio cristalino del campo solicitante se manifiesta como una corriente,
Una medida de este trabajo es el vector desplaza- cuya densidad es:
miento:




dD dE



Jd = = ,A/m2 (2.6)
D = 0 E + P = 0 E (1 + ) (2.2) dt dt

Luego:


2.1.5. Densidad de corriente circuital
D = 0 r E (2.3)
Asumiendo un comportamiento isotropco de los me-


dios dielectricos, podemos asumir que todo su trabajo
P = 0 E (2.4)
interno se refleja en una corriente circulatoria origina-
En estas ecuaciones: da en la fuente solicitante, cuya densidad global es:

2
D: Vector desplazamiento de carga C/m



dE
J = Jc + Jd = E + ,A/m2 (2.7)
0 : permitividad del medio vaco (8, 85 1012 F/m) dt

11
12 Captulo 2

Esta corriente esta sujeta a la ley de acumulacion 2.2. Ruptura dielectrica a solici-
finita de carga:
tacion escalon



( J c + Jd ) = 0 (2.8)
2.2.1. Modelo fundamental
2.1.6. Refraccion en fronteras dielectri- Condensador con dielectrico homogeneo, no ideal.
cas ideales
Los vectores de campo electrico y desplazamiento
de carga tienen identica refraccion en fronteras de
medios isotropicos ideales.

Figura 2.2: Modelo ante solicitacion escalon

R: Resistencia de aislacion, variable con la tempera-

tura f ()

Figura 2.1: Ejemplo de refraccion de campo electrico o : Permitividad del medio vaco

o : Permitividad del medio cristalino a interfacial

D =0 Dn1 = Dn2 (2.9) iR : Corriente de conduccion galvanica


E =0 Et1 = Et2 (2.10)
ic : Corriente de carga capacitiva
tan 1 1
= (2.11) ip : Corriente de absorcion
tan 2 2

2.1.7. Refraccion en fronteras dielectri- 2.2.2. Corriente de conduccion

cas no ideales (galvanica)
Si la conductividad de los medios no es despreciable
y siendo: u(t)
iR = (2.12)
R


J = 0
!
Usualmente R es un valor constante en el tiempo,

dD pero dependiente de la temperatura, segun la ley:
E + = 0
dt

= cte (2.13)
dD
( 6= 0) 6= 0
dt
= o ek , conductividad del material
Esto implica una acumulacion temporal de carga en
la frontera dielectrica de dos medios con permitividad = ek , conductividad del material
diferente.
R ek , Resistencia de aislacion
Este fenomeno se conoce como polarizacion interfa-
cial transitoria, que afecta a los dielectricos compuestos Usualmente u se expresa en kV, R en M e iR en
o inhomogeneos no ideales. A.
Captulo 2 13

2.2.3. Corriente de carga (capacitiva) Donde I(t) es el valor de la corriente total medida
en el tiempo t.
u t/Re Co
ic = e (2.14) Luego,sera de interes medir I(t) en un rango de a
R
lo menos 10 minutos, con especial observacion de los
Re : Resistencia del circuito exterior instantes 1, 3,16 y 10 minutos.

Co : Capacidad equivalente con medio vaco

2.2.6. Circuitos de medicion de la res-
La constante de tiempo de esta funcion esta en el
puesta de absorcion
rango de los segundos.
Considerando que la corriente de carga capacitiva
2.2.4. Corriente de absorcion decae en pocos segundos, se suele denominar respu-
esta de absorcion a la corriente medida en el ensayo
de escalon, segun alguno de los siguientes circuitos.
ip = uCktn (2.15)
Para ambos circuitos:
C: Capacidad del medio dielectrico
U : Fuente ideal 500(2500)V, polaridad negativa (o am-
k: Constante de proporcionalidad
bas)
n: Factor de decaimiento
Ri : Resistencia equivalente (instrumento)
La presencia de la corriente de absorcion esta en el
rango de los minutos. G: Hilos de guardia

El circuito de medicion en baja tension tiene la ven-

2.2.5. Representacion grafica de la co-
taja de no necesitar aislacion especial del elemento de
rriente de respuesta escalon medida, pero la desventaja de ser sensible al ruido.
Mientras que el circuito de medicion en alta tension
cuenta con la ventaja de poseer mayor sensibilidad, sin
Corriente de conduccin
Corriente de carga
embargo requiere aislacion especial del instrumento de
Corriente de absorcin medida, lo que es una desventaja.
Corriente total

2.2.7. analisis del ensayo de respuesta

a escalon (absorcion)
Corriente, A

De los datos de ensayos se obtiene los siguientes

parametros de analisis:

Corriente de conduccion: IR

Corriente de conduccion reducida: (IR )

Corriente de absorcion: IA
Tiempo, s
Corriente de absorcion reducida: (IA )
Figura 2.3: Representacion cualitativa de la respues-
ta a escalon Resistencia de aislacion

Indice de polarizacion
La corriente de conduccion final se determina por:
Indice de absorcion
I(10 )I(100 ) I 2 (3,160 )
IR = (2.16)
I(10 ) + I(100 ) 2I(3,160 ) Constante de secado
14 Captulo 2

(a) En baja tension (b) En alta tension

Figura 2.4: Circuitos de medicion de absorcion

2.2.7.1. Corriente de conduccion 2.2.7.3. Corriente de absorcion

Es el valor asintotico de la funcion i(t), para t . Es el valor de la senal de corriente total menos la
Se puede extrapolar segun la ecuacion: componente de conduccion, evaluada en un minuto:

I(10 )I(100 ) I 2 (3,160 ) IA = I(10 ) IR , A (2.19)

IR = , A (2.17)
I(10 ) + I(100 ) 2I(3,160 )
2.2.7.4. Corriente de absorcion reducida
El interes de este valor es que al ser restado de i(t),
El valor de IA , expresado en pu de 1kV y 1F
permite determinar la corriente de absorcion para t >
10 . IA
(IA ) = , mA/VF (2.20)
UC
2.2.7.2. Corriente de conduccion reducida
Segun estandares de empresas generadoras de
A fin de comparar aislaciones de diferente diseno, se energa en Chile, para aislaciones clase B, rige como
normaliza el valor de la corriente de conduccion en pu criterio de control:
de 1kV y 1F.
(IA ) < 5mA/VF
IR
(IR ) = , mA/VF (2.18)
U C 2.2.7.5. Resistencia de aislamiento
Segun estandares de empresas generadoras de Mas que la resistencia de conduccion, se emplea para
energa (Chile), se exige como criterio de control para caracterizar los sistemas de aislacion, la resistencia de
aislaciones clase B: aislacion, la resistencia de aislacion, definida como:

(IR ) < 0,15mA/VF U

Ra = M (2.21)
I(10 )
En este procedimiento:
U : es la amplitud del escalon de tension aplicado en el 2.2.7.6. Indice de polarizacion
ensayo.
Es la razon de las corrientes totales, medidas a 10 y
C: es la capacidad medida a 50Hz, con una solicitacion a 100 .
igual al 20 % de la tension nominal de la maquina I(10 )
(C0,2 ). I.P. = (2.22)
I(100 )
Captulo 2 15

Es un buen indicador de estabilizacion de un sistema v(t)

de aislacion, siendo aceptable para aislaciones clase B,
el rango:
2,5 < I.P. < 4,5
V
max
2.2.7.7. Indice de absorcion
Es la razon de las corrientes de absorcion medidas a 0
10 y a 100 .

IA (10 ) I(10 ) Ic
I.A. = 0
= , A (2.23)
IA (10 ) I(100 ) Ic

Este ndice es una medida de la rapidez de decai- 2

miento de los fenomenos de polarizacion y sirve de gua
para los ensayos de escalones crecientes [1] t

Figura 2.5: Forma de onda sinusoidal

2.2.7.8. Constante de tiempo
En los procesos de secado e impregnacion de aisla-
ciones secas clase B, es usual realizar el seguimiento : frecuencia angular 2f , rad/s
del proceso mediante la constante de secado:
Para fines practicos se define su valor efectivo apa-
= RA (10 ) C0,2 , s (2.24) rente:
Vmax
Vef = = 0,707Vmax (2.26)
El proceso se considera acabado si 500s, 2
siempre que RA este referido a 20 C. Un criterio usual
para evaluar la constante de tiempo es: 2.3.2. Histeresis dielectrica y permiti-
vidad media
1 < < 30 Malo La permitividad media se define como:
30 < < 100 Insuficiente
100 < < 500 Aceptable Dmax
500 < < 1000 Bueno = (2.27)
Emax
1000 < Muy bueno
Como consecuencia de lo anterior se tiene que:

Tabla 2.1: Valores para aislamiento mica-resina depende de la solicitacion

el ciclo tiene densidad de perdidas proporciona a

su area.
2.3. Respuesta dielectrica a soli-
citacion armonica 2.3.3. Permitividad dielectrica comple-
ja
2.3.1. Solicitacion sinusoidal
Funcion de campo armonico simple:
Es una senal de frecuencia industrial (f = 50
60Hz), generada a partir de un circuito de laborato-

E (t) = Emax sen( + ) (2.28)
rio, y que corresponde aproximadamente a la funcion
sinusoidal: Densidad de corriente total:
v(t) = Vmax sen(t) (2.25)





d D(t)
d E (t)
Donde: J T (t) = E (t) + = E (t) +
dt dt
Vmax : Amplitud en kV (2.29)
16 Captulo 2

(a) Dielectrico ideal (lineal) (b) Dielectrico no ideal

Figura 2.6: Dielectricos en solicitacion alterna

y en nomenclatura fasorial: 2.3.4. Potencia compleja en un

dielectrico real

JT (t) = E + jE = jE j (2.30)

Sea:

0 = = r
o

00 =
o
Figura 2.7: Condensador de placas paralelas

Entonces se define la permitividad compleja: En un condensador homogeneo con capacidad C0 =

o A/d y para un contenido dielectrico de permitividad
, la corriente total en el medio es:
= o (0 j00 ) (2.31)

I = JT A
U
= j o (0 j00 )A (2.33)
d
y la corriente total compleja: 0 00
= jC0 U ( j )
Entonces la potencia dielectrica es:
JT = jE (2.32) Q = ={I U } = |U |2 C0 0 (2.34)
Captulo 2 17

(a) Modelo paralelo

(a) Modelo paralelo

(b) Modelo serie

(b) Modelo serie

Figura 2.9: Diagramas fasoriales del modelo para soli-

Figura 2.8: Circuito equivalente de un dielectrico en citacion alterna
corriente alterna

y la potencia de disipacion es: Cp y Cs representan en el circuito respectivo la

capacidad del material, es decir, sus propiedades
dielectricas, mientras que Rp y Rs representan la
P = <{I U } = |U |2 C0 00 (2.35) resistencia electrica del material, es decir, sus perdidas
de conduccion.
2.3.5. Factor de perdidas (concepto
fsico) A los modelos de la Figura 2.8 se asocia los diagra-
mas fasoriales de la Figura 2.9.
Fsicamente se denomina factor de perdidas, al por-
centaje de la potencia dielectrica que representa la di- El angulo entre la tension U y la corriente total
sipacion interna. I es llamado angulo de potencia y se denomina .
El coseno de este angulo es conocido como factor
P 00 de potencia del circuito. En materiales aislantes este
FP = = 0 = 100 % (2.36)
Q angulo es cercano a 90 y por lo tanto cos 0.

El angulo agudo del triangulo de corrientes en el

2.3.6. Modelos dielectricos para excita-
cion armonica
Los modelos de la Figura 2.8 representan con buena
aproximacion el comportamiento de un dielectrico so-
metido a una solicitacion sinusoidal.
circuito paralelo, o dl triangulo de tensiones en el
circuito serie, denominado , es conocido como angulo
de perdidas y en las aislaciones de buena calidad es
< 1 .
La tangente del angulo de perdidas se conoce como
18 Captulo 2

Figura 2.10: Medicion de tan por puente de perdidas (modelo Doble MU).

factor de perdidas:

tan = Factor de perdidas

El factor de perdidas es una excelente medida

de la calidad de una aislacion y existe una amplia
experiencia para interpretar su significado. Por ello
se ha constituido en una medida normalizada para
calificar el estado de una aislacion y como parametro
predictivo de su vida util.

La medicion del factor de perdidas se puede realizar

en forma directa midiendo las perdidas del circuito y
la potencia total que absorbe.

Pperdidas
tan sen = (2.37)
Stotal

Una forma mas precisa de medicion es mediante un

puente de perdidas, que compara el circuito dielectrico
sometido a ensayo, con un condensador ideal (de gas
a presion), que no tiene perdidas.

El sistema de puente permite ademas una medicion

muy exacta de la capacidad de la probeta. El valor
de capacidad y tan se leen directamente cuando el
puente esta equilibrado.

Referencias
[1] IEEE std 95. IEEE.
Captulo 3

Fundamentos teoricos de la ruptura

dielectrica

3.1. Ruptura microscopica por

El modelo electrico para las DP es el de la Figura 3.1
descargas parciales
Se denomina descarga parcial a una descarga de ba-
ja energa,localizada en un microvolumen del material,
que no compromete el espacio dielectrico existente
entre los electrodos. Cuando estos se someten a una
solicitacion de voltaje.

Se ha comprobado que la existencia de descargas (a) fsico

parciales (DP) en un sistema de aislacion esta en
directa relacion con el acortamiento de su vida util.

Toda descarga se origina al sobrepasar en algun

punto de la aislacion, cierto nivel de esfuerzo de cam-
po, designado por Elimite kV/mm. Puntos sensibles
para la ocurrencia de estos esfuerzos son las vacuolas
de gas en dielectricos solidos, las burbujas en lquidos,
el entorno de electrodos muy agudos, las grietas entre (b) circuital
estratos, etc.
Figura 3.1: Modelo descargas parciales
En general, se trata de puntos o regiones cuya
permitividad es sensiblemente menor que la del medio
que lo rodea. En tales circunstancias, el esfuerzo en la Cc : Capacidad de la vacuola
zona crtica puede aumentar hasta r veces en relacion
al medio que lo rodea. As por ejemplo, una vacuola Cb : Capacidad del medio sano en serie con la zona de
en vidrio, con r = 7, presenta 7 veces el esfuerzo ensayo
calculado para el vidrio sano en ese punto.
Ca : Capacidad del medio sano que rode la zona de
descarga
Muchas veces, las vacuolas tienen su origen en
inclusiones de partculas extranas, tales como polvo, La existencia de DP en un sistema aislante provoca
partculas metalicas, fibras, etc., que se introducen un doble dano. Por un lado , la energa asociada a la
durante el proceso de manufactura. En estos casos, descarga provoca una erosion localizada en el dielectri-
se provoca una concentracion del campo electrico en co, que en el largo plazo se transforma en un camino de
la zona de la inclusion, que provoca una descarga descarga total. Por otra parte, los residuos de las des-
localizada. De ella se desprenden gases que a la larga cargas son elementos activos que atacan fsica y qumi-
conducen al modelo anterior. camente el material sano.

19
20 Captulo 3

Figura 3.2: proceso de generacion de DP

3.1.1. Analisis
La Figura 3.2 ilustra el proceso de generacion de
pulsos cuando la tension solicitante supera la tension
de iniciacion de DP. En ella:

Va : Tension aplicada

Vc : Tension en la vacuola

Ui : Tension de iniciacion Figura 3.3: Esquema de medicion de DP

Uf : Tension residual

V : Escalon de tension en la ruptura

3.1.2. Circuitos de medicion de DP
Al elevar el potencial en la barra de alta tension del
Mediante instrumentacion adecuada se miden los transformador T , se alcanzara el nivel de solicitacion
pulsos de corrientes, los que se traducen a contenido que provoca DP en la probeta P . Los pulsos de
de carga electrica QA , medidos en pC. corriente de alta frecuencia que alimentan la descarga
circulan por el condensador de acoplamiento Ck ,
Estos pulsos tienen duracion del orden de 108 s, y el provocando una cada de potencial en la impedancia
nivel de carga transferida en aislaciones solidas nuevas de medicion Zk . Esta senal de voltaje es llevada a
esta en el rango siguiente: un instrumento de medicion MDP, que entrega la
amplitud maxima de los pulsos y los sobrepone a una
Sistemas de aislacion Descarga tipo sinusoide de referencia.
Cables aislados con XLPE 5pC
Transformadores en aceite 300pC La interpretacion de un ensayo de DP requiere di-
Motores y generadores 5000pC versos criterios, como los siguientes:

a) Una aislacion nueva debe cenirse a las especifica-

Captulo 3
ciones de norma (existen para cables y transfor-
madores).
b) Al medir periodicamente DP como criterio de con-
trol del envejecimiento, en una aislacion antigua,
debe observarse que al incremento de DP sea apro-
ximadamente homogeneo en todas las fases, y que
mantenga cierta gradualidad de crecimiento en el
tiempo.
c) El incremento repentino de las descargas en solo
una fase de la maquina, es signo de deterioro ries-
goso
Figura 3.4: Esquema alternativo de medicion de DP
Figura 3.5: Circuito de medicion de DP en transfor-
madores
3.2. Ruptura macroscopica
Se denomina as a alas descargas que comprometen
la totalidad del espacio de aislacion, constituyendo un
arco conductor entre electrodos.
Se debe distinguir dos modalidades de la ruptura
total macroscopica:
21
3.2.1. Ruptura dielectrica transversal
Es aquella en que la descarga atraviesa totalmente el
cuerpo aislante, por superacion de la rigidez dielectrica
del material.
Pueden darse dos situaciones:
a) Si el dielectrico es solido, la descarga transversal
conducira a la formacion de un canal carbonizado,
que inutiliza totalmente el sistema aislante.
b) Si el dielectrico es lquido o gaseoso y las descargas
son controladas por la proteccion del sistema, la
aislacion se recupera, en el sentido que puede
reutilizarse previa limpieza simple del entorno de
descarga.
Para la medicion de la ruptura transversal de un
material se debe tener en cuenta lo siguiente:
Tipo de electrodos empleados en la solicitacion
Cantidad de material aislante que participa en el
ensayo
Gradualidad con que se eleva el voltaje solicitante.
(a) En aire
(b) En solido
(c) En lquido
Figura 3.7: Descargas transversales
22 Captulo 3

(a) Corona (electrodo Alta tension) (b) Corona (puntos aterrizados)

(c) Objetos metalicos (d) Mal contacto

(e) DP en frontera papel aceite o burbujas (f) DP superficial en el aceite

de gas

(g) Interferencia por disparo de tiristores (h) Interferencia por senales periodicas

Figura 3.6: Oscilogramas de ejemplo para identificacion de DP.

Captulo 3 23

Ejemplo 3.1 Ensayo de aceite, rigidez dielectrica U Progresa a 1kV/cm

transversal segun norma ASTM D877.
Resultado:

ED = 24,5kV/cm

3.2.2. Ruptura dielectrica longitudinal

Es aquella en que el arco de ruptura no penetra
el cuerpo de aislacion, sino que recorre la frontera o
perfil del solido, que esta en aire.

En estricto rigor, la falla no se produce en el mate-

Figura 3.8: Ensayo de rigidez dielectrica en aceite rial solido, sino en el gas que lo rodea, por ejemplo aire.

Diversos factores contribuyen a que la rigidez de

Condiciones de ensayo:
frontera entre un solido y un gas sea baja. Discuti-
250ml de aceite remos esto en la siguiente seccion.

Electrodos de disco 25mm de diametro. Ejemplo 3.3 Platos separados por barra solida de
15cm de largo.
Separacion d=2.5mm
U progresa a 3kV/seg
Temperatura: 10-25o C
Resultados:

Aceite nuevo: ED = 150kV/cm

Aceite usado: ED = 60kV/cm

Ejemplo 3.2 Rigidez dielectrica del aire.

Figura 3.10: Ruptura dielectrica longitudinal

La ruptura ocurre a lo largo de la frontera.

Para L=15 cm, bastan 90kV para provocar el arco

de frontera.
Figura 3.9: Ensayo de rigidez dielectrica en aire En aire solo, se requiere 450kV para ruptura trans-
versal.
Condiciones de ensayo: En solido puro, se requiere 4500kV para ruptura
transversal.
Solicitacion continua positiva
Electrodos: esferas 25cm La ruptura transversal en sensible a la humedad y
a la densidad del aire. El resultado de una medicion
Temperatura: 20o C debe ser normalizado a las siguientes condiciones:

Presion: 1013mbar Temperatura: 20o C

Separacion: 250mm Presion: 1013mbar
24
Humedad: 11gr/m3
KH
Vnormal = Vensayo (3.1)
0,289 b mbar
= (3.2)
273 + o C
3.3. Ruptura de fronteras
dielectricas
En la seccion anterior se dieron ejemplos de la
gran sensibilidad de las fronteras entre solidos y
gases, cuando son sometidas a solicitaciones de campo
electrico.
Esta situacion es especialmente grave cuando la
direccion del campo es paralela a la superficie del
solido.
Para comprender este fenomeno, es conveniente con-
siderar los siguientes aspectos de la teora dielectrica:
a) El campo electrico que toca una frontera entre
dos medios dielectricos, sufre una refraccion, solidos en aire, obedece a los aspectos ya comentados,
es decir un cambio de direccion, tal como un rayo
de luz que penetra desde el aire en una superficie
de agua.
Las leyes fsicas que rigen este fenomeno se pueden
expresar de la siguiente manera:
1) Si el campo llega perpendicular a la frontera,
entonces se cumple:
En1 1 = En2 2 (3.3)
2) Si el campo es paralelo a la frontera, entonces
se cumple:
Et1 = Et2 (3.4)
Es decir, no hay diferencias entre la solicitacion de
campo en cada uno de los medios.
b) Si un campo llega a la superficie con una direccion
cualquiera, se podra descomponer en dos partes:
1) Una componente perpendicular a la fron-
tera, que operara como amplificador del
campo en el dielectrico con menor permiti-
vidad. Por ejemplo una frontera porcelana-
aire, obligara al campo perpendicular en aire
a crecer entre 6 a 7 veces por ser r de la
Captulo 3
porcelana 6 a 7 veces mayor que r del ai-
re. Obviamente, tan elevada concentracion de
campo, provocara descargas localizadas en el
material de menor r .
2) Una componente paralela a la superficie fron-
tera, cuya intensidad es igual en el solido y
en el aire. Esta componente actua como ga-
tillo, que une entre si los diferentes puntos
de descarga localizada que originan las com-
ponentes transversales. De este modo no se
necesita mucha solicitacion longitudinal pa-
ra lograr la ruptura.
c) Las aislaciones estan generalmente operando con
cierto grado de contaminacion superficial. Estos
materiales contribuyen a aumentar el efecto de
amplificacion transversal al deformar el campo
electrico y concentrarlo en puntos especficos. Si
la contaminacion se encuentra en presencia de hu-
medad, entonces el efecto se agudiza, y la rigidez
dielectrica puede bajar a 2kV/cm, o menos.
3.3.1. Forma de los aisladores
La forma aparentemente caprichosa de los aisladores
y que a continuacion se resumen:
Se debe equilibrar las solicitaciones transversa-
les y longitudinales en la frontera, de modo que
ninguna de ellas exagere su nivel. Ello depende
basicamente de la forma del perfil y de la permi-
tividad del medio solido.
Se debe alargar la frontera, lo maximo posible, con
el mnimo gasto de material. De esta manera, la
contaminacion tendra un efecto menos pernicioso.
Se debe aumentar la zona protegida de los ais-
ladores a fin de mantener algunos puntos libres de
contaminacion.
Se debe permitir el rapido escurrimiento del agua,
ya que bajo condicion de lluvia es necesario evitar
la permanencia de la contaminacion humeda sobre
la frontera.
3.4. Contaminacion de aislacio-
nes
Los diversos ambientes contaminantes se clasifican
de acuerdo a los siguientes parametros:
Captulo 3 25

(a) Aislador de suspension (b) Distribucion de campo electrico

Figura 3.11: Forma de un aislador

Parametros Clase de contaminacion

AA A B C D E
2
a) mgr/cm Soporte < 0,01 0,03 0,06 0,12 0,35 > 0,5
Suspension < 0,01 0,063 0,125 0,25 0,5 > 1,0
b) km c) v>10m/s - > 50 10-50 3-10 0-3 0-0,5
c) v<10m/s - > 10 3-10 1-3 0-1 0-0,3
Area industrial Lejos Cerca Cerca Dentro Dentro Contacto directo
con niebla marina
Concepto de contaminacion Libre de Insignificante Leve Moderado Considerable Especial
Distancia de fuga mnima 2,0 2,5 3,0 4,5 6
recomendada cm/kV

Tabla 3.1: Clasificacion de la contaminacion en aislaciones

26 Captulo 3

a) Deposito de contaminacion salina, equivalente a

2
un deposito de NaCl mgr/cm . Para aisladores de
soporte, se calcula con la superficie total. Para ais-
ladores de suspension, con la superficie inferior.
b) Distancia de la costa oceanica, km.
c) Velocidad del viento, m/s.
d) Cercanas de areas industriales.
Segun esto se distinguen seis categoras o niveles de
contaminacion (Tabla 3.1).

Ejemplo 3.4 Se desea determinar la longitud de

fuga mnima requerida por un aislador de soporte
de porcelana que operara en un sistema de 13,8kV,
con factor de sobretension 1,3 bajo las siguientes
condiciones de contaminacion.

Salinidad equivalente: 0, 15mgr/cm2

Vientos de 15m/s, a 10km de la costa oceanica in-
merso en sector industrial.

Solucion:

Tomando las referencias para clasificar la contami-

nacion, se cae en la modalidad moderada (c), que se
calcula con un factor de 3cm/kV.

La solicitacion fase/tierra es:

13,8
Vf = 1,3 = 10,358kV
3
Luego, el camino de fuga mnimo resulta:

Lf = 10,358 3 = 31cm
 Parte II

Materiales Dielectricos

27
Captulo 4

Ruptura dielectrica en gases

4.1. Movimiento de partculas 4.1.1. Camino medio libre, m .

en gases. Se denomina camino medio libre, m , a la distancia
media que recorre un portador entre dos colisiones, y
En los medios gaseosos sometidos a un campo electri- que determina la influencia del campo aplicado.
co, las partculas libres reciben dos tipos de solicita-
cion: Para electrones, el valor de m , se puede estimar
segun:
Movimiento acelerado de atraccion electrostatica KT
e = (4.2)
en la direccion del campo, para partculas con car- 2 p
rm
ga.
donde
Movimiento aleatorio de agitacion termica, que p = presion
afecta tanto a los portadores de carga como a las v = radio de la molecula neutra
moleculas neutras. e tiene un valor estadstico. La Tabla 4.1 indica
estos valores para condiciones normales de p y T .
El movimiento termico no cambia la posicion media
de las partculas. El avance de estas hacia el elec- Gas He H2 Ne O2
e 106 cm 13,2 8,6 8,3 4,8
trodo de neutralizacion se debe solo al campo electrico.
Gas Ar Aire N2 CO2
e 106 cm 4,75 4,63 4,47 2,98
La agitacion termica determina la cantidad de
colisiones de los portadores con las moleculas neutras, Tabla 4.1: Camino medio libre de electrones en gases, a
y por tanto condiciona la accion del campo, ya que 20 C, 760 T.
este solo puede ejercer su influencia en el intervalo de
tiempo entre dos colisiones.
Se puede estimar el numero medio de colisiones por
cm3 y por cada segundo, de un electron en aire, para
La energa media del movimiento termico se rige por
condiciones normales de presion y temperatura.
la ecuacion de Boltzman:
Para un avance medio de 1cm ocurren:
v2 3
m = KT (4.1)
2 2 ve 42,5 103 cm/s colisiones
C= = 1010 (4.3)
e 4,63 106 cm s cm3
donde
m = masa del portador 4.1.2. Movilidad, b.
v = velocidad media
K = 1,3797 1023 Ws/K Se define el parametro movilidad b , para relacionar
T = temperatura. la velocidad de los iones con la intensidad del campo
electrico aplicado:
Para electrones a 0 C, resulta una velocidad de agi-
tacion termica ve = 42,5 103 ve = b E (4.4)

29
30 Captulo 4

Con ve en cm/s y E en V/cm. ionizaciones al chocar con moleculas neutras.

La movilidad es un parametro estadstico experimen- Se puede estimar la intensidad de campo teorica re-
tal, cuyo valor depende de la polaridad del campo, co- querida para que un electron provoque ionizacion por
mo se aprecia en la Tabla 4.2. choque en aire normal:

Gas H2 He Aire O2 N2 CO2 H2 O Wi 15 V

Ei = = = 3 106 (4.5)
b+ 6,7 5,10 1,36 1,36 1,1 0,47 e 5 10 6 cm electron
b 7,9 6,31 1,87 1,8 1,6 1,14 0,43
En la practica la ionizacion se inicia con menos de
cm2 30 kV/cm, lo que indica que un elevado numero de
Tabla 4.2: Movilidad de iones de gases en sV
electrones posee un camino libre mayor que el camino
medio estadstico, lo que aumenta notablemente la efi-
Para electrones en aire, sometidos a altas intensida- ciencia del mecanismo de ionizacion.
des de campo (> 70kV/cm), resultan valores de b del
orden de 6000 cm2 /s V.
4.2.4. Termoionizacion
Con temperaturas sobre 5000 K, la agitacion termi-
4.2. Fenomenos de ionizacion. ca de las moleculas es capaz de provocar por s sola
ionizaciones por choques inelasticos.
4.2.1. Energa de ionizacion, Wi
Es la energa que debe suministrarse externamente 4.2.5. Fotoionizacion
a un atomo para llevarlo a un estado de ionizacion. Es
un parametro que depende de la estructura molecular Si una radiacion electromagnetica con frecuencia
del gas y se mide en eV. Para gases vara entre 3 y 25 i Hz incide sobre un atomo, puede provocar su io-
eV. nizacion si se cumple que:

Gas Cs Na Hg O2 H2 O h i > Wi (4.6)

Wi eV 3,9 5,1 10,4 12,1 13
Gas CO2 N2 H2 Ne siendo h la constante de Plank (6,63 1034 kg m2 /s)
Wi eV 14,4 15,7 15,8 21,6 y la energa de ionizacion en Joule.

Tabla 4.3: Energa de ionizacion en gases. Entonces la longitud de onda requerida para el efecto
de ionizacion resulta:
las moleculas simples (H2 y Ne) presentan mayor
ch 1,24 104
cohesion a las fuerzas electrostaticas, pero una vez io- i < = cm (4.7)
nizados ofrecen mayor movilidad en el campo electrico. Wi Wi

4.2.2. Ionizacion natural
El aire presenta cierto nivel de ionizacion en con-
diciones naturales, originado en la radiacion cosmi-
ca y en la radioactividad. En aire seco se puede me-
dir hasta 2000 iones/cm3 ; en aire bajo lluvia, hasta
5000 iones/cm3 y en condiciones previas a tormenta,
hasta 50.000 iones/cm3 . Si se considera que el aire con-
tiene 2,77 1019 mol/cm3 , se observa que el contenido
ionico natural del aire es muy bajo.
4.2.3. Ionizacion por campo electrico
Las partculas ionizadas y los electrones son ace-
lerados en el campo electrico, provocando nuevas
donde
W i = energa de ionizacion en eV
En aire resultan valores de i < 15 106 cm, que
corresponde al rango de la luz ultravioleta. Los rayos X
(1010 < < 105 ) y la radiacion cosmica ( 1010 )
son agentes ionizantes de alta eficiencia.
4.3. Mecanismos para la descar-
ga gaseosa
La descarga electrica en un gas es un proceso de io-
nizacion en cadena cuyo desarrollo depende del campo
electrico aplicado, del tipo de gas y de las condiciones
ambientales de este.
Captulo 4 31

4.3.1. Ionizacion diferencial, electronica avanza hacia el contraelectrodo, es mayor

el numero de electrones arrastrados, y se forman las
Se denomina ionizacion diferencial al numero de
condiciones para una avalancha.
ionizaciones que un electron provoca en cada [cm] de
avance, bajo la accion de un campo electrico.
En una distancia x, los electrones que se agregan
a la avalancha son:
Si llamamos i al camino libre mnimo para que un
electron acumule energa cinetica capaz de provocar N = N x (4.13)
ionizacion, entonces debe cumplirse:
Para una distancia de d cm, en cuyo origen hay N0
e E i = Wi (4.8) electrones, se encuentra al final:
Se postula que la probabilidad de que el camino me-
dio supere este camino mnimo viene dada por una Nd = N0 exp dx (4.14)
distribucion Gaussiana:
Esta ecuacion caracteriza la avalancha o corriente
i
Pi exp (4.9) autoamplificada.
m
En un campo homogeneo y para presion de gas cons-
Entonces la ionizacion diferencial se expresa:
tante, la ionizacion diferencial es un valor constante a
lo largo del camino de avalancha. Entonces:
1 i eventos
exp (4.10)
m m cm
Nd = N0 e d (4.15)
Y como m es inversamente proporcional a la pre-
Nd es el llamado frente de la avalancha, y el expo-
sion del gas (4.2), utilizando la ecuacion (4.8)se puede
nente d es el factor de amplificacion. La velocidad del
expresar: p frente en direccion al anodo puede alcanzar ordenes
= C1 p exp C2 (4.11) de 107 cm/s.
E
O de manera mas conveniente:
Los iones positivos, subsecuentes de las colisiones
p inelasticas, se desplazan hacia el catodo con velo-
= C1 exp C2 (4.12)
p E cidades del orden de 105 cm/s, por lo que se les
puede considerar como carga espacial estacionaria en
Las constantes C1 y C2 se evaluan experimentalmen- relacion al frente de avalancha.
te. Algunos valores se muestran en la Tabla 4.4:
Sin embargo, si la intensidad de campo es suficien-
Gas Aire N2 H2 H2 O temente elevada, estos iones pueden a su vez colisionar
C1 14,6 12,6 5,0 12,9 con moleculas neutras, generando nuevas ionizaciones.
C2 365 342 130 289 Si llamamos a este efecto de ionizacion secundaria,
y lo superponemos con la avalancha original, se tiene
Tabla 4.4: Constantes C1 y C2 para el calculo de ioniza-
cion diferencial. al final del recorrido d:

( ) e() d
La Figura 4.1 ilustra el resultado para algunos gases. Nd = N0 (4.16)
e() d

4.3.2. Mecanismo de avalancha Adicionalmente, cuando la avalancha ionica alcanza

Considere que en un punto X del espacio de el catodo, puede provocar en el impacto la generacion
campo se encuentran N electrones solicitados por una de nuevos electrones libres, efecto denominado . La
intensidad E > Ei , siendo Ei la intensidad mnima superposicion de este efecto al frente de avalancha ori-
de ionizacion. Los electrones acelerados en estas ginal se cuantifica segun:
condiciones provocan colisiones ionizantes, generando
nuevos electrones, que a su vez repiten y multiplican e d
Nd = N0 (4.17)
el efecto de ionizacion. A medida que esta nube 1 (e d 1)
32 Captulo 4

Figura 4.1: Ionizacion diferencial en funcion del campo aplicado.

Finalmente, cuando el frente de avalancha alcanza 4.4. Ruptura dielectrica en cam-

el anodo, puede generar fotones en el impacto, los
que al neutralizarse en el catodo provocan nuevas
po homogeneo
emisiones electronicas (efecto ). Para el campo homogeneo rige:

Si los efectos secundarios mencionados son suficien- E U
=f = f0 (4.18)
temente efectivos, permiten una elevada liberacion de p p pd
electrones y la descarga se hace independiente de la
alimentacion externa de cargas, es decir, se hace auto- donde
sostenida. = ionizacion diferencial
p = presion del gas
d = distancia entre electrodos
U = tension aplicada
Si consideramos que para campo homogeneo el fac-
4.3.3. Mecanismo de canales tor de amplificacion de avalancha ( d) = cte, se puede
expresar:

Para valores de amplificacion de avalancha del U
(p d) f = cte (4.19)
orden de d = 7, la concentracion de carga negativa pd
es tan alta, que el campo electrico original se deforma,
apareciendo zonas de mayor intensidad. Las avalan- Esta relacion es conocida como Ley de Paschen, y se
chas ya no son guiadas por las lneas de campo y se comprueba experimentalmente, lo que demuestra que
transforman en canales zigzagueantes que viajan hacia las consideraciones del modelo son razonablemente
los electrodos con velocidades en el orden de 108 cm/s. exactas.

Se interpreta de la siguiente manera:

A esta etapa del proceso corresponden las descargas
corona, caracterizadas por su elevada frecuencia y
baja amplitud. Se les conoce como impulsos Trichel.
Paralelamente, las concentraciones de carga positiva
originan canales conocidos como streamers, caracteri-
zados por una frecuencia menor y una gran amplitud.
Estos impulsos causan fuertes efectos de radio y TV
interferencia.
Si se mantiene constante el producto p d,
la tension de ruptura del espacio gaseoso no
vara. Esto se cumple para distancias no de-
masiado pequenas (< 1mm), ni presiones de-
masiado altas (> 10bar). La Figuras 4.2(a) y
(b) ilustran esta relacion para algunos gases.
La densidad del aire es un factor determinante en la
ionizacion, por lo cual los valores deben normalizarse a
Captulo 4 33

(a) (b)

Figura 4.2: Verificacion de la ley de Paschen para algunos gases.

100
presion y temperatura (20 C y 760T). Se define como
90
densidad unitaria del aire al valor: 80

70
0,386 p
= (4.20)
273 + T 60
E , kV.cm

50
Con la presion (p) en Torricelli (T) y la temperatura
T en C 40
i

Para distancias pequenas en campo homogeneo se 30

puede estimar la intensidad de iniciacion de descargas
en aire y la tension de ruptura segun:
20
1,35 0.01 0.1 1 10
Ei = 30 + kV/cm (4.21) d, cm
d
Figura 4.3: Intensidad de iniciacion en campo ho-
mogeneo.
Ei = (30 d + 1,35) kV (4.22)

Y para distancias de descarga elevadas se puede es-

timar estos valores segun:

7 4.5. Ruptura dielectrica en cam-
Ei = 24,5 + kV/cm (4.23)
d
po inhomogeneo

Ei = 24,5 d + 7 d kV (4.24) En un gas sometido a campo inhomogeneo, la rup-
tura se inicia por descargas parciales localizadas, lla-
La Figura 4.3 resume esta informacion. madas efecto corona.
34 Captulo 4

Ruptura positiva
Canal de preruptura positiva
Incandescencia positiva

Pulsos Stremer

Zona libre de corona

TENSIN

Zona libre de corona

Pulsos Trichel
Incandescencia negativa

Canal de preruptura negativa

Ruptura negativa

2 t

Figura 4.4: Identificacion de los modos corona.

4.5.1. Solicitacion de iniciacion corona 4.6. Modos de descarga corona

4.5.1.1. Configuracion cilindrosuperficie Existen seis modos de descarga corona desde un elec-
trodo energizado con tension alterna.

0,301 Fase negativa Fase positiva
Eic = 30 er 1 + kVmax /cm (4.25)
r Pulsos Trichel Pulsos
Incandescencia negati- Incandescencia positi-
2H va va
Vic = Eic r ln kVmax (4.26)
r canal de preruptura canal de preruptura
negativa positiva
donde
r = radio del conductor en cm Tabla 4.5: Resumen de los modos de descarga corona.
= densidad relativa del aire
er = factor de rugosidad de los electrodos
H = altura sobre el suelo en cm
4.6.1. Modos de descarga negativa
4.5.1.2. Configuracion de cilindros coaxiales
4.6.1.1. Pulsos Trichel

Son pulsos transitorios de corta duracion, resultado

0,308 de la interaccion de las avalanchas de electrones y
Eic = 31 er 1 + kVmax /cm (4.27)
r1 la carga espacial positiva que rodea el catodo. La
superposicion de campos permite a los electrones
r2 acceder a la zona de menor solicitacion, donde son
Vic = Eic r1 ln kVmax (4.28)
r1 acelerados hasta alcanzar la energa necesaria para
ionizar atomos neutros por choques inelasticos.
donde
r1 = radio interno en cm La condicion de estabilizacion de los pulsos Trichel
r2 = radio externo en cm es: Er > Ei .
Captulo 4 35

4.6.2. Modos de corona positivo

4.6.2.1. Pulsos
La Figura 4.7 muestra las etapas inicial y final del
proceso de pulsos de modo positivo.

En la etapa inicial, la avalancha electronica que se

acerca al anodo genera una carga espacial positiva, la
que una vez absorbida la carga negativa, se transforma
(a) Zona de accion
en una pantalla de homogenizacion del campo original,
situacion que detiene el proceso transitoriamente.

(b) Forma del pulso

Figura 4.5: Zona de accion Trichel y forma del pulso (a) inicial
corona.

4.6.1.2. Incandescencia negativa

Al cumplirse la condicion Er > Ei , los pulsos no

cesan y se forma una senal de corriente que genera
incandescencia.

(b) final

Figura 4.7: Proceso de pulsos corona positivo.

4.6.2.2. Incandescencia positiva

Al elevarse la solicitacion, los canales superan el efec-
to de homogenizacion, y se establece una corriente que
Figura 4.6: Incandescencia negativa tiene efectos luminiscentes.

4.6.2.3. Canales de preruptura positiva

Con mayor solicitacion, los canales alcanzan la
4.6.1.3. Canales de preruptura negativa cercana del contraelectrodo.

AI incrementar la solicitacion, el esquema anterior La actividad corona en lneas e instalaciones de al-

se desplaza hacia el anodo, abarcando mayor volumen ta tension provoca efectos indeseables como perdidas
dielectrico. Se generan canales incompletos conocidos de energa y radiointerferencia. Por otro lado, la activi-
como de preruptura. dad corona controlada encuentra aplicaciones practicas
36
como el proceso de fotocopiado, la precipitacion elec-
trostatica, la generacion de UHV mediante aparatos de
Van der Graaf, la descarga electrostatica de aviones, la
generacion de ozono (O3 ) para aplicaciones medicas,
entre otros ejemplos.
4.7. ejemplos
4.7.1. Disposicion esferaplano
El campo asociado a esta disposicion de electrodos
puede ser:
Cuasi-homogeneo:
f < 5, condicion de corona inestable (pulsos).
Inhomogeneo:
f > 5, condicion de corona sostenido
En el caso inhomogeneo, los ndices de ionizacion
y no son constantes a lo largo del espacio de ruptu-
ra y se establecen condiciones de especial interes para
solicitacion continua:
Electrodo esferico positivo:
La carga espacial positiva extiende el anodo ha-
cia la placa, disminuyendo la distancia efectiva de
aislamiento.
Electrodo esferico negativo
La carga espacial negativa se concentra en la cer-
cana de la esfera, provocando un efecto homoge-
nizador de pantalla.
A consecuencia de lo anterior, resulta:
+
UD
< UD (4.29)
La Figura 4.8 resume estas consideraciones. Ademas
se distinguen las siguientes zonas:
I : Campo cuasihomogeneo, UD = f (d)
II : Corona moderado, UD = f (d, D)
III : Corona fuerte, d > D, Ui UD
4.7.2. Tiempo de ruptura a impulso
Los tiempos de formacion del arco de ruptura son
muy cortos, y no son determinables para solicitaciones
estacionarias continua o alterna. Sin embargo, para
solicitaciones de impulso, es posible determinar la
funcion de retardo desde el instante de aplicacion
hasta el instante de ruptura. Esta funcion es de mucha
importancia en las aplicaciones de coordinacion de
Captulo 4
aislamientos y proteccion de equipamiento electrico a
sobretensiones.
Sea tD el tiempo hasta la ruptura de una disposicion
solicitada en impulso. Este tiempo se puede descompo-
ner en dos etapas:
tD = ts + tf (4.30)
donde:
ts : tiempo estadstico para la formacion de
la primera avalancha.
tf : tiempo de formacion del proceso de rup-
tura.
La Figura 4.9 muestra esquematicamente este pro-
ceso temporal. Donde Vr corresponde a la tension de
ruptura a impulso y Vs es la tension de ruptura estatica
(DC).
Figura 4.9: Formacion de la funcion del tiempo de
ruptura a impulso.
Los experimentos muestran que el tiempo de retar-
do a la ruptura es inversamente proporcional a V , es
decir, el exceso de solicitacion requerido para la rup-
tura en relacion al caso estatico. De esta manera se
conforma una funcion de tiempo a la ruptura, f (V )
de caracter hiperbolico, que sera de gran importancia
en los temas antes mencionados.
4.7.3. Descargas tipo GAP
Se denomina Gap (brecha) a distancias relativa-
mente pequenas (< 1mm), presentes en contactos
defectuosos de barras de alta tension. La existencia
de estos microcondensadores en gas origina descargas
pulsatorias muy rapidas ( 1ns), de alto contenido de
corriente, por la cercana de electrodos de potencia.
El resultado es un fenomeno de interferencia mayor
que afecta a los circuitos digitales de control de los
sistemas de maniobra en subestaciones y centrales.
Captulo 4 37

(a) Disposicion fsica (b) Resultado grafico

Figura 4.8: Tension de ruptura positiva de diposicion esferaplano.

La Figura 4.10 muestra un esquema de esta configu- Gotas de lluvia en conductores y aisladores.
racion.
Las causas de presencia de gaps estan vinculadas a
fenomenos de corrosion, contaminacion, vibraciones
mecanicas, cambios termicos, aflojamiento de pernos,
etc.

Figura 4.10: Modelo de la descarga tipo GAP.

Ejemplos de circuitos con presencia potencial de

gaps, son:
Aisladores de cadena con mal contacto cappin
Crucetas de postacion con apriete insuficiente
Mal contacto entre la cadena de aisladores y la
torre de alta tension
Mal contacto entre espaciadores de subconducto-
res en lneas de EAT
38 Captulo 4
Captulo 5

Aplicaciones tecnicas de los gases

aislantes

5.1. Rigidez dielectrica intrnse-

ca de gases aislantes
La aplicacion tecnica de gases dielectricos emplea co-
mo principal parametro de calidad la rigidez dielectrica
transversal en campo cuasi-homogeneo. Si se controla
la rugosidad superficial de los electrodos y la pureza de
la atmosfera de ensayo, se puede obtener experimental-
mente la llamada rigidez dielectrica intrnseca, EDi ,
de cada material, con el siguiente procedimiento:

1. Seleccionar electrodos esfericos de optima termi- Figura 5.1: Variacion de la rigidez dielectrica en fun-
nacion superficial y someterlos a ensayo de ruptu- cion de la distancia entre electrodos
ra dielectrica variando cada vez la distancia entre
electrodos. Se mide UD kV y luego se expresa la
funcion ED (d) segun: Donde:
UD : tension de ruptura kVmax
UD EDi : rigidez dielectrica intrnseca kVmax /cm
ED (d) = (5.1) d : distancia entre electrodos cm
d
er : factor de rugosidad (< 1)
ek : factor de curvatura (> 1 en campo in-
2. Se observa, en la Figura 5.1, que a partir de una homogeneo)
distancia d0 , ED se estabiliza en un valor que de- : factor de rendimiento del campo
nominamos rigidez dielectrica intrnseca, EDi . Para d = d0 , ek = 1 y ED = EDi , lo que representa
la llamada frontera cuasi-homogenea

3. d0 es la distancia a la cual el sistema inicia su Para d < d0 , ek > 1 y representa un factor de

actividad corona sostenida, es decir, empieza a di- adecuacion de EDi al verdadero valor experimental.
ferenciarse claramente la tension de iniciacion co-
rona de la tension de ruptura transversal. Para d > d0 , ek > 1 y representa la relacion entre
UD y UDi , es decir, entre el establecimiento de la
4. A partir de este resultado se postula la ecuacion actividad corona y la ruptura.
general de diseno:
Para diferentes gases y diferentes tipos de geometra
se han desarrollado experimentos para obtener valores
UD = EDi d er ek (5.2)
de ek y EDi que permitan configurar el diseno de

39
40 Captulo 5

Gas EDi kV/cm Tc C Aplicacion

He Helio 3,7 -269 Tubos luminosos
Ne Neon 4,2 -246 Tubos luminosos
H2 Hidrogeno 15 -243 Refrigerante
O2 Oxgeno 27 -183 Aplicacion del aire
N2 Nitrogeno 33 -196 Condensadores
Cl2 Cloro 52 -35 Aplicaciones del aire
H2 O Vapor de agua 30 100 Secado de aislaciones
SO2 Dioxido de azufre 64 -10 Precipitacion electrostatica
SF6 Hexafluoruro de azufre 89 -63 Interruptores
CCl4 Tetracloruro de carbono 232 77 Limpieza

Tabla 5.1: Principales gases de aplicacion tecnica.

distancias en gas. A temperatura constante, y asumiendo un compor-

De los muchos gases evaluados por sus buenas
caractersticas dielectricas, no todos encuentran apli-
cacion tecnica, ya que esta queda condicionada a una
adecuada combinacion de rigidez dielectrica y com-
portamiento termico (punto de condensacion), ademas
de aspectos economicos y ecologicos. La Tabla 5.11
muestra la rigidez dielectrica y la temperatura de
condensacion de los principales gases empleados en la
actualidad en la tecnica de alta tension.
tamiento de gas ideal, la rigidez dielectrica intrnseca
vara linealmente con la presion.
Tambien encuentran aplicacion las mezclas de ga-
ses, como el aire (80 %N2 20 %02 ), aislacion propia
de las lneas de transmision y los interruptores de aire
comprimido, o la combinacion SF6 N2, empleada en
lneas encapsuladas por sus ventajas economicas y ter-
modinamicas. La Figura 5.2 muestra la caracterstica
de rigidez dielectrica de esta mezcla, expresada en p.u.
de la caracterstica del SF6 puro. Se observa que un
20 % de SF6 procura a la mezcla el 75 % de su rigidez
dielectrica.

5.2. Comportamiento del SF6 en

campo cuasi-homogeneo
La inhomogeneidad de un campo se califica en
terminos de la condicion de potencial requerida para
la iniciacion de descargas parciales y la condicion
para su establecimiento sostenido. Por lo tanto es una
valoracion que depende de la presion del gas. La dife-
renciacion entre un campo ligeramente inhomogeneo y
otro fuertemente inhomogeneo corresponde entonces a
una frontera definida por el factor de rendimiento del
campo en funcion de la presion del gas. Para el SF6 ,
dicha funcion se muestra en la Figura 5.3, correspon-
diente a mediciones experimentales efectuadas a 20 C.
Figura 5.2: Rigidez dielectrica porcentual de la mez-
cla SF6 N2 Para > L , son validas las siguientes consideracio-
nes:

1 Datos
La rigidez dielectrica intrnseca del SF6 para dife-
referidos a una temperatura de 20 C, salvo aquellos
gases cuya temperatura de condensacion es mayor que 20 C, en rentes presiones y a 20 C se expresa por:
cuyo caso el valor especificado corresponde a la temperatura de
condensacion, Tc . La distancia entre electrodos empleada fue de EDi = 890 P20 kV/cm (5.3)
10mm en todos los ejemplos y la solicitacion fue continua de
polaridad negativa. con P20 en MPa.
Captulo 5
Figura 5.3: Grado de homogeneidad lmite L de
comportamiento del SF6
El factor de curvatura empleado en disenos en gas
SF6 para configuracion cilndrica coaxial es el que
se muestra en la Figura 5.4
Figura 5.4: Factor de curvatura ek para configuracion
cilndrica coaxial en SF6
5.3. Probabilidad de ruptura a
impulso de distancias de ai-
re
Bajo solicitacion estacionara, las variables que in-
fluyen en la ruptura dielectrica son:
41
Forma y distanciamiento de los electrodos
Condicion del gas (P, T )
Actividad corona
Asimetras de polaridad en campos muy concen-
trados.
Para solicitaciones altamente dinamicas, estos me-
canismos operan con diferentes retardos, dando a la
funcion de ruptura un caracter probabilstico, con dis-
tribucion normal (Figura 5.5).
Figura 5.5: Distribucion normal de la probabilidad de
ruptura a impulso de distancias en aire
En esta funcion, obtenida experimentalmente, se
asume un modelo normal definido por los parametros:
V50 : valor medio de la oscilacion alrededor
del SI-NO del metodo UP & DOWN
V0 : V50 3
V16 : V50
V84 : V50 +
V100 : V50 + 3
: desviacion estandar de la muestra
Con estos valores se configura la recta en el piano
normal para un sistema de electrodos determinado. A
fin de facilitar la informacion disponible, los experi-
mentos se afinaron para el sistema barrasuperficie,
que sirve de referencia normalizada para las demas con-
figuraciones mediante un sistema de factores de apro-
ximacion.
42 Captulo 5

en aire de electrodos barrasuperficie para condiciones

normales de presion y temperatura. Donde d es la
distancia en m y r es el radio de la barra, tambien en m

Para otras configuraciones, se determina experimen-

talmente un factor de aproximacion Kx . Entonces se
(x)
calcula la tension de ruptura V50 segun:

(x) (bs)
V50 = Kx V50 (5.4)

La Tabla 5.3 muestra los valores de Kx usualmen-

te empleados en el diseno de varias configuraciones,
siendo H la longitud de la barra y d la distancia de aire

En situaciones muy particulares y especialmente ba-

jo condiciones de elevada humedad ambiental, algunos
sistemas resultan mas sensibles al impulso de maniobra
negativo, (NSI). No existe normalizacion a este respec-
to.

5.3.2. Influencia de la forma de onda

Figura 5.6: Caractersticas de la tension de ruptura

de distancias barrasuperficie.

5.3.1. Modelo barrasuperficie

La respuesta de una distancia de aire en la confi-
guracion barrasuperficie, depende fuertemente de la
forma de la senal solicitante, es decir de su contenido
de frecuencia. La Figura 5.6 muestra las funciones de
ruptura para diferentes solicitaciones.

En sistemas de ATM (< 70kV) y sistemas de AT (<

245kV), el diseno de las distancias entre conductores y
entre conductor a torre se rige por:
Solicitacion soportada de 50Hz
Lmite admisible de actividad corona
Respuesta a impulso de rayo (1,2/50)
En sistemas de EAT (245 765kV), el diseno
de distancias en aire es por respuesta a impulso de
maniobra de polaridad positiva. Este criterio se conoce
como PSI (Positive Switching Impulse). Figura 5.7: Influencia del frente del impulso en la
tension de ruptura del modelo barra
La Tabla 5.2 resume los resultados de varios inves- superficie.
tigadores en relacion a la respuesta PSI de distancias
Captulo 5 43

V50 , kV Rango de d, m Referencia

500 d 0,6 2d8 Paris [1]

3400
d 15 Gallet [2]
(1 + 8/d)

450 [1 + 1,33 ln (d ln d)] d 10 Lemke [3]

p
105 (15 + 3,2 d) 350 d 20 Waters [4]
r r
r 1 r
1260 r 1 tanh 1 d 20 Aleksandrov [5]
d d

1400 + 55 d 13 d 30 Pigini [6]

1556 + 50 d
+ 78 d4 Rizk [7]
1 + 3,89/d

1080 ln(0,46d + 1) d 25 Kishizimask [8]

Tabla 5.2: Formas de ruptura de distancias barra

superficie para solicitacion PSI.

Configuracion Factor Kx
Barraplano 1
Conductorplano 1,12 1,25
(dependiendo
de d)
d
Barrabarra horizontal sobre tierra 1,35 0,5
H1
H1 :altura de las barras sobre el suelo
H
Barrabarra vertical 1 + 0,6
H +d
0,7H
Conductorbarra (1,1 a 1,5) exp
H/H + d
Conductores paralelos 1,6 1,75 (depediendo de d)
1,4
1,45 (valor tpico)
1,25 (valor tpico)

Tabla 5.3: Factores Kx para diversas configuraciones

44 Captulo 5

Se debe considerar ademas la influencia de la

forma de la onda PSI, ya que la tension de ruptura
depende de la velocidad de inyeccion de carga al
medio dielectrico. Frentes mas rapidos favorecen el
establecimiento de carga espacial alrededor de la
barra, que apantallan el campo original y elevan la
tension de ruptura. En algunas distancias, existe un
tiempo de frente crtico, es decir de mnima tension
de ruptura, que debe ser considerado en los disenos.
La Figura 5.7 muestra resultados experimentales de la
tension de ruptura en funcion del tiempo de frente de
la solicitacion PSI.

La peor condicion, es decir el tiempo de frente crti-

co, se puede determinar por la relacion:
Figura 5.8: Factores m y w (IEC 60-1)
tcr = d [50 35(K 1)] s (5.5)

Siendo K un factor de aproximacion de la configu- 5.4. Fenomenos asociados al

racion bajo estudio. efecto corona
Las condiciones ambientales influyen por la densidad 5.4.1. Perdidas de potencia por efecto
relativa del aire y por el contenido de humedad gr/m3 . corona
Se definen entonces dos factores de correccion, k1 () y
k2 (H). Entonces: Estas perdidas son importantes en sistemas de trans-
mision de EAT, y se magnifican bajo condiciones de
Vensayo = Vnormal k1 () k2 (H) (5.6) lluvia. La siguiente relacion permite evaluar los kW de
perdidas por km de lnea trifasica.
Donde: Xn
m V 2
k1 () = (5.7) PL = PF W + J r ln(1 + 10R) Ei5 (5.11)
3 i=1

k2 (H) = k w (5.8) r
242 r
PF W = (f + 25) (Vf n Vi )2 105 (5.12)
Los exponentes m y w se determinan de acuerdo a D
la Figura 5.8, a la cual se ingresa con el parametro g
definido por: Donde :
V : tension rms nominal (linealinea) del siste-
V50 ma
g= (5.9)
500 d k J : constante
7,04 1010 para V = 400kV
Siendo k un parametro mixto que depende de la den-
5,35 1010 para V = 400kV y 700kV
sidad relativa del aire y de su humedad absoluta.
r : radio del subconductor, cm
n : numero de subconductores
H Ei : gradiente maximo en el subconductor i
k =1+A 1 (5.10)
R : flujo
de lluvia, mm/hr
D : 3 Dab Dbc Dca , cm
En esta ultima relacion A vale: Vi : tension de iniciacion corona
f : frecuencia, Hz
A = 0,010 para solicitacion de impulso
A = 0,012 para solicitacion alterna 5.4.2. Ruido audible
A = 0,014 para solicitacion continua
Las normas internacionales fijan el lmite de ruido
audible en 52dB, para lneas de alta tension operando
Captulo 5 45

bajo lluvia, referidos a un nivel de presion de sonido atenuacion. Entonces la interferencia queda definida
de 20Pa. por la sumatoria de todos los efectos de todas las
descargas ocurrentes en varias decenas de kilometros.
En etapa de diseno, se puede evaluar la expectativa
de ruido audible (RA) en dB por: Para frecuencias > 30MHz, queda en el rango de
los metros y la propagacion de la RI es mas bien por
665
RA = 20 log(n) + 44 log(Ds ) + Kn radiacion directa.
E
10 log(Dlm ) 0,02Dlm + AN
5.4.4. Medicion del ruido de RI
Ds
+BN 22,9(n 1) (5.13)
D Se desea medir el valor efectivo del ruido aleatorio
estacionario RN , en una banda estrecha .
Donde :
n : numero de subconductores s
Ds : diametro de cada subconductor, cm S 2 ()
RN = (5.16)
D : diametro de cada fase, cm 2
E : gradiente maximo, kV/cm
Dlm : distancia desde el conductor al punto de Los detectores de RI pueden ser de valor medio,
medicion, m de valor peak o de valor cuasipeak. Estos ultimos
Kn : 7,5 (n = 1);2,6 (n = 2); 0 (n 3) se adaptan mejor a la sensibilidad del odo humano, es
AN : 75,2 (n = 1 y n = 2); 67,9 (n 3) decir recogen mejor la sensacion de molestia. Su mo-
BN : 0 (n = 1 y n = 2); 1 (n 3) delo basico es el de la Figura 5.9.

5.4.3. Radio interferencia (RI,EMI)

Los pulsos corona se pueden modelar como una senal
dobleexponencial en corriente:

i(t) = I0 [e(t/1 ) e(t/2 ) ] (5.14)

Valores tpicos para los parametros de la ecuacion Figura 5.9: Modelo basico de un detector de RI del
(5.14) se muestran en la tabla 5.4, para polaridad po- tipo cuasipeak
sitiva y para polaridad negativa. El valor maximo de
la corriente es Im 0,6 I0

Polaridad del pulso 1 , ns 2 , ns Im , mA 5.4.4.1. Modelo CIGRE

Negativa 6 45 2,7
Positiva 30 180 60 La CIGRE (Comision Internacional para Grandes
Redes Electricas), ha propuesto una formula que tie-
Tabla 5.4: Valores tpicos de constantes representati- ne buena aplicabilidad en la mayora de las lneas de
vas de pulsos corona. transmision. El rango de parametros que define el mo-
delo es el indicado en la tabla 5.5.
Estos pulsos se propagan en ambas direcciones de la
lnea, con una intensidad espectral: Parametro rango
Tension nominal de lnea, kV 200 765
S() = i(t)ejt dt (5.15) Gradiente maximo, kV/cm 12 20
0 Radio de conductor, cm 1 2,5
N de subconductores por fase 14
Y un rango de frecuencias 0,15 < < 30MHz.
Espaciamiento de los subconductores, 10 20
El efecto de RI depende de la funcion de longitud
veces el diametro del conductor
de onda asociada a la intensidad espectral, (). Para
el rango indicado, esta en el orden de decenas de Tabla 5.5: Rango de parametros para los que es apli-
km, y se establece un modo de propagacion electro- cable el modelo CIGRE.
magnetico del tipo gua de onda plana, de muy baja
46
La formula expresa los niveles de ruido mas proba-
bles (N P ), que se mediran con un detector CISPR
(IEC) de frecuencia central 0,5MHz, a 2m del suelo y
a una distancia lateral de 15m desde el conductor ex-
terno de la lnea, expresados en dB referidos a 1V/m.
La formula se expresa en tres campos:
Di
N Pi = 3,5gmi + 12ri 33 log
20
30
Donde:
gmi : maximo gradiente sobre el conductor de la
fase i, en kV/cm
Di : Distancia de la fase i al punto de medicion,
en m
El analisis del resultado de las formulas es el siguien-
te:
Si uno de los campos es a lo menos 3dB mayor que
los otros, entonces los campos menores se despre-
cian.
Si ningun campo se destaca, el ruido probables se
calcula con los mayores valores obtenidos N Pa y
N Pb , segun:
N Pa + N Pb
NP = + 1,5 dB
2 [2] G. Gallet, G. Leroy, R. Lacey, and I. Kromer, IEEE
En lneas de doble circuito, se calcula para ca-
da uno de los 6 conductores y luego se suman
cuadraticamente los valores de las fases que se co-
rresponden en tiempo. Posteriormente el analisis
es como para las lneas simples.
Si se quiere conocer los valores de N P a una
frecuencia f diferente de 0,5MHz, se aplican las
siguientes formulas de correccion:
Para lneas triangulares y circuitos dobles:
N P = N P0 (18 log f + 10 log2 f + 4,3) (5.19)
Para lneas horizontales:
2 no. 1, pp. 596606, 1989.
N P = N P0 (23 log f + 12 log f + 5,8) (5.20)
Si se desea conocer los valores de N P a una dis-
tancia lateral D diferente de los 15m postulados
en la formula, se aplica la siguiente correccion:
D
N P = N P0 20K1 log
D0
Captulo 5
Donde :
K1 : 1,4 para lneas triangulares, vertica-
les y doble circuito
K1 : 1,6 a 1,9 para lneas horizontales, de-
pendiendo del nivel de tension.
5.5. Radio y TV interferencia en
(5.17) media tension
Los problemas de RI tambien afectan a sistemas
electricos de media tension, empleados en redes de dis-
tribucion de energa electrica. La principal causa de
interferencia esta en las descargas de microgap. Tam-
bien contribuyen los aisladores contaminados. Sus efec-
tos suelen ser mas molestos que los originados en lneas
de transmision de AT o EAT, dado que los sistemas de
distribucion estan inmersos en sectores urbanos e in-
dustriales con mayor densidad de poblacion, y alcanzan
en muchos casos a provocar TV interferencia a cientos
de metros de distancia.
Referencias
[1] L. Paris, IEEE Trans, vol. PAS-86, no. 8, pp. 936
947, 1967.
(5.18)
Trans, vol. PAS-94, no. 6, pp. 19891993, 1975.
[3] E. Lemke, Z. Electr. Inform. Energetechnik, vol. 3,
no. 4, pp. 186192, Leipzig,Germany,1973.
[4] R. T. Waters, Spark Breakdown in Nonuniform
Field.in Electrical Breakdow of Gases, J. M. Meek
and J. D. Crags, Eds. John Wiley & Sons, New
York, 1978.
[5] G. Aleksandrov, Zurnal Tecknichekoi Fiziki, vol. 9,
pp. 744756, 1969.
[6] A. Pigini, G. Rizzi, R. Barmbilla, and E. Garbgna-
ti, Switching impulse strength of very large gaps,
1979, 3rd ISH Milan, paper No. 52.15.
[7] F. Rizk, IEEE Trans. on Power Delivery, vol. 4,
[8] Kishizimask, Matsumoto, and Watanabe, IEEE
Trans, vol. PAS-103, no. 6, pp. 12111216, 1984.
(5.21)
Captulo 6
Dielectricos lquidos
6.1. Teora de la conduccion
dielectrica en lquidos
6.1.1. Lquidos polares y no polares.
Los lquidos dielectricos pueden ser polares y no-
polares. Los primeros mantienen permanentemente di-
polos por asimetras de su estructura molecular. Ejem-
plo: H2 O , (r = 80). Los segundos solo polarizan bajo
la influencia del campo electrico, que introduce en su
estructura cambios cristalinos transitorios. La mayora
de los lquidos tiene caracter no-polar.
6.1.2. Curva de corriente.
Al solicitar un medio dielectrico lquido por campo
electrico, se obtiene una curva de comportamiento
como se ilustra en la Figura 6.1.
Se puede distinguir cuatro regiones caractersticas:
Region I
Corresponde a solicitacion debil : E < 20 kV/cm.
La causa basica de la conduccion es la disociacion
de impurezas ionicas y la existencia de partculas
solidas en suspension que arrastran carga electri-
ca.
Region II
Corresponde a solicitacion intermedia: 20 < E <
100 kV/cm. Se inician procesos de conduccion
electroqumicos en las fronteras lquidoelectrodo,
formandose estratos ionicos dobles ,(I + I ).
Region III
Corresponde a solicitacion elevada: E > 100
kV/cm
Region IV
Corresponde a la solicitacion lmite para la ruptu-
ra dielectrica.
47
El proceso general se puede esquematizar como sigue:
a) Ionizacion de moleculas neutras por procesos elec-
trostaticos, (region I).
b) Proceso electroqumico en la superficie de los elec-
trodos, que origina los sistemas de doble estrato,
(region II).
c) Impurezas solidas no conductoras son arrastradas
hacia los electrodos, en un proceso que absorbe
energa, provocando el decaimiento de la corriente
de conduccion, (region II).
d) Emision electronica en el catodo y de iones
positivos en el anodo que provocan turbulencias,
(region III), evaluadas por el parametro movilidad
electrohidrodinamica:
r
0 r
ehd = (6.1)
donde :
= densidad del lquido
Estas turbulencias aumentan hasta en 100 veces
la movilidad normal existente en el lquido.
e) Generacion de burbujas en el lquido que origina
descargas parciales pulsatorias, en el rango de los
pC, (region III).
f) Establecimiento de corrientes oscilatorias, fuerte-
mente dependientes de la viscosidad, (region IV).
6.2. Teoras de ruptura
dielectrica en lquidos.
6.2.1. Teora de avalanchas electronicas
Es similar a la teora de descarga en gases. Actual-
mente es poco aceptada, ya que los caminos medios
48 Captulo 6

Figura 6.1: Curva de corriente en funcion del campo solicitante para dielectricos lquidos

medidos en diferentes dielectricos, son < 106 cm, dis-
tancia muy insuficiente para generar energas ionizan-
tes (> 10 eV). De esta teora no existe evidencia expe-
rimental clara.
6.2.2. Teora de puentes conductores
Esta teora es bastante aceptada para explicar el pro-
ceso de conduccion en lquidos contaminados. Se des-
glosa en las siguientes etapas:
a) Existencia de partculas contaminantes de elevada
permitividad (portadores de humedad o metali-
cas)
b) Actuacion de una fuerza de alineamiento que de-
pende fuertemente del tamano de la partcula y de
su permitividad:
r3 2 1
F = E 2 (6.2)
2 21 + 2
6.2.3. Teora de cavitacion
Segun esta teora, los pasos que sigue el proceso de
descarga son:
a) La fuerza electrostatica comprime las superficie de
las partculas contaminantes, desplazando de ellas
el lquido ( presion Pm ).
b) Esta presion es opuesta a la presion hidrostatica (
Ph ) y a la tension superficial (Pst ).
c) Se generan zonas de presion nula, o vacuolas, en
las que se generan avalanchas electronicas que gol-
pean las paredes de la vacuola, haciendola crecer
hasta su explosion.
d) El encadenamiento de este proceso provoca la rup-
tura dielectrica del medio.
6.2.4. Teora de burbujas
Se asume un grado de humedad contenida en el
dielectrico. Se sigue luego el proceso:

c) Si las fibras son polarizables, como el caso de la a) La corriente circulante produce burbujas de vapor.
celulosa, la carga absorbida es: El calor requerido es:

H = Cp (Tb Ta ) + L (6.5)
q = r2 (2 1 ) 0 E (6.3)
donde :
Y si 2 >> 1 , la fuerza de alineamiento se ex- Cp = calor especfico
presa por: Tb = temperatura de la burbuja
Ta = temperatura del ambiente
F = r3 0 E (6.4)
L = calor latente de vaporizacion
Captulo 6 49

(a) Descarga tubular iniciada en el catodo (b) Descarga filamentaria iniciada en el anodo

Figura 6.2: Sombras de Schlieren.

b) En el rango de pre-ruptura, la corriente emitida
desde el catodo se ve limitada por la carga espacial
que lo circunda, y se expresa por:
I =AVx (6.6)
La Figura 6.2 muestra fotografas de alta velocidad
obtenidas con la tecnica conocida como foto-sombras
de Schlieren, cuyo analisis conduce a la propuesta
anterior.

donde :
A = constante experimental
x = exponente que vara en el rango 1, 5 <
x<3
c) Si los pulsos de corriente tienen una duracion ,
entonces la energa disponible para el proceso de
vaporizacion es:

H = A Ex (6.7)

Todas estas teoras son medianamente comprobadas

por tecnicas opticas de fotografa ultra-rapida, segun
las cuales el proceso de ruptura se conforma a la si-
guiente secuencia de eventos:
a) Formacion de canales pulsatorios en el electrodo
agudo.
b) Alargamiento del canal hasta alcanzar el contra-
electrodo.
c) Establecimiento de corrientes en el rango de
100 A, y tiempos de crecimiento de 10 ns.
d) Emision de luz.
e) Concentracion de calor en micro-volumenes
f) Vaporizacion de volumenes puntuales de lquido,
con formacion de burbujas que se expanden y ex-
plosionan evacuando gases a la superficie, o en ca-
so de emisiones menores, absorcion de ellos por
parte del lquido.
50 Captulo 6
Captulo 7

Dielectricos lquidos de aplicacion

industrial.

7.1. Aplicaciones Los dielectricos lquidos, despues del aire, constitu-

Los dielectricos lquidos se emplean ampliamente en
la tecnica de alta tension, como ser en transformado-
res, cables, interruptores, condensadores, bushings y
contactores.
yen el aislamiento mas empleado por la ingeniera de
alta tension. En general son elementos reciclables, eco
compatibles y de larga vida util, por lo que constituyen
un elemento de alta confiabilidad para el disenador.

Esta gran difusion se fundamenta en las propiedades 7.3. Aceites minerales

de estos materiales:
7.3.1. Composicion
Buen desempeno en estratificaciones solidolqui-
do y lquidogas. Se distingue dos grupos de aceites minerales:

Eficientes elementos de refrigeracion Aceites parafnicos:

contienen mas de un 66 % en volumen de cadenas
Excelente capacidad de impregnacion de masas organicas lineales (Figura 7.1(a)).
aislantes
Aceites naftenicos:
Buena capacidad de extincion de arco contienen mas de un 66 % en volumen de cadenas
organicas cclicas saturadas (Figura 7.1(b)).
Propiedades lubricantes
Ambas bases pueden contener un orden de 30 %
Caracter de dielectrico autoregenerativo. del grupo menor y hasta un 10 % de hidrocarburos
aromaticos, de estructuras no saturadas, como grupos
bencenicos (Figura 7.1(c)).
7.2. Tipos de lquidos dielectri-
Composicion tpica
cos Parafinas 66 %
Los dielectricos lquidos se dividen en dos grandes Naftenos 30 %
familias: Aromaticos 4%

a) Lquidos de origen organico natural, derivados del

petroleo.

b) Lquidos sinteticos, que a su vez pueden ser:

de origen organico, como la silicona y el 4Cl

etileno,
de origen inorganico, como el agua ultra-
refinada y los gases criogenicos.

51
52 Captulo 7

(a) (b) (c)

Figura 7.1: Cadenas organicas de aceites. (a) Parafnicos, (b) Naftenicos, (c) Bencenicos.

7.3.2. Caractersticas fsicas medias

Propiedad valor
Densidad 0, 87gr/cm3 (a) Oxidacion por extremo de cadena
Permitividad 2, 2
Viscosidad (20 C) 37cS
Factor de perdidas 104 (25 C)
103 (85 C)
Estabilidad termica hasta 100 C
Punto de inflamacion 145 C
Rigidez dielectrica > 200kV/cm

Tabla 7.1: Caractersticas fsicas medias de los aceites (b) Oxidacion por polimerizacion
minerales.
Figura 7.2: Tipos de envejecimiento.

7.3.3. Envejecimiento
El aceite se degrada por la accion del campo electri-
co elevado y por excesiva temperatura de trabajo. El
contacto con cuerpos metalicos (cobre, Fierro) actua
como catalizador.
El envejecimiento del aceite se manifiesta como
un proceso de oxidacion, producto del cual segrega
materias acidas, hidrocarburos de bajo peso molecular,
agua y gases. Se distingue dos procesos de oxidacion:
La liberacion de agua disminuye la rigidez dielectri-
ca del aceite, pero afecta fundamentalmente al papel
que trabaja asociado al aceite en la mayora de las
aplicaciones.
Los procesos de oxidacion se catalizan por actividad
de descargas parciales en micro burbujas, las que ge-
neran ozono, elemento especialmente activo en los pro-
cesos de oxidacion. La oxidacion se previene mediante
procesos de neutralizacion, desgasificacion y secado o
agregando inhibidores en forma controlada.

Oxidacion por extremo de cadena 7.3.4. Gases disueltos

en que el oxgeno conforma un radical OH, de fuer-
te momento dipolar, que provoca un aumento del Los eventos relativos al envejecimiento se van
factor de perdidas registrando en el aceite en forma de gases disueltos.

La actividad de descargas parciales produce ma-

Oxidacion por polimerizacion yormente Hidrogeno y Metano (CH4 ). Los arcos de
en que el oxgeno actua como puente entre dos mayor energa producen cantidades importantes de
moleculas de aceite, con el consiguiente aumento acetileno. El contacto con metales a temperaturas
de la viscosidad. de 200 a 300 C produce una variedad de gases en
Captulo 7 53

La actividad del A.O. dura un tiempo definido,

llamado periodo de induccion, durante el cual
se previene la formacion de peroxidos con radicales
libres, especialmente en la fraccion de hidrocarburos
saturados, y las consecuentes reacciones de oxidacion.

La Figura 7.4 ilustra la actividad de oxidacion del

aceite en funcion del tiempo, a traves de algunas
variables que reflejan su envejecimiento.

Figura 7.3: Rigidez dielectrica a impulso del papel

impregnado en funcion de la humedad

pequenas dosis.

Por otra parte, el calentamiento y las descargas Figura 7.4: Oxidacion del aceite mineral.
provocan efectos sobre el papel, que segrega monoxido
y dioxido de carbono en grandes cantidades. Periodos
I Induccion
De esta forma, el analisis de los gases disueltos per- II Oxidacion acelerada
mite la deteccion de fallas puntuales o permanentes III Saturacion
que afecta al transformador bajo estudio. Si el proceso Curvas
de control es regular, constituye una herramienta de 1 Contenido de A.O.
diagnostico preventivo. 2 Contenido de Cu
3 Tension interfacial
4 Contenido de peroxidos
7.3.5. Humedad
5 Acidez
La presencia de humedad en el aceite se origina en 6 Contenido de barros
dos causas principales: subproducto de la oxidacion y
contacto con el aire atmosferico. Un transformador en Tabla 7.2: Resumen de la Figura 7.4
operacion normal puede contener entre 10 a 20 mg/kg,
esto es 10 a 20 ppm. Se considera un lmite prudente
Los parametros electricos tan y resistividad vo-
40 ppm, para ordenar un proceso de secado.
lumetrica reflejan de manera bastante exacta el proce-
so de oxidacion senalado anteriormente, y se emplean
7.3.6. Inhibidores de oxidacion como criterios de analisis y diagnostico para este obje-
tivo.
El proceso de oxidacion se inhibe con aditivos
denominados antioxidantes (A.O.) 7.3.7. Reacondicionamiento del aceite
mineral
El A.O. mas difundido es el DBPC (2,6 ditert
butilperesol) y en menor grado el DBP (2,6 ditertbutil La Figura 7.5 ilustra el proceso de tratamiento de
fenol). aceites degradados.
54 Captulo 7

Figura 7.5: Unidad de reacondicionamiento de aceite mineral

El aceite se tempera a un rango de 3060 C y se

filtra antes de pasar a la etapa de desgasificacion por
vaco (p < 10 mbar), en que el aceite es expuesto
a grandes superficies para facilitar la extraccion de
humedad y gases disueltos. En la etapa final del
proceso, despues de varias recirculaciones, se puede
agregar los inhibidores de oxidacion.

Los aceites reacondicionados tienen, en el mejor de

los casos, una vida util del orden del 50 % en relacion
ai aceite nuevo.

7.3.8. Inhibidores de electrificacion por

circulacion

En anos recientes se ha empleado especial atencion

a fenomenos de descarga electrica al interior de
transformadores, originados en la acumulacion de Figura 7.6: Distribucion de iones en una estratifica-
energa electrostatica por efecto de la circulacion del cion dielectrica papelaceite
aceite.

La Figura 7.6 ilustra el proceso de separacion de La circulacion del aceite a traves de los ductos de
cargas en el sistema dielectrico. refrigeracion y bombas, induce carga electrostatica
dispersa en el volumen lquido. La celulosa ofrece
Captulo 7 55

radicales OH que resultan especialmente adecuados 7.4.2. Siliconas

para la atraccion de iones negativos, formandose
La estructura molecular de mejor comportamiento
una pelcula de carga sobre la superficie solida. Los
para fines dielectricos es la cadena lineal polidimetilsi-
iones positivos del aceite se acumulan formando una
loxano (Figura 7.7).
pantalla con carga de signo opuesto frente al papel,
con lo cual se constituye un condensador capaz de
acumular suficiente energa electrostatica para generar
una descarga.

El proceso se cataliza con el envejecimiento y poli-

merizacion de la celulosa, la temperatura, la velocidad
de circulacion y la turbulencia del flujo.
Figura 7.7: Polidimetilsiloxano
Una forma de atenuar el fenomeno es disminuir
la velocidad de circulacion y mejorar el proceso de
Las propiedades mas destacables de este fluido son:
bombeo para evitar turbulencias. Pero la solucion mas
eficiente es el empleo de inhibidores de ionizacion, Elevada estabilidad termica
como el alkyl-benceno y el benzotriazol (BTA), que
operan como absorbentes de carga ionica. Baja actividad qumica

Elevado punto de inflamacion

Auto-extincion de encendido

7.4. Innovaciones en la fase Compatible con el medio ambiente

lquida Limitaciones de los lquidos de siliconas son:

Para distancias de arco elevadas, la rigidez

7.4.1. Askareles dielectrica disminuye considerablemente

Esta innovacion (Du Pont, 1930) estuvo relacionada
con el uso de transformadores en recintos con riesgo
de incendio catastrofico (minera subterranea, edificios
de altura, transporte publico de traccion electrica,
etc.).
Son lquidos sinteticos, resultado de mezclar bi-
fenilos policrorinados y policlorobencenos y se les
conocio genericamente como askareles. La experiencia
mostro la toxicidad de estos productos tanto en
la fase de fabricacion y manipulacion, como en su
descomposicion por efectos de pirolisis.
Propiedades de transferencia termica inferiores a
las del aceite mineral
Coeficiente de dilatacion cubica elevado
Residuos de polimerizacion bajo actividad de des-
cargas parciales.
7.4.3. Esteres sinteticos
Son estructuras organicas de gran estabilidad termi-
ca, conformadas sobre la base de ester-carboxilatos.

Actualmente, su fabricacion y comercializacion

esta prohibida universalmente, quedando en operacion
solo unidades de difcil reemplazo, sujetas a catastro
oficial y permanente supervision para prevenir fugas.

La necesidad de mantener la caracterstica de no-
inflamabilidad, pero bajo compatibilidad total con
usuarios y medio ambiente, llevo al desarrollo de dos
lneas de productos de reemplazo, aceites de silicona y
esteres sinteticos.
Figura 7.8: Pentaestirolester. Ri : radicales con va-
rios atomos de carbon.
Sus cualidades mas destacables son:
56 Captulo 7

Estabilidad termica y qumica

Compatibilidad biologica, fisiologica y ambiental
Sus limitaciones:
Elevada viscocidad
Inestabilidad del factor de perdidas por efecto de
hidrolisis
Captulo 7 57

Aceite mineral para Aceites

Propiedad Unidad Aciete vegetal alta temperatura de silicona
Fsicas
Apariencia
Peso especfico a 25 C g/cm3 0,910,92 0,89 0,96
Viscosidad cinematica
a 0 C cS 170250 2200 95
a 25 C cS 5575 300 50
a 40 C cS 3545 125 38
a 100 C cS 810 13 16

Punto de congelamiento C -1525 -20 -50
Tension interfacial dinas/cm 25 4045 25

Punto de auto-encendido C 310325 275 300

Punto de inflamacion C 354360 160180 340
Contenido de humedad ppm 50100 1025 50
Solubilidad en agua a 25 C 1200 60 200
Constantes termicas
Calor especfico cal/g C 0,500,57 0,488 0,363
Conductividad termica W/mK 0,17 0,13 0,15
Coeficiente de expansion 1/ C 0,0007 0,00073 0,00104
Qumicas
Tipo qumico Ester Hidrocarburo Silicio
Acidez mg KOH/g 0,06 0,01 0,01
Electricas
Permitividad relativa a 25 C 3,1 2,2 3,71
Resistividad volumetrica a 25 C cm 1014 1014 1015 1014
Tension de ruptura
ASTMD1816, electrodos a 2mm kV 74 60
Ruptura a impulso (punta negativa) kV 116 145 136
Factor de disipacion
a 25 C % 0,25 0,05 -0,01
a 100 C % 1,00 0,3

Propension a contaminacion por gas -50 -1020 N/A

ASTM2300
Biodegradabilidad
CECL33(21 das) 9799 30 muy bajo

Tabla 7.3: Comparacion de propiedades de lquidos dielectricos

58 Captulo 7

Propiedad Norma Aceite tipo I Aceite tipo II

Punto Anilina, C D611 6384 6384
Color, maximo grado D1500 0,5 0,5
Punto de inflamacion, C D92 145 145
Tension interfacial, dina/cm D971 40 40
Punto de congelamiento, C D97 -40 -40
Peso especfico a 15 C, g/cm3 D1298 0,91 0,91
Viscosidad a 100 C, cS D445;D88 3,0 3,0
Viscosidad a 40 C, cS
Viscosidad a 0 C, cS
Rigidez dielectrica a 25 C, kV/cm D877 30 30
Rigidez dielectrica VDE, kV
1,02mm D1816 28 28
2,03mm 56 56
Rigidez dielectrica a Impulso, kV
Aguja(), esfera a tierra D3300 145 145
d = 25,4mm, 25 C
tan
25 C D924 5 104 5 104
100 C 30 104 30 104
Humedad, ppm D1533 35 35
Estabilidad a oxidacion D2440 0,3 0,2
% de lodos acidos en 72hrs
Acidez total, mg KOH/g D974 0,03 0,03
Inhibidores de oxidacion, % de masa D1473 0,08 0,3
Aceites tipo I: estabilidad a oxidacion normal.
Aceites tipo II: estabilidad a oxidacion elevada.

Tabla 7.4: Requerimientos lmites del aceite mineral (ASTMD 3487).

Captulo 8
Dielectricos solidos
8.1. Propiedades dielectricas ge-
nerales
Se considera aislantes electricos a aquellos materiales
cuya resistividad volumetrica esta en el rango superior
a 1010 cm:
La siguientes son las caractersticas que enmarcan el
comportamiento dielectrico de los materiales solidos:
a) Las descargas de ruptura transversal comprome-
ten la vida de los dielectricos solidos. Son mate-
riales no-regenerativos para este tipo de falla.
b) La tension de iniciacion de descargas localizadas
es varias veces menor que la tension de ruptura.
Esta ultima, rara vez se alcanza en servicio, por
lo que el envejecimiento progresivo de la aislacion
esta gobernado fundamentalmente por la activi-
dad de descargas parciales.
c) La temperatura es un parametro fundamental en
el comportamiento de los solidos, dada su debil
capacidad refrigerante. Para cada material solido
existe una temperatura de operacion recomendada
(clase termica).
d) En general las aislaciones solidas actuan en com-
binacion con aislantes lquidos (transformadores,
condensadores, cables) o con aislantes gaseosos
(lneas, motores), por lo que entran en conside-
racion fenomenos de ruptura longitudinal en las
fronteras dielectricas.
e) Muchos aislantes solidos, en especial los de origen
organico, se ven sometidos a cambios qumicos du-
rante su vida util, lo que condiciona su duracion.
f) Los parametros dielectricos fundamentales (per-
mitividad, conductividad, factor de perdidas)
varan con la frecuencia de la solicitacion
(Fig. 8.2). Por lo tanto no es lo mismo el compor-
tamiento en corriente continua que a frecuencia
59
industrial o alta frecuencia. Ademas, y tan ,
dependen fuertemente del nivel de la solicitacion,
de la presion mecanica y de la temperatura.
La permitividad relativa de los dielectricos solidos
naturales de uso practico esta en el rango de 2. . . 8,
en tanto los materiales sinteticos especiales pueden
presentar valores de permitividad muy superiores
(100. . . 1000).
La rigidez dielectrica de los materiales mas co-
munmente utilizados esta en el rango superior a los
200 kV/cm, en condiciones de pureza y ambiente
normales.
Muchas de las aplicaciones de los aislantes solidos
quedan acotadas por la temperatura de trabajo, por
lo que resulta pertinente una clasificacion termica de
los materiales dielectricos.
Se debe considerar que los materiales dielectricos
solidos tienen, en general, una muy baja conductividad
termica, por lo que el correcto diseno de aislamientos
es muy sensible al espesor del material y a la eficiencia
del medio refrigerante empleado.
8.2. Clasificacion termica de los
dielectricos solidos, segun
IEC-85.
Clase Y ( hasta 90 C)
Papel sin impregnar, algodon, seda, formaldehi-
dos, goma natural, termoplasticos.
Clase A ( hasta 105 C)
Papel impregnado en aceite mineral, papel lami-
nado en resinas fenolicas (Prespan), fibras de celu-
losa impregnadas en resina, madera impregnada,
60 Captulo 8

Figura 8.1: Rangos de resistividad de los materiales

barnices de base organica (derivados de petroleo), 8.3.2. Polarizacion atomica Pa , (ionica)

laca natural.
Ocurre en moleculas complejas formadas por atomos
de diferente estructura, donde los e se distribuyen en
Clase E ( hasta 120 C)
mallas asimetricas.
Fenol, melamina, poliuretano, resinas epoxicas, as-
falto.
a = a E (8.2)
Clase B ( hasta 130 C)
donde
Cintas flexibles en base de materiales de clase su-
a = polarizabilidad atomica, valor constan-
perior, como mica, vidrio, asbesto, aglomerados en
te con la frecuencia,
hasta el espectro

resinas organicas.
infrarrojo < 700 nm, f > 1014 Hz .
Clase F ( hasta 155 C)
Como clase B, pero impregnados en resina epoxi- 8.3.3. Polarizacion de orientacion o
ca.
dipolar,Pd
Clase H ( hasta 180 C) Los centroides de carga (+) y () quedan atra-
Como clase B, pero impregnados en resina de sili- pados en la estructura cristalina de los materiales,
cona o similar. configurando dipolos permanentes que se orientan en
la direccion del vector de campo solicitante.
Clase C ( sobre 180 C)
Mica, asbesto, ceramica, vidrio. Solos o impregna-
dos en resinas de silicona o similares.
8.4. Tiempos de respuesta de la
polarizacion
8.3. Formas de polarizacion en
dielectricos solidos Para una solicitacion unidireccional instantanea,
las polarizaciones ionica y electronica se activan muy
rapidamente.
8.3.1. Polarizacion electronica, Pe
Son los aportes de los momentos dipolares nucleo Para una solicitacion unidireccional sostenida,
electron, separados por una distancia d: (escalon), se logra la polarizacion de orientacion
despues de p s, llamado tiempo de relajacion. El
e = e E (8.1) valor recproco de p es la frecuencia de relajacion, 0 :

1
donde 0 = (8.3)
p
e = polarizabilidad electronica, va-
lor constante con la frecuen- La Figura 8.2 muestra el llamado espectro de rela-
cia,
hasta el espectro ultravioleta jacion de un material bajo solicitacion escalon.
< 400 nm, f > 1015 Hz .
Captulo 8 61

en vacuolas e impurezas. Las perdidas aumentan con

la solicitacion E y con la temperatura T , aparte de la
ya mencionada dependencia de la frecuencia.

En sntesis, la tan de los materiales solidos es una

funcion de la estructura molecular del material, de su
homogeneidad y de su pureza, parametrizados por el
campo solicitante y la temperatura.

El modelo basico de la tan visto anteriormente,

recoge en buena medida los modos de polarizacion,
pero debe complementarse con una malla de descargas
parciales.
Figura 8.2: diagrama esquematico del espectro de re-
lajacion a escalon A manera de ejemplo, se resumira a continuacion
los mecanismos mas tipificados en algunos materiales
de uso frecuente.
Para solicitacion alterna, la polarizacion de orienta-
cion desaparece a frecuencias elevadas, lo que conlleva
valores de permitividad muy bajos. En la cercana
8.5.1. Polmeros
de 0 prevalece la polarizacion de orientacion, lo
que eleva la permitividad y el factor de perdidas del
En estado de alta pureza, el mecanismo fundamental
material (Figura 8.3).
de perdidas es por el roce intermolecular que genera la
orientacion dipolar a la frecuencia de la solicitacion.
En estado de contaminacion, el mecanismo es mayori-
tariamente de conduccion ionica.

La Figura 8.4 muestra la variacion con la tem-

peratura de la permitividad y el factor de perdidas
para el polietileno reticulado (XLPE), y el Etileno
propileno (EPR), materiales ampliamente empleados
en aislamiento de cables de alta tension.

La disminucion de r al aumentar la temperatura de

operacion se explica por una relajacion de la actividad
de polarizacion interfacial. Se observa que la presencia
del particulado de carga permite recuperar este efecto
en el caso del XLPE. Los puntos de inflexion que se
observan a los 110 se explican por el comienzo de la
fusion del material.
Figura 8.3: Espectro de relajacion de un material ba-
jo solicitacion alterna La tan del XLPE sin carga, a frecuencia indus-
trial, muestra un claro punto de relajacion a los 120 ,
producto del cambio cristalino por fusion, que atenua
la ionizacion intermolecular (Pa ).

8.5. Mecanismos de perdidas La absorcion de humedad en estos materiales pro-

dielectricas voca un aumento de r por polarizacion interfacial
(solidoagua) as como un crecimiento de la tan por
En dielectricos solidos, las perdidas no solo depen- un aumento de la conductividad a traves de las impu-
den de la polarizacion, sino de fenomenos de ionizacion rezas del agua.
62 Captulo 8

Figura 8.4: Espectro de temperatura para r y tan en el XLPE y EPR

8.5.2. Ceramicas y vidrios Al aplicar campo electrico a un elemento solido, se

generan los siguientes mecanismos de conduccion, ori-
Basicamente, estos materiales presentan un meca- ginando calor de disipacion:
nismo de perdidas por conduccion ionica y electronica.
Desplazamiento de portadores
Las ceramicas son fases reunidas por procesos de
Inyeccion de carga electrica desde electrodos
termosinterizacion. Si se introducen cargas, las impu-
rezas de estas elevan considerablemente las perdidas Avalanchas intermedias
por ionizacion.
Acumulacion de carga espacial
Los vidrios llamados al Borosilicato son combina- La conduccion puede conducir a una ruptura no re-
ciones de oxidos (SiO2 B2 O3 P2 O5 ), en estructuras generativa, dependiendo del tiempo de aplicacion de
abiertas, que permiten abundante migracion ionica. Si la solicitacion electrica, segun alguno de los siguientes
se introduce una fase alcalina (NaO), se denominan mecanismos:
vidrios alcalinos , donde predomina el mecanismo de
conduccion electronica. Avalanchas electronicas
Ruptura termica

8.6. Mecanismos de ruptura Ruptura electromecanica (erosion por descargas

parciales).
dielectrica en solidos
La Figura 8.5 esquematiza esta secuencia de meca-
Desde el punto de vista de la estructura molecular, nismos, segun la duracion de la solicitacion.
los solidos pueden ser:

Cristalinos:
8.6.1. Ruptura intrnseca
poseen estructuras cristalinas regulares
En materiales puros y homogeneos, bajo solicitacion
Amorfos: de campo ultra-rapida, la aceleracion electronica pro-
carecen de regularidad voca deformacion de la estructura cristalina y da ori-
Captulo 8 63

avalancha sostenida, de donde se puede definir la ioni-

zacion crtica c :

40
c = [colisiones/cm] (8.4)
d

siendo
d = espesor del material.
En general, es una funcion del campo solicitante,
pudiendo postularse una funcionalidad del tipo:

= A eB/E (8.5)

siendo
Figura 8.5: Variacion de la rigidez dielectrica segun la AyB : Constantes experimentales.
duracion de la solicitacion E = solicitacion de campo electrico.
La ionizacion diferencial se ve disminuida por la
gen al mecanismo llamado de ruptura intrnseca, que energa de barrera, , que opera por los electrones que
se esquematiza como sigue: escapan del catodo. Entonces, la magnitud del frente
de avalancha se puede expresar por:
Las bandas de valencia y de conduccion estan
inicialmente separadas por un fuerte escalon
2 3/2
energetico. J = k1 E exp d k2 (8.6)
E
Las imperfecciones e impurezas atrapan electrones
Finalmente, para la condicion de avalancha, se re-
La agitacion termica impulsa electrones a la banda
quiere:
de conduccion, donde son acelerados bajo la accion 3/2
del campo.
d = k2 (8.7)
E
Cuando la energa de los electrones supera las
perdidas de roce, se produce la avalancha de rup- De donde se puede calcular la magnitud de la solici-
tura. tacion requerida para la avalancha:

8.6.2. Ruptura termo-electronica

3/2
ED = k2 (8.8)
En solidos amorfos, la cantidad de electrones d
atrapados en los pozos de las asimetras es mayor que
en el caso de los materiales cristalinos, y gana energa La principal conclusion de esta teora es que ED
cinetica desde el campo electrico hasta adquirir una 1/d , esto es que la rigidez dielectrica de un solido es
temperatura mayor que la de la red, siendo finalmente inversamente proporcional a su espesor. Experimental-
transferidos a las bandas de conduccion. mente, esto se cumple con buena precision par solici-
taciones muy rapidas.

8.6.3. Ruptura de avalancha 8.6.4. Ruptura termica

Este mecanismo es similar a los descritos por
la teora de Townsend para gases dielectricos, en
que basicamente los electrones son acelerados hasta
obtener energa cinetica de ionizacion por choques
inelasticos.
La Figura 8.6 muestra un modelo general para el
analisis de la transmision de calor en un volumen soli-
do:
El calor de ingreso a la superficie 1 es:

Se ha demostrado experimentalmente que se requie- dT

1 = k A (8.9)
re alrededor de 40 pasos de multiplicacion para una dx
64 Captulo 8

Y si se modela la solicitacion por una funcion rampa:

ED
E(t) = t (8.14)
tD

Y siendo:

W
= 0 exp (8.15)
kb T

con:
kb = constante de Boltzman
Figura 8.6: Flujos termicos en un volumen unitario 0 = conductividad a temperatura ambiente, T0
W = energa de barrera

El calor egresado desde la superficie 2 es: Entonces:

ED TD
dT d dT tD 0 2 W
2 = k A +kA x (8.10) E dE = exp dT (8.16)
dx dx dx 0 ED Cv T0 kb T

siendo Resulta finalmente

k = conductividad termica del material.

Entonces el flujo neto de calor que aporta el solido 3Cv kb T02 W
ED = exp (8.17)
por unidad de volumen es: 0 W tD 2kb T0

d dT Esto dice que el producto ED tD es constante. Cuan-
= k = div (k T ) (8.11)
dx dx to mas rapida la rampa de solicitacion, tanto mayor
solicitacion de requiere para la ruptura.
En una condicion de equilibrio electro-termico, se
cumple:
8.6.4.2. Ruptura termica estacionaria
calor generado = calor absorbido+calor difundido

Y por unidad de volumen:

dT
E 2 = Cv + div (k T ) (8.12)
dt
siendo
Cv = coeficiente de absorcion termica volumetri-
ca.
La predominancia de los terminos de absorcion o di-
fusion depende de la velocidad de la solicitacion, lo
que permite distinguir entre los modelos a impulso y a
condicion estacionaria.

8.6.4.1. Ruptura termica a impulso

Para un flujo termico muy rapido, se puede despre- Figura 8.7: Modelo para solicitacion termica estacio-
ciar el calor de difusion, entonces: naria

dT dT dE Consideremos un modulo de analisis centrado

E 2 = Cv = Cv (8.13)
dt dE dt entre grandes electrodos, como el de la Figura 8.7,que
Captulo 8 65

operan como extractores de calor absorbido por el soli-

do. Entonces el termino de absorcion es despreciable y:

E 2 = div(kT ) (8.18)
Siendo E = J y E = dV /dx, entonces:

dV d dT
J =k (8.19)
dx dx dx

Integrando a ambos lados:

Vx x
d dT
J dV = k dx (8.20)
0 0 dx dx

Se puede considerar tres casos:

Figura 8.8: Modelo de analisis con evacuacion radial
Dielectrico grueso de calor
La maxima temperatura se ubica en el centro del
modulo, entonces para la condicion crtica:
La potencia termica generada en el canal es:
Vb
V = , T = Ti = TD (8.21)
2
r2 r2
Y resulta: P = V 2 =V2 0 eT (8.24)
d d
V /2 T
V 2 b k
= dT (8.22) donde:
2
Ti = 0 eT = conductividad del medio aislante
s
T
k El calor radiado por las paredes del canal es pro-
Vb = 8 dT (8.23) porcional a la superficie de este y a la diferencia de
Ti
temperatura enter el canal y el ambiente:
Se concluye que la tension de ruptura termica para
espesores mayors no depende de la geometra involu- PR = 2r d k (8.25)
crada, pro si fuertemente de la temperatura de opera-
cion. Se sabe que a mayor temperatura, tanto menor es donde:
la vida util de los dielectricos solidos. La Ley de Arreh- k = conductividad termica del material
nius senala que por cada 10 C de sobretemperatura en = diferencia de temperatura
relacion a la clase termica del material, la vida util del
De la Figura 8.9 se observa que para una tension
sistema dielectrico se disminuye a la mitad. Una mane-
dada V2 y una determinada conductividad termica k1
ra de compensar esto es disminuyendo la conductividad
(factor de refrigeracion), se establece un proceso de
electrica o aumentando la conductividad termica k.
calentamiento estable a la temperatura 1 . Si la ten-
sion aumenta a un valor V1 , y la refrigeracion empeora
Dielectrico fino a una conductividad k2 , el proceso de calentamiento
Como modelo de analisis consideremos un canal fino se hace incontrolado.
de alta concentracion termica que irradia su calor en
forma radial al volumen dielectrico, como se muestra
En un caso particular de V1 y k1 se establece un
en la Figura 8.8, donde:
equilibrio crtico a la temperatura c . En este caso se
r = radio del canal emisor cumple simultaneamente:
d = altura del canal = separacion de electrodos
(Se asume que el radio del canal crece proporcional- P = PR (8.26)
mente con la distancia entre electrodos) P PR
= (8.27)

66 Captulo 8

Potencia trmica
P (V )
1 1
P (K )
R1 1

P2(V2)

P =PR
PR2(K2)

T1 T Temperatura
C

Figura 8.9: Funciones de potencia termica generada y radiada

Ademas: con la raz cuadrada del espesor del material.

Esta ley se cumple con buena aproximacion en es-

P
= P (8.28) pesores del orden de los mm y bajo solicitacion cuasi-
homogenea.
PR PR
= (8.29)
c
Dielectrico extra fino
Resulta: En dielectricos muy delgados, la distribucion de los
puntos de concentracion termica es aleatoria, segun las
1 inhomogeneidades, configurandose los denominados fi-
c = (8.30) lamentos de conduccion. Este mecanismo de ruptura

es por ello llamado filamentario, y se puede demostrar
siendo: que el radio del canal o filamento es proporcional a la
= coeficiente de variacion termica de la con- raz cuadrada del tiempo de ruptura.
ductividad.
Entonces se puede calcular la tension lmite con que 8.6.5. Ruptura electro-mecanica
se puede solicitar el material bajo equilibrio termico:
Las solicitaciones muy elevadas originan fuerzas de
s compresion electrostaticas, fenomeno conocido como
2k electro-estriccion.
VD = d (8.31)
r e 0
La presion electrica se expresa por:
Y bajo la hipotesis que el radio del canal es propor-
cional a la distancia entre electrodos, se concluye que:
F 1 V E2
= E dq = 0 r dv = 0 r (8.33)
s A A d2 2
2k
VD = d (8.32) La presion mecanica que se obtiene al comprimir un
r e 0
especimen de espesor original d0 es:
Esta relacion indica que la tension de ruptura
termica, es decir, la tension crtica que conduce a un d0
P = Y ln (8.34)
calentamiento inestable, aumenta proporcionalmente d
Captulo 8 67

siendo:
Y = modulo de young del material
d = espesor final
La inestabilidad ocurre cuando d0 /d 0,6. Enton-
ces:
r
V Y
ED = = 0, 6 (8.35)
d0 0 r
Este modelo no considera la deformacion plastica,
por lo que no es exactamente real. Una teora reciente
conocida como cracking filantentario postula un
modelo mejorado que considera la tenacidad plastica
del material. Se basa en la evidencia de grietas o
filamentos en forma de pequenos canales cilndricos
que acompanan este tipo de ruptura. Entonces:
1/4
16 G Y
ED = (8.36)
(0 r )2 rf

siendo:
G = tenacidad plastica
rf = radio del filamento
Se observa que ED Y 0,25

Para el XLPE: rf < 10 m, G > 6500 J/m2 e

Y = 3 107 Pa. La Figura 8.10 muestra resultados
experimentales para este material.

Figura 8.10: Ruptura del XPLE por electro-estriccion

68 Captulo 8
Captulo 9

Dielectricos solidos de aplicacion

industrial

9.1. Materiales Dielectricos

Inorganicos
Se pueden clasificar en dos grandes grupos:

a) Materiales naturales : mica, asbesto, petreos

b) Materiales derivados de productos naturales :

vidrios-ceramicas

Con estos materiales se puede fabricar cintas y placas

para aplicaciones diversas, en general de clase termica
elevada (B o superior).

9.1.1. Mica
La Mica es apreciada por la excelente estabilidad
termica de sus propiedades dielectricas y por su
estructura fsica foliable hasta decimas de micron,
conservado sus propiedades bajo ciertas condiciones.

Esta caracterstica de foliacion hace que la mica

y sus derivados sean resistentes en dos direcciones
geometricas y debiles en la tercera dimension paralela Figura 9.1: Modelo estructural de la moscovita.
a los ejes de foliacion.

Existen dos tipos de minerales de mica de interes

Esferas Elemento
electrico, llamados, moscovita y flogopita. Las micas
Grandes y negras Potasio
de mejor calidad se obtienen en India. La estructura
Grandes y rojas Oxgeno
fsica de la moscovita consiste en capas de atomos
Pequenas y negras Silicio
de oxgeno agrupados alrededor de atomos de silicio,
Pequenas y verdes Aluminio
aluminio u otros atomos metalicos. Estas capas se
aglomeran debilmente entre si a traves de atomos Tabla 9.1: Explicacion de la Figura 9.1
de potasio. La Figura 9.1 muestra un modelo de
la estructura indicada. La estabilidad termica de la
moscovita alcanza hasta los 600 C. La flogopita es similar, pero los atomos de aluminio
son reemplazados por magnesio, y su estabilidad

69
70
termica alcanza a los 800 C.
La estabilidad termica se quiebra cuando por efecto
del calor, la humedad presente en la estructura(grupos
OH), se evapora, desintegrando el material.
La moscovita presenta factor de perdidas del orden
de 104 en un rango de frecuencia de MHz, a tem-
peratura ambiente. Sobre los 200 C, la tan crece
rapidamente. Su permitividad esta en el rango 5,5 a 7
y su rigidez dielectrica para espesores de decimas de
mm, esta en el orden de 105 V/mm.
Desde el punto de vista dielectrico, la caracterstica
mas apreciada de la Mica es su resistencia a las
descargas parciales, que es superior a la de cualquier
otro material flexible.
Se ha desarrollado Mica sintetica, imitando el mo-
delo natural, y eliminando los grupos OH para darle
mayor estabilidad termica. Su costo no puede competir
con la Mica natural.
9.1.1.1. Pliegos y Cintas de Mica
La Mica en su forma natural se puede conseguir
en superficies pequenas (algunos centmetros). E1
modo usual de aplicacion es por una re-foliacion de
las escamas, aglomerandolas mediante resinas, para
conformar pliegos de espesor variable entre 50 m a
0,25 mm.
La resina elegida dependera de las propiedades
mecanicas esperadas en el pliego (flexibilidad, rigidez,
dureza), y de sus tolerancias termicas (resinas fenoli-
cas, epoxicas o siliconas).
El proceso de des-foliacion es muy delicado, pues se
debe conseguir una separacion natural de las escamas,
sin dobleces que desfiguren su estructura. Para ello se
sigue los siguientes pasos:
1. Calentamiento sobre 800 C para provocar la de-
sintegracion por vaporizacion.
2. Temperar en agua.
3. Desfoliacion por medios mecanicos o hidraulicos.
4. Tamizar por diversos calibres.
9.1.1.2. Aplicaciones:
Entre las aplicaciones mas notables de los productos
de Mica, se pueden mencionar:
Captulo 9
Aislacion de segmentos de conmutadores. En es-
te caso es deseable una mnima cantidad de aglo-
merante, ya que estos elementos reciben fuertes
solicitaciones de arco, que solo es resistido por la
mica. (Micanita blanca, 3 %).
Calefactores electricos de uso domestico (tostado-
res, hervidores, planchas). Se combina con fibra de
vidrio o resinas de silicona para aplicaciones hasta
400 C.
Soportes de mica vidriada, se aglomera polvo de
mica con vidrio de boro-silicato, a temperatu-
ras sobre 600 C. El producto tiene propiedades
ceramicas.
Aislacion principal de estatores de maquinas de
alta tension. La mica aplicada en forma de cintas
o mantos flexibles, y reforzada por resinas que cu-
ran termicamente, sigue siendo la forma ideal de
construccion de estas aislaciones, tanto por su ca-
pacidad termica (B o F), como por sus resistencia
a las descargas.
Condensadores de baja tension y alta frecuencia.
9.1.2. Asbesto
Los asbestos son minerales fibrosos con estructuras
cristalinas anulares, consistentes en cadenas de silica-
tos y otros oxidos metalicos. El ejemplo mas comun es
la Crysotila, cuya estructura global se representa por
Mg6 Si4 O10 (OH)8 . Otro ejemplo es la Amosita cuya
estructura global es R6 (Si, Al)7 O22 (OH)2, donde R
puede ser Ca, Na, Mn, Fe, Mg.
Las fibras de Crysotila son muy adecuadas para
formar tejidos, tienen hasta 2 cm de largo y diametro
del orden de 20 nm, es decir una estructura cuyo largo
es 1 millon de veces su diametro.
Los principales minerales de asbesto se encuentran
en Sudafrica y Canada. Con la fibra refinada, se
ejecutan toda suerte de tejidos y cuerdas. Para usos
electricos es importante que sea purificada de todo
rastro de fierro.
La estabilidad termica de la Crysotila se mantiene
hasta los 300 C 450 C, y la desintegracion opera
por evaporacion de los radicales OH. La amosita es
estable a temperaturas algo mayores.
Las perdidas dielectricas son elevadas en estos mate-
riales, y sus aplicaciones se limitan a bajas tensiones.
Ademas son propensas a la absorcion de humedad. En
Captulo 9 71

trabajos de alta temperatura son irremplazables, sobre

todo bajo actividad de arco electrico. Las aplicaciones
mas notables de los asbestos son:

revestimiento de hornos

transformadores clase H

calefactores domesticos (sellados)

trajes de incendio
Figura 9.2: Factor de perdidas en el vidrio.
soldadoras al arco

9.1.3. Vidrio Los aisladores de vidrio alcalino adolecen de elevada

conductividad y debil estabilidad superficial.
El vidrio es una estructura amorfa, esto es un
ordenamiento regular de planos atomicos que mantie-
El llamado vidrio al Boro-silicato, o vidrio libre de
nen espaciamientos claramente definidos. Adolece de
alcali, tiene una composicion como sigue:
formas micro-cristalinas.

Las componentes del vidrio sin embargo son oxidos SiO2 82 %

con estructuras cristalinas propias, que al combinarse
B2 O3 13 %
en proporciones muy precisas generan la estructura
amorfa. Los oxidos que cumplen las condiciones K2 O 4 %
vitrificables son: CaO 1 %

Este vidrio mejora notablemente el comportamiento

Oxido de silicio (SiO2 ) dielectrico, y se observa que por la eliminacion del ion
Na+ y la disminucion del ion Ca+ disminuye la con-
Oxido de boro(B2 O3 ) ductividad y el factor de perdidas (Figura 9.2).
Pentoxido de fosforo (P2 O5 )
Los vidrios empleados en aisladores se someten a
Oxido de arsenico (A2 O5 ) un proceso de temple para hacerlos mas resistentes
mecanicamente. Para ello se les somete a un calenta-
Oxido de germanio (GeO2 ) miento de unos 700 C y se enfran luego con corrientes
de aire. De este modo el vidrio queda sometido a una
Tambien otros oxidos pueden participar de la traccion interna y a una compresion externa. Los ais-
estructura amorfa, pero solo como acompanantes, ya ladores de vidrio tienen excelente resistencia al arco.
que por si solos no cumplen con los requerimientos.
Por ejemplo, el oxido de aluminio (Al2 O3 ), el oxido de 9.1.3.1. Fibra de Vidrio
Bario (BaO) y otros. Estos agregados, conocidos como
impurezas modifican las propiedades dielectricas o Una de las aplicaciones mas importantes del vidrio
qumicas del vidrio. La mayor parte de los vidrios de en la tecnica de aislaciones, es su uso como fibra
uso industrial se fabrican en base a Silica (SiO2 ) y o mat. Para ello se emplea vidrio no alcalino, de
Cuarzo. aluminio-borosilicato, cuya composicion tpica es:
(Vidrio E)
Una composicion tpica de vidrio alcalino es la si-
guiente:
SiO2 56 %
SiO2 75 % Al2 O3 16 %
Na2 O 13 % CaO 16 %
K2 O 2% B 2 O3 10 %
CaO 10 % MgO 2%
72 Captulo 9

O bien vidrio no alcalino-aluminio, con composicion: Esteatitas

(vidrio S) con mejor resistencia al arco electrico y aplicadas
en aislacion de alta frecuencia.

SiO2 65 % Para la ceramica dura, las materias primas son

Al2 O3 25 % Cuarzo (SiO2 ), Feldespato (Silicato de aluminio
alcalino) y Oxidos (Caolina o Silicato de aluminio).
MgO 10 %
Para la esteatita, los oxidos son aportados por el
Las fibras tienen diametros entre 4 y 10 m, y talco o silicato de magnesio.
permitividad del orden de 5 a 6.
El producto sintetizado contiene dos fases crista-
La telas de fibra de vidrio son termicamente estables linas: Al6 Si2 O13 y cristales de cuarzo no solubles,
a temperaturas superiores a los 300 C. Tratadas con empotrados en una fase de vidrio que resulta del
resinas de clase adecuada son empleadas como primera feldespato fundido.
aislacion en devanados de maquinas rotatorias de gran
potencia. La calidad de la impregnacion debe ser alta, Las propiedades mas sobresalientes de la porcelana
para evitar las descargas en la porosidad propia de la son de ndole mecanica, Tabla 9.2. Estas propiedades se
fibra. mantienen en piezas de diferentes formas y volumenes,
condicion que hace de la ceramica uno de los elementos
aislantes mas usados en la Electrotecnia.
9.1.4. Ceramicas
A diferencia del vidrio al que puede darse forma
por soplado, moldeado o presion, las ceramicas se Resistencia en kg/cm2
forman por un complejo proceso termico y mecanico. Material Traccion Compresion
A consecuencia de ello, su estructura es heterogenea, Ceramica Dura 300. . . 500 4000. . . 5000
presentando dos o mas fases solidas, con densidad Ceramica Esteatita 600. . . 1000 8500. . . 10000
irregular, conteniendo vacuolas y con terminacion Fierro de fundicion 1200 6000
superficial permeable. Ello exige un proceso de vitrifi-
Tabla 9.2: Propiedades mecanicas de la porcelana.
cacion para hacerlas aptas para el uso electrico.

La ceramica se forma de la mezcla y fusion de

La Figura 9.3 muestra la influencia de las compo-
materias primas finamente molidas, a temperaturas
nentes en las propiedades de la porcelana.
del orden de 1400 C, durante unas 50 horas continuas.
Esta condicion es preponderante desde el punto
En valores medios, las propiedades electricas de la
de vista economico, pues el costo de la ceramica
porcelana son las que se muestran en la Tabla 9.3.
esta directamente asociado a la energa requerida para
su formacion.
La resistividad volumetrica disminuye fuertemente
para temperaturas sobre los 100 C, como se muestra
El proceso de esmaltado requiere un nuevo ca-
en la Figura 9.4. Esto implica un aumento sustancial
lentamiento de las piezas, para fundir el esmalte
de la tan , por lo que se recomienda la porcelana co-
pulverizado que se aplica a las superficies. El espesor
mo aislante de clase efectiva B, aunque su tolerancia
del esmaltado modifica el comportamiento de la
termica esta en la clase C.
ceramica, en especial su resistencia al arco y su com-
patibilidad con ambientes contaminantes agresivos. Propiedad Valor
Rigidez dielectrica 200. . . 400 kV/cm
Para uso electrico se maneja fundamentalmente dos transversal
modalidades: Permitividad relativa 6. . . 7
tan a 50Hz y 20 C 170. . . 250104 (dura)
10. . . 30104 (esteatita)
Ceramicas duras
que se emplean en aisladores de lneas de alta ten- Tabla 9.3: Propiedades electricas de la porcelana
sion y bushings.
Captulo 9 73

Figura 9.3: Ubicacion de algunas propiedades de la

porcelana en un diagrama arcillacuarzo
feldespato.

12
10
Porcelana
11
Esteatita
10

10
10

9
Resistividad, cm

10

8
10

7
10

6
10

5
10

4
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Temperatura, C

Figura 9.4: Variacion de la resistividad con la temperatura.

74
Existen ceramicas especiales para aplicaciones
particulares en Electrotecnia:
Ceramicas al Rutilo (oxido de Titanio):
por su alta permitividad ( 100), su baja tan
( 10 104 ) y su estabilidad en frecuencia, se les
emplea en la fabricacion de condensadores.
Ceramica de corundo:
(Al2 O3 ), cuya temperatura de fusion es de
1800 C, se emplean en la fabricacion de bujas,
que deben considerar condiciones de trabajo con
elevada solicitacion termica y electrica.
9.2. Materiales Dielectricos
Organicos
9.2.1. Barnices y Resinas
Una gran variedad de aislantes solidos se aplican a
partir de formas liquidas o componentes en gel, que
por un proceso de evaporacion de solvente o curado
termico o natural, encuentran su endurecimiento
definitivo.
Tales materiales son indispensables para la aislacion
de conductores magneticos o la impregnacion de cintas
y mats, as como en la proteccion final de bobinas o
devanados completos.
Se puede agrupar en dos familias estos materiales:
Resinas naturales
Resinas sinteticas
9.2.1.1. Resinas naturales
Se obtienen de las secreciones de especies arboreas,
que en contacto con el aire endurecen. Son solubles
en solventes organicos (alcoholes, parafinas), pero
insolubles en agua y resistentes al vapor. De ah su
adecuada aplicacion como impregnante.
La mas comun y barata de las resinas es el co-
lofon destilado de la resina de diversas variedades
de conferas. Esta resina funde a 80 C. Es un buen
impregnante del papel en combinacion con aceite
mineral. Su aplicacion es en bajas tensiones.
Otras resinas naturales son el copal y el damar,
productos de arboles del tropico africano y Malasia.
Captulo 9
Son la materia prima de barnices al alcohol.
La laca (shellac) es la secrecion del insecto de la
laca, que se reproduce en algunos arboles nativos de
la India, mezclando la resina con la suya propia. Su
conformacion qumica es indefinida, y sus aplicaciones
se basan en su excelente dureza, adhesion y resistencia
al agua. Es uno de los aglomerantes empleados para
la refoliacion de la Mica, aplicada en maquinas de alta
tension y en separadores de conmutadores.
La Tabla 9.4 muestra algunas propiedades de la laca
y sus aplicaciones derivadas:
9.2.1.2. Resinas sinteticas
Hay tres caminos para la formacion de macro
estructuras qumicas (sintetizacion):
Policondensacion:
distintos grupos con capacidad de reaccion son
unidos por calor y la accion de catalizadores, de-
biendo extraerse los subproductos, especialmente
el agua. Ejemplos : melamina, poliester, nylon, si-
licona.
Poliadicion:
similar a la policondensacion, pero sin subproduc-
to de reaccion. Ejemplo: resina epoxica.
Polimerizacion:
estructuras simples (monomeros) se unen en cade-
nas sin cambiar su composicion y sin segregacion
de subproductos. Ejemplos: polietileno, teflon, po-
liacrlicos, PVC.
Las macromoleculas pueden tener formas de cadenas
lineales o de redes planas o espaciales. Segun esta
forma, las propiedades mecanicas del material, como
dureza tenacidad, y el comportamiento dielectrico
varan fuertemente.
Desde el punto de vista termico, los productos sin-
tetizados se pueden agrupar en dos familias:
Termoplasticos:
son estructuras de cadenas lineales, solidas a ba-
jas temperaturas, pero que plastifican con calor,
tomando una forma pastosa. Este estado es rever-
sible, lo que se aprovecha para la manufactura de
sus aplicaciones. Los procesos son por inyeccion.
Ejemplo: PVC.
Duroplasticos:
son estructuras lineales, que por calentamiento se
vuelven plasticas, pero en ese proceso modifican
Captulo 9
Material ED kV/cm Permitividad r
Laca 1000. . . 2000 3. . . 5
Lacaaceite 600. . . 1200 3. . . 5
Seda 50. . . 90 3. . . 5
Tabla 9.4: Propiedades de la laca
sus estructura espacial conformando redes super-
puestas, por lo que el proceso no es reversible.
Ejemplo: polietileno.
Resinas policondensadas
Las principales resinas policondensadas son:
a) Resinas fenolicas:
Su estructura se basa en el fenol, que reacciona
con formaldehido, en presencia de catalizadores y
en caliente. Su aplicacion es como aglomerante en
fibras de celulosa, asbesto, fibra de vidrio, madera,
etc., as como en barniz de alambre magnetico.
La temperatura de trabajo esta en el rango 105
130 C (clase B). Son sensibles al agrietamiento
(tracking), especialmente en sus aplicaciones con
papel (papel baquelizado, presspan). Se puede me-
jorar con recubrimiento de barniz de alta dureza.
Se aplican en motores clase A, y son aptas para
ambientes qumicos agresivos. Son indispensables
en la fabricacion de tubos de papel y bushings de
uso interior.
b) Resinas poliester:
Son resinas que se forman por la policondensacion
lineal de alcoholes y acidos, en una estructura re-
ticulada tridimensional.
Se aplican en la preparacion de barnices, resinas
aglomerantes y resinas de impregnacion. Un uso
clasico es su aplicacion a estructuras de fibra de
vidrio (cintas, mats). Su curado es por tempera-
tura en espacios abiertos, y puede ser aplicada en
vaco sobre encintados de mica o fibra de vidrio.
Son compatibles con la mayor parte de los barni-
ces de conductores.
c) Resinas poliamidas alkylicas:
Esta familia de resinas son conocidas como Nylon,
destacables por sus propiedades de alta resisten-
cia mecanica a la abrasion, pero no tienen muchas
aplicaciones electricas pues estan limitadas a la
clase A y son severamente afectadas por la hume-
dad atmosferica. Se emplean como recubrimiento
de cables o en alambres de baja tension.
75
tan Clase Termica
100 103 E
50 . . . 200 103 E
10 103 A
d) Resinas poliamidas aromaticas:
Estas resinas incorporan estructuras cclicas (di-
fenilos) lo que mejora sus propiedades mecanicas
y las hace mas estables a la temperatura (180 C)
y a la humedad. Son aplicadas en forma de cintas
o mats combinados con poliester en aislaciones de
ranura para motores clase F (155 C), y en trans-
formadores secos que trabajan a temperatura ele-
vada. Estan limitadas por su elevada tan .
Mediante reacciones qumicas complejas es posible
obtener estados policondensados intermedios, que
permiten la formacion de pelculas con espesores
en el orden de 25 m.
Las polimidas son estables hasta 250 C, tolerando
temperaturas crticas de 400 C por algunas horas.
Son retardantes a la llama, pero por su elevada
absorcion de humedad (3 % o mas) no son reco-
mendables en aplicaciones que impliquen aceite o
papel. Se emplean en recubrimiento de conduc-
tores y barnices clase C para transformadores o
maquinas rotatorias clase H.
e) Resinas de silicona:
Estas resinas se caracterizan por su estabilidad
termica, producto de incorporar atomos de silicio
en las cadenas organicas. Son tpicamente clase H.
Tienen baja absorcion de humedad (0,1 a 0,2 %).
Resisten el aceite mineral, acidos debiles y ozono.
Resinas de poliadicion (epoxicas)
Las resinas epoxicas, llamadas tambien de dos com-
ponentes, deben su nombre al grupo epoxico que
conforma una de sus componentes:
Figura 9.5: Grupo epoxico.
Sus propiedades mas sobresalientes son su facilidad
de moldeo, su capacidad de mezclarse con otros
materiales sin segregacion de subproductos, su poder
76
Permitividad
Resinas relativa r
Fenolicas 4. . . 5
Poliester 3. . . 6
Poliamidas Alklicas
Poliamidas aromaticas a 25 C,1kHz 3,5
de silicona a 25 C,1kHz 3,8
de silicona a 100 C,1kHz
Tabla 9.5: Resumen de propiedades para resinas policondensadas.
adhesivo y su elevada resistencia a la corriente super-
ficial y a la humedad.
Son estables hasta 250 C. Su permitividad esta en
el rango 3,5 5 y la tan en el rango 5 30 103
a temperatura ambiente y en un amplio rango de
frecuencias.
Para el curado definitivo se emplean tratamientos
termicos a temperaturas de 180 C. Mientras no se
alcance este estado, la resina se mantiene flexible, lo
que facilita su incorporacion como impregnante en
tejidos (fibra de vidrio o mica). Todos los elementos
que se encapsulan en resina epoxica deben ser secados
al vaco previamente. Para piezas de gran tamano se
emplea algun material de relleno, basicamente cuarzo,
conservandose en general todas las propiedades de la
resina.
Resinas epoxicas de curado al ambiente son de bajas
cualidades termicas y electricas.
Resinas de polimerizacion
a) Polietileno:
Es un polimero del etileno
Figura 9.6: Polietileno.
b) Polietileno de baja densidad:
Se forma a 400 C, 1500 atm, con oxgeno como
catalizador. Su estabilidad termica esta entre 50
y 100 C y posee baja absorcion de humedad (<
0,1 %). Es resistente a acidos y alkalis.
Captulo 9
Rigidez Estabilidad
tan Dielectrica kV/cm Termica C
50. . . 100 103
10. . . 50 103 120. . . 180 hasta155
> 3 103
5 103
3 103
Propiedad Valor
Permitividad 2,3
tan < 0, 5 103
Temperatura de trabajo hasta 90 C (Clase A)
Cristalinidad 5060 %
Tabla 9.6: Propiedades del P.E. de baja densidad
El polietileno de baja densidad es sensible a la
radiacion solar y para su uso en exteriores debe
ser cargado son negro de humo (2-3 %).
c) Polietileno de alta densidad:
Es un material de mayor peso molecular formado
a partir de polietileno mediante un proceso de ca-
talizacion. Su cristalinidad alcanza un 90 %, lo que
le confiere mayor estabilidad mecanica y termica.
d) Polietileno reticulado(XLPE):
Mediante un proceso termico aplicado durante
la estrusion del material sobre los conductores
electricos, se puede lograr la polimerizacion trans-
versal del P.E., condicion en la cual se hace mas
resistente a las descargas parciales.
Los cables de alta tension, hasta 69 kV, se di-
senan con solicitaciones maximas del orden de
2,5 kV/mm. Para disminuir las irregularidades
y homogenizar el campo electrico solicitante, el
dielectrico debe instalarse entre pelculas semicon-
ductoras, las que se estrusionan conjuntamente
con el P.E.
e) Polipropileno:
Este polmero se sintetiza de manera similar al
P.E., a partir del propileno. Sus caractersticas son
similares a las del P.E.
Es susceptible a la degradacion por radiacion UV.,
lo que limita sus aplicaciones, por los antioxidan-
tes que requiere para su estabilidad. Su mejor pro-
piedad es la elasticidad, que se aprovecha en la
fabricacion de cintas y pliegos.
Captulo 9
(a) Propileno
(b) Polipropileno
Figura 9.7: Formacion del polipropileno.
Una excelente aplicacion de este material es su
combinacion copolimerica con el PE, para la go-
ma PE/PP, conocida como EPR (60 % PE, 40 %
PP). Sus propiedades elasticas son apreciadas en
la fabricacion de cables de alto trafico, hasta clase
15 kV.
f) Poliestireno:
h) Cloruro de polivinilo (PVC):
Es un material sintetizado a partir del vinil
benceno Fig 9.8 . Con la estructura final de la
Fig 9.9.
Figura 9.8: vinilbenceno.
Figura 9.11: Estructura final del cloruro de polivinilo
Figura 9.9: Estructura final del poliestireno.
Se aplica en condensadores, como cinta flexible
metalizada por ambas caras, con temperaturas
lmites de 70 75 C. Combinado con fibra de vi-
drio forma la conocida placa para circuitos impre-
sos de uso electronico.
Tiene muy baja absorcion de humedad (<
0, 03 %), su permitividad es 2,5, y es estable en
frecuencia.
g) Politetrafluoretileno (teflon):
77
Se obtiene por polimerizacion del gas C2 F4 (tetra-
fluoretileno). Su estructura es muy homogenea y
estable qumica y mecanicamente:
Figura 9.10: Tefon.
Sus propiedades mecanicas son muy apreciadas, y
electricamente se emplea en cables de baja ten-
sion para ambientes agresivos (humedad, acidez,
calor, llama), en alambres magneticos para am-
bientes termicos.
Tambien se aplica en placa de circuito impresos,
combinado con fibra de vidrio.
Se forma del monomero cloruro de vinilo, origina-
do de agregar HCl al acetileno C2 H2 . Su estructu-
ra final es la de la Fig 9.11.
(PVC).
Para uso a temperatura ambiente, el PVC necesita
un plastificante, cuyas moleculas se introducen en-
tre las uniones inter-cadenas de la macromolecula,
aumentando su flexibilidad.
Su aplicacion es en aislacion de conductores de ba-
ja tension. Es resistente a la agregacion qumica, al
ozono y a la humedad. Su temperatura de trabajo
esta limitada a 80 C. Para temperaturas mayores,
la permitividad y la tan se disparan, provocando
efectos capacitivos indeseables entre los conducto-
res, y corrientes de fuga no despreciables.
i) Poli-metil-metacrilato (acrlico):
Es una resina resistente al agua y de excelente
terminacion superficial, lo que la ha popularizado
como moldante en estructuras a la vista. Tiene ele-
vada resistencia a corrientes de fuga y a la agresion
ambiental. Se aplica en forma de placas o tubos.
(Plexiglass).
78
(a) Variacion de la permitividad
(b) tan
Figura 9.12: Principales caractersticas del PVC.
Propiedad Valor
Permitividad 3,6
tan 20 . . . 70 103
Temperatura lmite 80 C
Tabla 9.7: Propiedades del acrlico.
j) Polietileno tereftalato (mylar):
Es una resina poliester, producto de la reaccion
del alcohol etileno glicol y el acido tereftalico.
Se le conoce comercialmente como Terilen, Meli-
nex o Mylar, o simplemente como Poliester. Co-
mo aislante electrico es estable hasta los 120 C. Es
absorbedor de humedad, por lo que se degrada en
ambiente libre. Conviene operarlo en aceite mine-
ral o silicona.
Aplicaciones en condensadores, (aunque de perdi-
Captulo 9
Propiedad Valor
Permitividad 3,2 (< 60 C)
tan 103 102
inestable en frecuencia
Tabla 9.8: Propiedades del mylar.
das altas), barreras termicas, cinta magnetica, pla-
cas en transformadores, cintas aislantes adhesivas,
aislacion de resinas en motores de baja tension.
k) Resinas de poliester reticulado:
Se obtienen por efecto de reacciones de resinas de
poliester no saturadas (mantienen enlaces dobles)
en ambientes acidos y de alcohol, y endurecen en
presencia de estabilizadores que se aplican in si-
tu, (estireno).
El catalizador actua como solvente y una vez cu-
rada la pieza, no es remitido al ambiente. De es-
te modo, la estructura es autocompactada y no
posee vacuolas, ademas de ser amigable para su
manufactura.
Su aplicacion electrica es en barnices de impreg-
nacion para devanados de alta tension, pues son
compatibles con todo tipo de cintas. La dificultad
radica en que su contacto con cobre metalico inhi-
be su curado y deben tomarse medidas especiales
para evitarlo.
Estas resinas aumentan su factor de perdidas con
la sobre-temperatura (> 20 C). Se recomiendan
para clase F (< 155 C).
Son resistentes a ambientes de hidrocarburos, pero
son sensibles a solventes polares, alcalis y acidos.
l) Resinas de poliuretano (isocianato):
Son resinas que incorporan el grupo isocianato:
Figura 9.13: Grupo isocianato. R: grupo o cadena
organica.
Sus propiedades de elasticidad y dureza los hacen
aplicables como barnices en conductores e impreg-
nantes de tejidos.
Su estabilidad termica alcanza los 150 C y com-
binado con fibra de vidrio forma un sistema clase
F (155 C). En conductores magneticos, su lmite
de aplicacion es de 120 C.
Captulo 9 79

Son resistentes a la humedad, pero se degradan El papel impregnado tiene como lmite termico el
al vapor o en condiciones de alta humedad y alta rango 100 110 C, por lo que su trabajo sostenido
temperatura. Tienen buena resistencia al aceite y no debe ser a mas de 70 80 C. Esto condiciona el
al ozono. diseno de los transformadores.
La tan a 50 Hz, 20 C, es del orden 102 , pero
crece rapidamente sobre los 80 C. El contenido de humedad altera sustancialmente la
resistividad del papel, como se observa en la Figu-
ra 9.14.
9.2.2. Derivados de Celulosa
El papel de celulosa es el material mas barato y
simple de aplicar en muchas soluciones de aislacion en
alta tension, combinandolo con impregnantes o resinas
aglomerantes.

La celulosa es una macro-molecula de unidades de

glucosa (poli-sacarido), de origen vegetal. La estruc-
tura es fibrosa con fibras de 1530 m de diametro y
120 mm de largo.

La celulosa de uso electrico se obtiene en pulpa

de madera de pino, que es hervida en una solucion
alcalina, (soda caustica). El producto debe ser puro,
libre de resinas, lgninas y residuos alcalinos, lo que
se consigue despues de sucesivos lavados. Se aprecia
igualmente la resistencia mecanica, la densidad, la
impermeabilidad, la porosidad y la uniformidad. Su
permitividad es del orden de 6.
Figura 9.14: Resistividad del papel impregnado.
Para mantener sus propiedades el papel debe
trabajar en un medio sellante. En tal sentido sus
aplicaciones principales son el papel impregnado El papel prensado puro o con resina, se aplica como
en aceite mineral y el papel prensado con resina. pantalla aislante de transformadores y condensadores
Veremos algunas caractersticas del papel impregnado, y en la fabricacion de tubos y ductos de conductores.
por su amplio uso en transformadores y condensadores.

El papel impregnado, correctamente secado, pre-

senta una permitividad en el rango 3 a 3,5 y un factor
de perdidas del orden de 2 103 a 20 C, que sube a
3 103 a 100 C. Con papel de alta densidad se puede
alcanzar solicitaciones de trabajo de 100 a 150 kV/mm.

En general se trabaja con factores de seguridad

10, para compensar la inevitable existencia de
descargas parciales que aparecen con el uso.

Los bushings de alta tension, tipo condensador,

empleados en transformadores clase 115 kV y su-
periores, se disenan con solicitaciones crticas de
3,5 kV/mm. En estas condiciones, el aceite y el aire
quedan solicitados normalmente cerca de su limite
corona. En caso de sobretensiones, las descargas deben
ocurrir preferentemente en el aire.
80 Captulo 9
 Parte III

Aplicaciones

81
Captulo 10

Tecnicas de experimentacion en alta

tension

10.1. Generacion de alta tension Se caracteriza por su elevada razon de transforma-

cion. Por ejemplo:
Las senales de alta tension usadas en el laboratorio
son: 400V/125000V, 15kVA
220V/100000V, 5kVA
Alta tension alterna (ATCA), 50Hz
La regulacion de tension se realiza desde el lado de
Alta tension continua (ATCC), ambas polaridades baja tension.

Alta tension de impulso, ambas polaridades. Los transformadores de ensayo de ensayo se constru-
yen de dos tipos:
Los equipos de ensayo de alta tension difieren de los
usados en redes de potencia, en los siguientes aspectos: 1. En tanque metalico:
Menor capacidad de corriente Mejor refrigeracion

Uso interior Requiere pasamuro

Gran tolerancia a cortocircuitos. 2. En tanque aislante:

Compacto
10.2. Genracion de ATCA
10.2.2. Cascada de transformadores.
10.2.1. Transformador de ensayo Usualmente se recurre a la conexion en cascada de
transformadores, para tensiones de ensayo sobre los
200kV. Se construyen cascadas de varios MV.

10.2.3. Circuito equivalente.

La aislacion entre devanados y entre el devanado
de alta tension y tierra, representa una capacidad
importante ( 1000pF). El circuito equivalente basico
es el de la Figura 10.3(a), que reducido a por unidad
(pu) queda como el de la Figura 10.3(b).

Donde:

Figura 10.1: Esquema basico de conexion de un (Rk ), (Xk ): Impedancia de cortocircuito en pu

transformador de AT.
C = Ci + Cp : Capacidad total de alta tension.

83
84 Captulo 10

Figura 10.4: Diagrama fasorial

Figura 10.2: Esquema para cascada de dos etapas.

dor (Uk ), se expresa segun:

Lk Lk
(Uk ) = = (10.2)
ZB Un /In

Pero en condiciones nominales de carga:

Un 1
(a) Circuito basico = Xc = (10.3)
In C

Por los que resulta:

(Uk ) = 2 Lk C (10.4)

De donde se desprende:
(b) Reducido a pu

Figura 10.3: Circuito equivalente para el transforma-
dor de ensayos.
Del diagrama fasorial (Figura 10.4) se observa que
la elevada capacidad de carga provoca una elevacion
adicional de la tension secundaria.
En transformadores reales Rk Xk , por lo que U1
y U2 estan aproximadamente en fase, entonces:
1
U2 U1 (10.1)
1 2 Lk C
(U1 )
(U2 ) = (10.5)
1 (Uk )
Ejemplo: Para (Uk ) = 10 %, (U2 ) = 1,1(U1 ). Es de-
cir, con carga nominal capacitiva, se puede esperar un
10 % de sobretension en relacion a una calibracion en
vaco.
10.2.4. Circuitos resonantes para la ge-
neracion de alta tension alterna
El circuito basico de resonancia serie es el de la Fi-
gura 10.5
T1: Transformador de alta tension para acoplar reac-
tor al condensador ensayado.

Ademas, la tension de cortocircuito del transforma- T2: Transformador de excitacion.

Captulo 10 85

El reactor se regula para provocar la resonancia con

la probeta.

Ventajas:
La senal de excitacion es puramente senoidal.
No se requiere alimentacion de corriente reactiva,
por lo que T2 es de baja potencia.
Figura 10.6: Rectificador de media onda
Si la probeta falla, se pierde el punto de resonan-
cia, y e atenua la corriente en forma instantanea.
Es el metodo ideal para el ensayo de grandes pro- Diodo de alta tension: Conexion serie de diodos
betas capacitivas. simples con red paralela de distribucion de po-
tenciales. corrientes 5 20mA, tensiones
100 200kV.

Maxima tension inversa: 2U bT . Por ejemplo: para

un transformador con razon de transformacion de
220/100000 el requerimiento enel diodo es:

Uinv 2 100 2kV

10.3.1.2. Doblador de Greinach

Figura 10.5: Circuito serie resonante.

10.3. Generacion de ATCC

La alta tension continua (ATCC) se usa en labo- (a) doblador
ratorios para el ensayo de probetas muy capacitivas,
como cables o condensadores, y para experimentos
fsicos en materiales aislantes. Otras aplicaciones
existen en: rayos X, precipitadores electrostaticos,
fuentes de carga par generadores de impulso, etc.

La ATCC se genera por dos procedimientos:

1. Rectificacion de ATCA.
2. Maquinas electrostaticas.

10.3.1. Circuitos de rectificacion

(b) cuadruplicador
10.3.1.1. Rectificacion de media onda
La Figura 10.6 muestra el circuito empleado, en el Figura 10.7: Circuitos de Greinach
cual se identifica los siguientes componentes:

T : Transformador de alta tension La maxima tension inversa que debe soportar cada
diodo para el caso del circuito doblador es:
R : Resistencia limitadora
D : Diodo de alta tension bD1 = U
U bD2 = 2U
bT (10.6)
86 Captulo 10

Se puede emplear una cascada de dos circuitos dobla- t2 : V1 > V0 , conduce D2 , carga C2 , descarga C1
dores de Greinach como se ilustra en la Figura 10.7(b)
t2 : V1 < V0 , conduce D1 , carga C1 , descarga C2

10.3.2. Ondulacion de senales rectifica- Se considera que las exponenciales pueden ser
das aproximadas como rectas.

Se denomina de esta forma a la diferencia periodica Asumiendo que en t1 y t2 se transfiere igual carga
entre el valor maximo y el valor mnimo de la tension electrica Q a la carga conectada y que t1 t2 :
de salida dividida por dos.
Q = C1 V1 = C2 V2 (10.9)
V V0mn 1
U = 0max (10.7) t1 T = (10.10)
2 f
y se define el factor de ondulacion F O segun: La corriente de carga es:

U V V0mn Q Q
FO = = 0max (10.8) I0 = = = Qf = C1 V1 f = C2 V2 f
V0 2V 0 t t1
(10.11)
En una buena fuente de ATCC, el factor de ondula- Luego:
cion es menor que 1 %
I0
V1 = (10.12)
10.3.2.1. Ondulacion en circuito doblador f C1
I0
V2 = (10.13)
f C2
Entonces:
V2
V0 = 2VbT V1
2
I0 1 1
= 2VbT + (10.14)
f C1 2C2
(a) Circuito
V2 I0
= = (10.15)
v0(t)
2 2f C2
v (t)
V1 1

V2 10.4. Generacion de AT de im-

pulso
tensin

10.4.1. Generador de una etapa

Los modelos basicos de la Figura 10.9 se usan para
generar impulsos de alta tension.

t2
En estos modelos:
t
1 C1 : Condensador de impulso
tiempo C2 : Condensador de carga
(b) Forma de onda R1 : Resistencia de frente
R2 : Resistencia de cola
Figura 10.8: Ondulacion en circuito doblador. S : Espinterometro de disparo.

Del analisis del circuito de la Figura 10.9(a), se de-

En la Figura 10.8(b):
duce:
V1 : Cada de tension por descarga de C1 h i
v0 (t) = V et/R2 C1 et/R1 C2 (10.16)
V2 : Cada de tension por descarga de C2
Captulo 10 87

(a)

(b)

Figura 10.9: Esquema basico de un generador de impulsos.

V.Exp(t/(R2C1))
V.Exp(t/(R1C2))
v0(t)
Tensin

Tiempo

Figura 10.10: Forma de onda de un impulso

88 Captulo 10

10.4.1.1. Descripcion
Inmediatamente tras el disparo de S, la tension V
acumulada en C1 queda impresa en la combinacion
serie de R1 y C2 , que definen el frente de onda,
cuanto menor sea la constante de tiempo (R1 C2 ), tan-
to mas rapido la senal v0 (t) tendera a su valor maximo.

La lenta decadencia de la amplitud del impulso en

la region de cola quedad determinada por la descarga
de las capacidades, proceso en que predomina la
constante de tiempo R2 C1 .

El maximo valor de v0 (t) no puede superar la

tension que resulta de la redistribucion de la carga
inicial C1 V en la combinacion paralela de C1 y C2 ,
esto es:

(C1 + C2 )V0 = C1 V (10.17)

Figura 10.11: Generador de Marx de cuatro etapas.
La relacion (10.17) permite definir el rendimiento
del circuito de impulso, segun:
las cadas de tension en las resistencias (R) son nulas,
c0
V C1
= = (10.18) y la diferencia de potencial en cada espinterometro, es
V C1 + C2 V , estando los terminales pares al potencial de tierra
y los terminales impares a potencial positivo.
Usualmente C1 > 5C2 , por lo que > 75 %.
Al disparar S1 , por alguno de los procedimientos
El circuito de la Figura 10.9(b) tiene un mejor
que se explicara luego, el terminal 1 es puesto ins-
rendimiento, ya que en el caso del circuito 10.9(a) R1
tantaneamente a potencial cero, lo que equivale a
y R2 forman un divisor de tension.
inyectar V en dicho punto. El frente infinito del
escalon inyectado acciona las capacidades parasitas,
Los circuitos de una etapa estan limitados a 200kV
de modo que los potenciales impares asumen todos el
de tension de carga. Para impulsos de mayor tension se
potencial de tierra.
emplea cascadas, segun el modelo disenado por Marx
(1924).
El terminal 4 debe ajustar instantaneamente su
potencial a 2V (por la fuente V inyectada y
10.4.2. Generador de impulsos segun el potencial del condensador), al dispararse S1 , lo
Marx que asegura el disparo de S2 con una diferencia de
potencial 2V .
La idea basica es cargar una batera de condensa-
dores conectados en paralelo, y descargarlos en serie, Analogamente el terminal 6 ajusta su potencial
de modo que la tension de salida resulta ser la suma en 3V . De este modo S3 se ve solicitado por 3V
de las tensiones de carga en cada condensador. Esto se asegurando su disparo. Y as sucesivamente.
consigue utilizando el circuito de la Figura 10.11.
En resumen, el proceso de disparo se desencadena
Para visualizar mejor la operacion del circuito, se
de manera automatica, siendo el unico punto crtico el
puede separar las etapas de carga y descarga (Figu-
oportuno disparo de S1 . Segun como se logre la disrup-
ra 10.12).
cion de S1 , los generadores se clasifican en dos:

10.4.2.1. Disparo del generador

Generadores de disparo espontaneo:
En el generador de cuatro etapas antes propuesto,
se observa que una vez finalizado el proceso de carga, En estos casos, se logra el disparo de S1 por la supe-
Captulo 10 89

racion de la rigidez dielectrica del espacio inter-esferas,

a causa del gradual elevacion del potencial de carga.

Generadores de disparo controlado:

Para definir en forma exacta el instante del disparo

y la amplitud de la onda generada, es necesario
independizar la avalancha de S1 de la tension de carga
V , al menos en cierto rango de operacion.

Una solucion probada con exito es la incorporacion

a S1 de un electrodo auxiliar, inserto el el terminal de
baja tension, que trabaja como buja de pre-ionizacion,
al recibir un pulso de alta tension.

(a) Carga

Figura 10.13: Espinterometro con disparo controla-

do.

S0 se dispara controladamente desde un circuito

electronico, originando una ionizacion local, que
desencadena el proceso de avalancha de S1 .

(b) Descarga

Figura 10.12: Generador de Marx.

Figura 10.14: Rango de controlabilidad.

Dado que el proceso se inicia exteriormente, se puede

regular la distancia entre esferas con un amplio rango
90
de tolerancia, lograndose siempre disparo efectivo, co-
mo se muestra en la Figura 10.14
10.4.2.2. Circuito equivalente del generador
Para el disparo simultaneo de todos los espinterome-
tros se puede formular el circuito equivalente de la Fi-
gura 10.15 para el generador:
Figura 10.15: Circuito equivalente del generador de
impulsos.
Nota: En muchos generadores R1 y R2 se incorpo-
ran de forma distribuida entre etapas.
10.4.2.3. Caractersticas de los generadores
Tension nominal
Es la tension total de carga que acepta el generador,
igual a nV , siendo n el numero de etapas y V la
tension de carga por etapa.
La tension de salida tiene una amplitud Vb0 < nV .
Un rendimiento tpico esta entre 70 y 99 %.
Las tensiones de carga oscilan entre 100 y 200kV por
etapa.
Capacidad nominal
Es la capacidad de impulso equivalente, C/n, siendo
C la capacidad por etapa. Normalmente C oscila entre
100nF y 1F.
La capacidad nominal debe ser a lo menos cinco ve-
ces mayor que la capacidad de carga total, incluyendo
la probeta. De otra forma, el rendimiento se afecta de-
masiado, lo que obliga a una tension de carga exage-
rada.
Energa nominal
Es la energa total almacenada en los condensadores
Captulo 10
de impulso, cuando su tension de carga es la nominal.
1C n CV 2
Wc = (nV )2 = (10.19)
2n 2
La energa nominal es una indicacion del rango de
aplicaciones del generador. Probetas de baja capa-
cidad tales como cadenas de aisladores, pasamuros,
transformadores de medida y transformadores de baja
potencia, pueden ser ensayados con energas menores
a 1kJ.
Transformadores de potencia mayores a 1MVA, pre-
sentas capacidades de carga en el rango de 10nF, lo
que exige energas nominales sobre 10kJ.
10.4.3. Control de forma de onda en
ensayo de impulso de transfor-
madores
Para efecto de ensayo de impulso, los devanados de
transformadores se clasifican en:
Devanados de alta impedancia (L >100mH)
Devanados de baja impedancia (L <20mH)
10.4.3.1. Devanados de alta impedancia
El devanado se modela como una capacidad pura.
considerando las dos posibles configuraciones del gene-
rador de impulsos (Figura 10.16)
(a)
(b)
Figura 10.16: Modelos para prueba de impulsos a de-
vanados de alta impedancia.
Donde:
Captulo 10 91

Cg : Capacidad de impulso equivalente

C: Capacidad de carga (probeta, divisor, base)

Rs : Resistencia serie total (interna, externa)

Rp : Resistencia paralela
Figura 10.17: Equivalente para baja impedancia
Parametro Configuracion
aproximado (a) (b)
10.4.3.3. Devanados de baja impedancia
Rs Rp Cg C Cg C
Tiempo de 3 3Rs Los tiempos de frente se calculan como antes. Para
Rs + Rp Cg + C Cg + C el caso de la cola rige el siguiente circuito:
frente Tf

Tiempo de 0,7(Rs +Rp )(Cg +C) 0,7Rp (Cg + C) La tension UT sera oscilatoria o exponencial de-
cola Tc pendiendo del factor de amortiguacion (k) del circuito.

Si Rp Rs y Cg C, para ambos casos vale: Si k < 1, la tension de ensayo se expresa:

Tf = 3Rs C (10.20) UT (t) = U et [cos(t) sen(t)] (10.24)

escrito de otra forma:

Tc = 0,7Rp Cg (10.21)
U t
UT (t) = e cos(t + ) (10.25)
La capacidad del transformador, incluida en el valor cos
C es un valor diferente en el frente y en la cola de la
solicitacion. Donde:

Para el tiempo de frente con Cdt capacidad del de- 2 = o2 2 (10.26)

vanado a tierra y Cds capacidad serie del devanado: 1
o2 = (10.27)
LCg
p
CT = Cbushings + Cdt Cds (10.22) Rs
= (10.28)
2L
Para el tiempo de cola: k
tan = = (10.29)
1 k2
CT = Cbushings + AC (10.23) Rs
k = = s (10.30)
o L
Con A constante < 1, dependiendo de la distribucion 2
Cg
inicial de potencial.
Tpicamente la oscilacion es como se muestra en la
10.4.3.2. Devanados de impedancia media Figura 10.18.
(20 < L < 100)
Para una primera aproximacion de T2 se asume
En estos casos se reduce considerablemente la Rs = 0, por lo que la ecuacion 10.25 queda:
constante de tiempo de la descarga (Rp Cg ), y las
ecuaciones para el ajuste de cola ya no son aplicables, UT (t) = U cos(o t) (10.31)
ya que la forma de la onda no es estrictamente
exponencial. U
y el tiempo de cola, es decir para UT = , resulta:
2
Una forma de calculo aproximado es considerar que
la resistencia de cola Rp , se aumenta entre 2 y 10 veces 2 1 p
Tc = = LCg (10.32)
en relacion al valor precalculado. 6 o 3
92 Captulo 10

Control de Cg :
100%

La capacidad del generador puede modificarse por

conexiones serie-paralelo de sus etapas. La capacidad
mnima para cumplir con la exigencia prescrita, es:
Tensin UT

50%

0
0 T2
t =
Figura 10.18: Oscilacion de la tension en bornes del
transformador
Para esta condicion de operacion, se acepta una
oscilacion no amortiguada, cuyo maximo de polaridad
opuesta (U1 ) es igual al 100 % de la solicitacion.
Segun la norma IEC 76-3[1], el maximo de polaridad
opuesta debe limitarse a 50 % de la amplitud inicial de
la oscilacion, lo que implica introducir un considerable
grado de amortiguacion. Esto, a su vez, forzara un
tiempo de cola menor al expresado por la relacion
anterior.
Se puede calcular que para cumplir con la exigencia
de la norma, se debe operar con un factor de amorti-
guacion k = 0,25. entonces, el tiempo de cola se expre-
sa:
p
Tc = 0,5LCg (10.33)
Tc2
Cg = 2 (10.34)
L
Pero esta condicion es a menudo inalcanzable, por
ser L un valor muy bajo. En estos casos, el circuito se
comporta como L R, cuya constante de tiempo es:
L
(10.35)
Rs
Esta relacion sugiere otro modo de control de Tc ,
disminuir Rs . Esto conlleva una disminucion del
amortiguamiento, que se manifiesta en oscilaciones
superpuestas en la cresta del impulso, y en el primer
maximo negativo.
Los efectos de la reduccion de Rs pueden ser com-
pensados por la conexion de una capacidad base mayor.
Otras opciones
Una forma de modificar la inductancia efectiva del
circuito de ensayo, es agregar una inductancia en pa-
ralelo con la resistencia de frente[2].

Luego, el tiempo de cola queda controlado por la

inductancia de la probeta y la capacidad equivalente
del generador de impulsos.

Figura 10.19: Modificacion del circuito de ensayo.

Control de L:

La inductancia del transformador es influenciada

por la conexion de los devanados no ensayados. Si estos
se cortocircuitan y ponen a tierra (conexion usual), L 10.5. Generador de impulsos de
es la inductancia de dispersion del transformador. corriente
Se puede conseguir una mayor inductancia efectiva Los impulsos de corriente se requieren en los ensayos
cargando los devanados no ensayados con resistencias, de descargadores, interruptores, fusibles, localizacion
cuidando de no sobrepasar en estos el 75 % de su nivel de fallas en cables, etc.
de aislacion.
Captulo 10 93

q
Para generar estos impulsos de alta corriente se Para el caso R = 2 C L
, la maxima amplitud de
utilizan circuitos capacitivos que se descargan por corriente resulta:
medio de espinterometros de disparo controlado.
A diferencia de los generadores de impulso de alta r
V C
tension, en este caso los condensadores se mantienen Ib = (10.40)
e L
en paralelo durante el disparo.

Otros sistemas de acumulacion de energa usados c) Oscilacion pura (R = 0): En este caso el amorti-
con este fin son los reactores de nucleo de aire o los guamiento es nulo, y la senal de corriente alcanza
rotores de generadores, que al ser puestos en cortocir- una amplitud:
cuito violento, suministran impulsos de corriente de r
alta energa. C
Ib = V (10.41)
L

que equivale a e veces la amplitud del caso crti-

co.

10.6. Medicion de senales de al-

ta tension
Existen dos modalidades de instrumentacion para
Figura 10.20: Circuito capacitivo basico senales de alta tension.

Modo directo: Voltmetro electrostatico, espin-

En el circuito capacitivo basico de la Figura 10.20, terometro esferico.
C corresponde a la batera de condensadores que se
carga desde una fuente de ATCC de baja potencia, Modo indirecto: divisores de tension, transforma-
a un nivel entre 50 y 100kV, L y R representan los dores, resistencias de derivacion (shunt).
parametros del circuito de interconexion y S es un
espinterometro de disparo controlado. 10.6.1. Modo directo
La respuesta del circuito puede asumir alguna de las 10.6.1.1. Voltmetro electrostatico
siguientes formas:

a) Oscilacion modulada exponencialmente

(subamortiguado, R pequena):

V t
i(t) = e sen(t) (10.36)
L

Siendo:

r
1 R2
= (10.37)
LC 4L2
R Figura 10.21: Esquema voltmetro electrostatico
= (10.38)
2L

b) Onda unidireccional (amortiguamiento crtico): El principio de medicion se basa en las fuerzas

de atraccion electrostatica entre placas a diferente
V t potencial.
i(t) = te (10.39)
L
94 Captulo 10

La fuerza de atraccion es:

dW
F = (10.42)
dS
Siendo S la distancia de separacion entre placas y
W la energa electrostatica:
1 2
W = Cv (t) (10.43)
2
Sustituyendo (10.43) en (10.42):

1 2 dC
F = v (t) (10.44)
2 dS Figura 10.22: Espinterometro esferico
El valor medio de la fuerza de atraccion resulta:

1 dC T 2 1 dC 2 sistencia calibrada, de elevado valor, conectada al po-
F = v (t)dt = V (10.45)
2T dS 0 2 dS ef tencial.

Esta relacion indica que la fuerza es proporcional

al valor cuadratico efectivo de la senal de tension
aplicada.

En aire, la maxima solicitacion aceptable es

14kV/cm, por lo que la fuerza detectable es del orden
de 10N/m2 . Desarrollos modernos es gas a presion, lo-
gran precisiones del orden del 0,1 %.

10.6.1.2. Espinterometro esferico

Se requiere como referencia general en los labora- Figura 10.23: Metodo indirecto con miliampermetro
torios de alta tension. Su ventaja es que por basarse
en principios fsicos de facil inspeccion (densidad
del aire, datos geometricos), su comportamiento La resistencia R esta libre de corona y calculada para
I < 1mA. P es un descargador de sobretension para
y calibracion son incuestionables y repetitivos. Si
proteger la instrumentacion y al operador.
se realizan las mediociones con las exigencias y co-
rrecciones de norma [3], su precision cae dentro del 3 %.
10.6.2.2. Divisor resistivo de alta tension
La modalidad constructiva mas usual es la vertical, Es un instrumento de aplicacion universal, para
como se muestra en la Figura 10.22. Como recomen- senales continuas, alternas o impulso, aunque su for-
dacion practica debe cumplirse que D, mm U, kV y ma constructiva cambia segun su aplicacion.
Rs limite I a 1mA.
Divisor para ATCC
Este instrumento se puede aplicar para senales con-
tinuas, alternas o de impulso, siendo sensible a la am- R1 : Resistor libre de corona (> 1000M)
plitud de la senal. En el caso de impulso, su medicion
se expresa como U50 , es decir, la amplitud que provoca R2 : Resistor de valor R1 103
descarga en el 50 % de los casos que se aplica.
I: Instrumento, mV, osciloscopio

10.6.2. Modo indirecto P : Descargador de sobretension

10.6.2.1. Miliampermetros
Divisor para ATCA
Se puede medir alta tension estacionaria (continua
o alterna), a traves de la corriente que recorre una re- El esquema es similar al de ATCC, pero se agregan
Captulo 10 95

Figura 10.24: Divisor para ATCC

Figura 10.26: Equivalente divisor para impulsos

exigencias constructivas en los resistores, que deben ser
blindados, a fin de fijar el valor de las capacidades de
dispersion que introducen un error de fase y magnitud La capacidad parasita C1 limita la respuesta en fre-
si se dejan abiertas. cuencia del divisor, cuya constante de tiempo se expre-
sa segun:
Divisor para AT de impulso RC
= ; R = R1 + R2 R1 (10.46)
4
En este caso, la senal medida es transmitida al
Entonces:
instrumento por un cable con caractersticas definidas
R1 C1
de impedancia de onda. Para evitar reflexiones de = (10.47)
la senal en su extremo de alta impedancia (mV, 6
osciloscopio), se cierra el cable con un resistor R = Z0 . Un valor estimativo: C1 15 20pF/m
La resistencia de alta tension, R1 , tiene valores en
Ejemplo 10.1 Divisor resistivo de 1MV, 3m de altu-
ra, con R1 = 20k.
20 103 3 20 1012
= = 0,2s (10.48)
6
Para una adecuada medicion del frente de onda de una
senal de impulso tipo rayo 1,2/50, esta respuesta sera
la mnima suficiente (f 50MHz).

10.6.2.3. Divisor capacitivo de alta tension

Figura 10.25: Divisor para impulsos
Su uso esta restringido a senales alternas y de im-
pulso.
el rango de 1k. La capacidad parasita, C1 , de este
elemento juega un rol importante en la respuesta del Divisor para ATCA
divisor y debe ser fijada a un valor definido. I: Instrumento de alta impedancia

Un circuito equivalente del divisor de impulso resis- C1 : Condensador:

tivo es el de la Figura 10.26, donde:
a) Papel aceite 1000pF
2 b) En gas 100pF
C= C1
3
C2 : Condensador libre de inductancia
C1 = Capacidad total de dispersion a tierra.

R2 Z0 C1
Re = V2 = V1 , C 2 C1 (10.49)
R2 + Z0 C1 + C2
96 Captulo 10

Segun sea el grado de amortiguacion logrado por

la resistencia R, se puede obtener respuestas con so-
breoscilacion (subamortiguada), con amortiguamiento
crtico o sobreamortiguamiento (Figura 10.29).

La calidad (velocidad) de respuesta del divisor se

puede definir como su constante de tiempo:

(t) = [1 a(t)]dt (10.52)
Figura 10.27: Divisor capacitivo para ATCA 0

10.6.2.4. Divisores mixtos

Divisor para AT de impulso
El cable de transmision de senal tiene usualmente
una impedancia en el rango de 50 100. En este caso
no puede cerrarse el cable con Z0 , ya que ello implicara
una descarga muy rapida de C2 , con la consiguiente
distorsion de la senal medida. Se asume entonces una
reflexion total en el extremo del cable (ZI = ). Lo
que conlleva el doblaje de VI . Para acondicionar VI al
valor V2 , se agrega Z0 en serie en el extremo apuesto
del cable, lo que provee de un divisor auxiliar con razon
2:1.
Trabajan con ramas resistivas-capacitivas, a fin de
aprovechar las ventajas relativas de los divisores pu-
ros. Se fabrican en tres modalidades:
Divisor de ramas paralelas
Para frecuencias altas su comportamiento es tipo ca-
pacitivo, mientras que a frecuencias bajas, su compor-
tamiento es tipo resistivo.
Divisor de ramas serie

En frecuencias altas, predomina el caracter resistivo,

en tanto en frecuencias bajas, su caracter es capacitivo.

Divisor C/R, para ondulacion

Si V1 es una senal rectificada con ondulacion ele-

vada, la componente alterna es transferida a la rama
secundaria segun:
CR
Figura 10.28: Divisor capacitivo para impulso V2 = V1 , CR 1 (10.53)
1 + CR
La senal continua es bloqueada por el condensador
Todo el conexionado de alta tension agrega al C.
circuito una inductancia de dispersion, cuyo efecto es
una respuesta oscilatoria del divisor. Para minimizar 10.6.2.5. Medicion del valor maximo de una
este efecto, se agrega la resistencia de amortiguacion R. senal alterna
Para frecuencias elevadas (frente de onda), la razon Para muchos ensayos de alta tension, el valor maxi-
efectiva del divisor se expresa por: mo de la sinusoidal aplicada es la variable de interes.

C1 Circuito Schubb-Fortescue
V1 (10.50)
C1 + C2
La conexion de los dos diodos es antiparalelo, impide
Para frecuencias bajas (cola de onda), la razon se la acumulacion d carga en C, cuya corriente se expresa
altera ligeramente por la capacidad de transmision Cc por:
dv(t)
C1 ic (t) = C (10.54)
V1 (10.51) dt
C1 + C2 + Cc
Captulo 10 97

Referencia
Respuesta
v (t)
2

(a) de ramas paralelas

tiempo

(a) Subamortiguada

Referencia
Respuesta

(b) de ramas serie

v (t)
2

tiempo (c) tipo C/R

(b) Amortiguamiento crtico
Figura 10.30: Divisores de ramas paralelas
Referecia
Respuesta
v (t)
2

Figura 10.31: Circuito Schubb-Fortescue

tiempo

(c) Sobreamortiguado

Figura 10.29: Tipos de respuestas

98 Captulo 10

D1 : Rectificador de media onda Este circuito sirve tambien para medicion de ondu-
lacion.
D2 : By-pass
Un circuito mas simple para la medicion de ampli-
P: Descargador de sobretension
tud es de la Figura 10.33, donde v2 (t) puede ser la
senal secundaria de un divisor de tension.
+V
Tensin v(t)

Figura 10.33: Circuito simplificado

La constante de tiempo de descarga del condensador

C debe ser calculada para permitir el seguimiento de
la amplitud de v2 , en caso de ser no estacionaria.
V
T/2 T
tiempo
Referencias
(a)
[1] IEC 60076-3, International Standard, Power
+I Transformers: Insulation Levels, Dielectric Test
and external Clearances in Air, 1980.
[2] IEC 722, International Standard,.
[3] IEC 60052, International Standard, Voltage mea-
Corriente i (t)

Conduce D
1
c

surement by means of standard air gaps, 3rd ed.,

2002.
Conduce D2

I
T/2 T
tiempo

(b)

Figura 10.32: Formas de onda

En un periodo completo, el valor medio de la co-

rriente IA en el ampermetro es:

T /2 b
+V
1 1 2C b
I= ic (t)dt = Cdv = V (10.55)
T 0 T b
V T

Luego:
Ib
Vb = (10.56)
2f C
Anexos

99
Anexo A

Factores de campo

Emax
f= (A.1)
Eav

Configuracion Valor de f Comentario

(a) Placas paralelas 1 Campo uniforme
(b) Esferas concentricas R/r R: radio de la esfera exterior
(c) Cilindros coaxiales (R r)/(r ln(R/r)) R: radio del cilindro exterior
(d) Punta hiperbolica - plano 2x/ ln(1 +4x)
(e) Esferas de igual diametro 0, 25[B + B 2 + 8] Tension simetrica y B = x + 1
(f) Esferas de igual diametro 0, 943 + 0,458x + 0,121x2 x 2 y una esfera aterrizada
(g) Esfera-plano x+ 0,55 x > 2 y plano aterrizado
x A
(h) Cilindros paralelos de igual A 2 ln 1 + + A = x2 + 4x
2 2
diametro
(i) Conductor-plano 2 + 0, 32x x5
2,642 + 0, 216x 0,0002x2 5 < x 2000
(j) Cilindro rodeado por toroide 0, 433 + 0,307(R/r) + R: radio del toroide, r: radio de la seccion
0, 0095(R/r)2 transversal del cilindro y del toroide
(k) Barra hemisferica - plano 0, 85(1 + x) x3
0,45x ln(6x)/
ln(x) 3 < x 500
1 1
(l) Lnea DC bipolar con 2 sub- d + d: distancia entre centros
r D
conductores 2
ln(4h
/rD)
d
(m) Lnea trifasica con 2 subcon- d 2r ln d: distancia entre fases adyacentes
ductores rD
p
x 1 + 2/x
(n) Dos puntas hiperboloides r
x
tan h1
x+2
d: distancia de aire; r: radio del electrodo de alta tension; x = d/r; h: altura sobre la tierra y D: diametro
del conjunto

Tabla A.1: Factor de campo para algunas configuraciones comunes

101
102 Anexo A
Anexo B

Normas de ensayo.

B.1. Norma de ensayo para propiedades dielectricas.

Propiedades Norma Observaciones

Resitividad en solidos IEC93 Condensadores planos de tres electrodos
ASTMD257
DIN53482
Resistividad en lquidos IEC247 Celdas de 2 y 3 electrodos
ASTMD1169 Cilindros coaxiales, d=2. . . 3mm
Resistencia de aislacion IEC167 Electrodos exteriores de facil aplicacion
ASTMD257
DIN53482
Permitividad y factor de perdidas IEC250 Condensadores planos en solidos
ASTMD150 cilndricos en lquidos.
IEEE51 Uso de 3 electrodos
DIN53483
Rigidez dielectrica en solidos IEC243 Electrodos simetricos
DIN53481 progresion de voltaje
ASTMD149
Rigidez dielectrica en lquidos IEC156 Electrodos simetricos
VDE0370 progresion de voltaje
ASTMD877 volumenes
ASTMD1816
Resistencia al agrietamiento IEC270 Arqueo bajo humidificacion por gotas
(tracking) VDE0303-1 de agua
ASTMD495
Descargas parciales IEC270 Circuitos de amplificacion precalibrados para
ASTMD1868 un rango de frecuencia.
VDE0434
Resistencia a descargas parciales IEC343 Electrodos inhomogeneos
DIN53485 humedad ambiente
ASTM2275 tensiones de ensayo
Absorcion de humedad ASTMD570 Variaciones de peso
Contenido de humedad ASTMD1533 KarlFisher

Tabla B.1: Lista de normas mas utilizadas para medicion

de propiedades dielectricas.

103
104 Anexo B

Las condiciones de diseno de las aislaciones se basan en sus parametros dielectricos: permitividad, factor de
perdidas, resistividad, rigidez dielectrica, resistencia al ambiente, resistencia al arco, resistencia a descargas,
estabilidad termica y en frecuencia, etc.

Muchos de estos datos se pueden obtener de los fabricantes, pero en algunos casos sera necesario corroborarlos,
sea para aplicaciones especiales, o por dudas acerca del envejecimiento del material.

B.2. Normas de ensayo de materiales dielectricos ASTM. Aceites de-

rivados de petroleo (ASTMD117)

Propiedad Norma Significado

Punto anilina D611 Mnima temperatura para la cual iguales volumenes de
anilina y aceites son miscibles.
Coeficiente de expansion termica D1903 Valor requerido para diseno de tanques y sistema refrige-
rante.
Color y examen visual D1500 Aumento del ndice de color es indicador de deterioro,
el examen visual ratifica la ausencia de contaminantes
fsicos.
Punto de inflamacion D92 Temperatura a la cual el aceite genera suficiente vapor
para formar con el aire una mezcla inflamable.
Tension interfacial D971 Un valor elevado indica ausencia de contaminantes
D2285 polares.
Punto de congelamiento D97 Mnima temperatura a la cual el aceite fluye.
Peso especfico D287 Influye en la transferencia de calor.
Viscosidad D88 Influye en la transferencia de calor y diseno del sistema
refrigerante
Analisis de gases D3612 La tendencia de absorcion de gases por el aceite es el
indicador del estado general del aislamiento.
Rigidez dielectrica D877 Indica la capacidad de resistir solicitaciones de tension
D1816 de frecuencia industrial.
D3300 Criterio de diseno y mantenimiento
Factor de perdidas D924 Un elevado valor de la tan indica alto grado de conta-
minacion soluble.
Resistividad D1169 Un elevado valor de la resistividad indica bajo contenido
de iones libres
Acidez D1534 Un valor elevado indica oxidacion y perdida de propieda-
des fsicas.
Humedad D1533 Se requiere bajo contenido de humedad para sostener las
cualidades fsicas y qumicas del sistema aislante.

Tabla B.2: Lista de ensayos para materiales dielectricos ASTM.