Facultad de Ingeniera Electrnica, Elctrica y Telecomunicaciones

APELLIDOS Y NOMBRES
N DE MATRICULA

TAPIA AGUILAR RUTH MARIA

16190027

TEMA
CURSO

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
TRANSISTOR NPN PN2222A

INFORME
FECHAS NOTA

REALIZACION
PREVIO ENTREGA

NUMERO 12 de Junio DEL 19 de Junio

2017 DEL 2017
7

GRUPO
PROFESOR

NUMERO
HORARIO
Ing. Luis Paretto
LUNES
2
10am 12pm
TRANSISTOR C458

Material: Si
La estructura de transistor: NPN
Mxima disipacin de potencia continua colector del transistor (Pc), W: 0.2
Limite el colector DC-base (Ucb), V: 30
Lmite de colector-emisor del transistor de tensin (Uce), V: 30
Lmite de tensin emisor-base (Ueb), V: 5
Mxima corriente continua de colector del transistor (Ic max), A: 0.1
Temperatura lmite de unin pn (Tj), C: 150
Frecuencia de corte de la relacin de transferencia corriente del transistor (Ft), MHz:
230
Capacidad de la unin de colector (Cc), pF: 3.5
Esttica coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor comn
(Hfe= ), min: 100
Caso: TO-92
3. Determinar el punto de operacin del circuito del experimento. (Valores
tericos Tablas 2, 3 y 5)

DATOS:

= 220
= 1
1 = 56 (TABLA 2)

1 = 68 (TABLA 3)
2 = 22
= 12 .

Tenemos para el transistor c458 (NPN-Si):

Por ser de Silicio: = 0.6 = 100

Hallando el punto Q:

TABLA 2.

Valores Ic (mA) Ib (mA) Vce (v.) Vbe Ve (v.)

(R1=56K) (v.)
Tericos 7.3260 0.07326 100 3.0622 0.6 v 1.4798

2 12 22
= = = 3.385
1 + 2 56 + 22

1 2 56 22
= = = 15.795
1 + 2 56 + 22

3.385 0.6
= = = 0.07326
+ ( + 1) 15.795 + (100 + 1)220

= = 0.07326 100 = 7.3260

= ( + ) = (0.07326 + 7.3260)220 = 1.4798

= ( + ) = 12 {7.3260(1000 + 220)} = 3.0622

 TABLA 3.

Valores Ic (mA) Ib (mA) Vce (v.) Vbe Ve (v.)

(R1=68K) (v.)
Tericos 6.0063 0.0601 100 4.6724 0.6v 1.4535

2 12 22
= = = 2.933
1 + 2 68 + 22

1 2 68 22
= = = 16.622
1 + 2 68 + 22

2.933 0.6
= = = 0.0601
+ ( + 1) 16.622 + (100 + 1)220

= = 0.0601 100 = 6.0063

= ( + ) = (0.0601 + 6.0063)220 = 1.4535

= ( + ) = 12 {6.0063(1000 + 220)} = 4.6724

TABLA 5

Para P=100 k:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 100 =

Valores Ic (mA) Ib (mA) Vce (v.) Vbe (v.)

( = )
Tericos 2.1276 0.0213 100 9.4043 0.6v
Hallando los siguientes valores:

2 12 22
= = = 1.483
1 + 2 156 + 22

1 2 156 22
= = = 19.281
1 + 2 156 + 22

1.483 0.6
= = = 0.0213
+ ( + 1) 19.281 + {(100 + 1)220}

= = 0.0213 100 = 2.1276

= ( + ) = 12 (2.1276(1000 + 220)) = 9.4043

Para P=250 k:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 250 =

Valores
Ic (A) Ib (A) Vce (v.) Vbe (v.)
( = )
Tericos 479.59 4.7959 100 11.4149 0.6v

Hallando los siguientes valores:

2 12 22
= = = 0.805
1 + 2 306 + 22

1 2 306 22
= = = 20.524
1 + 2 306 + 22

0.805 0.6
= = = 4.7959
+ ( + 1) 20.524 + {(100 + 1)220}

= = 4.7959 100 = 479.59

= ( + ) = 12 {479.59(1000 + 220)} = 11.4149

 Para P=500 k:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 500 =

Valores Ic (A) Ib (A) Vce (v.) Vbe

( = ) (v.)
Tericos 329.622 3.296 100 12.4021 0.6v

Hallando los siguientes valores:

2 12 22
= = = 0.457
1 + 2 556 + 22

1 2 556 22
= = = 21.163
1 + 2 556 + 22

0.457 0.6
= = = 3.296
+ ( + 1) 21.163 + (100 + 1)220

= = 3.296 100 = 329.622

= ( + ) = 12 {329.622(1000 + 220)} = 12.4021

Para P= 1M:

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:

1 = 1 + 1 1 = 56 + 1000 =

Valores Ic (mA) Ib (mA) Vce (v.) Vbe

(= ) (v.)
Tericos 0.8110 0.0081 100 12.9894 0.6v
Hallando los siguientes valores:

2 12 22
= = = 0.245
1 + 2 1056 + 22

1 2 1056 22
= = = 21.551
1 + 2 1056 + 22

0.245 0.6
= = = 0.0081
+ ( + 1) 21.551 + (100 + 1)220

= = 0.0081 100 = 0.8110

= ( + ) = 12 (0.8110(1000 + 220)) = 12.9894

P1 100k 250k 500k 1M

Ic 2.1276 479.59A 329.622 0.8110
Ib 0.0213 4.7959A 3.296 0.0081
Vce 9.4043 11.4149 12.4021 12.9894