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Chapitre 2

COURS ELE4500 (TS-4600) et ELE-4501

QUIPEMENTS SPATIAUX MICRO-ONDES II

ARCHITECTURE DES SOUS-ENSEMBLES


HYPERFRQUENCES
2

1 INTRODUCTION

La grande majorit des satellites de communication sont dits transparents, cest--dire


quils ne font quamplifier et dcaler en frquence les signaux reus. Cest le rpondeur,
compris entre lantenne dmission et de rception, qui effectue cette tche.

Le rpondeur se compose principalement de 4 blocs fonctionnels actifs soient :


Le rcepteur
Le gnrateur de frquence
Lamplificateur de canal ou dattaque
Lamplificateur de puissance

Un schma simplifi dun canal de rpondeur est prsent ci-dessous.

Figure 1 : Schma dun canal de rpondeur

Les sections qui suivent dcrivent la constitution et la fonction de chacun des sous-
ensembles dun rpondeur.

2 LES RCEPTEURS

La premire fonction du rpondeur est de dtecter le faible signal en provenance de la


terre, den changer la frquence et de lamplifier un niveau de puissance convenable
(gnralement quelques milliwatts). Cette fonction est assure par le rcepteur dont le
schma global est prsent ci-dessous.
3

Figure 2 : Schma global dun rcepteur

Les bandes de frquences alloues pour les satellites de communication de lAmrique


du Nord et du Sud sont les suivantes (usage commercial seulement) :

Bande C : rception 5.85 7.075 GHz


retransmission 3.40 4.200 GHz
4.50 4.800 GHz

Bande Ku : rception 14.0 14.50 GHz


retransmission 11.7 12.20 GHz

La largeur de bande du rcepteur est, aujourdhui, entre 500 et 600 MHz et dtermine
la largeur de bande du rpondeur. Celle-ci a eu tendance augmenter pour satisfaire la
demande croissante de canaux et pour rentabiliser lopration du satellite.
Le changement de frquence empche le signal relativement puissant retransmis vers
la terre de saturer le rcepteur, dautant plus quil a t trs frquent dutiliser la mme
antenne pour la rception et pour la retransmission.
On distingue deux types de rcepteur : les rcepteurs conversion simple et
conversion double (voir figure 3). Les rcepteurs conversion simple utilisent un seul
mlangeur tandis que ceux conversion double en ncessite un deuxime. Lavantage de
la double conversion vient du fait quil est possible dviter, en slectionnant
judicieusement les frquences des oscillateurs, la prsence de signaux parasites
importants dans la bande utile. Ce genre de mlangeur est relativement complexe et trs
coteux raliser; il nest donc pratiquement pas utilis. Pour les bandes C et KU,
lallocation des frquences minimise la prsence des produits parasites et rend tout fait
convenable lutilisation de la conversion simple.
4

Figure 3 : Principe de conversion dun rcepteur

2.1 CONFIGURATION DTAILLE DUN RCEPTEUR

La configuration dun rcepteur de communication est reprsente la figure


suivante :

Figure 4 : Configuration dun rcepteur de communication

2.1.1 Filtre passe-bande dentre

Ce filtre trs slectif, gnralement en guide dondes, fournit lattnuation ncessaire


des signaux lextrieur de la bande utile. Les pertes du filtre doivent tre trs faibles
puisquelles contribueront directement au facteur de bruit du rcepteur. La variation du
dlai de propagation doit tre minimale dans la bande dintrt.
5

2.1.2 Amplificateur dentre

La caractristique la plus importante de cet amplificateur est son trs faible bruit. Ce
module est conu de telle sorte que sa contribution au bruit soit minimale permettant ainsi
la dtection de signaux trs faibles. Cest cet amplificateur qui dtermine la sensibilit du
rcepteur. Lapparition dans les annes 70 de transistors trs faible bruit pour des
frquences trs leves a permis de diminuer le facteur de bruit des quipements par un
facteur de 10.

Une deuxime caractristique importante de ce module est son gain. Celui-ci doit tre
suffisamment lev pour minimiser la contribution des modules subsquents au bruit,
particulirement celle du mlangeur. Il faudra toutefois sassurer de ne pas saturer le
mlangeur.

2.1.3 Le mlangeur

Le mlangeur est utilis pour la conversion en frquence du signal reu. tant donn la
non-linarit de ce module, il gnre un trs grand nombre de signaux parasites dont
certains peuvent se retrouver lintrieur de la bande utile et ne pourront pas tre filtrs.
La perte de conversion du mlangeur, gnralement entre 3 et 9 dB, contribue au facteur
de bruit du rcepteur et le degr de contribution dpend du gain de lamplificateur
dentre.

2.1.4 Loscillateur local

Loscillateur local fournit au mlangeur le signal ncessaire la conversion en


frquence du signal reu. La frquence du signal de loscillateur local doit tre trs stable
et prcise et comporter des signaux parasites extrmement faibles.

2.1.5 Conditionneur lectronique de puissance

Le conditionneur lectronique de puissance fournit toutes les tensions DC ncessaires


au fonctionnement du rcepteur. Auparavant, celui-ci tait gnralement situ dans le
mme botier que loscillateur local. (Le rcepteur avait son propre botier). Maintenant,
avec lutilisation de nouvelles technologies permettant de miniaturiser les quipements,
ces trois lments sont intgrs dans un seul botier.

2.1.6 Amplificateur de sortie

La section damplificateur de sortie fournit la majorit du gain du rcepteur avec une


trs bonne linarit et une faible distorsion. Cette section contient des attnuateurs fixes
et variables qui servent la compensation en temprature du rcepteur, lajustement du
gain et, si ncessaire, la commutation du gain par commande.
6

2.1.7 Isolateurs

Il nest plus ncessaire, dans bien des cas, dutiliser des isolateurs entre les modules
adjacents puisquil est maintenant possible dobtenir de trs bonnes performances en
utilisant de nouvelles technologies (MHMIC ou MMIC). Par contre, il est toujours
indispensable dutiliser un isolateur lentre et un la sortie pour satisfaire le taux
donde stationnaire (TOS) du rcepteur.

Un schma plus dtaill dun mlangeur en bande C est prsent la page suivante.
7

Figure 5 : Schma dun rcepteur en bande C


8

2.2 CONSIDRATIONS MCANIQUES

La miniaturisation des modules a rendu possible lintgration du rcepteur dans un


seul chssis. Auparavant, deux chssis taient utiliss; un pour la section hyperfrquence
et un autre pour la section de loscillateur local (ce deuxime chssis contenait souvent le
conditionneur de puissance).

Le chssis est fait dun alliage trs lger daluminium ou de magnsium et est plaqu
or pour obtenir une meilleure conductivit lectrique. Les parois du chssis sont amincies
afin de rduire le poids de lquipement; cet aspect de la conception mcanique est trs
important cause de limpact quil a sur la masse du satellite (une rduction de la masse
du satellite diminue les cots de lancement et pargne du carburant qui pourra tre utilis
pour maintenir le satellite plus longtemps sur son orbite). Des petits trous sont localiss
sur les parois du chssis et servent viter les dommages qui pourraient survenir lors de
lvacuation de lair.

Lallgement du chssis doit se faire sans affecter sa rsistance. Celui-ci devra, lors du
lancement subir des forces de plusieurs g dorigines mcaniques (vibration du moteur) et
soniques (coulement de lair la surface du lanceur) et ce des frquences varies
(gnralement comprises entre 20 Hz et 150 Hz).

Les figures 6 et 7 montrent laspect quavaient auparavant les chssis. Lintgration de


ces deux chssis en un seul a diminu considrablement la masse et le volume du
rcepteur. (Voir les figures 8 10).

Les modules RF sont principalement conus laide de deux technologies diffrentes :


la technologie MIC (Microwave Integrated Circuit) et MHMIC (Miniaturized
Hybrid Microwave Integrated Circuit).

MIC : Les circuits sont conus sur des substrats dalumine de 0.025 pouce
dpaisseur. Les composantes discrtes sont ensuite installes sur ceux-ci.

MHMIC : Les substrats dalumine ont 0.010 pouce dpaisseur. Les rsistances et les
condensateurs font partie du procd et nont pas tre ajouts.

Les substrats sont souds sur des plaques porteuses ayant un coefficient dexpansion
compatible (le Kovar, le Thermkon et les MMC sont des alliages utiliss). Les isolateurs
sont conus sur des substrats de ferrite et leur plaque porteuse est un alliage Fe-Ni. Les
figures 11, 12 et 13 prsentent quelques dtails dintgration. La figure 14 montre la
section RF du rcepteur.
9

Figure 6 : Chssis de la section RF

Figure 7 : Chssis de la section oscillateur local


10

Figure 8 : Vue de dessus du nouveau chssis


11

Figure 9 : Vue de dessous du nouveau chssis


12

Figure 10 : Chssis avec ses modules


13

Figure 11 : Assemblage des modules dans la section RF


14

Figure 12 : Intgration des section RF et oscillateur local

Figure 13 : Construction des modules RF


15

Figure 14 : Section RF dun rcepteur en bande


16

2.3 PARAMTRES IMPORTANTS DANS LA CONCEPTION DES RCEPTEURS

2.3.1 Facteur de bruit

Dans un circuit deux ports, le facteur de bruit est dfini par :

Si
Ni
NF
So
No

o S/N et le rapport signal bruit de lentre (i) ou de la sortie (o).

Dans un systme, le bruit de fond est dtermin par le bruit thermique dfini par la
relation :
P = KTB

o K = constante de Boltzman 1.38 10 23 w / H z . 0 K


T = temprature en degr Kelvin
B = largeur de bande (Hz)
P = puissance du bruit thermique dans un systme adapt

Par exemple, dans un systme oprant 17C, le bruit de fond sur une largeur de
bande de 1 Hz sera :

23 21
P 1.38 10 290 1 4 10 W

P 174 dBm

Il est vident que le bruit dun systme dpend de :

La largeur de bande dopration


La temprature du systme

La largeur de bande dun rcepteur est dtermine par la nature du signal reu :
quelques KHz (audio) plusieurs MHz (radar, systme de communication).

La temprature dopration des rcepteurs est normalement situe entre 0 C et 50C; il


faut noter que la temprature dun rcepteur ntant jamais 0K, le bruit de fond ne sera
jamais nul.

Le bruit dun rcepteur est dfini soit par le facteur de bruit (NF) soit par la
temprature quivalente de bruit (Te). La temprature quivalente de bruit dun rcepteur
17

dans un systme de 50 ohms est la temprature dune rsistance de 50 ohms place


lentre et fournissant la mme puissance de bruit la sortie du rcepteur. Les deux
termes sont relis par :

Te
N F 10 L O G 1
Ta

o Te = temprature quivalente de bruit


Ta = temprature ambiante (290oK)

Considrons plusieurs tages damplificateurs en cascade (figure 15) avec un gain


pour chaque tage exprim par Gi (i = 1, 2, 3,) et un facteur de bruit par tage exprim
par Nfi (i = 1, 2, 3). Le facteur de bruit total (NFt) lentre sera donn par :

NF 2 1 NF 3 1 NF 4 1
NFt NF1 ...
G1 G 1G 2 G 1G 2 G 3

Les facteurs de bruit et les gains sont exprims en rapport de puissance.

En examinant cette expression, on constate que si le gain G1 du premier tage est


lev alors la contribution des facteurs de bruit suivant au facteur de bruit total diminue.

Prenons comme exemple le cas de deux amplificateurs en cascades ayant les


caractristiques suivantes :

N F 1 1.5 db G 1 20 dB
N F 2 3.0 db G 2 10 dB

Le facteur de bruit total lentre sera :

2 1
N F t 1 .4 1 2 5 1 .4 2 2 5 o u 1 .5 3 d B
100

Modifions maintenant le gain du premier tage de 20dB 26dB. Dans ce cas, le


facteur de bruit lentre devient :

2 1
N F t 1 .4 1 2 5 1 .4 1 5 o u 1 .5 0 8 d B
400

Il faut noter quen augmentant le gain du premier tage de 6dB, la dgradation du


facteur de bruit lentre passe de 0.03dB 0.008dB.
18

Figure 15 : tages damplificateurs en cascades

2.3.2 La sensibilit

La sensibilit dun rcepteur correspond la puissance minimum que lon doit


appliquer lentre pour obtenir, la sortie, un rapport signal/bruit donn. Elle est dfinie
par la relation suivante :

S 174 N F 10 LO G B S / N

o NF : le facteur de bruit du rcepteur


B : la largeur de bande (Hz)
S/N : le rapport signal/bruit dsir la sortie du rcepteur (dB)
-174 : puissance du bruit de fond en dBm 290oK dans une bande de 20Hz
S : sensibilit du rcepteur (dBm)

Un rapport S/N de 0dB correspond un signal peine dtectable, cest--dire gal au


bruit la sortie du rcepteur.

Comme exemple, considrons un rcepteur avec un facteur de bruit de 1.5dB et dont


la largeur de bande est 500MHz. La sensibilit de ce rcepteur pour un rapport
signal/bruit de 10dB serait de :

S 174 1.5 10 LO G 5 10 10 75.6 dBm


6

Ce rsultat nous indique que pour obtenir un rapport signal/bruit minimum de 10dB
la sortie de ce rcepteur, il faudra appliquer lentre, un signal dune puissance
minimale de 75.6dBm.

2.3.3 Point dinterception du troisime ordre

Le point dinterception du troisime ordre est un paramtre trs important qui dfinit
la distorsion cause au signal dans le rcepteur.

Le point dinterception du troisime ordre est dfinit comme tant le point de


rencontre thorique entre la caractristique de gain du signal fondamental et celle du
produit de distorsion du troisime ordre (voir la figure ci-dessous).
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Figure 16 : Dfinition du point dinterception du 3me ordre

Les produits de distorsion du 3e ordre rsultant de deux signaux dentre de frquence


f1 et f2 apparaissent aux frquences 2f1 f2 et 2f2 f1.

Le point dinterception du 3e ordre, 3IP, peut se calculer laide de lexpression


suivante :

R
IP P dB m
N 1
o R : attnuation des produits de distorsion par rapport la fondamentale (dB)
N : ordre de distorsion (2, 3, )
P : niveau de puissance du signal fondamental (dBm)

Si P correspond puissance dentre, on parle de point dinterception du 3 e ordre de


lentre et sil correspond la puissance de sortie, on parlera alors du point dinterception
de 3e ordre de la sortie.

2.3.4 Plage dynamique

Pour un signal simple, la plage dynamique (PD) dun rcepteur est dfinie comme
tant la diffrence entre le niveau lentre produisant une compression de gain de 1dB
et le niveau minimum lentre dtectable la sortie. Gnralement, on considre que le
niveau minimum dtectable est 3dB au-dessus du niveau de bruit. En utilisant
lexpression de sensibilit dcrite auparavant, le niveau minimum dentre dtectable la
sortie peut tre calcul :

S 111 dBm / M H z 10 LO G B N F
20

o la largeur de bande B est exprime en MHz.

Si Po est la puissance de sortie pour une compression de gain de 1 dB alors, le niveau


dentre correspondant sera :

Pi Po G 1

Alors la plage dynamique sera exprime par :

PD Pi S
21

2.3.5 Spcifications typiques dun rcepteur

titre dexemple, les spcifications typiques suivantes dun rcepteur de satellite sont
donnes :

Frquences dentre : 5.925 GHz 6.425 GHz


Frquences de sortie : 3.600 GHz 4.200 GHz
Niveau dentre maximum : -61 dBm
Niveau dentre en surcharge : -38 dBm
Niveau de sortie en surcharge : 23 dBm
Gain : 63 dB
Variation totale du gain : 62 dB 64 dB
(durant la mission)
Variation du gain avec la frquence : 0.5 dB/600MHz max
: 0.2 dB/45MHz max
: 0.3 dB/72MHz max
Variation du gain avec la temprature : 0.3 dB/10oC
Entre 0oC et 50oC : 0.8 dB max
Gain lextrieur de la bande : 0dB
Dlai de propagation : 1 nsec
Facteur de bruit : 2.8
Taux dondes stationnaires
Entre : 1.15
Sortie : 1.20
Inter-modulation du 3e ordre : 45 dBm
Signaux parasites la sortie
Entre 3.6 et 4.2 GHz : -65 dBm
Entre 4.5 et 13.0 GHz : -80 dBm
Stabilit de frquence (osc. local)
Total : 8 x 10-6
En 10oC : 4 x 10-7
En 20oC : 1 x 10-6
Consommation de puissance :7W
Tension DC : 26 43 volts
Masse : 1.2 Kg
Dimensions : .208 x .064 x .122 m
22

3 LES METTEURS

Les metteurs des rpondeurs transports par satellites comprennent principalement la


chane damplification de puissance; deux types damplificateurs de puissance sont
couramment utiliss bord des satellites :

- Les amplificateurs tube ondes progressives


- Les amplificateurs de puissance ltat solide

Les amplificateurs tube ondes progressives sont prcds dun amplificateur


dattaque. Dans ce cours, nous allons examiner les amplificateurs de puissance ltat
solide et les amplificateurs dattaque (quon peut aussi appeler dexcitation). Ces
amplificateurs utilisent des modules conus avec des transistors bipolaires ou effet de
champ (TEC). Le choix de la composante active dpend de la frquence dopration, de
la puissance de sortie, de la linarit, du mode dopration et de la disponibilit dune
composante qui serait capable de fournir la performance requise. Aujourdhui, les
amplificateurs TEC dominent surtout les bandes de frquences suprieures 2GHz,
tandis que pour les frquences VHF et UHF jusqu 1.5GHz, les transistors bipolaires
sont gnralement utiliss. Entre 1.5GHz et 2GHz (bande L), des dveloppements rcents
ont produit des TEC surpassant les bipolaires, surtout en terme dopration linaire.

3.1 LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A LETAT SOLIDE

Le schma global dun amplificateur de puissance ltat solide est montr dans la
figure 17.
Les attnuateurs variables inclus dans la chane servent la compensation de gain en
temprature ainsi qu la commutation du gain par tlcommande si une telle
performance est requise.
Les sections damplificateurs (entre, intermdiaire et dattaque) peuvent contenir un
ou deux tages de transistors selon le gain ncessaire. La section de sortie fournit la
puissance de sortie de lquipement. Ces sections seront examines plus en dtail dans le
paragraphe 3.1.1.
La section intitule Tlmtrie et Commande comprend les circuits ncessaires
pour fournir les informations sur le fonctionnement de lquipement comme par exemple,
la puissance de sortie, la temprature de ltage de sortie, le courant DC, le gain de
lunit, etc . Cette section inclut aussi les circuits ncessaires pour commander
lopration de lunit : changement de gain, dmarrer ou arrter lamplificateur, etc
23

Figure 17 : Schma global dun amplificateur de puissance ltat solide


24

3.1.1 tude des sections de lamplificateur de puissance

a) Attnuateurs variables

Les sections dattnuateurs variables consistent en des modules dattnuateurs


diodes PIN spars parfois par des attnuateurs fixes rsistifs. En contrlant le courant
des diodes PIN, on contrle lattnuation des modules et par consquent lattnuation de
la section entire est contrle.
Pour commuter le gain de la chane, on prdtermine les valeurs de courant des diodes
PIN qui correspondent aux valeurs de gains dsirs et laide du circuit de contrle, on
fournit aux diodes le courant appropri.

La compensation des variations de gain avec la temprature est obtenue en fournissant


aux diodes PIN un courant qui est une fonction dtermine de la temprature de telle
faon que lattnuation est modifie afin de maintenir la puissance de sortie constante.
Par exemple, si la temprature tend rduire la puissance, alors le courant de la diode
varie dans la direction de rduire lattnuation, ce qui augmente la puissance et la
variation en temprature sera ainsi compense.

b) Amplificateurs dentre, intermdiaire et dattaque

Les sections damplificateurs rparties dans lunit fournissent principalement le gain


total requis et la puissance ncessaire pour attaquer ltage de sortie. Ces sections sont
formes des modules damplificateurs transistors bipolaires ou TEC un ou deux
tages. Les modules dentre oprent gnralement en classe A tandis que lamplificateur
dattaque opre souvent en classe AB ou B.

Il faut noter que les diffrentes sections dattnuation et damplification sont spares
par des isolateurs dont la fonction principale est de prvenir linteraction des modules
adjacents.

c) Section de sortie

La section de sortie dun amplificateur de puissance consiste en gnral des modules


suivants :

Un diviseur de puissance 90o


Des modules damplification de puissance
Un combinateur de puissance 90o
Un dtecteur de puissance (si ncessaire)
Un filtre de sortie (si ncessaire)
Un isolateur de sortie

Le diviseur et le combinateur de puissance 90 sont, en gnral, conus avec des


coupleurs simples 90 tels des coupleurs lignes couples, des coupleurs Lange ou des
coupleurs lignes branches.
25

Le signal lentre du diviseur est divis galement entre les deux branches avec un
dphasage de 90 et amplifi dans chaque module damplification; il est ensuite
recombin dans le combinateur de sortie pour fournir une puissance gale la somme des
puissances dans chaque branche. Ainsi, en utilisant deux transistors de 10 watts chacun,
on peut thoriquement (en ngligeant toutes les pertes) obtenir une puissance de sortie de
20 watts. En pratique, les pertes des circuits rduisent la puissance de sortie de
lamplificateur. Le principe de fonctionnement de ltage de sortie est reprsent
vectoriellement sur la figure 18.

Figure 18 : Principe de fonctionnement de ltage de sortie

Des structures plus compliques avec par exemple quatre modules de sortie en
parallles sont utiliss au besoin pour fournir des puissances plus leves. Une telle
configuration est illustre dans la figure 19.

Figure 19 : Configuration de la sortie avec quatre modules


26

Les modules damplificateurs de sortie (avec des transistors bipolaires ou TEC)


oprent en classe AB, B ou C. Les classes AB et B sont utilises dans les cas o la
linarit est un facteur primordial dans la performance de lquipement. Dans certains cas
o des composantes oprant en classe AB ou B ne sont pas disponibles dans la bande de
frquence dopration, on utilise des transistors en classe C en conjonction avec des
circuits de linarisation externes.

Les transistors utiliss dans les tages de sortie sont parfois pr-adapts par le
manufacturier mme afin de faciliter la conception du circuit.

Les autres modules de la section de sortie sont des modules conventionnels comme le
dtecteur de puissance, le filtre bande passante et lisolateur de sortie. Il faut remarquer
que lisolateur de sortie doit pouvoir dissiper les puissances leves qui peuvent
apparatre la suite dune rflexion la sortie. Cette caractristique peut tre donne
lisolateur en choisissant une rsistance de charge pouvant dissiper la puissance en
question.

Il faut bien noter que le schma reprsent la figure 17 peut tre modifi selon les
besoins et les performances requises. Par exemple, un seul attnuateur variable peut tre
suffisant si une compensation de temprature est ncessaire mais une commutation de
gain nest pas requise. Le dtecteur de puissance est parfois limin si une information
sur le niveau de sortie nest pas demande. Dans certains cas, les exigences de la
rejection des harmoniques ne sont pas svres, alors le filtre bande passante peut ne pas
tre utilis. De mme, le nombre damplificateurs dans la chane est toujours tabli selon
le gain et la puissance requis dans les spcifications.

3.1.2 Considrations mcaniques

Les points importants considrer dans la conception mcanique des amplificateurs


puissance ltat solide sont :

- La rsistance aux conditions de lancement des satellites


- Le maintien de lintgrit mcanique durant la mission entire
- La dissipation adquate de la puissance provenant des lments haute
puissance afin de maintenir la temprature des jonctions des transistors au-dessous
des limites permises (110oC)
- La satisfaction des exigences lectriques telles la prvention de radiation,
linterfrence lectromagntique, lisolation des modules, le contact adquat entre
les modules et le chssis de lquipement, etc

Les assemblages typiques damplificateurs de puissance ltat solide sont montrs


dans les figures 20 et 21.
27

Figure 20 : Assemblage dun amplificateur de puissance ltat solide en bande C


28

Figure 21 : Assemblage dun amplificateur de puissance ltat solide en bande S

3.1.3 Spcifications typiques dun amplificateur de puissance ltat solide

A titre dexemple, les spcifications typiques de performances dun amplificateur de


puissance ltat solide en bande C sont donnes ci-aprs. Cet amplificateur sera utilis
dans les rpondeurs 6/4 GHz des satellites de communications.

Frquence dopration : 3.96 GHz 4.2 GHz


Puissance de sortie : 12 W
Niveau dentre maximum : -6 dBm (0.25 mW)
Niveau de surcharge dentre : 16 dBm (40 mW)
Taux dondes stationnaires
Entre : 1.2 :1 (ref. 50 Ohm)
Sortie : 1.2 :1 (ref. 50 Ohm)
Plage dajustement de gain : 20 dB
Commutation de gain : 2 dB/pas
Gain nominal : 47 dB 65 dB
29

Variation de puissance
avec la frquence : 0.4 dB / 250 MHz
0.15 dB / 45 MHz
0.2 dB / 72 MHz
avec la temprature : 0.1 dB / 15 C
Variation de gain / frquence : 0.01 dB / MHz
Variation de dlai de propagation : 0.3 nsec / 45 MHz
0.5 nsec / 72 MHz
Intermodulation (2 porteuses)
-3 dB : -14 dBc
-10 dB : -25 dBc
-17 dB : -39 dBc
AM / PM : 3o / dB
Modulations parasites : 70 dBc
Niveau du 2e harmonique : -60 dBm
Niveau du 3e harmonique : -5 dBm
Densit de bruit
Dans la bande dopration : -45 dBm / 4 KHz
Hors de la bande dopration : -36 dBm / 4 KHz
Protection : doit survivre sans dommages permanents
des courts-circuits et des circuits ouverts
la sortie
Consommation de puissance : 43 W
Dissipation de puissance : 31 W
Variation de phase
Niveau dentre : -26 dBm : 0o rf.
-20 dBm : 1o
-16 dBm : 4o
-12 dBm : 12o
-9 dBm : 18o
-6 dBm : 22o
30

3.2 AMPLIFICATEURS DATTAQUE

Les amplificateurs dattaque sont utiliss pour fournir aux amplificateurs tube
ondes progressives un niveau de puissance dentre adquat. La configuration typique
dun amplificateur dattaque est donne dans la figure 22.

Figure 22 : Configuration typique dun amplificateur dattaque

Dans le cas des amplificateurs dattaque comme dans les amplificateurs de puissance,
la configuration est modifie selon les performances requises. Le rle de chaque section
montre dans la figure 22 est identique celui dj prsent pour les amplificateurs de
puissance ltat solide (Para. 3.1).

Les schmas damplificateurs dattaque en bande C et les units assembles dans leurs
botiers sont illustres dans les figures 23 26.

Figure 23 : Schma dun amplificateur dattaque un tage

Figure 24 : Schma dun amplificateur dattaque deux tages


31

Figure 25 : Assemblage dun amplificateur dattaque un tage


32

Figure 26 : Assemblage dun amplificateur dattaque deux tages.


33

4 GNRATEURS DE FRQUENCES

Les gnrateurs de frquences utiliss dans les quipements ports sur satellites sont
utiliss principalement pour deux applications :

- Oscillateurs locaux
- Gnrateurs de porteuses pour modulateurs

Dans ces deux applications illustres sur les figures 27 et 28, la fonction du gnrateur
est de produire un signal stable en frquence avec un niveau de bruit et de parasites trs
faibles.

Figure 27 : Oscillateur local

Figure 28 : Gnrateur de porteuse

Il existe principalement deux configurations de base pour la gnration de frquences :

Oscillateurs cristal suivi de multiplicateurs


Oscillateurs avec boucle de verrouillage de phase

Ces deux configurations sont montres respectivement dans les figures 29 et 30.
34

Figure 29 : Configuration de gnrateurs de frquences avec chane de multiplicateurs

Figure 30 : Configuration de gnrateurs de frquences avec boucle de verrouillage de


phase

Actuellement, la configuration utilise le plus souvent bord des satellites est celle
avec un oscillateur cristal suivi dune chane de multiplication de frquences.

Les paramtres de performance les plus importants pour les gnrateurs de frquences
sont :

- La frquence du signal
- Le niveau de sortie
- La stabilit du niveau de sortie en fonction de la temprature, la polarisation DC
et le vieillissement
- La stabilit de la frquence long terme et court terme
- Le niveau des signaux parasites la sortie d soit des oscillations soit un
filtrage inadquat

La stabilit de la frquence long terme est la variation de la frquence en fonction de


la temprature, le vieillissement, la charge et la polarisation DC, tandis que la stabilit de
la frquence court terme est la fluctuation rapide de la frquence autour de la frquence
centrale. La stabilit court terme de la frquence peut aussi tre dfinie en termes de
bruit de phase ou modulation rsiduelle FM .
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4.1 CONFIGURATION A OSCILLATEUR A CRISTAL ET MULTIPLICATEURS

Deux configurations typiques pour des frquences de 2.3GHz et 8GHz sont


respectivement illustres dans les figures 31 et 32. Les diffrentes sections de cette
configuration sont dcrites dans les paragraphes suivants.

4.1.1 Oscillateur cristal

Loscillateur cristal utilis dans ces gnrateurs produit la frquence de base qui est
par la suite multiplie jusqu la frquence de sortie. Pour une bonne stabilit de la
frquence en fonction de la temprature, le cristal est souvent plac dans une structure
chauffante (four cristal) afin de le rendre insensible aux variations de la temprature
externe. La temprature de cette structure chauffante est maintenue au-dessus de la
temprature ambiante maximale, cest--dire que si la temprature ambiante maximale
peut slever 55oC alors le cristal doit tre maintenu au-dessus de 55oC, typiquement
60oC. Parfois les systmes exigent des stabilits de frquence tellement pousses quil
faut introduire des circuits additionnels pour corriger les dviations de frquences. Ces
circuits de correction consistent en des circuits de varactors ajouts loscillateur cristal
afin de corriger par commande sa frquence de base. Les frquences des oscillateurs
cristal couramment utiliss varient de 5MHz 140MHz dpendant de lapplication et la
stabilit requises. Les cristaux oprant 5MHz et 10MHz (en mode fondamental) offrent
une meilleure stabilit que les cristaux plus haute frquence.
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Figure 31 : Configuration typique dun gnrateur 2.3GHz


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Figure 32 : Configuration typique dun gnrateur 8GHz


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4.1.2 Les multiplicateurs de frquences

Les multiplicateurs de frquences couramment utiliss dans les gnrateurs de


frquences sont les doubleurs, les tripleurs et les multiplicateurs ordre plus lev
jusqu x 8.

Pour les doubleurs et les tripleurs, on utilise gnralement des transistors bipolaires
jusqu des frquences de sortie de 2GHz. Pour des frquences plus leves, les TEC
remplacent les bipolaires. Dans certains cas, des doubleurs varactors sont aussi utiliss
pour des frquences leves.

Les multiplicateurs ordre lev utilisent des diodes chelons (SRD Step Recovery
Diode) sans autres alternatives.

Lavantage des multiplicateurs transistors est quils fournissent simultanment la


multiplication de frquence et lamplification du signal, par contre, les multiplicateurs
diodes (SRD ou varactor) sont toujours associs des pertes, ce qui ncessite lutilisation
des amplificateurs avant ou aprs ces modules.

4.1.3 Les filtres passe-bande

Les gnrateurs de frquences sont par dfinition des dispositifs qui doivent fournir un
signal de sortie avec un niveau trs faible de parasites. Cela requiert un choix judicieux
de filtres dans la chane de multiplication afin dattnuer les signaux non dsirs la
sortie. Par exemple, un doubleur avec 1GHz dentre produira la sortie un signal de
2GHz mais accompagn dune gamme de frquences incluant le signal dentre et ses
harmoniques :

Frquence dentre : 1 GHz


Frquences de sortie : 1 GHz, 2 GHz, 3 GHz, 4 GHz

Puisque la frquence dsire la sortie est 2GHz, les autres frquences doivent tre
attnues laide dun filtre passe-bande de 2GHz. Le filtrage devient plus difficile avec
les multiplicateurs ordre lev. Par exemple, si le signal de 2GHz devrait tre obtenu
avec un multiplicateur par 8, alors on aurait le spectre suivant :

Frquence dentre : 250 MHz


Frquence de sortie : 250 MHz, 500 MHz, 750 MHz, 1 GHz,
1.25 GHz, 1.5 GHz, 1.75 GHz, 2 GHz, 2.25
GHz, 2.5 GHz,

Cest vident quil est plus difficile dattnuer les signaux 2 GHz 250 MHz (
12.5%) quon voit dans cet exemple, que le signal 2 GHz 1 GHz ( 50% de
lexemple prcdent.
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Dans la conception des gnrateurs de frquence, il faut toujours effectuer une tude
initiale pour dfinir la configuration et pour faire les compromis ncessaires entre la
complexit de lensemble, la facilit de filtrage, la frquence du cristal, le niveau de
sortie, etc.

4.1.4 Les autres modules

a) Contrle automatique de niveau (ALC)

Parfois la stabilit requise du niveau de sortie est telle quil faut utiliser une boucle de
contrle automatique du niveau (figures 31 et 32). Cette section dtecte le niveau de
sortie, le compare un niveau de rfrence prdtermin (comparateur ALC) et ajuste le
courant des diodes PIN dans lattnuateur variable (figure 31) ou le voltage de
polarisation DC dun amplificateur (figure 32) afin de garder le niveau de sortie constant.

b) Filtre passe-bas

La section de sortie des gnrateurs de frquence contient souvent un filtre passe-bas


qui fournit une attnuation adquate des frquences jusqu des frquences leves. Les
filtres hyperfrquences passe-bande prsentent des rponses parasites dues leur
priodicit. Par exemple, un filtre bande-passante 2GHz conu avec des lignes couples
attnuera les signaux proches 2GHz mais aura peu deffet sur le signal 4GHz, cest--
dire quil sera presque transparent cette frquence. Un filtre passe-bas pourra attnuer
cette deuxime harmonique ainsi que les autres parasites des frquences leves.

4.2 GENERATEURS DE FREQUENCE A BOUCLE DE VERROUILLAGE DE


PHASE

Le schma de base dun gnrateur de frquence boucle de verrouillage de phase est


illustr dans la figure 33. La frquence de sortie est obtenue au moyen dun oscillateur
contrl par voltage (VCO). Une portion du signal de sortie est couple un diviseur de
frquence dont la sortie est compare avec un signal de rfrence dans un comparateur de
phase. Celui-ci fournit un voltage derreur proportionnel avec la diffrence de phase entre
la rfrence et le signal frquence divise. Ce voltage derreur est ensuite amplifi, filtr
et finalement appliqu loscillateur contrl par voltage pour corriger sa frquence
jusqu ce que la frquence divise soit gale la frquence de rfrence, ce qui rtablit
lquilibre de la boucle.

Si M est le facteur de division de frquence, fref et fo ont respectivement les frquences


de rfrence et de sortie, alors on peut crire lquilibre

fo
f o M . f ref o u f ref
M

Le signal de rfrence peut tre obtenu directement dun oscillateur cristal ou dun
oscillateur cristal suivi de multiplicateurs, tel que montr dans la figure 33.
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Figure 33 : Verrouillage de phase avec rfrence multiplicateur

Exemple : f o 2300 MHz , M=8, N=3, f ref 287 . 5 MHz , f xtal 95 . 8333 MHz
f0
f ref N f xtal
M

4.3 CONSIDERATIONS MECANIQUES

Les modules des gnrateurs de frquence sont souvent assembls dans un botier dont
le centre est occup par le conditionneur lectronique de puissance. Un exemple
dassemblage est illustr dans la figure 34. la figure 35 illustre le cas dun oscillateur
local.

Si le nombre de modules est lev alors on peut les assembler sur les deux cts du
chssis avec des interconnections faites travers le plancher tel que montr dans la figure
36. Lensemble du gnrateur de frquence est ensuite accoupl la partie RF du
rcepteur ou au modulateur avec lequel il va oprer. Cet assemblage final est illustr dans
la figure 37.

4.4 SPECIFICATIONS TYPIQUES DUN GENERATEUR DE FREQUENCE

Frquence de sortie : 2300 GHz

Puissance de sortie : 10 dBm (10 mW)

Stabilit du niveau : 0.5 dB

Niveau des parasites Harmoniques : -60 dB

Non-harmoniques : -100 dB

Stabilit de frquence Long terme : 10 x 10-6 (10 ppm)

Court terme : 20 Hz RMS, 50 Hz 12 KHz


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Figure 34 : Assemblage dun gnrateur de frquence 2.3GHz


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Figure 35 : Dessin dassemblage de loscillateur local 2.3GHz


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Figure 36 : Assemblage dun gnrateur sur les deux cts du chssis


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Figure 37 : Assemblage du gnrateur de frquence et dun rcepteur (ou modulateur)